JP3326523B2 - 高速伝送用コネクタ - Google Patents

高速伝送用コネクタ

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JP3326523B2
JP3326523B2 JP11960899A JP11960899A JP3326523B2 JP 3326523 B2 JP3326523 B2 JP 3326523B2 JP 11960899 A JP11960899 A JP 11960899A JP 11960899 A JP11960899 A JP 11960899A JP 3326523 B2 JP3326523 B2 JP 3326523B2
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健治 萩原
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、高速伝送用コネク
タ、特に、高速伝送用ライトアングル型電気コネクタ・
アセンブリ使用され、複数芯のレセプタクルコンタク
ト部材を含むレセプタクル側コネクタおよびプラグ側コ
ネクタに関するものである。
【0002】
【従来の技術】この種の高速伝送用コネクタ、すなわ
ち、ライトアングル型電気コネクタ・アセンブリ(単に
コネクタとも呼ぶ)についての第1の従来例において、
レセプタクル側コネクタは、略四方形状の嵌合開口部を
持つハウジングを備える。嵌合開口部において縦に複数
芯のレセプタクルコンタクト部材を配するとともに、横
にも複数列に収納している。収納されている多数のレセ
プタクルコンタクト部材は、所定のピッチを持ち格子状
に配置されている。高速信号を伝送する際には、信号伝
送用のレセプタクルコンタクト部材とグラウンド用のレ
セプタクルコンタクト部材とを千鳥状に配置している。
良好な高速伝送特性を得るためには、コネクタが搭載さ
れる回路基板の特性インピーダンス(多くの場合50
Ω)と、コネクタの特性インピーダンスとを一致させ、
インピーダンス整合を図ることが必要である。
【0003】ところで、コネクタの特性インピーダンス
は、信号用およびグラウンド用のレセプタクルコンタク
ト部材の間隔やレセプタクルコンタクト部材の形状で一
意的に決まってしまい、所望の特性インピーダンス値に
調整することは、困難である。この結果、コネクタにお
いて信号の反射が発生し、伝送品質が損なわれるという
欠点がある。
【0004】この第1の従来例の欠点を改善するため
に、特開平8−288019、実開昭62−8838
3、および実開平7−30459号等がある。本発明に
最も関連性があるのは特開平8−288019(第2の
従来例)である。
【0005】この第2の従来例では、第1や第2絶縁プ
ラスチック層にコーティングを設け、同軸レセプタクル
コンタクト部材を多数並べている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、異なる
形状の信号用およびグランド用のレセプタクルコンタク
ト部材、インシュレータが必要となり、部品点数が増加
するとともに、組み立て工数も増加するといういう欠点
がある。
【0007】そこで、本発明の技術的課題は、部品点数
だけでなく、組み立て工数も小さく、低コストの高速伝
送用コネクタを提供することである。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、課題を解決す
るために、次の手段を採用する。
【0009】(1) 一端には接触部および他端には端
子部をそれぞれ持つ複数のコンタクト部材と、これらコ
ンタクト部材のそれぞれを保持するためのコンタクトイ
ンシュレータとから成る信号用コンタクトブロックであ
って、前記コンタクトインシュレータは、複数の第1の
溝を一平面上に形成する1次ブロックインシュレータ
と、これら第1の溝を覆うように溝寸法の小さい第1の
小溝を一平面上に複数形成する導電メッキ層と、これら
第1の小溝のそれぞれを埋めるように二次成形を施すこ
とにより、前記複数のコンタクト部材をそれぞれ一平面
に保持するための第2の溝をそれぞれ設けている2次
ブロックインシュレータとを備え、該2次ブロックイン
シュレータの第2の溝に前記コンタクト部材をそれぞれ
圧入し、断面が略U字状のグラウンド伝送路として前記
導電メッキ層を使用することを特徴とする信号用コンタ
クトブロック。
【0010】(2) 一端には接触部および他端には端
子部をそれぞれ持つ複数のコンタクト部材と、これらコ
ンタクト部材のそれぞれを保持するためのコンタクトイ
ンシュレータとから成るグラウンド用コンタクトブロッ
クであって、前記コンタクトインシュレータは、複数の
溝をそれぞれ一平面上に形成する1次ブロックインシュ
レータと、これら溝を覆うように導電メッキを施して溝
寸法の小さい小溝をそれぞれ形成する導電メッキ層と、
これら小溝に前記コンタクト部材をそれぞれ圧入し、前
記導電メッキ層及び前記コンタクト部材をグラウンド伝
送路として使用することを特徴とするグラウンド用コン
タクトブロック。
【0011】(3) (1)および(2)に記載のコン
タクトブロックを受けるための略四方形状の嵌合開口部
を持つインシュレータハウジングを備えるレセプタクル
側コネクタであって、前記嵌合開口部は、前記コンタク
ト部材の接触部を受けるための多数の孔を備え、各孔の
周辺には導電メッキ層が形成されたことを特徴とするレ
セプタクル側コネクタ。
【0012】(4) (3)に記載のレセプタクル側コ
ネクタであって、前記嵌合開口部は、前記信号用コンタ
クトブロックを挟み、互いに積層するように、前記グラ
ウンド用コンタクトブロックを両端に収納することを特
徴とするレセプタクル側コネクタ。
【0013】(5) (4)に記載のレセプタクル側コ
ネクタであって、前記レセプタクル側コネクタのインシ
ュレータハウジングは、突出したポストを備え、前記コ
ンタクトブロックには、該ポストを係合させるための係
合溝が形成されていることを特徴とするレセプタクル側
コネクタ。
【0014】(6) (4)に記載のレセプタクル側コ
ネクタを収納するためのプラグ側コネクタであって、
号コンタクトと、グランドコンタクトと、これらのコン
タクトを保持する孔を備えたハウジングとを含み、前記
ハウジングの孔の周辺に導電メッキ層を形成し、前記信
号コンタクトを保持する孔に絶縁層を施すと共に第2の
溝を形成したことを特徴とするプラグ側コネクタ。
【0015】
【作用】複数列の信号用およびグラウンド用のコンタク
トブロックは、互いに積層され、レセプタクル側コネク
タのインシュレータハウジングの所定の位置に配列・収
納される。そのため、本発明のコネクタは、信号伝送路
をグラウンド電位にある導電メッキ層で取り囲むシンプ
ルな構造を有する。レセプタクル側コネクタのインシュ
レータハウジングの嵌合開口部には、プラスチック成形
品に導電メッキ層を付与するMID(Molded i
nterconnection device)技術を
応用した角形同軸線路を有する同芯のコンタクト部材を
含むコンタクトブロックを収納している。コンタクトブ
ロックを複数列に積層配置するだけで容易に組み立てが
できる結果、組み立て工数が減少する。また、本発明で
は、信号伝送路が角形の同軸線路となるため、特性イン
ピーダンスの理論解析が容易になる結果、インピーダン
ス整合が容易で、クロストークが極めて少なくなる。
【0016】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態すなわち一実
施例による高速伝送用コネクタすなわちライトアングル
型電気コネクタ・アセンブリについて図面を参照して説
明する。
【0017】図2に示すように、レセプタクル側コネク
タ11は、複数列(12個)の積層されたコンタクトブ
ロック23〜45と、これらコンタクトブロック23〜
45を収納するインシュレータハウジング(第1のイン
シュレータ)すなわちヘッドブロック21を備える。
【0018】コンタクトブロック23〜45は、10列
の信号ブロック(第2のインシュレータ)25〜43
と、信号ブロック(第2のインシュレータ)25〜43
を挟むように両側にそれぞれ配されたグラウンドブロッ
ク(第3のインシュレータ)23および45とである。
【0019】図1を参照して、各コンタクトブロック2
3は、一端にはピンコンタクト挿入方向すなわち水平方
向に沿って配された接触バネ部16および上下一対のバ
ネ片16−1、16−2、他端には垂直方向に沿って配
された端子部17−1、17−2、17−3、17−
4、17−5を持つように延びたL形状のコンタクト部
材15−1〜15−5と、レセプタクルコンタクト部材
15を保持するためのコンタクトインシュレータ20と
から成る。
【0020】図3、図4および図6を参照して、信号用
のコンタクトインシュレータ20は、一次ブロック51
と、その全表面の導電メッキ層51−1と、5種類の相
似するL形状の二次ブロック61とから成る。これら5
種類の相似するL形状の二次ブロック61が一次ブロッ
ク51にそれぞれ嵌め込まれるように、図3に示された
一次ブロック51の前面・右側面・下面には、それぞれ
の二次ブロック61を収納するための5種類の相似する
収納溝(第1の溝)53が、それぞれ形成されている。
【0021】また、図3の一次ブロック51の前面の上
下端には、係合溝(第3の溝)55−1、55−2が、
それぞれ形成されている。
【0022】第2の溝63に複数芯のコンタクト部材1
5(図5)をそれぞれ挿入することにより、信号ブロッ
ク(第2のインシュレータ)25〜43が得られる。
【0023】次に、図7を参照して、グランド用のコン
タクトインシュレータ71の構造を説明する。グランド
用のコンタクトインシュレータ71は、一次ブロックの
みから成り、プラスチック製の一次ブロック71Aを成
形後、プラスチックメッキ工程により、一次ブロック部
材の全表面に導電メッキ層71−1が設けられる。コン
タクト部材15を保持するために、グランド用のコンタ
クトインシュレータ71には、溝73が設けられてい
る。
【0024】また、図7のグランド用のコンタクトイン
シュレータ71の前面の上下端には、ポスト圧入孔すな
わち係合溝(第3の溝)75−1、75−2が、それぞ
れ形成されている。
【0025】グランド用のコンタクトインシュレータ7
1の溝73にコンタクト部材15を挿入することによ
り、グラウンドブロック(第3のインシュレータ)23
または45が得られる。
【0026】図8〜図10を参照して、ヘッドブロック
21の構造を説明する。
【0027】図9のヘッドブロック21´は、プラスチ
ック製一次ブロック21Aの全表面に導電メッキ層21
−1を設けたものであって、前面の上下辺近傍から12
対のポスト81−1、81−2がそれぞれ突出してい
る。上下のポスト81−1と81−2との間には、縦方
向に5個、横方向に12個の合計60個の第1の溝すな
わち角孔83が、形成されている。ヘッドブロック21
´の角孔83およびポスト81−1、81−2は、導電
メッキ層角孔として形成されている。
【0028】次に、図10のヘッドブロック21は、図
9のヘッドブロック21´における2次成形工程によ
り、導電メッキ層角孔の内部にのみ絶縁層21−2を更
に重ねて第2の溝すなわち絶縁層角孔85を形成するこ
とにより、ヘッドブロック21が得られる。絶縁層21
−2の内側には絶縁層角孔85が空いている。
【0029】以上の工程で作られたヘッドブロック21
に信号ブロック(第2のインシュレータ)25〜43、
グラウンドブロック(第3のインシュレータ)23およ
び45を組み合わせて、図2のライトアングル型電気コ
ネクタ・アセンブリのレセプタクル側コネクタ11が完
成する。
【0030】図11を参照して、レセプタクル側コネク
タ11の組立工程を説明する。
【0031】まず、図11のヘッドブロック21の左右
前後両端の絶縁層角孔85に図2のグラウンドブロック
(第3のインシュレータ)23および45をそれぞれ嵌
め込んで、取り付ける。
【0032】この時、図12(a),(b)を参照し
て、絶縁層角孔85内に接触バネ部16が、クリアラン
スを持って挿入される。また、ポスト81−1,81−
2が、ポスト圧入孔すなわち係合溝(第3の溝)75−
1,75−2に圧入され、それにより、レセプタクル側
コネクタ11とグラウンドブロック(第3のインシュレ
ータ)23または45とが結合される。これで、図17
を参照して、レセプタクルコンタクト部材15とヘッド
ブロック21の導電メッキ層100と、グラウンドブロ
ック(第3のインシュレータ)23または45の導電メ
ッキ層71−1とが、電気的に接続される。グラウンド
ブロックの(第3のインシュレータ)23または45の
レセプタクルコンタクト部材15は、回路基板に実装す
る時には回路基板のグラウンドに接続することにより、
ヘッドブロック21,グラウンドブロック(第3のイン
シュレータ)23または45の導電メッキ層71−1と
は、グラウンド電位となる。
【0033】次に、信号ブロック(第2のインシュレー
タ)25〜43をレセプタクル側コネクタ11に取り付
ける。この時もまた、絶縁層角孔85内に接触部16
が、クリアランスを持って挿入され、ポスト81−1,
81−2が、ポスト圧入孔すなわち係合溝(第3の溝)
55−155−2に圧入される。その結果、レセプタ
クル側コネクタ11と信号ブロック(第2のインシュレ
ータ)25〜43とが、結合される。信号ブロック(第
2のインシュレータ)25〜43のレセプタクルコンタ
クト部材15は、基板実装時に信号伝送として使用す
る。このようにして、レセプタクル側コネクタ11が完
成する。
【0034】図13(a)の断面図を参照して、信号ブ
ロック(第2のインシュレータ)25〜43におけるレ
セプタクルコンタクト部材15の接触バネ部16は、グ
ラウンド電位にあるヘッドブロック21の導電メッキ層
21−1に絶縁層孔21−2を介して囲まれており、角
形同軸型の伝送路を形成している。この導電メッキ層2
1−1と接触バネ部16との間を調整することにより、
特性インピーダンスを所望の値に容易に調整することが
できる。また、隣接する接触バネ部16の間がシールド
されているため、クロストークは非常に小さく抑えるこ
とができる。
【0035】また、図13(b)の断面図を参照して、
10列の信号ブロック(第2のインシュレータ)25〜
43は、積層され密着して重なり合い縦に配置される。
これにより、信号ブロック25〜43のレセプタクルコ
ンタクト部材15のリード端子115は、グラウンド電
位にある導電メッキ層21−1に全周360度にわたり
囲まれており、やはり角形同軸型の伝送路を形成してい
る。
【0036】同様にして、この導電メッキ層21−1と
リード端子115との間隔を調整しすることにより、特
性インピーダンスを所望の値に容易に調整することがで
きる。また、隣接するリード端子115の間がシールド
されるため、クロストークは非常に小さく抑えられる。
【0037】以上説明したように、全レセプタクルコン
タクト部材に対する信号用のコンタクト部材の割合を1
2/10=1.2になる。従来例より大きくできる。
【0038】しかも、ブロック状にしたので、取扱が容
易になり部品点数も少なくなる。
【0039】この結果、本発明のライトアングル型電気
コネクタ・アセンブリのレセプタクル側コネクタ11
は、高周波特性の優れたものになる。
【0040】一方、図14の高速伝送用ライトアングル
型電気コネクタ・アセンブリのプラグ側コネクタ91
は、プラグハウジング93と、複数のピンコンタクト部
材111とから構成される。以下、その構造と組み立て
方法とを説明する。
【0041】図14および図17のプラグハウジング9
3は、一次ブロック95で構成されている。一次ブロッ
ク95はプラスチック製であり、左右両側端の近傍に
は、5個のグラウンド圧入孔97が縦に一列ずつ所定の
間隔で設けられている。
【0042】図15、図16及び図17に示すように、
一次ブロック95の両端のグラウンド圧入孔97の間に
は、5行×10列=50個の第1の溝99が設けられて
いる。一次ブロック95に対して、メッキ工程により、
導電メッキ層100が、施される。その結果、グラウン
ド圧入孔97および第1の溝99が、形成され、図15
のメッキブロック93−1となる。
【0043】次に、図15のメッキブロック93−1に
対して2次成形工程により、図16の絶縁層101を施
して2次圧入孔すなわち第2の溝103を形成する。2
次圧入孔(第2の溝)103には、信号用のピンコンタ
クト部材111の圧入端子117が圧入される。このと
き、信号用のピンコンタクト部材111は、圧入片11
3により、信号伝送用の2次圧入孔(第2の溝)103
に固定される。
【0044】一方、グラウンド圧入孔97に圧入される
グラウンド用のピンコンタクト部材111は、信号用の
ものと同形で、一次ブロック95の導電メッキ層100
と電気的に接続されている。従って、グラウンド用のピ
ンコンタクト部材111を基板実装時に基板グラウンド
に接続すると、導電メッキ層100はグラウンド電位に
なる。
【0045】ところで、図17に示すように、信号用の
ピンコンタクト部材111のリード端子115は、グラ
ウンド電位にある導電メッキ層100に絶縁層101を
介して囲まれる結果、角形で同軸型の伝送路を形成して
いる。
【0046】この導電メッキ層100と圧入片113と
の間隔を調整することにより、特性インピーダンスを所
望の値に調整することができる。尚、隣接する接触バネ
部16がシールドされるため、クロストークは非常に小
さく抑えることができる。
【0047】図18を参照して、プラグ側コネクタ91
およびレセプタクル側コネクタ11を嵌合させた際に
は、両者の導通層は、両端のグラウンド用のプラグ側お
よびレセプタクル側のコンタクト部材同士が接触するこ
とにより導通し、グラウンド電位が保たれる。信号用の
プラグ側およびレセプタクル側のコンタクト部材同士は
全て同軸構造となり、図19(a)に示すように、非常
に良好な特性インピーダンス分布特性(高周波特性)が
得られる。
【0048】
【発明の効果】本発明の高速伝送用コネクタによれば、
コンタクトブロックを積層し信号伝送路をグラウンド電
位にあるメッキ層で取り囲むシンプルな構造のため、部
品点数だけでなく、組み立て工数も小さく、低コストに
できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1(a)は、本発明の一実施例による高速伝
送用コネクタのレセプタクル側コネクタ11に使用され
る信号用のレセプタクルコンタクト部材23,45の斜
視図であり、図1(b)は、本発明の一実施例による高
速伝送用コネクタのレセプタクル側コネクタ11に使用
されるグラウンド用のレセプタクル側コンタクト部材2
5,27〜41,43の斜視図である。
【図2】本発明の一実施例による高速伝送用コネクタの
レセプタクル側コネクタ11の斜視図である。
【図3】図1(a)の信号用のレセプタクルコンタクト
部材23,45に使用される一次ブロック51の斜視図
である。
【図4】図3の一次ブロック51の第1の溝53にL形
状の二次ブロック61を圧入したものの斜視図である。
【図5】図1(a)および図1(b)のレセプタクルコ
ンタクト部材15の斜視図である。
【図6】図6(a)は、図1(a)のVI(a)−VI
(a)線に沿って切断した断面図であり、図6(b)
は、図1(b)のVI(b)−VI(b)線に沿って切
断した断面図である。
【図7】図1(b)のグランド用のコンタクトインシュ
レータ71の斜視図である。
【図8】図2のハウジング(第1のインシュレータ)
(ヘッドブロック)21の斜視図である。
【図9】ハウジング21´の斜視図である。
【図10】図9の第1の溝83を覆うように絶縁層21
−2を形成した図2のハウジング21の斜視図である。
【図11】図11(a)は、図10のハウジング21に
グラウンドブロック23およびグラウンドブロック2
5,…,43を準備したときの分解斜視図であり、図1
1(b)は、図11(a)のハウジング21にグラウン
ドブロック23およびグラウンドブロック43を挿入し
たときの斜視図である。
【図12】図12(a)は、図11(b)のXII
(a)−XII(a)線に沿って切断した断面図であ
り、図12(b)は、図11(b)のXII(b)−X
II(b)線に沿って切断した断面図である。
【図13】図13(a)は、図2のXIII(a)−X
III(a)線に沿って切断した断面図であり、図13
(b)は、図2のXIII(b)−XIII(b)線に
沿って切断した断面図である。
【図14】プラグ側コネクタ91を左上正面から見た斜
視図である。
【図15】一次ブロック部材95にメッキ工程を施した
メッキブロック93−1の斜視図である。
【図16】プラグ側コネクタ91の分解斜視図である。
【図17】図16のXVII−XVII線に沿って切断
した断面図である。
【図18】本発明の一実施例による高速伝送用コネクタ
の斜視図である。
【図19】図19(a)は、高速伝送用コネクタの特性
インピーダンス分布図であり、図19(b)は、第1の
従来例の特性インピーダンス分布図である。
【図20】TDR測定器でコネクタ10を評価するため
の試験回路図である。
【符号の説明】
10 コネクタ 11 レセプタクル側コネクタ 15,15−1,15−2,15−3,15−4,15
−5 L形状のレセプタクルコンタクト部材 16 接触バネ部 16−1,16−2 上下一対のバネ片 17−1,17−2,17−3,17−4,17−5
端子部 20 コンタクトインシュレータ 21 ハウジング(第1のインシュレータすなわちヘッ
ドブロック) 21A 一次ブロック部材 21−1 導電メッキ層 21−2 絶縁層 23〜45 コンタクトブロック 25,27〜41,43 10個の信号ブロック(第2
のインシュレータ) 23および45 グラウンドブロック(第3のインシュ
レータ) 51 信号コンタクト用のインシュレータブロック 51A 一次ブロック部材 51−1 導電メッキ層 53 収納溝(第1の溝) 55−1,55−2 係合溝(第3の溝) 61 L形状の二次ブロック 63 第2の溝 71 グランドコンタクト用のインシュレータブロック 71A 一次ブロック部材 71−1 導電メッキ層 75−1,75−2 係合溝(第3の溝) 81−1,81−2 12対のポスト 83 角孔 85 第2の溝(絶縁層角孔) 91 プラグ側コネクタ 93 プラグハウジング 93−1 メッキブロック 95 一次ブロック部材 97 5個のグラウンド圧入孔 99 50(=5行×10列)個の第1の溝 100 導電メッキ層 101 絶縁層 103 2次圧入孔(第2の溝) 111 ピンコンタクト部材 113 圧入片 115 リード端子 117 圧入端子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小野 通隆 東京都渋谷区道玄坂1丁目21番6号 日 本航空電子工業株式会社内 (56)参考文献 特開 平5−217634(JP,A) 特開 平11−74055(JP,A) 特開 平4−181668(JP,A) 特開 平8−288019(JP,A) 実開 昭62−88383(JP,U) 実開 平7−30459(JP,U) 特表 平6−507267(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01R 13/658 H01R 13/514 H01R 23/02 H01R 13/648

Claims (6)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一端には接触部および他端には端子部を
    それぞれ持つ複数のコンタクト部材と、これらコンタク
    ト部材のそれぞれを保持するためのコンタクトインシュ
    レータとから成る信号用コンタクトブロックであって、 前記コンタクトインシュレータは、複数の第1の溝を
    平面上に形成する1次ブロックインシュレータと、これ
    ら第1の溝を覆うように溝寸法の小さい第1の小溝を
    平面上に複数形成する導電メッキ層と、これら第1の小
    溝のそれぞれを埋めるように二次成形を施すことによ
    り、前記複数のコンタクト部材をそれぞれ一平面上に保
    持するための第2の溝をそれぞれ設けている2次ブロッ
    クインシュレータとを備え、該2次ブロックインシュレ
    ータの第2の溝に前記コンタクト部材をそれぞれ圧入
    し、断面が略U字状のグラウンド伝送路として前記導電
    メッキ層を使用することを特徴とする信号用コンタクト
    ブロック。
  2. 【請求項2】 一端には接触部および他端には端子部を
    それぞれ持つ複数のコンタクト部材と、これらコンタク
    ト部材のそれぞれを保持するためのコンタクトインシュ
    レータとから成るグラウンド用コンタクトブロックであ
    って、 前記コンタクトインシュレータは、複数の溝をそれぞれ
    一平面上に形成する1次ブロックインシュレータと、こ
    れら溝を覆うように導電メッキを施して溝寸法の小さい
    小溝をそれぞれ形成する導電メッキ層と、これら小溝に
    前記コンタクト部材をそれぞれ圧入し、前記導電メッキ
    層及び前記コンタクト部材をグラウンド伝送路として使
    用することを特徴とするグラウンド用コンタクトブロッ
    ク。
  3. 【請求項3】 請求項1又は請求項2に記載のコンタク
    トブロックを受けるための略四方形状の嵌合開口部を持
    つインシュレータハウジングを備えるレセプタクル側コ
    ネクタであって、 前記嵌合開口部は、前記コンタクト部材の接触部を受け
    るための多数の孔を備え、各孔の周辺には導電メッキ層
    が形成されたことを特徴とするレセプタクル側コネク
    タ。
  4. 【請求項4】 請求項3に記載のレセプタクル側コネク
    タであって、 前記嵌合開口部は、前記信号用コンタクトブロックを挟
    み、互いに積層するように、前記グラウンド用コンタク
    トブロックを両端に収納することを特徴とするレセプタ
    クル側コネクタ。
  5. 【請求項5】 請求項4に記載のレセプタクル側コネク
    タであって、 前記レセプタクル側コネクタのインシュレータハウジン
    グは、突出したポストを備え、前記コンタクトブロック
    には、該ポストを係合させるための係合溝が形成されて
    いることを特徴とするレセプタクル側コネクタ。
  6. 【請求項6】 請求項4に記載のレセプタクル側コネク
    タを収納するためのプラグ側コネクタであって、信号コンタクトと、グランドコンタクトと、これらのコ
    ンタクトを保持する孔を備えたハウジングとを含み、前
    記ハウジングの孔の周辺に導電メッキ層を形成し、前記
    信号コンタクトを保持する孔に絶縁層を施すと共に第2
    の溝を形成した ことを特徴とするプラグ側コネクタ。
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