JP3350712B2 - Frequency multiplier element characteristic evaluation method and frequency multiplier element characteristic evaluation device - Google Patents

Frequency multiplier element characteristic evaluation method and frequency multiplier element characteristic evaluation device

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JP3350712B2
JP3350712B2 JP2000080839A JP2000080839A JP3350712B2 JP 3350712 B2 JP3350712 B2 JP 3350712B2 JP 2000080839 A JP2000080839 A JP 2000080839A JP 2000080839 A JP2000080839 A JP 2000080839A JP 3350712 B2 JP3350712 B2 JP 3350712B2
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雅博 清川
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【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、トランジスタやダ
イオード等のデバイスの周波数逓倍特性を評価するため
の方法及び装置に関し、特に、マイクロ波及びミリ波周
波数帯域への周波数逓倍器の大信号設計を行うためのロ
ードプル測定に好適な機械的チューナを利用することを
特徴とする。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method and apparatus for evaluating the frequency multiplication characteristics of devices such as transistors and diodes, and more particularly to a large signal design of a frequency multiplier for microwave and millimeter wave frequency bands. The present invention is characterized in that a mechanical tuner suitable for performing load pull measurement is used.

【0002】[0002]

【従来の技術】活発化している高データレートのKa帯
無線通信システムにおいて求められる高安定、低位相雑
音の信号源として、位相同期発振器(PLO)が有望な
候補と考えられている。ミリ波発振器を直接位相同期す
る代わりに、マイクロ波PLOの出力を一段若しくは複
数段の周波数逓倍器によって逓倍する方法は、コスト、
消費電力、また位相雑音の点からも有効なアプローチで
あると考えられる。そして、周波数逓倍器の動作原理は
デバイスの非線形性に基づいており、その設計はほとん
どの場合、マイクロ波回路シミュレータ上で大信号動作
のデバイスモデルを用いて行われてきた。しかしなが
ら、周波数逓倍器の動作点として多く用いられるB級動
作に対してはデバイスモデリングの精度が不十分である
ことが多かった。
2. Description of the Related Art A phase-locked oscillator (PLO) is considered as a promising candidate as a signal source of high stability and low phase noise required in an active high data rate Ka band wireless communication system. Instead of directly phase-locking the millimeter-wave oscillator, the method of multiplying the output of the microwave PLO by one or more stages of frequency multipliers is costly,
It is considered to be an effective approach in terms of power consumption and phase noise. The operating principle of the frequency multiplier is based on the non-linearity of the device, and its design has been performed in most cases on a microwave circuit simulator using a large signal operation device model. However, the accuracy of device modeling is often insufficient for class B operation, which is often used as an operating point of a frequency multiplier.

【0003】デバイスモデリングの代わりとして、デバ
イスの入出力端子にチューナを接続し、チューナのイン
ピーダンスを変化させて、出力電力、利得等が最適にな
る負荷インピーダンスを直接測定によって求める方法が
ロードプル(信号源側に対してはソースプル)として知
られ、主として高出力デバイスの性能評価や高出力増幅
器の設計に用いられてきた。チューナとして機械的チュ
ーナを用いる方法が、比較的簡便なロードプル測定法と
して行われ、近年は市販の自動チューナを用いて高精度
な測定が短時間で行えるようになってきている。
As an alternative to device modeling, a method is known in which a tuner is connected to the input / output terminals of the device, the impedance of the tuner is changed, and the load impedance at which the output power, gain, etc. are optimized is directly measured by load pull (signal source). This is known as source pull on the side, and has been mainly used for evaluating the performance of high-power devices and designing high-power amplifiers. A method using a mechanical tuner as a tuner is performed as a relatively simple load-pull measuring method, and in recent years, a highly accurate measurement can be performed in a short time using a commercially available automatic tuner.

【0004】このような従来のロードプル測定系を図7
に示す。周波数逓倍素子特性評価装置100は、被測定
デバイス101のソース側測定系102とロード側測定
系103の各々に機械的チューナを接続し、そのインピ
ーダンスを機械的に変化させることにより、実際の入出
力信号レベルにおけるソース側、ロード側の整合がとれ
る条件を測定によって求め、出力電力、利得等の最適化
を行う。
FIG. 7 shows such a conventional load-pull measuring system.
Shown in The frequency-multiplier element characteristic evaluation apparatus 100 connects a mechanical tuner to each of the source-side measurement system 102 and the load-side measurement system 103 of the device under test 101 and mechanically changes the impedance thereof, thereby realizing actual input / output. Conditions for matching the signal level on the source side and the load side are obtained by measurement, and the output power, gain, and the like are optimized.

【0005】現在実用化されている同軸接続用の機械的
チューナはスラグチューナと呼ばれるもので、その構造
を図8に示す。スラグチューナ104の線路は一対の対
向する平行接地導体105a,105bの離隔空隙のほ
ぼ中央に中心導体106を位置させることで平行板伝送
線路(スラブライン)を形成している。なお、図8
(a)はスラブラインに直交する縦断面を示し、図8
(b)はスラブラインに平行な縦断面を示す。このスラ
ブライン中に金属片よりなるスラグ107を上方向から
挿入し、このスラグ107水平方向(スラブラインに平
行な方向)及び垂直方向(スラブラインに垂直な方向)
の位置を変化させることによって、任意のインピーダン
スを生成している。なお、機械的チューナには入力同軸
端子108aを介して信号入力され、出力同軸端子10
8bを介して機械的チューナから信号出力させる。
[0005] A mechanical tuner for coaxial connection that is currently in practical use is called a slug tuner, and its structure is shown in FIG. The line of the slag tuner 104 forms a parallel plate transmission line (slab line) by locating the center conductor 106 substantially at the center of the space between the pair of opposed parallel ground conductors 105a and 105b. FIG.
FIG. 8A shows a vertical section perpendicular to the slab line, and FIG.
(B) shows a vertical section parallel to the slab line. A slag 107 made of a metal piece is inserted into the slab line from above, and the slag 107 is horizontally (a direction parallel to the slab line) and vertical (a direction perpendicular to the slab line).
By changing the position of, an arbitrary impedance is generated. A signal is input to the mechanical tuner via the input coaxial terminal 108a, and the output coaxial terminal 10a.
A signal is output from the mechanical tuner via 8b.

【0006】即ち、入力同軸端子108aからのスラグ
107の水平距離を調整することで被測定101デバイ
スからの電気長を変化させ、スラグ107を中心導体1
06に近づけることによって短絡条件を実現し、逆にス
ラグ107を中心導体106から十分離すことによって
線路の電磁界に与える影響を最小にすることで50Ωを
実現している。なお、被測定デバイスは通常同軸線路か
ら直接アクセスできないため、そのための変換構造を必
要とする。アクセスする手段はいくつかあり、その変換
構造をテストフィクスチャと総称している。
That is, by adjusting the horizontal distance of the slug 107 from the input coaxial terminal 108a, the electrical length from the device under test 101 is changed, and the slug 107 is moved to the center conductor 1
06 is realized, and the short-circuit condition is realized. On the contrary, the slug 107 is sufficiently separated from the center conductor 106 to minimize the influence on the electromagnetic field of the line, thereby achieving 50Ω. In addition, since the device to be measured cannot be directly accessed from the coaxial line, a conversion structure for the device is required. There are several access means, and the conversion structure is generically called a test fixture.

【0007】そして、1個のスラグを有する従来の機械
的チューナを周波数逓倍器用のロードプル測定として用
いる場合、出力側チューナのインピーダンスを目的とす
る逓倍波周波数において変化させて測定することで、逓
倍波出力電力等のパラメータが最適になるような逓倍波
負荷インピーダンスが求められるのである。
When a conventional mechanical tuner having one slug is used as a load-pull measurement for a frequency multiplier, the impedance of the output tuner is measured by changing the impedance at the intended frequency of the harmonic. A multiplied wave load impedance that optimizes parameters such as output power is required.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、逓倍変
換効率は、出力回路の逓倍波負荷インピーダンスのみな
らず基本波負荷インピーダンスに依存し、これを最適化
(ある電気長を伴った短絡条件)することによって向上
することが知られているものの、上述した如き従来の機
械的チューナは、スラグをスラブラインの中心導体に近
づけることによって短絡条件を実現しているので、基本
波に対する短絡は逓倍波に対してもやはり短絡となって
しまい、逓倍波負荷インピーダンスの最適化を行うこと
はできなかった。また、ある逓倍波負荷インピーダンス
が、あるスラグの位置に対して実現されている時、基本
波負荷インピーダンスはある特定の値になっている。こ
のように、1個のスラグを有する従来の機械的チューナ
によって、基本波負荷インピーダンスと逓倍波負荷イン
ピーダンスとを独立に制御することはできなかった。
However, the multiplication conversion efficiency depends not only on the multiplied wave load impedance of the output circuit but also on the fundamental wave load impedance, and this must be optimized (short-circuit condition with a certain electrical length). Although the conventional mechanical tuner as described above realizes a short-circuit condition by bringing the slag close to the center conductor of the slab line, the short-circuit for the fundamental wave is different from that for the multiplied wave. Even so, short-circuiting still occurred, and it was not possible to optimize the multiplied wave load impedance. Also, when a certain multiplied wave load impedance is realized for a certain slug position, the fundamental wave load impedance has a certain value. As described above, the conventional mechanical tuner having one slug cannot control the fundamental wave load impedance and the multiplied wave load impedance independently.

【0009】そこで、本発明は、デバイスの周波数逓倍
素子としての限界性能を測定できるようにするために、
基本波負荷インピーダンスを最適に設定した状態で逓倍
波負荷インピーダンスを独立して制御できるような周波
数逓倍素子特性評価方法およびその装置を提供するもの
である。
Accordingly, the present invention provides a method for measuring the critical performance of a device as a frequency multiplier.
It is an object of the present invention to provide a frequency multiplier element characteristic evaluation method and an apparatus for controlling a multiplied wave load impedance independently with a fundamental wave load impedance set optimally.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項1に係る発明は、入力信号の基本波負荷イン
ピーダンス調整に用いるソース側機械的チューナを含む
ソース側測定系より、特性評価の対象となる周波数逓倍
素子に基本波周波数信号を供給し、周波数逓倍素子の出
力信号の逓倍波負荷インピーダンス調整に用いるロード
側機械的チューナを含むロード側測定系により、周波数
逓倍素子の周波数逓倍性能に関するデータを採取して周
波数逓倍特性を評価する周波数逓倍素子測定評価方法に
おいて、一対の対向する平行接地導体の離隔空隙のほぼ
中央に中心導体を位置させることでスラブラインを形成
し、このスラブライン中に金属片よりなる逓倍波負荷イ
ンピーダンス制御手段としてのスラグを挿入した構造の
ロード側機械的チューナに、上記スラブラインの中心導
体に直交すると共に一方端が電気的に接触し、且つ平行
接地導体に平行な状態に保持された基本波周波数の四分
の一波長の長さの中心導体を設けることで、基本波周波
数の四分の一波長の開放端スタブとして機能し、それ故
にその位置において基本波に対して短絡条件を満たし、
且つ、その位置設定によって被測定デバイスから短絡点
までの電気長を決定する基本波負荷インピーダンス制御
手段を備えるロード側機械的チューナと成し、上記基本
波負荷インピーダンス制御手段によって基本波負荷イン
ピーダンスを最適に設定し、その状態で偶数次の逓倍波
負荷インピーダンスを制御するようにしたことを特徴と
する。
In order to solve the above-mentioned problems, the invention according to claim 1 is characterized in that a characteristic evaluation is performed by using a source-side measurement system including a source-side mechanical tuner used for adjusting a load impedance of a fundamental wave of an input signal. Supply the fundamental frequency signal to the target frequency multiplier, and use the load-side measurement system including the load-side mechanical tuner to adjust the load impedance of the output signal of the frequency multiplier. in frequency multiplication device measurement evaluation method for evaluating the frequency multiplication properties were collected data on approximately the separation gap parallel ground conductor pair of opposed
A slab line is formed by positioning the center conductor in the center
In this slab line, a multiplied wave load
Structure with a slag inserted as impedance control means.
Load the center of the slab line to the mechanical tuner on the load side.
Perpendicular to the body and one end in electrical contact and parallel
Quarter of the fundamental frequency held parallel to the ground conductor
By providing a central conductor having a length of one wavelength, it functions as an open-end stub of a quarter wavelength of the fundamental wave frequency, and therefore satisfies the short-circuit condition for the fundamental wave at that position,
And, form a load-side mechanical tuner with a fundamental load impedance control means for determining an electrical length of up to short-circuit point from the measuring device by its positioning, optimum fundamental load impedance by the fundamental load impedance control means , And in this state, the even-ordered harmonic load impedance is controlled.

【0011】また、請求項2に係る発明は、入力信号の
基本波負荷インピーダンス調整に用いるソース側機械的
チューナ(35)を含み特性評価の対象となる周波数逓
倍素子(被測定デバイス2)に基本波周波数信号を供給
するソース側測定系(3)と、周波数逓倍素子の出力信
号の逓倍波負荷インピーダンス調整に用いるロード側機
械的チューナ(41)を含むロード側測定系(4)とか
らなり、周波数逓倍素子の周波数逓倍性能に関するデー
タを採取して周波数逓倍特性を評価する周波数逓倍素子
測定評価装置(1)において、上記ロード側測定系のロ
ード側機械的チューナは、一対の対向する平行接地導体
の離隔空隙のほぼ中央に中心導体を位置させることでス
ラブラインを形成し、このスラブライン中に金属片より
なる逓倍波負荷インピーダンス制御手段としてのスラグ
を挿入した構造で、基本波周波数の四分の一波長の開放
端スタブとして機能し、それ故にその位置において基本
波に対して短絡条件を満たし、且つ、その位置設定によ
って被測定デバイスから短絡点までの電気長を決定する
基本波負荷インピーダンス制御手段(基本波負荷インピ
ーダンス制御用プローブ5)として、上記スラブライン
の中心導体に直交すると共に一方端が電気的に接触し、
且つ平行接地導体に平行な状態に保持された基本波周波
数の四分の一波長の長さの中心導体(51)を備えるも
のとし上記基本波負荷インピーダンス制御手段により
基本波負荷インピーダンスを最適に設定し、その状態で
偶数次の逓倍波負荷インピーダンスを制御するようにし
たことを特徴とする。
Further, the invention according to claim 2 is based on a frequency multiplier (device under test 2) which includes a source side mechanical tuner (35) used for adjusting a load impedance of a fundamental wave of an input signal and which is subjected to characteristic evaluation. And a load-side measurement system (4) including a load-side mechanical tuner (41) used for adjusting a multiplied-wave load impedance of an output signal of the frequency-multiplier element. In the frequency multiplier measuring and evaluating apparatus (1) for collecting data on the frequency multiplier performance of the frequency multiplier and evaluating the frequency multiplier characteristics, the load-side mechanical tuner of the load-side measuring system includes a pair of opposed parallel ground conductors.
The center conductor is located approximately at the center of the
Form a rub line, and from this piece of metal during this slab line
As a means of controlling the load impedance of multiple harmonics
Function as an open-end stub of a quarter wavelength of the fundamental frequency, and therefore satisfy the short-circuit condition for the fundamental wave at that position, and set the short-circuit point from the device under test by setting its position. The above slab line is used as a fundamental wave load impedance control means (fundamental wave load impedance control probe 5) for determining the electrical length up to
Perpendicular to the center conductor and one end is in electrical contact,
And the fundamental frequency held parallel to the parallel ground conductor
Even Ru comprise a number of quarter wave length of the center conductor (51)
Cities, by the fundamental load impedance control means to optimally set the fundamental load impedance, characterized in that so as to control the even-order multiplier wave load impedance in that state.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】次に、添付図面に基づいて、本発
明の実施形態を詳細に説明する。本発明では図1に示す
ように、周波数逓倍素子特性評価装置1は、特性評価の
対象となる周波数逓倍素子2に基本波周波数信号を供給
するソース側測定系3と、周波数逓倍素子2の周波数逓
倍性能に関するデータを採取するロード側測定系4とか
らなる。
Next, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the present invention, as shown in FIG. 1, a frequency multiplier element characteristic evaluation apparatus 1 includes a source side measurement system 3 for supplying a fundamental frequency signal to a frequency multiplier element 2 to be evaluated, and a frequency of the frequency multiplier element 2. A load-side measurement system 4 for collecting data on the multiplication performance.

【0013】ソース側測定系3は、基本波周波数信号を
供給する信号源31と方向性結合器32とアイソレータ
33とデバイスティー34とソース側機械的チューナ3
5を含む。上記方向性結合器32は信号源31からの信
号の一定の割合(結合度として、例えば20分の1)を
分岐するためのもので、パワーメータ36によりその信
号レベルを測定することにより信号源31からの出力レ
ベルをモニターする。また、アイソレータ34は被測定
デバイス2からの反射波が信号源31に影響を及ぶすの
を防ぐためのものである。また、バイアスティー34は
被測定デバイス2へのバイアス供給に用いるものであ
る。また、ソース側機械的チューナ35は入力信号(基
本波周波数信号)の基本波負荷インピーダンス調整を行
うものである。
The source side measuring system 3 includes a signal source 31 for supplying a fundamental frequency signal, a directional coupler 32, an isolator 33, a device tee 34, and a source side mechanical tuner 3.
5 is included. The directional coupler 32 is for branching a fixed ratio (for example, 1/20 as the degree of coupling) of the signal from the signal source 31, and the signal level is measured by a power meter 36 to measure the signal level. The output level from 31 is monitored. The isolator 34 is for preventing the reflected wave from the device under test 2 from affecting the signal source 31. The bias tee 34 is used to supply a bias to the device under test 2. The source-side mechanical tuner 35 adjusts the load impedance of the input signal (fundamental frequency signal).

【0014】一方、ロード側測定系4は、被測定デバイ
ス2の出力信号の逓倍波負荷インピーダンス調整機能を
有するロード側機械的チューナ41と、被測定デバイス
2へのバイアス供給に用いるバイアスティー42と、ス
ペクトラムアナライザ43とからなる。なお、スペクト
ラムアナライザ43は、被測定デバイス2から発生する
逓倍波、基本波及び不要高調波レベルを測定するもので
ある。
On the other hand, the load-side measuring system 4 includes a load-side mechanical tuner 41 having a function of adjusting a multiplied-wave load impedance of an output signal of the device under test 2, and a bias tee 42 used to supply a bias to the device under test 2. , And a spectrum analyzer 43. The spectrum analyzer 43 measures the level of a harmonic, a fundamental wave, and an unnecessary harmonic generated from the device under test 2.

【0015】しかして、本実施形態に係る周波数逓倍素
子特性評価装置1のロード側機械的チューナ41は、既
存のスラグチューナ(一対の対向する平行接地導体の離
隔空隙のほぼ中央に中心導体を位置させることで平行板
伝送線路(スラブライン)を形成し、このスラブライン
中に金属片よりなるスラグを上方向から挿入した構造)
に対し、「基本波周波数の四分の一波長の開放端スタブ
として機能し、それ故にその位置において基本波に対し
て短絡条件を満たし、且つ、その位置設定によって被測
定デバイスから短絡点までの電気長を決定する基本波負
荷インピーダンス制御手段」として機能する基本波負荷
インピーダンス制御用プローブを設けたものである。斯
く構成した基本波負荷インピーダンス制御用プローブ
は、偶数次の逓倍波に対して開放条件となるため、逓倍
波負荷インピーダンスの制御に対して全く影響を与えな
い。
Thus, the load-side mechanical tuner 41 of the frequency-multiplier element characteristic evaluation apparatus 1 according to the present embodiment uses the existing slug tuner (with the center conductor positioned substantially at the center of the space between the pair of opposed parallel ground conductors). (A structure in which a parallel plate transmission line (slab line) is formed and a slag made of metal pieces is inserted into this slab line from above)
"It functions as an open-ended stub of a quarter wavelength of the fundamental frequency, and therefore satisfies the short-circuit condition for the fundamental wave at that position, and, depending on the position setting, the distance from the device under test to the short-circuit point. A fundamental wave load impedance control probe functioning as "fundamental wave load impedance control means for determining the electrical length" is provided. The probe for controlling the load impedance of the fundamental wave thus configured has an open condition with respect to the even-numbered harmonics, and therefore has no influence on the control of the load impedance of the harmonics.

【0016】したがって、基本波負荷インピーダンス制
御用プローブの位置設定による基本波負荷インピーダン
スの制御と、スラグの位置設定による逓倍波負荷インピ
ーダンスの制御とを独立して行うことで、基本波成分を
反射抑圧し、周波数逓倍に関するデバイスの達成可能な
周波数逓倍出力電力、変換効率、消費電力、位相雑音等
の性能やそのための条件が測定可能になる。
Accordingly, the control of the fundamental wave load impedance by setting the position of the probe for controlling the fundamental wave load impedance and the control of the multiplied wave load impedance by setting the position of the slug are performed independently, so that the reflection of the fundamental wave component is suppressed. In addition, it is possible to measure performance such as frequency-multiplied output power, conversion efficiency, power consumption, and phase noise that can be achieved by the device with respect to frequency multiplication, and conditions therefor.

【0017】なお、上述した構成の基本波負荷インピー
ダンス制御用プローブをロード側機械的チューナ41に
設けても、被測定デバイス2に対する特性評価は偶数次
の逓倍に関してのみ可能であるという制限が生じてしま
うものの、二逓倍器,四逓倍器は寧ろ頻繁に使用され、
特に二逓倍器は最も大きな変換効率が得られることから
使用頻度が最も高いので、偶数次の逓倍特性評価を行え
ることの意義は極めて大きいのである。
Even when the fundamental wave load impedance control probe having the above-described configuration is provided in the load-side mechanical tuner 41, there is a limitation that the characteristic evaluation of the device under test 2 can be performed only with respect to even-order multiplication. However, doublers and quadruples are used rather frequently,
In particular, the frequency doubler is the most frequently used because it provides the highest conversion efficiency, so that it is extremely important to be able to evaluate the even-numbered multiplication characteristics.

【0018】次に、基本波負荷インピーダンス制御手段
としての基本波負荷インピーダンス制御用プローブの構
成例を、図2に基づいて説明する。
Next, a configuration example of a fundamental wave load impedance control probe as fundamental wave load impedance control means will be described with reference to FIG.

【0019】基本波負荷インピーダンス制御用プローブ
5は、四分の一波長(基本波に対して)の中心導体51
の一方端が、例えば直方体に成形された低誘電率誘電体
52によって固定されされるようにし、低誘電率誘電体
52の直方体における一対の相対する側面に各々導体板
53a,53bを貼り付け、鉛直方向(中心導体51の
方向)に対して、開放端を有するスラブラインスタブと
して機能するための構造を具備させたものである。な
お、低誘電率誘電体52としては発泡スチロール等を用
いることができ、誘電率が1に近い素材が適している。
The fundamental wave load impedance control probe 5 has a center conductor 51 of a quarter wavelength (with respect to the fundamental wave).
Is fixed by, for example, a low dielectric constant dielectric 52 formed in a rectangular parallelepiped, and conductor plates 53a and 53b are attached to a pair of opposed side surfaces of the low dielectric constant dielectric 52 in a rectangular parallelepiped, respectively. A structure for functioning as a thrust stub having an open end in the vertical direction (the direction of the center conductor 51) is provided. Styrofoam or the like can be used as the low dielectric constant dielectric 52, and a material having a dielectric constant close to 1 is suitable.

【0020】上記のように構成した基本波負荷インピー
ダンス制御用プローブ5を、ロード側機械的チューナ4
1のスラブライン上の入力同軸端子とスラグとの間に挿
入し、中心導体51の他端がスラブライン主線路の中心
導体に届くような位置に設定することで、その位置にお
いて基本波に対する短絡条件が実現される。位置設定の
方法としては直方体誘電体の上部にマイクロメータを取
り付け、鉛直方向の位置の微調整ができるようにする。
また、水平方向にもマイクロメータによって位置調整が
できるようにし、被測定デバイス2から短絡端までの電
気長の最適化が行えるようにする。なお、鉛直方向のプ
ローブ位置の微調整により、スラブライン主線路の中心
導体との電磁界の結合状態の微調整ができるため、帯域
阻止フィルタとしての帯域を可変できる。
The fundamental wave load impedance control probe 5 configured as described above is connected to the load side mechanical tuner 4.
1 is inserted between the input coaxial terminal on the slab line and the slag, and is set at a position where the other end of the center conductor 51 reaches the center conductor of the slab line main line. The condition is fulfilled. As a position setting method, a micrometer is mounted on the upper part of the rectangular parallelepiped dielectric so that the vertical position can be finely adjusted.
Also, the position can be adjusted by a micrometer in the horizontal direction, and the electrical length from the device under test 2 to the short-circuit end can be optimized. The fine adjustment of the probe position in the vertical direction allows fine adjustment of the coupling state of the electromagnetic field with the center conductor of the slab line main line, so that the band as the band rejection filter can be varied.

【0021】続いて、図3に示すような周波数逓倍素子
特性評価装置1′を用いて、周波数逓倍素子の基本波周
波数でのソースプル、逓倍波周波数でのロードプルの基
本特性を調べた実施例を説明する。
Next, an embodiment in which the fundamental characteristics of the source pull at the fundamental frequency of the frequency multiplier and the load pull at the harmonic frequency of the frequency multiplier were examined using the frequency multiplier element characteristic evaluation apparatus 1 'as shown in FIG. explain.

【0022】ソース側機械的チューナ35、ロード側機
械的チューナ41として自働機械的チューナ(Focu
s Microwaves社製、モデル4006、対応
周波数:6〜40GHz)を使用した。被測定デバイス
2を定置するテストフィクスチャとしては、RFプロー
ブ61,61によりオンウェーハデバイスへのアクセス
が可能となるようにした。各機械的チューナはプローブ
ステーション62に取り付けた金属板63上に設置し、
セミリジッド同軸ケーブル64,64によりRFプロー
ブ61,61と接続した。なお、プローブステーション
62としては、カスケード・マイクロテック社製SUM
MIT9000を使用した。
An automatic mechanical tuner (Focu) is used as the source-side mechanical tuner 35 and the load-side mechanical tuner 41.
s Microwaves, model 4006, corresponding frequency: 6 to 40 GHz) was used. As a test fixture in which the device under test 2 is fixed, access to the on-wafer device is enabled by the RF probes 61 and 61. Each mechanical tuner is installed on a metal plate 63 attached to a probe station 62,
The semi-rigid coaxial cables 64, 64 connected the RF probes 61, 61, respectively. The probe station 62 is a SUM manufactured by Cascade Microtech.
MIT 9000 was used.

【0023】ソース側機械的チューナ35およびロード
側機械的チューナ41を制御することにより、被測定デ
バイス2から見たソース側及びロード側の任意の値のイ
ンピーダンスが生成されることを想定しているが、実際
には、被測定デバイス2と各チューナ間の損失により、
生成されるインピーダンスの領域が限定される。したが
って、この損失を最小限にすることが重要であり、RF
プローブ61としてはGGB社製ピコプローブ,モデル
40M(DC〜40GHzにおいて挿入損0.5dB以
下)を使用し、セミリジッド同軸ケーブル64はSpe
ctrum社製89−0090−KMKMを使用し、そ
の長さは必要最短(9cm)とした。
By controlling the source-side mechanical tuner 35 and the load-side mechanical tuner 41, it is assumed that an arbitrary value of impedance on the source side and on the load side viewed from the device under test 2 is generated. However, actually, due to the loss between the device under test 2 and each tuner,
The region of the generated impedance is limited. Therefore, it is important to minimize this loss and RF
As the probe 61, a pico probe manufactured by GGB, model 40M (insertion loss 0.5 dB or less at DC to 40 GHz) is used, and the semi-rigid coaxial cable 64 is Spe.
89-0090-KMKM manufactured by ctrum Co., Ltd. was used, and the length thereof was set to the minimum necessary length (9 cm).

【0024】また、被測定デバイス2へのバイアス供給
に用いるバイアスティー34,42は被測定デバイス2
からみて各機械的チューナ35,41の外側に置いた。
バイアスティー34,42としては、アンリツ社製K2
50を用い、バイアス電圧としてドレイン・ソース電圧
3.0V,ゲート・ソース電圧 −1.2Vに設定し
た。アイソレータ33としてはSMT社製SMI−13
16を用いた。方向性結合器32としてはKrytar
社製102040013K(2−40GHz)を用い、
結合度は−13dBである。
The bias tees 34 and 42 used for supplying a bias to the device under test 2 are
The mechanical tuners 35 and 41 were placed outside from the viewpoint.
As the bias tees 34 and 42, K2 manufactured by Anritsu Corporation
50, the drain-source voltage was set to 3.0 V and the gate-source voltage was set to −1.2 V as the bias voltage. As the isolator 33, SMI-13 manufactured by SMT
16 was used. Krytar is used as the directional coupler 32.
Using 102040013K (2-40 GHz) manufactured by
The coupling degree is -13 dB.

【0025】被測定デバイス2としては、ゲート幅50
0μmのNorthrop Grumman GaAs
PHEMTをピンチオフ動作させ、素子から発生する
第2高調波をスペクトラムアナライザ43により測定し
た。なお、ソース側機械的チューナ35による挿入損
は、該チューナによって生成されるインピーダンスによ
って変動するので、被測定デバイス2に入力される電力
が一定になるように信号源31の出力レベルを調整す
る。
The device under test 2 has a gate width of 50
0 μm Northrop Grumman GaAs
The PHEMT was pinched off, and the second harmonic generated from the element was measured by the spectrum analyzer 43. Since the insertion loss caused by the source-side mechanical tuner 35 varies depending on the impedance generated by the tuner, the output level of the signal source 31 is adjusted so that the power input to the device under test 2 becomes constant.

【0026】ここで、ロード側機械的チューナ41に付
加する基本波負荷インピーダンス制御用プローブ5とし
ては図4に示すように、誘電率約1の発泡性誘電体素材
を直方体(幅3.8mm×奥行き7.5mm×高さ8.
0mm)に成形した低誘電率誘電体52の中心軸上に太
さ1.0mm、長さ9.0mmの銅線を中心導体51と
して固定したものを用意した。これを、Focus M
icrowaves社の自動機械的チューナ(6〜40
GHz)のスラブライン上の入力端子とスラグの間の位
置で、スラブラインの上面の間隙から鉛直方向に挿入
し、直方体の下面がスラブライン主線路の中心導体に届
くような位置に固定した。なお、スラブラインを構成す
る一対の平行接地導体の板間ギャップは3.0mmであ
るが、有弾性の発泡性誘電体素材により形成した低誘電
率誘電体52は幅3.8mmでも十分挿入可能であり、
しかも、発泡性誘電体素材の復元力で低誘電率誘電体5
2は平行設定導体の板間内面へ密着するので、別途に固
定手段を設けることなく定位置へ固定できる。
As shown in FIG. 4, the probe 5 for controlling the fundamental wave load impedance to be added to the mechanical tuner 41 on the load side is made of a foamed dielectric material having a dielectric constant of about 1 and having a rectangular parallelepiped (3.8 mm width × 3.8 mm). 7. Depth 7.5mm x height 8.
A copper wire having a thickness of 1.0 mm and a length of 9.0 mm was fixed as a central conductor 51 on the central axis of a low-dielectric-constant dielectric 52 formed to a thickness of 0 mm). This is Focus M
Microwaves automatic mechanical tuner (6-40
At the position between the input terminal and the slag on the slab line (GHz), the slab line was inserted vertically from the gap on the upper surface of the slab line, and fixed at a position such that the lower surface of the rectangular parallelepiped reached the center conductor of the slab line main line. The gap between the plates of the pair of parallel ground conductors constituting the slab line is 3.0 mm, but the low dielectric constant dielectric 52 formed of an elastic foamed dielectric material can be sufficiently inserted even with a width of 3.8 mm. And
In addition, the low dielectric constant dielectric material 5 is formed by the restoring force of the foamable dielectric material.
2 is in close contact with the inner surface of the parallel setting conductor between the plates, so that it can be fixed at a fixed position without separately providing fixing means.

【0027】上記のような基本波負荷インピーダンス制
御用プローブ5の装荷されたロード側機械的チューナ4
1の特性をベクトルネットワークアナライザ(ヒューレ
ットパッカード社製、型番:HP8510C)を用いて
測定した。図5はスラグが中心導体から十分に離れてい
る場合(50Ω)の特性を示す。すなわち、基本波負荷
インピーダンス制御用プローブ5は周波数8.5GHz
に対して、四分の一波長として動作し、8.5GHzが
ほぼ全反射されていることを示している(対応するイン
ピーダンスは2.76Ω−j7.0Ω)。このとき二倍
波である17.0GHzのリターンロスに対応するイン
ピーダンスの値は40.5Ω−j3.0Ωであり、ほぼ
透過の条件が保たれていることがわかる。図6は二倍波
インピーダンスをスラグの位置を変更して、例えば7
8.2Ω+9.88Ωに設定した場合である。基本波は
やはりほぼ全反射されており、対応するインピーダンス
はほとんど元のまま(2.71Ω−j7.0Ω)で影響
を受けていないことを示している。また、基本波負荷イ
ンピーダンス制御用プローブ5の位置を変更することに
より、基本波に対する高反射の条件が保たれたまま、反
射係数の位相が変更されることを確認した。これらの実
験結果により、基本波負荷インピーダンスを最適に設定
した状態で逓倍波負荷インピーダンスを独立して制御で
きることが実証された。
The load-side mechanical tuner 4 loaded with the probe 5 for controlling the load impedance of the fundamental wave as described above.
The characteristics of No. 1 were measured using a vector network analyzer (manufactured by Hewlett-Packard Company, model number: HP8510C). FIG. 5 shows the characteristics when the slag is sufficiently separated from the center conductor (50Ω). That is, the probe 5 for controlling the load impedance of the fundamental wave has a frequency of 8.5 GHz.
Operates at a quarter wavelength, indicating that 8.5 GHz is almost totally reflected (the corresponding impedance is 2.76 Ω−j 7.0 Ω). At this time, the value of the impedance corresponding to the return loss of 17.0 GHz, which is the second harmonic, is 40.5Ω-j3.0Ω, which indicates that the transmission condition is almost maintained. FIG. 6 shows that the second harmonic impedance is changed, for example, by changing the position of the slug.
This is the case where it is set to 8.2Ω + 9.88Ω. The fundamental wave is also almost totally reflected, indicating that the corresponding impedance is almost unchanged (2.71Ω−j7.0Ω) and is not affected. Further, it was confirmed that the phase of the reflection coefficient was changed by changing the position of the probe 5 for controlling the load impedance of the fundamental wave while maintaining the condition of high reflection for the fundamental wave. These experimental results demonstrate that the harmonic load impedance can be controlled independently with the optimal setting of the fundamental load impedance.

【0028】従って、基本波負荷インピーダンス制御用
プローブ5の装荷されたロード側機械的チューナ41を
用いてロードプル測定を行う場合、ソース側機械的チュ
ーナ35を最適ソースインピーダンスに調整した後、ロ
ード側機械的チューナ41において、基本波負荷インピ
ーダンス制御用プローブ5の位置設定による基本波イン
ピーダンスの制御と、スラグの位置設定による逓倍波イ
ンピーダンスの制御とを独立して行い、二逓倍波の変換
効率が最大になるような条件を求めれば良い。
Therefore, when performing load-pull measurement using the load-side mechanical tuner 41 loaded with the fundamental-wave load impedance control probe 5, after adjusting the source-side mechanical tuner 35 to the optimum source impedance, In the dynamic tuner 41, the control of the fundamental wave impedance by setting the position of the fundamental wave load impedance control probe 5 and the control of the multiplied wave impedance by setting the position of the slug are performed independently, so that the conversion efficiency of the doubled wave is maximized. What is necessary is just to find such a condition.

【0029】まず、負荷側を50Ωに終端したまま基本
波周波数f0=14.25GHzに対し入力側チューナ
を制御し(ソースプル測定)、二逓倍波の変換効率が最
大になるような基本波ソースインピーダンスを求めた。
次に、入力側チューナをこの最適ソースインピーダンス
に調整した後、2f0に対して出力側チューナを制御し
(ロードプル測定)、同様に二逓倍波の変換効率が最大
になるような二逓倍波ロードインピーダンスを求めた。
なお、ソース側機械的チューナ35およびロード側機械
的チューナ41の位置制御、計測及びデータ収集は、す
べてコンピュータ制御によって行うものとした。
First, the input side tuner is controlled (source pull measurement) for the fundamental wave frequency f0 = 14.25 GHz while the load side is terminated at 50Ω, and the fundamental wave source impedance so that the conversion efficiency of the doubled wave is maximized. I asked.
Next, after the input side tuner is adjusted to this optimum source impedance, the output side tuner is controlled for 2f0 (load-pull measurement), and similarly, the second harmonic wave load impedance such that the conversion efficiency of the second harmonic wave is maximized. I asked.
The position control, measurement, and data collection of the source-side mechanical tuner 35 and the load-side mechanical tuner 41 are all performed by computer control.

【0030】測定結果の例としては、8.0dBmの入
力電力に対し9.0dBmの二逓倍波出力が測定され
た。このときの基本波ソースインピーダンス及び二逓倍
波ロードインピーダンスに対応する反射係数は各々0.
75/128°、0.61/134°であった。
As an example of the measurement result, a doubled wave output of 9.0 dBm was measured with respect to an input power of 8.0 dBm. At this time, the reflection coefficients corresponding to the fundamental wave source impedance and the doubled wave load impedance are each 0.1.
75/128 ° and 0.61 / 134 °.

【0031】[0031]

【発明の効果】以上説明したように、本願請求項1に係
る周波数逓倍素子測定評価方法によれば、基本波周波数
の四分の一波長の開放端スタブとして機能し、それ故に
その位置において基本波に対して短絡条件を満たし、且
つ、その位置設定によって被測定デバイスから短絡点ま
での電気長を決定する基本波負荷インピーダンス制御手
段を備えるロード側機械的チューナが、上記基本波負荷
インピーダンス制御手段によって基本波負荷インピーダ
ンスを最適に設定し、その状態で偶数次の逓倍波負荷イ
ンピーダンスを制御するようにしたので、基本波負荷イ
ンピーダンスと逓倍波負荷インピーダンスを独立して制
御でき、周波数逓倍素子としての限界性能を良好に引き
出した特性評価を行うことができる。
As described above, according to the method of measuring and evaluating a frequency doubler according to claim 1 of the present application, it functions as an open-end stub having a quarter wavelength of the fundamental wave frequency, and therefore, has a basic function at that position. A load-side mechanical tuner including a fundamental-wave load impedance control unit that satisfies a short-circuit condition for a wave and determines an electrical length from a device to be measured to a short-circuit point by setting the position thereof; By setting the fundamental wave load impedance optimally and controlling the even-ordered multiplied wave load impedance in that state, the fundamental wave load impedance and the multiplied wave load impedance can be controlled independently, and as a frequency multiplication element It is possible to carry out a characteristic evaluation that satisfactorily draws out the limit performance.

【0032】また、請求項2に係る周波数逓倍素子測定
評価装置によれば、基本波周波数の四分の一波長の開放
端スタブとして機能し、それ故にその位置において基本
波に対して短絡条件を満たし、且つ、その位置設定によ
って被測定デバイスから短絡点までの電気長を決定する
基本波負荷インピーダンス制御手段をロード側測定系の
ロード側機械的チューナが備えるものとしたので、ロー
ド側機械的チューナは、基本波負荷インピーダンス制御
手段により基本波負荷インピーダンスを最適に設定し、
その状態で偶数次の逓倍波負荷インピーダンスを独立し
て制御できるので、周波数逓倍素子としての限界性能を
良好に引き出した特性評価を行うことができる。
Further, according to the frequency multiplier measuring and evaluating apparatus of the present invention, it functions as an open-end stub having a quarter wavelength of the fundamental wave frequency. The load-side mechanical tuner of the load-side measurement system includes fundamental wave load impedance control means for satisfying and determining the electrical length from the device to be measured to the short-circuit point according to the position setting. Sets the fundamental wave load impedance by the fundamental wave load impedance control means,
In this state, the even-ordered multiplied wave load impedance can be controlled independently, so that it is possible to perform a characteristic evaluation that satisfactorily draws out the limit performance as a frequency multiplying element.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る周波数逓倍素子測定評価装置の概
略構成図である。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a frequency multiplier measuring and evaluating apparatus according to the present invention.

【図2】基本波負荷インピーダンス制御手段たる基本波
負荷インピーダンス制御用プローブの概略斜視図であ
る。
FIG. 2 is a schematic perspective view of a fundamental wave load impedance control probe as a fundamental wave load impedance control means.

【図3】周波数逓倍素子測定評価装置の実施例として示
す構成図である。
FIG. 3 is a configuration diagram showing an embodiment of a frequency multiplier measuring and evaluating device.

【図4】基本波負荷インピーダンス制御用プローブの実
施例として示す斜視図である。
FIG. 4 is a perspective view showing an example of a probe for controlling a load impedance of a fundamental wave.

【図5】スラグが中心導体から十分に離れている場合に
おける、基本波負荷インピーダンス制御用プローブの装
荷されたロード側機械的チューナのリターンロス特性を
示す特性線図である。
FIG. 5 is a characteristic diagram showing a return loss characteristic of a load-side mechanical tuner loaded with a probe for controlling a fundamental wave load impedance when a slug is sufficiently separated from a center conductor.

【図6】二倍波インピーダンスを78.2Ω+9.88
Ωに設定した場合における、基本波負荷インピーダンス
制御用プローブの装荷されたロード側機械的チューナの
リターンロス特性を示すの特性線図である。
FIG. 6 shows a second harmonic impedance of 78.2Ω + 9.88.
FIG. 9 is a characteristic diagram showing a return loss characteristic of a load-side mechanical tuner loaded with a probe for controlling a fundamental wave load impedance when set to Ω.

【図7】従来の周波数逓倍素子測定評価装置の概略構成
図である。
FIG. 7 is a schematic configuration diagram of a conventional frequency multiplier measuring and evaluating device.

【図8】従来のスタブチューナにおけるスラブラインの
概略説明図である。
FIG. 8 is a schematic explanatory view of a slab line in a conventional stub tuner.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 周波数逓倍素子測定評価装置 2 被測定デバイス 3 ソース側測定系 35 ソース側機械的チューナ 4 ロード側測定系 41 ロード側機械的チューナ 5 基本波負荷インピーダンス制御用プローブ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Frequency-multiplier element measurement evaluation apparatus 2 Device under test 3 Source-side measurement system 35 Source-side mechanical tuner 4 Load-side measurement system 41 Load-side mechanical tuner 5 Probe for load impedance control of fundamental wave

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 入力信号の基本波負荷インピーダンス調
整に用いるソース側機械的チューナを含むソース側測定
系より、特性評価の対象となる周波数逓倍素子に基本波
周波数信号を供給し、周波数逓倍素子の出力信号の逓倍
波負荷インピーダンス調整に用いるロード側機械的チュ
ーナを含むロード側測定系により、周波数逓倍素子の周
波数逓倍性能に関するデータを採取して周波数逓倍特性
を評価する周波数逓倍素子測定評価方法において、一対の対向する平行接地導体の離隔空隙のほぼ中央に中
心導体を位置させることでスラブラインを形成し、この
スラブライン中に金属片よりなる逓倍波負荷インピーダ
ンス制御手段としてのスラグを挿入した構造のロード側
機械的チューナに、上記スラブラインの中心導体に直交
すると共に一方端が電気的に接触し、且つ平行接地導体
に平行な状態に保持された基本波周波数の四分の一波長
の長さの中心導体を設けることで、 基本波周波数の四分
の一波長の開放端スタブとして機能し、それ故にその位
置において基本波に対して短絡条件を満たし、且つ、そ
の位置設定によって被測定デバイスから短絡点までの電
気長を決定する基本波負荷インピーダンス制御手段を備
えるロード側機械的チューナと成し、上記基本波負荷イ
ンピーダンス制御手段によって基本波負荷インピーダン
スを最適に設定し、その状態で偶数次の逓倍波負荷イン
ピーダンスを制御するようにしたことを特徴とする周波
数逓倍素子特性評価方法。
1. A fundamental frequency signal is supplied from a source-side measurement system including a source-side mechanical tuner used for adjusting a fundamental-wave load impedance of an input signal to a frequency-multiplier element whose characteristics are to be evaluated. A frequency multiplier measuring and evaluating method for collecting data on the frequency multiplying performance of the frequency multiplier and evaluating the frequency multiplication characteristics by a load-side measurement system including a load-side mechanical tuner used for adjusting the multiplied wave load impedance of the output signal. Approximately in the center of the gap between the pair of opposed parallel ground conductors
A slab line is formed by positioning the core conductor,
Multiplier-wave load impedance consisting of metal slab in slab line
Load side of the structure with slag inserted as a resistance control means
For mechanical tuners, perpendicular to the center conductor of the above slab line
And one end is in electrical contact and a parallel ground conductor
Quarter wavelength of the fundamental frequency held parallel to
By providing a center conductor of length , it functions as an open-end stub of a quarter wavelength of the fundamental wave frequency, and therefore satisfies the short-circuit condition with respect to the fundamental wave at that position, and is covered by the position setting. A load-side mechanical tuner comprising fundamental wave load impedance control means for determining an electrical length from the measurement device to the short-circuit point is formed , and the fundamental wave load impedance is optimally set by the fundamental wave load impedance control means. A frequency multiplier element characteristic evaluation method, wherein an even-order multiple-wave load impedance is controlled.
【請求項2】 入力信号の基本波負荷インピーダンス調
整に用いるソース側機械的チューナを含み特性評価の対
象となる周波数逓倍素子に基本波周波数信号を供給する
ソース側測定系と、周波数逓倍素子の出力信号の逓倍波
負荷インピーダンス調整に用いるロード側機械的チュー
ナを含むロード側測定系とからなり、周波数逓倍素子の
周波数逓倍性能に関するデータを採取して周波数逓倍特
性を評価する周波数逓倍素子測定評価装置において、 上記ロード側測定系のロード側機械的チューナは、一対の対向する平行接地導体の離隔空隙のほぼ中央に中
心導体を位置させることでスラブラインを形成し、この
スラブライン中に金属片よりなる逓倍波負荷インピーダ
ンス制御手段としてのスラグを挿入した構造で、 基本波周波数の四分の一波長の開放端スタブとして機能
し、それ故にその位置において基本波に対して短絡条件
を満たし、且つ、その位置設定によって被測定デバイス
から短絡点までの電気長を決定する基本波負荷インピー
ダンス制御手段として、上記スラブラインの中心導体に
直交すると共に一方端が電気的に接触し、且つ平行接地
導体に平行な状態に保持された基本波周波数の四分の一
波長の長さの中心導体を備えるものとし上記 基本波負荷インピーダンス制御手段により基本波負
荷インピーダンスを最適に設定し、その状態で偶数次の
逓倍波負荷インピーダンスを制御するようにしたことを
特徴とする周波数逓倍素子特性評価装置。
2. A source-side measurement system including a source-side mechanical tuner used for adjusting a fundamental-wave load impedance of an input signal and supplying a fundamental-frequency signal to a frequency-multiplier element to be evaluated, and an output of the frequency-multiplier element A frequency-multiplier element measurement and evaluation device that includes a load-side measurement system including a load-side mechanical tuner used for adjusting the frequency-multiplied-wave load impedance of a signal, and collects data on the frequency-multiplier performance of the frequency-multiplier element and evaluates the frequency-multiplier characteristics. The load-side mechanical tuner of the load-side measurement system is located at the center of the space between the pair of opposing parallel ground conductors.
A slab line is formed by positioning the core conductor,
Multiplier-wave load impedance consisting of metal slab in slab line
A structure in which a slug is inserted as the impedance control means , which functions as an open-end stub of a quarter wavelength of the fundamental wave frequency, and therefore satisfies the short-circuit condition with respect to the fundamental wave at that position, and by setting its position. As fundamental wave load impedance control means for determining the electrical length from the device under test to the short-circuit point ,
Orthogonal and one end is in electrical contact and parallel ground
Quarter of the fundamental frequency held parallel to the conductor
Characterized in that the shall with a central conductor of the length of the wavelength, and to optimally set the fundamental load impedance by the fundamental load impedance control means, for controlling the even-order multiplier wave load impedance in that state Frequency multiplier element characteristic evaluation device.
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