JP3271817B2 - Optical scanning device - Google Patents

Optical scanning device

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JP3271817B2
JP3271817B2 JP06432793A JP6432793A JP3271817B2 JP 3271817 B2 JP3271817 B2 JP 3271817B2 JP 06432793 A JP06432793 A JP 06432793A JP 6432793 A JP6432793 A JP 6432793A JP 3271817 B2 JP3271817 B2 JP 3271817B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は光走査装置、より詳細
には半導体レーザーアレイを光源として用い1度に複数
ラインを光走査できる光走査装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical scanning device, and more particularly to an optical scanning device capable of optically scanning a plurality of lines at a time using a semiconductor laser array as a light source.

【0002】[0002]

【従来の技術】「半導体レーザーアレイ」は、複数の微
小なレーザー光源を1列方向に等間隔で配列したモノリ
シックな光源素子として知られている。半導体レーザー
アレイにおける複数のレーザー光源から放射される各レ
ーザー光束は、互いに独立して強度変調が可能であるこ
とから、これを光源として用いることにより「複数ライ
ンを1度に光走査」する方式の光走査装置が提案されて
いる(特公昭60−33019号公報)。
2. Description of the Related Art A "semiconductor laser array" is known as a monolithic light source element in which a plurality of minute laser light sources are arranged at equal intervals in a row direction. Since each laser beam emitted from a plurality of laser light sources in a semiconductor laser array can be intensity-modulated independently of each other, a method of "optical scanning a plurality of lines at once" by using this as a light source. An optical scanning device has been proposed (JP-B-60-33019).

【0003】半導体レーザーアレイにおける各レーザー
光源の間隔は小さいため、複数のレーザー光源からの光
束は共通した光偏向器による偏向、共通した結像光学系
による結像が可能であるが、光源が複数であるためレー
ザー光源の内の1以上は副走査対応方向(光源から被走
査面に到る光路を光軸に沿って展開した直線状の仮想的
な光路を想定し、この仮想的な光路上で副走査方向と平
行的に対応する方向をいう。また上記光路上で主走査方
向に平行的に対応する方向を主走査対応方向と呼ぶ)に
おいて、「結像光学系の光軸を離れた位置」に位置する
ことになり、このように、結像光学系の光軸からずれた
レーザー光源からのレーザー光束による光スポットの被
走査面上における軌跡、即ち「走査線」が直線とならず
曲線を描く、所謂「走査線の曲がり」が発生する。
Since the distance between laser light sources in a semiconductor laser array is small, light beams from a plurality of laser light sources can be deflected by a common optical deflector and imaged by a common imaging optical system. Therefore, at least one of the laser light sources is assumed to have a linear virtual optical path developed along the optical axis from an optical path extending from the light source to the surface to be scanned along the sub-scanning direction. Means a direction parallel to the sub-scanning direction. A direction parallel to the main scanning direction on the optical path is called a main scanning corresponding direction). In this manner, the trajectory of the light spot on the surface to be scanned by the laser beam from the laser light source shifted from the optical axis of the imaging optical system, that is, the `` scanning line '' is not a straight line. Draw a curve, so-called The bending of the scanning line "occurs.

【0004】走査線の曲がりが発生すると一般には、隣
接する走査線間の距離が光スポットの像高とともに変化
することになり、このような状況で光走査による光書込
みを行うと、書込み記録された画像に「濃度むら」が現
れる。
In general, when a scanning line is bent, the distance between adjacent scanning lines changes with the image height of a light spot. In such a situation, when optical writing by optical scanning is performed, writing and recording are performed. "Density unevenness" appears in the image.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】この発明は上述した事
情に鑑みてなされたものであって、上記走査線の曲がり
に起因する光走査の不全を有効に軽減できる新規な光走
査装置の提供を目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned circumstances, and provides a novel optical scanning device capable of effectively reducing the insufficiency of optical scanning caused by the above-described bending of the scanning line. Aim.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】この発明の光走査装置
は、「半導体レーザーアレイからのn(>1)本の光束
を共通の光偏向手段により偏向させ、共通の結像光学系
により被走査面上にn個の光スポットとして集光させて
1度にnラインの光走査を行う」光走査装置であって、
以下の点を特徴とする。
According to an optical scanning apparatus of the present invention, "n (> 1) light beams from a semiconductor laser array are deflected by a common light deflecting means and scanned by a common imaging optical system. Optical scanning of n lines at a time by condensing as n light spots on a surface "
The features are as follows.

【0007】即ち、半導体レーザーアレイは、「発光部
の配列方向を副走査対応方向に対して傾き角:θで傾
け」て配備される。この傾き角:θは、「被走査面上に
おけるn個の光スポットの軌跡をli(i=1〜n)と
するとき、隣接する軌跡:li,li+1の間の間隔:Psi
(i=1〜n−1)の有効主走査領域における平均:P
siaが、i=1〜n−1に就き互いに等しい所定の値と
なる」ように設定される。
In other words, the semiconductor laser array is arranged such that the direction of arrangement of the light emitting sections is inclined at an inclination angle θ with respect to the sub-scanning corresponding direction. The inclination angle: theta is "when the trajectories of n optical spot on the scanned plane l i (i = 1~n), adjacent loci: l i, the spacing between the l i + 1: P si
Average in the effective main scanning area of (i = 1 to n-1): P
sia is a predetermined value that is equal to each other for i = 1 to n−1 ”.

【0008】ここに、平均:Psiaは、厳密には、光ス
ポットの主走査方向における像高位置をz、有効主走査
領域の長さをZ0とするとき、 Psia={∫Psi(z)dz}/Z0 で定義されるが、後述する実施例におけるように、適当
に選択された複数の像高位置:Zj(j=1〜m)における
間隔:Psi(Zj)の平均、即ち、{ΣPsi(Zj)}/m(和は
添字:jに就き1からmまで取る)を用いてもよい。
[0008] Here, the average: P sia is strictly, when the image height position in the main scanning direction of the light spot z, the length of the effective main scanning region and Z 0, P sia = {∫P si (z) Defined by dz 0 / Z 0 , but as in the embodiment described later, the interval: P si (Zj) at a plurality of appropriately selected image height positions: Zj (j = 1 to m) An average, that is, {ΣP si (Zj)} / m (the sum takes a subscript: j and takes 1 to m) may be used.

【0009】被走査面上におけるn個の光スポットの軌
跡:li(i=1〜n)は、副走査方向において、基準
走査線に対し対称的となるように設定されることが望ま
しい(請求項2)。「基準走査線」は、主光線が結像光
学系の光軸に合致する仮想的な光束により被走査面が理
想的に走査されるときの走査線で直線である。
The trajectories of n light spots on the surface to be scanned: l i (i = 1 to n) are desirably set to be symmetrical with respect to the reference scanning line in the sub-scanning direction ( Claim 2). The “reference scanning line” is a scanning line that is a straight line when the scanned surface is ideally scanned by a virtual light beam whose principal ray coincides with the optical axis of the imaging optical system.

【0010】この発明の光走査装置は、光走査領域へと
向かう偏向光束を検出して光走査の同期をとるための同
期光検出部が、「副走査対応方向に分離したn本の偏向
光束を受光できる光センサー」を有するように構成する
ことができる(請求項3)。
According to the optical scanning device of the present invention, the synchronous light detecting section for detecting the deflection light beam heading to the optical scanning area and synchronizing the optical scanning is composed of "n deflection light beams separated in the sub-scanning corresponding direction". (A third aspect of the present invention).

【0011】[0011]

【作用】図2は、この発明を適用した光走査装置の1例
を要部のみ略示している。符号1は光源を示す。光源1
は光源素子として半導体レーザーアレイを用いたもので
ある。光源素子に用いられた半導体レーザーアレイは、
図1(b)に符号10で示すように、複数の微小なレー
ザー光源20を1方向(図のy方向)に等間隔で配列し
たモノリシックなものであって、各レーザー光源20か
ら放射される発散性のレーザー光束はその強度が各レー
ザー光源ごとに独立して強度変調可能である。放射され
る各レーザー光束のファーフィールドパターンは、図示
のようにレーザー光源20の配列方向(y方向)を短軸
方向とする楕円形状である。
FIG. 2 schematically shows only an essential part of an example of an optical scanning apparatus to which the present invention is applied. Reference numeral 1 indicates a light source. Light source 1
Uses a semiconductor laser array as a light source element. The semiconductor laser array used for the light source element is
As shown by reference numeral 10 in FIG. 1B, a plurality of minute laser light sources 20 are monolithically arranged at regular intervals in one direction (the y direction in the figure), and are emitted from each laser light source 20. The intensity of the divergent laser beam can be intensity-modulated independently for each laser light source. The far field pattern of each emitted laser beam has an elliptical shape with the minor axis direction being the arrangement direction (y direction) of the laser light sources 20 as illustrated.

【0012】図2に戻ると、光源1からの複数のレーザ
ー光束はコリメートレンズ2により平行光束化され、ア
パーチュア9により光束径を規制されたのちシリンダー
レンズ3に入射する。シリンダーレンズ3は副走査対応
方向にのみ正のパワーを有し、上記複数のレーザー光束
をそれぞれ副走査対応方向にのみ収束させ、主走査対応
方向に長い線像に結像させる。
Returning to FIG. 2, a plurality of laser beams from the light source 1 are converted into parallel beams by the collimator lens 2, and the beam diameter is regulated by the aperture 9 before being incident on the cylinder lens 3. The cylinder lens 3 has a positive power only in the sub-scanning corresponding direction, and converges the plurality of laser beams only in the sub-scanning corresponding direction to form a line image long in the main scanning corresponding direction.

【0013】これら複数の線像の結像位置の近傍に偏向
反射面4Aを有する回転多面鏡である光偏向手段4は、
上記複数のレーザー光束を同時に反射・偏向させる。光
偏向手段4による複数のレーザー光束は、光走査用レン
ズ5および補正レンズ6を透過し、光路折り曲げミラー
8により光路を折り曲げられ、光導電性の感光体7上に
複数の光スポットとして集光する。感光体7の表面は被
走査面に合致する。
The light deflecting means 4 which is a rotary polygon mirror having a deflecting / reflecting surface 4A near the image forming positions of these line images is
The plurality of laser beams are simultaneously reflected and deflected. The plurality of laser beams by the light deflecting unit 4 are transmitted through the optical scanning lens 5 and the correction lens 6, the optical path is bent by the optical path bending mirror 8, and condensed on the photoconductive photoreceptor 7 as a plurality of light spots. I do. The surface of the photoconductor 7 matches the surface to be scanned.

【0014】光偏向手段4により、複数の光束を同時に
偏向させれば、上記複数の光スポットにより複数ライン
が1度に走査される。換言すると、半導体レーザーアレ
イからの複数の光束は共通の光偏向手段4により偏向さ
れ、共通の結像光学系(コリメートレンズ2とシリンダ
ーレンズ3と光走査用レンズ5および補正レンズ6によ
り構成される)により被走査面上に複数の光スポットと
して集光され、複数ラインを1度に光走査する。
When a plurality of light beams are simultaneously deflected by the light deflecting means 4, a plurality of lines are scanned at once by the plurality of light spots. In other words, a plurality of light beams from the semiconductor laser array are deflected by the common light deflecting means 4 and are constituted by a common imaging optical system (a collimating lens 2, a cylinder lens 3, an optical scanning lens 5, and a correction lens 6). ) Collects light spots on the surface to be scanned as a plurality of light spots, and optically scans a plurality of lines at once.

【0015】上記結像光学系は、一般には副走査対応方
向に拡大倍率を有するため、半導体レーザーアレイ10
(図1(b))におけるレーザー光源20の配列方向
を、副走査対応方向に対応させると、レーザー光源20
の配列ピッチ:P0を、上記拡大倍率で拡大したものが
光走査の走査線ピッチとなり、この場合の走査線ピッチ
は一般には大き過ぎることになる。
Since the above-mentioned imaging optical system generally has an enlargement magnification in the direction corresponding to the sub-scanning, the semiconductor laser array 10
If the arrangement direction of the laser light sources 20 in FIG. 1B corresponds to the sub-scanning corresponding direction,
Arrangement pitch of: the P 0, which was enlarged by the magnification becomes the scanning line pitch of the optical scanning, the scanning line pitch in this case is that generally too large to.

【0016】そこで、通常は図1(c)に示すように、
半導体レーザーアレイ10のレーザー光源20の配列方
向を、副走査対応方向:Xに対し、傾き角:θだけ傾け
て配列する。このようにすると、レーザー光源20の副
走査対応方向における配列ピッチは、P0・sinθと
なり、傾き角:θを調整することにより所望の走査線ピ
ッチを得ることができる。
Therefore, usually, as shown in FIG.
The arrangement direction of the laser light sources 20 of the semiconductor laser array 10 is inclined with respect to the sub-scanning corresponding direction: X by an inclination angle: θ. In this way, the arrangement pitch of the laser light sources 20 in the sub-scanning corresponding direction is P 0 · sin θ, and a desired scanning line pitch can be obtained by adjusting the inclination angle: θ.

【0017】このように、半導体レーザーアレイ10を
副走査対応方向に対して傾けたことに対応し、図1
(d)に示すように、被走査面上に形成される複数の光
スポットSPは主走査方向:X0へ互いにずれる。従っ
て、光走査により光書込みを行うときは、光スポットご
とに光走査開始のタイミングをずらし、各光スポットに
よる光走査が同一の光走査領域を光走査するようにす
る。
As described above, when the semiconductor laser array 10 is inclined with respect to the sub-scanning corresponding direction, FIG.
(D), the plurality of light spots SP in the main scanning direction is formed on the surface to be scanned: offset from each other to X 0. Therefore, when performing optical writing by optical scanning, the timing of starting optical scanning is shifted for each optical spot so that optical scanning by each optical spot optically scans the same optical scanning area.

【0018】上述のように、図1(c)の如く副走査対
応方向に対して、傾き角:θで傾けた半導体レーザーア
レイ10における、副走査対応方向におけるレーザー光
源の配列ピッチ:PLSはP0・sinθであるが、この
とき被走査面上における走査線ピッチ:PSは、図2に
おけるコリメートレンズ2の焦点距離:fC、シリンダ
ーレンズ3の副走査対応方向における焦点距離:fCY
光走査用レンズ5および補正レンズ6の合成系における
副走査対応方向の横倍率:βを用いて、 PLS=fC・PS/(fCY・β) (1) となる。
[0018] As described above, the sub-scanning corresponding direction as in FIG. 1 (c), the tilt angle: the semiconductor laser array 10 is inclined at theta, the arrangement pitch of the laser light source in the sub-scanning direction: P LS is Although P is a 0 · sin [theta, scan line pitch in this case the surface to be scanned on: P S is the focal length of the collimator lens 2 in FIG. 2: f C, the focal length in the sub-scanning direction of the cylindrical lens 3: f CY ,
Sub-scanning direction lateral magnification at the combined system of the optical scanning lens 5 and the correcting lens 6: using a beta, the / P LS = f C · P S (f CY · β) (1).

【0019】しかし、前述した「走査線の曲がり」によ
り、被走査面を走査する各光スポットの軌跡は、図1
(a)に示すように曲線となり、設計上の走査線ピッ
チ:PLSは「特定の像高」においてのみ達成されるに過
ぎず、隣接する光スポットの軌跡の間隔は光スポットの
像高とともに変化してしまう。
However, the trajectory of each light spot that scans the surface to be scanned due to the above-mentioned "bending of the scanning line" is shown in FIG.
As shown in (a), the curve becomes a curve, and the designed scanning line pitch: P LS is achieved only at a “specific image height”, and the interval between the trajectories of adjacent light spots increases with the image height of the light spot. Will change.

【0020】発明者の研究により、半導体レーザーアレ
イにおけるレーザー光源の配列方向の副走査対応方向に
対する傾き角:θを調整することにより、被走査面上に
おける複数の光スポットの、隣接する軌跡:li,li+1
の間の間隔:Psi(i=1〜n−1)の有効主走査領域に
おける平均:Psia(図のPsi(Zj)を用いて、前述の{Σ
si(Zj)}/mで与えられる)がi=1〜n−1に就き
互いに等しい所定の値:PSとなることが見出された。
By adjusting the inclination angle θ of the arrangement direction of the laser light sources in the semiconductor laser array with respect to the sub-scanning direction by the research of the inventor, the adjacent trajectories of a plurality of light spots on the surface to be scanned: l i , l i + 1
, The average of P si (i = 1 to n−1) in the effective main scanning area: P sia (using P si (Zj) in FIG.
P si (Zj)} / m) is found to be a predetermined value: P S equal to each other for i = 1 to n−1.

【0021】このように、上記平均:Psiaが所定の
値:PSに等しくなるようにすると、各光スポットによ
る走査線同志の間隔の変動が平均値:PSを中心として
均等に発生するため、各光スポットによる走査線のピッ
チが設計上の値:PSに最も近い状態を実現できる。
[0021] Thus, the above average: P sia predetermined value: if set to be equal to P S, variation average value of interval between the scanning lines comrades by each light spot: uniformly generate about the P S Therefore, it is possible to realize a state where the pitch of the scanning line by each light spot is closest to the designed value: P S.

【0022】また被走査面上における各走査線は、図1
(a)に示すように、基準走査線に対して対称的となる
ようにするのがよい。図の例では走査線が4本と偶数本
であり、これらは基準走査線の副走査方向における両側
に2本ずつ対称的に設定されている。走査線が奇数本の
場合には、中央の1本を基準走査線に合致させ、残りを
基準走査線の両側に対称的に割り振ればよい。このよう
にすると、各走査線に対応するレーザー光源の結像光学
系光軸からのずれを最小にできるので、走査線曲がりの
影響を最も小さくできる。
Each scanning line on the surface to be scanned is shown in FIG.
As shown in (a), it is preferable that the image is symmetric with respect to the reference scanning line. In the illustrated example, the number of scanning lines is four and the number of scanning lines is even, and these are symmetrically set to two on both sides of the reference scanning line in the sub-scanning direction. When the number of scanning lines is an odd number, it is sufficient that one central line is matched with the reference scanning line, and the other is symmetrically allocated to both sides of the reference scanning line. In this way, the deviation of the laser light source corresponding to each scanning line from the optical axis of the imaging optical system can be minimized, so that the influence of the scanning line bending can be minimized.

【0023】[0023]

【実施例】以下、具体的な実施例を説明する。図2に示
す如き構成の光走査装置で、光源1として、図1(b)
に示すようなレーザー発光部20が4個、1列等間隔に
配列した半導体レーザーアレイ10を用いた(図1
(b)参照)。レーザー光源20の配列ピッチ:P0
100μmである。
EXAMPLES Specific examples will be described below. In the optical scanning device having the configuration as shown in FIG.
A semiconductor laser array 10 in which four laser light emitting units 20 as shown in FIG.
(B)). The arrangement pitch P 0 of the laser light sources 20 is 100 μm.

【0024】光走査用レンズ5および補正レンズ6に関
し、光源側から数えて、第i番目のレンズ面の曲率半径
を、主走査対応方向につきRpi、副走査対応方向につ
きRsi(i=1〜8)、第i番目と第i+1番目のレ
ンズ面の光軸上の面間隔をDi(i=1〜7)、光源側
から数えて第j番目のレンズの材質の屈折率をNjで表
す。光偏向手段に於ける偏向の起点から光走査用レンズ
5の偏向反射面側のレンズ面に到る光軸上の距離:d0
は、光走査用レンズ5の焦点距離を100として、d0
=16.108である。
Regarding the optical scanning lens 5 and the correction lens 6, counting from the light source side, the radius of curvature of the i-th lens surface is Rpi in the main scanning corresponding direction and Rsi (i = 1 to 8) in the sub-scanning direction. ), The distance between the i-th and (i + 1) -th lens surfaces on the optical axis is represented by Di (i = 1 to 7), and the refractive index of the material of the j-th lens is represented by Nj counted from the light source side. Distance on the optical axis from the starting point of deflection in the light deflecting means to the lens surface on the deflection reflecting surface side of the optical scanning lens 5: d 0
Is given as d 0 with the focal length of the optical scanning lens 5 as 100.
= 16.108.

【0025】 i Rpi Rsi Di j Nj 1 −18.156 −18.156 0.709 1 1.58205 2 −119.288 −119.288 0.661 3 −76.551 −76.551 5.341 2 1.59670 4 −22.922 −22.922 3.106 5 1109.007 1109.007 6.847 3 1.59670 6 −48.483 −48.483 7 −537.779 17.079 1.200 4 1.57219 8 ∞ ∞ コリメートレンズ2の焦点距離:fc=10.800、
シリンダーレンズ3の副走査対応方向の焦点距離:fCY
=402.449である。また、光走査用レンズ5と補
正レンズ6の副走査対応方向における横倍率:β=−
0.500であり、光偏向手段4による有効偏向角:2
ω=75.2度である。勿論、4つのレーザー光源によ
る4本の走査線が、図1(a)に示すように、基準走査
線の両側に2本づつ互いに対称となるように半導体レー
ザーアレイと走査光学系光軸との位置関係を定めた。
I Rpi Rsi Dij Nj 1 -18.156 -18.156 0.709 1 1.58205 2 -119.288 -119.288 0.661 3 -76.551 -76.551 5.341 2 1.59670 4 -22.922 -22.922 3.106 5 1109.007 1109.007 6.847 3 1.59690 6 -48.483 -48.483 7-537.779 17.079 1.200 4 1.57219 8 ∞ ∞ focal length of the collimating lens 2: f c = 10.800,
Focal length of cylinder lens 3 in the direction corresponding to sub-scanning: f CY
= 402.449. Further, the lateral magnification of the optical scanning lens 5 and the correction lens 6 in the sub-scanning corresponding direction: β = −
0.500, and the effective deflection angle by the light deflection means 4 is 2
ω = 75.2 degrees. Of course, as shown in FIG. 1 (a), the four scanning lines by the four laser light sources are symmetrical to each other on both sides of the reference scanning line by two, so that the semiconductor laser array and the scanning optical system optical axis are aligned. The positional relationship was determined.

【0026】副走査方向における光走査密度を800d
piに設定すると被走査面上における走査線のピッチ
は、31.75μmとなる。前述の(1)式により、こ
のときのレーザー光源の副走査対応方向の配列ピッチ:
LSを求めると、PLS=1.704μmとなるが、これ
は設計上の話であって、走査線の曲がりを考慮しておら
ず、この値で実際に光走査を行うと隣接走査線間の間隔
の平均:Psiaは31.75μmとはならない。
The light scanning density in the sub-scanning direction is 800d
When set to pi, the pitch of the scanning lines on the surface to be scanned is 31.75 μm. According to the above equation (1), the arrangement pitch of the laser light sources in the sub-scanning corresponding direction at this time:
When P LS is obtained, P LS = 1.704 μm, which is a matter of design, and does not take into account the bending of the scanning line. the average spacing between: P sia is not a 31.75μm.

【0027】半導体レーザーアレイ10における傾き
角:θを調整し、上記PLSが1.671μmとすると、
隣接走査線間の間隔の平均:Psiaは31.75μmと
なる。複数の像高を偏向角で示したときの各像高におけ
る隣接走査線の間隔:Psi(Zj)(単位:μm)を以下に
示す。
The inclination angle of the semiconductor laser array 10: Adjust theta, when the P LS is the 1.671Myuemu,
Average spacing between adjacent scan lines: P sia becomes 31.75Myuemu. When a plurality of image heights are indicated by deflection angles, the distance between adjacent scanning lines at each image height: P si (Zj) (unit: μm) is shown below.

【0028】 像高(偏向角:単位:度) PS1(Zj) PS2(Zj) PS3(Zj) 37.6 32.6 32.6 32.6 36.6 32.58 32.58 32.58 32.0 32.4 32.4 32.4 27.0 32.13 32.12 32.13 23.0 31.89 31.88 31.89 18.4 31.63 31.62 31.63 13.8 31.39 31.38 31.39 9.2 31.19 31.18 31.19 4.6 31.04 31.04 31.04 0.0 30.96 30.96 30.96 −4.6 30.95 30.94 30.95 −9.2 31.01 31.00 31.01 −13.8 31.14 31.14 31.14 −18.4 31.34 31.34 31.34 −23.0 31.61 31.60 31.61 −27.0 31.92 31.92 31.92 −32.0 32.26 32.26 32.26 −36.6 32.59 32.60 32.59 −37.9 32.65 32.66 32.65 {ΣPsi(Zj)}/m(Psia) 31.75 31.75 31.75。Image height (deflection angle: unit: degree) P S1 (Zj) P S2 (Zj) P S3 (Zj) 37.6 32.6 32.6 32.6 36.6 32.58 32.58 32 .58 32.0 32.4 32.4 32.4 27.0 32.13 32.12 32.13 23.0 31.89 31.88 31.89 18.4 31.63 31.62 31.63 13.8 31.39 31.38 31.39 9.2 31.19 31.18 31.19 4.6 31.04 31.04 31.04 0.0 30.96 30.96 30.96 -4 6.6 30.95 30.94 30.95 -9.2 31.01 31.00 31.01-13.8 31.14 31.14 31.14 -18.4 31.34 31.34 31.34 −23.0 31.61 31.60 31.61 −27 0 31.92 31.92 31.92 -32.0 32.26 32.26 32.26-36.6 32.59 32.60 32.59-37.9 32.65 32.66 32.65 { {P si (Zj)} / m (P sia ) 31.75 31.75 31.75.

【0029】半導体レーザーアレイの傾き角:θを調整
するのに以下の如き方法を用いた。即ち、図2に示すよ
うに、光偏向器4により偏向されて光走査部へと向かう
4本のレーザー光束をミラー100で折り返し、補正レ
ンズ6と等価なシリンダーレンズ100を介して、CC
Dラインセンサー103上に、各レーザー光束が被走査
面上におけると等価の状態で光スポットを形成するよう
にした。
The following method was used to adjust the inclination angle θ of the semiconductor laser array. That is, as shown in FIG. 2, four laser beams deflected by the optical deflector 4 and directed to the optical scanning unit are turned back by the mirror 100, and transmitted through the cylinder lens 100 equivalent to the correction lens 6.
Each laser beam forms a light spot on the D-line sensor 103 in a state equivalent to that on the surface to be scanned.

【0030】光走査装置の光学配置が定まった状態では
半導体レーザーの傾き角が定まると各レーザー光束によ
る走査線の状態は1義的に定まるから、上記の如くP
siaが31.75となるように傾き角を定めた状態で
は、CCDラインセンサー103の位置における、Psi
(Zj)も1義的に定まる。
In the state where the optical arrangement of the optical scanning device is fixed, when the inclination angle of the semiconductor laser is determined, the state of the scanning line by each laser beam is uniquely determined.
In a state where the tilt angle is determined so that sia becomes 31.75, P si at the position of the CCD line sensor 103 is determined.
(Zj) is also uniquely determined.

【0031】そこで、このことを利用して、半導体レー
ザーアレイの傾き角:θの調整を行った。即ち、CCD
ラインセンサー103の出力を微分回路で処理して光分
布信号に変換し、これをオシロスコープ上に表示する
と、図3に示すような、各光スポットに対応するピーク
が得られるので、これらピークの間隔:dが所定の大き
さとなるように、半導体レーザーアレイの傾き角:θを
調整するのである。
Therefore, utilizing this fact, the inclination angle θ of the semiconductor laser array was adjusted. That is, CCD
When the output of the line sensor 103 is processed by a differentiating circuit and converted into a light distribution signal, and displayed on an oscilloscope, peaks corresponding to each light spot as shown in FIG. 3 are obtained. : D is adjusted so as to have a predetermined size.

【0032】なお、ミラー100,シリンダーレンズ1
00,CCDラインセンサー103は光走査中は光走査
の同期をとるための同期光検出部100として用いられ
る。
The mirror 100 and the cylinder lens 1
00, the CCD line sensor 103 is used as a synchronous light detecting unit 100 for synchronizing optical scanning during optical scanning.

【0033】[0033]

【発明の効果】以上のように、この発明によれば新規な
光走査装置を提供できる。この光走査装置は上述の如く
に構成されているから、複数の光スポットによる走査線
相互の間隔の変動が極めて小さく、従って良好な光走査
を実現できる。
As described above, according to the present invention, a novel optical scanning device can be provided. Since this optical scanning device is configured as described above, the fluctuation of the interval between the scanning lines due to the plurality of light spots is extremely small, so that good optical scanning can be realized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明の特徴部分を説明するための図であ
る。
FIG. 1 is a diagram for explaining a characteristic portion of the present invention.

【図2】この発明を適用した光走査装置の光学配置を示
す図である。
FIG. 2 is a diagram showing an optical arrangement of an optical scanning device to which the present invention is applied.

【図3】請求項3記載の発明の実施例を特徴部分のみ説
明するための図である。
FIG. 3 is a diagram for explaining only the characteristic portion of the embodiment of the invention described in claim 3;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 半導体レーザーアレイ 20 レーザー光源 SP 光スポット θ 傾き角 l1,l2,l3,l4 光スポットの軌跡(走査線) Psi(Zj) 隣接する走査線の間隔10 semiconductor laser array 20 laser light source SP beam spot θ tilt angle l 1, l 2, l 3 , distance l 4 light spot locus (scanning line) P si (Zj) adjacent scan lines

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】半導体レーザーアレイからのn(>1)本
の光束を共通の光偏向手段により偏向させ、共通の結像
光学系により被走査面上にn個の光スポットとして集光
させて1度にnラインの光走査を行う光走査装置であっ
て、 半導体レーザーアレイにおける発光部の配列方向を副走
査対応方向に対して傾き角:θで傾けて配備し、 被走査面上におけるn個の光スポットの軌跡をli(i
=1〜n)とするとき、隣接する軌跡:li,li+1の間
の間隔:Psi(i=1〜n−1)の有効主走査領域にお
ける平均Psiaが、i=1〜n−1に就き互いに等しい
所定の値となるように、上記傾き角:θを設定したこと
を特徴とする光走査装置。
1. A method in which n (> 1) light beams from a semiconductor laser array are deflected by a common light deflecting means and condensed as n light spots on a surface to be scanned by a common imaging optical system. An optical scanning device for performing n-line optical scanning at a time, wherein an arrangement direction of light-emitting units in a semiconductor laser array is arranged at an inclination angle of θ with respect to a sub-scanning corresponding direction, and n on a surface to be scanned. L i (i
= 1 to n), the average P sia in the effective main scanning area of the interval between adjacent trajectories: l i , l i + 1 : P si (i = 1 to n−1) is i = 1 An optical scanning device characterized in that the inclination angle: θ is set so as to have predetermined values equal to each other with respect to .about.n-1.
【請求項2】請求項1記載の光走査装置において、 被走査面上におけるn個の光スポットの軌跡:li(i
=1〜n)が、副走査方向において、基準走査線に対し
対称的となるように設定されることを特徴とする光走査
装置。
2. The optical scanning device according to claim 1, wherein a locus of n light spots on the surface to be scanned: l i (i
= 1 to n) are set symmetrically with respect to the reference scanning line in the sub-scanning direction.
【請求項3】請求項1または2記載の光走査装置におい
て、 光走査領域へと向かう偏向光束を検出して、光走査の同
期をとるための同期光検出部が、副走査対応方向に分離
したn本の偏向光束を受光できる光センサーを有するこ
とを特徴とする光走査装置。
3. The optical scanning device according to claim 1, wherein a synchronous light detecting section for detecting a deflecting light beam directed to the optical scanning area and synchronizing the optical scanning is separated in the sub-scanning corresponding direction. An optical scanning device comprising an optical sensor capable of receiving the n deflected light beams.
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