JP3263750B2 - Acidic copper plating bath and plating method using the same - Google Patents

Acidic copper plating bath and plating method using the same

Info

Publication number
JP3263750B2
JP3263750B2 JP30806393A JP30806393A JP3263750B2 JP 3263750 B2 JP3263750 B2 JP 3263750B2 JP 30806393 A JP30806393 A JP 30806393A JP 30806393 A JP30806393 A JP 30806393A JP 3263750 B2 JP3263750 B2 JP 3263750B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
carbon atoms
general formula
hydrogen atom
alkylene bridging
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP30806393A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH07157890A (en
Inventor
幸男 西浜
雅彦 池田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Okuno Chemical Industries Co Ltd
Original Assignee
Okuno Chemical Industries Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Okuno Chemical Industries Co Ltd filed Critical Okuno Chemical Industries Co Ltd
Priority to JP30806393A priority Critical patent/JP3263750B2/en
Publication of JPH07157890A publication Critical patent/JPH07157890A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3263750B2 publication Critical patent/JP3263750B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、酸性銅めっき浴及びこ
のめっき浴を使用するめっき方法に関する。
The present invention relates to an acidic copper plating bath and a plating method using the plating bath.

【0002】[0002]

【従来の技術】硫酸銅、硫酸及び塩素イオンを基本成分
とする硫酸銅めっき浴(以下、特に必要でない限り、単
にめっき浴という)は、シアン化銅めっき浴と比較し
て、活性化分極が小さいため均一電着性が低く、その析
出粒子も粗大である。したがって、めっき速度を上げる
目的で電流密度を増加させたり、浴温度を上昇させる
と、めっきの均一性がさらに低下し、平滑性の低い、光
沢のないめっきが形成される。
2. Description of the Related Art A copper sulfate plating bath containing copper sulfate, sulfuric acid and chlorine ions as basic components (hereinafter simply referred to as a plating bath unless otherwise required) has a higher activation polarization than a copper cyanide plating bath. Due to the small size, the uniform electrodeposition property is low, and the precipitated particles are coarse. Therefore, if the current density is increased or the bath temperature is increased for the purpose of increasing the plating speed, the uniformity of the plating is further reduced, and the plating having low smoothness and low gloss is formed.

【0003】この高電流密度及び高温浴のめっきにおけ
る平滑性、光沢性等に起因する外観不良及び物性低下を
防止するため、従来から多くの研究が行われ、多数の添
加剤が提案され、実用化もされてきた。添加剤として代
表的なものには、光沢化剤、均一電着性向上剤、延展性
向上剤、硬質化剤、平滑化剤等と称されるものが挙げら
れるが、これらは、同時にいくつかの作用を示す場合が
多い。また、これらは単独で使用するよりも、2種以上
を組み合わせて使用したほうが大きな効果が得られる場
合もある。
In order to prevent poor appearance and deterioration in physical properties due to smoothness, glossiness, and the like in high current density and high temperature bath plating, many studies have been made in the past, and many additives have been proposed and put into practical use. It has also been transformed. Representative additives include so-called brighteners, throwing power improvers, spreadability improvers, hardeners, smoothing agents, and the like. In many cases. In some cases, a greater effect may be obtained when two or more of these are used in combination than when used alone.

【0004】従来のめっき浴では、陰極電流密度1〜5
A/dm2 程度、より好ましくは2〜3A/dm2
度、浴温度15〜35℃程度、より好ましくは20〜3
0℃程度、めっき時間5〜40分程度、より好ましくは
15〜30分程度のめっきにおいて、光沢、均一電着
性、延展性、硬質性、平滑性等について良好な銅めっき
被膜が得られる。
In a conventional plating bath, the cathode current density is 1 to 5
A / dm 2 , more preferably 2-3 A / dm 2 , bath temperature 15-35 ° C., more preferably 20-3
In plating at about 0 ° C. and a plating time of about 5 to 40 minutes, more preferably about 15 to 30 minutes, a copper plating film having good gloss, uniform electrodeposition, spreadability, hardness, smoothness, and the like can be obtained.

【0005】しかしながら、めっき浴を上記の陰極電流
密度及び温度の限定された狭い範囲内で厳密に管理する
ためには、冷却装置等が必要になり、高額な管理費用が
必要となる欠点がある。
However, in order to strictly control the plating bath within the above-described narrow range of the cathode current density and the temperature, a cooling device and the like are required, and a high management cost is required. .

【0006】このため、上記の電流密度及び温度に限定
されない範囲でのめっき方法が必要とされている。とこ
ろが、従来のめっき浴では、上記の範囲以外の電流密度
及び温度以外では、十分な光沢及び平滑性のあるめっき
被膜が得られない。この現象は、電流密度が上記の範囲
から外れるほど、又は浴温度が高温になるほど顕著にな
る傾向にある。特に高電流密度の場合には、従来のめっ
き浴では、めっき表面に樹枝状又はスポンジ状の銅析出
物が形成される。
For this reason, there is a need for a plating method that is not limited to the above-mentioned current density and temperature. However, with a conventional plating bath, a plating film having sufficient gloss and smoothness cannot be obtained at a current density and temperature other than the above ranges. This phenomenon tends to become more remarkable as the current density deviates from the above range or as the bath temperature increases. Particularly in the case of a high current density, a conventional plating bath forms dendritic or sponge-like copper deposits on the plating surface.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来の電流
密度及び温度以外の範囲、即ち0.1〜1及び5〜10
A/dm2 の電流密度並びに30〜35℃の高温浴のめ
っきにおいても、優れた外観及び物性を有するめっき浴
を提供することを主な目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is directed to a range other than the conventional current density and temperature, namely, 0.1 to 1 and 5 to 10
A main object of the present invention is to provide a plating bath having excellent appearance and physical properties even in plating of a current density of A / dm 2 and a high-temperature bath of 30 to 35 ° C.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明者は、上記のよう
な技術の現状に鑑みて鋭意研究を進めた結果、特定の化
合物を配合するめっき浴を使用することにより、0.1
〜1及び5〜10A/dm2 の電流密度並びに30〜3
5℃の高温浴のめっきにおいても、優れた外観及び物性
を有する銅めっきを得ることができることを見出した。
Means for Solving the Problems The present inventor has conducted intensive studies in view of the state of the art as described above, and as a result, has found that the use of a plating bath containing a specific compound has resulted in a reduction of 0.1%.
To 1 and 5~10A / dm 2 of current density and 30 to 3
It has been found that even in plating at a high temperature of 5 ° C., copper plating having excellent appearance and physical properties can be obtained.

【0009】即ち、本発明は、下記のめっき浴及びこれ
を使用しためっき方法を提供するものである。
That is, the present invention provides the following plating bath and plating method using the same.

【0010】1.硫酸銅、硫酸及び塩素イオンを基本組
成とする酸性銅めっき浴であって、 (1)一般式:
[0010] 1. An acidic copper plating bath having a basic composition of copper sulfate, sulfuric acid and chloride ions, wherein (1) a general formula:

【0011】[0011]

【化11】 Embedded image

【0012】〔式中、R1 、R2 、R3 、R4 、R5
6 及びR7 は、同一又は相異なって、水素原子、水酸
基、スルホン酸基及びアミノ基からなる群から選択され
る原子又は基である。nは2〜500の範囲の数であ
る。〕で示される化合物(以下、窒素含有有機化合物A
ということがある)の少なくとも1種を0.05〜0.
2g/l、 (2)一般式:M1 SO3 −R8 −R9 −(S)m −R
10 〔式中、M1 は、水素原子、アルカリ金属又はアンモニ
ウムである。
[Wherein R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 ,
R 6 and R 7 are the same or different and are atoms or groups selected from the group consisting of a hydrogen atom, a hydroxyl group, a sulfonic acid group and an amino group. n is a number ranging from 2 to 500. (Hereinafter referred to as nitrogen-containing organic compound A)
At least one of 0.05 to 0.
2 g / l, (2) General formula: M 1 SO 3 —R 8 —R 9 — (S) m —R
10 wherein M 1 is a hydrogen atom, an alkali metal or ammonium.

【0013】R8 は、酸素原子又は炭素数1〜5のアル
キレン架橋基、R9 は、炭素数1〜5のアルキレン架橋
基、R10は、水素原子、金属原子、炭素数1〜10の脂
肪族アルキル基又は、炭素数6〜10の芳香族アルキル
基、一般式:M1 SO3 −R8 −R9 −の基(M1、R
8 及びR9 は上記に同じ)、又は一般式:
R 8 is an oxygen atom or an alkylene bridging group having 1 to 5 carbon atoms, R 9 is an alkylene bridging group having 1 to 5 carbon atoms, R 10 is a hydrogen atom, a metal atom, and a 1 to 10 carbon atoms. An aliphatic alkyl group or an aromatic alkyl group having 6 to 10 carbon atoms, a group represented by the general formula: M 1 SO 3 —R 8 —R 9 — (M 1 , R
8 and R 9 are the same as described above), or a general formula:

【0014】[0014]

【化12】 Embedded image

【0015】の基(式中、R11及びR12は、同一又は相
異なって、水素原子又は炭素数1〜4のアルキル基を示
す)である。mは1〜5である。〕で示される化合物
(以下、硫黄含有有機化合物Bということがある)の少
なくとも1種を0.005〜0.1g/l、 (3)一般式:
Wherein R 11 and R 12 are the same or different and each represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. m is 1-5. At least one of the compounds represented by the formula (hereinafter sometimes referred to as sulfur-containing organic compound B): 0.005 to 0.1 g / l;

【0016】[0016]

【化13】 Embedded image

【0017】〔式中、R13、R14、R15及びR16は、一
般式:
Wherein R 13 , R 14 , R 15 and R 16 are represented by the general formula:

【0018】[0018]

【化14】 Embedded image

【0019】(式中、M2 は、水素原子、アルカリ金
属、アンモニウムを示し、zは1〜5、x及びyは1〜
10)で表される基である。pは1〜5である。〕で示
される化合物(以下、硫黄含有有機化合物Cということ
がある)の少なくとも1種を0.01〜0.05g/
l、 (4)夫々について平均分子量200〜100000の
ポリプロピレングリコール、ポリエチレングリコール、
ポリオキシエチレンオレインエーテル、ポリオキシエチ
レンラウリルエーテル及びポリオキシエチレンノニルフ
ェニルエーテルからなる群から選ばれた化合物(以下、
ポリエーテル化合物Dということがある)の少なくとも
1種を0.04〜0.08g/l並びに、 (5)一般式:
(Wherein, M 2 represents a hydrogen atom, an alkali metal, or ammonium, z is 1 to 5, x and y are 1 to 5)
It is a group represented by 10). p is 1-5. (Hereinafter sometimes referred to as sulfur-containing organic compound C) in an amount of 0.01 to 0.05 g /
l, (4) polypropylene glycol, polyethylene glycol having an average molecular weight of 200 to 100,000 for each,
Compounds selected from the group consisting of polyoxyethylene olein ether, polyoxyethylene lauryl ether and polyoxyethylene nonylphenyl ether (hereinafter, referred to as
0.04 to 0.08 g / l of at least one polyether compound D), and (5) a general formula:

【0020】[0020]

【化15】 Embedded image

【0021】〔式中、R17は、炭素数1〜4のアルキレ
ン架橋基、R18は、炭素数1〜3のアルキレン架橋基、
19は、炭素数1〜3のアルキレン架橋基、R20は、炭
素数1〜10のアルキル基及びR21は、炭素数1〜10
のアルキル基である。qは、2〜500である。〕で示
される化合物(以下、窒素含有有機化合物Eということ
がある)の少なくとも1種を0.002〜0.01g/
lを含有することを特徴とする酸性銅めっき浴。
Wherein R 17 is an alkylene bridging group having 1 to 4 carbon atoms, R 18 is an alkylene bridging group having 1 to 3 carbon atoms,
R 19 is an alkylene bridging group having 1 to 3 carbon atoms, R 20 is an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and R 21 is a 1 to 10 carbon atoms.
Is an alkyl group. q is 2 to 500. At least one of the compounds represented by the formula (hereinafter sometimes referred to as nitrogen-containing organic compound E):
An acidic copper plating bath characterized by containing

【0022】2.硫酸銅、硫酸及び塩素イオンを基本組
成とする酸性銅めっき浴を使用するめっき方法であっ
て、 (1)一般式:
2. A plating method using an acidic copper plating bath having a basic composition of copper sulfate, sulfuric acid and chloride ions, wherein (1) a general formula:

【0023】[0023]

【化16】 Embedded image

【0024】〔式中、R1 、R2 、R3 、R4 、R5
6 及びR7 は、同一又は相異なって、水素原子、水酸
基、スルホン酸基及びアミノ基からなる群から選択され
る原子又は基である。nは2〜500の範囲の数であ
る。〕で示される化合物(以下、窒素含有有機化合物A
ということがある)の少なくとも1種を0.05〜0.
2g/l、 (2)一般式:M1 SO3 −R8 −R9 −(S)m −R
10 〔式中、M1 は、水素原子、アルカリ金属又はアンモニ
ウムである。
[Wherein R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 ,
R 6 and R 7 are the same or different and are atoms or groups selected from the group consisting of a hydrogen atom, a hydroxyl group, a sulfonic acid group and an amino group. n is a number ranging from 2 to 500. (Hereinafter referred to as nitrogen-containing organic compound A)
At least one of 0.05 to 0.
2 g / l, (2) General formula: M 1 SO 3 —R 8 —R 9 — (S) m —R
10 wherein M 1 is a hydrogen atom, an alkali metal or ammonium.

【0025】R8 は、酸素原子又は炭素数1〜5のアル
キレン架橋基、R9 は、炭素数1〜5のアルキレン架橋
基、R10は、水素原子、金属原子、炭素数1〜10の脂
肪族アルキル基又は、炭素数6〜10の芳香族アルキル
基、一般式:M1 SO3 −R8 −R9 −の基(M1、R
8 及びR9 は上記に同じ)、又は一般式:
R 8 is an oxygen atom or an alkylene bridging group having 1 to 5 carbon atoms, R 9 is an alkylene bridging group having 1 to 5 carbon atoms, R 10 is a hydrogen atom, a metal atom, or a 1 to 10 carbon atoms. An aliphatic alkyl group or an aromatic alkyl group having 6 to 10 carbon atoms, a group represented by the general formula: M 1 SO 3 —R 8 —R 9 — (M 1 , R
8 and R 9 are the same as described above), or a general formula:

【0026】[0026]

【化17】 Embedded image

【0027】の基(式中、R11及びR12は、同一又は相
異なって、水素原子又は炭素数1〜4のアルキル基を示
す)である。mは1〜5である。〕で示される化合物
(以下、硫黄含有有機化合物Bということがある)の少
なくとも1種を0.005〜0.1g/l、 (3)一般式:
Wherein R 11 and R 12 are the same or different and each represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. m is 1-5. At least one of the compounds represented by the formula (hereinafter sometimes referred to as sulfur-containing organic compound B): 0.005 to 0.1 g / l;

【0028】[0028]

【化18】 Embedded image

【0029】〔式中、R13、R14、R15及びR16は、一
般式:
Wherein R 13 , R 14 , R 15 and R 16 are represented by the general formula:

【0030】[0030]

【化19】 Embedded image

【0031】(式中、M2 は、水素原子、アルカリ金
属、アンモニウムを示し、zは1〜5、x及びyは1〜
10)で表される基である。pは1〜5である。〕で示
される化合物(以下、硫黄含有有機化合物Cということ
がある)の少なくとも1種を0.01〜0.05g/
l、 (4)夫々について平均分子量200〜100000の
ポリプロピレングリコール、ポリエチレングリコール、
ポリオキシエチレンオレインエーテル、ポリオキシエチ
レンラウリルエーテル及びポリオキシエチレンノニルフ
ェニルエーテルからなる群から選ばれた化合物(以下、
ポリエーテル化合物Dということがある)の少なくとも
1種を0.04〜0.08g/l並びに、 (5)一般式:
(Wherein, M 2 represents a hydrogen atom, an alkali metal, or ammonium, z is 1 to 5, x and y are 1 to 5)
It is a group represented by 10). p is 1-5. (Hereinafter sometimes referred to as sulfur-containing organic compound C) in an amount of 0.01 to 0.05 g /
l, (4) polypropylene glycol, polyethylene glycol having an average molecular weight of 200 to 100,000 for each,
Compounds selected from the group consisting of polyoxyethylene olein ether, polyoxyethylene lauryl ether and polyoxyethylene nonylphenyl ether (hereinafter, referred to as
0.04 to 0.08 g / l of at least one polyether compound D), and (5) a general formula:

【0032】[0032]

【化20】 Embedded image

【0033】〔式中、R17は、炭素数1〜4のアルキレ
ン架橋基、R18は、炭素数1〜3のアルキレン架橋基、
19は、炭素数1〜3のアルキレン架橋基、R20は、炭
素数1〜10のアルキル基及びR21は、炭素数1〜10
のアルキル基である。qは、2〜500である。〕で示
される化合物(以下、窒素含有有機化合物Eということ
がある)の少なくとも1種を0.002〜0.01g/
lを含有する酸性銅めっき浴を使用するめっき方法。
Wherein R 17 is an alkylene bridging group having 1 to 4 carbon atoms, R 18 is an alkylene bridging group having 1 to 3 carbon atoms,
R 19 is an alkylene bridging group having 1 to 3 carbon atoms, R 20 is an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and R 21 is a 1 to 10 carbon atoms.
Is an alkyl group. q is 2 to 500. At least one of the compounds represented by the formula (hereinafter sometimes referred to as nitrogen-containing organic compound E):
A plating method using an acidic copper plating bath containing l.

【0034】本発明で使用する酸性銅めっき浴は、硫酸
銅(CuSO4 ・5H2 O)、硫酸(H2 SO4 )及び
塩素イオン(Cl- )を基本組成としている。この様な
酸性銅めっき浴の基本組成は、特に限定されるものでは
ないが、代表的な例を示すと以下の通りである。
The acidic copper plating bath used in the present invention has a basic composition of copper sulfate (CuSO 4 .5H 2 O), sulfuric acid (H 2 SO 4 ), and chlorine ion (Cl ). The basic composition of such an acidic copper plating bath is not particularly limited, but typical examples are as follows.

【0035】硫酸銅の含有量は、125〜260g/l
程度、好ましくは、150〜250g/l程度とする。
The content of copper sulfate is 125 to 260 g / l
Degree, preferably about 150 to 250 g / l.

【0036】硫酸の含有量は、20〜85g/l程度、
好ましくは、30〜70g/l程度とする。
The sulfuric acid content is about 20 to 85 g / l,
Preferably, it is about 30 to 70 g / l.

【0037】塩素イオンの含有量は、0.01〜0.1
5g/l程度、好ましくは、0.03〜0.10g/l
程度とする。
The chlorine ion content is 0.01 to 0.1.
About 5 g / l, preferably 0.03 to 0.10 g / l
Degree.

【0038】窒素含有有機化合物Aは、アゾ化アリザリ
ンサフィロールの重合体である。本発明において、窒素
含有有機化合物Aは、その湿潤作用による吸着現象によ
り、めっきの光沢及び平滑性を向上させる効果を有す
る。
The nitrogen-containing organic compound A is a polymer of azotized alizarin safilol. In the present invention, the nitrogen-containing organic compound A has an effect of improving the gloss and smoothness of plating by an adsorption phenomenon due to its wetting action.

【0039】窒素含有有機化合物Aにおいて、nは、通
常2〜500程度であり、より好ましくは150〜35
0程度である。
In the nitrogen-containing organic compound A, n is usually about 2 to 500, more preferably 150 to 35.
It is about 0.

【0040】R1 、R2 、R3 、R4 、R5 、R6 及び
7 は、同一であっても又は異なっていてもよく、水素
原子、水酸基、スルホン酸基及びアミノ基から選択され
る。
R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 and R 7 may be the same or different and are selected from a hydrogen atom, a hydroxyl group, a sulfonic acid group and an amino group. Is done.

【0041】窒素含有有機化合物Aの含有量は、本発明
の酸性銅めっき浴中に0.05〜0.2g/l程度、好
ましくは0.08〜0.18g/l程度とする。
The content of the nitrogen-containing organic compound A is about 0.05 to 0.2 g / l, preferably about 0.08 to 0.18 g / l in the acidic copper plating bath of the present invention.

【0042】硫黄含有有機化合物Bは、主に光沢化剤と
して、作用する。
The sulfur-containing organic compound B acts mainly as a brightening agent.

【0043】詳細には、硫黄含有有機化合物Bにおい
て、mは、通常1〜5程度、より好ましくは2〜4程度
である。
Specifically, in the sulfur-containing organic compound B, m is usually about 1 to 5, more preferably about 2 to 4.

【0044】M1 は、アルカリ金属又はアンモニウムで
ある。M1 のアルカリ金属としては、ナトリウム、カリ
ウム等が例示される。
M 1 is an alkali metal or ammonium. Examples of the alkali metal of M 1 include sodium and potassium.

【0045】R8 は、酸素原子又は炭素数1〜5のアル
キレン架橋基である。R8 のアルキレン架橋基として
は、メチレン基、エチレン基、プロピレン基等が例示さ
れる。
R 8 is an oxygen atom or an alkylene bridging group having 1 to 5 carbon atoms. Examples of the alkylene bridging group for R 8 include a methylene group, an ethylene group, and a propylene group.

【0046】R9 は、炭素数1〜5のアルキレン架橋基
である。R9 のアルキレン架橋基としては、メチレン
基、エチレン基、プロピレン基等が例示される。
R 9 is an alkylene bridging group having 1 to 5 carbon atoms. Examples of the alkylene bridge group for R 9 include a methylene group, an ethylene group, and a propylene group.

【0047】R10は、水素原子、金属原子、炭素数1〜
10の脂肪族アルキル基又は炭素数6〜10の芳香族ア
ルキル基である。R10の金属原子としては、カリウム、
ナトリウム等が例示される。R10の脂肪族アルキル基と
しては、メチル基、エチル基等が例示される。R10の芳
香族アルキル基としては、フェニル基等が例示される。
R 10 represents a hydrogen atom, a metal atom, a carbon number of 1 to
It is an aliphatic alkyl group having 10 or an aromatic alkyl group having 6 to 10 carbon atoms. As the metal atom for R 10 , potassium,
Sodium and the like are exemplified. Examples of the aliphatic alkyl group for R 10 include a methyl group and an ethyl group. Examples of the aromatic alkyl group for R 10 include a phenyl group.

【0048】硫黄含有有機化合物Bとしては、3−メル
カプトプロパン−1−スルホン酸ナトリウム、ビス−メ
ルカプト−オキシ−メチレン−ジ−スルフィド、N,N
−ジエチル−ジチオカルバミン酸−(スルホプロピル)
−エステルナトリウム塩、メルカプト−ベンゾチアゾー
ル−S−プロパンスルホン酸ナトリウム、o−エチル−
ジチオ石炭酸−(8−スルホプロピル)エステルカリウ
ム塩等が例示される。
Examples of the sulfur-containing organic compound B include sodium 3-mercaptopropane-1-sulfonate, bis-mercapto-oxy-methylene-di-sulfide, N, N
-Diethyl-dithiocarbamic acid- (sulfopropyl)
-Ester sodium salt, mercapto-benzothiazole-sodium S-propanesulfonate, o-ethyl-
Examples thereof include dithiolithic carbonate- (8-sulfopropyl) ester potassium salt.

【0049】硫黄含有有機化合物Bの含有量は、本発明
の酸性銅めっき浴中に0.005〜0.1g/l程度、
好ましくは0.01〜0.08g/l程度とする。
The content of the sulfur-containing organic compound B is about 0.005 to 0.1 g / l in the acidic copper plating bath of the present invention.
Preferably, it is about 0.01 to 0.08 g / l.

【0050】硫黄含有有機化合物Cは、主に展延性向上
剤及び均一電着性向上剤として作用する。
The sulfur-containing organic compound C mainly acts as a spreadability improver and a throwing power improver.

【0051】詳細には、硫黄含有有機化合物Cにおい
て、pは、通常1〜5程度、好ましくは2〜4程度であ
る。
Specifically, in the sulfur-containing organic compound C, p is usually about 1 to 5, preferably about 2 to 4.

【0052】R11、R12、R13及びR14は、一般式:R 11 , R 12 , R 13 and R 14 have the general formula:

【0053】[0053]

【化21】 Embedded image

【0054】の基であって同一又は異なっていてもよ
い。
And may be the same or different.

【0055】xは、通常1〜10程度、好ましくは2〜
5程度である。
X is usually about 1 to 10, preferably 2 to
It is about 5.

【0056】yは、通常1〜10程度、好ましくは2〜
5程度である。
Y is usually about 1 to 10, preferably 2 to
It is about 5.

【0057】zは、通常1〜5程度、好ましくは2〜4
程度である。
Z is usually about 1 to 5, preferably 2 to 4
It is about.

【0058】M2 は、水素、アルカリ金属、アンモニウ
ムである。M2 のアルカリ金属としては、ナトリウム、
カリウム等が例示される。
M 2 is hydrogen, an alkali metal, or ammonium. Sodium as the alkali metal of M 2
Potassium and the like are exemplified.

【0059】硫黄含有有機化合物Cとしては、テトラ−
ポリプロポキシ−エトキシ−エチレンジアミン−スルホ
−コハク酸エステルナトリウム塩が例示される。
As the sulfur-containing organic compound C, tetra-
Examples are polypropoxy-ethoxy-ethylenediamine-sulfo-succinate sodium salt.

【0060】硫黄含有有機化合物Cの含有量は、本発明
の酸性銅めっき浴中に0.01〜0.05g/l程度、
より好ましくは、0.02〜0.04g/l程度とす
る。
The content of the sulfur-containing organic compound C is about 0.01 to 0.05 g / l in the acidic copper plating bath of the present invention.
More preferably, it is about 0.02 to 0.04 g / l.

【0061】ポリエーテル化合物Dは、主に均一電着性
向上剤及び整面性向上剤として作用する。ポリエーテル
化合物Dとしては、夫々について平均分子量200〜1
00000のポリプロピレングリコール、ポリエチレン
グリコール、ポリオキシエチレンオレインエーテル、ポ
リオキシエチレンラウリルエーテル及びポリオキシエチ
レンノニルフェニルエーテルの少なくとも1種が使用さ
れる。
The polyether compound D mainly acts as a throwing power improver and a surface smoothing improver. The polyether compound D has an average molecular weight of 200 to 1 for each.
At least one of 00000 polypropylene glycol, polyethylene glycol, polyoxyethylene olein ether, polyoxyethylene lauryl ether and polyoxyethylene nonylphenyl ether is used.

【0062】ポリエーテル化合物Dの含有量は、本発明
の酸性銅めっき浴中に通常0.04〜0.08g/l程
度、好ましくは0.05〜0.06g/l程度とする。
The content of the polyether compound D is usually about 0.04 to 0.08 g / l, preferably about 0.05 to 0.06 g / l in the acidic copper plating bath of the present invention.

【0063】窒素含有有機化合物Eは、主に硬質化剤及
び平滑化剤として作用する。
The nitrogen-containing organic compound E mainly acts as a hardening agent and a leveling agent.

【0064】詳細には、窒素含有有機化合物Eにおい
て、qは、通常2〜500程度、好ましくは50〜30
0程度である。
Specifically, in the nitrogen-containing organic compound E, q is usually about 2 to 500, preferably 50 to 30.
It is about 0.

【0065】R13は、炭素数1〜4のアルキレン架橋基
である。R13のアルキレン架橋基としては、メチレン
基、エチレン基、プロピレン基等が例示される。
R 13 is an alkylene bridging group having 1 to 4 carbon atoms. Examples of the alkylene bridging group for R 13 include a methylene group, an ethylene group, and a propylene group.

【0066】R14は、炭素数1〜3のアルキレン架橋基
である。R14のアルキレン架橋基としては、メチレン
基、エチレン基、プロピレン基等が例示される。
R 14 is an alkylene bridging group having 1 to 3 carbon atoms. Examples of the alkylene bridging group for R 14 include a methylene group, an ethylene group, and a propylene group.

【0067】R15は、炭素数1〜3のアルキレン架橋基
である。R15のアルキレン架橋基としては、メチレン
基、エチレン基、プロピレン基等が例示される。
R 15 is an alkylene bridging group having 1 to 3 carbon atoms. Examples of the alkylene bridging group for R 15 include a methylene group, an ethylene group, and a propylene group.

【0068】R16は、炭素数1〜10のアルキル基であ
る。R16のアルキル基としては、メチル基、エチル基、
プロピル基等が例示される。
R 16 is an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms. Examples of the alkyl group for R 16 include a methyl group, an ethyl group,
Examples thereof include a propyl group.

【0069】窒素含有有機化合物Eの含有量は、本発明
の酸性銅めっき浴中に0.002〜0.01g/l程
度、好ましくは0.005〜0.01g/l程度とす
る。
The content of the nitrogen-containing organic compound E is about 0.002-0.01 g / l, preferably about 0.005-0.01 g / l, in the acidic copper plating bath of the present invention.

【0070】本発明の酸性銅めっき浴は、一般的な方法
に従って調製される。この酸性銅めっき浴を使用しため
っき方法において、陰極電流密度は、0.1〜10A/
dm2 程度、好ましくは2〜6A/dm2 程度とする。
The acidic copper plating bath of the present invention is prepared according to a general method. In the plating method using this acidic copper plating bath, the cathode current density is 0.1 to 10 A /
dm 2 , preferably about 2 to 6 A / dm 2 .

【0071】浴温度は、15〜35℃程度、好ましくは
20〜30℃程度とする。
The bath temperature is about 15 to 35 ° C., preferably about 20 to 30 ° C.

【0072】めっき時間は、8〜40分程度、好ましく
は15〜30分程度とする。
The plating time is about 8 to 40 minutes, preferably about 15 to 30 minutes.

【0073】[0073]

【発明の効果】本発明の酸性銅めっき浴を使用するめっ
き方法においては、通常より低い電流密度又は通常より
高い電流密度或いは通常より高い浴温度においても、良
好なめっき被膜が得られ、これにより浴の管理費用等が
大幅に節約できる。
According to the plating method using the acidic copper plating bath of the present invention, a good plating film can be obtained even at a current density lower than usual or a current density higher than usual or a bath temperature higher than usual. Bath management costs can be greatly reduced.

【0074】さらに、高電流密度又は高浴温度の場合に
は、添加剤の量も少なくてすみ、めっき時間の短縮化が
可能となり、コストの低減がはかれる。
Further, in the case of a high current density or a high bath temperature, the amount of the additive may be small, the plating time can be shortened, and the cost can be reduced.

【0075】[0075]

【実施例】なお、以下に本発明の実施例を示す。EXAMPLES Examples of the present invention will be described below.

【0076】本発明の実施例及び比較例においては、硫
酸銅200g/l、硫酸50g/l、塩素イオン50m
g/lの基本浴に所定の添加剤を加え、空気撹拌下に3
0±1℃でめっきを行った。めっきに際しては、257
mlのハルセル試験槽、銅陽極及び綿バフにより鏡面研
磨した後1000番エメリー紙で傷をつけた黄銅パネル
の陰極を使用した。電流は2A、めっき時間は、10分
間、陰極電流密度の範囲は、約0.1〜15A/dm2
であった。
In Examples and Comparative Examples of the present invention, copper sulfate 200 g / l, sulfuric acid 50 g / l, chloride ion 50 m / l
g / l of the basic bath, add the specified additives, and add
Plating was performed at 0 ± 1 ° C. When plating, 257
A Brass panel cathode, which was mirror polished with a 1000 ml Hull cell test tank, copper anode and cotton buff and then scratched with # 1000 emery paper, was used. The current was 2 A, the plating time was 10 minutes, and the range of the cathode current density was about 0.1 to 15 A / dm 2.
Met.

【0077】比較例1 添加剤として、以下の化合物を含む浴で電気めっきを行
なったところ、低電流部に曇りのある平滑性の乏しい銅
めっきパネルを得た。
COMPARATIVE EXAMPLE 1 Electroplating was carried out in a bath containing the following compounds as additives. As a result, a copper-plated panel having cloudiness in a low current portion and poor smoothness was obtained.

【0078】 3−メルカプトプロパン−1−スルホン酸ナトリウム 0.02 g/l 一般式:Sodium 3-mercaptopropane-1-sulfonate 0.02 g / l General formula:

【0079】[0079]

【化22】 Embedded image

【0080】 で示されるテトラ−ポリプロポキシ−エトキシ− エチレンジアミン−スルホ−コハク酸エステルナトリウム塩0.05 g/l ポリプロピレングリコール(平均分子量:11000) 0.10 g/l 実施例1 添加剤として、以下の化合物を含む浴で電気めっきを行
なったところ、パネル全面に光沢のある銅被膜が得られ
るとともに、パネルの平滑性も改善された。
Tetra-polypropoxy-ethoxy-ethylenediamine-sulfo-succinate sodium salt 0.05 g / l polypropylene glycol (average molecular weight: 11000) represented by: 0.10 g / l Example 1 As an additive, When electroplating was carried out in a bath containing the above compound, a glossy copper film was obtained on the entire surface of the panel, and the smoothness of the panel was also improved.

【0081】 3−メルカプトプロパン−1−スルホン酸ナトリウム 0.02 g/l 一般式:Sodium 3-mercaptopropane-1-sulfonate 0.02 g / l General formula:

【0082】[0082]

【化23】 Embedded image

【0083】 で示されるテトラ−ポリプロポキシ−エトキシ− エチレンジアミン−スルホ−コハク酸エステルナトリウム塩0.05 g/l ポリプロピレングリコール(平均分子量:11000) 0.10 g/l 一般式:Tetra-polypropoxy-ethoxy-ethylenediamine-sulfo-succinate sodium salt 0.05 g / l polypropylene glycol (average molecular weight: 11000) 0.10 g / l represented by the general formula:

【0084】[0084]

【化24】 Embedded image

【0085】 で示されるアゾ化アリザリンサフィロールの重合体 0.10 g/l 一般式:The polymer of azonated alizarin safilol represented by 0.10 g / l of the general formula:

【0086】[0086]

【化25】 Embedded image

【0087】 で示されるカチオン系樹脂 0.005g/l 比較例2 添加剤として、以下の化合物を含む浴で電気めっきを行
なったところ、低電流部に曇りのある平滑性の乏しい銅
めっきパネルを得た。
Comparative Example 2 Electroplating was carried out in a bath containing the following compound as an additive, and a copper-plated panel with cloudiness in a low current portion and poor smoothness was obtained. Obtained.

【0088】 ビス−(3−ナトリウム−スルホプロピル)−ジスルフィド 0.02 g/l 一般式:Bis- (3-sodium-sulfopropyl) -disulfide 0.02 g / l General formula:

【0089】[0089]

【化26】 Embedded image

【0090】 で示されるテトラ−ポリプロポキシ−エトキシ− エチレンジアミン−スルホ−コハク酸エステルナトリウム塩0.05 g/l ポリプロピレングリコール(平均分子量:12000) 0.02 g/l 一般式:Tetra-polypropoxy-ethoxy-ethylenediamine-sulfo-succinate sodium salt 0.05 g / l polypropylene glycol (average molecular weight: 12000) 0.02 g / l represented by the general formula:

【0091】[0091]

【化27】 Embedded image

【0092】 で示されるカチオン系樹脂 0.005g/l 実施例2 添加剤として、以下の化合物を含む浴で電気めっきを行
なったところ、パネル全面に光沢のある銅被膜が得られ
るとともに、パネルの平滑性も改善された。
Example 2 When electroplating was carried out in a bath containing the following compounds as additives, a glossy copper film was obtained on the entire surface of the panel, The smoothness has also been improved.

【0093】 ビス−メルカプト−オキシ−メチレン−ジスルフィド 0.05 g/l 一般式:Bis-mercapto-oxy-methylene-disulfide 0.05 g / l General formula:

【0094】[0094]

【化28】 Embedded image

【0095】 で示されるテトラ−ポリプロポキシ−エトキシ− エチレンジアミン−スルホ−コハク酸エステルナトリウム塩0.05 g/l ポリプロピレングリコール(平均分子量:12000) 0.02 g/l 一般式:Tetra-polypropoxy-ethoxy-ethylenediamine-sulfo-succinate sodium salt 0.05 g / l polypropylene glycol (average molecular weight: 12000) 0.02 g / l represented by the general formula:

【0096】[0096]

【化29】 Embedded image

【0097】 で示されるカチオン系樹脂 0.005g/l 一般式:A cationic resin represented by the following formula: 0.005 g / l

【0098】[0098]

【化30】 Embedded image

【0099】 で示されるアゾ化アリザリンサフィロールの重合体 0.12 g/l 比較例3 添加剤として、以下の化合物を含む浴で電気めっきを行
なったところ、光沢のある銅めっきパネルを得た。しか
しながら、平滑性の乏しいめっきパネルであった。
0.12 g / l of an azylated alizarin saphilol polymer represented by: Comparative Example 3 Electroplating was carried out in a bath containing the following compounds as additives, and a glossy copper-plated panel was obtained. . However, the plating panel was poor in smoothness.

【0100】一般式:General formula:

【0101】[0101]

【化31】 Embedded image

【0102】 で示されるサフラニン系染料 0.10 g/l 3−メルカプトプロパン−1−スルホン酸ナトリウム 0.02 g/l 一般式:0.10 g / l sodium 3-mercaptopropane-1-sulfonate represented by the following formula: 0.02 g / l

【0103】[0103]

【化32】 Embedded image

【0104】 で示されるテトラ−ポリプロポキシ−エトキシ− エチレンジアミン−スルホ−コハク酸エステルナトリウム塩0.05 g/l ポリプロピレングリコール(平均分子量:13000) 0.05 g/l 一般式:Tetra-polypropoxy-ethoxy-ethylenediamine-sulfo-succinate sodium salt 0.05 g / l of polypropylene glycol (average molecular weight: 13000) 0.05 g / l of the general formula:

【0105】[0105]

【化33】 Embedded image

【0106】 で示されるカチオン系樹脂 0.01 g/l 実施例3 添加剤として、以下の化合物を含む浴で電気めっきを行
なったところ、パネル全面に光沢のある銅被膜が得られ
るとともに、パネルの平滑性著しく改善された。
Example 3 A cationic resin represented by the following formula: 0.01 g / l Example 3 When electroplating was carried out in a bath containing the following compounds as additives, a glossy copper film was obtained on the entire panel, and Was significantly improved.

【0107】一般式:General formula:

【0108】[0108]

【化34】 Embedded image

【0109】 で示されるアゾ化アリザリンサフィロールの重合体 0.15 g/l ビス−メルカプト−オキシ−メチレン−ジスルフィド 0.08 g/l 一般式:0.15 g / l bis-mercapto-oxy-methylene-disulfide polymer of azylated alizarin saphilol represented by: 0.08 g / l General formula:

【0110】[0110]

【化35】 Embedded image

【0111】 で示されるテトラ−ポリプロポキシ−エトキシ− エチレンジアミン−スルホ−コハク酸エステルナトリウム塩0.05 g/l ポリプロピレングリコール(平均分子量:13000) 0.05 g/l 一般式:Tetra-polypropoxy-ethoxy-ethylenediamine-sulfo-succinate sodium salt 0.05 g / l polypropylene glycol (average molecular weight: 13000) 0.05 g / l represented by the general formula:

【0112】[0112]

【化36】 Embedded image

【0113】 で示されるカチオン系樹脂 0.01 g/lA cationic resin represented by the following formula: 0.01 g / l

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平2−185992(JP,A) 特開 平7−62587(JP,A) 特開2001−247994(JP,A) 特開 平5−230687(JP,A) 特公 平2−46675(JP,B2) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C25D 3/38 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-2-185992 (JP, A) JP-A-7-62587 (JP, A) JP-A-2001-247994 (JP, A) JP-A-5-230687 (JP, A) JP 2-46675 (JP, B2) (58) Fields surveyed (Int. Cl. 7 , DB name) C25D 3/38

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 硫酸銅、硫酸及び塩素イオンを基本組成
とする酸性銅めっき浴であって、 (1)一般式: 【化1】 〔式中、R1 、R2 、R3 、R4 、R5 、R6 及びR7
は、同一又は相異なって、水素原子、水酸基、スルホン
酸基及びアミノ基からなる群から選択される原子又は基
である。nは2〜500の範囲の数である。〕で示され
る化合物の少なくとも1種を0.05〜0.2g/l、 (2)一般式:M1 SO3 −R8 −R9 −(S)m −R
10 〔式中、M1 は、水素原子、アルカリ金属又はアンモニ
ウムである。R8 は、酸素原子又は炭素数1〜5のアル
キレン架橋基、 R9 は、炭素数1〜5のアルキレン架橋基、 R10は、水素原子、金属原子、炭素数1〜10の脂肪族
アルキル基、又は炭素数6〜10の芳香族アルキル基、
一般式:M1 SO3 −R8 −R9 −の基(M1、R8
びR9 は上記に同じ)、又は一般式: 【化2】 の基(式中、R11及びR12は、同一又は相異なって、水
素原子又は炭素数1〜4のアルキル基を示す)である。
mは1〜5である。〕で示される化合物の少なくとも1
種を0.005〜0.1g/l、 (3)一般式: 【化3】 〔式中、R13、R14、R15及びR16は、一般式: 【化4】 (式中、M2 は、水素原子、アルカリ金属又はアンモニ
ウムを示し、zは1〜5、x及びyは1〜10)で表さ
れる基である。pは1〜5である。〕で示される化合物
の少なくとも1種を0.01〜0.05g/l、 (4)夫々について平均分子量200〜100000の
ポリプロピレングリコール、ポリエチレングリコール、
ポリオキシエチレンオレインエーテル、ポリオキシエチ
レンラウリルエーテル及びポリオキシエチレンノニルフ
ェニルエーテルからなる群から選ばれた化合物の少なく
とも1種を0.04〜0.08g/l並びに、 (5)一般式: 【化5】 〔式中、R17は、炭素数1〜4のアルキレン架橋基、 R18は、炭素数1〜3のアルキレン架橋基、 R19は、炭素数1〜3のアルキレン架橋基、 R20は、炭素数1〜10のアルキル基及びR21は、炭素
数1〜10のアルキル基である。qは、2〜500であ
る。〕で示される化合物の少なくとも1種を0.002
〜0.01g/lを含有することを特徴とする酸性銅め
っき浴。
An acidic copper plating bath having a basic composition of copper sulfate, sulfuric acid and chlorine ions, wherein (1) a general formula: [Wherein R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 and R 7
Are the same or different and are atoms or groups selected from the group consisting of a hydrogen atom, a hydroxyl group, a sulfonic acid group and an amino group. n is a number ranging from 2 to 500. 0.05 to 0.2 g / l of the compound represented by the general formula: M 1 SO 3 —R 8 —R 9 — (S) m —R
10 wherein M 1 is a hydrogen atom, an alkali metal or ammonium. R 8 is an oxygen atom or an alkylene bridging group having 1 to 5 carbon atoms, R 9 is an alkylene bridging group having 1 to 5 carbon atoms, R 10 is a hydrogen atom, a metal atom, or an aliphatic alkyl having 1 to 10 carbon atoms. A group or an aromatic alkyl group having 6 to 10 carbon atoms,
A group of the general formula: M 1 SO 3 —R 8 —R 9 — (M 1 , R 8 and R 9 are the same as above), or a general formula: Wherein R 11 and R 12 are the same or different and each represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
m is 1-5. At least one compound represented by the formula:
Seeds 0.005 to 0.1 g / l, (3) general formula: Wherein R 13 , R 14 , R 15 and R 16 are represented by the general formula: (Wherein, M 2 represents a hydrogen atom, an alkali metal or ammonium, z is 1 to 5, x and y are 1 to 10). p is 1-5. 0.01 to 0.05 g / l of at least one compound represented by the formula: (4) polypropylene glycol, polyethylene glycol having an average molecular weight of 200 to 100,000 for each,
0.04 to 0.08 g / l of at least one compound selected from the group consisting of polyoxyethylene olein ether, polyoxyethylene lauryl ether and polyoxyethylene nonylphenyl ether; and (5) a general formula: 5] [Wherein, R 17 is an alkylene bridging group having 1 to 4 carbon atoms, R 18 is an alkylene bridging group having 1 to 3 carbon atoms, R 19 is an alkylene bridging group having 1 to 3 carbon atoms, R 20 is The alkyl group having 1 to 10 carbon atoms and R 21 are an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms. q is 2 to 500. At least one compound represented by the formula
An acidic copper plating bath characterized by containing about 0.01 g / l.
【請求項2】 硫酸銅、硫酸及び塩素イオンを基本組成
とする酸性銅めっき浴を使用するめっき方法であって、 (1)一般式: 【化6】 〔式中、R1 、R2 、R3 、R4 、R5 、R6 及びR7
は、同一又は相異なって、水素原子、水酸基、スルホン
酸基及びアミノ基からなる群から選択される原子又は基
である。nは2〜500の範囲の数である。〕で示され
る化合物の少なくとも1種を0.05〜0.2g/l、 (2)一般式:M1 SO3 −R8 −R9 −(S)m −R
10 〔式中、M1 は、水素原子、アルカリ金属又はアンモニ
ウムである。R8 は、酸素原子又は炭素数1〜5のアル
キレン架橋基、 R9 は、炭素数1〜5のアルキレン架橋基、 R10は、水素原子、金属原子、炭素数1〜10の脂肪族
アルキル基、又は炭素数6〜10の芳香族アルキル基、
一般式:M1 SO3 −R8 −R9 −の基(M1、R8
びR9 は上記に同じ)、又は一般式: 【化7】 の基(式中、R11及びR12は、同一又は相異なって、水
素原子又は炭素数1〜4のアルキル基を示す)である。
mは1〜5である。〕で示される化合物の少なくとも1
種を0.005〜0.1g/l、 (3)一般式: 【化8】 〔式中、R13、R14、R15及びR16は、一般式: 【化9】 (式中、M2 は、水素原子、アルカリ金属又はアンモニ
ウムを示し、zは1〜5、x及びyは1〜10)で表さ
れる基である。pは1〜5である。〕で示される化合物
の少なくとも1種を0.01〜0.05g/l、 (4)夫々について平均分子量200〜100000の
ポリプロピレングリコール、ポリエチレングリコール、
ポリオキシエチレンオレインエーテル、ポリオキシエチ
レンラウリルエーテル及びポリオキシエチレンノニルフ
ェニルエーテルからなる群から選ばれた化合物の少なく
とも1種を0.04〜0.08g/l並びに、 (5)一般式: 【化10】 〔式中、R17は、炭素数1〜4のアルキレン架橋基、 R18は、炭素数1〜3のアルキレン架橋基、 R19は、炭素数1〜3のアルキレン架橋基、 R20は、炭素数1〜10のアルキル基及びR21は、炭素
数1〜10のアルキル基である。qは、2〜500であ
る。〕で示される化合物の少なくとも1種を0.002
〜0.01g/lを含有する酸性銅めっき浴を使用する
めっき方法。
2. A plating method using an acidic copper plating bath having a basic composition of copper sulfate, sulfuric acid and chloride ions, wherein (1) a general formula: [Wherein R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 and R 7
Are the same or different and are atoms or groups selected from the group consisting of a hydrogen atom, a hydroxyl group, a sulfonic acid group and an amino group. n is a number ranging from 2 to 500. 0.05 to 0.2 g / l of the compound represented by the general formula: M 1 SO 3 —R 8 —R 9 — (S) m —R
10 wherein M 1 is a hydrogen atom, an alkali metal or ammonium. R 8 is an oxygen atom or an alkylene bridging group having 1 to 5 carbon atoms, R 9 is an alkylene bridging group having 1 to 5 carbon atoms, R 10 is a hydrogen atom, a metal atom, or an aliphatic alkyl having 1 to 10 carbon atoms. A group or an aromatic alkyl group having 6 to 10 carbon atoms,
A group of the general formula: M 1 SO 3 —R 8 —R 9 — (M 1 , R 8 and R 9 are the same as described above), or a general formula: Wherein R 11 and R 12 are the same or different and each represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
m is 1-5. At least one compound represented by the formula:
Seeds 0.005 to 0.1 g / l, (3) general formula: Wherein R 13 , R 14 , R 15 and R 16 are represented by the general formula: (Wherein, M 2 represents a hydrogen atom, an alkali metal or ammonium, z is 1 to 5, x and y are 1 to 10). p is 1-5. 0.01 to 0.05 g / l of at least one compound represented by the formula: (4) polypropylene glycol, polyethylene glycol having an average molecular weight of 200 to 100,000 for each,
0.04 to 0.08 g / l of at least one compound selected from the group consisting of polyoxyethylene olein ether, polyoxyethylene lauryl ether and polyoxyethylene nonylphenyl ether; and (5) a general formula: 10) [Wherein, R 17 is an alkylene bridging group having 1 to 4 carbon atoms, R 18 is an alkylene bridging group having 1 to 3 carbon atoms, R 19 is an alkylene bridging group having 1 to 3 carbon atoms, R 20 is The alkyl group having 1 to 10 carbon atoms and R 21 are an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms. q is 2 to 500. At least one compound represented by the formula
A plating method using an acidic copper plating bath containing 0.010.01 g / l.
JP30806393A 1993-12-08 1993-12-08 Acidic copper plating bath and plating method using the same Expired - Lifetime JP3263750B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP30806393A JP3263750B2 (en) 1993-12-08 1993-12-08 Acidic copper plating bath and plating method using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP30806393A JP3263750B2 (en) 1993-12-08 1993-12-08 Acidic copper plating bath and plating method using the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH07157890A JPH07157890A (en) 1995-06-20
JP3263750B2 true JP3263750B2 (en) 2002-03-11

Family

ID=17976442

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP30806393A Expired - Lifetime JP3263750B2 (en) 1993-12-08 1993-12-08 Acidic copper plating bath and plating method using the same

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3263750B2 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2195474A4 (en) * 2007-06-22 2013-01-23 Macdermid Inc Acid copper electroplating bath composition

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100656581B1 (en) * 1998-09-03 2006-12-12 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 Method for plating substrate and apparatus
JP4394234B2 (en) * 2000-01-20 2010-01-06 日鉱金属株式会社 Copper electroplating solution and copper electroplating method
EP1197587B1 (en) * 2000-10-13 2006-09-20 Shipley Co. L.L.C. Seed layer repair and electroplating bath
JP3642730B2 (en) * 2000-11-29 2005-04-27 株式会社荏原製作所 Plating apparatus and plating solution composition management method
KR100422455B1 (en) * 2001-11-02 2004-03-11 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Copper electroplating solution
KR100429770B1 (en) * 2001-11-15 2004-05-03 한국과학기술연구원 Copper electroplating solution
JP4976725B2 (en) * 2005-03-31 2012-07-18 三井金属鉱業株式会社 Copper electrolyte and method for forming electrodeposited copper film using the copper electrolyte
JP4816901B2 (en) * 2005-11-21 2011-11-16 上村工業株式会社 Electro copper plating bath
KR101234429B1 (en) * 2006-01-06 2013-02-18 엔쏜 인코포레이티드 Electrolyte and process for depositing a matt metal layer
US7575666B2 (en) * 2006-04-05 2009-08-18 James Watkowski Process for electrolytically plating copper
JP5505153B2 (en) * 2010-07-16 2014-05-28 上村工業株式会社 Electro copper plating bath and electro copper plating method
CN107604391A (en) * 2017-09-07 2018-01-19 电子科技大学 A kind of plating agent for electro-coppering and its related plating metal copper combination agent

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2195474A4 (en) * 2007-06-22 2013-01-23 Macdermid Inc Acid copper electroplating bath composition

Also Published As

Publication number Publication date
JPH07157890A (en) 1995-06-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3263750B2 (en) Acidic copper plating bath and plating method using the same
JP2859326B2 (en) An acidic water bath for electrically depositing a glossy, crack-free copper coating and a method for reinforcing conductive paths in printed circuits.
US7857961B2 (en) Copper plating bath formulation
US20090038949A1 (en) Copper plating process
KR102332676B1 (en) Cyanide-free acidic matte silver electroplating compositions and methods
JP4382656B2 (en) Electrodeposition of acid plating bath and satin nickel coating
US4515663A (en) Acid zinc and zinc alloy electroplating solution and process
GB2062010A (en) Electroplating Bath and Process
GB2144451A (en) Zinc/iron alloy electroplating
KR900005845B1 (en) Zinc-nickel alloy electrolyte and process
US4597838A (en) Additive agent for zinc alloy electrolyte and process
JPS58210189A (en) Zinc alloy plating bath containing condensation polymer brightening agent
US4207150A (en) Electroplating bath and process
US2651608A (en) Electrodeposition of aluminum from nonaqueous solutions
US4772362A (en) Zinc alloy electrolyte and process
JPS6314886A (en) Acidic copper plating bath
US4541906A (en) Zinc electroplating and baths therefore containing carrier brighteners
JP2000080494A (en) Plating solution for copper damascene wiring
JPS6013090A (en) Copper plating bath composition and method
JP3723864B2 (en) Zinc sulfamate plating bath
CA1213559A (en) Zinc plating baths with condensating polymer brighteners
JPS59200786A (en) Copper sulphate plating bath and plating method using said bath
JPS5841357B2 (en) Acidic zinc plating solutions and plating methods using ethoxylated/propoxylated polyhydric alcohols
US4134804A (en) Cyanide-free zinc plating bath and process
US3767540A (en) Additive for electrodeposition of bright zinc from aqueous, acid, electroplating baths

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081228

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081228

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091228

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101228

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111228

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111228

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121228

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131228

Year of fee payment: 12

EXPY Cancellation because of completion of term