JP3298283B2 - Method for firing aluminum nitride substrate - Google Patents

Method for firing aluminum nitride substrate

Info

Publication number
JP3298283B2
JP3298283B2 JP00065694A JP65694A JP3298283B2 JP 3298283 B2 JP3298283 B2 JP 3298283B2 JP 00065694 A JP00065694 A JP 00065694A JP 65694 A JP65694 A JP 65694A JP 3298283 B2 JP3298283 B2 JP 3298283B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
aln
firing
aluminum nitride
sintering
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP00065694A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH07206523A (en
Inventor
孝司 表
峰春 塚田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP00065694A priority Critical patent/JP3298283B2/en
Publication of JPH07206523A publication Critical patent/JPH07206523A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3298283B2 publication Critical patent/JP3298283B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Ceramic Products (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は反りなどの変形を無くし
た窒化アルミニウム(以下AlN)基板の焼成方法に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for firing an aluminum nitride (AlN) substrate without deformation such as warpage.

【0002】大量の情報を迅速に処理するため、情報処
理装置の主体を構成する半導体装置は単位素子の小形化
による大容量化が行なわれてLSIやVLSIのような
集積回路が実用化されている。
In order to rapidly process a large amount of information, a semiconductor device constituting a main body of an information processing apparatus has been increased in capacity by downsizing unit elements, and integrated circuits such as LSI and VLSI have been put into practical use. I have.

【0003】なお、これらの集積回路はかなりの電力消
費を伴うことから、集積回路を搭載する基板は耐熱性が
優れていることが必要であり、当初、アルミナ( Al2
3 )基板が使用されてきた。
[0003] Incidentally, since these integrated circuits with significant power consumption, the substrate for mounting the integrated circuit is required to be excellent in heat resistance, initially, alumina (Al 2 O
3 ) Substrates have been used.

【0004】こゝで、集積回路を搭載する基板の必要条
件として熱伝導度が大きいこと、熱膨張係数が半導
体基板(Si)に近いこと、誘電率が小さいこと、など
を挙げることができるが、この点でAlNが着目されてAl
N基板が実用化されている。
Here, the necessary conditions for the substrate on which the integrated circuit is mounted are that the thermal conductivity is large, the coefficient of thermal expansion is close to that of the semiconductor substrate (Si), and the dielectric constant is small. In this regard, AlN is focused on and Al
N substrates have been put to practical use.

【0005】すなわち、の熱伝導度は Al23 が20W
/mKであるのに対してAlNは320 W/mKと大きく、の
熱膨張係数は Al23 が7.2 ×10-6/℃であるのに対
し、AlNは4.2 ×10-6/℃であって、Siの3.6 ×10-6
℃に近い。また、誘電率は Al23 が10であるのに対
し、AlNは8.9 と少ない。これらのことから、AlN基板
は集積回路搭載用基板として需要が拡大している。
That is, the thermal conductivity of Al 2 O 3 is 20 W
/ mK, AlN is as large as 320 W / mK, and the thermal expansion coefficient of Al 2 O 3 is 7.2 × 10 −6 / ° C., whereas AlN is 4.2 × 10 −6 / ° C. There is 3.6 × 10 -6 of Si /
Close to ° C. The dielectric constant of Al 2 O 3 is 10, whereas that of AlN is as low as 8.9. For these reasons, the demand for the AlN substrate is increasing as a substrate for mounting an integrated circuit.

【0006】[0006]

【従来の技術】先に記したようにAlNは優れた特性を有
しているものゝ、 Al23 の融点が2015℃であるのに対
し、AlNの融点は2200℃と高く、そのため、基板の焼成
が難しい。融点が2000℃を越す材料の焼成にはカーボン
炉を使用し、不活性ガス雰囲気中で焼成が行なわれてお
り、AlN基板を焼成する容器としてグラファイト容器ま
たは窒化硼素(以下BN)容器などが適している。然
し、グラファイト容器で焼成すると還元性雰囲気になる
ことから、AlN基板に色むらや滲みが生じ易く、そのた
め一般にBN容器を使用して焼成が行なわれている。
2. Description of the Related Art As described above, AlN has excellent properties. However, while the melting point of Al 2 O 3 is 2015 ° C., the melting point of AlN is as high as 2200 ° C. Therefore, Difficult to bake the substrate. Materials having a melting point exceeding 2000 ° C are fired in a carbon furnace using an inert gas atmosphere. A graphite container or boron nitride (BN) container is suitable for firing AlN substrates. ing. However, since firing in a graphite container results in a reducing atmosphere, color unevenness and bleeding are likely to occur on the AlN substrate. Therefore, firing is generally performed using a BN container.

【0007】すなわち、BNは融点は融点は約3000℃で
あり、融点より下でもかなりの昇華性を示すものゝ、不
活性ガス雰囲気では2000℃以上の高温でも安定であるこ
とから焼成容器などに使用されている。図2はBN容器
を使用した従来の焼成方法を示すもので、BN容器1の
中にBN製のセッター2を置き、この上に脱脂処理の終
わったAlNグリーンシート3とBN製の矯正用基板4を
置き、この上にBN製の蓋5を施してカーボン炉の中に
おき、不活性ガス例えば窒素(N2)雰囲気中で焼成する
ことによりAlN基板の焼成が行なわれている。
That is, BN has a melting point of about 3000 ° C. and exhibits considerable sublimation even below the melting point. It is used. FIG. 2 shows a conventional baking method using a BN container, in which a BN setter 2 is placed in a BN container 1, and a degreasing-treated AlN green sheet 3 and a BN correction substrate are placed thereon. The AlN substrate is fired by placing a BN cover 4 thereon, placing a BN lid 5 in a carbon furnace, and firing in an inert gas, for example, nitrogen (N 2 ) atmosphere.

【0008】こゝで、AlNグリーンシートはAlN粉末に
焼結助剤例えば炭酸カルシウム(CaCO3)を少量加え、こ
れにバインダと可塑剤と分散媒(溶剤)を加え、良く混
練した後、ドクターブレード法でシート状にしたもので
あり、乾燥した後、高温焼成処理に先立って不活性ガス
例えば窒素(N2 )雰囲気中で加熱して脱脂処理を行な
い、その後、不活性ガス雰囲気中で1800℃程度の高温で
加熱し、AlN粉末と焼結助剤との間で固相反応を生じさ
せてAlN粉末を焼結させて基板としている。
Here, the AlN green sheet is obtained by adding a small amount of a sintering aid, for example, calcium carbonate (CaCO 3 ) to AlN powder, adding a binder, a plasticizer, and a dispersion medium (solvent) to the AlN powder, kneading the mixture well, and then mixing with a It is formed into a sheet by a blade method, dried, heated in an inert gas such as a nitrogen (N 2 ) atmosphere to perform a degreasing treatment prior to a high-temperature baking treatment, and then subjected to 1800 in an inert gas atmosphere. The substrate is heated at a high temperature of about ℃ to cause a solid phase reaction between the AlN powder and the sintering aid to sinter the AlN powder to form a substrate.

【0009】然し、この高温焼成により収縮を生じ、こ
の際に生ずる摩擦により表面が荒れ、また、反りにより
矯正用基板4との間に隙間が生じると基板表面の雰囲気
分布が不均一になることから色むらを生ずるなどの問題
があった。
However, shrinkage is caused by the high-temperature firing, and the surface is roughened by friction generated at this time, and if a gap is formed between the straightening substrate 4 due to warpage, the atmosphere distribution on the substrate surface becomes non-uniform. There is a problem that color unevenness occurs from the image.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】AlN基板の焼成に当た
っては図2に示すように脱脂処理の済んだAlNグリーン
シート3をBN容器1の中のセッター2の上に載置し、
この上に矯正用基板4を置いて、蓋5をし、N2 のよう
な不活性ガス雰囲気中で1800℃と云うような高温に加熱
して焼結させ基板を形成している。
In firing the AlN substrate, the degreased AlN green sheet 3 is placed on the setter 2 in the BN container 1 as shown in FIG.
The correction substrate 4 is placed thereon, the cover 5 is closed, and the substrate is formed by heating to a high temperature of 1800 ° C. and sintering in an inert gas atmosphere such as N 2 .

【0011】然し、この焼成中に基板の変形や着色が生
じ易く、歩留り良くAlN基板を製造することが難しいと
云う問題があり、この解決が課題であった。
However, there is a problem that the substrate is easily deformed or colored during the firing, and it is difficult to manufacture an AlN substrate with a good yield. This problem has been solved.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】上記の課題は焼成容器の
中に少なくともAlNの焼結温度においてBNと反応して
体積膨張を生ずる高融点金属粉末例えばタングステン
(W)粉末を焼成容器の底に置き、焼成容器の蓋部が矯
正用基板と密着している状態にしてAlNグリーンシート
の焼結を行なうことを特徴としてAlN基板を焼成するこ
とにより達成することができる。
The object of the present invention is to provide a high melting point metal powder, for example, tungsten (W) powder, which reacts with BN at least at the sintering temperature of AlN and causes volume expansion in a firing vessel. The sintering of the AlN green sheet is performed by placing the sintering container in a state where the lid of the sintering container is in close contact with the correction substrate, and the sintering can be achieved by sintering the AlN substrate.

【0013】[0013]

【作用】本発明はWがAlNの焼成温度においてBNと反
応して硼化タングステン(W2B)となり、その際に体
積膨張が生ずる現象を利用し、これをAlN基板の変形防
止に使用するものである。
The present invention utilizes the phenomenon that W reacts with BN at the sintering temperature of AlN to form tungsten boride (W 2 B), which causes a volume expansion at that time, and uses this phenomenon to prevent deformation of the AlN substrate. Things.

【0014】AlN基板はAlNグリーンシートをN2 のよ
うな不活性ガス雰囲気中で1800℃と云うような高温に加
熱して焼結させて作るもので、この焼成の際にAlN基板
の変形を防ぐためにBNよりなる矯正用基板を上に置い
て焼成が行なわれているものゝ変形を無くすることは困
難である。この理由は高温焼成を行なう前に、トンネル
炉などを用いて、AlNグリーンシートの脱脂が行なわれ
ているが、この脱脂を完全に行なうと成形体が脆くな
り、BN容器に移すことができなくなることから、脱脂
処理は添加剤( バインダ, 可塑剤, 分散媒) の大部分は
分解飛散するものゝ、幾分は残存していて運搬が可能な
条件、すなわち、約900 ℃の温度で行なわれている。
The AlN substrate is made by heating an AlN green sheet to a high temperature of 1800 ° C. in an inert gas atmosphere such as N 2 and sintering the same. In order to prevent it, a correction substrate made of BN is placed on top and baked. It is difficult to eliminate deformation. The reason is that AlN green sheets are degreased using a tunnel furnace or the like before performing high-temperature firing, but if this degreasing is performed completely, the formed body becomes brittle and cannot be transferred to a BN container. Therefore, the degreasing treatment is performed under the condition that most of the additives (binders, plasticizers, dispersion media) are decomposed and scattered. ing.

【0015】このように、脱脂処理によりAlNグリーン
シートは脆くなっていることから、BN容器のセッター
の上に設置した後において、この上に置く矯正用基板の
重量には限度がある。一方、AlNの焼成は約1800℃の高
温で行なわれるが、この焼成工程で焼結助剤として加え
てある炭酸カルシウム(CaCO3) とAlNの間で液相反応が
進行してAlNの焼結が進行してAlN基板ができ上がる
が、その間にAlNの焼結によるグリーンシートの収縮量
は大きく、矯正用基板の重量のみでは変形を防ぐことは
難しい。
As described above, since the AlN green sheet is fragile due to the degreasing treatment, the weight of the correction substrate placed on the setter of the BN container after being set on the setter of the BN container is limited. On the other hand, AlN is fired at a high temperature of about 1800 ° C. In this firing step, a liquid phase reaction proceeds between calcium carbonate (CaCO 3 ), which is added as a sintering aid, and AlN, and the sintering of AlN occurs. Progresses to form an AlN substrate, during which the amount of shrinkage of the green sheet due to sintering of AlN is large, and it is difficult to prevent deformation only by the weight of the correcting substrate.

【0016】そこで、本発明は焼結による基板の変形は
焼結過程で生ずることから、この焼結開始温度で膨張す
る材料をセッターの下において置き、焼結工程中に膨張
してAlNグリーンシートを加圧するようにすることによ
りAlN基板の変形を防ぐもので、そのためには、高温焼
成に先立って、AlNグリーンシートの上に置いてある矯
正用基板が蓋に密着していることが必要である。
Therefore, in the present invention, since the deformation of the substrate due to sintering occurs in the sintering process, a material that expands at the sintering start temperature is placed under a setter, and expands during the sintering process to expand the AlN green sheet. Is applied to prevent deformation of the AlN substrate. For this purpose, prior to high-temperature baking, the correction substrate placed on the AlN green sheet must be in close contact with the lid. is there.

【0017】図1は本発明の実施法を示すもので、BN
よりなる蓋5を焼成容器1に当接する場合に、蓋5とAl
Nグリーンシート3上に載置した矯正用基板4とが密着
していることが必要で、この状態となるようにBNより
なるセッター2の下に高融点金属粉末を置くもので、高
融点金属粉末としてはW粉末が最も適している。すなわ
ち、Wは融点が3387℃と高く、約1800℃の熱処理では変
形せず、一方、焼成容器1,蓋5,セッター2,矯正用
基板4などを構成しているBNからは高温においてBN
蒸気が発生して蒸気圧を形成しているが、このBN分子
と反応してW2Bを生じ、反応物の体積が元の約2倍に
まで膨張する結果としてAlNの焼結が進行するに従って
機械的な圧力が上下から加わることになり、これにより
焼結による変形が抑制されるのである。
FIG. 1 shows an embodiment of the present invention.
When the lid 5 made of aluminum is brought into contact with the firing container 1, the lid 5 and the Al
It is necessary that the correction substrate 4 placed on the N green sheet 3 be in close contact with the substrate, and a refractory metal powder is placed under the setter 2 made of BN so as to be in this state. As the powder, W powder is most suitable. That is, W has a high melting point of 3387 ° C. and is not deformed by the heat treatment at about 1800 ° C. On the other hand, BN forming the baking container 1, the lid 5, the setter 2, the correction substrate 4 and the like is BN at high temperature.
Although steam is generated to form a vapor pressure, it reacts with the BN molecules to form W 2 B, and the sintering of AlN proceeds as a result of expanding the volume of the reactant to about twice the original volume. As a result, mechanical pressure is applied from above and below, thereby suppressing deformation due to sintering.

【0018】[0018]

【実施例】【Example】

実施例1:AlN粉末100 重量部に焼結助剤としてCaCO3
を5重量部、バインダとしてPVB(ポリビニルブチラ
ール)を10重量部、可塑剤としてDBP(ジブチルブタ
レート)を10重量部また、分散剤としてエタノールを50
重量部を加え、ボールミルで混練してスラリーを作り、
ドクターブレード法で成形ギャップ500 μm で成形して
グリーンシートを作り、このグリーンシートを90 mm 角
に打抜き成形した後、この6層を積層して試料とし、こ
れを10枚準備した。
Example 1: CaCO 3 as a sintering aid was added to 100 parts by weight of AlN powder.
5 parts by weight, 10 parts by weight of PVB (polyvinyl butyral) as a binder, 10 parts by weight of DBP (dibutyl butyrate) as a plasticizer, and 50 parts by weight of ethanol as a dispersant.
Add the parts by weight, knead with a ball mill to make a slurry,
A green sheet was formed by a doctor blade method with a forming gap of 500 μm, and the green sheet was stamped and formed into a square of 90 mm. The six layers were laminated to prepare a sample, and ten sheets were prepared.

【0019】次に、この試料をベルト炉を用い、N2気流
中で900 ℃で4時間加熱して脱脂した後、BNよりなる
焼成容器の底にW粉末を敷き、この上にBNよりなるセ
ッターを置き、この上にAlNグリーンシートよりなる試
料/BNよりなる矯正用基板/AlNグリーンシートより
なる試料と10層積層し、BNよりなる蓋を矯正用基板と
密着するように置き、N2気流中で1800℃で30時間の焼成
を行なった。
Next, this sample was heated at 900 ° C. for 4 hours in a stream of N 2 using a belt furnace to degrease it, and then the W powder was spread on the bottom of a firing vessel made of BN, and BN was placed on this. A setter is placed thereon, and 10 layers of a sample made of an AlN green sheet / a correction substrate made of BN / a sample made of an AlN green sheet are laminated on the setter, and a lid made of BN is placed so as to be in close contact with the correction substrate, and N 2 The firing was performed at 1800 ° C. for 30 hours in an air stream.

【0020】その結果、厚さが約1 mm のAlN基板10枚
は色むらが無く、また反りは50 mm角の面積当たり30μm
以下であり、また、表面粗さは3μm 以下であった。 比較例1:実施例1と同様にしてグリーンシートを90 m
m 角に打抜き成形した後、この6層を積層して試料と
し、これを10枚準備した。次に、この試料をベルト炉を
用い、N2気流中で900 ℃で4時間加熱して脱脂した。
As a result, 10 AlN substrates having a thickness of about 1 mm have no color unevenness, and the warpage is 30 μm per 50 mm square area.
And the surface roughness was 3 μm or less. Comparative Example 1: A green sheet was 90 m in the same manner as in Example 1.
After punching and forming into an m-square, the six layers were laminated to prepare a sample, and ten samples were prepared. Next, this sample was degreased by heating at 900 ° C. for 4 hours in a N 2 stream using a belt furnace.

【0021】次に、BNよりなる焼成容器の底に置いた
BNよりなるセッターの上にAlNグリーンシートよりな
る試料/BNよりなる矯正用基板/AlNグリーンシート
よりなる試料と10層積層し、蓋と矯正用基板との間に隙
間を置いて設置し、N2気流中で1800℃で30時間の焼成を
行なった。
Next, 10 layers of a sample made of AlN green sheet / a correction substrate made of BN / a sample made of AlN green sheet are laminated on a setter made of BN placed on the bottom of a firing container made of BN, with 10 layers. The substrate was placed with a gap between the substrate and the correction substrate, and baked at 1800 ° C. for 30 hours in an N 2 stream.

【0022】その結果、厚さが約1 mm のAlN基板10枚
の内7枚に色むらを生じており、また反りは50 mm 角の
面積当たり色むらの無い3枚については50μm 以下であ
り、また、表面粗さは5μm 以下であったが、色むらの
ある7枚について反りは90μm 以上であり、また、表面
粗さは8μm 以下と大きかった。
As a result, color unevenness occurred on seven of the ten AlN substrates having a thickness of about 1 mm, and the warpage was less than 50 μm for three of the 50 mm square areas without color unevenness. The surface roughness was 5 μm or less, but the warpage was 90 μm or more and the surface roughness was as large as 8 μm or less for 7 sheets having uneven color.

【0023】[0023]

【発明の効果】本発明の実施により従来に較べて反りが
遙かに少ないAlN基板を得ることができる。
According to the present invention, it is possible to obtain an AlN substrate having much less warpage than the conventional one.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明に係る焼成方法を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a firing method according to the present invention.

【図2】 従来の焼成方法を示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a conventional firing method.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 焼成容器 2 セッター 3 AlNグリーンシート 4 矯正用基板 6 高融点金属粉末(W粉末) Reference Signs List 1 firing container 2 setter 3 AlN green sheet 4 correction substrate 6 high melting point metal powder (W powder)

フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−100479(JP,A) 特開 平3−137058(JP,A) 特開 平4−198062(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C04B 35/64 C04B 35/581 Continuation of front page (56) References JP-A-62-100479 (JP, A) JP-A-3-137058 (JP, A) JP-A-4-198806 (JP, A) (58) Fields investigated (Int .Cl. 7 , DB name) C04B 35/64 C04B 35/581

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 窒化硼素よりなる焼成容器(1)の中
に、窒化硼素よりなるセッター(2),脱脂の終わった
窒化アルミニウム・グリーンシート(3),窒化硼素よ
りなる矯正用基板(4)と順次に積層して載置し、該焼
成容器(1)を不活性ガス雰囲気中で窒化アルミニウム
の焼結開始温度以上にまで加熱し、該窒化アルミニウム
を焼結させて基板とする焼成方法において、 前記焼成容器(1)の底に少なくとも窒化アルミニウム
の焼結温度において窒化硼素と反応して体積膨張を生ず
る高融点金属粉末(6)を敷き、該焼成容器(1)の蓋
(5)が矯正用基板(4)と密着している状態にして前
記窒化アルミニウム・グリーンシート(3)の焼結を行
なうことを特徴とする窒化アルミニウム基板の焼成方
法。
1. A firing vessel (1) made of boron nitride, a setter (2) made of boron nitride, an aluminum nitride green sheet (3) having been degreased, and a correction substrate (4) made of boron nitride. And in the firing method, the firing vessel (1) is heated to a temperature equal to or higher than the sintering start temperature of aluminum nitride in an inert gas atmosphere, and the aluminum nitride is sintered to form a substrate. A high melting point metal powder (6) which reacts with boron nitride at least at the sintering temperature of aluminum nitride to cause volume expansion at least at the bottom of the firing vessel (1), and the lid (5) of the firing vessel (1) is A method for firing an aluminum nitride substrate, comprising sintering the aluminum nitride green sheet (3) while keeping it in close contact with the correction substrate (4).
【請求項2】 前記高融点金属粉末(6)がタングステ
ン粉末であることを特徴とする請求項1記載の窒化アル
ミニウム基板の焼成方法。
2. The method for firing an aluminum nitride substrate according to claim 1, wherein said refractory metal powder (6) is tungsten powder.
JP00065694A 1994-01-10 1994-01-10 Method for firing aluminum nitride substrate Expired - Fee Related JP3298283B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP00065694A JP3298283B2 (en) 1994-01-10 1994-01-10 Method for firing aluminum nitride substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP00065694A JP3298283B2 (en) 1994-01-10 1994-01-10 Method for firing aluminum nitride substrate

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH07206523A JPH07206523A (en) 1995-08-08
JP3298283B2 true JP3298283B2 (en) 2002-07-02

Family

ID=11479771

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP00065694A Expired - Fee Related JP3298283B2 (en) 1994-01-10 1994-01-10 Method for firing aluminum nitride substrate

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3298283B2 (en)

Also Published As

Publication number Publication date
JPH07206523A (en) 1995-08-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100276154B1 (en) Tape cast silicon carbide dummy wafer
JP2009173537A (en) High-purity low-resistivity electrostatic chuck
JP2003317906A (en) Ceramic heater
JP3298283B2 (en) Method for firing aluminum nitride substrate
JP3886707B2 (en) Manufacturing method of ceramic substrate
JP2002220282A (en) Aluminum nitride sintered compact and method of manufacture
JP3980262B2 (en) SiC heat treatment jig
JP3369819B2 (en) Manufacturing method of ceramic sintered body
JP4348659B2 (en) High thermal conductivity silicon nitride sintered body, substrate using the same, circuit board for semiconductor device
JPH08109069A (en) Aluminum nitride sintered compact
JP5073894B2 (en) Silicon nitride leaf spring material, manufacturing method and use thereof
JPH03197367A (en) Preparation of aluminum nitride sintered product
JP2661258B2 (en) Manufacturing method of aluminum nitride substrate
JP4332828B2 (en) High thermal conductivity silicon nitride sintered body, substrate using the same, circuit board for semiconductor device
WO2022201925A1 (en) Ceramic sintered body and method for producing ceramic sintered body
JP4342634B2 (en) Circuit board
JP3053962B2 (en) Manufacturing method of ceramic multilayer substrate
JPH02243570A (en) Production of aluminum nitride base plate
JP2913060B2 (en) Aluminum nitride ceramic firing powder and firing method using the same
JPH0867565A (en) Production of aluminum nitride ceramic
JPH03226986A (en) Manufacture of ceramics wiring board and ceramics heating body
JPH01155686A (en) Multilayer substrate of aluminum nitride and manufacture thereof
JPH07257973A (en) Aluminum nitride sintered compact, production and use thereof
JPH06132664A (en) Manufacture of ceramic multilayer board
JPH06321640A (en) Manufacture of aluminum nitride sintered body

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20020319

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees