JP3309721B2 - Surface acoustic wave device - Google Patents
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Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、弾性表面波装置に
関し、特に、複数の弾性表面波（ＳＡＷ）共振子フィル
タを梯子型に接続してなる回路構成を有し、帯域フィル
タとして用いられる弾性表面波装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a surface acoustic wave device, and more particularly, to a surface acoustic wave (SAW) resonator filter having a circuit configuration in which a plurality of surface acoustic wave (SAW) resonator filters are connected in a ladder form and used as a bandpass filter. The present invention relates to a surface acoustic wave device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】携帯電話などの移動体通信機の高周波フ
ィルタとして、ＳＡＷ共振子フィルタを用いたものが提
案されている。この種の用途に用いられる弾性表面波装
置として、図１に示す接続構造を有する弾性表面波装置
が提案されている。2. Description of the Related Art As a high-frequency filter for a mobile communication device such as a mobile phone, a filter using a SAW resonator filter has been proposed. As a surface acoustic wave device used for this kind of application, a surface acoustic wave device having a connection structure shown in FIG. 1 has been proposed.
【０００３】この弾性表面波装置では、入力端ＩＮと、
出力端ＯＵＴとの間に３電極型の縦結合２重モードＳＡ
Ｗ共振子フィルタ１が配置されている。この縦結合型２
重モードＳＡＷ共振子フィルタ１は、ＳＡＷ伝搬方向に
沿って配置された３個のインターデジタルトランスデュ
ーサ（以下、ＩＤＴ）２〜４を有する。また、ＩＤＴ２
〜４の表面波伝搬方向両側には、反射器５，６が配置さ
れている。In this surface acoustic wave device, an input terminal IN,
Between the output terminal OUT and the three-electrode type vertically coupled dual mode SA
A W resonator filter 1 is provided. This vertical coupling type 2
The heavy-mode SAW resonator filter 1 has three interdigital transducers (hereinafter, IDTs) 2 to 4 arranged along the SAW propagation direction. IDT2
Reflectors 5 and 6 are disposed on both sides of the surface waves in the directions # 1 to # 4.
【０００４】ＩＤＴ２〜４のうち、両側のＩＤＴ２，４
の一方のくし歯電極２ａ，４ａが、間に第１の１ポート
型ＳＡＷ共振子フィルタ７を介して入力端ＩＮに接続さ
れている。また、ＩＤＴ３の一方のくし歯電極３ａが、
出力端ＯＵＴに接続されている。ＩＤＴ２〜４の他方の
くし歯電極２ｂ，３ｂ，４ｂは、アース電位に接続され
ている。Of the IDTs 2 to 4, both IDTs 2 and 4
Are connected to the input terminal IN via a first one-port SAW resonator filter 7 therebetween. Also, one of the comb electrodes 3a of the IDT 3 is
It is connected to the output terminal OUT. The other comb electrodes 2b, 3b, 4b of the IDTs 2 to 4 are connected to the ground potential.
【０００５】また、くし歯電極３ｂと出力端ＯＵＴとの
間の接続点８とアース電位との間に、第２の１ポート型
ＳＡＷ共振子フィルタ９が接続されている。すなわち、
図１に示した弾性表面波装置では、入出力間に縦結合型
２重モードＳＡＷ共振子フィルタ１が接続されており、
さらに、この縦結合型２重モードＳＡＷ共振子フィルタ
１の入力側に直列に第１の１ポート型ＳＡＷ共振子フィ
ルタ７が接続されている。また、入出力間と基準電位と
の間に上記第２の１ポート型ＳＡＷ共振子フィルタ９が
接続されている。従って、図１に示した弾性表面波装置
では、上記２個の直列共振子及び１個の並列共振子を有
するフィルタ回路が構成されている。A second one-port SAW resonator filter 9 is connected between a connection point 8 between the comb electrode 3b and the output terminal OUT and a ground potential. That is,
In the surface acoustic wave device shown in FIG. 1, a vertically coupled double mode SAW resonator filter 1 is connected between input and output,
Further, a first one-port SAW resonator filter 7 is connected in series to the input side of the longitudinally-coupled dual mode SAW resonator filter 1. The second one-port SAW resonator filter 9 is connected between the input and output and the reference potential. Therefore, in the surface acoustic wave device shown in FIG. 1, a filter circuit having the two series resonators and one parallel resonator is configured.
【０００６】ここでは、第１の１ポート型ＳＡＷ共振子
フィルタ７の共振周波数は、縦結合型２重モードＳＡＷ
共振子フィルタ１の通過帯域内になるように構成されて
おり、第２の１ポート型ＳＡＷ共振子フィルタ９は、そ
の反共振周波数が、縦結合型２重モード共振子フィルタ
１の通過帯域内となるように構成されている。Here, the resonance frequency of the first one-port SAW resonator filter 7 is a longitudinally coupled double mode SAW.
The second one-port SAW resonator filter 9 is configured so that its anti-resonance frequency is within the pass band of the longitudinally-coupled double-mode resonator filter 1. It is configured so that
【０００７】上記弾性表面波装置では、第１の１ポート
型ＳＡＷ共振子フィルタ７が、縦結合型２重モードＳＡ
Ｗ共振子フィルタ１の外側のＩＤＴ２，４に接続されて
おり、かつ上記のような共振特性を有するように構成さ
れているため、縦結合型２重モードＳＡＷ共振子フィル
タの外側のＩＤＴ２，４側におけるＶＳＷＲが低減さ
れ、かつ通過帯域外、特に高周波側の阻止域における減
衰量が拡大される。In the above-described surface acoustic wave device, the first one-port SAW resonator filter 7 has a longitudinally coupled double mode SA.
Since it is connected to the IDTs 2 and 4 outside the W resonator filter 1 and is configured to have the resonance characteristics as described above, the IDTs 2 and 4 outside the longitudinally coupled dual mode SAW resonator filter are provided. The VSWR on the side is reduced, and the attenuation outside the pass band, especially in the stop band on the high frequency side, is increased.
【０００８】また、上記第２の１ポート型ＳＡＷ共振子
フィルタ９が上記のような共振特性を有するため、縦結
合型２重モードＳＡＷ共振子フィルタ１の中央のＩＤＴ
３側におけるＶＳＷＲが低減され、かつ通過帯域外、特
に阻止域のうち低周波数側の阻止域の減衰量が拡大され
る。Further, since the second one-port SAW resonator filter 9 has the above-described resonance characteristics, the IDT at the center of the longitudinally coupled double mode SAW resonator filter 1 is provided.
The VSWR on the third side is reduced, and the amount of attenuation outside the pass band, particularly on the low frequency side of the stop band, is increased.
【０００９】よって、帯域内の低損失化、通過帯域内に
おけるＶＳＷＲの低減、並びに阻止域における減衰量を
拡大することが可能とされている。Therefore, it is possible to reduce the loss in the band, reduce the VSWR in the pass band, and increase the attenuation in the stop band.
【００１０】[0010]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図１に
示した弾性表面波装置を、例えば携帯電話などのアンテ
ナトップに用いた場合、受信側のフィルタの阻止域に
は、送信側からの大電力が印加されることになる。従っ
て、上記弾性表面波装置の構成では、例えば２Ｗ程度の
大きな電力が印加されると、瞬時に破壊してしまうとい
う問題があった。However, when the surface acoustic wave device shown in FIG. 1 is used on the top of an antenna of, for example, a mobile phone, the stop band of the filter on the receiving side has a large power from the transmitting side. Is applied. Therefore, in the configuration of the surface acoustic wave device, there is a problem that the device is instantaneously destroyed when a large power of, for example, about 2 W is applied.
【００１１】また、携帯電話などのアンテナトップの受
信側フィルタとして上記弾性表面波装置を用いる場合、
通常、ストリップラインなどを用いて上記弾性表面波装
置と、例えば誘電体共振器や弾性表面波装置を用いて構
成されている送信側のフィルタとを接続している。すな
わち、ストリップラインなどを用いて阻止域のインピー
ダンスが開放となるように、上記弾性表面波装置を送信
側フィルタと接続していた。When the above surface acoustic wave device is used as a receiving filter at the top of an antenna of a mobile phone or the like,
Usually, the surface acoustic wave device is connected to a transmission-side filter using, for example, a dielectric resonator or a surface acoustic wave device using a strip line or the like. That is, the surface acoustic wave device is connected to the transmitting filter so that the impedance in the stop band is opened using a strip line or the like.
【００１２】しかしながら、この場合には、送信側の損
失を抑制するために、受信側のフィルタの送信側の通過
帯域における反射係数が大きいことが強く望まれてい
る。ところが、上記弾性表面波装置を上記受信側フィル
タとして用いた場合、送信側通過帯域における反射係数
は、必ずしも十分ではなかった。However, in this case, in order to suppress the loss on the transmission side, it is strongly desired that the filter on the reception side has a large reflection coefficient in the pass band on the transmission side. However, when the surface acoustic wave device is used as the reception-side filter, the reflection coefficient in the transmission-side passband is not always sufficient.
【００１３】本発明の目的は、通過帯域内において低損
失であり、かつ減衰域における減衰量が大きいだけでな
く、耐電力性に優れており、かつ阻止域における反射係
数が大きい弾性表面波装置を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a surface acoustic wave device which has a low loss in a pass band, a large amount of attenuation in an attenuation region, an excellent power durability, and a large reflection coefficient in a stop band. Is to provide.
【００１４】[0014]
【課題を解決するための手段】本発明は、表面波伝搬方
向に沿って配置された３個のインターデジタルトランス
デューサと、反射器とを有する３電極型の縦結合型２重
モードＳＡＷ共振子フィルタに第１の１ポート型ＳＡＷ
共振子フィルタを電気的に並列に接続してなる弾性表面
波装置であって、前記縦結合型２重モードＳＡＷ共振子
フィルタが、中央のインターデジタルトランスデューサ
の電極指の本数よりも、両側のインターデジタルトラン
スデューサの電極指の和が多くなるように構成されてお
り、前記３電極型の縦結合型２重モードＳＡＷ共振子フ
ィルタの外側の一対のインターデジタルトランスデュー
サに、前記第１の１ポート型ＳＡＷ共振子フィルタが接
続されており、下記の構成を備えることを特徴とする。
すなわち、上記第１の１ポート型ＳＡＷ共振子フィルタ
の共振周波数は、縦結合型２重モードＳＡＷ共振子フィ
ルタの通過帯域よりも低周波数側となるように構成され
ており、かつ縦結合型２重モードＳＡＷ共振子フィルタ
と第１の１ポート型ＳＡＷ共振子フィルタとの接続点が
入力端とされている。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention relates to a method of surface wave propagation.
Three interdigital transformers arranged along the direction
Inducer and, first one-port SAW the longitudinally coupled double mode SAW resonator filter of three-electrode type having a reflector
A surface acoustic wave device comprising resonator filters electrically connected in parallel, wherein said longitudinally-coupled dual-mode SAW resonator is provided.
Filter is a central interdigital transducer
Than the number of electrode fingers
It is configured so that the sum of the electrode fingers of the
The three-electrode type vertically coupled dual mode SAW resonator
A pair of interdigital transducers outside the filter
The first one-port SAW resonator filter is connected to the
And is characterized by having the following configuration.
That is, the resonance frequency of the first one-port SAW resonator filter is set to be lower than the pass band of the longitudinally-coupled dual-mode SAW resonator filter. A connection point between the double mode SAW resonator filter and the first one-port SAW resonator filter is set as an input terminal.
【００１５】好ましくは、請求項２のように、第１の１
ポート型ＳＡＷ共振子フィルタは、複数対の互いに間挿
し合う電極指を有するＩＤＴを有し、かつ反射器を備え
てはいない。[0015] Preferably, the first 1
The port-type SAW resonator filter has an IDT having a plurality of pairs of interdigitated electrode fingers and does not include a reflector.
【００１６】本発明では、上記のように、第１の１ポー
ト型ＳＡＷ共振子フィルタの共振周波数が縦結合型２重
モードＳＡＷ共振子フィルタの通過帯域よりも低周波数
側、すなわち低周波数側の阻止域に位置するように構成
されており、かつ上記のように接続されているため、通
過帯域外、すなわち低周波数側の阻止域の減衰量を大き
くすることができる。加えて、例えば携帯電話などのア
ンテナトップのフィルタに用いた場合には、阻止域にお
ける反射係数を高めることができる。また、上記第１の
１ポート型ＳＡＷ共振子フィルタが縦結合型２重モード
ＳＡＷ共振子フィルタの入力側において接続されている
ため、印加された電力は、縦結合型の２重モードＳＡＷ
共振子フィルタと上記第１の１ポート型ＳＡＷ共振子フ
ィルタとに分散される。従って、耐電力性が高められ
る。According to the present invention, as described above, the resonance frequency of the first one-port SAW resonator filter is lower than the pass band of the longitudinally-coupled dual mode SAW resonator filter, that is, on the low frequency side. Since it is configured so as to be located in the stop band and is connected as described above, the amount of attenuation outside the pass band, that is, in the stop band on the low frequency side can be increased. In addition, for example, when used in a filter at the top of an antenna of a mobile phone or the like, the reflection coefficient in the stop band can be increased. Since the first one-port SAW resonator filter is connected on the input side of the longitudinally-coupled dual-mode SAW resonator filter, the applied power is reduced by the longitudinally-coupled dual-mode SAW resonator.
The filter is distributed to the resonator filter and the first one-port SAW resonator filter. Therefore, the power durability is improved.
【００１７】[0017]
【００１８】本発明によれば、入力側における阻止域に
おける耐電力性をより一層高めることができる。すなわ
ち、ＳＡＷフィルタにおいて大電力を投入した際に弾性
表面波装置が破壊されるのは、表面波を励振させた場合
の機械的ストレスによって、ＩＤＴを構成している電極
間にマイグレーションが生じるためである。本発明の上
記好ましい構成では、縦結合型２重モードＳＡＷ共振子
フィルタでは、両側の一対のＩＤＴに電力が印加さ
れ、かつ中央のＩＤＴの電極指の本数よりも、両側のＩ
ＤＴの電極指の和が多くなるように構成されているこ
と、並びに複数対のＩＤＴを有する上記第１の１ポー
ト型ＳＡＷ共振子フィルタが入力側において並列腕に配
置されていることにより、電力が印加される電極の総面
積が大きくされているので、入力側における耐電力性が
より一層高められる。According to the present invention , it is possible to further improve the power durability in the stop band on the input side. That is, the reason why the surface acoustic wave device is destroyed when large power is applied to the SAW filter is that migration occurs between the electrodes constituting the IDT due to the mechanical stress when the surface wave is excited. is there. In the preferred configuration of the present invention, in the longitudinally-coupled dual mode SAW resonator filter, electric power is applied to the pair of IDTs on both sides, and the number of I.F.
Since the sum of the electrode fingers of the DT is configured to be large, and the first one-port SAW resonator filter having a plurality of pairs of IDTs is arranged in the parallel arm on the input side, the power consumption is increased. Since the total area of the electrodes to which is applied is increased, the power durability on the input side is further improved.
【００１９】また、本発明の別の好ましい局面によれ
ば、上記第１の１ポート型ＳＡＷ共振子フィルタは、３
６°ＹカットＸ伝搬の圧電基板を用いて構成されてお
り、かつ４個または２個のＳＡＷ共振子を直列接続する
ことにより構成されており、各ＳＡＷ共振子を構成して
いるＩＤＴの電極指の幅ｗと、ＳＡＷ共振子の波長λ1
との比が、According to another preferred aspect of the present invention, the first one-port type SAW resonator filter has a three-port structure.
An electrode of an IDT that is configured using a 6 ° Y-cut X-propagating piezoelectric substrate and is configured by connecting four or two SAW resonators in series, and configuring each SAW resonator. The width w of the finger and the wavelength λ 1 of the SAW resonator
And the ratio
【００２０】[0020]
【数１】 (Equation 1)
【００２１】とされる。この構成によれば、第１の１ポ
ート型ＳＡＷ共振子フィルタが２段または４段の構成を
有するため、電極面積を大きくすることができ、それに
よって耐電力性を高めることができる。また、第１の１
ポート型ＳＡＷ共振子フィルタを多段構成とした場合に
は、該第１の１ポート型ＳＡＷ共振子フィルタの共振周
波数と反共振周波数との間に存在するスプリアスが大き
くなるが、後述の実施形態の説明から明らかなように、
上記式（１）を満たすように、第１の１ポート型ＳＡＷ
共振子フィルタを構成する各ＳＡＷ共振子が構成されて
いるため、上記スプリアスを抑制することができる。加
えて、上記式（１）を満たすように１ポート型ＳＡＷ共
振子フィルタの各共振子を構成することにより、電力が
印加された際のＩＤＴの電極指間マイグレーションによ
るＩＤＴ間の短絡が生じ難くされている。また、上記第
１の１ポート型ＳＡＷ共振子フィルタは、２重モードＳ
ＡＷ共振子フィルタに並列に接続されているので、上記
電極指の幅ｗを小さくしたとしても、通過帯域への影響
は小さい。よって、通過帯域の共振特性における損失の
劣化を引き起こすことなく、耐電力性を高めることがで
きる。It is assumed that According to this configuration, since the first one-port SAW resonator filter has a two-stage or four-stage configuration, it is possible to increase the electrode area, thereby improving power durability. Also, the first 1
When the port-type SAW resonator filter has a multi-stage configuration, the spurious existing between the resonance frequency and the anti-resonance frequency of the first one-port SAW resonator filter increases. As is clear from the description,
The first one-port SAW is set so as to satisfy the above equation (1).
Since each SAW resonator constituting the resonator filter is configured, the above spurious can be suppressed. In addition, by configuring each resonator of the one-port SAW resonator filter so as to satisfy the above equation (1), a short circuit between IDTs due to migration between electrode fingers of the IDT when power is applied is less likely to occur. Have been. The first one-port SAW resonator filter has a dual mode S
Since it is connected in parallel with the AW resonator filter, the influence on the pass band is small even if the width w of the electrode finger is reduced. Therefore, the power durability can be improved without causing deterioration of the loss in the resonance characteristics of the pass band.
【００２２】本発明の別の特定的な局面によれば、上記
第１の１ポート型ＳＡＷ共振子フィルタは、３６°Ｙカ
ットＸ伝搬の圧電基板を用いて構成されており、４個ま
たは２個の共振子を直列接続することにより構成されて
おり、かつ各共振子のＩＤＴの電極指間の間隔ｔと、共
振子の波長λ1 との比が、ｔ／λ1 ＞３とされている。According to another specific aspect of the present invention, the first one-port SAW resonator filter is constituted by using a 36 ° Y-cut X-propagating piezoelectric substrate, and comprises four or two SAW resonators. The number of resonators is connected in series, and the ratio between the spacing t between the electrode fingers of the IDT of each resonator and the wavelength λ 1 of the resonator is set to t / λ 1 > 3. I have.
【００２３】この構成によれば、第１の１ポート型ＳＡ
Ｗ共振子フィルタが４段または２段の構成とされている
ため、電極面積の拡大により耐電力性を高めることがで
きる。また、上記のように、第１の１ポート型ＳＡＷ共
振子フィルタを多段に構成した場合には、該１ポート型
ＳＡＷ共振子フィルタの共振周波数と反共振周波数との
間に存在するスプリアスが大きくなるおそれがある。し
かしながら、この構成では、ｔ／λ1 ＞３とされている
ため、後述の実施の形態の説明から明らかなように、通
過帯域内におけるスプリアスを効果的に抑制することが
できる。従って、通過帯域内の特性に影響を与えること
なく、耐電力性をさらに高めることができる。According to this configuration, the first one-port SA
Since the W resonator filter has a four-stage or two-stage configuration, power durability can be improved by increasing the electrode area. Further, as described above, when the first one-port SAW resonator filter is configured in multiple stages, the spurious existing between the resonance frequency and the anti-resonance frequency of the one-port SAW resonator filter is large. Could be. However, in this configuration, since t / λ 1 > 3, spurious in the pass band can be effectively suppressed, as is clear from the description of the embodiment below. Therefore, the power durability can be further improved without affecting the characteristics in the pass band.
【００２４】本発明のさらに別の局面によれば、上記縦
結合型２重モードＳＡＷ共振子フィルタが、３６°Ｙカ
ットＸ伝搬の圧電基板を用いて構成されており、両側に
位置するＩＤＴの外側端の電極指の中心と、反射器の内
側端の電極の中心の間隔をＩとしたときに、Ｉと、反射
器の波長λ2 との比が、According to still another aspect of the present invention, the above-described vertical-coupling dual-mode SAW resonator filter is constituted by using a 36 ° Y-cut X-propagating piezoelectric substrate, and has IDTs located on both sides. When the distance between the center of the electrode finger at the outer end and the center of the electrode at the inner end of the reflector is I, the ratio of I to the wavelength λ 2 of the reflector is:
【００２５】[0025]
【数２】 (Equation 2)
【００２６】とされている。この構成では、後述の実施
形態の説明から明らかなように、縦結合型２重モードＳ
ＡＷ共振子フィルタの両側のＩＤＴと反射器の間隔Ｉが
０．５３λ2 以上とされているため、阻止域における反
射係数を高めることができる。また、上記間隔Ｉが０．
５９λ2 以下とされているため、通過帯域内におけるＶ
ＳＷＲを大きくすることができる。従って、通過帯域内
の特性を劣化させることなく、阻止域における反射係数
をより一層高めることができる。It is assumed that: In this configuration, as will be apparent from the description of the embodiment described later, the longitudinally coupled dual mode S
Since the AW resonators on both sides of the interval I of the IDT and the reflector of the filter is a 0.53Ramuda 2 or more, it is possible to enhance the reflection coefficient at the stopband. When the interval I is equal to 0.
59λ 2 or less, so that V
SWR can be increased. Therefore, the reflection coefficient in the stop band can be further increased without deteriorating the characteristics in the pass band.
【００２７】本発明のさらに他の局面によれば、上記３
電極型の縦結合型２重モードＳＡＷ共振子フィルタの中
央のＩＤＴに、第２の１ポート型ＳＡＷ共振子フィルタ
が直列に接続される。この第２の１ポート型ＳＡＷ共振
子フィルタは、反共振周波数が縦結合型２重モードＳＡ
Ｗ共振子フィルタの通過帯域の低周波数側にあるように
構成されている。この構成によれば、縦結合型２重モー
ドＳＡＷ共振子フィルタの中央のＩＤＴに、すなわち出
力側に上記第２の１ポート型ＳＡＷ共振子フィルタが直
列に接続されているため、入力側端子の阻止域における
耐電力性及び反射係数を損なうことなく、阻止域におけ
る減衰量をより一層拡大することができる。第２の１ポ
ート型ＳＡＷ共振子フィルタについても、好ましくは、
反射器を有しないように構成される。According to still another aspect of the present invention, the above-mentioned item 3
A second one-port SAW resonator filter is connected in series to the center IDT of the electrode-type vertical-coupling dual-mode SAW resonator filter. The second one-port SAW resonator filter has an anti-resonance frequency of a longitudinally coupled double mode SA.
It is configured to be on the low frequency side of the pass band of the W resonator filter. According to this configuration, since the second one-port SAW resonator filter is connected in series to the center IDT of the longitudinally-coupled dual-mode SAW resonator filter, that is, to the output side, the input-side terminal The attenuation in the stop band can be further increased without impairing the power durability and the reflection coefficient in the stop band. The second one-port SAW resonator filter is also preferably
It is configured not to have a reflector.
【００２８】さらに、本発明の別の特定の局面によれ
ば、上記３電極型の縦結合型２重モードＳＡＷ共振子フ
ィルタの中央のＩＤＴに上記第２の１ポート型ＳＡＷ共
振子フィルタの他に、第３の１ポート型ＳＡＷ共振子フ
ィルタが接続される。もっとも、第３の１ポート型ＳＡ
Ｗ共振子フィルタは、２重モードＳＡＷ共振子フィルタ
に並列に接続される。具体的な例では、第３の１ポート
型ＳＡＷ共振子フィルタは、第２の１ポート型ＳＡＷ共
振子フィルタを間に介して、２重モードＳＡＷ共振子フ
ィルタに接続されている。この第３の１ポート型ＳＡＷ
共振子フィルタは、その共振周波数が縦結合型２重モー
ドＳＡＷ共振子フィルタの通過帯域の低周波数側にある
ように構成される。Further, according to another specific aspect of the present invention, the IDT at the center of the three-electrode type vertically-coupled dual-mode SAW resonator filter has the same structure as that of the second one-port SAW resonator filter. Is connected to a third one-port SAW resonator filter. However, the third one-port SA
The W resonator filter is connected in parallel to the dual mode SAW resonator filter. In a specific example, the third one-port SAW resonator filter is connected to the dual-mode SAW resonator filter via a second one-port SAW resonator filter. This third one-port SAW
The resonator filter is configured such that its resonance frequency is on the lower frequency side of the pass band of the longitudinally coupled dual mode SAW resonator filter.
【００２９】この構成によれば、縦結合型２重モードＳ
ＡＷ共振子フィルタの出力側に直列接続された上記第２
の１ポート型ＳＡＷ共振子フィルタに加えて、第３の１
ポート型ＳＡＷ共振子フィルタが並列に接続されている
ため、入力側端子の阻止域における耐電力性及び反射係
数を損なうことなく、阻止域における減衰量をより一層
拡大することができる。第３の１ポート型ＳＡＷ共振子
フィルタについても、好ましくは、反射器を有しないよ
うに構成される。According to this configuration, the vertically coupled double mode S
The second power supply connected in series to the output side of the AW resonator filter.
In addition to the one-port SAW resonator filter of
Since the port-type SAW resonator filters are connected in parallel, the attenuation in the stop band can be further increased without impairing the power durability and the reflection coefficient of the input terminal in the stop band. The third one-port SAW resonator filter is also preferably configured to have no reflector.
【００３０】[0030]
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ、本発明
の実施形態を説明する。図２は、本発明の第１の実施形
態に係る弾性表面波装置を示す模式的平面図である。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 2 is a schematic plan view showing the surface acoustic wave device according to the first embodiment of the present invention.
【００３１】本実施形態の弾性表面波装置２１は、３６
°ＹカットＸ伝搬のＬｉＴａＯ3 からなる圧電基板２２
を用いて構成されている。なお、圧電基板２２として
は、上記材料からなるものに限定されず、６４°Ｙカッ
トＸ伝搬のＬｉＮｂＯ3 、４１°ＹカットＸ伝搬ＬｉＮ
ｂＯ3 などを用いてもよい。The surface acoustic wave device 21 according to the present embodiment
Piezoelectric substrate 22 made of Y-cut X-propagation LiTaO 3
It is configured using The piezoelectric substrate 22 is not limited to the above-mentioned material, but is composed of 64 ° Y-cut X-propagating LiNbO 3 and 41 ° Y-cut X-propagating LiNb.
bO 3 or the like may be used.
【００３２】図２は、上記圧電基板２２上に構成された
電極構造を略図的に示している。すなわち、圧電基板２
２上には、３電極型の縦結合型２重モードＳＡＷ共振子
フィルタ２３と、第１の１ポート型ＳＡＷ共振子フィル
タ２４とが構成されている。FIG. 2 schematically shows an electrode structure formed on the piezoelectric substrate 22. That is, the piezoelectric substrate 2
A two-electrode type vertically coupled double mode SAW resonator filter 23 and a first one-port type SAW resonator filter 24 are formed on the upper surface 2.
【００３３】なお、縦結合型２重モードＳＡＷ共振子フ
ィルタ２３と、第１の１ポート型ＳＡＷ共振子フィルタ
２４とは、別々の圧電基板を用いて構成されていてもよ
く、あるいは図２に示されているように、単一の圧電基
板２２上に構成されていてもよい。It should be noted that the longitudinally-coupled double-mode SAW resonator filter 23 and the first one-port SAW resonator filter 24 may be formed using separate piezoelectric substrates, or as shown in FIG. As shown, it may be configured on a single piezoelectric substrate 22.
【００３４】縦結合型２重モードＳＡＷ共振子フィルタ
２３は、表面波伝搬方向に沿って並べられた３個のＩＤ
Ｔ２５，２６，２７を有する。各ＩＤＴ２５〜２７は、
それぞれ、複数本の電極指を有するくし歯電極２５ａ，
２５ｂ，２６ａ，２６ｂ，２７ａ，２７ｂを有する。す
なわち、各ＩＤＴ２５〜２７は、それぞれ、複数対の互
いに間挿し合う電極指を有する。The longitudinally-coupled dual-mode SAW resonator filter 23 has three IDs arranged along the surface wave propagation direction.
T25,26,27. Each IDT 25-27,
Comb electrodes 25a, each having a plurality of electrode fingers,
25b, 26a, 26b, 27a, and 27b. That is, each of the IDTs 25 to 27 has a plurality of pairs of electrode fingers interposed between each other.
【００３５】ＩＤＴ２５〜２７が設けられている領域の
表面波伝搬方向両側には、グレーティング反射器２８，
２９が形成されている。ＩＤＴ２５，２７の一方のくし
歯電極２５ａ，２７ａが、入力端子３０に電気的に接続
されている。また、中央に位置するＩＤＴ２６の一方の
くし歯電極２６ａが出力端子３１に電気的に接続されて
いる。また、ＩＤＴ２５〜２７の他方のくし歯電極２５
ｂ，２６ｂ，２７ｂは、アース電位に接続されている。On both sides of the region where the IDTs 25 to 27 are provided in the surface wave propagation direction, grating reflectors 28,
29 are formed. One of the IDTs 25 and 27 has an interdigital electrode 25 a or 27 a electrically connected to the input terminal 30. One IDT 26 a of the IDT 26 located at the center is electrically connected to the output terminal 31. Also, the other comb electrode 25 of the IDTs 25 to 27
b, 26b, 27b are connected to the ground potential.
【００３６】他方、入力端子３０と、ＩＤＴ２５，２７
との間の接続点３２とアース電位との間に上記１ポート
型ＳＡＷ共振子フィルタ２４が接続されている。言い換
えれば、入力端子３０は、縦結合型２重モードＳＡＷ共
振子フィルタ２３と、第１の１ポート型ＳＡＷ共振子フ
ィルタ２４との間の接続点３２から引き出されている。On the other hand, the input terminal 30 and the IDTs 25 and 27
The one-port SAW resonator filter 24 is connected between a connection point 32 between the filter and the ground potential. In other words, the input terminal 30 is drawn from a connection point 32 between the longitudinally-coupled double-mode SAW resonator filter 23 and the first one-port SAW resonator filter 24.
【００３７】また、第１の１ポート型ＳＡＷ共振子フィ
ルタ２４は、互いに直列に接続された４段のＩＤＴ２４
ａ〜２４ｄを有する。すなわち、ＩＤＴ２４ａ〜２４ｄ
は、隣合うＩＤＴにおいて、バスバーを共有している。
すなわち、バスバー３３ａ〜３３ｃは、共通バスバーで
あり、例えばバスバー３３ａは、ＩＤＴ２４ａの一方の
くし歯電極の複数の電極指を共通接続するバスバーと、
ＩＤＴ２４ｂの一方の複数本の電極指を共通接続するバ
スバーとを兼ねている。The first one-port type SAW resonator filter 24 includes four stages of IDTs 24 connected in series with each other.
a to 24d. That is, IDTs 24a to 24d
Share a bus bar between adjacent IDTs.
That is, the bus bars 33a to 33c are common bus bars. For example, the bus bar 33a includes a bus bar that commonly connects a plurality of electrode fingers of one of the IDT electrodes 24a,
Also serves as a bus bar for commonly connecting one of the plurality of electrode fingers of the IDT 24b.
【００３８】また、１ポート型ＳＡＷ共振子フィルタ２
４は、好ましくは、図示のように両側に反射器を有しな
いように構成されているが、必要な特性に応じて両側に
反射器を有するように構成してもよい。Further, a one-port SAW resonator filter 2
4 is preferably configured to have no reflectors on both sides as shown, but may be configured to have reflectors on both sides depending on required characteristics.
【００３９】なお、上記各ＩＤＴ２４ａ〜２４ｄ，２５
〜２７並びに反射器２８，２９は、適宜の電極材料を用
いて形成することができるが、本実施形態ではアルミニ
ウムにより構成されている。もっとも、数重量％以下の
Ｃｕを添加させてなるアルミニウム合金を用いて上記各
ＩＤＴ２４ａ〜２４ｄ，２５〜２７，並びに反射器２
８，２９を形成してもよい。The above IDTs 24a to 24d, 25
27 to 27 and the reflectors 28 and 29 can be formed using an appropriate electrode material. In the present embodiment, the reflectors 28 and 29 are made of aluminum. However, each of the IDTs 24a to 24d, 25 to 27, and the reflector 2 is made of an aluminum alloy to which several percent by weight or less of Cu is added.
8, 29 may be formed.
【００４０】本実施形態の弾性表面波装置における上記
ＳＡＷ共振子フィルタ２３の挿入損失−周波数特性を、
図３（ａ）に示す。なお、図３において、実線Ｂは、実
線Ａで示した特性曲線の要部を、縦軸の挿入損失を１０
倍に拡大して示した特性曲線である。The insertion loss-frequency characteristics of the SAW resonator filter 23 in the surface acoustic wave device of this embodiment are as follows.
This is shown in FIG. In FIG. 3, the solid line B represents the main part of the characteristic curve shown by the solid line A, and the vertical axis represents the insertion loss of 10%.
It is a characteristic curve shown by magnifying twice.
【００４１】また、上記縦結合型２重モードＳＡＷ共振
子フィルタ２３のみのインピーダンススミスチャート
を、図３（ｂ）及び（ｃ）に示す。なお、図３（ｂ）
は、中央のＩＤＴ２６における特性を、図３（ｃ）は両
側のＩＤＴ２６，２７における特性を示す。FIGS. 3 (b) and 3 (c) show impedance Smith charts of only the vertical coupling type dual mode SAW resonator filter 23. FIG. 3 (b)
3 shows the characteristics in the center IDT 26, and FIG. 3C shows the characteristics in the IDTs 26 and 27 on both sides.
【００４２】また、上記第１の１ポート型ＳＡＷ共振子
フィルタ２４は、その共振周波数が、縦結合型２重モー
ドＳＡＷ共振子フィルタ２３の通過帯域よりも低周波数
側、すなわちＳＡＷ共振子フィルタ２３の低周波数側の
阻止域に位置するように、かつ反共振周波数が、ＳＡＷ
共振子フィルタ２３の通過帯域内に位置するようにＳＡ
Ｗ共振子フィルタ２３の外側のＩＤＴ２５，２７に接続
されている。The first one-port SAW resonator filter 24 has a resonance frequency lower than the pass band of the longitudinally-coupled dual mode SAW resonator filter 23, that is, the SAW resonator filter 23. Is located in the low-frequency side stop band and the anti-resonance frequency is SAW.
SA so that it is located within the pass band of the resonator filter 23
It is connected to IDTs 25 and 27 outside the W resonator filter 23.
【００４３】上記のように構成された本実施形態の弾性
表面波装置の入出力端子３０，３１間における挿入損失
周波数特性を図４（ａ）に示す。また、本実施形態の弾
性表面波装置におけるインピーダンススミスチャート
を、図４（ｂ）及び（ｃ）に示す。なお、図４（ｂ）
は、中央のＩＤＴ側における特性を、図４（ｃ）は、両
側のＩＤＴ２５，２７における特性を示す。FIG. 4A shows the insertion loss frequency characteristics between the input / output terminals 30 and 31 of the surface acoustic wave device according to the present embodiment configured as described above. FIGS. 4B and 4C show impedance Smith charts of the surface acoustic wave device according to the present embodiment. FIG. 4 (b)
4 shows the characteristics on the center IDT side, and FIG. 4C shows the characteristics on the IDTs 25 and 27 on both sides.
【００４４】なお、図３（ａ），図４（ａ）の実線Ｂで
示す特性は、実線Ａで示す特性の要部を挿入損失につい
てのスケールを１０倍に拡大して示したものである。図
３（ａ）に示したＳＡＷ共振子フィルタ２３のみの挿入
損失−周波数特性を、図４（ａ）に示されている本実施
形態の挿入損失−周波数特性と比較すると、通過帯域よ
りも低い周波数側の阻止域において、通過帯域近傍にお
ける減衰量が大幅に拡大されていることがわかる。The characteristics indicated by the solid line B in FIGS. 3A and 4A are the main parts of the characteristics indicated by the solid line A, with the scale of the insertion loss enlarged by a factor of ten. . When comparing the insertion loss-frequency characteristic of only the SAW resonator filter 23 shown in FIG. 3A with the insertion loss-frequency characteristic of the present embodiment shown in FIG. 4A, it is lower than the pass band. It can be seen that in the stop band on the frequency side, the amount of attenuation in the vicinity of the pass band is greatly expanded.
【００４５】また、図３（ｃ）と図４（ｃ）とに示され
ている特性を比較すれば、本実施形態によれば、上記第
１の１ポート型ＳＡＷ共振子フィルタ２４を並列接続し
ていることにより、阻止域での反射係数が高められてい
ることがわかる。従って、例えば、本実施形態の弾性表
面波装置を、携帯電話などの受信側のアンテナトップに
用いた場合には、相手側すなわち送信側の通過帯域にお
ける反射係数を効果的に高め得ることがわかる。Further, comparing the characteristics shown in FIGS. 3C and 4C, according to the present embodiment, the first one-port SAW resonator filter 24 is connected in parallel. This indicates that the reflection coefficient in the stop band is increased. Therefore, for example, when the surface acoustic wave device of the present embodiment is used as an antenna top on the receiving side such as a mobile phone, it can be seen that the reflection coefficient in the pass band on the other side, that is, on the transmitting side can be effectively increased. .
【００４６】なお、上記ＳＡＷ共振子フィルタ２３の通
過帯域は、９３５〜９６０ＭＨｚであり、低周波数側の
阻止域は、８９０〜９１５ＭＨｚである。上記のよう
に、本実施形態の弾性表面波装置では、縦結合型２重モ
ードＳＡＷ共振子フィルタ２３に並列に、共振周波数が
通過帯域よりも低周波数側に位置された上記第１の１ポ
ート型ＳＡＷ共振子フィルタ２４が接続されているた
め、通過帯域よりも低い側の阻止域において、減衰量を
拡大することができる。加えて、該阻止域における反射
係数を大きくすることができるため、例えば携帯電話な
どのアンテナトップに用いた場合、相手側すなわち送信
側のフィルタの通過帯域における損失を抑制することが
できる。The pass band of the SAW resonator filter 23 is 935 to 960 MHz, and the stop band on the low frequency side is 890 to 915 MHz. As described above, in the surface acoustic wave device according to the present embodiment, the first one-port whose resonance frequency is located on the lower frequency side of the pass band in parallel with the longitudinally-coupled double-mode SAW resonator filter 23. Since the type SAW resonator filter 24 is connected, the attenuation can be increased in the stop band lower than the pass band. In addition, since the reflection coefficient in the stop band can be increased, for example, when used in an antenna top of a mobile phone or the like, loss in a pass band of a filter on the other side, that is, a transmission side, can be suppressed.
【００４７】また、上記ＳＡＷ共振子フィルタ２４が、
並列接続されているため、印加された電力は、縦結合型
２重モードＳＡＷ共振子フィルタ２３と、該第１の１ポ
ート型ＳＡＷ共振子フィルタ２４とに分散されることに
なる。Further, the SAW resonator filter 24 is
Since they are connected in parallel, the applied power is distributed to the longitudinally-coupled dual-mode SAW resonator filter 23 and the first one-port SAW resonator filter 24.
【００４８】第１の実施形態の好ましい形態の一例 弾性表面波フィルタにおいて大電力を投入した際に阻止
の破壊に至るのは、表面波を励振させたときの機械的ス
トレスによるＩＤＴの電極指間でマイグレーションが生
じるためである。従って、好ましくは、図２に示した実
施形態の弾性表面波装置においては、縦結合型２重モー
ドＳＡＷ共振子フィルタ２３のＩＤＴ２５，２７の電極
指の数の和が、中央のＩＤＴ２６の電極指の数よりも多
くされる。このように構成すれば、電極指の本数が多い
側である、両側のＩＤＴ２５，２７に電力が印加され、
かつ上記のようにそれぞれが複数対の電極指を有し、か
つ互いに直列に複数段接続された複数のＩＤＴを有する
第１の１ポート型ＳＡＷ共振子フィルタ２４がＩＤＴ２
５，２７に接続されているため、電力が印加されるＩＤ
Ｔの電極指の総面積を大きくすることができ、それによ
って入力側端子の阻止域における耐電力性をより一層改
善することができる。 An example of a preferred embodiment of the first embodiment In the surface acoustic wave filter, when a large power is applied, the breaking of the blockage is caused by the mechanical stress when the surface wave is excited. This is because migration occurs. Therefore, preferably, in the surface acoustic wave device of the embodiment shown in FIG. 2, the sum of the electrode fingers of the IDTs 25 and 27 of the longitudinally-coupled dual mode SAW resonator filter 23 is equal to the electrode finger of the central IDT 26. Will be more than the number of. With such a configuration, power is applied to the IDTs 25 and 27 on both sides, which are the side where the number of electrode fingers is large,
In addition, as described above, the first one-port SAW resonator filter 24 having a plurality of pairs of electrode fingers and having a plurality of IDTs connected in series in a plurality of stages is the IDT2.
ID to which power is applied because it is connected to 5, 27
The total area of the electrode fingers of T can be increased, thereby further improving the power durability in the stop band of the input terminal.
【００４９】なお、この好ましい形態の弾性表面波装置
を、各ＩＤＴ電極をＡｌに対し１．５重量％のＣｕを添
加物として含有させたものを用いて試作したところ、図
１に示した従来の弾性表面波装置では２Ｗの電力を阻止
域に印加すると瞬時に弾性表面波装置の破壊が起こって
いたのに対し、この形態の弾性表面波装置では、周囲温
度８５℃において２Ｗの電力を阻止域において印加した
とき、耐電力性が最も低い、阻止域中の周波数位置にお
いても、７０時間以上の寿命を有することが確かめられ
ている。従って、好ましい形態の上記弾性表面波装置に
よれば、通過帯域内において低損失であり、かつ減衰量
が大きいだけでなく、耐電力性においてより一層優れた
弾性表面波装置を提供し得ることがわかる。The surface acoustic wave device of this preferred embodiment was prototyped using each IDT electrode containing 1.5% by weight of Cu with respect to Al as an additive. In the surface acoustic wave device of the above, when the power of 2 W was applied to the stop band, the surface acoustic wave device was instantaneously destroyed, whereas in this surface acoustic wave device, the power of 2 W was blocked at an ambient temperature of 85 ° C. It has been confirmed that when applied in the band, the device has a life of 70 hours or more even at the frequency position in the stop band where the power durability is the lowest. Therefore, according to the surface acoustic wave device of the preferred embodiment, it is possible to provide a surface acoustic wave device having a low loss in the pass band and a large amount of attenuation as well as more excellent power durability. Understand.
【００５０】第１の実施形態の好ましい態様の他の例 図２に示した実施形態の弾性表面波装置では、第１の１
ポート型ＳＡＷ共振子フィルタは、複数対の電極指を有
する４個のＩＤＴを直列に接続することにより構成され
ていた。この場合、各ＩＤＴ２４ａ〜２４ｄの開口長及
び電極指の対数は全て共通とされていた。 Another Example of Preferred Mode of First Embodiment In the surface acoustic wave device of the embodiment shown in FIG.
The port-type SAW resonator filter has been configured by connecting four IDTs having a plurality of pairs of electrode fingers in series. In this case, the opening lengths of the IDTs 24a to 24d and the number of pairs of electrode fingers were all common.
【００５１】上記第１の１ポート型ＳＡＷ共振子フィル
タ２４は、上記のように４個のＩＤＴを直列接続した４
段の構成とする必要は必ずしもなく、３段及び２段の構
成としてもよい。もっとも、第１の１ポート型ＳＡＷ共
振子フィルタ２４は、多くの段数を有するように構成す
ることにより、電極面積の増大を図ることができ、それ
によって耐電力性を改善することができると考えられ
る。The first one-port SAW resonator filter 24 is composed of four IDTs connected in series as described above.
It is not always necessary to have a stage configuration, and a three-stage or two-stage configuration may be employed. However, it is considered that the first one-port SAW resonator filter 24 can be configured to have a large number of stages, thereby increasing the electrode area, thereby improving the power durability. Can be
【００５２】上記第１の１ポート型ＳＡＷ共振子フィル
タ２４を、４段、３段及び２段としたときの挿入損失−
周波数特性を、それぞれ、図５〜図７に示す。なお、図
５〜図７中の曲線Ｄは、曲線Ｅで示す特性に対し、縦軸
の挿入損失の大きさを１０倍に拡大したスケールで示す
特性曲線である。Insertion loss when the first one-port SAW resonator filter 24 has four, three, and two stages.
The frequency characteristics are shown in FIGS. Curves D in FIG. 5 to FIG. 7 are characteristic curves in which the magnitude of the insertion loss on the vertical axis is enlarged by a factor of 10 with respect to the characteristic shown by the curve E.
【００５３】図５〜図７から明らかなように、３段構成
に比べて、４段構成及び２段構成では、通過帯域内の低
周波数側領域における損失を小さくすることができるこ
とがわかる。従って、送信周波数と受信周波数との差が
狭い携帯電話などに、効果的に用いることができる。As is apparent from FIGS. 5 to 7, it can be seen that the loss in the low frequency side region in the pass band can be reduced in the four-stage configuration and the two-stage configuration as compared with the three-stage configuration. Therefore, the present invention can be effectively used for a mobile phone having a small difference between the transmission frequency and the reception frequency.
【００５４】なお、図５〜図７に示した挿入損失−周波
数特性は、通過帯域が８６９〜８９４ＭＨｚであるよう
に構成されている場合の特性である。ところで、上記の
ように、第１の１ポート型ＳＡＷ共振子フィルタは、多
段構成とすることにより耐電力性を高め得るものである
が、１ポート型ＳＡＷ共振子フィルタの共振周波数と反
共振周波数との間に存在するスプリアスが大きくなると
いう問題がある。すなわち、図５において矢印Ｃで示す
スプリアスが大きくなるという問題がある。The insertion loss-frequency characteristics shown in FIGS. 5 to 7 are characteristics when the pass band is configured to be 869 to 894 MHz. By the way, as described above, the first one-port SAW resonator filter can improve power durability by forming a multi-stage configuration. However, the resonance frequency and the anti-resonance frequency of the one-port SAW resonator filter are increased. There is a problem that the spurious existing between them becomes large. That is, there is a problem that spurious components indicated by arrow C in FIG. 5 increase.
【００５５】第１の実施形態のある好ましい局面では、
上記スプリアスを低減するために、図２及び図１８に示
す第１の１ポート型ＳＡＷ共振子フィルタの電極指の線
幅ｗと、励振される表面波の波長λ1 との比が、１／４
未満とされている。このように、ｗ／λ1 を１／４未満
とすることにより上記スプリアスを低減し得る理由を説
明する。In a preferred aspect of the first embodiment,
In order to reduce the spurious, the ratio of the line width w of the electrode finger of the first one-port SAW resonator filter shown in FIGS. 2 and 18 to the wavelength λ 1 of the excited surface wave is 1 / 4
Less than. The reason why the above spurious can be reduced by setting w / λ 1 to less than １ ／ will be described.
【００５６】図８は、共振周波数が約８５０ＭＨｚとな
るように構成された、すなわちＩＤＴの電極の厚みが波
長λ1 の６．５％程度とされている第１の１ポート型Ｓ
ＡＷ共振子フィルタ２４のＩＤＴ２４ａ〜２４ｄの電極
指の線幅ｗの波長λ1 に対する比と、上記共振周波数と
スプリアスが発生している周波数との周波数差の関係を
示す図である。図８から明らかなように、ｗ／λ1 ＝
０．２５（１／４）では、上記周波数差が約１２．５Ｍ
Ｈｚとなることがわかる。従って、製造時の周波数ばら
つきや動作温度の変動分を考慮すると、通過帯域内にス
プリアスが発生することになり、通過帯域内の損失が大
きくなる。FIG. 8 shows a first one-port type S in which the resonance frequency is about 850 MHz, that is, the thickness of the IDT electrode is about 6.5% of the wavelength λ 1.
The ratio for the wavelength lambda 1 of the line width w of the electrode fingers of IDT24a~24d of AW resonator filter 24 is a diagram showing the relationship between the frequency difference between the frequency of the resonant frequency and the spurious occurs. As is clear from FIG. 8, w / λ 1 =
At 0.25 (1/4), the frequency difference is about 12.5M
Hz. Therefore, when the frequency variation and the fluctuation of the operating temperature at the time of manufacturing are considered, spurious is generated in the pass band, and the loss in the pass band increases.
【００５７】他方、図９は、電極厚みｈ／λ1 ＝約６．
５％、ｗ／λ1 ＝１／５である４段の第１の１ポート型
ＳＡＷ共振子フィルタ２４を構成した場合の該１ポート
型ＳＡＷ共振子フィルタの挿入損失−周波数特性を示
す。On the other hand, FIG. 9 shows an electrode thickness h / λ 1 = about 6.
6 shows the insertion loss-frequency characteristics of the one-port SAW resonator filter when a four-stage first one-port SAW resonator filter 24 having 5% and w / λ 1 = １ ／ is configured.
【００５８】なお、曲線Ｆは、曲線Ｇで示されている特
性に対し、縦軸の挿入損失のスケールを１０倍に拡大し
て示す特性である。図９から明らかなように、ここで
は、共振周波数とスプリアスが発生している周波数位置
との差が８．５ＭＨｚ以下であることがわかる。従っ
て、スプリアスが、通過帯域内に影響を与えないことが
わかる。The curve F is a characteristic in which the scale of the insertion loss on the vertical axis is magnified 10 times the characteristic shown by the curve G. As is clear from FIG. 9, it can be seen that the difference between the resonance frequency and the frequency position where the spurious is occurring is 8.5 MHz or less. Therefore, it can be seen that spurious does not affect the pass band.
【００５９】加えて、第１の１ポート型ＳＡＷ共振子フ
ィルタ２４のＩＤＴ２４ａ〜２４ｄの電極指の線幅ｗ
を、ｗ／λ1 ＜１／４とすることにより、電力が印加さ
れた際の電極指間マイグレーションによるＩＤＴ２４ａ
〜２４ｄのホット側とアース側との短絡による破壊を抑
制し得ることがわかる。すなわち、このような破壊に至
るまでの寿命を長くし得ることがわかる。In addition, the line width w of the electrode fingers of the IDTs 24a to 24d of the first one-port SAW resonator filter 24
Is set to w / λ 1 < １ ／, the IDT 24a due to migration between electrode fingers when power is applied.
It is understood that destruction due to a short circuit between the hot side and the ground side can be suppressed. That is, it can be seen that the life until such destruction can be extended.
【００６０】また、上記のような第１の１ポート型ＳＡ
Ｗ共振子フィルタ２４を２重モードＳＡＷ共振子フィル
タ２３に並列に接続したとしても、線幅ｗを小さくする
ことによる通過帯域への影響は小さく、従って、弾性表
面波装置全体の通過帯域における挿入損失の劣化を引き
起こすことなく、耐電力性を改善することができる。Further, the first one-port SA as described above
Even if the W resonator filter 24 is connected in parallel to the dual-mode SAW resonator filter 23, the effect on the pass band by reducing the line width w is small, and therefore, the insertion in the pass band of the entire surface acoustic wave device. The power durability can be improved without causing loss deterioration.
【００６１】第１の実施形態のさらに他の好ましい例 第１の実施形態の弾性表面波装置において、好ましく
は、上記縦結合型２重モードＳＡＷ共振子フィルタ２３
の外側のＩＤＴ２５，２７の外側端の電極指の中心と、
反射器の内側端の電極の中心との間の間隔をＩ、反射器
の電極の繰り返しの波長をλ2 としたとき（図２参
照）、 Still Another Preferred Example of the First Embodiment In the surface acoustic wave device of the first embodiment, preferably, the above-described longitudinally-coupled double-mode SAW resonator filter 23 is used.
The center of the electrode finger at the outer end of the IDTs 25 and 27 outside the
When the interval between the inner end of the reflector and the center of the electrode is I, and the repetition wavelength of the electrode of the reflector is λ 2 (see FIG. 2),
【００６２】[0062]
【数３】 (Equation 3)
【００６３】の関係を満たすように、ＳＡＷ共振子フィ
ルタ２３が構成される。なお、上記Ｉとは、より具体的
には、図２に示すように、例えば、外側のＩＤＴ２７の
最も外側の電極指の中心と、その外側に位置している反
射器２９の最も内側に位置する電極の中心との間の距離
を示す。The SAW resonator filter 23 is configured so as to satisfy the above relationship. More specifically, as shown in FIG. 2, the above I is, for example, the position of the center of the outermost electrode finger of the outer IDT 27 and the innermost position of the reflector 29 located on the outer side. The distance from the center of the electrode is shown.
【００６４】図１０は、縦結合型２重モードＳＡＷ共振
子フィルタ２３において、上記Ｉ／λ2 と、阻止域にお
ける反射係数の最小値との関係を示す図であり、図１１
は、同じく通過帯域におけるＶＳＷＲの最大値との関係
を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing the relationship between I / λ 2 and the minimum value of the reflection coefficient in the stop band in the longitudinally coupled double mode SAW resonator filter 23.
FIG. 7 is a diagram showing a relationship between the VSWR and the maximum value in the pass band.
【００６５】なお、上記特性は、ＳＡＷ共振子フィルタ
２３の通過帯域を８４９〜８６９ＭＨｚ、阻止域を８２
４〜８４９ＭＨｚとし、さらに周波数ばらつきを考慮
し、通過帯域を±２ＭＨｚ広くし、２９ＭＨｚとした場
合の特性である。The above characteristics show that the pass band of the SAW resonator filter 23 is 849 to 869 MHz and the stop band is 82
This is the characteristic when the frequency is 4 to 849 MHz, and the pass band is widened by ± 2 MHz to 29 MHz in consideration of frequency variation.
【００６６】図１０及び図１１から明らかなように、Ｓ
ＡＷ共振子フィルタ２３の外側のＩＤＴと反射器との間
隔Ｉが、０．５３λ2 以下の場合には、阻止域における
反射係数が０．７以下となり実用上問題が生じる。他
方、図１１から明らかなように、間隔Ｉが０．５９λ2
より大きくなると、ＶＳＷＲが２．５より大きくなる。
よって、図１０及び図１１の結果から明らかなように、
間隔Ｉは、０．５３λ2以上であり、０．５９λ2 以下
とすることが好ましいことがわかる。As is apparent from FIGS. 10 and 11, S
Interval I between the outer IDT and reflector of AW resonator filter 23, in the case of 0.53Ramuda 2 below, the reflection coefficient in the stopband becomes 0.7 or less practical problem arises. On the other hand, as is clear from FIG. 11, the interval I is 0.59λ 2
If it becomes larger, VSWR becomes larger than 2.5.
Therefore, as is clear from the results of FIGS. 10 and 11,
Interval I is the 0.53Ramuda 2 or more, it can be seen that it is preferable to 0.59Ramuda 2 or less.
【００６７】従って、本変形例に係る弾性表面波装置
を、例えば携帯電話機のアンテナトップの受信側フィル
タとして用い、送信側フィルタと接続した場合、受信側
フィルタの送信側通過帯域における反射係数を大きくす
ることができ、そのインピーダンスが開放により近づ
き、従って送信側フィルタの特性の劣化を抑制すること
ができる。Therefore, when the surface acoustic wave device according to the present modification is used, for example, as a receiving filter at the top of an antenna of a mobile phone and is connected to a transmitting filter, the reflection coefficient of the receiving filter in the transmitting pass band is increased. The impedance of the filter becomes closer to the open state, so that the deterioration of the characteristics of the transmitting filter can be suppressed.
【００６８】第１の実施形態の弾性表面波装置のさらに
他の好ましい態様 図２に示した弾性表面波装置では、好ましくは、第１の
１ポート型ＳＡＷ共振子フィルタ２４の各ＩＤＴ２４ａ
〜２４ｄ間の間隔ｔと、各ＩＤＴで構成される共振子の
波長λ1 との比が、ｔ／λ1 ＞３となるように構成され
る。このように、ｔ／λ1 ＞３とすることにより、共振
周波数と反共振周波数との間に存在するスプリアスに起
因する通過帯域内のリップルを低減することができる。
これを、図９及び図１７を参照して説明する。The surface acoustic wave device according to the first embodiment
Another Preferred Embodiment In the surface acoustic wave device shown in FIG. 2, each IDT 24a of the first one-port SAW resonator filter 24 is preferably used.
The ratio between the interval t between 間隔 24d and the wavelength λ 1 of the resonator constituted by each IDT satisfies t / λ 1 > 3. As described above, by setting t / λ 1 > 3, it is possible to reduce ripples in the pass band caused by spurious components existing between the resonance frequency and the anti-resonance frequency.
This will be described with reference to FIGS.
【００６９】前述したように、第１の１ポート型ＳＡＷ
共振子フィルタ２４を多段構成とすることにより、電極
面積の増大を図ることができ、それによって耐電力性を
高め得る。しかしながら、第１の１ポート型ＳＡＷ共振
子フィルタ２４を多段構成とした場合には、その共振周
波数と反共振周波数との間に存在するスプリアスが大き
くなる。すなわち、図５に矢印Ｃで示したスプリアスが
大きくなる。As described above, the first one-port SAW
By forming the resonator filter 24 in a multi-stage configuration, it is possible to increase the electrode area, thereby improving power durability. However, when the first one-port SAW resonator filter 24 has a multi-stage configuration, the spurious existing between the resonance frequency and the anti-resonance frequency increases. That is, the spurious component indicated by the arrow C in FIG. 5 increases.
【００７０】他方、図９に示した特性は、第１の１ポー
ト型ＳＡＷ共振子フィルタ２４を４段構成とした場合で
あって、かつ各ＩＤＴ２４ａ〜２４ｄ間の間隔ｔと波長
λ1との比がｔ／λ1 ＝２．１の場合の特性である。こ
こでは、帯域内リップルが２ｄＢ程度あることが認めら
れる。On the other hand, the characteristics shown in FIG. 9 are obtained when the first one-port SAW resonator filter 24 has a four-stage structure, and the distance t between the IDTs 24a to 24d and the wavelength λ 1 are different. This is a characteristic when the ratio is t / λ 1 = 2.1. Here, it is recognized that the in-band ripple is about 2 dB.
【００７１】これに対して、図１７は、上記ｔ／λ1 ＝
３．２の場合の挿入損失−周波数特性を示す。その他の
構成については、図９に示した場合と同様とされてい
る。図９と図１７とに示す特性を比較すれば明らかなよ
うに、図１７に示した特性では、通過帯域内のリップル
が約１／４まで低減されていることがわかる。すなわ
ち、間隔ｔを、ｔ／λ1 ＝３．２とすることによって、
上記のように通過帯域内のリップルを低減することがで
きる。本願発明者の実験によれば、上記ｔ／λ 1 を３よ
り大きくすれば、図１７に示した特性の場合と同様に、
通過帯域内のリップルを小さくし得ることが確かめられ
ている。On the other hand, FIG.1 =
9 shows insertion loss-frequency characteristics in the case of 3.2. Other
The configuration is the same as that shown in FIG.
You. It is clear from comparing the characteristics shown in FIG. 9 and FIG.
As shown in the characteristics shown in FIG.
Is reduced to about 1/4. Sand
The interval t is t / λ1 = 3.2,
Ripple in the pass band can be reduced as described above.
Wear. According to an experiment conducted by the inventor of the present application, the above t / λ 1 3
If it is made larger, as in the case of the characteristic shown in FIG.
It was confirmed that ripple in the pass band could be reduced.
ing.
【００７２】よって、第１の１ポート型ＳＡＷ共振子フ
ィルタ２４を多段構成とした場合には、ｔ／λ1 を３よ
り大きくすることにより、帯域内の特性を劣化させるこ
となく、耐電力性を高めることができる。Therefore, when the first one-port SAW resonator filter 24 has a multi-stage configuration, by setting t / λ 1 to be larger than 3, the power durability can be maintained without deteriorating the characteristics in the band. Can be increased.
【００７３】第２の実施形態 図１２は、本発明の第２の実施形態に係る弾性表面波装
置の電極構造を説明するための模式的平面図である。 Second Embodiment FIG. 12 is a schematic plan view for explaining an electrode structure of a surface acoustic wave device according to a second embodiment of the present invention.
【００７４】図１２において、圧電基板は特に図示はし
ていないが、３６°ＹカットＸ伝搬のＬｉＴａＯ3 基板
により圧電基板が構成されており、該圧電基板上に図１
２に示す電極構造が形成されている。なお、圧電基板と
しては、その他、６４°ＹカットＸ伝搬のＬｉＮｂＯ
3 、４１°ＹカットＸ伝搬ＬｉＮｂＯ3 などを用いるこ
とができる。In FIG. 12, although the piezoelectric substrate is not particularly shown, the piezoelectric substrate is constituted by a 36 ° Y-cut X-propagation LiTaO 3 substrate.
2 is formed. In addition, as the piezoelectric substrate, other than the above, LiNbO of 64 ° Y-cut X propagation
3 , 41 ° Y-cut X-propagation LiNbO 3 or the like can be used.
【００７５】上記圧電基板上には３電極型の縦結合型２
重モードＳＡＷ共振子フィルタ４１と、第１の１ポート
型ＳＡＷ共振子フィルタ４２と、第２の１ポート型ＳＡ
Ｗ共振子フィルタ４３とが構成されている。On the piezoelectric substrate, a three-electrode type vertically coupled type 2
Double mode SAW resonator filter 41, first one-port SAW resonator filter 42, and second one-port SA
A W resonator filter 43 is configured.
【００７６】縦結合型２重モードＳＡＷ共振子フィルタ
４１は、第１の実施形態で説明した縦結合型２重モード
ＳＡＷ共振子フィルタ２３と同様に構成されている。す
なわち、３個のＩＤＴ４４〜４６を有する。また反射器
４７，４８が、ＩＤＴ４４〜４６が構成されている領域
の両側に構成されている。The longitudinally-coupled dual-mode SAW resonator filter 41 has the same configuration as the longitudinally-coupled dual-mode SAW resonator filter 23 described in the first embodiment. That is, it has three IDTs 44 to 46. The reflectors 47 and 48 are formed on both sides of the region where the IDTs 44 to 46 are formed.
【００７７】ＩＤＴ４４，４６の一方のくし歯電極は、
入力端子４９に接続されている。他方のくし歯電極４４
ｂ，４６ｂはアース電位に接続されている。ＩＤＴ４５
の一方のくし歯電極４５ａは、第２の１ポート型ＳＡＷ
共振子フィルタ４３を介して出力端子５０に接続されて
いる。他方のくし歯電極４５ｂはアース電位に接続され
ている。One of the IDTs 44 and 46 has a comb electrode
Connected to input terminal 49. The other comb electrode 44
b and 46b are connected to the ground potential. IDT45
Of one of the comb electrodes 45a is a second one-port SAW.
It is connected to the output terminal 50 via the resonator filter 43. The other comb electrode 45b is connected to the ground potential.
【００７８】また、入力端子４９はアース電位との間に
は、第１の１ポート型ＳＡＷ共振子フィルタ４２が接続
されている。第１の１ポート型ＳＡＷ共振子フィルタ４
２は、第１の実施形態で説明した第１の１ポート型ＳＡ
Ｗ共振子フィルタ２４と同様に構成されている。すなわ
ち、第１の１ポート型ＳＡＷ共振子フィルタ４２は、互
いに直列に接続されたＩＤＴ４２ａ〜４２ｄを有する。
すなわち、ＳＡＷ共振子フィルタ４２は、４段のＩＤＴ
を直列接続することにより構成されている。The first one-port SAW resonator filter 42 is connected between the input terminal 49 and the ground potential. First one-port SAW resonator filter 4
2 is the first one-port SA described in the first embodiment.
It is configured similarly to the W resonator filter 24. That is, the first one-port SAW resonator filter 42 has the IDTs 42a to 42d connected in series to each other.
That is, the SAW resonator filter 42 is a four-stage IDT.
Are connected in series.
【００７９】上記のように、第１の１ポート型ＳＡＷ共
振子フィルタ４２は、入出力間と、アース電位との間に
接続されている。本実施形態の弾性表面波装置におけ
る、縦結合型２重モードＳＡＷ共振子フィルタ４２の入
力側の構成は、第１の実施形態と同様である。異なると
ころは、縦結合型２重モードＳＡＷ共振子フィルタ４１
の出力側、すなわち入出力間において、ＳＡＷ共振子フ
ィルタ４１の出力側に第２の１ポート型ＳＡＷ共振子フ
ィルタ４３が接続されていることにある。言い換えれ
ば、第２の１ポート型ＳＡＷ共振子フィルタ４３は、縦
結合型２重モードＳＡＷ共振子フィルタ４１に対して直
列に接続されている。As described above, the first one-port SAW resonator filter 42 is connected between the input and output and the ground potential. The configuration of the input side of the longitudinally-coupled dual-mode SAW resonator filter 42 in the surface acoustic wave device of the present embodiment is the same as that of the first embodiment. The difference is that a longitudinally coupled dual mode SAW resonator filter 41 is used.
The second one-port SAW resonator filter 43 is connected to the output side of the SAW resonator filter 41 between the output side, ie, between the input and output. In other words, the second one-port SAW resonator filter 43 is connected in series to the longitudinally-coupled dual-mode SAW resonator filter 41.
【００８０】また、本実施形態においても、第１の１ポ
ート型ＳＡＷ共振子フィルタ４２は、上記のように４段
構成の共振子であり、その共振周波数が、ＳＡＷ共振子
フィルタ４１の通過帯域の低周波数側、すなわち低域側
の阻止域の高周波数側に位置するように、かつ反共振周
波数がＳＡＷ共振子フィルタ４１の通過帯域となるよう
に構成されている。Also in the present embodiment, the first one-port SAW resonator filter 42 is a resonator having a four-stage configuration as described above, and its resonance frequency is set to the pass band of the SAW resonator filter 41. Is arranged on the lower frequency side, that is, on the higher frequency side of the lower stop band, and the anti-resonance frequency is in the pass band of the SAW resonator filter 41.
【００８１】従って、第１の実施形態の場合と同様に、
入力側における阻止域の高周波数側における減衰量を高
めることができ、かつ電極面積の増大により耐電力性が
高められている。さらに、本実施形態においても、ＳＡ
Ｗ共振子フィルタ４１では、両側のＩＤＴの電極指の数
の和が、中央のＩＤＴの電極指の数よりも多くされてい
るため、上記多段の共振子としての第１の１ポート型Ｓ
ＡＷ共振子フィルタ４２の接続ともあいまって、電力が
印加されるＩＤＴ電極の総面積が増大されており、従っ
て、耐電力性が改善されている。Therefore, as in the case of the first embodiment,
The amount of attenuation on the high frequency side of the rejection band on the input side can be increased, and the power durability is improved by increasing the electrode area. Further, in this embodiment, SA
In the W resonator filter 41, the sum of the number of electrode fingers of the IDTs on both sides is larger than the number of electrode fingers of the center IDT, so that the first one-port type S as the multistage resonator is used.
Together with the connection of the AW resonator filter 42, the total area of the IDT electrodes to which power is applied is increased, and therefore, the power durability is improved.
【００８２】さらに、本実施形態では、第１の実施形態
と異なり、上記第２の１ポート型ＳＡＷ共振子フィルタ
４３がＳＡＷ共振子フィルタ４１の中央のＩＤＴ４５に
直列接続されている。この第２の１ポート型ＳＡＷ共振
子フィルタは、反共振周波数が縦結合型２重モードＳＡ
Ｗ共振子フィルタ４１との阻止域の低周波数側となるよ
うに構成されており、かつ反射器を有していないが、必
要な特性に応じて反射器をＩＤＴの両側に構成されても
よい。上記構成を有するため、後述の実験例から明らか
なように、阻止域の低周波数側においても減衰量を高め
ることができる。これを図１３及び図１４を参照して説
明する。なお、図１３，１４における特性Ｊは、特性Ｋ
について示した縦軸のスケールを１０倍にして拡大した
特性を示す。Further, in the present embodiment, unlike the first embodiment, the second one-port SAW resonator filter 43 is connected in series to the central IDT 45 of the SAW resonator filter 41. The second one-port SAW resonator filter has an anti-resonance frequency of a longitudinally coupled double mode SA.
Although it is configured to be on the low frequency side of the stop band with the W resonator filter 41 and does not have a reflector, a reflector may be configured on both sides of the IDT according to required characteristics. . With the above configuration, the attenuation can be increased even on the low frequency side of the stop band, as is clear from the experimental examples described later. This will be described with reference to FIGS. Note that the characteristic J in FIGS.
The characteristic obtained by enlarging the scale of the vertical axis shown in FIG.
【００８３】図１３は、本実施形態の通過帯域内におけ
る挿入損失−周波数特性を示す。また、図１４は、第２
の実施形態において、上記第２の１ポート型ＳＡＷ共振
子フィルタ４３を接続する前の挿入損失−周波数特性を
示す。図１３及び図１４の比較から、本実施形態では、
阻止域の高周波数側における減衰量が拡大されるだけで
なく、阻止域の低周波数側においても減衰量が拡大され
ることがわかる。FIG. 13 shows the insertion loss-frequency characteristics in the pass band of the present embodiment. Further, FIG.
13 shows an insertion loss-frequency characteristic before the second one-port SAW resonator filter 43 is connected in the embodiment. From the comparison between FIG. 13 and FIG. 14, in the present embodiment,
It can be seen that not only the attenuation on the high frequency side of the stop band is enlarged, but also the attenuation on the low frequency side of the stop band.
【００８４】なお、図１３及び図１４に示した弾性表面
波装置における特性は、ＳＡＷ共振子フィルタ４１の通
過帯域が８６９〜８９４ＭＨｚであり、阻止域が８２４
〜８４９ＭＨｚの場合である。The characteristics of the surface acoustic wave device shown in FIGS. 13 and 14 are as follows. The pass band of the SAW resonator filter 41 is 869 to 894 MHz, and the stop band is 824.
８849 MHz.
【００８５】第３の実施形態 図１５は、本発明の第３の実施形態に係る弾性表面波装
置の電極接続構造を示す模式的平面図である。本実施形
態の弾性表面波装置においては、図示しない３６°Ｙカ
ットＸ伝搬の圧電基板を用いて構成されている。すなわ
ち、該圧電基板上に、図１５に示す電極構造が形成され
ている。もっとも、圧電基板としては、３６°Ｙカット
Ｘ伝搬ＬｉＴａＯ3 基板以外に、６４°ＹカットＸ伝搬
ＬｉＮｂＯ3 、４１°ＹカットＸ伝搬ＬｉＮｂＯ3 など
を用いてもよい。 Third Embodiment FIG. 15 is a schematic plan view showing an electrode connection structure of a surface acoustic wave device according to a third embodiment of the present invention. The surface acoustic wave device of the present embodiment is configured using a 36 ° Y-cut X-propagation piezoelectric substrate (not shown). That is, the electrode structure shown in FIG. 15 is formed on the piezoelectric substrate. However, other than the 36 ° Y-cut X-propagating LiTaO 3 substrate, a 64 ° Y-cut X-propagating LiNbO 3 , a 41 ° Y-cut X-propagating LiNbO 3, or the like may be used as the piezoelectric substrate.
【００８６】図１５を参照して、第３の実施形態の弾性
表面波装置では、３電極型の縦結合２重モードＳＡＷ共
振子フィルタ６１と、第１の１ポート型ＳＡＷ共振子フ
ィルタ６２と、第２の１ポート型ＳＡＷ共振子フィルタ
６３と、第３の１ポート型ＳＡＷ共振子フィルタ６４と
が構成されている。このうち、ＳＡＷ共振子フィルタ６
１、第１の１ポート型ＳＡＷ共振子フィルタ６２及び第
２の１ポート型ＳＡＷ共振子フィルタ６３は、図１２に
示した第２の実施形態の縦結合２重モードＳＡＷ共振子
フィルタ４１、第１の１ポート型ＳＡＷ共振子フィルタ
４２及び第２の１ポート型ＳＡＷ共振子フィルタ４３と
同様に構成されている。従って、同一部分については、
同一の参照番号を付することにより、第２の実施形態に
ついて行った説明を援用することにより、その詳細な説
明は省略する。Referring to FIG. 15, in the surface acoustic wave device according to the third embodiment, a three-electrode type longitudinally coupled double mode SAW resonator filter 61, a first one-port type SAW resonator filter 62, , A second one-port SAW resonator filter 63 and a third one-port SAW resonator filter 64. Among them, the SAW resonator filter 6
1, the first one-port SAW resonator filter 62 and the second one-port SAW resonator filter 63 are the same as the longitudinally coupled dual-mode SAW resonator filter 41 of the second embodiment shown in FIG. The configuration is the same as that of the one one-port SAW resonator filter 42 and the second one-port SAW resonator filter 43. Therefore, for the same part,
By giving the same reference numerals, the description given for the second embodiment will be referred to, and a detailed description thereof will be omitted.
【００８７】すなわち、入力端子６９と出力端子７０と
の間に、縦結合型２重モードＳＡＷ共振子フィルタ６１
と、第２の１ポート型ＳＡＷ共振子フィルタ６３とが直
列接続されている。縦結合型２重モードＳＡＷ共振子フ
ィルタ６１は、中央に３個のＩＤＴ６５〜６７を有す
る。また、ＩＤＴ６５〜６７の両側には、反射器６８
ａ，６８ｂが形成されている。ＩＤＴ６５，６７の一方
のくし歯電極６５ａ，６７ａが、入力端子６９に接続さ
れている。また、第１の１ポート型ＳＡＷ共振子フィル
タ６２が、上記外側のＩＤＴ６５，６７の一方のくし歯
電極６５ａ，６７ａに接続されている。That is, between the input terminal 69 and the output terminal 70, a vertically coupled double mode SAW resonator filter 61 is provided.
And a second one-port SAW resonator filter 63 are connected in series. The vertical coupling type dual mode SAW resonator filter 61 has three IDTs 65 to 67 at the center. On both sides of the IDTs 65 to 67, reflectors 68 are provided.
a, 68b are formed. One of the IDTs 65 and 67 has a comb electrode 65 a and 67 a connected to an input terminal 69. Further, the first one-port SAW resonator filter 62 is connected to one of the comb-shaped electrodes 65a, 67a of the outer IDTs 65, 67.
【００８８】他方、ＩＤＴ６５，６７の他方のくし歯電
極６５ｂ，６７ｂはアース電位に接続されており、中央
のＩＤＴ６６の一方のくし歯電極６６ａは、第２の１ポ
ート型ＳＡＷ共振子フィルタ６３を介して出力端子７０
に接続されている。また、くし歯電極６６ｂはアース電
位に接続されている。On the other hand, the other comb electrodes 65b and 67b of the IDTs 65 and 67 are connected to the ground potential, and the one comb electrode 66a of the central IDT 66 is connected to the second one-port SAW resonator filter 63. Output terminal 70
It is connected to the. The comb electrode 66b is connected to the ground potential.
【００８９】上記第１，第２の１ポート型ＳＡＷ共振子
フィルタ６２，６３の共振周波数及び反共振周波数は、
第２の実施形態の場合と同様に設定されている。従っ
て、本実施形態においても、第２の実施形態の弾性表面
波装置で得られた効果が奏される。すなわち、入力側に
おいては、２重モードＳＡＷ共振子フィルタ６１に、４
段構成の第１の１ポート型ＳＡＷ共振子フィルタ６２が
並列接続されており、ＳＡＷ共振子フィルタ６１では、
外側のＩＤＴ６５，６７の電極指の数が中央のＩＤＴ６
６の電極指の数よりも多くされているため、電極面積の
増大により、耐電力性を高めることが可能とされてい
る。加えて、第２の１ポート型ＳＡＷ共振子フィルタ６
３が出力側において直列共振子として接続されているた
め、阻止域の高周波数側においても減衰量を高めること
が可能とされている。The resonance frequencies and anti-resonance frequencies of the first and second one-port SAW resonator filters 62 and 63 are as follows.
The settings are the same as in the second embodiment. Therefore, also in the present embodiment, the effects obtained by the surface acoustic wave device of the second embodiment are exerted. That is, on the input side, the dual mode SAW resonator filter 61
A first one-port SAW resonator filter 62 having a stage configuration is connected in parallel. In the SAW resonator filter 61,
The number of electrode fingers on the outer IDTs 65 and 67 is
Since the number of the electrode fingers is larger than that of the electrode fingers of No. 6, it is possible to increase the power durability by increasing the electrode area. In addition, the second one-port SAW resonator filter 6
3 is connected as a series resonator on the output side, so that it is possible to increase the amount of attenuation even on the high frequency side of the stop band.
【００９０】さらに、本実施形態では、上記出力側にお
いて、出力端子７０と第２の１ポート型ＳＡＷ共振子フ
ィルタ６３との間の接続点７１とアース電位との間に、
第３の１ポート型ＳＡＷ共振子フィルタ６４が接続され
ている。第３の１ポート型ＳＡＷ共振フィルタ６４は、
それぞれ複数対の電極指を有する２個のＩＤＴ６４ａ，
６４ｂを直列に接続した構造を有し、その反共振周波数
が、縦結合型２重モードＳＡＷ共振子フィルタ６１の阻
止域の低周波数側となるように構成されており、かつ反
射器を有していない。もっとも、第３の１ポート型ＳＡ
Ｗ共振子フィルタについても、反射器を必要な特性に応
じて設けてもよい。なお、この第３の１ポート型ＳＡＷ
共振子フィルタ６４は、本実施形態では２段のＩＤＴ６
４ａ，６４ｂを直列接続することにより構成されている
が、この段数は特に限定されるものではない。Further, in the present embodiment, on the output side, between the connection point 71 between the output terminal 70 and the second one-port SAW resonator filter 63 and the ground potential,
A third one-port SAW resonator filter 64 is connected. The third one-port SAW resonance filter 64 is
Two IDTs 64a each having a plurality of pairs of electrode fingers,
64b are connected in series, and the anti-resonance frequency is configured to be on the low frequency side of the stop band of the longitudinally-coupled dual-mode SAW resonator filter 61, and has a reflector. Not. However, the third one-port SA
For the W resonator filter, a reflector may be provided according to required characteristics. The third one-port SAW
The resonator filter 64 is a two-stage IDT 6 in this embodiment.
4a and 64b are connected in series, but the number of stages is not particularly limited.
【００９１】本実施形態では、縦結合型２重モードＳＡ
Ｗ共振子フィルタ６１の外側のＩＤＴ６５，６７に第１
の１ポート型ＳＡＷ共振子フィルタ６２が接続されてお
り、中央のＩＤＴ６６に第２の１ポート型ＳＡＷ共振子
フィルタ６３が直列接続されており、さらにその後に、
並列共振子として第３の１ポート型ＳＡＷ共振子フィル
タ６４が２重モードＳＡＷ共振子フィルタ６１に並列に
接続されている。この弾性表面波装置全体の通過帯域内
の挿入損失−周波数特性を図１６に示す。In this embodiment, the vertical coupling type dual mode SA
The first IDTs 65 and 67 outside the W resonator filter 61
Is connected to the central IDT 66, and the second one-port SAW resonator filter 63 is connected in series to the central IDT 66.
A third one-port SAW resonator filter 64 is connected in parallel to the dual mode SAW resonator filter 61 as a parallel resonator. FIG. 16 shows the insertion loss-frequency characteristics in the pass band of the entire surface acoustic wave device.
【００９２】図１６に示した特性を、図１４に示した特
性と比較すれば明らかなように、本実施形態によれば、
阻止域の低周波数側の減衰量の拡大に加えて、阻止域の
中央付近においても減衰量が大きくなることがわかる。As is clear from the comparison between the characteristic shown in FIG. 16 and the characteristic shown in FIG. 14, according to the present embodiment,
It can be seen that, in addition to the expansion of the attenuation on the low frequency side of the stop band, the attenuation also increases near the center of the stop band.
【００９３】すなわち、本実施形態の弾性表面波装置で
は、ＳＡＷ共振子フィルタ６１に上記第１の１ポート型
ＳＡＷ共振子フィルタ６２が並列接続されているため、
通過帯域外の低周波数側における減衰量を拡大すること
ができる。また、上記第２の１ポート型ＳＡＷ共振子フ
ィルタ６３が、直列接続されており、さらに出力側にお
いて第３の１ポート型ＳＡＷ共振子フィルタ６４が並列
接続されているため、入力側端子の阻止域における耐電
力性及び反射係数を損なうことなく、阻止域における減
衰量をさらに拡大することができる。That is, in the surface acoustic wave device of this embodiment, since the first one-port SAW resonator filter 62 is connected in parallel to the SAW resonator filter 61,
The attenuation on the low frequency side outside the pass band can be increased. Further, the second one-port SAW resonator filter 63 is connected in series, and the third one-port SAW resonator filter 64 is connected in parallel at the output side. The attenuation in the stop band can be further increased without impairing the power durability and the reflection coefficient in the band.
【００９４】なお、出力側端子７０に接続される上記第
３の１ポート型ＳＡＷ共振子フィルタのインピーダンス
−周波数特性により、本実施形態の表面波装置の出力側
端子におけるＶＳＷＲを小さくすることもできる。The VSWR at the output terminal of the surface acoustic wave device according to the present embodiment can be reduced by the impedance-frequency characteristics of the third one-port SAW resonator filter connected to the output terminal 70. .
【００９５】なお、第２，第３の実施形態における弾性
表面波装置においても、第１の実施形態の弾性表面波装
置の好ましい各態様を適宜採用することができ、それに
よって上述した好ましい態様による効果を同様に得るこ
とができる。In the surface acoustic wave device according to the second or third embodiment, the preferred aspects of the surface acoustic wave device according to the first embodiment can be appropriately adopted, whereby the preferred aspect described above can be employed. The effect can be obtained similarly.
【００９６】[0096]
【発明の効果】本発明の広い局面による弾性表面波装置
では、上記第１の１ポート型ＳＡＷ共振子フィルタが、
縦結合型２重モードＳＡＷ共振子フィルタに並列接続さ
れており、その接続点が入力端子とされているため、入
力側における電極面積の増大により耐電力性を高めるこ
とができる。加えて、上記第１の１ポート型ＳＡＷ共振
子フィルタの共振特性が上記のように設定されているた
め、通過帯域外の低周波数側における、すなわち阻止域
の高周波数領域における減衰量を拡大することができ
る。従って、例えば携帯電話などのアンテナトップの受
信用フィルタとして本発明の弾性表面波装置を用いた場
合、阻止域における反射係数を大きくすることができ、
それによって相手側すなわち送信側フィルタの通過帯域
における損失を抑制することができる。According to the surface acoustic wave device according to the broad aspect of the present invention, the first one-port SAW resonator filter includes:
Since it is connected in parallel to the longitudinally-coupled dual-mode SAW resonator filter, and the connection point is used as an input terminal, power durability can be increased by increasing the electrode area on the input side. In addition, since the resonance characteristics of the first one-port SAW resonator filter are set as described above, the amount of attenuation on the low frequency side outside the pass band, that is, on the high frequency region of the stop band is increased. be able to. Therefore, for example, when the surface acoustic wave device of the present invention is used as a receiving filter at the top of an antenna such as a mobile phone, the reflection coefficient in the stop band can be increased,
Thereby, the loss in the pass band of the other party, that is, the transmission side filter can be suppressed.
【００９７】また、縦結合型２重モードＳＡＷ共振子フ
ィルタの中央のＩＤＴの電極指の本数よりも、両側のＩ
ＤＴの電極指の和を多くするように構成し、縦結合型２
重モードＳＡＷ共振子フィルタの外側の一対のＩＤＴ
に、上記第１の１ポート型ＳＡＷ共振子フィルタが接続
されているので、入力側の電極面積のより一層の拡大を
図ることができ、それによって耐電力性をより一層改善
することができる。Further , the number of I.D. electrodes on both sides is larger than the number of electrode fingers of the IDT at the center of the vertical coupling type dual mode SAW resonator filter.
DT electrode fingers are arranged so as to increase the sum, and the vertical coupling type 2
A pair of IDTs outside the dual mode SAW resonator filter
Is connected to the first one-port SAW resonator filter described above.
As a result , the electrode area on the input side can be further increased, whereby the power durability can be further improved.
【００９８】さらに、第１の１ポート型ＳＡＷ共振子フ
ィルタにおいて、４個または２個のＳＡＷ共振子を直列
接続した構成とし、各ＳＡＷ共振子の電極指の幅ｗと、
波長λ1 との比を、ｗ／λ1 ＜１／４とすることによ
り、通過帯域内のスプリアスを抑制することができ、か
つ通過帯域への特性の影響を及ぼすことなく、耐電力性
をより一層改善することができる。Further, the first one-port type SAW resonator filter has a configuration in which four or two SAW resonators are connected in series, and the width w of the electrode finger of each SAW resonator is defined as:
By setting the ratio to the wavelength λ 1 to be w / λ 1 <４, spurious in the pass band can be suppressed, and the power durability can be improved without affecting the characteristics of the pass band. It can be further improved.
【００９９】また、第１の１ポート型ＳＡＷ共振子フィ
ルタとして、上記のように４個または２個の共振子を直
列接続した構成とし、さらに各共振子の電極指間の間隔
ｔと、共振子の波長λ1 との比が、ｔ／λ1 ＞３とした
場合には、多段にＩＤＴを直列接続した第１の１ポート
型ＳＡＷ共振子フィルタの共振周波数と反共振周波数と
の間に存在するスプリアスが発生するが、この場合、ｔ
／λ1 が３より大きくされているため、通過帯域内にお
ける帯域内リップルを小さくすることができる。The first one-port SAW resonator filter has a configuration in which four or two resonators are connected in series as described above. Further, the distance t between the electrode fingers of each resonator and the resonance In the case where the ratio of the wavelength to the wavelength λ 1 is t / λ 1 > 3, the resonance frequency between the resonance frequency and the anti-resonance frequency of the first one-port SAW resonator filter in which IDTs are connected in series in multiple stages Existing spurs occur, in this case t
Since / λ 1 is larger than 3, the in-band ripple in the pass band can be reduced.
【０１００】また、縦結合型２重モードＳＡＷ共振子フ
ィルタの両側に位置するＩＤＴの外側端の電極指の中心
と、反射器の内側端の電極の中心との間の間隔をＩとし
たときに、Ｉと、反射器の波長λ2 との比が０．５３以
上、０．５９以下とした場合には、阻止域における反射
係数を大きくすることができる。従って、例えば携帯電
話用アンテナトップの受信フィルタとして本発明の弾性
表面波装置を用いた場合、相手側すなわち送信側のフィ
ルタの通過帯域内の損失の劣化を抑制することができ
る。Further, when the distance between the center of the electrode finger at the outer end of the IDT located on both sides of the longitudinally coupled double mode SAW resonator filter and the center of the electrode at the inner end of the reflector is I. If the ratio of I to the wavelength λ 2 of the reflector is 0.53 or more and 0.59 or less, the reflection coefficient in the stop band can be increased. Therefore, for example, when the surface acoustic wave device of the present invention is used as a reception filter at the top of a mobile phone antenna, it is possible to suppress deterioration of the loss in the pass band of the filter on the other side, that is, the transmission side.
【０１０１】また、第２の１ポート型ＳＡＷ共振子フィ
ルタを２重モードＳＡＷ共振子フィルタに直列接続した
構成では、入力側端子の阻止域における耐電力性及び反
射係数を損なうことなく、阻止域における減衰量のより
一層の拡大を図ることができる。Further, in the configuration in which the second one-port SAW resonator filter is connected in series to the dual mode SAW resonator filter, the power resistance and the reflection coefficient in the stop band of the input terminal are not impaired, and the stop band is not changed. Can be further increased.
【０１０２】また、さらに、第３の１ポート型ＳＡＷ共
振子フィルタを縦結合型２重モードＳＡＷ共振子フィル
タの中央のＩＤＴに並列接続した場合には、入力側端子
の阻止域における耐電力性及び反射係数を損なうことな
く、阻止域における減衰量のより一層の拡大を図ること
ができ、かつ出力側端子における通過帯域内のＶＳＷＲ
を低減することが可能となる。Further, when the third one-port SAW resonator filter is connected in parallel to the center IDT of the longitudinally-coupled dual-mode SAW resonator filter, the power durability in the stop band of the input terminal is improved. Further, the attenuation in the stop band can be further increased without impairing the reflection coefficient, and the VSWR in the pass band at the output terminal is obtained.
Can be reduced.
【図１】従来の弾性表面波装置の電極構造を説明するた
めの模式的平面図。FIG. 1 is a schematic plan view for explaining an electrode structure of a conventional surface acoustic wave device.
【図２】本発明の第１の実施形態に係る弾性表面波装置
の模式的平面図。FIG. 2 is a schematic plan view of the surface acoustic wave device according to the first embodiment of the present invention.
【図３】（ａ）〜（ｃ）は、縦結合型２重モードＳＡＷ
共振子フィルタの特性を示す図であり、（ａ）は挿入損
失−周波数特性を、（ｂ）は中央のＩＤＴ側端子におけ
るインピーダンススミスチャートを、（ｃ）は外側のＩ
ＤＴ側端子におけるインピーダンススミスチャートを示
す。FIGS. 3A to 3C are longitudinally coupled dual mode SAWs.
It is a figure which shows the characteristic of a resonator filter, (a) is an insertion loss-frequency characteristic, (b) is an impedance Smith chart in a center IDT side terminal, (c) is an outer side I.
3 shows an impedance Smith chart at a DT side terminal.
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、第１の実施形態の弾性表面
波装置の全体としての特性を示す図であり、（ａ）は挿
入損失−周波数特性を、（ｂ）は中央のＩＤＴ側端子に
おけるインピーダンススミスチャートを、（ｃ）は外側
のＩＤＴ側端子におけるインピーダンススミスチャート
を示す。FIGS. 4A to 4C are diagrams showing characteristics of the entire surface acoustic wave device according to the first embodiment, wherein FIG. 4A shows insertion loss-frequency characteristics, and FIG. And (c) shows the impedance Smith chart at the outer IDT side terminal.
【図５】４段構成の第１の１ポート型ＳＡＷ共振子フィ
ルタの挿入損失−周波数特性を示す図。FIG. 5 is a diagram showing an insertion loss-frequency characteristic of a first one-port SAW resonator filter having a four-stage configuration.
【図６】３段の１ポート型ＳＡＷ共振子フィルタの挿入
損失−周波数特性を示す図。FIG. 6 is a diagram showing insertion loss-frequency characteristics of a three-stage one-port SAW resonator filter.
【図７】２段構成の第１の１ポート型ＳＡＷ共振子フィ
ルタの減衰量−波数特性を示す図。FIG. 7 is a diagram showing attenuation-wavenumber characteristics of a first one-port SAW resonator filter having a two-stage configuration.
【図８】ｗ／λ1 に対する共振周波数とスプリアスが発
生している周波数との差との関係を示す図。FIG. 8 is a diagram illustrating a relationship between a resonance frequency with respect to w / λ 1 and a difference between a frequency at which spurious is generated.
【図９】ｈ／λ1 ＝約６．５％及びｈ／λ1 ＝１／５で
ある４段構成の第１の１ポート型ＳＡＷ共振子フィルタ
の挿入損失−周波数特性を示す図。FIG. 9 is a diagram showing an insertion loss-frequency characteristic of a first one-port SAW resonator filter having a four-stage configuration in which h / λ 1 = approximately 6.5% and h / λ 1 = １ ／.
【図１０】３電極型の縦結合型２重モードＳＡＷ共振子
フィルタのＩＤＴと反射器の間隔Ｉに対する阻止域にお
ける反射係数の最小値の関係を示す図。FIG. 10 is a diagram showing the relationship between the IDT of a three-electrode type vertically coupled dual mode SAW resonator filter and the minimum value of the reflection coefficient in the stop band with respect to the interval I between the reflectors.
【図１１】縦結合型の２重モードＳＡＷ共振子フィルタ
のＩＤＴと反射器の間隔Ｉと、通過帯域内におけるＶＳ
ＷＲの最大値との関係を示す図。FIG. 11 shows an interval I between an IDT and a reflector of a longitudinally coupled dual mode SAW resonator filter, and VS in a pass band.
The figure which shows the relationship with the maximum value of WR.
【図１２】本発明に第２の実施形態に係る弾性表面波装
置の電極構造を示す模式的平面図。FIG. 12 is a schematic plan view showing an electrode structure of a surface acoustic wave device according to a second embodiment of the present invention.
【図１３】第２の実施形態に係る弾性表面波装置の減衰
量−周波数特性を示す図。FIG. 13 is a diagram showing attenuation-frequency characteristics of the surface acoustic wave device according to the second embodiment.
【図１４】第２の実施形態の弾性表面波装置において、
第２の１ポート型ＳＡＷ共振子を接続する前の挿入損失
−周波数特性を示す図。FIG. 14 illustrates a surface acoustic wave device according to a second embodiment.
The figure which shows the insertion loss-frequency characteristic before connecting the 2nd 1 port type SAW resonator.
【図１５】第３の実施形態に係る弾性表面波装置を電極
構造を説明するための模式的平面図。FIG. 15 is a schematic plan view for explaining an electrode structure of the surface acoustic wave device according to the third embodiment.
【図１６】第３の実施形態に係る弾性表面波装置の挿入
損失−周波数特性を示す図。FIG. 16 is a view showing an insertion loss-frequency characteristic of the surface acoustic wave device according to the third embodiment.
【図１７】第１の実施形態の変形例におけるｔ／λ1 ＝
３．２の場合の挿入損失−周波数特性を示す図。FIG. 17 shows t / λ 1 = modification example of the first embodiment.
The figure which shows the insertion loss-frequency characteristic in the case of 3.2.
【図１８】第１の実施形態の弾性表面波装置におけるＩ
ＤＴを拡大して示す平面図。FIG. 18 is a diagram illustrating an example of the surface acoustic wave device according to the first embodiment;
The top view which expands and shows DT.
【図１９】第１の実施形態の弾性表面波装置の回路構成
を示す図。FIG. 19 is a diagram showing a circuit configuration of the surface acoustic wave device according to the first embodiment.
２１…弾性表面波装置 ２２…圧電基板 ２３…縦結合型２重モードＳＡＷ共振子フィルタ ２４…第１の１ポート型ＳＡＷ共振子フィルタ ２５〜２７…ＩＤＴ ２８，２９…反射器 ３０…入力端子 ３１…出力端子 ３２…接続点 ４１…縦結合型２重モードＳＡＷ共振子フィルタ ４２…第１の１ポート型ＳＡＷ共振子フィルタ ４３…第２の１ポート型ＳＡＷ共振子フィルタ ４４〜４６…ＩＤＴ ４７，４８…反射器 ４９…入力端子 ５０…出力端子 ６１…縦結合型２重モードＳＡＷ共振子フィルタ ６２…第１の１ポート型ＳＡＷ共振子フィルタ ６３…第２の１ポート型ＳＡＷ共振子フィルタ ６４…第３の１ポート型ＳＡＷ共振子フィルタ ６５〜６７…ＩＤＴ ６８ａ，６８ｂ…反射器 ６９…入力端子 ７０…出力端子 ７１…接続点 DESCRIPTION OF SYMBOLS 21 ... Surface acoustic wave device 22 ... Piezoelectric substrate 23 ... Longitudinal coupling type double mode SAW resonator filter 24 ... 1st 1 port type SAW resonator filter 25-27 ... IDT 28, 29 ... Reflector 30 ... Input terminal 31 ... output terminal 32 ... connection point 41 ... longitudinal coupling type double mode SAW resonator filter 42 ... first one-port SAW resonator filter 43 ... second one-port SAW resonator filter 44-46 ... IDT 47, 48 Reflector 49 Input terminal 50 Output terminal 61 Vertically coupled double mode SAW resonator filter 62 First 1-port SAW resonator filter 63 Second 1-port SAW resonator filter 64 Third one-port SAW resonator filter 65-67 IDT 68a, 68b Reflector 69 Input terminal 70 Output terminal 71 Connection point
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平７−30366（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−265087（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−212183（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−66679（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−260976（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−307641（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−30367（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−86870（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H03H 9/64 H03H 9/145 H03H 9/25 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) References JP-A-7-30366 (JP, A) JP-A-8-265087 (JP, A) JP-A-7-212183 (JP, A) JP-A-7-212 66679 (JP, A) JP-A-6-260976 (JP, A) JP-A-7-307641 (JP, A) JP-A-3-30367 (JP, A) JP-A-7-86870 (JP, A) (58) Fields surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) H03H 9/64 H03H 9/145 H03H 9/25
Claims (9)
のインターデジタルトランスデューサと、反射器とを有
する３電極型の縦結合型２重モードＳＡＷ共振子フィル
タに、第１の１ポート型ＳＡＷ共振子フィルタを電気的
に並列に接続してなる弾性表面波装置において、前記縦結合型２重モードＳＡＷ共振子フィルタが、中央
のインターデジタルトランスデューサの電極指の本数よ
りも、両側のインターデジタルトランスデューサの電極
指の和が多くなるように構成されており、 前記３電極
型の縦結合型２重モードＳＡＷ共振子フィルタの外側の
一対のインターデジタルトランスデューサに、前記第１
の１ポート型ＳＡＷ共振子フィルタが接続されており、 前記第１の１ポート型ＳＡＷ共振子フィルタの共振周波
数が前記縦結合型２重モードＳＡＷ共振子フィルタの通
過帯域よりも低周波数側となるように前記１ポート型Ｓ
ＡＷ共振子フィルタが構成されており、 前記縦結合型２重モードＳＡＷ共振子フィルタと第１の
１ポート型ＳＡＷ共振子フィルタとの接続点が、入力端
子とされていることを特徴とする弾性表面波装置。1. Three components arranged along a surface wave propagation direction
And interdigital transducer, the longitudinally coupled double mode SAW resonator filter of three-electrode type having a reflector, the surface acoustic wave formed by connecting in parallel a first one-port SAW resonator filter electrically In the apparatus, the longitudinally-coupled dual-mode SAW resonator filter has a central
The number of electrode fingers of the interdigital transducer
The electrodes of the interdigital transducers on both sides
The three electrodes are configured so that the sum of fingers increases.
Type outside longitudinally coupled dual mode SAW resonator filter
The first interdigital transducer is
And the resonance frequency of the first one-port SAW resonator filter is lower than the pass band of the longitudinally-coupled dual-mode SAW resonator filter. The 1-port type S
An AW resonator filter, wherein a connection point between the longitudinally-coupled dual-mode SAW resonator filter and a first one-port SAW resonator filter is an input terminal. Surface wave device.
ルタは、複数対の互いに間挿し合う電極指を有するイン
ターデジタルトランスデューサを有し、かつ反射器を備
えていないことを特徴とする請求項１に記載の弾性表面
波装置。2. The filter according to claim 1, wherein the first one-port SAW resonator filter includes an interdigital transducer having a plurality of pairs of interdigitated electrode fingers, and does not include a reflector. 2. The surface acoustic wave device according to 1.
ルタが、３６°ＹカットＸ伝搬の圧電基板を用いて構成
されており、かつ４個または２個のＳＡＷ共振子を直列
接続することにより構成されており、各ＳＡＷ共振子を
構成しているインターデジタルトランスデューサの電極
指の幅ｗと、ＳＡＷ共振子の波長λ1の比が、ｗ／λ1＜
１／４とされている、請求項１または２に記載の弾性表
面波装置。3. The first one-port SAW resonator filter is configured using a 36 ° Y-cut X-propagation piezoelectric substrate, and four or two SAW resonators are connected in series. And the ratio of the width w of the electrode finger of the interdigital transducer constituting each SAW resonator to the wavelength λ 1 of the SAW resonator is w / λ 1 <
Is 1/4, the surface acoustic wave device according to claim 1 or 2.
ルタが、３６°ＹカットＸ伝搬の圧電基板を用いて構成
されており、４個または２個の共振子を直列接続するこ
とにより構成されており、かつ各共振子のインターデジ
タルトランスデューサの電極指間の間隔ｔと、共振子の
波長λ1との比がｔ／λ1＞３とされている、請求項１ま
たは２に記載の弾性表面波装置。4. The first one-port SAW resonator filter is configured using a 36 ° Y-cut X-propagation piezoelectric substrate, and is configured by connecting four or two resonators in series. It is, and the distance t between the electrode fingers of the interdigital transducer of each resonator, the ratio between the wavelength lambda 1 of the resonator is the t / lambda 1> 3, claim 1 or
Other surface acoustic wave device according to 2.
Ｗ共振子フィルタが、３６°ＹカットＸ伝搬の圧電基板
を用いて構成されており、両側に位置するインターデジ
タルトランスデューサの外側端の電極指の中心と、反射
器の内側端の電極の中心の間隔をＩとしたときに、Ｉ
と、反射器の波長λ2との比が０．５３≦Ｉ／λ2≦０．
５９とされている、請求項１〜４の何れかに記載の弾性
表面波装置。5. The three-electrode type vertically coupled double mode SA.
The W resonator filter is formed by using a 36 ° Y-cut X-propagating piezoelectric substrate, and the center of the electrode finger at the outer end of the interdigital transducer located on both sides and the center of the electrode finger at the inner end of the reflector are arranged. When the interval is I, I
When the ratio of the wavelength lambda 2 reflectors 0.53 ≦ I / λ 2 ≦ 0 .
The surface acoustic wave device according to any one of claims 1 to 4 , wherein the surface acoustic wave device is 59.
Ｗ共振子フィルタの中央のインターデジタルトランスデ
ューサに、反共振周波数が前記縦結合型２重モードＳＡ
Ｗ共振子フィルタの通過帯域の低周波数側にあり、かつ
第２の１ポート型ＳＡＷ共振子フィルタが直列に接続さ
れている、請求項１〜５の何れかに記載の弾性表面波装
置。6. The three-electrode type vertically coupled dual mode SA.
The anti-resonance frequency of the longitudinally coupled dual mode SA is applied to the center interdigital transducer of the W resonator filter.
The surface acoustic wave device according to any one of claims 1 to 5 , wherein the surface acoustic wave device is on a low frequency side of a pass band of the W resonator filter, and the second one-port SAW resonator filter is connected in series.
ルタは、複数対の互いに間挿し合う電極指を有するイン
ターデジタルトランスデューサを有し、かつ反射器を備
えていないことを特徴とする請求項６に記載の弾性表面
波装置。7. The second one-port SAW resonator filter has an interdigital transducer having a plurality of pairs of interdigitated electrode fingers, and does not include a reflector. 7. The surface acoustic wave device according to 6 .
Ｗ共振子フィルタの中央のインターデジタルトランスデ
ューサに、共振周波数が前記縦結合型２重モードＳＡＷ
共振子フィルタの通過帯域の低周波数側であり、かつ第
３の１ポート型ＳＡＷ共振子フィルタが並列接続されて
いる、請求項６に記載の弾性表面波装置。8. The three-electrode type vertically coupled double mode SA.
The resonance frequency of the longitudinally coupled dual mode SAW is applied to the center interdigital transducer of the W resonator filter.
The surface acoustic wave device according to claim 6 , wherein the third one-port SAW resonator filter is connected in parallel on the low frequency side of the pass band of the resonator filter.
ルタは、複数対の互いに間挿し合う電極指を有するイン
ターデジタルトランスデューサを有し、かつ反射器を備
えていないことを特徴とする請求項８に記載の弾性表面
波装置。9. The third one-port SAW resonator filter includes an interdigital transducer having a plurality of pairs of interdigitated electrode fingers, and does not include a reflector. 9. The surface acoustic wave device according to 8 .
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