JP3249755B2 - Vapor phase growth method and wafer transfer apparatus used for the same - Google Patents
Vapor phase growth method and wafer transfer apparatus used for the sameInfo
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Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、気相成長装置にま
でウエハーを搬送するウエハー搬送方法及びこれに用い
られる搬送装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer transfer method for transferring a wafer to a vapor phase growth apparatus and a transfer apparatus used for the method.
【0002】[0002]
【従来の技術】半導体の製造工程においては様々な気相
成長装置が使用されている。その気相成長装置への搬送
方法としては、アームによってウエハーを搬送するもの
や、真空チャックによってウエハーを真空吸着した状態
で搬送するもの等がある。通常、ウエハーの搬送は、真
空中もしくは高純度ガス雰囲気中で行われ、気相成長の
ための材料となる反応ガスは、搬送終了後に流し始めら
れる。2. Description of the Related Art In a semiconductor manufacturing process, various vapor phase growth apparatuses are used. As a method of transferring the wafer to the vapor phase growth apparatus, there are a method of transferring a wafer by an arm, a method of transferring a wafer in a state where the wafer is vacuum-sucked by a vacuum chuck, and the like. Usually, the transfer of a wafer is performed in a vacuum or a high-purity gas atmosphere, and a reaction gas serving as a material for vapor phase growth is started to flow after the transfer is completed.
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】ところで、気相成長装
置では、上記のように反応性材料ガスを使用するため、
生成物の発生は避けられず、生成物が気相成長装置のチ
ャンバーの内壁等に付着し、処理を重ねるごとに生成物
の付着は増加していく。By the way, in the vapor phase growth apparatus, since the reactive material gas is used as described above,
The generation of the product is inevitable, and the product adheres to the inner wall of the chamber of the vapor phase growth apparatus, and the adhesion of the product increases as the processing is repeated.
【0004】そして、このようなチャンバーの内壁等へ
の生成物の付着が増加してくると、次のような問題が生
じる。即ち、ウエハーの搬送後に、気相成長のための材
料ガスを流し始めると、この生成物が反応ガスの流れ始
めで起こるガス流の乱れによって、剥がれ落ち微粒子と
してチャンバー内を舞うことになる。そして、この微粒
子が微細なダストとしてウエハー表面に付着し、結果と
して得ようとするウエハーの特性を劣化させることにな
り、これが歩留り低下の一因となっていた。[0004] When the adhesion of the product to the inner wall of the chamber or the like increases, the following problem occurs. That is, when a material gas for vapor phase growth is started to flow after the transfer of the wafer, the product is peeled off and flows in the chamber as fine particles due to the turbulence of the gas flow generated at the start of the flow of the reaction gas. Then, the fine particles adhere to the wafer surface as fine dust, which deteriorates the characteristics of the wafer to be obtained as a result, and this is one of the causes of a decrease in yield.
【0005】従来は、このようなチャンバー内壁に付着
した生成物によるダストの問題については、定期的なチ
ャンバー内の洗浄によって行っていた。しかしながら、
定期的なチャンバー内洗浄のメンテナンスは、装置の稼
働率を低下させることになり、ウエハーのコストアップ
にもつながっていた。Conventionally, the problem of dust caused by products adhering to the inner wall of the chamber has been performed by periodically cleaning the inside of the chamber. However,
Periodic maintenance of cleaning in the chamber lowers the operation rate of the apparatus, which leads to an increase in the cost of the wafer.
【0006】また、チャンバー内の洗浄を行っても、次
の洗浄までの間は、徐々に生成物が付着していくことに
なるのであり、確実にダストの問題を回避するのは困難
であった。Further, even if the inside of the chamber is washed, the product gradually adheres until the next washing, and it is difficult to avoid the problem of dust without fail. Was.
【0007】そこで、本発明の目的は、チャンバー内壁
に付着する生成物を原因とするダストの問題を簡単なウ
エハー搬送構造で解決することにある。An object of the present invention is to solve the problem of dust caused by products adhering to the inner wall of a chamber with a simple wafer transfer structure.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明による気相成長方法は、気相成長用チャンバー
と該気相成長用チャンバーに付設された搬送室とを備
え、前記搬送室からウエハーまたはウエハー保持体を前
記気相成長用チャンバー内に搬送する工程を有する気相
成長方法において、気相成長工程前に予め、前記気相成
長用チャンバーに設けられたガス管から前記気相成長用
チャンバー内に気相成長時と同量の無反応ガスを流入さ
せる第1の工程と、該第1の工程後、前記搬送室からウ
エハーまたはウエハー保持体を前記気相成長用チャンバ
ー内に搬送する第2の工程と、該第2の工程後、ガス気
流の乱れが生じずガス流量が前記搬送前から略一定とな
るように前記無反応ガスを反応ガスに切り替えて、気相
成長を行うことを特徴とする。To achieve the above object, a vapor phase growth method according to the present invention comprises a vapor phase growth chamber and a transfer chamber attached to the vapor phase growth chamber. A step of transferring a wafer or a wafer holder from the substrate into the chamber for vapor phase growth, wherein the vapor phase
A first step of flowing the same amount of a non-reactive gas into the chamber for vapor phase growth from a gas pipe provided in the long chamber, and a wafer from the transfer chamber after the first step. Alternatively , a second step of transferring the wafer holder into the vapor phase growth chamber, and after the second step,
No flow disturbance occurs and the gas flow rate becomes substantially constant before the transfer.
In this manner, the non-reactive gas is switched to a reactive gas to perform vapor phase growth.
【0009】このように、気相成長工程前に予め気相成
長用チャンバーに設けられたガス管から気相成長用チャ
ンバー内に気相成長時と同量の無反応ガスを流入させる
ようにしているので、従来であれば反応ガスを流し始め
た時に生じる気流の乱れによって、チャンバーの内壁か
ら容易にはがれ落ちる付着物は、この気相成長前に行う
ガスの流入、排気によって予め除去されることになる。
また、気相成長のためのガスを流入する際にも、ガス気
流の乱れが生じずガス流量が搬送前から略一定となるよ
うに無反応ガスを反応ガスに切り替えるので、気流の乱
れによってさらにチャンバー内壁から付着物がはがれ落
ちることもない。As described above, before the vapor phase growth step, the vapor phase
Since the same amount of non-reactive gas flows into the chamber for vapor phase growth from the gas pipe provided in the long chamber, the same amount of non-reactive gas as in the vapor phase growth is generated, so that the gas flow generated when the reaction gas is started to flow conventionally The deposits that easily fall off from the inner wall of the chamber due to the turbulence are removed in advance by the inflow and exhaust of the gas performed before the vapor phase growth.
Also, when the gas for vapor phase growth is introduced,
Gas flow is almost constant from before transporting without flow disturbance
As described above, since the non-reactive gas is switched to the reactive gas, the adhered substance does not peel off from the inner wall of the chamber due to the turbulence of the air flow.
【0010】また、上記気相成長方法に使用されるウエ
ハー搬送装置として、ウエハーまたはウエハー保持体に
接触するためのアームと、該アームに固定され前記搬送
室側から前記ウエハーまたはウエハー保持体の搬送を行
行い搬送後に前記気相成長用チャンバーから引き出され
る搬送棒とを備え、前記アームの上部にウエハー表面を
カバーするダストカバーを設けてなることを特徴とす
る。[0010] Further, as a wafer transfer device used in the vapor phase growth method, an arm for contacting a wafer or a wafer holder, and a transfer of the wafer or the wafer holder from the transfer chamber side fixed to the arm. the withdrawn from the vapor phase growth chamber after row <br/> lines have conveyed
And a dust cover that covers the surface of the wafer is provided above the arm.
【0011】このため、仮にウエハーまたはウエハー保
持体の搬送の際に、チャンバーあるいは搬送室に浮遊す
るダストがあったとしても、ウエハーの上に付着するこ
とを防止できる。Therefore, even if there is dust floating in the chamber or the transfer chamber during the transfer of the wafer or the wafer holder, it can be prevented from adhering to the wafer.
【0012】また、このダストカバーの上面を前記搬送
棒の向きに低くなるような傾斜させたことを特徴とす
る。これにより、ダストカバーの上にダストが付着し
て、さらにこのダストがこぼれ落ちる場合があったとし
ても、そのダストが落ちる方向を搬送棒の引出し方向に
限定することができ、ウエハーの上に落ちることを回避
できる。 また、ダストカバーと、前記ウエハーまたはウ
エハー保持体との間に無反応ガスを導入させる導入管を
有することを特徴とする。 これによりダストカバーの上
にダストが付着して、さらにこのダストがこぼれ落ちる
場合があったとしても、ウエハー上から掃き出すことが
できる。 また、気相成長用チャンバーと該気相成長用チ
ャンバーに付設された搬送室とを備え、前記搬送室から
ウエハーまたはウエハー保持体を前記気相成長用チャン
バー内に搬送する工程を有する気相成長方法において、
気相成長工程前に予め、前記気相成長用チャンバー内に
気相成長時と同量の無反応ガスを流入させる第1の工程
と、該第1の工程後、前記搬送室からウエハーまたはウ
エハー保持体を前記気相成長用チャンバー内に搬送する
第2の工程と、該第2の工程後、前記無反応ガスを反応
ガスに切り替えて、気相成長を行う気相成長方法に使用
されるウエハ搬送装置として、ウエハーまたはウエハー
保持体に接触するためのアームと、該アームに固定され
前記搬送室側から前記ウエハーまたはウエハー保持体の
搬送を行うための搬送棒とを備え、前記アームの上部に
ウエハー表面をカバーするダストカバーを設けて、該ダ
ストカバーの上面を前記搬送棒の向きに低くなるような
傾斜させ、前記ダストカバーの上面に、前記気相成長用
チャンバーに流入される気流を前記搬送棒の方向に流れ
るように、前記ダストカバーの上面に略垂直で且つ前記
搬送棒の長手方向と略平行な気流調整板を設けたことを
特徴とする。 Further, characterized in that the upper surface of the dust cover is inclined such that lower in the direction of the conveying rod. This causes dust to adhere to the dust cover
And that this dust could spill further
However, the direction in which the dust falls is
Can be limited, avoid falling on the wafer
it can. Further, a dust cover and the wafer or the wafer may be provided.
Introduce an unreacted gas between the chamber and the holder.
It is characterized by having. This allows the dust cover
Dust adheres to it, and this dust spills out further
If so, it can be swept out of the wafer
it can. A chamber for vapor phase growth and a chamber for vapor phase growth
And a transfer chamber attached to the chamber.
Place the wafer or wafer holder on the vapor phase growth chamber.
In a vapor phase growth method having a step of transporting into a bar,
Before the vapor growth step,
First step of flowing the same amount of non-reactive gas as during vapor phase growth
And after the first step, a wafer or wafer is transferred from the transfer chamber.
Conveying the chamber holder into the chamber for vapor phase growth
A second step, and reacting the non-reactive gas after the second step.
Switch to gas and use for vapor phase growth method for vapor phase growth
Wafers or Wafers
An arm for contacting the holder, and fixed to the arm
From the transfer chamber side to the wafer or wafer holder
A transfer rod for performing transfer, and a transfer rod at an upper part of the arm.
Provide a dust cover to cover the wafer surface, and
So that the upper surface of the strike cover is lowered in the direction of the transport rod
Tilt the top of the dust cover,
The airflow flowing into the chamber flows in the direction of the transport rod.
As described above, substantially perpendicular to the upper surface of the dust cover and the
That an airflow adjustment plate that is substantially parallel to the longitudinal direction of the
Features.
【0013】このため、仮にウエハーまたはウエハー保
持体の搬送の際に、チャンバーあるいは搬送室に浮遊す
るダストがあったとしても、ウエハーの上に付着するこ
とを防止できる。 さらに、ダストカバーの上にダストが
付着して、さらにこのダストがこぼれ落ちる場合があっ
たとしても、そのダストが落ちる方向を搬送棒の引出し
方向に限定することができ、ウエハーの上に落ちること
を回避できる。For this reason, if the wafer or the wafer
Floating in the chamber or transfer room when transferring the carrier
Dust that may adhere to the wafer
And can be prevented. Furthermore, even if dust adheres to the dust cover and the dust may spill down, the direction in which the dust falls can be limited to the direction in which the transport rod is pulled out, and the dust falls on the wafer. Can be avoided.
【0014】[0014]
【0015】[0015]
【0016】[0016]
【発明の実施の形態】本発明の一実施例について、図1
及び図2を参照して説明する。図1は本実施例によるウ
エハー搬送装置の斜視図、図2は図1の装置に使用され
るウエハー搬送部の拡大図である。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG.
This will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a perspective view of a wafer transfer apparatus according to the present embodiment, and FIG. 2 is an enlarged view of a wafer transfer unit used in the apparatus of FIG.
【0017】本実施例のウエハー搬送装置は、図1に示
すように、大きくは気相成長による成膜処理を行うため
のチャンバー1と、ウエハー2をチャンバー1内に搬送
させるためのロード室3とから構成されている。チャン
バー1の上部にはガスを流入させるための流入ガス管4
が、また、その下部には排気ガス管5が設けられてい
る。チャンバー1の内部には、ウエハーを載せるための
ウエハー搭載部6が設けられている。また、7はチャン
バー1とロード室3との挿通を自在に仕切るためのゲー
トバルブ、8はウエハーをチャンバー1内部に搬送する
ための搬送棒である。As shown in FIG. 1, the wafer transfer apparatus according to the present embodiment has a chamber 1 for performing a film forming process by vapor phase growth and a load chamber 3 for transferring a wafer 2 into the chamber 1. It is composed of An inflow gas pipe 4 through which gas flows into the upper part of the chamber 1.
However, an exhaust gas pipe 5 is provided at a lower portion thereof. Inside the chamber 1, a wafer mounting portion 6 for mounting a wafer is provided. Reference numeral 7 denotes a gate valve for freely separating the chamber 1 from the load chamber 3, and reference numeral 8 denotes a transfer rod for transferring a wafer into the chamber 1.
【0018】この搬送棒8の先端部には、図2に示すよ
うに、搬送アーム9が設けられ、その上部にウエハー2
の上部を覆うようなダストカバー10が設けられてい
る。このダストカバー10は手動搬送時の操作性やトラ
ブル処理を容易にするため透明な材料から構成してい
る。また、11はウエハー2を搭載するトレーである。As shown in FIG. 2, a transfer arm 9 is provided at the tip of the transfer rod 8, and the wafer 2
A dust cover 10 is provided so as to cover the upper part. The dust cover 10 is made of a transparent material to facilitate operability and trouble handling during manual conveyance. Reference numeral 11 denotes a tray on which the wafer 2 is mounted.
【0019】次に、上記装置を使用した本発明の搬送方
法について説明する。まず、複数枚のウエハー2を搭載
したトレー11(以下、トレー11で代表する)がロー
ド室3内に搬入される。この時、チャンバー1内に、流
入ガス管4から後の成膜工程で流入するのと同じ量の無
反応ガス、例えば、精製された水素ガスや窒素ガスある
いは不活性ガスを流入する一方、排気ガス管5から上記
無反応ガスを排気させる。Next, the transport method of the present invention using the above-described apparatus will be described. First, a tray 11 on which a plurality of wafers 2 are mounted (hereinafter, represented by the tray 11) is carried into the load chamber 3. At this time, the same amount of non-reactive gas, for example, purified hydrogen gas, nitrogen gas, or inert gas that flows into the chamber 1 from the inflow gas pipe 4 in the subsequent film forming process, while exhausting gas, The non-reactive gas is exhausted from the gas pipe 5.
【0020】これにより、従来であれば気相成長をさせ
るための反応ガスを流し始めた時に生じる気流の乱れに
よって、チャンバー1内壁から容易にはがれ落ちていた
付着物は、この気相成長前に行う無反応ガスの流入、排
気によって予め除去されることになる。As a result, the deposits which had been easily separated from the inner wall of the chamber 1 by the turbulence of the gas flow generated when the reactant gas for the gas phase growth was started to flow before the gas phase growth were formed. It is removed in advance by the inflow and exhaust of the non-reactive gas.
【0021】次に、トレー11をチャンバー1内に搬入
した後、搬送棒8のみを引出しゲートバルブ7を閉じ
る。そして、次に上記無反応ガスを反応ガスに切り替え
て気相成長の成膜処理を開始する。ここで、チャンバー
1内のガス流量は、搬送前から略一定のためガス気流の
乱れは生じず、ここでも、従来のようなガス気流の乱れ
による生成物の剥離といった問題は生じない。Next, after the tray 11 is carried into the chamber 1, only the transfer rod 8 is pulled out and the gate valve 7 is closed. Then, the non-reactive gas is switched to a reactive gas, and a film forming process for vapor phase growth is started. Here, since the gas flow rate in the chamber 1 is substantially constant before the transfer, the gas flow is not disturbed, and the problem of separation of the product due to the gas flow disturbance does not occur here.
【0022】また、若干のガス気流の乱れが生じ、微細
なダストが発生したとしても、本実施例においては、ウ
エハー2の上部に配置されるダストカバー10を設けて
いるので、ダストがウエハー2の表面に付着することは
ない。Further, even if a slight turbulence of the gas flow is generated and fine dust is generated, in this embodiment, since the dust cover 10 disposed on the wafer 2 is provided, Does not adhere to the surface of
【0023】従って、チャンバー1内壁に付着する生成
物を原因とするダストの影響を減少できる。また、チャ
ンバー洗浄等のメンテナンスの負担も軽減でき、装置の
稼働率を向上できる。Therefore, the influence of dust caused by products adhering to the inner wall of the chamber 1 can be reduced. In addition, the burden of maintenance such as chamber cleaning can be reduced, and the operation rate of the apparatus can be improved.
【0024】図3及び図4は本発明の他の実施例による
ウエハー搬送部の斜視図および縦断面図である。この実
施例の構造は図2の構造に対して、無反応ガスをガス導
入管12によってダストカバー10とトレー11との間
に流し込む構造としている点が異なっている。その他の
構造及びこの装置を使用した製造方法については図1及
び図2と同じである。FIGS. 3 and 4 are a perspective view and a longitudinal sectional view of a wafer transfer section according to another embodiment of the present invention. The structure of this embodiment is different from the structure of FIG. 2 in that a non-reactive gas is introduced between the dust cover 10 and the tray 11 by the gas introduction pipe 12. Other structures and a manufacturing method using this device are the same as those in FIGS.
【0025】この構造によれば、仮に若干のガス気流の
乱れによってダストが生じ、そのダストがダストカバー
10の上部だけでなく、その下部にまで回り込んだとし
ても、そのダストを無反応ガス13によって掃き出すこ
とができる。According to this structure, dust is generated due to slight turbulence of the gas flow, and even if the dust reaches not only the upper portion of the dust cover 10 but also the lower portion thereof, the dust is removed by the non-reactive gas 13. Can be swept out.
【0026】図5及び図6は本発明のさらに他の実施例
によるウエハー搬送部の斜視図及びその機能を説明する
ための図である。本実施例は、図5に示すようにダスト
カバー10を搬送棒8の方向に向かって低くなるように
傾けている。その他の構造及びこの装置を使用した製造
方法については図1及び図2と同じである。FIGS. 5 and 6 are a perspective view and a view for explaining the function of a wafer transfer section according to still another embodiment of the present invention. In the present embodiment, as shown in FIG. 5, the dust cover 10 is inclined so as to become lower toward the conveying rod 8. Other structures and a manufacturing method using this device are the same as those in FIGS.
【0027】この構造は、図1及び図2の構造において
生じ得る問題点を考慮し、それに対する対応を施したも
のである。即ち、図1及び図2の搬送方法によれば、ダ
ストの発生を抑制でき、しかも、仮にダストが発生した
としてもそのダストはダストカバー10によっての上に
積もることを回避できる。しかしながら、トレー11を
チャンバー1内のウエハー搭載部6に搭載した後、搬送
棒8(及び搬送アーム9)のみをロード室の方向へ引き
戻すが、この際、ダストカバー10の上に積もったダス
トがトレー11の上にこぼれ落ちる場合も考えられる。This structure takes into account problems that may occur in the structures of FIGS. 1 and 2 and takes measures to address them. That is, according to the transport method shown in FIGS. 1 and 2, generation of dust can be suppressed, and even if dust is generated, the dust can be prevented from accumulating on the dust cover 10. However, after the tray 11 is mounted on the wafer mounting section 6 in the chamber 1, only the transfer rod 8 (and the transfer arm 9) is pulled back toward the load chamber. At this time, dust accumulated on the dust cover 10 is removed. It is also conceivable that the ink spills onto the tray 11.
【0028】そこで、本実施例においては、仮にダスト
がダストカバー10からこぼれ落ちる場合があったとし
ても、少なくともトレー11の上に落ちることはないよ
うな構造を提供するものである。つまり、上記のよう
に、ダストカバー10に傾斜を設け、搬送棒8の側を低
くすることによって、ダストカバー10の上を通った無
反応ガス13の流れが搬送棒8を引く方向に流れるよう
にしている。この構造によれば、仮にダストがダストカ
バー10からこぼれたとしても、トレー11の上に積も
ることはない。従って、図1及び図2の構造よりさら
に、歩留り向上を確実なものとすることができる。Therefore, the present embodiment provides a structure that does not fall at least on the tray 11 even if the dust spills out of the dust cover 10. That is, as described above, by providing the dust cover 10 with an inclination and lowering the side of the transport rod 8, the flow of the non-reactive gas 13 passing over the dust cover 10 flows in the direction in which the transport rod 8 is pulled. I have to. According to this structure, even if dust spills out of the dust cover 10, it does not accumulate on the tray 11. Therefore, the yield can be more reliably improved than the structure shown in FIGS.
【0029】図7及び図8は、図5及び図6に示した搬
送部の構造をさらに改良したものである。即ち、図7及
び図8に示すように、搬送棒8の方向に低くなるように
傾斜したダストカバー10の上にさらに搬送棒8の長手
方向と略平行のガス流調整部14を設け、無反応ガス1
3の流れを確実に搬送棒8の方向に向かうように構成し
たものである。FIGS. 7 and 8 show a further improvement of the structure of the transfer section shown in FIGS. That is, as shown in FIGS. 7 and 8, a gas flow adjusting unit 14 substantially parallel to the longitudinal direction of the transport rod 8 is further provided on the dust cover 10 inclined so as to be lower in the direction of the transport rod 8. Reaction gas 1
3 is configured to surely flow in the direction of the transport rod 8.
【0030】[0030]
【発明の効果】以上説明したように、本発明の気相成長
方法によれば、チャンバーの内壁から容易にはがれ落ち
る付着物を、気相成長前に行う気相成長用チャンバーに
設けられたガス管からの無反応ガスの流入、排気によっ
て予め除去するので、ウエハーにダストが付着すること
を回避できる。また、ガス気流の乱れが生じずガス流量
が略一定となるように無反応ガスに切り替えて気相成長
のためのガスを流入するので、この切り替えの際にもチ
ャンバー内壁からさらに付着物がはがれ落ちるというこ
ともない。As described above, according to the vapor phase growth method of the present invention, the deposits that easily fall off from the inner wall of the chamber are transferred to the vapor phase growth chamber before the vapor phase growth.
Since the non-reactive gas is previously removed by flowing and exhausting the non-reactive gas from the provided gas pipe , it is possible to prevent dust from adhering to the wafer. In addition, there is no
Is changed to a non-reactive gas so that the gas becomes substantially constant, and a gas for vapor phase growth is introduced, so that even at the time of this switching, there is no possibility that the extraneous matter will come off from the inner wall of the chamber.
【0031】また、上記気相成長方法に使用されるウエ
ハー搬送装置として、ウエハー表面をカバーするダスト
カバーを設けてなるので、仮にウエハーの搬送の際に、
チャンバーあるいは搬送室に浮遊するダストがあったと
しても、ウエハーの上に付着することを防止できる。ま
た、ダストカバーの上面を搬送棒の向きに低くなるよう
な傾斜させ、その上面に、ダストカバーの上面に略垂直
で且つ搬送棒の長手方向と略平行な気流調整板を設けた
ので、さらに、ダストカバーの上にダストが付着して、
さらにこのダストがこぼれ落ちる場合があったとして
も、そのダストが落ちる方向を搬送棒の引出し方向に限
定することができ、ウエハーの上に落ちることを回避で
きる。 Further, since a dust cover for covering the wafer surface is provided as a wafer transfer device used in the above-mentioned vapor phase growth method, if a wafer is transferred,
Even if there is dust floating in the chamber or the transfer chamber, it can be prevented from adhering to the wafer. Ma
Also, make sure that the top surface of the dust cover is
Inclined, on the top surface, almost perpendicular to the top surface of the dust cover
And an airflow adjusting plate substantially parallel to the longitudinal direction of the transport rod is provided.
So, further, dust adheres to the dust cover,
And even if this dust could fall off
The direction in which the dust falls is limited to the direction in which the transport rod is pulled out.
To avoid falling on the wafer
Wear.
【図1】本発明の一実施例による気相成長方法を説明す
るための斜視図。FIG. 1 is a perspective view illustrating a vapor deposition method according to an embodiment of the present invention.
【図2】図1の気相成長方法に使用されるウエハー搬送
装置の斜視図。FIG. 2 is a perspective view of a wafer transfer device used in the vapor phase growth method of FIG.
【図3】本発明の他の実施例によるウエハー搬送装置の
斜視図。FIG. 3 is a perspective view of a wafer transfer device according to another embodiment of the present invention.
【図4】図3の搬送装置の縦断面図。FIG. 4 is a longitudinal sectional view of the transfer device of FIG. 3;
【図5】本発明のさらに他の実施例によるウエハー搬送
装置の斜視図。FIG. 5 is a perspective view of a wafer transfer device according to still another embodiment of the present invention.
【図6】図5の搬送装置の効果を説明するための斜視
図。FIG. 6 is a perspective view for explaining the effect of the transport device of FIG. 5;
【図7】本発明のさらに他の実施例によるウエハー搬送
装置の斜視図。FIG. 7 is a perspective view of a wafer transfer device according to still another embodiment of the present invention.
【図8】図7の搬送装置の効果を説明するための斜視
図。FIG. 8 is a perspective view for explaining the effect of the transport device of FIG. 7;
1 チャンバー 2 ウエハー 3 搬送室(ロード室) 8 搬送棒 9 アーム 10 ダストカバー 11 ウエハー保持体(トレー) 13 無反応ガス 14 気流調整板 Reference Signs List 1 chamber 2 wafer 3 transfer chamber (load chamber) 8 transfer rod 9 arm 10 dust cover 11 wafer holder (tray) 13 non-reactive gas 14 airflow adjustment plate
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI H01L 21/68 H01L 21/68 A (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/205 B65G 49/07 C23C 14/56 C23C 16/44 C30B 35/00 H01L 21/68 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 identification code FI H01L 21/68 H01L 21/68 A (58) Investigated field (Int.Cl. 7 , DB name) H01L 21/205 B65G 49 / 07 C23C 14/56 C23C 16/44 C30B 35/00 H01L 21/68
Claims (5)
ャンバーに付設された搬送室とを備え、前記搬送室から
ウエハーまたはウエハー保持体を前記気相成長用チャン
バー内に搬送する工程を有する気相成長方法において、 気相成長工程前に予め、前記気相成長用チャンバーに設
けられたガス管から前記気相成長用チャンバー内に気相
成長時と同量の無反応ガスを流入させる第1の工程と、 該第1の工程後、前記搬送室からウエハーまたはウエハ
ー保持体を前記気相成長用チャンバー内に搬送する第2
の工程と、 該第2の工程後、ガス気流の乱れが生じずガス流量が前
記搬送前から略一定となるように前記無反応ガスを反応
ガスに切り替えて、気相成長を行うことを特徴とする気
相成長方法。1. A process comprising a chamber for vapor-phase growth and a transfer chamber attached to the chamber for vapor-phase growth, comprising a step of transferring a wafer or a wafer holder from the transfer chamber into the chamber for vapor-phase growth. In the vapor phase growth method, it is set in the vapor phase growth chamber before the vapor phase growth step.
A first step of flowing the same amount of a non-reactive gas as in the vapor phase growth into the vapor phase growth chamber from the opened gas pipe, and after the first step, a wafer or a wafer holder from the transfer chamber Transporting into the chamber for vapor phase growth
And after the second step, the turbulence of the gas flow does not occur and the gas flow rate becomes
A vapor phase growth method , wherein the non-reactive gas is switched to a reactive gas so as to be substantially constant before the transportation , and vapor phase growth is performed.
エハー搬送装置であって、ウエハーまたはウエハー保持
体に接触するためのアームと、該アームに固定され前記
搬送室側から前記ウエハーまたはウエハー保持体の搬送
を行い搬送後に前記気相成長用チャンバーから引き出さ
れる搬送棒とを備え、前記アームの上部にウエハー表面
をカバーするダストカバーを設けてなることを特徴とす
るウエハー搬送装置。2. A wafer transfer apparatus used in the vapor phase growth method according to claim 1, wherein said arm is provided for contacting a wafer or a wafer holder, and said wafer or said wafer is fixed to said arm from said transfer chamber side. withdrawn from the vapor phase growth chamber after the transport have rows conveyance of the wafer holder
A transfer rod, and a dust cover for covering a surface of the wafer is provided above the arm.
向きに低くなるような傾斜させたことを特徴とする請求
項2に記載のウエハー搬送装置。3. The wafer transfer device according to claim 2, wherein an upper surface of the dust cover is inclined so as to be lower in a direction of the transfer rod.
はウエハー保持体との間に無反応ガスを導入させる導入
管を有することを特徴とする請求項2に記載のウエハー
搬送装置。4. The wafer transfer apparatus according to claim 2, further comprising an introduction pipe for introducing a non-reactive gas between said dust cover and said wafer or wafer holder.
ャンバーに付設された搬送室とを備え、前記搬送室から
ウエハーまたはウエハー保持体を前記気相成長用チャン
バー内に搬送する工程を有する気相成長方法において、
気相成長工程前に予め、前記気相成長用チャンバー内に
気相成長時と同量の無反応ガスを流入させる第1の工程
と、該第1の工程後、前記搬送室からウエハーまたはウ
エハー保持体を前記気相成長用チャンバー内に搬送する
第2の工程と、該第2の工程後 、前記無反応ガスを反応
ガスに切り替えて、気相成長を行う気相成長方法に使用
されるウエハ搬送装置であって、 ウエハーまたはウエハー保持体に接触するためのアーム
と、該アームに固定され前記搬送室側から前記ウエハー
またはウエハー保持体の搬送を行うための搬送棒とを備
え、前記アームの上部にウエハー表面をカバーするダス
トカバーを設けて、該ダストカバーの上面を前記搬送棒
の向きに低くなるような傾斜させ、 前記ダストカバーの
上面に、前記気相成長用チャンバーに流入される気流を
前記搬送棒の方向に流れるように、前記ダストカバーの
上面に略垂直で且つ前記搬送棒の長手方向と略平行な気
流調整板を設けたことを特徴とするウエハー搬送装置。5. A vapor phase growth chamber and a vapor phase growth chamber.
And a transfer chamber attached to the chamber.
Place the wafer or wafer holder on the vapor phase growth chamber.
In a vapor phase growth method having a step of transporting into a bar,
Before the vapor growth step,
First step of flowing the same amount of non-reactive gas as during vapor phase growth
And after the first step, a wafer or wafer is transferred from the transfer chamber.
Conveying the chamber holder into the chamber for vapor phase growth
A second step, and reacting the non-reactive gas after the second step.
Switch to gas and use for vapor phase growth method for vapor phase growth
A wafer transfer device that is, the arm for contacting a wafer or wafer holder
And the wafer fixed to the arm from the transfer chamber side.
Or, a transfer rod for transferring the wafer holder is provided.
The upper part of the arm has a wafer covering the surface of the wafer.
Cover, and the upper surface of the dust cover is
And the airflow flowing into the chamber for vapor phase growth flows in the direction of the transport rod on the upper surface of the dust cover, so as to be substantially perpendicular to the upper surface of the dust cover, and features and to roux Eha conveying device in that a longitudinal direction substantially parallel to the air flow adjusting plate of the transport bar.
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JP34320396A JP3249755B2 (en) | 1996-12-24 | 1996-12-24 | Vapor phase growth method and wafer transfer apparatus used for the same |
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JPH10189457A JPH10189457A (en) | 1998-07-21 |
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