JP3312653B2 - Photo mask - Google Patents
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子製造に用い
る露光用のフォトマスク及びその製造方法に関するもの
である。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a photomask for exposure used for manufacturing a semiconductor device and a method for manufacturing the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、この種のフォトマスクは、ｉ線、
ＫｒＦエキシマレーザ等の照明光に対してほぼ透明な基
板（石英等のガラス基板）に、遮光部により回路パター
ンが形成されたものである。この回路パターンを成す遮
光部は１層の遮光材（クロム膜等）で形成されており、
その遮光材の層は光が透過しないような膜厚で作られて
いた。また、最近では回路パターンの一部に光の位相を
シフトさせるための位相シフター（誘電体薄膜）の層を
形成した、所謂位相シフト用マスクも作られていた。2. Description of the Related Art Conventionally, this type of photomask has been used for i-line,
A circuit pattern is formed by a light-shielding portion on a substrate (glass substrate such as quartz) substantially transparent to illumination light such as a KrF excimer laser. The light-shielding portion forming the circuit pattern is formed of a single layer of light-shielding material (chrome film or the like).
The light-shielding material layer was formed with a film thickness so that light did not transmit. Also, recently, a so-called phase shift mask in which a layer of a phase shifter (dielectric thin film) for shifting the phase of light is formed in a part of a circuit pattern has been manufactured.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
如き従来の技術においては、露光装置の投影レンズの解
像力に比べてパターンが粗いものである場合、パターン
像の暗部（上記遮光部に対応）の中央部付近に僅かなが
ら光の強度があるという分布になっていた。このため、
被投影体にポジレジストを用いると、特に露光量を大き
くした場合に、レジストに露光されたパターンの中央部
が感光して凹んでしまうことがあった。However, in the prior art as described above, when the pattern is coarse compared with the resolution of the projection lens of the exposure apparatus, the dark portion of the pattern image (corresponding to the light-shielding portion) is formed. The distribution was such that there was a slight light intensity near the center. For this reason,
When a positive resist is used for the projection target, the central portion of the pattern exposed on the resist may be exposed to light and may be dented, particularly when the exposure amount is increased.
【０００４】さらに、図１１に示すようなマスク基板Ｇ
上の遮光層Ｂの一部に光の位相をシフトさせる位相シフ
ターＤを設けたマスクにおいては、位相シフターＤを被
着した部分と被着していない部分の夫々の透過光の強度
を制御する必要が生じることがあった。このため、特に
エッジ強調型（補助パターンを持つもの）、及び遮光効
果強調型の位相シフト用マスクにおいて遮光層Ｂの開口
部（位相シフター被着部）からの透過光量を制限するた
めには、図１２に示すように、図１１に示すマスクに比
べて遮光層Ｂの開口線幅を狭くしなければならなくな
る。しかし、遮光層Ｂの開口線幅を狭くし過ぎると、マ
スク製造時にこの開口部が所定の線幅にならない、若し
くはこの開口部が分離しない等の問題が起き、実用に適
するマスクが得られないという問題があった。Further, a mask substrate G as shown in FIG.
In a mask provided with a phase shifter D for shifting the phase of light in a part of the upper light shielding layer B, the intensity of transmitted light in each of the portion where the phase shifter D is attached and the portion where the phase shifter D is not attached is controlled. Sometimes it was necessary. Therefore, in order to limit the amount of transmitted light from the opening (the phase shifter-attached portion) of the light-shielding layer B, particularly in the edge-enhancing type (having an auxiliary pattern) and the light-shielding effect-enhancing type phase shift mask, As shown in FIG. 12, the width of the opening line of the light shielding layer B must be narrower than that of the mask shown in FIG. However, if the opening line width of the light-shielding layer B is too narrow, a problem occurs such that the opening does not have a predetermined line width or the opening does not separate at the time of manufacturing a mask, and a mask suitable for practical use cannot be obtained. There was a problem.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】 上記問題点解決のため
請求項１の発明では、照明光に対して透明な基板上に、
遮光性の材質を配置することによって形成されたパター
ンを有するフォトマスクにおいて、前記パターンが、前
記照明光に対する所定の透過率を持たせた所定厚さの遮
光性の材質の第１層で形成された第１部分と、遮光性の
材質の前記第１層に更に遮光性の材質の第２層を重ねて
形成され、前記第１部分に隣り合う位置に配置される第
２部分と、不要な反射を低減させるための反射防止手段
とを備え、前記第１層を位相シフト層を含む複数層構造
とした。Means for Solving the Problems In order to solve the above problems, according to the first aspect of the present invention, on a substrate transparent to illumination light,
In a photomask having a pattern formed by disposing a light-shielding material, the pattern is formed of a first layer of a light-shielding material having a predetermined thickness and a predetermined transmittance to the illumination light. A first part, a second part made of a light-shielding material further superimposed on the first layer of the light-shielding material, and a second part arranged at a position adjacent to the first part; Antireflection means for reducing reflection; and the first layer has a multilayer structure including a phase shift layer.
【０００６】前記フォトマスクの前記第１部分において
遮光性材質に所定の透過率を持たせるには、請求項２に
記載の発明のように、遮光性の材質を所定の厚さに形成
することによって、前記遮光性の材質に前記所定の透過
率を持たせることが考えられる。In order for the light-shielding material to have a predetermined transmittance in the first portion of the photomask, the light-shielding material is formed to a predetermined thickness as in the invention according to claim 2. Accordingly, it is conceivable that the light-shielding material has the predetermined transmittance.
【０００７】[0007]
【作用】 請求項１の発明のように、照明光を遮光する
第１部分に隣り合う位置に所定の透過率を持たせた第２
部分を設けることによって、前記フォトマスクを照明光
で照明した際に形成される前記パターンの像のコントラ
ストが向上する。また、フォトマスクを照明光で照明し
た際に不要な反射光が発生することが予想されるが、パ
ターンに反射防止手段を設けることによって、この不要
な反射光を減少することができる。According to the second aspect of the present invention, the second portion having a predetermined transmittance at a position adjacent to the first portion for shielding the illumination light.
By providing the portion, the contrast of the image of the pattern formed when the photomask is illuminated with the illumination light is improved. Unnecessary reflected light is expected to be generated when the photomask is illuminated with the illumination light. By providing an antireflection means in the pattern, the unnecessary reflected light can be reduced.
【０００８】本発明では、上記のような考えを利用して
いる。この場合、所定の光透過率を持たせたい部分は図
４に示すように、遮光材の膜厚を他の部分より薄い所定
の値にエッチングなどによって調整するという方法が考
えられる。しかし、エッチングなどによって所定の膜厚
を得るためには、光学式膜厚測定器などによって膜圧を
計測しながらエッチングを行わなければならず、所定の
膜圧を得ることは困難である。この問題は、照明光に対
する透過率が異なる複数の層でパターンを形成し、パタ
ーンの第１部分と第２部分とで照明光に対する透過率を
異ならせることによって解決でき、本発明ではこの考え
が利用されている。また、回路パターンを形成する複数
の層の化学的性質（耐エッチング性など）を異ならせれ
ば、膜圧を調整するために化学的な処理を行っても不要
な層のみが除去され、必要な層の膜厚は成膜時のまま変
化させないことも可能となる。In the present invention, the above idea is used. In this case, as shown in FIG. 4, a method of adjusting the film thickness of the light shielding material to a predetermined value smaller than other parts by etching or the like can be considered for a portion having a predetermined light transmittance. However, in order to obtain a predetermined film thickness by etching or the like, etching must be performed while measuring the film pressure with an optical film thickness measuring device or the like, and it is difficult to obtain a predetermined film pressure. This problem can be solved by forming a pattern with a plurality of layers having different transmittances for the illumination light, and making the transmittance for the illumination light different between the first portion and the second portion of the pattern. It's being used. Further, if the chemical properties (such as etching resistance) of the plurality of layers forming the circuit pattern are changed, only unnecessary layers are removed even if a chemical treatment is performed to adjust the film pressure. The film thickness of the layer can be kept unchanged during film formation.
【０００９】本発明によれば、照明光に対する透過率が
異なる複数の層で回路パターンを形成するようにしたた
め、回路パターンの中央部とエッジ部とで照明光に対す
る透過率を異ならせることが可能となる。また、回路パ
ターンを形成する複数の層の化学的性質（耐エッチング
性など）を異ならせたため、膜厚を調整するために化学
的な処理を行っても不要な層のみが除去され、必要な層
の膜厚は成膜時のまま変化することはない。According to the present invention, since the circuit pattern is formed by a plurality of layers having different transmittances for the illumination light, the transmittance for the illumination light can be made different between the central portion and the edge portion of the circuit pattern. Becomes Further, since the chemical properties (such as etching resistance) of the plurality of layers forming the circuit pattern are changed, only unnecessary layers are removed even if a chemical treatment is performed to adjust the film thickness. The thickness of the layer does not change as it is at the time of film formation.
【００１０】[0010]
【実施例】 半導体素子製造用のフォトマスクにおける
回路パターンは、結像状態（回路パターンの像コントラ
スト）に影響を与えない部分（回路パターンの中央部付
近）と、光透過部（ガラス基板部）に隣接した、結像状
態に影響を与える部分（回路パターンのエッジ付近）と
に分けられる。この回路パターンの像の結像状態（コン
トラスト）を向上させるためには、回路パターンのエッ
ジ付近に所定の透過率を持たせれば良い。因みにこのと
光透過率は、遮光材の吸光度と膜厚とにより決まるもの
である。図１は、本発明の第１の実施例によるフォトマ
スクの回路パターン部の概略的な構成を示す図である。
これは科学的性質（耐エッチング性など）がそれぞれ異
なる複数の材質の層で回路パターンを形成した例であ
り、ガラス基板Ｇ上には、照明光に対して所定の透過率
を有する第１の層（透光層）Ａとして例えばクロムの層
が、また照明光に対する透過率がほぼ零である第２の層
（遮光層）Ｂとして例えばタングステン・シリサイド
（ＷＳｉ）の層が形成されている。遮光層であるタング
ステン・シリサイドの層Ｂを透光層であるクロムの層Ａ
上の中央部１付近に形成することにより、エッジ部２で
光の透過率を有し、中央部で光の透過率がほぼ零である
パターンを得ることができる。EXAMPLE A circuit pattern in a photomask for manufacturing a semiconductor element has a portion that does not affect the image formation state (image contrast of the circuit pattern) (near the center of the circuit pattern) and a light transmitting portion (glass substrate portion). , And a portion that affects the imaging state (near the edge of the circuit pattern). In order to improve the image forming state (contrast) of the image of the circuit pattern, a predetermined transmittance may be provided near the edge of the circuit pattern. Incidentally, the light transmittance is determined by the absorbance and the film thickness of the light shielding material. FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a circuit pattern portion of a photomask according to a first embodiment of the present invention.
This is an example in which a circuit pattern is formed of a plurality of layers of materials having different scientific properties (such as etching resistance), and a first pattern having a predetermined transmittance for illumination light is formed on a glass substrate G. For example, a layer of chromium is formed as the layer (light-transmitting layer) A, and a layer of, for example, tungsten silicide (WSi) is formed as the second layer (light-shielding layer) B having almost zero transmittance to illumination light. Tungsten silicide layer B as a light shielding layer is replaced with chromium layer A as a light transmitting layer
By forming it near the upper central portion 1, it is possible to obtain a pattern having light transmittance at the edge portion 2 and almost zero light transmittance at the central portion.
【００１１】図８（ａ）は、本発明の第１の実施例によ
るフォトマスクの製造方法を示すフローチャートであ
る。このフォトマスクを作成するには、先ず、クロムの
層Ａを所定の透過率が得られる厚さだけスパッタし（ス
テップ１０１）、その上にタングステン・シリサイドの
層Ｂを、上記層Ａの透過率（膜厚）に応じて層Ａ，Ｂ全
体での透過率がほぼ零になるような厚さだけＣＶＤ（Ch
emical Vaper Deposition ）によって成膜する（ステッ
プ１０２）。その上で、このマスクにフォトレジスト
（ポジ型レジスト）を塗布し（ステップ１０３）、パタ
ーンの中央部１に対応した部分以外のフォトレジストを
感光、除去する（ステップ１０４）。次に六弗化硫黄
（ＳＦ6）ガスを用いてタングステン・シリサイドの層
Ｂを除去し（ステップ１０５）、残ったレジストを剥離
する（ステップ１０６）。この結果、パターンの中央部
１が形成されることになる。さらに、再度レジストを塗
布し（ステップ１０７）、パターンに対応した部分以外
のレジストを感光、除去する（ステップ１０８）。その
後、四塩化炭素と酸素との混合ガスを用いてＲＩＥ（Re
active Ion Etching）によりクロムの層Ａのエッチング
を行い（ステップ１０９）、残ったレジストを剥離して
完成とする。これによって回路パターンのエッジ部２が
形成される。FIG. 8A is a flowchart showing a method for manufacturing a photomask according to the first embodiment of the present invention. In order to form this photomask, first, a layer A of chromium is sputtered by a thickness to obtain a predetermined transmittance (step 101), and a layer B of tungsten silicide is further formed thereon by sputtering. The thickness of the CVD (Ch) is such that the transmittance of the entire layers A and B becomes substantially zero according to the (film thickness).
A film is formed by emical vapor deposition (step 102). Then, a photoresist (positive resist) is applied to this mask (step 103), and the photoresist other than the portion corresponding to the central portion 1 of the pattern is exposed and removed (step 104). Next, the tungsten silicide layer B is removed using sulfur hexafluoride (SF 6 ) gas (step 105), and the remaining resist is stripped (step 106). As a result, the central portion 1 of the pattern is formed. Further, a resist is applied again (step 107), and the resist other than the portion corresponding to the pattern is exposed and removed (step 108). After that, RIE (Re using a mixed gas of carbon tetrachloride and oxygen)
The chromium layer A is etched by active ion etching (step 109), and the remaining resist is stripped to complete. Thereby, the edge portion 2 of the circuit pattern is formed.
【００１２】或いは、図８（ｂ）に示すように、クロム
の層Ａを所定の透過率が得られる厚さだけスパッタし
（ステップ１１１）、その上にタングステン・シリサイ
ドの層Ｂを、上記層Ａの透過率（膜厚）に応じて層Ａ，
Ｂ全体での透過率がほぼ零になるような厚さだけＣＶＤ
によって成膜する（ステップ１１２）。その上で、この
マスクにフォトレジストを塗布し（ステップ１１３）、
パターンに対応した部分以外のフォトレジストを感光、
除去する（ステップ１１４）。次にＳＦ6ガスを用いた
タングステン・シリサイドの層Ｂのエッチング（ステッ
プ１１５）、及び四塩化炭素と酸素との混合ガスを用い
たクロムの層Ａのエッチング（ステップ１１６）を行な
ってガラス基板Ｇの表面を露出させる。その後、先の工
程で残ったレジストを剥離して（ステップ１１７）、再
度マスク上にフォトレジストを塗布し（ステップ１１
８）、パターンの中央部１に対応した部分以外のフォト
レジストを感光、除去する（ステップ１１９）。さら
に、タングステン・シリサイドの層Ｂをエッチングによ
り除去し（ステップ１２０）、残ったレジストを剥離し
て（ステップ１２１）完成とするという方法を採っても
構わない。Alternatively, as shown in FIG. 8B, a chromium layer A is sputtered by a thickness that can obtain a predetermined transmittance (step 111), and a tungsten silicide layer B is formed on the chromium layer A by sputtering. Depending on the transmittance (film thickness) of A, layers A,
CVD by a thickness such that the transmittance of the entire B becomes almost zero.
Is formed (step 112). Then, a photoresist is applied to the mask (step 113),
Exposing the photoresist other than the part corresponding to the pattern,
It is removed (step 114). Next, etching of the tungsten silicide layer B using SF 6 gas (step 115) and etching of the chromium layer A using a mixed gas of carbon tetrachloride and oxygen (step 116) are performed. Expose the surface. Thereafter, the resist remaining in the previous step is removed (step 117), and a photoresist is applied again on the mask (step 11).
8) Exposing and removing the photoresist other than the portion corresponding to the central portion 1 of the pattern (step 119). Further, a method of removing the tungsten silicide layer B by etching (Step 120) and removing the remaining resist (Step 121) to complete the method may be adopted.
【００１３】また、パターンを形成する層に用いられる
物質、エッチング剤、及びそれらの組合せは上記のもの
に限定する必要はなく、遮光層Ｂ（第２の層）を除去す
るためのエッチング剤に対して、透光層Ａ（第１の層）
の物質が遮光層Ｂの物質より耐エッチング性が高いもの
となるような物質どうしの組合せであればよい。図２
は、本発明の第２の実施例によるフォトマスクの回路パ
ターン部の概略的な構成を示す図である。これは夫々化
学的性質（耐エッチング性など）が同じ材質から成る第
１，第２の層の間に、これらの層とは化学的性質の異な
る材質から成る中間層（第３の層）を設けた例である。
即ち中間層Ｃは、これを挟む第１，第２の層の化学的性
質が同じ場合に、遮光層Ｂ（第２の層）をエッチングす
ることによって透光層Ａ（第１の層）までエッチングさ
れ、その膜厚が変化するのを防ぐために設けたものであ
る。ガラス基板Ｇ上には、透光層Ａとして例えば所定の
透過率を有する程度に薄くした膜厚のクロムの層が、ま
た中間層Ｃとして例えば二酸化珪素（ＳｉＯ2 ）の層
が、さらに遮光層Ｂとして例えばクロムの層が形成され
ている。第１の実施例と同様に、遮光層であるクロムの
層Ｂを透光層であるクロムの層Ａ上の中央部１付近に形
成することにより、エッジ部で光の透過率を有し、中央
部で光の透過率がほぼ零であるパターンを得ることがで
きる。The substance, etching agent, and combination thereof used in the layer forming the pattern need not be limited to those described above, but may be used as an etching agent for removing the light shielding layer B (second layer). On the other hand, the light transmitting layer A (first layer)
May be a combination of substances having a higher etching resistance than the substance of the light shielding layer B. FIG.
FIG. 5 is a diagram showing a schematic configuration of a circuit pattern portion of a photomask according to a second embodiment of the present invention. In this method, an intermediate layer (third layer) made of a material having a different chemical property from the first and second layers made of a material having the same chemical property (such as etching resistance) is used. This is an example in which the information is provided.
That is, when the chemical properties of the first and second layers sandwiching the intermediate layer C are the same, the intermediate layer C is etched to the light-shielding layer B (second layer) to reach the light-transmitting layer A (first layer). It is provided to prevent the film thickness from being changed by etching. On the glass substrate G, for example, a chromium layer having a thickness small enough to have a predetermined transmittance as the light transmitting layer A, a silicon dioxide (SiO 2 ) layer as the intermediate layer C, and a light shielding layer As B, for example, a chromium layer is formed. As in the first embodiment, the chromium layer B as the light-shielding layer is formed near the central portion 1 on the chromium layer A as the light-transmitting layer, so that the edge portion has a light transmittance. A pattern in which the light transmittance is almost zero at the center can be obtained.
【００１４】図９（ａ）は、本発明の第２の実施例によ
るフォトマスクの製造方法を示すフローチャートであ
る。このフォトマスクを作成するには、先ず、ガラス基
板Ｇ上にクロムの層Ａ、二酸化珪素の層Ｃ、クロムの層
Ｂの順で各層を夫々所定の膜厚で成膜する（ステップ１
３１〜１３３）。その上で、このマスクにフォトレジス
トを塗布し（ステップ１３４）、パターンの中央部１に
対応した部分以外のフォトレジストを感光、除去する
（ステップ１３５）。次にエッチングによりクロムの層
Ｂ、二酸化珪素の層Ｃの順に除去し（ステップ１３６，
１３７）、残ったレジストを剥離する（ステップ１３
８）。この結果、パターンの中央部１が形成されること
になる。さらに、再度レジストを塗布し（ステップ１３
９）、パターンに対応した部分以外のレジストを感光、
除去する（ステップ１４０）。その後、クロムの層Ａを
エッチングにより除去し（ステップ１４１）、残ったレ
ジストを剥離して（ステップ１４２）完成とする。これ
によって回路パターンのエッジ部２が形成される。FIG. 9A is a flowchart showing a method for manufacturing a photomask according to the second embodiment of the present invention. In order to form this photomask, first, a layer of chromium A, a layer of silicon dioxide C, and a layer of chromium B are formed on the glass substrate G in order of a predetermined thickness (step 1).
31-133). Then, a photoresist is applied to the mask (Step 134), and the photoresist other than the portion corresponding to the central portion 1 of the pattern is exposed and removed (Step 135). Next, the layer of chromium B and the layer of silicon dioxide C are removed in this order by etching (step 136).
137), the remaining resist is stripped (step 13)
8). As a result, the central portion 1 of the pattern is formed. Further, a resist is applied again (step 13
9), exposing the resist other than the portion corresponding to the pattern,
It is removed (step 140). Thereafter, the chromium layer A is removed by etching (step 141), and the remaining resist is stripped (step 142) to complete. Thereby, the edge portion 2 of the circuit pattern is formed.
【００１５】或いは、図９（ｂ）に示すように、ガラス
基板Ｇ上にクロムの層Ａ、二酸化珪素の層Ｃ、クロムの
層Ｂの順で各層を夫々所定の膜厚で成膜する（ステップ
１５１〜１５３）。その上で、このマスクにフォトレジ
ストを塗布し（ステップ１５４）、パターンに対応した
部分以外のフォトレジストを感光、除去する（ステップ
１５５）。次にエッチングにより層Ａ〜層Ｃの各層を除
去して（ステップ１５６〜１５８）ガラス基板Ｇの面を
露出させる。その後、先の工程で残ったレジストを剥離
してから（ステップ１５９）、再度マスク上にフォトレ
ジストを塗布し（ステップ１６０）、パターンの中央部
１に対応した部分以外のレジストを感光、除去する（ス
テップ１６１）。さらに、クロムの層Ｂ、及び二酸化珪
素の層Ｃを夫々エッチングにより除去し（ステップ１６
２，１６３）、残ったレジストを剥離して完成とすると
いう方法を採っても構わない。Alternatively, as shown in FIG. 9B, each layer is formed on a glass substrate G to a predetermined thickness in the order of a chromium layer A, a silicon dioxide layer C, and a chromium layer B ( Steps 151 to 153). Then, a photoresist is applied to the mask (step 154), and the photoresist other than the portion corresponding to the pattern is exposed and removed (step 155). Next, the layers A to C are removed by etching (steps 156 to 158) to expose the surface of the glass substrate G. Thereafter, the resist remaining in the previous step is peeled off (Step 159), and a photoresist is applied again on the mask (Step 160), and the resist other than the portion corresponding to the central portion 1 of the pattern is exposed and removed. (Step 161). Further, the chromium layer B and the silicon dioxide layer C are respectively removed by etching (step 16).
2,163), a method in which the remaining resist is peeled off to complete it may be adopted.
【００１６】上記第２の実施例においては、中間層Ｃの
うちパターンのエッジ部２に相当する部分をエッチング
により除去するようにしたが、この部分は特に除去する
必要はなく、図３に示すように、残しておいて透光層Ａ
と共に所定の透過率を有する１つの透光層を構成しても
良い。さらに、この残した中間層Ｃを光の位相をシフト
させる位相シフト部材で形成しておけば、位相シフト用
マスク（特に、エッジ強調型、若しくは遮光効果強調
型）としても用いることが可能である。In the second embodiment, the portion corresponding to the edge portion 2 of the pattern in the intermediate layer C is removed by etching, but this portion does not need to be particularly removed and is shown in FIG. So that the light-transmitting layer A
In addition, one light transmitting layer having a predetermined transmittance may be formed. Further, if the remaining intermediate layer C is formed of a phase shift member that shifts the phase of light, it can be used as a phase shift mask (particularly, an edge enhancement type or a light shielding effect enhancement type). .
【００１７】また、透光層Ａ及び遮光層Ｂはともに化学
的性質が同じ材質である場合の例を述べたが、化学的性
質の異なる材質である場合でも中間層が必要な場合があ
る。例えば第１の実施例の組み合わせ、即ちタングステ
ン・シリサイドとクロムとの組み合わせの場合、第１の
実施例とは反対に透光層をタングステン・シリサイドで
形成し、遮光層をクロムで形成するようにすると、これ
らの層の間に中間層を設ける必要がある。これはエッチ
ング剤（四塩化炭素と酸素との混合ガス）に対するタン
グステン・シリサイドの耐性がクロムに比べて低いため
である。つまり、上層のクロムをエッチングする際に、
下層のタングステン・シリサイドもエッチングされてし
まうことになる。これを防ぐためには、パターンを形成
する複数の層の材質が化学的に異なる場合でも、第２実
施例の場合と同様に中間層を設ければよい。この場合
は、透光層Ａ，遮光層Ｂの夫々の材質及びエッチング剤
を任意に決定することができるという効果がある。Also, the case where both the light-transmitting layer A and the light-shielding layer B are made of materials having the same chemical properties has been described. However, even when the materials having different chemical properties are required, an intermediate layer may be required. For example, in the case of the combination of the first embodiment, that is, the combination of tungsten silicide and chromium, contrary to the first embodiment, the light-transmitting layer is formed of tungsten silicide and the light-shielding layer is formed of chromium. Then, it is necessary to provide an intermediate layer between these layers. This is because the resistance of tungsten silicide to the etching agent (mixed gas of carbon tetrachloride and oxygen) is lower than that of chromium. In other words, when etching the upper layer of chrome,
The underlying tungsten silicide will also be etched. In order to prevent this, even when the materials of the layers forming the pattern are chemically different, the intermediate layer may be provided as in the case of the second embodiment. In this case, there is an effect that the respective materials and the etching agent of the light transmitting layer A and the light shielding layer B can be arbitrarily determined.
【００１８】図１、及び図２に示すフォトマスクはいず
れも、遮光層Ｂ、若しくは中間層Ｃのエッチングを行っ
ても透光層Ａの膜厚が成膜時のものから変化することは
なく、層Ａの膜厚、即ち光透過率の制御を成膜時におい
て制御できる。尚、以上の実施例ではパターンを形成す
る透光層（第１の層）と遮光層（第２の層）を夫々単層
構造としたが、各層を夫々複数層で構成してもよい。例
えば透光層を複数の層で形成すれば、パターンの複数の
エッジにおいて、構成する層の数を夫々変えることによ
り透過率を変化させることが可能となる。また、パター
ンのエッジ内で部分的に構成する層の数を変えれば、エ
ッジ内の位置によって光の透過率を変化させることも可
能である。特に第１の実施例においては、透光層を形成
する複数の層のうち少なくとも１層を光の位相をシフト
させる位相シフト部材で形成すれば、第２の実施例と同
様に位相シフト用マスクとして用いることができる。こ
の位相シフト部材の層は、透光層とマスクのガラス基板
とが接する部分であっても、透光層を形成する複数の層
の間であっても、何処でも構わない。さらに、複数の層
で形成するのは透光層に限らず遮光層であってもよい。In each of the photomasks shown in FIGS. 1 and 2, even when the light shielding layer B or the intermediate layer C is etched, the thickness of the light transmitting layer A does not change from that at the time of film formation. The control of the film thickness of the layer A, that is, the light transmittance can be controlled at the time of film formation. In the above embodiments, the light-transmitting layer (first layer) and the light-shielding layer (second layer) for forming the patterns have a single-layer structure, but each layer may be composed of a plurality of layers. For example, if the light-transmitting layer is formed by a plurality of layers, the transmittance can be changed by changing the number of constituent layers at a plurality of edges of the pattern. Further, if the number of layers partially formed in the edge of the pattern is changed, the light transmittance can be changed depending on the position in the edge. In particular, in the first embodiment, if at least one of a plurality of layers forming the light transmitting layer is formed of a phase shift member that shifts the phase of light, a phase shift mask is formed in the same manner as in the second embodiment. Can be used as The layer of the phase shift member may be any part, whether it is a part where the light transmitting layer and the glass substrate of the mask are in contact, or between a plurality of layers forming the light transmitting layer. Furthermore, what is formed of a plurality of layers is not limited to the light transmitting layer, but may be a light shielding layer.
【００１９】また、前記のように複数の層で構成された
遮光層のうちの表面の層、若しくは透光層のうちのガラ
ス基板に接する層の少なくとも一方を酸化クロム等の反
射防止材で形成すれば、パターンでの不要な反射光を減
少する所謂反射防止膜として使用することが可能とな
る。但し、遮光層のうちの表面の層を反射防止膜の層と
した場合は、パターンのエッジ部に相当する部分の遮光
層をエッチングする際にこの反射防止膜の層のエッジ部
に相当する部分も除去されてしまう。このため特に第２
の実施例においては、遮光層のうちの表面の層のみなら
ず、中間層（第３の層）をも反射防止膜で形成すればパ
ターンの全面に反射防止膜を形成することができ、さら
に効果的である。中間層は、光を透過し且つエッチング
剤に対する性質がクロムとは異なる材料で形成されなけ
ればならず、例えば二酸化珪素を反射防止効果の生じる
程度の厚さだけ成膜しておけばよい。Further, at least one of the surface layer of the light-shielding layer composed of a plurality of layers or the layer of the light-transmitting layer in contact with the glass substrate is formed of an antireflection material such as chromium oxide. Then, it can be used as a so-called antireflection film that reduces unnecessary reflected light in the pattern. However, when the surface layer of the light-shielding layer is an anti-reflection film layer, when etching the light-shielding layer at the portion corresponding to the edge of the pattern, the portion corresponding to the edge of the anti-reflection film is etched. Is also removed. Therefore, especially the second
In this embodiment, if not only the surface layer of the light-shielding layer but also the intermediate layer (third layer) is formed of the antireflection film, the antireflection film can be formed on the entire surface of the pattern. It is effective. The intermediate layer must be formed of a material that transmits light and has a different property with respect to an etchant from chromium. For example, silicon dioxide may be formed to a thickness that is sufficient to produce an antireflection effect.
【００２０】次に、従来のフォトマスクと本発明による
フォトマスクとを夫々照明し、その透過光の強度を夫々
検出した結果を図５、及び図１０を用いて説明する。図
５は、本発明の実施例によるフォトマスクを照明してそ
の回路パターンの投影像の光強度を検出した結果を示す
図である。この場合、エッジ部の光透過率は1.０％に定
めている。また、図１０は、従来の技術によるフォトマ
スクを照明してその回路パターンの投影像の光強度を検
出した結果を示す図である。即ち、フォトマスクのパタ
ーン部の光の透過率が零の場合である。各フォトマスク
共、パターン部の幅は0.６μｍであり、デューティー比
は１：１になっている。図中においては、０≦Ｘ≦0.
６、及び1.２≦Ｘ≦1.８の範囲がフォトマスクのパター
ン部に対応している。尚、使用した露光装置は、投影レ
ンズの開口数ＮＡ＝0.６、コヒーレンス・ファクターσ
＝0.３、露光波長λ＝３６５ｎｍである。Next, the results of illuminating the conventional photomask and the photomask according to the present invention and detecting the intensity of transmitted light thereof will be described with reference to FIGS. 5 and 10. FIG. FIG. 5 is a diagram showing a result of detecting a light intensity of a projected image of a circuit pattern by illuminating a photomask according to an embodiment of the present invention. In this case, the light transmittance of the edge portion is set to 1.0%. FIG. 10 is a diagram showing a result of detecting a light intensity of a projected image of a circuit pattern by illuminating a conventional photomask. That is, this is a case where the light transmittance of the pattern portion of the photomask is zero. In each photomask, the width of the pattern portion is 0.6 μm, and the duty ratio is 1: 1. In the figure, 0 ≦ X ≦ 0.
6 and the range of 1.2 ≦ X ≦ 1.8 correspond to the pattern portion of the photomask. The exposure apparatus used was such that the numerical aperture NA of the projection lens was 0.6 and the coherence factor σ
= 0.3 and exposure wavelength λ = 365 nm.
【００２１】これらの図から分かるように、従来の技術
によるフォトマスク（パターン部の光透過率が零）を用
いた場合に比べて、本発明によるフォトマスク（パター
ン部の光透過率が１％程度）を用いた場合の方がパター
ン部の像には光強度が殆ど無い。尚、結像に寄与する部
分（パターン部のエッジ部分）が所定の光透過率を有す
るようにすると、結像した像のコントラストが向上する
ことは計算によっても導かれる。As can be seen from these figures, the photomask according to the present invention (where the light transmittance of the pattern portion is 1%) is compared with the case where the photomask of the prior art (the light transmittance of the pattern portion is zero) is used. The image of the pattern portion has almost no light intensity when (approx.) Is used. It is also calculated that the contrast of the formed image is improved when the portion contributing to the image formation (edge portion of the pattern portion) has a predetermined light transmittance.
【００２２】一般に回路パターンの描画されたフォトマ
スクには、図１４（ａ）に示すように、その回路パター
ン３の描画された領域の周辺に遮光帯４が設けられてい
る。この回路パターン３が所定の透過率を有するもので
ある場合、所定の透過率を有する部材の層（透光層）の
みでパターンが形成されているとすると、この遮光帯４
も透過率を有する層で構成されていることになる。その
結果、ウェハ上の投影像の遮光帯に相当する部分にもそ
の透過率に相当する光束が達してしまい、レジストが感
光してしまうという不都合が生じる。これを防ぐために
は、遮光帯４の透過率は零であることが望ましい。従っ
て、図１４（ｂ）に示すように、フォトマスクの回路パ
ターン、及び遮光帯を本発明によるフォトマスクと同
様、照明光に対する透過率がほぼ零である遮光層と所定
の透過率を有する透光層とで構成するようにする。即
ち、ガラス基板Ｇ上にほぼ１％の透過率を有する透光層
Ａで回路パターンを形成し、遮光帯に相当する部分には
さらに遮光層Ｂを形成する。このフォトマスクの製造方
法は、前述の製造方法と同様である。つまり、透光層Ａ
と遮光層Ｂとを夫々所定の透過率が得られる膜厚に成膜
した上で、遮光層Ｂのうち遮光帯４に相当する部分を残
してエッチングにより除去し、透光層Ａのうち回路パタ
ーン３に相当する部分を残して同様に除去する。Generally, on a photomask on which a circuit pattern is drawn, a light-shielding band 4 is provided around a region where the circuit pattern 3 is drawn, as shown in FIG. In the case where the circuit pattern 3 has a predetermined transmittance, if the pattern is formed only of a layer (a light-transmitting layer) of a member having a predetermined transmittance, the light-shielding band 4
Is also composed of a layer having transmittance. As a result, the light flux corresponding to the transmittance reaches the portion corresponding to the light-shielding band of the projected image on the wafer, and the resist is disadvantageously exposed. In order to prevent this, it is desirable that the transmittance of the light shielding band 4 is zero. Therefore, as shown in FIG. 14 (b), the circuit pattern of the photomask and the light-shielding band are, similarly to the photomask according to the present invention, a light-shielding layer having a transmittance of illumination light substantially zero and a light-transmitting layer having a predetermined transmittance. An optical layer is used. That is, a circuit pattern is formed on the glass substrate G with the light transmitting layer A having a transmittance of about 1%, and a light shielding layer B is further formed on a portion corresponding to a light shielding band. The method for manufacturing the photomask is the same as the above-described manufacturing method. That is, the light transmitting layer A
And light-shielding layer B are each formed to a film thickness that allows a predetermined transmittance to be obtained. Then, the light-shielding layer B is removed by etching except for a portion corresponding to the light-shielding band 4, and the light-transmitting layer A The same removal is performed except for the portion corresponding to the pattern 3.
【００２３】 尚、この回路パターン３は透光層Ａのみ
で形成されると限定されるものではなく、前記実施例と
同様に遮光層Ｂで形成された中央部を有していても構わ
ない。次に、例えば図３に示すような本発明の実施例に
よるフォトマスクに応用した場合の例について、図６を
参照して説明する。因みに従来技術によるエッジ強調
型、若しくは遮光効果強調型の位相シフト用マスクは、
図１１に示すようにガラス基板上に光透過率が零である
遮光層が形成されている。この層Ｂは幅０．５μｍの開
口部を有し、この開口部には位相シフターの層Ｄが形成
されている。Note that the circuit pattern 3 is not limited to being formed only by the light transmitting layer A, and may have a central portion formed by the light shielding layer B as in the above-described embodiment. . Next, an example in which the present invention is applied to a photomask according to an embodiment of the present invention as shown in FIG. 3 will be described with reference to FIG. Incidentally, the edge enhancement type or the light-shielding effect enhancement type phase shift mask according to the related art is
As shown in FIG. 11, a light shielding layer having a light transmittance of zero is formed on a glass substrate. The layer B has an opening having a width of 0.5 μm, and the layer D of the phase shifter is formed in the opening.
【００２４】図６は、本発明の第３の実施例による位相
シフト用マスクのパターン部の概略的な構成を示す図で
ある。これは、第２の実施例によるフォトマスクの製造
時において、クロム層Ｂのエッチング後に位相シフター
である中間層Ｃのエッチングを行なわないものである。
この位相シフト用マスクはエッジ強調型、若しくは遮光
効果強調型のマスクであり、基板Ｇ上には所定の光透過
率（この場合４０％）を有する透光層Ａと、中間層とし
ての位相シフターの層Ｄとが形成され、さらにその上に
幅0.５μｍの開口部を有する光透過率が零の遮光層Ｂが
形成されている。FIG. 6 is a diagram showing a schematic configuration of a pattern portion of a phase shift mask according to a third embodiment of the present invention. This is one in which the intermediate layer C, which is a phase shifter, is not etched after the chromium layer B is etched during the manufacture of the photomask according to the second embodiment.
This phase shift mask is an edge-enhancement type or light-shielding effect-enhancement type mask. A light-transmitting layer A having a predetermined light transmittance (40% in this case) is provided on a substrate G, and a phase shifter as an intermediate layer is provided. And a light-shielding layer B having an opening with a width of 0.5 μm and having a light transmittance of zero is further formed thereon.
【００２５】このような断面構造の回路パターンを有す
るマスクと従来法によるマスクとを夫々照明し、その透
過光が形成する回路パターンの投影像の光強度分布につ
いて、図７、及び図１３を用いて説明する。露光装置
は、前述のものと同様、投影レンズの開口数ＮＡ＝0.
６、コヒーレンス・ファクターσ＝0.３、露光波長λ＝
３６５ｎｍのものを使用した。A mask having a circuit pattern having such a cross-sectional structure and a mask according to a conventional method are illuminated respectively, and the light intensity distribution of a projected image of the circuit pattern formed by the transmitted light will be described with reference to FIGS. Will be explained. The exposure apparatus has a numerical aperture of the projection lens NA = 0.
6. Coherence factor σ = 0.3, exposure wavelength λ =
The thing of 365 nm was used.
【００２６】図７は、本発明の実施例による位相シフト
用マスク（エッジ強調型、若しくは遮光効果強調型）を
照明し、その透過光が形成する回路パターンの投影像の
光強度分布を示す図である。このマスクの位相シフター
部の光透過率は、図１１に示す従来の位相シフト用マス
クの位相シフター部の透過率に対して約４０％である。FIG. 7 is a view showing a light intensity distribution of a projected image of a circuit pattern formed by illuminating a phase shift mask (edge enhancement type or light-shielding effect enhancement type) according to an embodiment of the present invention and transmitted light thereof. It is. The light transmittance of the phase shifter of this mask is about 40% of the transmittance of the phase shifter of the conventional phase shift mask shown in FIG.
【００２７】図１３は、従来の技術による位相シフト用
マスク（エッジ強調型、若しくは遮光効果強調型）を照
明し、その透過光が形成する回路パターンの投影像の光
強度分布を示す図である。このマスクの位相シフター部
の光透過率は１００％とする。図７、及び図１３に示す
ように、従来のマスクを使用した場合に比べ、本発明に
よるマスクを使用した場合の方が像のコントラストが0.
８９８から0.９３８へ向上した。因みに位相シフターを
設けていない場合のコントラストは0.８２６である。FIG. 13 is a view showing a light intensity distribution of a projected image of a circuit pattern formed by illuminating a conventional phase shift mask (edge enhancement type or light-shielding effect enhancement type) according to the prior art. . The light transmittance of the phase shifter portion of this mask is 100%. As shown in FIGS. 7 and 13, the contrast of the image is lower when the mask according to the present invention is used than when the conventional mask is used.
It improved from 898 to 0.938. Incidentally, the contrast when no phase shifter is provided is 0.826.
【００２８】[0028]
【発明の効果】 本発明によれば、パターンの第１部分
と第２部分とで光の透過率を変化させることにより、パ
ターンの像の暗部に生じる光の強度を減少させることが
できる。また、反射防止手段を備えることにより、パタ
ーンでの不要の反射を防止することができる。According to the present invention, by changing the transmittance of light between the first portion and the second portion of the pattern, it is possible to reduce the intensity of light generated in a dark portion of the image of the pattern. Further, by providing an anti-reflection means, unnecessary reflection on the pattern can be prevented.
【００２９】さらに、透光部の層を１層だけでなく、さ
らに多くの層を重ねることにより、透光部の光透過率を
位置により変化させることも可能である。また、複数の
層の一部を位相シフト材料の薄膜に変えることにより、
位相シフト用マスク（エッジ強調型、若しくは遮光効果
強調型）の効果を持たせることも可能である。特に、中
間層を位相シフターとして用いるようにすると、位相シ
フター等の膜厚管理を成膜時に行なうことができ、好都
合である。またこのとき、所定の光透過率を有する透光
部との組み合わせにより位相シフターの部分の透過光の
強度を減少させることができるため、パターンの像のコ
ントラストを強めることが可能である。さらに、従来の
技術による位相シフト用マスクと同様の効果を得るため
の位相シフター部分の面積、乃至は線幅を大きくするこ
とができるので、マスクパターンの製造時における欠陥
が発生する可能性が小さくなるという利点もある。Further, it is possible to change the light transmittance of the light transmitting portion depending on the position by laminating not only one layer of the light transmitting portion but also more layers. Also, by changing some of the layers to a thin film of phase shift material,
It is also possible to provide the effect of a phase shift mask (edge enhancement type or light-shielding effect enhancement type). In particular, when the intermediate layer is used as a phase shifter, the thickness of the phase shifter and the like can be controlled during film formation, which is convenient. At this time, the intensity of the transmitted light in the phase shifter portion can be reduced by combination with a light transmitting portion having a predetermined light transmittance, so that the contrast of the pattern image can be enhanced. Further, since the area or the line width of the phase shifter portion for obtaining the same effect as that of the phase shift mask according to the related art can be increased, the possibility of occurrence of a defect at the time of manufacturing the mask pattern is reduced. There is also the advantage of becoming.
【図１】本発明の第１の実施例によるフォトマスクのパ
ターン部の概略的な構成を示す図FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a pattern portion of a photomask according to a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の第２の実施例によるフォトマスクのパ
ターン部の概略的な構成を示す図FIG. 2 is a diagram showing a schematic configuration of a pattern portion of a photomask according to a second embodiment of the present invention;
【図３】本発明の第２の実施例によるフォトマスクにお
いて、中間層を残した場合のパターン部の概略的な構成
を示す図FIG. 3 is a diagram showing a schematic configuration of a pattern portion when an intermediate layer is left in a photomask according to a second embodiment of the present invention;
【図４】従来の技術によるマスクにおいてパターン部の
膜厚を部分的に変化させた様子を示す断面図FIG. 4 is a cross-sectional view showing a state where a film thickness of a pattern portion is partially changed in a mask according to a conventional technique.
【図５】本発明の実施例によるフォトマスクを照明して
その回路パターンの投影像の光強度を検出した結果を示
す図FIG. 5 is a diagram showing a result of detecting a light intensity of a projected image of a circuit pattern by illuminating a photomask according to an embodiment of the present invention.
【図６】本発明の第３の実施例による位相シフト用マス
クのパターン部の概略的な構成を示す図FIG. 6 is a diagram showing a schematic configuration of a pattern portion of a phase shift mask according to a third embodiment of the present invention.
【図７】本発明の実施例による位相シフト用マスクを照
明し、その透過光が形成する回路パターンの投影像の光
強度分布を示す図FIG. 7 is a view showing a light intensity distribution of a projected image of a circuit pattern formed by transmitted light from the illumination of the phase shift mask according to the embodiment of the present invention.
【図８】本発明の第１の実施例によるフォトマスクの製
造方法を示すフローチャートFIG. 8 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a photomask according to the first embodiment of the present invention.
【図９】本発明の第２の実施例によるフォトマスクの製
造方法を示すフローチャートFIG. 9 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a photomask according to a second embodiment of the present invention.
【図１０】従来の技術によるフォトマスクを照明してそ
の回路パターンの投影像の光強度を検出した結果を示す
図FIG. 10 is a view showing a result of detecting a light intensity of a projected image of a circuit pattern by illuminating a photomask according to a conventional technique.
【図１１】従来の技術による位相シフト用フォトマスク
のパターン部の概略的な構成を示す断面図FIG. 11 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a pattern portion of a conventional phase shift photomask.
【図１２】本発明の実施例による位相シフト用マスクと
同等の像を得るための従来の技術による位相シフト用マ
スクの回路パターン部の概略的な構成を示す断面図FIG. 12 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a circuit pattern portion of a phase shift mask according to a conventional technique for obtaining an image equivalent to that of the phase shift mask according to the embodiment of the present invention.
【図１３】従来の技術による位相シフト用マスクを照明
し、その透過光が形成する回路パターンの投影像の光強
度分布を示す図FIG. 13 is a diagram showing a light intensity distribution of a projected image of a circuit pattern formed by transmitted light illuminating a phase shift mask according to a conventional technique.
【図１４】（ａ）は遮光帯を有するフォトマスクの例を
示す図 （ｂ）は本発明と関係する技術による、フォトマスクの
遮光帯と回路パターンとの構成を示す図14A is a diagram illustrating an example of a photomask having a light-shielding band. FIG. 14B is a diagram illustrating a configuration of a light-shielding band of the photomask and a circuit pattern according to a technique related to the present invention.
１ パターン中央部 ２ パターンエッジ部 ３ 回路パターン ４ 遮光帯 Ａ 透光層 Ｂ 遮光層 Ｃ 中間層 Ｄ 位相シフター Ｇ ガラス基板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Pattern central part 2 Pattern edge part 3 Circuit pattern 4 Shielding band A Translucent layer B Shielding layer C Intermediate layer D Phase shifter G Glass substrate
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭59−128540（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−114306（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−173051（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−128447（ＪＰ，Ａ) 特公 昭51−4754（ＪＰ，Ｂ１) ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-59-128540 (JP, A) JP-A-54-114306 (JP, A) JP-A-63-173051 (JP, A) 128447 (JP, A) JP-B-51-4754 (JP, B1)
Claims (8)
材質を配置することによって形成されたパターンを有す
るフォトマスクであって、 前記パターンは、前記照明光に対する所定の透過率を持たせた所定厚さの
遮光性の材質の第１層で形成された第１部分と、 遮光性の材質の前記第１層に更に遮光性の材質の第２層
を重ねて形成され、前記第１部分に隣り合う位置に配置
される第２部分と、 不要な反射を低減させるための反射防止手段とを備え、前記第１層は位相シフト層を含む複数層構造であること
を特徴とするフォトマスク。1. A photomask having a pattern formed by disposing a light-shielding material on a substrate transparent to illumination light, wherein the pattern has a predetermined transmittance to the illumination light. Of a given thickness
A first portion formed of a first layer of a light-shielding material, and a second layer of a light-shielding material further on the first layer of the light-shielding material
Formed at a position adjacent to the first portion.
A photomask, comprising: a second portion to be formed; and antireflection means for reducing unnecessary reflection, wherein the first layer has a multilayer structure including a phase shift layer .
ことによって、前記遮光性の材質に前記所定の透過率を
持たせて形成されることを特徴とするフォトマスク。2. The photomask according to claim 1, wherein the first portion is formed by forming the light-shielding material to have a predetermined transmittance by forming the light-shielding material to a predetermined thickness. A photomask characterized by being made.
する遮光性材質とが異なることを特徴とするフォトマス
ク。3. The photomask according to claim 1 , wherein a light-shielding material forming the first layer and a light-shielding material forming the second layer are different.
サイドであることを特徴とするフォトマスク。4. The photomask according to claim 3 , wherein the light-shielding material forming the first layer is chromium, and the light-shielding material forming the second layer is tungsten silicide. mask.
おいて、 前記反射防止手段が、前記第２層の表面、および、前記
第１層の表面に形成された反射防止膜であることを特徴
とするフォトマスク。5. The photomask according to claim 1 , wherein said antireflection means is a surface of said second layer and an antireflection film formed on a surface of said first layer. Photomask.
成されることを特徴とするフォトマスク。6. The photomask according to claim 5 , wherein said antireflection film is formed of chromium oxide or silicon dioxide.
は、さらに、エッチング防止手段を有することを特徴と
するフォトマスク。7. The photomask according to claim 1 , further comprising etching prevention means.
マスク上に形成された前記パターンは回路パターンであ
って、 前記フォトマスクに前記照明光を照射して基板上に前記
パターンの像を形成することによって、前記パターンを
前記基板上に転写する工程を含む回路素子製造方法。Wherein said pattern formed in claim 1 to 7 on the photomask according to any one claim is a circuit pattern, an image of the pattern of the illumination light to the substrate irradiated to the photomask A method of manufacturing a circuit element, the method including a step of transferring the pattern onto the substrate by forming a pattern.
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