JP3347613B2 - Dielectric porcelain composition - Google Patents

Dielectric porcelain composition

Info

Publication number
JP3347613B2
JP3347613B2 JP31221996A JP31221996A JP3347613B2 JP 3347613 B2 JP3347613 B2 JP 3347613B2 JP 31221996 A JP31221996 A JP 31221996A JP 31221996 A JP31221996 A JP 31221996A JP 3347613 B2 JP3347613 B2 JP 3347613B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
dielectric
value
present
lao
dielectric constant
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP31221996A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH10152373A (en
Inventor
尉彦 西岡
信樹 平松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Priority to JP31221996A priority Critical patent/JP3347613B2/en
Publication of JPH10152373A publication Critical patent/JPH10152373A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3347613B2 publication Critical patent/JP3347613B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Inorganic Insulating Materials (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波、ミリ
波等の高周波領域において低い比誘電率及び高いQ値を
有する誘電体磁器組成物に関し、特に、誘電体共振器、
フィルタ、コンデンサ等の高周波用の電子部品やMIC
用誘電体基板、ミリ波用導波路等に最適な誘電体磁器組
成物に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a dielectric ceramic composition having a low relative dielectric constant and a high Q value in a high frequency region such as a microwave and a millimeter wave, and more particularly, to a dielectric resonator,
High frequency electronic components and MICs such as filters and capacitors
The present invention relates to a dielectric ceramic composition most suitable for a dielectric substrate for use, a waveguide for millimeter waves, and the like.

【0002】[0002]

【従来技術】従来、誘電体磁器は、マイクロ波やミリ波
等の高周波領域において、誘電体共振器やMIC用誘電
体基板等に広く利用されている。また最近では、ミリ波
用導波路に誘電体線路が応用されている。
2. Description of the Related Art Conventionally, dielectric porcelain has been widely used in dielectric resonators, MIC dielectric substrates, and the like in high-frequency regions such as microwaves and millimeter waves. Recently, dielectric waveguides have been applied to millimeter wave waveguides.

【0003】従来より、この種の誘電体磁器としては、
例えばZrO2 −SnO2 −TiO2 系材料、BaO−
TiO2 系材料、(Ba,Sr)(Zr,Ti)O3
材料及びBa(Zn,Ta)O3 系材料等が知られてお
り、これらの材料は各種の改良により周波数500MH
z〜5GHzにおいて比誘電率20〜40、Q値が10
00〜3000(Qf=15000以下)、さらに共振
周波数の温度係数(τf)が0ppm/℃付近の特性を
有している。
[0003] Conventionally, as this kind of dielectric porcelain,
For example, ZrO 2 —SnO 2 —TiO 2 based material, BaO—
TiO 2 -based materials, (Ba, Sr) (Zr, Ti) O 3 -based materials and Ba (Zn, Ta) O 3 -based materials are known, and these materials have a frequency of 500 MHz through various improvements.
In the range of z to 5 GHz, the relative dielectric constant is 20 to 40, and the Q value is 10
It has a characteristic in which the temperature coefficient (τf) of the resonance frequency is around 0 ppm / ° C. (Qf = 15000 or less).

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年に
おいては使用する周波数がより高くなる傾向にあるとと
もに、誘電体材料に対してさらに優れた誘電特性、特に
Q値の向上が要求されている。ところが、前述した従来
の誘電体材料では、10GHzの使用周波数領域におい
て実用的レベルの高いQ値を有していないのが現状であ
る。
However, in recent years, the frequency to be used has tended to be higher, and dielectric materials have been required to have more excellent dielectric properties, particularly to improve the Q value. However, at present, the above-mentioned conventional dielectric material does not have a practically high Q value in a used frequency range of 10 GHz.

【0005】また、近年では、加工性の面から比誘電率
が小さい材料が要求されているが、上記従来の誘電体材
料では比誘電率が20〜30であり、加工性という観点
からさらに比誘電率の小さい材料が要求されていた。
In recent years, a material having a small relative dielectric constant has been demanded from the viewpoint of workability. However, the above-mentioned conventional dielectric material has a relative dielectric constant of 20 to 30, and from the viewpoint of workability, the dielectric constant is further increased. Materials having a low dielectric constant have been required.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記問題
点に対して種々検討を加えた結果、金属元素としてK、
La、MgおよびWを含有し、これらの金属元素酸化物
のモル比による組成式をx(aKO1/2 ・(1−a)L
aO3/2 )・yMgO・zWO3 と表した時、前記x、
y、zおよびaが所定値である誘電体磁器組成物では、
比誘電率が小さく、高周波領域において高Q値を有する
ことを見出し、本発明に至った。
Means for Solving the Problems The present inventors have made various studies on the above problems, and as a result, as a metal element, K,
La, Mg and W are contained, and the composition formula based on the molar ratio of these metal element oxides is expressed as x (aKO 1/2 · (1-a) L
aO 3/2 ) · yMgO · zWO 3 , the above x,
In a dielectric porcelain composition in which y, z and a are predetermined values,
The present inventors have found that the relative permittivity is small, and have a high Q value in a high-frequency region, and the present invention has been achieved.

【0007】即ち、本発明の誘電体磁器組成物は、金属
元素としてK、La、MgおよびWを含有し、これらの
金属元素酸化物のモル比による組成式を、x〔aKO
1/2 ・(1−a)LaO3/2 〕・yMgO・zWO3
表した時、前記x、y、zおよびaが、0.40≦x≦
0.55、0.15≦y≦0.30、0.20≦z≦
0.30、0.40≦a≦0.60、x+y+z=1を
満足するものである。ここで、(K1/2 La1/2 )(M
1/2 1/2 )O3 で表されるペロブスカイト型結晶を
主結晶相とすることが望ましい。
That is, the dielectric porcelain composition of the present invention contains K, La, Mg and W as metal elements, and the composition formula based on the molar ratio of these metal element oxides is represented by x [aKO
1/2. (1-a) LaO 3/2 ] .yMgO.zWO 3 , x, y, z and a are 0.40 ≦ x ≦
0.55, 0.15 ≦ y ≦ 0.30, 0.20 ≦ z ≦
0.30, 0.40 ≦ a ≦ 0.60, x + y + z = 1. Here, (K 1/2 La 1/2 ) (M
g 1/2 W 1/2 ) It is desirable that a perovskite crystal represented by O 3 be the main crystal phase.

【0008】[0008]

【作用】本発明では、10GHzの測定周波数で比誘電
率が16以下と小さいため、マイクロ波、ミリ波等の高
周波で要求される精度での磁器の加工が容易であり、か
つ、10GHzの測定周波数でQ値が1600以上(Q
f=16000以上)と高い誘電体磁器組成物を得るこ
とができる。
According to the present invention, since the relative dielectric constant is as small as 16 or less at a measurement frequency of 10 GHz, it is easy to process porcelain with the accuracy required at high frequencies such as microwaves and millimeter waves, and to measure at 10 GHz. Q value is 1600 or more at frequency (Q
f = 16000 or more) and a high dielectric ceramic composition can be obtained.

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】本発明の誘電体磁器組成物は、金
属元素酸化物のモル比による組成式を、x〔aKO1/2
・(1−a)LaO3/2 〕・yMgO・zWO3 と表し
た時、前記x、y、zおよびaが、0.40≦x≦0.
55、0.15≦y≦0.30、0.20≦z≦0.3
0、0.40≦a≦0.60、x+y+z=1を満足す
るものである。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The dielectric porcelain composition of the present invention has a composition formula based on the molar ratio of a metal element oxide represented by x [aKO 1/2
· (1-a) LaO 3/2 ] · yMgO · zWO 3 , x, y, z and a are 0.40 ≦ x ≦ 0.
55, 0.15 ≦ y ≦ 0.30, 0.20 ≦ z ≦ 0.3
0, 0.40 ≦ a ≦ 0.60, x + y + z = 1.

【0010】組成式x〔aKO1/2 ・(1−a)LaO
3/2 〕・yMgO・zWO3 において、〔aKO1/2
(1−a)LaO3/2 〕のモル比xを0.40≦x≦
0.55としたのは、xが0.40よりも小さい場合や
0.55よりも大きい場合には焼結不良となったり、Q
値が低下するからである。xはQ値向上という観点から
0.48〜0.52が望ましい。
The composition formula x [aKO 1/2 · (1-a) LaO
In 3/2] · yMgO · zWO 3, [aKO 1/2 ·
(1-a) The molar ratio x of [LaO 3/2 ] is 0.40 ≦ x ≦
The reason for setting 0.55 is that when x is smaller than 0.40 or larger than 0.55, sintering becomes poor,
This is because the value decreases. x is preferably from 0.48 to 0.52 from the viewpoint of improving the Q value.

【0011】また、MgOのモル比yを0.15≦y≦
0.30としたのは、yが0.15よりも小さい場合に
は焼結不良となったり、Q値が低下し、0.30よりも
大きい場合にはQ値が低下したり、焼結不良となるから
である。MgOのモル比yは0.22〜0.28である
ことが望ましい。
Further, the molar ratio y of MgO is 0.15 ≦ y ≦
The reason for setting 0.30 is that when y is smaller than 0.15, sintering becomes poor or the Q value decreases, and when y is larger than 0.30, the Q value decreases or sintering occurs. This is because it becomes defective. The molar ratio y of MgO is desirably 0.22 to 0.28.

【0012】さらに、WO3 のモル比zを0.20≦z
≦0.30としたのは、zが0.20よりも小さい場合
や0.30よりも大きい場合にはQ値が低下するからで
ある。WO3 のモル比zは、Q値の向上と焼結性という
観点から0.22〜0.28であることが望ましい。
Further, the molar ratio z of WO 3 is set to 0.20 ≦ z
≦ 0.30 because the Q value decreases when z is smaller than 0.20 or larger than 0.30. The molar ratio z of WO 3 is desirably 0.22 to 0.28 from the viewpoint of improving the Q value and sinterability.

【0013】また、aKO1/2 ・(1−a)LaO3/2
と表されるKO1/2 とLaO3/2 のモル比aを0.40
≦a≦0.60としたのは、aが0.40よりも小さい
場合には比誘電率が大きくなるからであり、0.60よ
りも大きい場合にはQ値が低下するからである。aは、
高Q値および低比誘電率という観点から0.43〜0.
52であることが望ましい。
[0013] In addition, aKO 1/2 · (1-a ) LaO 3/2
The molar ratio a of KO 1/2 and LaO 3/2 represented by
≦ a ≦ 0.60 is because the relative dielectric constant increases when a is smaller than 0.40, and the Q value decreases when a is larger than 0.60. a is
From the viewpoint of high Q value and low relative permittivity, 0.43 to 0.4.
52 is desirable.

【0014】本発明の誘電体磁器組成物は、高Q値およ
び低比誘電率という観点から、金属元素酸化物のモル比
による組成式をx〔aKO1/2 ・(1−a)La
3/2 〕・yMgO・zWO3 と表した時、前記x、
y、zおよびaが、0.48≦x≦0.52、0.22
≦y≦0.28、0.22≦z≦0.28、0.43≦
a≦0.52、x+y+z=1を満足することが望まし
い。
In the dielectric porcelain composition of the present invention, from the viewpoint of high Q value and low relative dielectric constant, the composition formula based on the molar ratio of the metal element oxide is represented by x [aKO 1/2 · (1-a) La
O 3/2 ] · yMgO · zWO 3 , the above x,
y, z and a are 0.48 ≦ x ≦ 0.52, 0.22
≦ y ≦ 0.28, 0.22 ≦ z ≦ 0.28, 0.43 ≦
It is desirable that a ≦ 0.52 and x + y + z = 1 be satisfied.

【0015】本発明の誘電体磁器組成物は、KO1/2
LaO3/2 、MgO、WO3 からなるものであり、結晶
相として(K1/2 La1/2 )(Mg1/2 1/2 )O3
表されるペロブスカイト型結晶を主結晶相とするもので
ある。即ち、ペロブスカイト型結晶のAサイトをKおよ
びLaで構成し、BサイトをMgおよびWを1:1で構
成してなる結晶を主結晶とするものである。主結晶の平
均結晶粒径は、3〜7μmであることが望ましい。尚、
本発明の誘電体磁器組成物では、(K1/2 La1/2
(Mg1/2 1/2 )O3 以外の結晶相として、LaO
3/2 、La2/3 (Mg1/2 1/2 )O3 、MgWO4
が存在することもあるが、微量であれば特性上問題な
い。
The dielectric porcelain composition of the present invention has KO 1/2 ,
LaO 3/2, MgO, are those made of WO 3, as a crystal phase (K 1/2 La 1/2) (Mg 1/2 W 1/2) Main crystal perovskite type crystal represented by O 3 Phase. In other words, the A-site of the perovskite-type crystal is composed of K and La, and the B-site is composed of Mg and W in a ratio of 1: 1 as a main crystal. The average crystal grain size of the main crystal is desirably 3 to 7 μm. still,
In the dielectric porcelain composition of the present invention, (K 1/2 La 1/2 )
As a crystal phase other than (Mg 1/2 W 1/2 ) O 3 , LaO
3/2 , La 2/3 (Mg 1/2 W 1/2 ) O 3 , MgWO 4 and the like may be present, but if they are trace amounts, there is no problem in characteristics.

【0016】本発明の誘電体磁器組成物を作製する方法
としては、先ずK、La、Mg、Wを含有する原料粉末
を準備する。この原料粉末は、K、La、Mg、Wを含
有する酸化物、炭酸塩、酢酸塩等の無機化合物、もしく
は有機金属等の有機化合物のいずれであっても、焼成に
より酸化物となるものであれば良い。
As a method for producing the dielectric ceramic composition of the present invention, first, a raw material powder containing K, La, Mg, and W is prepared. This raw material powder is an oxide containing K, La, Mg, W, an inorganic compound such as a carbonate or an acetate, or an organic compound such as an organic metal. I just want it.

【0017】これらの原料をKO1/2 、LaO3/2 、M
gO、WO3 換算で前述の範囲となるように秤量した
後、十分に混合する。その後、混合物を900〜110
0℃で仮焼し、粉砕する。そして、この仮焼粉末に所定
のバインダー等を添加し、プレス成形やドクターブレー
ド法等の周知の成形法により所定の形状に成形する。次
に成形体を大気中等の酸化性雰囲気中で1200〜13
50℃で4〜10時間焼成することにより本発明の誘電
体磁器組成物を得ることができる。
These raw materials are used as KO 1/2 , LaO 3/2 , M
After weighing so as to be within the above range in terms of gO and WO 3 , the mixture is thoroughly mixed. Then, the mixture is 900-110
Calcinate at 0 ° C and pulverize. Then, a predetermined binder or the like is added to the calcined powder, and the powder is formed into a predetermined shape by a known molding method such as press molding or a doctor blade method. Next, the formed body is placed in an oxidizing atmosphere such as the air at 1200 to 13 m.
By firing at 50 ° C. for 4 to 10 hours, the dielectric ceramic composition of the present invention can be obtained.

【0018】本発明の誘電体磁器組成物では、不可避不
純物としてCl、Al、P、Sr、Zr、Y、Ce、Y
b、Dy等が混入する場合があり、また、これらが全量
中0.1重量%程度混入しても特性上問題ない。また、
粉砕時の粉砕ボールから金属等が混入する場合もある。
In the dielectric ceramic composition of the present invention, Cl, Al, P, Sr, Zr, Y, Ce, Y are inevitable impurities.
In some cases, b, Dy and the like may be mixed, and even if these are mixed in about 0.1% by weight of the total amount, there is no problem in characteristics. Also,
In some cases, metal or the like may be mixed in the crushed balls during crushing.

【0019】[0019]

【実施例】原料として純度99%以上のK2 CO3 、L
3 (CO3 2 、MgCO3 及びWO3 の各粉末を用
いて、これらを焼結体がKO1/2 、LaO3/2 、Mg
O、WO3 換算で表1に示す割合となるように秤量し、
これをゴムで内張りしたボールミルに水とともに入れ、
ZrO2 ボールにて8時間湿式混合した。次いで、この
混合物を脱水、乾燥した後、1000℃で2時間仮焼
し、当該仮焼物をボールミルに水、有機バインダーとと
もに入れ8時間湿式粉砕した。
EXAMPLES As raw materials, K 2 CO 3 and L having a purity of 99% or more were used.
a 3 (CO 3 ) 2 , MgCO 3 and WO 3 powders were used, and these were sintered into KO 1/2 , LaO 3/2 , Mg
O, weighed so as to have the ratio shown in Table 1 in WO 3 conversion,
Put this together with water in a ball mill lined with rubber,
The mixture was wet mixed with a ZrO 2 ball for 8 hours. Next, after dehydrating and drying this mixture, it was calcined at 1000 ° C. for 2 hours, and the calcined product was put into a ball mill together with water and an organic binder and wet-ground for 8 hours.

【0020】その後、この粉砕物を乾燥した後、50番
メッシュの網を通して造粒し、得られた粉末を3000
kg/cm2 の圧力で直径10mm、厚み5mmの寸法
の円柱に成形した。更に、この円柱を1350℃6時間
の条件で焼成して磁器試料を得た。この磁器を研摩して
直径8mm、厚み4〜5mmの寸法の試料を得た。
Thereafter, the pulverized material was dried, and then granulated through a No. 50 mesh net.
It was formed into a cylinder having a diameter of 10 mm and a thickness of 5 mm under a pressure of kg / cm 2 . Further, the column was fired at 1350 ° C. for 6 hours to obtain a porcelain sample. The porcelain was polished to obtain a sample having a diameter of 8 mm and a thickness of 4 to 5 mm.

【0021】かくして得られた磁器試料について、周波
数10GHzにおける比誘電率(εr )、Q値を誘電体
共振器法にて測定し、また25℃から85℃までのTE
011モード共振周波数の温度係数(τf)を、τf=
[(f85−f25)/f25]/60×106 [ppm/
℃]に基づいて計算した。ここで、f85は85℃におけ
る共振周波数であり、f25は25℃における共振周波数
である。それらの結果を表1に示した。
With respect to the porcelain sample thus obtained, the relative dielectric constant (εr) and the Q value at a frequency of 10 GHz were measured by a dielectric resonator method, and the TE from 25 ° C. to 85 ° C. was measured.
The temperature coefficient (τf) of the 011 mode resonance frequency is represented by τf =
[(F 85 −f 25 ) / f 25 ] / 60 × 10 6 [ppm /
° C]. Here, f 85 is the resonance frequency at 85 ° C., and f 25 is the resonance frequency at 25 ° C. The results are shown in Table 1.

【0022】[0022]

【表1】 [Table 1]

【0023】この表1によれば、本発明の範囲外にある
試料No.22〜26、37〜40はQ値が1500以
下、もしくは比誘電率が大きく、あるいは焼結不良を生
じた。これに対して本発明に係る試料No.1〜21、
27〜36は比誘電率が16以下、Q値が1600以上
(Qf=16000以上)、共振周波数の温度係数(τ
f)が±6[ppm/℃]の範囲内であった。特に、
x、y、zおよびaが、0.48≦x≦0.52、0.
22≦y≦0.28、0.22≦z≦0.28、0.4
3≦a≦0.52を満足する試料No.1、27〜32、
34および35では、比誘電率が16以下でQ値が25
00以上であり、そのうちKO1/2 :LaO3/2 :Mg
O:WO3 が1:1:1:1の比率からなる試料No.1
では比誘電率が16でQ値が3000であった。
According to Table 1, Sample No. which is out of the range of the present invention. In Nos. 22 to 26 and 37 to 40, the Q value was 1500 or less, or the relative dielectric constant was large, or sintering failure occurred. On the other hand, the sample No. 1-21,
27 to 36 have a relative dielectric constant of 16 or less, a Q value of 1600 or more (Qf = 16000 or more), and a temperature coefficient of resonance frequency (τ
f) was within the range of ± 6 [ppm / ° C.]. In particular,
When x, y, z and a are 0.48 ≦ x ≦ 0.52, 0.
22 ≦ y ≦ 0.28, 0.22 ≦ z ≦ 0.28, 0.4
Sample No. 1, 27 to 32 satisfying 3 ≦ a ≦ 0.52,
At 34 and 35, the relative dielectric constant is 16 or less and the Q value is 25
00 or more, of which KO 1/2 : LaO 3/2 : Mg
Sample No. 1 in which O: WO 3 has a ratio of 1: 1: 1: 1
Has a relative dielectric constant of 16 and a Q value of 3000.

【0024】そして、試料No.1の磁器に対してX線回
折測定を行い、その結果を図1に示した。図1によれ
ば、○印の回折ピークによりペロブスカイト型結晶構造
であることが理解され、さらに、△印の回折ピークによ
りK−Laの規則配列による超格子構造、●印の回折ピ
ークによりMg−Wの規則配列による超格子構造である
ことが理解される。
X-ray diffraction measurement was performed on the porcelain of Sample No. 1 and the results are shown in FIG. According to FIG. 1, the diffraction peak indicated by a circle indicates that the crystal has a perovskite-type crystal structure, the diffraction peak indicated by a triangle indicates a superlattice structure based on the K-La regular arrangement, and the diffraction peak indicated by a circle indicates Mg-. It is understood that the superlattice structure is based on the regular arrangement of W.

【0025】尚、作製された本発明の誘電体磁器は、殆
どが(K1/2 La1/2 )(Mg1/21/2 )O3 結晶粒
子からなり、その平均結晶粒径は3〜7μmであった。
また、その粒界には主にLa以外の結晶相として、La
3/2 、La2/3 (Mg1/21/2 )O3 、MgWO4
からなる相が微量存在していた。
The manufactured dielectric ceramic of the present invention is mostly composed of (K 1/2 La 1/2 ) (Mg 1/2 W 1/2 ) O 3 crystal grains, and has an average crystal grain size. Was 3 to 7 μm.
In addition, the grain boundary mainly contains La as a crystal phase other than La.
O 3/2 , La 2/3 (Mg 1/2 W 1/2 ) O 3 , MgWO 4
Was present in traces.

【0026】[0026]

【発明の効果】以上詳述した通り、本発明によれば、高
周波領域において加工性に適した低い比誘電率と高いQ
値を有することができ、マイクロ波やミリ波領域におい
て使用される共振器材料、MIC用誘電体基板材料、コ
ンデンサー用材料、誘電体アンテナ用材料、誘電体導波
路用材料等に充分適用することができる。
As described above in detail, according to the present invention, a low dielectric constant and a high Q suitable for workability in a high-frequency region.
It can be applied to resonator materials, MIC dielectric substrate materials, capacitor materials, dielectric antenna materials, dielectric waveguide materials, etc. used in the microwave and millimeter wave regions. Can be.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】表1の試料No.1のX線回折チャート図であ
る。
FIG. 1 shows sample Nos. 1 is an X-ray diffraction chart of FIG.

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】金属元素としてK、La、MgおよびWを
含有し、これらの金属元素酸化物のモル比による組成式
を x〔aKO1/2 ・(1−a)LaO3/2 〕・yMgO・
zWO3 と表した時、前記x、y、zおよびaが 0.40≦x≦0.55 0.15≦y≦0.30 0.20≦z≦0.30 0.40≦a≦0.60 x+y+z=1 を満足することを特徴とする誘電体磁器組成物。
(1) K, La, Mg and W are contained as metal elements, and the composition formula based on the molar ratio of these metal element oxides is represented by x [aKO 1/2. (1-a) LaO 3/2 ]. yMgO ・
When expressed as zWO 3 , x, y, z and a are 0.40 ≦ x ≦ 0.55 0.15 ≦ y ≦ 0.30 0.20 ≦ z ≦ 0.30 0.40 ≦ a ≦ 0 60 x + y + z = 1.
【請求項2】(K1/2 La1/2 )(Mg1/2 1/2 )O
3 で表されるペロブスカイト型結晶を主結晶相とする請
求項1記載の誘電体磁器組成物。
2. (K 1/2 La 1/2 ) (Mg 1/2 W 1/2 ) O
2. The dielectric ceramic composition according to claim 1, wherein the perovskite crystal represented by 3 is a main crystal phase.
JP31221996A 1996-11-22 1996-11-22 Dielectric porcelain composition Expired - Fee Related JP3347613B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31221996A JP3347613B2 (en) 1996-11-22 1996-11-22 Dielectric porcelain composition

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31221996A JP3347613B2 (en) 1996-11-22 1996-11-22 Dielectric porcelain composition

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH10152373A JPH10152373A (en) 1998-06-09
JP3347613B2 true JP3347613B2 (en) 2002-11-20

Family

ID=18026630

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP31221996A Expired - Fee Related JP3347613B2 (en) 1996-11-22 1996-11-22 Dielectric porcelain composition

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3347613B2 (en)

Also Published As

Publication number Publication date
JPH10152373A (en) 1998-06-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3974723B2 (en) Dielectric porcelain manufacturing method
JP3347613B2 (en) Dielectric porcelain composition
EP0540029B1 (en) Sintered ceramic Ba-Mg-W perowskite used as high-frequency resonator and dielectric substrate
JP3359507B2 (en) High frequency dielectric ceramic composition
JP3363296B2 (en) High frequency dielectric ceramic composition
JP3350379B2 (en) Dielectric porcelain composition
JPH10330165A (en) Dielectric substance ceramic for high frequency
JP3359427B2 (en) High frequency dielectric ceramic composition
JPH06338221A (en) Dielectric ceramic composition for high frequency
JP3330024B2 (en) High frequency dielectric ceramic composition
JP3336190B2 (en) High frequency dielectric ceramic composition
JP2887244B2 (en) High frequency dielectric ceramic composition
JP2835253B2 (en) High frequency dielectric ceramic composition and dielectric material
JP3469986B2 (en) High frequency dielectric ceramic composition
JP3340019B2 (en) High frequency dielectric ceramic composition
JP3443859B2 (en) High frequency dielectric ceramic composition
JP3393757B2 (en) Dielectric porcelain composition
JP3330011B2 (en) High frequency dielectric ceramic composition
JPH11130534A (en) Dielectric composition for producing ceramic
JPH09241073A (en) Dielectric porcelain composition for high frequency
JP3318396B2 (en) High frequency dielectric ceramic composition
JP2687287B2 (en) Dielectric ceramic composition for microwave and method for producing the same
JP2842756B2 (en) High frequency dielectric ceramic composition
JP3340008B2 (en) High frequency dielectric ceramic composition
JP2002087881A (en) Dielectric ceramic composition and dielectric resonator using the same

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees