JP3270904B2 - Infrared remote control sensor - Google Patents

Infrared remote control sensor

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JP3270904B2
JP3270904B2 JP35649692A JP35649692A JP3270904B2 JP 3270904 B2 JP3270904 B2 JP 3270904B2 JP 35649692 A JP35649692 A JP 35649692A JP 35649692 A JP35649692 A JP 35649692A JP 3270904 B2 JP3270904 B2 JP 3270904B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、赤外光を用いて遠隔制
御等を行う赤外線リモートコントロール装置において、
赤外光の受光装置として用いられる赤外線リモートコン
トロールセンサに関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an infrared remote control device for performing remote control or the like using infrared light.
Infrared remote control used as an infrared light receiving device
It relates to a troll sensor .

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、リモートコントロール装置として
は電波を用いたリモートコントロール装置、超音波を用
いたリモートコントロール装置や赤外光を用いたリモー
トコントロール装置等が知られている。このうち、電波
を用いたリモートコントロール装置は都市雑音の影響が
大きいことや指向性を持たせるのが困難であること、さ
らに秘匿性を保つことが困難であると共に電波法の規正
を受けてその取り扱いが困難である等の欠点を有してい
た。又、超音波を用いたリモートコントロール装置も都
市雑音の影響が大きいことや風によって指向性が変化し
てしまう等の欠点を有していた。
Conventionally, the remote control device using radio waves as a remote control device, remote with remote controller and infrared light using ultrasonic
Control devices and the like are known. Of these, remote control devices that use radio waves are subject to the effects of urban noise, are difficult to provide directivity, and are difficult to maintain confidentiality. It had disadvantages such as difficulty in handling. In addition, the remote control device using ultrasonic waves also has disadvantages such as a large influence of city noise and a change in directivity due to wind.

【0003】このため、一般的なリモートコントロール
置としては都市雑音の影響を受けにくく、簡易な構成
で所定の指向性を持たせることが出来ると共に、安価で
取り扱いの容易な赤外光を用いた赤外線リモートコント
ロール装置が専ら採用されている。
For this reason, general remote control
Less susceptible to urban noise as equipment, making it possible to have a predetermined directivity with a simple structure, an infrared remote controller with easy infrared light handling inexpensive
Roll devices are exclusively employed.

【0004】従来の一般的な赤外線リモートコントロー
ル装置のブロック図を図10に示す。図10において、
赤外線リモートコントロール装置は赤外線を送出する送
信装置200と送出された赤外線を受光する受光装置3
00からなり、101は制御回路110を制御する制御
信号を発生する制御信号発生器、102は制御信号をパ
ルス信号にコード化するコード化回路、103はパルス
信号を振幅変調する変調器(MOD)、104はMOD
103に印加するキャリアを発生する発振器(OS
C)、105は変調出力に応じて赤外光を送出するLE
Dであり、前記制御信号発生器101、コード化回路1
02、MOD103及びOSC104で赤外線の送信装
置200が形成されている。
[0004] Conventional general infrared remote control
A block diagram of a Le device shown in FIG. 10. In FIG.
The infrared remote control device includes a transmitting device 200 for transmitting infrared light and a light receiving device 3 for receiving the transmitted infrared light.
Reference numeral 101 denotes a control signal generator for generating a control signal for controlling the control circuit 110; 102, a coding circuit for coding the control signal into a pulse signal; 103, a modulator (MOD) for amplitude-modulating the pulse signal. , 104 is MOD
Oscillator (OS) that generates a carrier to be applied to 103
C) and 105 are LEs for transmitting infrared light according to the modulation output.
D, the control signal generator 101, the coding circuit 1
02, the MOD 103, and the OSC 104 form an infrared transmission device 200.

【0005】次に、106はLED105から送出され
た赤外光を受光するフォトダイオード、107はフォト
ダイオード106の出力電流を増幅する増幅器(AM
P)、108は変調信号を復調すると共に波形整形を行
う復調回路(DEMOD)、109はコード化信号をデ
コードするデコーダ、110は前記制御信号で制御され
る制御回路であり、点線で囲った120はフォトダイオ
ード106、AMP107及びDEMOD108からな
赤外線リモートコントロールセンサ、300は赤外線
リモートコントロールセンサ120、デコーダ109及
び制御回路110からなる受光装置を示している。
Next, reference numeral 106 denotes a photodiode for receiving infrared light transmitted from the LED 105, and 107 denotes an amplifier (AM) for amplifying an output current of the photodiode 106.
P), 108 are demodulation circuits (DEMOD) for demodulating the modulated signal and shaping the waveform, 109 is a decoder for decoding the coded signal, 110 is a control circuit controlled by the control signal, and is a control circuit 120 surrounded by a dotted line. Is an infrared remote control sensor comprising a photodiode 106, an AMP 107 and a DEMOD 108, and 300 is an infrared remote control sensor.
2 shows a light receiving device including a remote control sensor 120, a decoder 109, and a control circuit 110.

【0006】図10に示す赤外線リモートコントロール
装置は、例えば受光装置300が設けられているテレビ
ジョンやVTR等を操作者が操作する時に、送信装置2
00例えばリモコンに設けられているボタン等を操作す
ると、制御信号発生器101は操作されたボタンに応じ
た制御信号を発生し、この制御信号はコード化回路10
2で所定のコード信号のパルスとされる。
An infrared remote control shown in FIG.
When the operator operates, for example, a television or a VTR provided with the light receiving device 300, the transmitting device 2
For example, when a button or the like provided on a remote controller is operated, the control signal generator 101 generates a control signal corresponding to the operated button.
In step 2, a predetermined code signal pulse is generated.

【0007】コード化されたパルス信号はOSC104
で発生されたキャリアによりMOD103で振幅変調さ
れ、図9に示されるような振幅変調されたパルス信号P
となる。このパルス信号PはLED105に印加され赤
外光となってLED105から送出される。
[0007] The coded pulse signal is the OSC 104
The pulse signal P amplitude-modulated by the MOD 103 by the carrier generated at the MOD 103 as shown in FIG.
Becomes This pulse signal P is applied to the LED 105 and becomes infrared light, which is transmitted from the LED 105.

【0008】LED105から送出された赤外光は受光
装置300のフォトダイオード106で受光され、光電
効果により受光量に応じた光電流がフォトダイオード1
06に誘起される。フォトダイオードに誘起された光電
流はAMP107で増幅された後、DEMOD108に
印加され、復調されると共に波形整形される。
[0008] The infrared light transmitted from the LED 105 is received by the photodiode 106 of the light receiving device 300, and a photocurrent corresponding to the amount of received light is generated by the photodiode 1 by a photoelectric effect.
06. The photocurrent induced in the photodiode is amplified by the AMP 107, applied to the DEMOD 108, demodulated, and shaped.

【0009】波形整形された復調信号はデコーダ109
でデコードされて制御回路110に印加され、制御回路
110によりテレビジョンやVTR等の所望の操作が行
われる。なお、OSC104の発振周波数は低周波であ
り、例えばその発振周波数は30〜40kHzの周波数
から選択されているのが一般的である。
The demodulated signal whose waveform has been shaped is supplied to a decoder 109.
Is decoded and applied to the control circuit 110, and the control circuit 110 performs a desired operation such as a television or a VTR. The oscillation frequency of the OSC 104 is a low frequency, and for example, the oscillation frequency is generally selected from a frequency of 30 to 40 kHz.

【0010】このような、赤外線リモートコントロール
装置の受光装置300の一部として用いられる赤外線リ
モートコントロールセンサ120のブロック図を図5に
示す。図5において、1は赤外光を受光して受光量に応
じた電流に変換するフォトダイオード、2は増幅器4、
バンドパスフィルタ5及び復調回路6からなりフォトダ
イオード1の出力信号を増幅整形してパルス波形の出力
とする信号処理回路で、4はフォトダイオード1出力を
増幅する増幅器(AMP)、5は増幅されたフォトダイ
オード1出力から所望の帯域の信号成分を取り出すバン
ドパスフィルタ(BPF)、6はバンドパスフィルタ5
の出力信号を包絡線検波すると共に所定の基準レベルV
refを用いて波形整形することによりパルス波形の出
力信号を得るようにする復調回路である。
[0010] Such an infrared remote control
Infrared Li used as a part of the light receiving device 300 of the apparatus
FIG. 5 shows a block diagram of the mote control sensor 120. In FIG. 5, reference numeral 1 denotes a photodiode that receives infrared light and converts it into a current corresponding to the amount of received light, 2 denotes an amplifier,
A signal processing circuit comprising a band-pass filter 5 and a demodulation circuit 6 for amplifying and shaping the output signal of the photodiode 1 to output a pulse waveform. An amplifier (AMP) 4 for amplifying the output of the photodiode 1 and 5 for amplification. A band-pass filter (BPF) for extracting a signal component in a desired band from the output of the photodiode 1;
Output signal is detected by an envelope and a predetermined reference level V
This is a demodulation circuit that obtains a pulse waveform output signal by shaping the waveform using ref.

【0011】図5に示される赤外線リモートコントロー
ルセンサに入射する赤外光は、図10に示されているよ
うな送信装置200から送出された赤外光である。送信
装置200は前記した図9に示すパルス信号Pを赤外光
として送信しており、送信装置200から送出された図
9に示されるようなパルス状の赤外光はフォトダイオー
ド1で受光され、フォトダイオード1は光電効果により
入射光量に応じた光電流を出力する。
An infrared remote control shown in FIG.
The infrared light incident on the sensor is infrared light transmitted from the transmission device 200 as shown in FIG. The transmitting apparatus 200 transmits the above-described pulse signal P shown in FIG. 9 as infrared light, and the pulsed infrared light transmitted from the transmitting apparatus 200 as shown in FIG. The photodiode 1 outputs a photocurrent according to the amount of incident light by the photoelectric effect.

【0012】フォトダイオード1から得られる光電流信
号は増幅器4で増幅されバンドパスフィルタ5に印加さ
れて、光電流信号中から前記パルスを振幅変調している
キャリア周波数成分を持つ信号が取り出される。このバ
ンドパスフィルタ5はバンドパスフィルタ5に印加され
た光電流信号中から前記キャリア周波数成分を持たない
ノイズ成分を除去することになるが、バンドパスフィル
タ5の通過帯域中に含まれるノイズ成分は取り除くこと
はできない。
A photocurrent signal obtained from the photodiode 1 is amplified by an amplifier 4 and applied to a band-pass filter 5, and a signal having a carrier frequency component for amplitude-modulating the pulse is extracted from the photocurrent signal. The bandpass filter 5 removes the noise component having no carrier frequency component from the photocurrent signal applied to the bandpass filter 5, but the noise component included in the pass band of the bandpass filter 5 is It cannot be removed.

【0013】このようなノイズは、例えばフォトダイオ
ードから発生されるショットノイズや使用される素子か
ら発生されるノイズ等から成っている。又、伝送空間の
周波数特性や受光装置に使用されている素子の周波数特
性によって光電流信号は多少立ち上がりや立ち下がりが
なまった波形となるので、結局バンドパスフィルタ5の
出力は図6aに示すように立ち上がりや立ち下がりが緩
く傾斜していると共にノイズの重畳した波形となってし
まう。
Such noise includes, for example, shot noise generated from a photodiode, noise generated from an element used, and the like. In addition, the photocurrent signal has a waveform whose rising and falling are slightly attenuated due to the frequency characteristics of the transmission space and the frequency characteristics of the elements used in the light receiving device, so that the output of the bandpass filter 5 eventually becomes as shown in FIG. In addition, the rising and falling edges are gently inclined, and the waveform is superimposed with noise.

【0014】このような、立ち上がりや立ち下がりがな
まりさらにノイズの重畳された光電流信号は、復調回路
6によって立ち上がりや立ち下がりが急峻となるよう整
形されると共にノイズも取り除かれたパルス波形とされ
る。すなわち、復調回路6はバンドパスフィルタ5の出
力を包絡線検波し、包絡線検波された光電流信号と所定
の基準レベルVrefとを比較して波形整形を行う回路
である。したがって、復調回路6にバンドパスフィルタ
5から取りだされた光電流信号が印加されると、この光
電流信号は包絡線検波されて、図6aに示されるような
包絡線の光電流信号となり、この包絡線検波された光電
流信号は所定の基準レベルVrefと比較されて図6b
に示されるように光電流信号のレベルと基準レベルVr
efとが一致した時点で急峻に立ち上がりあるいは立ち
下がる波形整形されたパルス波形の出力信号となる。
Such a photocurrent signal whose rising and falling are rounded and on which noise is superimposed has a pulse waveform which is shaped by the demodulating circuit 6 so that the rising and falling is steep and the noise is also removed. You. That is, the demodulation circuit 6 is a circuit that performs envelope detection on the output of the band-pass filter 5 and compares the envelope-detected photocurrent signal with a predetermined reference level Vref to perform waveform shaping. Therefore, when the photocurrent signal taken out of the band-pass filter 5 is applied to the demodulation circuit 6, the photocurrent signal is subjected to envelope detection to become an envelope photocurrent signal as shown in FIG. This envelope-detected photocurrent signal is compared with a predetermined reference level Vref, and FIG.
As shown in the figure, the level of the photocurrent signal and the reference level Vr
When ef coincides with each other, the output signal becomes a pulse shaped pulse waveform whose waveform rises or falls sharply.

【0015】ところで、復調回路6の基準レベルVre
fの大きさは低ければ低いほど受光感度を高くすること
ができるものの、低ければ低いほどノイズを拾いやすく
なるので、赤外線フォトセンサを使用する環境や赤外線
フォトセンサ自身が発生するノイズ量等を勘案しながら
基準レベルVrefを所定の値に設定している。そし
て、この出力信号は復調された信号として図10に示さ
れているようにデコーダ109に印加される。
The reference level Vre of the demodulation circuit 6
The smaller the value of f, the higher the light receiving sensitivity can be, but the lower the value of f, the easier it is to pick up noise. Therefore, the environment in which the infrared photosensor is used and the amount of noise generated by the infrared photosensor itself are taken into consideration. Meanwhile, the reference level Vref is set to a predetermined value. This output signal is applied to the decoder 109 as a demodulated signal as shown in FIG.

【0016】[0016]

【発明が解決しようとする課題】図5に示される赤外線
リモートコントロールセンサにおいて、外乱光の光量の
大きくなったときを考えてみる。フォトダイオード1は
入射される光量に応じて発生するノイズ電流の大きさが
変化する。このノイズ電流はショットノイズと呼ばれる
ノイズ電流ipnであり、次式に示されるようにフォトダ
イオード1に流れる光電流ioの平方根に比例する。
The infrared ray shown in FIG.
Consider a case where the amount of disturbance light increases in the remote control sensor . The magnitude of the noise current generated in the photodiode 1 changes according to the amount of incident light. This noise current is a noise current ipn called shot noise, and is proportional to the square root of the photocurrent io flowing through the photodiode 1 as shown in the following equation.

【数1】 ただし、q:素電荷、B:帯域幅、k1 は定数である。
上記数1で表される特性を図8のグラフで示す。図8を
見れば理解できるようにショットノイズ(ノイズ電流i
pn)は光電流ioの大きさに応じて次第に増加してい
る。
(Equation 1) Here, q: elementary charge, B: bandwidth, and k 1 are constants.
The characteristic represented by the above equation 1 is shown in the graph of FIG. As can be understood from FIG. 8, shot noise (noise current i
pn ) gradually increases according to the magnitude of the photocurrent io.

【0017】上述したように、一般的なフォトダイオー
ド1はこのような特性を持っているので、外乱光の光量
が大きくなるとショットノイズもその光量に応じて大き
くなってしまう。外乱光の光量が大きくなって、発生す
るショットノイズが大きくなると、図7aに示すように
ノイズ電流のレベルが復調回路6の基準レベルVref
を超えてしまうことになる。ノイズ電流のレベルが復調
回路6の基準レベルVrefを超えると復調回路6の出
力は立ち下がり、逆に基準レベルVrefより下がると
復調回路6の出力は立ち上がるため、図7aに示される
ような外乱光の大きい時の光電流信号が復調回路6に印
加されると、図7bに示されるようなチャタリングの生
じた出力信号が復調回路6から出力されることになる。
As described above, since the general photodiode 1 has such characteristics, when the amount of disturbance light increases, the shot noise also increases in accordance with the amount of disturbance light. When the amount of disturbance light increases and the generated shot noise increases, the level of the noise current is reduced to the reference level Vref of the demodulation circuit 6 as shown in FIG.
Will be exceeded. When the level of the noise current exceeds the reference level Vref of the demodulation circuit 6, the output of the demodulation circuit 6 falls, and conversely, when the level of the noise current falls below the reference level Vref, the output of the demodulation circuit 6 rises. When the photocurrent signal when is large is applied to the demodulation circuit 6, an output signal having chattering as shown in FIG. 7B is output from the demodulation circuit 6.

【0018】図7bに示されるチャタリングの生じた出
力信号は本来図6bに示されるような出力信号となるべ
きであるから、図7bに示される出力信号を使用する
と、この信号が印加される例えば図10に示されるよう
なデコーダ回路109は誤まったデコード出力を出力し
てしまうこととなってしまう。
Since the output signal with chattering shown in FIG. 7b should be an output signal as shown in FIG. 6b, when the output signal shown in FIG. 7b is used, this signal is applied, for example. The decoder circuit 109 as shown in FIG. 10 outputs an erroneous decoded output.

【0019】そこで、外乱光の光量が大きくなったとき
の誤動作を防ぐには、外乱光によるノイズ電流のレベル
が基準レベルVrefを超えなければよいわけであるか
ら、ノイズ電流のレベルを増幅器4の増幅度を下げるこ
とにより下げて、ノイズ電流が基準レベルVrefを超
えないようにすればよいことになる。
Therefore, in order to prevent malfunction when the amount of disturbance light increases, it is only necessary that the level of the noise current due to the disturbance light does not exceed the reference level Vref. It is only necessary to lower the amplification degree so that the noise current does not exceed the reference level Vref.

【0020】しかしながら、増幅器4の増幅度を下げる
と外乱光の光量が大きくなった時に誤ったデータを出力
することはなくなるものの、今度はフォトダイオード1
に入射する赤外光の信号成分の光量が大きくないと光電
流信号が基準レベルVrefを超えることができないた
、赤外線リモートコントロールセンサの受光感度が低
下することになる。
However, if the amplification degree of the amplifier 4 is reduced, erroneous data will not be output when the amount of disturbance light increases, but this time the photodiode 1
Since the photocurrent signal cannot exceed the reference level Vref unless the light amount of the signal component of the infrared light incident on the infrared remote control sensor is large, the light receiving sensitivity of the infrared remote control sensor decreases.

【0021】そこで、本発明の赤外線リモートコントロ
ールセンサにおいては、外乱光の光量に応じて増幅度を
制御することにより、外乱光の光量によらず復調回路に
印加される光電流信号中のノイズ電流の大きさを一定の
大きさとなるようにして受光感度を低下させることなく
ノイズ電流の影響を抑制することを目的としている。
Therefore, the infrared remote control of the present invention
In the sensor , the amplification degree is controlled according to the amount of disturbance light so that the magnitude of the noise current in the photocurrent signal applied to the demodulation circuit is constant regardless of the amount of disturbance light. To suppress the effect of noise current without lowering the light receiving sensitivity.

【0022】[0022]

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明の赤外線リモートコントロールセンサにおい
ては光電流の平方根に比例する関数を持つ入力マッチン
グ回路をフォトダイオードに後続させるようにして、復
調回路に印加される光電流信号に含まれるショットノイ
ズ等のノイズ電流の大きさを外乱光の光量によらずほぼ
一定としたものである。
In order to achieve the above object, in the infrared remote control sensor according to the present invention, an input matching circuit having a function proportional to the square root of the photocurrent is provided after the photodiode so as to be demodulated. The magnitude of noise current such as shot noise included in the photocurrent signal applied to the circuit is made substantially constant regardless of the amount of disturbance light.

【0023】[0023]

【作用】フォトダイオードに光電流の平方根に比例する
関数を持つ入力マッチング回路を後続させることによ
り、光電流の平方根に比例するショットノイズの大きさ
を外乱光の光量によらず一定とした出力を入力マッチン
グ回路から得ることができるので、受光感度を低下させ
ることなくノイズ電流の影響を抑制することができる。
By providing an input matching circuit having a function proportional to the square root of the photocurrent to the photodiode, an output in which the magnitude of shot noise proportional to the square root of the photocurrent is constant regardless of the amount of disturbance light. Since it can be obtained from the input matching circuit, it is possible to suppress the influence of the noise current without lowering the light receiving sensitivity.

【0024】[0024]

【実施例】本発明の赤外線リモートコントロールセンサ
のブロック図を図1に示し、図2に本発明の赤外線リモ
ートコントロールセンサに使用される入力マッチング回
路の詳細な回路図を示す。図1において、図5と同一符
号のブロックは同一のブロックを示し詳細な説明は省略
する。この図において、3はフォトダイオード1の光電
流の平方根に比例する関数を持つ入力マッチング回路で
ある。
A block diagram of an infrared remote control sensor <br/> of EXAMPLES present invention shown in FIG. 1, the infrared remote of the present invention in FIG. 2
FIG. 2 shows a detailed circuit diagram of an input matching circuit used in a port control sensor . In FIG. 1, blocks with the same reference numerals as those in FIG. In this figure, reference numeral 3 denotes an input matching circuit having a function proportional to the square root of the photocurrent of the photodiode 1.

【0025】図1に示す赤外光リモートセンサにおい
て、フォトダイオード(PD)1に入射する赤外光は例
えば図10に示される送信装置200から送出された、
前記図9に示されるような30〜40kHzのキャリア
で振幅変調されたパルス信号である。
In the infrared light remote sensor shown in FIG. 1, the infrared light incident on the photodiode (PD) 1 is transmitted from, for example, a transmitting device 200 shown in FIG.
This is a pulse signal amplitude-modulated with a carrier of 30 to 40 kHz as shown in FIG.

【0026】このパルス信号の赤外光はフォトダイオー
ド1で受光され、フォトダイオード1は入射光量に応じ
た光電流ioを出力する。この光電流ioは入力マッチ
ング回路2に印加され、光電流ioの平方根に比例する
数2に示されるような出力電流im とされる。
The infrared light of the pulse signal is received by the photodiode 1, and the photodiode 1 outputs a photocurrent io corresponding to the amount of incident light. The optical current io is applied to the input matching circuit 2, is the output current i m as shown in equation (2) that is proportional to the square root of photocurrent io.

【数2】 ただし、k2 は定数である。(Equation 2) Here, k 2 is a constant.

【0027】入力マッチング回路2の出力電流im は増
幅器(AMP)4で増幅された後バンドパスフィルタ
(BPF)5に印加される。このバンドパスフィルタ5
で増幅器4出力から前記パルスを振幅変調しているキャ
リア周波数成分を持つパルス信号のみが取りだされる。
The output current i m of the input matching circuit 2 is applied to a band pass filter (BPF) 5 is amplified by the amplifier (AMP) 4. This bandpass filter 5
In this way, only a pulse signal having a carrier frequency component that modulates the amplitude of the pulse is extracted from the output of the amplifier 4.

【0028】このバンドパスフィルタ5の出力であるキ
ャリア周波数成分を持つパルス信号は復調回路6に印加
されまず包絡線検波される。次に、包絡線検波されたキ
ャリアの取り除かれたパルス信号は、前記図6aに示さ
れるように所定の基準レベルVrefと比較されて、図
6bに示されるような波形整形されたパルス信号とされ
る。復調回路6で波形整形されたベースバンドのパルス
信号は例えば図10に示されているようなデコーダ等に
印加される。
A pulse signal having a carrier frequency component, which is the output of the band-pass filter 5, is applied to a demodulation circuit 6 and is first subjected to envelope detection. Next, the pulse signal from which the carrier detected by the envelope detection is removed is compared with a predetermined reference level Vref as shown in FIG. 6A to obtain a pulse signal whose waveform is shaped as shown in FIG. 6B. You. The baseband pulse signal shaped by the demodulation circuit 6 is applied to, for example, a decoder as shown in FIG.

【0029】次に、図1に示される赤外線リモートコン
トロールセンサにおいてノイズがいかようになるかに注
目して説明を行う。赤外光を受光するフォトダイオード
1が発生するショットノイズのノイズ電流ipnは前記数
1に示されるように、フォトダイオード1に流れる光電
流ioの平方根に比例する。
Next, the infrared remote control shown in FIG.
A description will be given focusing on how noise occurs in the troll sensor . The noise current i pn of the shot noise generated by the photodiode 1 that receives the infrared light is proportional to the square root of the photo current io flowing through the photodiode 1 as shown in the above equation (1).

【0030】このノイズ電流ipnは交流信号であるた
め、入力マッチング回路3に入力されたノイズ電流ipn
は、入力マッチング回路3の動特性により操作される。
入力マッチング回路3の動特性は前記数2に示される関
数を微分することにより求められるから、動特性Gは次
の数3に示されるようになる。
[0030] Thus noise current i pn is an AC signal, is input to the input matching circuit 3 noise current i pn
Is operated by the dynamic characteristics of the input matching circuit 3.
Since the dynamic characteristic of the input matching circuit 3 is obtained by differentiating the function shown in the above equation (2), the dynamic characteristic G becomes as shown in the following equation (3).

【数3】 (Equation 3)

【0031】そして、入力マッチング回路3の出力に現
れるノイズ電流imnは、入力マッチング回路に入力する
ノイズ電流ipnと上記数3の動特性Gとの積で表わされ
るから、数4に示されるようになる。
The noise current i mn appearing at the output of the input matching circuit 3 is expressed by the product of the noise current i pn input to the input matching circuit and the dynamic characteristic G of the above equation ( 3). Become like

【数4】 ただし、k3 =k1 ・k2 /2である。(Equation 4) However, a k 3 = k 1 · k 2 /2.

【0032】すなわち、入力マッチング回路3の出力に
現れるノイズ成分は上記数4に示されるように、光電流
ioの大きさにかかわらず一定の大きさとなる。従っ
て、外乱光が大きくなって光電流ioが増加しても入力
マッチング回路3から出力されるノイズ電流imnは一定
となるので、入力マッチング回路3に後続する増幅回路
4の増幅度を下げなくともノイズ電流が図7に示される
ように基準レベルを越える現象がなくなり、復調回路6
はチャタリングの生じた出力を出力することがなくな
る。
That is, the noise component appearing at the output of the input matching circuit 3 has a constant magnitude irrespective of the magnitude of the photocurrent io, as shown in the above equation (4). Therefore, even if the disturbance light increases and the photocurrent io increases, the noise current imn output from the input matching circuit 3 becomes constant, so that the amplification degree of the amplifier circuit 4 following the input matching circuit 3 does not decrease. In both cases, the phenomenon that the noise current exceeds the reference level as shown in FIG.
Does not output an output in which chattering occurs.

【0033】次に、図2に示される入力マッチング回路
3の詳細な回路図について説明する。図2において、フ
ォトダイオード1のカソードはNPN形の第1のトラン
ジスタT1のエミッタに接続され、そのアノードはアー
スに接続されており、第1のトランジスタT1のコレク
タは第1のダイオードD1のカソードに接続され、その
ベースはNPN形の第4のトランジスタT4のコレクタ
に接続されている。第4のトランジスタT4のエミッタ
はアースに接続され、そのコレクタは抵抗R1を介して
電源Vccに接続されており、第1のダイオードD1の
アノードも電源Vccに接続されている。
Next, a detailed circuit diagram of the input matching circuit 3 shown in FIG. 2 will be described. In FIG. 2, the cathode of the photodiode 1 is connected to the emitter of an NPN-type first transistor T1, the anode is connected to ground, and the collector of the first transistor T1 is connected to the cathode of the first diode D1. And its base is connected to the collector of a fourth transistor T4 of the NPN type. The emitter of the fourth transistor T4 is connected to the ground, the collector is connected to the power supply Vcc via the resistor R1, and the anode of the first diode D1 is also connected to the power supply Vcc.

【0034】第1のトランジスタT1のコレクタと第1
のダイオードD1のカソードとの接続点にはPNP形の
第2のトランジスタT2のベースが接続されており、第
2のトランジスタT2のエミッタは抵抗R2を介して電
源Vccに接続され、そのコレクタは第2のダイオード
D2のカソードに接続されることにより、第2のダイオ
ードD2と抵抗R3の直列回路を介してアースに接続さ
れている。
The collector of the first transistor T1 and the first
The base of a PNP-type second transistor T2 is connected to the connection point of the diode D1 with the cathode, the emitter of the second transistor T2 is connected to a power supply Vcc via a resistor R2, and the collector thereof is connected to the power supply Vcc. By being connected to the cathode of the second diode D2, it is connected to ground via a series circuit of the second diode D2 and the resistor R3.

【0035】第2のトランジスタT2のコレクタと第2
のダイオードD2の接続点にはNPN形の第3のトラン
ジスタT3のベースが接続されており、第3のトランジ
スタT3のエミッタは抵抗R5を介してアースに接続さ
れ、そのコレクタは抵抗R4を介して電源Vccに接続
されている。
The collector of the second transistor T2 and the second
The base of a third transistor T3 of NPN type is connected to a connection point of the diode D2 of the third transistor T2, the emitter of the third transistor T3 is connected to the ground via a resistor R5, and the collector thereof is connected via a resistor R4. It is connected to the power supply Vcc.

【0036】第3のトランジスタT3のコレクタと抵抗
R4との接続点は出力端子として、後続する増幅器4に
接続される。
The connection point between the collector of the third transistor T3 and the resistor R4 is connected as an output terminal to the subsequent amplifier 4.

【0037】図2に示す入力マッチング回路3の動作は
次に述べるとおりである。フォトダイオード1に入射さ
れた赤外光により、フォトダイオード1に光電流が誘起
されるが、この光電流は第1のトランジスタT1のエミ
ッタを介して流れ出すため、第1のトランジスタT1の
コレクタにはフォトダイオード1に誘起された光電流と
ほぼ等しい電流i1 が流れることとなる。
The operation of the input matching circuit 3 shown in FIG. 2 is as described below. A photocurrent is induced in the photodiode 1 by the infrared light incident on the photodiode 1, and this photocurrent flows through the emitter of the first transistor T1. so that the substantially equal currents i 1 and induced photocurrent in the photodiode 1 flows.

【0038】この電流i1 が第1のダイオードD1に流
れることによって第1のダイオードD1の両端に電圧降
下が発生する。第1のダイオードD1の両端に発生した
電圧は第2のトランジスタT2のベースエミッタ間と抵
抗R2とに印加される。 そして、この電圧は第2のト
ランジスタT2のベースバイアス電圧となるので、第2
のトランジスタT2のコレクタには上記第1のダイオー
ドD1の両端に発生した電圧に応じた電流i2 が流れ
る。
When the current i 1 flows through the first diode D1, a voltage drop occurs across the first diode D1. The voltage generated between both ends of the first diode D1 is applied between the base and the emitter of the second transistor T2 and to the resistor R2. This voltage becomes the base bias voltage of the second transistor T2,
Of the collector of the transistor T2 the current i 2 corresponding to the voltage generated at both ends of the first diode D1 flows.

【0039】トランジスタT2のコレクタ電流i2 は第
2のダイオードD2と抵抗R3の直列回路を介してアー
スに流れ、第2のダイオードと抵抗R3の直列回路に生
じた電圧は第3のトランジスタT3のベースエミッタ間
と抵抗R5とに印加される。この第2のダイオードと抵
抗R3との直列回路に生じた電圧は第3のトランジスタ
T3のベースバイアス電圧となり、このベースバイアス
電圧に応じた電流i3 が第3のトランジスタT3のコレ
クタに流れる。
The collector current i 2 of the transistor T2 flows to the ground via the series circuit of the second diode D2 and the resistor R3, and the voltage generated in the series circuit of the second diode and the resistor R3 is equal to the voltage of the third transistor T3. The voltage is applied between the base and the emitter and to the resistor R5. The second diode and the voltage generated in the series circuit of the resistor R3 is the base bias voltage of the third transistor T3, a current i 3 in accordance with the base bias voltage flows to the collector of the third transistor T3.

【0040】第3のトランジスタT3のコレクタ電流は
抵抗R4に流れ、抵抗R4の両端に発生した電圧i3
R4は入力マッチング回路3の出力電圧として出力端子
から出力される。上記交流電流i1 とi2 及び交流電流
2 とi3 との関係を、簡単のため交流電流i1 、i2
及びi3 を直流電流I1 、I2 及びI3 として考える
と、次の数5、数6に示すようになる。
The collector current of the third transistor T3 flows through the resistor R4, and the voltage i 3 .multidot.
R4 is output from the output terminal as the output voltage of the input matching circuit 3. The relationship between the AC currents i 1 and i 2 and the AC currents i 2 and i 3 is represented by the AC currents i 1 and i 2 for simplicity.
And i 3 as direct currents I 1 , I 2 and I 3, are given by the following equations (5) and (6).

【数5】 (Equation 5)

【数6】 ただし、kはボルツマン定数、Tは絶対温度、IS はP
NPトランジスタの逆方向飽和電流、IS ’はNPNト
ランジスタの逆方向飽和電流、xはPNPトランジスタ
のエミッタ面積に比例する電流の係数、yはNPNトラ
ンジスタのエミッタ面積に比例する電流の係数である。
上記数5、数6に示される電流I1 とI2 との関係及び
電流I2 とI3 との関係をグラフで近似的に表すと、図
3に示すようになる。
(Equation 6) Where k is Boltzmann's constant, T is absolute temperature, I S is P
The reverse saturation current of the NP transistor, I s ′ is the reverse saturation current of the NPN transistor, x is the coefficient of current proportional to the emitter area of the PNP transistor, and y is the coefficient of current proportional to the emitter area of the NPN transistor.
The relationship between the currents I 1 and I 2 and the relationship between the currents I 2 and I 3 shown in the above formulas (5) and (6) are approximately represented in a graph as shown in FIG.

【0041】図3において、横軸を電流I1 とすると縦
軸は電流I2 となり電流I1 が大きくなると電流I2
飽和する特性となる。この飽和する特性の曲率は第2の
トランジスタT2のエミッタ面積に比例する電流の係数
xや抵抗R2により変化させることができる。
[0041] In FIG. 3, the current I 2 when the vertical axis when the horizontal axis and current I 1 is the current I 2 becomes the current I 1 becomes larger a characteristic to be saturated. The curvature of the saturation characteristic can be changed by the current coefficient x and the resistance R2, which are proportional to the emitter area of the second transistor T2.

【0042】又、図3において、横軸を電流I2 とする
と縦軸は電流I3 となり電流I3 は電流I2 が大きくな
るにつれて飽和する特性となる。この飽和する特性の曲
率は第3のトランジスタT3のエミッタ面積に比例する
電流の係数yや抵抗R3、R5により変化させることが
できる。そこで、入力マッチング回路の入力電流I1
と、出力電流I3 との関係を求めると、図3に示される
ようなグラフの特性を示す回路が2段縦続接続されてい
ることから、電流I1 とI3 との関係は図3に示す飽和
特性のグラフより一層飽和する特性のグラフとなり、結
局のところ電流I1 と電流I3 との関係を示すグラフは
平方根のグラフに近似してくることになる。
In FIG. 3, if the horizontal axis is the current I 2 , the vertical axis is the current I 3 , and the current I 3 has a characteristic that the current I 2 becomes saturated as the current I 2 increases. The curvature of the saturation characteristic can be changed by the current coefficient y and the resistances R3 and R5, which are proportional to the emitter area of the third transistor T3. Therefore, the input current I 1 of the input matching circuit is
If, when finding the relationship between the output current I 3, since the circuit that indicates the characteristic of the graph as shown in FIG. 3 is connected to 2-stage cascade, the relationship between the current I 1 and I 3 in Fig. 3 The graph of the saturation characteristic is more saturated than the graph of the saturation characteristic shown. After all, the graph showing the relationship between the currents I 1 and I 3 approximates the graph of the square root.

【0043】また、上記係数x、y及び抵抗R2、R
3、R5により図3に示される飽和特性の曲率を変化さ
せることができることから、上記係数x、y及び抵抗R
2、R3、R5を適当に変化させることにより飽和特性
の曲率が調整されて、電流I3を電流I1 のほぼ平方根
として近似的に表せられるようになる。
Further, the coefficients x and y and the resistances R2 and R
3 and R5 can change the curvature of the saturation characteristic shown in FIG.
2, R3, R5 are adjusted curvature of the saturation characteristics by appropriately changing, so is represented approximately a current I 3 as approximately the square root of the current I 1.

【0044】この結果、入力マッチング回路3の特性は
ほぼ数2に示すとおりとなるのでフォトダイオード1で
発生するショットノイズは外乱光の大きさに係わらず前
記説明したとおり一定の大きさとなって増幅器4、バン
ドパスフィルタ5を介して復調回路6に印加されるよう
になり、復調回路6はショットノイズの影響を受けるこ
となく整形出力を出力できるようになる。しかも、外乱
光の小さいときは入力マッチング回路3のゲインは高い
ため受光感度を高く保てることができるようになる。
As a result, the characteristics of the input matching circuit 3 are substantially as shown in Expression 2, so that the shot noise generated in the photodiode 1 becomes constant as described above regardless of the magnitude of the disturbance light, and the amplifier 4. The signal is applied to the demodulation circuit 6 via the band-pass filter 5, so that the demodulation circuit 6 can output a shaped output without being affected by shot noise. Moreover, when the disturbance light is small, the gain of the input matching circuit 3 is high, so that the light receiving sensitivity can be kept high.

【0045】なお、図2に示す回路においてNPN形の
第4のトランジスタT4は負帰還用のトランジスタであ
り、周波数特性を改善するためのものである。この第4
のトランジスタT4の動作は次の通りである。フォトダ
イオード1に入射される赤外光の光量が増加し、フォト
ダイオード1に誘導される光電流が増加したとすると、
第4のトランジスタT4のベース電流が増加し、従って
そのエミッタ電流が増加することにより第4のトランジ
スタT4のコレクタ−エミッタ間電圧が低下して第1の
トランジスタT1のベースバイアスが上昇しないように
なる。
In the circuit shown in FIG. 2, the NPN type fourth transistor T4 is a negative feedback transistor for improving the frequency characteristics. This fourth
The operation of the transistor T4 is as follows. Assuming that the amount of infrared light incident on the photodiode 1 increases and the photocurrent induced on the photodiode 1 increases,
An increase in the base current of the fourth transistor T4, and thus an increase in the emitter current thereof, lowers the collector-emitter voltage of the fourth transistor T4 so that the base bias of the first transistor T1 does not increase. .

【0046】すなわち、第4のトランジスタT4は第1
のトランジスタT1に負帰還がかかるように作用してい
る。そして、負帰還をかけるとゲインが下がることにな
ると共にGB積(ゲインと周波数帯域の積)が一定なこ
とから、その回路の動作周波数帯域が広くなって周波数
特性は改善されることとなる。
That is, the fourth transistor T4 is connected to the first transistor T4.
Of the transistor T1. When negative feedback is applied, the gain decreases and the GB product (the product of the gain and the frequency band) is constant, so that the operating frequency band of the circuit is widened and the frequency characteristics are improved.

【0047】又、上記説明した赤外線リモートコントロ
ールセンサのフォトダイオードと信号処理回路とを図4
に示すように1チップ上に集積化することができる。図
4において、1はフォトダイオード、2は例えば図1に
示されるような信号処理回路である。このように赤外線
リモートコントロールセンサを1チップとして集積化す
ると、マイコンに直接接続できる、電磁ノイズやで電源
ノイズに強くなる、小型で高信頼性で低コストになる等
の作用効果をさらに奏することができる。
The infrared remote control described above
Figure a photodiode and signal processing circuit Rusensa 4
Can be integrated on one chip as shown in FIG. 4, reference numeral 1 denotes a photodiode, and 2 denotes a signal processing circuit as shown in FIG. 1, for example. Like this infrared
When the remote control sensor is integrated as a single chip, further advantageous effects such as direct connection to a microcomputer, resistance to power supply noise due to electromagnetic noise and the like, and reduction in size, reliability and cost can be further achieved.

【0048】[0048]

【発明の効果】本発明の赤外線リモートコントロールセ
ンサは以上のように構成されているので、赤外線リモー
トコントロールセンサに入射される外乱光の光量が大き
くても、赤外線リモートコントロールセンサの受光感度
を犠牲にすることなくフォトダイオードの発生するショ
ットノイズ等の影響を抑制することができる。
The infrared remote control cell of the present invention
Since capacitors are configured as described above, the infrared remote
Be greater amount of ambient light incident on the bets control sensor, it is possible to suppress the influence of the shot noise or the like generated in the photodiode without sacrificing the light receiving sensitivity of the infrared remote control sensor.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の赤外線リモートコントロールセンサ
ブロック図を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing a block diagram of an infrared remote control sensor of the present invention.

【図2】本発明の赤外線リモートコントロールセンサ
使用する入力マッチング回路の回路図である。
FIG. 2 is a circuit diagram of an input matching circuit used for the infrared remote control sensor of the present invention.

【図3】入力マッチング回路内の電流回路の入力−出力
電流特性を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing input-output current characteristics of a current circuit in an input matching circuit.

【図4】赤外線リモートコントロールセンサを集積化し
た概略図を示す図である。
FIG. 4 is a schematic diagram showing an integrated infrared remote control sensor .

【図5】従来の赤外線リモートコントロールセンサのブ
ロック図を示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing a block diagram of a conventional infrared remote control sensor .

【図6】復調回路の波形整形動作を示す図である。FIG. 6 is a diagram illustrating a waveform shaping operation of the demodulation circuit.

【図7】従来の復調回路の波形整形動作を示す図であ
る。
FIG. 7 is a diagram showing a waveform shaping operation of a conventional demodulation circuit.

【図8】フォトダイオードの光電流−ショットノイズ特
性を示す図である。
FIG. 8 is a diagram showing a photocurrent-shot noise characteristic of a photodiode.

【図9】変調されたパルス波形を示す図である。FIG. 9 is a diagram showing a modulated pulse waveform.

【図10】一般的な赤外線リモートコントロール装置の
ブロック図を示す図である。
FIG. 10 is a block diagram of a general infrared remote control device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,106 フォトダイオード 2 信号処理回路 3 入力マッチング回路 4,107 増幅器 5 バンドパスフィルタ 6 復調回路 101 制御信号発生器 102 コード化回路 103 変調器 104 発振器 105 LED 108 復調回路 109 デコーダ 110 制御回路 200 送信装置 300 受光装置 T1,T2,T3,T4 トランジスタ D1,D2 ダイオード R1,R2,R3,R4,R5 抵抗 Vcc 電源 Reference Signs List 1,106 photodiode 2 signal processing circuit 3 input matching circuit 4,107 amplifier 5 band pass filter 6 demodulation circuit 101 control signal generator 102 coding circuit 103 modulator 104 oscillator 105 LED 108 demodulation circuit 109 decoder 110 control circuit 200 transmission Device 300 Light receiving device T1, T2, T3, T4 Transistor D1, D2 Diode R1, R2, R3, R4, R5 Resistance Vcc Power supply

フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI H04B 10/28 Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI H04B 10/28

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】ベースに所定のバイアスがかけられている
第1のタイプの第1のトランジスタのエミッタを赤外線
が入射するフォトダイオードを介して第1の電源に接続
し、 第1のトランジスタのコレクタを第1のダイオードを介
して第2の電源に接続すると共に、第1のタイプと逆の
第2のタイプの第2のトランジスタのベースに接続し、 第2のトランジスタのエミッタを第1の抵抗を介して第
2の電源に接続し、 第2のトランジスタのコレクタを第2のダイオードと第
2の抵抗の直列回路を介して前記第1の電源に接続する
と共に、第1のタイプの第3のトランジスタのベースに
接続し、 第3のトランジスタのエミッタを第3の抵抗を介して
第1の電源に接続し、 第3のトランジスタのコレクタを第4の抵抗を介して第
2の電源に接続すると共に、該コレクタから前記フォト
ダイオードの入射光に応じた出力を取り出し、前記第2のトランジスタの電流飽和特性を前記第2のト
ランジスタのエミッタ面積に比例する係数又は前記第1
の抵抗により変化させると共に、 前記第3のトランジスタの電流飽和特性を前記第3のト
ランジスタのエミッタ面積に比例する係数又は前記第2
の抵抗又は前記第3の抵抗により変化させることによ
り、 前記第3のトランジスタの電流を前記フォトダイオード
に流れる電流の略平方根に近似するように設定したこと
を特徴とする赤外線リモートコントロールセンサ。
An emitter of a first transistor of a first type having a predetermined bias applied to a base is connected to an infrared ray.
Is connected to a first power supply through a photodiode to which light is incident, a collector of the first transistor is connected to a second power supply through a first diode, and a second type opposite to the first type is connected. Connected to the base of the second transistor, the emitter of the second transistor is connected to the second power supply via the first resistor, and the collector of the second transistor is connected to the second diode and the second resistor. while connected to the first power supply via a series circuit, connected to the base of the third transistor of the first type, before the emitter of the third transistor via a third resistor
Connected to the serial first power supply, the collector of the third transistor as well as connected to a second power supply through the fourth resistor, taking out an output corresponding to the incident light of the photodiode from the collector, the first The second transistor has a current saturation characteristic of the second transistor.
A coefficient proportional to the emitter area of the transistor or the first
And the current saturation characteristic of the third transistor is changed by the third transistor.
A coefficient proportional to the emitter area of the transistor or the second
Or by changing the resistance by the third resistance.
And the current of the third transistor is supplied to the photodiode.
An infrared remote control sensor characterized in that it is set to approximate a square root of a current flowing through the sensor.
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