JP3313609B2 - Wafer processing stage of wafer peripheral exposure system - Google Patents

Wafer processing stage of wafer peripheral exposure system

Info

Publication number
JP3313609B2
JP3313609B2 JP08463097A JP8463097A JP3313609B2 JP 3313609 B2 JP3313609 B2 JP 3313609B2 JP 08463097 A JP08463097 A JP 08463097A JP 8463097 A JP8463097 A JP 8463097A JP 3313609 B2 JP3313609 B2 JP 3313609B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
fixing portion
processing stage
wafer fixing
center
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP08463097A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH10261582A (en
Inventor
勇 澁谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ushio Denki KK
Original Assignee
Ushio Denki KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ushio Denki KK filed Critical Ushio Denki KK
Priority to JP08463097A priority Critical patent/JP3313609B2/en
Publication of JPH10261582A publication Critical patent/JPH10261582A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3313609B2 publication Critical patent/JP3313609B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ウエハ上の不要レ
ジストを現像工程で除去するために適用されるウエハ周
辺露光装置において、ウエハを吸着固定して移動したり
回転したりするウエハ処理ステージに関するものであ
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer processing stage which moves and rotates a wafer while attracting and fixing the wafer in a wafer peripheral exposure apparatus applied to remove unnecessary resist on the wafer in a developing step. Things.

【0002】[0002]

【従来の技術】例えばIC、LSI等の半導体装置の製
造に際しては、シリコンウエハ等の半導体ウエハの表面
にフォトレジスト(以下レジストと称する)を塗布し、
次いで回路パターンを露光し、これを現像して、レジス
トパターンを形成することが行われている。このレジス
トパターンをマスクにして、イオン注入、エッチング、
リフトオフなどの加工が施される。レジストの半導体ウ
エハ(以下ウエハと称する)への塗布は、塗布により形
成されるレジスト膜の厚みを均一にするために、通常、
スピンコート法によりウエハの全表面に対して行われ
る。よって、パターン形成領域としてあまり利用される
ことのないウエハの周辺部にもレジストが塗布される。
2. Description of the Related Art For example, when manufacturing semiconductor devices such as ICs and LSIs, a photoresist (hereinafter referred to as a resist) is applied to the surface of a semiconductor wafer such as a silicon wafer.
Next, a circuit pattern is exposed and developed to form a resist pattern. Using this resist pattern as a mask, ion implantation, etching,
Processing such as lift-off is performed. The application of a resist to a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer) is usually performed in order to make the thickness of a resist film formed by the application uniform.
This is performed on the entire surface of the wafer by spin coating. Therefore, the resist is also applied to the peripheral portion of the wafer that is not often used as a pattern formation region.

【0003】レジストがポジ型レジストである場合に
は、周辺部が露光されないため現像後も周辺部にレジス
トが残留する。この周辺部に残留したレジストはウエハ
の搬送、保持の際に剥離等が発生して周辺機器を汚染
し、ひいてはウエハ表面の汚染となり、歩留りの低下を
招く原因となる。これは、特に、集積回路の高機能化、
微細化が進みつつある現在、深刻な問題となっている。
When the resist is a positive resist, the peripheral portion is not exposed, so that the resist remains on the peripheral portion even after development. The resist remaining in the peripheral portion causes peeling or the like at the time of transporting and holding the wafer, and contaminates peripheral devices, eventually contaminating the wafer surface, leading to a reduction in yield. This is especially true for higher functionality integrated circuits,
As miniaturization is progressing, it has become a serious problem.

【0004】そこで、周辺部の不要レジストを現像工程
で除去することが提案され、それを実現するために、パ
ターン形成領域における回路パターンの露光工程とは別
に、周辺部の不要レジストを露光するウエハ周辺露光工
程が採用されている。レジストの塗布されたウエハ表面
を逐次移動型縮小投影露光装置(ステッパー)によって
露光する場合、1チップ分の回路パターンを露光できな
い周辺部分の形状は階段状となる。ウエハ周辺露光工程
においてこのような階段状の不要レジストを露光する場
合は、レジストが塗布されたウエハを処理ステージに載
置して真空吸着により固定し、この処理ステージを互い
に直交する二方向(以下X−Y方向と称する)に移動さ
せ、導光ファイバにより導かれる露光光をウエハ上の不
要レジストの階段状パターンに沿って移動させながらス
ポット的に照射する。
Therefore, it has been proposed to remove the unnecessary resist in the peripheral portion by a developing process. In order to realize this, a wafer for exposing the unnecessary resist in the peripheral portion is exposed separately from the step of exposing the circuit pattern in the pattern formation region. A peripheral exposure process is employed. When the wafer surface coated with the resist is sequentially exposed by a movable reduction projection exposure apparatus (stepper), the shape of a peripheral portion where a circuit pattern for one chip cannot be exposed has a step-like shape. When exposing such a stair-like unnecessary resist in the wafer peripheral exposure step, the wafer coated with the resist is placed on a processing stage and fixed by vacuum suction, and the processing stage is set in two directions orthogonal to each other (hereinafter referred to as two directions). (Referred to as an XY direction), and the exposure light guided by the light guide fiber is irradiated in a spot manner while moving along the stepwise pattern of the unnecessary resist on the wafer.

【0005】図6にウエハ周辺露光装置における従来の
ウエハ処理ステージの構成例を示す。51はウエハWが
載置され固定される円板状のウエハ固定部である。ウエ
ハ固定部51は、フランジ状の接続部材52を介して、
不図示の回転モータに接続されている回転軸58と連結
され、不図示の回転モータはさらにX−Y方向に移動可
能な不図示のX−Yステージ上に取り付けられる。ま
た、ウエハ固定部51の表面には、ウエハWとの接触面
積を小さくしてウエハWへの塵埃の付着量を小さくする
ための凹部64と、ウエハWを真空吸着により固定する
ための真空吸着溝71が設けられている。
FIG. 6 shows a configuration example of a conventional wafer processing stage in a wafer peripheral exposure apparatus. Reference numeral 51 denotes a disk-shaped wafer fixing portion on which the wafer W is placed and fixed. The wafer fixing portion 51 is connected via a flange-shaped connecting member 52 to
The rotation motor is connected to a rotation shaft 58 connected to a rotation motor (not shown), and the rotation motor (not shown) is further mounted on an XY stage (not shown) movable in the XY directions. In addition, a concave portion 64 for reducing the contact area with the wafer W to reduce the amount of dust adhering to the wafer W on the surface of the wafer fixing portion 51, and a vacuum suction for fixing the wafer W by vacuum suction. A groove 71 is provided.

【0006】尚、先に述べたように、階段状露光はウエ
ハ処理ステージをX−Y方向に移動させることにより行
われるのでウエハWを真空吸着により固定するウエハ固
定部51を必ずしも回転させる必要はない。しかしなが
ら、例えば、露光される不要レジスト領域をウエハの中
央部を中心とした第1象限から第4象限まで象限ごとに
四等分し、第1象限領域を露光後、ウエハ固定部51を
1/4回転させ停止し、第2象限領域を露光といった手
順で露光を行うようにすれば、ウエハを回転させず全て
の不要レジスト領域を露光する場合に比べて、ウエハ処
理ステージのX−Y方向への移動距離を短くすることが
可能となり、装置を小型化することができる。
As described above, since the stepwise exposure is performed by moving the wafer processing stage in the XY directions, it is not always necessary to rotate the wafer fixing portion 51 for fixing the wafer W by vacuum suction. Absent. However, for example, the unnecessary resist area to be exposed is divided into four equal parts for each quadrant from the first quadrant to the fourth quadrant centered on the center of the wafer, and after exposing the first quadrant area, the wafer fixing part 51 is divided into 1 / If the exposure is performed in a procedure such as exposing the second quadrant region by rotating the wafer four times and then exposing the unnecessary resist regions without rotating the wafer, the wafer processing stage can be moved in the X-Y direction. Can be shortened, and the apparatus can be downsized.

【0007】接続部材52の鍔部は同心円状に等角度間
隔で配置される複数個の孔53を有し、これらの孔53
に相当する位置に複数個の雌ねじ孔54がウエハ固定部
51の下面に設けられている。ウエハ固定部51は、こ
れらの孔53を貫通しウエハ固定部51の雌ねじ孔54
と螺合する複数個のねじ55によって接続部材52に取
り付けられる。接続部材52の側部には3個または4個
の雌ねじ孔56が設けられており、この雌ねじ孔56に
螺合したセットビス57により、接続部材52の凹部に
挿入された回転軸58に取り付けられる。なお、回転軸
58のセットビス57と接する部分59は、平面状に加
工されている。
The flange of the connecting member 52 has a plurality of holes 53 concentrically arranged at equal angular intervals.
A plurality of female screw holes 54 are provided on the lower surface of the wafer fixing portion 51 at positions corresponding to the above. The wafer fixing portion 51 penetrates these holes 53, and the female screw holes 54 of the wafer fixing portion 51
It is attached to the connecting member 52 by a plurality of screws 55 that are screwed together. Three or four female screw holes 56 are provided on the side of the connecting member 52, and are attached to the rotating shaft 58 inserted into the concave portion of the connecting member 52 by set screws 57 screwed into the female screw holes 56. Can be The portion 59 of the rotating shaft 58 that comes into contact with the set screw 57 is processed into a planar shape.

【0008】ウエハ固定部51には一端が真空吸着溝7
1に連通し他端がウエハ固定部51の底面に開口する吸
引路72が、接続部材52には貫通孔73が、回転軸5
8には一端が回転軸58の上面に開口し他端が回転軸5
8の側部に開口する吸引路74がそれぞれ設けられてい
て、真空吸着溝71、吸引路72、貫通孔73、吸引路
74よりウエハを真空吸着するための真空吸着系が形成
される。接続部材52とウエハ固定部51との接触面お
よび接続部材52と回転軸53との接触面にはOリング
溝60、61が設けられ、このOリング溝60、61に
挿入されるOリング62、63によって、真空吸着系の
真空もれ(以下、リークと称する)が防止される。
One end of the wafer fixing portion 51 has a vacuum suction groove 7.
1, a suction path 72 whose other end is open to the bottom surface of the wafer fixing portion 51, a through hole 73 in the connection member 52, and a rotary shaft 5
8 has one end open to the upper surface of the rotation shaft 58 and the other end
A suction path 74 is provided on each side of the suction pipe 8, and a vacuum suction system for vacuum-sucking a wafer through the vacuum suction groove 71, the suction path 72, the through hole 73, and the suction path 74 is formed. O-ring grooves 60 and 61 are provided on a contact surface between the connecting member 52 and the wafer fixing portion 51 and a contact surface between the connecting member 52 and the rotating shaft 53, and an O-ring 62 inserted into the O-ring grooves 60 and 61. , 63 prevent the vacuum suction system from leaking (hereinafter referred to as leak).

【0009】上記真空吸着系へ真空の供給は、例えば、
実開平3−106728号公報に記載されているように
行う。すなわち、内部に空洞を有する不図示のハウジン
グを、該空洞が上記回転軸58の側部に位置する吸引路
74の他端の開口を取り囲むように設置し、このハウジ
ングを介して不図示の真空ポンプより上記真空吸着系へ
真空の供給を行う。このような構造にすることにより、
回転軸58が回転して上記開口がいずれの位置にあって
も常に真空を供給することが可能となる。
The supply of vacuum to the vacuum suction system is performed, for example, by
This is carried out as described in Japanese Utility Model Laid-Open No. 3-106728. That is, a housing (not shown) having a cavity therein is installed such that the cavity surrounds the opening at the other end of the suction passage 74 located on the side of the rotary shaft 58, and a vacuum (not shown) is provided through the housing. A vacuum is supplied from the pump to the vacuum suction system. With such a structure,
It is possible to always supply a vacuum regardless of the position of the opening when the rotation shaft 58 rotates.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】ところで、導光ファイ
バにより導かれる露光光は、例えば、特開平8−317
30号公報や特願平8−165593号等に記載されて
いるように、導光ファイバの出射端81に設けられた不
図示のアパーチャ等により整形され、この整形された露
光光は、投影レンズ82によりウエハ周辺部の不要レジ
スト上に結像される。これは、図7に示すように、ウエ
ハWの周辺部の不要レジスト上に露光部分と非露光部分
の境界部における照度の変化をシャープにして、現像後
のレジストがテーパ状に残存するのを防止するためであ
る。すなわち、現像後のレジストがテーパ状に残存する
と、レジスト膜厚の薄いテーパの裾野におけるレジスト
が剥がれやすくなってしまうという問題を回避するため
である。
The exposure light guided by the light guide fiber is, for example, disclosed in Japanese Unexamined Patent Publication No. 8-317.
No. 30, JP-A-8-165593, and the like, the light is shaped by an aperture or the like (not shown) provided at the emission end 81 of the light guide fiber. By 82, an image is formed on the unnecessary resist in the peripheral portion of the wafer. This is because, as shown in FIG. 7, the change in illuminance at the boundary between the exposed portion and the non-exposed portion is sharpened on the unnecessary resist in the peripheral portion of the wafer W, so that the developed resist remains in a tapered shape. This is to prevent it. That is, if the resist after development remains in a tapered shape, the problem that the resist at the foot of the taper having a small resist film thickness is easily peeled off is avoided.

【0011】このような結像関係は、ウエハWがX−Y
方向に移動する露光期間中維持されている必要がある。
すなわち、図6において、露光期間中ウエハWの周辺部
表面(レジスト表面)と投影レンズ82との距離を所定
範囲内(投影レンズ82の焦点深度の範囲内)に維持す
る必要がある。例えば、ウエハ処理ステージをX−Y方
向に移動させて円周部の直径が200mmであるウエハ
Wの階段状の不要レジストを露光する場合、上記所定範
囲は±20μmである。このような条件を満足するに
は、図8に示すように、ウエハ固定部51の表面全体が
光軸に対して垂直であって互いに20μm離間している
仮想平面の間の領域内に収まる必要がある。
In such an image forming relationship, the wafer W is XY
It needs to be maintained during the exposure period moving in the direction.
That is, in FIG. 6, it is necessary to maintain the distance between the peripheral surface (resist surface) of the wafer W and the projection lens 82 within a predetermined range (within the depth of focus of the projection lens 82) during the exposure period. For example, when the wafer processing stage is moved in the X and Y directions to expose a stepwise unnecessary resist of the wafer W having a diameter of 200 mm in the circumferential portion, the predetermined range is ± 20 μm. In order to satisfy such a condition, as shown in FIG. 8, the entire surface of the wafer fixing portion 51 needs to fall within a region between virtual planes perpendicular to the optical axis and separated from each other by 20 μm. There is.

【0012】図6に示すウエハ処理ステージの場合、ウ
エハWと直接接触する部分であるウエハ固定部51の表
面の面精度を±1.5μm以内に加工することは可能で
ある。しかしながら、図6に示すウエハ処理ステージ
は、ウエハ固定部51と接続部材52との接続、接続部
材52と回転軸58との接続部分、回転軸58と不図示
の回転モータとの接続部分等、一体として連結される機
械的な接続部分が複数個所設けられている。よって、各
接続部分の加工精度を高精度にしたとしても、ウエハ処
理ステージを組み立てたときには各接続部分を構成する
部品の加工精度の公差が累積し、ウエハWが載置される
ウエハ固定部51の表面が上記累積公差の分だけ傾き、
結局、ウエハ固定部51の表面全体を上記20μm離間
した空間内に収めることは困難となる。
In the case of the wafer processing stage shown in FIG. 6, it is possible to process the surface of the surface of the wafer fixing portion 51, which is in direct contact with the wafer W, to within ± 1.5 μm. However, the wafer processing stage shown in FIG. 6 includes a connection between the wafer fixing portion 51 and the connection member 52, a connection between the connection member 52 and the rotation shaft 58, a connection between the rotation shaft 58 and a rotation motor (not shown), and the like. There are provided a plurality of mechanical connection portions that are integrally connected. Therefore, even if the processing accuracy of each connection portion is made high, when the wafer processing stage is assembled, the tolerance of the processing accuracy of the components constituting each connection portion is accumulated, and the wafer fixing portion 51 on which the wafer W is mounted is mounted. Surface is inclined by the cumulative tolerance,
As a result, it is difficult to fit the entire surface of the wafer fixing portion 51 in the space separated by 20 μm.

【0013】以上のような問題を踏まえれば、ウエハ固
定部51の表面全体を上記20μm離間した空間内に収
めるためには、ウエハ処理ステージを組み立てた後にウ
エハ固定部51の傾きを調節することが実際的である。
図6に示すウエハ処理ステージの場合、3個または4個
のセットビス57のねじ込み具合を調節することにより
上記傾き調節が行われている。すなわち、2個のセット
ビス57の一方を緩め、他方を締め付けるといった作業
を繰り返して、リークが発生しない程度のOリング63
の弾性変形の範囲内でウエハ固定部51の傾きを調節し
て、所定の傾きが達成された後両セットビス57を締め
付けて固定する。
In view of the above problems, in order to fit the entire surface of the wafer fixing portion 51 in the space separated by 20 μm, it is necessary to adjust the inclination of the wafer fixing portion 51 after assembling the wafer processing stage. It is practical.
In the case of the wafer processing stage shown in FIG. 6, the above-described tilt adjustment is performed by adjusting the degree of screwing of three or four set screws 57. That is, the operation of loosening one of the two set screws 57 and tightening the other is repeated, so that the O-ring 63 does not leak.
The inclination of the wafer fixing portion 51 is adjusted within the range of the elastic deformation described above, and after the predetermined inclination is achieved, the two set screws 57 are tightened and fixed.

【0014】すなわち、上記ウエハ処理ステージは傾き
調節を行うための機構を有しておらず、本来真空吸着系
のリーク防止のためのシールを実現するための部材であ
るOリング63の弾性変形を利用して便宜的に傾き調節
を行っている。そのため、傾き調節にあたって下記のよ
うな制約を受けることになる。
That is, the wafer processing stage does not have a mechanism for adjusting the inclination, and the elastic deformation of the O-ring 63, which is a member for realizing a seal for preventing a vacuum suction system from leaking, is provided. The tilt is adjusted for convenience using this function. Therefore, the following restrictions are imposed on the inclination adjustment.

【0015】(1)Oリング63の弾性変形を利用した
傾き調整は、支点をOリング63とし力点をセットビス
57の先端として2個のセットビス57のねじ込み具合
による移動量により制御されるが、力点と支点との距離
が短いのでセットビス57の単位長さ当たりの移動によ
るウエハ固定部51の傾きの変化が大きい。発明者らが
製作した従来のウエハ処理ステージにおいては、セット
ビス57のねじ山のピッチは0.7mmであり、セット
ビス57の一方を15度回転させて緩め他方を15度回
転させて締め付けるだけで、ウエハ固定部51の傾きは
上記最大傾き角度0.4度に達し、ウエハ固定部51の
周辺部は350μm上昇または下降した。手動で調整し
うるセットビス57の最小回転角度は、経験的に5度が
限界であり、セットビス57の最小回転角度が5度であ
るときウエハ固定部51の周辺部は約117μm上昇ま
たは下降してしまう。よって、微妙な傾き調整を行うの
は不可能であり、ウエハ固定部51の表面全体を上記2
0μm離間した空間内に収めるのは非常に困難である。
(1) The tilt adjustment using the elastic deformation of the O-ring 63 is controlled by the amount of movement of the two set screws 57 with the fulcrum as the O-ring 63 and the point of force as the tip of the set screw 57. Since the distance between the force point and the fulcrum is short, the change in the inclination of the wafer fixing portion 51 due to the movement of the set screw 57 per unit length is large. In the conventional wafer processing stage manufactured by the inventors, the pitch of the thread of the set screw 57 is 0.7 mm, and one of the set screws 57 is rotated by 15 degrees and loosened, and the other is rotated by 15 degrees and tightened. Thus, the inclination of the wafer fixing part 51 reached the maximum inclination angle of 0.4 degrees, and the peripheral part of the wafer fixing part 51 was raised or lowered by 350 μm. The minimum rotation angle of the set screw 57 that can be manually adjusted is empirically limited to 5 degrees. When the minimum rotation angle of the set screw 57 is 5 degrees, the peripheral portion of the wafer fixing portion 51 rises or falls by about 117 μm. Resulting in. Therefore, it is impossible to perform delicate tilt adjustment.
It is very difficult to fit in a space separated by 0 μm.

【0016】本発明は以上のような事情を鑑みてなされ
たものであって、傾き調整機構を付加することにより、
微妙な傾き調整を簡便に行うことができるウエハ処理ス
テージを提供することにある。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and by adding a tilt adjusting mechanism,
An object of the present invention is to provide a wafer processing stage that can easily perform fine tilt adjustment.

【0017】本発明の請求項1に記載の、ウエハ周辺露
光装置のウエハ処理ステージは、ウエハ上の不要レジス
トを露光するウエハ周辺露光装置において当該ウエハを
吸着保持するウエハ処理ステージであって、駆動手段に
接続され該駆動手段により互いに直行する二方向および
回転方向に駆動され内部に真空吸着路を有する軸と、該
軸に取りつけられ中央部に孔を有するフランジ状の基材
と、表面にウエハを吸着固定するための真空吸着部が設
けられ内部に該真空吸着部と連通するウエハ吸着固定用
通路が設けられている円板状のウエハ固定部とからな
り、該ウエハ固定部と該軸とは上記フランジ状の基材の
孔を貫通し該ウエハ固定部のウエハ吸着固定用通路と上
記軸の真空吸着路とを連結するための接続パイプにより
接続されていて、上記ウエハ固定部の下面には3個のV
溝体が設けられ、上記基材には該基材表面に直角な方向
に変位可能な3個の支持軸が設けられ、上記3個のV溝
体とそれぞれ対遇する上記3個の支持軸により上記ウエ
ハ固定部が上記基材に対する傾斜角度が調節可能である
ように支持され、上記3個のV溝体は上記円板状のウエ
ハ固定部の中心に対して同心円状であって、上記3個の
V溝体の方向に一致する仮想線が一点で交わるように配
置されていることを特徴としている。
According to the first aspect of the present invention, the dew around the wafer is provided.
The wafer processing stage of the optical device uses unnecessary resist on the wafer.
The wafer is exposed in a wafer peripheral exposure device that exposes the wafer.
A wafer processing stage for holding by suction,
Two directions that are connected and are orthogonal to each other by the driving means;
A shaft driven in the rotation direction and having a vacuum suction path therein;
Flange-shaped base material attached to a shaft and having a hole in the center
And a vacuum suction part on the surface to hold the wafer by suction.
For holding the wafer by suction that communicates with the vacuum suction part inside
A disk-shaped wafer fixing part with a passage
The wafer fixing portion and the shaft are formed of the flange-shaped base material.
Through the hole and the wafer suction fixing passage of the wafer fixing part
By connecting pipe to connect the vacuum suction path of the shaft
Are connected, and three V
A groove body is provided, and the base material has a direction perpendicular to the base material surface.
Are provided with three displaceable support shafts, and the three V-grooves are provided.
The above three support shafts respectively facing the body,
The angle of inclination of the fixing part with respect to the base material can be adjusted.
And the three V-grooves are mounted on the disk-shaped wafer.
C. Concentric with respect to the center of the fixing part,
Arrange so that the imaginary lines that match the direction of the V-groove cross at one point.
It is characterized by being placed.

【0018】また、本発明の請求項2に記載の、ウエハ
周辺露光装置のウエハ処理ステージは、前記仮想線の交
点が前記円板状のウエハ固定部の中心と略一致している
ことを特徴としている。
A wafer according to claim 2 of the present invention.
The wafer processing stage of the peripheral exposure apparatus
A point substantially coincides with the center of the disk-shaped wafer fixing portion.
It is characterized by:

【0019】更に、本発明の請求項3に記載の、ウエハ
周辺露光装置のウエハ処理ステージは、前記基材には3
個の貫通孔が設けられ、前記ウエハ固定部材の下面には
3個の雌ねじ孔が設けられ、3個のスプリングワッシャ
と上記3個の貫通孔とを貫通する3個の雄ねじと上記雌
ねじとがそれぞれ螺合し、上記3個の雌ねじと螺合する
上記3個の雄ねじは上記円板状のウエハ固定部の中心に
対して同心円状であって、上記仮想線上に位置してい
て、上記真空吸着部はウエハ固定部の表面の周辺部に円
周状に設けられていることを特徴としている。
Further, according to a third aspect of the present invention, the wafer processing stage of the wafer peripheral exposure apparatus further comprises:
And three female screw holes are provided on the lower surface of the wafer fixing member, and three spring washers, three male screws passing through the three through holes, and the female screw are formed. The three male screws screwed to each other and screwed to the three female screws are concentric with the center of the disk-shaped wafer fixing portion, are positioned on the imaginary line, and The suction portion is provided around the periphery of the surface of the wafer fixing portion in a circumferential shape.

【0020】[0020]

【0021】[0021]

【0022】[0022]

【発明の実施の形態】以下、本発明に係るウエハ周辺露
光装置のウエハ処理ステージの実施の形態を、図面に示
した実施例を用いて詳細に説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of a wafer processing stage of a wafer peripheral exposure apparatus according to the present invention will be described below in detail with reference to embodiments shown in the drawings.

【0023】図1、2は本発明に係るウエハ周辺露光装
置のウエハ処理ステージの構成を説明する図である。こ
こで図1は図2におけるA−A断面図である。図2は図
1に示すウエハ処理ステージを矢印Bから見た図であ
り、一部分は図1におけるC−C断面図となっている。
FIGS. 1 and 2 are views for explaining the arrangement of a wafer processing stage of a wafer peripheral exposure apparatus according to the present invention. Here, FIG. 1 is a sectional view taken along the line AA in FIG. FIG. 2 is a view of the wafer processing stage shown in FIG. 1 as viewed from an arrow B, and a part thereof is a cross-sectional view taken along line CC in FIG.

【0024】1はウエハWが載置され、真空吸着により
固定される円板状のウエハ固定部である。図6に示した
従来のウエハ処理ステージの構成例と同様、ウエハ固定
部1はフランジ状の接続部材2を介して不図示の回転モ
ータに接続されている円筒状の回転軸3と連結され、こ
の不図示の回転モータによりウエハ固定部1に固定され
るウエハWが回転する。また、不図示の回転モータはさ
らにX−Y方向に移動可能な不図示のX−Yステージ上
に取り付けられ、この不図示のX−Yステージを駆動制
御することにより、ウエハWが固定されているウエハ固
定部1をX−Y方向に移動させる。
Reference numeral 1 denotes a disk-shaped wafer fixing portion on which the wafer W is mounted and fixed by vacuum suction. As in the configuration example of the conventional wafer processing stage shown in FIG. 6, the wafer fixing part 1 is connected to a cylindrical rotary shaft 3 connected to a rotary motor (not shown) via a flange-shaped connecting member 2, The wafer W fixed to the wafer fixing unit 1 is rotated by the rotation motor (not shown). A rotation motor (not shown) is further mounted on an XY stage (not shown) movable in the XY directions, and the wafer W is fixed by controlling the drive of the XY stage (not shown). Is moved in the XY directions.

【0025】ここで、ウエハ処理ステージのウエハ固定
部1がX−Y方向に移動するのみならず回転可能である
のは、従来の技術で述べたような手順で露光を行って、
ウエハ処理ステージのX−Y方向への移動距離を短くし
て、装置を小型化するためである。なお、ウエハ固定部
1を移動させる代わりに露光光を放出する導光ファイバ
の出射端をX−Y方向に移動させても構わない。この場
合もウエハ固定部1が回転可能であれば、従来の技術で
述べたような手順と同様に露光領域の1/4の範囲の露
光と1/4回転・停止とを組み合わせることにより導光
ファイバの出射端のX−Y方向への移動距離を短くし
て、装置を小型化することができる。
Here, the reason why the wafer fixing part 1 of the wafer processing stage is not only movable in the XY directions but also rotatable is that exposure is performed by the procedure described in the prior art.
This is because the moving distance of the wafer processing stage in the X-Y direction is shortened to reduce the size of the apparatus. Note that, instead of moving the wafer fixing unit 1, the emission end of the light guide fiber that emits the exposure light may be moved in the X-Y direction. Also in this case, if the wafer fixing unit 1 is rotatable, the light guide is performed by combining the exposure in the 1/4 of the exposure area and the 1/4 rotation / stop similarly to the procedure described in the background art. The apparatus can be miniaturized by shortening the moving distance of the emission end of the fiber in the X-Y direction.

【0026】接続部材2の底面を表す図3に示すよう
に、接続部材2の下面側には、円筒状の回転軸3が挿入
される段部10と、さらにこの回転軸3を半周だけ取り
囲む突出部11とが設けられている。そして回転軸3の
残りの半周を取り囲む固定部材24と前記突出部11と
で回転軸3を挟み、突出部11と固定部材24とをネジ
止めすることにより、接続部材2は回転軸3に取り付け
られる。
As shown in FIG. 3 showing the bottom surface of the connecting member 2, on the lower surface side of the connecting member 2, a step portion 10 into which the cylindrical rotary shaft 3 is inserted, and further surrounds the rotary shaft 3 by a half circumference. A protrusion 11 is provided. The connecting member 2 is attached to the rotating shaft 3 by sandwiching the rotating shaft 3 between the fixing member 24 surrounding the remaining half circumference of the rotating shaft 3 and the protrusion 11 and screwing the protrusion 11 and the fixing member 24 together. Can be

【0027】図1、2に戻り、ウエハ固定部1の表面に
は、図6に示した従来のウエハ処理ステージの構成例と
同様、ウエハWとの接触面積を小さくしてウエハWへの
塵埃の付着量を小さくするために凹部12が設けられて
いる。また、ウエハ固定部1の表面の周縁部にはウエハ
Wを真空吸着により固定するための円周状の真空吸着溝
13が設けられ、ウエハ固定部1の内部には一端が真空
吸着溝13に連通し他端がウエハ固定部1の底面に設け
られた接続パイプ挿入孔15に連通する吸引路14が設
けられている。一方、接続部材2には貫通孔16が、回
転軸3には一端が回転軸3の上面に設けられた接続パイ
プ挿入孔17に連通し他端が回転軸3の側部に開口する
吸引路18がそれぞれ設けられている。
Returning to FIGS. 1 and 2, on the surface of the wafer fixing portion 1, as in the configuration example of the conventional wafer processing stage shown in FIG. The concave portion 12 is provided to reduce the amount of adherence. A circumferential vacuum suction groove 13 for fixing the wafer W by vacuum suction is provided at a peripheral portion of the surface of the wafer fixing portion 1, and one end of the vacuum fixing groove 13 is provided inside the wafer fixing portion 1. A suction path 14 is provided, the other end of which communicates with the connection pipe insertion hole 15 provided on the bottom surface of the wafer fixing part 1. On the other hand, a suction hole having a through hole 16 in the connection member 2, one end of the rotation shaft 3 communicating with a connection pipe insertion hole 17 provided on the upper surface of the rotation shaft 3, and the other end opening in a side portion of the rotation shaft 3. 18 are provided.

【0028】そして、接続パイプ19の一端を接続パイ
プ挿入孔15に、他端を接続パイプ挿入孔17に挿入す
ることにより、吸引路14と吸引路18とが接続され
る。すなわち、真空吸着溝13、吸引路14、接続パイ
プ19、吸引路18よりウエハを真空吸着するための真
空吸着系が形成される。接続パイプ挿入孔15と接続パ
イプ19との接触面および接続パイプ挿入孔17と接続
パイプ19との接触面にはOリング溝20、21が設け
られ、このOリング溝20、21に挿入されるOリング
22、23によって、真空吸着系のリークが防止され
る。
The suction path 14 and the suction path 18 are connected by inserting one end of the connection pipe 19 into the connection pipe insertion hole 15 and the other end into the connection pipe insertion hole 17. That is, a vacuum suction system for vacuum-sucking the wafer from the vacuum suction groove 13, the suction path 14, the connection pipe 19, and the suction path 18 is formed. O-ring grooves 20 and 21 are provided on a contact surface between the connection pipe insertion hole 15 and the connection pipe 19 and a contact surface between the connection pipe insertion hole 17 and the connection pipe 19, and are inserted into the O-ring grooves 20 and 21. O-rings 22 and 23 prevent leakage of the vacuum suction system.

【0029】上記真空吸着系へ真空の供給は、従来のウ
エハ処理ステージの構成例と同様、内部に空洞を有する
不図示のハウジングを、該空洞が上記回転軸3の側部に
位置する吸引路18の開口を取り囲むように設置し、こ
のハウジングを介して不図示の真空ポンプより上記真空
吸着系へ真空の供給を行う。このような構造にすること
により、回転軸3が回転して上記開口がいずれの位置に
あっても常に真空を供給することが可能となる。
The vacuum is supplied to the vacuum suction system by, similarly to the configuration example of the conventional wafer processing stage, a housing (not shown) having a cavity therein, and a suction passage having the cavity located on the side of the rotary shaft 3. A vacuum pump (not shown) supplies the vacuum to the vacuum suction system through the housing. With such a structure, it is possible to always supply a vacuum regardless of the position of the opening where the rotating shaft 3 rotates.

【0030】本発明に係るウエハ周辺露光装置のウエハ
処理ステージのウエハ固定部1の傾き調節機構は以下の
ように構成される。ウエハ固定部1の底面を表す図4に
示すように、ウエハ固定部1の裏面には、直角二等辺三
角形の直角を挟む辺に沿って形成されたV溝部を有する
V溝体4a,4b,4cが同心円状に等角度間隔で取り
つけられており、各V溝部に一致する仮想線a,b,c
は一点で交わり、この交点はウエハ固定部1の中心と略
一致する。一方、接続部材2には、先端に可動のボール
が埋設されているボール先ねじ5が3個貫通螺合してい
る。そして、図1、2に示すように、3個のV溝体4の
V溝部と3個のボール先ねじ5のボールとがそれぞれ対
偶して、ウエハ固定部1は接続部材2に対してある間隔
をもって保持される。なお、ボール先ねじ5の先端部の
ボールがV溝体4のV溝部に収まることにより、ウエハ
固定部1は接続部材2に対する回転が防止され、安定し
たウエハ固定部1と接続部材2との間の対偶が実現され
る。
The tilt adjusting mechanism of the wafer fixing part 1 of the wafer processing stage of the wafer peripheral exposure apparatus according to the present invention is configured as follows. As shown in FIG. 4 showing the bottom surface of the wafer fixing portion 1, on the back surface of the wafer fixing portion 1, V-groove bodies 4a, 4b, 4c are attached concentrically at equal angular intervals, and imaginary lines a, b, and c corresponding to the respective V-grooves.
Intersect at one point, and this intersection substantially coincides with the center of the wafer fixing portion 1. On the other hand, the connection member 2 is threaded with three ball point screws 5 each having a movable ball embedded at the tip. Then, as shown in FIGS. 1 and 2, the V-groove portions of the three V-groove bodies 4 and the balls of the three ball-point screws 5 are paired with each other, and the wafer fixing portion 1 is provided with respect to the connection member 2. It is held at intervals. Since the ball at the tip of the ball screw 5 fits into the V-groove of the V-groove body 4, the wafer fixing portion 1 is prevented from rotating with respect to the connecting member 2, and the stable connection between the wafer fixing portion 1 and the connecting member 2 is prevented. An even number is realized.

【0031】以上のように、本発明に係るウエハ処理ス
テージのウエハ固定部1の傾き調節機構は、ウエハ固定
部1の裏面に設けられたV溝体4a,4b,4cと接続
部材2を貫通螺合する3個のボール先ねじ5とが各々対
偶している構成である。そして傾き調節は、3個のボー
ル先ねじ5のそれぞれのねじ込み具合を変えてウエハ固
定部1の接続部材2に対する傾き角度を変える調節を適
宜行うことによりなされる。例えば、V溝体4aと対偶
するボール先ねじ5のねじ込み具合を変えると、ウエハ
固定部1の接続部材2に対する傾き角度はVb−Vcラ
インを中心に変化する。同様に、V溝体4bと対偶する
ボール先ねじ5のねじ込み具合を変えると、上記傾き角
度はVc−Vaラインを中心に変化し、V溝体4cと対
偶するボール先ねじ5のねじ込み具合を変えると、上記
傾き角度はVa−Vbラインを中心に変化する。また上
記傾き角度の調節範囲は、図5において、ウエハ固定部
1の下面に設けられた接続パイプ挿入孔15と接続パイ
プ19との間の隙間dおよび回転軸3の上面に設けられ
た接続パイプ挿入孔17と接続パイプ19との間の隙間
dにより規定される。
As described above, the tilt adjusting mechanism of the wafer fixing section 1 of the wafer processing stage according to the present invention penetrates the V-grooves 4a, 4b, 4c provided on the back surface of the wafer fixing section 1 and the connecting member 2. The configuration is such that the three ball point screws 5 to be screwed with each other are paired with each other. The inclination adjustment is performed by appropriately adjusting the degree of screwing of the three ball point screws 5 to change the inclination angle of the wafer fixing portion 1 with respect to the connection member 2. For example, when the degree of screwing of the ball point screw 5 that is paired with the V-groove body 4a is changed, the inclination angle of the wafer fixing portion 1 with respect to the connecting member 2 changes around the Vb-Vc line. Similarly, when the degree of screwing of the ball screw 5 opposite to the V-groove body 4b is changed, the inclination angle changes around the Vc-Va line, and the degree of screwing of the ball screw 5 opposite to the V-groove body 4c is changed. When the angle is changed, the inclination angle changes around the Va-Vb line. In FIG. 5, the adjustment range of the inclination angle is the gap d between the connection pipe insertion hole 15 provided on the lower surface of the wafer fixing part 1 and the connection pipe 19 and the connection pipe provided on the upper surface of the rotating shaft 3. It is defined by a gap d between the insertion hole 17 and the connection pipe 19.

【0032】実際の傾き調節は以下のような手順で行わ
れる。ウエハ固定部1をX−Y方向に移動させる不図示
のX−Yステージが固定されているベースにダイヤルゲ
ージを固定し、このダイヤルゲージの測定部をウエハ固
定部1の表面の任意の部分に接触させてこの地点を基準
点として定め、ダイヤルゲージの目盛りを0に合わせ
る。ウエハ固定部1をX−Y方向に移動させ、上記基準
点から適当な距離離れた複数の地点の光軸方向の変位を
ダイヤルゲージで測定する。上記複数の地点の変位量が
基準点を中心に±10μmの幅に入っているか、すなわ
ち、ウエハ固定部1の表面全体が光軸に対して垂直であ
って互いに20μm離間している仮想平面の間の領域内
に収まっているかを測定し、この条件をみたしていなけ
れば上記傾き調整機構によりウエハ固定部1の傾きを調
整し、再度ダイヤルゲージでウエハ固定部1の表面の状
態を測定する。以上のような手順をウエハ固定部1の表
面全体が上記20μm離間した空間内に収まるまで繰り
返す。
The actual tilt adjustment is performed in the following procedure. A dial gauge is fixed to a base on which an XY stage (not shown) for moving the wafer fixing unit 1 in the XY direction is fixed, and the measuring unit of the dial gauge is attached to an arbitrary part of the surface of the wafer fixing unit 1. Contact is made and this point is determined as a reference point, and the dial gauge is set to zero. The wafer fixing unit 1 is moved in the X-Y direction, and displacements in the optical axis direction at a plurality of points at appropriate distances from the reference point are measured with a dial gauge. Whether the displacement amounts of the plurality of points are within a width of ± 10 μm around the reference point, that is, the entire surface of the wafer fixing unit 1 is perpendicular to the optical axis and separated from the virtual plane by 20 μm. If the condition is not satisfied, the inclination of the wafer fixing part 1 is adjusted by the inclination adjusting mechanism, and the state of the surface of the wafer fixing part 1 is measured again by the dial gauge. . The procedure described above is repeated until the entire surface of the wafer fixing unit 1 fits in the space separated by 20 μm.

【0033】なお、上記のような傾き調節機構が構成さ
れたウエハ固定部1と接続部材2は、接続部材2の貫通
孔6を貫通しウエハ固定部1の裏面に設けられている雌
ねじ孔8と螺合する3個の固定用ねじ7によって固定さ
れる。ここで、固定用ねじ7はスプリングワッシャ9を
貫通しており、このスプリングワッシャ9の弾性力によ
りウエハ固定部1は接続部材2に押しつけられている。
この押しつけ力により、V溝体4a,4b,4cの各V
溝部と3個のボール先ねじ5のボールとの対偶が強固に
保持され、ウエハ処理ステージが何度もX−Y方向に移
動しても3個のボール先ねじ5が緩むことなくウエハ固
定部1の傾きが維持される。
Incidentally, the wafer fixing portion 1 and the connecting member 2 having the above-described inclination adjusting mechanism pass through the through hole 6 of the connecting member 2 and are provided with female screw holes 8 provided on the back surface of the wafer fixing portion 1. It is fixed by three fixing screws 7 screwed together. Here, the fixing screw 7 penetrates the spring washer 9, and the elastic force of the spring washer 9 presses the wafer fixing portion 1 against the connecting member 2.
Due to this pressing force, each V of the V-grooves 4a, 4b, 4c
The pair of the groove and the ball of the three ball-point screws 5 is firmly held, and the three ball-point screws 5 are not loosened even if the wafer processing stage moves many times in the XY directions. A slope of 1 is maintained.

【0034】以上のように、本発明に係るウエハ処理ス
テージはウエハ固定部1の傾き調節機構を有しているの
で、図6に示すような従来のウエハ処理ステージと比較
して以下の利点がある。
As described above, since the wafer processing stage according to the present invention has the mechanism for adjusting the inclination of the wafer fixing portion 1, the following advantages are obtained as compared with the conventional wafer processing stage as shown in FIG. is there.

【0035】(1)図4から明らかなように、傾き調整
時の支点はVa−Vbライン上、Vb−Vcライン上、
Vc−Vaライン上にあり、力点はボール先ねじ5の先
端である。一方、従来のウエハ処理ステージにおいては
支点がOリング63であり力点はセットビス57の先端
である。よって、力点支点間距離が本発明のウエハ処理
ステージの方が長いので、ボール先ねじ5の単位長さ当
たりの移動によるウエハ固定部1の傾きの変化は、図6
に示す従来のウエハ処理ステージにおいてセットビス5
7の単位長さ当たりの移動によるウエハ固定部51の傾
きの変化より小さくなる。すなわち、従来のウエハ処理
ステージに比べて、より微妙な傾き調整を行うことが可
能となり、調整を短時間で行うことができる。
(1) As is apparent from FIG. 4, the fulcrum at the time of tilt adjustment is on the line Va-Vb, on the line Vb-Vc,
It is on the Vc-Va line, and the point of force is the tip of the ball point screw 5. On the other hand, in the conventional wafer processing stage, the fulcrum is the O-ring 63 and the point of force is the tip of the set screw 57. Accordingly, since the distance between the fulcrum and the fulcrum is longer in the wafer processing stage of the present invention, the change in the inclination of the wafer fixing portion 1 due to the movement of the ball point screw 5 per unit length is shown in FIG.
Set screw 5 in the conventional wafer processing stage shown in FIG.
7 is smaller than the change in the inclination of the wafer fixing portion 51 due to the movement per unit length of 7. That is, as compared with the conventional wafer processing stage, finer tilt adjustment can be performed, and the adjustment can be performed in a short time.

【0036】(2)また、スプリングワッシャ9を貫通
する3個の固定用ねじ7の押しつけ力により、V溝体4
a,4b,4cの各V溝部と3個のボール先ねじ5のボ
ールとの対偶が強固に保持され、ウエハ処理ステージが
何度もX−Y方向に移動しても3個のボール先ねじ5が
緩むことなくウエハ固定部1の傾きが維持される。
(2) The pressing force of the three fixing screws 7 penetrating the spring washer 9 causes the V-groove body 4
The pairs of the V-grooves a, 4b, and 4c and the balls of the three ball-point screws 5 are firmly held, and even if the wafer processing stage moves many times in the XY directions, three ball-point screws are used. The inclination of the wafer fixing part 1 is maintained without the slackening of the wafer 5.

【0037】以上のように、本発明に係るウエハ処理ス
テージにおいては、ウエハ固定部1の傾き調節機構によ
り、熟練を要することなく簡単にウエハ固定部1の傾き
を調整することができ、傾き調整後ウエハ処理ステージ
が何度もX−Y方向に移動してもウエハ固定部1の傾き
が維持されるので、ウエハの周辺部の不要レジストの露
光において、露光期間中ウエハの周辺部表面(レジスト
表面)と導光ファイバの出射端側に配置されている投影
レンズとの距離は所定範囲内に維持され、ウエハの周辺
部の全周に渡って不要レジストの露光部分と非露光部分
の境界部における照度の変化をシャープにすることがで
き、現像後のレジストがテーパ状に残存するのを防止す
ることができる。
As described above, in the wafer processing stage according to the present invention, the inclination of the wafer fixing part 1 can be easily adjusted without skill by the inclination adjusting mechanism of the wafer fixing part 1, and the inclination adjustment can be performed. Even if the post-wafer processing stage moves many times in the X and Y directions, the inclination of the wafer fixing portion 1 is maintained. The distance between the front surface) and the projection lens disposed on the emission end side of the light guide fiber is maintained within a predetermined range, and the boundary between the exposed portion and the non-exposed portion of the unnecessary resist over the entire periphery of the wafer. , The change in illuminance can be sharpened, and the resist after development can be prevented from remaining in a tapered shape.

【0038】ところで、前記したようにV溝部を有する
V溝体4a,4b,4cは、同心円状に等角度間隔でウ
エハ固定部1の裏面に配置されていて、(1)各V溝部
に一致する仮想線a,b,cは一点で交わっており、
(2)しかもこの交点はウエハ固定部1の中心と略一致
しているが、V溝体4a,4b,4cの配置はこれに限
るものではない。しかしながら、以下の理由のため、上
記構成が好ましいものであると考えられる。
As described above, the V-groove members 4a, 4b, 4c having the V-groove portions are concentrically arranged on the back surface of the wafer fixing portion 1 at equal angular intervals, and (1) coincide with each V-groove portion. Virtual lines a, b, and c intersect at one point,
(2) The intersection point substantially coincides with the center of the wafer fixing portion 1, but the arrangement of the V-grooves 4a, 4b, 4c is not limited to this. However, it is considered that the above configuration is preferable for the following reasons.

【0039】(1)仮想線a,b,cが一点で交わる場
合は、周囲温度の変化によるウエハ固定部1の熱伸縮は
上記交点を基準とした伸縮となりウエハ固定部1自体は
動かない。一方、仮想線a,b,cが一点で交わらない
場合、周囲温度の変化によるウエハ固定部1の熱伸縮は
上記のようなある点を中心とした伸縮とはならず、熱伸
縮の結果ウエハ固定部1は回転方向に移動する。
(1) When the imaginary lines a, b, and c intersect at one point, the thermal expansion and contraction of the wafer fixing part 1 due to the change in the ambient temperature becomes expansion and contraction based on the intersection, and the wafer fixing part 1 itself does not move. On the other hand, when the imaginary lines a, b, and c do not intersect at one point, the thermal expansion and contraction of the wafer fixing unit 1 due to the change in the ambient temperature does not take place at the above-mentioned certain point, but as a result of the thermal expansion and contraction, The fixed part 1 moves in the rotation direction.

【0040】互いに直行する二方向を向いた辺からなる
階段状の不要レジストを露光する場合は、ウエハ固定部
1に載置されたウエハW、あるいは、露光光を放出する
導光ファイバの出射端を上記二方向と一致したX−Y方
向(互いに直行する二方向)に移動させているので、露
光中にウエハ固定部1が移動してウエハWが回転してし
まうと、所望の露光を達成できない。回路パターンの微
細化が進むにつれ回路パターンとの境界近傍での不要レ
ジストの露光位置精度が向上し、またウエハの大口径化
が進むにつれ不要レジストの露光にかかる時間が増大す
る傾向にあるので、将来的に上記熱伸縮によるウエハ固
定部1の移動の問題を看過できなくなる可能性もある。
よって、V溝部に一致する仮想線a,b,cは一点で交
わることが望ましい。
In the case of exposing a step-like unnecessary resist composed of two sides facing in two directions perpendicular to each other, the wafer W mounted on the wafer fixing part 1 or the light emitting end of a light guide fiber for emitting exposure light is exposed. Are moved in the X-Y directions (two directions perpendicular to each other) that match the above two directions, so that if the wafer fixing unit 1 moves during the exposure to rotate the wafer W, the desired exposure is achieved. Can not. As circuit pattern miniaturization advances, the exposure position accuracy of unnecessary resist near the boundary with the circuit pattern improves, and as the wafer diameter increases, the time required for unnecessary resist exposure tends to increase, In the future, the problem of the movement of the wafer fixing unit 1 due to the thermal expansion and contraction may not be overlooked.
Therefore, it is desirable that the imaginary lines a, b, and c that coincide with the V-groove portion intersect at one point.

【0041】(2)ウエハ周辺露光工程においては、階
段状の不要レジストを露光する場合の他にウエハ周辺部
のレジストをウエハのエッジから一定の幅で環状に露光
する場合もある。この場合は、ウエハのエッジから一定
の幅の領域を照射するように露光光が放出される導光フ
ァイバの出射端の位置を位置制御しながら、ウエハが固
定されたウエハ処理ステージを回転させる。
(2) In the wafer periphery exposure step, the resist around the wafer may be annularly exposed at a constant width from the edge of the wafer in addition to the case where the unnecessary resist in the step shape is exposed. In this case, the wafer processing stage on which the wafer is fixed is rotated while controlling the position of the exit end of the light guide fiber from which the exposure light is emitted so as to irradiate a region of a fixed width from the edge of the wafer.

【0042】このように露光中にウエハを処理ステージ
を回転させるとき、仮想線a,b,cが一点で交わる交
点がウエハ固定部1の中心と一致しない場合は、ウエハ
固定部1は上記交点を基準点とした熱伸縮が起こるので
熱伸縮時のウエハ固定部1の中心と回転中心との間に偏
心が発生し慣性モーメントの影響を受けるが、上記交点
がウエハ固定部1の中心と略一致すれば、熱伸縮時のウ
エハ固定部1の中心と回転中心との間に偏心が発生しな
いので慣性モーメントの影響を受けず、安定した回転が
実現できる。よって、上記交点はウエハ固定部1の中心
と略一致させておけば、本発明に係るウエハ処理ステー
ジは、ウエハの周辺部を階段状に露光する装置にも、環
状に露光する装置にも共通して用いることができる。
As described above, when the wafer is rotated on the processing stage during exposure, if the intersection of the virtual lines a, b, and c at one point does not coincide with the center of the wafer fixing unit 1, the wafer fixing unit 1 Eccentricity occurs between the center of the wafer fixing portion 1 and the center of rotation during the thermal expansion and contraction, and is affected by the moment of inertia. If they match, there is no eccentricity between the center of the wafer fixing part 1 and the center of rotation during thermal expansion and contraction, so that stable rotation can be realized without being affected by the moment of inertia. Therefore, if the intersection is made substantially coincident with the center of the wafer fixing unit 1, the wafer processing stage according to the present invention is common to both a device for exposing the peripheral portion of the wafer in a stepwise manner and a device for circularly exposing the periphery. Can be used.

【0043】また、図4においては、3個の固定用ねじ
7はおのおの上記仮想線a,b,c上にあって同心円状
に配置されている例が示されているが、これに限るもの
ではない。しかしながら、以下の理由のため、上記構成
が好ましいものであると考えられる。
FIG. 4 shows an example in which the three fixing screws 7 are concentrically arranged on the imaginary lines a, b, and c, respectively. However, the present invention is not limited to this. is not. However, it is considered that the above configuration is preferable for the following reasons.

【0044】ウエハ固定部1はV溝体4a,4b,4c
の各V溝部と対偶する3個のボール先ねじ5によって上
方向の力が付勢される一方で、3個の固定用ねじ7の貫
通するスプリングワッシャ9の弾性力によりウエハ固定
部1は下方向の力が付勢されて接続部材2に押しつけら
れる。ここで、図4のように、ウエハ固定部1の中心で
交差し互いになす角度がそれぞれ等角度である仮想線
a,b,c上にあって、かつ、同心円状にボール先ねじ
5による上方向の力の作用点と固定用ねじ7の貫通する
スプリングワッシャ9による下方向の力の作用点とが各
々配置されていると、これらの力によりウエハ固定部1
の歪みが生じたとしても、この歪みはウエハ固定部1の
中心に対して対称に発生する。よって、ウエハ固定部1
の周辺部においてもウエハ固定部1の中心に対して対称
に歪むので、当該歪みが発生したとしてもウエハ固定部
1の表面の円周状の真空吸着溝13とウエハWとは一様
に接触することになり、真空吸着に対する影響は少ない
と考えられる。
The wafer fixing portion 1 has V-grooves 4a, 4b, 4c
The upward force is urged by the three ball-point screws 5 that are paired with the respective V-grooves, while the wafer fixing part 1 is lowered by the elastic force of the spring washer 9 that the three fixing screws 7 penetrate. The directional force is urged and pressed against the connection member 2. Here, as shown in FIG. 4, the angles intersecting at the center of the wafer fixing portion 1 and forming mutually are on imaginary lines a, b, and c which are equal to each other, and are concentrically formed by the ball screw 5. When the point of application of the force in the direction and the point of application of the force in the downward direction by the spring washer 9 through which the fixing screw 7 penetrates are arranged, the wafer fixing portion 1 is
Is generated symmetrically with respect to the center of the wafer fixing portion 1. Therefore, the wafer fixing unit 1
Is symmetrical with respect to the center of the wafer fixing portion 1 even in the peripheral portion of the wafer W. Therefore, even if the distortion occurs, the circumferential vacuum suction groove 13 on the surface of the wafer fixing portion 1 and the wafer W are in uniform contact. Therefore, it is considered that the influence on the vacuum adsorption is small.

【0045】一方、V溝体4a,4b,4cの各V溝部
と対偶する3個のボール先ねじ5の位置とスプリングワ
ッシャ9を貫通する3個の固定用ねじ7の位置との配置
関係が図4のような関係でなければ、ウエハ固定部1の
歪みが生じたとしても、この歪みはウエハ固定部1の中
心に対して対称には発生しない。よって、当該歪みが発
生した場合、ウエハ固定部1の表面の円周状の真空吸着
溝13とウエハWとの接触は一様ではなくなり、場合に
よっては、リークが発生してしまうと考えられる。よっ
て、上記図4に示したような構成が好ましいものと考え
られる。
On the other hand, the positional relationship between the positions of the three ball-point screws 5 that match the respective V-grooves of the V-grooves 4a, 4b, and 4c and the positions of the three fixing screws 7 that pass through the spring washer 9 is as follows. If the relationship is not as shown in FIG. 4, even if the distortion of the wafer fixing portion 1 occurs, the distortion does not occur symmetrically with respect to the center of the wafer fixing portion 1. Therefore, when the distortion occurs, the contact between the circumferential vacuum suction groove 13 on the surface of the wafer fixing portion 1 and the wafer W is not uniform, and it is considered that a leak may occur in some cases. Therefore, the configuration shown in FIG. 4 is considered to be preferable.

【0046】[0046]

【実施例】以下、本発明のウエハ処理ステージの具体的
な実施例について説明するが、本発明はこれに限定され
るものではない。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, specific embodiments of the wafer processing stage of the present invention will be described, but the present invention is not limited to these embodiments.

【0047】図1〜図5に示す構成に従い、下記の条件
により、本発明に係るウエハ処理ステージを作成した。 ・ウエハ固定部1の直径:100mm ・V溝体4a,4b,4cの各V溝部の中心の位置 :ウエハ固定部1の中心との距離 38mm ウエハ固定部1の中心に対し120°間隔 ・ボール先ねじ5:ねじピッチ0.5mmの細めねじ ・隙間d:0.2mm
According to the configuration shown in FIGS. 1 to 5, a wafer processing stage according to the present invention was prepared under the following conditions. The diameter of the wafer fixing portion 1: 100 mm The position of the center of each V groove of the V-grooves 4 a, 4 b, 4 c: the distance from the center of the wafer fixing portion 1 38 mm The 120 ° interval from the center of the wafer fixing portion 1. Lead screw 5: Fine screw with a screw pitch of 0.5mm ・ Gap d: 0.2mm

【0048】上記条件を満たすウエハ処理ステージにお
いて、ウエハ固定部1の接続部材2に対する傾き角度の
調節範囲は、±4°となった。ここで、3つのボール先
ねじ5のうち1つを手動で調整しうる最小回転角度であ
る5度だけ回転させると、ウエハ固定部1の周辺部は約
4.6μm上昇または下降した。すなわち、従来のウエ
ハ処理ステージにおいてウエハ固定部の周縁部の上昇距
離または下降距離が約117μmであったのに対し、2
5倍以上の微妙な傾き調整を行うことが可能となった。
In the wafer processing stage satisfying the above conditions, the adjustment range of the tilt angle of the wafer fixing part 1 with respect to the connecting member 2 was ± 4 °. Here, when one of the three ball tip screws 5 was rotated by 5 degrees, which is the minimum rotation angle that can be manually adjusted, the peripheral portion of the wafer fixing portion 1 was raised or lowered by about 4.6 μm. That is, in the conventional wafer processing stage, the rising distance or the falling distance of the peripheral portion of the wafer fixing portion is about 117 μm,
It has become possible to perform a fine adjustment of the tilt more than 5 times.

【0049】[0049]

【発明の効果】本発明のウエハ処理ステージによれば、
ウエハ固定部の下面に3個のV溝体を設け、基材に該基
材表面に直角な方向に変位可能な3個の支持軸を設け、
上記3個のV溝体とそれぞれ対遇する上記3個の支持軸
により上記ウエハ固定部が上記基材に対する傾斜角度が
調節可能であるように支持したので、傾き調整時の力点
支点間距離をある程度長くすることができ、従来のウエ
ハ処理ステージに比べて、より微妙なウエハ固定部の傾
き調整を行うことが可能となりこの調整を短時間で行う
ことができる。
According to the wafer processing stage of the present invention,
Three V-grooves are provided on the lower surface of the wafer fixing part, and three support shafts displaceable in a direction perpendicular to the surface of the substrate are provided on the substrate,
Since the wafer fixing portion is supported by the three support shafts facing the three V-groove bodies so that the tilt angle with respect to the base material can be adjusted, the distance between the fulcrum points at the time of tilt adjustment is reduced. The length can be increased to some extent, and more delicate tilt adjustment of the wafer fixing portion can be performed as compared with the conventional wafer processing stage, and this adjustment can be performed in a short time.

【0050】また、上記基材に3個の貫通孔を設け、上
記ウエハ固定部材の下面に3個の雌ねじ孔が設け、3個
のスプリングワッシャと上記3個の貫通孔とを貫通する
3個の雄ねじと上記雌ねじとをそれぞれ螺合させれば、
上記スプリングワッシャを貫通する3個の雄ねじの押し
つけ力により、3個のV溝体の各V溝部と3個の支持軸
との対偶が強固に保持され、ウエハ処理ステージが何度
も互いに直交する二方向に移動したり、回転したりして
もウエハ固定部の傾きが安定に維持される。
Further, three through holes are provided in the base material, and three female screw holes are provided in the lower surface of the wafer fixing member, and three spring washers and three through holes are provided through the three through holes. If the male screw and the female screw are screwed respectively,
Due to the pressing force of the three male screws penetrating the spring washer, the pairs of the three V-grooves and the three support shafts are firmly held, and the wafer processing stages are orthogonal to each other many times. Even if the wafer is moved or rotated in two directions, the inclination of the wafer fixing portion is stably maintained.

【0051】また、上記3個のV溝体を上記円板状のウ
エハ固定部の中心に対して同心円状であって上記3個の
V溝体の方向に一致する仮想線が一点で交わるように配
置すれば、周囲温度の変化によるウエハ固定部の熱伸縮
は上記交点を基準とした伸縮となりウエハ固定部自体が
動かない。よって、露光位置精度が向上し、ウエハの大
口径化による不要レジストの露光にかかる時間が増大し
ても、階段状の不要レジストの互いに直行する二方向を
向いた辺の方向と露光光がウエハに対して相対的に移動
する互いに直行する二方向とがずれることがなく、所望
の露光を達成できる。
Also, the three V-grooves are concentric with the center of the disk-shaped wafer fixing portion so that imaginary lines corresponding to the directions of the three V-grooves intersect at one point. In this case, the thermal expansion and contraction of the wafer fixing portion due to the change in the ambient temperature becomes expansion and contraction based on the intersection, and the wafer fixing portion itself does not move. Therefore, even if the exposure position accuracy is improved and the time required for exposing the unnecessary resist due to the increase in the diameter of the wafer is increased, the direction of the two sides of the step-like unnecessary resist which are orthogonal to each other and the exposure light are reflected on the wafer. The desired exposure can be achieved without deviation from two directions perpendicular to each other, which move relatively to.

【0052】ここで、上記仮想線の交点を上記円板状の
ウエハ固定部の中心と略一致させておけば、ウエハ処理
ステージを回転させながらウエハ周辺部のレジストをウ
エハのエッジから一定の幅で環状に露光する場合におい
て、ウエハ固定部の熱伸縮は回転中心を中心に発生する
ので、安定した回転が実現できる。
If the intersection of the imaginary line is made substantially coincident with the center of the disk-shaped wafer fixing portion, the resist around the wafer can be removed from the edge of the wafer by a predetermined width while rotating the wafer processing stage. In the case of annular exposure, thermal expansion and contraction of the wafer fixing portion occurs around the center of rotation, so that stable rotation can be realized.

【0053】上記ウエハ固定部1は3個のV溝体の各V
溝部と対偶する3個の支持軸によって上方向の力が付勢
される一方で、3個の雄ねじの貫通するスプリングワッ
シャの弾性力により下方向の力が付勢されて上記基材に
押しつけられる。上記3個の雌ねじと螺合する上記3個
の雄ねじを、上記円板状のウエハ固定部の中心に対して
同心円状であって、上記仮想線上に位置させ、かつ、上
記真空吸着部をウエハ固定部の表面の周辺部に円周状に
設けられておけば、これらの上方向ならびに下方向の力
によりウエハ固定部の歪みが生じたとしても、この歪み
はウエハ固定部の中心に対して対称に発生し、ウエハ固
定部の周辺部においても該中心に対して対称に歪むの
で、ウエハ固定部の表面の円周状の真空吸着部とウエハ
とは一様に接触し、上記歪みの真空吸着に対する影響は
少なくなる。
The wafer fixing part 1 is provided with three V
While the upward force is urged by the three support shafts that are paired with the groove, the downward force is urged by the elastic force of the spring washer that the three male threads penetrate and is pressed against the base material. . The three male screws, which are screwed with the three female screws, are concentric with the center of the disk-shaped wafer fixing portion, are positioned on the imaginary line, and the vacuum suction portion is mounted on the wafer. If it is provided circumferentially on the periphery of the surface of the fixed part, even if these upward and downward forces cause the distortion of the wafer fixed part, this distortion will be relative to the center of the wafer fixed part. Since it occurs symmetrically and is distorted symmetrically with respect to the center also in the peripheral portion of the wafer fixing portion, the circumferential vacuum suction portion on the surface of the wafer fixing portion uniformly contacts the wafer, and The effect on adsorption is reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係るウエハ周辺露光装置のウエハ処理
ステージの構成を説明する図である。
FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration of a wafer processing stage of a wafer peripheral exposure apparatus according to the present invention.

【図2】本発明に係るウエハ周辺露光装置のウエハ処理
ステージの構成を説明する図である。
FIG. 2 is a diagram illustrating a configuration of a wafer processing stage of the wafer peripheral exposure apparatus according to the present invention.

【図3】接続部材2の底面を表す図である。FIG. 3 is a diagram illustrating a bottom surface of a connection member 2;

【図4】ウエハ固定部1を表す図である。FIG. 4 is a view showing a wafer fixing unit 1;

【図5】隙間dを説明する図である。FIG. 5 is a diagram illustrating a gap d.

【図6】ウエハ周辺露光装置における従来のウエハ処理
ステージの構成例を示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing a configuration example of a conventional wafer processing stage in a wafer peripheral exposure apparatus.

【図7】不要レジスト上の露光部分と非露光部分の境界
部における照度の変化と現像後のレジストの形状を示す
図である。
FIG. 7 is a diagram showing a change in illuminance at a boundary portion between an exposed portion and a non-exposed portion on an unnecessary resist and a shape of the resist after development.

【図8】ウエハ固定部の表面と光軸に対して垂直であっ
て互いに20μm離間している仮想平面の間の領域との
関係を説明する図である。
FIG. 8 is a diagram illustrating a relationship between a surface of a wafer fixing portion and a region between virtual planes perpendicular to the optical axis and separated from each other by 20 μm.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ウエハ固定部 2 接続部材 3 回転軸 4a,4b,4c V溝体 5 ボール先ねじ 6 貫通孔 7 固定用ねじ 8 雌ねじ孔 9 スプリングワッシャ 10 段部 11 突出部 12 凹部 13 真空吸着溝 14 吸引路 15 接続パイプ挿入孔 16 貫通孔 17 接続パイプ挿入孔 18 吸引路 19 接続パイプ 20 Oリング溝 21 Oリング溝 22 Oリング 23 Oリング 24 固定部材 a,b,c 仮想線 W ウエハ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Wafer fixing part 2 Connection member 3 Rotating shaft 4a, 4b, 4c V-groove body 5 Ball tip screw 6 Through hole 7 Fixing screw 8 Female screw hole 9 Spring washer 10 Step 11 Projection 12 Depression 13 Vacuum suction groove 14 Suction path Reference Signs List 15 connection pipe insertion hole 16 through hole 17 connection pipe insertion hole 18 suction path 19 connection pipe 20 O-ring groove 21 O-ring groove 22 O-ring 23 O-ring 24 fixing member a, b, c virtual line W wafer

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】ウエハ上の不要レジストを露光するウエハ
周辺露光装置において当該ウエハを吸着保持するウエハ
処理ステージであって、 駆動手段に接続され該駆動手段により互いに直行する二
方向および回転方向に駆動され内部に真空吸着路を有す
る軸と、 該軸に取りつけられ中央部に孔を有するフランジ状の基
材と、 表面にウエハを吸着固定するための真空吸着部が設けら
れ内部に該真空吸着部と連通するウエハ吸着固定用通路
が設けられている円板状のウエハ固定部とからなり、 該ウエハ固定部と該軸とは上記フランジ状の基材の孔を
貫通し該ウエハ固定部のウエハ吸着固定用通路と上記軸
の真空吸着路とを連結するための接続パイプにより接続
されていて、 上記ウエハ固定部の下面には3個のV溝体が設けられ、 上記基材には該基材表面に直角な方向に変位可能な3個
の支持軸が設けられ、 上記3個のV溝体とそれぞれ対遇する上記3個の支持軸
により上記ウエハ固定部が上記基材に対する傾斜角度が
調節可能であるように支持され、 上記3個のV溝体は上記円板状のウエハ固定部の中心に
対して同心円状であって、上記3個のV溝体の方向に一
致する仮想線が一点で交わるように配置され ていること
を特徴とするウエハ周辺露光装置のウエハ処理ステー
ジ。
1. A wafer processing stage for adsorbing and holding a wafer in a wafer peripheral exposure apparatus for exposing an unnecessary resist on the wafer, wherein the wafer processing stage is connected to a driving means and is driven in two directions and a rotation direction orthogonal to each other by the driving means. A shaft having a vacuum suction passage therein, a flange-shaped base material attached to the shaft and having a hole in the center, and a vacuum suction portion for suction-fixing a wafer on the surface and provided inside the vacuum suction portion. A disc-shaped wafer fixing portion provided with a wafer suction fixing passage communicating with the wafer, the wafer fixing portion and the shaft penetrate through the hole of the flange-shaped base material, and the wafer of the wafer fixing portion The suction fixing passage is connected to a vacuum suction passage of the shaft by a connection pipe, and three V-grooves are provided on a lower surface of the wafer fixing portion. Three support shafts displaceable in a direction perpendicular to the surface are provided, and the tilt angle of the wafer fixing portion with respect to the base material is adjusted by the three support shafts respectively facing the three V-groove bodies. Supported as possible, the three V-grooves are located at the center of the disk-shaped wafer fixing portion.
Concentric with each other, one direction in the direction of the three V-grooves.
A wafer processing stage of a wafer peripheral exposure apparatus, wherein the matching virtual lines are arranged so as to intersect at one point .
【請求項2】前記仮想線の交点が前記円板状のウエハ固
定部の中心と略一致していることを特徴とする請求項2
に記載のウエハ周辺露光装置のウエハ処理ステージ。
2. The method according to claim 1, wherein the intersection of the imaginary line is a solid of the disk-shaped wafer.
The center of the fixed portion substantially coincides with the center of the fixed portion.
4. A wafer processing stage of the wafer peripheral exposure apparatus according to 4.
【請求項3】前記基材には3個の貫通孔が設けられ、 前記ウエハ固定部材の下面には3個の雌ねじ孔が設けら
れ、 3個のスプリングワッシャと上記3個の貫通孔とを貫通
する3個の雄ねじと上記雌ねじとがそれぞれ螺合し、 上記3個の雌ねじと螺合する上記3個の雄ねじは上記円
板状のウエハ固定部の 中心に対して同心円状であって、
上記仮想線上に位置していて、上記真空吸着部はウエハ
固定部の表面の周辺部に円周状に設けられていることを
特徴とする請求項1,2に記載のウエハ周辺露光装置の
ウエハ処理ステージ。
3. The base member is provided with three through holes , and the lower surface of the wafer fixing member is provided with three female screw holes.
Through the three spring washers and the three through holes
The three male screws to be screwed are respectively screwed with the female screw, and the three male screws to be screwed to the three female screws are the circles described above.
Concentric with the center of the plate-shaped wafer fixing portion ,
The vacuum suction part is located on the imaginary line,
That it is provided circumferentially around the periphery of the fixed part
The wafer peripheral exposure apparatus according to claim 1 or 2,
Wafer processing stage.
JP08463097A 1997-03-19 1997-03-19 Wafer processing stage of wafer peripheral exposure system Expired - Fee Related JP3313609B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP08463097A JP3313609B2 (en) 1997-03-19 1997-03-19 Wafer processing stage of wafer peripheral exposure system

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP08463097A JP3313609B2 (en) 1997-03-19 1997-03-19 Wafer processing stage of wafer peripheral exposure system

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH10261582A JPH10261582A (en) 1998-09-29
JP3313609B2 true JP3313609B2 (en) 2002-08-12

Family

ID=13836014

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP08463097A Expired - Fee Related JP3313609B2 (en) 1997-03-19 1997-03-19 Wafer processing stage of wafer peripheral exposure system

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3313609B2 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020175191A1 (en) * 2019-02-27 2020-09-03 東京エレクトロン株式会社 Substrate treatment device, substrate treatment system, and method for aligning placement table
JP2020141118A (en) * 2019-02-27 2020-09-03 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing device, substrate processing system, and method for aligning placement table

Also Published As

Publication number Publication date
JPH10261582A (en) 1998-09-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR0145257B1 (en) Positioning stage device
US7354168B2 (en) Facet mirror having a number of mirror facets
US7670437B2 (en) Mask and substrate alignment for solder bump process
US5323712A (en) Table moving apparatus
JP2008198797A (en) Substrate position detecting device and its imaging means position adjusting method
US8582081B2 (en) Device for the low-deformation replaceable mounting of an optical element
KR20030085571A (en) Apparatus and methods for aligning a surface of an active retainer ring with a wafer surface for chemical mechanical polishing
JPH0778897A (en) Semiconductor chip and its preparation
JPH1089904A (en) V-notch wafer positioning device
US20150033886A1 (en) Driving apparatus with taper screw and elastic driving member to displace object
US4198159A (en) Optical alignment system in projection printing
JP3313609B2 (en) Wafer processing stage of wafer peripheral exposure system
JP2007005577A (en) Pressing apparatus and method
US6237393B1 (en) Wafer center alignment device and method of wafer alignment
JP3142285B2 (en) Ion implantation apparatus and method
US20060017909A1 (en) Stage apparatus, exposure apparatus, and semiconductor device manufacturing mehtod
JPH0831515B2 (en) Substrate suction device
US5277539A (en) Substrate conveying apparatus
SE457034B (en) DEVICE WITH PHOTO EXPOSURE SYSTEM FOR SEMICONDUCTOR DISCS WITH A CAMERA FOR EXPOSURE OF THE DISC TO MAKE SEMICONDUCTOR DEVICES.
JPH09121040A (en) Semiconductor optical device
WO1985000075A1 (en) Wafer height correction system for focused beam system
JPH09219437A (en) Positioning apparatus
JPH10242033A (en) Mask retainer, aligner, device manufacturing method and mask structure body
JPH04338626A (en) Apparatus for positioning stage
JP4559137B2 (en) Vacuum equipment manufacturing apparatus and manufacturing method

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080531

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090531

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100531

Year of fee payment: 8

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees