JP3237703B2 - Multiple timer control circuit - Google Patents

Multiple timer control circuit

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JP3237703B2 JP29214798A JP29214798A JP3237703B2 JP 3237703 B2 JP3237703 B2 JP 3237703B2 JP 29214798 A JP29214798 A JP 29214798A JP 29214798 A JP29214798 A JP 29214798A JP 3237703 B2 JP3237703 B2 JP 3237703B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明の多重タイマ制御回路
に関する。
The present invention relates to a multiplex timer control circuit according to the present invention.

【0002】[0002]

【従来の技術】1物理通信回線上にフレーム多重または
パケット多重により数千論理回線を収容し、処理を行う
データ交換機用通信制御LSIは、タイマ処理に関する
部分だけでも1論理回線あたり3〜4種類のタイマを必
要とし、さらにそれを数千多重化を行うため、タイマの
チャネル数(タイマ数)が膨大となり必要とするメモリ
量が1チップ化可能な規模をはるかに超えるため、通信
制御LSIの外側にスタティックRAMを用いて構成さ
れている。
2. Description of the Related Art Communication control LSIs for data exchanges that accommodate and process thousands of logical lines on one physical communication line by frame multiplexing or packet multiplexing are three to four types per logical line, even for only the part related to timer processing. Since the number of channels of the timer (the number of timers) is enormous and the required memory amount is far beyond the scale that can be implemented on one chip, the communication control LSI Is configured using a static RAM outside.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】このような外付けスタ
ティックRAMをLSI内部に取り込むためには、DR
AMを使用せざるを得ないため、DRAM特有なリフレ
ッシュ動作の織り込みと、リフレッシュに伴うスループ
ットの低下を防ぐことが必要である。
In order to incorporate such an external static RAM into an LSI, it is necessary to use a DR.
Since the AM must be used, it is necessary to incorporate a refresh operation unique to the DRAM and to prevent a decrease in throughput due to the refresh.

【0004】本発明の目的は、多重タイマを含む通信制
御LSIに対しリフレッシュ動作を実質的に不要とする
多重タイマ制御回路を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a multiplex timer control circuit which does not substantially require a refresh operation for a communication control LSI including a multiplex timer.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】[Means for Solving the Problems]

【0006】本発明の多重タイマ制御回路は、多重タイ
マを構成する個々のタイマが必要とする情報の格納領域
がDRAMの全てのローアドレス内の同一のカラムアド
レスに分配配置され、カウント周期がDRAMのリフレ
ッシュ周期以下で、システムのクロック信号をカウント
し、DRAMの全領域のローアドレスとカラムアドレス
を出力するカウンタと、カウンタのカラムアドレスがタ
イマ情報格納領域のカラムアドレスと一致するかどうか
を検出し、一致検出時にアクティブなセレクタ切替信号
を出力するタイマアドレス検出回路と、セレクタ切替信
号がインアクティブのとき、通常のローアドレス、カラ
ムアドレスをそれぞれ選択し、セレクタ切替信号がアク
ティブになると、カウンタの出力であるローアドレス、
カラムアドレスをそれぞれ選択し、それぞれDRAMの
ローデコーダ、カラムデコーダに出力するローセレクタ
およびカラムセレクタを有する。本発明は、多重タイマ
のタイマ情報記憶部分をダイナミックRAM(以下DR
AMと略記)で構成する際に、周期的にアクセスを必要
とするタイマ制御情報の格納領域を、DRAM上の各ロ
ーアドレス対応に等間隔で分散配置し、一定時間間隔で
DRAMをアクセスすることにより、DRAM特有のリ
フレッシュ動作を不要とする。
According to the multiplex timer control circuit of the present invention, the storage area of the information required by each timer constituting the multiplex timer is distributed to the same column address in all the row addresses of the DRAM, and the count cycle is set to the DRAM. At the refresh cycle or less, the system clock signal is counted, a counter that outputs the row address and the column address of the entire DRAM area, and whether the column address of the counter matches the column address of the timer information storage area is detected. A timer address detection circuit that outputs an active selector switching signal when a match is detected, and a normal row address and a column address that are respectively selected when the selector switching signal is inactive, and the counter output when the selector switching signal becomes active. Row address,
It has a row decoder and a column selector for respectively selecting a column address and outputting to the row decoder, column decoder of the DRAM. The present invention provides a multiple timer
Is stored in a dynamic RAM (hereinafter DR)
Access is required periodically when configuring with AM)
The storage area of the timer control information to be
ー Distributed at regular intervals to address addresses
By accessing the DRAM, DRAM-specific resources are accessed.
No need for fresh operation.

【0007】[0007]

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態について
図面を参照して説明する。
Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

【0008】図1は本発明の一実施形態としてのDRA
M上のメモリ割付を示している。本メモリ割付は、多重
タイマを構成する個々のタイマが必要とする情報(詳細
を図示していないが、例えば個々のタイマの起動停止
状態を1タイマあたり1ビット、複数のタイマをまとめ
て1ワードで表示し、多重タイマの計数動作を実行する
かどうかの制御に使用、例えば個々のタイマのタイマ
値を起動時に設定し、周期的に演算を行う方式での計算
情報記録領域として使用)をDRAMの全てのローアド
レスの特定のロー内カラムに対し割付けることを示して
いる。
FIG. 1 shows a DRA according to an embodiment of the present invention.
The memory allocation on M is shown. This memory allocation is based on information required by individual timers constituting the multiplex timer (details are not shown, for example, the activation / deactivation state of each timer is 1 bit per timer, and one word for a plurality of timers collectively). And used to control whether or not to execute the counting operation of the multiplex timer. For example, the timer value of each timer is set at the time of start-up, and is used as a calculation information recording area in a method of performing a calculation periodically). Is assigned to a specific in-row column of all row addresses.

【0009】DRAMの通常アクセス(リードまたはラ
イト)時はローアドレスを入力することにより指定され
たローアドレス全体が選択され、次にカラムアドレスを
入力することで選択されたロー内のカラム(すなわちワ
ード)に対してアクセスが行われ、終了時にリフレッシ
ュ同等動作を行うことが知られているので、図1上のタ
イマ情報格納領域のアクセスを多重タイマの動作の一環
として位置付け実行すればDRAMのリフレッシュを兼
用できることを意味する。
At the time of normal access (read or write) of the DRAM, the entire specified row address is selected by inputting a row address, and then a column (ie, word) in the selected row is input by inputting a column address. ) Is performed, and it is known that a refresh equivalent operation is performed at the end. Therefore, if the access to the timer information storage area in FIG. 1 is positioned and executed as a part of the operation of the multiplex timer, the refresh of the DRAM is performed. This means that they can be used for both purposes.

【0010】図2は本発明の一実施形態として、図1の
タイマ情報格納領域をアクセスする多重タイマ制御回路
の回路図である。
FIG. 2 is a circuit diagram of a multiplex timer control circuit for accessing the timer information storage area of FIG. 1 as an embodiment of the present invention.

【0011】カウンタ2は、システムのクロック信号2
0を同期計数するカウンタであり、その上位はDRAM
1の全ローアドレス数を表示可能なビット数を持ちロー
セレクタ6と接続され、下位は1ローアドレス内の全カ
ラム数を表示可能なビット数を持ちカラムセレクタ7お
よびタイマアドレス検出回路3と接続されており、カン
トを一巡することにより図1に示したDRAM全領域の
ワード方向の全アドレス情報をローセレクタ6およびカ
ラムセレクタ7に供給する。なお、カウンタ2のカウン
ト周期(0〜最大値を計数するまでの時間=カウンタ2
のビット数×クロック数)が、DRAM1のリフレッシ
ュ周期以下となるようにカウンタ2のビット数の増減、
または分周クロックの使用などにより整合されることが
前提である。
The counter 2 has a clock signal 2 of the system.
This is a counter that counts 0 synchronously.
1 is connected to the row selector 6 having the number of bits capable of displaying the total number of row addresses, and the lower order is connected to the column selector 7 and the timer address detection circuit 3 having the number of bits capable of displaying the total number of columns in one row address. The entire address information in the word direction of the entire DRAM area shown in FIG. 1 is supplied to the row selector 6 and the column selector 7 by making a complete circuit. The counting cycle of the counter 2 (0 to the time until the maximum value is counted = counter 2
The number of bits of the counter 2 is increased or decreased so that the number of bits × the number of clocks) is equal to or less than the refresh cycle of the DRAM 1.
Alternatively, it is assumed that the matching is performed by using a divided clock.

【0012】タイマアドレス検出回路3は、カウンタ2
の下位ビット情報(カラムアドレス)が図1のタイマ情
報格納領域のカラムアドレスに一致するかどうかを検出
する回路であり、一致検出時にローセレクタ6およびカ
ラムセレクタ7に対しセレクタ切替信号25を出力して
カウンタ2の出力をDRAM1に出力、すなわち、タイ
マ情報格納領域をアクセスするように指示する。なお、
不一致検出時は、通常ロー入力23および通常カラム入
力24がローセレクタ6およびカラムセレクタ7に入力
され、図1の非タイマ情報格納領域が選択される。
The timer address detection circuit 3 includes a counter 2
Is a circuit for detecting whether or not the lower bit information (column address) matches the column address in the timer information storage area of FIG. 1. When a match is detected, a selector switching signal 25 is output to the row selector 6 and the column selector 7. To output the output of the counter 2 to the DRAM 1, that is, instruct the DRAM 1 to access the timer information storage area. In addition,
When a mismatch is detected, the normal row input 23 and the normal column input 24 are input to the row selector 6 and the column selector 7, and the non-timer information storage area in FIG. 1 is selected.

【0013】AND回路4は図1のタイマ情報格納領域
をアクセスしていることを示すクロックを、AND回路
5は図1の非タイマ情報格納領域をアクセスしているこ
とを示すクロックを作成する回路である。
The AND circuit 4 generates a clock indicating that the timer information storage area of FIG. 1 is being accessed, and the AND circuit 5 generates a clock indicating that the non-timer information storage area of FIG. 1 is being accessed. It is.

【0014】図2のDRAM1の内部構成は当業者にと
ってよく知られており、また、信号線23,24,2
6,27の接続先および多重タイマ自身の動作は本発明
とは直接関係しないので、その詳細な構成は省略する。
また、多重タイマを明確に図示していないが、カウンタ
2とタイマアドレス検出回路3は多重タイマの制御部分
に含まれる。DRAM1とローセレクタ6とカラムセレ
クタ7は、多重タイマと他装置(例えばプロトコル処理
を行う通信制御装置の場合はプロセッサが相当)の共有
回路として位置付けられる。
The internal structure of DRAM 1 shown in FIG. 2 is well known to those skilled in the art, and signal lines 23, 24, 2
The operations of the connection destinations 6 and 27 and the operation of the multiplex timer itself are not directly related to the present invention, and thus the detailed configuration is omitted.
Although the multiplex timer is not explicitly shown, the counter 2 and the timer address detection circuit 3 are included in the control part of the multiplex timer. The DRAM 1, the row selector 6, and the column selector 7 are positioned as a shared circuit for a multiplex timer and another device (for example, a processor in the case of a communication control device that performs protocol processing).

【0015】次に、本実施形態の動作を説明する。Next, the operation of this embodiment will be described.

【0016】カウンタ2はDRAM1上のワード方向ア
ドレスを順次出力し、DRAM最終アドレスを計数した
次の計数は0に戻る動作を繰り返す。カウンタ2がタイ
マ情報格納領域のアドレスを示した場合、タイマアドレ
ス検出回路3が特定のカラムアドレスを検出することに
よりローセレクタ6とカラムセレクタ7の入力がカウン
タ2の出力、すなわちタイマ情報格納領域のDRAMア
ドレスを示し、多重タイマの必要とする情報にアクセス
するとともに対応するローアドレスに対するリフレッシ
ュを行う。
The counter 2 sequentially outputs the word direction addresses on the DRAM 1 and repeats the operation of returning to 0 after counting the last address of the DRAM. When the counter 2 indicates the address of the timer information storage area, the input of the row selector 6 and the column selector 7 is output from the counter 2 by the timer address detection circuit 3 detecting a specific column address, that is, the input of the timer information storage area. Indicates the DRAM address, accesses information required by the multiplex timer, and refreshes the corresponding row address.

【0017】カウンタ2が非タイマ情報格納領域のアド
レスを示した場合、タイマアドレス検出回路3が特定の
カラムアドレスを検出することがないため、ローセレク
タ6とカラムセレクタ7は通常ロー入力23および通常
カラム24を入力、すなわち、多重タイマ以外の部分よ
り示された不特定のアドレスにアクセスを行い対応する
ローアドレスに対してリフレッシュを行う。
When the counter 2 indicates the address of the non-timer information storage area, the row selector 6 and the column selector 7 normally operate with the row input 23 and the normal row input because the timer address detection circuit 3 does not detect a specific column address. The column 24 is input, that is, an unspecified address indicated by a portion other than the multiplex timer is accessed, and the corresponding row address is refreshed.

【0018】カウンタ2が、0〜DRAMの最終アドレ
スをカウントする過程において、ローアドレス0〜最終
ローアドレスの特定カラムアドレスを表示すると、タイ
マアドレス検出回路3が検出を行いローセレクタ6とカ
ラムセレクタ7とをカウンタ2側に切り替え、DRAM
1の各ローに最低1ワード設けられたタイマ情報格納領
域をアクセス後にリフレッシュ動作を行い、カウンタ2
のカウント値が一周する間に、DRAM1の分散リフレ
ッシュと同様の動作を行う。
When the counter 2 displays the specified column address of the row address 0 to the last row address in the process of counting the last address of the 0 to DRAM, the timer address detection circuit 3 detects and displays the row selector 6 and the column selector 7. To the counter 2 side and the DRAM
A refresh operation is performed after accessing the timer information storage area provided with at least one word in each row of
The operation similar to the distributed refresh of the DRAM 1 is performed while the count value of one rounds.

【0019】この動作は、DRAM1の分散リフレッシ
ュ動作と同等、かつ、多重タイマのタイマ格納情報格納
領域のアクセスを兼ねるため、DRAMリフレッシュ動
作を不要とし、ハードウェア構成上のリフレッシュ関係
素子の削減および削減による消費電力低減という間接的
効果、さらに総合的なDRAMアクセスタイム短縮によ
る全体スループット向上という効果が得られる。
This operation is equivalent to the distributed refresh operation of the DRAM 1 and also serves to access the timer storage information storage area of the multiplex timer, so that the DRAM refresh operation is not required and the number of refresh-related elements in the hardware configuration can be reduced and reduced. The indirect effect of reducing power consumption due to the above, and the effect of improving the overall throughput by shortening the overall DRAM access time can be obtained.

【0020】[0020]

【発明の効果】以上説明したように、本発明は、多重タ
イマ情報の格納領域をDRAM上に等間隔に分散配置
し、多重タイマ側が周期的かつ一定時間間隔でアクセス
することにより、DRAMの分散リフレッシュと同等の
動作が可能となり、その結果、本来必要なDRAMリフ
レッシュ回路が必要なくなり、回路素子削減および消費
電力低減の効果と、DRAMリフレッシュと多重タイマ
のアクセスを兼用することによるスループット向上の効
果がある。
As described above, according to the present invention, the storage area of the multiplex timer information is distributed and arranged at equal intervals on the DRAM, and the multiplex timer side accesses the DRAM periodically and at a constant time interval, thereby distributing the DRAM. The same operation as refresh can be performed. As a result, the originally required DRAM refresh circuit is not required, and the effect of reducing the number of circuit elements and power consumption and the effect of improving the throughput by using both DRAM refresh and multiple timer access are achieved. is there.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】DRAM上のタイマ情報格納領域の配置図であ
る。
FIG. 1 is a layout diagram of a timer information storage area on a DRAM.

【図2】多重タイマ制御回路の回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram of a multiplex timer control circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 DRAM 2 カウンタ 3 タイマアドレス検出回路 4,5 AND回路 6 ローセレクタ 7 カラムセレクタ 11 ローデコーダ 12 カラムデコーダ 13 メモリーアレイ 20 システムクロック 21 上位ビット出力 22 下位ビット出力 23 通常ロー入力 24 通常カラム入力 25 セレクタ切替信号 26 タイマ制御用クロック 27 タイマ以外制御用クロック 28 ローセレクタ出力 29 カラムセレクタ出力 Reference Signs List 1 DRAM 2 counter 3 timer address detection circuit 4, 5 AND circuit 6 row selector 7 column selector 11 row decoder 12 column decoder 13 memory array 20 system clock 21 upper bit output 22 lower bit output 23 normal row input 24 normal column input 25 selector Switching signal 26 Timer control clock 27 Non-timer control clock 28 Row selector output 29 Column selector output

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 多重タイマを構成する個々のタイマが必
要とする情報の格納領域がDRAMの全てのローアドレ
ス内の同一のカラムアドレスに分配配置され、 カウント周期が前記DRAMのリフレッシュ周期以下
で、システムのクロック信号をカウントし、前記DRA
Mの全領域のローアドレスとカラムアドレスを出力する
カウンタと、 前記カウンタのカラムアドレスが前記タイマ情報格納領
域のカラムアドレスと一致するかどうかを検出し、一致
検出時にアクティブなセレクタ切替信号を出力するタイ
マアドレス検出回路と、 前記セレクタ切替信号がインアクティブのとき、通常の
ローアドレス、カラムアドレスをそれぞれ選択し、前
セレクタ切替信号がアクティブになると、前記カウンタ
の出力であるローアドレス、カラムアドレスをそれぞれ
選択し、それぞれDRAMのローデコーダ、カラムデコ
ーダに出力するローセレクタおよびカラムセレクタを有
する多重タイマ制御回路。
1. A storage area for information required by individual timers constituting a multiplex timer is distributed to the same column address in all row addresses of a DRAM, and a count cycle is equal to or less than a refresh cycle of the DRAM. Counting the clock signal of the system;
A counter that outputs a row address and a column address of the entire area of M, and detects whether the column address of the counter matches the column address of the timer information storage area, and outputs an active selector switching signal when a match is detected. a timer address detection circuit, when the selector switching signal is inactive, normal row address, column address select respectively the previous SL <br/> selector switching signal is activated, a row address which is the output of the counter , A column address, and a multiplex timer control circuit having a row selector and a column selector which respectively output to the row decoder and the column decoder of the DRAM.
【請求項2】 前記システムロックと前記セレクタ切替
信号を入力し、前記セレクタ切替信号がアクティブのと
き、前記DRAMの前記タイマ情報格納領域がアクセス
されていることを示すクロックを出力する第1のゲート
回路と、前記システムクロックと前記セレクタ切替信号
を入力し、前記セレクタ切替信号がインアクティブのと
き前記DRAMの非タイマ情報格納領域がアクセスされ
ていることを示すクロックを出力する第2のゲート回路
をさらに有する、請求項記載の多重タイマ制御回路。
2. A first gate for inputting the system lock and the selector switching signal and outputting a clock indicating that the timer information storage area of the DRAM is being accessed when the selector switching signal is active. And a second gate circuit that inputs the system clock and the selector switching signal, and outputs a clock indicating that the non-timer information storage area of the DRAM is being accessed when the selector switching signal is inactive. further comprising multiplexing the timer control circuit of claim 1, wherein.
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