JP3228836B2

JP3228836B2 - 記録装置

Info

Publication number: JP3228836B2
Application number: JP16851594A
Authority: JP
Inventors: 良男川上
Original assignee: Canon Electronics Inc
Current assignee: Canon Electronics Inc
Priority date: 1994-07-21
Filing date: 1994-07-21
Publication date: 2001-11-12
Anticipated expiration: 2016-11-12
Also published as: JPH0825741A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は記録装置に関し、特に記
録ヘッドを搭載したキャリッジを移動させて記録を行な
う、いわゆるシリアル型の記録装置であって、磁気式リ
ニアエンコーダによりキャリッジの位置を検出する記録
装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】磁気式リニアエンコーダは、長さ方向に
沿って所定ピッチで交互に逆極性に着磁した一直線状の
磁気スケール部と、この磁気スケール部に沿って移動可
能に設けられ、磁気スケール部の磁界を検知する磁気ヘ
ッドからなり、その磁気ヘッドは磁気抵抗効果素子（以
下、ＭＲ素子と略称する）から構成される。この磁気式
リニアエンコーダをシリアル型の記録装置においてキャ
リッジの位置検出に用いた構成が提案されている。

【０００３】この場合、記録装置内で磁気式リニアエン
コーダの磁気ヘッドにインクや人間の汗などが付着する
ため、磁気ヘッドの長期通電テストをすると電気化学的
腐食を起こし、パーマロイなどの強磁性体の薄膜からな
るＭＲ素子の線ないし帯状パターンが細り、断線を生ず
る。これを防止するためには、ＭＲ素子をインク、汗
液、水等から遮断する必要がある。このために、従来の
記録装置の磁気式リニアエンコーダの磁気ヘッドには図
６のような構造が採用されている。

【０００４】図６において、符号６０は磁気スケール
部、６１は磁気ヘッドの要部の磁気ヘッド素子部であ
る。磁気ヘッド素子部６１は、ガラス基板６２上に薄膜
からなるＭＲ素子６３を形成し、その上に接着剤６４に
より保護ガラス板６５を接着した構造となっている。磁
気ヘッド素子部６１は、ギャップｇを介し磁気スケール
部６０に対向し、磁気スケール部６０の長さ方向（図中
左右方向）に対し、ＭＲ素子６３を形成した面が直交す
るように配置される。

【０００５】このような構造によれば、ＭＲ素子６３は
接着剤６４、保護ガラス板６５に覆われ、大気中に曝さ
れるのは端面だけであって極めて少なく、ＭＲ素子の耐
食性を向上できる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図６の
ような構造では、磁気スケール部６０に対するＭＲ素子
６３の成膜面の配置の向きとの関係上、ＭＲ素子６３の
磁界を検知する強磁性体薄膜の線ないし帯状のパターン
は１本だけになってしまうので、高い出力は得られな
い。特に、例えば高密度のドット方式でカラー記録を行
なうプリンタで磁気式リニアエンコーダを用いる場合、
省スペース、高速応答性、高精度などの要請から、磁気
スケール部として、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｃｏ合金あるいはＣｏ
−ＰメッキワイヤやＢａフェライト塗布ワイヤ等からな
り径が１ｍｍ程度と細いマグネットワイヤで、Ｎ極とＳ
極の着磁のピッチがドット密度に対応して１００μｍ以
下で例えば５０μｍという非常に小さいピッチで着磁し
たものを用いることが提案されており、その場合、図６
の構造の磁気ヘッドでは出力が極めて低く、必要な高さ
が得られないという問題があった。

【０００７】そこで本発明の課題は、磁気式リニアエン
コーダを用いてキャリッジの位置検出を行なうシリアル
型の記録装置において、磁気式リニアエンコーダの磁気
スケール部が上述のマグネットワイヤのように細くて着
磁のピッチが非常に小さい場合でも、同エンコーダの磁
気ヘッドから必要な高さの出力信号を得て確実にキャリ
ッジ位置検出を行なえるようにするとともに、前記磁気
ヘッドの耐食性、耐久性を向上することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本発明によれば、上述した磁気スケール部と磁気ヘ
ッドからなる磁気式リニアエンコーダを備えた記録装置
において、前記磁気ヘッドは、表面が前記磁気スケール
部に近接して平行に対向するように配置され少なくとも
表面が絶縁体からなる基板と、この基板の表面に、前記
磁気スケール部の長さ方向に沿って磁気スケール部の着
磁のピッチに対応したピッチで複数本並んで形成された
Ｎｉ−Ｆｅ膜からなる線状の磁気抵抗効果素子パターン
からなる磁気抵抗効果素子と、この磁気抵抗効果素子を
覆うように前記基板の表面上に成膜されたアモルファス
窒素化合物絶縁体からなる保護膜と、前記Ｎｉ−Ｆｅ膜
と前記保護膜との間に形成され、前記保護膜の成膜時の
前記Ｎｉ−Ｆｅ膜との反応を防止する窒素を含まない無
機系絶縁体からなる中間絶縁膜と、を有する構成を採用
した。

【０００９】

【００１０】

【作用】このような構成によれば、磁気抵抗効果素子
は、磁気スケール部の着磁のピッチに対応したピッチで
複数本並んで形成された線状の磁気抵抗効果素子パター
ンからなるので、前記パターンが１本しかなかった従来
例に比べて格段に高い出力が得られる。

【００１１】また、アモルファス窒素化合物絶縁体から
なる保護膜は水分やイオン等の透過性が少なく、磁気抵
抗効果素子の耐食性を向上できるとともに、磁気抵抗効
果素子の成膜時の温度より低温で成膜でき、素子の磁気
特性の劣化を防止できる。

【００１２】

【００１３】さらに、中間絶縁膜により保護膜の成膜時
のＮｉ−Ｆｅ膜との反応を防止し、その反応による磁気
抵抗効果素子の抵抗値の上昇を防止できる。

【００１４】

【実施例】以下、図を参照して本発明の実施例を説明す
る。

【００１５】図１は実施例の記録装置においてキャリッ
ジの位置検出に関わる要部の構成を示している。

【００１６】図１において、一点鎖線で示すキャリッジ
１は、インクジェット方式などの記録ヘッド２を搭載
し、ガイドバー３上に摺動可能に設けられており、外周
面に螺旋溝を形成した案内軸４によって往復移動するよ
うに案内される。即ち、キャリッジ１は、案内軸４の螺
旋溝に係合する不図示の係合部を有し、不図示のキャリ
ッジ駆動モータによって案内軸４が回転駆動されると、
前記係合部が案内軸４の螺旋溝に沿って移動し、キャリ
ッジ１が移動する。

【００１７】キャリッジ１は、両方向の矢印で示すよう
にプラテン５に沿って往復移動し、この移動中に記録ヘ
ッド２が駆動され、プラテン５の外周面上に巻付けられ
た記録シート６に対してインク滴を噴射し、所定ピッチ
ＰでドットＤを記録する。そして、ドットマトリクスパ
ターンで画像ないし文字が記録される。

【００１８】一方、キャリッジ１の位置を検出して同期
信号を発生する磁気式リニアエンコーダを構成する磁気
スケール部７と磁気ヘッド８が設けられている。

【００１９】磁気スケール部７は、先述の径が１ｍｍ程
度のマグネットワイヤからなり、例えば、図７の（ａ）
のようにワイヤ全体がＦｅ−Ｃｒ−Ｃｏ合金からなるも
の、あるいは（ｂ）のように非磁性ステンレスのワイヤ
の外周にＣｏ−Ｐメッキしたもの、あるいは（ｃ）のよ
うに非磁性ステンレスのワイヤの外周に形成された溝に
強磁性酸化物の磁性粉を分散させたバインダを塗布した
ものとして構成される。そして、磁気スケール部７は長
さ方向に沿ってＮ極とＳ極がドットＤのピッチＰに対応
したピッチで交互に逆極性に着磁されている。ドットＤ
のピッチＰ、つまり前記着磁のピッチは便宜上、実際よ
り非常に大きく図示してあり、実際のピッチは１００μ
ｍ以下である。そして、磁気スケール部７は案内軸４に
平行、つまりキャリッジ１の移動路に平行に張架されて
不図示の記録装置の本体フレームに固定されている。

【００２０】また図１において、磁気ヘッド８は、ＭＲ
素子によりスケール部７の磁界を検知するＭＲヘッドで
あり、磁気スケール部７に対し摺動可能でキャリッジ１
内に固定されている。磁気スケール部７の磁界に応じた
磁気ヘッド８の出力信号はフレキシブルプリント板９と
フレキシブルケーブル１０を介し記録装置の制御回路基
板１１に導かれ、その制御回路において磁気ヘッド８の
出力信号によりキャリッジ１の位置が検出されるように
なっている。

【００２１】次に、磁気ヘッド８の構造の詳細を図２〜
図５により説明する。

【００２２】図２において、磁気ヘッド８の構成部材と
して、まず符号１２はスライダであり、全体として中空
の筒状に形成され、磁気スケール部７を挿通し、両端部
に形成された滑り軸受部１２ａに磁気スケール部７を摺
動可能に嵌合して磁気スケール部７に対し摺動可能であ
り、キャリッジ１に固定されている。

【００２３】スライダ１２の内側には絶縁体のガラスか
らなるＭＲ素子基板１３が固定されており、その表面が
ギャップｇを介して磁気スケール部７に近接して平行に
対向するように配置されている。磁気スケール部７の基
板１３と対向する側の部分が着磁部７ａとして着磁され
ている。

【００２４】基板１３の表面にはＭＲ素子が設けられて
いる。その様子を図３に示してある。図３は、図２のＡ
部の断面を拡大して磁気スケール部７の着磁状態とＭＲ
素子パターンの配置等を模式的に示している。図３に示
すように、基板１３の表面にはＭＲ素子を構成するパー
マロイなど強磁性体の薄膜からなる線状のパターンであ
るＭＲ素子パターン１４が磁気スケール部７の長さ方向
に沿って磁気スケール部７の着磁のピッチ（Ｎ極どう
し、ないしＳ極どうしのピッチ）に対応したピッチで複
数本（ここでは７本）並んで形成されている。

【００２５】さらに基板１３上で絶縁体からなる保護膜
１５がＭＲ素子パターン１４の全体を覆うように形成さ
れている。

【００２６】ここでＭＲ素子パターン１４の膜厚は５０
０オングストローム程度であり、その磁気特性の関係か
らギャップｇは２０μｍ±５μｍ程度に抑えられ、その
ため保護膜１５の膜厚も１０μｍ±３μｍ程度に抑えら
える。

【００２７】ところで、図３は、あくまでもＭＲ素子部
の断面を模式的に示したものであって、実際にはＭＲ素
子パターン１４の本数はより多く、保護膜１５は好まし
くは２層の膜とされる。その実際の磁気ヘッド８のＭＲ
素子部の構造例を図４，図５に示してある。図４は保護
膜を透視して示す磁気ヘッド８のＭＲヘッド素子部の表
面の平面図、図５は断面図である。

【００２８】図４において、７本のＭＲ素子パターン１
４をつづら折りのように接続して１組としたものが４組
設けられ、それぞれの組の両端に電極１６ａ、１６ｂの
薄膜パターンが接続されている。即ち、この場合、２８
本のＭＲ素子パターン１４からＭＲ素子が構成されてい
る。

【００２９】また、保護膜１５は、図５に示すように、
ＭＲ素子パターン部１４と電極１６ａ，１６ｂを形成し
た強磁性体薄膜（パーマロイ膜）１７の直上にアモルフ
ァスＳｉＮx膜（x＝０．０５ａｔ％以上）１５ａを成膜
し、その上にＵＶエポキシ樹脂からなるエポキシ膜１５
ｂを成膜して２層の保護膜としている。

【００３０】ここで、保護膜１５をこのようにした理由
を以下に説明する。

【００３１】前述のように、保護膜１５の膜厚は１０μ
ｍ±３μｍに抑える必要がある。これに対して一般的に
は簡便な方法として、ＵＶエポキシ樹脂を用い、スクリ
ーン印刷やスピンコート等により、膜厚を制御すること
が可能である。この場合、腐食を極力抑えるために、Ｃ
ｌ^-1イオンが５０ｐｐｍ以下のＵＶエポキシを用いる。
またパーマロイからなるＭＲ素子パターン１４の温度を
１５０℃以上にあげると、ＭＲ特性が劣化するため、保
護膜１５を１５０℃以下で形成するように常温硬化タイ
プのＵＶエポキシが用いられる。

【００３２】このような条件で保護膜を形成してＭＲヘ
ッドを作製し、促進環境テストを行なった。条件は人工
汗液中に上記ＭＲヘッドを浸漬して正規の電流１．２ｍ
Ａで通電テストを行なった。その結果１ｈｒでＭＲ素子
が断線してしまった。これに対し図６の従来例のＭＲヘ
ッドは１００ｈｒ通電してもＯＫであった。

【００３３】この原因としてはＵＶエポキシ樹脂の煮沸
吸水率が１ｈｒで０．４ｗｔ％であり、吸水して、汗液
中の水分やイオンがエポキシ分子を通過するためと思わ
れる。ＵＶエポキシ樹脂は有機系樹脂の中ではかなり煮
沸吸水率は少ない方であるが、まだこのレベルではむず
かしいものと思われる。その点、無機系の膜は煮沸吸水
率が約０である。

【００３４】またＵＶエポキシ樹脂の場合、基板のガラ
ス面との接着強度があまり良くなく、界面が微妙に剥離
している可能性がある。今回ＪＩＳにもとづくクロスカ
ットテストを行なったところ、パーマロイ面上の剥離は
なかったが、ガラス面のエポキシ樹脂の剥離がみられ
た。特にこの現象は、前記の促進環境テスト前に−２０
℃と＋７０℃のヒートショックを２０回行なってから、
通電テストをするとＭＲ素子の断線が速くなったことか
らもわかった。界面の接着強度の弱さはガラスとエポキ
シ樹脂の相性、または線膨張係数の違いによると思われ
る。

【００３５】これに対し、無機系の保護膜の場合、
（１）材質、（２）成膜方法、（３）成膜手段によりガ
ラスとの接着強度を変えることができ、エポキシ膜より
密着強度を上げることが可能である。

【００３６】ガラス基板と密着性の良い無機系絶縁物と
してはＳｉ系無機絶縁物がある。これはガラスの主成分
であるＳｉＯ₂と相性が良く、Ｓｉ−Ｓｉ結合するため
と思われる。しかし、今回ガラス基板と全く同じ成分の
保護膜のスパッタを行なったが、膜質が悪く、ガラス成
分中のＰｂ⁺やＮａ⁺等のアルカリイオンが環境促進テス
トで発生し、ＭＲ素子の断線を早め、１０ｈｒくらいで
断線してしまった。

【００３７】一方、ＳｉＮx（x＝０．０５ａｔ％以上）
の膜は反応性スパッタやイオンプレーティングで１５０
℃以下で密着性の良い膜となる。ＳｉＮxの場合、膜は
非晶質であり、Ｎ量が０．０５ａｔ％以上で、電気抵抗
が１０²Ωｃｍから１０¹⁶Ωｃｍ以上の絶縁物へ変化す
る。また硬さもヌープ硬度でＮ₂＝０．０５ａｔ％以上
入れることによりＨｋ２０００以上となり、好ましくは
Ｎ₂が１０ａｔ％以上でＨｋ３０００以上となる。Ｓｉ
膜そのものはＨｋ＝１０００以下である。

【００３８】ところで、前記有機保護膜の形成の場合も
無機保護膜の形成の場合も１５０℃以下で形成しないと
ＭＲ特性が劣化することを述べたが、その理由を説明し
ておく。

【００３９】ＭＲ素子の磁気抵抗変化率を大きくし、ま
た安定化する目的でＭＲ素子の磁化容易方向を磁気スケ
ール部からの磁場方向と平行となる方向に付けておくこ
とが一般的である。このような磁気異方性をＭＲ素子に
つけさせるためには、ＭＲ素子（例えばＮｉ−Ｆｅ又は
Ｎｉ−Ｃｏ）の成膜時につける方法と、ホトリソエッチ
ング後の後工程で磁場中焼鈍によりつける方法がある。
本実施例の図４の構造の場合、多チャンネル素子で、各
チャンネルの抵抗変化率の絶対値ができるだけ近い必要
がある。このため、成膜時に磁気異方性を素子の決めら
れた方向に付ける方法のほうが各チャンネル間の抵抗変
化率の差が少なくなる。

【００４０】しかし、このような方法をとった場合、Ｍ
Ｒ素子成膜後の工程がＭＲ素子成膜時の温度より低い温
度でないと、ＭＲ素子の磁気異方性が乱れて出力が下が
るという現象が発生する。ＭＲ素子の成膜時の温度は、
Ｎｉ−Ｆｅの場合とＮｉ−Ｃｏの場合で異なるが、膜の
密着度と膜の保磁力を考えると、２００℃以上が一般的
である。そのため本実施例では保護膜の形成時の温度を
ＭＲ素子の成膜温度より十分下げた１５０℃以下とした
ものである。

【００４１】以上のように本実施例のＭＲ素子の保護膜
は（１）水分やイオン等の透過率性の少ないこと（パッ
シュベーション性）、（２）保護膜形成時の温度がＭＲ
素子成膜時の温度より低いこと、の２点が重要である
が、それ以外に下記のような点も重要となる。

【００４２】磁気式リニアエンコーダの近くには、イン
ク等が噴霧するため、磁気ヘッド８のスライダ１２部は
密閉型構造としており、スライダ１２の軸受部１２ａ以
外は完全密閉されており、かつ軸受け部１２ａと磁気ス
ケール部７の隙間は５〜２０μｍ程度に設定している。
また、このような狭い隙間でも良好な摺動状態が得られ
るように、スライダ１２は、ガラスフィラーを１０〜５
０％含有しているＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイ
ド）で形成されている。

【００４３】一方、本実施例のような記録装置の場合、
耐久性も重要視され、一般的にはキャリッジ走査の２５
０万往復の耐久が要求される。このような耐久テストを
行うと、スライダ１２の軸受部１２ａ及び磁気スケール
部７は少量ながら削られ、スライダ１２が密閉型のため
特に図３のギャップｇ部に両者の削れカスの粉が付着
し、その削れ粉により保護膜１５や磁気スケール部７が
摩耗する場合も発生する。

【００４４】磁気スケール部７の着磁深さは深い程出力
がでるが、着磁用磁気ヘッドで着磁して磁気スケール部
７を作成する場合、着磁深さは最高で着磁ピッチと同等
（５０μｍピッチの時、着磁深さ５０μｍ）で、通常は
その半分程度の深さにしか入らない（５０μｍピッチの
時、着磁深さ２５μｍ）。ただし、この着磁深さは、保
護膜１５の厚さに比べ十分深いため、磁気スケール部７
が多少削れても出力は若干下がるが致命的にはならな
い。

【００４５】ところが、無機保護膜の場合、生産性を考
慮すると膜厚は５μｍ以下に限定され、一般的には１〜
２μｍであるため、もし保護膜が削られてＭＲ素子が断
線した場合は致命的になる。そのため、保護膜は磁気ス
ケール部７及びスライダ１２の軸受部１２ａより硬い必
要がある。

【００４６】以上の保護膜の摩耗によるＭＲ素子の断線
は非常に確率が少ないが致命的欠陥のため品質上大きな
問題となる。保護膜の摩耗を発生させる上記削れ粉の硬
さは以下のような物質による。

【００４７】まず、スライダ１２の軸受部１２ａの削れ
粉の硬さ、特に硬いフィラー粉の硬さは以下の表１のよ
うになる。

【００４８】

【表１】

【００４９】また磁気スケール部７の削れ粉の硬さは、
図７の（ａ），（ｂ），（ｃ）に示した各磁気スケール
部のタイプにより以下の表２のようになる。

【００５０】

【表２】

【００５１】上記表１，表２中で最も硬い物質を考える
と、Ｈｋ２０００以上の硬さが保護膜としては必要とな
る。

【００５２】以上の理由から、保護膜として、低温で成
膜でき、なおかつ硬く、そして、イオン透過性が少ない
という条件を満足する無機絶縁膜を選ぶ必要がある。

【００５３】ここで、下記の表３は、薄膜形成可能な主
要窒化物、酸化物、炭化物のバルクでの硬さを示してい
る。

【００５４】

【表３】

【００５５】この表３に示されているように、バルクで
は硬さは炭化物＞窒化物＞酸化物となっているが、Ｈｋ
２０００以上はＳｉ₃Ｎ₄とＡｌ₂Ｏ₃と他の炭化物であ
る。しかし、薄膜形成法でなおかつ２００℃以下の成膜
温度の場合、ＳｉＮx以外の化合物はＨｋ２０００以上
を達成することができず、なおかつイオン透過性の悪い
膜となる。それらの膜は膜成長できず、ボソボソの膜質
となる。

【００５６】ただしＨｋ１５００〜Ｈｋ２０００と限定
した場合、ＳｉＮx以外にＳｉＯＮ、ＳｉＡｌＮ等のＳ
ｉとＮと他の元素が入っている絶縁物薄膜は成膜するこ
とができる。

【００５７】以下、Ｓｉの窒化物、酸化物、炭化物の薄
膜についてモデル実験した結果を図８、図９のグラフに
より説明する。なお成膜はスパッタ法によりＳｉ基板上
に膜厚２μｍで行なった。

【００５８】図８のグラフはＳｉを中心とした酸化物薄
膜と窒化物薄膜と炭化物薄膜の薄膜形成時の基板温度と
薄膜の硬さの関係を示している。このグラフに示すとお
り、ＳｉＮxは基板温度１００℃以下で硬さが飽和し、
ＳｉＯyは２５０〜３００℃で飽和し、ＳｉＣzは３００
℃以上でも硬さは飽和しない。これはＮが他のＯ，Ｃあ
るいはＢ等に比べ低温薄膜に適しているためと思われ
る。

【００５９】また、図９のグラフは、図８のグラフの各
薄膜のイオン透過率をみるために、まず反応しやすい純
Ｆｅを基板上に５００オングストローム形成し、その上
に上記各薄膜を形成し、塩酸１％で５０℃、１００ｈｒ
浸漬時の飽和磁束密度（Ｍｓ）の減少率を示している。
この実験でＳｉＮxに比べＳｉＯy、ＳｉＣzはＣｌ^-1イ
オンにより低温成膜では純Ｆｅが溶かされることがわか
った。これはＦｅの溶解された体積を微少でも感知でき
るＭｓで調べた結果である。ＭｓはＶＳＭ（振動試料型
磁束計）にて測定した。

【００６０】以上のように保護膜はＳｉＮxが適してい
る。特に反応性スパッタ法を用いることにより、より低
温でなおかつ高レートでＳｉとＮの比が幅広い組成の保
護膜を形成することができる。

【００６１】また、ＳｉＮx、ＳｉＯＮ、ＳｉＡｌＮの
ようにＳｉ系の窒化物の場合Ｓｉの反応の手により、ア
モルファス化しやすく、結晶粒界が存在しないため、イ
オン透過率が低くなっている。

【００６２】ところで、ＭＲ素子の腐食は（１）膜質の悪さによる膜上からの腐食（２）ゴミによるピンホールからの腐食（３）膜応力大のためによるＭＲ素子基板と膜との剥離
による腐食の３つがあげられる。ここで（１）、（３）の腐食は成
膜のスパッタ時のＡｒガス圧力とＮ₂ガス圧力を制御す
ることにより対策可能である。これらは反応性スパッタ
に関して従来より研究されている。しかし（２）の腐食
の原因を取り除くことは大変困難である。これは５ｍｍ
×５ｍｍの面積内に１μｍ以上のゴミを０個にする必要
があるからである。

【００６３】ＳｉＮxの保護膜にピンホールがあった場
合、図１０のように、ＳｉＮx膜１５ａのピンホールの
直下のＭＲ素子パターン１４の薄膜部分が腐食される。
顕微鏡下でその反応を観察すると、パーマロイ膜面上で
ピンホール直下の反応は必ず人工汗液への浸漬、通電
後、即発生し、反応ガスが湧き出す。ガラス面上にもピ
ンホールがあると思われるが、反応すべき物質がないた
め反応ガスが湧き出してこない。

【００６４】またＭＲ素子パターンのパーマロイ薄膜面
上の反応は丸い状態で周囲に広がるが、保護膜がエポキ
シ樹脂の場合のように、基板のガラス部分を飛び超えて
隣のパターンに反応が進むことはない。これは、ガラス
とＳｉＮxの密着度が高いためと思われ、パターンの縁
の時点でストップする。また、エポキシ樹脂の場合のよ
うに反応が始まるといっせいに全面に広がるのでなく、
浸漬後即ピンホール部から反応し、徐々にパーマロイ膜
で時間をかけて広がり、最終的に断線する。

【００６５】このためＳｉＮx膜のみの保護膜の場合、
人工汗液中での浸漬通電で１００ｈｒ以上超えるもの
は、ピンホールの発生確率で決まってしまう。クラス１
万程度のクリーンルーム中で作製したものは１０％程度
しかＯＫとならない。

【００６６】これを改善する方法の１つとしてＳｉＮx
の膜厚を上げる方法がある。一般的には１００オングス
トロームよりも２００オングストロームと厚いほうが良
いが、ピンホール数が大きく減少する屈曲点は５００オ
ングストローム以上である。５００オングストローム以
上〜５μｍまでは厚くする程徐々に少なくなるが、反面
１μｍ以上厚くすると全応力がふえ、ＭＲ出力は徐々に
低下し、５μｍ以上ではかなり低下してしまう。また１
μｍ以上の厚みの場合、成膜時間がかなりかかり、生産
性が極端に下がる。

【００６７】以上のことを鑑み、保護膜１５を多層膜と
する。この場合、多層膜として２通り考えられ、一方
は、ＭＲ素子パターンの強磁性体薄膜の直上の膜を、密
着度良くピンホールの少ない絶縁無機膜とし、その上に
安価で厚く塗れる有機膜を形成するものとする。他方
は、前記の直上の膜を、密着度良くピンホールの少ない
絶縁無機膜とし、その上に成膜スピードの速い無機膜を
コートするものとする。

【００６８】上記のＭＲ素子パターンの薄膜の直上の保
護膜は前述のようにＳｉＮx膜が最適であり、その厚さ
は１μｍ程度が最適である。また、その上に有機膜を成
膜する場合、ＵＶエポキシ樹脂が最も望ましい。それは
Ｃｌ^-1イオン濃度が低く、密着度が高く、常温硬化でき
るという理由による。

【００６９】以上のような理由から、保護膜１５の最適
なものとして、先述の図５のように、ＭＲ素子パターン
１４を形成した強磁性体薄膜１７の直上にＳｉＮx膜１
５ａを成膜し、その上にＵＶエポキシ樹脂からなるエポ
キシ膜１５ｂを成膜する。

【００７０】ここで成膜方法を説明すると、まず後で多
数のＭＲ素子基板１３として切断される大きなガラス板
の上に蒸着によりパーマロイ膜を成膜し、エッチングに
より電極１６ａ、１６ｂとＭＲ素子パターン１４の形状
に加工する。この場合、前記１枚の大きなガラス板上に
図４と同形状のパターンを例えば１５０ケ以上いっしょ
に形成する。

【００７１】その後、電極１６ａ、１６ｂの図４中下部
側のみマスキングして、ＳｉＮx膜１５ａを１μｍの厚
さでスパッタする。即ち、ＳｉＮx膜１５ａはＭＲ素子
パターン１４全部と電極１６ａ、１６ｂを含めてＭＲ素
子基板１３上の図４中上半部全面を覆い、ＭＲ素子基板
１３の外縁となる切断前の前記大きなガラス板の境界ま
で覆う大きさに形成される。

【００７２】次に、ＵＶエポキシ樹脂からなるエポキシ
膜１５ｂをスクリーン印刷で成膜する。その厚みは８μ
ｍ±３μｍで成膜する。その時、エポキシ膜１５ｂは、
ＳｉＮx膜１５ａ上からＭＲ素子パターン１４全体と電
極１６ａ、１６ｂの上部は覆うが、ＭＲ素子基板１３の
外縁となる切断前の前記大きなガラス板の切断の境界ま
では覆わない大きさとする。つまりエポキシ膜１５ｂ
は、その全周縁がＳｉＮx膜１５ａの全周縁の内側に位
置するようにＳｉＮx膜１５ａの成膜領域の内側にＳｉ
Ｎx膜１５ａより小さく形成する。これは前記の各膜の
成膜後に前記の大きなガラス板をＭＲ素子基板１３の大
きさに切断する時、エポキシ膜１５ｂが切断される境界
を覆っていて切断されると、切断面から剥離するためで
ある。なおＳｉＮx膜１５ａは精密切断刃で切断しても
密着性が良いので剥離しない。

【００７３】またＳｉＮx膜上でのエポキシ膜はガラス
基板上に比べ密着度も向上してエポキシ膜の端面からの
剥離が減少することからも、エポキシ膜１５ｂは上記の
ようにＳｉＮx膜１５ａより小さく形成するのが良い。

【００７４】このようにエポキシ膜１５ｂを成膜した
後、前記大きなガラス板をＭＲ素子基板１３の大きさに
切断して磁気ヘッド８の素子部が完成する。

【００７５】このように作製したサンプルについて促
進、環境テストを行なったところ、１００ケ中１００ケ
全て、１００ｈｒ以上通電ＯＫとなった。

【００７６】また、保護膜１５の他の実施例として、Ｓ
ｉＮx膜上にエポキシ膜のかわりに金属のＣｒをスパッ
タで５μｍの厚さで成膜したところ、同様に１００ケ中
１００ケ通電テストがＯＫとなった。

【００７７】なお、図４中露出している電極１６ａ、１
６ｂの下部は図５に示すようにハンダ１８をつけた後、
ＦＰＣ（フレキシブルプリント板）９を接合し、その上
から不図示のＵＶエポキシ樹脂で厚く覆うことにより腐
食をさける。この部分は磁気スケール部７との距離が大
きくなるので、エポキシ樹脂を厚くできる。

【００７８】以上のような本実施例によれば、磁気ヘッ
ド８のＭＲ素子は、磁気スケール部７の着磁のピッチに
対応したピッチで複数本並んで形成された線状のＭＲ素
子パターン１４からなるので、前記パターンが１本しか
なかった従来例に比べて格段に高い出力が得られる。

【００７９】またＭＲ素子の直上の保護膜をアモルファ
ス化したＳｉＮｘ膜１５ａとし、水分やイオン等の透過
性が少なく、ＭＲ素子成膜時の温度より低温で成膜で
き、しかも磁気スケール部７及びスライダ１２の軸受部
１２ａより硬いものとしたので、ＭＲ素子の腐食を防止
できるとともに保護膜の成膜時の温度によりＭＲ素子の
特性を劣化させることがなく、さらに、保護膜の摩耗に
よるＭＲ素子の断線を防止でき、磁気ヘッドの耐食性、
電磁変換特性および耐久性を向上できる。

【００８０】なお、ＭＲ素子の直上の保護膜はアモルフ
ァスＳｉＮx膜が最適ではあるが、ＳｉＮx膜に限らず、
条件に応じて、ＳｉＯＮ，ＳｉＡｌＮ等のＳｉとＮと他
の元素が入っている絶縁物や他の窒素化合物の絶縁物の
アモルファス薄膜とすることも考えられる。

【００８１】また、エポキシ膜１５ｂの代わりに例えば
アクリル樹脂などからなる他の有機系保護膜を形成して
も良い。

【００８２】また、ＭＲ素子基板１３は、絶縁体のガラ
スからなるものとしたが、例えば半導体のＳｉからなり
表面にＳｉＯ₂などの絶縁層を形成したものでもよく、
要するに少なくとも表面が絶縁体からなるものであれば
良い。

【００８３】［他の実施例］ところで、上記実施例のよ
うにＭＲ素子の薄膜をＮｉ−Ｆｅ膜（パーマロイ膜）と
し、ＳｉＮx膜を保護膜とした場合、次のような問題点
を生じた。それはＳｉＮx膜をスパッタすることによ
り、Ｎｉ−Ｆｅ膜の全抵抗値が上昇してしまうという現
象が発生することである。この上昇率は最低１０％〜最
高５０％以上にもなってしまう。この原因は明らかでは
ないが、Ｎｉ−Ｆｅ膜の表面にＳｉＮx膜が付着する
時、ＳｉＮxがＳｉとＮxに分解し、パーマロイに窒化現
象を起こすためと思われる。

【００８４】そこで、この問題に対処した実施例を以下
に説明する。その実施例の具体的の構成を説明する前
に、その構成を想到するまでに検討した事項を説明す
る。

【００８５】まず、上記問題に関して行なった実験を説
明する。

【００８６】基板上にＮｉ−Ｆｅ膜を膜厚５００オング
ストロームで形成し、パターニングをしてエッチング
し、２０００Ω／１本のＭＲ素子パターンを形成した。
その後、ＳｉＮxのスパッタ時の逆スパッタと本スパッ
タによる抵抗上昇分を分離するため（Ａ）逆スパッタのみで止めた場合（Ｂ）逆スパッタなしで本スパッタのみ行った場合の２種類の検討を行った。本スパッタはＳｉ９９．９９
９％の純度のターゲットでＡｒ＋Ｎ₂の反応性スパッタ
にて行った。ＳｉＮx（x＝１．０ａｔ％）は２μｍの厚
みである。

【００８７】その結果、下記の表４の結果を得た。

【００８８】

【表４】

【００８９】逆スパッタでの上昇分は、Ｎｉ−Ｆｅ膜が
薄くなったためである。すなわち、濃度計で調べると全
厚５００オングストロームに対し約５〜１０オングスト
ロームの減少が見られ、これによる膜の断面積の減少に
より膜全体の抵抗値が上がったものである。

【００９０】一方、本スパッタのみの場合、Ｎｉ−Ｆｅ
膜の膜厚変化はなく、抵抗値上昇は他の原因による。す
なわち、パーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ）自体の固有抵抗値が
あがることにより、全体の抵抗が上昇したものである。

【００９１】また、逆スパッタ後、本スパッタしたサン
プルの抵抗値は２００〜３００Ω（２０％〜３０％）と
大きく変化し、逆スパッタによる膜厚減少以外の要因の
何かの変化分が加算し、変化率がよりアップする。これ
は逆スパッタによりパーマロイ表面の不働体膜（ＦｅＯ
又はＮｉＯ）が除去され、Ｎの影響がより受けやすくな
ったためと思われる。

【００９２】そこで、ＳｉＮx膜とＮｉ−Ｆｅ膜の中間
にこれらの反応を防止するための中間絶縁膜を付着させ
ることを考えた。この場合、（１）中間絶縁膜として必要なことはＳｉＮxとＮｉ−
Ｆｅ膜の互いの反応を防止すること。

【００９３】（２）ＳｉＮと中間絶縁膜とＮｉ−Ｆｅ膜
が応力的にバランスがとれて膜剥離のないこと。

【００９４】（３）中間絶縁膜にピンホール等の欠陥の
少ないこと。

【００９５】（４）中間絶縁膜は勿論絶縁性のあるこ
と。

【００９６】（５）中間絶縁膜が磁性のないこと。

【００９７】等が必要である。

【００９８】これらのことから、中間絶縁膜として各種
金属膜は（４）の理由より除外された。そのためセラミ
ックス膜が選択され、またセラミックスの中でも窒化物
は（１）の理由で除外した。また硼化物、炭化物は、反
応性スパッタで少なくとも２００℃以下でピンホールの
少ない膜が作成されにくいため除外された。このため酸
化物のみに絞って検討した。

【００９９】Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃ
ｕ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ等の酸化物の薄膜を反
応性スパッタで成膜して検討したところ、２００℃以下
で成膜でき、上記条件を満足するものは、Ｓｉ系、Ｔｉ
系、Ｃｒ系のみであった。

【０１００】これらの膜は、２００℃以下でもピンホー
ルの少ない膜が得られ、膜密着強度も良かった。特にＳ
ｉＯやＴｉＯ、ＣｒＯ等の酸化物の酸化度が完全でない
中間酸化物が優れていた。ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂、Ｃｒ₂Ｏ₃
とも完全な酸化物を形成するためには、高温中３００℃
以上のスパッタ反応が必要なため、２００℃以下ではＡ
ｒ中の酸素分圧をふやしても作成することができなかっ
た。

【０１０１】また、単一元素の中では、Ｓｉ（純度が５
ナイン以上のとき）は２．３×１０⁺⁵Ωｃｍ、Ｔｉは４
２×１０^-6Ωｃｍ、Ｃｒは２×１０Ωｃｍというよう
に、Ｓｉのみ抵抗値が高く、１０⁵Ωｃｍ以上のものを
絶縁物とすると、Ｓｉのみ絶縁膜になり得る。

【０１０２】次に、パーマロイ膜上にＳｉＮ膜を成膜し
た場合と、パーマロイ膜上にＳｉの中間絶縁膜を成膜し
た上にＳｉＮ膜を成膜した場合のそれぞれについて、表
面からの深さ方向におけるＳｉ，Ｎ，Ｆｅ，Ｎｉの各元
素の量をマイクロオージェ（μ−ＡＥＳ）にて分析した
結果を図１１，図１２のグラフにより説明する。

【０１０３】図１１のグラフは、膜厚５００オングスト
ロームのパーマロイ膜の直上にＳｉＮ膜を反応性スパッ
タにて７００オングストロームの膜厚に形成した試料を
表面よりスパッタエッチングして、Ｓｉ，Ｎ，Ｏ，Ｆ
ｅ，Ｎｉの各元素量を表面から深さ方向に分析したもの
である。縦軸は各元素量に対応するオージエ電子カウン
ト数を示し、横軸はエッチング時間を示している。

【０１０４】図１２のグラフは、膜厚５００オングスト
ロームのパーマロイ膜の直上にＳｉ膜を７０オングスト
ロームの膜厚で形成し、その上にＳｉＮ膜を６３０オン
グストロームの膜厚で形成した試料を表面よりスパッタ
エッチングして各元素量を分析したものである。

【０１０５】図１１と図１２のグラフを比較してわかる
ことは、ＳｉとＮとＯはＦｅ、Ｎｉ元素と拡散する領域
が両方あるが、特にＳｉが中間絶縁膜としてある場合、
Ｎ、Ｏの拡散よりＳｉの拡散が深い。また、Ｓｉが中間
絶縁膜としてない場合、Ｏに比べＮは深く拡散する。Ｏ
はＳｉが中間絶縁膜としてある場合、ない時より多く存
在する。この原因は不明である。なお、ここでいう拡散
とは、各元素が重なり合っている領域をさす。

【０１０６】これらのことから、Ｓｉが中間絶縁膜とし
て存在する場合、パーマロイの窒化（Ｎの拡散）が少な
いことが判明した。これは、ＳｉとＮｉ−Ｆｅ（パーマ
ロイ）の両者の元素との特別な関係（お互いに拡散しや
すい）のため、Ｎの拡散が防止されるからと思われる。

【０１０７】以上の検討事項から中間絶縁膜として、Ｓ
ｉ膜，ＳｉＯ膜，ＴｉＯ膜あるいはＣｒＯ膜を成膜する
構成を想到した。その実施例の具体的な構成を以下に説
明する。

【０１０８】図１３は、上記中間絶縁膜を形成した本実
施例の磁気ヘッドのＭＲヘッド素子部の断面を示してお
り、先の実施例の図５の断面図に対応しており、図５中
と共通ないし対応する部分には同一の符号が付してあ
る。

【０１０９】図１３に示した構造において、ＳｉＯ2系
のガラスからなるＭＲ素子基板１３上にＮｉ−Ｆｅ（８
０％Ｎｉ）のパーマロイ膜１７を５００オングストロー
ムの膜厚に蒸着し、フォトリソエッチングして図４のよ
うにＭＲ素子パターン１４と電極１６ａ，１６ｂを形成
し、ＭＲ素子の全抵抗値を２０００Ωとなるようにし
た。その上に順次、中間絶縁膜２０、ＳｉＮx膜（x＝
１．０ａｔ％）１５ａ、アクリル膜１５ｂを形成した。

【０１１０】中間絶縁膜２０とＳｉＮx膜１５ａの形成
は反応性スパッタで行い、その際、パーマロイ膜１７の
逆スパッタでは５０Ω以下の抵抗上昇率となるように抑
えた。中間絶縁膜２０の膜厚は７０オングストロームと
し、ＳｉＮx膜１５ａの膜厚は２μｍとした。アクリル
膜１５ｂの膜厚は２０μｍとした。また図５の実施例と
同様に電極１６ａ，１６ｂにハンダ１８でＦＰＣ９を接
続した。

【０１１１】そして、この構造で中間絶縁膜２０をＳｉ
で形成したもの、ＳｉＯで形成したもの、ＴｉＯで形成
したもの、及びＣｒＯで形成したものをそれぞれ作製
し、ＭＲ素子の全抵抗値の変化（上昇）を測定したとこ
ろ、初期抵抗値が２０００〜２１００Ωであって、変化
はいずれも＋５０〜７０Ωであり、ＭＲ素子の抵抗値の
変化を問題のない程度に小さくできることがわかった。

【０１１２】なお、このように中間絶縁膜２０としてＳ
ｉ，ＳｉＯ，ＴｉＯ，ＣｒＯのいずれの膜でもよいが、
Ｓｉ膜またはＳｉＯ膜とした場合は中間絶縁膜２０とＳ
ｉＮx膜１５ａの形成を一つのターゲットでバルブ操作
のみで連続して行なえるため効率がよいという利点があ
る。

【０１１３】なお、中間絶縁膜２０の厚みについて検討
を行った結果を説明しておく。検討品は中間絶縁膜をＳ
ｉ（９９．９９９％）膜として行ったが、極微少な膜厚
１０オングストロームでも十分効果があった。この場
合、膜そのものは島状となり、均一膜でないと思われる
が、ＳｉＮxでない他の膜質の異なる物質を微少でも配
置するだけで、ＳｉＮx膜とパーマロイ膜の反応を防ぐ
ことができる。また、膜厚を１０００オングストローム
以上とした場合、いずれもＳｉＮxに比べピンホールが
多く、耐環境特性が劣った。一般的に塩水噴霧中で１０
００ｈｒの連続通電で断線しないことが必要であるが、
１０００オングストローム以上のものは、１０個中２〜
３個が５００ｈｒで断線してしまった。１０〜１０００
オングストロームのものはＯＫであり、特に５０〜２０
０オングストロームのものは１０個中１０個全て１００
０ｈｒ通電でＯＫとなった。従って中間絶縁膜２０の膜
厚は５０〜２００オングストロームとするのが良い。

【０１１４】以上のように、本実施例によれば、中間絶
縁膜２０により、ＭＲ素子を形成したパーマロイ膜１７
とＳｉＮx膜１５ａの反応を防止してその反応によるＭ
Ｒ素子の抵抗値の上昇を防止することができ、磁気ヘッ
ドの特性を向上することができる。

【０１１５】なお中間絶縁膜２０は上述したＳｉ，Ｓｉ
Ｏ，ＴｉＯ，ＣｒＯに限らず、窒素を含まない他の無機
系絶縁物の膜としても良い。

【０１１６】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、キャリッジ位置の検出手段として磁気スケー
ル部と磁気ヘッドからなる磁気式リニアエンコーダを備
えた記録装置において、前記磁気ヘッドのＭＲ素子は、
磁気スケール部の長さ方向に沿って磁気スケール部の着
磁のピッチに対応したピッチで複数本並んで形成された
Ｎｉ−Ｆｅ膜からなる線状のＭＲ素子パターンからなる
ので、細くて着磁のピッチが非常に小さな磁気スケール
部を用いても磁気ヘッドから充分に高い検出出力を得て
キャリッジの位置検出を確実に行なうことができ、キャ
リッジ位置検出を非常に高精度に、かつ高速に行なうこ
とができるとともに、記録装置の省スペースを図ること
ができる。

【０１１７】また、ＭＲ素子を覆う保護膜がアモルファ
ス窒素化合物絶縁体からなるので、水分やイオン等の透
過性が少なく、ＭＲ素子の耐食性を向上できるととも
に、ＭＲ素子の成膜時の温度より低温で成膜でき、ＭＲ
素子の磁気特性の劣化を防止できる。

【０１１８】

【０１１９】さらに、ＭＲ素子を構成するＮｉ−Ｆｅ膜
と保護膜との間に、保護膜の成膜時のＮｉ−Ｆｅ膜との
反応を防止する窒素を含まない無機系絶縁体からなる中
間絶縁膜を有することにより、前記反応を防止して前記
反応によるＭＲ素子の抵抗値の上昇を防止できる等の優
れた効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明実施例の記録装置のキャリッジ位置検出
に関わる要部の構成を示す斜視図である。

【図２】同装置の磁気式リニアエンコーダを構成する磁
気スケール部と磁気ヘッドの上面図である。

【図３】図２のＡ部の断面を拡大して磁気スケール部の
着磁状態とＭＲ素子パターンの配置等を模式的に示した
説明図である。

【図４】磁気ヘッドのＭＲヘッド素子部の表面の保護膜
を透視して示す平面図である。

【図５】同ＭＲヘッド素子部の模式的な断面図である。

【図６】従来の記録装置の磁気式リニアエンコーダの磁
気ヘッド要部の構造を示す断面図である。

【図７】磁気スケール部の異なる構成例を示す斜視図で
ある。

【図８】Ｓｉ化合物薄膜形成時の基板温度と薄膜の硬さ
の関係を示すグラフ図である。

【図９】Ｓｉ化合物薄膜形成時の基板温度と、薄膜の封
止特性を示す飽和磁束密度Ｍｓ残存率との関係を示すグ
ラフ図である。

【図１０】保護膜のピンホールによりＭＲ素子パターン
の薄膜の腐食が発生する様子を示した断面図である。

【図１１】パーマロイ膜の直上にＳｉＮ膜を形成した試
料を表面よりスパッタエッチングして、表面からの深さ
方向における各元素量をマイクロオージエにて分析した
結果を示すグラフ図である。

【図１２】パーマロイ膜の直上にＳｉ膜を形成し、その
上にＳｉＮ膜を形成した試料の各元素量を分析した結果
を示すグラフ図である。

【図１３】他の実施例によるＭＲヘッド素子部の模式的
な断面図である。

【符号の説明】

１キャリッジ２記録ヘッド３ガイドバー４案内軸５プラテン６記録シート７磁気スケール部８磁気ヘッド９フレキシブルプリント板１２スライダ１３ＭＲ素子基板１４ＭＲ素子パターン１５保護膜１５ａＳｉＮx膜１５ｂエポキシ膜（又はアクリル膜）１６ａ、１６ｂ電極１７強磁性体薄膜（パーマロイ膜）１８ハンダ２０中間絶縁膜

フロントページの続き (56)参考文献特開平２−1339（ＪＰ，Ａ) 特開平４−360021（ＪＰ，Ａ) 特開昭61−257475（ＪＰ，Ａ) 特開平５−90659（ＪＰ，Ａ) 特開平６−221868（ＪＰ，Ａ) 特開昭63−196874（ＪＰ，Ａ) 実開昭61−15158（ＪＰ，Ｕ) 実開昭61−135206（ＪＰ，Ｕ)

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】記録ヘッドを搭載したキャリッジを移動
させて記録を行なう記録装置であって、前記キャリッジ
の位置を検出する手段として、前記キャリッジの移動路
に平行に固定され、長さ方向に沿って所定ピッチで交互
に逆極性に着磁した一直線状の磁気スケール部と、前記
キャリッジに固定され、前記磁気スケール部の磁界を検
知する磁気ヘッドとからなる磁気式リニアエンコーダを
備えた記録装置において、前記磁気ヘッドは、表面が前記磁気スケール部に近接して平行に対向するよ
うに配置され少なくとも表面が絶縁体からなる基板と、この基板の表面に、前記磁気スケール部の長さ方向に沿
って磁気スケール部の着磁のピッチに対応したピッチで
複数本並んで形成されたＮｉ−Ｆｅ膜からなる線状の磁
気抵抗効果素子パターンからなる磁気抵抗効果素子と、この磁気抵抗効果素子を覆うように前記基板の表面上に
成膜されたアモルファス窒素化合物絶縁体からなる保護
膜と、前記Ｎｉ−Ｆｅ膜と前記保護膜との間に形成され、前記
保護膜の成膜時の前記Ｎｉ−Ｆｅ膜との反応を防止する
窒素を含まない無機系絶縁体からなる中間絶縁膜と、を有することを特徴とする記録装置。
【請求項２】前記保護膜が少なくともＳｉと窒素を含
むアモルファス窒素化合物薄膜であることを特徴とする
請求項１に記載の記録装置。
【請求項３】前記保護膜がＳｉＮx（x＝０．０５ａｔ
％以上）からなることを特徴とする請求項１または２に
記載の記録装置。
【請求項４】前記磁気スケール部は金属系磁性材また
は酸化物磁性材からなることを特徴とする請求項１から
３までのいずれか１項に記載の記録装置。