JP3307562B2 - Crystal growth control method - Google Patents

Crystal growth control method

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JP3307562B2
JP3307562B2 JP13661397A JP13661397A JP3307562B2 JP 3307562 B2 JP3307562 B2 JP 3307562B2 JP 13661397 A JP13661397 A JP 13661397A JP 13661397 A JP13661397 A JP 13661397A JP 3307562 B2 JP3307562 B2 JP 3307562B2
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B7/00Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions

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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、結晶品質に優れ、
結晶成長の速い育晶を可能とする結晶成長制御方法に関
する。
TECHNICAL FIELD [0001] The present invention provides excellent crystal quality,
The present invention relates to a crystal growth control method capable of growing crystals at a high rate.

【0002】[0002]

【従来の技術】結晶缶では、溶液を過飽和にして固相に
相転移する結晶生成が行われ、溶液の物性によって加圧
から真空のいずれかの状態が適宜に選択されている。例
えば図1には、真空装置12を備え、溶液を加熱蒸発す
るためのカランドリアを内部に有する結晶缶1を示す。
まず、結晶缶1内を真空装置12で真空とし、空気13
を調節弁14を介して所定の値にした後、未飽和溶液3
を調節弁4を介して起晶液位7まで供給する。続いて加
熱用蒸気5を調節弁6を介してカランドリア2に供給し
て溶液を加熱蒸発して過飽和とする。この場合に、未飽
和溶液3を供給して起晶液位7を保つ。この一連の操作
の後、起晶濃度の時に種晶容器8から調節弁9を介して
投入して結晶核を発生させる。続いて、溶液3や溶媒1
0(11は溶媒調節弁)を供給しながら所望の結晶(大
きさ)になる液位で完了する。このような育晶では、原
料のばらつきや精製工程やその他の装置によって溶液の
純度や不純物の割合や濃度が変動し、またユーティリテ
ィも変化する。即ちこれらの外乱は結晶成長速度を低下
させることにより生産性を著しく低下させ、さらには新
しい核(結晶核)が生じて品質(粒度等)が低下する。
2. Description of the Related Art In a crystal can, a crystal is formed in which a solution is supersaturated and a phase transition is made to a solid phase, and any one of a pressure state and a vacuum state is appropriately selected depending on the physical properties of the solution. For example, FIG. 1 shows a crystal can 1 having a vacuum device 12 and having a calandria inside for heating and evaporating a solution therein.
First, the inside of the crystal can 1 is evacuated by the vacuum device 12 and air 13
Is adjusted to a predetermined value through the control valve 14, and then the unsaturated solution 3
Is supplied to the crystallization liquid level 7 through the control valve 4. Subsequently, the heating steam 5 is supplied to the calandria 2 through the control valve 6 to heat and evaporate the solution to make it supersaturated. In this case, the crystallization liquid level 7 is maintained by supplying the unsaturated solution 3. After this series of operations, a crystal nucleus is generated from the seed crystal vessel 8 through the control valve 9 at the time of the crystallization concentration. Then, the solution 3 and the solvent 1
The process is completed at a liquid level at which a desired crystal (size) is supplied while supplying 0 (11 is a solvent control valve). In such growing crystals, the purity of the solution, the proportion and concentration of impurities fluctuate, and the utility also changes due to variations in raw materials, purification steps, and other devices. That is, these disturbances significantly lower the productivity by lowering the crystal growth rate, and further, new nuclei (crystal nuclei) are generated to lower the quality (grain size and the like).

【0003】一般に結晶化現象は科学的に理解しにくい
現象の一つであり、過飽和溶液の条件(温度、濃度、過
飽和度等)をパラメータで表す結晶成長速度は一定の条
件下で示すことができるが、溶液が過飽和であることや
溶解度の扱いなど、種々の問題があり、現象的にも十分
に解明されてはいなかった。例えば溶解度の測定は、未
飽和側から測定した場合と過飽和側から測定した場合で
は値が異なり、また加熱の状態によっても異なることが
知られていた。そこで本発明者は、結晶化現象の複雑さ
や結晶成長速度が種々の条件で異なることが胞芽の挙動
によることに着目し、既に多くの文献にて、或いは特開
昭61−15700号(特公昭63−65317号)公
報、特開平1−297000号公報、特公平5−422
79号公報などにおいて、液体と固体の性質を併せ持
ち、液体や固体とも異なる物質である胞芽(=溶質分子
の会合物)の概念を導入すると共に結晶化制御方法につ
いての提案を発表している。
In general, the crystallization phenomenon is one of the phenomena that is difficult to understand scientifically, and the crystal growth rate, which expresses the conditions of the supersaturated solution (temperature, concentration, supersaturation, etc.) as parameters, can be shown under a certain condition. Although possible, there are various problems such as supersaturation of the solution and handling of the solubility, and the phenomenon has not been sufficiently elucidated. For example, it has been known that the value of the solubility differs between the case where the measurement is performed from the unsaturated side and the case where the measurement is performed from the supersaturation side, and also differs depending on the heating state. Therefore, the present inventor has paid attention to the fact that the complexity of the crystallization phenomenon and the difference in the crystal growth rate under various conditions depend on the behavior of the spores, and have already been published in many documents or in Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-15700. JP-B-63-65317), JP-A-1-297000, JP-B-5-422
In publication 79, etc., the concept of spores (= solute molecule association), which is a substance that has both liquid and solid properties and is different from liquids and solids, is introduced and a proposal for a crystallization control method is published. .

【0004】中でも過飽和溶液(懸濁液)に対し、溶媒
や溶液を間欠的に供給する間欠育晶方式は、懸濁溶液を
加熱蒸発して固さ計が上昇する過程を胞芽量(数と大き
さ)の増加と見なし、胞芽から結晶核に相転移する限界
点を想定して溶媒或いは溶液などを供給する方式を示し
たものである。この方式により、連続育晶方式に対し、
結晶の生産性や品質を大幅に改善した。即ち、連続育晶
方式に比べて結晶の成長速度が速く、設定値を調節して
新たな結晶核の形成を抑制することができるという点で
極めて優れた効果を果たすものであった。図2(a)に
はこの従来の間欠育晶方式における溶媒育晶方法を、図
2(b)には溶液育晶方法を示した。図2(a)中の記
号は以下の通りである。 R1 ,R2 ,R3 :設定値(固さ) Δr1 :設定上昇値(固さ) V1 :溶媒弁開度 t1 :溶媒弁開時間 但し、R2 =R1 +Δr13 =R2 +Δr1 固さ値が設定値R1 に達したとき、溶媒弁がV1 開き、
1 後、溶媒弁が閉となり、同時に固さ設定値はΔr1
上昇しR2 となる。次に固さ値がR2 に到達して、溶媒
弁が開き、同様の操作を繰り返す。図2(b)中の記号
は以下の通りである。 R1 ,R2 ,R3 :設定値(固さ) Δr1 :設定上昇値(固さ) 但し、R2 =R1 +Δr13 =R2 +Δr11 ,L2 ,L3 :設定値(液位) ΔL1 :設定上昇値(液位) V1 :溶液弁開度 固さ値が設定値R1 に達したとき、溶液弁がV1 開き、
液位設定値に到達したとき溶液弁が閉となり、同時に固
さ設定値はΔr1 上昇しR2 となり、また液位設定値は
ΔL1 上昇する。次に固さ値がR2 に到達して、溶液弁
が開き、同様の操作を繰り返す。
The intermittent crystallization system in which a solvent or a solution is intermittently supplied to a supersaturated solution (suspension) is based on the spore germination (number) And the size is increased, and a solvent or a solution is supplied on the assumption of a limit point at which a phase transition from spores to a crystal nucleus occurs. By this method, the continuous crystallization method
Significantly improved crystal productivity and quality. In other words, the crystal growth rate is higher than in the continuous crystallization method, and a very excellent effect is obtained in that the set value can be adjusted to suppress the formation of new crystal nuclei. FIG. 2A shows a solvent crystallization method in the conventional intermittent crystallization method, and FIG. 2B shows a solution crystallization method. The symbols in FIG. 2A are as follows. R 1 , R 2 , R 3 : Set value (hardness) Δr 1 : Set rise value (hardness) V 1 : Solvent valve opening degree t 1 : Solvent valve opening time However, R 2 = R 1 + Δr 1 R 3 = R 2 + Δr 1 When the hardness value reaches the set value R 1 , the solvent valve opens V 1 ,
After t 1, it becomes the solvent valve is closed, at the same time hardness setting [Delta] r 1
It increased the R 2. Then hardness value has reached the R 2, opens the solvent valve, the same operation is repeated. The symbols in FIG. 2B are as follows. R 1 , R 2 , R 3 : Set value (hardness) Δr 1 : Set rise value (hardness) where R 2 = R 1 + Δr 1 R 3 = R 2 + Δr 1 L 1 , L 2 , L 3 : Set value (liquid level) ΔL 1 : Set rise value (liquid level) V 1 : Solution valve opening When the hardness value reaches the set value R 1 , the solution valve opens V 1 ,
When the liquid level set value is reached, the solution valve is closed, and at the same time, the hardness set value increases by Δr 1 to R 2 and the liquid level set value increases by ΔL 1 . Then hardness value has reached the R 2, open solution valve, the same operation is repeated.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来の間欠育晶方法は、固さの下限値を制御する方法でも
胞芽量の成長や崩壊の挙動から見るとオープンループ制
御であるため、結晶が成長する速度が遅くなる要因に対
応することができず、高い成長速度を維持する育晶は困
難であった。この原因は大きく分けて以下の3つの要素
がある。 原料やその処理工程の影響 溶液を作る原料は主として農産物であり、収穫時期や天
候、収穫後の移送処理など、種々の条件で品質が変動す
る。原料の処理は圧搾、精製、濃縮され、又は反応・発
酵などで原料の精製及び均一化が行われるが、溶液純度
や不純物の割合の変化は結晶成長から見ると影響を与え
ている。一方、工場設計は、溶液濃度が結晶成長に適し
たものになっていない。これらより、結晶成長は速度が
低下する方向に変動が生じている。 工場のユーティリティ及び溶媒や溶液の供給などの影
響 ユーティリティ及び溶媒や溶液の供給は物理的条件を一
定にしても結晶成長条件から見ると結晶成長状態は変化
する。 配管や結晶缶構造の影響 同一構造の結晶缶で同一溶液を用いて育晶しても結晶成
長状態が異なり、結晶の出来具合が違うことは一般に経
験するところである。これら〜の影響は、結晶の種
類や育晶過程で生じる物性の変化によって結晶成長をさ
らに難しくしている。また、これら物性の変化によって
約20の結晶成長因子も変動する。中でも結晶成長の命
である流動状態が変化し、もう1つは熱効率の変動が生
じて結晶成長に影響を及ぼす。このような状況下で、前
記従来の間欠育晶システムは、結晶成長の操作対象(胞
芽量)を科学の目(温度や濃度、粘度、過飽和度、固
さ、伝導度、誘電率など)で見ることが困難であるた
め、結晶の種類に合うプログラムの構築は結晶を操作す
る専門家でも困難であった。また、高い結晶成長速度を
維持する育晶はオープンループ制御であるため、結晶成
長速度が疎外される影響に対応ができない。さらに、種
々の変動の中には日時経過にしたがって結晶成長速度が
低下する外乱が原料や精製工程である。これに対応する
機能がない。
However, the conventional intermittent crystallization method is an open-loop control method in view of the growth and collapse behavior of the amount of spores even when controlling the lower limit of hardness. It was not possible to cope with the cause of the slow growth rate of GaN, and it was difficult to grow the crystal at a high growth rate. The cause is roughly divided into the following three elements. Influence of raw materials and their processing steps The raw materials that make up the solution are mainly agricultural products, and the quality varies under various conditions, such as harvest time, weather, and post-harvest transfer processing. The raw material is processed by pressing, purifying, concentrating, or purifying and homogenizing the raw material by reaction, fermentation, or the like. However, changes in the solution purity and the proportion of impurities affect the crystal growth. On the other hand, in the factory design, the solution concentration is not suitable for crystal growth. As a result, the crystal growth fluctuates in the direction in which the speed decreases. Effects of Factory Utility and Supply of Solvents and Solutions The supply of utilities and solvents and solutions changes the crystal growth state when viewed from the crystal growth conditions even if the physical conditions are fixed. Influence of piping and crystal can structure It is common experience that the crystal growth state is different even if the crystal is grown using the same solution in the crystal can of the same structure, and the quality of the crystal is different. These effects make crystal growth more difficult due to changes in the types of crystals and physical properties that occur during the crystallization process. In addition, about 20 crystal growth factors also fluctuate due to these physical property changes. Among them, the flow state, which is the life of crystal growth, changes, and the other is that the thermal efficiency fluctuates, affecting crystal growth. Under such circumstances, the conventional intermittent crystal growth system described above requires a crystal growth operation target (amount of spores) to be determined by scientific knowledge (temperature, concentration, viscosity, supersaturation, hardness, conductivity, dielectric constant, etc.). It was difficult to see the results on the above, and it was difficult even for a specialist who operates a crystal to construct a program suitable for the type of crystal. In addition, since the crystal growth for maintaining a high crystal growth rate is performed by open loop control, it cannot cope with the influence of the crystal growth rate being alienated. Further, among various fluctuations, disturbances in which the crystal growth rate decreases with the passage of time are the raw materials and the refining process. There is no corresponding function.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明は、前記に鑑み提
案されたもので、濃度(液相)と懸濁密度(固相)と胞
芽相とがそれぞれの状態で変化する量を総じて検知する
複相センサーを用い、溶媒、溶液、圧力などを一定量供
給又は変化させて複相センサーが検出する値が下降する
間欠育晶状態を作り、胞芽の変化量を検知し、検知した
量を、基準値より胞芽量が少ない場合に正の値、多い場
合に負の値になるように加工演算式を作り、この値と、
間欠育晶方法の設定値に標準的に生じている胞芽量と時
間経過で生じた懸濁密度の増加分とを加算して次の設定
値とする特殊クローズループ制御を1つのパターンと
し、これを複数個繰り返すものをステップとして育晶プ
ログラムを構成し、ステップ中の複数のパターンで胞芽
量を評価して初期値を設定する結晶成長制御方法に関す
るものである。
DISCLOSURE OF THE INVENTION The present invention has been proposed in view of the above, and the amount of change in concentration (liquid phase), suspension density (solid phase), and spore phase in each state is generally considered. Using a biphasic sensor to detect, supply or change a certain amount of solvent, solution, pressure, etc. to create an intermittent growing state in which the value detected by the biphasic sensor drops, detect the change amount of sprouts, and detect the amount of a positive value when胞芽amount is less than the reference value, making the machining operation expression to be a negative value when large, and this value,
A special closed-loop control, in which the amount of spores that normally occur and the amount of increase in the suspension density that occurs over time are added to the set value of the intermittent crystallization method and the next set value is used as one pattern, The present invention relates to a crystal growth control method in which a crystal growth program is constituted by repeating a plurality of steps as a step, an amount of sprouts is evaluated by a plurality of patterns in the step, and an initial value is set.

【0007】[0007]

【発明の実施の形態】まず、本発明に用いる結晶缶は、
結晶を生成する装置であって、過飽和溶液にした場合に
液相中の溶質が固相(結晶)に組み込まれる相転移が結
晶缶中で行われるものである。したがって、結晶缶は、
液相(溶液)の溶質の濃度を過飽和にする装置である。
過飽和にする方法は以下の2つの方法がある。 溶液を加熱して溶媒を蒸発させて溶解度以上にする方
法 溶液温度を低下して溶解度を小さくする方法 これらより、結晶を作る結晶缶は単なる容器でも良い
し、適宜構成の加熱部や冷却部を備えるものでも良い。
従来よりこれら結晶缶の構造には種々のものがあり、大
きさも数リットルのものから100m3 まである。これ
らは結晶の種類によってまた業界によって種々工夫され
たものがあるが、そのまま本発明の結晶缶として用いる
ことができる。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS First, a crystal can used in the present invention is:
An apparatus for generating crystals, wherein a solute in a liquid phase is incorporated into a solid phase (crystal) when a supersaturated solution is formed, and a phase transition is performed in a crystal can. Therefore, the crystal can
This is a device that supersaturates the concentration of a solute in a liquid phase (solution).
There are the following two methods for supersaturation. The method of heating the solution to evaporate the solvent to make it more soluble than the method of lowering the solution temperature to lower the solubility From these, the crystal can for making crystals may be a simple vessel, It may be provided.
Conventionally, these crystal cans have various structures, ranging in size from a few liters to 100 m 3 . Although these are variously devised depending on the type of crystal and the industry, they can be directly used as the crystal can of the present invention.

【0008】次に、本発明において極めて重要な胞芽に
ついて説明する。既に本発明者は多くの文献や特許公報
などにて発表、説明しているが、端的に説明すれば胞芽
は溶質分子の会合物であり、以下に示すように液体と固
体の性質を併せ持ち、一方、液体や固体とも異なる物質
である。 −溶液のように見える− 目視では勿論溶液に見えるし、過飽和溶液の多くの研究
発表は溶液中の挙動として扱っている。 −固体のように見える− 伝導度や誘電率や固さなどのセンサーを用いて過飽和溶
液や懸濁溶液を見ると、胞芽の増減は結晶の増減と同じ
ように見えて区別できない。 −液体でないように見える− 蔗糖水溶液、塩水溶液、葡萄糖水溶液、グルタミン酸ソ
ーダ水溶液、硫安水溶液などの過飽和溶液を作り、これ
を希釈して吸光度計(測定波長190〜820nmを1
秒間で測定するもの)を用いて測定した。データは希釈
量を順次減少する方法で収集した。蔗糖水溶液に0.7
5%の溶媒を加えた場合、短波長側では指示が低下する
とき、長波長側では指示が上昇する現象が見られた。即
ち、短波長側では胞芽が溶解して胞芽量が減少し(溶液
に相転移)、長波長側では希釈によって溶液濃度が低下
しているにもかかわらず、溶質量が増加するという指示
が上昇した。したがって、溶液とは異なるエネルギーレ
ベルの物質(溶質分子の会合物=胞芽)が崩壊したと見
える。 −固体でないように見える− 間欠給液による育晶において、固さ計での変化を見ると
溶媒又は溶液を供給しているときには下降し、給液を停
止しているときには上昇している。しかし、溶媒の供給
は数%、溶液の供給は5%前後であるから溶媒や溶液を
供給している際にも過飽和状態が保持され、既に生成さ
れた結晶が溶解する状態ではない。したがって、溶媒や
溶液を供給することにより、固体とは異なるエネルギー
レベルの物質(胞芽)が崩壊したと見ることができる。
また、溶媒や溶液の供給を停止しているときの固さ計の
上昇は極めて急激であるため、この固さ上昇は結晶個数
密度上昇に起因するとは到底考えられない。即ち、結晶
個数密度上昇とは結晶の成長に他ならないが、このよう
な結晶成長が短時間で起こっているとは考えられないの
で、固体とは異なるエネルギーレベルの物質(胞芽)が
発生、成長したと見ることができる。このように胞芽と
は、液体のように見えても液体でないようにも見え、固
体のように見えても固体でないようにも見えるものであ
る。
Next, the spores which are extremely important in the present invention will be described. The present inventor has already published and explained in many documents and patent gazettes, but to put it simply, spores are aggregates of solute molecules and have both liquid and solid properties as shown below. On the other hand, it is a substance different from liquids and solids. -Looks like a solution-Of course, it looks like a solution visually, and many research publications on supersaturated solutions treat it as behavior in a solution. -Looks like a solid-When looking at supersaturated solutions or suspensions using sensors such as conductivity, dielectric constant, or hardness, the increase or decrease in spores looks the same as the increase or decrease in crystals and is indistinguishable. -Looks like it is not liquid-Make a supersaturated solution such as sucrose aqueous solution, salt aqueous solution, glucose aqueous solution, sodium glutamate aqueous solution, ammonium sulfate aqueous solution and dilute it to absorbance (measurement wavelength of 190-820 nm
(Measured in seconds). Data was collected in a serially decreasing manner. 0.7 in aqueous sucrose solution
When 5% of the solvent was added, a phenomenon was observed in which the indication decreased on the short wavelength side and increased on the long wavelength side. In other words, on the short wavelength side, the spores dissolve and the amount of spores decreases (phase transition to solution), and on the long wavelength side, the dissolved mass increases despite the decrease in the solution concentration due to dilution. Rose. Therefore, it appears that a substance having an energy level different from that of the solution (associates of solute molecules = spores) has collapsed. -Appears not to be solid-In the crystallization by intermittent liquid supply, the change in the hardness meter shows that the liquid crystal falls when the solvent or the solution is supplied, and rises when the liquid supply is stopped. However, since the supply of the solvent is about several percent and the supply of the solution is about 5%, the supersaturated state is maintained even when the solvent or the solution is supplied, and the crystal that has already been formed is not dissolved. Therefore, it can be considered that a substance (spore) having an energy level different from that of a solid has collapsed by supplying a solvent or a solution.
Further, the rise of the hardness meter when the supply of the solvent or the solution is stopped is extremely sharp, and it is hardly considered that the increase in the hardness is caused by the increase in the crystal number density. That is, the increase in the crystal number density is nothing but the growth of crystals, but since such crystal growth is not considered to be occurring in a short time, a substance (spore) having an energy level different from that of a solid is generated. Can be seen as grown. Thus, spores are those that look like liquid or not liquid and that look like solid or not solid.

【0009】さらに、本発明に用いる複相センサーにつ
いて説明する。複相センサーは溶液の濃度(液相)変化
と懸濁密度(固相)の変化、それぞれの変化を総じて検
知する検出機器であり、このようなセンサーは溶液(液
相)の状態と結晶(固相)の状態を総じて検知している
ことから液体的な胞芽と固体的な胞芽を併せた胞芽量も
検知している。即ち、液相と固相との中間位にある胞芽
相の複数の相挙動を検知するものということができる。
具体的には、固さを検知する固さ計、伝導度を検知する
伝導度計、誘電率を検知する誘電率計などをこの複相セ
ンサーとして例示することができる。
Further, the multi-phase sensor used in the present invention will be described. A multi-phase sensor is a detection device that detects changes in solution concentration (liquid phase) and changes in suspension density (solid phase) as a whole, and such sensors detect the state of the solution (liquid phase) and the crystal ( Since the state of the solid phase is generally detected, the amount of spores that combines liquid spores and solid spores is also detected. That is, it can be said that a plurality of phase behaviors of the spore phase at an intermediate position between the liquid phase and the solid phase are detected.
Specifically, a hardness meter for detecting hardness, a conductivity meter for detecting conductivity, a permittivity meter for detecting dielectric constant, and the like can be exemplified as the multiphase sensor.

【0010】尚、固さ計は、モーター回転軸の先端に羽
を持つ構造で、羽が懸濁溶液の中で回転するとき、その
羽の形によって定まる反抗トルクτを受けて、モーター
回転数nは減少する。このnに逆比例するアマチュア電
流を出力とするセンサーである。固さは濃度に関わるΨ
1 と液体的な胞芽の粘性Ψ0 に応じたトルクを発生させ
る。また、結晶個数密度ρと固体的な胞芽の大きさと数
ρ0 に応じたトルクを発生する。これらを総合して検出
する固さ計はモーターの回転数をnとすると、反抗トル
クτを羽に受ける。ここでΨ0 +ρ0 をΨ2 とすると、
以下の(1)式が得られる。 τ=(α1 Ψ1 +α2 Ψ2 +β0 ρ)n・・・・・・・(1) 但し、α1 、α2 、β0 は羽の大きさと形に関わる係数
である。上記(1)式の各項は加熱蒸発や温度変化など
の外部条件によって影響を受ける。そのとき、各項はエ
ネルギーレベルを異にするため、それぞれに相転移して
変化する量でもある。したがって、固さの量変化は分か
りにくいものとなる。また、結晶成長に大きく関与する
胞芽量も本質的に不可知の領域がある分かりにくい量と
なる。
[0010] The hardness meter has a structure in which a wing is provided at the tip of a motor rotation shaft. When the wing rotates in a suspension solution, it receives a reaction torque τ determined by the shape of the wing, and the motor rotation speed is increased. n decreases. The sensor outputs an armature current that is inversely proportional to n. Hardness is related to concentration.
A torque corresponding to 1 and the viscosity of liquid spores Ψ 0 is generated. In addition, a torque is generated according to the crystal number density ρ, the size of the solid spores, and the number ρ 0 . A hardness meter that collectively detects these forces receives a reaction torque τ on the wings, where n is the number of rotations of the motor. Here, if Ψ 0 + ρ 0 is Ψ 2 ,
The following equation (1) is obtained. τ = (α 1 Ψ 1 + α 2 Ψ 2 + β 0 ρ) n (1) where α 1 , α 2 , and β 0 are coefficients relating to the size and shape of the wing. Each term in the above equation (1) is affected by external conditions such as heat evaporation and temperature change. At this time, since each term has a different energy level, it is also an amount that changes by phase transition. Therefore, the change in the amount of hardness becomes difficult to understand. In addition, the amount of spores that greatly contributes to crystal growth is also an incomprehensible amount having an essentially unknown region.

【0011】前記従来の間欠育晶方式は懸濁溶液を加熱
蒸発して固さ計が上昇する過程を胞芽量(数と大きさ)
の増加と見なし、胞芽から核に相転移する限界点を想定
して溶媒或いは溶液などを供給する方式を示したもので
ある。この方式により、連続育晶方式に対し、結晶の生
産性や品質を大幅に改善した。しかし胞芽量の成長や崩
壊の挙動から見るとオープンループ制御であることから
高生産性や高品質を持続することが困難であった。本発
明は、胞芽が複雑な挙動を示し限界点が変化することに
対して胞芽量の増減を工夫した方法で検出し、その量を
加工演算して胞芽量を適正値とするように次の設定値を
操作するという特殊クローズループを作る制御方法を提
出するものである。このように胞芽量を常に適正量とす
る制御は、結晶成長の速い育晶を維持し、また種晶以外
の新たな核を生成しない育晶を維持し、さらに結晶を作
る晶析缶の前工程では純度や濃度や不純物などが変化す
る要因が多くあり、これらが結晶成長に及ぼす外乱を修
正する育晶を実現する。
In the conventional intermittent crystallization system, the process of heating and evaporating a suspension solution to raise the hardness meter indicates the amount of spores (number and size).
In this method, a solvent or a solution is supplied by assuming a limit point at which a phase transition from spores to a nucleus is assumed. With this method, the productivity and quality of the crystal were greatly improved over the continuous crystallization method. However, it was difficult to maintain high productivity and high quality because of open loop control from the viewpoint of growth and collapse behavior of spore volume. The present invention detects spores in a manner devised to increase or decrease the amount of spores for the spores exhibiting a complex behavior and changing the limit point, and processing the amount to calculate the amount of spores as an appropriate value. To submit a control method to create a special closed loop by operating the following set values. In this way, the spore germination amount is always controlled to be an appropriate amount by maintaining a crystal growth in which crystal growth is fast, maintaining a crystal growth that does not generate new nuclei other than a seed crystal, and further controlling a crystallizer for producing crystals. In the pre-process, there are many factors that change the purity, concentration, impurities, and the like, and realize crystal growth that corrects disturbances that affect crystal growth.

【0012】本発明においては、複相センサーの指示が
下降する間欠育晶状態を作り、以下のように胞芽量を検
知する。胞芽量の検知は予め、一定条件下の複相センサ
ーの下限偏差設定値、或いは一定条件下の操作対象の経
過時間を基準値とし、同一条件で実際に育晶して得られ
た値とを比較して胞芽の変化状態を検知する。そして、
検知した量は、基準値より胞芽量が少ない場合に正の
値、多い場合に負になるように加工演算式を作り、これ
をA’とする。これを間欠育晶方法の設定値に標準的に
生じている胞芽量と時間経過で懸濁密度の増加分Aが発
生しているのでA+A’として間欠育晶の次の設定値と
する。即ち、本発明の結晶成長制御方法においては、複
相センサーの下降状態で胞芽量の変化を検出(検知)
し、その量を加工演算(調節)して間欠育晶の次の設定
値(操作部)とする特殊クローズループ制御を1つのパ
ターンとし、これを複数個繰り返すものをステップとし
て育晶プログラムを構成するのである。
In the present invention, an intermittent crystallization state in which the indication of the dual-phase sensor decreases is detected, and the amount of spore germination is detected as follows. The detection of the amount of spores is carried out in advance with the lower limit deviation set value of the biphasic sensor under certain conditions, or the elapsed time of the operation target under certain conditions as the reference value, and the value obtained by actually growing under the same conditions. Are compared to detect the change state of spores. And
A processing operation formula is created so that the detected amount is a positive value when the amount of spores is smaller than the reference value, and is negative when the amount is larger than the reference value, and this is defined as A ′. This is the next set value of the intermittent growing crystal as A + A 'since the amount of spore germ that normally occurs in the set value of the intermittent growing method and the increase A in the suspension density occurs over time. That is, in the crystal growth control method of the present invention, a change in the amount of sprouts is detected (detected) when the dual-phase sensor is lowered.
Then, the amount is processed and adjusted (adjusted), and a special closed-loop control, which sets the next set value (operation unit) of the intermittent growing crystal, is defined as one pattern. You do it.

【0013】本発明における一定条件下の基準の例を以
下に示す。 複相センサーの下限偏差値を基準とする場合(図3、
図5) −1)溶媒弁開時間t01における複相センサーの下限
偏差値ΔWLt01を基準とする方法(図3) −2)液位上昇偏差ΔL01又は溶液弁開時間t01にお
ける複相センサーの下限偏差値ΔWLL01を基準とする方
法(図5) 操作弁開時間又は溶液弁上昇偏差を基準とする場合
(図4、図6) −1)複相センサー下限偏差値ΔWL01 における溶媒
弁開時間t01を基準とする方法(図4) −2)複相センサー下限偏差値ΔWL01 における溶液
弁上昇偏差ΔLW01 或いは溶液弁開時間t01を基準とす
る方法(図6)
Examples of criteria under certain conditions in the present invention are shown below. When the lower limit deviation value of the multi-phase sensor is used as a reference (FIG. 3,
5) -1) method (Figure 3 relative to the lower deviation [Delta] W LT01 diploid sensors in a solvent valve open time t 01) -2) liquid level rises deviation [Delta] L 01 or multiple phases in a solution valve open time t 01 Method based on the lower limit deviation value ΔW LL01 of the sensor (FIG. 5) In the case of using the opening time of the operating valve or the deviation of the solution valve rise as a reference (FIGS. 4 and 6) -1) The solvent in the lower limit deviation value ΔW L01 of the multi-phase sensor how relative to the valve opening time t 01 (FIG. 4) -2) a method for the reference solution valve increases the deviation [Delta] L W01 or solution valve open time t 01 in the dual-phase sensor lower deviation [Delta] W L01 (FIG. 6)

【0014】本発明における胞芽の変化量検出方法を以
下に示す。 複相センサーの下限偏差値を基準とする場合(図3、
図5) −1)複相センサーの下限偏差値ΔWLt01を基準と
し、同一条件下で測定した値ΔWL1X との比ΔWLt01÷
ΔWL1X を取る方法(図3) −2)複相センサーの下限偏差値ΔWLL01を基準と
し、同一条件下で測定した値ΔWLL1Xとの比ΔWLL01÷
ΔWLL1Xを取る方法(図5) 操作弁開時間又は溶液弁上昇偏差を基準とする場合
(図4、図6) −1)溶媒弁開時間t01を基準とし、同一条件下で測
定した値t1Xとの比t 1X÷t01を取る方法(図4) −2)溶液弁上昇偏差ΔLW01 を基準とし、同一条件
下で測定した値ΔLL1 X との比ΔLL1X ÷ΔLW01 を取
る方法(図6) または溶液弁開時間t01を基準とし、同一条件下で測定
した値Δt1Xとの比Δt1X÷t01を取る方法(図6)
The method for detecting the amount of change in spores according to the present invention is as follows.
Shown below. When the lower limit deviation value of the multi-phase sensor is used as a reference (FIG. 3,
Figure 5) -1) Lower limit deviation value ΔW of the multi-phase sensorLt01Based on
And the value ΔW measured under the same conditionsL1XRatio ΔW toLt01÷
ΔWL1X2) Lower limit deviation value ΔW of multi-phase sensorLL01Based on
And the value ΔW measured under the same conditionsLL1XRatio ΔW toLL01÷
ΔWLL1X(Fig. 5) When operating valve opening time or solution valve rise deviation is used as a reference
(FIGS. 4 and 6) -1) Solvent valve opening time t01Measurement under the same conditions
Set value t1XAnd the ratio t 1X÷ t01-2) Solution valve rise deviation ΔLW01With the same conditions
The value ΔL measured belowL1 XRatio ΔLL1X÷ ΔLW01Take
(Fig. 6) or solution valve opening time t01Measured under the same conditions based on
Value Δt1XRatio Δt to1X÷ t01How to take (Figure 6)

【0015】前記それぞれの基準における胞芽の変化量
を加工演算して設定値とする方法を以下に示す。 複相センサーの下限偏差値を基準とする場合(図3、
図5) −1)胞芽量の変化をΔWLt01÷ΔWL1X で検知し、
〔(ΔWLt01÷ΔWL1X )×B−C〕÷D=A’で正負
の値に加工し、懸濁密度の増加分Aと加算した値A+
A’を次の設定値W1X1 とする方法(図3) −2)胞芽量の変化をΔWLL01÷ΔWLL1Xで検知し、
〔(ΔWLL01÷ΔWLL1X)×B−C〕÷D =A’で正
負の値に加工し、懸濁密度の増加分A+A’を次の設定
値W1X1 とする方法(図5) 操作弁開時間または溶液弁上昇偏差を基準とする場合
(図4、図6) −1)胞芽量の変化をt1X÷t01で検知し、〔(t1X
÷t01)×B−C〕÷D=A’で正負の値に加工し、懸
濁密度の増加分Aと加算した値A+A’を次の設定値W
1X1 とする方法(図4) −2)胞芽量の変化をΔLL1X ÷ΔLW01 で検知し、
〔(ΔLL1X ÷ΔLW01 )×B−C〕÷D=A’で正負
の値に加工し、懸濁密度の増加分Aと加算した値A+
A’を次の設定値W1X1 とする方法(図6) またはt1X÷t01で検知し、〔(t1X÷t01)×B−
C〕÷D=A’で正負の値に加工し、懸濁密度の増加分
Aと加算した値A+A’を次の設定値W1X1 とする方法
(図6)
The method of processing and calculating the change amount of spore sprouts in each of the above-mentioned standards and setting it as a set value will be described below. When the lower limit deviation value of the multi-phase sensor is used as a reference (FIG. 3,
Fig. 5) -1) The change in the amount of spores is detected by ΔW Lt01 ÷ ΔW L1X ,
[(ΔW Lt01 ÷ ΔW L1X ) × BC ] ÷ D = A ′, processed into positive and negative values, and added to the increase A of the suspension density A +
Method of setting A ′ to the next set value W 1X1 (FIG. 3) -2) Detecting a change in the amount of spores by ΔW LL01 ÷ ΔW LL1X ,
[(ΔW LL01 ÷ ΔW LL1X ) × B−C] 方法 D = A ′, processed into positive and negative values, and the increase in suspension density A + A ′ is set to the next set value W 1X1 (FIG. 5). When the opening time or solution valve rise deviation is used as a reference (FIGS. 4 and 6) -1) A change in the amount of spores is detected at t 1X ÷ t 01 , and [(t 1X
{T 01 ) × BC] ÷ D = A ′, processed into positive and negative values, and the value A + A ′ obtained by adding the increase A of the suspension density to the next set value W
How to 1X1 changes in (4) -2)胞芽amount detected by ΔL L1X ÷ ΔL W01,
[(ΔL L1X ÷ ΔL W01 ) × BC ] ÷ D = A ', processed into positive and negative values, and added to the increase A of the suspension density A +
The A 'is detected by the method (FIG. 6) or t 1X ÷ t 01 to the next set point W 1X1, [(t 1X ÷ t 01) × B-
C] A method of processing to a positive or negative value with ÷ D = A 'and adding the value A + A' obtained by adding the increase amount A of the suspension density to the next set value W 1X1 (FIG. 6)

【0016】これらの制御方法を図3〜6にて説明す
る。 1.溶媒育晶方法(溶媒弁開時間一定) 図3:複相センサー下限偏差値基準、同一条件で育晶し
た複相センサー下限偏差測定値との比較 図3(a)は、育晶プログラムの中の一つのステップを
構成するパターンを示し、複相センサーの育晶記録と設
定値を示す。図3(b)は、溶媒弁作動図を示す。 図3(a)の記号説明 a1 〜a6 :複相センサーの記録説明記号 W :複相センサー値、 Δ W1X1 :演算結果の複相センサー設定上昇値 W1-1 :一回目ステップの一回目複相センサーの設定
値(a2 はW1-1 と測定値と一致した点)1-1 :一回目ステップの一回目パターンの設定 W1-2 :一回目ステップの二回目複相センサーの設定
値(a6 はW1-2 と測定値と一致した点)1-2 :一回目ステップの二回目パターンの設定 ΔWLt01:溶媒弁開時間一定(t01)における複相セン
サー設定下限偏差基準値(a3 Lt :溶媒弁開時間一定の複相センサー下限01 :一回目ステップの下限偏差 ΔWL1X :溶媒弁開時間一定(t01)に到達した複相セ
ンサー下限偏差測定値(a4 L1 :一回目ステップの下限偏差X :測定値 図3(b)の記号説明 V1 :溶媒弁開度 t01 :溶媒弁開時間基準設定値(a3 、a4 はt01
時間経過した点) t1 :溶媒弁開時間設定(a5 はt1 時間経過した
点)
These control methods will be described with reference to FIGS. 1. Solvent crystallization method (fixed solvent valve opening time) Fig. 3: Comparison between the lower limit deviation value of the multi-phase sensor and the measured value of the lower limit deviation of the multi-phase sensor grown under the same conditions. 2 shows a pattern constituting one step of the present invention, and shows a crystallization record and set values of a multiphase sensor. FIG. 3B shows an operation diagram of the solvent valve. FIGS. 3 (a) of Symbol Description a 1 ~a 6: recording the legend W diploid sensor: dual phase sensor value, delta W 1X1: dual-phase sensor configuration of the operation result rise value W 1-1: the first time step Set value of the first multi-phase sensor (a 2 is the point where the measured value matches W 1-1 ) 1-1 : Setting of the first pattern of the first step W 1-2 : Second multi-phase of the first step Sensor set value (a 6 is the point where W 1-2 matches the measured value) 1-2 : Setting of the second pattern of the first step ΔW Lt01 : Setting of the multi-phase sensor when the solvent valve opening time is constant (t 01 ) Lower limit deviation reference value (a 3 ) Lt : Lower limit of multi-phase sensor with fixed solvent valve open time 01 : Lower limit deviation of the first step ΔW L1X : Measured value of lower limit of multi-phase sensor reaching fixed solvent valve open time (t 01 ) (a 4) L1: a lower limit deviations first time step X: Legend measurements Figure 3 (b) V 1: soluble Valve opening t 01: solvent valve opening time reference set value (a 3, a 4 are t 01
T 1 : Solvent valve open time setting (a 5 is the point at which t 1 time has elapsed)

【0017】図3の作動説明 a1 にある複相センサー値Wは加熱蒸発されて上昇し、
設定値W1-1 に達する(a2 )。そのa2 点で溶媒弁が
1 開き、W値は下降する(a3 )。時間t01経過した
4 点の複相センサー値ΔWL1X を記憶し、さらに下降
してt1 経過したa5 点に到達すると溶媒弁は閉とな
り、複相センサー値はa1 点と同じ状態となり、次の設
定値W1-2 に達したa6 点で溶媒弁が再び開となる。記
憶したWL1X は予め定めた基準値ΔWLt01との比を取
り、下記1式の演算を行い、次の設定値は下記3式のW
1-2 となる。 ΔW1X1 =A+〔(ΔWLt01÷ΔWL1X )×B−C〕÷D (1) A’=〔(ΔWLt01÷ΔWL1X )×B−C〕÷D (2) W1-2 =W1-1 +ΔW1X1 (3) 但し、A.B.C.Dは品種の異なる結晶や結晶の種類
(大きさや純度等)等に関わる定数1式は、設定上昇偏
差値。2式は、種々の外乱による補正値、正負の値があ
る。3式は、複相センサーの2回目の設定値。この制御
ループはa2 、a3 、a4 、a5 、a6 で構成し、これ
を一つのパターン(特殊クローズループ)とし、この繰
り返し数を定めた制御を一つのステップとする。
Operational Description of FIG. 3 The multi-phase sensor value W in a 1 is heated and evaporated and rises.
It reaches the set value W 1-1 (a 2). As a solvent valve V 1 open at two points, W value is lowered (a 3). The multi-phase sensor value ΔW L1X at the point a 4 after the lapse of the time t 01 is stored, and when the temperature reaches the point a 5 after the lapse of the time t 1 , the solvent valve is closed, and the multi-phase sensor value is the same as the point a 1. next, the solvent valve is opened again in a 6-point has been reached following settings W 1-2. The stored W L1X takes a ratio with a predetermined reference value ΔW Lt01 , performs the calculation of the following equation, and sets the next set value to W 3 of the following equation.
1-2 . ΔW 1X1 = A + [(ΔW Lt01 ÷ ΔW L1X ) × B−C] ÷ D (1) A ′ = [(ΔW Lt01 ÷ ΔW L1X ) × B−C] ÷ D (2) W 1-2 = W 1 -1 + ΔW 1X1 (3) However, A. B. C. D is a set constant deviation value relating to crystals of different varieties and types of crystals (size, purity, etc.). The two equations include correction values due to various disturbances and positive and negative values. Equation 3 is the second set value of the multi-phase sensor. This control loop is composed of a 2 , a 3 , a 4 , a 5 , and a 6, which is defined as one pattern (special closed loop), and the control defining the number of repetitions is defined as one step.

【0018】2.溶媒育晶方法(複相センサー下限偏差
値定める) 図4:複相センサー下限偏差設定値、その経過時間基
準、同一条件の経過時間比較 図4(a)は、育晶プログラムの中の一つのステップを
構成するパターンを示し、複相センサーの育晶記録と設
定値を示す。図4(b)は、溶媒弁作動図を示す。 図4(a)の記号説明 a1 〜a6 :複相センサーの記録説明記号 W :複相センサー値、 Δ W1X1 :演算結果の複相センサー設定上昇値 W1-1 :一回目ステップの一回目複相センサーの設定
値(a2 はW1-1 と測定値と一致した点)1-1 :一回目ステップの一回目パターンの設定 W1-2 :一回目ステップの二回目複相センサーの設定
値(a6 はW1-2 と測定値と一致した点)1-2 :一回目ステップの二回目パターンの設定 ΔWL01 :一回目ステップの下限偏差基準設定値(a3
とa4 L :複相センサー下限設定01 :一回目ステップ基準 ΔWL1 :一回目ステップの溶媒弁閉の下限偏差設定値
(a5 L1 :一回目ステップの下限設定 図4(b)の記号説明 V1 :溶媒弁開度 t01 :溶媒弁開時間基準(a3 ) t1X :複相センサー下限偏差設定値に到達した溶媒
弁開時間(a4
2. Solvent crystallization method (determination of the lower limit deviation value of the multi-phase sensor) Fig. 4: Set value of the lower limit deviation of the multi-phase sensor, its elapsed time reference, and comparison of the elapsed time under the same conditions Fig. 4 (a) shows one of the crystallization programs. Fig. 4 shows patterns constituting steps, and shows crystallization records and set values of a multi-phase sensor. FIG. 4B shows the operation diagram of the solvent valve. FIGS. 4 (a) of Symbol Description a 1 ~a 6: recording the legend W diploid sensor: dual phase sensor value, delta W 1X1: dual-phase sensor configuration of the operation result rise value W 1-1: the first time step Set value of the first multi-phase sensor (a 2 is the point where the measured value matches W 1-1 ) 1-1 : Setting of the first pattern of the first step W 1-2 : Second multi-phase of the first step Sensor setting value (a 6 is the point where W 1-2 matches the measured value) 1-2 : Setting of the second pattern of the first step ΔW L01 : Lower limit deviation reference setting value of the first step (a 3
And a 4 ) L : Lower limit setting of multi-phase sensor 01 : First step reference ΔW L1 : Lower limit deviation setting value of solvent valve closing at first step (a 5 ) L1 : Lower limit setting of first step Figure 4 (b) Symbol Description V 1 : Solvent valve opening degree t 01 : Solvent valve opening time reference (a 3 ) t 1X : Solvent valve opening time reaching the set value of lower limit deviation of multi-phase sensor (a 4 )

【0019】図4の作動説明 a1 にある複相センサー値Wは加熱蒸発されて上昇し、
設定値W1-1 に達する(a2 )。そのa2 点で溶媒弁が
1 開き、W値は下降する(a3 )。複相センサー下限
偏差設定値WL01 に達したa4 点の時間t1X値を記憶
し、さらに下降して複相センサー下限偏差設定値a5
に達すると溶媒弁は閉となり、複相センサー値はa1
と同じ状態となり、次の設定値W1-2 に達したa6 点で
溶媒弁が再び開となる。記憶したt1Xは予め定めた基準
値t01との比を取り、下記1式の演算を行い、次の設定
値は下記3式のW1-2 となる。 ΔW1X1 =A+〔(t1X÷t01)×B−C〕÷D (1) A’=〔(t1X÷t01)×B−C〕÷D (2) W1-2 =W1-1 +ΔW1X1 (3) 但し、A.B.C.Dは品種の異なる結晶や結晶の種類
(大きさや純度等)等に関わる定数1式は、設定上昇偏
差値。2式は、種々の外乱による補正値、正負の値があ
る。3式は、複相センサーの2回目の設定値。この制御
ループはa2 、a3 、a4 、a5 、a6 で構成し、これ
を一つのパターン(特殊クローズループ)とし、この繰
り返し数を定めた制御を一つのステップとする。
Operational Description of FIG. 4 The multi-phase sensor value W in a 1 is heated and evaporated and rises.
It reaches the set value W 1-1 (a 2). As a solvent valve V 1 open at two points, W value is lowered (a 3). The time t 1X value of the point a 4 when the multi-phase sensor lower limit deviation set value W L01 is reached is stored, and when the multi-phase sensor lower limit deviation set value a 5 is reached, the solvent valve is closed and the multi-phase sensor is closed. the value becomes the same state as 1 point a, the solvent valve is opened again in a 6-point has been reached following settings W 1-2. The stored t 1X takes a ratio with a predetermined reference value t 01, and the following equation is calculated, and the next set value is W 1-2 of the following three equations. ΔW 1X1 = A + [(t 1X ÷ t 01 ) × B−C] ÷ D (1) A ′ = [(t 1X ÷ t 01 ) × B−C] ÷ D (2) W 1-2 = W 1 -1 + ΔW 1X1 (3) However, A. B. C. D is a set constant deviation value relating to crystals of different varieties and types of crystals (size, purity, etc.). The two equations include correction values due to various disturbances and positive and negative values. Equation 3 is the second set value of the multi-phase sensor. This control loop is composed of a 2 , a 3 , a 4 , a 5 , and a 6, which is defined as one pattern (special closed loop), and the control defining the number of repetitions is defined as one step.

【0020】3.溶液育晶方法(液位上昇偏差一定) 図5:複相センサー下限偏差値基準、同一条件の育晶複
相センサー下限偏差測定値比較 図5(a)は、育晶プログラムの中の一つのステップを
構成するパターンを示し、複相センサーの育晶記録と設
定値を示す。図5(b)は、液位の記録と設定値を示
す。図5(c)は、溶媒弁作動図を示す。 図5(a)の記号説明 a1 〜a6 :複相センサーの記録説明記号 W :複相センサー値 Δ W1X1 :演算結果の複相センサー設定上昇値 W1-1 :一回目ステップの一回目複相センサーの設定
値(a2 はW1-1 と測定値と一致した点)1-1 :一回目ステップの一回目パターンの設定 W1-2 :一回目ステップの二回目複相センサーの設定
値(a6 はW1-2 と測定値と一致した点)1-2 :一回目ステップの二回目パターンの設定 ΔWLL01:液位上昇偏差一定(ΔL01)における複相セ
ンサー設定下限偏差基準値(a3 LL :液位基準の下限偏差01 :一回目ステップの基準 ΔWLL1X:液位上昇偏差一定(ΔL01)に到達した複相
センサー下限偏差測定値(a4 1X :一回目ステップの測定 図5(b)の記号説明 L1-1 :一回目ステップの一回目液位設定値(a2 ) L1-2 :一回目ステップの二回目液位設定値(a5 ) ΔL01 :一回目ステップの液位上昇基準値(a3 ,a
4 ) ΔL1 :一回目ステップの液位上昇設定値 図5(c)の記号説明 V1 :溶液弁開度
3. Solution crystallization method (constant liquid level rise deviation) Fig. 5: Comparison of measured values of the lower limit deviation of the crystallization multiphase sensor under the same conditions based on the lower limit deviation value of the multiphase sensor Fig. 5 (a) shows one of the crystallization programs. Fig. 4 shows patterns constituting steps, and shows crystallization records and set values of a multi-phase sensor. FIG. 5B shows the recording of the liquid level and the set values. FIG. 5C shows an operation diagram of the solvent valve. Symbol Description a 1 ~a in FIG 5 (a) 6: dual-phase sensor of the recording Description Symbol W: diploid sensor value delta W 1X1: calculation result of the multi-phase sensor settings increase value W 1-1: one first time step times th multi-phase sensor setting value (a 2 points were consistent with the measured values and W 1-1) 1-1: Configuration of the first-time pattern of the first time step W 1-2: second time dual-phase sensor first time step setting (a 6 point were consistent with the measured values and W 1-2) 1-2: first time set ΔW a second time pattern of step LL01: diploid sensor set lower in the liquid level rises deviation constant ([Delta] L 01) Deviation reference value (a 3 ) LL : Lower limit of liquid level reference 01 : Reference of first step ΔW LL1X : Measurement value of lower limit deviation of multi-phase sensor (a 4 ) 1X which has reached a constant liquid level rise deviation (ΔL 01 ) Measurement of the first step Symbol explanation of FIG. 5B L1-1 : First liquid level setting value of first step ( a 2 ) L 1-2 : Second liquid level set value of first step (a 5 ) ΔL 01 : Liquid level rise reference value of first step (a 3 , a
4 ) ΔL 1 : Set value of liquid level rise at the first step Symbol explanation of Fig. 5 (c) V 1 : Solution valve opening

【0021】図5の作動説明 a1 にある複相センサー値Wは加熱蒸発されて上昇し、
設定値W1-1 に達する(a2 )。そのa2 点で溶液弁が
1 開き、W値は下降する(a3 )。液位上昇偏差設定
値ΔL01に達したa4 点の複相センサー値ΔWLL1Xを記
憶し、さらに下降した時、液位下限偏差設定値a5 点に
達すると溶媒弁は閉となり、複相センサー値はa1 点と
同じ状態となり、次の設定値W1-2 に達したa6 点で溶
液弁が再び開となる。記憶したWLL1Xは予め定めた基準
値ΔWLL01との比を取り、下記1式の演算を行い、次の
設定値は下記3式のW1-2 となる。 ΔW1X1 =A+〔(ΔWLL01÷ΔWLL1X)×B−C〕÷D (1) A’=〔(ΔWLL01÷ΔWLL1X)×B−C〕÷D (2) W1-2 =W1-1 +ΔW1X1 (3) L1-2 =L1-1 +ΔL1 (4) 但し、A.B.C.Dは品種の異なる結晶や結晶の種類
(大きさや純度等)等に関わる定数 1式は、設定上昇偏差値。2式は、種々の外乱による補
正値、正負の値がある。3式は、複相センサーの2回目
の設定値。4式は、液位の2回目の設定値。この制御ル
ープはa2 、a3 、a4 、a5 、a6 で構成し、これを
一つのパターン(特殊クローズループ)とし、この繰り
返し数を定めた制御を一つのステップとする。
Operational Description of FIG. 5 The multi-phase sensor value W in a 1 is increased by heating and evaporating,
It reaches the set value W 1-1 (a 2). As a solution valve V 1 open at two points, W value is lowered (a 3). The multi-phase sensor value ΔW LL1X at the point a 4 when the liquid level rise deviation set value ΔL 01 has been reached is stored. When the liquid level falls further, the solvent valve is closed when the liquid level lower deviation set value a 5 has been reached. sensor value becomes the same state as 1 point a, solution valve is opened again in a 6-point has been reached following settings W 1-2. The stored W LL1X takes a ratio with a predetermined reference value ΔW LL01 , performs an operation of the following equation, and the next set value is W 1-2 of the following equation 3. ΔW 1X1 = A + [(ΔW LL01 ÷ ΔW LL1X ) × B−C] (D (1) A ′ = [(ΔW LL01 BΔW LL1X ) × B−C] ÷ D (2) W 1-2 = W 1 -1 + ΔW 1X1 (3) L 1-2 = L 1-1 + ΔL 1 (4) B. C. D is a constant relating to crystals of different varieties and types of crystals (size, purity, etc.). The two equations include correction values due to various disturbances and positive and negative values. Equation 3 is the second set value of the multi-phase sensor. Equation 4 is the second set value of the liquid level. This control loop is composed of a 2 , a 3 , a 4 , a 5 , and a 6, which is defined as one pattern (special closed loop), and the control defining the number of repetitions is defined as one step.

【0022】4.溶液育晶方法(複相センサー下限偏差
値を定める) 図6:液位上昇偏差基準、同一条件の育晶複相センサー
値比較 図6(a)は、育晶プログラムの中の一つのステップを
構成するパターンを示し、複相センサーの育晶記録と設
定値を示す。図6(b)は、液位の記録と設定値を示
す。図6(c)は、溶液弁作動図を示す。 図6(a)の記号説明 a1 〜a6 :複相センサーの記録説明記号 W :複相センサー値 Δ W1X1 :演算結果の複相センサー設定上昇値 W1-1 :一回目ステップの一回目複相センサーの設定
値(a2 はW1-1 と測定値と一致した点) W1-2 :一回目ステップの二回目複相センサーの設定
値(a6 はW1-2 と測定値と一致した点) ΔWL01 :一回目ステップの下限偏差基準設定値(a
3 とa4 L :複相センサー下限設定01 :一回目ステップ基準 ΔWL1 :一回目ステップの溶液弁閉の複相センサー下
限偏差設定値(a5 L1 :一回目ステップの下限設定 図6(b)の記号説明 L1-1 :一回目ステップの一回目液位設定値 L1-2 :一回目ステップの二回目パターン液位設定値 ΔL1 :一回目ステップの液位設定上昇値 ΔLW01 :一回目ステップの複相センサー下限偏差一定
における液位上昇偏差値基準W01 :一回目ステップの複相センサー下限基準 ΔLL1X :一回目ステップの複合センサー下限偏差一定
おける液位設定上昇測定値L1X :一回目ステップの複相センサー下限、液位上
昇測定 図6(c)の記号説明 V1 :溶液弁開度
4. Solution crystallization method (multiphase sensor lower limit deviation)
Fig. 6: Crystal growth multi-phase sensor under the same conditions with the liquid level rise deviation standard
Figure 6 (a) shows one step in the crystallization program.
Shows the constituent patterns, and records and sets up
Indicates a fixed value. FIG. 6B shows the recording of the liquid level and the set values.
You. FIG. 6C shows an operation diagram of the solution valve. Explanation of symbols in FIG.1~ A6: Symbol for recording of multi-phase sensor W: Multi-phase sensor value Δ W1X1: Multi-phase sensor setting rise value W of calculation result1-1: Setting of the first multi-phase sensor for the first step
Value (aTwoIs W1-1And the point that agrees with the measured value) W1-2: Setting of the second multi-phase sensor in the first step
Value (a6Is W1-2ΔW)L01: Lower limit deviation reference set value of the first step (a
ThreeAnd aFour)L : Multi-phase sensor lower limit setting01 : First step reference ΔWL1: Under the multi-phase sensor with the solution valve closed in the first step
Limit deviation set value (aFive) L1 : Lower limit setting of the first step Symbols in FIG. 6B L1-1: First liquid level setting value of the first step L1-2: Second pattern liquid level set value of first step ΔL1: Liquid level setting rise value ΔL of the first stepW01: Constant of the lower limit deviation of the multi-phase sensor in the first step
Liquid level rise deviation standardW01 : Lower limit of the multi-phase sensor for the first step ΔLL1X: Constant of the lower limit deviation of the composite sensor in the first step
Liquid level rise measurementL1X : Lower limit of multi-phase sensor in first step, above liquid level
Ascending measurement Explanation of symbols in Fig. 6 (c) V1: Solution valve opening

【0023】図6の作動説明 a1 にある複相センサー値Wは加熱蒸発されて上昇し、
設定値W1-1 に達する(a2 )。そのa2 点で溶液弁が
1 開き、W値は下降する(a3 )。複相センサー下限
偏差設定値ΔWL01 をに達したa4 点の液位上昇ΔL
L1X 値を記憶し、さらに下降して、複相センサー下限偏
差設定値ΔWL15 点に達すると溶液弁は閉となり、複
相センサー値はa1 点と同じ状態となり、次の設定値W
1-2 に達したa6 点で溶液弁が再び開となる。記憶した
ΔLL1X は予め定めた基準値ΔLW01 との比を取り、下
記1式の演算を行い、次の設定値は下記3式のW1-2
なる。 ΔW1X1 =A+〔(ΔLL1X ÷ΔLW01 )×B−C〕÷D (1) A’=〔(ΔLL1X ÷ΔLW01 )×B−C〕÷D (2) W1-2 =W1-1 +ΔW1X1 (3) 但し、A.B.C.Dは品種の異なる結晶や結晶の種類
(大きさや純度等)等に関わる定数 1式は、設定上昇偏差値。2式は、種々の外乱による補
正値、正負の値がある。3式は、複相センサーの2回目
の設定値。この制御ループはa2 、a3 、a4 、a5
6 で構成し、これを一つのパターン(特殊クローズル
ープ)とし、この繰り返し数を定めた制御を一つのステ
ップとする。
Operational Description of FIG. 6 The multi-phase sensor value W in a 1 is heated and evaporated and rises.
It reaches the set value W 1-1 (a 2). As a solution valve V 1 open at two points, W value is lowered (a 3). The liquid level rise ΔL at a point 4 when the multi-phase sensor lower limit deviation set value ΔW L01 is reached
The L1X value is memorized and further lowered, when the multi-phase sensor lower limit deviation set value ΔW L1 a reaches 5 points, the solution valve is closed, the multi-phase sensor value becomes the same state as the a 1 point, and the next set value W
The solution valve is opened again in a 6-point was reached 1-2. The stored ΔL L1X takes a ratio with a predetermined reference value ΔL W01 , performs the operation of the following equation, and the next set value is W 1-2 of the following equation. ΔW 1X1 = A + [(ΔL L1X ÷ ΔL W01 ) × B−C] 1D (1) A ′ = [(ΔL L1X ÷ ΔL W01 ) × B−C] ÷ D (2) W 1-2 = W 1 -1 + ΔW 1X1 (3) However, A. B. C. D is a constant relating to crystals of different varieties and types of crystals (size, purity, etc.). The two equations include correction values due to various disturbances and positive and negative values. Equation 3 is the second set value of the multi-phase sensor. This control loop comprises a 2 , a 3 , a 4 , a 5 ,
composed of a 6, which was one of the patterns (special closed loop), the control that defines the number of repeats and one step.

【0024】初期値設定の操作方法について説明する。
育晶プログラム中に、複相センサーの初期値設定を手動
又は自動に切替える。手動で行う初期値設定は数値を設
定する方法、或いは最低3つの設定値を予め設けてその
一つを選択する方法がある。自動で行う初期値設定は、 図1〜図4の(2)式A’=〔(ΔWLt01÷ΔWL1X
×B−C〕÷Dの正負 の情報及び一つ前の操作と比較した増減情報から自動選
択する方法、複数個ある中の起晶操作直後の初期値は同
一の旧育晶の初期値に続く繰り返し溶媒(または溶液)
育晶で得た演算結果の正負の情報及び一つ前の操作と比
較した増減情報から初期値を自動選択する方法がある。
An operation method for setting the initial value will be described.
The initial value setting of the multi-phase sensor is switched to manual or automatic during the crystallization program. The manual initial value setting includes a method of setting a numerical value or a method of providing at least three setting values in advance and selecting one of them. The initial value setting to be automatically performed is as follows: Equation A ′ = ((ΔW Lt01 ÷ ΔW L1X ) in FIGS .
× BC] ÷ A method of automatically selecting from the positive / negative information of D and the increase / decrease information compared with the immediately preceding operation, the initial value immediately after the crystallization operation among a plurality of initial values is the same as the initial value of the same old growing crystal Subsequent repeated solvent (or solution)
There is a method of automatically selecting an initial value from the positive / negative information of the calculation result obtained in the growth and the increase / decrease information compared with the immediately preceding operation.

【0025】特殊クローズループ制御を1つのパターン
とし、これを複数個繰り返すものをステップとして育晶
プログラムを構成する方法について以下に説明する。回
分育晶操作は、結晶缶内を真空にし、溶液を吸い込み、
加熱蒸発し、起晶濃度で種晶を供給し、溶媒(圧力)又
は溶液を供給する操作で種晶を所定のサイズの結晶とし
て育晶完了する。図7には初期値設定を2つ持つステッ
プ・パターンの構成を示した。育晶プログラムはステッ
プから構成されたもので、溶媒育晶、溶液育晶などがあ
る。ステップはパターンから構成される。これらの一連
の設定値の中で初期値設定があり、初期値設定値は1つ
のパターンの中の演算結果の正負や大小が記憶されてお
り、これらの結果から決まる(パターンはの設定値か
らの設定値を決定するまで)。
A method of constructing a crystal growth program using the special closed loop control as one pattern and repeating a plurality of the patterns as steps will be described below. In the batch crystallization operation, the inside of the crystal can is evacuated, the solution is sucked,
By heating and evaporating, supplying a seed crystal at a crystallization concentration, and supplying a solvent (pressure) or a solution, the seed crystal is grown into a crystal of a predetermined size, thereby completing the crystal growth. FIG. 7 shows the configuration of a step pattern having two initial value settings. The crystallization program consists of steps, such as solvent crystallization and solution crystallization. Steps are composed of patterns. There is an initial value setting in these series of setting values, and the initial value setting value stores the positive / negative and magnitude of the operation result in one pattern and is determined from these results (the pattern is determined by Until you decide on the setting).

【表1】 各パターンでは特殊クローズループによって、変化要素
による胞芽量の変化を検出して次回設定値を変更する制
御を行い、各ステップではA’の正負や1つ前、比較大
小によって初期値設定値を決定する。
[Table 1] In each pattern, a special closed loop is used to detect the change in the amount of spores due to the changing element and control to change the next set value. In each step, the initial value set value is determined by the positive or negative of A ', one before, and the comparison magnitude. decide.

【0026】その他の例及び育晶プログラムの構築につ
いて説明する。品種の異なる結晶、さらに結晶の大きさ
や純度が異なる結晶の種類を対象とする晶析装置、ま
た、いろいろの構造の晶析装置の育晶において、複相セ
ンサーを用い、胞芽の変化量を下記の方法で顕在化して
次回設定値を決定する特殊クローズループ制御により育
晶することができる。 複相センサーを用いて溶媒(または溶液)育晶を行う場
合、一回前の育晶操作(パターン)などを基準とする方
法 1)1回前の育晶(パターン)で得られた複相センサー
下限偏差測定値ΔWL1 X 或いは溶解弁開経過時間t1X
液位上昇偏差測定値ΔLL1X (溶液弁開経過時間)を基
準とし、当回の同じ測定値と比較演算して次回設定値を
決定する。 2)同一の別の育晶(パターン)で得られた複相センサ
ー下限偏差測定値ΔW L1X 或いは溶媒弁開経過時間t1X
や液位上昇偏差測定値ΔLL1X (溶液弁開経過時間)を
基準とし、当回の同じ測定値と比較演算して次回設定値
を決定する。 3)溶液育晶において、複相センサー下限偏差設定値Δ
L1で溶液が停止された場合 液位設定値ΔL1 に到達しないとき、ΔL1 まで間欠育
晶方式或いは連続育晶方式で溶液供給する場合の複相セ
ンサー上昇偏差設定値WU1(液位偏差上昇測定値ΔL
U1X とする)と複相センサー上昇偏差設定値WU01 を下
記に記す。 間欠方式の場合 WU1=A’(ΔLU1X /ΔL1 )+〔(ΔL1X/Δ
01)×B’−C’〕/D ΔL1 に達するまで繰り返す方法。この方法でパターン
の次回複相センサーの設定値は決まるが、初めの1回で
次回設定値ΔW1X1 を決定する場合2つの演算式を持
つ。 ΔW1X1 =A+〔(ΔL1X/ΔL01)×B−C〕/D 連続育晶の場合 ΔWL1に到達した後、ステップ中の複相センサー上昇偏
差設定値ΔWU01 をまず上昇させ、測定値がΔWU01
到着したとき、溶液弁開度一定VU1でΔL1 に達するま
で供給する。複相センサー設定値は図6の方法で設定す
る。 W1-2 =W1-1 +W1X11X1 =A+〔(ΔLL1X /ΔLW01 )×B−C〕/D
Other examples and construction of a crystal growth program
Will be described. Crystals of different varieties, and crystal size
Crystallizers for crystals of different purity and purity, or
In addition, in the crystallization of crystallizers of various structures,
And the amount of change in spores is revealed by the following method.
Next time, special closed loop control to determine the set value
Can be crystallized. When performing solvent (or solution) crystallization using a multi-phase sensor
If the reference is based on the previous crystallization operation (pattern)
Method 1) Double phase sensor obtained by previous crystallization (pattern)
Lower limit deviation measurement value ΔWL1 XOr melting valve open elapsed time t1XAnd
Liquid level rise deviation measurement value ΔLL1X(Elapsed solution valve opening time)
The next set value is calculated by comparing with the same measured value
decide. 2) A multi-phase sensor obtained with the same different crystal growth (pattern)
-Lower limit deviation measurement value ΔW L1XAlternatively, the solvent valve opening elapsed time t1X
And liquid level rise deviation measurement value ΔLL1X(Solution valve opening time)
Set the next set value by comparing and calculating with the same measured value of this time as a reference
To determine. 3) In the solution crystallization, the lower limit deviation set value Δ of the multi-phase sensor
WL1When the solution is stopped by the liquid level setting value ΔL1ΔL1Until intermittent
When the solution is supplied by the crystallization method or the continuous crystallization method,
Sensor rise deviation set value WU1(Liquid level deviation measurement value ΔL
U1XAnd the multi-phase sensor rise deviation set value WU01Below
It will be noted in the note. In the case of intermittent method WU1= A '([Delta] LU1X/ ΔL1) + [(ΔL1X/ Δ
L01) × B′−C ′] / D ΔL1How to repeat until reaching. Pattern in this way
Although the set value of the next multi-phase sensor is determined,
Next set value ΔW1X1Have two arithmetic expressions when determining
One. ΔW1X1= A + [(ΔL1X/ ΔL01) × BC] / D In the case of continuous growth ΔWL1Is reached, the multi-phase sensor
Difference set value ΔWU01Is first raised and the measured value is ΔWU01To
When arrived, constant solution valve opening VU1At ΔL1Until it reaches
Supply by Set the multi-phase sensor setting value according to the method shown in FIG.
You. W1-2= W1-1+ W1X1 W1X1= A + [(ΔLL1X/ ΔLW01) × BC] / D

【0027】[0027]

【発明の効果】以上説明したように本発明の結晶成長制
御方法によると、以下の格別の効果を奏することができ
る。
As described above, according to the crystal growth control method of the present invention, the following special effects can be obtained.

【0028】(1)結晶成長の速い育晶を可能とする。
従来の間欠育晶方式では、溶媒や溶液を供給する点で、
胞芽量がばらつくという問題があって、育晶時間が長い
ものとなっていた。すなわち、胞芽量のばらつきは結晶
缶内の懸濁溶液の複雑な挙動によって生じ、また、結晶
缶に関する装置や原料など多くの外乱によって生じてい
る。これに対し、本発明では、特殊クローズループ制御
によって、結晶成長速度が阻害された状態を1つのパタ
ーンで修正する方法を採用した。また、原料や清浄工程
や起晶時の種晶の発生数のばらつきなどで生じる大きな
外乱に対しては育晶プログラムを初期値で修正する方法
を採用した。
(1) Crystal growth can be performed at a high rate of crystal growth.
In the conventional intermittent crystallization system, in terms of supplying a solvent and a solution,
There was a problem that the amount of spores varied, and the crystallization time was long. That is, the variation in the amount of spores is caused by the complicated behavior of the suspension solution in the crystal can, and also caused by many disturbances such as equipment and raw materials related to the crystal can. On the other hand, in the present invention, a method of correcting a state in which the crystal growth rate is inhibited by a special pattern by a special closed loop control is adopted. In addition, a method of correcting the crystal growth program with initial values is used for a large disturbance caused by a variation in the number of seed crystals generated during a raw material, a cleaning step, or crystallization.

【0029】(2)結晶品質の向上が実現される。溶液
の純度は結晶成長速度や結晶純度に大きく影響すること
がよく知られている。即ち、同じ溶液を使用して結晶成
長速度の速い育晶は結晶の純度を高くし、色価(カラー
バリュー)を小さくする品質向上が得られることであ
る。したがって、新たな結晶核を発生させないで結晶成
長速度が速い育晶をする本発明による育晶は、結晶の純
度や粒度分布(かさ比重)を良くし、固液分離を容易に
し、工場の環境を良くする。
(2) Improvement in crystal quality is realized. It is well known that the purity of a solution greatly affects the crystal growth rate and crystal purity. That is, using the same solution, a crystal growing at a high crystal growth rate can improve the quality by increasing the purity of the crystal and decreasing the color value (color value). Therefore, the crystal growth according to the present invention, which grows crystals at a high crystal growth rate without generating new crystal nuclei, improves the crystal purity and particle size distribution (bulk specific gravity), facilitates solid-liquid separation, and improves the environment of the factory. To improve.

【0030】(3)生産性の向上が実現される。結晶速
度の速い育晶は結晶工程の生産能力を向上させる(ワン
バッチの生産性は供給溶液の純度と育晶後の振り蜜純度
の差で評価できる)。本発明では2〜3割向上すること
が維持できる。また、所望の結晶に純度の下限がある場
合に、低純度の溶液を使用できることで回収育晶に使用
する溶液が減少し、一定の結晶を作るバッチ数が減少す
ることにより生産性が向上する。
(3) Improvement in productivity is realized. Crystal growth at a high crystallization rate improves the productivity of the crystallization process (one batch productivity can be evaluated by the difference between the purity of the feed solution and the purity of the honey after the crystal growth). In the present invention, an improvement of 20 to 30% can be maintained. In addition, when the desired crystal has a lower limit of purity, the use of a low-purity solution reduces the amount of the solution used for the recovery and growth, and the productivity is improved by reducing the number of batches for forming a certain crystal. .

【0031】(4)種々の複相センサーを使用可能とす
ることで育晶対象を限定しない。物質の異なる結晶や結
晶の種類などは結晶成長速度が異なり、また、粘性のレ
ベルもいろいろある。これらに対応する溶媒や圧力及び
溶液の育晶操作を可能とする。
(4) The target to be crystallized is not limited by making various multiphase sensors usable. Crystals of different materials and crystal types have different crystal growth rates, and also have various levels of viscosity. The crystallization operation of the solvent, pressure and solution corresponding to these can be performed.

【0032】(5)プログラム制御を容易に行うことが
できる。プログラム制御を自動で決定する方法を採用し
たので、結晶成長速度が速い育晶を実現することがで
き、さらに初めての結晶の育晶操作を容易に行うことが
できる。また、工場が異なる同じ結晶の立ち上げを容易
に行うことができる。胞芽量の検出がソフト処理によっ
て行われることから種々の方法があり、これらの正負や
大小などを処理・記憶することによってタッチ操作でよ
りよい育晶プログラムを構築することができる。
(5) Program control can be easily performed. Since the method of automatically determining the program control is adopted, it is possible to realize the crystal growth with a high crystal growth rate, and to easily perform the crystal growth operation for the first time. Further, it is possible to easily start up the same crystal in different factories. Since the detection of the amount of spores is performed by software processing, there are various methods. By processing and storing the sign, the magnitude, and the size of the spores, a better crystal growth program can be constructed by a touch operation.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】結晶缶の一例を模式的に示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view schematically showing an example of a crystal can.

【図2】従来の間欠育晶方式における育晶を示すグラフ
であり、(a)は溶媒育晶、(b)は溶液育晶での固さ
値の変化を示す。
FIGS. 2A and 2B are graphs showing crystallization in a conventional intermittent crystallization system, wherein FIG. 2A shows a change in hardness value in solvent crystallization and FIG.

【図3】溶媒弁開時間一定における、複相センサー下限
偏差値基準、同一条件で育晶した複相センサー下限偏差
測定値との比較を示すグラフであり、(a)は育晶プロ
グラムの中の一つのステップを構成するパターンを示
し、複相センサーの育晶記録と設定値を、(b)は溶媒
弁作動図を示す。
FIG. 3 is a graph showing a comparison between a reference value of a lower limit deviation value of a multi-phase sensor and a measured value of a lower limit deviation value of a multi-phase sensor grown under the same conditions when the solvent valve opening time is constant. 3 shows a pattern constituting one step of the present invention, showing the crystallization record and set values of the multi-phase sensor, and FIG.

【図4】複相センサー下限偏差値を定め、その経過時間
基準、同一条件の経過時間比較を示すグラフであり、
(a)は育晶プログラムの中の一つのステップを構成す
るパターンを示し、複相センサーの育晶記録と設定値を
示すものであり、(b)は溶媒弁作動図を示す。
FIG. 4 is a graph showing a lower limit deviation value of a multi-phase sensor, an elapsed time reference thereof, and an elapsed time comparison under the same condition;
(A) shows a pattern constituting one step in the crystallization program, showing crystallization records and set values of the multiphase sensor, and (b) shows a solvent valve operation diagram.

【図5】液位上昇偏差一定における、複相センサー下限
偏差値基準、同一条件の育晶複相センサー下限偏差測定
値比較を示すグラフであり、(a)は育晶プログラムの
中の一つのステップを構成するパターンを示し、複相セ
ンサーの育晶記録と設定値を示し、(b)は液位の記録
と設定値を、(c)は溶媒弁作動図を示す。
FIG. 5 is a graph showing a comparison between a measured value of a lower limit deviation of a crystallization multi-phase sensor under the same conditions and a reference value of a lower limit deviation value of a multi-phase sensor when the liquid level rise deviation is constant. 4A and 4B show patterns constituting steps, showing a crystallization record and set values of a multi-phase sensor, FIG. 5B shows a liquid level record and set values, and FIG. 5C shows a solvent valve operation diagram.

【図6】複相センサー下限偏差値を定め、その液位上昇
偏差基準、同一条件の育晶複相センサー値比較を示すグ
ラフであり、(a)は育晶プログラムの中の一つのステ
ップを構成するパターンを示し、複相センサーの育晶記
録と設定値を示し、(b)は液位の記録と設定値を、
(c)は溶液弁作動図を示す。
FIG. 6 is a graph showing a lower limit deviation value of a multi-phase sensor, a reference value of the liquid level rise deviation, and a comparison of values of the crystallization multi-phase sensor under the same conditions, wherein (a) shows one step in the crystallization program. The pattern to be composed is shown, the crystallization record and the set value of the multi-phase sensor are shown, and (b) shows the record of the liquid level and the set value.
(C) shows a solution valve operation diagram.

【図7】初期値設定を2つ持つ育晶プログラムを示すグ
ラフである。
FIG. 7 is a graph showing a crystal growth program having two initial value settings.

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 液相と固相と胞芽相とがそれぞれの状態
で変化する量を総じて検知する複相センサーを用い、溶
媒、溶液、圧力などを一定量供給又は変化させて複相セ
ンサーが検出する値が下降する間欠育晶状態を作り、胞
芽の変化量を検知し、検知した量を、基準値より胞芽量
が少ない場合に正の値、多い場合に負の値になるように
加工演算式を作り、この値と、間欠育晶方法の設定値に
標準的に生じている胞芽量と時間経過で生じた懸濁密度
の増加分とを加算して次の設定値とする特殊クローズル
ープ制御を1つのパターンとし、これを複数個繰り返す
ものをステップとして育晶プログラムを構成し、ステッ
プ中の複数のパターンで胞芽量を評価して初期値を設定
する結晶成長制御方法。
1. A multi-phase sensor which uses a multi-phase sensor for detecting the amount of change in a liquid phase, a solid phase, and a spore phase in each state as a whole, and supplies or changes a fixed amount of a solvent, a solution, pressure, etc. There make intermittent IkuAkira state value detecting is lowered, it detects a change amount of胞芽, a negative value when the amount detected, a positive value when胞芽amount is less than the reference value, often Then, add this value, the set value of the intermittent crystallization method, the amount of spores that normally occur, and the increase in the suspension density that occurs over time , and add the value to the next set value. A crystal growth control that configures a breeding program by using a special closed loop control as one pattern, and repeating a plurality of these steps as a step, and evaluating the amount of spores in a plurality of patterns in the step to set an initial value. Method.
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