JP3294023B2 - Substrate processing equipment - Google Patents

Substrate processing equipment

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JP3294023B2
JP3294023B2 JP28367294A JP28367294A JP3294023B2 JP 3294023 B2 JP3294023 B2 JP 3294023B2 JP 28367294 A JP28367294 A JP 28367294A JP 28367294 A JP28367294 A JP 28367294A JP 3294023 B2 JP3294023 B2 JP 3294023B2
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flow rate
predetermined
liquid material
substrate processing
substrate
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、所定の清浄度レベルに
管理された防塵室内において処理室を形成し、処理室内
で、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板等の基板に
対して処理を施す基板処理装置であって、特にスピンコ
ータ、デベロッパ、スクラバ等の基板処理装置に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention forms a processing chamber in a dust-proof room controlled to a predetermined cleanliness level, and performs processing on substrates such as semiconductor substrates and glass substrates for liquid crystal display devices in the processing chamber. More particularly, the present invention relates to a substrate processing apparatus such as a spin coater, a developer, and a scrubber.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、スピンコータ、デベロッパ、ま
たはスクラバ等の基板処理装置では、図8の如く、所定
の清浄度レベル以下に管理された防塵室(クリーンルー
ム)1内にドレン用カップ11を配置してその内部を処
理室とし、その処理室内に半導体基板3を収容して回転
機器2にて保持する。そして、その処理室内の半導体基
板3上にフォトレジスト液、現像液、超純水等の各種処
理液4を吐出するとともに、半導体基板3を回転機器2
にて回転させて塗布、現像、洗浄等の各種の処理を施
す。ここで、処理液吐出時における基板回転数、使用す
る処理液種類、処理液の吐出時間(処理液吐出量)等の
処理条件等を含んだ基板処理手順は、予め所定の記憶装
置5に記憶される。そして、半導体基板3の回転処理を
開始するに当たって、記憶装置5に記憶された基板処理
手順が特定されると、処理液吐出に際しては、特定され
た基板処理手順における処理条件に基づく制御駆動部6
の制御駆動により、処理液供給管路(配管系)7を開閉
する開閉バルブ8を開閉し、処理液吐出ノズル9から半
導体基板3へ向けて処理液を吐出する。なお、図8中の
10は処理液供給用タンク、11はドレン用カップ、1
2はドレン管である。
2. Description of the Related Art Generally, in a substrate processing apparatus such as a spin coater, a developer, or a scrubber, a drain cup 11 is disposed in a dustproof room (clean room) 1 controlled to a predetermined cleanliness level or lower as shown in FIG. A semiconductor substrate 3 is accommodated in the processing chamber and held by the rotating device 2. Then, various processing liquids 4 such as a photoresist solution, a developing solution, and ultrapure water are discharged onto the semiconductor substrate 3 in the processing chamber, and the semiconductor substrate 3 is rotated by the rotating device 2.
To perform various processes such as coating, developing, and washing. Here, the substrate processing procedure including processing conditions such as the number of rotations of the substrate at the time of discharging the processing liquid, the type of the processing liquid to be used, and the discharge time of the processing liquid (the processing liquid discharge amount) is stored in a predetermined storage device 5 in advance. Is done. Then, when the substrate processing procedure stored in the storage device 5 is specified when starting the rotation processing of the semiconductor substrate 3, the control driving unit 6 based on the processing conditions in the specified substrate processing procedure when discharging the processing liquid.
The opening and closing valve 8 that opens and closes the processing liquid supply pipe (piping system) 7 is opened and closed by the control drive of the processing liquid discharge nozzle 9 to discharge the processing liquid toward the semiconductor substrate 3. In FIG. 8, reference numeral 10 denotes a processing liquid supply tank, 11 denotes a drain cup,
2 is a drain pipe.

【0003】ところで、一般に、例えば長時間の基板処
理装置の運転停止後に運転を再開する際や、始業時にお
ける日常的な基板処理開始時、基板処理手順変更後の基
板処理開始時等においては、基板処理の開始当初から処
理液が適正に吐出されているか否かを確認(以下、イニ
シャル流量確認と称す)する必要がある。このため、従
来では、試験用基板(パイロットウェハ)を処理ライン
に流し、処理液を試験用基板上に実際に吐出し、かかる
処理液の吐出量を作業者の目視にてチェックし、その後
に処理対象の半導体基板3の処理を行っていた。
In general, for example, when the operation of a substrate processing apparatus is restarted after being stopped for a long time, at the start of daily substrate processing at the start of operation, or at the start of substrate processing after a change in the substrate processing procedure, etc. It is necessary to confirm whether or not the processing liquid is properly discharged from the beginning of the substrate processing (hereinafter, referred to as initial flow rate confirmation). For this reason, conventionally, a test substrate (pilot wafer) is flowed into a processing line, a processing liquid is actually discharged onto the test substrate, and the discharge amount of the processing liquid is visually checked by an operator. The processing of the semiconductor substrate 3 to be processed has been performed.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】従来の処理液吐出量の
イニシャル流量確認では、吐出量の測定精度が作業者の
熟練のみに依存していたため、正確な測定結果を得るこ
とができなかった。しかも、作業者が防塵室1内に入っ
て確認作業を行う必要があったため、防塵衣および防塵
マスク等の着用等に多大な手間を要し作業効率の劣化を
招くだけでなく、人体から発生する塵埃等により防塵室
1内の清浄度レベルが低下するおそれがあった。さら
に、試験用基板を使用する分だけ基板材料コストおよび
処理時間が増大するため、試験用基板を用いずにイニシ
ャル流量確認を実施する方法が望まれていた。
In the conventional method for confirming the initial flow rate of the processing liquid discharge amount, an accurate measurement result could not be obtained because the measurement accuracy of the discharge amount depended only on the skill of the operator. In addition, since the worker had to enter the dust-proof room 1 to perform the checking work, it took a lot of trouble to wear the dust-proof clothing and the dust-proof mask, etc., which not only deteriorated the work efficiency but also caused the human body. There is a possibility that the cleanliness level in the dustproof chamber 1 may be reduced due to dust and the like. Further, since the cost of the substrate material and the processing time are increased by the use of the test substrate, a method for confirming the initial flow rate without using the test substrate has been desired.

【0005】本発明は、上記課題に鑑み、液剤吐出量の
測定を正確に行い、作業効率および防塵室の清浄度レベ
ルを向上し、さらに試験用基板を用いずにイニシャル流
量確認を実施し得る基板処理装置を提供することを目的
とする。
SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above problems, the present invention can accurately measure a liquid material discharge amount, improve work efficiency and the cleanliness level of a dust-proof room, and can confirm an initial flow rate without using a test substrate. It is an object to provide a substrate processing apparatus.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明の請求項1に係る
課題解決手段は、所定の清浄度レベルに管理された防塵
室内において処理室を形成し、該処理室内で基板に対し
て処理を施すものであって、液剤を前記処理室内へ吐出
する液剤吐出手段と、前記液剤を前記液剤吐出手段へ供
給する液剤供給手段と、前記液剤吐出手段と前記液剤供
給手段とを結ぶ配管系と、少なくとも前記配管系内での
前記液剤の適正な流量レベルを入力する入力手段と、前
記入力手段で入力された適正な流量レベルを記憶する記
憶手段と、所定のタイミングで前記配管系内での前記液
剤の流量を検知する流量検知手段と、前記記憶手段に記
憶された適正な流量レベルと前記流量検知手段で検知さ
れた流量とを比較する比較手段と、前記比較手段での比
較結果から所定の条件を満たす場合に前記配管系内での
前記液剤の流量が適正でない旨を判別する判別手段と、
前記判別手段での判別結果に基づいて警報を発する警報
手段とを備える。
Means for Solving the Problems According to a first aspect of the present invention, a processing chamber is formed in a dust-proof room controlled to a predetermined cleanliness level, and processing is performed on a substrate in the processing chamber. A liquid material discharging means for discharging a liquid material into the processing chamber, a liquid material supplying means for supplying the liquid material to the liquid material discharging means, a piping system connecting the liquid material discharging means and the liquid material supplying means, Input means for inputting an appropriate flow level of the liquid agent at least in the piping system, storage means for storing an appropriate flow level input by the input means, and a predetermined timing in the piping system. A flow rate detecting means for detecting a flow rate of the liquid medicine; a comparing means for comparing an appropriate flow rate level stored in the storage means with the flow rate detected by the flow rate detecting means; and a predetermined value based on a comparison result by the comparing means. A determining means for flow of the liquid within the pipe system determines that not proper if it meets the matter,
Warning means for issuing a warning based on a result of the determination by the determination means.

【0007】本発明の請求項2に係る課題解決手段は、
前記流量検知手段にて検知する前記所定のタイミング
は、少なくとも吐出動作の立ち上がり時を含み、前記判
別手段での前記所定の条件は、前記比較手段での比較に
おいて、前記記憶手段に記憶された適正な流量レベルと
前記流量検知手段で検知された流量とが相違する状態が
所定の検知回数以上または所定時間以上継続することと
される。
[0007] The means for solving the problem according to claim 2 of the present invention is:
The predetermined timing detected by the flow rate detecting means includes at least a rising time of a discharge operation, and the predetermined condition by the determining means is a proper condition stored in the storage means in the comparison by the comparing means. The state in which the proper flow rate level differs from the flow rate detected by the flow rate detecting means continues for a predetermined number of times or more or for a predetermined time or more.

【0008】本発明の請求項3に係る課題解決手段は、
所定時間間隔または所定の時刻に計時信号を発生する計
時手段をさらに備え、前記流量検知手段にて検知する前
記所定のタイミングは、少なくとも前記計時手段からの
計時信号の受信タイミングを含む。
[0008] The problem solving means according to claim 3 of the present invention is:
The information processing apparatus further includes timing means for generating a timing signal at a predetermined time interval or a predetermined time, and the predetermined timing detected by the flow rate detecting means includes at least a timing of receiving a timing signal from the timing means.

【0009】[0009]

【作用】本発明請求項1に係る基板処理装置では、予め
入力手段にて液剤の適正な流量レベルを入力し、これを
記憶手段にて記憶する。そして、始業点検時等におい
て、防塵室内で液剤吐出手段にて液剤を吐出する。この
際、流量検知手段にて液剤の流量を検知し、比較手段に
て検知された流量と適正な流量レベルとを比較し、判別
手段にて液剤の流量が適正でない旨を判別したときに警
報手段にて警報を発する。そうすると、作業者は、防塵
室の外部に居ながら、かつ試験用基板を用いずに異常確
認を行うことができる。
In the substrate processing apparatus according to the first aspect of the present invention, an appropriate flow rate level of the liquid material is previously input by the input means, and this is stored in the storage means. Then, at the time of starting inspection and the like, the liquid material is discharged by the liquid material discharging means in the dustproof room. At this time, the flow rate of the liquid material is detected by the flow rate detecting means, the flow rate detected by the comparing means is compared with an appropriate flow rate level, and an alarm is issued when the determining means determines that the flow rate of the liquid material is not proper. An alarm is issued by means. Then, the operator can check the abnormality while being outside the dustproof room and without using the test substrate.

【0010】本発明請求項2に係る基板処理装置では、
警報手段での警報動作を、適正な流量レベルと実際の流
量とが相違する状態が所定の検知回数以上継続した場合
のみに限定して実行する。そうすると、例えば長時間の
基板処理装置の運転停止後に運転を再開する際や、始業
時における日常的な基板処理開始時、基板処理手順変更
後の基板処理開始時等(すなわち、液剤吐出動作の立ち
上がり時)において、所定の動作立ち上がり時間を経た
状態で、異常状態であるか否かを検出でき、立ち上がり
完了前に異常状態であると誤認識するのを防止できる。
In the substrate processing apparatus according to claim 2 of the present invention,
The alarm operation by the alarm means is executed only when the state in which the appropriate flow rate level differs from the actual flow rate continues for a predetermined number of times or more. Then, for example, when the operation is restarted after the operation of the substrate processing apparatus has been stopped for a long time, at the start of daily substrate processing at the start of operation, at the start of substrate processing after changing the substrate processing procedure, and the like (that is, when the liquid material discharge operation starts up). 2), it is possible to detect whether or not an abnormal state has occurred after a predetermined operation start-up time has passed, and it is possible to prevent erroneous recognition of an abnormal state before the start-up is completed.

【0011】本発明請求項3に係る基板処理装置では、
終夜運転の場合等、動作開始時点を特定できない場合に
おいて、所定時間間隔または毎日所定の時刻になると計
時手段は計時信号を発生し、流量検知手段は計時手段か
らの計時信号の受信タイミングで定期的に流量を検知す
る。
In the substrate processing apparatus according to claim 3 of the present invention,
In the case where the operation start time cannot be specified, such as in the case of overnight operation, at a predetermined time interval or at a predetermined time every day, the clock means generates a clock signal, and the flow rate detection means periodically determines the timing of receiving the clock signal from the clock means. To detect the flow rate.

【0012】[0012]

【実施例】【Example】

{第1の実施例} <構成>図1は本発明の第1の実施例の基板処理装置の
概要を示す外観斜視図である。本実施例の基板処理装置
は、図1に示す機械的構成の全体が、所定の清浄度レベ
ル以下に管理された防塵室内に設けられ、半導体基板2
1に一連の処理(この実施例では塗布処理、現像処理、
密着強化処理、加熱処理、冷却処理)を行うための装置
であり、塗布処理を行う基板処理部であるスピンコータ
SC、および現像処理を行う基板処理部であるスピンデ
ベロッパSDが正面側に配列され、基板処理列Aを形成
している。
<< First Embodiment >><Structure> FIG. 1 is an external perspective view showing an outline of a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention. In the substrate processing apparatus of the present embodiment, the entire mechanical configuration shown in FIG. 1 is provided in a dustproof room controlled to a predetermined cleanliness level or less, and the semiconductor substrate 2
1 shows a series of processes (in this embodiment, a coating process, a developing process,
A spin coater SC, which is a substrate processing unit for performing a coating process, and a spin developer SD, which is a substrate processing unit for performing a development process, are arranged on the front side. A substrate processing row A is formed.

【0013】また、基板処理列Aに対向する後方側の位
置には、各種熱処理を行う基板処理部である密着強化ユ
ニットAH、ホットプレートHP、およびクーリングプ
レートCPが3次元的に配置され、基板処理領域Bを形
成している。
At a position on the rear side facing the substrate processing row A, an adhesion strengthening unit AH, a hot plate HP, and a cooling plate CP, which are substrate processing units for performing various heat treatments, are three-dimensionally arranged. The processing area B is formed.

【0014】さらに、この装置には、基板処理列Aと基
板処理領域Bに挟まれ、基板処理列Aに沿って延びる搬
送領域Cが設けられており、この搬送領域Cには搬送ロ
ボット22が移動自在に配置されている。この搬送ロボ
ット22は、半導体基板21を支持する一対のアームか
らなる支持部材23を有する移動体24を備えている。
この支持部材23を構成する上下一対のアームは、アー
ム駆動機構(図示省略)によりそれぞれ独立して基板処
理列Aおよび基板処理領域B側に進退移動可能となって
いて、これら基板処理列Aおよび基板処理領域Bを構成
するいずれかの処理部との間で一方のアームで処理の終
了した基板を受け取り、他方のアームで前の基板処理部
等から搬送してきた基板を処理部に載せるようにして半
導体基板21の交換を行うことができる。
Further, the apparatus is provided with a transfer area C sandwiched between the substrate processing row A and the substrate processing area B and extending along the substrate processing row A. In this transfer area C, a transfer robot 22 is provided. It is arranged movably. The transfer robot 22 includes a moving body 24 having a support member 23 including a pair of arms for supporting the semiconductor substrate 21.
The pair of upper and lower arms constituting the support member 23 can be independently advanced and retracted toward the substrate processing row A and the substrate processing area B by an arm driving mechanism (not shown). One of the arms receives the processed substrate with one of the processing units constituting the substrate processing area B, and the other arm loads the substrate transported from the previous substrate processing unit or the like on the processing unit. Thus, the semiconductor substrate 21 can be replaced.

【0015】なお、図示を省略しているが、搬送ロボッ
ト22の移動体24には、3次元の駆動機構が連結され
ており、この駆動機構を制御することにより、移動体2
4を各基板処理部の前に移動させて、半導体基板21の
受渡しを可能としている。また、図1中の27は、3本
の処理液吐出ノズル39を有し、半導体基板21へ処理
液を吐出するノズル機構(液剤吐出手段)である。該ノ
ズル機構27は、図示しない駆動装置によって、昇降自
在かつ図1中の矢印G方向に旋回自在に駆動制御され
る。
Although not shown, a three-dimensional drive mechanism is connected to the moving body 24 of the transfer robot 22. By controlling the driving mechanism, the moving body 2 is moved.
The semiconductor substrate 21 can be transferred by moving the semiconductor substrate 4 before each substrate processing unit. In addition, reference numeral 27 in FIG. 1 denotes a nozzle mechanism (a liquid material discharging unit) having three processing liquid discharge nozzles 39 and discharging the processing liquid to the semiconductor substrate 21. The nozzle mechanism 27 is driven and controlled by a driving device (not shown) so as to be able to move up and down and turn in the direction of arrow G in FIG.

【0016】そして、基板処理列A、基板処理領域Bお
よび搬送領域Cの一方側(図面左側)の端部には、カセ
ット25からの半導体基板21の搬出とカセット25へ
の半導体基板21の搬入とを行うインデクサーINDが
設けられている。このインデクサーINDに設けられた
移載ロボット26は、カセット25から半導体基板21
を取り出し、搬送ロボット22に送り出したり、逆に一
連の処理が施された半導体基板21を搬送ロボット22
から受け取り、カセット25に戻すようになっている。
なお、図1への図示が省略されているが、基板処理列
A、基板処理領域Bおよび搬送領域Cの他方側(図面右
側)の端部には、半導体基板21を他の基板処理装置と
の間で受け渡しするインターフェースバッファ(IF−
B)が設けられており、インターフェースバッファに設
けられた移載ロボットと搬送ロボット22との協働によ
って半導体基板21の受渡し処理を行う。
At one end (left side in the drawing) of the substrate processing row A, the substrate processing area B and the transfer area C, the semiconductor substrate 21 is unloaded from the cassette 25 and loaded into the cassette 25. Is provided. The transfer robot 26 provided in the indexer IND transfers the semiconductor substrate 21 from the cassette 25.
And transfer the semiconductor substrate 21 subjected to a series of processes to the transfer robot 22.
And returns to the cassette 25.
Although not shown in FIG. 1, the semiconductor substrate 21 is connected to another substrate processing apparatus at the other end (right side in the drawing) of the substrate processing row A, the substrate processing area B, and the transfer area C. Interface buffer (IF-
B) is provided, and the transfer processing of the semiconductor substrate 21 is performed in cooperation with the transfer robot and the transfer robot 22 provided in the interface buffer.

【0017】図2は、本実施例の基板処理列A中のスピ
ンコータSCにおける半導体基板21および処理液供給
機構30を示す模式図である。図2では、電気配線系を
細線で、処理液供給管路(配管系)37を太線で示して
いる。図2中の一点鎖線よりも下側の部分は、図1に示
すスピンコータSCの機械的構成であり、所定の清浄度
レベル以下に管理された防塵室(クリーンルーム)31
内に設けられる。それに対して、図2中の一点鎖線より
も上側の部分は、スピンコータSCの制御部の構成であ
り、防塵室31外に設けられる。スピンコータSCに
は、ドレン用カップ41が配置されてその内部に処理室
が形成され、ドレン用カップ41内に設けた回転機器3
2が図示しないモータによって回転駆動される。そし
て、処理室内に回転機器32で保持した半導体基板21
上へ所定のフォトレジスト液34(以下、単に処理液3
4と称す)を液剤として吐出し、半導体基板21を回転
させて塗布処理が行われる。ここで、処理液吐出時にお
ける基板回転数、使用する処理液種類、処理液の吐出時
間(処理液吐出量:適正な流量レベル)等の処理条件等
を含んだ基板処理手順は、予め所定の記憶装置35(記
憶手段)に記憶される。そして、半導体基板21の回転
処理を開始するに当たって、記憶装置35に記憶された
基板処理手順が特定される。処理液の吐出に際しては、
特定された基板処理手順における処理条件に基づく制御
駆動部36の制御駆動により、処理液供給管路(配管
系)37に設けた開閉バルブ38(電磁弁)を開閉し、
処理液吐出ノズル(液剤吐出手段)39から半導体基板
21へ向けて処理液を吐出するよう構成される。なお、
図2中の40は処理液を前記処理液供給管路37を通じ
て前記処理液吐出ノズル39へ供給する20〜30リッ
トル容量の加圧タンク(液剤供給手段)、41はドレン
用カップ、42はドレン管である。また、ドレン用カッ
プ41の側方には、加圧タンク40から供給されるもの
と同じ処理液34あるいはそれに含まれる所定の溶剤を
収容した待機ポット43が設けられる。処理液吐出ノズ
ル39の先端は、図1中における矢印G方向の旋回と昇
降により、図2に実線で示す回転機器32上の半導体基
板21の上方と、破線で示す待機ポット43内との間を
移動する。処理液吐出ノズル39は、不使用時には所定
の溶剤雰囲気が充満した待機ポット43内におかれ、そ
の先端の乾燥が防止される。なお、処理液供給管路37
には、実際には、パーティクルの除去を目的として配置
されるフィルタ、および流路調整用のマニュホールド等
が設けられるが、これらは図2では便宜上省略されてい
る。
FIG. 2 is a schematic diagram showing the semiconductor substrate 21 and the processing liquid supply mechanism 30 in the spin coater SC in the substrate processing row A of the present embodiment. In FIG. 2, the electric wiring system is shown by a thin line, and the processing liquid supply pipe (pipe system) 37 is shown by a thick line. The portion below the one-dot chain line in FIG. 2 is the mechanical configuration of the spin coater SC shown in FIG. 1, and is a dustproof room (clean room) 31 controlled to a predetermined cleanliness level or less.
Provided within. On the other hand, the portion above the dashed line in FIG. 2 is the configuration of the control unit of the spin coater SC, and is provided outside the dustproof room 31. In the spin coater SC, a drain cup 41 is disposed, a processing chamber is formed therein, and a rotating device 3 provided in the drain cup 41 is provided.
2 is rotationally driven by a motor (not shown). Then, the semiconductor substrate 21 held by the rotating device 32 in the processing chamber
A predetermined photoresist liquid 34 (hereinafter simply referred to as a processing liquid 3)
4) is discharged as a liquid agent, and the coating process is performed by rotating the semiconductor substrate 21. Here, a substrate processing procedure including processing conditions such as the number of rotations of the substrate at the time of discharging the processing liquid, the type of the processing liquid to be used, and the discharge time of the processing liquid (the processing liquid discharge amount: an appropriate flow rate level) is determined in advance by a predetermined It is stored in the storage device 35 (storage means). Then, when starting the rotation processing of the semiconductor substrate 21, the substrate processing procedure stored in the storage device 35 is specified. When discharging the processing liquid,
The control drive of the control drive unit 36 based on the processing conditions in the specified substrate processing procedure opens and closes an opening / closing valve 38 (electromagnetic valve) provided in a processing liquid supply pipe (pipe system) 37,
The processing liquid is discharged from the processing liquid discharge nozzle (liquid material discharge means) 39 toward the semiconductor substrate 21. In addition,
2 is a pressurized tank (liquid supply means) having a capacity of 20 to 30 liters for supplying a processing liquid to the processing liquid discharge nozzle 39 through the processing liquid supply pipe 37, a drain cup 41, and a drain 42. Tube. On the side of the drain cup 41, a standby pot 43 containing the same processing liquid 34 supplied from the pressurized tank 40 or a predetermined solvent contained therein is provided. The tip of the processing liquid discharge nozzle 39 is swung up and down in the direction of arrow G in FIG. 1 to move between the upper part of the semiconductor substrate 21 on the rotating device 32 indicated by the solid line in FIG. To move. When not in use, the processing liquid discharge nozzle 39 is placed in a standby pot 43 filled with a predetermined solvent atmosphere, and the tip of the processing liquid discharge nozzle 39 is prevented from drying. The processing liquid supply pipe 37
Actually has a filter arranged for the purpose of removing particles, a manifold for adjusting the flow path, and the like, but these are omitted in FIG. 2 for convenience.

【0018】そして、本実施例の基板処理装置は、前記
処理液供給管路37内での前記処理液の適正な流量レベ
ルを入力して前記記憶装置35に記憶するための入力パ
ネル(入力手段)51と、所定のタイミングで前記処理
液供給管路37内での前記処理液の流量を検知する流量
センサ(流量検知手段)52と、前記記憶装置35に記
憶された適正な流量レベルと前記流量センサ52で検知
された流量とを比較する比較手段53と、前記比較手段
53での比較結果から所定の条件を満たす場合に前記処
理液供給管路37内での前記処理液の流量が適正でない
旨を判別する判別手段54と、前記判別手段での判別結
果に基づいて警報を発する警報器(警報手段)55とを
備えている。
The substrate processing apparatus according to the present embodiment has an input panel (input means) for inputting an appropriate flow level of the processing liquid in the processing liquid supply pipe 37 and storing it in the storage device 35. ) 51, a flow rate sensor (flow rate detecting means) 52 for detecting a flow rate of the processing liquid in the processing liquid supply pipe 37 at a predetermined timing, and an appropriate flow rate level stored in the storage device 35. Comparing means 53 for comparing the flow rate detected by the flow rate sensor 52 with the flow rate of the processing liquid in the processing liquid supply pipe 37 when a predetermined condition is satisfied based on the result of comparison by the comparing means 53; And a warning device (warning device) 55 for issuing a warning based on the result of the determination by the determining device.

【0019】前記入力パネル51は、流量レベル入力の
ための切替スイッチおよび当該流量レベルを含む各種デ
ータ入力キー等を備えており、前記防塵室31の外部に
設置され、作業者の随時の数値入力により処理液の適正
な流量レベルを自由に設定する。なお、入力パネル51
からの入力数値は前記記憶装置35に記憶されるため、
次に入力パネル51から再入力されるまで当該入力値が
保持される。
The input panel 51 is provided with a changeover switch for inputting a flow rate level, various data input keys including the flow rate level, and the like. The input panel 51 is installed outside the dustproof room 31 and allows a worker to input a numerical value at any time. , An appropriate flow rate level of the processing liquid is freely set. The input panel 51
Is stored in the storage device 35,
Next, the input value is held until input is performed again from the input panel 51.

【0020】前記流量センサ52は、例えば図3に示す
ようなフロート式センサが用いられる。図3中の60A
は処理液入口、60Bは処理液出口、61は本体、62
はテーパ管、63はテーパ管62内に昇降自在に遊嵌さ
れたフロート、64はフロート63の先端位置を検知す
る複数の透過型フォトインタラプタ、65は流路径を調
整するためのニードル、66は前記ニードル65のつま
み、67はナット、68はケース、69はパッキンであ
る。該流量センサ52は、図4の如く、テーパ管62内
を下方から上昇する処理液の付勢力と、フロート63の
自重力との均衡から、フロート63の先端の位置が決定
されるのを利用して処理液供給管路37内の処理液の流
量を検出するもので、フロート63の先端の位置を複数
の前記透過型フォトインタラプタ64で検知するもので
ある。前記各透過型フォトインタラプタ64は、1個の
LED等の発光素子71と、該発光素子71に対向配置
される1個のフォトダイオード等の受光素子72とが1
組とされて構成され、各透過型フォトインタラプタ64
の組は上下方向に等間隔で配置されている。なお、フロ
ート63の先端の最下端位置からの上昇距離は、テーパ
管62内の流量に線形的に比例するため、等間隔で配置
された透過型フォトインタラプタ64の組の光学的結合
の有無を検知することで、流量を極めて簡単な計算で求
め得るものである。そして、該流量センサ52の発光素
子71は、スピンコータSCの処理液吐出ノズル39の
処理液吐出動作が開始する際の吐出動作開始スイッチ7
6A、および、吐出動作開始後の一定時間(例えば3〜
5秒間)ごとに設定された定期タイミングを計時する計
時手段76Bからの信号を制御駆動部36が受けて、図
2中の駆動回路73を介して駆動制御される。
As the flow sensor 52, for example, a float type sensor as shown in FIG. 3 is used. 60A in FIG.
Is a processing liquid inlet, 60B is a processing liquid outlet, 61 is a main body, 62
Is a taper tube, 63 is a float loosely fitted in the taper tube 62 so as to be able to move up and down, 64 is a plurality of transmission type photo interrupters for detecting the tip position of the float 63, 65 is a needle for adjusting the diameter of the flow path, and 66 is a needle. The knob of the needle 65, 67 is a nut, 68 is a case, and 69 is packing. The flow sensor 52 utilizes the fact that the position of the tip of the float 63 is determined from the balance between the urging force of the processing liquid rising from below in the tapered tube 62 and the gravity of the float 63 as shown in FIG. Then, the flow rate of the processing liquid in the processing liquid supply pipe 37 is detected, and the position of the tip of the float 63 is detected by the plurality of transmission type photo interrupters 64. Each of the transmissive photo-interrupters 64 includes one light-emitting element 71 such as an LED and one light-receiving element 72 such as a photodiode disposed opposite to the light-emitting element 71.
Each transmission type photo interrupter 64 is configured as a set.
Are arranged at equal intervals in the vertical direction. Since the rising distance of the tip of the float 63 from the lowermost position is linearly proportional to the flow rate in the tapered tube 62, the presence or absence of optical coupling of the set of transmission photointerrupters 64 arranged at equal intervals is determined. By detecting, the flow rate can be obtained by a very simple calculation. The light emitting element 71 of the flow sensor 52 is provided with a discharge operation start switch 7 for starting the processing liquid discharge operation of the processing liquid discharge nozzle 39 of the spin coater SC.
6A and a certain time after the start of the ejection operation (for example, 3 to
The control drive unit 36 receives a signal from the timekeeping unit 76B that measures the regular timing set every five seconds), and is driven and controlled via the drive circuit 73 in FIG.

【0021】前記記憶装置35、前記制御駆動部36、
前記比較手段53および前記判別手段54は、CPU、
ROMおよびRAMを備えたマイクロコンピュータMC
が利用され、ROMまたはRAMに記憶されたプログラ
ムにしたがってCPUが実現する各機能ブロックに相当
するものである。このうち、前記比較手段53は、記憶
装置35内に記憶された適正流量レベル(FL)に対し
て経験により決定された所定の許容誤差範囲(±σ)を
加算し、次の(1)式を満たす場合には定常信号(Lo
w信号)を出力し、満たさない場合に反転信号(Hig
h信号)を出力する。なお、(1)式中のDは流量セン
サ52で検知した流量の値である。
The storage device 35, the control drive unit 36,
The comparing means 53 and the determining means 54 are a CPU,
Microcomputer MC with ROM and RAM
Is used, and corresponds to each functional block realized by the CPU according to the program stored in the ROM or the RAM. The comparing means 53 adds a predetermined allowable error range (± σ) determined by experience to the appropriate flow rate level (FL) stored in the storage device 35, and calculates the following equation (1). When the condition is satisfied, the stationary signal (Lo
w signal), and if not satisfied, an inverted signal (Hig)
h signal). Note that D in the expression (1) is the value of the flow rate detected by the flow rate sensor 52.

【0022】FL−σ≦D≦FL+σ …(1) 前記判別手段54は、図2の如く、前記比較手段53か
らの反転信号(High信号)が連続した場合に当該反
転信号の入力回数をカウントするカウンタ74と、該カ
ウンタ74のカウント値が所定の複数値(例えば
“3”)以上になったときにアラーム信号を警報器55
へ出力する信号出力部75とを備える。なお、前記カウ
ンタ74は、一旦定常信号(Low信号)が入力される
とリセットし、次に反転信号(High信号)が入力さ
れるまでカウント値“0”を保持するよう構成される。
FL-σ ≦ D ≦ FL + σ (1) As shown in FIG. 2, when the inversion signal (High signal) from the comparison means 53 is continuous as shown in FIG. And an alarm device 55 that outputs an alarm signal when the count value of the counter 74 becomes equal to or more than a predetermined plurality of values (for example, “3”).
And a signal output unit 75 for outputting the result. The counter 74 is configured to reset once a steady signal (Low signal) is input, and to hold the count value “0” until the next inversion signal (High signal) is input.

【0023】前記警報器55は、前記判別手段54から
のアラーム信号を受けたときに所定の電気音を発生する
ブザー、および赤色光を発生する赤色ランプ等、作業者
へ異常状態を報知する各種機器が用いられる。
The alarm 55 includes various types of alarms such as a buzzer for generating a predetermined electric sound when receiving an alarm signal from the determination means 54 and a red lamp for generating red light. Equipment is used.

【0024】なお、図2には、1つの処理液吐出ノズル
39に対応する処理液供給管路37のみを記載してある
が、実際には、マイクロコンピュータMCには3つの処
理液吐出ノズル39に対応するそれぞれの処理液供給管
路37とそれらに付随する流量センサ52、駆動回路7
3等が並列的に接続されている。また、マイクロコンピ
ュータMCは、図6に示す機能に加え、塗布処理時にお
ける回転機器32を駆動するモータの回転のタイミング
や回転数、どの処理液吐出ノズル39を使用するか、そ
の処理液吐出ノズル39の吐出のための旋回や昇降のタ
イミング、開閉バルブ38の開動作タイミングや開動作
時間等の各種動作データを保持する図示しない記憶装置
と、その記憶に基づいてそれらを制御する機能をも有し
ている。なお、密着強化ユニットAH、ホットプレート
HP、クーリングプレートCPのそれぞれは一般的な構
成であるので、詳細な説明は省略する。
Although FIG. 2 shows only the processing liquid supply line 37 corresponding to one processing liquid discharge nozzle 39, the microcomputer MC actually has three processing liquid discharge nozzles 39. And the flow rate sensor 52 and the driving circuit 7 associated therewith.
3 are connected in parallel. Further, in addition to the functions shown in FIG. 6, the microcomputer MC also provides the timing and the number of rotations of the motor for driving the rotating device 32 during the coating process, which processing liquid discharge nozzle 39 to use, and the processing liquid discharge nozzle 39 There is also a storage device (not shown) for storing various operation data such as the timing of turning and ascending and descending for discharge of 39, the opening operation timing and opening operation time of the opening / closing valve 38, and a function of controlling them based on the storage. are doing. Note that each of the adhesion strengthening unit AH, the hot plate HP, and the cooling plate CP has a general configuration, and a detailed description thereof will be omitted.

【0025】<一般処理時における動作>フォトレジス
ト液を用いた一般的な塗布、現像処理時においては、上
記構成の基板処理装置は、搬送領域C内の搬送ロボット
22により半導体基板21を各種基板処理部(スピンコ
ータSC、スピンデベロッパSD、密着強化ユニットA
H、ホットプレートHP、およびクーリングプレートC
P等)の間において所定の搬送順序で搬送しつつ、それ
らの処理部に出し入れして一連の処理工程を行う。この
とき、スピンコータSCにおいては、マイクロコンピュ
ータMCの制御により、回転機器32を駆動するモータ
や、処理液吐出ノズル39の旋回や昇降、開閉バルブ3
8の動作が制御され、フォトレジスト液の塗布処理がな
される。
<Operation in General Processing> In general coating and developing processing using a photoresist solution, the substrate processing apparatus having the above-described configuration uses the transfer robot 22 in the transfer area C to transfer the semiconductor substrate 21 to various substrates. Processing unit (spin coater SC, spin developer SD, adhesion strengthening unit A
H, hot plate HP, and cooling plate C
P, etc.), a series of processing steps are carried out by taking in and out of these processing sections while carrying in a predetermined carrying order. At this time, in the spin coater SC, under the control of the microcomputer MC, the motor for driving the rotary device 32, the swiveling and lifting of the processing liquid discharge nozzle 39, and the opening / closing valve 3
The operation of 8 is controlled, and a coating process of a photoresist liquid is performed.

【0026】<イニシャル流量確認時における動作>上
述のような一般的な処理を行うために、停止していた基
板処理装置を始動させるときにおけるスピンコータSC
の操作、動作を図5のフローチャートを用いて以下に詳
述する。作業者は、まず、入力パネル51を用いて、行
おうとする塗布処理における各種動作データをマイクロ
コンピュータMCに入力する(ステップS1)。このと
き、入力された各種動作データは図示しない記憶装置に
動作データとして記憶されるとともに、その動作データ
のうち、使用する処理液吐出ノズル39とそれに対応す
る開閉バルブ38の開動作時間(T)(例えば0.5
秒)、およびそのときに処理液供給管路37を流れるべ
き処理液の単位時間あたりの適正な流量のデータ(F
L)が、イニシャル流量確認のためのデータとして記憶
装置35に記憶される(ステップS2)。そして、全て
のデータの入力が終了したか否かが判断される(ステッ
プS3)この判断は、吐出動作開始スイッチ76Aが押
されたか否かで判断される。操作者は、全てのデータの
入力が終了すると吐出動作開始スイッチ76Aを押す。
<Operation at Confirmation of Initial Flow Rate> In order to perform the above-described general processing, the spin coater SC used to start the stopped substrate processing apparatus.
The operation and operation will be described in detail below with reference to the flowchart of FIG. First, the operator uses the input panel 51 to input various operation data in the coating process to be performed to the microcomputer MC (step S1). At this time, the input various operation data is stored as operation data in a storage device (not shown), and among the operation data, the processing liquid discharge nozzle 39 to be used and the opening operation time (T) of the opening / closing valve 38 corresponding thereto are used. (For example, 0.5
Second), and data (F of an appropriate flow rate per unit time of the processing liquid to flow through the processing liquid supply pipe 37 at that time).
L) is stored in the storage device 35 as data for initial flow rate confirmation (step S2). Then, it is determined whether or not the input of all data has been completed (step S3). This determination is made based on whether or not the ejection operation start switch 76A has been pressed. When the input of all data is completed, the operator presses the discharge operation start switch 76A.

【0027】吐出動作開始スイッチ76Aが押される
と、ノズル機構27において、処理液吐出ノズル39の
先端が待機ポット43内におかれていることを確認する
(ステップS4)。このとき、もし処理液吐出ノズル3
9の先端が待機ポット43内になければ、ノズル機構2
7を駆動して処理液吐出ノズル39の先端を待機ポット
43内に位置させる。
When the discharge operation start switch 76A is pressed, it is confirmed in the nozzle mechanism 27 that the tip of the processing liquid discharge nozzle 39 is placed in the standby pot 43 (step S4). At this time, if the processing liquid discharge nozzle 3
9 is not in the standby pot 43, the nozzle mechanism 2
7 is driven to position the tip of the processing liquid discharge nozzle 39 in the standby pot 43.

【0028】そして、記憶装置35に記憶されたイニシ
ャル流量確認のためのデータに基づき、使用する処理液
吐出ノズル39に対応する開閉バルブ38を開動作時間
(T)だけ開けて、加圧タンク40から加圧されて送ら
れる処理液をその処理液吐出ノズル39から吐出させる
(ステップS5)。そして、この開動作時間(T)の間
に、当該処理液供給管路37中に配置された流量センサ
52にて処理液の流量(D)を検知する(ステップS
6)。具体的には、この開動作時間(T)の間に、駆動
回路73の駆動により図4中の全発光素子71が発光
し、発光素子71からの光を受けた受光素子72のうち
最上に配置された受光素子の位置を確認することで、フ
ロート63の先端が位置を検知し、テーパ管62内の流
体圧を検出することで、処理液供給管路37内の流量を
検知する。
Then, based on the data for confirming the initial flow rate stored in the storage device 35, the opening / closing valve 38 corresponding to the processing liquid discharge nozzle 39 to be used is opened for the opening operation time (T), and the pressurized tank 40 is opened. Is discharged from the processing liquid discharge nozzle 39 (step S5). During the opening operation time (T), the flow rate (D) of the processing liquid is detected by the flow rate sensor 52 disposed in the processing liquid supply pipe 37 (step S).
6). More specifically, during this opening operation time (T), all the light emitting elements 71 in FIG. By confirming the position of the disposed light receiving element, the tip of the float 63 detects the position, and by detecting the fluid pressure in the tapered tube 62, the flow rate in the processing liquid supply pipe 37 is detected.

【0029】このとき、比較手段53は、記憶装置35
内に記憶された適正な流量レベル(FL)に対して経験
により決定された所定の許容誤差範囲(±σ)を加算
し、流量センサ52で検知した処理液の流量(D)と比
較する(ステップS7)。そして、上述した(1)式を
満たす場合に定常信号(Low信号)を出力し、満たさ
ない場合に反転信号(High信号)を出力する。
At this time, the comparing means 53 stores in the storage device 35
A predetermined permissible error range (± σ) determined by experience is added to the appropriate flow rate level (FL) stored in the memory and compared with the flow rate (D) of the processing liquid detected by the flow rate sensor 52 ( Step S7). Then, when the above-described equation (1) is satisfied, a stationary signal (Low signal) is output, and when it is not satisfied, an inverted signal (High signal) is output.

【0030】定常信号(Low信号)が出力された場
合、すなわち検知した流量(D)が適正な流量(FL)
に達している場合には、イニシャル流量確認の作業を正
常終了し、操作者の所定の操作を待って、ステップS1
にてデータ入力した塗布処理を実行する。逆に、反転信
号(High信号)が出力された場合には、判別手段5
4のカウンタ74は、比較手段53からの反転信号(H
igh信号)を加算カウントする(ステップS8)。カ
ウンタ74のカウント値は、ステップS8を実行する毎
に1、2、3と増加する。1回目の吐出の結果、反転信
号(High信号)が出力された場合、すなわち検知し
た流量(D)が適正な流量(FL)に達していなかった
場合には、カウント値は1であるから、ステップS9で
NOと判断され、再吐出の指示を待つ(ステップS1
0)。この再吐出の指示は、計時手段76Bが吐出動作
開始スイッチ76Aの操作の信号をうけた後に一定時間
毎に出力する定期タイミング信号が制御駆動部36に送
られることによりなされる。計時手段76Bからの定期
タイミング信号が入力されると、ステップS5に戻り、
記憶装置35に記憶されたイニシャル流量確認のための
データに基づく再度の吐出と、流量検知がなされる。
When a steady signal (Low signal) is output, that is, when the detected flow rate (D) is an appropriate flow rate (FL)
If it has reached, the operation of checking the initial flow rate is completed normally, and a predetermined operation by the operator is waited.
Executes the coating process data input in. Conversely, when the inverted signal (High signal) is output, the determination unit 5
4 counter 74 outputs the inverted signal (H
) is counted (step S8). The count value of the counter 74 increases to 1, 2, and 3 each time step S8 is executed. If the inverted signal (High signal) is output as a result of the first ejection, that is, if the detected flow rate (D) has not reached the appropriate flow rate (FL), the count value is 1, It is determined NO in step S9, and an instruction for re-discharge is waited (step S1).
0). This re-discharge instruction is made by sending a periodic timing signal, which is output at regular intervals after the timer 76B receives a signal for operating the discharge operation start switch 76A, to the control drive unit 36. When the periodic timing signal is input from the timer 76B, the process returns to step S5,
The ejection is performed again based on the data for confirming the initial flow rate stored in the storage device 35, and the flow rate is detected.

【0031】3回の吐出を行ったにもかかわらず、検知
した流量(D)が適正な流量(FL)に達しない場合に
は、ステップS8の結果、カウント値が3となり、ステ
ップS9でYESと判断される。これはすなわち、加圧
タンク40の加圧力の低下や処理液供給管路37のつま
りなど何らかの装置異常が発生し、一定の立ち上がり時
間が経過しても適正な流量レベルに至らなかったことを
意味するため、この時点で信号出力部75にてアラーム
信号を出力する。そうすると、警報器55は、所定の電
気音や赤色光を発生し、作業者へ異常状態を報知する
(ステップS11)。
If the detected flow rate (D) does not reach the appropriate flow rate (FL) even though the discharge has been performed three times, the count value becomes 3 as a result of step S8, and YES in step S9. Is determined. This means that some device abnormality such as a decrease in the pressure of the pressurized tank 40 or clogging of the processing liquid supply line 37 did not reach an appropriate flow level even after a certain rise time. At this point, the signal output unit 75 outputs an alarm signal. Then, the alarm 55 emits a predetermined electric sound or red light to notify the worker of the abnormal state (step S11).

【0032】このように、処理液供給管路37内に流量
センサ52を設け、予め設定した適正な流量レベルと比
較して異常状態を検知し、かかる状態を警報器55で作
業者へ報知しているので、従来例のように試験用基板を
用いる必要がないので、その分、材料コストを低減でき
る。
As described above, the flow rate sensor 52 is provided in the processing liquid supply pipe 37, and an abnormal state is detected by comparing the flow rate level with a preset appropriate flow rate level. Since there is no need to use a test substrate as in the conventional example, material costs can be reduced accordingly.

【0033】また、作業者が防塵室31の外部に居ても
上記異常状態を認識することができるので、作業者が防
塵室31内で目視確認していた従来例に比べて、防塵室
31内の清浄度を所望のレベルに保持でき、清浄度管理
を容易に行うことができる。しかも、防塵衣および防塵
マスク等を着用する必要がなくなるため、作業効率を向
上できる。さらに、吐出量の測定精度が作業者の目視、
熟練のみに依存していた従来例に比べ、熟練を要さずに
極めて短時間で正確な測定結果を得ることができる。
Further, since the above abnormal state can be recognized even if the worker is outside the dustproof room 31, the dustproof room 31 is compared with the conventional example in which the worker visually confirms the inside of the dustproof room 31. Inside can be maintained at a desired level, and cleanliness management can be easily performed. In addition, since there is no need to wear a dust-proof garment, a dust-proof mask, and the like, work efficiency can be improved. Furthermore, the measurement accuracy of the discharge amount is visually checked by the operator,
Compared with the conventional example that relies only on skill, accurate measurement results can be obtained in a very short time without skill.

【0034】また、警報器55での警報動作を、記憶装
置35に記憶された適正な流量レベルと流量センサ52
で検知された流量とが相違する状態が所定の検知回数
(3回)以上継続した場合のみに限定して実行している
ので、例えば長時間の基板処理装置の運転停止後に運転
を再開する際や、始業時における日常的な基板処理開始
時、基板処理手順変更後の基板処理開始時等(すなわ
ち、処理液吐出動作の立ち上がり時)において、1度目
の吐出時の流量不足をもってただちに異常状態と判断す
ることがない。従って、所定の動作立ち上がり時間を経
た状態で、異常状態であるか否かを検出でき、立ち上が
り完了前のみにみられる一時的な装置の不安定状態を装
置の異常状態であると過敏に誤認識するのを防止でき
る。
Further, the alarm operation of the alarm 55 is performed in accordance with the appropriate flow level stored in the storage device 35 and the flow sensor 52.
Is executed only when the state in which the flow rate is different from the flow rate detected in the above is continued for a predetermined number of times (three times), for example, when the operation is restarted after the operation of the substrate processing apparatus is stopped for a long time. In addition, at the start of daily substrate processing at the start of business, at the start of substrate processing after changing the substrate processing procedure, etc. (ie, at the start of the processing liquid discharge operation), an abnormal state immediately occurs due to insufficient flow rate at the first discharge. There is no judgment. Therefore, it is possible to detect whether or not an abnormal state has occurred after a predetermined operation rise time, and to erroneously recognize a temporary unstable state of the apparatus only before the start-up is completed as an abnormal state of the apparatus. Can be prevented.

【0035】これらにより、総合的にみて装置の停止時
間が短く、稼動率の高い装置が得られる。
As a result, it is possible to obtain an apparatus having a short operation time and a high operation rate as a whole.

【0036】{第2の実施例} <構成>図6は本発明の第2の実施例の基板処理装置を
示す図である。図6中の各要素について、第1の実施例
で説明したのと同様の機能を有する要素は同一符号を付
している。本実施例の基板処理装置は、連続する終夜運
転の際には基板処理装置の動作開始時点を特定できない
ため、1日のうちの一定時刻について必ず異常確認を行
うよう構成されるものである。すなわち、図6の如く、
本実施例の基板処理装置は、流量センサ52の検知タイ
ミングを決定する要素として、第1の実施例で説明した
のと同様の吐出動作開始スイッチ76A、および所定の
定期タイミングのタイムスパンを計時する計時手段76
Bに加え、毎日所定の時刻、例えば0時,8時,16時
になると計時信号を発生する計時手段(タイマー)76
Cを備えている。すなわち、本実施例は、基板処理装置
の処理液吐出動作の立ち上がり時以外に、前記計時手段
76Cからの計時信号の受信タイミングによっても処理
液を吐出して流量を確認する、イニシャル流量確認の動
作をするよう構成されている。その他の構成は、図1乃
至図4に示した第1の実施例のものと同様であるため説
明を省略する。
Second Embodiment <Structure> FIG. 6 is a view showing a substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention. In FIG. 6, the components having the same functions as those described in the first embodiment are denoted by the same reference numerals. The substrate processing apparatus of the present embodiment is configured to always check for an abnormality at a certain time of the day because the operation start time of the substrate processing apparatus cannot be specified during continuous overnight operation. That is, as shown in FIG.
The substrate processing apparatus of the present embodiment measures the discharge operation start switch 76A similar to that described in the first embodiment and the time span of the predetermined regular timing as the elements for determining the detection timing of the flow sensor 52. Timekeeping means 76
In addition to B, a timer means (timer) 76 for generating a clock signal at a predetermined time every day, for example, at 0:00, 8:00 and 16:00.
C is provided. That is, in this embodiment, the initial flow rate checking operation is performed in which the processing liquid is discharged and the flow rate is checked also at the timing of receiving the timing signal from the timing means 76C, in addition to the start of the processing liquid discharging operation of the substrate processing apparatus. It is configured to do. The other configuration is the same as that of the first embodiment shown in FIGS.

【0037】<動作>上記構成の基板処理装置につい
て、上述した所定の時刻における動作を図7に基づいて
説明する。なおここでは、記憶装置35には適正な流量
レベルのデータが予め記憶されたものとして説明する。
まず、基板処理装置が通常の動作を行う中で、スピンコ
ータSCも通常の塗布処理動作を実行している場合に、
所定の時刻になったら(ステップS12)、計時手段7
6Cが計時信号を発する。また、作業者が作業を中断し
たときなどで任意に流量の確認を行いたいと考えた場合
には、作業者が吐出動作開始スイッチ76Aを押して、
流量確認の指示をする(ステップS13)。ステップS
12,S13のいずれかがYESの場合には、ステップ
S6以下のように処理液吐出ノズル39からの処理液の
吐出と、その流量の確認の動作が行われる。ステップS
6以後の動作は既述の実施例と同様であるので、対応す
るステップに同一の符号を付し、その説明は省略する。
<Operation> The operation of the above-structured substrate processing apparatus at the above-described predetermined time will be described with reference to FIG. Here, the description will be made on the assumption that the data of the appropriate flow rate level is stored in the storage device 35 in advance.
First, while the substrate processing apparatus performs a normal operation, the spin coater SC is also performing a normal coating processing operation.
When a predetermined time has come (step S12), the time counting means 7
6C emits a timing signal. If the operator wants to check the flow rate arbitrarily, for example, when the operator interrupts the operation, the operator presses the discharge operation start switch 76A,
An instruction to confirm the flow rate is issued (step S13). Step S
If any of steps S12 and S13 is YES, the operation of discharging the processing liquid from the processing liquid discharge nozzle 39 and checking the flow rate is performed as in step S6 and subsequent steps. Step S
The operations after 6 are the same as those in the above-described embodiment, and the corresponding steps are denoted by the same reference numerals and description thereof will be omitted.

【0038】このように本実施例によれば、計時手段7
6Cが所定時間間隔(8時間ごと)に計時信号を発し、
所定時間間隔で、毎日所定の時刻に処理液の流量の確認
を行うことができ、工場の操業時間等を考慮して自動的
に流量の確認を行うことができ、装置の信頼性を保ちな
がら運転の自動化をよりすすめることができる。なお、
計時手段76Cとしては、毎日同じ時刻に信号を発する
ものに限らず、単に所定時間間隔で信号を発するもの、
所定のプログラムにより毎日異なる任意の時刻に信号を
発するもの等であってもよい。その他の効果は第1の実
施例と同様である。
As described above, according to the present embodiment, the clocking means 7
6C emits a timing signal at predetermined time intervals (every 8 hours),
At a predetermined time interval, the flow rate of the processing solution can be checked at a predetermined time every day, and the flow rate can be automatically checked in consideration of the operation time of the factory, etc., while maintaining the reliability of the apparatus. Driving automation can be further promoted. In addition,
The timer means 76C is not limited to one that emits a signal at the same time every day, but simply emits a signal at predetermined time intervals.
It may be one that emits a signal at a different time every day according to a predetermined program. Other effects are similar to those of the first embodiment.

【0039】{変形例} (1) 上記各実施例では、基板処理装置としてスピン
コータについて本発明を適用する例を示したが、これ以
外にも、スピンデベロッパ、スピンスクラバまたはHM
DS等、所定の清浄度レベル以下に管理された防塵室内
で半導体基板21に所望の処理を行うものであれば、い
かなるものに適用しても良い。なお、スピンスクラバに
適用した場合の処理液(純水等)は、通常工場ラインの
元タンク(加圧タンク40)から供給される。
[Modifications] (1) In each of the above embodiments, an example in which the present invention is applied to a spin coater as a substrate processing apparatus has been described. However, other than this, a spin developer, a spin scrubber, or an HM may be used.
The present invention may be applied to any apparatus such as DS, which performs a desired process on the semiconductor substrate 21 in a dustproof room controlled to a predetermined cleanliness level or less. In addition, the processing liquid (pure water etc.) when applied to the spin scrubber is usually supplied from the original tank (pressurized tank 40) of the factory line.

【0040】(2)上記各実施例では、半導体基板21
に対して処理を行う処理液のみを液剤の例として説明し
たが、これ以外にも、例えばドレン用カップを洗浄する
ためにそのドレン用カップに対して溶剤を吐出する装置
を付設したスピンコータにあっては、かかる溶剤を液剤
として扱ってそのイニシャル流量確認に本発明を適用す
ることもでき、要するに液剤を処理室内へ吐出するもの
であれば本発明を適用できる。また、上記実施例では、
所定の溶剤雰囲気が充満した待機ポットを設けて処理液
吐出ノズルを不使用時に待機させてその先端の乾燥を防
止していたが、かかる構造は必ずしも必要ではない。ま
た、上記実施例ではその待機ポット内においてイニシャ
ル流量確認のための処理液吐出を行っていたが、かかる
吐出も待機ポット内に限らず、例えばドレン用カップ内
で行ってもよい。
(2) In each of the above embodiments, the semiconductor substrate 21
In the above description, only the processing liquid for performing the treatment is used as an example of the liquid agent. However, for example, a spin coater provided with a device for discharging a solvent to the drain cup in order to wash the drain cup may be used. In other words, the present invention can be applied to confirming the initial flow rate by treating such a solvent as a liquid material. In short, the present invention can be applied to a device that discharges a liquid material into a processing chamber. In the above embodiment,
Although a standby pot filled with a predetermined solvent atmosphere is provided to keep the processing liquid discharge nozzle on standby when not in use to prevent drying of its tip, such a structure is not always necessary. Further, in the above embodiment, the processing liquid is discharged in the standby pot for checking the initial flow rate. However, the discharge may be performed not only in the standby pot but also in a drain cup, for example.

【0041】(3) 第1の実施例では、流量センサ5
2として、図3に示すようにフロートの位置を光学的に
検地するフロート式光学センサを使用していたが、磁力
方式でフロートの位置を検出するフロート式磁力センサ
を使用してもよく、さらにドップラ効果を利用した超音
波流量センサ、または部分的に発生する渦の周波数を検
出するカルマン渦式流量センサ等を使用してもよい。さ
らに、流量センサ52としては、ドレン用カップ41中
の処理液(廃液)の量の推移を検知することで流量を検
知するものであってもよい。
(3) In the first embodiment, the flow rate sensor 5
2, a float-type optical sensor that optically detects the position of the float as shown in FIG. 3 was used, but a float-type magnetic sensor that detects the position of the float by a magnetic force method may be used. An ultrasonic flow sensor utilizing the Doppler effect or a Karman vortex flow sensor which detects the frequency of a partially generated vortex may be used. Further, the flow rate sensor 52 may be a sensor that detects a flow rate by detecting a change in the amount of the processing liquid (waste liquid) in the drain cup 41.

【0042】(4)上記実施例では、判別手段での所定
の条件を、比較手段での比較において、記憶手段に記憶
された適正な流量レベルと流量検知手段で検知された流
量とが相違する状態が所定の検知回数以上継続すること
としていたが、記憶手段に記憶された適正な流量レベル
と流量検知手段で検知された流量とが相違する状態が所
定時間以上継続することとしてもよい。この場合も、上
記実施例と同様の効果を得られることは言うまでもな
い。
(4) In the above embodiment, when the predetermined condition in the discriminating means is compared with the comparing means, the proper flow rate level stored in the storage means differs from the flow rate detected by the flow detecting means. Although the state is assumed to continue for a predetermined number of times or more, the state in which the appropriate flow level stored in the storage means differs from the flow rate detected by the flow detecting means may be continued for a predetermined time or more. In this case, it is needless to say that the same effect as in the above embodiment can be obtained.

【0043】(5)上記各実施例では、図2および図6
の如く、流量センサ52を加圧タンク40と開閉バルブ
38の間に配設していたが、流量センサ52を開閉バル
ブ38と処理液吐出ノズル39の間に配設しても差し支
えない。
(5) In each of the above embodiments, FIGS.
As described above, the flow sensor 52 is disposed between the pressurized tank 40 and the opening / closing valve 38, but the flow sensor 52 may be disposed between the opening / closing valve 38 and the processing liquid discharge nozzle 39.

【0044】[0044]

【発明の効果】本発明の請求項1によると、液剤吐出手
段と、液剤を液剤吐出手段へ供給する液剤供給手段と、
これらを結ぶ配管系と、液剤の適正な流量レベルを入力
する入力手段と、適正な流量レベルを記憶する記憶手段
と、液剤の流量を検知する流量検知手段と、検知された
流量と適正な流量レベルとを比較する比較手段と、比較
結果に基づいて液剤の流量が適正でない旨を判別する判
別手段と、判別手段での判別結果に基づいて警報を発す
る警報手段とを備えているので、予め入力手段で設定し
た適正な流量レベルと実際の流量とを比較して異常状態
を検知し、かかる状態を警報手段で作業者へ報知でき
る。したがって、任意な適正な流量レベルを自由に設定
しつつ、従来例のように試験用基板を用いなくても極め
て容易に異常状態を検知できる。このことから、従来例
に比べて試験用基板を省略できる分だけ材料コストを低
減できる。また、作業者が防塵室の外部に居ても異常状
態を認識することができるので、作業者が防塵室内で目
視確認していた従来例に比べて、防塵室内の清浄度を所
望のレベルに保持でき、清浄度管理を容易に行うことが
できる。しかも、防塵衣および防塵マスク等を着用する
必要がなくなるため、作業効率を向上できる。さらに、
吐出量の測定精度が作業者の熟練のみに依存していた従
来例に比べ、熟練を要さずに極めて短時間で正確な測定
結果を得ることができるという効果があり、装置の停止
時間が短く、稼動率が高い装置が得られる。
According to the first aspect of the present invention, a liquid material discharging means, a liquid material supplying means for supplying a liquid material to the liquid material discharging means,
A piping system connecting them, an input means for inputting an appropriate flow rate level of the liquid material, a storage means for storing an appropriate flow rate level, a flow rate detecting means for detecting a flow rate of the liquid material, a detected flow rate and an appropriate flow rate A comparison means for comparing the level with the determination means, a determination means for determining that the flow rate of the liquid agent is not appropriate based on the comparison result, and an alarm means for issuing an alarm based on the determination result by the determination means. An abnormal state is detected by comparing the appropriate flow rate level set by the input means with the actual flow rate, and the operator can be notified of such an abnormal state by the alarm means. Therefore, an abnormal state can be detected extremely easily without using a test substrate as in the conventional example, while freely setting an appropriate flow rate level. Thus, the material cost can be reduced as much as the test substrate can be omitted as compared with the conventional example. In addition, since the abnormal state can be recognized even when the worker is outside the dustproof room, the cleanliness in the dustproof room is set to a desired level as compared with the conventional example in which the worker visually checks in the dustproof room. Can be maintained and cleanliness management can be easily performed. In addition, since there is no need to wear a dust-proof garment, a dust-proof mask, and the like, work efficiency can be improved. further,
Compared with the conventional example in which the measurement accuracy of the discharge amount depends only on the skill of the operator, there is an effect that an accurate measurement result can be obtained in a very short time without skill, and the stop time of the apparatus is reduced. A device that is short and has high availability is obtained.

【0045】本発明の請求項2によると、警報手段での
警報動作を、適正な流量レベルと実際の流量とが相違す
る状態が所定の検知回数以上継続した場合のみに限定し
て実行しているので、例えば長時間の基板処理装置の運
転停止後に運転を再開する際や、始業時における日常的
な基板処理開始時、基板処理手順変更後の基板処理開始
時等(すなわち、液剤吐出動作の立ち上がり時)におい
て、所定の動作立ち上がり時間を経た状態で、異常状態
であるか否かを検出でき、立ち上がり完了前に過敏に異
常状態であると誤認識するのを防止できるという効果が
ある。
According to the second aspect of the present invention, the alarm operation by the alarm means is executed only when the state in which the appropriate flow rate level differs from the actual flow rate continues for a predetermined number of times or more. For example, when the operation of the substrate processing apparatus is restarted after being stopped for a long time, at the start of daily substrate processing at the start of business, at the start of substrate processing after changing the substrate processing procedure, etc. At the time of start-up), it is possible to detect whether or not an abnormal state has occurred after a predetermined operation start-up time has passed, and it is possible to prevent an erroneous recognition of an abnormal state before completion of start-up.

【0046】本発明の請求項3によると、所定時間間隔
または所定の時刻になると計時信号を発生する計時手段
を備え、計時手段からの計時信号の受信タイミングで流
量を検知するよう構成しているので、終夜運転の場合
等、動作開始時点を特定できない場合において、所定時
間間隔または所定の時刻に定期的に異常状態を検知で
き、工場等の就業時間に応じた異常確認を行うことがで
きるという効果がある。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a timing means for generating a timing signal at a predetermined time interval or at a predetermined time, and the flow rate is detected at the timing of receiving the timing signal from the timing means. Therefore, when the operation start time cannot be specified, such as in the case of overnight operation, an abnormal state can be periodically detected at a predetermined time interval or a predetermined time, and an abnormality can be confirmed according to the working hours of a factory or the like. effective.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施例の基板処理装置の概要を
示す斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view showing an outline of a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第1の実施例の基板処理装置における
半導体基板および処理液供給機構を示す概念図である。
FIG. 2 is a conceptual diagram illustrating a semiconductor substrate and a processing liquid supply mechanism in the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第1の実施例の基板処理装置の流量検
知手段を示す断面図である。
FIG. 3 is a sectional view showing a flow rate detecting means of the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第1の実施例の基板処理装置の流量検
知手段の流量検知動作を示す図である。
FIG. 4 is a view showing a flow rate detecting operation of a flow rate detecting means of the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention.

【図5】本発明の第1の実施例の基板処理装置の動作を
示すフローチャートである。
FIG. 5 is a flowchart showing an operation of the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention.

【図6】本発明の第2の実施例の基板処理装置における
半導体基板および処理液供給機構を示す概念図である。
FIG. 6 is a conceptual diagram showing a semiconductor substrate and a processing liquid supply mechanism in a substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.

【図7】本発明の第2の実施例の基板処理装置の動作を
示すフローチャートである。
FIG. 7 is a flowchart illustrating an operation of the substrate processing apparatus according to the second embodiment of the present invention.

【図8】従来例の基板処理装置における半導体基板およ
び処理液供給機構を示す概念図である。
FIG. 8 is a conceptual diagram showing a semiconductor substrate and a processing liquid supply mechanism in a conventional substrate processing apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

21 半導体基板 27 ノズル機構 30 処理液供給機構 31 防塵室 32 回転機器 34 処理液 35 記憶装置 36 制御駆動部 37 処理液供給管路 38 開閉バルブ 39 処理液吐出ノズル 40 加圧タンク 41 ドレン用カップ 51 入力パネル 52 流量センサ 53 比較手段 54 判別手段 55 警報器 61 本体 62 テーパ管 63 フロート 64 透過型フォトインタラプタ 65 ニードル 71 発光素子 72 受光素子 73 駆動回路 74 カウンタ 75 信号出力部 76A 吐出動作開始スイッチ 76B 計時手段 76C 計時手段 A 基板処理列 AH 密着強化ユニット B 基板処理領域 SC スピンコータ SD スピンデベロッパ Reference Signs List 21 semiconductor substrate 27 nozzle mechanism 30 processing liquid supply mechanism 31 dustproof chamber 32 rotating device 34 processing liquid 35 storage device 36 control drive unit 37 processing liquid supply pipeline 38 open / close valve 39 processing liquid discharge nozzle 40 pressurized tank 41 drain cup 51 Input panel 52 Flow rate sensor 53 Comparison means 54 Determination means 55 Alarm 61 Main body 62 Tapered tube 63 Float 64 Transmission type photo interrupter 65 Needle 71 Light emitting element 72 Light receiving element 73 Drive circuit 74 Counter 75 Signal output section 76A Discharge operation start switch 76B Means 76C Timing means A Substrate processing line AH Adhesion strengthening unit B Substrate processing area SC Spin coater SD Spin developer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭58−26131(JP,A) 特開 平3−233797(JP,A) 特開 昭52−33118(JP,A) 特開 平1−283500(JP,A) 特開 昭58−221414(JP,A) 特開 昭54−67875(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) F17D 3/01 B05C 11/08 G02F 1/13 G02F 1/1333 H01L 21/027 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-58-26131 (JP, A) JP-A-3-233797 (JP, A) JP-A-52-33118 (JP, A) JP-A-1- 283500 (JP, A) JP-A-58-221414 (JP, A) JP-A-54-67875 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) F17D 3/01 B05C 11 / 08 G02F 1/13 G02F 1/1333 H01L 21/027

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 所定の清浄度レベルに管理された防塵室
内において処理室を形成し、該処理室内で基板に対して
処理を施すものであって、 液剤を前記処理室内へ吐出する液剤吐出手段と、 前記液剤を前記液剤吐出手段へ供給する液剤供給手段
と、 前記液剤吐出手段と前記液剤供給手段とを結ぶ配管系
と、 少なくとも前記配管系内での前記液剤の適正な流量レベ
ルを入力する入力手段と、 前記入力手段で入力された適正な流量レベルを記憶する
記憶手段と、 所定のタイミングで前記配管系内での前記液剤の流量を
検知する流量検知手段と、 前記記憶手段に記憶された適正な流量レベルと前記流量
検知手段で検知された流量とを比較する比較手段と、 前記比較手段での比較結果から所定の条件を満たす場合
に前記配管系内での前記液剤の流量が適正でない旨を判
別する判別手段と、 前記判別手段での判別結果に基づいて警報を発する警報
手段とを備える基板処理装置。
1. A liquid material discharging means for forming a processing chamber in a dustproof chamber controlled to a predetermined cleanliness level and performing processing on a substrate in the processing chamber, wherein a liquid material is discharged into the processing chamber. Liquid material supply means for supplying the liquid material to the liquid material discharge means; a piping system connecting the liquid material discharge means and the liquid material supply means; and inputting an appropriate flow rate level of the liquid material in at least the piping system. Input means, storage means for storing an appropriate flow level input by the input means, flow rate detection means for detecting the flow rate of the liquid agent in the piping system at a predetermined timing, and stored in the storage means Comparing means for comparing the appropriate flow rate level with the flow rate detected by the flow rate detecting means, and a flow rate of the liquid agent in the piping system when a predetermined condition is satisfied from a result of the comparison by the comparing means. A substrate processing apparatus comprising: a determining means for determining that not proper, and a warning means for issuing an alarm based on the result of the discrimination at the discrimination means.
【請求項2】 前記流量検知手段にて検知する前記所定
のタイミングは、少なくとも吐出動作の立ち上がり時を
含み、 前記判別手段での前記所定の条件は、前記比較手段での
比較において、前記記憶手段に記憶された適正な流量レ
ベルと前記流量検知手段で検知された流量とが相違する
状態が所定の検知回数以上または所定時間以上継続する
こととされる、請求項1記載の基板処理装置。
2. The method according to claim 1, wherein the predetermined timing detected by the flow rate detection means includes at least a rising time of a discharge operation, and the predetermined condition in the determination means is determined by the comparison means in the comparison means. 2. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the state in which the appropriate flow rate level stored in the flow rate is different from the flow rate detected by the flow rate detection means is continued for a predetermined number of times or more for a predetermined time or more.
【請求項3】 所定時間間隔または所定の時刻に計時信
号を発生する計時手段をさらに備え、 前記流量検知手段にて検知する前記所定のタイミング
は、少なくとも前記計時手段からの計時信号の受信タイ
ミングを含む、請求項1記載の基板処理装置。
3. The apparatus according to claim 1, further comprising: a timer for generating a clock signal at a predetermined time interval or a predetermined time, wherein the predetermined timing detected by the flow rate detecting means is at least a timing of receiving the clock signal from the clock means. The substrate processing apparatus according to claim 1, comprising:
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