JP3245864U - 無線伝送モジュール - Google Patents

Abstract

【課題】磁気導電板を一体化した無線伝送モジュールを提供する。【解決手段】無線伝送モジュール１００Ａは、コイルＣＴＬに接続されるように構成された回路アセンブリ１０１、およびその少なくとも一部が前記回路アセンブリの内部に配置される第１の磁気素子１０４を含み、前記回路アセンブリは、前記第１の磁気素子に対応する第１の基板１０２を含む。【選択図】図３

Description

本考案は、無線伝送モジュールに関するものであり、特に、磁気導電板を一体化した無線伝送モジュールに関するものである。

技術の発展に伴い、多くの電子機器（例えば、タブレットまたはスマートフォン）がワイヤレス充電の機能を有するようになった。ユーザーは、電子装置をワイヤレス充電トランスミッター上に置いて、電子装置内のワイヤレス充電レシーバーが、電磁誘導または電磁共鳴を用いて電流を生成し、バッテリーに充電を行うことができる。ワイヤレス充電の利便性により、ワイヤレス充電モジュールを有する電子機器も普及が進んでいる。

一般的に言えば、ワイヤレス充電モジュールは、コイルを支持する１つの磁気伝導性基板を含む。コイルに通電し、ワイヤレス充電モードまたはワイヤレス通信モードを動作したとき、磁気伝導性基板は、コイルからの磁力線をより集中させ、より優れた性能を得ることができる。しかしながら、既存のワイヤレス充電（または通信）モジュールの構造およびコイルの巻き方では、充電、通信性能の向上、サイズの小型化など、無線伝送モジュールのさまざまな要件を満たすことができない。

従って、ユーザーのさまざまなニーズを満たすことができる無線伝送モジュールをどのように設計するかが、目下、探求し、解決すべき課題である。

磁気導電板を一体化した無線伝送モジュールを提供する。

本考案のいくつかの実施形態によれば、本考案は、回路アセンブリおよび第１の磁気素子を含む無線伝送モジュールを提供する。回路アセンブリは、コイルに接続されるように構成される。第１の磁気素子の少なくとも一部は、回路アセンブリの内部に配置される。回路アセンブリは、第１の磁気素子に対応する第１の基板を含む。

本考案のいくつかの実施形態によれば、回路アセンブリは、電子部品を電気的に接続するように構成される。第１の基板は、ガラス繊維、プラスチック、または樹脂などのポリマー材料のうちの少なくとも１つを含む。第１の磁気素子は第１の基板に接続される。第１の磁気素子は強磁性材料を含む。第１の磁気素子はコイルに対応する。

本考案のいくつかの実施形態によれば、無線伝送モジュールは、回路アセンブリ上に配置された導通構造をさらに含む。導通構造は、第１の方向に沿って回路アセンブリを貫通する。導通構造は、回路アセンブリを貫通する貫通孔を含む。第２の方向に沿って見たとき、導通構造は第１の磁気素子の少なくとも一部と重なる。第２の方向は、第１の方向と平行でない。第２の方向は、第１の方向に対して垂直である。導通構造は導電材料からなる。導通構造は第１の磁気素子と接触しない。無線伝送モジュールは、第１の接続要素をさらに含む。第１の磁気素子は、第１の接続要素を介して回路アセンブリに接続される。第１の接続要素の少なくとも一部は、回路アセンブリの内部に位置する。

本考案のいくつかの実施形態によれば、無線伝送モジュールは、第１の接続要素に接続するように構成された第２の接続要素をさらに含む。第１の磁気素子は、第１の接続要素と第２の接続要素との間に位置する。第１の接続要素と第２の接続要素は同じ材料を有する。第２の接続要素の少なくとも一部は、回路アセンブリの内部に位置する。回路アセンブリは、第１の基板に配置された第１の配線をさらに含む。第２の方向に沿って見たとき、第１の配線は第１の接続要素の少なくとも一部と重なる。

本考案のいくつかの実施形態によれば、回路アセンブリは、第２の基板および第２の配線をさらに有する。第２の基板は、第２の接続要素および第１の接続要素を介して第１の基板に接続される。第２の配線は第２の基板に配置される。第２の方向に沿って見たとき、第１の配線は第２の配線と重ならない。第３の方向に沿って見たとき、第１の配線は第２の配線と重ならない。第３の方向は、第１の方向および第２の方向に対して垂直である。第２の方向に沿って見たとき、第１の配線は第２の接続要素と重ならない。第２の方向に沿って見たとき、第２の配線は第２の接続要素の少なくとも一部と重なる。第２の方向に沿って見たとき、第２の配線は第１の接続要素と重ならない。

本考案のいくつかの実施形態によれば、無線伝送モジュールは第２の磁気素子をさらに含み、第２の磁気素子の少なくとも一部は回路アセンブリの内部に配置される。第２の方向に沿って見たとき、導通構造は第２の磁気素子の少なくとも一部と重なる。導通構造は第２の磁気素子と接触しない。第２の磁気素子は、第２の接続要素を介して回路アセンブリに接続される。第２の方向に沿って見たとき、第２の磁気素子は第２の接続要素と重なる。第２の方向に沿って見たとき、第２の磁気素子は第１の接続要素の少なくとも一部と重ならない。第２の方向に沿って見たとき、第１の磁気素子は、第１の接続要素と重なる。第２の方向に沿って見たとき、第１の磁気素子は、第２の接続要素の少なくとも一部と重ならない。第１の方向に沿って見たとき、第１の磁気素子は第２の配線の少なくとも一部と重なる。第１の方向に沿って見たとき、第２の磁気素子は第１の配線の少なくとも一部と重なる。第１の接続要素は、第１の基板と第２の基板との間に位置する。第２の接続要素は、第１の基板と第２の基板との間に位置する。第１の磁気素子は、第１の基板と第２の基板との間に位置する。第２の磁気素子は、第１の基板と第２の基板との間に位置する。第１の磁気素子は複数の分割部を有し、第１の接続要素の一部は隣接する２つの分割部の間に位置する。

本考案のいくつかの実施形態によれば、第２の方向に沿って見たとき、第１の磁気素子は第２の磁気素子と重ならない。第１の磁気素子と第２の磁気素子は異なる特性を有する。第１の磁気素子と第２の磁気素子は異なる透磁率を有する。第２の磁気素子は、基板要素と複数のナノユニットを含む。これらのナノユニットは基板要素内に配置される。基板要素の材料は、第２の接続要素の材料と異なる。第２の方向に沿って見たとき、第１の配線は第１の磁気素子の一部と重なる。第２の方向に沿って見たとき、第２の配線は第２の磁気素子の一部と重なる。

本考案のいくつかの実施形態によれば、無線伝送モジュールは第２の磁気素子をさらに含み、第２の磁気素子の少なくとも一部は回路アセンブリの内部に配置される。第２の磁気素子は、第２の接続要素を介して回路アセンブリに接続される。第1の磁気素子は、第1の基板の第1の内側面に直接接触する第1の底面を有する。第２の磁気素子は、第２の基板の第２の内側面に直接接触する第２の底面を有する。第１の配線は、第１の基板の第１の内側面上に形成される。第２の配線は、第２の基板の第２の内側面上に形成される。第２の方向に沿って見たとき、第１の磁気素子は第１の接続要素と重なる。第２の方向に沿って見たとき、第１の磁気素子は第２の接続要素の少なくとも一部と重ならない。第２の方向に沿って見たとき、第２の磁気素子は第２の接続要素と重なる。第２の方向に沿って見たとき、第２の磁気素子は第１の接続要素の少なくとも一部と重ならない。第２の方向に沿って見たとき、第１の配線は第１の磁気素子の一部と重なる。第２の方向に沿って見たとき、第２の配線は第２の磁気素子の一部と重なる。第１の磁気素子は、基板要素および複数のナノユニットを含む。これらのナノユニットは基板要素内に配置される。基板要素の材料は、第１の接続要素の材料と異なる。

本考案のいくつかの実施形態によれば、無線伝送モジュールは、第１の接続要素と第２の接続要素との間に配置された第３の接続要素をさらに含む。回路アセンブリは、第３の接続要素を介して第１の磁気素子に接続された第３の配線をさらに含む。第３の配線は、第１の磁気素子と第１の基板との間に位置する。第３の配線は、第１の磁気素子と第１の配線との間に位置する。第３の接続要素と第１の接続要素は同じ材料からなる。第２の方向に沿って見たとき、第１の磁気素子は、第３の接続要素と重なる。第２の方向に沿って見たとき、第３の配線は第１の接続要素と重なる。第２の方向に沿って見たとき、第３の配線は第３の接続要素と重ならない。第１の方向に沿って見たとき、第１の磁気素子は第３の配線の少なくとも一部と重なる。無線伝送モジュールが外部電子機器上に配置されたとき、無線伝送モジュールは外部電子機器とデータまたは電力を伝送するように構成される。第１の基板は、外部電子機器上に配置される。第３の配線は、第１の磁気素子と外部電子機器との間に配置される。

本考案のいくつかの実施形態によれば、回路アセンブリは、第２の基板および第２の配線をさらに有する。第２の基板は、第２の接続要素および第１の接続要素を介して第１の基板に接続される。第２の配線は第１の基板に配置される。第２の方向に沿って見たとき、第１の配線は第２の配線の少なくとも一部と重なる。第３の方向に沿って見たとき、第１の配線は第２の配線と重ならない。第３の方向は、第１の方向および第２の方向に対して垂直である。第２の方向に沿って見たとき、第２の配線は第１の接続要素の少なくとも一部と重なる。第２の方向に沿って見たとき、第１の配線は第２の接続要素と重ならない。第２の方向に沿って見たとき、第２の配線は第２の接続要素と重ならない。無線伝送モジュールは第２の磁気素子をさらに含み、第２の磁気素子は回路アセンブリの内部に配置される。第２の磁気素子は、第２の接続要素を介して回路アセンブリに接続される。第２の方向に沿って見たとき、第１の磁気素子は、第１の接続要素の少なくとも一部と重ならない。第２の方向に沿って見たとき、第２の磁気素子は、第１の接続要素の少なくとも一部と重ならない。第２の方向に沿って見たとき、第１の磁気素子は、第２の接続要素の少なくとも一部と重ならない。第２の方向に沿って見たとき、第２の磁気素子は、第２の接続要素の少なくとも一部と重ならない。無線伝送モジュールは、第１の接続要素と第２の接続要素との間に接続された第３の接続要素をさらに含む。第２の方向に沿って見たとき、第３の接続要素は、第１の磁気素子および第２の磁気素子と重なる。第２の方向に沿って見たとき、第３の接続要素は、第１の配線および第２の配線と重ならない。第２の方向に沿って見たとき、第１の磁気素子は、第２の磁気素子の一部と重なる。第１の磁気素子と第２の磁気素子は異なる特性を有する。第１の磁気素子と第２の磁気素子は異なる透磁率を有する。第１の磁気素子は第１の配線に対応する。第２の磁気素子は第２の配線に対応する。

本考案は、少なくとも１つの基板、少なくとも１つの磁気素子、少なくとも１つの接続要素、および少なくとも１つの配線を含む、エネルギーまたは信号を伝送するための無線伝送モジュールを提案している。少なくとも１つの磁気素子は、接続要素を介して少なくとも１つの基板に固定して接続されることができる。少なくとも１つの配線は少なくとも１つのコイルを構成することができ、コイルは基板上に配置、または接続要素内に配置されることができる。少なくとも１つの磁気素子は少なくとも１つのコイルに対応し、コイルの磁場を集中させ、その伝送効率を向上させる。

本考案の無線伝送モジュールの設計に基づいて、コイルを構成する配線、およびコイルの効率を向上させ、信号歪みを低減する磁気素子は、少なくとも１つの接続要素を介して回路アセンブリ内部のその中の１つのセクションまたは複数のセクション内に配置することができる。従って、無線伝送モジュール全体の厚さを減らすことができる。

また、コイルと磁気素子はプリント回路板の製造工程において回路アセンブリ（プリント回路板）内に直接形成されるため、従来の無線伝送モジュールのように、プリント回路板の製造工程後にさらに人手を介して、磁気素子およびコイルをプリント回路板上に組み立てる必要がなく、これにより、無線伝送モジュールの製造工程のステップをさらに簡素化し、製造時の時間とコストを大幅に削減する。さらに、本考案は、機械的強度の向上、使用効率の向上、充電効率の向上、放熱効率の向上、全体の小型化、全体の軽量化の達成、および電磁干渉の低減などもできる。

図１は、本考案の一実施形態による無線伝送モジュール１００の分解図である。 図２は、図１の線Ａ－Ａに沿った、本考案の一実施形態による無線伝送モジュール１００の断面図である。 図３は、本考案の他の実施形態による無線伝送モジュール１００Ａの分解図である。 図４は、本考案の他の実施形態による無線伝送モジュール１００Ａの部分構造の立体断面図である。 図５は、本考案の他の実施形態による無線伝送モジュール１００Ｂの部分構造の断面図である。 図６は、本考案の他の実施形態による無線伝送モジュール１００Ｃの部分構造の断面図である。 図７は、本考案の他の実施形態による無線伝送モジュール１００Ｄの部分構造の断面図である。 図８は、本考案の他の実施形態による無線伝送モジュール１００Ｅの部分構造の断面図である。

以下、提供される主題の異なる特徴を実施するため、具体的な構成要素とその配置の実施形態によって本考案を説明する。当然のことながら、これらの実施形態は単に説明のためのものであり、本考案の範囲を限定するものではない。例えば、本明細書では、第１の特徴構成要素が第２の特徴構成要素の上に形成されると述べられており、これは、第１の特徴構成要素が第２の特徴構成要素と直接接触する実施形態が含まれることができ、第１の特徴要素と第２の特徴要素との間に他の特徴を有する実施形態も含まれることができ、換言すれば、第１の特徴構成要素と第２の特徴構成要素が直接接触していない実施形態を含めることもできる。

また、異なる実施形態の図面では、本開示を明瞭に説明するために、類似の番号および／または対応の番号を用いて、類似の構成要素および／または対応の構成要素を示すことができる。しかしながら、異なる実施形態の図面では、類似の番号および／または対応の番号の使用は、異なる実施形態間の特定の関係を示唆するものではない。さらに、本開示における別の特徴構成要素の上に、別の特徴構成要素を形成、接続、および／または結合することは、特徴構成要素が直接接触して形成される実施形態を含むことができ、且つ上述の特徴構成要素が直接接触しないように上述の特徴構成要素に挿入される追加の特徴構成要素が形成される実施形態も含むことができる。また、「垂直」、「上方」、「上」、「下」、「底」などの空間関連用語、および同様の用語（例えば、「下向き」、「上向き」など）を用いる場合がある。これらの空間関連用語は、図中の１つ（複数の）の構成要素または特徴と別の１つ（複数の）の構成要素または特徴との関係の説明を容易にするために用いられ、これらの空間関連用語は、その特徴を含む装置の異なる向きをカバーすることを意図している。

別の定義がない限り、本明細書で用いられる全ての用語（技術用語および科学用語を含む）は、本考案が属する当業者に一般に理解されるのと同じ意味を有するものとする。一般に用いられる辞書に定義されているようなこれらの用語は、関連技術および本考案の背景または文脈と一致する意味を有するように解釈されるべきであり、本明細書で特に定義されていない限り、理想化されたまたは過度に形式的な方法で解釈されるべきではないと理解されたい。

さらに、明細書および特許請求の範囲で用いられる序数、例えば「第１」、「第２」などの用語は、請求項の構成要素を修飾するためのものであり、それら自体は、請求項の構成要素に任意の先の序数を有することを暗示または意味するものではなく、ある請求項の構成要素と別の請求項の構成要素の順序、または製造方法上の順序を意味するものではなく、このような序数の使用は、ある特定の名前を有する請求項の構成要素を、別の同じ名前を有する請求項の構成要素と明確に区別できるようにすることを意図しているにすぎない。

接合、結合に関する用語、例えば、「接続」および「互いに接続」などは、特に定義されない限り、互いの構造が直接接触することを指すか、または互いの構造が直接接触しないことを指すことができ、且つ接合、結合に関する用語は、２つの構造が移動可能な、または固定した接合、または関係を含むことができる。

図１および図２に示すように、図１は、本考案の一実施形態による無線伝送モジュール１００の分解図であり、図２は、図１の線Ａ－Ａに沿った、本考案の一実施形態による無線伝送モジュール１００の断面図である。無線伝送モジュール１００は、エネルギーまたは信号を伝送するために用いることができる無線伝送モジュールであり、回路アセンブリ１０１および第１の磁気素子１０４を含むことができる。

例えば、回路アセンブリ１０１は、プリント回路基板の一部または全部であるが、これに限定されない。回路アセンブリ１０１はコイルＣＴＬに接続されるように構成され、第１の磁気素子１０４の少なくとも一部は回路アセンブリ１０１の内部に配置される。この実施形態では、回路アセンブリ１０１は、第１の磁気素子１０４に対応する第１の基板１０２を含む。

第１の基板１０２は、例えば、プリント回路基板の基材であり、例えば、ガラス繊維およびプラスチックのうちの少なくとも１つを含むことができる。コイルＣＴＬは、例えば、第１の基板１０２上に形成された金属配線である。また、第１の基板１０２上は、１つ以上の金属溶接点を形成して、１つ以上の電子部品（例えば、抵抗器またはコンデンサなど、図示せず）を配置することもでき、回路アセンブリ１０１を１つの以上の前述の電子部品に電気的接続させることもできる。

さらに、第１の磁気素子１０４は第１の基板１０２に接続されるように構成され、第１の磁気素子１０４は強磁性材料を含む。例えば、第１の磁気素子１０４は、フェライト（軟磁性、硬磁性、または粉末などを含む）またはナノ結晶などの材料を有することができる。第１の磁気素子１０４は、対応するコイル（例えばコイルＣＴＬ）の磁場をより集中させ、伝送効率を向上させ、信号の歪みを低減させることができる。

また、無線伝送モジュール１００は、第１の接続要素１０６をさらに含み、第１の磁気素子１０４は、第１の接続要素１０６を介して回路アセンブリ１０１の第１の基板１０２に接続される。第１の接続要素１０６は、エポキシ樹脂などの高分子材料で形成されることができるが、これに限定されない。

図１および図２に示されるように、第１の接続要素１０６は、高温または高圧プロセスによって第１の基板１０２に接着されることができ、第１の磁気素子１０４は第１の接続要素１０６によってその中に覆われることができる。この実施形態では、第１の接続要素１０６の厚さは１５μｍ～３００μｍの間であるが、これに限定されない。第１の磁気素子１０４の厚さは、例えば０．１ｍｍであるが、これに限定されない。

さらに、回路アセンブリ１０１は、第１の保護素子１２０および第２の保護素子１３０をさらに含むことができる。第１の保護素子１２０は、第１の接続要素１０６上に固定して配置され、第１の接続要素１０６および第１の磁気素子１０４を保護することができる。

第２の保護素子１３０は、第１の基板１０２の底部に固定して配置され、一部の第２の保護素子１３０はコイルＣＴＬを覆ってコイルＣＴＬを保護することができる。第１の保護素子１２０および第２の保護素子１３０は、例えば、樹脂または高分子材料からなる保護層であるが、これに限定されない。このような構造構成に基づいて、第１の接続要素１０６の少なくとも一部は回路アセンブリ１０１の内部に位置する。

図２に示すように、無線伝送モジュール１００は、回路アセンブリ１０１上に配置された導通構造ＶＡ１をさらに含むことができる。導通構造ＶＡ１は、第１の方向Ｄ１に沿って回路アセンブリ１０１を貫通する。具体的には、導通構造ＶＡ１は、例えば、回路アセンブリ１０１を貫通するスルーホール（ＶＩＡ）であってもよい。このうち、一部の第１の保護素子１２０および第２の保護素子１３０は、一部の導通構造ＶＡ１を覆って保護効果を得ることができる。

さらに、第２の方向Ｄ２に沿って見たとき、導通構造ＶＡ１は、第１の磁気素子１０４の少なくとも一部と重なる。第２の方向Ｄ２は、第１の方向Ｄ１に対して平行ではなく、例えば、第２の方向Ｄ２は第１の方向Ｄ１に対して垂直である。さらに、導通構造ＶＡ１は、例えば、銅などの導電性材料で形成されることができるが、これに限定されない。導通構造ＶＡ１は第１の磁気素子１０４に接触しないことに留意されたい。

上述の構成に基づいて、本実施形態では、コイルＣＴＬは充電コイルとなり、外部装置にワイヤレス充電を行うように用いられることができる。例えば、コイルＣＴＬは、Ａ４ＷＰ（Ａｌｌｉａｎｃｅ ｆｏｒ Ｗｉｒｅｌｅｓｓ Ｐｏｗｅｒ）規格に基づく共鳴充電コイルとなることができるが、これに限定されない。さらに、コイルＣＴＬは、例えばＱｉ規格などのワイヤレスパワーコンソーシアム（ＷＰＣ）規格に基づいて、誘導充電コイルとなることができる。

従って、この実施方法は、コイルＣＴＬが異なる形式の充電方法に同時に対応して、適用可能な範囲を増加させるようにすることができる。例えば、近距離（例えば１ｃｍ以下）では誘導動作を用い、長距離では共振動作を用いる。この実施形態では、コイルＣＴＬは、例えば、近距離無線通信（Ｎｅａｒ Ｆｉｅｌｄ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ； ＮＦＣ）モードで動作し、外部電子機器と通信を行う通信コイルとなることもできる。例えば、コイルＣＴＬの動作周波数帯域は、例えば、１００ＭＨｚ～１３．６ＧＨｚの間とすることができるが、これに限定されない。

図３および図４に示すように、図３は、本考案の他の実施形態による無線伝送モジュール１００Ａの分解図であり、図４は、本考案の他の実施形態による無線伝送モジュール１００Ａの部分構造の立体断面図である。前述の実施形態の無線伝送モジュール１００と比較して、本実施形態の無線伝送モジュール１００Ａは、第２のベース１０３および第２の接続要素１１０をさらに含むことができる。

第２の接続要素１１０は、第１の接続要素１０６に接続するように構成され、第１の磁気素子１０４は、第１の接続要素１０６と第２の接続要素１１０との間に位置する。第１の接続要素１０６と第２の接続要素１１０は同じ材料を有するが、これに限定されない。第１の接続要素１０６と同様に、第２の接続要素１１０の少なくとも一部は回路アセンブリ１０１の内部に位置する。

回路アセンブリ１０１は、第１の基板１０２に配置された第１の配線ＣＴ１および第２の配線ＣＴ２をさらに含む。具体的には、第１の配線ＣＴ１および第２の配線ＣＴ２は、第１の基板１０２の対向する面に形成される。ここでの第１の配線ＣＴ1および第２の配線ＣＴ2の厚さは、例えば、９μｍ～７０μｍであるが、これに限定されない。

ここでの第１の接続要素１０６は第１の配線ＣＴ１上に配置される。
即ち、第２の方向Ｄ２に沿って見たとき、第１の配線ＣＴ１は、第１の接続要素１０６の少なくとも一部と重なる。

同様に、第１の磁気素子１０４は、第２の接続要素１１０を介して第２の基板１０３に接続される。第２の方向Ｄ２に沿って見たとき、第２の接続要素１１０は第１の磁気素子１０４の少なくとも一部と重なる。

図４に示すように、無線伝送モジュール１００は、別の導通構造ＶＡ２をさらに含むことができ、コイルＣＴＬは、導通構造ＶＡ１および導通構造ＶＡ２を介して第２の配線ＣＴ２に電気的に接続されることができる。同様に、第２の配線ＣＴ２も他の導通構造（図示せず）を介して第１の配線ＣＴ１に電気的に接続することができる。

前述の実施形態と同様に、第２の方向Ｄ２に沿って見たとき、導通構造ＶＡ１および導通構造ＶＡ２は、第１の磁気素子１０４の少なくとも一部と重なるが、導通構造ＶＡ１および導通構造ＶＡ２は第1の磁気素子１０４に接触しない。

また、図４に示すように、本実施形態の回路アセンブリ１０１も第１の基板１０２および第２の基板１０３上にそれぞれ固定して配置された第１の保護素子１２０および第２の保護素子１３０を含むこともでき、ここでの一部の第１の保護素子１２０および第２の保護素子１３０は、第１の配線ＣＴ１およびコイルＣＴＬの一部を覆い、第１の配線ＣＴ１およびコイルＣＴＬを保護することができる。第１の保護素子１２０および第２の保護素子１３０の構成は本実施形態に限定されるものではなく、後述する実施形態において、保護素子に加えられて配線またはコイルに対して保護を行うこともできる。

次いで、図５に示すように、図５は、本考案の他の実施形態による無線伝送モジュール１００Ｂの部分構造の断面図である。この実施形態では、無線伝送モジュール１００Ｂは、第２の基板１０３、第２の接続要素１１０、および第３の接続要素１１２も含む。第２の接続要素１１０は第３の接続要素１１２に接続されるように構成され、第３の接続要素１１２は第１の接続要素１０６に接続されるように構成され、第１の磁気素子１０４は、第１の接続要素１０６の一部（第１の基板１０２に近い部分）と第２の接続要素１１０との間に位置する。

回路アセンブリ１０１は、第１の基板１０２上に配置された第１の配線ＣＴ１も含む。ここでの第１の接続要素１０６は、第１の配線ＣＴ１上に配置される。即ち、第２の方向Ｄ２に沿って見たとき、第１の配線ＣＴ１は、第１の接続要素１０６の少なくとも一部と重なる。

この実施形態では、第１の磁気素子１０４は、第１の接続要素１０６を介して第１の基板１０２に接続される。第２の方向Ｄ２に沿って見たとき、第１の接続要素１０６は、第１の磁気素子１０４の少なくとも一部と重なる。

また、第２の基板１０３は、第２の接続要素１１０および第１の接続要素１０６を介して第１の基板１０２に接続され、回路アセンブリ１０１はさらに第２の配線ＣＴ２をさらに有する。ここでの第２の配線ＣＴ２は、第２の基板１０３上に配置される。

第２の方向Ｄ２に沿って見たとき、第１の配線ＣＴ１は第２の配線ＣＴ２と重ならないことに留意されたい。即ち、第１の配線ＣＴ１と第２の配線ＣＴ２は、異なるセクションに位置している。例えば、第１の配線ＣＴ１は第１のセクションＳＣ１に位置し、第２の配線ＣＴ２は第２のセクションＳＣ２に位置する。

また、第３の方向Ｄ３（Ｙ軸）に沿って見たとき、第１の配線ＣＴ１も第２の配線ＣＴ２と重ならない。ここでの第３の方向Ｄ３は、図面に垂直な方向であり、第３の方向Ｄ３も第１の方向Ｄ１および第２の方向Ｄ２に垂直である。

また、第２の方向Ｄ２に沿って見たとき、第１の配線ＣＴ１は、第２の接続要素１１０と重ならない。第２の方向Ｄ２に沿って見たとき、第２の配線ＣＴ２は第２の接続要素１１０の少なくとも一部と重なり、第２の方向Ｄ２に沿って見たとき、第２の配線ＣＴ２は第１の接続要素１０６と重ならない。

本実施形態では、無線伝送モジュール１００Ｂは、第２の磁気素子１０５をさらに含み、第２の磁気素子１０５の少なくとも一部は、回路アセンブリ１０１の内部に配置される。前述の実施形態と同様に、無線伝送モジュール１００Ｂも回路アセンブリ１０１を貫通する導通構造ＶＡ１を含むことができる。

図５に示すように、第２の方向Ｄ２に沿って見たとき、導通構造ＶＡ１は、第１の磁気素子１０４および第２の磁気素子１０５の少なくとも一部と重なり、導通構造ＶＡ１は、第１の磁気素子１０４および第２の磁気素子１０５に接触しない。

本実施形態では、第２の磁気素子１０５は、第２の接続要素１１０を介して回路アセンブリ１０１の第２の基板１０３に接続されている。第２の方向Ｄ２に沿って見たとき、第２の磁気素子１０５は第２の接続要素１１０と重なる。第２の方向Ｄ２に沿って見たとき、第２の磁気素子１０５は、第１の接続要素１０６の少なくとも一部と重ならない。

即ち、第２の磁気素子１０５と第１の接続要素１０６は、異なるセクションに配置されている。ここでの第１の接続要素１０６は第１のセクションＳＣ１に位置し、第２の磁気素子１０５は第２のセクションＳＣ２に位置する。

さらに、第２の方向Ｄ２に沿って見たとき、第１の磁気素子１０４は第１の接続要素１０６と重なる。第２の方向Ｄ２に沿って見たとき、第１の磁気素子１０４は、第２の接続要素１１０の少なくとも一部と重ならない。即ち、第１の磁気素子１０４と第２の接続要素１１０は、異なるセクションに配置されている。

また、図５に示すように、第１の方向Ｄ１に沿って見たとき、第１の磁気素子１０４は、第２の配線ＣＴ２の少なくとも一部と重なり、いくつかの実施形態では、第１の磁気素子１０４は、第２の配線ＣＴ２の少なくとも一部と重ならないこともできる。同様に、第１の方向Ｄ１に沿って見たとき、第２の磁気素子１０５は第１の配線ＣＴ１の少なくとも一部と重なるが、いくつかの実施形態では、第２の磁気素子１０５は第１の配線ＣＴ１の少なくとも一部と重ならないこともできる。

この実施形態では、第１の接続要素１０６は、第１の基板１０２と第２の基板１０３との間に位置し、第２の接続要素１１０は、第１の基板１０２と第２の基板１０３との間に位置する。同様に、第１の磁気素子１０４は第１の基板１０２と第２の基板１０３との間に位置し、第２の磁気素子１０５は第１の基板１０２と第２の基板１０３との間に位置する。

この実施形態では、第１の磁気素子１０４はフェライトからなり、複数の分割部１０４ＰＰから構成されることができ、第１の接続要素１０６の一部は隣接する２つの分割部１０４ＰＰの間に位置することに留意されたい。即ち、第１の接続要素１０６は、これらの分割部１０４ＰＰを互いに接着することができる。

第２の方向Ｄ２に沿って見たとき、第１の磁気素子１０４は第２の磁気素子１０５と重ならない。即ち、第１の磁気素子１０４と第２の磁気素子１０５は、異なるセクションに位置する。

第１の磁気素子１０４と第２の磁気素子１０５は異なる特性を有する。具体的には、第１の磁気素子１０４と第２の磁気素子１０５は、第１の配線ＣＴ１および第２の配線ＣＴ２にそれぞれ対応する異なる透磁率を有することができる。

ここでの第１の配線ＣＴ１は第１のコイルを形成することができ、第２の配線ＣＴ２は第２のコイルを形成することができる。異なる透磁率の第１の磁気素子１０４と第２の磁気素子１０５により、第１のコイルと第２のコイルの効率を効果的に高めることができ、第１のコイルと第２のコイルは異なる機能を実行することができる。

この実施形態では、第２の磁気素子１０５と第１の磁気素子１０４は異なる材料からなることができる。例えば、第２の磁気素子１０５は、基板要素１０５１および複数のナノユニット１０５２を含むナノ結晶材料からなることができる。これらのナノユニット１０５２は、例えば、基板要素１０５１内に配置されたナノ結晶であり、基板要素１０５１の材料は、第２の接続要素１１０の材料とは異なり、例えば、樹脂などの異なるポリマー材料からなる。

第２の方向Ｄ２に沿って見たとき、第１の配線ＣＴ１は、第１の磁気素子１０４の一部と重なる。第２の方向Ｄ２に沿って見たとき、第２の配線ＣＴ２は、第２の磁気素子１０５の一部と重なる。このような構成により、無線伝送モジュール１００Ｂの全体の厚さを減らすことができ、それにより薄型化の利点を達成することができる。

この実施形態では、第３の接続要素１１２は、第１の接続要素１０６と第２の接続要素１１０との間に配置される。第２の方向Ｄ２に沿って見たとき、第３の接続要素１１２は、第１の磁性要素１０４および第２の磁性要素１０５と重ならない。

さらに、第２の方向Ｄ２に沿って見たとき、第３の接続要素１１２は、第１の配線ＣＴ１および第２の配線ＣＴ２と重ならない。即ち、第３の接続要素１１２と上述の素子とは異なるセクションに配置されている。具体的には、第３の接続要素１１２は第３のセクションＳＣ３に位置する。

さらに、いくつかの実施形態では、第３の接続要素１１２も省略することができるため、無線伝送モジュール１００Ｂの全体の厚さをさらに減らすことができ、それにより薄型化の利点を達成することができることに留意されたい。

次いで、図６に示すように、図６は、本考案の他の実施形態による無線伝送モジュール１００Ｃの部分構造の断面図である。本実施形態では、無線伝送モジュール１００Ｃは、無線伝送モジュール１００Ｂと同様であるが、異なる点は、第１の磁気素子１０４が第１の基板１０２の第１の内側面１０２Ｓ１に直接接触する第１の底面１０４Ｓ１を有し、第２の磁気素子１０５が第２の基板１０３の第２の内側面１０３Ｓ１に直接接触する第２の底面１０５Ｓ１を有することである。

また、第１の配線ＣＴ１は、第１の基板１０２の第１の内側面１０２Ｓ１上に形成され、第２の配線ＣＴ２は、第２の基板１０３の第２の内側面１０３Ｓ１上に形成される。

第２の方向Ｄ２に沿って見たとき、第１の磁気素子１０４は第１の接続要素１０６に重なり、第２の磁気素子１０５は第２の接続要素１１０に重なる。第２の方向Ｄ２に沿って見たとき、第１の磁気素子１０４は第２の接続要素１１０の少なくとも一部と重ならず、第２の方向Ｄ２に沿って見たとき、第２の磁気素子１０５は第１の接続要素１０６の少なくとも一部と重ならない。

さらに、第２の方向Ｄ２に沿って見たとき、第１の配線ＣＴ１は第１の磁気素子１０４の一部と重なり、第２の方向Ｄ２に沿って見たとき、第２の配線ＣＴ２は第２の磁気素子１０５の一部と重なる。

無線伝送モジュール１００Ｃは第１の接続要素１０６および第２の接続要素１１０のみを含み、即ち前述の実施形態の第３の接続要素１１２が省略されていることに留意されたい。このような構成および上述の配線および磁気素子の構成に基づいて、無線伝送モジュール１００Ｃは、全体の厚さをさらに減らすことができ、それにより薄型化の利点を達成する。

さらに、前述の実施形態と同様に、この実施形態の第１の磁気素子１０４は、例えばナノ結晶材料からなり、第２の磁気素子１０５は、例えばフェライトからなる。第１の磁気素子１０４は、基板要素１０４１および複数のナノユニット１０４２を含むことができ、これらのナノユニット１０４２は基板要素１０４１内に配置される。基板要素１０４１の材料は、第１の接続要素１０６の材料とは異なる。即ち、第１の接続要素１０６は、隣接するナノユニット１０４２の間に位置しない。

次いで、図７に示すように、図７は、本考案の他の実施形態による無線伝送モジュール１００Ｄの部分構造の断面図である。この実施形態では、無線伝送モジュール１００Ｄは、第1の接続要素１０６、第２の接続要素１１０、および第３の接続要素１１２を含み、第３の接続要素１１２は、第1の接続要素１０６および第２の接続要素１１０との間に配置される。

さらに、回路アセンブリ１０１は、第１の基板１０２および第２の基板１０３上にそれぞれ形成された第１の配線ＣＴ１および第２の配線ＣＴ２を含む。また、回路アセンブリ１０１は、一部の第１の接続要素１０６を介して第３の接続要素１１２に接続された第３の配線ＣＴ３をさらに含み、第３の接続要素１１２は第１の磁気素子１０４に接続される。

第３の配線ＣＴ３は、第１の磁気素子１０４と第１の基板１０２との間に位置し、第３の配線ＣＴ３は、第１の磁気素子１０４と第１の配線ＣＴ１との間に位置する。第３の接続要素１１２は、第１の接続要素１０６および第２の接続要素１１０と同じ材料を有する。

ここでの第１の磁気素子１０４は、第３の接続要素１１２内に配置される。即ち、第２の方向Ｄ２に沿って見たとき、第１の磁気素子１０４は第３の接続要素１１２と重なる。

第２の方向Ｄ２に沿って見たとき、第３の配線ＣＴ３は第１の接続要素１０６と重なる。第２の方向Ｄ２に沿って見たとき、第３の配線ＣＴ３は第３の接続要素１１２と重ならない。また、第１の方向Ｄ１に沿って見たとき、第１の磁気素子１０４は、第３の配線ＣＴ３の少なくとも一部と重なる。

この実施形態では、第３の配線ＣＴ３は、外部電子機器５０と通信またはそれに対して充電を行うコイル（例えばコイルＣＴＬ）となることができる。従って、図７に示すように、無線伝送モジュール１００Ｄが外部電子機器５０上に配置されるとき、無線伝送モジュール１００Ｄは、外部電子機器５０とデータまたは電力を伝送するように構成される。

外部電子機器５０は、通信または通電に用いられる任意の電子機器であることができる。例えば、外部電子機器５０は、スマートフォン、スマートウォッチ、またはタブレットコンピュータなどであることができるが、これらに限定されない。

図７に示されるように、第１の基板１０２は、外部電子機器５０上に配置される。第３の配線ＣＴ３は、第１の磁気素子１０４と外部電子機器５０との間に配置され、第１の磁気素子１０４、第３の配線ＣＴ３および外部電子機器５０は、第１の方向Ｄ１に沿って順次に配置される。

このような構造構成により、コイル（第３の配線ＣＴ３）を回路アセンブリ１０１の内部に形成することができ、従来の無線伝送モジュールと比較して、本実施形態の無線伝送モジュール１００Ｄは、コイルを保護するという利点を達成することができるだけでなく、薄型化という目的も達成することができる。

次いで、図８に示すように、図８は、本考案の他の実施形態による無線伝送モジュール１００Ｅの部分構造の断面図である。前述の実施形態と同様に、この実施形態では、回路アセンブリ１０１は第１の基板１０２および第２の基板１０３を有し、回路アセンブリ１０１は第１の配線ＣＴ１および第２の配線ＣＴ２も有する。

ここでの第２の基板１０３は第２の接続要素１１０、第３の接続要素１１２、および第１の接続要素１０６に接続され、第１の接続要素１０６は第１の基板１０２に接続され、第２の配線ＣＴ２は第１の基板１０２上に配置される。同様に、第１の配線ＣＴ１も第１の基板１０２上に配置される。即ち、第１の配線ＣＴ１および第２の配線ＣＴ２は、第１の基板１０２の第１の内側面１０２Ｓ１上に形成される。

図８に示すように、第２の方向Ｄ２に沿って見たとき、第１の配線ＣＴ１は、第２の配線ＣＴ２の少なくとも一部と重なる。また、第３の方向Ｄ３に沿って見たとき、第１の配線ＣＴ１は第２の配線ＣＴ２と重ならない。ここでの第３の方向Ｄ３は、第１の方向Ｄ１および第２の方向Ｄ２に対して垂直である。

第２の方向Ｄ２に沿って見たとき、第２の配線ＣＴ２は第１の接続要素１０６の少なくとも一部と重なり、第１の配線ＣＴ１も第１の接続要素１０６の少なくとも一部と重なる。即ち、第１の配線ＣＴ１と第２の配線ＣＴ２は、同一のセクション（第１のセクションＳＣ１）に位置する。

従って、第２の方向Ｄ２に沿って見たとき、第１の配線ＣＴ１は、第２の接続要素１１０と重ならない。第２の方向Ｄ２に沿って見たとき、第２の配線ＣＴ２は、第２の接続要素１１０と重ならない。即ち、第１の配線ＣＴ１と第２の配線ＣＴ２は、第２のセクションＳＣ２に位置しない。

本実施形態では、無線伝送モジュール１００Ｅは、第１の磁気素子１０４および第２の磁気素子１０５を含み、第１の磁気素子１０４と第２の磁気素子１０５は回路アセンブリ１０１の内部に配置される。

第２の磁気素子１０５は第２の接続要素１１０に接続され、第２の接続要素１１０は回路アセンブリ１０１の第２の基板１０３に接続される。第１の磁気素子１０４は第２の接続要素１１０に接続され、第２の接続要素１１０は回路アセンブリ１０１の第２の基板１０３に接続される。

第２の方向Ｄ２に沿って見たとき、第１の磁気素子１０４は、第１の接続要素１０６の少なくとも一部と重ならず、第２の方向Ｄ２に沿って見たとき、第２の磁気素子１０５も第１の接続要素１０６の少なくとも一部と重ならない。同様に、第２の方向Ｄ２に沿って見たとき、第１の磁気素子１０４は、第２の接続要素１１０の少なくとも一部と重ならず、第２の方向Ｄ２に沿って見たとき、第２の磁気素子１０５は、第２の接続要素１１０の少なくとも一部と重ならない。

具体的には、この実施形態では、無線伝送モジュール１００Ｅは、第１の接続要素１０６と第２の接続要素１１０との間に接続された第３の接続要素１１２も含む。第２の方向Ｄ２に沿って見たとき、第３の接続要素１１２は、第１の磁気素子１０４および第２の磁気素子１０５と重なる。

第２の方向Ｄ２に沿って見たとき、第３の接続要素１１２は、第１の配線ＣＴ１および第２の配線ＣＴ２と重ならない。第２の方向Ｄ２に沿って見たとき、第１の磁気素子１０４は第２の磁気素子１０５の一部と重なる。即ち、第１の磁気素子１０４と第２の磁気素子１０５は同一のセクション（第３のセクションＳＣ３）に位置する。

本実施形態では、第１の磁気素子１０４と第２の磁気素子１０５は異なる特性を有する。具体的には、第１の磁気素子１０４と第２の磁気素子１０５は異なる透磁率を有する。

ここでの第１の配線ＣＴ１は第１のコイルを構成することができ、第２の配線ＣＴ２は第２のコイルを構成することができ、第１の磁気素子１０４は第１の配線ＣＴ１に対応し、第２の磁気素子１０５は第２の配線ＣＴ２に対応する。即ち、第１の磁気素子１０４および第２の磁気素子１０５は、それぞれ第１のコイルおよび第２のコイルの磁場をより集中させ、伝送効率をさらに向上させることができる。

なお、図７および図８は導電構造を図示していないが、無線伝送モジュール１００Ｄおよび無線伝送モジュール１００Ｅが前述の導電構造を有しないことを意味するものではないことに留意されたい。即ち、これらの２つの実施形態は、前述の実施形態の導通構造（例えば、導通構造ＶＡ１）および関連する構造構成も含むことができる。

本考案は、少なくとも１つの基板、少なくとも１つの磁気素子、少なくとも１つの接続要素、および少なくとも１つの配線を含む、エネルギーまたは信号を伝送するために用いる無線伝送モジュールを提案する。少なくとも１つの磁気素子は、接続要素を介して少なくとも１つの基板に固定して接続することができる少なくとも１つの配線は少なくとも１つのコイルを構成することができ、コイルは基板上または接続要素内に配置されることができる。少なくとも１つの磁気素子は少なくとも１つのコイルに対応し、コイルの磁場を集中させ、その伝送効率を向上させる。

本考案の無線伝送モジュールの設計に基づいて、コイルを構成する配線、およびコイルの効率を向上させ、信号歪みを低減する磁気素子は、少なくとも１つの接続要素を介して回路アセンブリ内部のその中の１つのセクションまたは複数のセクション内に配置することができる。従って、無線伝送モジュール全体の厚さを減らすことができる。

また、コイルと磁気素子はプリント回路板の製造工程において回路アセンブリ（プリント回路板）内に直接形成されるため、従来の無線伝送モジュールのように、プリント回路板の製造工程後にさらに人手を介して、磁気素子およびコイルをプリント回路板上に組み立てる必要がなく、これにより、無線伝送モジュールの製造工程のステップをさらに簡素化し、製造時の時間とコストを大幅に削減する。さらに、本考案は、機械的強度の向上、使用効率の向上、充電効率の向上、放熱効率の向上、全体の小型化、全体の軽量化の達成、および電磁干渉の低減などもできる。

「第１の」、「第２の」、「第３の」などの本明細書の記述および請求項の序数は、それ自体が順序を示唆するものではなく、同じの名前を有する２つの異なる要素を区別するためだけに用いられていることは理解されるべきである。

本考案のいくつかの実施形態およびそれらの利点が詳細に記載されているが、添付の請求の範囲によって定義されるように、本考案の趣旨および範囲を逸脱せずに、本明細書において種々の変更、置換、および代替をすることができることを理解されたい。例えば、本明細書で述べられる特徴、機能、プロセス、および材料の多くが本開示の範囲を逸脱することなく変更できることが当業者にとっては容易に理解されるだろう。また、本開示の保護範囲は、本明細書に記載された特定の実施形態におけるプロセス、機械、製造、物質の組成、装置、方法、およびステップに限定されない。当該技術分野の通常の知識を有する者なら誰でも、本明細書に記載の実施形態とそれらが実質的に同じ機能を実施するか、または実質的に同じ結果を達成することができる限り、本開示の内容より、現在または将来開発されるプロセス、機械、製造、物質の組成、装置、方法、およびステップを理解することができる。従って、本発明の保護範囲は、上述のプロセス、機械、製造、物質の組成、装置、方法、およびステップを含む。また、各請求の範囲は、個別の実施形態を構成し、各請求の範囲及び実施形態の組み合わせは、本考案の保護範囲である。

１００、１００Ａ～１００Ｅ 無線伝送モジュール
１０１ 回路アセンブリ
１０２ 第１の基板
１０２Ｓ１ 第１の内側面
１０３ 第２の基板
１０３Ｓ１ 第２の内側面
１０４ 第１の磁気素子
１０４１ 基板要素
１０４２ ナノユニット
１０４ＰＰ 分割部
１０４Ｓ１ 第１の底面
１０５ 第２の磁気素子
１０５１ 基板要素
１０５２ ナノユニット
１０５Ｓ１ 第２の底面
１０６ 第１の接続要素
１１０ 第２の接続要素
１１２ 第３の接続要素
１２０ 第１の保護素子
１３０ 第２の保護素子
５０ 外部電子機器
Ａ－Ａ 線
ＣＴ１ 第１の配線
ＣＴ２ 第２の配線
ＣＴ３ 第３の配線
ＣＴＬ コイル
Ｄ１ 第１の方向
Ｄ２ 第２の方向
Ｄ３ 第３の方向
ＳＣ１ 第１のセクション
ＳＣ２ 第２のセクション
ＳＣ３ 第３のセクション
ＶＡ１ 導通構造
ＶＡ２ 導通構造
Ｘ Ｘ軸
Ｙ Ｙ軸
Ｚ Ｚ軸

Claims (10)

1. コイルに接続されるように構成された回路アセンブリ、および
   その少なくとも一部が前記回路アセンブリの内部に配置される第１の磁気素子を含み、
   前記回路アセンブリは、前記第１の磁気素子に対応する第１の基板を含む無線伝送モジュール。
2. 前記回路アセンブリは、電子部品を電気的に接続するように構成され、
   前記第１の基板は、ガラス繊維、プラスチック、または樹脂などのポリマー材料のうちの少なくとも１つを含み、
   前記第１の磁気素子は前記第１の基板に接続され、
   前記第１の磁気素子は強磁性材料を含み、
   前記第１の磁気素子は前記コイルに対応する請求項１に記載の無線伝送モジュール。
3. 前記無線伝送モジュールは、前記回路アセンブリ上に配置された導通構造をさらに含み、
   前記導通構造は、第１の方向に沿って前記回路アセンブリを貫通し、
   前記導通構造は、前記回路アセンブリを貫通する貫通孔を含み、
   第２の方向に沿って見たとき、前記導通構造は前記第１の磁気素子の少なくとも一部と重なり、
   前記第２の方向は、前記第１の方向と平行でなく、
   前記第２の方向は、前記第１の方向に対して垂直であり、
   前記導通構造は導電材料からなり、
   前記導通構造は前記第１の磁気素子と接触せず、
   前記無線伝送モジュールは、第１の接続要素をさらに含み、
   前記第１の磁気素子は、前記第１の接続要素を介して前記回路アセンブリに接続され、
   前記第１の接続要素の少なくとも一部は、前記回路アセンブリの内部に位置する請求項１に記載の無線伝送モジュール。
4. 前記無線伝送モジュールは、前記第１の接続要素に接続するように構成された第２の接続要素をさらに含み、
   前記第１の磁気素子は、前記第１の接続要素と前記第２の接続要素との間に位置し、
   前記第１の接続要素と前記第２の接続要素は同じ材料を有し、
   前記第２の接続要素の少なくとも一部は、前記回路アセンブリの内部に位置し、
   前記回路アセンブリは、前記第１の基板に配置された第１の配線をさらに含み、
   前記第２の方向に沿って見たとき、前記第１の配線は前記第１の接続要素の少なくとも一部と重なる請求項３に記載の無線伝送モジュール。
5. 前記回路アセンブリは、第２の基板および第２の配線をさらに有し、
   前記第２の基板は、前記第２の接続要素および前記第１の接続要素を介して前記第１の基板に接続され、
   前記第２の配線は前記第２の基板に配置され、
   前記第２の方向に沿って見たとき、前記第１の配線は前記第２の配線と重ならず、
   第３の方向に沿って見たとき、前記第１の配線は前記第２の配線と重ならず、
   前記第３の方向は、前記第１の方向および前記第２の方向に対して垂直であり、
   前記第２の方向に沿って見たとき、前記第１の配線は前記第２の接続要素と重ならず、
   前記第２の方向に沿って見たとき、前記第２の配線は前記第２の接続要素の少なくとも一部と重なり、
   前記第２の方向に沿って見たとき、前記第２の配線は前記第１の接続要素と重ならない請求項４に記載の無線伝送モジュール。
6. 前記無線伝送モジュールは第２の磁気素子をさらに含み、
   前記第２の磁気素子の少なくとも一部は前記回路アセンブリの内部に配置され、
   前記第２の方向に沿って見たとき、前記導通構造は前記第２の磁気素子の少なくとも一部と重なり、
   前記導通構造は前記第２の磁気素子と接触せず、
   前記第２の磁気素子は、前記第２の接続要素を介して前記回路アセンブリに接続され、
   前記第２の方向に沿って見たとき、前記第２の磁気素子は前記第２の接続要素と重なり、
   前記第２の方向に沿って見たとき、前記第２の磁気素子は前記第１の接続要素の少なくとも一部と重ならず、
   前記第２の方向に沿って見たとき、前記第１の磁気素子は、前記第１の接続要素と重なり、
   前記第２の方向に沿って見たとき、前記第１の磁気素子は、前記第２の接続要素の少なくとも一部と重ならず、
   前記第１の方向に沿って見たとき、前記第１の磁気素子は前記第２の配線の少なくとも一部と重なり、
   前記第１の方向に沿って見たとき、前記第２の磁気素子は前記第１の配線の少なくとも一部と重なり、
   前記第１の接続要素は、前記第１の基板と前記第２の基板との間に位置し、
   前記第２の接続要素は、前記第１の基板と前記第２の基板との間に位置し、
   前記第１の磁気素子は、前記第１の基板と前記第２の基板との間に位置し、
   前記第２の磁気素子は、前記第１の基板と前記第２の基板との間に位置し、
   前記第１の磁気素子は複数の分割部を有し、前記第１の接続要素の一部は隣接する２つの分割部の間に位置する請求項５に記載の無線伝送モジュール。
7. 前記第２の方向に沿って見たとき、前記第１の磁気素子は前記第２の磁気素子と重ならず、
   前記第１の磁気素子と前記第２の磁気素子は異なる特性を有し、
   前記第１の磁気素子と前記第２の磁気素子は異なる透磁率を有し、
   前記第２の磁気素子は、基板要素と複数のナノユニットを含み、
   前記ナノユニットは前記基板要素内に配置され、
   前記基板要素の材料は、前記第２の接続要素の材料と異なり、
   前記第２の方向に沿って見たとき、前記第１の配線は前記第１の磁気素子の一部と重なり、
   前記第２の方向に沿って見たとき、前記第２の配線は前記第２の磁気素子の一部と重なる請求項６に記載の無線伝送モジュール。
8. 前記無線伝送モジュールは第２の磁気素子をさらに含み、前記第２の磁気素子の少なくとも一部は前記回路アセンブリの内部に配置され、
   前記第２の磁気素子は、前記第２の接続要素を介して前記回路アセンブリに接続され、
   前記第1の磁気素子は、前記第1の基板の第1の内側面に直接接触する第1の底面を有し、
   前記第２の磁気素子は、前記第２の基板の第２の内側面に直接接触する第２の底面を有し、
   前記第１の配線は、前記第１の基板の前記第１の内側面上に形成され、
   前記第２の配線は、前記第２の基板の前記第２の内側面上に形成され、
   前記第２の方向に沿って見たとき、前記第１の磁気素子は前記第１の接続要素と重なり、
   前記第２の方向に沿って見たとき、前記第１の磁気素子は前記第２の接続要素の少なくとも一部と重ならず、
   前記第２の方向に沿って見たとき、前記第２の磁気素子は前記第２の接続要素と重なり、
   前記第２の方向に沿って見たとき、前記第２の磁気素子は前記第１の接続要素の少なくとも一部と重ならず、
   前記第２の方向に沿って見たとき、前記第１の配線は前記第１の磁気素子の一部と重なり、
   前記第２の方向に沿って見たとき、前記第２の配線は前記第２の磁気素子の一部と重なり、
   前記第１の磁気素子は、基板要素および複数のナノユニットを含み、 前記ナノユニットは前記基板要素内に配置され、
   前記基板要素の材料は、前記第１の接続要素の材料と異なる請求項５に記載の無線伝送モジュール。
9. 前記無線伝送モジュールは、前記第１の接続要素と前記第２の接続要素との間に配置された第３の接続要素をさらに含み、
   前記回路アセンブリは、前記第３の接続要素を介して前記第１の磁気素子に接続された第３の配線をさらに含み、
   前記第３の配線は、前記第１の磁気素子と前記第１の基板との間に位置し、
   前記第３の配線は、前記第１の磁気素子と前記第１の配線との間に位置し、
   前記第３の接続要素と前記第１の接続要素は同じ材料からなり、
   前記第２の方向に沿って見たとき、前記第１の磁気素子は、前記第３の接続要素と重なり、
   前記第２の方向に沿って見たとき、前記第３の配線は前記第１の接続要素と重なり、
   前記第２の方向に沿って見たとき、前記第３の配線は前記第３の接続要素と重ならず、
   前記第１の方向に沿って見たとき、前記第１の磁気素子は前記第３の配線の少なくとも一部と重なり、
   前記無線伝送モジュールが外部電子機器上に配置されたとき、前記無線伝送モジュールは前記外部電子機器とデータまたは電力を伝送するように構成され、
   前記第１の基板は、前記外部電子機器上に配置され、
   前記第３の配線は、前記第１の磁気素子と前記外部電子機器との間に配置される請求項５に記載の無線伝送モジュール。
10. 前記回路アセンブリは、第２の基板および第２の配線をさらに有し、
    前記第２の基板は、前記第２の接続要素および前記第１の接続要素を介して前記第１の基板に接続され、
    前記第２の配線は前記第１の基板に配置され、
    前記第２の方向に沿って見たとき、前記第１の配線は前記第２の配線の少なくとも一部と重なり、
    第３の方向に沿って見たとき、前記第１の配線は前記第２の配線と重ならず、
    前記第３の方向は、前記第１の方向および前記第２の方向に対して垂直であり、
    前記第２の方向に沿って見たとき、前記第２の配線は前記第１の接続要素の少なくとも一部と重なり、
    前記第２の方向に沿って見たとき、前記第１の配線は前記第２の接続要素と重ならず、
    前記第２の方向に沿って見たとき、前記第２の配線は前記第２の接続要素と重ならず、
    前記無線伝送モジュールは第２の磁気素子をさらに含み、前記第２の磁気素子は前記回路アセンブリの内部に配置され、
    前記第２の磁気素子は、前記第２の接続要素を介して前記回路アセンブリに接続され、
    前記第２の方向に沿って見たとき、前記第１の磁気素子は、前記第１の接続要素の少なくとも一部と重ならず、
    前記第２の方向に沿って見たとき、前記第２の磁気素子は、前記第１の接続要素の少なくとも一部と重ならず、
    前記第２の方向に沿って見たとき、前記第１の磁気素子は、前記第２の接続要素の少なくとも一部と重ならず、
    前記第２の方向に沿って見たとき、前記第２の磁気素子は、前記第２の接続要素の少なくとも一部と重ならず、
    前記無線伝送モジュールは、前記第１の接続要素と前記第２の接続要素との間に接続された第３の接続要素をさらに含み、
    前記第２の方向に沿って見たとき、前記第３の接続要素は、前記第１の磁気素子および前記第２の磁気素子と重なり、
    前記第２の方向に沿って見たとき、前記第３の接続要素は、前記第１の配線および前記第２の配線と重ならず、
    前記第２の方向に沿って見たとき、前記第１の磁気素子は、前記第２の磁気素子の一部と重なり、
    前記第１の磁気素子と前記第２の磁気素子は異なる特性を有し、
    前記第１の磁気素子と前記第２の磁気素子は異なる透磁率を有し、
    前記第１の磁気素子は前記第１の配線に対応し、
    前記第２の磁気素子は前記第２の配線に対応する請求項４に記載の無線伝送モジュール。

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