JP3251798B2 - Deflection device and image shift type imaging device using the same - Google Patents

Deflection device and image shift type imaging device using the same

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JP3251798B2
JP3251798B2 JP01717295A JP1717295A JP3251798B2 JP 3251798 B2 JP3251798 B2 JP 3251798B2 JP 01717295 A JP01717295 A JP 01717295A JP 1717295 A JP1717295 A JP 1717295A JP 3251798 B2 JP3251798 B2 JP 3251798B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、TVカメラやイメージ
スキャナ等に用いられる偏向装置及びそれを用いた画像
シフト型撮像装置に関し、更に詳しくは、電気光学結晶
を透明電極に挟んだ構造の偏向素子とその駆動手段とを
備えた偏向装置と、それを用いて撮像素子への結像を撮
像素子に対して相対的にずらす画像シフト型撮像装置に
関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a deflecting device used for a TV camera or an image scanner and an image shift type image pickup device using the same, and more particularly, to a deflecting device having a structure in which an electro-optic crystal is sandwiched between transparent electrodes. The present invention relates to a deflecting device including an element and a driving unit thereof, and an image shift type imaging apparatus that uses the deflecting device to relatively shift an image formed on an image sensor with respect to the image sensor.

【0002】[0002]

【従来の技術】映像の世界はHDTVに代表されるよう
に高精細化に向かっており、CCDをはじめとする撮像
素子は小型化・高解像度化が要求されている。しかしな
がら、CCD撮像素子の高精細化は高度な半導体微細加
工技術が必要であり、設備投資の増大と歩留りの低下に
よってコスト高を招いている。また、CCD撮像素子の
高密度化によって1セルの体積が極微小となり、信号レ
ベルの低下によりショットノイズが無視できなくなる。
2. Description of the Related Art In the world of video, high definition is typified by HDTV, and image sensors such as CCDs are required to be smaller and have higher resolution. However, high-definition CCD image sensors require advanced semiconductor microfabrication technology, which increases costs due to an increase in capital investment and a decrease in yield. In addition, the density of the CCD image pickup device becomes extremely small, and the volume of one cell becomes extremely small.

【0003】このため、撮像素子の集積度はそのままで
解像度を向上させる技術が検討されている。最も効果的
な方法は、撮像素子と被写体像との相対位置を変調させ
ることによる高解像度化である。まず相対位置をずらさ
ない場合の画像情報をメモリに蓄積しておく、次に撮像
素子上の被写体像を画像ピッチの半分ずらして画像情報
を取り込む。両者の画像情報から2倍の解像度をもった
画像情報を得ることができる。結像位置をずらすため
に、偏向装置が用いられる。
For this reason, techniques for improving the resolution while maintaining the degree of integration of the image sensor have been studied. The most effective method is to increase the resolution by modulating the relative position between the image sensor and the subject image. First, image information when the relative position is not shifted is stored in a memory, and then the image information is fetched by shifting the subject image on the image sensor by half the image pitch. Image information having twice the resolution can be obtained from both image information. A deflection device is used to shift the imaging position.

【0004】従来技術の偏向装置としては、メカニカル
な方式とノンメカニカルな方式がある。メカニカルな方
式は電圧素子等を用いて光学系に機械的振動を与えるも
のであり、光学系内の光路を変化させるものとCCD等
の撮像素子を移動させるものと被写体を移動させるもの
がある。光学系内の光路を変化させるものは、図12に
示すように、レンズ50と撮像素子52からなる光学系
内に透明な硝子板51を挿入し、該硝子板51を傾ける
ことによって結像をずらす方式(特開昭63-284980号公
報参照)、2枚の透明平板の間に屈折率をもつ透明液体
を充填し、周囲を蛇腹のように構成して頂角を可変でき
る構造のプリズムを光路に配置する方式、ミラーを振動
させて反射方向をずらし結像をずらす方式(特開昭63-1
93678号公報参照)が提案されている。撮像素子自体を
移動させるものは、図13に示すように、圧電アクチュ
エータ53上に撮像素子52を乗せて移動させる方式が
ある(特公平2-45874号公報参照)。被写体を動かす方
式は振動板などで原稿を振動させる方式(特開平3-1732
77号公報参照)が提案されている。
[0004] Conventional deflection devices include mechanical systems and non-mechanical systems. The mechanical system applies mechanical vibration to the optical system using a voltage element or the like, and includes a system that changes an optical path in the optical system, a system that moves an image sensor such as a CCD, and a system that moves a subject. As shown in FIG. 12, a device that changes an optical path in an optical system inserts a transparent glass plate 51 into an optical system including a lens 50 and an image pickup device 52, and forms an image by tilting the glass plate 51. Displacement method (see JP-A-63-284980) A prism having a structure in which a transparent liquid having a refractive index is filled between two transparent flat plates, and the periphery of the prism is configured as a bellows to change the apex angle. A method of disposing in the optical path, a method of shifting the reflection direction by oscillating a mirror and shifting the image
No. 93678). As a method for moving the image pickup device itself, there is a method of moving the image pickup device 52 by placing the image pickup device 52 on a piezoelectric actuator 53 as shown in FIG. 13 (see Japanese Patent Publication No. 2-45874). The method of moving the subject is a method of vibrating the original with a diaphragm (Japanese Patent Laid-Open No. 3-1732).
No. 77 gazette) has been proposed.

【0005】ノンメカニカルな方式は機械的力を与えな
いものであり、大きく分けて2つの方式が検討されてい
る。一つは、図14に示すように、複屈折板中での常光
と異常光の伝播方向の差を利用するものである。入射光
をレンズ50によって平行光とし、偏光板53によって
光の偏光面を一方向に揃え、その後偏光面が回転可能な
素子54に通し、さらに複屈折板55を通して撮像素子
52に結像させる。複屈折板55は常光と異常光によっ
て光路が異なる。つまり、偏光面を90度回転させると
光路が変わり、結像を変位させることが可能になる。偏
光面を回転させるには、電気的に屈折率の異方性を変化
できる素子が用いられており、液晶を用いた場合と電気
光学効果を用いた場合が提案されている。メカニカルな
方式は連続的に結像を変位させることが可能なため、n
分の1づつ変位させることによりn倍の高精細化が可能
であるが、偏光面の回転によるノンメカニカルな方式は
常光を異常光の光路差を利用するため、2倍の高精細化
までが可能である(特開昭62-157482号公報参照)。他
の方式は、電気光学結晶を、図15示すように、楔型で
互いに結晶軸を逆向きに貼り合わせた素子56を用い、
光軸に対して垂直に電場を印加して上下方向に屈折率の
連続的変化を誘起し、光の伝播方向を変化させるもので
ある(特開昭62-15977及び特開昭62-159581号公報参
照)。
[0005] The non-mechanical method does not apply a mechanical force, and two methods are roughly considered. One uses the difference between the propagation directions of ordinary light and extraordinary light in a birefringent plate, as shown in FIG. The incident light is converted into parallel light by a lens 50, the polarization plane of the light is aligned in one direction by a polarizing plate 53, then passes through an element 54 whose polarization plane is rotatable, and further forms an image on an imaging element 52 through a birefringent plate 55. The optical path of the birefringent plate 55 differs depending on the ordinary light and the extraordinary light. That is, when the polarization plane is rotated by 90 degrees, the optical path changes, and the image can be displaced. In order to rotate the polarization plane, an element capable of electrically changing the anisotropy of the refractive index is used, and a case using a liquid crystal and a case using an electro-optic effect have been proposed. Since the mechanical system can continuously displace the image, n
It is possible to increase the definition by n times by displacing it by a factor of 1. However, the non-mechanical method using the rotation of the polarization plane uses ordinary light to make use of the optical path difference of extraordinary light. It is possible (see JP-A-62-157482). Another method uses an element 56 in which an electro-optic crystal is attached in a wedge shape with crystal axes opposite to each other as shown in FIG.
A continuous change in the refractive index is induced in the vertical direction by applying an electric field perpendicular to the optical axis to change the propagation direction of light (Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 62-15977 and 62-159581). Gazette).

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】メカニカルな方式は光
学系、機械系、電子回路系に与える機械的振動が、長期
的な信頼性に悪影響を与えたり、振動音を発生させたり
するデメリットが指摘されている。また圧電素子にはヒ
ステリシスがあるため、画像信号取り出しのタイミング
取りが困難であった。
The mechanical system is disadvantageous in that mechanical vibration applied to an optical system, a mechanical system, and an electronic circuit system adversely affects long-term reliability or generates vibration noise. Have been. In addition, since the piezoelectric element has hysteresis, it is difficult to determine the timing of extracting the image signal.

【0007】またノンメカニカルな方式は、電気光学結
晶あるいは液晶を用いた偏光面の回転は変位量が一定で
あるため、一方向につき2倍以上の高解像度化は不可能
であり、更に複屈折板が必要でありためコスト高となる
ことが欠点であった。複屈折板を用いず、楔型に互いに
結晶軸を逆向きに貼り合わせた素子を用いる方式は、電
圧の印加方向が光軸に対して垂直であるため、高電圧が
必要である問題があった。
In the non-mechanical system, since the displacement of the rotation of the polarization plane using an electro-optic crystal or liquid crystal is constant, it is impossible to increase the resolution twice or more in one direction. The disadvantage is that the cost is high because a plate is required. The method using a device in which the crystal axes are bonded in opposite directions to each other in a wedge shape without using a birefringent plate has a problem that a high voltage is required because the voltage application direction is perpendicular to the optical axis. Was.

【0008】本発明の目的は、機械的振動を用いずに光
を偏向させ、低電圧駆動で且つ安価な偏向装置を提供す
ることにある。また、本発明の他の目的は、この偏向装
置を用いて、撮像素子を高解像度化することなく高精細
画像を得ることができる画像シフト型撮像装置を提供す
ることにある。
It is an object of the present invention to provide an inexpensive deflection device which deflects light without using mechanical vibration, is driven at low voltage, and is inexpensive. It is another object of the present invention to provide an image shift type image pickup apparatus that can obtain a high-definition image without increasing the resolution of an image pickup element by using the deflection device.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、発明は、電気光学結晶の相対向する両面全面を透
明電極で挟むように積層し、奇数番目の電気光学結晶と
偶数番目の電気光学結晶との結晶軸を互いに鏡像の関係
に配置した構造の偏向素子と、隣り合う奇数番目の透明
電極と偶数番目の透明電極の間にそれぞれ電圧を印加し
て隣接する電気光学結晶に逆向きの電場を印加する駆動
手段と、を備え、光軸方向と前記電場が平行となるよう
に前記偏向素子を配置し、前記電場の印加により前記電
気光学結晶の屈折率楕円体を回転させ光の進行方向を変
えて光を偏向させることを特徴とする偏向装置である。
In order to achieve the above object, the present invention provides an electro-optic crystal in which the opposing surfaces of both sides are sandwiched by a transparent electrode, and the electro-optic crystal is laminated with an odd-numbered electro-optic crystal.
The crystal axes of even-numbered electro-optic crystals are mirror images of each other
Deflecting element with adjacent structure and adjacent odd-numbered transparent element
Apply a voltage between the electrode and the even-numbered transparent electrode, respectively.
Driving means for applying an opposite electric field to the adjacent electro-optic crystal, and arranging the deflecting element so that the direction of the optical axis and the electric field are parallel to each other. A deflecting device characterized in that the refractive index ellipsoid is rotated to change the traveling direction of the light to deflect the light.

【0010】また、本発明は、前記偏向装置と、撮像素
子と、撮像のタイミングに応じて前記偏向装置の駆動手
段の動作を制御する制御手段とを設け、該制御手段によ
り前記偏向装置の透明電極に電圧を印加しない場合と印
加した場合で前記撮像素子に結像して、該結像を撮像素
子に対して相対的にずらすことを特徴とする画像シフト
型撮像装置である。
The present invention further comprises the deflecting device, an image pickup device, and control means for controlling the operation of the driving means of the deflecting device in accordance with the timing of image pickup. An image shift type imaging apparatus characterized in that an image is formed on the image sensor when no voltage is applied to the electrode and when an electrode is applied, and the image is relatively shifted with respect to the image sensor.

【0011】[0011]

【0012】[0012]

【0013】[0013]

【作用】請求項1の偏向装置において、光軸方向に平行
な電場を偏向素子の電気光学結晶に駆動手段により印加
し、屈折率楕円体を回転させる。このことにより、光の
伝播方向を変化させ、結像位置を印加電圧に比例してシ
フトする。しかも、光軸に垂直に電圧印加する従来方式
に比べ、電圧を低減することができる。
In the deflecting device according to the first aspect, an electric field parallel to the direction of the optical axis is applied to the electro-optic crystal of the deflecting element by the driving means to rotate the refractive index ellipsoid. This changes the light propagation direction and shifts the imaging position in proportion to the applied voltage. In addition, the voltage can be reduced as compared with the conventional method in which a voltage is applied perpendicular to the optical axis.

【0014】請求項3の偏向装置において、偏向素子が
電気光学結晶を透明電極で挟むように積層した構造で、
奇数番目の電気光学結晶と偶数番目の電気光学結晶との
結晶軸を互いに鏡像の関係に配置し、隣り合う奇数番目
の透明電極と偶数番目の透明電極の間にそれぞれ電圧を
印加し、光軸方向に平行な電場を電気光学結晶に印加す
るように偏向素子を配置する。したがって、各々の電気
光学結晶では、屈折率楕円体が同一方向に回転すること
になる。つまり、各々の電気光学結晶に入射された光
は、同一方向にそれぞれ変位されることになり、電気光
学結晶が1つの時に比較して大幅な変位量が得られる。
故に、同一変位量を得るには、低い電圧印加で済むこと
になる。
The deflecting device according to claim 3, wherein the deflecting element has a structure in which the electro-optic crystal is stacked so as to be sandwiched between transparent electrodes.
The crystal axes of the odd-numbered electro-optic crystal and the even-numbered electro-optic crystal are arranged in a mirror image relationship with each other, and a voltage is applied between adjacent odd-numbered transparent electrodes and even-numbered transparent electrodes, respectively. The deflection element is arranged so as to apply an electric field parallel to the direction to the electro-optic crystal. Therefore, in each electro-optic crystal, the index ellipsoid rotates in the same direction. That is, the light incident on each of the electro-optic crystals is displaced in the same direction, and a large amount of displacement is obtained as compared with the case where one electro-optic crystal is used.
Therefore, in order to obtain the same displacement, a low voltage application is required.

【0015】請求項2及び4の画像シフト型撮像装置に
おいて、制御手段によって、請求項1あるいは請求項3
の偏向装置に電圧を印加しないとき撮像し、且つ前記偏
向装置に電圧を印加したとき撮像する。偏向装置は電圧
印加の有無で、結像位置が変位する。したがって、撮像
素子への結像と撮像素子との相対位置を変位させること
ができ、撮像素子自体の解像度を上げることなしに高解
像度化を図ることができる。しかも、印加電圧により結
像位置を自由に変位させることができ、印加する電圧も
低減できる。
In the image shift type image pickup apparatus according to claim 2 or 4, the control means controls the image shift type image pickup apparatus.
The image is taken when a voltage is not applied to the deflecting device, and the image is taken when a voltage is applied to the deflecting device. The image forming position of the deflection device is displaced depending on whether or not a voltage is applied. Therefore, the relative position between the image formed on the image sensor and the image sensor can be displaced, and a higher resolution can be achieved without increasing the resolution of the image sensor itself. In addition, the imaging position can be freely displaced by the applied voltage, and the applied voltage can be reduced.

【0016】[0016]

【実施例】以下に、本発明を、実施例に基づき図面を参
照しながら説明する。図1は、本発明に係る偏向装置の
一実施例を示す模式図である。この偏向装置は、平行平
板の電気光学結晶C1とそれを挟んで形成した透明電極
1、T2とからなる偏向素子1と、透明電極T1が高電
位に、透明電極T2が低電位になるように電圧を印加す
る直流の駆動電圧2とを備える。ここで電気光学結晶C
1は、例えばLiNbO3(以下LN)、BaTiO
3(以下BaT)、KTa0.35Nb0.653(以下KT
N)あるいはKD2PO4(以下DKDP:先頭のDは重
水素化の意味)の単結晶とする。そして、LN、Ba
T、KTNの単結晶の場合、例えば結晶軸であるa軸方
向1mm、b軸方向10mm、c軸方向10mmの直方体に切
り出し、a軸に垂直な両切り出し面に透明電極としてI
TO膜をスパッタリング法にて形成する。DKDPの単
結晶の場合、例えばc軸方向1mm、a軸方向10mm、b
軸方向10mmの直方体に切り出し、c軸に垂直な両切り
出し面に透明電極としてITO膜をスパッタリング法に
て形成する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below based on embodiments with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic view showing one embodiment of the deflection device according to the present invention. This deflecting device comprises a deflecting element 1 comprising a parallel-plate electro-optic crystal C 1 and transparent electrodes T 1 and T 2 formed sandwiching the electro-optic crystal C 1 , a transparent electrode T 1 having a high potential and a transparent electrode T 2 having a low potential. A direct-current drive voltage 2 for applying a voltage to a potential. Where the electro-optic crystal C
1 is, for example, LiNbO 3 (hereinafter LN), BaTiO
3 (hereinafter referred to as BaT), KTa 0.35 Nb 0.65 O 3 (hereinafter referred to as KT
N) or a single crystal of KD 2 PO 4 (hereinafter DKDP: D at the beginning means deuteration). And LN, Ba
In the case of a single crystal of T or KTN, for example, a rectangular parallelepiped having a crystal axis of 1 mm in the a-axis direction, 10 mm in the b-axis direction, and 10 mm in the c-axis direction is cut out.
A TO film is formed by a sputtering method. In the case of a single crystal of DKDP, for example, 1 mm in the c-axis direction, 10 mm in the a-axis direction, b
A rectangular parallelepiped of 10 mm in the axial direction is cut out, and an ITO film is formed as a transparent electrode on both cut surfaces perpendicular to the c-axis by a sputtering method.

【0017】さて、この偏向装置により、結像位置が変
位する動作原理を次に述べる。電気光学効果は2次の非
線形光学効果の一種であり、電気光学効果を示す結晶に
電圧を印加すると結晶の屈折率とその異方性に変化が生
じる。従来の技術の項で示した様に、従来、電気光学効
果による偏光では光の進行方向に対して垂直に電場を印
加する方法が検討されている。しかし、撮像装置に用い
る場合には電気光学結晶はCCDの受光面よりも広い面
積を有することが必要であり、この面に垂直に電場を印
加するには高電圧が必要となる。これに対して本発明は
光軸方向に平行に電場を印加し光路を変位させるもので
ある。電場印加により結晶のもつ屈折率楕円体を変化さ
せ、特に屈折率楕円体の回転を誘起させることにより、
異常光あるいは常光の伝播方向を変化させ、撮像素子へ
の結像位置を印加電圧に比例してシフトさせる。
The principle of operation in which the image forming position is displaced by the deflecting device will be described below. The electro-optic effect is a kind of second-order nonlinear optical effect. When a voltage is applied to a crystal exhibiting the electro-optic effect, a change occurs in the refractive index of the crystal and its anisotropy. As described in the section of the prior art, a method of applying an electric field perpendicular to the traveling direction of light in polarization by the electro-optic effect has been studied. However, when used in an imaging device, the electro-optic crystal needs to have an area larger than the light receiving surface of the CCD, and a high voltage is required to apply an electric field perpendicular to this surface. On the other hand, the present invention applies an electric field in parallel to the optical axis direction to displace the optical path. By changing the refractive index ellipsoid of the crystal by applying an electric field, in particular, by inducing the rotation of the refractive index ellipsoid,
The propagation direction of the extraordinary light or the ordinary light is changed, and the image formation position on the image sensor is shifted in proportion to the applied voltage.

【0018】図2は屈折率楕円体の回転を示す説明図で
ある。(a)は結晶に電圧を印加していない場合であり、
(b)は結晶に電圧を印加する場合である。結晶中を進む
光の位相速度に対する偏光面依存性は屈折率楕円体とし
て表される。まず直交座標軸をx,y,zとし、電圧を
印加しない場合を考える。x方向を光軸方向とすると、
屈折率楕円体は、 ηxx・x2yy・y2zz・z2yz・yz+ηxz・xz+ηxy・xy=1 (1) と表すことができる。
FIG. 2 is an explanatory diagram showing the rotation of the refractive index ellipsoid. (a) is when no voltage is applied to the crystal,
(b) is a case where a voltage is applied to the crystal. The polarization plane dependence on the phase velocity of light traveling through the crystal is expressed as an index ellipsoid. First, consider a case where the orthogonal coordinate axes are x, y, and z, and no voltage is applied. If the x direction is the optical axis direction,
Refractive index ellipsoid can be expressed as η xx · x 2 + η yy · y 2 + η zz · z 2 + η yz · yz + η xz · xz + η xy · xy = 1 (1).

【0019】図2に示すように、結晶内を進行する光の
波面ベクトルkの方向(x方向)に垂直かつ原点を通る
平面で、屈折率楕円体を切断する。このとき屈折率楕円
体の切断面の長軸及び短軸方向が偏光面となり、この長
軸及び短軸が屈折率楕円体と接する点における接平面へ
の垂線方向が光の電場ベクトルEとなる。光の磁場ベク
トルHは光の電場ベクトルEと波面ベクトルkに対して
垂直であり、光の進行方向はポインティングベルトルS
(電場ベクトルと磁場ベクトルの外積)方向となる。式
(1)の第4、5、6項は屈折率楕円体の主軸に対する
傾きを表している。
As shown in FIG. 2, the refractive index ellipsoid is cut on a plane perpendicular to the direction (x direction) of the wavefront vector k of light traveling in the crystal and passing through the origin. At this time, the directions of the major axis and the minor axis of the cut surface of the refractive index ellipsoid become the polarization plane, and the direction perpendicular to the tangent plane at the point where the major axis and the minor axis contact the refractive index ellipse becomes the electric field vector E of light. . The magnetic field vector H of the light is perpendicular to the electric field vector E and the wavefront vector k of the light, and the traveling direction of the light is a pointing B
(The cross product of the electric field vector and the magnetic field vector). The fourth, fifth, and sixth terms in equation (1) represent the inclination of the refractive index ellipsoid with respect to the main axis.

【0020】光の波面ベクトルkの方向に電場Ekを印
加すると、次式が成り立つ。 ηii(E)=1/ni 2+rikEk(i,k=x,y,z) (2) ηij(E)=rijkEk(i≠j) (3) ここでniは主軸方向の屈折率である。電場印加によって
式(3)が値をもつことにより屈折率楕円体は回転し
て、主軸に対して傾きを生じる(図2の(b))。
When an electric field E k is applied in the direction of the wavefront vector k of light, the following equation is established. η ii (E) = 1 / n i 2 + r ik E k (i, k = x, y, z) (2) η ij (E) = r ijk E k (i ≠ j) (3) where n i is the refractive index in the main axis direction. When the electric field is applied, the value of the expression (3) causes the index ellipsoid to rotate and tilt with respect to the main axis ((b) in FIG. 2).

【0021】例えば、 ηxz(E)=rxzxEx≠0 ならば、x方向への電場印加により屈折率楕円体がxz平
面内で回転し、x方向に波面ベクトルをもちxz平面内に
偏光面をもつ光は波面ベクトルk′がxz面内で傾き、ポ
インティングベルトルS′の方向が傾く。従って、光の
進む方向に平行に電場をかけて光の進行方向を変えるこ
とができるため、電気光学結晶を薄型化でき、低電圧化
できる。
For example, if η xz (E) = r xzx E x ≠ 0, the application of an electric field in the x direction causes the index ellipsoid to rotate in the xz plane, and has a wavefront vector in the x direction and in the xz plane. In light having a polarization plane, the wavefront vector k 'is tilted in the xz plane, and the direction of the pointing belt S' is tilted. Accordingly, since the traveling direction of light can be changed by applying an electric field in parallel to the traveling direction of light, the electro-optic crystal can be made thinner and the voltage can be reduced.

【0022】図1の偏向装置を用いて結像の変位量を測
定した。図3に変位量測定システムの説明図を示す。偏
向素子1の前段に第1のレンズ3を配置し、その後段に
ナイフエッジ4とそれを上下に移動させるピエゾ駆動装
置5と第2のレンズ6と光検出器7とを配置する。第1
のレンズ3によって平行光線が偏向素子1を通過後ナイ
フエッジ4の先端部に設定した焦点で一旦収束する。収
束した後拡散する光を第2のレンズ6で光検出器7に収
束させる。電気光学結晶C1に印加する電圧によって、
上述したように屈折率楕円体が回転し光の進行方向が変
わることにより、第1のレンズ3の焦点位置が上下に変
位する。ナイフエッジ4をピエゾ駆動装置5により上下
させ、光検出器7で光量を検出して、データ処理装置8
で焦点の変位量を検出する。
The displacement of the image was measured using the deflection device shown in FIG. FIG. 3 shows an explanatory diagram of the displacement measuring system. A first lens 3 is arranged before the deflecting element 1, and a knife edge 4, a piezo drive device 5 for moving the knife edge 4 up and down, a second lens 6, and a photodetector 7 are arranged after the first lens 3. First
After passing through the deflecting element 1 by the lens 3, the parallel light beam is once converged at the focal point set at the tip of the knife edge 4. After being converged, the light that is diffused is converged on the photodetector 7 by the second lens 6. Depending on the voltage applied to the electro-optic crystal C 1 ,
As described above, as the refractive index ellipsoid rotates and the traveling direction of light changes, the focal position of the first lens 3 shifts up and down. The knife edge 4 is moved up and down by a piezo driving device 5, and the light amount is detected by a photodetector 7.
Detects the displacement of the focal point.

【0023】前述した電気光学結晶LN、BaT、KT
N、DKDPからなる偏向装置にレーザを通し、上述の
ナイフエッジ法にて印加電圧と焦点位置の変位量との関
係を測定したのが図4〜7である。各結晶とも印加電圧
にほぼ比例して変位量が増加することが確認できた。L
Nの場合はHeNeレーザ(633nm)を用いて20kVの電圧
印加で約5.4μmの変位(図4参照)、BaTの場合
はアルゴンイオンレーザ(514nm)を用いて400Vで
約6.4μmの変位(図5参照)、KTNの場合はHeNe
レーザ(633nm)を用いて100Vの電圧印加で約8.
3μmの変位が得られた(図6参照)。DKDPはアル
ゴンイオンレーザ(514nm)を用いて10kVで約6.5
μmの変位が得られた(図7参照)。本実施例において
は、結晶軸a,bを入れ換えても同一の効果が得られ
る。
The above-described electro-optic crystal LN, BaT, KT
FIGS. 4 to 7 show the relationship between the applied voltage and the displacement of the focal position measured by the above-mentioned knife edge method by passing a laser through a deflection device composed of N and DKDP. It was confirmed that the displacement amount of each crystal increased almost in proportion to the applied voltage. L
In the case of N, a displacement of about 5.4 μm by applying a voltage of 20 kV using a HeNe laser (633 nm) (see FIG. 4), and in the case of BaT, a displacement of about 6.4 μm at 400 V using an argon ion laser (514 nm) (See Fig. 5), HeNe for KTN
7. Applying a voltage of 100 V using a laser (633 nm) to about 8.
A displacement of 3 μm was obtained (see FIG. 6). DKDP is about 6.5 at 10 kV using an argon ion laser (514 nm).
A displacement of μm was obtained (see FIG. 7). In this embodiment, the same effect can be obtained even if the crystal axes a and b are exchanged.

【0024】図8は、偏向装置の他の実施例を示す模式
図である。この偏向装置は、電気光学結晶C1、C2を挟
むように透明電極T1、T2、T3を形成した偏向素子1
1と、透明電極T1、T2、T3に電圧を印加する駆動電
圧12とを有する構造である。ここで電気光学結晶
1、C2は、例えばKTNの単結晶をa軸方向1mm、b
軸方向10mm、c軸方向10mmの直方体に切り出したも
のである。そして電気光学結晶C1においてa軸に垂直
な切り出した両面に透明電極としてITO膜をスパッタ
リング法にて形成する。電気光学結晶C1、C2をa軸が
互いに逆向きにかつ透明電極T2を挟む様に重ね合わせ
ホットプレスにて接着する。電気光学結晶C2の透明電
極T2に相対する面に透明電極T3を形成し偏向素子とす
る。透明電極T1、T3が高電位に、透明電極T2が低電
位になるように電圧を印加する。
FIG. 8 is a schematic diagram showing another embodiment of the deflecting device. This deflecting device comprises a deflecting element 1 having transparent electrodes T 1 , T 2 , T 3 sandwiching electro-optic crystals C 1 , C 2.
1 and a drive voltage 12 for applying a voltage to the transparent electrodes T 1 , T 2 , and T 3 . Here, the electro-optic crystals C 1 and C 2 are, for example, a single crystal of KTN having an a-axis direction of 1 mm, b
It is cut out into a rectangular parallelepiped of 10 mm in the axial direction and 10 mm in the c-axis direction. Then an ITO film is formed by sputtering as a transparent electrode on both sides was cut perpendicular to the a-axis in the electro-optical crystal C 1. The electro-optic crystals C 1 and C 2 are overlapped so that the a-axes are opposite to each other and sandwich the transparent electrode T 2 , and are bonded by hot pressing. Forming a transparent electrode T 3 on opposite surface to the transparent electrode T 2 of the electro-optical crystal C 2 and the deflection element. A voltage is applied so that the transparent electrodes T 1 and T 3 have a high potential and the transparent electrode T 2 has a low potential.

【0025】電気光学結晶C1、C2は、a軸が互いに逆
向きに配置され、しかも電場が逆向きに印加されてい
る。したがって、電気光学結晶C1、C2では、屈折率楕
円体が同一方向に回転することになる。つまり、a軸に
平行に入射された光は同一方向にそれぞれ同じ距離だけ
変位されることになり、電気光学結晶が1つの時に比較
して2倍の変位量が得られる。故に、同一変位量を得る
には、1/2の電圧印加で済むことになる。
The electro-optic crystals C 1 and C 2 are arranged such that the a-axes are arranged in opposite directions and an electric field is applied in opposite directions. Therefore, in the electro-optic crystals C 1 and C 2 , the index ellipsoid rotates in the same direction. That is, the light incident parallel to the a-axis is displaced by the same distance in the same direction, so that the displacement amount is twice as large as when only one electro-optic crystal is used. Therefore, in order to obtain the same displacement, it is sufficient to apply a voltage of 1/2.

【0026】これを図3に示したナイフエッジ法の測定
システムにより、印加電圧と焦点位置の変位量との関係
を測定したのが第9図である。HeNeレーザ(633nm)を
用いて50Vの電圧印加で約8.3μmの変位が得ら
れ、図1の電気光学結晶が1層のときに比べ、電圧が1
/2になり、低電圧化できる。
FIG. 9 shows the relationship between the applied voltage and the amount of displacement of the focal position measured by the knife-edge method measuring system shown in FIG. When a voltage of 50 V is applied by using a HeNe laser (633 nm), a displacement of about 8.3 μm is obtained.
/ 2, and the voltage can be reduced.

【0027】以上2層の場合を説明したが、これに止ま
らず3層以上にすることが可能である。この実施例の模
式図を図10に示す。この偏向装置は、各電気光学結晶
1〜Cnを挟むように透明電極T1〜Tn+1を形成し、こ
れらを積層して一体化している。ここで電気光学結晶C
1〜Cnは図8と同様の材質・形状であり、透明電極T1
〜Tn+1も同様の材質である。奇数番目の電気光学結晶
と偶数番目の電気光学結晶の結晶軸を互いに鏡像の関係
に配置する。すなわち隣接する電気光学結晶のa軸が互
いに逆向きになるように配置している。また、奇数番目
の透明電極が高電位に、偶数番目の透明電極が低電位に
なるように駆動電圧22から電圧が印加される。
Although the case of two layers has been described above, the present invention is not limited to this, and three or more layers can be used. FIG. 10 shows a schematic diagram of this embodiment. In this deflection device, transparent electrodes T 1 to T n + 1 are formed so as to sandwich each of the electro-optic crystals C 1 to C n , and these are laminated and integrated. Where the electro-optic crystal C
1 -C n is the same material and shape as FIG. 8, the transparent electrodes T 1
To T n + 1 are similar materials. The crystal axes of the odd-numbered electro-optic crystal and the even-numbered electro-optic crystal are arranged in a mirror image relationship with each other. That is, they are arranged such that the a-axes of adjacent electro-optical crystals are opposite to each other. A voltage is applied from the drive voltage 22 so that the odd-numbered transparent electrodes have a high potential and the even-numbered transparent electrodes have a low potential.

【0028】それぞれの隣接する電気光学結晶は、a軸
が互いに逆向きになるように配置され、しかも電場が逆
向きに印加されている。したがって、電気光学結晶C1
〜Cnでは、屈折率楕円体が同一方向に回転することに
なる。つまり、a軸に平行に入射された光は同一方向に
それぞれ同じ距離だけ変位されることになり、電気光学
結晶が1つの時に比較してn倍の変位量が得られる。故
に、同一変位量を得るには、1/nの電圧印加で済むこ
とになる。
Each adjacent electro-optic crystal is arranged so that the a-axis is opposite to each other, and the electric field is applied in the opposite direction. Therefore, the electro-optic crystal C 1
At ~ C n , the index ellipsoid will rotate in the same direction. That is, the light incident parallel to the a-axis is displaced by the same distance in the same direction, and a displacement amount n times as large as that obtained when only one electro-optic crystal is provided is obtained. Therefore, in order to obtain the same displacement, it is only necessary to apply 1 / n of the voltage.

【0029】図1の偏向装置を用いた画像シフト型撮像
装置の実施例を第11図に示す。CCDの撮像素子33
としては1/4インチ41万画素、水平方向の画素ピッ
チが4.8μmのものを使用する。CCD撮像素子33
の直前に偏向装置を設置する。この偏向装置は、KTN
結晶C1と透明電極T1、T2からなる偏向素子31と、
この透明電極に電圧を印加する駆動部32とを有する。
偏向素子31の入射光側に偏光子34を置き、c軸に平
行な偏光面をもった光を通す。更に、その偏光子の入射
光側にレンズ35を配置して光を平行光としている。タ
イミング制御部36により駆動部32の電圧の無印加時
と印加時の撮像素子33の検出信号を、第1の画像メモ
リ37と第2の画像メモリ38を介して画像処理部39
へ出力する。それを、映像信号として出力する。
FIG. 11 shows an embodiment of an image shift type image pickup apparatus using the deflection device shown in FIG. CCD image sensor 33
A 1/4 inch pixel having 410,000 pixels and a pixel pitch in the horizontal direction of 4.8 μm is used. CCD image sensor 33
A deflecting device is installed just before. This deflecting device uses KTN
A deflection element 31 comprising a crystal C 1 and transparent electrodes T 1 and T 2 ;
And a drive unit 32 for applying a voltage to the transparent electrode.
The polarizer 34 is placed on the incident light side of the deflecting element 31 and transmits light having a polarization plane parallel to the c-axis. Further, a lens 35 is arranged on the incident light side of the polarizer to convert the light into parallel light. The timing control unit 36 outputs detection signals of the image sensor 33 when no voltage is applied to the drive unit 32 and when the voltage is applied to the drive unit 32 via an image processing unit 39 via a first image memory 37 and a second image memory 38.
Output to It is output as a video signal.

【0030】電圧を印加せずに偏向素子を通し、CCD
撮像素子33で撮像し、画像情報を第1の画像メモリ3
7に蓄積する。次に偏向素子31に28V印加し画像の
結像位置を水平方向に2.4μmずらしてCCD撮像素
子33で撮像し、画像情報を第2の画像メモリ38に蓄
積する。第1及び2の画像メモリ37、38の水平方向
データを交互に画像処理部39でシリンダ出力すること
により、水平方向2倍の高解像度の映像出力が得られ
る。
The CCD passes through the deflecting element without applying a voltage.
The image is captured by the image sensor 33 and the image information is stored in the first image memory 3.
7 is accumulated. Next, a voltage of 28 V is applied to the deflecting element 31, the image forming position of the image is shifted by 2.4 μm in the horizontal direction, the image is picked up by the CCD image pickup element 33, and the image information is stored in the second image memory 38. By alternately cylinder-outputting the horizontal direction data of the first and second image memories 37 and 38 by the image processing unit 39, a high-resolution video output twice as high in the horizontal direction can be obtained.

【0031】スタンダードなテレビジョン用の高解像度
化にとっては水平方向の解像度が重要であり、水平方向
の高解像度化でけでも効果は十分であるが、垂直方向の
高解像度化が同時にできることに越したことはない。本
偏向素子を用いて水平、垂直両方向の高解像度化を行う
には、水平方向の偏向素子の後に該素子に対して結晶軸
が光学軸を回転軸として90°回転させた垂直用の素子
を配置する。この場合垂直方向への変位には約1kVの電
圧印加を必要とする。しかし、水平用偏向素子と垂直用
偏向素子の間に1/2波長板を挿入し、偏向面を90°
回転させることにより、水平方向と同一の電圧印加で変
位させることができる。本実施例は垂直方向画素ピッチ
5.6μmであり、32Vの電圧印加により、2.8μm
の垂直方向シフトが得られた。これにより、水平方向2
倍、垂直方向2倍の高解像度が得られる。
The resolution in the horizontal direction is important for increasing the resolution for a standard television. Even if the resolution is increased in the horizontal direction, the effect is sufficient, but the resolution can be increased in the vertical direction at the same time. I have never done it. In order to increase the resolution in both the horizontal and vertical directions using the present deflection element, after the horizontal deflection element, a vertical element whose crystal axis is rotated by 90 ° with respect to the optical axis as the rotation axis with respect to the horizontal deflection element is used. Deploy. In this case, a vertical displacement requires application of a voltage of about 1 kV. However, a half-wave plate is inserted between the horizontal deflection element and the vertical deflection element, and the deflection surface is set at 90 °.
By rotating, it can be displaced by the same voltage application in the horizontal direction. In this embodiment, the vertical pixel pitch is 5.6 μm, and 2.8 μm by applying a voltage of 32 V.
Of vertical shift was obtained. Thereby, the horizontal direction 2
The resolution is twice as high and twice as high in the vertical direction.

【0032】本発明は上記の構成のみに限定されるもの
ではない。前記画像シフト型撮像装置の偏向装置は、電
気光学結晶が1層のものを用いたが、図8や図10に示
した多層のものでも構わない。電気光学結晶の材料は、
KTNに限らず、LN、BaT、DKDP等を用いても
構わない。
The present invention is not limited to the above configuration. The deflecting device of the image shift type image pickup device has a single-layer electro-optic crystal, but may have a multi-layer type as shown in FIGS. The material of the electro-optic crystal is
Not limited to KTN, LN, BaT, DKDP, etc. may be used.

【0033】[0033]

【発明の効果】本発明の偏向装置は、電気光学結晶を透
明電極で挟み、前記透明電極間に電圧を印加し、光軸方
向に平行な電場を電気光学結晶に印加するように前記偏
向素子を配置したから、屈折率楕円体を回転させること
により、印加電圧に応じて結像の変位量を連続的に可変
でき、且つその印加電圧も、光軸に垂直に印加する従来
に比較して低電圧で済ますことができる。また、機械振
動を用いていないので、信頼性が高く、振動音も発生せ
ず、構造も簡単なため安価である利点がある。更に、従
来の偏光面の回転を利用した装置に比較して、波長依存
性を少なくすることもできる。
The deflecting device according to the present invention is characterized in that the electro-optic crystal is sandwiched between transparent electrodes, a voltage is applied between the transparent electrodes, and an electric field parallel to the optical axis direction is applied to the electro-optic crystal. Is arranged, by rotating the refractive index ellipsoid, the amount of displacement of the image can be continuously varied according to the applied voltage, and the applied voltage is also compared to the conventional method in which the applied voltage is applied perpendicular to the optical axis. It can be done with low voltage. In addition, since mechanical vibration is not used, there is an advantage that the reliability is high, no vibration noise is generated, and the structure is simple, so that it is inexpensive. Further, the wavelength dependency can be reduced as compared with the conventional apparatus using the rotation of the polarization plane.

【0034】更に本発明の偏向装置は、偏向素子が電気
光学結晶を透明電極で挟んで積層し、奇数番目の電気光
学結晶と偶数番目の電気光学結晶との結晶軸を互いに鏡
像の関係に配置した構造として、隣り合う奇数番目の透
明電極と偶数番目の透明電極の間にそれぞれ電圧を印加
して隣接する電気光学結晶に逆向きの電場を印加するこ
とにより、各電気光学結晶において同一方向に結像が変
位するから、電気光学結晶が1枚に比較し、電圧を低く
できる。
Further, in the deflecting device of the present invention , the deflecting element is formed by laminating an electro-optic crystal between transparent electrodes, and arranging the crystal axes of the odd-numbered electro-optic crystal and the even-numbered electro-optic crystal in a mirror image relationship with each other. By applying a voltage between the adjacent odd-numbered transparent electrodes and the even-numbered transparent electrodes and applying an opposite electric field to the adjacent electro-optical crystals, the structure in each electro-optical crystal is in the same direction. Since the imaging is displaced, the voltage can be reduced as compared with one electro-optic crystal.

【0035】本発明の画像シフト型撮像装置は、撮像の
タイミングに応じて偏向装置の動作を制御する制御手段
とを設けたから、透明電極への印加電圧の有無により撮
像素子と結像との位置を相対的にずらし、撮像素子を高
解像度化することなく、高精細の映像を得ることができ
る。
The image shift type image pickup apparatus of the present invention, because provided a control means for controlling the operation of the polarization direction device according to the timing of the imaging, the imaging element and the imaging by the presence or absence of voltage applied to the transparent electrode A high-definition image can be obtained without relatively shifting the position and increasing the resolution of the image sensor.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る偏向装置の一実施例を示す模式図
である。
FIG. 1 is a schematic view showing an embodiment of a deflection device according to the present invention.

【図2】(a)と(b)は、電気光学結晶の屈折率楕円体の回
転を示す説明図である。
FIGS. 2A and 2B are explanatory diagrams showing rotation of a refractive index ellipsoid of an electro-optic crystal.

【図3】結像の変位量測定システムを示す説明略図であ
る。
FIG. 3 is an explanatory schematic diagram showing an imaging displacement amount measuring system.

【図4】偏向素子にLNを用いた偏向装置の結像の変位
量と印加電圧の関係を示すグラフである。
FIG. 4 is a graph showing a relationship between an image forming displacement amount and an applied voltage of a deflecting device using LN as a deflecting element.

【図5】偏向素子にBATを用いた偏向装置の結像の変
位量と印加電圧の関係を示すグラフである。
FIG. 5 is a graph showing a relationship between an image forming displacement amount and an applied voltage of a deflection device using a BAT as a deflection element.

【図6】偏向素子にKTNを用いた偏向装置の結像の変
位量と印加電圧の関係を示すグラフである。
FIG. 6 is a graph showing a relationship between an image forming displacement amount and an applied voltage of a deflecting device using KTN as a deflecting element.

【図7】偏向素子にDKDPを用いた偏向装置の結像の
変位量と印加電圧の関係を示すグラフである。
FIG. 7 is a graph showing a relationship between an image forming displacement amount and an applied voltage of a deflecting device using DKDP as a deflecting element.

【図8】本発明に係る偏向装置の他の実施例を示す模式
図である。
FIG. 8 is a schematic view showing another embodiment of the deflecting device according to the present invention.

【図9】偏向素子にKTNを用いたこの偏向装置の結像
の変位量と印加電圧の関係を示すグラフである。
FIG. 9 is a graph showing a relationship between an image forming displacement amount and an applied voltage of the deflection apparatus using KTN as a deflection element.

【図10】本発明に係る偏向装置の更に他の実施例を示
す模式図である。
FIG. 10 is a schematic view showing still another embodiment of the deflecting device according to the present invention.

【図11】本発明に係る画像シフト型撮像装置の一実施
例を示す模式図である。
FIG. 11 is a schematic diagram showing an embodiment of an image shift type imaging apparatus according to the present invention.

【図12】硝子板を傾ける方式による従来の偏向装置を
示す模式図である。
FIG. 12 is a schematic view showing a conventional deflecting device using a method of tilting a glass plate.

【図13】圧電アクチュエータにより撮像素子を移動さ
せる方式による従来の偏向装置を示す模式図である。
FIG. 13 is a schematic diagram showing a conventional deflecting device based on a method in which an imaging element is moved by a piezoelectric actuator.

【図14】電気光学結晶と複屈折板を用いた従来の偏向
装置を示す模式図である。
FIG. 14 is a schematic diagram showing a conventional deflection device using an electro-optic crystal and a birefringent plate.

【図15】楔形電気光学結晶を貼り合わせた従来の偏向
装置を示す模式図である。
FIG. 15 is a schematic view showing a conventional deflection device to which a wedge-shaped electro-optic crystal is bonded.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 偏向素子 2 駆動電圧 C1 電気光学結晶 R1、R2、R3 透明電極First deflecting element 2 driving voltage C 1 electrooptic crystal R 1, R 2, R 3 transparent electrode

フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−289065(JP,A) 特開 昭62−194221(JP,A) 特開 平1−166021(JP,A) 特開 昭63−316832(JP,A) 特開 平4−115786(JP,A) 特公 昭52−3310(JP,B1) 米国特許4323901(US,A) 日本工業大学工学部研究報告 Vo l.20,No.2,pp.301−304 (1990)中山義治 (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G02F 1/03 - 1/295 H04N 5/225 - 5/335 INSPEC(DIALOG) JICSTファイル(JOIS) WPI(DIALOG)Continuation of the front page (56) References JP-A-62-289065 (JP, A) JP-A-62-194221 (JP, A) JP-A-1-1666021 (JP, A) JP-A-63-116832 (JP) JP-A-4-115786 (JP, A) JP-B-52-3310 (JP, B1) U.S. Pat. No. 4,432,901 (US, A) Research Report, Faculty of Engineering, Nippon Institute of Technology Vol. 20, No. 2, pp. 301-304 (1990) Yoshiharu Nakayama (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) G02F 1/03-1/295 H04N 5/225-5/335 INSPEC (DIALOG) JICST file (JOIS) WPI (DIALOG)

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 電気光学結晶の相対向する両面全面を透
明電極で挟むように積層し、奇数番目の電気光学結晶と
偶数番目の電気光学結晶との結晶軸を互いに鏡像の関係
に配置した構造の偏向素子と、 隣り合う奇数番目の透明電極と偶数番目の透明電極の間
にそれぞれ電圧を印加して隣接する 電気光学結晶に逆向
きの電場を印加する駆動手段と、 を備え、 光軸方向と前記電場が平行となるように前記偏向素子を
配置し、前記電場の印加により前記電気光学結晶の屈折
率楕円体を回転させ光の進行方向を変えて光を偏向させ
ることを特徴とする偏向装置。
1. An electro-optic crystal according to claim 1, wherein the opposing surfaces of the opto-electric crystal are laminated with a transparent electrode therebetween.
The crystal axes of even-numbered electro-optic crystals are mirror images of each other
Between the odd-numbered transparent electrode and the even-numbered transparent electrode
And a driving unit for applying a voltage to each of the adjacent electro-optic crystals to apply a reverse electric field to the electro-optic crystal, and arranging the deflection element so that an optical axis direction is parallel to the electric field, and applying the electric field. A deflector for rotating a refractive index ellipsoid of the electro-optic crystal to change a traveling direction of light to deflect light.
【請求項2】 請求項1記載の偏向装置と、撮像素子
と、撮像のタイミングに応じて前記偏向装置の駆動手段
の動作を制御する制御手段とを設け、 該制御手段により前記偏向装置の透明電極に電圧を印加
しない場合と印加した場合で前記撮像素子に結像して、
該結像を撮像素子に対して相対的にずらすことを特徴と
する画像シフト型撮像装置。
2. The deflecting device according to claim 1, further comprising: an image sensor; and a control unit for controlling an operation of a driving unit of the deflecting device according to an imaging timing. An image is formed on the image sensor when no voltage is applied to the electrode and when a voltage is applied,
An image shift type image pickup apparatus, wherein the image formation is shifted relative to an image pickup device.
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