JP3319585B2 - Method for manufacturing nitride semiconductor laser device - Google Patents
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は窒化物半導体（ＩｎXＡ
ｌYＧａ1-X-YＮ、０≦X、０≦Y、X＋Y≦１）よりなるレ
ーザ素子の製造方法に係り、特にエッチングにより形成
された共振面から放射されるレーザ光に関して、良好な
ファーフィールドパターンを有する光の取り出しが可能
な窒化物半導体レーザ素子の製造方法に関する。The present invention relates to a nitride semiconductor (In XA).
The present invention relates to a method of manufacturing a laser device comprising 1 Y Ga 1 -XYN , 0 ≦ X, 0 ≦ Y, X + Y ≦ 1), and particularly to a good far field with respect to a laser beam emitted from a resonance surface formed by etching. The present invention relates to a method for manufacturing a nitride semiconductor laser device capable of extracting light having a pattern.
【０００２】[0002]
【従来の技術】窒化物半導体レーザ素子には、活性層を
含む窒化物半導体層に共振面を形成し、活性層内で増幅
された大きな出力のコヒーレント光を共振面から放射す
るものがある。本発明者等は共振面を有する窒化物半導
体レーザ素子として、波長が４１０ｎｍの短波長レーザ
光の連続発振の可能な窒化物半導体レーザ素子を提案し
ている。例えば、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．６９
（１９９６）３０３４、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔ
ｔ．６９（１９９６）４０５６などに記載されている。2. Description of the Related Art Some nitride semiconductor laser devices have a resonance surface formed in a nitride semiconductor layer including an active layer, and emit a large output coherent light amplified in the active layer from the resonance surface. The present inventors have proposed, as a nitride semiconductor laser device having a resonance surface, a nitride semiconductor laser device capable of continuously oscillating short-wavelength laser light having a wavelength of 410 nm. For example, Appl. Phys. Lett. 69
(1996) 3034, Appl. Phys. Let
t. 69 (1996) 4056, and the like.
【０００３】上記本発明者が提案した窒化物半導体レー
ザ素子は、短波長のレーザ光を放射することができるの
で、光メモリーの高密度化や大容量化にとって大変有用
である。このような窒化物半導体レーザ素子の共振面
は、エッチングや劈開、または劈開後に劈開面を研磨す
ること等により形成される。一般に、窒化物半導体の基
板はサファイアやスピネル等ほとんど劈開性のない材料
を用いているため、劈開により共振面を形成するのは困
難である。また、エッチングは劈開性の有無に関係なく
共振面を形成できるので、劈開に比べ比較的容易にしか
も共振面を鏡面状に近い状態で形成し易い。The nitride semiconductor laser device proposed by the present inventor can emit laser light of a short wavelength, and is very useful for increasing the density and capacity of an optical memory. The resonance surface of such a nitride semiconductor laser device is formed by etching, cleaving, or polishing the cleaved surface after cleavage. In general, since a nitride semiconductor substrate is made of a material having almost no cleavage such as sapphire or spinel, it is difficult to form a resonance surface by cleavage. In addition, since a resonance surface can be formed by etching regardless of the presence or absence of cleavage, it is relatively easy to form the resonance surface in a state close to a mirror surface as compared with cleavage.
【０００４】従来の窒化物半導体レーザ素子は、例えば
図２のように、基板上に、ｎ型窒化物半導体層（ｎ型
層）、活性層、ｐ型窒化物半導体層（ｐ型層）が積層さ
れている。このレーザウエハーに、ｎ電極を形成するた
めのｎ型層（例えばコンタクト層）をエッチングにより
露出させる際に、同時に共振面を形成している。また、
このような窒化物半導体レーザ素子のウエハーのチップ
状への分離は、ダイサーやスクライバー等の外力によっ
てウエハーを割る装置を用いて行わているが、ｎ型層の
露出と同時に共振面を形成しているので、外力によって
カットするカット面にｎ型層が存在しクラックが生じ易
い。このクラックが窒化物半導体の結晶性を損ねたり硬
度を低下させたり寿命を短くするため、クラック防止と
して図２に示すように共振面からカット面までの距離を
長めに設けている。In a conventional nitride semiconductor laser device, for example, as shown in FIG. 2, an n-type nitride semiconductor layer (n-type layer), an active layer, and a p-type nitride semiconductor layer (p-type layer) are formed on a substrate. It is laminated. When exposing an n-type layer (for example, a contact layer) for forming an n-electrode on the laser wafer by etching, a resonance surface is formed at the same time. Also,
Separation of such a nitride semiconductor laser device into chips is performed by using a device such as a dicer or a scriber that divides the wafer by an external force. However, a resonance surface is formed simultaneously with the exposure of the n-type layer. Therefore, the n-type layer exists on the cut surface cut by external force, and cracks are easily generated. In order to prevent the cracks from deteriorating the crystallinity of the nitride semiconductor, lowering the hardness, and shortening the life, the distance from the resonance surface to the cut surface is provided longer as shown in FIG.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図２の
ように共振面からカット面までの距離を長めに設けてあ
ると、共振面から放射されるレーザ光がこの部分に反射
し、ファーフィールドパターンを乱し、光メモリーの高
密度化や大容量化に応用するのに必要とされるレーザ光
の単一モード化が十分満足いくものではないことがわか
った。However, if the distance from the resonance surface to the cut surface is long as shown in FIG. 2, the laser light radiated from the resonance surface is reflected on this portion, and the far-field pattern is formed. It has been found that the single-mode laser beam required for application to higher density and larger capacity of optical memory is not sufficiently satisfactory.
【０００６】ファーフィールドパターンを良好にするた
め、単に共振面からカット面までの距離を短くしたので
は、ウエハーを外力によってカットする際のクラックの
防止が不十分となる。また、共振面からカット面までの
距離を短くしてもウエハーをカットする際に窒化物半導
体にクラックが発生しないようにするために、共振面を
形成する際にｎ型層を残さず基板までエッチングし、カ
ット面のｎ型層を除去した後にウエハーをカットするこ
とが考えられる。しかし、共振面を形成する際にｎ型層
を残さず基板までエッチングすると、エッチング深さが
大きくなり、エッチング条件により共振面が平滑になら
ずファーフィールドパターンが大きく乱れやすくなる。If the distance from the resonance surface to the cut surface is simply shortened in order to improve the far-field pattern, crack prevention when the wafer is cut by an external force becomes insufficient. In order to prevent the nitride semiconductor from cracking when cutting the wafer even when the distance from the resonance surface to the cut surface is shortened, when forming the resonance surface, the n-type layer is not left until the substrate. It is conceivable to cut the wafer after etching and removing the n-type layer on the cut surface. However, if the substrate is etched without forming the n-type layer when forming the resonance surface, the etching depth becomes large, and the resonance surface is not smooth due to the etching conditions, and the far field pattern is easily disturbed.
【０００７】このように共振面が十分に平滑でないと、
ファーフィールドパターンを十分に良好な単一モードと
することができず、光メモリーの高密度化や大容量化と
しての、レーザビーム径を小さくすることを必要とする
ＤＶＤ光源や、単一モードの光を必要とする光通信分野
等への適用を十分満足させることができない。また、半
導体レーザ素子をチップ状にカットする際に、まず基板
側を研磨して基板を薄くし、次にスクライバーを用いて
ウエハーを割る。しかしながら、基板側を研磨して基板
を薄くする過程において、窒化物半導体層と基板との格
子定数差によりウエハーが反り、基板の厚みが８０μｍ
より薄くなるとウエハーが割れ易くなる。また反りがで
きてしまうとスクライビングの過程も困難になる。As described above, if the resonance surface is not sufficiently smooth,
A DVD mode light source that requires a small laser beam diameter for achieving high density and large capacity of an optical memory because a far-field pattern cannot be a sufficiently good single mode, It cannot sufficiently satisfy applications to optical communication fields and the like that require light. When the semiconductor laser device is cut into chips, the substrate is first polished to make the substrate thinner, and then the wafer is cracked using a scriber. However, in the process of polishing the substrate side to reduce the thickness of the substrate, the wafer warps due to the lattice constant difference between the nitride semiconductor layer and the substrate, and the thickness of the substrate is 80 μm.
When the thickness is smaller, the wafer is easily broken. Also, if warping occurs, the scribing process becomes difficult.
【０００８】そこで、本発明の目的は、レーザ光のファ
ーフィールドパターンが良好で、単一モードのレーザ光
が得られ、また素子をチップ状にカットする際に、容易
に研磨、スクライビングができるようにする、窒化物半
導体レーザ素子の製造方法を提供することである。Accordingly, an object of the present invention is to provide a single-mode laser beam with a good far-field pattern of the laser beam, and to enable easy polishing and scribing when the element is cut into chips. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a nitride semiconductor laser device.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】即ち、本発明の目的は以
下（１）〜（２）の構成によって達成することができ
る。 （１） サファイア基板上にｎ型層、活性層、ｐ型層が
順に積層されてなる窒化物半導体ウエハーのｐ型層側か
らエッチングを行い、ｎ型層表面を露出させると共に、
エッチング端面に共振面を形成する第一の工程と、第一
の工程により露出されたｎ型層表面に、レーザチップを
分離するための溝をサファイア基板が露出するまで窒化
物半導体を取り除き形成する第二の工程と、前記溝上部
にある第一の工程により露出されたｎ型層平面の隅部
を、レーザ光の広がり角が３０°以上となるように除去
する第三の工程とを備えることを特徴とする窒化物半導
体レーザ素子の製造方法。That is, the object of the present invention can be achieved by the following constitutions (1) and (2). (1) Etching is performed from the p-type layer side of a nitride semiconductor wafer in which an n-type layer, an active layer, and a p-type layer are sequentially stacked on a sapphire substrate to expose the surface of the n-type layer;
A first step of forming a resonance surface on the etched end face, and a groove for separating a laser chip is formed on the surface of the n-type layer exposed in the first step by removing the nitride semiconductor until the sapphire substrate is exposed. A second step, and a third step of removing a corner of the n-type layer plane exposed in the first step above the groove so that the divergence angle of the laser beam becomes 30 ° or more. A method for manufacturing a nitride semiconductor laser device.
【００１０】（２） 前記第一の工程において、エッチ
ングを活性層の下にあるｎ型層まで行い、露出されたｎ
型層の平面と、平面よりも上にある活性層下端面との距
離をＷとし、第二の工程において形成された溝部端面と
前記共振面との距離をＸとし、第三の工程において除去
する隅部の厚さをＹ、レーザ光出射方向の長さをＺとし
たとき ｔａｎ１５°＝Ｗ／（Ｘ−Ｚ）＝Ｙ／Ｚ の条件を満たすように各工程を行うことを特徴とする前
記（１）に記載の窒化物半導体レーザ素子の製造方法。(2) In the first step, etching is performed up to the n-type layer under the active layer, and the exposed n-type layer is removed.
The distance between the plane of the mold layer and the lower end surface of the active layer above the plane is W, the distance between the groove end surface formed in the second step and the resonance surface is X, and the distance is removed in the third step. When the thickness of the corner to be formed is Y and the length in the laser beam emission direction is Z, each step is performed so as to satisfy the condition of tan15 ° = W / (X−Z) = Y / Z. The method for manufacturing a nitride semiconductor laser device according to the above (1).
【００１１】[0011]
【発明の実施の形態】更に図を用いて本発明を詳細に説
明する。図１は基板１上に、ｎ型窒化物半導体層（ｎ型
層）２（コンタクト層、光ガイド層及び光閉じこめ層等
の積層構造を有する）、活性層３、ｐ型窒化物半導体層
（ｐ型層）４（コンタクト層、光ガイド層及び光閉じこ
め層等の積層構造を有する）が積層されている窒化物半
導体の模式的断面図である（第一の工程）。これを所定
のチップサイズになるようなパターンのマスクをかけ、
ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）により基板１が露出
するまで窒化物半導体２０１を取り除き、溝を作る（第
二の工程）。この溝を作ることで、半導体レーザをチッ
プ化する際に、基板側を研磨して基板１を薄くした際
の、窒化物半導体と基板１との格子定数差によるウエハ
ーの反りを小さくすることができ、研磨とその後のスク
ライバーを用いてウエハーを割る工程を容易にできる。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 shows an n-type nitride semiconductor layer (n-type layer) 2 (having a laminated structure such as a contact layer, an optical guide layer and an optical confinement layer), an active layer 3 and a p-type nitride semiconductor layer ( FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of a nitride semiconductor on which a p-type layer (a p-type layer) 4 (having a laminated structure of a contact layer, a light guide layer, a light confinement layer, and the like) is laminated (first step). This is masked with a pattern so that it has a predetermined chip size,
The nitride semiconductor 201 is removed by RIE (reactive ion etching) until the substrate 1 is exposed, and a groove is formed (second step). By forming this groove, when the semiconductor laser is chipped, the warpage of the wafer due to the lattice constant difference between the nitride semiconductor and the substrate 1 when the substrate side is polished to reduce the thickness of the substrate 1 can be reduced. Thus, the step of polishing and subsequent cracking of the wafer using a scriber can be facilitated.
【００１２】図２は第二の工程まで終えたところで、次
に第三の工程として、溝２０１上部にある第一の工程に
より露出されたｎ型層平面の隅部２０２を除去する（第
三の工程）。除去する隅部２０２はダイサーで削って
も、またＲＩＥ等のエッチングを行っても良い。この隅
部２０２を除去しなければ、出射したレーザが第一の工
程により露出されたｎ型層平面で反射し、ファーフィー
ルドパターンを乱してしまう。FIG. 2 shows a state where the second step is completed. Next, as a third step, the corner 202 of the n-type layer plane exposed in the first step above the groove 201 is removed (third step). Process). The corner 202 to be removed may be cut by a dicer, or may be etched by RIE or the like. If this corner 202 is not removed, the emitted laser is reflected on the n-type layer plane exposed in the first step, and disturbs the far-field pattern.
【００１３】図３は図２を拡大した図である。この第三
の工程を行って、出射されるレーザの広がり角を３０°
以上に調整する。具体的には、第一の工程において、露
出されたｎ型層の平面と、平面よりも上にある活性層端
面との距離がＷ、第二の工程において形成された溝部端
面と、前記共振面との距離がＸ、第三の工程において除
去する隅部の厚さがＹ、レーザ出射方向の長さがＺとな
るように各工程を調整し、これらの関係をｔａｎ１５°
＝Ｗ／（Ｘ−Ｚ）＝Ｙ／Ｚとすることで、レーザの広が
り角を３０°とすることができる。また、３０°以上と
するときには、それぞれの長さＷ、Ｙを大きくすればよ
い。この広がり角３０°のときは、図４のように活性層
に垂直な方向のファーフィールドパターンの光強度分布
の半値幅３０１に相当し、０°で最高値を示す光強度の
１／２以上の光を取り出すことができ、もっとも効率が
良いといえる。FIG. 3 is an enlarged view of FIG. By performing this third step, the divergence angle of the emitted laser is set to 30 °.
Adjust as above. Specifically, in the first step, the distance between the exposed plane of the n-type layer and the end face of the active layer above the plane is W, the end face of the groove formed in the second step, Each step is adjusted so that the distance to the surface is X, the thickness of the corner to be removed in the third step is Y, and the length in the laser emission direction is Z.
By setting = W / (X−Z) = Y / Z, the spread angle of the laser can be set to 30 °. When the angle is set to 30 ° or more, the lengths W and Y may be increased. When the divergence angle is 30 °, as shown in FIG. 4, it corresponds to the half-value width 301 of the light intensity distribution of the far field pattern in the direction perpendicular to the active layer, and is 以上 or more of the light intensity showing the maximum value at 0 °. Light can be extracted, which is the most efficient.
【００１４】本発明において、窒化物半導体の構成や電
極等は特に限定されず、いずれの層構成及び形状を有し
ていても良い。In the present invention, the structure, electrodes, etc. of the nitride semiconductor are not particularly limited, and may have any layer structure and shape.
【００１５】[0015]
【実施例】［実施例１］ＭＯＣＶＤ法を用いてサファイ
ア基板上に下記の層構成を形成した。サファイア基板の
上に、ｎ型ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層と、ｎ型Ａ
ｌＧａＮよりなるｎ型閉じこめ層と、ｎ型ＡｌＧａＮよ
りなる光ガイド層と、ＩｎＧａＮよりなる活性層と、ｐ
型ＡｌＧａＮよりなる光ガイド層と、ｐ型ＡｌＧａＮよ
りなる光閉じこめ層と、ｐ型ＧａＮよりなるｐ型コンタ
クト層とを積層したウエハーを作製する。[Example 1] The following layer constitution was formed on a sapphire substrate by MOCVD. An n-type contact layer made of n-type GaN and an n-type A
an n-type confinement layer made of lGaN, a light guide layer made of n-type AlGaN, an active layer made of InGaN,
A wafer is prepared in which a light guide layer made of p-type AlGaN, a light confinement layer made of p-type AlGaN, and a p-type contact layer made of p-type GaN are stacked.
【００１６】次に、ｎ型層を露出させるためのマスクを
形成し、ＳｉＣｌ4ガス、Ｃｌ2ガスを用いてＲＩＥを行
う。次にマスク除去後に、所定のチップサイズになるよ
うなパターンのマスクをかけ、ＲＩＥによりサファイア
基板が露出するまでエッチングを行い、溝を形成する。Next, a mask for exposing the n-type layer is formed, and RIE is performed using SiCl 4 gas and Cl 2 gas. Next, after removing the mask, a mask having a pattern having a predetermined chip size is applied, and etching is performed by RIE until the sapphire substrate is exposed, thereby forming a groove.
【００１７】次にマスクを除去後に、最上層のｐ型コン
タクト層にｐ電極を、露出したｎ型コンタクト層にｎ電
極を、互いに平行なストライプ形状でそれぞれ形成す
る。次に電極形成により露出されたｎ型層平面に、レー
ザチップを分離させるための溝を形成する。溝形成後、
溝部上部にあるｎ型層平面の隅部を、レーザの広がり角
が３０°以上となるように、ダイサーを用いて削る。Next, after removing the mask, a p-electrode is formed on the uppermost p-type contact layer, and an n-electrode is formed on the exposed n-type contact layer in a stripe shape parallel to each other. Next, a groove for separating the laser chip is formed on the n-type layer plane exposed by the electrode formation. After forming the groove,
The corner of the n-type layer plane above the groove is cut using a dicer so that the spread angle of the laser is 30 ° or more.
【００１８】最後に基板を１００μｍの厚さまで研磨し
た後、スクライビングすることにより、レーザチップを
得た。以上のようにして得られたレーザチップを実際に
発振させたところ、広がり角が３０°以上の良好なファ
ーフィールドパターンを得ることができた。 ［実施例２］実施例１において、ｎ型層を露出させる工
程において、露出されたｎ型層の平面と平面よりも上に
ある活性層端面との距離が１μｍ（Ｗ）、溝を形成する
工程において、形成された溝部端面と前記共振面との距
離が３４μｍ（Ｘ）、ｎ型層隅部を削る工程において、
除去する隅部の厚さが８μｍ（Ｙ）、レーザ出射方向の
長さが３０μｍ（Ｚ）となるように各工程を調整し、こ
れらの関係をｔａｎ１５°＝Ｗ／（Ｘ−Ｚ）＝Ｙ／Ｚと
した。その結果、広がり角が３０°となり、良好なファ
ーフィールドパターンを得ることができた。この広がり
角３０°は図４のように活性層に垂直な方向のファーフ
ィールドパターンの光強度分布の半値幅３０１に相当
し、０°で最高値を示す光強度の１／２以上の光を取り
出すことができ、もっとも効率が良い結果を得た。Finally, the substrate was polished to a thickness of 100 μm and scribed to obtain a laser chip. When the laser chip obtained as described above was actually oscillated, a good far-field pattern having a spread angle of 30 ° or more could be obtained. [Example 2] In Example 1, in the step of exposing the n-type layer, a groove is formed so that the distance between the plane of the exposed n-type layer and the end face of the active layer above the plane is 1 μm (W). In the step, the distance between the formed end face of the groove and the resonance surface is 34 μm (X), and in the step of cutting the corner of the n-type layer,
Each step is adjusted so that the thickness of the corner to be removed is 8 μm (Y) and the length in the laser emission direction is 30 μm (Z), and the relationship between these steps is tan15 ° = W / (X−Z) = Y / Z. As a result, the spread angle was 30 °, and a good far-field pattern could be obtained. This divergence angle of 30 ° corresponds to the half width 301 of the light intensity distribution of the far field pattern in the direction perpendicular to the active layer as shown in FIG. The result was the most efficient.
【００１９】[0019]
【発明の効果】本発明は、共振面を形成した後に基板を
露出させ溝を作り、溝上部にある露出されたｎ型層平面
の隅部を、レーザの広がり角が３０°以上となるように
深さを調整して削ることで、共振面が良好な平滑面とな
りファーフィールドパターンが良好となる。また、本発
明は基板をカットする前にカット面上部のｎ側層を除去
し溝を作っているので研磨の際の基板の反りを小さくす
ることができ、研磨とスクライビングを容易にすること
ができる。According to the present invention, the groove is formed by exposing the substrate after forming the resonance surface, and the corner of the exposed n-type layer plane above the groove is adjusted so that the laser divergence angle is 30 ° or more. By adjusting the depth and cutting, the resonance surface becomes a good smooth surface and the far-field pattern becomes good. In addition, the present invention removes the n-side layer above the cut surface before cutting the substrate to form a groove, so that it is possible to reduce the warpage of the substrate during polishing, thereby facilitating polishing and scribing. it can.
【００２０】[0020]
【００２１】[0021]
【図１】本発明の製造方法の工程における一実施形態の
窒化物半導体の模式的断面図である。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a nitride semiconductor according to an embodiment in a step of a manufacturing method of the present invention.
【００２２】[0022]
【図２】本発明の製造方法の工程における一実施形態の
窒化物半導体の模式的断面図である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of a nitride semiconductor according to an embodiment in a step of a manufacturing method of the present invention.
【００２３】[0023]
【図３】本発明の製造方法の工程における一実施形態の
窒化物半導体の模式的断面図で、図２を拡大したもので
ある。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of the nitride semiconductor of one embodiment in a step of the manufacturing method of the present invention, and is an enlarged view of FIG. 2;
【００２４】[0024]
【図４】本発明の窒化物半導体レーザ素子によるレーザ
光のファーフィールドパターンを示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a far field pattern of laser light by the nitride semiconductor laser device of the present invention.
【００２５】[0025]
１・・・・基板 ２・・・・ｎ側層 ３・・・・活性層 ４・・・・ｐ側層 ３０１・・・ファーフィールドパターンの半値幅 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Substrate 2 ... N-side layer 3 ... Active layer 4 ... P-side layer 301 ... Half width of far field pattern
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−272987（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−142763（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01S 5/00 - 5/50 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-61-272987 (JP, A) JP-A-7-142763 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) H01S 5/00-5/50
Claims (2)
層が順に積層されてなる窒化物半導体ウエハーのｐ型層
側からエッチングを行い、ｎ型層表面を露出させると共
に、エッチング端面に共振面を形成する第一の工程と、
第一の工程により露出されたｎ型層表面に、レーザチッ
プを分離するための溝をサファイア基板が露出するまで
窒化物半導体を取り除き形成する第二の工程と、前記溝
上部にある第一の工程により露出されたｎ型層平面の隅
部を、レーザ光の広がり角が３０°以上となるように除
去する第三の工程とを備えることを特徴とする窒化物半
導体レーザの製造方法。1. A nitride semiconductor wafer having an n-type layer, an active layer, and a p-type layer laminated on a sapphire substrate in order from the p-type layer side to expose a surface of the n-type layer and an etching end face. A first step of forming a resonance surface in
A second step of forming a groove for separating a laser chip on the surface of the n-type layer exposed by the first step by removing the nitride semiconductor until the sapphire substrate is exposed; Removing the corners of the n-type layer plane exposed in the step so that the spread angle of the laser beam becomes 30 ° or more.
活性層の下にあるｎ型層まで行い、露出されたｎ型層の
平面と、平面よりも上にある活性層下端面との距離をＷ
とし、 第二の工程において形成された溝部端面と前記共振面と
の距離をＸとし、 第三の工程において除去する隅部の厚さをＹ、レーザ光
出射方向の長さをＺとしたとき ｔａｎ１５°＝Ｗ／（Ｘ−Ｚ）＝Ｙ／Ｚ の条件を満たすように各工程を行うことを特徴とする請
求項１記載の窒化物半導体レーザの製造方法。2. In the first step, etching is performed up to an n-type layer below the active layer, and a distance between a plane of the exposed n-type layer and a lower end surface of the active layer above the plane is determined. W
When the distance between the groove end face formed in the second step and the resonance surface is X, the thickness of the corner to be removed in the third step is Y, and the length in the laser light emission direction is Z 2. The method for manufacturing a nitride semiconductor laser according to claim 1, wherein each step is performed so as to satisfy a condition of tan15 ° = W / (X−Z) = Y / Z.
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