JP3317054B2 - Manufacturing method of magnetic recording medium - Google Patents

Manufacturing method of magnetic recording medium

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JP3317054B2
JP3317054B2 JP29103394A JP29103394A JP3317054B2 JP 3317054 B2 JP3317054 B2 JP 3317054B2 JP 29103394 A JP29103394 A JP 29103394A JP 29103394 A JP29103394 A JP 29103394A JP 3317054 B2 JP3317054 B2 JP 3317054B2
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carbon film
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優 小田桐
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、オーディオ・ビデ
オ機器、コンピュータ等に用いられる強磁性金属薄膜型
磁気記録媒体に関するものであり、特に電磁変換特性と
実用信頼性とを高次元両立させるために磁性層上に保護
膜及び潤滑剤層を順次形成させた磁気記録媒体の製造方
に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a ferromagnetic metal thin film type magnetic recording medium used for audio / video equipment, computers, and the like, and more particularly to achieving high-dimensional compatibility between electromagnetic conversion characteristics and practical reliability. Method of manufacturing a magnetic recording medium in which a protective film and a lubricant layer are sequentially formed on a magnetic layer
It is about the law .

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、磁気記録装置には大容量化、高速
化、高画質・高音質化、小型軽量化等が要望されるよう
になってきた。それに伴い磁気記録媒体としては高密度
記録を達成することが必要不可欠であり、従来からの磁
性体を結合剤中に分散させた塗布型磁気記録媒体に対
し、磁性層の残留磁束密度(Br)及び保磁力(Hc)
が共に大きく、磁性層の薄膜化が可能であり、しかも磁
性層表面の超平滑化に最適である強磁性金属薄膜型磁気
記録媒体の開発、実用化が積極的に行われている。
2. Description of the Related Art In recent years, there has been a demand for a magnetic recording apparatus to have a large capacity, a high speed, a high image quality and a high sound quality, a small size and a light weight, and the like. Accordingly, it is indispensable to achieve high-density recording as a magnetic recording medium. Compared with a conventional coating-type magnetic recording medium in which a magnetic material is dispersed in a binder, the residual magnetic flux density (Br) of the magnetic layer And coercive force (Hc)
The development and commercialization of ferromagnetic metal thin film type magnetic recording media which can make the magnetic layer thinner and which is optimal for ultra-smoothing the surface of the magnetic layer are being actively conducted.

【0003】しかしながら強磁性金属薄膜型磁気記録媒
体の磁性層は、硬度が低く塑性変形しやすいため、高速
回転するVTRの磁気ヘッドと直接接触する場合、磁性
層は瞬間的に摩耗・損傷され、ヘッド摺動面に金属凝着
を引き起こし、その結果、耐久性の悪化(繰り返し走行
による大幅な記録再生出力の低下、スチルライフの著し
い減少等)を招くという問題が生じた。また磁性層表面
は、酸化被膜が形成され保護されているものの高湿環境
下における耐食性は、不充分であるといった問題を有し
ていた。
However, since the magnetic layer of the ferromagnetic metal thin film type magnetic recording medium has low hardness and is easily plastically deformed, when it comes into direct contact with the magnetic head of a VTR rotating at high speed, the magnetic layer is instantaneously worn and damaged, Metal adhesion is caused on the head sliding surface, and as a result, there arises a problem that durability is deteriorated (a recording / reproducing output is significantly reduced due to repeated running, and a still life is significantly reduced). Further, the surface of the magnetic layer has a problem that the oxide film is formed and protected, but the corrosion resistance in a high humidity environment is insufficient.

【0004】そこで従来より、強磁性金属薄膜型磁気記
録媒体の潤滑性、耐摩耗性及び耐食性を向上させるため
に、微小突起を形成したベースフィルムを使用したり、
磁性層上に保護膜あるいは滑り性・撥水性効果を合わせ
持つ含フッ素系潤滑剤層を形成することが提案されてい
る。特に保護膜については、磁性層と磁気ヘッド間のス
ペーシング損失を低減するために、保護膜の膜厚を薄く
設定する必要があり、そのため高硬度で摩耗しにくいダ
イヤモンド状炭素膜を磁性層上に形成する構成が数多く
の提案されている(例えば特開昭61−210518号
公報及び特開昭63−98824号公報等に記載。)。
In order to improve the lubricity, abrasion resistance and corrosion resistance of a ferromagnetic metal thin film type magnetic recording medium, a base film having fine projections has been used.
It has been proposed to form a protective film or a fluorine-containing lubricant layer having both a slipperiness and a water-repellent effect on a magnetic layer. Especially for the protective film, in order to reduce the spacing loss between the magnetic layer and the magnetic head, it is necessary to set the thickness of the protective film to be thin, so that a diamond-like carbon film having high hardness and low wear resistance is formed on the magnetic layer. Many configurations have been proposed (for example, described in JP-A-61-210518 and JP-A-63-98824).

【0005】また特開平1−245417号公報及び特
開平2−158909号公報等において、磁性層上にダ
イヤモンド状炭素膜を形成し、さらにこのダイヤモンド
状炭素膜上に潤滑剤層(含フッ素脂肪酸層)を形成する
構成が開示されている。
In Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 1-245417 and 2-158909, a diamond-like carbon film is formed on a magnetic layer, and a lubricant layer (fluorine-containing fatty acid layer) is formed on the diamond-like carbon film. ) Is disclosed.

【0006】しかしながら従来より行われてきた方法を
用いて、走行安定性及び耐久性を充分に満足させた磁気
記録媒体を提供することは非常に困難であり、様々な問
題が生じている。
[0006] However, it is very difficult to provide a magnetic recording medium that satisfies traveling stability and durability sufficiently by using a conventional method, and various problems have arisen.

【0007】例えば磁性層上に含フッ素系潤滑剤層のみ
を形成した場合には、せん断力を低下させることができ
るものの、媒体表面の硬度が低く摩耗しやすいため、走
行安定性が悪化するとともに、スチルライフが減少する
結果を招いてしまう。
For example, when only a fluorinated lubricant layer is formed on a magnetic layer, the shear force can be reduced, but the hardness of the medium surface is low and the medium is liable to wear, so that the running stability is deteriorated and As a result, the still life is reduced.

【0008】また磁性層上に硬質保護膜(例えばダイヤ
モンド状炭素膜)のみを形成した場合には、高速回転す
るVTRの磁気ヘッドとの直接接触により保護膜自体が
脆性破壊を起こし、その結果、スチルライフの著しい減
少を招くとともに繰り返し走行時の再生出力の安定性を
確保することができない。
When only a hard protective film (for example, a diamond-like carbon film) is formed on the magnetic layer, the protective film itself is brittlely broken by direct contact with the magnetic head of the VTR rotating at a high speed. This leads to a remarkable decrease in the still life, and it is not possible to ensure the stability of the reproduction output during repeated running.

【0009】さらに磁性層上に高硬度なダイヤモンド状
炭素膜および潤滑剤層を順次形成させた場合において
も、ダイヤモンド状炭素膜の表面状態が化学的に非常に
不活性であるため、潤滑剤との接着性が不充分となり、
記録再生時にヘッド摺動面に潤滑剤成分からなる焼付き
が生じ、著しい出力低下を招いたり、長時間のヘッド目
づまりを発生させる等の問題を有していた。
Further, even when a high-hardness diamond-like carbon film and a lubricant layer are sequentially formed on the magnetic layer, the surface state of the diamond-like carbon film is chemically very inactive. Becomes insufficiently adhesive,
During recording / reproducing, there was a problem that seizure consisting of a lubricant component occurred on the head sliding surface, resulting in a remarkable decrease in output and long-term head clogging.

【0010】一方、磁性層上に硬質炭素膜を形成する場
合、磁性層と硬質炭素膜との接着性(密着性)が不充分
であるため、スチル再生時もしくは高温高湿環境に長時
間保存した後に硬質炭素膜が部分的に剥離し、耐久性、
耐候性が著しく悪化する等の問題が生じた。
On the other hand, when a hard carbon film is formed on a magnetic layer, the adhesion (adhesion) between the magnetic layer and the hard carbon film is insufficient. After the hard carbon film partially peels off, durability,
Problems such as remarkable deterioration of weather resistance occurred.

【0011】そこで最近では、保護膜と潤滑剤層との接
着性を改善するために、強磁性金属薄膜上に硬質炭素保
護膜、含窒素プラズマ重合膜、含フッ素カルボン酸を含
む潤滑剤層を順次形成する構成(特開平2−12641
7号公報)、強磁性金属薄膜層上に少なくとも炭素原子
と窒素原子とを含有させ、且つ表面層の窒素原子の濃度
を炭素原子の濃度に対して40原子%以上にした有機高
分子化合物からなる保護膜層を設け、さらにこの保護膜
層上に潤滑剤層を形成する構成(特開昭62−5841
6号公報)、強磁性金属薄膜上にBまたはTiまたはS
iを含む硬質炭素薄膜を形成した後、連続して真空蒸着
法にて反応基を有する潤滑剤層を配する構成(特開平1
−184722号公報)、磁性金属薄膜上にMn、M
o、Nb、Ta、Ti、V及びWから選ばれる少なくと
も一種を含有するグラファイト状カーボンを主成分とす
る保護膜を設けた後、メルカプト基を有する有機化合物
を主成分とする潤滑層を形成する構成(特開昭63−1
77312号公報)等が提案されている。
Therefore, recently, in order to improve the adhesion between the protective film and the lubricant layer, a hard carbon protective film, a nitrogen-containing plasma polymerized film, and a lubricant layer containing a fluorinated carboxylic acid are provided on the ferromagnetic metal thin film. Configuration of forming sequentially (JP-A-2-12641)
No. 7), an organic polymer compound in which at least carbon atoms and nitrogen atoms are contained on a ferromagnetic metal thin film layer and the concentration of nitrogen atoms in the surface layer is at least 40 atom% with respect to the concentration of carbon atoms. In which a protective film layer is formed and a lubricant layer is formed on the protective film layer (Japanese Patent Laid-Open No. 62-5841).
No. 6), B or Ti or S on a ferromagnetic metal thin film.
After forming a hard carbon thin film containing i, a lubricant layer having a reactive group is continuously disposed by a vacuum evaporation method
184722), Mn, M on a magnetic metal thin film
After providing a protective film mainly composed of graphite-like carbon containing at least one selected from o, Nb, Ta, Ti, V and W, a lubricating layer mainly composed of an organic compound having a mercapto group is formed. Configuration (Japanese Unexamined Patent Publication No.
77312) and the like.

【0012】また特開平2−126418号公報には、
強磁性金属薄膜上に硬質炭素膜を形成し、この硬質炭素
膜表面をアンモニアガスにてグロー放電処理し、さらに
含フッ素カルボン酸を含む潤滑剤層を形成する構成が開
示されている。
Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-126418 discloses that
A configuration is disclosed in which a hard carbon film is formed on a ferromagnetic metal thin film, the surface of the hard carbon film is subjected to glow discharge treatment with ammonia gas, and a lubricant layer containing a fluorinated carboxylic acid is further formed.

【0013】一方、特公平6−68834号公報には、
磁性層と保護層との接着性(密着性)を改善するため
に、磁性金属層上に磁性金属層と接する面の酸素/炭素
(O/C)比が0.30以下であるプラズマ重合層を設
ける構成が開示されている。
On the other hand, Japanese Patent Publication No. 6-68834 discloses that
In order to improve the adhesion (adhesion) between the magnetic layer and the protective layer, a plasma polymerized layer having an oxygen / carbon (O / C) ratio of 0.30 or less on the surface in contact with the magnetic metal layer on the magnetic metal layer Is disclosed.

【0014】[0014]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記した
構成においても、優れた電磁変換特性及び耐久性を兼ね
備えた磁気記録媒体を提供することは困難であり、未だ
数多くの問題が存在している。
However, even with the above-described structure, it is difficult to provide a magnetic recording medium having both excellent electromagnetic conversion characteristics and durability, and there are still many problems.

【0015】硬質炭素保護膜と潤滑剤層との界面に含窒
素プラズマ重合膜を形成する構成では、含窒素プラズマ
重合膜の硬度が低く摩耗しやすいため、走行安定性、耐
久性を充分に満足させることができない。一方、耐摩耗
性を改善するために含窒素プラズマ重合膜の膜厚を大き
く設定した場合には、磁性層と磁気ヘッド間のスペーシ
ング損失が増大し、電磁変換特性が悪化する結果を招い
てしまう。
In the configuration in which the nitrogen-containing plasma polymerized film is formed at the interface between the hard carbon protective film and the lubricant layer, the running stability and durability are sufficiently satisfied because the hardness of the nitrogen-containing plasma polymerized film is low and easily worn. I can't let it. On the other hand, when the film thickness of the nitrogen-containing plasma polymerized film is set to be large in order to improve the wear resistance, the spacing loss between the magnetic layer and the magnetic head increases, and the electromagnetic conversion characteristics are deteriorated. I will.

【0016】また保護膜層中の窒素原子濃度を極めて高
く設定した構成、あるいはB、Ti、Si、金属等を含
有させた保護膜上に潤滑剤層を形成する構成では、保護
膜と潤滑剤との接着性は改善されるものの保護膜自体の
硬度が低下するため、スチルライフ等の耐久性が悪化す
るという問題が生じた。
In a configuration in which the concentration of nitrogen atoms in the protective film layer is set extremely high, or in a configuration in which a lubricant layer is formed on a protective film containing B, Ti, Si, metal, etc., the protective film and the lubricant However, the hardness of the protective film itself is reduced, but the durability such as still life is deteriorated.

【0017】また硬質炭素保護膜表面をアンモニアガス
にてグロー放電処理した後に潤滑剤層を形成する構成で
は、硬質炭素保護膜表面が非重合性ガスであるアンモニ
アから生成した荷電粒子の衝撃により著しいダメージを
受けるため、耐久性及び耐候性が大幅に悪化するという
問題を有していた。
In the structure in which the lubricant layer is formed after glow discharge treatment of the surface of the hard carbon protective film with ammonia gas, the surface of the hard carbon protective film is markedly affected by the impact of charged particles generated from ammonia which is a non-polymerizable gas. There was a problem that durability and weather resistance were significantly deteriorated due to being damaged.

【0018】さらに上記した構成では、いずれも強磁性
金属薄膜と保護膜との密着性を充分に考慮していないた
めに耐久性、耐候性が予想以上に悪化する結果を招い
た。
Further, in each of the above-mentioned structures, the adhesion between the ferromagnetic metal thin film and the protective film is not sufficiently considered, so that the durability and the weather resistance are unexpectedly deteriorated.

【0019】一方、プラズマ重合層の磁性層表面と接す
る側の界面(X線光電子分光法(XPS)もしくはオー
ジェ電子分光法(AES)でプラズマ重合層の深さ方向
分析を行った際に、磁性金属構成元素が原子数比で5%
を越えた時点での層)における酸素/炭素(O/C)比
を単に特定した構成では、磁性層表面に付着している汚
染物質や低分子化合物の除去、すなわち清浄化された磁
性層最表面部の形成がなされていないために、磁性層と
保護膜との接着性(密着性)が充分に改善さ0れず、耐
久性、耐候性を大幅に向上させることはできない。
On the other hand, when an interface on the side of the plasma polymerized layer in contact with the magnetic layer surface (X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) or Auger electron spectroscopy (AES)) is used to analyze the depth direction of the plasma polymerized layer, 5% of metal constituent elements in atomic ratio
In the configuration in which the oxygen / carbon (O / C) ratio of the magnetic layer is simply specified, the removal of contaminants and low molecular compounds adhering to the surface of the magnetic layer, that is, the cleaning of the cleaned magnetic layer Since the surface portion is not formed, the adhesion (adhesion) between the magnetic layer and the protective film cannot be sufficiently improved, and the durability and weather resistance cannot be significantly improved.

【0020】本発明は上記課題を解決するものであり、
電磁変換特性と実用信頼性とを高次元で両立させること
のできる強磁性金属薄膜型磁気記録媒体の製造方法を提
供することを目的とするものである。
The present invention solves the above problems,
It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a ferromagnetic metal thin-film magnetic recording medium that can achieve both high electromagnetic conversion characteristics and practical reliability at a high level.

【0021】[0021]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
第1の本発明は、非磁性基板上に強磁性金属薄膜を形
成し、真空中にてこの強磁性金属薄膜表面に少なくとも
原子状酸素を含む化学活性種(励起種)を照射すること
でドライエッチング処理部を設けた後、真空を破ること
なく硬質炭素膜を形成し、さらに真空を破ることなくこ
の硬質炭素膜表面を含窒素有機系ガスと無機系ガスとの
混合ガスによるグロー放電プラズマに曝すことで改質面
を形成した後、潤滑剤層を形成することを特徴とする磁
気記録媒体の製造方法である。
In order to achieve the above object, a first aspect of the present invention is to form a ferromagnetic metal thin film on a nonmagnetic substrate, and to form at least an atomic layer on the surface of the ferromagnetic metal thin film in a vacuum. After irradiating a chemically active species (excited species) containing oxygen to provide a dry etching treatment part, a hard carbon film is formed without breaking vacuum, and the surface of the hard carbon film is further formed without breaking vacuum. A method of manufacturing a magnetic recording medium, comprising forming a modified surface by exposing to a glow discharge plasma of a mixed gas of an organic gas and an inorganic gas, and then forming a lubricant layer.

【0022】第2の本発明は、非磁性基板上に強磁性金
属薄膜を形成し、真空中にてこの強磁性金属薄膜表面に
少なくとも原子状酸素を含む化学活性種(励起種)を照
射することでドライエッチング処理部を設けた後、真空
を破ることなく硬質炭素膜を形成し、さらに真空を破る
ことなくこの硬質炭素膜表面を含窒素有機系ガスと炭化
水素系ガスと無機ガスとの混合ガスによるグロー放電プ
ラズマに曝すことで改質面を形成した後、潤滑剤層を形
成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法であ
る。
According to a second aspect of the present invention , a ferromagnetic metal thin film is formed on a nonmagnetic substrate, and the surface of the ferromagnetic metal thin film is irradiated with a chemically active species (excited species) containing at least atomic oxygen in a vacuum. After providing a dry etching treatment section, a hard carbon film is formed without breaking vacuum, and the surface of the hard carbon film is formed with nitrogen-containing organic gas, hydrocarbon-based gas and inorganic gas without breaking vacuum. A method for manufacturing a magnetic recording medium, comprising forming a modified surface by exposing the surface to a glow discharge plasma with a mixed gas and then forming a lubricant layer.

【0023】第3の本発明は、非磁性基板上に真空蒸着
法またはイオンプレーティング法またはスパッタリング
法により磁性金属薄膜を形成し、真空を破ることなくこ
の強磁性金属薄膜表面に少なくとも原子状酸素を含む化
学活性種(励起種)を照射することでドライエッチング
処理部を設けた後、真空を破ることなく硬質炭素膜を形
成し、さらに真空を破ることなくこの硬質炭素膜表面を
含窒素有機系ガスと無機系ガスとの混合ガスによるグロ
ー放電プラズマに曝すことで改質面を形成した後、潤滑
剤層を形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方
法である。
According to a third aspect of the present invention, a magnetic metal thin film is formed on a nonmagnetic substrate by a vacuum evaporation method, an ion plating method, or a sputtering method, and at least atomic oxygen is formed on the surface of the ferromagnetic metal thin film without breaking vacuum. After irradiating with a chemically active species (excited species) containing a dry etching treatment unit, a hard carbon film is formed without breaking vacuum, and the surface of the hard carbon film is formed on a nitrogen-containing organic layer without breaking vacuum. A method for manufacturing a magnetic recording medium, comprising forming a modified surface by exposing to a glow discharge plasma of a mixed gas of a system gas and an inorganic gas, and then forming a lubricant layer.

【0024】第4の本発明は、非磁性基板上に真空蒸着
法またはイオンプレーティング法またはスパッタリング
法により強磁性金属薄膜を形成し、真空を破ることなく
この強磁性金属薄膜表面に少なくとも原子状酸素を含む
化学活性種(励起種)を照射することでドライエッチン
グ処理部を設けた後、真空を破ることなく硬質炭素膜を
形成し、さらに真空を破ることなくこの硬質炭素膜表面
を含窒素有機系ガスと炭化水素系ガスと無機系ガスとの
混合ガスによるグロー放電プラズマに曝すことで改質面
を形成した後、潤滑剤層を形成することを特徴とする磁
気記録媒体の製造方法である。
According to a fourth aspect of the present invention, a ferromagnetic metal thin film is formed on a nonmagnetic substrate by a vacuum deposition method, an ion plating method, or a sputtering method, and at least an atomic state is formed on the surface of the ferromagnetic metal thin film without breaking vacuum. After irradiating a chemically active species (excited species) containing oxygen to provide a dry etching treatment part, a hard carbon film is formed without breaking vacuum, and the surface of the hard carbon film is further formed without breaking vacuum. A method for manufacturing a magnetic recording medium, comprising forming a modified surface by exposing to a glow discharge plasma by a mixed gas of an organic gas, a hydrocarbon gas and an inorganic gas, and then forming a lubricant layer. is there.

【0025】また、強磁性金属薄膜表面を酸化性ガスに
よるグロー放電プラズマに曝すこと でドライエッチング
処理部を設けることを特徴とする。
Further, the surface of the ferromagnetic metal thin film is exposed to an oxidizing gas.
Etching by exposing to glow discharge plasma
A processing unit is provided.

【0026】また、硬質炭素膜表面を炭化水素系ガスに
対する含窒素有機系ガスの比率を段階的に増加させた混
合ガスによるグロー放電プラズマに順次曝すことで改質
面を形成することを特徴とする。
The surface of the hard carbon film is converted to a hydrocarbon gas.
A mixture in which the ratio of nitrogen-containing organic gas to
Reforming by sequential exposure to glow discharge plasma by combined gas
Forming a surface.

【0027】また、無機系ガスとしては、H 2 、O 2 、N
3 から選ばれた一種類以上の材料を用いることが好ま
しい。
The inorganic gases include H 2 , O 2 , N
It is preferable to use at least one material selected from H 3.
New

【0028】また、改質面を形成する際の含窒素有機系
ガス分圧を総ガス圧力の20%以上70%以下とするこ
とがさらに好ましい。
Further, when forming the modified surface, the nitrogen-containing organic system is used.
The gas partial pressure should be between 20% and 70% of the total gas pressure.
Is more preferable.

【0029】上記構成により、強磁性金属薄膜表面に原
子状酸素を含む化学活性種(励起種)が照射されること
によって、磁気記録媒体に熱的な損傷を与えることな
く、強磁性金属薄膜表面に付着している汚染物質や低分
子化合物のみが選択的に除去されたドライエッチング処
理部が形成されるために強磁性金属薄膜と硬質炭素膜と
の密着性が飛躍的に向上する。
With the above structure, the surface of the ferromagnetic metal thin film is irradiated with the chemically active species (excited species) containing atomic oxygen without thermally damaging the magnetic recording medium. Since a dry etching portion is formed in which only contaminants and low molecular compounds attached to the ferromagnetic metal thin film are selectively removed, the adhesion between the ferromagnetic metal thin film and the hard carbon film is greatly improved.

【0030】さらに潤滑剤分子中に導入された極性基と
化学的親和力の強い窒素原子を適切な量だけ含有した改
質面が硬質炭素膜上に形成されているために、硬質炭素
膜と改質面からなる保護膜の硬度を低下させることな
く、しかも強磁性金属薄膜と磁気ヘッドとのスペーシン
グ損失を増大させることなく磁気記録媒体表面に潤滑剤
分子を強固に保持することができる。特に改質面の窒素
濃度が最表面から深さ方向に向かって(硬質炭素膜との
界面の方向に向かって)減少している構造の場合は、改
質面自体の内部応力を適度に緩和することができる。
Further, a modified material containing an appropriate amount of a nitrogen atom having a strong chemical affinity with a polar group introduced into a lubricant molecule.
Since the surface of the hard carbon film is formed on the hard carbon film, the hardness of the protective film including the hard carbon film and the modified surface is not reduced, and the spacing loss between the ferromagnetic metal thin film and the magnetic head is increased. The lubricant molecules can be firmly held on the surface of the magnetic recording medium without causing any problem. In particular the nitrogen concentration in the reformed surface toward the depth direction from the outermost surface (toward the interface between the hard carbon film) in the case of reduction to that structure, moderately relax the internal stress of the reformed surface itself can do.

【0031】また硬質炭素膜上に改質面を形成するため
に硬質炭素膜表面を含窒素有機系ガスと無機系ガスとの
混合ガスもしくは含窒素有機系ガスと炭化水素系ガスと
無機系ガスとの混合ガスによるグロー放電プラズマに曝
す方法を適用することにより、硬質炭素膜表面を清浄化
しつつプラズマ中の化学活性種(反応活性種)を堆積さ
せることができるため、硬質炭素膜と改質面との良好な
密着性を確保することが可能となる。
In order to form a modified surface on the hard carbon film, the surface of the hard carbon film is formed by mixing a nitrogen-containing organic gas and an inorganic gas or a nitrogen-containing organic gas, a hydrocarbon gas and an inorganic gas. By applying a method of exposing to a glow discharge plasma with a gas mixture of the above, it is possible to deposit the chemically active species (reactive species) in the plasma while cleaning the surface of the hard carbon film. Good adhesion to the surface can be ensured.

【0032】また強磁性金属薄膜とドライエッチング処
理部と硬質炭素膜とを真空中で連続的に形成させた場
合、あるいは強磁性金属薄膜とドライエッチング処理部
と硬質炭素膜と改質面とを真空中で連続的に形成させた
場合には、強磁性金属薄膜表面ならびに改質面への大気
中からの水分等の吸着を大幅に低減することができる。
When the ferromagnetic metal thin film, the dry etching portion and the hard carbon film are continuously formed in a vacuum, or when the ferromagnetic metal thin film, the dry etching portion, the hard carbon film and the modified surface are formed in a vacuum. When formed continuously in a vacuum, the adsorption of moisture and the like from the atmosphere onto the ferromagnetic metal thin film surface and the modified surface can be greatly reduced.

【0033】したがって磁性層上に形成された硬質炭素
膜と潤滑剤層との相乗効果を充分に発揮することができ
るため、電磁変換特性を損なうことなく、走行安定性、
耐久性、耐候性を飛躍的に向上させた磁気記録媒体を提
供することが可能となる。
Therefore, the synergistic effect of the hard carbon film formed on the magnetic layer and the lubricant layer can be sufficiently exhibited, so that the running stability and the electromagnetic stability are not impaired.
It is possible to provide a magnetic recording medium having dramatically improved durability and weather resistance.

【0034】[0034]

【実施例】以下本発明の参考例ならびに実施例について
図面を参照しながら詳細に説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Reference examples and embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0035】(参考例1) 図2は本発明の参考例1、2、参考比較例1,2および
比較例1−3を除く比較例に対応する強磁性金属薄膜型
磁気テープの構成を示す拡大断面図である。図中、1は
非磁性基板であり、ポリエチレンテレフタレート、ポリ
エチレンナフタレート、ポリアミド、ポリイミド等の高
分子フィルムを用いることができ、磁性層側の基板表面
には最大高さ粗さ(Rmax )が10nm〜30nmの微
小突起層2が形成されている。3は強磁性金属薄膜であ
り、真空雰囲気中でCo、Co−Ni等の金属もしくは
合金を電子ビーム等で加熱・蒸発させ、真空槽内にわず
かな酸素ガスを導入しながら、連続的に入射角を変化さ
せた斜方蒸着法により形成する。その膜厚は150nm
〜200nmである。4はバックコート層であり、カー
ボンブラック、炭酸カルシウム、ポリエステル樹脂、ニ
トロセルロース樹脂を主成分とした塗料を塗布・乾燥さ
せることにより形成する。その膜厚は500nm程度で
ある。5はドライエッチング処理部であり、強磁性金属
薄膜3表面に原子状酸素を含む化学活性種(励起種)を
照射することにより形成する。その厚さは1nm〜20
nmである。6は硬質炭素膜であり、プラズマCVD法
等により形成することができ、その膜厚は短波長領域で
の再生出力を確保するために、8nm〜15nmが最適
である。また8はカルボキシル基等の極性基を分子中に
導入した含フッ素系潤滑剤層であり、湿式塗布法により
形成し、その膜厚は3nm程度である。
Reference Example 1 FIG. 2 shows Reference Examples 1 and 2 of the present invention, Reference Comparative Examples 1 and 2, and
It is an expanded sectional view showing the composition of the ferromagnetic metal thin film type magnetic tape corresponding to a comparative example except comparative examples 1-3 . In the figure, reference numeral 1 denotes a non-magnetic substrate, which can be made of a polymer film such as polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polyamide, or polyimide, and has a maximum height roughness (Rmax) of 10 nm on the substrate surface on the magnetic layer side. A microprojection layer 2 having a thickness of about 30 nm is formed. Reference numeral 3 denotes a ferromagnetic metal thin film, which is formed by heating and evaporating a metal or alloy such as Co, Co-Ni or the like with an electron beam or the like in a vacuum atmosphere and continuously introducing a slight amount of oxygen gas into the vacuum chamber. It is formed by an oblique deposition method in which the angle is changed. Its thickness is 150nm
200200 nm. Reference numeral 4 denotes a back coat layer, which is formed by applying and drying a paint containing carbon black, calcium carbonate, a polyester resin, and a nitrocellulose resin as main components. The thickness is about 500 nm. Numeral 5 denotes a dry etching portion, which is formed by irradiating the surface of the ferromagnetic metal thin film 3 with a chemically active species (excited species) containing atomic oxygen. Its thickness is from 1 nm to 20
nm. Reference numeral 6 denotes a hard carbon film, which can be formed by a plasma CVD method or the like, and has an optimum film thickness of 8 nm to 15 nm in order to ensure reproduction output in a short wavelength region. Reference numeral 8 denotes a fluorine-containing lubricant layer in which a polar group such as a carboxyl group is introduced into a molecule, which is formed by a wet coating method and has a thickness of about 3 nm.

【0036】また図3は、本発明の参考例1に対応する
強磁性金属薄膜型磁気テープを構成しているドライエッ
チング処理部5及び硬質炭素膜6を真空中で連続的に形
成するための製造装置の概略図を示したものである。
中、9は真空槽であり、真空ポンプ10を用いて真空槽
9内部の圧力が10-4torr〜10-5torrの高真
空状態となるように排気を行っている。11は非磁性基
板1上に強磁性金属薄膜3及びバックコート層4を形成
させた金属薄膜型磁気テープ用原反であり、巻き出しロ
ール12から送り出され、2本のパスロール13、14
及び円筒状の冷却キャン15の外周面を経由して巻き取
りロール16に巻き取られる。なお冷却キャン15は金
属薄膜型磁気テープ用原反11を一定速度で搬送できる
ように回転制御する働きをしている。
FIG. 3 shows that the dry etching processing part 5 and the hard carbon film 6 constituting the ferromagnetic metal thin film type magnetic tape corresponding to the first embodiment of the present invention are continuously applied in a vacuum. FIG. 1 shows a schematic view of a manufacturing apparatus for forming . In the figure, reference numeral 9 denotes a vacuum chamber, which is evacuated by using a vacuum pump 10 so that the pressure inside the vacuum chamber 9 becomes a high vacuum state of 10 -4 torr to 10 -5 torr. Reference numeral 11 denotes a raw material for a metal thin film type magnetic tape in which a ferromagnetic metal thin film 3 and a back coat layer 4 are formed on a non-magnetic substrate 1, and is fed from an unwinding roll 12 and has two pass rolls 13, 14.
Then, it is wound around a winding roll 16 via the outer peripheral surface of a cylindrical cooling can 15. The cooling can 15 controls the rotation so that the metal thin film type magnetic tape material 11 can be transported at a constant speed.

【0037】17はドライエッチング処理部5を金属薄
膜型磁気テープ用原反11の強磁性金属薄膜3表面上に
形成するための放電管(非平衡プラズマ発生空間)であ
り、放電管17の内部には、パンチングメタル放電電極
18が設置されている。パンチングメタル放電電極18
はプラズマ発生用電源19と接続されており、プラズマ
発生用電源19としては、直流電圧または交流電圧のど
ちらかのみを印加する方式や直流電圧と交流電圧とを重
畳させて印加する方式の3種類の放電方式を採用するこ
とができる。20は酸化性ガスを放電管17内に導入す
るための原料ガス導入口である。
Reference numeral 17 denotes a discharge tube (non-equilibrium plasma generation space) for forming the dry etching processing section 5 on the surface of the ferromagnetic metal thin film 3 of the raw material 11 for a metal thin film type magnetic tape. Is provided with a punching metal discharge electrode 18. Punching metal discharge electrode 18
Is connected to a power supply 19 for plasma generation. As the power supply 19 for plasma generation, there are three types: a method of applying only a DC voltage or an AC voltage, and a method of applying a DC voltage and an AC voltage in a superimposed manner. Can be adopted. Reference numeral 20 denotes a source gas inlet for introducing an oxidizing gas into the discharge tube 17.

【0038】21は硬質炭素膜6を金属薄膜型磁気テー
プ用原反11のドライエッチング処理部5表面上に形成
するための放電管(非平衡プラズマ発生空間)であり、
放電管21の内部には、パイプ状の放電電極22が設置
されている。パイプ状の放電電極22はプラズマ発生用
電源23と接続されており、プラズマ発生用電源23と
しては、直流電圧または交流電圧のどちらかのみを印加
する方式や直流電圧と交流電圧とを重畳させて印加する
方式の3種類の放電方式を採用することができる。24
は炭化水素系ガスとアルゴン等の無機系ガスとの混合ガ
ス(原料ガス)を放電管21内に導入するための原料ガ
ス導入口である。
Reference numeral 21 denotes a discharge tube (non-equilibrium plasma generation space) for forming the hard carbon film 6 on the surface of the dry etching portion 5 of the metal thin film type magnetic tape material 11.
Inside the discharge tube 21, a pipe-shaped discharge electrode 22 is provided. The pipe-shaped discharge electrode 22 is connected to a plasma generation power supply 23. As the plasma generation power supply 23, a method of applying only a DC voltage or an AC voltage or a method of superimposing a DC voltage and an AC voltage is used. Three types of discharge methods of applying a voltage can be adopted. 24
Reference numeral denotes a source gas inlet for introducing a mixed gas (source gas) of a hydrocarbon gas and an inorganic gas such as argon into the discharge tube 21.

【0039】参考例1−1 走査型トンネル顕微鏡(STM)による表面形状分析で
最大高さ粗さ(Rmax)が15nmで、直径が200n
m程度の微小突起層2が1mm2 あたり105から109
個設けられている10μm厚のポリエチレンテレフタ
レートフィルム1表面上に連続入射角変化蒸着法を用い
てCo−Oからなる強磁性金属薄膜3を膜厚180nm
形成する。その後、湿式塗布法によりポリエチレンテレ
フタレートフィルム1の反対側の表面上にバックコート
層4を膜厚500nm形成する。
Reference Example 1-1 Surface shape analysis by scanning tunneling microscope (STM) showed that the maximum height roughness (Rmax) was 15 nm and the diameter was 200 n.
The small protrusion layer 2 of about m is 10 5 to 10 9 per 1 mm 2.
A ferromagnetic metal thin film 3 made of Co—O is formed on a surface of a 10 μm-thick polyethylene terephthalate film 1 having a thickness of 180 nm using a continuous incident angle changing evaporation method.
Form. Thereafter, a back coat layer 4 having a thickness of 500 nm is formed on the surface on the opposite side of the polyethylene terephthalate film 1 by a wet coating method.

【0040】次に図3に示した製造装置の真空槽9内部
に金属薄膜型磁気テープ用原反11を設置し、真空槽9
内部を真空排気した後、放電管17内に酸素ガス(酸化
性ガス:O2 )を導入し、ガス圧力を0.05torr
となるようにガス流量の調整を行う。また放電管21内
にヘキサンガス(炭化水素系ガス:C614 )とアルゴ
ンガス(無機系ガス:Ar)をそれぞれ導入し、ヘキサ
ンガスとアルゴンガスとの圧力比が4:1、総ガス圧力
が0.3torrとなるようにガス流量の調整を行う。
その後、金属薄膜型磁気テープ用原反11を5m/mi
nの走行スピードで搬送させるとともに、パンチングメ
タル放電電極18に直流電圧を800V印加すること
で、非平衡プラズマを発生させ、金属薄膜型磁気テープ
用原反11の強磁性金属薄膜3表面上にドライエッチン
グ処理部5を厚さ5nm形成する。さらにパイプ状の放
電電極22に直流電圧を1300V印加することで、非
平衡プラズマを発生させ、金属薄膜型磁気テープ用原反
11のドライエッチング処理部5表面上に硬質炭素膜6
を厚さ12nm形成する。
Next, a raw material 11 for a metal thin film type magnetic tape is set inside the vacuum chamber 9 of the manufacturing apparatus shown in FIG.
After evacuating the inside, an oxygen gas (oxidizing gas: O 2 ) is introduced into the discharge tube 17 and the gas pressure is reduced to 0.05 torr.
The gas flow rate is adjusted so that Hexane gas (hydrocarbon-based gas: C 6 H 14 ) and argon gas (inorganic-based gas: Ar) were respectively introduced into the discharge tube 21 so that the pressure ratio of hexane gas to argon gas was 4: 1, and the total gas The gas flow rate is adjusted so that the pressure becomes 0.3 torr.
Then, the raw material 11 for a metal thin film type magnetic tape is put at 5 m / mi.
n, and a DC voltage of 800 V is applied to the punching metal discharge electrode 18 to generate a non-equilibrium plasma, which is dried on the surface of the ferromagnetic metal thin film 3 of the raw material 11 for a metal thin film type magnetic tape. The etching portion 5 is formed to a thickness of 5 nm. Further, by applying a DC voltage of 1300 V to the pipe-shaped discharge electrode 22, a non-equilibrium plasma is generated, and the hard carbon film 6 is formed on the surface of the dry etching processing portion 5 of the metal thin film type magnetic tape raw material 11.
Is formed to a thickness of 12 nm.

【0041】次に硬質炭素膜6表面上に含フッ素カルボ
ン酸(C511(CH210COOH)からなる含フッ素
系潤滑剤層8を湿式塗布法により膜厚3nm程度形成さ
せた後、8mm幅にスリットして8mmVTR用金属薄
膜型磁気テープを作製した。
Next, a fluorine-containing lubricant layer 8 of fluorine-containing carboxylic acid (C 5 F 11 (CH 2 ) 10 COOH) is formed on the surface of the hard carbon film 6 by a wet coating method to a thickness of about 3 nm. And 8 mm wide slits to produce an 8 mm VTR metal thin film magnetic tape.

【0042】参考例1−1で得られた硬質炭素膜5のビ
ッカース硬度は、2600kg/mm2 であった。
The Vickers hardness of the hard carbon film 5 obtained in Reference Example 1-1 was 2,600 kg / mm 2 .

【0043】参考例1−2 ドライエッチング処理部5形成用の原料ガスである酸素
ガスの圧力を0.1torrとし、ドライエッチング処
理部5の厚さを8nmとすること以外は参考例1−1
同様な方法により、8mmVTR用金属薄膜型磁気テー
プを作製した。
Reference Example 1-2 Reference Example 1-1 except that the pressure of oxygen gas, which is a raw material gas for forming the dry etching section 5, was 0.1 torr and the thickness of the dry etching section 5 was 8 nm. An 8 mm VTR metal thin-film magnetic tape was produced in the same manner as described above.

【0044】参考例1−3 ドライエッチング処理部5形成用の原料ガスである酸素
ガスの圧力を0.15torrとし、直流電圧を150
0V印加することによりドライエッチング処理部5を厚
さを18nm形成すること以外は参考例1−1と同様な
方法により、8mmVTR用金属薄膜型磁気テープを作
製した。
Reference Example 1-3 The pressure of oxygen gas as a source gas for forming the dry etching section 5 was set to 0.15 torr, and the DC voltage was set to 150
An 8 mm VTR metal thin film magnetic tape was manufactured in the same manner as in Reference Example 1-1 except that the dry etching portion 5 was formed to a thickness of 18 nm by applying 0 V.

【0045】参考例1−4 ドライエッチング処理部5を形成する際の放電印加電圧
を直流電圧500Vとし、ドライエッチング処理部5の
厚さを2nmとすること以外は参考例1−1と同様な方
法により、8mmVTR用金属薄膜型磁気テープを作製
した。
Reference Example 1-4 The same as Reference Example 1-1 except that the discharge applied voltage when forming the dry etching processing section 5 was DC voltage of 500 V and the thickness of the dry etching processing section 5 was 2 nm. By the method, a metal thin film type magnetic tape for 8 mm VTR was produced.

【0046】参考例1−5 ドライエッチング処理部5の厚さを22nmとすること
以外は参考例1−1と同様な方法により、8mmVTR
用金属薄膜型磁気テープを作製した。
REFERENCE EXAMPLE 1-5 An 8 mm VTR was prepared in the same manner as in Reference Example 1-1 except that the thickness of the dry-etched portion 5 was changed to 22 nm.
Metal thin film type magnetic tape was prepared.

【0047】参考例1−6 ドライエッチング処理部5形成用の原料ガスである酸素
ガスの圧力を0.03torrとし、直流電圧を300
V印加することによりドライエッチング処理部5を厚さ
を1nm形成すること以外は参考例1−1と同様な方法
により、8mmVTR用金属薄膜型磁気テープを作製し
た。
Reference Example 1-6 The pressure of oxygen gas, which is a source gas for forming the dry etching section 5, was set to 0.03 torr, and the DC voltage was set to 300.
An 8 mm VTR metal thin film magnetic tape was manufactured in the same manner as in Reference Example 1-1 except that the dry etching portion 5 was formed to a thickness of 1 nm by applying V.

【0048】参考例1−7 硬質炭素膜のビッカース硬度を1300kg/mm2
すること以外は参考例1−1と同様な方法により、8m
mVTR用金属薄膜型磁気テープを作製した。
Reference Example 1-7 Except that the Vickers hardness of the hard carbon film was set to 1300 kg / mm 2 , the same method as in Reference Example 1-1 was applied to 8 m
A metal thin film magnetic tape for mVTR was produced.

【0049】参考比較例1 ドライエッチング処理部5を形成せずに、直接強磁性金
属薄膜3表面上に硬質炭素膜6を形成すること以外は
考例1−1と同様な方法により、8mmVTR用金属薄
膜型磁気テープを作製した。
[0049] without forming the Reference Comparative Example 1 dry etching unit 5, except that to form the hard carbon film 6 directly on the ferromagnetic metal thin film 3 surface ginseng
An 8 mm VTR metal thin film magnetic tape was manufactured in the same manner as in Example 1-1 .

【0050】上記参考例および参考比較例におけるドラ
イエッチング処理部5の処理条件と、の原子比率(O/
Co、O/C)及びCo原子の化学結合状態は、含フッ
素系潤滑剤層8未形成の金属薄膜型磁気テープ用原反1
1をAr+ イオンスパッタリングを利用したX線光電子
分光法(XPS)により深さ方向分析した際に、全構成
元素に対するCo原子の原子比率が15%を越える時点
での層について解析したものである。その結果を参考値
として(表1)に示す。
The atomic ratio (O / O / O) of the processing conditions of the dry etching processing unit 5 in the above reference example and reference comparative example .
The chemical bonding state of Co, O / C) and Co atoms is determined according to the raw material 1 for a metal thin film magnetic tape without the fluorinated lubricant layer 8 formed thereon.
1 was analyzed in the depth direction by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) using Ar @ + ion sputtering, and the layer at the time when the atomic ratio of Co atoms to all the constituent elements exceeded 15% was analyzed. . Use the results as reference values
As shown in (Table 1).

【0051】[0051]

【表1】 [Table 1]

【0052】また硬質炭素膜6の強磁性金属薄膜3表面
(ドライエッチング処理部5)と接する側の界面(全構
成元素に対して、Co原子の原子比率が5%を越える時
点での層)における原子比率(O/C)についても参考
値として(表1)に示した。
The interface of the hard carbon film 6 on the side in contact with the surface of the ferromagnetic metal thin film 3 (the dry etching portion 5) (the layer when the atomic ratio of Co atoms exceeds 5% with respect to all the constituent elements) Also refer to the atomic ratio (O / C) in
The values are shown in (Table 1).

【0053】また参考例および参考比較例におけるドラ
イエッチング処理部5表面の臨界表面張力(γC) 値
は、次のような方法により算出したものである。まず硬
質炭素膜6未形成の金属薄膜型磁気テープ用原反11を
用い、ドライエッチング処理部5表面に表面張力既知の
ぬれ指数標準液を滴下し、その液滴の接触角θを測定す
る。次にぬれ指数標準液の表面張力に対して接触角θの
余弦(cosθ)をプロットする(Zismann P
lotの実施。)。最小二乗法により得られた直線とc
osθ=1.0との交点に相当する表面張力の値を求
め、その値をドライエッチング処理部5表面の臨界表面
張力(γC) 値とした。なお使用したぬれ指数標準液の
表面張力は、38、45、54、72×10-5 N/c
mである。その結果を参考値として(表1)に示す。
The critical surface tension (γ C ) value of the surface of the dry etching section 5 in the reference example and the reference comparative example was calculated by the following method. First, a wetting index standard solution having a known surface tension is dropped on the surface of the dry etching processing section 5 using the raw material 11 for a metal thin film magnetic tape on which the hard carbon film 6 is not formed, and the contact angle θ of the droplet is measured. Next, the cosine (cos θ) of the contact angle θ is plotted against the surface tension of the wetting index standard solution (Zismann P
Implementation of lot. ). Line obtained by the least squares method and c
The value of the surface tension corresponding to the intersection with osθ = 1.0 was determined, and the value was defined as the critical surface tension (γ C ) value of the surface of the dry etching processing section 5. The surface tension of the wetting index standard solution used was 38, 45, 54, 72 × 10 −5 N / c.
m. The results are shown in Table 1 as reference values .

【0054】また金属薄膜型磁気テープ用原反11の代
わりにシリコンウエハー上に硬質炭素膜を膜厚1〜3μ
m程度形成させた数種類の試料を作製し、微小硬度計
(マイクロ硬度計)を用いて上記試料のビッカース硬度
を測定し、その膜厚依存性から外挿法により膜厚12n
mに相当する硬質炭素膜のビッカース硬度を算出し、そ
の値を参考例及び参考比較例における硬質炭素膜6のビ
ッカース硬度値とした。なお上記試料での硬質炭素膜の
膜厚はエリプソメータにより測定した値を採用した。そ
の結果を参考値として(表1)に示す。
A hard carbon film having a thickness of 1 to 3 μm was formed on a silicon wafer in place of the metal thin film type magnetic tape material 11.
Several kinds of samples having a thickness of about m were formed, and the Vickers hardness of the samples was measured using a microhardness tester (microhardness tester).
The Vickers hardness of the hard carbon film corresponding to m was calculated, and the value was used as the Vickers hardness value of the hard carbon film 6 in Reference Example and Reference Comparative Example . The thickness of the hard carbon film in the above sample was a value measured by an ellipsometer. The results are shown in Table 1 as reference values .

【0055】以上の参考例及び比較例にて得られた各8
mmVTR用金属薄膜型磁気テープ(以下、単に磁気テ
ープと称する。)について以下の測定を行った。 (1)C/N C/N測定用8mmVTRとしてEVSー900(ソニ
ー(株)製)を用い、7MHzにおける信号(C)と
6.5MHzにおけるノイズ(N)の比を測定した。な
参考例1−3において作製した磁気テープのC/Nを
基準(0dB)として相対値にて示した。 (2)スチルライフ スチルライフ測定用に改造した8mmVTRを用い、2
3℃−10%RHの環境下、各磁気テープに映像信号を
記録し、30g荷重の条件でスチルモードにて再生を行
い、その再生出力が6dB落ち込むまでの時間を示し
た。なお測定は最長60分間で打ち切った。 (3)耐候性試験 耐候性試験としては、40℃−90%RHの環境下で3
0日間磁気テープを放置し、錆、剥離等の発生状態を光
学顕微鏡で観察し5段階評価を行った。評価は実用上全
く問題がないものを5とし、実用上問題を有するものを
1とした。
Each of the 8 obtained in the above Reference Examples and Comparative Examples
The following measurement was performed on a metal thin film magnetic tape for mmVTR (hereinafter, simply referred to as a magnetic tape). (1) C / N The ratio of the signal (C) at 7 MHz to the noise (N) at 6.5 MHz was measured using an EVS-900 (manufactured by Sony Corporation) as an 8 mm VTR for C / N measurement. It should be noted that C / N of the magnetic tape produced in Reference Example 1-3 was shown as a relative value with reference (0 dB). (2) Still life Using an 8 mm VTR modified for still life measurement,
A video signal was recorded on each magnetic tape under an environment of 3 ° C. and 10% RH, and was reproduced in a still mode under a load of 30 g. The time until the reproduction output dropped by 6 dB was shown. The measurement was terminated for a maximum of 60 minutes. (3) Weather resistance test The weather resistance test was carried out under an environment of 40 ° C. and 90% RH.
The magnetic tape was allowed to stand for 0 days, and the state of occurrence of rust, peeling, and the like was observed with an optical microscope, and evaluated on a 5-point scale. The evaluation was 5 when there was no practical problem and 1 when there was a practical problem.

【0056】(表2)に参考例1参考比較例1にて作
製した8mmVTR用金属薄膜型磁気テープの評価結果
を示す。
Table 2 shows the evaluation results of the metal thin film magnetic tapes for 8 mm VTR produced in Reference Example 1 and Reference Comparative Example 1 .

【0057】[0057]

【表2】 [Table 2]

【0058】(表1)、(表2)から明らかなように、
本実施例の金属薄膜型磁気テープは、強磁性金属薄膜表
面に原子状酸素を含む化学活性種(励起種)が照射され
ることによって、金属薄膜型磁気テープに熱的な損傷を
与えることなく、強磁性金属薄膜表面に付着している汚
染物質や低分子化合物のみが選択的に除去されたドライ
エッチング処理部が形成されるために強磁性金属薄膜と
硬質炭素膜との密着性が飛躍的に向上する。したがって
スチルライフならびに耐候性を大幅に向上させることが
可能となった。
As is clear from (Table 1) and (Table 2),
The metal thin-film magnetic tape of the present embodiment does not thermally damage the metal thin-film magnetic tape by irradiating the surface of the ferromagnetic metal thin film with a chemically active species (excited species) containing atomic oxygen. The adhesion between the ferromagnetic metal thin film and the hard carbon film is dramatically improved by forming a dry etching part where only contaminants and low molecular compounds adhering to the surface of the ferromagnetic metal thin film are selectively removed. To improve. Therefore, the still life and weather resistance can be significantly improved.

【0059】参考比較例1では、強磁性金属薄膜表面に
ドライエッチング処理部が形成されていないために、ま
参考例1−6では、ドライエッチング処理部における
コバルトに対する酸素の原子比率及び炭素に対する酸素
の原子比率が低めとなっているために、強磁性金属薄膜
と硬質炭素膜との密着性が改善されず、スチルライフ、
耐候性が悪化した。
In Reference Comparative Example 1 , the dry etching treatment was not formed on the surface of the ferromagnetic metal thin film, and in Reference Example 1-6 , the atomic ratio of oxygen to cobalt and the oxygen to carbon in the dry etching treatment were Is lower , the adhesion between the ferromagnetic metal thin film and the hard carbon film is not improved, and still life,
Weather resistance deteriorated.

【0060】参考例1−5では、ドライエッチング処理
部の厚さが大きすぎるために、強磁性金属薄膜の磁気特
性が悪化し、C/Nの低下を招く結果となった。
In Reference Example 1-5 , since the thickness of the dry-etched portion was too large, the magnetic properties of the ferromagnetic metal thin film deteriorated, resulting in a decrease in C / N.

【0061】参考例1−7では、炭素膜のビッカース硬
度が低いため、スチルライフが悪化した。
In Reference Example 1-7 , since the Vickers hardness of the carbon film was low, the still life was deteriorated.

【0062】また上記参考例及び参考比較例より、炭素
膜の磁性層表面と接する側の界面における原子比率(O
/C)は、スチルライフ、耐候性等の磁気テープ性能に
大きな影響を及ぼさないことが明確となった。
From the above reference example and reference comparative example , the atomic ratio at the interface on the side of the carbon film in contact with the magnetic layer surface (O
/ C) did not significantly affect magnetic tape performance such as still life and weather resistance.

【0063】(参考例2) 以下本発明の参考例2について図面を参照しながら詳細
に説明する。なお本参考例(参考例1)と相違する点
は、強磁性金属薄膜3とドライエッチング処理部5と硬
質炭素膜6とを真空中で連続的に形成させていることに
ある。
(Embodiment 2) Hereinafter, Embodiment 2 of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Note that the present embodiment is different from (Reference Example 1) in that the ferromagnetic metal thin film 3, the dry etching portion 5, and the hard carbon film 6 are continuously formed in a vacuum.

【0064】図4は、強磁性金属薄膜型磁気テープを構
成している強磁性金属薄膜3及びドライエッチング処理
部5及び硬質炭素膜6を真空中で連続的に形成するため
の製造装置の概略図を示したものである。図中、25は
真空槽であり、真空ポンプ26を用いて真空槽25内部
の圧力が1×10-5torrの高真空状態となるように
排気を行っている。27は非磁性基板1上にバックコー
ト層4を形成させた金属薄膜型磁気テープ用原反であ
り、巻き出しロール28から送り出され、4本のパスロ
ール29、30、31、32及び円筒状の冷却キャン3
3及び34の外周面を経由して巻き取りロール35に巻
き取られる。なお冷却キャン33及び34は金属薄膜型
磁気テープ用原反27を一定速度で搬送できるように回
転制御する働きをしている。
FIG. 4 is a schematic diagram of a manufacturing apparatus for continuously forming a ferromagnetic metal thin film 3, a dry etching processing part 5, and a hard carbon film 6 constituting a ferromagnetic metal thin film type magnetic tape in a vacuum. FIG . In the figure , reference numeral 25 denotes a vacuum chamber, which is evacuated by using a vacuum pump 26 so that the pressure inside the vacuum chamber 25 becomes a high vacuum state of 1 × 10 −5 torr. Reference numeral 27 denotes a raw material for a metal thin-film type magnetic tape in which the back coat layer 4 is formed on the non-magnetic substrate 1, and is fed from an unwinding roll 28 and has four pass rolls 29, 30, 31, 32 and a cylindrical shape. Cooling can 3
It is wound on a winding roll 35 via the outer peripheral surfaces of 3 and 34. The cooling cans 33 and 34 serve to control the rotation so that the metal thin film type magnetic tape material 27 can be transported at a constant speed.

【0065】36は坩堝であり、坩堝36内部にはCo
金属からなる蒸発源37が設置されている。38は蒸発
源37に電子ビームを照射し加熱溶解させ、蒸気流を発
生させるための電子銃である。39は蒸気流の金属薄膜
型磁気テープ用原反27への入射角を70゜〜40゜の
範囲になるように制御するための遮蔽マスクである。4
0は酸素ガスをCo金属蒸着処理部の端面近傍に導入す
るための酸素ガス導入口である。
Reference numeral 36 denotes a crucible.
An evaporation source 37 made of metal is provided. Reference numeral 38 denotes an electron gun for irradiating the evaporation source 37 with an electron beam to heat and dissolve it, thereby generating a vapor flow. Reference numeral 39 denotes a shielding mask for controlling the angle of incidence of the vapor stream on the metal thin film type magnetic tape material 27 so as to be in the range of 70 ° to 40 °. 4
Numeral 0 denotes an oxygen gas inlet for introducing oxygen gas into the vicinity of the end face of the Co metal deposition section.

【0066】41はドライエッチング処理部5を金属薄
膜型磁気テープ用原反27の強磁性金属薄膜3表面上に
形成するための放電管(非平衡プラズマ発生空間)であ
り、放電管41の内部には、パンチングメタル放電電極
42が設置されている。パンチングメタル放電電極42
はプラズマ発生用電源43と接続されており、プラズマ
発生用電源43としては、直流電圧または交流電圧のど
ちらかのみを印加する方式や直流電圧と交流電圧とを重
畳させて印加する方式の3種類の放電方式を採用するこ
とができる。44は酸化性ガスを放電管41内に導入す
るための原料ガス導入口である。
Reference numeral 41 denotes a discharge tube (non-equilibrium plasma generation space) for forming the dry etching section 5 on the surface of the ferromagnetic metal thin film 3 of the metal thin film type magnetic tape raw material 27. Is provided with a punching metal discharge electrode 42. Punching metal discharge electrode 42
Is connected to a plasma generation power supply 43. As the plasma generation power supply 43, there are three types: a method of applying only a DC voltage or an AC voltage, and a method of applying a DC voltage and an AC voltage in a superimposed manner. Can be adopted. Reference numeral 44 denotes a material gas inlet for introducing an oxidizing gas into the discharge tube 41.

【0067】45は硬質炭素膜6を金属薄膜型磁気テー
プ用原反27のドライエッチング処理部5表面上に形成
するための放電管(非平衡プラズマ発生空間)であり、
放電管45の内部には、パイプ状の放電電極46が設置
されている。パイプ状の放電電極46はプラズマ発生用
電源47と接続されており、プラズマ発生用電源47と
しては、直流電圧または交流電圧のどちらかのみを印加
する方式や直流電圧と交流電圧とを重畳させて印加する
方式の3種類の放電方式を採用することができる。48
は炭化水素系ガスとアルゴン等の無機系ガスとの混合ガ
ス(原料ガス)を放電管45内に導入するための原料ガ
ス導入口である。
Reference numeral 45 denotes a discharge tube (non-equilibrium plasma generation space) for forming the hard carbon film 6 on the surface of the dry etching portion 5 of the metal thin film type magnetic tape material 27.
Inside the discharge tube 45, a pipe-shaped discharge electrode 46 is provided. The pipe-shaped discharge electrode 46 is connected to a plasma generation power supply 47. As the plasma generation power supply 47, a method in which only a DC voltage or an AC voltage is applied, or a method in which a DC voltage and an AC voltage are superimposed. Three types of discharge methods of applying a voltage can be adopted. 48
Is a source gas inlet for introducing a mixed gas (source gas) of a hydrocarbon gas and an inorganic gas such as argon into the discharge tube 45.

【0068】参考例2−1 走査型トンネル顕微鏡(STM)による表面形状分析で
最大高さ粗さ(Rmax)が15nmで、直径が200n
m程度の微小突起層2が1mm2 あたり105から109
個設けられている10μm厚のポリエチレンテレフタ
レートフィルム1の反対側の表面上に湿式塗布法により
バックコート層4を膜厚500nm形成する。
Reference Example 2-1 Surface shape analysis by scanning tunneling microscope (STM) showed that the maximum height roughness (Rmax) was 15 nm and the diameter was 200 n.
The small protrusion layer 2 of about m is 10 5 to 10 9 per 1 mm 2.
A backcoat layer 4 having a thickness of 500 nm is formed on the surface on the opposite side of the provided 10 μm-thick polyethylene terephthalate film 1 by a wet coating method.

【0069】次に図4に示した製造装置の真空槽25内
部に金属薄膜型磁気テープ用原反27を設置し、真空槽
25内部を真空排気した後、金属薄膜型磁気テープ用原
反27を20m/minの走行スピードで搬送させると
ともに、酸素ガス導入口40より真空槽25内にわずか
な酸素を導入しながら、坩堝36内部のCo金属からな
る蒸発源37に電子銃38から発射した電子ビームを照
射し、蒸発源37を加熱・蒸発させ、入射角70゜〜4
0゜の範囲において微小突起層2が形成されたポリエチ
レンテレフタレートフィルム1表面上に強磁性金属薄膜
3(Co−O蒸着膜)を膜厚180nm形成する。
Next, the raw material 27 for metal thin film magnetic tape is set inside the vacuum chamber 25 of the manufacturing apparatus shown in FIG. 4, and the inside of the vacuum chamber 25 is evacuated. Is transported at a traveling speed of 20 m / min, and a small amount of oxygen is introduced from the oxygen gas inlet 40 into the vacuum chamber 25, and electrons emitted from the electron gun 38 to the evaporation source 37 made of Co metal in the crucible 36. A beam is irradiated to heat and evaporate the evaporation source 37, and the incident angle is 70 ° to 4 °.
In the range of 0 °, a ferromagnetic metal thin film 3 (Co—O vapor-deposited film) having a thickness of 180 nm is formed on the surface of the polyethylene terephthalate film 1 on which the microprojection layer 2 is formed.

【0070】さらに放電管41内に酸素ガス(酸化性ガ
ス:O2 )を導入し、ガス圧力を0.2torrに設定
した状態でパンチングメタル放電電極18に直流電圧を
1200V印加し、非平衡プラズマを発生させ、金属薄
膜型磁気テープ用原反27の強磁性金属薄膜3表面上に
ドライエッチング処理部5を厚さ5nm形成する。
Further, an oxygen gas (oxidizing gas: O 2 ) is introduced into the discharge tube 41, and a DC voltage of 1200 V is applied to the punching metal discharge electrode 18 in a state where the gas pressure is set to 0.2 torr, and a non-equilibrium plasma is applied. Is formed, and a dry etching portion 5 is formed to a thickness of 5 nm on the surface of the ferromagnetic metal thin film 3 of the metal thin film type magnetic tape material 27.

【0071】また放電管45内にトルエンガス(炭化水
素系ガス:C78)とアルゴンガス(無機系ガス:A
r)をそれぞれ導入し、トルエンガスとアルゴンガスと
の圧力比を4:1、総ガス圧力を0.3torrに設定
した状態でパイプ状の放電電極46に直流電圧を150
0V印加し、非平衡プラズマを発生させ、金属薄膜型磁
気テープ用原反27のドライエッチング処理部5表面上
に硬質炭素膜6を厚さ10nm形成する。
Further, toluene gas (hydrocarbon-based gas: C 7 H 8 ) and argon gas (inorganic-based gas: A
r) were introduced, and a DC voltage of 150 was applied to the pipe-shaped discharge electrode 46 with the pressure ratio of toluene gas to argon gas set to 4: 1, and the total gas pressure set to 0.3 torr.
A non-equilibrium plasma is generated by applying 0 V, and a hard carbon film 6 having a thickness of 10 nm is formed on the surface of the dry etching portion 5 of the raw material 27 for a metal thin film magnetic tape.

【0072】次に硬質炭素膜6表面上に含フッ素カルボ
ン酸(C511(CH210COOH)からなる含フッ素
系潤滑剤層8を湿式塗布法により膜厚3nm程度形成さ
せた後、8mm幅にスリットして8mmVTR用金属薄
膜型磁気テープを作製した。
Next, a fluorine-containing lubricant layer 8 made of fluorine-containing carboxylic acid (C 5 F 11 (CH 2 ) 10 COOH) is formed on the surface of the hard carbon film 6 by a wet coating method to a thickness of about 3 nm. And 8 mm wide slits to produce an 8 mm VTR metal thin film magnetic tape.

【0073】参考例2−1で得られた硬質炭素膜5のビ
ッカース硬度は、2700kg/mm2 であった。
The Vickers hardness of the hard carbon film 5 obtained in Reference Example 2-1 was 2700 kg / mm 2 .

【0074】参考例2−2 ドライエッチング処理部5形成用の原料ガスである酸素
ガスの圧力を0.15torrとし、直流電圧を900
V印加することによりドライエッチング処理部5を厚さ
を3nm形成すること以外は参考例2−1と同様な方法
により、8mmVTR用金属薄膜型磁気テープを作製し
た。
Reference Example 2-2 The pressure of oxygen gas, which is a source gas for forming the dry etching section 5, was set to 0.15 torr, and the DC voltage was set to 900.
An 8 mm VTR metal thin film magnetic tape was manufactured in the same manner as in Reference Example 2-1 except that the dry etching portion 5 was formed to a thickness of 3 nm by applying V.

【0075】参考例2−3 参考例2−1 と同様な方法で強磁性金属薄膜3を形成し
た後、一旦真空を破り、金属薄膜型磁気テープ用原反2
7を23℃−60%RHの環境下に3日間放置し、次に
参考例2−1と同様な方法でドライエッチング処理部
5、硬質炭素膜6を真空中で連続形成すること以外は
考例2−1と同様な方法により、8mmVTR用金属薄
膜型磁気テープを作製した。
REFERENCE EXAMPLE 2-3 After forming a ferromagnetic metal thin film 3 in the same manner as in Reference Example 2-1 , the vacuum was once broken and the raw material for a metal thin film type magnetic tape 2 was released.
7 in a 23 ° C.-60% RH environment for 3 days,
Ginseng except that continuous forming dry etching process unit 5, a hard carbon film 6 in vacuum in the same manner as in Reference Example 2-1 METHOD
An 8 mm VTR metal thin film magnetic tape was manufactured in the same manner as in Example 2-1 .

【0076】比較参考例2 ドライエッチング処理部5を形成することなく、真空中
で微小突起層2が形成されたポリエチレンテレフタレー
トフィルム1表面上に強磁性金属薄膜3、硬質炭素膜6
を連続形成すること以外は参考例2−1と同様な方法に
より、8mmVTR用金属薄膜型磁気テープを作製し
た。
COMPARATIVE REFERENCE EXAMPLE 2 A ferromagnetic metal thin film 3 and a hard carbon film 6 were formed on a surface of a polyethylene terephthalate film 1 on which a microprojection layer 2 was formed in a vacuum without forming a dry etching portion 5.
Was formed in the same manner as in Reference Example 2-1 except that the film was continuously formed.

【0077】参考例及び参考比較例におけるドライエッ
チング処理部5の処理条件と、原子比率(O/Co、O
/C)及びCo原子の化学結合状態、ドライエッチング
処理部5表面の臨界表面張力(γC) 、ならびに硬質炭
素膜6のビッカース硬度は、(参考例1)と同様な方法
により測定を行った。その結果を参考値として(表3)
に示す。
[0077] and process conditions for the dry etching unit 5 in the Reference Examples and Reference Comparative Example, the atomic ratio (O / Co, O
/ C) and the chemical bond state of Co atoms, the critical surface tension (γ C ) of the surface of the dry etching treatment section 5 and the Vickers hardness of the hard carbon film 6 were measured by the same method as in (Reference Example 1) . . Using the results as reference values (Table 3)
Shown in

【0078】[0078]

【表3】 [Table 3]

【0079】以上の実施例及び比較例にて得られた各8
mmVTR用金属薄膜型磁気テープ(以下、単に磁気テ
ープと称する。)について以下の測定を行った。 (1)C/N C/N測定用8mmVTRとしてEVSー900(ソニ
ー(株)製)を用い、7MHzにおける信号(C)と
6.5MHzにおけるノイズ(N)の比を測定した。な
参考比較例2−1において作製した磁気テープのC/
Nを基準(0dB)として相対値にて示した。 (2)スチルライフ スチルライフ測定用に改造した8mmVTRを用い、2
3℃−10%RHの環境下、各磁気テープに映像信号を
記録し、30g荷重の条件でスチルモードにて再生を行
い、その再生出力が6dB落ち込むまでの時間を示し
た。なお測定は最長60分間で打ち切った。 (3)耐候性試験 耐候性試験としては、40℃−90%RHの環境下で3
0日間磁気テープを放置し、錆、剥離等の発生状態を光
学顕微鏡で観察し5段階評価を行った。評価は実用上全
く問題がないものを5とし、実用上問題を有するものを
1とした。 (4)Bsδの減少率 各磁気テープのBsδ値を耐候試験前後に測定し、BSδ
の減少率を求めた。
Each of the 8 samples obtained in the above Examples and Comparative Examples
The following measurement was performed on a metal thin film magnetic tape for mmVTR (hereinafter, simply referred to as a magnetic tape). (1) C / N The ratio of the signal (C) at 7 MHz to the noise (N) at 6.5 MHz was measured using an EVS-900 (manufactured by Sony Corporation) as an 8 mm VTR for C / N measurement. The C / C of the magnetic tape produced in Reference Comparative Example 2-1
N is indicated as a relative value with reference (0 dB). (2) Still life Using an 8 mm VTR modified for still life measurement,
A video signal was recorded on each magnetic tape under an environment of 3 ° C. and 10% RH, and was reproduced in a still mode under a load of 30 g. The time until the reproduction output dropped by 6 dB was shown. The measurement was terminated for a maximum of 60 minutes. (3) Weather resistance test The weather resistance test was carried out under an environment of 40 ° C. and 90% RH.
The magnetic tape was allowed to stand for 0 days, and the state of occurrence of rust, peeling, and the like was observed with an optical microscope, and evaluated on a 5-point scale. The evaluation was 5 when there was no practical problem and 1 when there was a practical problem. (4) Reduction rate of Bsδ The Bsδ value of each magnetic tape was measured before and after the weathering test, and the BSδ was measured.
Was determined.

【0080】(表4)に各参考例参考比較例にて作製
した8mmVTR用金属薄膜型磁気テープの評価結果を
示す。
Table 4 shows the evaluation results of the metal thin film magnetic tapes for 8 mm VTR produced in each of the Reference Examples and Reference Comparative Examples .

【0081】[0081]

【表4】 [Table 4]

【0082】(表3)、(表4)から明らかなように、
本参考例の金属薄膜型磁気テープは、強磁性金属薄膜表
面に原子状酸素を含む化学活性種(励起種)が照射され
ることによって、金属薄膜型磁気テープに熱的な損傷を
与えることなく、強磁性金属薄膜表面に付着している汚
染物質や低分子化合物のみが選択的に除去されたドライ
エッチング処理部が形成されるために強磁性金属薄膜と
硬質炭素膜との密着性が飛躍的に向上する。したがって
スチルライフならびに耐候性を大幅に向上させることが
可能となった。さらに強磁性金属薄膜とドライエッチン
グ処理部と硬質炭素膜とを真空中で連続的に形成するこ
とにより、強磁性金属薄膜表面への大気中からの水分等
の吸着を大幅に低減することができるため、Bsδ の減
少率の低減化を達成することが可能となった。
As apparent from (Table 3) and (Table 4),
The metal thin-film magnetic tape of this reference example does not thermally damage the metal thin-film magnetic tape by irradiating the surface of the ferromagnetic metal thin film with a chemically active species (excited species) containing atomic oxygen. The adhesion between the ferromagnetic metal thin film and the hard carbon film is dramatically improved by forming a dry etching part where only contaminants and low molecular compounds adhering to the surface of the ferromagnetic metal thin film are selectively removed. To improve. Therefore, the still life and weather resistance can be significantly improved. Furthermore, by continuously forming the ferromagnetic metal thin film, the dry etching portion, and the hard carbon film in a vacuum, the adsorption of moisture and the like from the air to the surface of the ferromagnetic metal thin film can be significantly reduced. Therefore, it is possible to reduce the rate of decrease of Bsδ.

【0083】参考例2−3では、強磁性金属薄膜表面へ
の大気中からの水分等の吸着により、Bsδ の減少率が
大きくなった。
In Reference Example 2-3, the rate of decrease in Bsδ was increased due to the adsorption of moisture and the like from the air onto the surface of the ferromagnetic metal thin film.

【0084】比較参考例2では、強磁性金属薄膜表面に
ドライエッチング処理部が形成されていないために、強
磁性金属薄膜と硬質炭素膜との密着性が充分に改善され
ず、スチルライフ、耐候性、Bsδ の減少率が悪化し
た。
In Comparative Reference Example 2 , since no dry-etched portion was formed on the surface of the ferromagnetic metal thin film, the adhesion between the ferromagnetic metal thin film and the hard carbon film was not sufficiently improved, and the still life and weather resistance were not improved. And the rate of decrease of Bsδ deteriorated.

【0085】(実施例1) 以下第1の本発明の請求項1、5,7、8、9に対応す
る実施例1について図面を参照しながら詳細に説明す
る。
(Embodiment 1) The first embodiment of the present invention corresponds to claims 1, 5, 7, 8, and 9 of the present invention.
Embodiment 1 will be described in detail with reference to the drawings.

【0086】図1は各実施例に対応する強磁性金属薄膜
型磁気テープの構成を示す拡大断面図である。図中、1
は非磁性基板であり、ポリエチレンテレフタレート、ポ
リエチレンナフタレート、ポリアミド、ポリイミド等の
高分子フィルムを用いることができ、磁性層側の基板表
面には最大高さ粗さ(Rmax )が10nm〜30nmの
微小突起層2が形成されている。3は強磁性金属薄膜で
あり、真空雰囲気中でCo、Co−Ni等の金属もしく
は合金を電子ビーム等で加熱・蒸発させ、真空槽内にわ
ずかな酸素ガスを導入しながら、連続的に入射角を変化
させた斜方蒸着法により形成する。その膜厚は150n
m〜200nmである。4はバックコート層であり、カ
ーボンブラック、炭酸カルシウム、ポリエステル樹脂、
ニトロセルロース樹脂を主成分とした塗料を塗布・乾燥
させることにより形成する。その膜厚は500nm程度
である。5はドライエッチング処理部であり、強磁性金
属薄膜3表面に原子状酸素を含む化学活性種(励起種)
を照射することにより形成する。その厚さは1nm〜2
0nmである。6は硬質炭素膜であり、プラズマCVD
法等により形成することができ、その膜厚は短波長領域
での再生出力を確保するために、8nm〜15nmが最
適である。7は改質面であり、硬質炭素膜6表面を含窒
素有機系ガスと無機系ガスとの混合ガスによるグロー放
電プラズマに曝すことに形成する。その厚さは3nm未
満である。また8はカルボキシル基等の極性基を分子中
に導入した含フッ素系潤滑剤層であり、湿式塗布法によ
り形成し、その膜厚は3nm程度である。
FIG. 1 is an enlarged sectional view showing the structure of a ferromagnetic metal thin film type magnetic tape corresponding to each embodiment . In the figure, 1
Is a non-magnetic substrate, and a polymer film such as polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polyamide, or polyimide can be used. The substrate surface on the side of the magnetic layer has a maximum height roughness (Rmax) of 10 nm to 30 nm. The projection layer 2 is formed. Reference numeral 3 denotes a ferromagnetic metal thin film, which is formed by heating and evaporating a metal or alloy such as Co, Co-Ni or the like with an electron beam or the like in a vacuum atmosphere and continuously introducing a slight amount of oxygen gas into the vacuum chamber. It is formed by an oblique deposition method in which the angle is changed. Its film thickness is 150n
m to 200 nm. 4 is a back coat layer, which includes carbon black, calcium carbonate, polyester resin,
It is formed by applying and drying a paint containing nitrocellulose resin as a main component. The thickness is about 500 nm. Numeral 5 denotes a dry etching part, which is a chemically active species (excited species) containing atomic oxygen on the surface of the ferromagnetic metal thin film 3.
Is formed by irradiation. Its thickness is 1nm ~ 2
0 nm. Reference numeral 6 denotes a hard carbon film, which is formed by plasma CVD.
The film thickness is optimally 8 nm to 15 nm in order to ensure reproduction output in a short wavelength region. Reference numeral 7 denotes a modified surface, which is formed by exposing the surface of the hard carbon film 6 to glow discharge plasma using a mixed gas of a nitrogen-containing organic gas and an inorganic gas. Its thickness is less than 3 nm. Reference numeral 8 denotes a fluorine-containing lubricant layer in which a polar group such as a carboxyl group is introduced into a molecule, which is formed by a wet coating method and has a thickness of about 3 nm.

【0087】また図5は、第2の本発明の強磁性金属薄
膜型磁気テープを構成しているドライエッチング処理部
5及び硬質炭素膜6及び改質面7を真空中で連続的に形
成するための製造装置の概略図を示したものである。
(すなわち第6の本発明の強磁性金属薄膜型磁気テープ
の製造方法に相当する。)図中、9は真空槽であり、真
空ポンプ10を用いて真空槽9内部の圧力が10-4to
rr〜10-5torrの高真空状態となるように排気を
行っている。11は非磁性基板1上に強磁性金属薄膜3
及びバックコート層4を形成させた金属薄膜型磁気テー
プ用原反であり、巻き出しロール12から送り出され、
2本のパスロール13、14及び円筒状の冷却キャン1
5の外周面を経由して巻き取りロール16に巻き取られ
る。なお冷却キャン15は金属薄膜型磁気テープ用原反
11を一定速度で搬送できるように回転制御する働きを
している。
FIG. 5 shows that the dry etching portion 5, the hard carbon film 6, and the modified surface 7 constituting the ferromagnetic metal thin film type magnetic tape of the second invention are continuously formed in a vacuum. FIG. 1 is a schematic view of a manufacturing apparatus for the present invention.
(In other words, it corresponds to the method of manufacturing the ferromagnetic metal thin film type magnetic tape according to the sixth aspect of the present invention.) In the figure, reference numeral 9 denotes a vacuum chamber, and the pressure inside the vacuum chamber 9 is 10 −4 ton using a vacuum pump 10.
Evacuation is performed so as to be in a high vacuum state of rr to 10 -5 torr. Reference numeral 11 denotes a ferromagnetic metal thin film 3 on a non-magnetic substrate 1.
And a raw material for a metal thin film type magnetic tape on which a back coat layer 4 is formed, which is sent out from an unwinding roll 12,
Two pass rolls 13 and 14 and a cylindrical cooling can 1
5 is wound around a winding roll 16 via the outer peripheral surface. The cooling can 15 controls the rotation so that the metal thin film type magnetic tape material 11 can be transported at a constant speed.

【0088】17はドライエッチング処理部5を金属薄
膜型磁気テープ用原反11の強磁性金属薄膜3表面上に
形成するための放電管(非平衡プラズマ発生空間)であ
り、放電管17の内部には、パンチングメタル放電電極
18が設置されている。パンチングメタル放電電極18
はプラズマ発生用電源19と接続されており、プラズマ
発生用電源19としては、直流電圧または交流電圧のど
ちらかのみを印加する方式や直流電圧と交流電圧とを重
畳させて印加する方式の3種類の放電方式を採用するこ
とができる。20は酸化性ガスを放電管17内に導入す
るための原料ガス導入口である。
Reference numeral 17 denotes a discharge tube (non-equilibrium plasma generation space) for forming the dry etching processing section 5 on the surface of the ferromagnetic metal thin film 3 of the raw material 11 for a metal thin film magnetic tape. Is provided with a punching metal discharge electrode 18. Punching metal discharge electrode 18
Is connected to a power supply 19 for plasma generation. As the power supply 19 for plasma generation, there are three types: a method of applying only a DC voltage or an AC voltage, and a method of applying a DC voltage and an AC voltage in a superimposed manner. Can be adopted. Reference numeral 20 denotes a source gas inlet for introducing an oxidizing gas into the discharge tube 17.

【0089】21は硬質炭素膜6を金属薄膜型磁気テー
プ用原反11のドライエッチング処理部5表面上に形成
するための放電管(非平衡プラズマ発生空間)であり、
放電管21の内部には、パイプ状の放電電極22が設置
されている。パイプ状の放電電極22はプラズマ発生用
電源23と接続されており、プラズマ発生用電源23と
しては、直流電圧または交流電圧のどちらかのみを印加
する方式や直流電圧と交流電圧とを重畳させて印加する
方式の3種類の放電方式を採用することができる。24
は炭化水素系ガスとアルゴン等の無機系ガスとの混合ガ
ス(原料ガス)を放電管21内に導入するための原料ガ
ス導入口である。
Reference numeral 21 denotes a discharge tube (non-equilibrium plasma generation space) for forming the hard carbon film 6 on the surface of the dry etching portion 5 of the metal thin film type magnetic tape material 11.
Inside the discharge tube 21, a pipe-shaped discharge electrode 22 is provided. The pipe-shaped discharge electrode 22 is connected to a plasma generation power supply 23. As the plasma generation power supply 23, a method of applying only a DC voltage or an AC voltage or a method of superimposing a DC voltage and an AC voltage is used. Three types of discharge methods of applying a voltage can be adopted. 24
Reference numeral denotes a source gas inlet for introducing a mixed gas (source gas) of a hydrocarbon gas and an inorganic gas such as argon into the discharge tube 21.

【0090】49は改質面7を硬質炭素膜6上に形成す
るための放電管(非平衡プラズマ発生空間)であり、放
電管49の内部には、パンチングメタル放電電極50が
設置されている。パンチングメタル放電電極50はプラ
ズマ発生用電源51と接続されており、プラズマ発生用
電源51しては、直流電圧または交流電圧のどちらかの
みを印加する方式や直流電圧と交流電圧とを重畳させて
印加する方式の3種類の放電方式を採用することができ
る。52は含窒素有機系ガスと無機系ガスとの混合ガス
(原料ガス)を放電管49内に導入するための原料ガス
導入口である。
Reference numeral 49 denotes a discharge tube (non-equilibrium plasma generation space) for forming the modified surface 7 on the hard carbon film 6, and a punching metal discharge electrode 50 is provided inside the discharge tube 49. . The punching metal discharge electrode 50 is connected to a power supply 51 for plasma generation. The power supply 51 for plasma generation is a method of applying only a DC voltage or an AC voltage, or a method of superimposing a DC voltage and an AC voltage. Three types of discharge methods of applying a voltage can be adopted. Reference numeral 52 denotes a raw material gas inlet for introducing a mixed gas (raw gas) of a nitrogen-containing organic gas and an inorganic gas into the discharge tube 49.

【0091】実施例1−1 走査型トンネル顕微鏡(STM)による表面形状分析で
最大高さ粗さ(Rmax)が15nmで、直径が200n
m程度の微小突起層2が1mm2 あたり105から109
個設けられている10μm厚のポリエチレンテレフタ
レートフィルム1表面上に連続入射角変化蒸着法を用い
てCo−Oからなる強磁性金属薄膜3を膜厚180nm
形成する。その後、湿式塗布法によりポリエチレンテレ
フタレートフィルム1の反対側の表面上にバックコート
層4を膜厚500nm形成する。
Example 1-1 Surface shape analysis by scanning tunneling microscope (STM) showed that the maximum height roughness (Rmax) was 15 nm and the diameter was 200 n.
The small protrusion layer 2 of about m is 10 5 to 10 9 per 1 mm 2.
A ferromagnetic metal thin film 3 made of Co—O is formed on a surface of a 10 μm-thick polyethylene terephthalate film 1 having a thickness of 180 nm using a continuous incident angle changing evaporation method.
Form. Thereafter, a back coat layer 4 having a thickness of 500 nm is formed on the surface on the opposite side of the polyethylene terephthalate film 1 by a wet coating method.

【0092】次に図5に示した製造装置の真空槽9内部
に金属薄膜型磁気テープ用原反11を設置し、真空槽9
内部を真空排気した後、放電管17内に酸素ガス(酸化
性ガス:O2 )を導入し、ガス圧力を0.05torr
となるようにガス流量の調整を行う。また放電管21内
にヘキサンガス(炭化水素系ガス:C614 )とアルゴ
ンガス(無機系ガス:Ar)をそれぞれ導入し、ヘキサ
ンガスとアルゴンガスとの圧力比が4:1、総ガス圧力
が0.3torrとなるようにガス流量の調整を行う。
さらに放電管49内にピリジンガス(含窒素有機系ガ
ス:C55N)と水素ガス(無機系ガス:H2 )をそれ
ぞれ導入し、ピリジンガスと水素ガスとの圧力比が3:
2、総ガス圧力が0.1torrとなるようにガス流量
の調整を行う。その後、金属薄膜型磁気テープ用原反1
1を5m/minの走行スピードで搬送させるととも
に、パンチングメタル放電電極18に直流電圧を800
V印加することで、非平衡プラズマを発生させ、金属薄
膜型磁気テープ用原反11の強磁性金属薄膜3表面上に
ドライエッチング処理部5を厚さ5nm形成する。また
パイプ状の放電電極22に直流電圧を1300V印加す
ることで、非平衡プラズマを発生させ、金属薄膜型磁気
テープ用原反11のドライエッチング処理部5表面上に
硬質炭素膜6を厚さ12nm形成する。さらにパンチン
グメタル放電電極50に直流電圧を1500V印加する
ことで、非平衡プラズマを発生させ、金属薄膜型磁気テ
ープ用原反11の硬質炭素膜6表面上に改質面7を厚さ
1nm形成する。
Next, the raw material 11 for a metal thin film type magnetic tape is set inside the vacuum chamber 9 of the manufacturing apparatus shown in FIG.
After evacuating the inside, an oxygen gas (oxidizing gas: O 2 ) is introduced into the discharge tube 17 and the gas pressure is reduced to 0.05 torr.
The gas flow rate is adjusted so that Hexane gas (hydrocarbon-based gas: C 6 H 14 ) and argon gas (inorganic-based gas: Ar) were respectively introduced into the discharge tube 21 so that the pressure ratio of hexane gas to argon gas was 4: 1, and the total gas The gas flow rate is adjusted so that the pressure becomes 0.3 torr.
Further, pyridine gas (nitrogen-containing organic gas: C 5 H 5 N) and hydrogen gas (inorganic gas: H 2 ) are respectively introduced into the discharge tube 49, and the pressure ratio of pyridine gas to hydrogen gas is 3:
2. Adjust the gas flow rate so that the total gas pressure becomes 0.1 torr. Then, the raw material for metal thin film magnetic tape 1
1 at a traveling speed of 5 m / min while applying a DC voltage of 800 to the punching metal discharge electrode 18.
By applying V, a non-equilibrium plasma is generated, and a dry etching portion 5 is formed to a thickness of 5 nm on the surface of the ferromagnetic metal thin film 3 of the metal thin film type magnetic tape raw material 11. In addition, a non-equilibrium plasma is generated by applying a DC voltage of 1300 V to the pipe-like discharge electrode 22, and a hard carbon film 6 having a thickness of 12 nm is formed on the surface of the dry etching processing section 5 of the raw material 11 for a metal thin film type magnetic tape. Form. Further, by applying a DC voltage of 1500 V to the punching metal discharge electrode 50, a non-equilibrium plasma is generated, and a modified surface 7 having a thickness of 1 nm is formed on the surface of the hard carbon film 6 of the raw material 11 for a metal thin film type magnetic tape. .

【0093】次に改質面7表面上に含フッ素カルボン酸
(C511(CH210COOH)からなる含フッ素系潤
滑剤層8を湿式塗布法により膜厚3nm程度形成させた
後、8mm幅にスリットして8mmVTR用金属薄膜型
磁気テープを作製した。
Next, a fluorine-containing lubricant layer 8 of fluorine-containing carboxylic acid (C 5 F 11 (CH 2 ) 10 COOH) is formed on the surface of the modified surface 7 by a wet coating method to a thickness of about 3 nm. And 8 mm wide slits to produce an 8 mm VTR metal thin film magnetic tape.

【0094】実施例1−1で得られた硬質炭素膜6のビ
ッカース硬度は、2600kg/mm2 であった。
The Vickers hardness of the hard carbon film 6 obtained in Example 1-1 was 2,600 kg / mm 2 .

【0095】実施例1−2 ドライエッチング処理部5形成用の原料ガスである酸素
ガスの圧力を0.1torrとし、ドライエッチング処
理部5の厚さを8nmとすること、改質面7形成用の原
料ガスとして、ピリジンの代わりにアリルアミン(含窒
素有機系ガス:C3H7N)を用い、アリルアミンガスと
水素ガスとの圧力比を1:1とすること以外は実施例1
−1と同様な方法により、8mmVTR用金属薄膜型磁
気テープを作製した。
Example 1-2 The pressure of oxygen gas, which is a raw material gas for forming the dry etching section 5, was set to 0.1 torr, the thickness of the dry etching section 5 was set to 8 nm, and the modified surface 7 was formed. Example 1 except that allylamine (nitrogen-containing organic gas: C3H7N) was used as a raw material gas instead of pyridine, and the pressure ratio between allylamine gas and hydrogen gas was 1: 1.
In the same manner as in -1 , an 8 mm VTR metal thin film magnetic tape was produced.

【0096】実施例1−3 ドライエッチング処理部5形成用の原料ガスである酸素
ガスの圧力を0.2torrとし、直流電圧を1000
V印加することによりドライエッチング処理部5を厚さ
を19nm形成すること以外は実施例1−1と同様な方
法により、8mmVTR用金属薄膜型磁気テープを作製
した。
Example 1-3 The pressure of oxygen gas, which is a source gas for forming the dry etching section 5, was set to 0.2 torr, and the DC voltage was set to 1000
An 8 mm VTR metal thin-film magnetic tape was manufactured in the same manner as in Example 1-1 , except that the dry etching portion 5 was formed to a thickness of 19 nm by applying V.

【0097】実施例1−4 ドライエッチング処理部5を形成する際の放電印加電圧
を直流電圧500Vとし、ドライエッチング処理部5の
厚さを2nmとすること以外は実施例1−1と同様な方
法により、8mmVTR用金属薄膜型磁気テープを作製
した。
Example 1-4 The same procedure as in Example 1-1 was performed except that the discharge applied voltage when forming the dry etching processing portion 5 was DC voltage 500 V and the thickness of the dry etching processing portion 5 was 2 nm. By the method, a metal thin film type magnetic tape for 8 mm VTR was produced.

【0098】実施例1−5 改質面7形成用の原料ガスとして、ピリジンの代わりに
アリルアミンを用い、水素の代わりにアンモニア(無機
系ガス:NH3 )を用い、アリルアミンガスとアンモニ
アガスとの圧力比を1:3とすること以外は実施例1−
と同様な方法により、8mmVTR用金属薄膜型磁気
テープを作製した。
Example 1-5 As a raw material gas for forming the modified surface 7, allylamine was used instead of pyridine, and ammonia (inorganic gas: NH 3 ) was used instead of hydrogen. Example 1 except that the pressure ratio was 1: 3
In the same manner as in Example 1 , an 8 mm VTR metal thin film magnetic tape was produced.

【0099】実施例1−6 改質面7形成用の原料ガスであるピリジンガスと水素ガ
スとの圧力比を1:2、総ガス圧力を0.3torrと
し、改質面7を厚さ2.5nm形成すること以外は実施
例1−1と同様な方法により、8mmVTR用金属薄膜
型磁気テープを作製した。
Example 1-6 The pressure ratio between pyridine gas and hydrogen gas, which are source gases for forming the reformed surface 7, was 1: 2, the total gas pressure was 0.3 torr, and the thickness of the reformed surface 7 was 2 mm. except that .5nm formed embodiment
In the same manner as in Example 1-1 , a metal thin film magnetic tape for 8 mm VTR was produced.

【0100】参考例11−1 ドライエッチング処理部5の厚さを24nmとすること
以外は実施例1−1と同様な方法により、8mmVTR
用金属薄膜型磁気テープを作製した。
Reference Example 11-1 An 8 mm VTR was produced in the same manner as in Example 1-1 , except that the thickness of the dry etching processing portion 5 was set to 24 nm.
Metal thin film type magnetic tape was prepared.

【0101】参考例11−2 ドライエッチング処理部5形成用の原料ガスである酸素
ガスの圧力を0.03torrとし、直流電圧を300
V印加することによりドライエッチング処理部5を厚さ
を1nm形成すること以外は実施例1−1と同様な方法
により、8mmVTR用金属薄膜型磁気テープを作製し
た。
Reference Example 11-2 The pressure of oxygen gas, which is a source gas for forming the dry etching section 5, was set to 0.03 torr, and the DC voltage was set to 300.
An 8 mm VTR metal thin film magnetic tape was manufactured in the same manner as in Example 1-1 except that the dry etching portion 5 was formed to a thickness of 1 nm by applying V.

【0102】参考例11−3 改質面7形成用の原料ガスとして、ピリジンと水素との
混合ガスの代わりにピリジンとベンゼンと水素との混合
ガスを用い、圧力比を1:5:1とすること以外は実施
例1−1と同様な方法により、8mmVTR用金属薄膜
型磁気テープを作製した。
Reference Example 11-3 A mixed gas of pyridine, benzene and hydrogen was used as a raw material gas for forming the modified surface 7 instead of a mixed gas of pyridine and hydrogen, and the pressure ratio was 1: 5: 1. the embodiment except that
In the same manner as in Example 1-1 , a metal thin film magnetic tape for 8 mm VTR was produced.

【0103】参考例11−4 改質面7の厚さを4nmとすること以外は実施例1−1
と同様な方法により、8mmVTR用金属薄膜型磁気テ
ープを作製した。
Reference Example 11-4 Example 1-1 except that the thickness of the modified surface 7 was 4 nm.
An 8 mm VTR metal thin-film magnetic tape was produced in the same manner as described above.

【0104】参考例11−5 硬質炭素膜のビッカース硬度を1300kg/mm2
すること以外は実施例1−1と同様な方法により、8m
mVTR用金属薄膜型磁気テープを作製した。
Reference Example 11-5 Except that the Vickers hardness of the hard carbon film was set to 1300 kg / mm 2 , the same method as in Example 1-1 was applied to 8 m
A metal thin film magnetic tape for mVTR was produced.

【0105】比較例1−1 ドライエッチング処理部5を形成せずに、直接強磁性金
属薄膜3表面上に硬質炭素膜6を形成すること、改質面
7を形成せずに、直接硬質炭素膜6表面上に含フッ素系
潤滑剤層8を形成すること以外は実施例1−1と同様な
方法により、8mmVTR用金属薄膜型磁気テープを作
製した。
Comparative Example 1-1 The hard carbon film 6 was formed directly on the surface of the ferromagnetic metal thin film 3 without forming the dry etching portion 5, and the hard carbon film 6 was formed directly without forming the modified surface 7. An 8 mm VTR metal thin film magnetic tape was produced in the same manner as in Example 1-1 , except that the fluorine-containing lubricant layer 8 was formed on the surface of the film 6.

【0106】比較例1−2 ドライエッチング処理部5を形成せずに、直接強磁性金
属薄膜3表面上に硬質炭素膜6を形成すること以外は
施例1−1と同様な方法により、8mmVTR用金属薄
膜型磁気テープを作製した。
[0106] without forming the Comparative Examples 1-2 the dry etching processing section 5, except that to form the hard carbon film 6 directly on the ferromagnetic metal thin film 3 surface-
In the same manner as in Example 1-1 , a metal thin film magnetic tape for 8 mm VTR was produced.

【0107】比較例1−3 改質面7形成用の原料ガスとして、ピリジンの代わりに
ベンゼン(炭化水素系ガス:C66)を用いること以外
実施例1−1と同様な方法により、8mmVTR用金
属薄膜型磁気テープを作製した。
Comparative Example 1-3 A method similar to that of Example 1-1 was used except that benzene (hydrocarbon-based gas: C 6 H 6 ) was used instead of pyridine as a raw material gas for forming the modified surface 7. , 8 mm VTR metal thin film type magnetic tape.

【0108】実施例及び比較例におけるドライエッチン
グ処理部5の原子比率(O/Co、O/C)及びCo原
子の化学結合状態、ドライエッチング処理部5表面の臨
界表面張力(γC) 、ならびに硬質炭素膜6のビッカー
ス硬度は、(参考例1)と同様な方法により測定を行っ
た。その結果を参考値として(表5)に示す。
In the examples and comparative examples, the atomic ratio (O / Co, O / C) and the chemical bonding state of Co atoms in the dry etching section 5, the critical surface tension (γ C ) of the surface of the dry etching section 5, and The Vickers hardness of the hard carbon film 6 was measured by the same method as in (Reference Example 1) . The results are shown in Table 5 as reference values .

【0109】[0109]

【表5】 [Table 5]

【0110】また実施例、参考例及び比較例における改
質面7の処理条件と、化学組成(原子比率)ならびに化
学結合状態は、含フッ素系潤滑剤層8未形成の金属薄膜
型磁気テープ用原反11を用いてX線光電子分光法(X
PS)により表面分析したものであり、その結果を参考
値として(表5)に示す。
The processing conditions, the chemical composition (atomic ratio) and the chemical bonding state of the modified surface 7 in Examples, Reference Examples and Comparative Examples are as follows for the metal thin film type magnetic tape without the fluorinated lubricant layer 8 formed. X-ray photoelectron spectroscopy (X
(PS) surface analysis, and refer to the results
The values are shown in (Table 5).

【0111】以上の実施例及び比較例にて得られた各8
mmVTR用金属薄膜型磁気テープ(以下、単に磁気テ
ープと称する。)について以下の測定を行った。 (1)C/N C/N測定用8mmVTRとしてEVSー900(ソニ
ー(株)製)を用い、7MHzにおける信号(C)と
6.5MHzにおけるノイズ(N)の比を測定した。な
実施例1−3において作製した磁気テープのC/Nを
基準(0dB)として相対値にて示した。 (2)スチルライフ スチルライフ測定用に改造した8mmVTRを用い、2
3℃−10%RHの環境下、各磁気テープに映像信号を
記録し、30g荷重の条件でスチルモードにて再生を行
い、その再生出力が6dB落ち込むまでの時間を示し
た。なお測定は最長60分間で打ち切った。 (3)耐候性試験 耐候性試験としては、40℃−90%RHの環境下で3
0日間磁気テープを放置し、錆、剥離等の発生状態を光
学顕微鏡で観察し5段階評価を行った。評価は実用上全
く問題がないものを5とし、実用上問題を有するものを
1とした。 (4)高温高湿環境保存後のスチルライフ スチルライフ測定用に改造した8mmVTRを用い、2
3℃−10%RHの環境下、耐候性試験後の各磁気テー
プに映像信号を記録し、30g荷重の条件でスチルモー
ドにて再生を行い、その再生出力が6dB落ち込むまで
の時間を示した。なお測定は最長60分間で打ち切っ
た。 (5)高温高湿環境保存後の摩擦係数μk 直径4mm、表面粗さ0.2Sのステンレス(SUS4
20J2)円柱に耐候性試験後の各磁気テープの磁性層
形成面が90゜に渡って接触するようにし、ステンレス
円柱に対して、入側張力を30g、テープ走行速度を
0.5mm/secに設定した時の出側張力Xgを測定
し、次式から摩擦係数を求めた。
Each of the 8 samples obtained in the above Examples and Comparative Examples
The following measurement was performed on a metal thin film magnetic tape for mmVTR (hereinafter, simply referred to as a magnetic tape). (1) C / N The ratio of the signal (C) at 7 MHz to the noise (N) at 6.5 MHz was measured using an EVS-900 (manufactured by Sony Corporation) as an 8 mm VTR for C / N measurement. It should be noted that the relative values are shown with the C / N of the magnetic tape produced in Example 1-3 as a reference (0 dB). (2) Still life Using an 8 mm VTR modified for still life measurement,
A video signal was recorded on each magnetic tape under an environment of 3 ° C. and 10% RH, and was reproduced in a still mode under a load of 30 g. The time until the reproduced output dropped by 6 dB was shown. The measurement was terminated for a maximum of 60 minutes. (3) Weather resistance test The weather resistance test was carried out under an environment of 40 ° C. and 90% RH.
The magnetic tape was allowed to stand for 0 days, and the state of occurrence of rust, peeling, and the like was observed with an optical microscope, and evaluated on a 5-point scale. The evaluation was 5 when there was no practical problem and 1 when there was a practical problem. (4) Still life after storage in a high-temperature, high-humidity environment Using an 8 mm VTR modified for still life measurement,
A video signal was recorded on each magnetic tape after the weather resistance test in an environment of 3 ° C. and 10% RH, and reproduced in a still mode under a load of 30 g, and the time until the reproduced output dropped by 6 dB was shown. . The measurement was terminated for a maximum of 60 minutes. (5) Stainless steel with a friction coefficient μk of 4 mm in diameter and a surface roughness of 0.2 S (SUS4
20J2) The magnetic layer forming surface of each magnetic tape after the weather resistance test is brought into contact with the cylinder over 90 °, the input side tension is set to 30 g, and the tape traveling speed is set to 0.5 mm / sec with respect to the stainless steel cylinder. The output side tension Xg at the set time was measured, and the friction coefficient was determined from the following equation.

【0112】[0112]

【数1】 (Equation 1)

【0113】なお測定環境は25℃−30%RHであ
り、摩擦係数としては、走行30パス目の測定値を採用
することにした。
The measurement environment was 25 ° C.-30% RH, and the measured value in the 30th pass was adopted as the friction coefficient.

【0114】(表6)に各実施例、参考例、比較例にて
作製した8mmVTR用金属薄膜型磁気テープの評価結
果を示す。
Table 6 shows the evaluation results of the metal thin film magnetic tapes for 8 mm VTR produced in each of the examples, reference examples, and comparative examples.

【0115】[0115]

【表6】 [Table 6]

【0116】(表5)、(表6)から明らかなように、
本実施例の金属薄膜型磁気テープは、強磁性金属薄膜表
面に原子状酸素を含む化学活性種(励起種)が照射され
ることによって、金属薄膜型磁気テープに熱的な損傷を
与えることなく、強磁性金属薄膜表面に付着している汚
染物質や低分子化合物のみが選択的に除去されたドライ
エッチング処理部が形成されるために強磁性金属薄膜と
硬質炭素膜との密着性が飛躍的に向上する。さらに潤滑
剤分子中に導入された極性基(カルボキシル基)と化学
的親和力の強い窒素原子を適切な量だけ含有した厚さ3
nm未満の改質面が硬質炭素膜上に形成されているため
に、硬質炭素膜と改質面からなる保護膜の硬度を低下さ
せることなく、しかも強磁性金属薄膜と磁気ヘッドとの
スペーシング損失を増大させることなくテープ表面に潤
滑剤分子を強固に保持することができる。また硬質炭素
膜上に改質面を形成するために硬質炭素膜表面を含窒素
有機系ガスと無機系ガスとの混合ガスによるグロー放電
プラズマに曝す方法を適用することにより、硬質炭素膜
表面を清浄化しつつプラズマ中の化学活性種(反応活性
種)を堆積させることができるため、硬質炭素膜と改質
面との良好な密着性を確保することが可能となる。した
がって磁性層上に形成された硬質炭素膜と潤滑剤層との
相乗効果を充分に発揮することができるため、耐久性、
耐候性、走行安定性を飛躍的に向上させることが可能と
なった。
As apparent from (Table 5) and (Table 6),
The metal thin-film magnetic tape of the present embodiment does not thermally damage the metal thin-film magnetic tape by irradiating the surface of the ferromagnetic metal thin film with a chemically active species (excited species) containing atomic oxygen. The adhesion between the ferromagnetic metal thin film and the hard carbon film is dramatically improved by forming a dry etching part where only contaminants and low molecular compounds adhering to the surface of the ferromagnetic metal thin film are selectively removed. To improve. Furthermore, a thickness containing an appropriate amount of a nitrogen atom having a strong chemical affinity with a polar group (carboxyl group) introduced into the lubricant molecule.
Since the modified surface of less than nm is formed on the hard carbon film, the hardness of the protective film composed of the hard carbon film and the modified surface is not reduced and the spacing between the ferromagnetic metal thin film and the magnetic head is reduced. The lubricant molecules can be firmly held on the tape surface without increasing the loss. In addition, in order to form a modified surface on the hard carbon film, the surface of the hard carbon film is exposed to glow discharge plasma by a mixed gas of a nitrogen-containing organic gas and an inorganic gas to apply a method of forming the modified surface on the hard carbon film. Since the chemically active species (reactive species) in the plasma can be deposited while cleaning, good adhesion between the hard carbon film and the modified surface can be ensured. Therefore, since the synergistic effect between the hard carbon film formed on the magnetic layer and the lubricant layer can be sufficiently exhibited, the durability,
It has become possible to dramatically improve weather resistance and running stability.

【0117】参考例11−1では、ドライエッチング処理
部の厚さが大きすぎるために、強磁性金属薄膜の磁気特
性が悪化し、C/Nの低下を招く傾向となった。
In Reference Example 11-1 , since the thickness of the dry-etched portion was too large, the magnetic properties of the ferromagnetic metal thin film deteriorated, and the C / N ratio tended to decrease.

【0118】参考例11−2では、ドライエッチング処理
部におけるコバルトに対する酸素の原子比率及び炭素に
対する酸素の原子比率が適切な範囲以下となっていると
思われるために、強磁性金属薄膜と硬質炭素膜との密着
性の改善度合いが少なく、高温高湿環境保存後のスチル
ライフが低下する傾向になった。
In Reference Example 11-2, the dry etching
To the atomic ratio of oxygen to cobalt and carbon
If the atomic ratio of oxygen to oxygen is below the appropriate range
It seems that the adhesion between the ferromagnetic metal thin film and the hard carbon film
Still after storage in high temperature and high humidity environment
Life tended to decrease.

【0119】参考例11−3では、改質面における炭素に
対する窒素の原子比率及び酸素に対する窒素の原子比率
が適切な範囲以下と思われるために、硬質炭素膜と含フ
ッ素系潤滑剤との密着性の改善度合いが少なくスチルラ
イフ、高温高湿保存後のスチルライフと摩擦係数μkが
悪化する傾向になった。
In Reference Example 11-3, carbon on the reformed surface
Atomic ratio of nitrogen to oxygen and atomic ratio of nitrogen to oxygen
Is considered to be below the appropriate range, the hard carbon film and
The degree of improvement in adhesion to fluorine-based lubricants is small.
If, still life and coefficient of friction μk after storage at high temperature and high humidity
It became worse.

【0120】参考例11−4では、改質面に含有している
窒素原子と潤滑剤分子中に導入された極性基(カルボキ
シル基)との化学的親和力により、改質面を中間層とし
て硬質炭素膜と潤滑剤層とが強固に接着するものの、改
質面の厚さが大きすぎるために、硬質炭素膜の耐摩耗性
と潤滑剤層の低せん断力性との相乗効果が充分に発揮さ
れず、スチルライフ、高温高湿環境保存後のスチルライ
フ等の改善度合いが少ない傾向となった
In Reference Example 11-4 , the modified surface was formed as an intermediate layer by the chemical affinity between the nitrogen atom contained in the modified surface and the polar group (carboxyl group) introduced into the lubricant molecule. Although the carbon film and the lubricant layer are firmly adhered to each other, the synergistic effect of the wear resistance of the hard carbon film and the low shear force of the lubricant layer is sufficiently exhibited because the thickness of the modified surface is too large. However, the degree of improvement in still life and still life after storage in a high-temperature, high-humidity environment tended to be small .

【0121】参考例11−5では、炭素膜のビッカース硬
度が低いため、スチルライフ、高温高湿環境保存後のス
チルライフ等が悪化する傾向となった
In Reference Example 11-5 , since the Vickers hardness of the carbon film was low, the still life, the still life after storage in a high-temperature, high-humidity environment, and the like tended to deteriorate.

【0122】比較例1−1では、ドライエッチング処理
部ならびに改質面が共に形成されていないために強磁性
金属薄膜と硬質炭素膜との密着性及び硬質炭素膜と含フ
ッ素系潤滑剤層との接着性が改善されず、スチルライ
フ、高温高湿環境保存後のスチルライフ、耐候性、高温
高湿環境保存後の摩擦係数μk が著しく悪化した。
In Comparative Example 1-1 , since neither the dry-etched portion nor the modified surface was formed, the adhesion between the ferromagnetic metal thin film and the hard carbon film and the hard carbon film and the fluorine-containing lubricant layer The adhesion was not improved, and still life, still life after storage in a high temperature and high humidity environment, weather resistance, and friction coefficient μk after storage in a high temperature and high humidity environment were significantly deteriorated.

【0123】比較例1−2では、強磁性金属薄膜表面に
ドライエッチング処理部が形成されていないために、強
磁性金属薄膜と硬質炭素膜との密着性が改善されず、高
温高湿環境保存後のスチルライフが悪化した。
In Comparative Example 1-2 , since no dry-etched portion was formed on the surface of the ferromagnetic metal thin film, the adhesion between the ferromagnetic metal thin film and the hard carbon film was not improved, and storage in a high-temperature, high-humidity environment was performed. Later still life deteriorated.

【0124】比較例1−3では、硬質炭素膜上に改質面
を形成するための原料ガスが本発明の特定の元素(窒素
原子)を分子中に含有していないために、硬質炭素膜と
含フッ素系潤滑剤層との接着性が改善されず、スチルラ
イフ、高温高湿環境保存後のスチルライフならびに高温
高湿環境保存後の摩擦係数μk の悪化を招く結果となっ
た。
In Comparative Example 1-3 , the raw material gas for forming the modified surface on the hard carbon film does not contain the specific element (nitrogen atom) of the present invention in the molecule. The adhesiveness between the film and the fluorine-containing lubricant layer was not improved, resulting in deterioration of the still life, the still life after storage in a high temperature and high humidity environment, and the friction coefficient μk after storage in a high temperature and high humidity environment.

【0125】(実施例2) 以下第2の本発明の請求項2、5、6、7、8、9に対
応する実施例2について図面を参照しながら詳細に説明
する。なお本実施例が(実施例1)と相違する点は、改
質面7の窒素濃度が最表面から深さ方向に向かって(硬
質炭素膜6との界面の方向に向かって)減少しているこ
とにある。
(Embodiment 2) Hereinafter, a second embodiment of the present invention will be described with reference to claims 2, 5, 6, 7, 8, and 9.
A corresponding embodiment 2 will be described in detail with reference to the drawings. The difference between this embodiment and (embodiment 1) is that the nitrogen concentration of the modified surface 7 decreases from the outermost surface in the depth direction (toward the interface with the hard carbon film 6). Is to be.

【0126】また図6は、第2の本発明の強磁性金属薄
膜型磁気テープを構成しているドライエッチング処理部
5及び硬質炭素膜6及び窒素原子の濃度勾配を有する改
質面7を真空中で連続的に形成するための製造装置の概
略図を示したものである。図中、9は真空槽であり、真
空ポンプ10を用いて真空槽9内部の圧力が10-4to
rr〜10-5torrの高真空状態となるように排気を
行っている。11は非磁性基板1上に強磁性金属薄膜3
及びバックコート層4を形成させた金属薄膜型磁気テー
プ用原反であり、巻き出しロール12から送り出され、
2本のパスロール13、14及び円筒状の冷却キャン1
5の外周面を経由して巻き取りロール16に巻き取られ
る。なお冷却キャン15は金属薄膜型磁気テープ用原反
11を一定速度で搬送できるように回転制御する働きを
している。
FIG. 6 shows that the dry etching processing part 5, the hard carbon film 6, and the modified surface 7 having the concentration gradient of nitrogen atoms constituting the ferromagnetic metal thin film type magnetic tape of the second invention are evacuated. FIG. 2 shows a schematic view of a manufacturing apparatus for continuously forming the inside . In the figure , reference numeral 9 denotes a vacuum chamber, and the pressure inside the vacuum chamber 9 is increased to 10 -4 ton using a vacuum pump 10.
Evacuation is performed so as to be in a high vacuum state of rr to 10 -5 torr. Reference numeral 11 denotes a ferromagnetic metal thin film 3 on a non-magnetic substrate 1.
And a raw material for a metal thin film type magnetic tape on which a back coat layer 4 is formed, which is sent out from an unwinding roll 12,
Two pass rolls 13 and 14 and a cylindrical cooling can 1
5 is wound around a winding roll 16 via the outer peripheral surface. The cooling can 15 controls the rotation so that the metal thin film type magnetic tape material 11 can be transported at a constant speed.

【0127】17はドライエッチング処理部5を金属薄
膜型磁気テープ用原反11の強磁性金属薄膜3表面上に
形成するための放電管(非平衡プラズマ発生空間)であ
り、放電管17の内部には、パンチングメタル放電電極
18が設置されている。パンチングメタル放電電極18
はプラズマ発生用電源19と接続されており、プラズマ
発生用電源19としては、直流電圧または交流電圧のど
ちらかのみを印加する方式や直流電圧と交流電圧とを重
畳させて印加する方式の3種類の放電方式を採用するこ
とができる。20は酸化性ガスを放電管17内に導入す
るための原料ガス導入口である。
Reference numeral 17 denotes a discharge tube (non-equilibrium plasma generation space) for forming the dry etching section 5 on the surface of the ferromagnetic metal thin film 3 of the raw material 11 for a metal thin film magnetic tape. Is provided with a punching metal discharge electrode 18. Punching metal discharge electrode 18
Is connected to a power supply 19 for plasma generation. As the power supply 19 for plasma generation, there are three types: a method of applying only a DC voltage or an AC voltage, and a method of applying a DC voltage and an AC voltage in a superimposed manner. Can be adopted. Reference numeral 20 denotes a source gas inlet for introducing an oxidizing gas into the discharge tube 17.

【0128】21は硬質炭素膜6を金属薄膜型磁気テー
プ用原反11のドライエッチング処理部5表面上に形成
するための放電管(非平衡プラズマ発生空間)であり、
放電管21の内部には、パイプ状の放電電極22が設置
されている。パイプ状の放電電極22はプラズマ発生用
電源23と接続されており、プラズマ発生用電源23と
しては、直流電圧または交流電圧のどちらかのみを印加
する方式や直流電圧と交流電圧とを重畳させて印加する
方式の3種類の放電方式を採用することができる。24
は炭化水素系ガスとアルゴン等の無機系ガスとの混合ガ
ス(原料ガス)を放電管21内に導入するための原料ガ
ス導入口である。
Reference numeral 21 denotes a discharge tube (non-equilibrium plasma generation space) for forming the hard carbon film 6 on the surface of the dry etching portion 5 of the raw material 11 for a metal thin film magnetic tape.
Inside the discharge tube 21, a pipe-shaped discharge electrode 22 is provided. The pipe-shaped discharge electrode 22 is connected to a plasma generation power supply 23. As the plasma generation power supply 23, a method of applying only a DC voltage or an AC voltage or a method of superimposing a DC voltage and an AC voltage is used. Three types of discharge methods of applying a voltage can be adopted. 24
Reference numeral denotes a source gas inlet for introducing a mixed gas (source gas) of a hydrocarbon gas and an inorganic gas such as argon into the discharge tube 21.

【0129】53、54、55は改質面7を硬質炭素膜
6上に形成するための放電管(非平衡プラズマ発生空
間)であり、放電管53、54、55の内部には、パン
チングメタル放電電極56、57、58がそれぞれ設置
されている。パンチングメタル放電電極56、57、5
8はプラズマ発生用電源59、60、61とそれぞれ接
続されており、プラズマ発生用電源59、60、61と
しては、直流電圧または交流電圧のどちらかのみを印加
する方式や直流電圧と交流電圧とを重畳させて印加する
方式の3種類の放電方式を採用することができる。6
2、63、64は含窒素有機系ガス、炭化水素系ガス、
無機系ガスからなる混合ガス(原料ガス)を放電管5
3、54、55内にそれぞれ導入するための原料ガス導
入口である。
Reference numerals 53, 54, and 55 denote discharge tubes (non-equilibrium plasma generation spaces) for forming the modified surface 7 on the hard carbon film 6. Punching metal is provided inside the discharge tubes 53, 54, and 55. Discharge electrodes 56, 57, 58 are provided respectively. Punching metal discharge electrodes 56, 57, 5
Numeral 8 is connected to plasma generation power supplies 59, 60, 61, respectively. As the plasma generation power supplies 59, 60, 61, a method of applying only a DC voltage or an AC voltage, a DC voltage and an AC voltage, , And three types of discharge methods, i. 6
2, 63 and 64 are nitrogen-containing organic gases, hydrocarbon gases,
A mixed gas (raw material gas) composed of an inorganic gas is supplied to the discharge tube 5
These are raw material gas inlets for introducing into 3, 54 and 55, respectively.

【0130】実施例2−1 走査型トンネル顕微鏡(STM)による表面形状分析で
最大高さ粗さ(Rmax)が15nmで、直径が200n
m程度の微小突起層2が1mm2 あたり105から109
個設けられている10μm厚のポリエチレンテレフタ
レートフィルム1表面上に連続入射角変化蒸着法を用い
てCo−Oからなる強磁性金属薄膜3を膜厚180nm
形成する。その後、湿式塗布法によりポリエチレンテレ
フタレートフィルム1の反対側の表面上にバックコート
層4を膜厚500nm形成する。
Example 2-1 Surface shape analysis by scanning tunneling microscope (STM) showed that the maximum height roughness (Rmax) was 15 nm and the diameter was 200 n.
The small protrusion layer 2 of about m is 10 5 to 10 9 per 1 mm 2.
A ferromagnetic metal thin film 3 made of Co—O is formed on a surface of a 10 μm-thick polyethylene terephthalate film 1 having a thickness of 180 nm using a continuous incident angle changing evaporation method.
Form. Thereafter, a back coat layer 4 having a thickness of 500 nm is formed on the surface on the opposite side of the polyethylene terephthalate film 1 by a wet coating method.

【0131】次に図6に示した製造装置の真空槽9内部
に金属薄膜型磁気テープ用原反11を設置し、真空槽9
内部を真空排気した後、放電管17内に酸素ガス(酸化
性ガス:O2 )を導入し、ガス圧力を0.05torr
となるようにガス流量の調整を行う。また放電管21内
にヘキサンガス(炭化水素系ガス:C614 )とアルゴ
ンガス(無機系ガス:Ar)をそれぞれ導入し、ヘキサ
ンガスとアルゴンガスとの圧力比が4:1、総ガス圧力
が0.3torrとなるようにガス流量の調整を行う。
さらに放電管53内にn−プロピルアミンガス(含窒素
有機系ガス:C39N)とメタンガス(炭化水素系ガ
ス:CH4 )と水素ガス(無機系ガス:H2 )をそれぞ
れ導入し、n−プロピルアミンガスとメタンガスと水素
ガスとの圧力比が2:7:1、総ガス圧力が0.1to
rrとなるようにガス流量の調整を行う。次に放電管5
4内にn−プロピルアミンガスとメタンガスと水素ガス
をそれぞれ導入し、n−プロピルアミンガスとメタンガ
スと水素ガスとの圧力比が4.5:4.5:1、総ガス
圧力が0.1torrとなるようにガス流量の調整を行
う。さらに放電管55内にn−プロピルアミンガスとメ
タンガスと水素ガスをそれぞれ導入し、n−プロピルア
ミンガスとメタンガスと水素ガスとの圧力比が7:2:
1、総ガス圧力が0.1torrとなるようにガス流量
の調整を行う。その後、金属薄膜型磁気テープ用原反1
1を5m/minの走行スピードで搬送させるととも
に、パンチングメタル放電電極18に直流電圧を800
V印加することで、非平衡プラズマを発生させ、金属薄
膜型磁気テープ用原反11の強磁性金属薄膜3表面上に
ドライエッチング処理部5を厚さ5nm形成する。また
パイプ状の放電電極22に直流電圧を1300V印加す
ることで、非平衡プラズマを発生させ、金属薄膜型磁気
テープ用原反11のドライエッチング処理部5表面上に
硬質炭素膜6を厚さ12nm形成する。さらにパンチン
グメタル放電電極56、57、58に直流電圧を200
0V印加することで、非平衡プラズマを発生させ、金属
薄膜型磁気テープ用原反11の硬質炭素膜6表面上に窒
素濃度が最表面から深さ方向に向かって(硬質炭素膜6
との界面の方向に向かって)減少した厚さ2nmの改質
面7を形成する。
Next, the raw material 11 for a metal thin film type magnetic tape is set inside the vacuum chamber 9 of the manufacturing apparatus shown in FIG.
After evacuating the inside, an oxygen gas (oxidizing gas: O 2 ) is introduced into the discharge tube 17 and the gas pressure is reduced to 0.05 torr.
The gas flow rate is adjusted so that Hexane gas (hydrocarbon-based gas: C 6 H 14 ) and argon gas (inorganic-based gas: Ar) were respectively introduced into the discharge tube 21 so that the pressure ratio of hexane gas to argon gas was 4: 1, and the total gas The gas flow rate is adjusted so that the pressure becomes 0.3 torr.
Further, n-propylamine gas (nitrogen-containing organic gas: C 3 H 9 N), methane gas (hydrocarbon gas: CH 4 ), and hydrogen gas (inorganic gas: H 2 ) are introduced into the discharge tube 53. The pressure ratio of n-propylamine gas, methane gas and hydrogen gas is 2: 7: 1, and the total gas pressure is 0.1 ton.
The gas flow rate is adjusted to be rr. Next, discharge tube 5
4, n-propylamine gas, methane gas and hydrogen gas are respectively introduced, the pressure ratio of n-propylamine gas, methane gas and hydrogen gas is 4.5: 4.5: 1, and the total gas pressure is 0.1 torr. The gas flow rate is adjusted so that Further, n-propylamine gas, methane gas, and hydrogen gas are respectively introduced into the discharge tube 55, and the pressure ratio of n-propylamine gas, methane gas, and hydrogen gas is 7: 2:
1. Adjust the gas flow rate so that the total gas pressure becomes 0.1 torr. Then, the raw material for metal thin film magnetic tape 1
1 at a traveling speed of 5 m / min while applying a DC voltage of 800 to the punching metal discharge electrode 18.
By applying V, a non-equilibrium plasma is generated, and a dry etching portion 5 is formed to a thickness of 5 nm on the surface of the ferromagnetic metal thin film 3 of the metal thin film type magnetic tape raw material 11. In addition, a non-equilibrium plasma is generated by applying a DC voltage of 1300 V to the pipe-like discharge electrode 22, and a hard carbon film 6 having a thickness of 12 nm is formed on the surface of the dry etching processing section 5 of the raw material 11 for a metal thin film type magnetic tape. Form. Further, a DC voltage of 200 is applied to the punching metal discharge electrodes 56, 57, 58.
By applying 0 V, non-equilibrium plasma is generated, and the nitrogen concentration on the surface of the hard carbon film 6 of the metal thin film-type magnetic tape raw material 11 increases in the depth direction from the outermost surface (the hard carbon film 6).
A modified surface 7 having a reduced thickness of 2 nm (in the direction of the interface with the interface) is formed.

【0132】次に改質面7表面上に含フッ素カルボン酸
(C511(CH210COOH)からなる含フッ素系潤
滑剤層8を湿式塗布法により膜厚3nm程度形成させた
後、8mm幅にスリットして8mmVTR用金属薄膜型
磁気テープを作製した。
Next, a fluorine-containing lubricant layer 8 made of fluorine-containing carboxylic acid (C 5 F 11 (CH 2 ) 10 COOH) is formed on the surface of the modified surface 7 by a wet coating method to a thickness of about 3 nm. And 8 mm wide slits to produce an 8 mm VTR metal thin film magnetic tape.

【0133】実施例2−1で得られた硬質炭素膜6のビ
ッカース硬度は、2600kg/mm2 であった。
The Vickers hardness of the hard carbon film 6 obtained in Example 2-1 was 2600 kg / mm 2 .

【0134】実施例2−2 ドライエッチング処理部5形成用の原料ガスである酸素
ガスの圧力を0.1torrとし、ドライエッチング処
理部5の厚さを8nmとすること、改質面7形成用の原
料ガスとして、n−プロピルアミンの代わりにアリルア
ミン(含窒素有機系ガス:C37N)を用いること以外
実施例2−1と同様な方法により、8mmVTR用金
属薄膜型磁気テープを作製した。
Example 2-2 The pressure of oxygen gas, which is a source gas for forming the dry etching portion 5, was set to 0.1 torr, the thickness of the dry etching portion 5 was set to 8 nm, and the thickness of the dry etching portion 5 was changed. In the same manner as in Example 2-1 except that allylamine (nitrogen-containing organic gas: C 3 H 7 N) was used instead of n-propylamine as the raw material gas for the metal thin film magnetic tape for 8 mm VTR, Produced.

【0135】実施例2−3 ドライエッチング処理部5形成用の原料ガスである酸素
ガスの圧力を0.2torrとし、直流電圧を1000
V印加することによりドライエッチング処理部5を厚さ
を19nm形成すること以外は実施例2−1と同様な方
法により、8mmVTR用金属薄膜型磁気テープを作製
した。
Embodiment 2-3 The pressure of the oxygen gas as the source gas for forming the dry etching section 5 was set to 0.2 torr, and the DC voltage was set to 1000
An 8 mm VTR metal thin-film magnetic tape was manufactured in the same manner as in Example 2-1 except that the dry etching portion 5 was formed to a thickness of 19 nm by applying V.

【0136】実施例2−4 ドライエッチング処理部5を形成する際の放電印加電圧
を直流電圧500Vとし、ドライエッチング処理部5の
厚さを2nmとすること以外は実施例2−1と同様な方
法により、8mmVTR用金属薄膜型磁気テープを作製
した。
Example 2-4 The same procedure as in Example 2-1 was carried out except that the applied voltage for forming the dry etching processing section 5 was DC voltage of 500 V, and the thickness of the dry etching processing section 5 was 2 nm. By the method, a metal thin film type magnetic tape for 8 mm VTR was produced.

【0137】実施例2−5 硬質炭素膜6表面上に窒素濃度が最表面から深さ方向に
向かって減少した厚さ2.5nmの改質面7を形成する
こと以外は実施例2−1と同様な方法により、8mmV
TR用金属薄膜型磁気テープを作製した。
Example 2-5 Example 2-1 except that a 2.5-nm-thick modified surface 7 in which the nitrogen concentration decreased from the outermost surface in the depth direction was formed on the surface of the hard carbon film 6. 8mmV by the same method as
A metal thin film magnetic tape for TR was produced.

【0138】実施例2−6 改質面7形成用の原料ガスの総ガス圧力を0.05to
rrとし、改質面7を厚さ1nm形成すること以外は
施例2−1と同様な方法により、8mmVTR用金属薄
膜型磁気テープを作製した。
Example 2-6 The total gas pressure of the source gas for forming the reformed surface 7 was 0.05 to
and rr, real except that thickness of 1nm form a modified surface 7
In the same manner as in Example 2-1 , an 8 mm VTR metal thin film magnetic tape was produced.

【0139】実施例2−7 改質面7形成用の原料ガスとして、n−プロピルアミン
の代わりにピリジン(含窒素有機系ガス:C55N)を
用い、総ガス圧力を0.05torrとし、改質面7を
厚さ1nm形成すること以外は実施例2−1と同様な方
法により、8mmVTR用金属薄膜型磁気テープを作製
した。
Example 2-7 As a source gas for forming the modified surface 7, pyridine (nitrogen-containing organic gas: C 5 H 5 N) was used instead of n-propylamine, and the total gas pressure was 0.05 torr. An 8 mm VTR metal thin film magnetic tape was produced in the same manner as in Example 2-1 except that the modified surface 7 was formed to a thickness of 1 nm.

【0140】参考例21−1 ドライエッチング処理部5の厚さを24nmとすること
以外は実施例2−1と同様な方法により、8mmVTR
用金属薄膜型磁気テープを作製した。
Reference Example 21-1 An 8 mm VTR was prepared in the same manner as in Example 2-1 except that the thickness of the dry-etched portion 5 was set to 24 nm.
Metal thin film type magnetic tape was prepared.

【0141】参考例21−2 ドライエッチング処理部5形成用の原料ガスである酸素
ガスの圧力を0.03torrとし、直流電圧を300
V印加することによりドライエッチング処理部5を厚さ
を1nm形成すること以外は実施例2−1と同様な方法
により、8mmVTR用金属薄膜型磁気テープを作製し
た。
Reference Example 21-2 The pressure of the oxygen gas, which is the source gas for forming the dry etching portion 5, was set to 0.03 torr, and the DC voltage was set to 300.
An 8 mm VTR metal thin film magnetic tape was manufactured in the same manner as in Example 2-1 except that the dry etching portion 5 was formed to a thickness of 1 nm by applying V.

【0142】参考例21−3 改質面7形成用の原料ガスとして、n−プロピルアミン
とメタンと水素との混合ガスの代わりにn−プロピルア
ミンとメタンと酸素(無機系ガス:O2 )との混合ガス
を用い、圧力比を2:7:1、4.5:4.5:1、
1:7:2とすること以外は実施例2−1と同様な方法
により、8mmVTR用金属薄膜型磁気テープを作製し
た。
Reference Example 21-3 As a raw material gas for forming the modified surface 7, n-propylamine, methane and oxygen (inorganic gas: O 2 ) instead of a mixed gas of n-propylamine, methane and hydrogen And a pressure ratio of 2: 7: 1, 4.5: 4.5: 1,
An 8 mm VTR metal thin film magnetic tape was produced in the same manner as in Example 2-1 except that the ratio was 1: 7: 2.

【0143】参考例21−4 硬質炭素膜6表面上に窒素濃度が最表面から深さ方向に
向かって減少した厚さ4nmの改質面7を形成すること
以外は実施例2−1と同様な方法により、8mmVTR
用金属薄膜型磁気テープを作製した。
Reference Example 21-4 Same as Example 2-1 except that a 4 nm-thick modified surface 7 in which the nitrogen concentration decreased from the outermost surface in the depth direction was formed on the surface of the hard carbon film 6. 8mm VTR
Metal thin film type magnetic tape was prepared.

【0144】参考例21−5 硬質炭素膜のビッカース硬度を1300kg/mm2
すること以外は実施例2−1と同様な方法により、8m
mVTR用金属薄膜型磁気テープを作製した。
Reference Example 21-5 The same procedure as in Example 2-1 was carried out except that the Vickers hardness of the hard carbon film was set to 1300 kg / mm 2, and 8 m
A metal thin film magnetic tape for mVTR was produced.

【0145】比較例2 ドライエッチング処理部5を形成せずに、直接強磁性金
属薄膜3表面上に硬質炭素膜6を形成すること以外は
施例2−1と同様な方法により、8mmVTR用金属薄
膜型磁気テープを作製した。
COMPARATIVE EXAMPLE 2 Except that the hard carbon film 6 was formed directly on the surface of the ferromagnetic metal thin film 3 without forming the dry etching processing part 5, the actual
In the same manner as in Example 2-1 , an 8 mm VTR metal thin film magnetic tape was produced.

【0146】実施例におけるドライエッチング処理部5
処理条件および比較例の原子比率(O/Co、O/
C)及びCo原子の化学結合状態、ドライエッチング処
理部5表面の臨界表面張力(γC) 、ならびに硬質炭素
膜6のビッカース硬度は、(参考例1)と同様な方法に
より測定を行った。その結果を参考値として(表7)に
示す。
[0146] Dry etching process section 5 in Example
And the atomic ratios of the comparative examples (O / Co, O /
C) The chemical bonding state of Co atoms and Co atoms, the critical surface tension (γ C ) of the surface of the dry etching section 5, and the Vickers hardness of the hard carbon film 6 were measured by the same method as in (Reference Example 1) . The results are shown in Table 7 as reference values .

【0147】[0147]

【表7】 [Table 7]

【0148】また実施例、参考例及び比較例において硬
質炭素膜6表面上に形成した改質面7は、窒素濃度が最
表面から深さ方向に向かって減少している構造となって
いることを角度分解X線光電子分光法(Angle Resolved
XPS)を用いた深さ方向の組成分析により確認し
た。
The modified surface 7 formed on the surface of the hard carbon film 6 in Examples, Reference Examples and Comparative Examples has a structure in which the nitrogen concentration decreases from the outermost surface in the depth direction. Angle Resolved X-ray Photoelectron Spectroscopy (Angle Resolved
It was confirmed by composition analysis in the depth direction using XPS.

【0149】また実施例、参考例及び比較例における改
質面7の処理条件と化学組成(原子比率)ならびに化学
結合状態は、含フッ素系潤滑剤層8未形成の金属薄膜型
磁気テープ用原反11を用いてX線光電子分光法(XP
S)により表面分析したものであり、その結果を参考値
として(表7)に示す。
The processing conditions, the chemical composition (atomic ratio) and the chemical bonding state of the modified surface 7 in Examples , Reference Examples and Comparative Examples are based on the material for the metal thin film type magnetic tape without the fluorinated lubricant layer 8. X-ray photoelectron spectroscopy (XP
Surface analysis by S), and the results are reference values
As shown in (Table 7).

【0150】以上の実施例及び比較例にて得られた各8
mmVTR用金属薄膜型磁気テープについて(実施例
1)と同一内容の測定を行った。なおC/Nの測定結果
については、実施例2−3において作製した磁気テープ
のC/N値を基準(0dB)とした相対値にて示してい
る。
Each of the 8 samples obtained in the above Examples and Comparative Examples
mm Thin Film Magnetic Tape for VTR (Example
The same measurement as in 1) was performed. The C / N measurement results are shown as relative values based on the C / N value of the magnetic tape produced in Example 2-3 as a reference (0 dB).

【0151】(表8)に各実施例、比較例にて作製した
8mmVTR用金属薄膜型磁気テープの評価結果を示
す。
Table 8 shows the evaluation results of the metal thin film magnetic tapes for 8 mm VTR manufactured in each of the examples and comparative examples.

【0152】[0152]

【表8】 [Table 8]

【0153】(表7)、(表8)から明らかなように、
本実施例の金属薄膜型磁気テープは、強磁性金属薄膜表
面に原子状酸素を含む化学活性種(励起種)が照射され
ることによって、金属薄膜型磁気テープに熱的な損傷を
与えることなく、強磁性金属薄膜表面に付着している汚
染物質や低分子化合物のみが選択的に除去されたドライ
エッチング処理部が形成されるために強磁性金属薄膜と
硬質炭素膜との密着性が飛躍的に向上する。さらに潤滑
剤分子中に導入された極性基(カルボキシル基)と化学
的親和力の強い窒素原子を適切な量だけ含有した厚さ3
nm未満の改質面が硬質炭素膜上に形成されているため
に、硬質炭素膜と改質面からなる保護膜の硬度を低下さ
せることなく、しかも強磁性金属薄膜と磁気ヘッドとの
スペーシング損失を増大させることなくテープ表面に潤
滑剤分子を強固に保持することができる。また改質面の
窒素濃度が最表面から深さ方向に向かって(硬質炭素膜
との界面の方向に向かって)減少している構造となって
いるために改質面自体の内部応力を適度に緩和すること
ができ、しかも硬質炭素膜上に改質面を形成するために
硬質炭素膜表面を含窒素有機系ガスと炭化水素系ガスと
無機系ガスとの混合ガスによるグロー放電プラズマに曝
す方法を適用することにより、硬質炭素膜表面を清浄化
しつつプラズマ中の化学活性種(反応活性種)を堆積さ
せることができるため、硬質炭素膜と改質面との密着性
をより向上させることが可能となる。したがって磁性層
上に形成された硬質炭素膜と潤滑剤層との相乗効果を充
分に発揮することができるため、耐久性、耐候性、走行
安定性を飛躍的に向上させることが可能となった。
As apparent from (Table 7) and (Table 8),
The metal thin-film magnetic tape of the present embodiment does not thermally damage the metal thin-film magnetic tape by irradiating the surface of the ferromagnetic metal thin film with a chemically active species (excited species) containing atomic oxygen. The adhesion between the ferromagnetic metal thin film and the hard carbon film is dramatically improved by forming a dry etching part where only contaminants and low molecular compounds adhering to the surface of the ferromagnetic metal thin film are selectively removed. To improve. Furthermore, a thickness containing an appropriate amount of a nitrogen atom having a strong chemical affinity with a polar group (carboxyl group) introduced into the lubricant molecule.
Since the modified surface of less than nm is formed on the hard carbon film, the hardness of the protective film composed of the hard carbon film and the modified surface is not reduced and the spacing between the ferromagnetic metal thin film and the magnetic head is reduced. The lubricant molecules can be firmly held on the tape surface without increasing the loss. In addition, since the nitrogen concentration of the modified surface decreases from the outermost surface in the depth direction (toward the interface with the hard carbon film), the internal stress of the modified surface itself is moderately reduced. In order to form a modified surface on the hard carbon film, the surface of the hard carbon film is exposed to a glow discharge plasma by a mixed gas of a nitrogen-containing organic gas, a hydrocarbon gas and an inorganic gas. By applying the method, it is possible to deposit the chemically active species (reactive species) in the plasma while cleaning the surface of the hard carbon film, thereby further improving the adhesion between the hard carbon film and the modified surface. Becomes possible. Therefore, since the synergistic effect between the hard carbon film formed on the magnetic layer and the lubricant layer can be sufficiently exhibited, the durability, weather resistance, and running stability can be significantly improved. .

【0154】参考例21−1では、ドライエッチング処
理部の厚さが大きすぎるために、強磁性金属薄膜の磁気
特性が悪化方向となり、C/Nの低下を招く結果となっ
た。
In Reference Example 21-1 , the magnetic characteristics of the ferromagnetic metal thin film tended to deteriorate because the thickness of the dry-etched portion was too large, resulting in a decrease in C / N.

【0155】参考例21−2では、ドライエッチング処
理部におけるコバルトに対する酸素の原子比率及び炭素
に対する酸素の原子比率が適切な範囲以下と思われる
めに、強磁性金属薄膜と硬質炭素膜との密着性が改善さ
れず、高温高湿環境保存後のスチルライフが悪化した。
In Reference Example 21-2 , since the atomic ratio of oxygen to cobalt and the atomic ratio of oxygen to carbon in the dry-etched portion seemed to be within appropriate ranges , the ferromagnetic metal thin film and hard The adhesion to the carbon film was not improved, and the still life after storage in a high-temperature, high-humidity environment deteriorated.

【0156】参考例21−3では、改質面における炭素
に対する窒素の原子比率及び酸素に対する窒素の原子比
率が適切な範囲以下と思われるために、硬質炭素膜と含
フッ素系潤滑剤層との接着性の改善度合いが少なく、ス
チルライフ、高温高湿環境保存後のスチルライフならび
に高温高湿環境保存後の摩擦係数μk が悪化する方向
なった。
In Reference Example 21-3 , since the atomic ratio of nitrogen to carbon and the atomic ratio of nitrogen to oxygen on the modified surface are considered to be within appropriate ranges , the hard carbon film and the fluorine-containing lubricant layer The degree of improvement in adhesiveness was small , and still life, still life after storage in a high-temperature, high-humidity environment, and friction coefficient μk after storage in a high-temperature, high-humidity environment tended to deteriorate .

【0157】参考例21−4では、改質面に含有してい
る窒素原子と潤滑剤分子中に導入された極性基(カルボ
キシル基)との化学的親和力により、改質面を中間層と
して硬質炭素膜と潤滑剤層とが強固に接着するものの、
改質面の厚さが大きすぎるために、硬質炭素膜の耐摩耗
性と潤滑剤層の低せん断力性との相乗効果が充分に発揮
されず、スチルライフ、高温高湿環境保存後のスチルラ
イフ等が悪化傾向であった
In Reference Example 21-4 , the modified surface was formed as an intermediate layer by the chemical affinity between the nitrogen atom contained in the modified surface and the polar group (carboxyl group) introduced into the lubricant molecule. Although the carbon film and the lubricant layer adhere firmly,
Because the thickness of the modified surface is too large, the synergistic effect of the wear resistance of the hard carbon film and the low shear force of the lubricant layer is not sufficiently exhibited, and still life and still after storage in a high-temperature, high-humidity environment Life tended to deteriorate .

【0158】参考例21−5では、炭素膜のビッカース
硬度が低いため、スチルライフ、高温高湿環境保存後の
スチルライフ等が悪化傾向であった
In Reference Example 21-5 , since the Vickers hardness of the carbon film was low, the still life, the still life after storage in a high-temperature, high-humidity environment, and the like tended to deteriorate .

【0159】なお上記実施例では、改質面7の窒素濃度
が最表面から深さ方向に向かって段階的に減少する構成
となっているが、窒素濃度が連続的に減少する構成の場
合についても同様の作用効果を有するものである。
In the above embodiment, the nitrogen concentration of the modified surface 7 is gradually decreased from the outermost surface in the depth direction. However, the case where the nitrogen concentration is continuously decreased is described. Have the same function and effect.

【0160】比較例2では、強磁性金属薄膜表面にドラ
イエッチング処理部が形成されていないために、ドライ
エッチング処理部におけるコバルトに対する酸素の原子
比率及び炭素に対する酸素の原子比率が適切な範囲以下
と思われるために、強磁性金属薄膜と硬質炭素膜との
着性の改善度合いが少なく、高温高湿環境保存後のスチ
ルライフが悪化した。
[0160] In Comparative Example 2, in order to dry etching portion is not formed on the ferromagnetic metal thin film surface, dry
Oxygen atoms for cobalt in the etching process
The ratio and atomic ratio of oxygen to carbon are below the appropriate range
To think, dense the ferromagnetic metal thin film and the hard carbon film
The degree of improvement in the adhesion was small , and the still life after storage in a high-temperature, high-humidity environment deteriorated.

【0161】(実施例3) 以下第3の本発明の請求項3,5、7、8、9に対応す
る実施例3について図面を参照しながら詳細に説明す
る。なお本実施例が(実施例1)と相違する点は、強磁
性金属薄膜3とドライエッチング処理部5と硬質炭素膜
6と改質面7とを真空中で連続的に形成させていること
にある。
(Embodiment 3) Hereinafter , claims 3, 5, 7, 8, and 9 of the third invention will be described.
Embodiment 3 will be described in detail with reference to the drawings. This embodiment is different from ( Embodiment 1) in that the ferromagnetic metal thin film 3, the dry etching portion 5, the hard carbon film 6, and the modified surface 7 are continuously formed in a vacuum. It is in.

【0162】図7は、第3の本発明の強磁性金属薄膜型
磁気テープを構成している強磁性金属薄膜3及びドライ
エッチング処理部5及び硬質炭素膜6及び改質面7を真
空中で連続的に形成するための製造装置の概略図を示し
たものである。図中、25は真空槽であり、真空ポンプ
26を用いて真空槽25内部の圧力が1×10-5tor
rの高真空状態となるように排気を行っている。27は
非磁性基板1上にバックコート層4を形成させた金属薄
膜型磁気テープ用原反であり、巻き出しロール28から
送り出され、4本のパスロール29、30、31、32
及び円筒状の冷却キャン33及び34の外周面を経由し
て巻き取りロール35に巻き取られる。なお冷却キャン
33及び34は金属薄膜型磁気テープ用原反27を一定
速度で搬送できるように回転制御する働きをしている。
FIG. 7 shows a state in which the ferromagnetic metal thin film 3, the dry etching portion 5, the hard carbon film 6, and the modified surface 7 constituting the third ferromagnetic metal thin film type magnetic tape of the present invention are placed in a vacuum. FIG. 2 shows a schematic view of a manufacturing apparatus for continuously forming . In the figure , reference numeral 25 denotes a vacuum chamber, and the pressure inside the vacuum chamber 25 is reduced to 1 × 10 −5 torr using a vacuum pump 26.
The gas is exhausted so as to be in a high vacuum state of r. Reference numeral 27 denotes a raw material for a metal thin-film magnetic tape in which the back coat layer 4 is formed on the non-magnetic substrate 1, and is fed from an unwinding roll 28 and four pass rolls 29, 30, 31, 32.
Then, it is taken up by a take-up roll 35 via the outer peripheral surfaces of cylindrical cooling cans 33 and 34. The cooling cans 33 and 34 serve to control the rotation so that the metal thin film type magnetic tape material 27 can be transported at a constant speed.

【0163】36は坩堝であり、坩堝36内部にはCo
金属からなる蒸発源37が設置されている。38は蒸発
源37に電子ビームを照射し加熱溶解させ、蒸気流を発
生させるための電子銃である。39は蒸気流の金属薄膜
型磁気テープ用原反27への入射角を70゜〜40゜の
範囲になるように制御するための遮蔽マスクである。4
0は酸素ガスをCo金属蒸着処理部の端面近傍に導入す
るための酸素ガス導入口である。
Reference numeral 36 denotes a crucible.
An evaporation source 37 made of metal is provided. Reference numeral 38 denotes an electron gun for irradiating the evaporation source 37 with an electron beam to heat and dissolve it, thereby generating a vapor flow. Reference numeral 39 denotes a shielding mask for controlling the angle of incidence of the vapor stream on the metal thin film type magnetic tape material 27 so as to be in the range of 70 ° to 40 °. 4
Numeral 0 denotes an oxygen gas inlet for introducing oxygen gas into the vicinity of the end face of the Co metal deposition section.

【0164】41はドライエッチング処理部5を金属薄
膜型磁気テープ用原反27の強磁性金属薄膜3表面上に
形成するための放電管(非平衡プラズマ発生空間)であ
り、放電管41の内部には、パンチングメタル放電電極
42が設置されている。パンチングメタル放電電極42
はプラズマ発生用電源43と接続されており、プラズマ
発生用電源43としては、直流電圧または交流電圧のど
ちらかのみを印加する方式や直流電圧と交流電圧とを重
畳させて印加する方式の3種類の放電方式を採用するこ
とができる。44は酸化性ガスを放電管41内に導入す
るための原料ガス導入口である。
Reference numeral 41 denotes a discharge tube (non-equilibrium plasma generation space) for forming the dry etching portion 5 on the surface of the ferromagnetic metal thin film 3 of the raw material 27 for a metal thin film type magnetic tape. Is provided with a punching metal discharge electrode 42. Punching metal discharge electrode 42
Is connected to a plasma generation power supply 43. As the plasma generation power supply 43, there are three types: a method of applying only a DC voltage or an AC voltage, and a method of applying a DC voltage and an AC voltage in a superimposed manner. Can be adopted. Reference numeral 44 denotes a material gas inlet for introducing an oxidizing gas into the discharge tube 41.

【0165】45は硬質炭素膜6を金属薄膜型磁気テー
プ用原反27のドライエッチング処理部5表面上に形成
するための放電管(非平衡プラズマ発生空間)であり、
放電管45の内部には、パイプ状の放電電極46が設置
されている。パイプ状の放電電極46はプラズマ発生用
電源47と接続されており、プラズマ発生用電源47と
しては、直流電圧または交流電圧のどちらかのみを印加
する方式や直流電圧と交流電圧とを重畳させて印加する
方式の3種類の放電方式を採用することができる。48
は炭化水素系ガスとアルゴン等の無機系ガスとの混合ガ
ス(原料ガス)を放電管45内に導入するための原料ガ
ス導入口である。
Reference numeral 45 denotes a discharge tube (non-equilibrium plasma generation space) for forming the hard carbon film 6 on the surface of the dry etching processing section 5 of the metal thin film type magnetic tape material 27.
Inside the discharge tube 45, a pipe-shaped discharge electrode 46 is provided. The pipe-shaped discharge electrode 46 is connected to a plasma generation power supply 47. As the plasma generation power supply 47, a method in which only a DC voltage or an AC voltage is applied, or a method in which a DC voltage and an AC voltage are superimposed. Three types of discharge methods of applying a voltage can be adopted. 48
Is a source gas inlet for introducing a mixed gas (source gas) of a hydrocarbon gas and an inorganic gas such as argon into the discharge tube 45.

【0166】49は改質面7を硬質炭素膜6上に形成す
るための放電管(非平衡プラズマ発生空間)であり、放
電管49の内部には、パンチングメタル放電電極50が
設置されている。パンチングメタル放電電極50はプラ
ズマ発生用電源51と接続されており、プラズマ発生用
電源51しては、直流電圧または交流電圧のどちらかの
みを印加する方式や直流電圧と交流電圧とを重畳させて
印加する方式の3種類の放電方式を採用することができ
る。52は含窒素有機系ガスと無機系ガスとの混合ガス
(原料ガス)を放電管49内に導入するための原料ガス
導入口である。
Reference numeral 49 denotes a discharge tube (non-equilibrium plasma generation space) for forming the modified surface 7 on the hard carbon film 6, and a punching metal discharge electrode 50 is provided inside the discharge tube 49. . The punching metal discharge electrode 50 is connected to a power supply 51 for plasma generation. The power supply 51 for plasma generation is a method of applying only a DC voltage or an AC voltage, or a method of superimposing a DC voltage and an AC voltage. Three types of discharge methods of applying a voltage can be adopted. Reference numeral 52 denotes a raw material gas inlet for introducing a mixed gas (raw gas) of a nitrogen-containing organic gas and an inorganic gas into the discharge tube 49.

【0167】実施例3−1 走査型トンネル顕微鏡(STM)による表面形状分析で
最大高さ粗さ(Rmax)が15nmで、直径が200n
m程度の微小突起層2が1mm2 あたり105から109
個設けられている10μm厚のポリエチレンテレフタ
レートフィルム1の反対側の表面上に湿式塗布法により
バックコート層4を膜厚500nm形成する。
Example 3-1 Surface shape analysis by scanning tunneling microscope (STM) showed that the maximum height roughness (Rmax) was 15 nm and the diameter was 200 n.
The small protrusion layer 2 of about m is 10 5 to 10 9 per 1 mm 2.
A backcoat layer 4 having a thickness of 500 nm is formed on the surface on the opposite side of the provided 10 μm-thick polyethylene terephthalate film 1 by a wet coating method.

【0168】次に図7に示した製造装置の真空槽25内
部に金属薄膜型磁気テープ用原反27を設置し、真空槽
25内部を真空排気した後、金属薄膜型磁気テープ用原
反27を20m/minの走行スピードで搬送させると
ともに、酸素ガス導入口40より真空槽25内にわずか
な酸素を導入しながら、坩堝36内部のCo金属からな
る蒸発源37に電子銃38から発射した電子ビームを照
射し、蒸発源37を加熱・蒸発させ、入射角70゜〜4
0゜の範囲において微小突起層2が形成されたポリエチ
レンテレフタレートフィルム1表面上に強磁性金属薄膜
3(Co−O蒸着膜)を膜厚180nm形成する。
Next, the raw material 27 for metal thin film magnetic tape is set inside the vacuum chamber 25 of the manufacturing apparatus shown in FIG. 7, and the inside of the vacuum chamber 25 is evacuated. Is transported at a traveling speed of 20 m / min, and a small amount of oxygen is introduced from the oxygen gas inlet 40 into the vacuum chamber 25, and electrons emitted from the electron gun 38 to the evaporation source 37 made of Co metal in the crucible 36. A beam is irradiated to heat and evaporate the evaporation source 37, and the incident angle is 70 ° to 4 °.
In the range of 0 °, a ferromagnetic metal thin film 3 (Co—O vapor-deposited film) having a thickness of 180 nm is formed on the surface of the polyethylene terephthalate film 1 on which the microprojection layer 2 is formed.

【0169】さらに放電管41内に酸素ガス(酸化性ガ
ス:O2 )を導入し、ガス圧力を0.2torrに設定
した状態でパンチングメタル放電電極18に直流電圧を
1200V印加し、非平衡プラズマを発生させ、金属薄
膜型磁気テープ用原反27の強磁性金属薄膜3表面上に
ドライエッチング処理部5を厚さ5nm形成する。
Further, an oxygen gas (oxidizing gas: O 2 ) is introduced into the discharge tube 41, and a DC voltage of 1200 V is applied to the punching metal discharge electrode 18 in a state where the gas pressure is set to 0.2 torr. Is formed, and a dry etching portion 5 is formed to a thickness of 5 nm on the surface of the ferromagnetic metal thin film 3 of the metal thin film type magnetic tape material 27.

【0170】また放電管45内にトルエンガス(炭化水
素系ガス:C78)とアルゴンガス(無機系ガス:A
r)をそれぞれ導入し、トルエンガスとアルゴンガスと
の圧力比を4:1、総ガス圧力を0.3torrに設定
した状態でパイプ状の放電電極46に直流電圧を150
0V印加し、非平衡プラズマを発生させ、金属薄膜型磁
気テープ用原反27のドライエッチング処理部5表面上
に硬質炭素膜6を厚さ10nm形成する。
In the discharge tube 45, toluene gas (hydrocarbon gas: C 7 H 8 ) and argon gas (inorganic gas: A
r) were introduced, and a DC voltage of 150 was applied to the pipe-shaped discharge electrode 46 with the pressure ratio of toluene gas to argon gas set to 4: 1, and the total gas pressure set to 0.3 torr.
A non-equilibrium plasma is generated by applying 0 V, and a hard carbon film 6 having a thickness of 10 nm is formed on the surface of the dry etching portion 5 of the raw material 27 for a metal thin film magnetic tape.

【0171】また放電管49内にピリジンガス(含窒素
有機系ガス:C55N)と水素ガス(無機系ガス:H
2 )をそれぞれ導入し、ピリジンガスと水素ガスとの圧
力比を3:2、総ガス圧力を0.3torrに設定した
状態でパンチングメタル放電電極50に直流電圧を15
00V印加することで、非平衡プラズマを発生させ、金
属薄膜型磁気テープ用原反27の硬質炭素膜6表面上に
改質面7を厚さ1nm形成する。
A pyridine gas (nitrogen-containing organic gas: C 5 H 5 N) and a hydrogen gas (inorganic gas: H
2 ) were introduced, and a DC voltage of 15 was applied to the punching metal discharge electrode 50 with the pressure ratio of pyridine gas to hydrogen gas set to 3: 2 and the total gas pressure set to 0.3 torr.
By applying 00V, non-equilibrium plasma is generated, and a modified surface 7 having a thickness of 1 nm is formed on the surface of the hard carbon film 6 of the metal thin film type magnetic tape material 27.

【0172】次に改質面7表面上に含フッ素カルボン酸
(C511(CH210COOH)からなる含フッ素系潤
滑剤層8を湿式塗布法により膜厚3nm程度形成させた
後、8mm幅にスリットして8mmVTR用金属薄膜型
磁気テープを作製した。
Next, a fluorine-containing lubricant layer 8 made of fluorine-containing carboxylic acid (C 5 F 11 (CH 2 ) 10 COOH) is formed on the surface of the modified surface 7 by a wet coating method to a thickness of about 3 nm. And 8 mm wide slits to produce an 8 mm VTR metal thin film magnetic tape.

【0173】実施例3−1で得られた硬質炭素膜5のビ
ッカース硬度は、2700kg/mm2 であった。
The Vickers hardness of the hard carbon film 5 obtained in Example 3-1 was 2,700 kg / mm 2 .

【0174】実施例3−2 ドライエッチング処理部5形成用の原料ガスである酸素
ガスの圧力を0.15torrとし、直流電圧を900
V印加することによりドライエッチング処理部5を厚さ
を3nm形成すること以外は実施例3−1と同様な方法
により、8mmVTR用金属薄膜型磁気テープを作製し
た。
Example 3-2 The pressure of oxygen gas as a source gas for forming the dry etching section 5 was set to 0.15 torr, and the DC voltage was set to 900.
An 8 mm VTR metal thin film magnetic tape was manufactured in the same manner as in Example 3-1 except that the dry etching portion 5 was formed to a thickness of 3 nm by applying V.

【0175】参考例31 実施例3−1 と同様な方法で強磁性金属薄膜3を形成し
た後、一旦真空を破り、金属薄膜型磁気テープ用原反2
7を23℃−60%RHの環境下に3日間放置し、次に
実施例3−1と同様な方法でドライエッチング処理部
5、硬質炭素膜6改質面7を真空中で連続形成すること
以外は実施例3−1と同様な方法により、8mmVTR
用金属薄膜型磁気テープを作製した。
Reference Example 31 A ferromagnetic metal thin film 3 was formed in the same manner as in Example 3-1.
7 is left in an environment of 23 ° C. and 60% RH for 3 days, and then the dry etching section 5 and the hard carbon film 6 modified surface 7 are continuously formed in a vacuum in the same manner as in Example 3-1. Except for this , an 8 mm VTR was produced in the same manner as in Example 3-1.
Metal thin film type magnetic tape was prepared.

【0176】比較例3 ドライエッチング処理部5を形成することなく、真空中
で微小突起層2が形成されたポリエチレンテレフタレー
トフィルム1表面上に強磁性金属薄膜3、硬質炭素膜
6、改質面7を連続形成すること以外は実施例3−1
同様な方法により、8mmVTR用金属薄膜型磁気テー
プを作製した。
Comparative Example 3 A ferromagnetic metal thin film 3, a hard carbon film 6, and a modified surface 7 were formed on a surface of a polyethylene terephthalate film 1 on which a microprojection layer 2 was formed in a vacuum without forming a dry etching portion 5. Was formed in the same manner as in Example 3-1 except that the tape was continuously formed.

【0177】実施例、参考例及び比較例におけるドライ
エッチング処理部5の処理条件と原子比率(O/Co、
O/C)及びCo原子の化学結合状態、ドライエッチン
グ処理部5表面の臨界表面張力(γC) 、ならびに硬質
炭素膜6のビッカース硬度は、(参考例1)と同様な方
法により測定を行った。その結果を参考値として(表
9)に示す。
In the examples , reference examples and comparative examples, the processing conditions and the atomic ratios (O / Co,
O / C) and the chemical bond state of Co atoms, the critical surface tension (γ C ) of the surface of the dry-etched portion 5, and the Vickers hardness of the hard carbon film 6 were measured in the same manner as in ( Reference Example 1 ). Was. The results are shown in Table 9 as reference values .

【0178】[0178]

【表9】 [Table 9]

【0179】また実施例、参考例及び比較例における改
質面7の処理条件と、化学組成(原子比率)ならびに化
学結合状態は、含フッ素系潤滑剤層8未形成の金属薄膜
型磁気テープ用原反27を用いてX線光電子分光法(X
PS)により表面分析したものであり、その結果を参考
値として(表9)に示す。
The processing conditions, the chemical composition (atomic ratio) and the chemical bonding state of the modified surface 7 in Examples , Reference Examples and Comparative Examples are as follows for the metal thin film type magnetic tape without the fluorinated lubricant layer 8 formed. X-ray photoelectron spectroscopy (X
(PS) surface analysis, and refer to the results
The values are shown in (Table 9).

【0180】以上の実施例、参考例及び比較例にて得ら
れた各8mmVTR用金属薄膜型磁気テープ(以下、単
に磁気テープと称する。)について以下の測定を行っ
た。 (1)C/N C/N測定用8mmVTRとしてEVSー900(ソニ
ー(株)製)を用い、7MHzにおける信号(C)と
6.5MHzにおけるノイズ(N)の比を測定した。な
お実施例3−3において作製した磁気テープのC/Nを
基準(0dB)として相対値にて示した。 (2)スチルライフ スチルライフ測定用に改造した8mmVTRを用い、2
3℃−10%RHの環境下、各磁気テープに映像信号を
記録し、30g荷重の条件でスチルモードにて再生を行
い、その再生出力が6dB落ち込むまでの時間を示し
た。なお測定は最長60分間で打ち切った。 (3)耐候性試験 耐候性試験としては、40℃−90%RHの環境下で3
0日間磁気テープを放置し、錆、剥離等の発生状態を光
学顕微鏡で観察し5段階評価を行った。評価は実用上全
く問題がないものを5とし、実用上問題を有するものを
1とした。 (4)Bsδの減少率 各磁気テープのBsδ値を耐候試験前後に測定し、BSδ
の減少率を求めた。 (5)高温高湿環境保存後のスチルライフ スチルライフ測定用に改造した8mmVTRを用い、2
3℃−10%RHの環境下、耐候性試験後の各磁気テー
プに映像信号を記録し、30g荷重の条件でスチルモー
ドにて再生を行い、その再生出力が6dB落ち込むまで
の時間を示した。なお測定は最長60分間で打ち切っ
た。 (6)高温高湿環境保存後の摩擦係数μk 直径4mm、表面粗さ0.2Sのステンレス(SUS4
20J2)円柱に耐候性試験後の各磁気テープの磁性層
形成面が90゜に渡って接触するようにし、ステンレス
円柱に対して、入側張力を30g、テープ走行速度を
0.5mm/secに設定した時の出側張力Xgを測定
し、(数1)から摩擦係数を求めた。
The following measurements were performed on each of the 8 mm VTR metal thin film magnetic tapes (hereinafter simply referred to as magnetic tapes) obtained in the above Examples , Reference Examples and Comparative Examples. (1) C / N The ratio of the signal (C) at 7 MHz to the noise (N) at 6.5 MHz was measured using an EVS-900 (manufactured by Sony Corporation) as an 8 mm VTR for C / N measurement. The C / N of the magnetic tape produced in Example 3-3 was shown as a relative value with reference (0 dB). (2) Still life Using an 8 mm VTR modified for still life measurement,
A video signal was recorded on each magnetic tape under an environment of 3 ° C. and 10% RH, and was reproduced in a still mode under a load of 30 g. The time until the reproduction output dropped by 6 dB was shown. The measurement was terminated for a maximum of 60 minutes. (3) Weather resistance test The weather resistance test was carried out under an environment of 40 ° C. and 90% RH.
The magnetic tape was allowed to stand for 0 days, and the state of occurrence of rust, peeling, and the like was observed with an optical microscope, and evaluated on a 5-point scale. The evaluation was 5 when there was no practical problem and 1 when there was a practical problem. (4) Reduction rate of Bsδ The Bsδ value of each magnetic tape was measured before and after the weathering test, and the BSδ was measured.
Was determined. (5) Still life after storage in a high-temperature, high-humidity environment Using an 8 mm VTR modified for still life measurement,
A video signal was recorded on each magnetic tape after the weather resistance test in an environment of 3 ° C. and 10% RH, and reproduced in a still mode under a load of 30 g, and the time until the reproduced output dropped by 6 dB was shown. . The measurement was terminated for a maximum of 60 minutes. (6) Stainless steel with a friction coefficient μk of 4 mm in diameter and a surface roughness of 0.2 S (SUS4
20J2) The magnetic layer forming surface of each magnetic tape after the weather resistance test is brought into contact with the cylinder over 90 °, the input side tension is set to 30 g, and the tape traveling speed is set to 0.5 mm / sec with respect to the stainless steel cylinder. The output side tension Xg at the set time was measured, and the friction coefficient was determined from ( Equation 1) .

【0181】なお測定環境は25℃−30%RHであ
り、摩擦係数としては、走行30パス目の測定値を採用
することにした。 (7)走行耐久性試験 RF出力測定用に改造した8mmVTRを用い、23℃
−10%RHの環境下、60分長の各磁気テープに映像
信号を記録し、繰り返し走行による耐久試験を行った。
評価は再生1パス目の出力を基準(0dB)とし、再生
出力が3dB低下するまでのパス回数で示した。なお繰
り返し走行回数は最大300パスとした。
The measurement environment was 25 ° C.-30% RH, and the measured value in the 30th pass was adopted as the friction coefficient. (7) Running durability test Using an 8 mm VTR modified for RF output measurement, at 23 ° C
Under an environment of -10% RH, a video signal was recorded on each magnetic tape having a length of 60 minutes, and a durability test was performed by repeated running.
The evaluation was based on the output of the first pass of reproduction as a reference (0 dB), and was represented by the number of passes until the reproduction output decreased by 3 dB. The maximum number of repetitions was 300.

【0182】(表10)に各実施例、参考例、比較例に
て作製した8mmVTR用金属薄膜型磁気テープの評価
結果を示す。
Table 10 shows the evaluation results of the metal thin film magnetic tapes for 8 mm VTR produced in each of the examples, reference examples and comparative examples.

【0183】[0183]

【表10】 [Table 10]

【0184】(表9)、(表10)から明らかなよう
に、本実施例の金属薄膜型磁気テープは、強磁性金属薄
膜表面に原子状酸素を含む化学活性種(励起種)が照射
されることによって、金属薄膜型磁気テープに熱的な損
傷を与えることなく、強磁性金属薄膜表面に付着してい
る汚染物質や低分子化合物のみが選択的に除去されたド
ライエッチング処理部が形成されるために強磁性金属薄
膜と硬質炭素膜との密着性が飛躍的に向上する。さらに
潤滑剤分子中に導入された極性基(カルボキシル基)と
化学的親和力の強い窒素原子を適切な量だけ含有した厚
さ3nm未満の改質面が硬質炭素膜上に形成されている
ために、硬質炭素膜と改質面からなる保護膜の硬度を低
下させることなく、しかも強磁性金属薄膜と磁気ヘッド
とのスペーシング損失を増大させることなくテープ表面
に潤滑剤分子を強固に保持することができる。また硬質
炭素膜上に改質面を形成するために硬質炭素膜表面を含
窒素有機系ガスと無機系ガスとの混合ガスによるグロー
放電プラズマに曝す方法を適用することにより、硬質炭
素膜表面を清浄化しつつプラズマ中の化学活性種(反応
活性種)を堆積させることができるため、硬質炭素膜と
改質面との良好な密着性を確保することが可能となる。
したがって磁性層上に形成された硬質炭素膜と潤滑剤層
との相乗効果を充分に発揮することができるため、耐久
性、耐候性、走行安定性を飛躍的に向上させることが可
能となった。さらに強磁性金属薄膜とドライエッチング
処理部と硬質炭素膜と改質面とを真空中で連続的に形成
することにより、強磁性金属薄膜表面及び硬質炭素膜表
面への大気中からの水分等の吸着を大幅に低減すること
ができるため、Bsδ の減少率の低減化、走行耐久性の
大幅向上を達成することができた。
As is clear from Tables 9 and 10, the metal thin film type magnetic tape of this example was irradiated with a chemically active species (excited species) containing atomic oxygen on the surface of the ferromagnetic metal thin film. As a result, a dry etching portion is formed in which only contaminants and low molecular compounds adhering to the surface of the ferromagnetic metal thin film are selectively removed without thermally damaging the metal thin film magnetic tape. Therefore, the adhesion between the ferromagnetic metal thin film and the hard carbon film is dramatically improved. Further, since a modified surface having a thickness of less than 3 nm containing an appropriate amount of a nitrogen atom having a strong chemical affinity with the polar group (carboxyl group) introduced into the lubricant molecule is formed on the hard carbon film. To firmly retain lubricant molecules on the tape surface without lowering the hardness of the protective film consisting of the hard carbon film and the modified surface, and without increasing the spacing loss between the ferromagnetic metal thin film and the magnetic head. Can be. In addition, in order to form a modified surface on the hard carbon film, the surface of the hard carbon film is exposed to glow discharge plasma by a mixed gas of a nitrogen-containing organic gas and an inorganic gas to apply a method of forming the modified surface on the hard carbon film. Since the chemically active species (reactive species) in the plasma can be deposited while cleaning, good adhesion between the hard carbon film and the modified surface can be ensured.
Therefore, since the synergistic effect between the hard carbon film formed on the magnetic layer and the lubricant layer can be sufficiently exhibited, the durability, weather resistance, and running stability can be significantly improved. . Furthermore, by continuously forming the ferromagnetic metal thin film, the dry etching portion, the hard carbon film, and the modified surface in a vacuum, the moisture and the like from the atmosphere on the surface of the ferromagnetic metal thin film and the surface of the hard carbon film are reduced. Since the adsorption can be greatly reduced, the reduction rate of Bsδ can be reduced and the running durability can be greatly improved.

【0185】参考例31では、強磁性金属薄膜表面への
大気中からの水分等の吸着により、Bsδ の減少率が大
きくなり、走行耐久性も低下した。
In Reference Example 31 , the adsorption rate of moisture and the like from the atmosphere on the surface of the ferromagnetic metal thin film increased the rate of decrease of Bsδ and lowered running durability.

【0186】比較例3では、強磁性金属薄膜表面にドラ
イエッチング処理部が形成されていないために、強磁性
金属薄膜と硬質炭素膜との密着性が充分に改善されず、
Bsδ の減少率、高温高湿環境保存後のスチルライフ、
走行耐久性が悪化した。
In Comparative Example 3, since no dry-etched portion was formed on the surface of the ferromagnetic metal thin film, the adhesion between the ferromagnetic metal thin film and the hard carbon film was not sufficiently improved.
Bsδ reduction rate, still life after high temperature and high humidity storage,
Running durability deteriorated.

【0187】(実施例4) 以下第4の本発明の請求項4、5,6,7、8、9に対
応する実施例について図面を参照しながら詳細に説明す
る。なお本実施例が実施例2と相違する点は、強磁性金
属薄膜3とドライエッチング処理部5と硬質炭素膜6と
改質面7とを真空中で連続的に形成させていることにあ
る。
(Embodiment 4) Hereinafter, a fourth aspect of the present invention will be described with reference to claims 4, 5, 6, 7, 8, and 9.
A corresponding embodiment will be described in detail with reference to the drawings. This embodiment is different from the second embodiment in that the ferromagnetic metal thin film 3, the dry etching portion 5, the hard carbon film 6, and the modified surface 7 are continuously formed in a vacuum. .

【0188】図8は、第3の本発明の強磁性金属薄膜型
磁気テープを構成している強磁性金属薄膜3及びドライ
エッチング処理部5及び硬質炭素膜6及び窒素原子の濃
度勾配を有する改質面7を真空中で連続的に形成するた
めの製造装置の概略図を示したものである。(すなわち
第9の本発明の強磁性金属薄膜型磁気テープの製造方法
に相当する。)図中、25は真空槽であり、真空ポンプ
26を用いて真空槽25内部の圧力が1×10-5tor
rの高真空状態となるように排気を行っている。27は
非磁性基板1上にバックコート層4を形成させた金属薄
膜型磁気テープ用原反であり、巻き出しロール28から
送り出され、4本のパスロール29、30、31、32
及び円筒状の冷却キャン33及び34の外周面を経由し
て巻き取りロール35に巻き取られる。なお冷却キャン
33及び34は金属薄膜型磁気テープ用原反27を一定
速度で搬送できるように回転制御する働きをしている。
FIG. 8 shows a ferromagnetic metal thin film 3 and a dry etching processing section 5 and a hard carbon film 6 constituting a ferromagnetic metal thin film type magnetic tape according to a third embodiment of the present invention, and a hard carbon film 6 having a concentration gradient of nitrogen atoms. FIG. 1 is a schematic view of a manufacturing apparatus for continuously forming a quality surface 7 in a vacuum. (That is, it corresponds to the ninth manufacturing method of the ferromagnetic metal thin film type magnetic tape of the present invention.) In the drawing, reference numeral 25 denotes a vacuum tank, and the pressure inside the vacuum tank 25 is 1 × 10 − 5 tor
The gas is exhausted so as to be in a high vacuum state of r. Reference numeral 27 denotes a raw material for a metal thin-film magnetic tape in which the back coat layer 4 is formed on the non-magnetic substrate 1, and is fed from an unwinding roll 28 and four pass rolls 29, 30, 31, 32.
Then, it is taken up by a take-up roll 35 via the outer peripheral surfaces of cylindrical cooling cans 33 and 34. The cooling cans 33 and 34 serve to control the rotation so that the metal thin film type magnetic tape material 27 can be transported at a constant speed.

【0189】36は坩堝であり、坩堝36内部にはCo
金属からなる蒸発源37が設置されている。38は蒸発
源37に電子ビームを照射し加熱溶解させ、蒸気流を発
生させるための電子銃である。39は蒸気流の金属薄膜
型磁気テープ用原反27への入射角を70゜〜40゜の
範囲になるように制御するための遮蔽マスクである。4
0は酸素ガスをCo金属蒸着処理部の端面近傍に導入す
るための酸素ガス導入口である。
Reference numeral 36 denotes a crucible.
An evaporation source 37 made of metal is provided. Reference numeral 38 denotes an electron gun for irradiating the evaporation source 37 with an electron beam to heat and dissolve it, thereby generating a vapor flow. Reference numeral 39 denotes a shielding mask for controlling the angle of incidence of the vapor stream on the metal thin film type magnetic tape material 27 so as to be in the range of 70 ° to 40 °. 4
Numeral 0 denotes an oxygen gas inlet for introducing oxygen gas into the vicinity of the end face of the Co metal deposition section.

【0190】41はドライエッチング処理部5を金属薄
膜型磁気テープ用原反27の強磁性金属薄膜3表面上に
形成するための放電管(非平衡プラズマ発生空間)であ
り、放電管41の内部には、パンチングメタル放電電極
42が設置されている。パンチングメタル放電電極42
はプラズマ発生用電源43と接続されており、プラズマ
発生用電源43としては、直流電圧または交流電圧のど
ちらかのみを印加する方式や直流電圧と交流電圧とを重
畳させて印加する方式の3種類の放電方式を採用するこ
とができる。44は酸化性ガスを放電管41内に導入す
るための原料ガス導入口である。
Reference numeral 41 denotes a discharge tube (non-equilibrium plasma generation space) for forming the dry etching section 5 on the surface of the ferromagnetic metal thin film 3 of the raw material 27 for the metal thin film type magnetic tape. Is provided with a punching metal discharge electrode 42. Punching metal discharge electrode 42
Is connected to a plasma generation power supply 43. As the plasma generation power supply 43, there are three types: a method of applying only a DC voltage or an AC voltage, and a method of applying a DC voltage and an AC voltage in a superimposed manner. Can be adopted. Reference numeral 44 denotes a material gas inlet for introducing an oxidizing gas into the discharge tube 41.

【0191】45は硬質炭素膜6を金属薄膜型磁気テー
プ用原反27のドライエッチング処理部5表面上に形成
するための放電管(非平衡プラズマ発生空間)であり、
放電管45の内部には、パイプ状の放電電極46が設置
されている。パイプ状の放電電極46はプラズマ発生用
電源47と接続されており、プラズマ発生用電源47と
しては、直流電圧または交流電圧のどちらかのみを印加
する方式や直流電圧と交流電圧とを重畳させて印加する
方式の3種類の放電方式を採用することができる。48
は炭化水素系ガスとアルゴン等の無機系ガスとの混合ガ
ス(原料ガス)を放電管45内に導入するための原料ガ
ス導入口である。
Reference numeral 45 denotes a discharge tube (non-equilibrium plasma generation space) for forming the hard carbon film 6 on the surface of the dry etching processing portion 5 of the metal thin film type magnetic tape material 27.
Inside the discharge tube 45, a pipe-shaped discharge electrode 46 is provided. The pipe-shaped discharge electrode 46 is connected to a plasma generation power supply 47. As the plasma generation power supply 47, a method in which only a DC voltage or an AC voltage is applied, or a method in which a DC voltage and an AC voltage are superimposed. Three types of discharge methods of applying a voltage can be adopted. 48
Is a source gas inlet for introducing a mixed gas (source gas) of a hydrocarbon gas and an inorganic gas such as argon into the discharge tube 45.

【0192】53、54、55は改質面7を硬質炭素膜
6上に形成するための放電管(非平衡プラズマ発生空
間)であり、放電管53、54、55の内部には、パン
チングメタル放電電極56、57、58がそれぞれ設置
されている。パンチングメタル放電電極56、57、5
8はプラズマ発生用電源59、60、61とそれぞれ接
続されており、プラズマ発生用電源59、60、61と
しては、直流電圧または交流電圧のどちらかのみを印加
する方式や直流電圧と交流電圧とを重畳させて印加する
方式の3種類の放電方式を採用することができる。6
2、63、64は含窒素有機系ガス、炭化水素系ガス、
無機系ガスからなる混合ガス(原料ガス)を放電管5
3、54、55内にそれぞれ導入するための原料ガス導
入口である。
Reference numerals 53, 54, and 55 denote discharge tubes (non-equilibrium plasma generation spaces) for forming the modified surface 7 on the hard carbon film 6. Punching metal is provided inside the discharge tubes 53, 54, and 55. Discharge electrodes 56, 57, 58 are provided respectively. Punching metal discharge electrodes 56, 57, 5
Numeral 8 is connected to plasma generation power supplies 59, 60, 61, respectively. As the plasma generation power supplies 59, 60, 61, a method of applying only a DC voltage or an AC voltage, a DC voltage and an AC voltage, , And three types of discharge methods, i. 6
2, 63 and 64 are nitrogen-containing organic gases, hydrocarbon gases,
A mixed gas (raw material gas) composed of an inorganic gas is supplied to the discharge tube 5
These are raw material gas inlets for introducing into 3, 54 and 55, respectively.

【0193】実施例4−1 走査型トンネル顕微鏡(STM)による表面形状分析で
最大高さ粗さ(Rmax)が15nmで、直径が200n
m程度の微小突起層2が1mm2 あたり105から109
個設けられている10μm厚のポリエチレンテレフタ
レートフィルム1の反対側の表面上に湿式塗布法により
バックコート層4を膜厚500nm形成する。
Example 4-1 Surface height analysis by scanning tunneling microscope (STM) showed that the maximum height roughness (Rmax) was 15 nm and the diameter was 200 n.
The small protrusion layer 2 of about m is 10 5 to 10 9 per 1 mm 2.
A backcoat layer 4 having a thickness of 500 nm is formed on the surface on the opposite side of the provided 10 μm-thick polyethylene terephthalate film 1 by a wet coating method.

【0194】次に図8に示した製造装置の真空槽25内
部に金属薄膜型磁気テープ用原反27を設置し、真空槽
25内部を真空排気した後、金属薄膜型磁気テープ用原
反27を20m/minの走行スピードで搬送させると
ともに、酸素ガス導入口40より真空槽25内にわずか
な酸素を導入しながら、坩堝36内部のCo金属からな
る蒸発源37に電子銃38から発射した電子ビームを照
射し、蒸発源37を加熱・蒸発させ、入射角70゜〜4
0゜の範囲において微小突起層2が形成されたポリエチ
レンテレフタレートフィルム1表面上に強磁性金属薄膜
3(Co−O蒸着膜)を膜厚180nm形成する。
Next, the raw material 27 for metal thin film magnetic tape is set inside the vacuum chamber 25 of the manufacturing apparatus shown in FIG. 8, and the inside of the vacuum chamber 25 is evacuated. Is transported at a traveling speed of 20 m / min, and a small amount of oxygen is introduced from the oxygen gas inlet 40 into the vacuum chamber 25, and electrons emitted from the electron gun 38 to the evaporation source 37 made of Co metal in the crucible 36. A beam is irradiated to heat and evaporate the evaporation source 37, and the incident angle is 70 ° to 4 °.
In the range of 0 °, a ferromagnetic metal thin film 3 (Co—O vapor-deposited film) having a thickness of 180 nm is formed on the surface of the polyethylene terephthalate film 1 on which the microprojection layer 2 is formed.

【0195】さらに放電管41内に酸素ガス(酸化性ガ
ス:O2 )を導入し、ガス圧力を0.2torrに設定
した状態でパンチングメタル放電電極18に直流電圧を
1200V印加し、非平衡プラズマを発生させ、金属薄
膜型磁気テープ用原反27の強磁性金属薄膜3表面上に
ドライエッチング処理部5を厚さ5nm形成する。
Further, an oxygen gas (oxidizing gas: O 2 ) is introduced into the discharge tube 41, and a DC voltage of 1200 V is applied to the punching metal discharge electrode 18 in a state where the gas pressure is set to 0.2 torr. Is formed, and a dry etching portion 5 is formed to a thickness of 5 nm on the surface of the ferromagnetic metal thin film 3 of the metal thin film type magnetic tape material 27.

【0196】また放電管45内にトルエンガス(炭化水
素系ガス:C78)とアルゴンガス(無機系ガス:A
r)をそれぞれ導入し、トルエンガスとアルゴンガスと
の圧力比を4:1、総ガス圧力を0.3torrに設定
した状態でパイプ状の放電電極46に直流電圧を150
0V印加し、非平衡プラズマを発生させ、金属薄膜型磁
気テープ用原反27のドライエッチング処理部5表面上
に硬質炭素膜6を厚さ10nm形成する。
Further, toluene gas (hydrocarbon-based gas: C 7 H 8 ) and argon gas (inorganic-based gas: A
r) were introduced, and a DC voltage of 150 was applied to the pipe-shaped discharge electrode 46 with the pressure ratio of toluene gas to argon gas set to 4: 1, and the total gas pressure set to 0.3 torr.
A non-equilibrium plasma is generated by applying 0 V, and a hard carbon film 6 having a thickness of 10 nm is formed on the surface of the dry etching portion 5 of the raw material 27 for a metal thin film magnetic tape.

【0197】また放電管53、54、55内にn−プロ
ピルアミンガス(含窒素有機系ガス:C39N)とメタ
ンガス(炭化水素系ガス:CH4 )と水素ガス(無機系
ガス:H2 )をそれぞれ導入し、放電管53内において
は、n−プロピルアミンガスとメタンガスと水素ガスと
の圧力比を2:7:1、総ガス圧力を0.3torrに
設定した状態で、放電管54内においては、n−プロピ
ルアミンガスとメタンガスと水素ガスとの圧力比を4.
5:4.5:1、総ガス圧力を0.3torrに設定し
た状態で、放電管55内においては、n−プロピルアミ
ンガスとメタンガスと水素ガスとの圧力比を7:2:
1、総ガス圧力を0.3torrに設定した状態で、パ
ンチングメタル放電電極56、57、58に直流電圧を
2000V印加することで、非平衡プラズマを発生さ
せ、金属薄膜型磁気テープ用原反27の硬質炭素膜6表
面上に窒素濃度が最表面から深さ方向に向かって(硬質
炭素膜6との界面の方向に向かって)減少した厚さ2n
mの改質面7を形成する。
Further, n-propylamine gas (nitrogen-containing organic gas: C 3 H 9 N), methane gas (hydrocarbon gas: CH 4 ), and hydrogen gas (inorganic gas: H 2 ) were introduced, and in the discharge tube 53, the discharge was performed with the pressure ratio of n-propylamine gas, methane gas, and hydrogen gas set to 2: 7: 1 and the total gas pressure set to 0.3 torr. In the pipe 54, the pressure ratio of n-propylamine gas, methane gas, and hydrogen gas is set to 4.
In a state where the gas pressure is set to 5: 4.5: 1 and the total gas pressure is set to 0.3 torr, the pressure ratio of n-propylamine gas, methane gas and hydrogen gas is set to 7: 2:
1. With a total gas pressure set to 0.3 torr, a DC voltage of 2000 V is applied to the punching metal discharge electrodes 56, 57, and 58 to generate non-equilibrium plasma, and the material 27 for the metal thin film magnetic tape is produced. Thickness 2n in which the nitrogen concentration decreases from the outermost surface in the depth direction (in the direction of the interface with the hard carbon film 6) on the surface of the hard carbon film 6
m modified surface 7 is formed.

【0198】次に改質面7表面上に含フッ素カルボン酸
(C511(CH210COOH)からなる含フッ素系潤
滑剤層8を湿式塗布法により膜厚3nm程度形成させた
後、8mm幅にスリットして8mmVTR用金属薄膜型
磁気テープを作製した。
Next, a fluorine-containing lubricant layer 8 made of fluorine-containing carboxylic acid (C 5 F 11 (CH 2 ) 10 COOH) is formed on the surface of the modified surface 7 by a wet coating method to a thickness of about 3 nm. And 8 mm wide slits to produce an 8 mm VTR metal thin film magnetic tape.

【0199】実施例4−1で得られた硬質炭素膜5のビ
ッカース硬度は、2700kg/mm2 であった。
The Vickers hardness of the hard carbon film 5 obtained in Example 4-1 was 2,700 kg / mm 2 .

【0200】実施例4−2 ドライエッチング処理部5形成用の原料ガスである酸素
ガスの圧力を0.15torrとし、直流電圧を900
V印加することによりドライエッチング処理部5を厚さ
を3nm形成すること以外は実施例4−1と同様な方法
により、8mmVTR用金属薄膜型磁気テープを作製し
た。
Example 4-2 The pressure of oxygen gas as a source gas for forming the dry etching section 5 was set to 0.15 torr, and the DC voltage was set to 900
An 8 mm VTR metal thin film magnetic tape was manufactured in the same manner as in Example 4-1 except that the dry etching portion 5 was formed to a thickness of 3 nm by applying V.

【0201】参考例41 実施例4−1 と同様な方法で強磁性金属薄膜3を形成し
た後、一旦真空を破り、金属薄膜型磁気テープ用原反2
7を23℃−60%RHの環境下に3日間放置し、次に
実施例4−1と同様な方法でドライエッチング処理部
5、硬質炭素膜6改質面7を真空中で連続形成すること
以外は実施例4−1と同様な方法により、8mmVTR
用金属薄膜型磁気テープを作製した。
Reference Example 41 A ferromagnetic metal thin film 3 was formed in the same manner as in Example 4-1.
7 in a 23 ° C.-60% RH environment for 3 days,
An 8 mm VTR was produced in the same manner as in Example 4-1 except that the dry etching portion 5, the hard carbon film 6 and the modified surface 7 were continuously formed in a vacuum in the same manner as in Example 4-1.
Metal thin film type magnetic tape was prepared.

【0202】比較例4 ドライエッチング処理部5を形成することなく、真空中
で微小突起層2が形成されたポリエチレンテレフタレー
トフィルム1表面上に強磁性金属薄膜3、硬質炭素膜
6、改質面7を連続形成すること以外は実施例4−1
同様な方法により、8mmVTR用金属薄膜型磁気テー
プを作製した。
Comparative Example 4 A ferromagnetic metal thin film 3, a hard carbon film 6, and a modified surface 7 were formed on a surface of a polyethylene terephthalate film 1 on which a microprojection layer 2 was formed in a vacuum without forming a dry etching portion 5. Was formed in the same manner as in Example 4-1 except that the metal thin film magnetic tape for 8 mm VTR was used.

【0203】実施例、参考例及び比較例におけるドライ
エッチング処理部5の処理条件と原子比率(O/Co、
O/C)及びCo原子の化学結合状態、ドライエッチン
グ処理部5表面の臨界表面張力(γC) 、ならびに硬質
炭素膜6のビッカース硬度は、(参考例1)と同様な方
法により測定を行った。その結果を参考値として(表1
1)に示す。
[0203] Example, the process conditions and the atomic ratio of dry etching unit 5 in the Reference Examples and Comparative Examples (O / Co,
The chemical bonding state of O / C) and Co atoms, the critical surface tension (γ C ) of the surface of the dry etching treatment section 5 and the Vickers hardness of the hard carbon film 6 were measured by the same method as in (Reference Example 1). Was. Using the results as reference values (Table 1
Shown in 1).

【0204】[0204]

【表11】 [Table 11]

【0205】また実施例及び比較例において硬質炭素膜
6表面上に形成した改質面7は、窒素濃度が最表面から
深さ方向に向かって減少している構造となっていること
を角度分解X線光電子分光法(Angle Resolved XP
S)を用いた深さ方向の組成分析により確認した。
In the embodiment and the comparative example, the modified surface 7 formed on the surface of the hard carbon film 6 has a structure in which the nitrogen concentration decreases from the outermost surface in the depth direction. X-ray photoelectron spectroscopy (Angle Resolved XP
It was confirmed by a composition analysis in the depth direction using S).

【0206】また実施例、参考例及び比較例における改
質面7の処理条件と、化学組成(原子比率)ならびに化
学結合状態は、含フッ素系潤滑剤層8未形成の金属薄膜
型磁気テープ用原反27を用いてX線光電子分光法(X
PS)により表面分析したものであり、その結果を参考
値として(表11)に示す。
The processing conditions, the chemical composition (atomic ratio) and the chemical bonding state of the modified surface 7 in Examples, Reference Examples and Comparative Examples are as follows for the metal thin film type magnetic tape without the fluorine-containing lubricant layer 8 formed. X-ray photoelectron spectroscopy (X
(PS) surface analysis, and refer to the results
The values are shown in (Table 11).

【0207】以上の実施例及び比較例にて得られた各8
mmVTR用金属薄膜型磁気テープについて(実施例
3)と同一内容の測定を行った。なおC/Nの測定結果
については、実施例3−3において作製した磁気テープ
のC/N値を基準(0dB)とした相対値にて示してい
る。
Each of the 8 samples obtained in the above Examples and Comparative Examples
mm Thin Film Magnetic Tape for VTR (Example
The same measurement as in 3) was performed. The C / N measurement results are shown as relative values based on the C / N value of the magnetic tape produced in Example 3-3 (0 dB).

【0208】(表12)に各実施例、比較例にて作製し
た8mmVTR用金属薄膜型磁気テープの評価結果を示
す。
Table 12 shows the evaluation results of the metal thin film magnetic tapes for 8 mm VTR manufactured in the respective examples and comparative examples.

【0209】[0209]

【表12】 [Table 12]

【0210】(表11)、(表12)から明らかなよう
に、本実施例の金属薄膜型磁気テープは、強磁性金属薄
膜表面に原子状酸素を含む化学活性種(励起種)が照射
されることによって、金属薄膜型磁気テープに熱的な損
傷を与えることなく、強磁性金属薄膜表面に付着してい
る汚染物質や低分子化合物のみが選択的に除去されたド
ライエッチング処理部が形成されるために強磁性金属薄
膜と硬質炭素膜との密着性が飛躍的に向上する。さらに
潤滑剤分子中に導入された極性基(カルボキシル基)と
化学的親和力の強い窒素原子を適切な量だけ含有した厚
さ3nm未満の改質面が硬質炭素膜上に形成されている
ために、硬質炭素膜と改質面からなる保護膜の硬度を低
下させることなく、しかも強磁性金属薄膜と磁気ヘッド
とのスペーシング損失を増大させることなくテープ表面
に潤滑剤分子を強固に保持することができる。また改質
面の窒素濃度が最表面から深さ方向に向かって(硬質炭
素膜との界面の方向に向かって)減少している構造とな
っているために改質面自体の内部応力を適度に緩和する
ことができ、しかも硬質炭素膜上に改質面を形成するた
めに硬質炭素膜表面を含窒素有機系ガスと炭化水素系ガ
スと無機系ガスとの混合ガスによるグロー放電プラズマ
に曝す方法を適用することにより、硬質炭素膜表面を清
浄化しつつプラズマ中の化学活性種(反応活性種)を堆
積させることができるため、硬質炭素膜と改質面との密
着性をより向上させることが可能となる。したがって磁
性層上に形成された硬質炭素膜と潤滑剤層との相乗効果
を充分に発揮することができるため、耐久性、耐候性、
走行安定性を飛躍的に向上させることが可能となった。
さらに強磁性金属薄膜とドライエッチング処理部と硬質
炭素膜と改質面とを真空中で連続的に形成することによ
り、強磁性金属薄膜表面及び硬質炭素膜表面への大気中
からの水分等の吸着を大幅に低減することができるた
め、Bsδ の減少率の低減化、走行耐久性の大幅向上を
達成することができた。
As is clear from Tables 11 and 12, the metal thin film type magnetic tape of this example was irradiated with a chemically active species (excited species) containing atomic oxygen on the surface of the ferromagnetic metal thin film. As a result, a dry etching portion is formed in which only contaminants and low molecular compounds adhering to the surface of the ferromagnetic metal thin film are selectively removed without thermally damaging the metal thin film magnetic tape. Therefore, the adhesion between the ferromagnetic metal thin film and the hard carbon film is dramatically improved. Further, since a modified surface having a thickness of less than 3 nm containing an appropriate amount of a nitrogen atom having a strong chemical affinity with a polar group (carboxyl group) introduced into the lubricant molecule is formed on the hard carbon film. To firmly retain lubricant molecules on the tape surface without lowering the hardness of the protective film consisting of the hard carbon film and the modified surface, and without increasing the spacing loss between the ferromagnetic metal thin film and the magnetic head. Can be. In addition, since the nitrogen concentration of the modified surface decreases from the outermost surface in the depth direction (toward the interface with the hard carbon film), the internal stress of the modified surface itself is moderately reduced. In order to form a modified surface on the hard carbon film, the surface of the hard carbon film is exposed to a glow discharge plasma by a mixed gas of a nitrogen-containing organic gas, a hydrocarbon gas and an inorganic gas. By applying the method, it is possible to deposit the chemically active species (reactive species) in the plasma while cleaning the surface of the hard carbon film, thereby further improving the adhesion between the hard carbon film and the modified surface. Becomes possible. Therefore, since the synergistic effect of the hard carbon film formed on the magnetic layer and the lubricant layer can be sufficiently exhibited, durability, weather resistance,
Driving stability has been dramatically improved.
Furthermore, by continuously forming the ferromagnetic metal thin film, the dry etching portion, the hard carbon film, and the modified surface in a vacuum, the moisture and the like from the atmosphere on the surface of the ferromagnetic metal thin film and the surface of the hard carbon film are reduced. Since the adsorption can be greatly reduced, the reduction rate of Bsδ can be reduced and the running durability can be greatly improved.

【0211】参考例41では、強磁性金属薄膜表面への
大気中からの水分等の吸着により、Bsδ の減少率が大
きくなり、走行耐久性も低下した。
In Reference Example 41 , the adsorption rate of moisture and the like from the air on the surface of the ferromagnetic metal thin film increased the rate of decrease of Bsδ and lowered running durability.

【0212】比較例4では、強磁性金属薄膜表面にドラ
イエッチング処理部が形成されていないために、強磁性
金属薄膜と硬質炭素膜との密着性が充分に改善されず、
Bsδ の減少率、高温高湿環境保存後のスチルライフ、
走行耐久性が悪化した。
In Comparative Example 4 , since no dry-etched portion was formed on the surface of the ferromagnetic metal thin film, the adhesion between the ferromagnetic metal thin film and the hard carbon film was not sufficiently improved.
Bsδ reduction rate, still life after high temperature and high humidity storage,
Running durability deteriorated.

【0213】なお上記実施例では、8mmVTR用金属
薄膜型磁気テープのみについて説明したが、これに限定
されるものではなく、他の強磁性金属薄膜型磁気テー
プ、磁気ディスク等の磁気記録媒体についても同様に適
用できる。
In the above embodiment, only the metal thin film type magnetic tape for 8 mm VTR has been described. However, the present invention is not limited to this, and other magnetic recording media such as ferromagnetic metal thin film type magnetic tapes and magnetic disks can be used. The same applies.

【0214】また上記実施例では、ドライエッチング処
理部を形成するためのエッチングモードとして、プラズ
マエッチングを利用した場合についてのみ示したが、こ
のモードに限定されるものではなくスパッタエッチン
グ、イオンビームエッチング等のドライエッチングモー
ドについても同様に実施可能である。
In the above embodiment, only the case where plasma etching is used as an etching mode for forming a dry etching portion is described. However, the present invention is not limited to this mode. The dry etching mode can be similarly performed.

【0215】また上記実施例では、ドライエッチング処
理部をプラズマエッチングにより形成する際に、強磁性
金属薄膜表面に照射する原子状酸素を含む化学活性種
(励起種)生成用の酸化性ガスとして、酸素を使用した
場合についてのみ示したが、これに限定されるものでは
なく他の酸化性ガスについても同様に適用できる。
In the above embodiment, when the dry etching portion is formed by plasma etching, the surface of the ferromagnetic metal thin film is irradiated with an oxidizing gas for generating chemically active species (excited species) containing atomic oxygen. Although only the case where oxygen is used has been described, the present invention is not limited to this, and the same can be applied to other oxidizing gases.

【0216】また上記実施例では、ドライエッチング処
理部をプラズマエッチングにより形成する際の放電形式
として直流電圧のみを印加する方式についてのみ示した
が、この方式に限定されるものではなく、直流電圧と交
流電圧とを重畳させて印加する方式ならびに交流電圧の
みを印加する方式についても同様に実施可能である。
In the above embodiment, only the method of applying only a DC voltage as a discharge type when forming a dry etching portion by plasma etching has been described. However, the present invention is not limited to this method. A method in which an AC voltage is superimposed and applied and a method in which only an AC voltage is applied can be similarly implemented.

【0217】また上記実施例では、硬質炭素膜表面に照
射するグロー放電プラズマ生成用の原料ガス(すなわち
改質面形成用の原料ガス)として、含窒素有機系ガスに
ついては、ピリジン、アリルアミン、n−プロピルアミ
ンを使用した場合についてのみ示したが、これらに限定
されるものではなく窒素原子を分子中に含有した有機系
モノマーガスであれば同様に適用できる。無機系ガスに
ついては、H2、NH3を使用した場合についてのみ示し
たが、これらに限定されるものではなく上記ガス以外の
Ar、He、N2、O2についても同様に適用可能であ
る。また窒素原子の濃度勾配を有する改質面を形成する
ための原料ガスの一つとして、メタンガスを使用した場
合についてのみ示したが、他の炭化水素系ガスについて
も同様に適用できる。
In the above embodiment, pyridine, allylamine, and n-containing organic gas are used as the source gas for generating the glow discharge plasma for irradiating the surface of the hard carbon film (ie, the source gas for forming the modified surface). Although only the case where -propylamine is used is shown, the present invention is not limited thereto, and the same applies to any organic monomer gas containing a nitrogen atom in the molecule. As for the inorganic gas, only the case where H 2 and NH 3 are used is shown. However, the present invention is not limited thereto, and the same applies to Ar, He, N 2 and O 2 other than the above gases. . Although only the case where methane gas is used as one of the source gases for forming the reformed surface having a concentration gradient of nitrogen atoms is shown, the present invention can be similarly applied to other hydrocarbon gases.

【0218】また上記実施例では、改質面をプラズマC
VD法により形成する際の放電形式として直流電圧のみ
を印加する方式についてのみ示したが、この方式に限定
されるものではなく、直流電圧と交流電圧とを重畳させ
て印加する方式ならびに交流電圧のみを印加する方式に
ついても同様に実施可能である。
Further, in the above embodiment, the modified surface is formed by the plasma C
Although only a method of applying a DC voltage as a discharge type when forming by the VD method has been described, the present invention is not limited to this method, and a method of applying a DC voltage and an AC voltage in a superposed manner and an AC voltage only Can be similarly implemented.

【0219】また上記実施例では、硬質炭素膜をプラズ
マCVD法により形成したが、この作製方法に限定され
るものではなく、イオンビーム蒸着法、イオンビームス
パッタ法、レーザー蒸着法等を用いることも同様に実施
可能である。
In the above embodiment, the hard carbon film is formed by the plasma CVD method. However, the present invention is not limited to this method, and an ion beam evaporation method, an ion beam sputtering method, a laser evaporation method, or the like may be used. It can be implemented similarly.

【0220】また上記実施例では、硬質炭素膜をプラズ
マCVD法により形成する際の放電形式として直流電圧
のみを印加する方式についてのみ示したが、この方式に
限定されるものではなく、直流電圧と交流電圧とを重畳
させて印加する方式ならびに交流電圧のみを印加する方
式についても同様に実施可能である。
Further, in the above-described embodiment, only a method of applying a DC voltage as a discharge type when a hard carbon film is formed by a plasma CVD method has been described. However, the present invention is not limited to this method. A method in which an AC voltage is superimposed and applied and a method in which only an AC voltage is applied can be similarly implemented.

【0221】また上記実施例では、極性基としてカルボ
キシル基を分子中に導入した含フッ素系潤滑剤について
のみ示したが、−OH、−SH、−NH2 、=NH、−
NCO、−CONH2 、−CONHR、−CONR2
−COOR、=PR、=PRO、=PRS、−OPO
(OH)2 、−OPO(OR)2 、−SO3 M(ただ
し、Rは炭素数1〜22の炭化水素基、Mは水素、アル
カリ金属またはアルカリ土類金属)から選ばれた少なく
とも一つの極性基を有する含フッ素系潤滑剤であれば同
様に適用可能である。
In the above examples, only the fluorinated lubricant in which a carboxyl group was introduced as a polar group into the molecule was shown, but -OH, -SH, -NH 2 , = NH,-
NCO, -CONH 2, -CONHR, -CONR 2,
-COOR, = PR, = PRO, = PRS, -OPO
(OH) 2 , —OPO (OR) 2 , —SO 3 M (where R is a hydrocarbon group having 1 to 22 carbon atoms, M is hydrogen, an alkali metal or an alkaline earth metal) The same applies to a fluorine-containing lubricant having a polar group.

【0222】また上記実施例では、強磁性金属薄膜を真
空蒸着法により形成したが、この作製方法に限定される
ものではなく、イオンプレーティング法、スパッタリン
グ法等を用いることも同様に実施可能である。
In the above embodiment, the ferromagnetic metal thin film is formed by the vacuum evaporation method. However, the present invention is not limited to this manufacturing method, and an ion plating method, a sputtering method, or the like can be used. is there.

【0223】[0223]

【発明の効果】以上のように本発明は、非磁性基板上に
強磁性金属薄膜を形成し、この強磁性金属薄膜表面に少
なくとも原子状酸素を含む化学活性種(励起種)を照射
することで強磁性金属薄膜の表面層に酸素原子を他の部
分よりも多く含むドライエッチング処理部を設けた後、
硬質炭素膜を形成し、この硬質炭素膜表面を含窒素有機
系ガスと無機系ガスとの混合ガスによるグロー放電プラ
ズマに曝すことで硬質炭素膜上に炭素、窒素、酸素を
む改質面を形成し、さらにこの改質面上に潤滑剤層を形
成する製造方法、あるいは非磁性基板上に強磁性金属薄
膜を形成し、この強磁性金属薄膜表面に少なくとも原子
状酸素を含む化学活性種(励起種)を照射することで強
磁性金属薄膜の表面層に酸素原子を他の部分よりも多く
含むドライエッチング処理部を設けた後、硬質炭素膜を
形成し、この硬質炭素膜表面を含窒素有機系ガスと炭化
水素系ガスと無機系ガスとの混合ガスによるグロー放電
プラズマに曝すことで硬質炭素膜上に炭素、窒素、酸素
含み、窒素濃度が最表面から深さ方向に向かって減少
する改質面を形成し、さらにこの改質面上に潤滑剤層を
形成する製造方法により、電磁変換特性、走行安定性、
耐久性、耐候性に優れた磁気記録媒体を提供することが
可能となり、その実用上の価値は大なるものがある。
As described above, according to the present invention, a ferromagnetic metal thin film is formed on a nonmagnetic substrate, and the surface of the ferromagnetic metal thin film is irradiated with a chemically active species (excited species) containing at least atomic oxygen. After providing a dry etching processing part containing more oxygen atoms in the surface layer of the ferromagnetic metal thin film than other parts,
A hard carbon film is formed, and the surface of the hard carbon film is exposed to glow discharge plasma by a mixed gas of a nitrogen-containing organic gas and an inorganic gas, thereby containing carbon, nitrogen and oxygen on the hard carbon film.
Forming a non-modified surface, further manufacturing method for forming a lubricant layer on the modified surface, or a ferromagnetic metal thin film formed on a nonmagnetic substrate, at least atomic oxygen in the ferromagnetic metal thin film surface A hard carbon film is formed by irradiating the surface layer of the ferromagnetic metal thin film with a chemically etched species (excited species) to form a hard carbon film after providing a dry etching portion containing more oxygen atoms than other portions. By exposing the film surface to glow discharge plasma with a mixed gas of nitrogen-containing organic gas, hydrocarbon gas and inorganic gas, carbon, nitrogen and oxygen are contained on the hard carbon film , and the nitrogen concentration becomes Decreases in the direction
Forming a modified surface to be formed, further by a manufacturing method of forming a lubricant layer on this modified surface, electromagnetic conversion characteristics, running stability,
It is possible to provide a magnetic recording medium having excellent durability and weather resistance, and its practical value is large.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明における実施例1〜実施例4の強磁性金
属薄膜型磁気テープの構成を示す拡大断面図
FIG. 1 is an enlarged sectional view showing a configuration of a ferromagnetic metal thin film type magnetic tape of Examples 1 to 4 in the present invention.

【図2】本発明における参考例1、参考例2の強磁性金
属薄膜型磁気テープの構成を示す拡大断面図
FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view showing the configuration of a ferromagnetic metal thin film type magnetic tape according to Reference Examples 1 and 2 of the present invention.

【図3】本発明の参考例1に対応する強磁性金属薄膜型
磁気テープを構成しているドライエッチング処理部及び
硬質炭素膜を真空中で連続的に形成するための製造装置
の概略図
FIG. 3 is a schematic view of a dry etching processing part constituting a ferromagnetic metal thin film type magnetic tape corresponding to the first embodiment of the present invention and a manufacturing apparatus for continuously forming a hard carbon film in a vacuum.

【図4】本発明の参考例2に対応する強磁性金属薄膜型
磁気テープを構成している強磁性金属薄膜及びドライエ
ッチング処理部及び硬質炭素膜を真空中で連続的に形成
するための製造装置の概略図
FIG. 4 is a diagram illustrating a method for continuously forming a ferromagnetic metal thin film, a dry-etched portion, and a hard carbon film in a vacuum in a ferromagnetic metal thin film magnetic tape according to a second embodiment of the present invention. Schematic diagram of the device

【図5】本発明の実施例1に対応する強磁性金属薄膜型
磁気テープを構成しているドライエッチング処理部及び
硬質炭素膜及び改質面を真空中で連続的に形成するため
の製造装置の概略図
FIG. 5 is a manufacturing apparatus for continuously forming a dry-etched portion, a hard carbon film, and a modified surface constituting a ferromagnetic metal thin film type magnetic tape according to the first embodiment of the present invention in a vacuum; Schematic diagram of

【図6】本発明の実施例2に対応する強磁性金属薄膜型
磁気テープを構成しているドライエッチング処理部及び
硬質炭素膜及び窒素原子の濃度勾配を有する改質面を真
空中で連続的に形成するための製造装置の概略図
FIG. 6 shows a dry-etched portion, a hard carbon film, and a modified surface having a concentration gradient of nitrogen atoms constituting a ferromagnetic metal thin-film type magnetic tape corresponding to Example 2 of the present invention continuously in vacuum. Schematic diagram of manufacturing equipment for forming into

【図7】本発明の実施例3に対応する強磁性金属薄膜型
磁気テープを構成している強磁性金属薄膜及びドライエ
ッチング処理部及び硬質炭素膜及び改質面を真空中で連
続的に形成するための製造装置の概略図
FIG. 7: A ferromagnetic metal thin film, a dry etching portion, a hard carbon film and a modified surface constituting a ferromagnetic metal thin film type magnetic tape corresponding to Embodiment 3 of the present invention are continuously formed in a vacuum. Schematic diagram of manufacturing equipment for performing

【図8】本発明の実施例4に対応する強磁性金属薄膜型
磁気テープを構成している強磁性金属薄膜及びドライエ
ッチング処理部及び硬質炭素膜及び窒素原子の濃度勾配
を有する改質面を真空中で連続的に形成するための製造
装置の概略図
FIG. 8 shows a ferromagnetic metal thin film, a dry-etched portion, a hard carbon film, and a modified surface having a concentration gradient of nitrogen atoms, which constitute a ferromagnetic metal thin film magnetic tape according to Example 4 of the present invention. Schematic diagram of manufacturing equipment for continuous formation in vacuum

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 非磁性基板 2 微小突起層 3 強磁性金属薄膜 4 バックコート層 5 ドライエッチング処理部 6 硬質炭素膜 7 改質面 8 含フッ素系潤滑剤層 9 真空槽 10 真空ポンプ 11 金属薄膜型磁気テープ用原反 12 巻き出しロール 13 パスロール 14 パスロール 15 冷却キャン 16 巻き取りロール 17 放電管 18 パンチングメタル放電電極 19 プラズマ発生用電源 20 原料ガス導入口 21 放電管 22 パイプ状の放電電極 23 プラズマ発生用電源 24 原料ガス導入口 25 真空槽 26 真空ポンプ 27 金属薄膜型磁気テープ用原反 28 巻き出しロール 29 パスロール 30 パスロール 31 パスロール 32 パスロール 33 冷却キャン 34 冷却キャン 35 巻き取りロール 36 坩堝 37 蒸発源 38 電子銃 39 遮蔽マスク 40 酸素ガス導入口 41 放電管 42 パンチングメタル放電電極 43 プラズマ発生用電源 44 原料ガス導入口 45 放電管 46 パイプ状の放電電極 47 プラズマ発生用電源 48 原料ガス導入口 49 放電管 50 パンチングメタル放電電極 51 プラズマ発生用電源 52 原料ガス導入口 53 放電管 54 放電管 55 放電管 56 パンチングメタル放電電極 57 パンチングメタル放電電極 58 パンチングメタル放電電極 59 プラズマ発生用電源 60 プラズマ発生用電源 61 プラズマ発生用電源 62 原料ガス導入口 63 原料ガス導入口 64 原料ガス導入口 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Non-magnetic substrate 2 Micro protrusion layer 3 Ferromagnetic metal thin film 4 Back coat layer 5 Dry etching processing part 6 Hard carbon film 7 Modified surface 8 Fluorine-containing lubricant layer 9 Vacuum tank 10 Vacuum pump 11 Metal thin film type magnetic tape Raw material 12 Unwind roll 13 Pass roll 14 Pass roll 15 Cooling can 16 Take-up roll 17 Discharge tube 18 Punching metal discharge electrode 19 Plasma generation power supply 20 Source gas inlet 21 Discharge tube 22 Pipe-shaped discharge electrode 23 Plasma generation power supply 24 Source gas inlet 25 Vacuum tank 26 Vacuum pump 27 Material roll for metal thin film magnetic tape 28 Unwind roll 29 Pass roll 30 Pass roll 31 Pass roll 32 Pass roll 33 Cooling can 34 Cooling can 35 Rewind roll 36 Crucible 37 Evaporation source 38 Electron gun 39 Shielding mass Reference Signs List 40 oxygen gas inlet 41 discharge tube 42 punching metal discharge electrode 43 power supply for plasma generation 44 source gas inlet 45 discharge tube 46 pipe-shaped discharge electrode 47 plasma generation power supply 48 source gas inlet 49 discharge tube 50 punching metal discharge electrode Reference Signs List 51 Power supply for plasma generation 52 Source gas inlet 53 Discharge tube 54 Discharge tube 55 Discharge tube 56 Punching metal discharge electrode 57 Punching metal discharge electrode 58 Punching metal discharge electrode 59 Power supply for plasma generation 60 Power supply for plasma generation 61 Power supply for plasma generation 62 Source gas inlet 63 Source gas inlet 64 Source gas inlet

フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI C23F 4/00 C23F 4/00 A G11B 5/851 G11B 5/851 (72)発明者 村居 幹夫 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (72)発明者 高橋 喜代司 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (72)発明者 小田桐 優 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (72)発明者 岡崎 禎之 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭62−175925(JP,A) 特開 平5−298682(JP,A) 特開 平3−238620(JP,A) 特開 平1−263912(JP,A) 特開 平2−12614(JP,A) 特開 昭57−179949(JP,A) 特開 昭61−151830(JP,A) 特開 昭61−117728(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G11B 5/62 - 5/858 C23C 14/06 C23C 16/26 - 16/50 C23F 4/00 Continuation of the front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI C23F 4/00 C23F 4/00 A G11B 5/851 G11B 5/851 (72) Inventor Mikio Murai 1006 Odakadoma, Kazuma, Osaka Matsushita Electric (72) Inventor Kiyoji Takahashi 1006 Kadoma Kadoma, Kadoma City, Osaka Prefecture Inside Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (72) Inventor: Yu Odagi 1006 Kadoma Kadoma, Kadoma City, Osaka Pref. 72) Inventor Yoshiyuki Okazaki 1006 Kazuma, Kadoma, Osaka Prefecture Inside Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (56) References JP-A-62-175925 (JP, A) JP-A-5-298682 (JP, A) JP JP-A-3-238620 (JP, A) JP-A-1-263912 (JP, A) JP-A-2-12614 (JP, A) JP-A-57-179949 (JP, A) JP-A-61-151830 (JP) , A) JP-A-61-117728 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) G11B 5/62-5/858 C23C 14/06 C23C 16/26-16/50 C23F 4/00

Claims (9)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】非磁性基板上に強磁性金属薄膜を形成し、
真空中にて上記強磁性金属薄膜表面に少なくとも原子状
酸素を含む化学活性種(励起種)を照射することでドラ
イエッチング処理部を設けた後、真空を破ることなく硬
質炭素膜を形成し、さらに真空を破ることなく上記硬質
炭素膜表面を含窒素有機系ガスと無機系ガスとの混合ガ
スによるグロー放電プラズマに曝すことで改質面を形成
した後、潤滑剤層を形成することを特徴とする磁気記録
媒体の製造方法。
A ferromagnetic metal thin film formed on a non-magnetic substrate,
After irradiating the surface of the ferromagnetic metal thin film with a chemically active species (excited species) containing at least atomic oxygen in a vacuum to provide a dry etching portion, a hard carbon film is formed without breaking the vacuum, Furthermore, the lubricant layer is formed after forming the modified surface by exposing the surface of the hard carbon film to a glow discharge plasma with a mixed gas of a nitrogen-containing organic gas and an inorganic gas without breaking vacuum. A method for manufacturing a magnetic recording medium.
【請求項2】非磁性基板上に強磁性金属薄膜を形成し、
真空中にて上記強磁性金属薄膜表面に少なくとも原子状
酸素を含む化学活性種(励起種)を照射することでドラ
イエッチング処理部を設けた後、真空を破ることなく硬
質炭素膜を形成し、さらに真空を破ることなく上記硬質
炭素膜表面を含窒素有機系ガスと炭化水素系ガスと無機
ガスとの混合ガスによるグロー放電プラズマに曝すこと
で改質面を形成した後、潤滑剤層を形成することを特徴
とする磁気記録媒体の製造方法。
2. A ferromagnetic metal thin film is formed on a non-magnetic substrate,
After irradiating the surface of the ferromagnetic metal thin film with a chemically active species (excited species) containing at least atomic oxygen in a vacuum to provide a dry etching portion, a hard carbon film is formed without breaking the vacuum, Further, after forming the modified surface by exposing the surface of the hard carbon film to a glow discharge plasma with a mixed gas of a nitrogen-containing organic gas, a hydrocarbon-based gas, and an inorganic gas without breaking the vacuum, a lubricant layer is formed. A method for manufacturing a magnetic recording medium.
【請求項3】非磁性基板上に真空蒸着法またはイオンプ
レーティング法またはスパッタリング法により強磁性金
属薄膜を形成し、真空を破ることなく上記強磁性金属薄
膜表面に少なくとも原子状酸素を含む化学活性種(励起
種)を照射することでドライエッチング処理部を設けた
後、真空を破ることなく硬質炭素膜を形成し、さらに真
空を破ることなく上記硬質炭素膜表面を含窒素有機系ガ
スと無機系ガスとの混合ガスによるグロー放電プラズマ
に曝すことで改質面を形成した後、潤滑剤層を形成する
ことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
3. A method of forming a ferromagnetic metal thin film on a non-magnetic substrate by a vacuum deposition method, an ion plating method, or a sputtering method, wherein the surface of the ferromagnetic metal thin film contains at least atomic oxygen without breaking vacuum. After irradiating a seed (excited species) with a dry etching treatment part, a hard carbon film is formed without breaking vacuum, and the surface of the hard carbon film is further broken without breaking a vacuum. A method for manufacturing a magnetic recording medium, comprising: forming a modified surface by exposing to a glow discharge plasma by a mixed gas with a system gas; and then forming a lubricant layer.
【請求項4】非磁性基板上に真空蒸着法またはイオンプ
レーティング法またはスパッタリング法により強磁性金
属薄膜を形成し、真空を破ることなく上記強磁性金属薄
膜表面に少なくとも原子状酸素を含む化学活性種(励起
種)を照射することでドライエッチング処理部を設けた
後、真空を破ることなく硬質炭素膜を形成し、さらに真
空を破ることなく上記硬質炭素膜表面を含窒素有機系ガ
スと炭化水素系ガスと無機ガスとの混合ガスによるグロ
ー放電プラズマに曝すことで改質面を形成した後、潤滑
剤層を形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方
法。
4. A ferromagnetic metal thin film is formed on a non-magnetic substrate by a vacuum deposition method, an ion plating method, or a sputtering method, and the surface of the ferromagnetic metal thin film contains at least atomic oxygen without breaking vacuum. After irradiating a seed (excited species) with a dry etching treatment part, a hard carbon film is formed without breaking vacuum, and the hard carbon film surface is carbonized with a nitrogen-containing organic gas without breaking vacuum. A method for manufacturing a magnetic recording medium, comprising: forming a modified surface by exposing to a glow discharge plasma of a mixed gas of a hydrogen-based gas and an inorganic gas; and then forming a lubricant layer.
【請求項5】強磁性金属薄膜表面を酸化性ガスによるグ
ロー放電プラズマに曝すことでドライエッチング処理部
を設けることを特徴とする請求項1、2、3,4、のい
ずれか1項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
5. The dry etching section according to claim 1, wherein the surface of the ferromagnetic metal thin film is exposed to a glow discharge plasma generated by an oxidizing gas. A method for manufacturing a magnetic recording medium.
【請求項6】硬質炭素膜表面を炭化水素系ガスに対する
含窒素有機系ガスの比率を段階的に増加させた混合ガス
によるグロー放電プラズマに順次曝すことで改質面を形
成することを特徴とする請求項2または4に記載の磁気
記録媒体の製造方法。
6. A modified surface is formed by sequentially exposing the surface of the hard carbon film to glow discharge plasma by a mixed gas in which a ratio of a nitrogen-containing organic gas to a hydrocarbon-based gas is gradually increased. The method for manufacturing a magnetic recording medium according to claim 2 or 4 , wherein:
【請求項7】無機系ガスとしては、Ar、He、H2
2、O2、NH3から選ばれた一種類以上の材料を用い
ることを特徴とする請求項1、2、3、4、6のいずれ
か1項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
7. The inorganic gas includes Ar, He, H 2 ,
N 2, O 2, The method of manufacturing a magnetic recording medium according to any one of claims 1,2,3,4,6, characterized by using one or more materials selected from NH 3.
【請求項8】改質面を形成する際の含窒素有機系ガス分
圧を総ガス圧力の20〜70%とすることを特徴とする
請求項1、2、3、4、6、7のいずれか1項に記載の
磁気記録媒体の製造方法。
8. claims 1,2,3,4,6,7, characterized in that the nitrogen-containing organic gas partial pressure for forming the modified surface and 20 to 70% of the total gas pressure A method for manufacturing a magnetic recording medium according to any one of the preceding claims.
【請求項9】 潤滑剤層が、−COOH、−OH、−S
H、−NH2 、>NH、−CONH2 、−CONHR、
−CONR2 、−COOR、>PR、>PRO、>PR
S、−OPO(OH)2 、−OPO(OR)2 、−SO
3 M(ただし、Rは炭素数1〜22の炭化水素基、Mは
水素、アルカリ金属またはアルカリ土類金属)から選ば
れた一種類以上の極性基を有する含フッ素系潤滑剤層で
あることを特徴とする請求項1〜8のいずれか1項に記
載の磁気記録媒体の製造方法。
9. A lubricant layer comprising -COOH, -OH, -S
H, -NH 2,> NH, -CONH 2, -CONHR,
-CONR 2, -COOR,> PR, >PRO,> PR
S, -OPO (OH) 2 , -OPO (OR) 2 , -SO
3 M (where R is a hydrocarbon group having 1 to 22 carbon atoms, M is hydrogen, an alkali metal or an alkaline earth metal) is a fluorinated lubricant layer having at least one kind of polar group selected from The method for manufacturing a magnetic recording medium according to claim 1 , wherein:
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