JP3278594B2 - Test method for semiconductor integrated circuit - Google Patents

Test method for semiconductor integrated circuit

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JP3278594B2 JP26640997A JP26640997A JP3278594B2 JP 3278594 B2 JP3278594 B2 JP 3278594B2 JP 26640997 A JP26640997 A JP 26640997A JP 26640997 A JP26640997 A JP 26640997A JP 3278594 B2 JP3278594 B2 JP 3278594B2
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和幸 草葉
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロコンピュ
ータ等の半導体集積回路に係り、特に製品評価用のテス
トモードに設定するためのテスト回路を内蔵した半導体
集積回路に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor integrated circuit such as a microcomputer, and more particularly to a semiconductor integrated circuit having a built-in test circuit for setting a test mode for product evaluation.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、マイクロコンピュータ等の半
導体集積回路では、ユーザのための動作モード以外に設
計者が製品評価を行うためのテストモードが設けられて
おり、半導体集積回路をテストモードにするための回路
をテスト回路と呼んでいる。
2. Description of the Related Art Conventionally, a semiconductor integrated circuit such as a microcomputer is provided with a test mode for a designer to evaluate a product in addition to an operation mode for a user. Is called a test circuit.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このテ
スト回路には、ユーザからのアクセスを防止する機能が
ないため、ユーザの誤った操作により、ユーザモード以
外の予期しない動作モードに設定されてしまうことがあ
り、誤動作の原因となるという問題点があった。本発明
は、上記課題を解決するためになされたもので、テスト
回路の誤操作を防止することができる半導体集積回路の
テスト方法及び半導体集積回路を提供することを目的と
する。
However, since this test circuit does not have a function for preventing access from a user, an unexpected operation mode other than the user mode is set by an erroneous operation of the user. However, there is a problem that it causes a malfunction. SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to provide a method for testing a semiconductor integrated circuit and a semiconductor integrated circuit that can prevent an erroneous operation of a test circuit.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】本発明は、請求項1に記
載のように、半導体ウェハを個々のチップに分離する前
に、第1のチップの外部端子から隣接する第2のチップ
のテスト回路へ所定の信号を供給して、第2のチップを
テストモードに設定し、テスト終了後、前記第1のチッ
プの外部端子から前記第2のチップのテスト回路へ所定
の信号を供給して、前記第2のチップのテストモードを
解除してユーザモードに設定した後に、前記半導体ウェ
ハを個々のチップに分離することにより、第1のチップ
の外部端子と第2のチップのテスト回路を接続していた
配線が切断されるようにしたものである。このように、
個々のチップに分離する前の半導体ウェハの状態で、第
1のチップの外部端子から隣接する第2のチップのテス
ト回路へ所定の信号を供給して、第2のチップをテスト
モードに設定し、テスト終了後に、第1のチップの外部
端子から第2のチップのテスト回路へ信号を供給して、
第2のチップをユーザモードに設定する。この後に、半
導体ウェハを個々のチップに分離することにより、第1
のチップの外部端子と第2のチップのテスト回路を接続
していた配線が切断されるため、テスト回路にアクセス
することができなくなり、テスト回路はユーザモードの
状態を保持し続ける
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a method for testing an adjacent second chip from external terminals of a first chip before separating the semiconductor wafer into individual chips. A predetermined signal is supplied to the circuit to set the second chip to the test mode. After the test , the first chip is set.
From the external terminal of the chip to the test circuit of the second chip.
And the test mode of the second chip is
After releasing and setting the user mode, the semiconductor wafer
By separating C into individual chips, the wiring connecting the external terminals of the first chip and the test circuit of the second chip is cut off. in this way,
In a state of the semiconductor wafer before being separated into individual chips, a predetermined signal is supplied from an external terminal of the first chip to a test circuit of an adjacent second chip to set the second chip to a test mode. After the test, a signal is supplied from an external terminal of the first chip to a test circuit of the second chip,
Set the second chip to the user mode. Thereafter, the semiconductor wafer is separated into individual chips, thereby forming a first chip.
Since the wiring connecting the external terminal of the chip and the test circuit of the second chip is disconnected, the test circuit cannot be accessed, and the test circuit keeps the state of the user mode .

【0005】[0005]

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。図1は本発明の実施
の形態を示す半導体集積回路のブロック図である。図1
では、複数の半導体集積回路チップ1a,1b,1c,
1dが半導体ウェハ上に形成されたときの状態を示して
いる。
Next, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a block diagram of a semiconductor integrated circuit showing an embodiment of the present invention. FIG.
Then, a plurality of semiconductor integrated circuit chips 1a, 1b, 1c,
1d shows a state when it is formed on a semiconductor wafer.

【0006】同一構成の各チップには、自チップを製品
評価用のテストモードに設定するためのテスト回路2、
評価テスト用のROM(リードオンリメモリ)3、四則
演算又は論理演算などを行う演算回路及びアドレス又は
データを保持するレジスタ等の内部回路(不図示)が設
けられている。
A test circuit 2 for setting the chip to a test mode for product evaluation is provided in each chip having the same configuration.
An evaluation test ROM (read only memory) 3, an arithmetic circuit for performing four arithmetic operations or logical operations, and internal circuits (not shown) such as registers for holding addresses or data are provided.

【0007】さらに、各チップには、複数の外部端子
(パッド)が設けられている。これらの端子には、リセ
ット用の外部端子RST、隣接するチップのテスト回路
2にテストモード設定信号を供給するための外部端子
A,B,C、電源端子(不図示)、GND端子(不図
示)等がある。
Further, each chip is provided with a plurality of external terminals (pads). These terminals include an external terminal RST for reset, external terminals A, B, and C for supplying a test mode setting signal to the test circuit 2 of the adjacent chip, a power supply terminal (not shown), and a GND terminal (not shown). ).

【0008】テスト回路2は、不揮発性メモリセル(E
EPROMセル)11a,11b、セル11a,11b
の出力の論理演算を行う論理回路12、ゲート12の出
力に接続されたバッファ13から構成されている。そし
て、あるチップ内のEEPROMセル11a,11bの
ゲートは、隣接するチップの外部端子A,Bとそれぞれ
接続され、同EEPROMセル11a,11bのソース
は、該隣接チップの外部端子Cと接続されている。よっ
て、あるチップのテスト回路2へのテストモード設定信
号は、隣接するチップの外部端子A,B,Cから配線を
介して供給される。
The test circuit 2 includes a nonvolatile memory cell (E
EPROM cells) 11a, 11b, cells 11a, 11b
, And a buffer 13 connected to the output of the gate 12. The gates of the EEPROM cells 11a and 11b in a certain chip are connected to the external terminals A and B of the adjacent chip, respectively, and the sources of the EEPROM cells 11a and 11b are connected to the external terminal C of the adjacent chip. I have. Therefore, the test mode setting signal to the test circuit 2 of a certain chip is supplied from the external terminals A, B, and C of the adjacent chip via the wiring.

【0009】次に、このような半導体集積回路に対して
評価テストを実施する手順を説明する。ここでは、チッ
プ1cのテストを例にとって説明する。まず、チップ1
cの端子RSTにリセット信号を入力してROM3をリ
セットした後に、隣接するチップ1bの端子A,Bに0
Vを印加し、チップ1bの端子Cに高電圧(例えば、1
0V)を印加する。これにより、チップ1cのEEPR
OMセル11a,11bに「0」が書き込まれ、セル1
1a,11bの消去が行われる。
Next, a procedure for performing an evaluation test on such a semiconductor integrated circuit will be described. Here, a test of the chip 1c will be described as an example. First, chip 1
After the reset signal is input to the terminal RST of the chip c and the ROM 3 is reset, 0 is applied to the terminals A and B of the adjacent chip 1b.
V is applied, and a high voltage (for example, 1
0V). Thereby, the EEPR of the chip 1c
"0" is written in the OM cells 11a and 11b, and the cell 1
Erasure of 1a and 11b is performed.

【0010】続いて、チップ1bの端子Aに高電圧を印
加し、チップ1bの端子B,Cに0Vを印加する。これ
により、チップ1cのEEPROMセル11aに「1」
が書き込まれる。セル11aに書き込まれた値が
「1」、セル11bに書き込まれた値が「0」となった
ことにより、論理回路12の出力が「H」レベルとな
り、バッファ13の出力、すなわちテスト回路2の出力
である信号Tが「H」レベルとなる。
Subsequently, a high voltage is applied to terminal A of chip 1b, and 0V is applied to terminals B and C of chip 1b. As a result, "1" is stored in the EEPROM cell 11a of the chip 1c.
Is written. Since the value written to the cell 11a becomes "1" and the value written to the cell 11b becomes "0", the output of the logic circuit 12 becomes "H" level, and the output of the buffer 13, that is, the test circuit 2 Becomes the "H" level.

【0011】チップ1cのROM3は、信号Tが「H」
レベルとなってテストモードに設定されたことを認識す
ると、テストコード(命令)を出力する。テストコード
を受け取ったチップ1cの内部回路は、テストコードに
応じた処理を実行する。この実行結果は、チップ1cの
図示しない外部端子から試験装置に出力される。試験装
置は、受け取った実行結果に基づいてチップ1cを評価
する。こうして、製品評価テストが実施される。なお、
テストモードに設定した後のテストの方法については、
本実施の形態以外の方法でもよいことは言うまでもな
い。
In the ROM 3 of the chip 1c, the signal T is "H".
When it is recognized that the test mode has been set as the level, a test code (instruction) is output. The internal circuit of the chip 1c receiving the test code executes a process according to the test code. This execution result is output to a test device from an external terminal (not shown) of the chip 1c. The test device evaluates the chip 1c based on the received execution result. Thus, a product evaluation test is performed. In addition,
For information on how to test after setting to test mode,
It goes without saying that a method other than this embodiment may be used.

【0012】テスト終了後、チップ1bの端子A,Bに
0Vを印加し、チップ1bの端子Cに高電圧を印加し
て、チップ1cのEEPROMセル11a,11bに
「0」が書き込む。続いて、チップ1bの端子Bに高電
圧を印加し、チップ1bの端子A,Cに0Vを印加す
る。これにより、チップ1cのEEPROMセル11b
に「1」が書き込まれる。
After the test, 0V is applied to terminals A and B of chip 1b, a high voltage is applied to terminal C of chip 1b, and "0" is written to EEPROM cells 11a and 11b of chip 1c. Subsequently, a high voltage is applied to the terminal B of the chip 1b, and 0V is applied to the terminals A and C of the chip 1b. Thereby, the EEPROM cell 11b of the chip 1c
"1" is written to.

【0013】セル11aに書き込まれた値が「0」、セ
ル11bに書き込まれた値が「1」となったことによ
り、論理回路12の出力が「L」レベルとなり、信号T
が「L」レベルとなる。これで、テストモードが解除さ
れ、チップ1cはユーザモードに設定される。
Since the value written to the cell 11a becomes "0" and the value written to the cell 11b becomes "1", the output of the logic circuit 12 becomes "L" level and the signal T
Becomes the “L” level. Thus, the test mode is released, and the chip 1c is set to the user mode.

【0014】以上のような処理を各チップごとに行った
後、ダイシング工程、すなわち半導体ウェハを個々のチ
ップに分離する工程が実施されると、各チップのテスト
回路2と隣接チップの端子A,B,Cとを接続していた
配線が図2に示すように切断される。配線の切断によ
り、テスト回路2にアクセスすることができなくなるの
で、各チップはユーザモードに設定されたままの状態を
維持し、ユーザモード以外の誤った動作モードに設定さ
れることがなくなる。
After performing the above-described processing for each chip, a dicing step, ie, a step of separating a semiconductor wafer into individual chips, is performed. When the test circuit 2 of each chip and the terminals A, The wiring connecting B and C is cut as shown in FIG. Since the test circuit 2 cannot be accessed due to the disconnection of the wiring, each chip maintains the state set in the user mode, so that an erroneous operation mode other than the user mode is not set.

【0015】なお、チップの分離後、EEPROMセル
11a,11bはユーザモード設定値を保持しているの
で、パッドDの状態を調べることで、そのチップがユー
ザモードになっているか否かを確認することができる。
また、本実施の形態では、EEPROMセルを11a,
11bからなる2ビットで構成しているが、2ビット以
外の構成でもよい。また、本実施の形態では、1チップ
ずつテストを実施しているが、複数のチップを同時にテ
ストしてもよいことは言うまでもない。
After the chip is separated, the EEPROM cells 11a and 11b hold the user mode set value. Therefore, the state of the pad D is checked to determine whether the chip is in the user mode. be able to.
In this embodiment, the EEPROM cells are 11a,
Although the configuration is made up of two bits of 11b, a configuration other than two bits may be used. In the present embodiment, the test is performed one chip at a time, but it goes without saying that a plurality of chips may be tested simultaneously.

【0016】[0016]

【発明の効果】本発明によれば、テスト終了後のチップ
の分離により、第1のチップの外部端子と第2のチップ
のテスト回路を接続していた配線が切断されるため、テ
スト回路にアクセスすることができなくなり、テスト回
路はユーザモードの状態に固定される。したがって、ユ
ーザの誤った操作により、ユーザモード以外の予期しな
い動作モードに設定されてしまうことがなくなるので、
テスト回路の誤った操作による誤動作を防止することが
できる。
According to the present invention, the separation between the external terminals of the first chip and the test circuit of the second chip is cut off by the separation of the chip after the completion of the test. The test circuit cannot be accessed, and the test circuit is fixed in the user mode. Therefore, an unexpected operation mode other than the user mode is not set by an erroneous operation of the user,
Malfunction due to erroneous operation of the test circuit can be prevented.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の実施の形態を示す半導体集積回路の
ブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram of a semiconductor integrated circuit showing an embodiment of the present invention.

【図2】 分離後の各チップの様子を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a state of each chip after separation.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1a、1b、1c、1d…半導体集積回路チップ、2…
テスト回路、3…ROM、11a、11b…不揮発性メ
モリセル、12…論理回路、13…バッファ、A、B、
C、D…外部端子、T…テスト信号、RST…外部端子
(リセット端子)。
1a, 1b, 1c, 1d ... semiconductor integrated circuit chip, 2 ...
Test circuit, 3 ROM, 11a, 11b nonvolatile memory cell, 12 logic circuit, 13 buffer, A, B,
C, D: external terminal, T: test signal, RST: external terminal (reset terminal).

フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/822 H01L 27/04 Continuation of the front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) H01L 21/822 H01L 27/04

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 評価用のテストモードに設定するテスト
回路を備えた、半導体ウェハ上の各チップに対し、前記
テスト回路を用いてテストモードに設定し評価テストを
実施する半導体集積回路のテスト方法において、 半導体ウェハを個々のチップに分離する前に、第1のチ
ップの外部端子から隣接する第2のチップのテスト回路
へ所定の信号を供給して、第2のチップをテストモード
に設定し、 テスト終了後、前記第1のチップの外部端子から前記第
2のチップのテスト回路へ所定の信号を供給して、前記
第2のチップのテストモードを解除してユーザモードに
設定した後に、前記半導体ウェハを個々のチップに分離
することにより、第1のチップの外部端子と第2のチッ
プのテスト回路を接続していた配線が切断されることを
特徴とする半導体集積回路のテスト方法
1. A test method for a semiconductor integrated circuit, comprising: a test circuit for setting an evaluation test mode; and for each chip on a semiconductor wafer, a test mode is set using the test circuit and an evaluation test is performed. In the method, before a semiconductor wafer is separated into individual chips, a predetermined signal is supplied from an external terminal of the first chip to a test circuit of an adjacent second chip to set the second chip to a test mode. After the test is completed , the external terminal of the first chip is connected to the second terminal.
A predetermined signal is supplied to the test circuit of the second chip,
Cancel the test mode of the second chip and enter the user mode
After setting, the semiconductor wafer is separated into individual chips
A method of testing a semiconductor integrated circuit, characterized in that the wiring connecting the external terminal of the first chip and the test circuit of the second chip is cut .
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