JP3281991B2 - The liquid crystal display device - Google Patents

The liquid crystal display device

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    • G03B2213/025Sightline detection

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【産業上の利用分野】本発明は、観察者の視線検知システム等光検出機能を備えた液晶表示装置に関する発明である。 The present invention relates to an invention relates to a liquid crystal display device having a viewer's line of sight detection systems such as optical detection.

【0002】 [0002]

【従来の技術】従来の薄膜トランジスタ(TFT)を用いたアクティブマトリクス型の液晶表示装置は、例えば透明基板上にSi等からなる薄膜半導体層を形成し、この薄膜半導体層上にスイッチング素子としてのTFTを構成する。 BACKGROUND ART The conventional thin film transistor (TFT) active matrix liquid crystal display device using, for example, forming a thin film semiconductor layer made of Si or the like on a transparent substrate, TFT as a switching element in the thin film semiconductor layer constitute a. その上にITO等の透明電極を形成し液晶駆動電極をつくる。 As a transparent electrode of ITO or the like is formed on the making the liquid crystal drive electrode. 該TFTの入力側は信号配線に接続されており、出力側は液晶駆動電極に接続されている。 Input side of the TFT is connected to the signal lines, the output side is connected to the liquid crystal drive electrode. T
FTをコントロールするゲート配線に入力されるゲート信号と信号配線に入力されるビデオ信号を同期させることによって、各画素電極ビデオ信号を送り画像を表示することができる。 By synchronizing the video signal inputted to the the gate signal and the signal line input to the gate lines to control the FT, it is possible to display the image sends a video signal to each pixel electrode.

【0003】液晶表示装置で電子ビューファインダーを構成する場合、サイズが小さいため各ゲート配線、信号配線にひとつひとつ入力パッドをつけ駆動回路との接続を図ることは困難である。 [0003] When configuring the electronic view finder in the liquid crystal display device, the gate lines for small size, it is difficult to achieve the connection between the driving circuit with a one by one input pad to the signal line. そこで液晶駆動回路と液晶表示部を同一基板上に形成するのが一般的である。 Therefore it is common to form a liquid crystal drive circuit and a liquid crystal display unit on the same substrate.

【0004】上記のような液晶表示装置に光検出機能を持たせることで、情報の入力手段とする技術が提案されている。 [0004] By providing the light detection function in a liquid crystal display device as described above, a technique for the input means of information have been proposed. その一例を挙げると、ビデオカメラの電子ビューファインダーに光検知器を使った視線検知装置を備えることで、視線が向いている方向にオートフォーカスを行うという機能を設けることができる。 Its way of example, by providing a visual line detection device that uses a light detector on the electronic view finder of a video camera, can be provided with a function of performing autofocus in the direction of line of sight is directed. 視線の検知手段は、使用者の眼球に光を照射して眼球からの反射プルキンエ像を光検出器によって検出することにより実現することができる。 Line of sight detection means can be realized by irradiated light on the eye of a user detects the reflected Purkinje image from the eyeball by the photodetector. 液晶表示装置と同一基板上に光検出器と光検出器の駆動回路を構成すると、コンパクト且つ安価に視線検知機能を持つ液晶表示装置を製造することができ、さらに、視線検知装置からの出力を液晶表示装置にフィードバックすることが可能となる。 When constituting the drive circuit of the photodetector and the photodetector in the liquid crystal display device on the same substrate, it is possible to manufacture the liquid crystal display device compact and inexpensive with sight detection function, further, the output from the visual line detection device it is possible to feed back to the liquid crystal display device.

【0005】 [0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、液晶表示装置と視線検知装置をオンチップで構成しようとすると次のような問題があった。 The object of the invention is to be Solved However, the following problem there was Tsu and if an attempt is made to form a liquid crystal display device and the line-of-sight detection device with the on-chip.

【0006】液晶表示装置の表示部及び駆動回路部に使用される薄膜半導体層は、単結晶又は多結晶であり、光電変換領域としては不向きである。 [0006] The display unit and the thin film semiconductor layer used in the driving circuit of the liquid crystal display device is a single crystal or polycrystal, it is unsuitable as a photoelectric conversion region. なぜなら、ほとんどの光は薄膜半導体層を透過してしまうため、検出効率が非常に小さくなるからである。 This is because most of the light for thereby transmitted through the thin-film semiconductor layer, since the detection efficiency is very small. 単結晶Siを例に挙げると、Si膜厚0.5μmで検出光の波長が800nmの時量子効率は5%である。 Taking a single-crystal Si as an example, the quantum efficiency when the wavelength of the detection light in the Si film thickness 0.5μm is 800nm ​​is 5%. 従って80%以上の量子効率が必要な場合、Si膜厚は16μm以上が必要となる。 If therefore 80% of the quantum efficiency is required, Si film thickness is required than 16 [mu] m.

【0007】 [0007]

【課題を解決するための手段及び作用】本発明は液晶表示装置の光検出器の光電変換部をアモルファスSi(以下α−Si)化合物で構成することにより、光検出器の検出効率の向上を図るものである。 Means and operation for solving the problems] The present invention is by constructing the photoelectric conversion portion of the photodetector of the liquid crystal display device in an amorphous Si (hereinafter alpha-Si) compound, to improve the detection efficiency of the photodetector it is intended to achieve.

【0008】 即ち本発明は、液晶表示部、該液晶表示部 [0008] That is, the present invention relates to a liquid crystal display unit, the liquid crystal display unit
を駆動する駆動回路、該液晶表示部を観察する被測定者 A driving circuit for driving a measured person to observe the liquid crystal display unit
の眼球を照明する照明手段、該眼球からの反射光を受光 Illumination means for illuminating the eyeball, receiving reflected light from the eyeball
する光電変換部を備えた光検出器、該光検出器の駆動回 Photodetector having a photoelectric conversion unit for, photodetector driving times
路、を有し、上記液晶表示部とその駆動回路、光検出器 Road has, the liquid crystal display unit and a driving circuit, a light detector
とその駆動回路が同一基板上に構成され、上記光検出器 And a driving circuit is formed on the same substrate, the photodetector
の光電変換部がアモルファスSi化合物によって構成さ Is constituted by a photoelectric conversion unit is an amorphous Si compound
れていることを特徴とする液晶表示装置である。 Is a liquid crystal display device according to claim being.

【0009】 [0009]

【実施例及び作用】図1に本発明第1の実施例を示す。 It shows a first embodiment the present invention to the examples and action] FIG.
本実施例は本発明を視線検知機能を持つ液晶表示装置に利用した例である。 This embodiment is an example using the liquid crystal display device having the visual axis detecting function of the present invention. 図中101は表示装置を構成する基板、102は液晶表示部、103は基板101上に構成された液晶表示部の駆動回路、104は視線を検知するための光検出 、105は光検出器104の駆動回路である。 Substrate 101 constituting the display device in FIG, 102 is a liquid crystal display unit, the driving circuit 103 is a liquid crystal display unit which is configured on the substrate 101, 104 is an optical detector for detecting the line of sight, 105 photodetector a drive circuit 104. 102〜105は同一の基板101上に構成されている。 102-105 is constructed on the same substrate 101.

【0010】図2に本実施例の表示装置の動作を説明する。 [0010] The operation of the display device of the present embodiment will be described in FIG. 液晶表示装置を構成する基板101の裏には光源1 The light source on the back of the substrate 101 constituting the liquid crystal display device 1
06を配置し、液晶表示部102に配列された画素の光透過率を駆動回路103からの信号により制御することにより画像が表示される。 06 arranged, an image is displayed by controlling a signal from the drive circuit 103 of light transmittance of the pixels arranged in the liquid crystal display unit 102. この液晶表示部を覗いている人の視線は以下の方法によって検出される。 Line of sight of people have Prying the liquid crystal display unit is detected by the following method.

【0011】基板101上には視線検知のための光検出 [0011] The light detection for line-of-sight detection is on the substrate 101
104及びその駆動回路105が構成されている。 Vessels 104 and a driving circuit 105 is constituted. 視線検知用の光源107からの光はレンズ108によって平行光にされ、被測定者の眼球109に照射される。 Light from the light source 107 for line-of-sight detection is collimated by lens 108 and is irradiated to the eyeball 109 of the subject. 光源107には視線検知のために利用される波長の光が含まれており、例えば赤外光が実用的である。 The light source 107 includes a light of a wavelength to be used for visual line detection, for example, infrared light is practical. 眼球109 Eyeball 109
からの反射プルキンエ像はレンズ110によって光検 Out light detection by the reflective Purkinje image lens 110 from
器104上に結像される。 Vessels 104 is imaged on. 光検器104からの出力を外部の信号処理回路において処理し、被測定者の眼球1 The output from the optical detector 104 and processed in an external signal processing circuit, of the subject eye 1
09の視線を求めることができる。 It is possible to find the 09 of the line-of-sight. 或いは、光検 Alternatively, the light detector 1
04の信号処理回路を基板101上に構成することも可能である。 The signal processing circuit 04 can be constructed on a substrate 101.

【0012】この液晶表示装置の製法を図3に示す。 [0012] shows the preparation of the liquid crystal display device is shown in FIG 3. 透明基板301に単結晶Si又はポリSiからなる薄膜半導体層302を形成する。 Forming a thin film semiconductor layer 302 made of single crystal Si or poly-Si on the transparent substrate 301. 次に、この薄膜半導体層30 Next, the thin film semiconductor layer 30
2をエッチング又は酸化により分離し活性層303を形成する。 2 to form the active layer 303 is separated by etching or oxidation. 活性層303上にゲート酸膜304を形成後ゲート電極305を堆積し、トランジスタ306を形成する。 The gate oxidation film 304 is deposited after the formation of the gate electrode 305 on the active layer 303, to form a transistor 306. この上に絶縁層307を形成後、信号配線30 After forming the insulating layer 307 on the signal line 30
8、ゲート配線309を形成し、それぞれトランジスタ306のソース、ゲートに接続する。 8, the gate wiring 309 is formed and connected to the source of transistor 306, a gate. トランジスタ30 Transistor 30
6のドレインは直接、又は金属からなるドレイン電極3 Drain of 6 directly, or a drain electrode 3 made of a metal
11を介して画素電極310に接続される。 It is connected to the pixel electrode 310 via a 11. 以上のようにして作られた基板と、対向する基板の間に液晶を挟み込むことにより、トランジスタ306のドレイン出力電圧に応じて液晶に電圧を印加することができる。 A substrate made as described above, by sandwiching a liquid crystal between opposing substrates, it is possible to apply a voltage to the liquid crystal in accordance with the drain output voltage of the transistor 306.

【0013】この液晶表示装置とオンチップで構成した [0013] was configured in this liquid crystal display device and an on-chip
光検出の構成を図4に示す。 The configuration of the optical detector shown in FIG. 301は液晶表示装置をつくり込む基板である。 301 is a substrate to fabricate a liquid crystal display device. 基板上にAl等からなる金属配線402を形成する。 Forming a metal wiring 402 made of Al or the like on a substrate. さらに、金属配線402上にn型α−Si403をCVD法により蒸着し、その上にプラズマCVD法によりα−SiGe404を形成する。 Further, the n-type α-Si403 was deposited by CVD on the metal wiring 402, to form a α-SiGe404 by plasma CVD thereon. この実施例では、α−SiGe404を蒸着する領域全てを覆うように金属配線402がしきつめられている。 In this embodiment, the metal wire 402 is laid so as to cover the entire region of depositing α-SiGe404.

【0014】α−SiGeのプラズマCVD法について説明する。 [0014] will be described α-SiGe of the plasma CVD method. ウエハを電極に乗せて250℃に加熱する。 The wafer placed on the electrode is heated to 250 ° C..
そしてSiH 4 、GeH 4 、H 2の混合気体を流しながら、ウエハを乗せている電極とウエハと対向する電極の間に13.56MHzの交流電圧を印加することにより、ウエハ上にα−SiGeを堆積することができる。 And while flowing SiH 4, GeH 4, mixed gas of H 2, by applying a 13.56MHz of the AC voltage between the electrodes facing each other are electrode and the wafer and to put the wafer, the alpha-SiGe on the wafer it can be deposited.
この時SiH 4とGeH 4の流量を調節することで、Si This time by adjusting the flow rate of SiH 4 and GeH 4, Si
とGeの比率を変えることができ、α−SiGeのバンドギャップをコントロールすることが可能である。 Can change the ratio of Ge and, it is possible to control the band gap of α-SiGe. 本実施例では、α−SiGeのバンドキャップは1.45e In this embodiment, the band gap of the alpha-SiGe is 1.45e
V程度にすることが理想的である。 It is ideal to about V.

【0015】この様にして堆積されたα−SiGe40 [0015] α-SiGe40 that has been deposited in this manner
4の上にp型α−Si405をCVD法により蒸着した後に、エッチングによりn型α−Si403、α−Si The p-type α-Si405 over 4 after depositing by CVD, n-type by etching α-Si403, α-Si
Ge404、p型α−Si405のパターニングを行う。 Ge404, the patterning of the p-type α-Si405. さらに、絶縁膜406を例えばPSGにより形成後、透明電極407を形成することで図4の構造を得ることができる。 Furthermore, it is possible after forming the insulating film 406 for example PSG, by forming a transparent electrode 407 to obtain the structure of FIG. 透明電極の材料としてはITOが一般的である。 The transparent electrode material ITO is generally used.

【0016】この構造では、入射光は透明電極407を透過し、空乏化しているα−SiGe領域404に入射する。 [0016] In this structure, the incident light passes through the transparent electrode 407, enters the alpha-SiGe region 404 is depleted. α−SiGeの吸収係数は単結晶Siに比べ約1 Absorption coefficient alpha-SiGe about than single-crystal Si 1
桁程度大きく、α−SiGeの膜厚を1μmとした場合で、波長800nmの赤外光において80%の量子効率を得ることができる。 About digit large, when a 1μm thickness of the alpha-SiGe, it is possible to obtain a 80% quantum efficiency in the infrared light having a wavelength of 800 nm. この実施例では金属配線402が光検出領域の全面にしきつめられており、光検出領域を透過してしまった光は金属配線402によって反射されて再び光検出領域に入射されるため、さらに検出効率を高めることができる。 In this embodiment and the metal wiring 402 is spread all over the entire surface of the light detection region, since the light had passed through the light detection area is incident again photodetection region is reflected by the metal wiring 402, further detection efficiency it can be increased. 一方、基板の裏面から入射される外光が透明基板401を透過してしまっても金属配線4 On the other hand, the metal also external light incident from the rear surface of the substrate is lost through the transparent substrate 401 wiring 4
02によって遮光され、検出領域に入射されることを防止することができる。 02 is shielded by the can be prevented from being incident on the detection region.

【0017】また、上記金属配線402以外に、基板3 Further, in addition to the metal wiring 402, the substrate 3
01の裏面に反射膜を設けて反射させても可能であることは言うまでもない。 It goes without saying to the rear surface 01 is also possible by reflecting by providing a reflective film.

【0018】以上の構成により、吸収された検出光は電子とホールを励起するため、金属配線402と透明電極407の間にバイアスを印加することにより入射光量を電気信号として取り出すことができる。 [0018] With the above structure, the absorbed detection light to excite electrons and holes, can be taken out as an electric signal the amount of incident light by applying a bias between the metal wiring 402 and the transparent electrode 407. この検出器の前面に所望の赤外光を透過させるフィルターを配置することにより、眼球で反射される赤外光以外の光による影響を低減することができることはいうまでもない。 By arranging the filter which transmits desired infrared light on the front of the detector, it is of course possible to reduce the influence of light other than infrared light reflected by the eyeball.

【0019】この実施例では404にα−SiGeを利用したが、α−SiSnを利用しても本発明の効果を得ることができる。 [0019] While using the alpha-SiGe to 404 in this embodiment, be utilized alpha-SiSn it is possible to obtain the effect of the present invention. また、α−Si層403をn型、α− Further, the alpha-Si layer 403 n-type, alpha-
Si層404をp型にすることも可能である。 It is also possible to Si layer 404 to the p-type.

【0020】上記のようにして構成した光検出にスイッチングトランジスタを設け、第1に示した光検出の駆動回路105によって順次出力を読み出すことによりプルキンエ像を測定し、被測定者の視線を求めることができる。 [0020] The switching transistor provided in the optical detector constructed as described above, the Purkinje images is measured by reading the sequentially output by the light detector of the driving circuit 105 shown in the first, the line of sight of the subject it can be determined.

【0021】(実施例2) 実施例1と同じプロセスで、基板の裏面からの光を検出する光検出器を構成した。 [0021] In the same process as Example 2 Example 1 was constructed with an optical detector for detecting light from the back surface of the substrate. 本実施例の動作説明図を図5 FIG view for explaining an operation of the embodiment 5
に示す。 To show.

【0022】本実施例の動作機構及び製法は基本的に実施例1と同じであるが、光検出器104の構造が図6に示す通り、実施例1と異なる。 [0022] While the operating mechanism and method of this embodiment is basically the same as in Example 1, as the structure of the photodetector 104 is shown in FIG. 6, it differs from the first embodiment. 本実施例では、金属配線402は光検出領域の一部でコンタクトをとっている。 In this embodiment, the metal wiring 402 is taking contact with part of the light detection region.
また、実施例1の透明電極407のかわりにAl等の金属電極408を形成する。 Further, a metal electrode 408 of Al or the like in place of the transparent electrode 407 of the first embodiment.

【0023】本実施例では金属電極408が光検出領域の全面を覆っており、光検出領域を透過してしまった光は金属電極408によって反射されて再び光検出領域に入射されるため、さらに検出効率を高めることができる。 [0023] In the present embodiment covers the entire surface of the metal electrode 408 is a light detection region, since the light had passed through the light detection area is incident again photodetection region is reflected by the metal electrodes 408, further it is possible to increase the detection efficiency. 一方、基板の表面から入射される外光は金属電極4 On the other hand, external light incident from the surface of the substrate is a metal electrode 4
08によって遮光され、検出領域に入射されることを防止することができる。 08 is shielded by the can be prevented from being incident on the detection region.

【0024】上記のようにして構成した光検出にスイッチングトランジスタを設け、図1に示した光検出の駆動回路105によって順次出力を読み出すことによりプルキンエ像を測定し、被測定者の視線を求めることができる。 [0024] The switching transistor provided in the optical detector constructed as described above, the Purkinje images is measured by reading the sequentially output by the light detector of the driving circuit 105 shown in FIG. 1, the line of sight of the subject it can be determined.

【0025】(実施例3) 本発明によれば光検出器を液晶表示内に配置することも可能である。 [0025] (Example 3) can be an optical detector according to the present invention is disposed in the liquid crystal display unit. このことにより、レンズによってスポット化された通常の光源あるいはレーザー光をポインターとして使用して、表示装置上の点を選択し入力手段とすることができる。 Thus, using conventional light source or a laser light spot by a lens as a pointer, may be an input means to select a point on the display device. その実施例を図7に示す。 The embodiment shown in FIG. 符号は図1 Sign Figure 1
と同じであり、 01は液晶表示部102を支える基板である。 Is the same as, 1 01 is a substrate for supporting the liquid crystal display unit 102. 駆動回路103で液晶表示部102及び光検出器104の駆動を行う。 For driving the liquid crystal display unit 102 and the photodetector 104 in the driving circuit 103. 本実施例においては、光検出器104は液晶表示部内に複数ケ所ちりばめられている。 In the present embodiment, the optical detector 104 is studded plurality places the liquid crystal display portion.

【0026】この構成の製法を断面図で図8(a)〜 [0026] Figure 8 the preparation of this configuration in cross-section (a) ~
(c)に示す。 It is shown in (c). 基本的な工程及び方法は図3と同じである。 Basic processes and methods are the same as FIG. 透明基板301上にα−Si又はポリSiからなる活性層303、その上にゲート酸化膜304、ゲー電<br/>極305を堆積し、画素トランジスタを形成した後、金属膜を選択的に形成し、画素トランジスタのドレイン電極311と光検出器の金属配線402を形成する。 Active layer 303 consisting of alpha-Si or poly-Si on the transparent substrate 301, a gate oxide film 304 thereon, depositing a gate conductive <br/> electrode 305, after forming the pixel transistors, selectively a metal film formed in to form the drain electrode 311 and the light detector of the metal wiring 402 of the pixel transistor. この上に絶縁膜307を形成後、信号配線308、ゲート配線309を形成しそれぞれ画素トランジスタのソース、 After forming the insulating film 307 on the signal line 308, the source of each pixel transistor to form a gate wiring 309,
ゲートに接続する。 Connected to the gate. 画素トランジスタのドレイン電極3 A drain electrode of the pixel transistor 3
11は画素電極310に接続される。 11 is connected to a pixel electrode 310. さらに光検出器の配線402上にn型α−Si403をα−SiGe40 Further an n-type α-Si403 on the wiring 402 of the optical detector α-SiGe40
4を実施例1同様にして形成する。 4 to form in the same manner as in Example 1.

【0027】さらにα−SiGe405上にp型α−S [0027] In addition the p-type α-S on α-SiGe405
iをデポした後、透明電極407を形成することで光検出を形成する。 After deposition of the i, to form a light detector by forming a transparent electrode 407. 透明電極の材料としてはITOが一般的である。 The transparent electrode material ITO is generally used. この上に絶縁層406を蒸着した後、透明電極を形成し画素電極310とする。 After the deposition of the insulating layer 406 thereon, and the pixel electrode 310 to form a transparent electrode. また、画素電極31 Further, the pixel electrode 31
0と光検出の透明電極407を同一のプロセスで構成することも可能である。 It is also possible to configure a 0 and a transparent electrode 407 of the light detector in the same process. この製法により図8(c)の構成を実現することができる。 This method can realize the configuration of FIG. 8 (c). この実施例においても実施例1と同様に金属配線402が光検出領域の全面にしきつめられており、光検出領域を透過してしまった光は金属配線402によって反射されて再び光検出領域に入射されるため、さらに検出効率を高めることができる。 Similar metal wiring 402 as in Example 1 are also spread all over the entire surface of the light detection region in this embodiment, the light had passed through the light detection region reenters the light detection region is reflected by the metal wiring 402 because it is, it can further increase the detection efficiency. 一方、基板の裏面から入射される外光が透明基板301を透過してしまっても金属配線402によって遮光され、 On the other hand, even if external light incident from the rear surface of the substrate is lost through the transparent substrate 301 is shielded by the metal wire 402,
検出領域に入射されることを防止することができる。 It can be prevented from being incident on the detection region.

【0028】以上のようにして作られた基板と、対向する基板の間に液晶を挟み込むことにより、トランジスタのドレイン出力電圧に応じて液晶に電圧を印加することができる。 [0028] a substrate made as described above, by sandwiching a liquid crystal between opposing substrates, it is possible to apply a voltage to the liquid crystal in accordance with the drain output voltage of the transistor.

【0029】また、光検出器を液晶表示部内に配置することができ、光検出器からの出力を画素トランジスタと同時に作られたスイッチングトランジスタを用いて順次検出することにより、光によるポインターによって液晶表示部内のどの部分が指されているかを検知することができる。 Further, it is possible to place the light detector in a liquid crystal display portion, by sequentially detected using the switching transistor made simultaneously with the pixel transistors the output from the photodetector, a liquid crystal display by the pointer by light it is possible to detect which part of the portion is pointed. 検出器の前面に光フィルターを付け、ポインターの光の中にこのフィルターを透過する波長の光が含まれるようにすることで、外光による誤動作を防止できることは言うまでもない。 With a light filter in front of the detector, in the light of the pointer that is to be included in light of the wavelength transmitted through the filter, it is needless to say that preventing malfunctions due to external light.

【0030】 [0030]

【発明の効果】以上本発明の効果によれば、薄膜半導体基板上においてもオンチップで量子効率の高い光検出機構を構成することができる。 Advantages of the present invention as described above, it is possible to constitute a high photodetectors quantum efficiency even at an on-chip on the thin-film semiconductor substrate. このことにより視線検装<br/>置を備える電子ビューファインダーをオンチップで安価に構成することが可能となる。 This makes it possible to inexpensively constitute an electronic view finder comprising a line-of-sight detection knowledge instrumentation <br/> location on-chip by. また、液晶表示部内に光検出を設けることも可能となり、光によるポインターを用いて表示部の任意の位置を示すことにより入力を行うことができる表示装置が構成できる。 Further, it becomes possible to provide a light detector to the liquid crystal display portion can display the configuration capable of performing input by indicating an arbitrary position of the display unit with a pointer due to light.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】本発明第1の実施例を示す図である。 1 is a diagram illustrating a present invention first embodiment.

【図2】本発明第1の実施例の動作説明図である。 Figure 2 is an explanatory view of the operation of the present invention the first embodiment.

【図3】本発明第1の実施例の製造工程を示す図である。 3 is a diagram showing a manufacturing process of the present invention the first embodiment.

【図4】本発明に係る光検出の構成を示す断面図である。 Is a sectional view showing a structure of an optical detector according to the present invention; FIG.

【図5】本発明第2の実施例の動作説明図である。 FIG. 5 is an operation explanatory diagram of the second embodiment of the present invention.

【図6】本発明第2の実施例の光検出の構成を示す断面図である。 6 is a sectional view of an optical detector of the second embodiment of the present invention.

【図7】本発明第3の実施例を示す図である。 7 is a diagram illustrating a present invention the third embodiment.

【図8】本発明第3の実施例の製造工程を示す図である。 8 is a diagram showing a manufacturing process of the present invention the third embodiment.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

101 基板 102 液晶表示部 103 駆動回路 104 光検出 105 駆動回路 106 背面光源 107 視線検知用光源 108 レンズ 109 眼球 110 レンズ 301 透明基板 302 薄膜半導体層 303 活性層 304 ゲート酸化膜 305 ゲート電極 306 トランジスタ 307 絶縁膜 308 信号配線 309 ゲート配線 310 画素電極 311 ドレイン電極 402 金属配線 403 n型α−Si 404 α−SiGe 405 p型α−Si 406 絶縁膜 407 透明電極 408 金属電極 101 substrate 102 liquid crystal display unit 103 driving circuit 104 light detector 105 driving circuit 106 backlight source 107 visual line detection light source 108 lens 109 eye 110 lens 301 transparent substrate 302 a thin film semiconductor layer 303 active layer 304 gate oxide film 305 gate electrode 306 transistor 307 insulating film 308 signal lines 309 gate wirings 310 pixel electrode 311 drain electrode 402 a metal wiring 403 n-type α-Si 404 α-SiGe 405 p-type alpha-Si 406 insulating film 407 transparent electrode 408 a metal electrode

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平2−191915(JP,A) 特開 平3−249622(JP,A) 特開 平4−46472(JP,A) 特開 平6−205342(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl. 7 ,DB名) G02F 1/1333 G02F 1/13 505 G09G 3/36 G02F 1/1345 ────────────────────────────────────────────────── ─── of the front page continued (56) reference Patent flat 2-191915 (JP, a) JP flat 3-249622 (JP, a) JP flat 4-46472 (JP, a) JP flat 6- 205342 (JP, a) (58 ) investigated the field (Int.Cl. 7, DB name) G02F 1/1333 G02F 1/13 505 G09G 3/36 G02F 1/1345

Claims (6)

    (57)【特許請求の範囲】 (57) [the claims]
  1. 【請求項1】 液晶表示部、該液晶表示部を駆動する駆動回路、 該液晶表示部を観察する被測定者の眼球を照明 1. A liquid crystal display unit, a driving circuit for driving the liquid crystal display unit, lighting the eye of the subject to observe the liquid crystal display unit
    する照明手段、該眼球からの反射光を受光する光電変換 Illuminating means for photoelectric conversion for receiving the reflected light from the eyeball
    部を備えた光検出器、該光検出器の駆動回路、を有し、 上記液晶表示部とその駆動回路、上記光検出器とその駆 Light detector with parts, a drive circuit, the photodetector, the liquid crystal display unit and a driving circuit, said optical detector and drive its
    動回路が同一基板上に構成され、 上記光検出器の光電変換部がアモルファスSi化合物によって構成されていることを特徴とする液晶表示装置。 Dynamic circuit is formed on the same substrate, a liquid crystal display device characterized by photoelectric conversion of the optical detector is constituted by an amorphous Si compound.
  2. 【請求項2】 上記光検出器上記液晶表示部内に配置されていることを特徴とする請求項1 記載の液晶表示装置。 2. A liquid crystal display device according to claim 1, wherein said optical detector is characterized in that it is disposed in the liquid crystal display portion.
  3. 【請求項3】 上記基板の上記光電変換部に対応する光 3. A light corresponding to the photoelectric conversion portion of the substrate
    検出領域において、 上記眼球からの反射光が入射される側の裏面に光を反射する反射膜が形成されていることを特徴とする請求項1又は2 記載の液晶表示装置。 In the detection region, the liquid crystal display device according to claim 1 or 2, characterized in that the reflective film reflecting light from the eyeball to reflect light on the back surface of the side to be incident is formed.
  4. 【請求項4】 上記アモルファスSi化合物がアモルフ Wherein the amorphous Si compound Amorufu
    ァスSiGeであることを特徴とする請求項1〜3のい Claim, characterized in that a § scan SiGe 1 to 3 Neu
    ずれかに記載の液晶表示装置。 The liquid crystal display device according to any misalignment.
  5. 【請求項5】 上記光電変換部がn型アモルファスS Wherein the photoelectric converter is n-type amorphous S
    i、アモルファスSiGe及びp型アモルファスSiを i, amorphous SiGe and a p-type amorphous Si
    備えたことを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載 According to claim 1, characterized in that it comprises
    の液晶表示装置。 The liquid crystal display device.
  6. 【請求項6】 上記光検出器がその前面に赤外線透過フ 6. The optical detector infrared transmission off in front
    ィルターを配置してなることを特徴とする請求項1〜5 Claim, characterized by comprising placing a Iruta 1-5
    のいずれかに記載の液晶表示装置。 The liquid crystal display device according to any one of.
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