JP3260372B2 - 振幅リミッタ回路 - Google Patents
振幅リミッタ回路Info
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G11/00—Limiting amplitude; Limiting rate of change of amplitude ; Clipping in general
- H03G11/02—Limiting amplitude; Limiting rate of change of amplitude ; Clipping in general by means of diodes
- H03G11/025—Limiting amplitude; Limiting rate of change of amplitude ; Clipping in general by means of diodes in circuits having distributed constants
Landscapes
- Tone Control, Compression And Expansion, Limiting Amplitude (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 本発明は、請求の範囲第１項および第８項の上位概念
による振幅リミッタ回路および高周波領域でのその適用
に関する。
による振幅リミッタ回路および高周波領域でのその適用
に関する。
高周波技術の多数の適用例、特にレーダー技術または
衛星通信では、一方では大出力の高周波送信機が、他方
では高感度高周波受信機が空間的に直ぐ近傍で駆動され
る。それどころか多くの場合、高周波送信機と高周波受
信機は共通の送信／受信アンテナを介して時分割多重方
式で駆動される。これは例えばアクティブ型位相制御ア
ンテナ群（整相列アンテナ）の場合である。このアンテ
ナ群では例えば数千までの個々のアンテナ（送信（Ｓ）
および受信（Ｅ）アンテナ）が１つのアンテナ群にまと
められている。このようなアンテナ群ではアンテナロー
ブの旋回は次のようにして行うことができる。すなわ
ち、個々のアンテナで調整可能な移相器を送信すべき高
周波信号および受信すべき高周波信号に対して設けるの
である。例として述べたこのような構成では、いわゆる
送信（Ｓ）モジュール、受信（Ｅ）モジュールまたは送
信／受信（S/E）モジュールが非常に重要な機能を有す
る。多くの場合このようなモジュールを空間的にできる
だけ小さなユニットとして構成することが、例えば飛行
機の機首用位相制御アンテナ群に対して有利である。
衛星通信では、一方では大出力の高周波送信機が、他方
では高感度高周波受信機が空間的に直ぐ近傍で駆動され
る。それどころか多くの場合、高周波送信機と高周波受
信機は共通の送信／受信アンテナを介して時分割多重方
式で駆動される。これは例えばアクティブ型位相制御ア
ンテナ群（整相列アンテナ）の場合である。このアンテ
ナ群では例えば数千までの個々のアンテナ（送信（Ｓ）
および受信（Ｅ）アンテナ）が１つのアンテナ群にまと
められている。このようなアンテナ群ではアンテナロー
ブの旋回は次のようにして行うことができる。すなわ
ち、個々のアンテナで調整可能な移相器を送信すべき高
周波信号および受信すべき高周波信号に対して設けるの
である。例として述べたこのような構成では、いわゆる
送信（Ｓ）モジュール、受信（Ｅ）モジュールまたは送
信／受信（S/E）モジュールが非常に重要な機能を有す
る。多くの場合このようなモジュールを空間的にできる
だけ小さなユニットとして構成することが、例えば飛行
機の機首用位相制御アンテナ群に対して有利である。
このようなS/Eモジュールの例としての高周波部の構
成が図１に示されている。これは実質的に、 受信経路、 送信経路、 共通の制御経路および 共通の放射器経路 からなる。
成が図１に示されている。これは実質的に、 受信経路、 送信経路、 共通の制御経路および 共通の放射器経路 からなる。
共通の放射器経路は、放射器ST,フィルタFIおよび送
信／受信切換器、例えばサーキュレータZIからなる。
信／受信切換器、例えばサーキュレータZIからなる。
受信経路は振幅リミッタ回路LIを受信すべき高周波信
号および後置接続された低ノイズ高感度増幅器LNAのた
めに有する。
号および後置接続された低ノイズ高感度増幅器LNAのた
めに有する。
送信経路は１つの増幅器または複数の増幅器の直列回
路を送信すべき高周波信号のために有する。すなわち例
えば、駆動増幅器DA、電力増幅器PAおよび高出力増幅器
HPAである。
路を送信すべき高周波信号のために有する。すなわち例
えば、駆動増幅器DA、電力増幅器PAおよび高出力増幅器
HPAである。
共通の制御経路は、移相器PS、高周波増幅器AMPおよ
び高周波減衰器ATTの直列回路からなる。
び高周波減衰器ATTの直列回路からなる。
送信すべき高周波信号TTxは、第１のスイッチSPDT1、
制御経路、第２のスイッチ、送信経路および放射器経路
を介して放射器ST、例えばホーン形放射器に達する。
制御経路、第２のスイッチ、送信経路および放射器経路
を介して放射器ST、例えばホーン形放射器に達する。
放射器STにより受信された高周波信号は、放射器経
路、受信経路、第１のスイッチSPDT1、制御経路および
第２のスイッチSPDT2を介して出力側に達し、そこに増
幅された受信信号Rxとして存在してさらに処理すること
ができる。
路、受信経路、第１のスイッチSPDT1、制御経路および
第２のスイッチSPDT2を介して出力側に達し、そこに増
幅された受信信号Rxとして存在してさらに処理すること
ができる。
送信（Ｓ）または受信（Ｅ）もジュールは受信経路な
いし送信経路を省略することにより製造することができ
る。
いし送信経路を省略することにより製造することができ
る。
このような構成では、受信経路に存在する高感度低ノ
イズ増幅器が過度に大きな振幅を有する入力信号に対し
て特に保護されなければならないことがわかる。このよ
うな過度に大きな振幅の入力信号は増幅器LNAを破壊ま
たは過変調することとなる。このような許容されない大
きな振幅は例えばサーキュレータZIの故障の際に受信経
路に発生し得る。故障により、増幅された送信信号は直
接受信経路に結合されることとなる。その他に放射器ST
は許容されないほど大きな振幅を有する高周波信号を、
例えば落雷または放射器の前に直接配置された高周波反
射器のために受信することがある。従って増幅器LNAを
これに前置接続された振幅リミッタ回路LIにより保護す
ることは自明である。この振幅リミッタ回路は、受信信
号をできるだけわずかしか減衰せず、また受信モードで
のS/Eモジュールのノイズレシオをできるだけ低く保つ
ためにできるだけ小さな（挿入）減衰度を有しなければ
ならない。
イズ増幅器が過度に大きな振幅を有する入力信号に対し
て特に保護されなければならないことがわかる。このよ
うな過度に大きな振幅の入力信号は増幅器LNAを破壊ま
たは過変調することとなる。このような許容されない大
きな振幅は例えばサーキュレータZIの故障の際に受信経
路に発生し得る。故障により、増幅された送信信号は直
接受信経路に結合されることとなる。その他に放射器ST
は許容されないほど大きな振幅を有する高周波信号を、
例えば落雷または放射器の前に直接配置された高周波反
射器のために受信することがある。従って増幅器LNAを
これに前置接続された振幅リミッタ回路LIにより保護す
ることは自明である。この振幅リミッタ回路は、受信信
号をできるだけわずかしか減衰せず、また受信モードで
のS/Eモジュールのノイズレシオをできるだけ低く保つ
ためにできるだけ小さな（挿入）減衰度を有しなければ
ならない。
従ってこの理由から反射性振幅リミッタ回路が使用さ
れる。この振幅リミッタ回路は最大許容高周波レベルを
上回る際に高周波短絡を生ぜしめる。これにより過度に
大きな高周波電力が障害としてサーキュレータZIの低抵
抗の経路を介して送信経路の出力側へ導通され、この低
抵抗の経路を損傷または破壊することさえある。
れる。この振幅リミッタ回路は最大許容高周波レベルを
上回る際に高周波短絡を生ぜしめる。これにより過度に
大きな高周波電力が障害としてサーキュレータZIの低抵
抗の経路を介して送信経路の出力側へ導通され、この低
抵抗の経路を損傷または破壊することさえある。
本発明の課題は、受信経路に対しても、場合により存
在する送信経路に対しても、許容されない振幅に対し高
い信頼性で保護する振幅リミッタ回路を提供することで
ある。さらにこの振幅リミッタ回路の動作は信頼性が高
く、わずかなスペースしか必要とせず、安価に製造する
ことができる。本発明はさらに、このような振幅リミッ
タ回路の有利な適用を開示するものである。
在する送信経路に対しても、許容されない振幅に対し高
い信頼性で保護する振幅リミッタ回路を提供することで
ある。さらにこの振幅リミッタ回路の動作は信頼性が高
く、わずかなスペースしか必要とせず、安価に製造する
ことができる。本発明はさらに、このような振幅リミッ
タ回路の有利な適用を開示するものである。
この課題は本発明により、請求の範囲第１項および第
８項記載の構成により解決される。有利な構成は従属請
求項に示されている。
８項記載の構成により解決される。有利な構成は従属請
求項に示されている。
本発明の第１の利点は、制限されない場合（通常の場
合）、高周波受信信号に対して非常に小さな挿入減衰度
しかないことである。
合）、高周波受信信号に対して非常に小さな挿入減衰度
しかないことである。
第２の利点は、制限された場合、障害となる高周波電
力が振幅リミッタ回路で反射され、少なくとも反射され
た高周波電力により何の破壊も惹起され得ないほど強く
吸収されることである。
力が振幅リミッタ回路で反射され、少なくとも反射され
た高周波電力により何の破壊も惹起され得ないほど強く
吸収されることである。
第３の利点は、高周波受信信号の周波数に依存してス
トリップ線路技術でほぼ完全に構成することが可能なこ
とである。これにより配置構成は機械的に頑強となり、
非常に小さなスペースしか必要でなく、安価に製造する
ことができる。これによりさらに振幅リミッタ回路をS/
EモジュールまたはＥもジュールの支持基板に集積化す
ることができる。従って振幅リミッタ回路は必ずしもデ
ィスクリート構成素子である必要はない。
トリップ線路技術でほぼ完全に構成することが可能なこ
とである。これにより配置構成は機械的に頑強となり、
非常に小さなスペースしか必要でなく、安価に製造する
ことができる。これによりさらに振幅リミッタ回路をS/
EモジュールまたはＥもジュールの支持基板に集積化す
ることができる。従って振幅リミッタ回路は必ずしもデ
ィスクリート構成素子である必要はない。
第４の利点は、制限が受信された高周波信号によって
のみ引き起こされることである。従って制御信号は必要
ない。従って振幅リミッタ回路はその作用において純粋
なパッシブ高周波構成素子とみなされる。
のみ引き起こされることである。従って制御信号は必要
ない。従って振幅リミッタ回路はその作用において純粋
なパッシブ高周波構成素子とみなされる。
第５の利点は、制限のために高周波整流器が２つしか
必要ないことである。この高周波整流器は有利には半導
体ダイオードとして構成される。
必要ないことである。この高周波整流器は有利には半導
体ダイオードとして構成される。
第６の利点は、必要であるかぎり高周波整流器に簡単
に直流および／または低周波バイアス電圧を供給するこ
とができることである。これにより例えば、２つの整流
器をできるだけ正確に所定の振幅閾値に調整したり、ま
たはこれらを制御または調整可能に構成することができ
る。
に直流および／または低周波バイアス電圧を供給するこ
とができることである。これにより例えば、２つの整流
器をできるだけ正確に所定の振幅閾値に調整したり、ま
たはこれらを制御または調整可能に構成することができ
る。
本発明を以下、図２に示された実施例に基づき詳細に
説明する。以下すべての値の記載は高周波受信信号が本
発明の構成で有する波長λに関連する。図２は振幅リミ
ッタ回路の電気回路を示す。この振幅リミッタ回路は例
えば、マイクロストリップ線路構造の形でセラミック基
板またはプラスチック基板に製造することができる。基
板には２つの貫通穴（via holes）が必要なだけであ
り、この貫通穴に半導体整流ダイオードD1,D2が嵌め込
まれ、基板の裏側（高周波アース）と接触接続される。
付加的にさらに２つの別の貫通穴が必要なこともある。
すなわちこれは高周波インダクタンスL1,L2が必要な場
合である。これらインダクタンスの端子は同様に図示の
ように高周波アースと接続される。この高周波アース端
子は必要な場合は、直流電圧端子または低周波の交流電
圧端子により置換することができる。これは例えば、高
周波整流器D1,D2により定められる制限振幅閾値の調整
に厳密な正確性が要求される場合である。図２に示され
たその他の電気構成素子はすべて基板の表側に、例えば
エッチング導体路構造としてまたはシルクスクリーン回
路（特に高周波吸収抵抗R1,R2に対して）として製造す
ることができる。これとは選択的に例えば吸収抵抗R1,R
2に対していわゆるSMD抵抗（surface mounted deveic
es）を使用し、これを図示の導体路構造にはんだ付けす
るか、または導電的に接着することができる。この高周
波吸収抵抗R1,R2は反射された高周波電力を熱に変換す
る。これについては後でさらに詳細に説明する。図２に
示されたその他の高周波構成素子（大文字のＺと下付き
の符号を有する）はすべて例えば前述のマイクロストリ
ップ線路からなる。図示の振幅リミッタ回路はその入力
側Ｅと出力側Ａにそれぞれ同じ特性インピーダンス（例
えば50Ω、これは現在の高周波技術においては通常のこ
とである）を有する。
説明する。以下すべての値の記載は高周波受信信号が本
発明の構成で有する波長λに関連する。図２は振幅リミ
ッタ回路の電気回路を示す。この振幅リミッタ回路は例
えば、マイクロストリップ線路構造の形でセラミック基
板またはプラスチック基板に製造することができる。基
板には２つの貫通穴（via holes）が必要なだけであ
り、この貫通穴に半導体整流ダイオードD1,D2が嵌め込
まれ、基板の裏側（高周波アース）と接触接続される。
付加的にさらに２つの別の貫通穴が必要なこともある。
すなわちこれは高周波インダクタンスL1,L2が必要な場
合である。これらインダクタンスの端子は同様に図示の
ように高周波アースと接続される。この高周波アース端
子は必要な場合は、直流電圧端子または低周波の交流電
圧端子により置換することができる。これは例えば、高
周波整流器D1,D2により定められる制限振幅閾値の調整
に厳密な正確性が要求される場合である。図２に示され
たその他の電気構成素子はすべて基板の表側に、例えば
エッチング導体路構造としてまたはシルクスクリーン回
路（特に高周波吸収抵抗R1,R2に対して）として製造す
ることができる。これとは選択的に例えば吸収抵抗R1,R
2に対していわゆるSMD抵抗（surface mounted deveic
es）を使用し、これを図示の導体路構造にはんだ付けす
るか、または導電的に接着することができる。この高周
波吸収抵抗R1,R2は反射された高周波電力を熱に変換す
る。これについては後でさらに詳細に説明する。図２に
示されたその他の高周波構成素子（大文字のＺと下付き
の符号を有する）はすべて例えば前述のマイクロストリ
ップ線路からなる。図示の振幅リミッタ回路はその入力
側Ｅと出力側Ａにそれぞれ同じ特性インピーダンス（例
えば50Ω、これは現在の高周波技術においては通常のこ
とである）を有する。
入力側Ｅに印加される受信高周波信号はまず、1:1高
周波電力入力側分波器ETに供給され、２つの並列に接続
された経路ZW1,ZW2に分波され、引き続き再び、1:1高周
波電力出力側結合器（分波器）ATで出力信号にまとめら
れ、出力側Ａに印加される。この出力信号は、整流器ダ
イオードD1,D2により設定可能な最大高周波振幅を有す
ることができるだけである。入力線路１と出力線路1'は
それぞれ特性インピーダンスZL1＝50Ωを有する。入力
線路１から到来する信号は入力側分波器ETに達する。こ
の入力側分波器は２つの導体部材２、３からなる。導体
部材２、３はそれぞれ同じ長さ１＝λ/4と同じ特性イン
ピーダンスZL2＝70.7Ωを有する。入力側分波器ETの入
力線路１反対側端部はオーム抵抗R1により橋絡されてい
る。入力側分波器ETに接続された経路ZW1,ZW2は２つの
長さの異なる線路区間４、4'からなる直列回路をそれぞ
れ１つ有する。線路区間はすべてZL1＝50Ωの特性イン
ピーダンスを有する。各経路において線路区間４、4'の
全体の長さはλ/4よりも格段には大きくない。線路区間
4,4'は線路ZW1,ZW2において逆の順序で並列に接続され
ている。すなわち、入力側分波器ETから見て、第１の線
路ZW1には比較的に長い線路区間４と、後続の比較的に
短い線路区間4'からなる直列回路が設けられており、第
２の経路ZW2には比較的に短い区間4'と、後続の比較的
に長い線路区間（４）からなる直列回路が設けられてい
る。
周波電力入力側分波器ETに供給され、２つの並列に接続
された経路ZW1,ZW2に分波され、引き続き再び、1:1高周
波電力出力側結合器（分波器）ATで出力信号にまとめら
れ、出力側Ａに印加される。この出力信号は、整流器ダ
イオードD1,D2により設定可能な最大高周波振幅を有す
ることができるだけである。入力線路１と出力線路1'は
それぞれ特性インピーダンスZL1＝50Ωを有する。入力
線路１から到来する信号は入力側分波器ETに達する。こ
の入力側分波器は２つの導体部材２、３からなる。導体
部材２、３はそれぞれ同じ長さ１＝λ/4と同じ特性イン
ピーダンスZL2＝70.7Ωを有する。入力側分波器ETの入
力線路１反対側端部はオーム抵抗R1により橋絡されてい
る。入力側分波器ETに接続された経路ZW1,ZW2は２つの
長さの異なる線路区間４、4'からなる直列回路をそれぞ
れ１つ有する。線路区間はすべてZL1＝50Ωの特性イン
ピーダンスを有する。各経路において線路区間４、4'の
全体の長さはλ/4よりも格段には大きくない。線路区間
4,4'は線路ZW1,ZW2において逆の順序で並列に接続され
ている。すなわち、入力側分波器ETから見て、第１の線
路ZW1には比較的に長い線路区間４と、後続の比較的に
短い線路区間4'からなる直列回路が設けられており、第
２の経路ZW2には比較的に短い区間4'と、後続の比較的
に長い線路区間（４）からなる直列回路が設けられてい
る。
２つの接続点Ｖ、V'における線路長の差は、ｄ＝λ/4
である。２つの接続点V,V'と高周波アースＭとの間には
それぞれ１つの制限ダイオードD1ないしD2が接続されて
おり、選択的にこれと並列にインダクタンスL1ないしL2
が接続される。これらのインダクタンスは有利にはエッ
チングされたいわゆる螺旋状インダクタンスとして構成
され、高周波電流の高周波アースＭへの流出が阻止され
るように選定されている。出力側結合器ATは入力側分波
器ETと同じ構造を有する。単に構成素子の鏡対称構成が
存在するだけである。
である。２つの接続点V,V'と高周波アースＭとの間には
それぞれ１つの制限ダイオードD1ないしD2が接続されて
おり、選択的にこれと並列にインダクタンスL1ないしL2
が接続される。これらのインダクタンスは有利にはエッ
チングされたいわゆる螺旋状インダクタンスとして構成
され、高周波電流の高周波アースＭへの流出が阻止され
るように選定されている。出力側結合器ATは入力側分波
器ETと同じ構造を有する。単に構成素子の鏡対称構成が
存在するだけである。
通常の動作モードにおいて入力側Ｅに印加される高周
波受信信号が、制限ダイオードD1,D2により調整可能な
最大許容レベルよりも低いレベルを有していれば、制限
ダイオードXD1,D2は高周波的に遮断状態にあり、従って
高い高周波インピーダンスを有している。図２に示した
構成は、通常の50Ω高周波線路区間に相当する構成素子
である。この構成素子は例えば0.3dB以下の小さな挿入
減衰度と、さらに高周波的に良好な入力インピーダンス
および出力インピーダンスを有する。ここで例として使
用された50Ωの特性インピーダンスからの偏差は例えば
７％以下である。従って有利には通常の動作モードにつ
いては、受信経路でのノイズレシオの悪化は無視でき、
受信された高周波信号の位相の変化も無視できる。
波受信信号が、制限ダイオードD1,D2により調整可能な
最大許容レベルよりも低いレベルを有していれば、制限
ダイオードXD1,D2は高周波的に遮断状態にあり、従って
高い高周波インピーダンスを有している。図２に示した
構成は、通常の50Ω高周波線路区間に相当する構成素子
である。この構成素子は例えば0.3dB以下の小さな挿入
減衰度と、さらに高周波的に良好な入力インピーダンス
および出力インピーダンスを有する。ここで例として使
用された50Ωの特性インピーダンスからの偏差は例えば
７％以下である。従って有利には通常の動作モードにつ
いては、受信経路でのノイズレシオの悪化は無視でき、
受信された高周波信号の位相の変化も無視できる。
次に制限される場合、入力側Ｅに印加される高周波受
信信号は制限ダイオードD1,D2により調整される最大許
容レベルと同じかまたはそれ以上のレベルを有し、制限
ダイオードD1,D2は高周波的に導通して、接続点V,V'と
高周波アースＭとの間に高周波短絡を形成する。これに
より入力側から到来して経路ZW1,ZW2に分波される高周
波信号は制限ダイオードD1,D2にて反射される。従って
ここでは反射係数ｒ＝−１が存在する。制限ダイオード
D1,D2における線路長の差が前記のようにｄ＝λ/4であ
れば、第１の経路ZW1には信号行程差Ｌ＝２・λ/4＝λ/
2が生じる。これにより、反射された信号成分は吸収抵
抗R1にて熱的な損失電力に変換される。
信信号は制限ダイオードD1,D2により調整される最大許
容レベルと同じかまたはそれ以上のレベルを有し、制限
ダイオードD1,D2は高周波的に導通して、接続点V,V'と
高周波アースＭとの間に高周波短絡を形成する。これに
より入力側から到来して経路ZW1,ZW2に分波される高周
波信号は制限ダイオードD1,D2にて反射される。従って
ここでは反射係数ｒ＝−１が存在する。制限ダイオード
D1,D2における線路長の差が前記のようにｄ＝λ/4であ
れば、第１の経路ZW1には信号行程差Ｌ＝２・λ/4＝λ/
2が生じる。これにより、反射された信号成分は吸収抵
抗R1にて熱的な損失電力に変換される。
前記制限モードでは接続点V,V'に直流電流および／ま
たは低周波電流が発生する。この障害となる電流はイン
ダクタンスL1,L2を介して高周波アースＭに放出され
る。これと選択的に、インダクタンスL1,L2のこの高周
波アース端子を低抵抗の直流電圧端子により置換するこ
とができる。このようなバイアス電圧により制限ダイオ
ードD1,D2は最大許容レベルを変化することができる。
これの制御または調整も可能である。２つの制限ダイオ
ードD1,D2を正確に同じ最大許容高周波レベルに調整す
ることも有利には可能である。これにより例えば制限ダ
イオードD1,D2の製造公差を補償することができる。
たは低周波電流が発生する。この障害となる電流はイン
ダクタンスL1,L2を介して高周波アースＭに放出され
る。これと選択的に、インダクタンスL1,L2のこの高周
波アース端子を低抵抗の直流電圧端子により置換するこ
とができる。このようなバイアス電圧により制限ダイオ
ードD1,D2は最大許容レベルを変化することができる。
これの制御または調整も可能である。２つの制限ダイオ
ードD1,D2を正確に同じ最大許容高周波レベルに調整す
ることも有利には可能である。これにより例えば制限ダ
イオードD1,D2の製造公差を補償することができる。
従って前記の特性により、振幅リミッタ回路に後置接
続された増幅器LNA（図１）が許容されない高信号レベ
ルに対して受信経路で確実に保護される。さらに反射さ
れた２つの高周波信号成分は実質的に完全に吸収ダイオ
ードR1で熱に変換されるから、S/Eスイッチの低抵抗高
周波経路（サーキュレータZI）を介したS/Eモジュール
（図１）の送信経路での増幅器直列回路の付加的負荷は
無視できる。従って送信経路の出力側は保護される。別
の利点は、図２の振幅リミッタ回路の高周波マッチング
が制限モードでも、制限されない通常の動作モードと比
較して実質的に一定に留まることである。最大許容高周
波入力信号レベルは、吸収ダイオードR1,R2の耐熱性並
びに制限ダイオードD1,D2の電気的最大許容負荷の選定
により選択することができる。
続された増幅器LNA（図１）が許容されない高信号レベ
ルに対して受信経路で確実に保護される。さらに反射さ
れた２つの高周波信号成分は実質的に完全に吸収ダイオ
ードR1で熱に変換されるから、S/Eスイッチの低抵抗高
周波経路（サーキュレータZI）を介したS/Eモジュール
（図１）の送信経路での増幅器直列回路の付加的負荷は
無視できる。従って送信経路の出力側は保護される。別
の利点は、図２の振幅リミッタ回路の高周波マッチング
が制限モードでも、制限されない通常の動作モードと比
較して実質的に一定に留まることである。最大許容高周
波入力信号レベルは、吸収ダイオードR1,R2の耐熱性並
びに制限ダイオードD1,D2の電気的最大許容負荷の選定
により選択することができる。
本発明は前記の実施例に制限されるものではなく、他
にも適用することができる。例えば螺旋状にエッチング
されたインダクタンスL1,L2を同じインダクタンスを有
するコイルにより置換することができる。さらに前記の
ストリップ線路を相応の高周波線路、例えば高周波ケー
ブルにより置換することができる。
にも適用することができる。例えば螺旋状にエッチング
されたインダクタンスL1,L2を同じインダクタンスを有
するコイルにより置換することができる。さらに前記の
ストリップ線路を相応の高周波線路、例えば高周波ケー
ブルにより置換することができる。
さらに図２の対称性構成により振幅リミッタ回路を多
種多様に使用することが可能になる。例えば双方向で駆
動される高周波伝送区間の高周波レベル制限器として使
用することができる。この場合も、入力側Ａ（図２）に
印加される高レベルの高周波信号により制限モードがト
リガされる。損失電力（熱）はこの場合吸収抵抗R2に発
生する。
種多様に使用することが可能になる。例えば双方向で駆
動される高周波伝送区間の高周波レベル制限器として使
用することができる。この場合も、入力側Ａ（図２）に
印加される高レベルの高周波信号により制限モードがト
リガされる。損失電力（熱）はこの場合吸収抵抗R2に発
生する。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭64−77207（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−62714（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−179768（ＪＰ，Ａ) 実開 昭51−144160（ＪＰ，Ｕ) 特公 昭42−1091（ＪＰ，Ｂ１) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H03G 5/00 - 11/08
Claims (9)
- 【請求項１】所定の振幅閾値を越えて到来する入力信号
を反射する高周波領域用振幅リミッタ回路において、 入力信号を電気的に並列に接続された２つの同種の経路
（ZW1,ZW2）に分波する入力側電力分波器（ET）が設け
られており、 前記経路（ZW1,ZW2）の出力側は出力側分波器（AT）に
より１つの出力側（Ａ）にまとめられており、 前記経路（ZW1,ZW2）の２つの端部間にそれぞれ１つの
吸収抵抗（R1,R2）が接続されており、 前記経路（ZW1,ZW2）の各々は異なる長さの２つの線路
区間（４、4'）の直列回路からなり、 前記線路区間（４、4'）の接続個所とアース線路（Ｍ）
との間に高周波整流器（D1,D2）が接続されており、 前記経路（ZW1,ZW2）は逆順序で並列に接続されてお
り、 すなわち入力側分波器（ET）から見て、第１の経路（ZW
1）には比較的に長い線路区間（４）と、後続の比較的
に短い線路区間（4'）からなる直列回路が設けられてお
り、第２の経路（ZW2）には比較的に短い区間（4'）
と、後続の比較的に長い線路区間（４）からなる直列回
路が設けられており、 前記経路（ZW1,ZW2）の逆順序並列接続により、高周波
整流器（D1,D2）間にλ/4の線路長差（ｄ）が発生し、
ここでλは受信された高周波信号の波長を表わす、 ことを特徴とする振幅リミッタ回路。 - 【請求項２】前記電力分波器（（ET,AT）の少なくとも
１つはｙ字状の構造を有し、導体部材からなる請求の範
囲第１項記載の振幅リミッタ回路。 - 【請求項３】高周波整流器（D1,D2）は半導体ダイオー
ドとして構成されている請求の範囲第１項または第２項
記載の振幅リミッタ回路。 - 【請求項４】線路区間（４、4'）に接続された高周波整
流器（D1,D2）の端子は、高周波を阻止するインダクタ
ンス（L1,L2）を介して所定の電位に接続されている請
求の範囲第１項から第３項までのいずれか１項記載の振
幅リミッタ回路。 - 【請求項５】少なくとも入力側分波器（ET）と出力側分
波器（AT）と経路（ZW1,ZW2）はストリップ線路技術で
構成されている請求の範囲第１項から第４項までのいず
れか１項記載の振幅リミッタ回路。 - 【請求項６】少なくとも吸収抵抗（R1,R2）はプリント
された抵抗として構成されている請求の範囲第１項から
第５項までのいずれか１項記載の振幅リミッタ回路。 - 【請求項７】高周波受信機の受信段の入力側に使用する
請求の範囲第１項から第６項までのいずれか１項記載の
振幅リミッタ回路。 - 【請求項８】高周波信号用の送信／受信モジュールの受
信経路の入力側に使用する請求の範囲第１項から第７項
までのいずれか１項記載の振幅リミッタ回路。 - 【請求項９】レーダー受信機の受信段の入力側に使用す
る請求の範囲第１項から第８項までのいずれか１項記載
の振幅リミッタ回路。
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