JP3228914B2 - Laser residual film removal method - Google Patents

Laser residual film removal method

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JP3228914B2 JP13859699A JP13859699A JP3228914B2 JP 3228914 B2 JP3228914 B2 JP 3228914B2 JP 13859699 A JP13859699 A JP 13859699A JP 13859699 A JP13859699 A JP 13859699A JP 3228914 B2 JP3228914 B2 JP 3228914B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はレーザ残膜の除去方
法に関し、更に詳しくは、ビルドアップ工法で多層回路
基板を製造するときに、下層の回路基板の上に形成され
た絶縁層を構成する絶縁樹脂の種類とは無関係に、そこ
にレーザ照射によって形成されたレーザバイアの中に残
存しているレーザ残膜を確実に除去することができるレ
ーザ残膜の除去方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for removing a laser residual film, and more particularly, to forming an insulating layer formed on a lower circuit board when a multilayer circuit board is manufactured by a build-up method. The present invention relates to a method for removing a laser residual film that can reliably remove a laser residual film remaining in a laser via formed by laser irradiation, regardless of the type of insulating resin.

【0002】[0002]

【従来の技術】電気・電子機器に対する小型化,軽量
化,高機能化,低コスト化の要求の強まりに伴い、最
近、それら機器にはビルドアップ工法で製造された多層
回路基板が組み込まれるようになってきている。このビ
ルドアップ工法で製造された多層回路基板は、従来から
のサブトラクティブ法やセミアディティブ法で製造され
た多層回路基板に比べて高密度配線が可能となるからで
ある。
2. Description of the Related Art With the increasing demand for miniaturization, weight reduction, high functionality, and low cost of electric and electronic devices, recently, multilayered circuit boards manufactured by a build-up method have been incorporated into these devices. It is becoming. This is because the multilayer circuit board manufactured by the build-up method enables higher-density wiring than a conventional multilayer circuit board manufactured by a subtractive method or a semi-additive method.

【0003】このビルドアップ工法は概ね次のように進
められる。まず、図1で示したように、絶縁基材1Aの
表面に所定の回路パターン1Bが形成されている回路基
板1がコア基板として用意される。ついで、このコア基
板1の表面に所定の絶縁樹脂を塗布して、回路パターン
1Bを埋設する所定厚みの絶縁層2Aが形成される(図
2)。
The build-up method generally proceeds as follows. First, as shown in FIG. 1, a circuit board 1 having a predetermined circuit pattern 1B formed on a surface of an insulating base 1A is prepared as a core board. Next, a predetermined insulating resin is applied to the surface of the core substrate 1 to form an insulating layer 2A having a predetermined thickness in which the circuit pattern 1B is embedded (FIG. 2).

【0004】そしてこの絶縁層2Aの所定位置には、図
3で示したように、コア基板1の回路パターン1Bの表
面1bに至るまでの凹孔1Cが形成されて中間材料Iが
製造される。この凹孔1Cは、後述する工程を経ること
により、下層の回路基板と上層の回路基板とを接続する
内層バイアホールに転化していく。この凹孔1Cは、ホ
トリングラフィーとエッチングを組み合わせて形成され
ることもあるが、最近では、レーザ照射によって形成さ
れることの方が多い。レーザ照射によると、凹孔1Cの
孔径を極めて小さくすることが可能であり、そのため、
各層における回路パターンを高密度配線することができ
るからである。
At a predetermined position of the insulating layer 2A, as shown in FIG. 3, a recess 1C is formed up to the surface 1b of the circuit pattern 1B of the core substrate 1, and an intermediate material I is manufactured. . The recess 1 </ b> C is converted into an inner via hole connecting the lower circuit board and the upper circuit board through a process described later. The recess 1C may be formed by a combination of photolithography and etching, but is more often formed recently by laser irradiation. According to the laser irradiation, it is possible to make the hole diameter of the concave hole 1C extremely small.
This is because high-density circuit patterns in each layer can be wired.

【0005】レーザとしては炭酸ガスレーザ,YAGレ
ーザ,エキシマレーザなどが使用されているが、凹孔の
加工速度が高く、基板製造時の生産性を高めることがで
きるということで炭酸ガスレーザの使用が一般的であ
る。以後の説明は、上記した凹孔1Cがレーザ照射で形
成されたものとして進め、その凹孔を以後レーザバイア
と呼ぶことにする。
As a laser, a carbon dioxide gas laser, a YAG laser, an excimer laser, or the like is used. However, a carbon dioxide gas laser is generally used because the processing speed of a concave hole is high and the productivity in manufacturing a substrate can be increased. It is a target. In the following description, it is assumed that the above-described recess 1C is formed by laser irradiation, and the recess is hereinafter referred to as a laser via.

【0006】中間材料Iの表面に、通常は粗面化処理を
行ったのち、形成された粗化面に例えば無電解銅めっき
と電気銅めっきを順次行い、絶縁層2Aとレーザバイア
1Cの内壁を被覆する所定厚みの導体めっき層2Bを形
成して中間材料IIを製造する(図4)。この中間材料II
において、レーザバイア1Cの底部では、導体めっき層
2Bとコア基板1の回路パターン1Bの表面1bとの間
は密着していることが必要とされる。
After the surface of the intermediate material I is usually subjected to a surface roughening treatment, for example, electroless copper plating and electrolytic copper plating are successively performed on the formed roughened surface, so that the insulating layer 2A and the inner wall of the laser via 1C are removed. An intermediate material II is manufactured by forming a conductor plating layer 2B having a predetermined thickness to cover (FIG. 4). This intermediate material II
At the bottom of the laser via 1C, it is necessary that the conductive plating layer 2B and the surface 1b of the circuit pattern 1B of the core substrate 1 be in close contact with each other.

【0007】ついで、この中間材料IIの表面にホトリソ
グラフィーとエッチングを行い、絶縁層2Aの上に所定
の回路パターンと内層バイヤホールC1を形成し中間材
料IIIを製造する(図5)。この中間材料IIIにおいて
は、コア基板である下層の回路基板1の上に、絶縁層2
Aと導体めっき層2Bから成る回路パターンが形成され
ている回路基板2が積層された2層構造になっていて、
各層の間は内層バイアホールC1で接続された構造にな
っている。
[0007] Then, on the surface of this intermediate material II perform photolithography and etching, to produce an intermediate material III to form a predetermined circuit pattern and the inner layer via holes C 1 on the insulating layer 2A (Fig. 5). In this intermediate material III, an insulating layer 2 is formed on a lower circuit board 1 which is a core board.
A and a circuit board 2 on which a circuit pattern composed of a conductor plating layer 2B is formed has a two-layer structure,
Between each layer has a connection structure in the inner via hole C 1.

【0008】そして、この中間材料IIIの上に更に絶縁
層を形成したのち、図3〜図5で説明した方法により、
別の回路基板を形成すれば3層構造の多層回路基板を得
ることができる。ところで、絶縁層2Aにレーザバイア
1Cを形成して中間材料Iを製造したときに、図6で示
したように、回路パターン1Bの表面1bに、絶縁層2
Aを構成する絶縁樹脂またはその熱変質物である厚み1
〜2μm程度の残膜2Cの残存することがある。とくに
炭酸ガスレーザを使用した場合にはその傾向が強くな
る。
After an insulating layer is further formed on the intermediate material III, the method described with reference to FIGS.
If another circuit board is formed, a multilayer circuit board having a three-layer structure can be obtained. When the intermediate material I is manufactured by forming the laser via 1C in the insulating layer 2A, as shown in FIG. 6, the insulating layer 2C is formed on the surface 1b of the circuit pattern 1B.
A thickness 1 which is an insulating resin constituting A or a thermally altered substance thereof
The residual film 2C of about 2 μm may remain. This tendency is particularly strong when a carbon dioxide laser is used.

【0009】このようなレーザ残膜2Cが残存している
状態で次の中間材料IIIの製造へと工程を進めると、こ
の表面1bへの導体めっき層は形成されなくなり、その
結果、中間材料IIIに形成された内層バイアホールC
1は、層間を接続する機能を喪失する。したがって、こ
のレーザ残膜を除去することが必要であり、そのために
は従来から次のような処理が採られている。その代表的
な例を以下に説明する。
If the process is advanced to the production of the next intermediate material III in a state where the laser residual film 2C remains, no conductor plating layer is formed on the surface 1b. As a result, the intermediate material III is not formed. Inner via hole C formed in
1 loses the function of connecting the layers. Therefore, it is necessary to remove the laser residual film, and for that purpose, the following processing has conventionally been adopted. A typical example will be described below.

【0010】まず、レーザバイア1Cを形成した中間材
料Iに対し膨潤処理が施される。具体的には、エーテル
類,アルコール類およびピロリドン類などの溶剤に水酸
化ナトリウムを混合した水溶液を用いて、温度30〜5
0℃,処理時間1〜10分程度の浸漬または噴流スプレ
ー処理を行う。その結果、その樹脂構造が開く、または
軟化、または膨潤して次行程で行うアルカリエッチング
がされやすい状態になる。
First, a swelling process is performed on the intermediate material I on which the laser via 1C has been formed. Specifically, using an aqueous solution in which sodium hydroxide is mixed in a solvent such as ethers, alcohols and pyrrolidone, the temperature is 30 to 5;
Dipping or jet spraying is performed at 0 ° C. for a processing time of about 1 to 10 minutes. As a result, the resin structure is opened, softened, or swelled, so that alkali etching performed in the next step is easily performed.

【0011】ついで、アルカリエッチング処理が行われ
る。具体的には、過マンガン酸塩類(通常はK,Naの
塩)アルカリ水溶液を用いて、温度60〜80℃,処理
時間2〜30分程度の浸漬または噴流スプレー処理を行
う。その結果、レーザ残膜2Cはエッチング除去され、
そこに回路パターン1Bの表面1bが表出する。この処
理により、絶縁層2Aの表面とレーザバイア1Cの内壁
もまた1〜2μm程度除去されることになるが、そのこ
とは、この除去量を見込んで絶縁層2Aの厚みやレーザ
バイア1Cの孔径を設計しておけば何らの不都合も生じ
ない。
Next, an alkali etching process is performed. Specifically, immersion or jet spraying is performed using a permanganate (usually K or Na salt) alkali aqueous solution at a temperature of 60 to 80 ° C. for a processing time of about 2 to 30 minutes. As a result, the laser residual film 2C is removed by etching.
The surface 1b of the circuit pattern 1B is exposed there. By this treatment, the surface of the insulating layer 2A and the inner wall of the laser via 1C are also removed by about 1 to 2 μm. This is because the thickness of the insulating layer 2A and the hole diameter of the laser via 1C are designed in consideration of the removal amount. If it does, no inconvenience will occur.

【0012】そして最後に、中和処理が行われる。具体
的には、アミン化合物類などの還元性酸性水溶液を用い
て、温度30〜50℃,処理時間1〜20分程度の浸漬
または噴流スプレー処理を行う。その結果、絶縁層2A
の表面とレーザバイア1Cの内壁は、そこに残留してい
たマンガン酸類やマンガン酸化物が還元溶解し、完全に
除去されて清浄な表面になる。
Finally, a neutralization treatment is performed. Specifically, immersion or jet spraying is performed using a reducing acidic aqueous solution such as an amine compound at a temperature of 30 to 50 ° C. for a processing time of about 1 to 20 minutes. As a result, the insulating layer 2A
The manganese acid and manganese oxide remaining there are reduced and dissolved on the surface of the substrate and the inner wall of the laser via 1C, and the surface is completely removed to obtain a clean surface.

【0013】なお、上記した各処理の間では、処理材料
を例えば水洗して前段処理で用いた薬液などが除去され
ることはいうをまたない。
[0013] In between the above-mentioned processes, it goes without saying that the processing material is washed, for example, with water to remove the chemical solution used in the preceding process.

【0014】[0014]

【発明が解決しようとする課題】ところで、炭酸ガスレ
ーザを用いて絶縁層にレーザバイアを形成するビルドア
ップ工法においては次のような問題がある。まず、一般
的な問題としては、前記したようにレーザ残膜が生じや
すいということである。より短波長のレーザ光を発振す
るYAGレーザやエキシマレーザを用いればレーザ残膜
を生ずることはなくなる。しかしながら、これらレーザ
はレーザバイアの加工時間が長く、生産性は低くなると
いう問題がある。そのため、ビルドアップ工法で多層回
路基板を製造する製造業者の立場からすれば、経済的な
理由から炭酸ガスレーザの使用を選択することが工業的
であるといえる。
However, the build-up method of forming a laser via in an insulating layer using a carbon dioxide laser has the following problems. First, a general problem is that a laser residual film is easily generated as described above. If a YAG laser or an excimer laser that oscillates a laser beam with a shorter wavelength is used, a laser residual film will not occur. However, these lasers have a problem that the processing time of the laser via is long and the productivity is low. Therefore, from the viewpoint of a manufacturer that manufactures a multilayer circuit board by the build-up method, it can be said that it is industrial to select the use of a carbon dioxide laser for economic reasons.

【0015】他方次のような問題もある。まず、多層回
路基板における絶縁層には次のような機能が要求され
る。すなわち、なによりも大切な機能は上層と下層の間
の絶縁をとることである。そして、中間材料Iから中間
材料IIを製造したときに、例えば粗面化された絶縁層2
Aの表面と導体めっき層2Bの間の密着強度が高くなる
ような絶縁層であることであり、更にはレーザバイア1
Cの形成が容易であるような絶縁層であることなどであ
る。
On the other hand, there is the following problem. First, the following functions are required of the insulating layer in the multilayer circuit board. That is, the most important function is to provide insulation between the upper layer and the lower layer. When the intermediate material II is manufactured from the intermediate material I, for example, the roughened insulating layer 2
A is an insulating layer having a high adhesion strength between the surface of the conductive layer A and the conductive plating layer 2B.
For example, the insulating layer is such that C can be easily formed.

【0016】そのため、絶縁層2Aにこれら機能を果た
させるべく、絶縁層2Aを構成する絶縁樹脂としては、
各種のものが使用されており、一義的ではない。また、
製造目的の多層回路基板の用途に応じても、絶縁層2A
に用いる絶縁樹脂の種類を変化させている。しかしなが
ら、絶縁層2Aの構成樹脂が変化するということは、中
間材料Iに残存しているレーザ残膜2Cの除去工程にお
いて、前記した膨潤処理,エッチング処理、更には中和
処理時に用いる薬液や処理条件を前記構成樹脂に対応し
てその都度選択しなければならないということを必要と
する。
Therefore, in order to make the insulating layer 2A fulfill these functions, the insulating resin constituting the insulating layer 2A includes:
Various things are used and are not unique. Also,
Depending on the use of the multilayer circuit board for manufacturing purposes, the insulating layer 2A
The type of the insulating resin used for is changed. However, the change in the constituent resin of the insulating layer 2A means that in the step of removing the laser residual film 2C remaining in the intermediate material I, the chemical solution or treatment used in the above-described swelling, etching, and further neutralization treatments It is necessary that the conditions have to be selected in each case corresponding to the constituent resins.

【0017】すなわち、レーザ残膜の除去に関しては、
絶縁層2Aの構成樹脂の種類に応じて別々の処理ライン
が必要となり、全体として設備コストの上昇を招くこと
になり、非常に不経済である。本発明は、従来のレーザ
残膜の除去工程における上記した問題を解決し、絶縁層
を構成する絶縁樹脂の種類が変わったとしても、1つの
処理ラインでレーザ残膜を確実に除去することができる
レーザ残膜の除去方法の提供を目的とする。
That is, regarding the removal of the laser residual film,
Separate processing lines are required depending on the type of constituent resin of the insulating layer 2A, which leads to an increase in equipment costs as a whole, which is very uneconomical. The present invention solves the above-described problem in the conventional laser residual film removal process, and can reliably remove the laser residual film in one processing line even if the type of insulating resin forming the insulating layer changes. It is an object of the present invention to provide a method for removing a residual laser film.

【0018】[0018]

【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ために、本発明においては、ビルドアップ工法で多層回
路基板を製造する際に、下層の回路基板の上に形成され
ている絶縁層にレーザ照射して形成したレーザバイアの
中に残存しているレーザ残膜を除去する方法において、
前記レーザバイアへの脱脂処理;前記脱脂処理後のレー
ザバイアに対する第1のエッチング処理;前記第1のエ
ッチング処理後のレーザバイアに対する膨潤処理;前記
膨潤処理後のレーザバイアに対する第2のエッチング処
理;および、前記第2のエッチング処理後のレーザバイ
アに対する中和処理;を順次行うことを特徴とするレー
ザ残膜の除去方法が提供される。
In order to achieve the above object, according to the present invention, when a multilayer circuit board is manufactured by a build-up method, an insulating layer formed on a lower circuit board is formed. In a method of removing a laser residual film remaining in a laser via formed by laser irradiation,
A degreasing process on the laser via; a first etching process on the laser via after the degreasing process; a swelling process on the laser via after the first etching process; a second etching process on the laser via after the swelling process; 2. A method for removing a laser residual film, which comprises sequentially performing a neutralization process on the laser via after the etching process of 2.

【0019】[0019]

【発明の実施の形態】本発明においては、まず、レーザ
バイアを形成した中間材料を次のような薬液に浸漬して
レーザバイアに対する脱脂処理が行われる。用いる薬液
は、次のようなA,B2種類を必須成分とする。Aは、
メタノール系アミンの混合物で、銅錯化剤の働きをす
る。Bは、ポリエチレングリコール型および多価アルコ
ール型の非イオン界面活性剤で、樹脂表面の油性汚染物
質の除去と樹脂への浸透という働きをする。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In the present invention, first, an intermediate material having a laser via formed therein is immersed in the following chemical solution to perform a degreasing treatment on the laser via. The chemicals used include the following two types of A and B as essential components. A is
A mixture of methanol-based amines that acts as a copper complexing agent. B is a polyethylene glycol type or polyhydric alcohol type nonionic surfactant, which functions to remove oily contaminants on the resin surface and to penetrate the resin.

【0020】この薬液において、A,Bの濃度はそれぞ
れ1〜10g/L,0.5〜10g/Lに設定すること
が好ましい。この脱脂処理によって、図6で示したレー
ザ残膜2Cは、回路パターン1Bの表面1bとの境界ま
で液浸透した状態になる。ついで、第1のエッチング処
理が行われる。
In this chemical solution, the concentrations of A and B are preferably set to 1 to 10 g / L and 0.5 to 10 g / L, respectively. As a result of this degreasing, the laser residual film 2C shown in FIG. 6 is in a state of liquid permeation up to the boundary with the surface 1b of the circuit pattern 1B. Next, a first etching process is performed.

【0021】例えば、硫酸100mL/L,過酸化水素6
0mL/L,しゅう酸5g/L,残部が純水から成る薬液
を用い、温度30℃で処理時間90秒のエッチング処理
を行う。この第1のエッチング処理により、レーザ残膜
2Cは、回路パターン1Bの表面1bとの境界で軽度に
剥離した状態になる。
For example, sulfuric acid 100 mL / L, hydrogen peroxide 6
Using a chemical solution consisting of 0 mL / L, oxalic acid 5 g / L, and the balance being pure water, etching is performed at a temperature of 30 ° C. for a processing time of 90 seconds. By the first etching process, the laser residual film 2C is in a state of being slightly peeled at the boundary with the surface 1b of the circuit pattern 1B.

【0022】そして、この第1のエッチング処理を経た
のち、レーザバイアに対しては前記した従来の膨潤処
理,エッチング処理(本発明でいう第2のエッチング処
理に相当)、および中和処理がこの順序で行われる。
After the first etching process, the conventional swelling process, the etching process (corresponding to the second etching process in the present invention), and the neutralization process are performed on the laser via in this order. Done in

【0023】[0023]

【実施例】銅張積層板の表面にエポキシ樹脂系樹脂を塗
布して厚み60μmの絶縁層を形成した。この絶縁層の
表面に、炭酸ガスレーザを照射して、上部開口径100
μm,底部開口径80μmのレーザバイアを100個/
mm2の密度で形成した。ついで、以下のような条件で、
脱脂処理,第1のエッチング処理,膨潤処理,第2のエ
ッチング処理,中和処理を順次行った。
EXAMPLE An epoxy resin was applied to the surface of a copper-clad laminate to form an insulating layer having a thickness of 60 μm. The surface of the insulating layer is irradiated with a carbon dioxide gas laser so that the upper opening diameter is 100 mm.
μm, 100 laser vias with a bottom opening diameter of 80 μm /
It was formed at a density of mm 2. Then, under the following conditions,
Degreasing, first etching, swelling, second etching, and neutralization were sequentially performed.

【0024】脱脂処理:トリエタノールアミン5重量
%,ポリオキシエチレンアルキルエーテル3重量%,オ
キソアルコールエチレンオキサイド8.5モル付加物2
重量%,水酸化ナトリウム4重量%の水溶液に、温度4
5℃で5分間浸漬した。 第1のエッチング処理:過硫酸アンモン10重量%,エ
デト酸四ナトリウム四水塩4重量%の水溶液に、温度2
5℃で50秒間浸漬した。
Degreasing treatment: triethanolamine 5% by weight, polyoxyethylene alkyl ether 3% by weight, oxo alcohol ethylene oxide 8.5 mol adduct 2
% Aqueous solution of 4% by weight of sodium hydroxide
It was immersed at 5 ° C for 5 minutes. First etching treatment: An aqueous solution containing 10% by weight of ammonium persulfate and 4% by weight of tetrasodium edetate tetrahydrate at a temperature of 2%
It was immersed at 5 ° C. for 50 seconds.

【0025】膨潤処理:ジエチレングリコールn−ブチ
ルエーテル50重量%,ジエチレングリコールモノメチ
ルエーテル20重量%,水酸化ナトリウム15g/L,
ポリエチレングリコールラウリル酸ジエステル3重量%
の水溶液に、温度65℃で5分間浸漬した。 第2のエッチング処理:過マンガン酸カリウム50g/
L,水酸化ナトリウム40g/Lの水溶液に、温度70
℃で10分間浸漬した。
Swelling treatment: 50% by weight of diethylene glycol n-butyl ether, 20% by weight of diethylene glycol monomethyl ether, 15 g / L of sodium hydroxide,
Polyethylene glycol laurate diester 3% by weight
Was immersed in an aqueous solution at a temperature of 65 ° C. for 5 minutes. Second etching treatment: potassium permanganate 50 g /
L, aqueous solution of sodium hydroxide 40 g / L, temperature 70
C. for 10 minutes.

【0026】中和処理:グリオキザールジアルデヒド・
硫酸ヒドロキシルアミン40重量%,硫酸50mL/Lの
水溶液に、温度40℃で5分間浸漬した。ついで、絶縁
層およびレーザバイアの表面に厚み25μmの銅めっき
を施した。得られた部材につき、下記のような仕様でめ
っき層のピール強度を測定した。
Neutralization treatment: glyoxal dialdehyde
It was immersed in an aqueous solution of hydroxylamine sulfate 40% by weight and sulfuric acid 50 mL / L at a temperature of 40 ° C. for 5 minutes. Next, copper plating with a thickness of 25 μm was applied to the surfaces of the insulating layer and the laser via. With respect to the obtained member, the peel strength of the plating layer was measured according to the following specifications.

【0027】ピール強度の測定:測定装置は島津製作所
社製のオートグラフRCT−5Kを用い、90°方向の
引張り,引張り速度5mm/分,測定めっき銅層の幅1.
27mmの条件で測定。結果は、最大値で1.80kg/c
m,最小値で1.45kg/cm,平均値は1.65kg/cmで
あった。
Measurement of peel strength: An Autograph RCT-5K manufactured by Shimadzu Corporation was used as a measuring device. Tension in 90 ° direction, pulling speed 5 mm / min, width of copper plating layer 1.
Measured under the condition of 27 mm. The result is 1.80 kg / c at maximum
m, the minimum value was 1.45 kg / cm, and the average value was 1.65 kg / cm.

【0028】比較のために、前記した脱脂処理と第1の
エッチング処理を行わず、レーザ残膜処理としては膨潤
処理から始めたことを除いては、実施例と同様にして絶
縁層とレーザバイアの表面に厚み25μmの銅めっき層
を形成し、そのピール強度も測定した。結果は、最大値
で1.60kg/cm,最小値で1.10kg/cm,平均値は
1.33kg/cmであった。
For comparison, the insulating layer and the laser via were formed in the same manner as in the embodiment except that the above-described degreasing and the first etching were not performed, and the laser residual film processing was started from swelling. A copper plating layer having a thickness of 25 μm was formed on the surface, and the peel strength was also measured. As a result, the maximum value was 1.60 kg / cm, the minimum value was 1.10 kg / cm, and the average value was 1.33 kg / cm.

【0029】両者の結果から明らかなように、脱脂処理
と第1のエッチング処理を行った実施例の場合は、比較
例と対比してめっき層のピール強度は20%以上向上し
ており、レーザ残膜の除去が確実になっていることがわ
かる。
As is clear from both results, in the case of the embodiment in which the degreasing treatment and the first etching treatment were performed, the peel strength of the plating layer was improved by 20% or more as compared with the comparative example. It can be seen that the removal of the residual film has been ensured.

【0030】[0030]

【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明方
法は、レーザ残膜の除去に適用されていた膨潤処理,エ
ッチング処理,中和処理の一連の処理工程の前段に脱脂
処理,第1のエッチング処理を行うことにより、絶縁層
の構成樹脂が異なっても確実にレーザ残膜を除すること
ができ、ビルドアップ工法による多層回路基板の製造方
法における自由度を高めることができる。
As is apparent from the above description, the method of the present invention employs a degreasing treatment, a degreasing treatment, and a dehydration treatment prior to a series of swelling, etching, and neutralization treatments applied to the removal of a laser residual film. By performing the etching process 1, even if the constituent resin of the insulating layer is different, the laser remaining film can be surely removed, and the degree of freedom in the method of manufacturing the multilayer circuit board by the build-up method can be increased.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】ビルドアップ工法に用いるコア基板の1例を示
す部分断面図である。
FIG. 1 is a partial cross-sectional view showing an example of a core substrate used in a build-up method.

【図2】図1のコア基板の上に絶縁層を形成した状態を
示す部分断面図である。
FIG. 2 is a partial cross-sectional view showing a state where an insulating layer is formed on the core substrate of FIG.

【図3】図2の絶縁層にレーザバイアを形成した中間材
料Iを示す部分断面図である。
FIG. 3 is a partial cross-sectional view showing an intermediate material I in which a laser via is formed in the insulating layer of FIG. 2;

【図4】図3の中間材料Iのレーザバイアに導体めっき
層を形成した中間材料IIを示す部分断面図である。
FIG. 4 is a partial cross-sectional view showing an intermediate material II in which a conductor plating layer is formed on a laser via of the intermediate material I of FIG. 3;

【図5】コア基板の上に第2の回路基板を形成した中間
材料IIIを示す部分断面図である。
FIG. 5 is a partial cross-sectional view showing an intermediate material III in which a second circuit board is formed on a core board.

【図6】レーザバイア内のレーザ残膜を示す部分断面図
である。
FIG. 6 is a partial cross-sectional view showing a laser residual film in a laser via.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 第1の回路基板(コア基板) 2 第2の回路基板 1A,2A 絶縁層 1B,2B 導体めっき層 1C レーザバイア 2C レーザ残膜 C1 内層バイアホール1 the first circuit board (core board) of 2 second circuit board 1A, 2A insulating layer 1B, 2B conductor plating layer 1C Rezabaia 2C laser residual C 1 inner via holes

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI H05K 3/26 H05K 3/26 B (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H05K 3/00 H05K 3/26 H05K 3/46 B23K 26/00 ──────────────────────────────────────────────────の Continuation of the front page (51) Int.Cl. 7 identification code FI H05K 3/26 H05K 3/26 B (58) Field surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) H05K 3/00 H05K 3 / 26 H05K 3/46 B23K 26/00

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 ビルドアップ工法で多層回路基板を製造
する際に、下層の回路基板の上に形成されている絶縁層
にレーザ照射して形成されたレーザバイアの中に残存し
ているレーザ残膜を除去する方法において、 前記レーザバイアへの脱脂処理; 前記脱脂処理後のレーザバイアに対する第1のエッチン
グ処理; 前記第1のエッチング処理後のレーザバイアに対する膨
潤処理; 前記膨潤処理後のレーザバイアに対する第2のエッチン
グ処理; および、 前記第2のエッチング処理後のレーザバイアに対する中
和処理; を順次行うことを特徴とするレーザ残膜の除去方法。
1. A laser residual film remaining in a laser via formed by irradiating a laser to an insulating layer formed on a lower circuit board when a multilayer circuit board is manufactured by a build-up method. In the method of removing, a first etching process on the laser via after the degreasing process; a swelling process on the laser via after the first etching process; a second etching on the laser via after the swelling process And a neutralization process for the laser via after the second etching process.
【請求項2】 前記脱脂処理として、トリエタノールア
ミン5重量%,ポリオキシエチレンアルキルエーテル3
重量%,オキソアルコールエチレンオキサイド8.5モ
ル付加物2重量%,水酸化ナトリウム4重量%の水溶液
に、温度45℃で5分間浸漬する請求項1記載のレーザ
残膜の除去方法。
2. The method according to claim 2, wherein the degreasing treatment comprises triethanol alcohol.
Min 5% by weight, polyoxyethylene alkyl ether 3
Weight percent, 8.5 moles of oxo alcohol ethylene oxide
Aqueous solution of 2% by weight of adduct and 4% by weight of sodium hydroxide
2. The laser according to claim 1, wherein the laser is immersed in the device at a temperature of 45 ° C. for 5 minutes.
How to remove residual film.
【請求項3】 前記第1のエッチング処理として、過硫
酸アンモン10重量%,エデト酸四ナトリウム四水塩4
重量%の水溶液に、温度25℃で50秒間浸漬する請求
項1記載のレーザ残膜の除去方法。
3. The method according to claim 1, wherein the first etching treatment is
Ammonic acid 10% by weight, edetate tetrasodium tetrahydrate 4
Immersion in a 25 wt% aqueous solution at a temperature of 25 ° C for 50 seconds
Item 4. A method for removing a laser residual film according to Item 1.
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