JP3298766B2 - Method of manufacturing hologram recording medium - Google Patents

Method of manufacturing hologram recording medium

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JP3298766B2 JP23431495A JP23431495A JP3298766B2 JP 3298766 B2 JP3298766 B2 JP 3298766B2 JP 23431495 A JP23431495 A JP 23431495A JP 23431495 A JP23431495 A JP 23431495A JP 3298766 B2 JP3298766 B2 JP 3298766B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、光の干渉縞と相似
な屈折率分布を形成するフォトリフラクティブ結晶を用
いた実時間ホログラフィー技術に関するものであり、同
一素子中に複数のホログラムを記録・再生する体積多重
ホログラム装置の記録媒体として用いるものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a real-time holography technique using a photorefractive crystal which forms a refractive index distribution similar to interference fringes of light, and records and reproduces a plurality of holograms in the same element. It is used as a recording medium of a volume multiplex hologram apparatus.

【0002】[0002]

【従来の技術】レーザー等の光源を用い、物体による散
乱光(物体光)と同じ光源からの非拡散光(参照光)と
を干渉させ、その干渉縞を光記録可能な写真乾板等の記
憶媒体に記録し、また、再生時には、記録された干渉縞
に参照光のみを照射し、物体による散乱光を再現する技
術をホログラフィーと呼ぶ。ここで、記憶媒体の奥行き
が記録光の波長に比べて十分長い時、同一媒体内に複数
のホログラムを記録することが可能となる。この技術を
体積多重ホログラフィーと呼ぶ。フォトリフラクティブ
材料と呼ばれる、ある種の誘電体は、光を照射すること
で屈折率を変化させるので、体積多重ホログラフィー用
の記録媒体として用いられている。
2. Description of the Related Art Using a light source such as a laser, light scattered by an object (object light) interferes with non-diffused light (reference light) from the same light source, and the interference fringes are stored in a photographic dry plate or the like capable of optical recording. At the time of recording on a medium and at the time of reproduction, a technique of irradiating the recorded interference fringes with only reference light to reproduce scattered light by an object is called holography. Here, when the depth of the storage medium is sufficiently longer than the wavelength of the recording light, a plurality of holograms can be recorded in the same medium. This technique is called volume multiplex holography. Certain dielectrics, called photorefractive materials, are used as recording media for volume multiplex holography because they change the refractive index when irradiated with light.

【0003】フォトリフラクティブ材料では、光照射に
よって材料中に電子もしくは正孔が励起され、引き続き
材料中を移動し、光の干渉縞と同じパターンの電荷分布
を形成する。電荷分布は電場分布をもたらし、電気光学
効果によって、材料中に屈折率分布を形成する。この屈
折率分布は干渉縞と同じパターンであるからホログラム
が記録されたことになる。
In a photorefractive material, electrons or holes are excited in the material by light irradiation, and subsequently move through the material to form a charge distribution in the same pattern as light interference fringes. The charge distribution results in an electric field distribution and, due to the electro-optic effect, forms a refractive index distribution in the material. Since the refractive index distribution has the same pattern as the interference fringes, a hologram has been recorded.

【0004】さて、体積多重ホログラフィーにおいて
は、光の入射方向や波長を変えることによって、干渉縞
のピッチや向きを変化させ、異なるページを記録する
が、第Nページを記録することによってそれ以前に記録
した第1ページから第(N−1)ページを部分的に消去
してしまう。そこで、第(N−1)ページより、第Nペ
ージを記録するときの露光量を少なくし、全部のページ
の回折効率が等しくなるように調整する。これをスケジ
ュール記録方式と呼ぶ。
[0004] In volume multiplex holography, the pitch and direction of interference fringes are changed by changing the incident direction and wavelength of light, and different pages are recorded. The (N-1) th page is partially erased from the recorded first page. Therefore, the amount of exposure when recording the Nth page is made smaller than that of the (N-1) th page, and adjustment is performed so that the diffraction efficiencies of all pages are equal. This is called a schedule recording method.

【0005】このとき、記録するホログラムを全部でM
ページとすると、1ページあたりの回折効率(η)は、
式(1)で表される。 η=γ/M2 ・・・・・・ (1)
At this time, the hologram to be recorded is M
Assuming a page, the diffraction efficiency (η) per page is
It is represented by equation (1). η = γ / M 2 (1)

【0006】この式で表されるように、回折効率は、M
の二乗に逆比例し、ホログラムの枚数を増やせば増やす
ほど回折効率は急速に減少していく。つまり、比例定数
γが小さいときは、ホログラムのページ間クロストーク
や1ページの画像歪みに起因するノイズに制限される記
憶容量に達する前に、光ディテクターのノイズに起因す
るノイズによって信号検出が不可能となり、データの記
憶容量が小さくなってしまうという欠点がある。
As expressed by this equation, the diffraction efficiency is M
Is inversely proportional to the square of, and the diffraction efficiency decreases rapidly as the number of holograms increases. That is, when the proportionality constant γ is small, signal detection cannot be performed due to noise due to the noise of the optical detector before the storage capacity is limited to noise due to crosstalk between pages of the hologram or image distortion of one page. This has the disadvantage that the data storage capacity is reduced.

【0007】また、リチウムニオブ酸(LiNbO3
では比例定数γが大きく、回折効率の減少が欠点となら
ない場合もあったが、ホログラム生成の光感度が小さ
く、記録時間が長くかかる等の欠点があり、実時間ホロ
グラムとしては実用的でないという欠陥がある。
Further, lithium niobate (LiNbO 3 )
In some cases, the proportional constant γ was large and the reduction in diffraction efficiency was not a drawback, but there were drawbacks such as low optical sensitivity for hologram generation and a long recording time, which made it impractical as a real-time hologram. There is.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、多重
記録に伴う回折効率の減少を軽減し、かつ、ホログラム
の生成の光記録感度を改善したホログラム記録媒体の製
造方法を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a hologram recording medium in which a decrease in diffraction efficiency due to multiplex recording is reduced and the optical recording sensitivity for producing a hologram is improved. is there.

【0009】本発明のホログラム記録媒体の製造方法
は、体積多重ホログラム記録再生装置に用いるホログラ
ム記録媒体の製造方法において、ストロンチウムバリウ
ムニオブ酸(化学式:SrxBa1-xNb26;0<x≦
0.75)結晶の成長を、
The method for producing a hologram recording medium according to the present invention is a method for producing a hologram recording medium used in a volume multiplex hologram recording / reproducing apparatus, wherein strontium barium niobate (chemical formula: Sr x Ba 1 -x Nb 2 O 6 ; 0 < x ≦
0.75) the growth of the crystal,

【0010】成長時に二酸化セリウム(化学式:CeO
2 )を全体の0.1%以下の重量比で添加し、
At the time of growth, cerium dioxide (chemical formula: CeO
2 ) is added in a weight ratio of 0.1% or less of the whole,

【0011】酸素の分圧が12分の1以上6分の1以下
のアルゴンと酸素の混合気体雰囲気中で行う工程と、
The partial pressure of oxygen is not less than 1/12 and not more than 1/6
Performing in a mixed gas atmosphere of argon and oxygen,

【0012】前記二酸化セリウムが添加された前記スト
ロンチウムバリウムニオブ酸結晶の成長後に、800℃
以上1200℃以下の酸素雰囲気中で熱処理する工程を
備えることを特徴とする。
The strike to which the cerium dioxide is added
800 ° C. after the growth of the rontium barium niobate crystal
A step of performing a heat treatment in an oxygen atmosphere of 1200 ° C. or less.
It is characterized by having.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を説明
する。本発明においては、高い光感度を達成するため
に、記録媒体として、ストロンチウムバリウムニオブ酸
(SBN)を用いる。特に、セリウムをドープしたスト
ロンチウムバリウムニオブ酸を用いる。これにより、リ
チウムニオブ酸に比べて、100倍から1000倍の光
感度を得ることができる。
Embodiments of the present invention will be described below. In the present invention, strontium barium niobate (SBN) is used as a recording medium to achieve high light sensitivity. In particular, strontium barium niobate doped with cerium is used . This ensures, in comparison with the lithium niobate, can be obtained 1000x photosensitivity to 100 times.

【0014】ストロンチウムバリウムニオブ酸の結晶
は、白金坩堝を用いチョクラルスキー法で成長するが、
その際、成長雰囲気は1気圧の酸素/アルゴン雰囲気を
用い、酸素分圧を1/6以下、1/12以上にする。酸
素分圧を1/6以下とするのは、成長温度が1500℃
を超えるため、酸素によって白金坩堝が劣化するのを防
ぐためである。また、酸素分圧を1/12以上にするの
は結晶成長を容易にするためである。
The crystal of strontium barium niobate is grown by a Czochralski method using a platinum crucible.
At that time, a growth atmosphere is an oxygen / argon atmosphere of 1 atm, and an oxygen partial pressure is set to 1/6 or less and 1/12 or more. The reason for reducing the oxygen partial pressure to 1/6 or less is that the growth temperature is 1500 ° C.
This is to prevent the platinum crucible from being deteriorated by oxygen. The reason why the oxygen partial pressure is set to 1/12 or more is to facilitate crystal growth.

【0015】セリウムをドープする場合は、酸化セリウ
ムの重量にして、ストロンチウムバリウムニオブ酸の重
量の0.1%を超えると結晶成長が難しくなるので、そ
れ以下に抑える。
In the case of doping with cerium, if the weight of cerium oxide exceeds 0.1% of the weight of strontium barium niobate, crystal growth becomes difficult.

【0016】成長したセリウムドープ・ストロンチウム
バリウムニオブ酸(Ce:SBN)を、酸素とともに石
英管に封入し、800℃〜1200℃の温度で熱処理す
る。熱処理時間は結晶の大きさと温度によって異なる
が、例えば5mm角の結晶で、800℃で熱処理した場
合には、約12時間を要する。熱処理は、通常純酸素雰
囲気中で行われるが、必ずしも純酸素雰囲気に限る必要
はなく、例えば酸素を90%程度含む雰囲気であれば良
い。
The grown cerium-doped strontium barium niobate (Ce: SBN) is sealed in a quartz tube together with oxygen, and is heat-treated at a temperature of 800 ° C. to 1200 ° C. The heat treatment time varies depending on the size and temperature of the crystal. For example, when a 5 mm square crystal is heat-treated at 800 ° C., it takes about 12 hours. The heat treatment is usually performed in a pure oxygen atmosphere, but is not necessarily limited to a pure oxygen atmosphere, and may be any atmosphere including, for example, about 90% oxygen.

【0017】熱処理をしたセリウムドープ・ストロンチ
ウムバリウムニオブ酸(Ce:SBN)を室温に冷却し
た後、ポーリング操作を施す。ポーリング操作は、結晶
をシリコンオイルに浸し、結晶のc軸方向に500V/
cm以上の電圧がかかるようにする。結晶を含むシリコ
ンオイルの温度を100℃に上昇させた後、結晶に電圧
を印加する。電圧を印加したまま温度を30分〜1時間
程度をかけて室温(25℃)まで冷却した後、電圧を零
にする。以上により、ホログラム記録媒体の製造を終了
する。
After the heat-treated cerium-doped strontium barium niobate (Ce: SBN) is cooled to room temperature, a poling operation is performed. In the poling operation, the crystal is immersed in silicon oil, and 500 V /
cm or more. After raising the temperature of the silicon oil containing the crystal to 100 ° C., a voltage is applied to the crystal. The temperature is cooled to room temperature (25 ° C.) over about 30 minutes to 1 hour while applying a voltage, and then the voltage is reduced to zero. Thus, the manufacture of the hologram recording medium is completed.

【0018】前述したように、Ce:SBNを用いるこ
とで、ホログラム形成の光感度は、LiNbO3使用時
に比較して約2,3桁向上する。結晶成長に関しては、
比較的酸素の少ない雰囲気で成長することで白金坩堝を
損なうことなく成長できる。
As described above, by using Ce: SBN, the optical sensitivity of hologram formation is improved by about two or three orders as compared with the case of using LiNbO 3 . Regarding crystal growth,
By growing in an atmosphere with relatively little oxygen, it is possible to grow without damaging the platinum crucible.

【0019】また、酸素中で熱処理することで、SBN
中のCeのイオンの比率を制御できる。Ceは、結晶中
でCe3+とCe4+の2種類の状態を取ることが可能であ
るが、このうち、光活性なCe3+とCe4+の比率が1に
近いほど、光感度が高く、かつ、式(1)の比例係数γ
が大きくなる。結晶の融点よりも十分低い温度の酸素雰
囲気中での熱処理によって、Ceイオンの移動を伴わず
に、酸素欠陥量の減少に伴い、結晶成長時に還元雰囲気
であったために過剰に存在したCe3+を減らしCe4+
変換することができる。
Further, by performing a heat treatment in oxygen, SBN
The ratio of Ce ions in the material can be controlled. Ce can take two kinds of states, Ce 3+ and Ce 4+ , in the crystal. Among them, as the ratio of photoactive Ce 3+ to Ce 4+ approaches 1, the photosensitivity increases. Is high, and the proportionality coefficient γ in equation (1) is
Becomes larger. By heat treatment in an oxygen atmosphere at a temperature sufficiently lower than the melting point of the crystal, Ce 3+ that was excessively present due to the reduction atmosphere during the crystal growth due to the decrease in the amount of oxygen defects without the movement of Ce ions. And can be converted to Ce 4+ .

【0020】以上説明したように、還元雰囲気中で成長
したCe:SBNを比較的低温の酸化雰囲気中で熱処理
することにより、結晶中のCe3+/Ce4+比を制御し、
多重記録による回折効率減少を低減することが可能とな
る。
As described above, the Ce 3+ / Ce 4+ ratio in the crystal is controlled by heat-treating Ce: SBN grown in a reducing atmosphere in an oxidizing atmosphere at a relatively low temperature.
It is possible to reduce the reduction in diffraction efficiency due to multiplex recording.

【0021】[0021]

【実施例】本実施例では、結晶成長後の熱処理の効果を
以下のようにして調べた。ストロンチウムバリウムニオ
ブ酸(Sr0.6Ba0.4Nb26)にセリウムをドープし
た結晶(Ce:SBN)をアルゴン/酸素雰囲気(ガス
フローレート:Ar=1000cc/min、O2=2
00cc/min)中でチョクラルスキー法によって成
長した。母材として、SrCO3,BaCO3,Nb25
粉末をモル比にして、0.6:0.4:1.0の割合で
混ぜ、これに、CeO2粉末を重量比で0.02%添加
して焼結したものを用いた。結晶の成長後は、大気中で
1200℃にて1日保持した。
EXAMPLE In this example, the effect of heat treatment after crystal growth was examined as follows. Strontium barium niobate (Sr 0.6 Ba 0.4 Nb 2 O 6 ) was doped with cerium-doped crystal (Ce: SBN) in an argon / oxygen atmosphere (gas flow rate: Ar = 1000 cc / min, O 2 = 2).
(00 cc / min) by the Czochralski method. SrCO 3 , BaCO 3 , Nb 2 O 5
The powder was mixed in a molar ratio of 0.6: 0.4: 1.0, and a mixture obtained by adding 0.02% by weight of CeO 2 powder and sintering the powder was used. After the crystal was grown, it was kept at 1200 ° C. in the air for one day.

【0022】引き上げた結晶は、X線回折によって軸方
位を決定し、結晶軸に沿って(a=3.847mm,a
=6.075mm,c=3.809mm)直方体を切り
出し、6面全てを光学研磨した。
The crystal orientation of the pulled crystal is determined by X-ray diffraction, and along the crystal axis (a = 3.847 mm, a
= 6.075 mm, c = 3.809 mm) A rectangular parallelepiped was cut out, and all six surfaces were optically polished.

【0023】ポーリングは、両c面に銀ペーストを塗
り、二つの銅ブロックに挟み込んで固定した後、シリコ
ンオイルに浸し、温度を100℃まで上昇させた。この
状態で銅ブロックに300Vの電圧をかけ、室温に達す
るまで1時間をかけて徐々に冷却し、最後に電圧を零に
した。
In the poling, a silver paste was applied to both c-planes, sandwiched and fixed between two copper blocks, immersed in silicon oil, and the temperature was raised to 100 ° C. In this state, a voltage of 300 V was applied to the copper block, and the copper block was gradually cooled over 1 hour until it reached room temperature, and finally the voltage was reduced to zero.

【0024】以上により、作製したCe:SBN結晶に
ついて各種特性の測定を行った。次に、このCe:SB
N結晶を純酸素中で800℃にて12時間保持する熱処
理を行った後、同様のポーリングを行って同じく特性の
測定を行った。
As described above, various characteristics of the manufactured Ce: SBN crystal were measured. Next, this Ce: SB
After performing a heat treatment of holding the N crystal in pure oxygen at 800 ° C. for 12 hours, the same poling was performed and the characteristics were measured in the same manner.

【0025】多重書き込み時の回折効率の低下抑制に重
要な役割を果たしフォトリフラクティブ結晶のパラメー
タの一つである有効キャリア数について測定した結果の
一例を図1に示す。図1は、熱処理前と熱処理後の有効
キャリア数の変化を示すものである。白丸は熱処理前、
黒丸は熱処理後のデータである。横軸はグレーティング
ベクトルの波数の二乗、縦軸は二光波混合の結合の強さ
とグレーティングベクトルの関数である。有効キャリア
数は、式(2)に従って求められる。
FIG. 1 shows an example of the result of measurement of the number of effective carriers, which plays an important role in suppressing the reduction in diffraction efficiency during multiple writing and is one of the parameters of a photorefractive crystal. FIG. 1 shows the change in the number of effective carriers before and after the heat treatment. White circles before heat treatment,
The filled circles are the data after heat treatment. The horizontal axis is the square of the wave number of the grating vector, and the vertical axis is the function of the coupling strength of the two-wave mixing and the grating vector. The number of effective carriers is obtained according to equation (2).

【0026】 ここで、εは結晶の誘電率、Kはグレーティングベクト
ルの波数、eは電子の電荷,Neffは有効キャリア数、
Bはボルツマン定数、Tは温度、λは真空中の光の波
長、nは屈折率を表す。
[0026] Here, ε is the dielectric constant of the crystal, K is the wave number of the grating vector, e is the electron charge, N eff is the number of effective carriers,
k B is the Boltzmann constant, T is the temperature, λ is the wavelength of light in vacuum, and n is the refractive index.

【0027】なお、Aは以下に示す測定法で、ディテク
ターの信号(S)が、 S = ζ(1+AcosF(ω,t)) ・・・ (3) の様に振動するときの振動振幅である。
A is a measuring method described below, and is a vibration amplitude when the detector signal (S) vibrates as S = ζ (1 + AcosF (ω, t)) (3) .

【0028】測定法を説明する。アルゴンイオンレーザ
の波長514.5nmの光を用い、光を等しい強度に2
分割した後、結晶のa面に入射させた。ここで、グレー
ティングベクトルの方向は結晶のc軸方向を向き、光の
電場の振動方向は結晶のa軸方向を向いている。二つに
分けた光の片方を結晶に入射する前に平行移動するピエ
ゾミラーで周波数ωで振動させ、グレーティングの位相
を振る。ここで、位相の振動振幅はグレーティングピッ
チより大きい。ディテクターを、ピエゾミラーを経由し
ていない光の結晶の後方におき、その時間変化を調べ
る。振動の挙動については説明を省略するが、ここで必
要なのは、式(3)の振動振幅のみである。
The measuring method will be described. Using light having a wavelength of 514.5 nm of an argon ion laser, the light was set to an equal intensity of 2
After the division, the light was incident on the a-plane of the crystal. Here, the direction of the grating vector points in the c-axis direction of the crystal, and the direction of oscillation of the electric field of light points in the a-axis direction of the crystal. Before the light split into two is incident on the crystal, it is vibrated at a frequency ω by a piezo mirror that moves in parallel, and the phase of the grating is changed. Here, the vibration amplitude of the phase is larger than the grating pitch. The detector is placed behind a crystal of light that does not pass through the piezo mirror, and its time change is examined. The description of the behavior of the vibration is omitted, but what is needed here is only the vibration amplitude of Expression (3).

【0029】図1で直線の延長線が横軸と交わる点を求
め、その切片からNeffを求めた。なお、比誘電率は8
00である。得られた有効キャリア数Neffは、熱処理
前で2.4×1016cm-3、熱処理後で5.2×1016
cm-3となり、熱処理によって有効キャリア数が倍以上
に増加することが分かった。
In FIG. 1, the point where the extension of the straight line intersects the horizontal axis was determined, and N eff was determined from the intercept. The relative dielectric constant is 8
00. The obtained number N eff of effective carriers is 2.4 × 10 16 cm −3 before the heat treatment, and 5.2 × 10 16 after the heat treatment.
cm -3 , and it was found that the number of effective carriers increased more than twice by the heat treatment.

【0030】また、1ページのホログラムを記録するの
に必要なキャリアの量をΔNとすると、第Mページを記
録することで、第1ページから第(M−1)ページまで
が消される量(Δη)は、 −Δη = c(ΔN/Neff) ・・・・・・ (4) (cは比例定数) で表され、ΔNとNeffとの比に比例する。即ち、
(1)式のγは熱処理によって約2倍に改善されたこと
が分かる。
Further, assuming that the amount of carriers required to record one page of hologram is ΔN, by recording the M-th page, the amount (erasing) from the first page to the (M−1) th page ( Δη) is expressed by −Δη = c (ΔN / N eff ) (4) (c is a proportional constant), and is proportional to the ratio between ΔN and N eff . That is,
It can be seen that γ in equation (1) was improved about twice by the heat treatment.

【0031】[0031]

【発明の効果】以上述べたように、ストロンチウムバリ
ウムニオブ酸を用い、さらにはセリウムをドープしたス
トロンチウムバリウムニオブ酸を用いることで、ホログ
ラム形成の光感度をリチウムニオブ酸を用いた場合に比
べ大幅に改善し、かつ、酸素雰囲気中で熱処理すること
で有効キャリア数を増やすことができ、ひいては多重記
録に伴う回折効率の低減という欠点を抑制することが可
能となる。
As described above, by using strontium barium niobate and further using strontium barium niobate doped with cerium, the photosensitivity of hologram formation can be greatly improved as compared with the case where lithium niobate is used. The improvement and the heat treatment in an oxygen atmosphere can increase the number of effective carriers, thereby suppressing the drawback of reducing the diffraction efficiency due to multiplex recording.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】熱処理前と熱処理後の有効キャリア数の変化を
示すグラフである。
FIG. 1 is a graph showing a change in the number of effective carriers before and after heat treatment.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平6−56594(JP,A) 八木生剛,ホログラフィ記録用SBN 結晶の最適化とデジタル記録,映像情報 メディア学会技術報告,日本,(社)映 像情報メディア学会,Vol.22 N o.14,p.45−p.52 八木生剛他,強誘電体を用いたホログ ラムメモリ,希土類,日本,1998年11月 3日,No.33,p.59−p.70 Physica Status So lidi(a),vol.147,p.585 −p.589 Applied Optics,vo l.33 No.16,p.3348−p.3351 (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G03H 1/04 - 1/34 G02B 5/32 G02F 1/03 G02F 1/35 JICSTファイル(JOIS) Web of Science(丸善)──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-6-56594 (JP, A) Tsuyoshi Yagi, Optimization and digital recording of SBN crystal for holographic recording, Technical Report of the Institute of Image Information and Television Engineers, Japan, ( ) The Institute of Image Information and Television Engineers, Vol. 22 No. 14, p. 45-p. 52 Takeshi Yagi et al., Holographic memory using ferroelectrics, rare earth, Japan, November 3, 1998, 33, p. 59-p. 70 Physica Status Solidi (a), vol. 147, p. 585-p. 589 Applied Optics, vol. 33 No. 16, p. 3348-p. 3351 (58) Field surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) G03H 1/04-1/34 G02B 5/32 G02F 1/03 G02F 1/35 JICST file (JOIS) Web of Science (Maruzen)

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 体積多重ホログラム記録再生装置に用い
るホログラム記録媒体の製造方法において、ストロンチ
ウムバリウムニオブ酸(化学式:SrxBa1-xNb
26;0<x≦0.75)結晶の成長を、成長時に二酸
化セリウム(化学式:CeO2)を全体の0.1%以下
の重量比で添加し、酸素の分圧が12分の1以上6分の
1以下のアルゴンと酸素の混合気体雰囲気中で行う工程
と、 前記二酸化セリウムが添加された前記ストロンチウムバ
リウムニオブ酸結晶の成長後に、800℃以上1200
℃以下の酸素雰囲気中で熱処理する工程を備えることを
特徴とするホログラム記録媒体の製造方法。
1. A method of manufacturing a hologram recording medium for use in a volume multiplex hologram recording / reproducing apparatus, comprising the steps of: strontium barium niobate (chemical formula: Sr x Ba 1-x Nb)
2 O 6 ; 0 <x ≦ 0.75) The crystal was grown by adding cerium dioxide (chemical formula: CeO 2 ) at a weight ratio of 0.1% or less of the whole during the growth, and the partial pressure of oxygen was reduced to 12 minutes. Performing at least one-sixth and less than 1/6 in a mixed gas atmosphere of argon and oxygen; and after growing the strontium barium niobate crystal to which the cerium dioxide is added, at 800 ° C. or more and 1200 ° C.
A method for producing a hologram recording medium, comprising a step of performing a heat treatment in an oxygen atmosphere at a temperature of not more than ° C.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Applied Optics,vol.33 No.16,p.3348−p.3351
Physica Status Solidi(a),vol.147,p.585−p.589
八木生剛,ホログラフィ記録用SBN結晶の最適化とデジタル記録,映像情報メディア学会技術報告,日本,(社)映像情報メディア学会,Vol.22 No.14,p.45−p.52
八木生剛他,強誘電体を用いたホログラムメモリ,希土類,日本,1998年11月 3日,No.33,p.59−p.70

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