JP3233425B2 - マイクロストリップアンテナ - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、例えば移動体衛星通
信システムなどに用いられるマイクロストリップアンテ
ナに関する。

【０００２】

【従来の技術】近年では、例えばピン給電型および接続
接合型など、さまざまな形式のマイクロストリップアン
テナが考案されている。ここで、従来のマイクロストリ
ップアンテナについて説明する。図７（ａ）は従来のピ
ン給電型マイクロストリップアンテナの平面図、図７
（ｂ）はそのＣ−Ｃ線断面図である。

【０００３】同図において、１０１は矩形状の誘電体基
板である。この誘電体基板１０１の外面には放射導体と
して円形状のパッチ１０３が形成されており、パッチ１
０３と反対の面には、接地導体１０４が配設されてい
る。また、誘電体基板１０１には、中心導体１０５と外
部導体１０６とからなる同軸線路１０７が設けられてい
る。中心導体１０５は誘電体基板１０１と接地導体１０
４とを貫通して直接パッチ１０３に接続され、外部導体
１０６は接地導体１０４に接続されている。

【０００４】このピン給電型マイクロストリップアンテ
ナをアレイ化する場合、１素子について必要なスペース
は、素子側部に給電線路のスペースを考慮することなく
パッチ１０３の大きさだけで決定するこどかできる。し
たがって、アンテナを比較的高密度に配列することがで
きる。

【０００５】しかしながら、このピン給電型マイクロス
トリップアンテナでは、中心導体１０５のもつ不要イン
ダクタンスのため、この中心導体１０５とパッチ１０３
とのインピーダンス整合をとることが容易ではない。図
８（ａ）は従来の近接接合型マイクロストリップアンテ
ナの平面図、図８（ｂ）はそのＤ−Ｄ線断面図である。

【０００６】同図に示すような近接接合型マイクロスト
リップアンテナは、矩形状の誘電体基板１１１、１１２
を積層して構成されている。第１の誘電体基板１１１の
上面には、円形状の放射導体としてパッチ１１３が形成
されている。第２の誘電体基板１１２の上面には、給電
線路として所定の幅でストリップ導体１１４が、その開
放端をパッチ１１３の領域下に長さＬだけ入り込ませる
ように形成されている。また、第２の誘電体基板１１２
の底面一面には、接地導体１１５が配設されている。

【０００７】この近接接合型マイクロストリップアンテ
ナでは、パッチ１１３の領域下に入り込むストリップ導
体１１４の開放端の長さＬを調整することにより、比較
的容易にパッチ１１３とストリップ導体１１４とのイン
ピーダンス整合をとることができる。

【０００８】しかしながら、この近接接合型マイクロス
トリップアンテナでは、ストリップ導体１１４の露出部
分が多くなるため、この部分より発生する不要放射を抑
えにくい。この不要放射によってこのアンテナの電波放
射パターンが乱されて放射特性の劣化が起こるという欠
点があった。

【０００９】ところで、上記したアンテナの応用例とし
て２つのアンテナを積層して構成した２周波共用のスタ
ック型マイクロストリップアンテナ（以下スタックアン
テナと称す）がある。このスタックアンテナの設計に際
して、上側のアンテナに形成する給電線路が、下側のア
ンテナの放射特性に影響を与えないように十分考慮する
必要がある。例えば、２つのアンテナのうち、上側のア
ンテナをピン給電型アンテナとしたスタックアンテナを
設計する場合、下側のアンテナの放射特性が同軸線路の
影響を受けないように、中心導体を下側のアンテナの放
射導体の中心を通すようにして上側のパッチに接続す
る。また、同軸線路の外部導体は、下側のアンテナの放
射導体に接続される。これにより下側アンテナにおい
て、高次モードの発生が抑えられる。

【００１０】このようにピン給電型アンテナを上側に積
層配置したスタックアンテナでは、励振信号はパッチの
中心部に給電される。このため上側のアンテナを励振さ
せることが困難になる。また、上側のアンテナのパッチ
を下側のアンテナの放射導体の中心よりずらして設けれ
ば励振させることができるが、放射パターンが乱れて放
射特性を悪化させてしまう。

【００１１】一方、近接接合型アンテナを上側に配設し
た場合、上側のストリップ導体は、下側の放射導体より
も上の層に形成される。よって、接地導体の距離が離れ
るために、ストリップ導体からの不要放射が大きくな
り、アンテナの放射パターンを乱し放射特性を悪化させ
る。

【００１２】そこで、これらの欠点を解決した２周波共
用マイクロストリップアンテナとしてスロット給電方式
のスタックアンテナ（以下スロットアンテナと称す）が
注目されている。ここで、このスロットアンテナについ
て説明する。図９はスロットアンテナの分解斜視図であ
る。同図に示すように、このスロットアンテナは、６層
に誘電体基板１２１〜１２６を積層して構成されてい
る。

【００１３】第１の誘電体基板１２１上面には、放射導
体として円形状のパッチ１２７が形成されている。この
パッチ１２７は、所定の共振周波数で共振するように所
定の大きさで形成されている。第２の誘電体基板１２２
上面には、スロット１２８を設けた円形状の接地導体１
２９が配設されている。第３の誘電体基板１２３上面に
は、給電線路としてストリップ導体１３０がＵ字状に形
成されている。第４の誘電体基板１２４上面には、放射
導体として円形状のパッチ１３１が形成されている。第
５の誘電体基板１２５上面には、スロット１３２を設け
た円形状の接地導体１３３が形成されている。第６の誘
電体基板１２６には、その上面に給電線路としてストリ
ップ導体１３４が形成され、その底面一面には、接地導
体１３５が形成されている。

【００１４】この接地導体１３５には、給電用の中心導
体１３６と接地用の外部導体１３７とからなる同軸線路
が設けられている。中心導体１３６は、円形状のパッチ
１３１および導電体基板１２３〜１２６の中心を貫通し
てＵ字状のストリップ導体１３０に接続されている。外
部導体１３７は、誘電体基板１２４〜１２６を貫通する
と共に、円形状のパッチ１３１、接地導体１３３および
に接地導体１３５に電気的に接続されている。

【００１５】上側のアンテナでは、ストリップ導体１３
０よりスロット１２８を介してパッチ１２７に励振信号
が給電される。また、下側の近接接合型アンテナでは、
ストリップ導体１３４よりスロット１３２を介してパッ
チ１３１に励振信号が給電される。

【００１６】このスロットアンテナでは、中心導体１３
６は、円形状のパッチ１３１の中心を貫通しており、下
側のアンテナ（円形状のパッチ１３１）の放射特性には
影響を与えない。また外部導体１３７は、円形状のパッ
チ１３１に接続されているので、不要な高次モードは発
生しない。しかしながら、このスロットアンテナの場
合、スロットを設ける誘電体基板を必要とするため誘電
体基板の層数が増えて構造的に複雑になる。

【００１７】

【発明が解決しようとする課題】このように上述した従
来のマイクロストリップアンテナでは、誘電体基板の層
数が増えて構造的にアンテナの薄形化をすすめるのに問
題があった。

【００１８】本発明はこのような課題を解決するために
なされたもので、放射導体と給電線路のインピーダンス
整合が容易にとれ、しかも薄形化を図ることのできるマ
イクロストリップアンテナを提供することを目的として
いる。

【００１９】

【課題を解決するための手段】本発明のマイクロストリ
ップアンテナは上記した目的を達成するために、互いに
積層された複数の誘電体基板と、前記複数の誘電体基板
の外側に位置する第１の誘電体基板の外面に形成された
放射導体と、前記第１の誘電体基板と、これに隣接する
第２の誘電体基板間に、少なくとも一部が前記放射導体
と重なるように配設され、前記放射導体に電磁的に結合
されるストリップ導体と、前記第２の誘電体基板の前記
ストリップ導体と反対側の面に配設された接地導体と、
その中央導体が前記第２の誘電体基板を貫通して前記放
射導体に重なった前記ストリップ導体の部分に接続さ
れ、外部導体が前記接地導体に接続された同軸線路とを
具備し、前記ストリップ導体は前記放射導体端より外側
に延伸し、この延伸したストリップ導体の長さが所望の
周波数の管内波長の４分の１以下であることを特徴とす
るものである。

【００２０】

【作用】本発明のマイクロストリップアンテナでは、励
振信号は、同軸線路の中心導体より放射導体と接地導体
間に配設されたストリップ導体に給電される。そしてス
トリップ導体と放射導体とが電磁的に結合され、放射導
体から電磁波が放射される。このときのストリップ導体
と放射導体とのインピーダンス整合は、ストリップ導体
の長さ、幅および配設位置などを適当な値に設定し調整
すれば、容易にとることができる。

【００２１】また、放射導体に重なっていないストリッ
プ導体の長さは、近接接合型マイクロストリップアンテ
ナと比較して短くできる。したがって、この部分より発
生する不要放射が低減される。この結果、良好な放射特
性を得ることができる。

【００２２】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細
に説明する。図１（ａ）は本発明に係わる一実施例のマ
イクロストリップアンテナの平面図、図１（ｂ）はその
Ａ−Ａ線断面図である。

【００２３】図中、１はマイクロストリップアンテナ
（以下アンテナと称す）である。このアンテナ１は、複
数の誘電体基板として矩形状の誘電体基板２、３を積層
して構成されている。これらの誘電体基板２、３のう
ち、外側に位置する第１の誘電体基板２の外面には、放
射導体として円形状のパッチ４が形成されている。第１
の誘電体基板２と、第１の誘電体基板２に隣接する第２
の誘電体基板３間には、ストリップ導体５が形成されて
いる。また、第２の誘電体基板３のストリップ導体５と
反対の面には、接地導体６が配設されている。このスト
リップ導体５は、その一部が円形状のパッチ４に重なる
と共に、パッチ４の中央部にかかるように形成されてい
る。また第２の誘電体基板３の接地導体６を配設した面
には、その面の中央部に給電用の中心導体７と接地用の
外部導体８とからなる同軸線路９が接続されている。中
心導体７は、接地導体６と誘電体基板３とを貫通してパ
ッチ４に重ねて形成されたストリップ導体５の一部に接
続されている。外部導体８は接地導体６に電気的に接続
されている。

【００２４】このマイクロストリップアンテナでは、ス
トリップ導体５を形成するときに、ストリップ導体５の
長さ、幅および誘電体基板３への配設位置などを調整す
ることによって、パッチ４とのインピーダンス整合をと
ることができる。

【００２５】図２（ａ）は、後述するデータを基に実際
にアンテナを作成し実測したときのインピーダンスの周
波数特性図、図２（ｂ）は、反射係数の周波数特性図で
ある。

【００２６】このマイクロストリップアンテナの各デー
タは、各誘電体基板の厚さ:1.6mm、誘電体基板の誘電
率:2.6、パッチ半径:33.31mm、ストリップ導体の幅:2.2
mm、ストリップ導体の長さ：55mm、同軸線路のインピー
ダンス：50Ωとした。このときストリップ導体のうち、
放射導体の外側に出ている長さは管内波長の約８分の１
である。この値は前述のデータのアンテナにおける最適
値である。ストリップ導体長がこれより短ければ放射導
体との結合が小さくなり、長ければ結合が大きくなりす
ぎ整合がとれなくなる。この結果は次のように説明でき
る。放射導体端直下のストリップ上の電流を考える。ス
トリップ導体を放射導体端より長くしていくと、開放端
より離れていくことにより流れる電流はだんだん大きく
なる。この電流値は放射導体端直下から開放端までの長
さが管内波長の４分の１で最大となる。よって電流が大
きいほど上の放射導体との接合度が強くなることにな
る。結合度を決めるもう１つの要因はストリップ導体と
放射導体の間の誘電体の厚さである。厚さが薄いほどス
トリップ導体と放射導体の結合は大きくなるために、整
合するために必要な放射導体端直下の電流は小さくな
り、放射導体端から外に出るストリップ導体の長さは短
くなる。逆に厚さが厚ければストリップ導体と放射導体
の結合は小さくなるために、整合するために必要な放射
導体端直下の電流は大きくなり、放射導体端から外に出
るストリップ導体の長さは長くなる。放射導体端から外
に出るストリップ導体の長さは最大で管内波長の４分の
１波長となる。これより長くした場合、放射導体端直下
の電流は減少する傾向にあるため、長くすると逆に結合
が小さくなる。なお、円形状のパッチ４は中心軸上にス
トリップ導体５への給電点Ｐを置いた。

【００２７】図２（ｂ）の周波数特性図では、周波数
ｆ：1.54GHz において、反射特性が−３０dB以下とな
り、この周波数でパッチ４とストリップ導体５とのイン
ピーダンス整合がとれていることがわかる。

【００２８】このように本実施例のアンテナ１によれ
ば、ストリップ導体５を形成するときに、ストリップ導
体５の長さ、幅および配設位置などを調整することによ
って、パッチ４と同軸線路９とのインピーダンス整合を
とることができる。

【００２９】さらに、このアンテナ１をアレイ化する場
合、１素子当たりスペースは、パッチ４の側部に給電線
路を設ける必要がないので、ほぼパッチ４の大きさだけ
で決定することができる。これにより、比較的高密度に
素子を配列することができる。また、このアンテナ１
は、パッチ４とストリップ導体５とを接地導体６で分離
させて構成できるので、給電回路の設計を容易に行うこ
とができる。次に本発明の変形例について図面を参照し
て説明する。図３（ａ）、図３（ｂ）および図３（ｃ）
は、上記したパッチ４の変形例を示す平面図である。

【００３０】図３（ａ）に示すアンテナ１には、誘電体
基板２上面に円形状のパッチ３１が形成されている。こ
のパッチ３１には、凸形状の縮退分離素子３２が対向し
て設けられている。

【００３１】図３（ｂ）に示すアンテナ１には、誘電体
基板２上面に円形状のパッチ３３が形成されている。こ
のパッチ３３には、凹形状の縮退分離装置３４が対向し
て設けられいてる。

【００３２】図３（ｃ）に示すアンテナ１には、誘電体
基板２上面に矩形のパッチ３５が形成されている。この
パッチ３５の４角のうち、対角線方向に対向する２角を
切り取った形状の縮退分離装置３６が設けられている。

【００３３】このようなパッチ３１、３３、３５を有す
るアンテナ１では、縮退分離装置３２、３４、３６によ
り直交する２つの偏波の縮退が解かれる。したがって、
このアンテナ１は、直交する偏波によって共振周波数を
変える。このとき、２つの偏波の励振位相差が９０°と
なるように共振周波数を調整すると、このアンテナ１は
円偏波アンテナとして動作する。

【００３４】図４（ａ）は、本発明のマイクロストリッ
プアンテナを構成する各導体の配置関係を変更した変形
例を示す平面図である。図４（ｂ）は、そのＢ−Ｂ線断
面図である。

【００３５】図中、４１はマイクロストリップアンテナ
（以下アンテナと称す）である。このアンテナ４１は、
矩形状の誘電体基板４２、４３を積層して構成されてい
る。第１の誘電体基板４２の上面には、放射導体として
矩形状のパッチ４４が形成されている。第２の誘電体基
板４３上面には、パッチ４４の一辺に平行しつつ、パッ
チ４４の中心部よりそれた位置で、しかもパッチ４４に
一部（開放端）を重ねるようにストリップ導体４５が形
成されている。また、第２の誘電体基板４３のストリッ
プ導体４５と反対の面には接地導体４６が形成されてい
る。さらに、この面にはストリップ導体４５の開放端に
接続された中心導体４７と、接地導体４６に接続された
接地用の外部導体４８とからなる同軸線路４９が接続さ
れている。

【００３６】このアンテナ４１では、直交する２つの編
波の励振位相差が９０°になるように矩形状のパッチ４
４の２つの辺の長さと、ストリップ導体４５の形成位置
とを調整することによって円偏波が発生する。

【００３７】この変形例のアンテナ４１によれば、スト
リップ導体４５と中心導体４７との接続点が、パッチ４
４の中心部でなくても円偏波を発生させることができ
る。つまり、同軸線路４９の配設位置は、ストリップ導
体４５の開放端と中心導体４７とがパッチ４４に重なる
位置に接続されていれば、パッチ４４の中央部からオフ
セットした位置であっても差支えない。

【００３８】次に、本発明のマイクロストリップアンテ
ナの応用例について図５を参照して説明する。図５は２
周波共用マイクロストリップアンテナとしてスロット結
合型の構成で積層配置されたスタック型マイクロストリ
ップアンテナ（以下スタックアンテナと称す）を示す分
解斜視図である。同図において、５１はスタックアンテ
ナである。このスタックアンテナ５１は、複数、例えば
５層に誘電体基板５２〜５６を積層して構成されてい
る。

【００３９】これら複数の誘電体基板５２〜５６のう
ち、外側に位置する第１の誘電体基板５２外面には、第
１の放射導体として円形状のパッチ５７が形成されてい
る。このパッチ５７は、所定の共振周波数で共振するよ
うに所定の大きさで形成されている。第１の誘電体基板
５２と、第１の誘電体基板５２と隣接する第２の誘電体
基板５３との接触面（狭面）には、第１の給電線路とし
てストリップ導体５８が形成されている。第２の誘電体
基板５３と隣接する第３の誘電体基板５４上面には、第
２の放射導体として円形状のパッチ５９が形成されてい
る。第３の誘電体基板５４に隣接する第４の誘電体基板
５５上面一面には、第１の接地導体６０が形成されてい
る。この第１の接地導体６０にはスロット６１が設けら
れている。第４の誘電体基板５５に隣接する第５の誘電
体基板５６には、その上面にスロット６１と直交する方
向に第２の給電線路としてストリップ導体６２が形成さ
れ、ストリップ導体６２と反対の面に第２の接地導体６
３が形成されている。

【００４０】この第２の接地導体６３には、給電用の中
心導体６４と接地用の外部導体６５とからなる同軸線路
が接続されている。中心導体６４は、円形状のパッチ５
９および誘電体基板５３〜５６の中心部を貫通してスト
リップ導体５８に電気的に接続されている。一方、外部
導体６５は、誘電体基板５４〜５６を貫通すると共にパ
ッチ５９および接地導体６０、６３に電気的に接続され
ている。

【００４１】このスタックアンテナでは、第１の誘電体
基板５２のパッチ５７には、中心導体６４よりストリッ
プ導体５８を介して励振信号が給電される。また第３の
誘電体基板５４のパッチ５９には、ストリップ導体６２
よりスロット６１を介して励振信号が給電される。つま
り、第３の誘電体基板５４のパッチ５９には、トリプレ
ート給電のスロット結合型アンテナが構成されている。

【００４２】この場合、円形状のパッチ５９の中心を中
心導体６４が通っているので、このパッチ５９の放射特
性は中心導体６４の影響を受けない。また外部導体６５
が円形状のパッチ５９に接続されているため、不要な高
次モードも抑圧される。

【００４３】この応用例のマイクロストリップアンテナ
では、ストリップ導体５８、６２の長さ、幅および配設
位置を調整することによって、パッチ５７、５９とのイ
ンピーダンス整合を容易にとることができる。

【００４４】この応用例によれば、従来、６層で構成し
ていたスタックアンテナを５層で構成することができ
る。この結果、スタックアンテナの薄形化を図ることが
できる。なお、パッチ５９への給電は、トリプレート線
路構成に限らず、マイクロストリップ線路によるスロッ
ト結合型給電でもピン型給電でもよい。

【００４５】続いて、本発明のマイクロストリップアン
テナの他の応用例について図６を参照して説明する。図
６は図５のスタックアンテナの変形例を示す斜視図であ
る。同図に示すように、このスタックアンテナ７１は、
５層に誘電体基板７２〜７６を積層して構成されてお
り、基本的には図５のスタックアンテナ５１とほぼ同様
な構成を有している。以下、図５のスタックアンテナ５
１と相違する構成について説明する。

【００４６】第１の誘電体基板７２上面には、第１の放
射導体として円形状のパッチ７７が形成されている。こ
の円形状のパッチ７７には、その円周上に凸形状の縮退
分離装置７８が対向して設けられている。

【００４７】第４の誘電体基板７５上面一面には、接地
導体７９が形成されてるい。この接地導体７９には、誘
電体基板７５の中心より放射状に、かつ互いを９０°に
隔てるようにしてスロット８０、８１が設けられてい
る。第５の誘電体基板７６上面には、それぞれのスロッ
ト８０、８１と直交するようにストリップ導体８２、８
３が形成されている。

【００４８】この応用例のスタックアンテナ７１におい
て、パッチ８４にはストリップ導体８２、８３より各ス
ロット８０、８１を介して励振信号が給電される。この
際、２つのスロット８０、８１上に励振される磁流の位
相差が９０°となるように励振信号の位相差を調整すれ
ば、このスタックアンテナ７１に円偏波を発生させるこ
とができる。一方、第１の誘電体基板７２のパッチ７７
には、中心導体８５よりストリップ導体８６を介して励
振信号が給電される。

【００４９】この場合、パッチ７７に設ける縮退分離装
置７８の形状で共振点を変えることができるので、円偏
波を所望の周波数で発生させることができる。また、パ
ッチ７７とパッチ８４の放射電磁界を同じ偏波にすれ
ば、パッチ間の偏波は交差偏波となり、両者の結合を抑
えることができる。

【００５０】このようにこのスタックアンテナ７１によ
れば、従来、６層で構成していたスタックアンテナを５
層で構成できる。また、縮退分離装置７８により２つの
パッチ間の結合を比較的容易に抑えることができる。な
お、第５の誘電体基板７６には、２つのスロット８０、
８１のうち、一方のみを給電するようにストリップ導体
８２、８３のうち、１本だけを形成してもよい。またパ
ッチ７７には、凹状、凸状などさまざまな形状の縮退分
離素子を形成してもよい。

【００５１】なお、これらの応用例では、パッチを円形
状に形成したが、このパッチの形状は、矩形、三角形あ
るいは環状など他の形状であってもよい。またスロット
の数は２個以上であってもよい。

【００５２】

【発明の効果】以上説明したように本発明のマイクロス
トリップアンテナによれば、放射導体と給電線路とのイ
ンピーダンス整合を容易にとることができる。また、ス
タック型マイクロストリップアンテナに応用すればアン
テナの薄形化が可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）はこの発明のマイクロストリップアンテ
ナの一実施例を示す平面図。（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線
断面図。

【図２】（ａ）は図１のマイクロストリップアンテナの
スミスインピーダンス図。（ｂ）は図１のマイクロスト
リップアンテナの反射係数の周波数特性図。

【図３】（ａ）は図１の実施例のパッチの変形例を示す
平面図。（ｂ）は図１の実施例のパッチの変形例を示す
平面図。（ｃ）は図１の実施例のパッチの変形例を示す
平面図。

【図４】（ａ）は図１の実施例のパッチとストリップ導
体とを変形した例を示す平面図。 （ｂ）は図４のＢ−
Ｂ線断面図。

【図５】この発明のマイクロストリップアンテナの応用
例を示す分解斜視図。

【図６】この発明のマイクロストリップアンテナの他の
応用例を示す分解斜視図。

【図７】（ａ）は従来のピン給電型マイクロストリップ
アンテナを示す平面図。（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ線断面
図。

【図８】（ａ）は従来の近接接合型マイクロストリップ
アンテナを示す平面図。（ｂ）は（ａ）のＤ−Ｄ線断面
図。

【図９】従来のスタック型マイクロストリップアンテナ
を示す分解斜視図。

【符号の説明】

１………マイクロストリップアンテナ ２、３…誘電体基板 ４………パッチ ５………ストリップ導体 ６………接地導体 ７………中心導体 ８………外部導体 ９………同軸線路

フロントページの続き (72)発明者 中田 大平 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株式会社東芝 小向工場内 (56)参考文献 特開 昭63−135003（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−90829（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−41608（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−214205（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−147905（ＪＰ，Ａ) 米国特許4590478（ＵＳ，Ａ) 庄木、等「送受共用スロット結合給電 型円偏波マイクロストリップアンテ ナ」、1991年電子情報通信学会春季全国 大会講演論文集Ｂ−118（ｐ．２− 118）。 (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01Q 13/08

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】互いに積層された複数の誘電体基板と、前
   記複数の誘電体基板の外側に位置する第１の誘電体基板
   の外面に形成された放射導体と、前記第１の誘電体基板
   と、これに隣接する第２の誘電体基板間に、少なくとも
   一部が前記放射導体と重なるように配設され、前記放射
   導体に電磁的に結合されるストリップ導体と、前記第２
   の誘電体基板の前記ストリップ導体と反対側の面に配設
   された接地導体と、その中央導体が前記第２の誘電体基
   板を貫通して前記放射導体に重なった前記ストリップ導
   体の部分に接続され、外部導体が前記接地導体に接続さ
   れた同軸線路とを具備し、前記ストリップ導体は前記放
   射導体端より外側に延伸し、この延伸したストリップ導
   体の長さが所望の周波数の管内波長の４分の１以下であ
   ることを特徴とするマイクロストリップアンテナ。