JP3226326U - 太陽電池セル及び太陽電池パネル - Google Patents

太陽電池セル及び太陽電池パネル Download PDF

Info

Publication number
JP3226326U
JP3226326U JP2018600087U JP2018600087U JP3226326U JP 3226326 U JP3226326 U JP 3226326U JP 2018600087 U JP2018600087 U JP 2018600087U JP 2018600087 U JP2018600087 U JP 2018600087U JP 3226326 U JP3226326 U JP 3226326U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chip
solar cell
photovoltaic
negative electrode
positive electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2018600087U
Other languages
English (en)
Inventor
生 楊
生 楊
士洋 孫
士洋 孫
鉄一 張
鉄一 張
紅剛 劉
紅剛 劉
振興 温
振興 温
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Miasole Photovoltaic Technology Co Ltd
Original Assignee
Miasole Photovoltaic Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Miasole Photovoltaic Technology Co Ltd filed Critical Miasole Photovoltaic Technology Co Ltd
Application granted granted Critical
Publication of JP3226326U publication Critical patent/JP3226326U/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/044PV modules or arrays of single PV cells including bypass diodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/02002Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
    • H01L31/02005Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02008Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules
    • H01L31/0201Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules comprising specially adapted module bus-bar structures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0224Electrodes
    • H01L31/022408Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H01L31/0376Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including amorphous semiconductors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/0445PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
    • H01L31/046PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H01L31/0504Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H01L31/0504Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
    • H01L31/0512Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module made of a particular material or composition of materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264Inorganic materials
    • H01L31/028Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic System
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264Inorganic materials
    • H01L31/032Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
    • H01L31/0322Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312 comprising only AIBIIICVI chalcopyrite compounds, e.g. Cu In Se2, Cu Ga Se2, Cu In Ga Se2
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H01L31/0376Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including amorphous semiconductors
    • H01L31/03762Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including amorphous semiconductors including only elements of Group IV of the Periodic System
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/541CuInSe2 material PV cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/548Amorphous silicon PV cells

Abstract

【課題】バイパスダイオードの使用数を減らし、製品の経済性を向上させる太陽電池セル、及び太陽電池パネルを提供する。【解決手段】太陽電池セルは、複数の並列接続されたチップユニットと、チップユニットと並列接続された1つのバイパスダイオードとを含む少なくとも2つの直列接続されたチップ群を含み、各チップユニットは、1つ又は複数の直列接続された光起電力チップを含み、バイパスダイオードは、正極がチップユニットの負極と接続され、負極がチップユニットの正極と接続される。【選択図】図1

Description

本出願は、出願番号が201720562480.Xで、出願日が2017年5月19日の中国特許出願の優先権を主張し、当該出願の全体が参照によりここに組み込まれる。
本考案は、太陽電池の分野に関し、詳しく言えば、太陽電池セル及び太陽電池パネルに関する。
現在、エネルギー危機と環境汚染がますます深刻になるにつれて、再生可能なクリーンエネルギーの開発は、国際的な分野における主要な戦略課題の1つとなっている。太陽エネルギーは、無尽蔵な上に、最もクリーンで、最大の再生可能エネルギーである。太陽電池は、光電効果や光化学効果によって光エネルギーを電気エネルギーに直接変換する装置であり、太陽エネルギーを利用する最も直接的な方法である。
太陽電池の普及に伴い、電池の耐用年数に影響を及ぼすいくつかの不利な要素も出現し、ホットスポットもその1つである。太陽電池のホットスポット現象とは、太陽電池セルが光照射下で、一部のセルが遮蔽されて動作しなくなってしまうため、遮蔽された部分が遮蔽されていない部分よりも遥かに速く昇温してしまい、それによって温度が高すぎて焼損してしまうダークスポットが生じることである。ホットスポットは、電池セル全体を損傷し、損失となる場合がある。このため、従来技術では、電池へのホットスポット効果の影響を低減するために、バイパスダイオードを付加する方法が一般的に採用されている。
従来の太陽電池の接続形態では、チップを全部直列接続するか又は直列接続してから並列接続する接続形態が多く、ホットスポット効果を防止するために、チップ上にバイパスダイオードを並列接続する措置を採用するのが一般的である。チップを全部直列接続する形態については、バイパスダイオードの使用数が多く、コストが高い一方、直列接続してから並列接続する接続形態については、バイパスダイオードの数を節約できるが、複数のチップが1つのバイパスダイオードを共有するため、そのうちの1つのチップが動作せず、又は遮蔽されると、他のチップの動作に影響を及ぼし、よって、経済的効果が低い。
本考案の一態様では、バイパスダイオードの使用数を減らし、セルの信頼性を向上させる太陽電池セルを提供する。
本考案の別の態様では、太陽電池パネルの耐用年数を延ばし、コストを低減させ、製品の経済的利益を向上させる太陽電池パネルを提供する。
本考案は、以下の技術的解決手段を提供する。
本考案にて提供される太陽電池セルは、複数の並列接続されるチップユニットと、前記チップユニットと並列接続される1つのバイパスダイオードとを含む少なくとも2つの直列接続されるチップ群を含み、各チップユニットは、1つ又は複数の直列接続される光起電力チップを含み、前記バイパスダイオードは、正極が前記チップユニットの負極と接続され、負極が前記チップユニットの正極と接続される。
好ましくは、前記光起電力チップは、CIGS薄膜二重ガラスセルチップ、薄膜太陽電池チップ、晶質シリコン太陽電池チップ、非晶質シリコン太陽電池チップのいずれか1種である。
好ましくは、各チップ群は、3つのチップユニットを含み、各チップユニットは、2つの光起電力チップを含む。
好ましくは、前記チップ群は18個である。
好ましくは、前記バイパスダイオードの最大逆方向動作電流は15A以上である。
本考案にてさらに提供される太陽電池パネルは、前述した太陽電池セルと、負側電極と、正側電極とを含み、前記負側電極と前記正側電極は、いずれも前記光起電力チップの下面に設置され、あるいは、前記負側電極は、前記光起電力チップの上面に設置され、前記正側電極は、前記光起電力チップの下面に設置され、
前記負側電極は、第1のタイバー及び第1のバスバーによって前記太陽電池パネルの負極に接続され、前記第1のタイバーは、前記太陽電池セルの領域内に設置され、前記第1のバスバーは、前記太陽電池セルの上面の一方側に設置され、
前記正側電極は、第2のタイバー及び第2のバスバーによって前記太陽電池パネルの正極に接続され、前記第2のタイバーは、前記太陽電池セルの領域内に設置され、前記第2のバスバーは、前記太陽電池セルの下面の一方側に設置され、且つ前記第1のバスバーと逆方向又は同方向に設置され、なお、前記「太陽電池セルの領域内」とは、太陽電池セルと直交する入射光を利用して前記太陽電池セルを照射し、陰影領域を得て、前記第1のタイバー及び/又は前記第2のタイバーは前記陰影領域に設置されると解釈されてもよい。
前記第1のタイバー及び/又は前記第2のタイバーと前記太陽電池セルとの間にさらに絶縁膜が敷設される。
好ましくは、隣接するチップ群は金属シートによって接続される。
好ましくは、隣接するチップ群における直列接続されたバイパスダイオードは接続バーによって接続される。
好ましくは、前記接続バーは銅製の接続バーである。
好ましくは、前記第1のタイバーと前記第1のバスバーは、溶接形態で接続され、前記第2のタイバーと前記第2のバスバーは、溶接形態で接続される。
本考案の実施例による太陽電池セル及び太陽電池パネルは、光起電力チップが群分けされるように設計され、直列接続と並列接続を混合する形態、すなわち直列接続構造に並列接続構造を含み、並列接続構造に直列接続構造を含む形態を採用し、各チップ群における複数の並列接続されたチップユニットが1つのバイパスダイオードを共有することによって、バイパスダイオードの使用数を大きく減らし、コストを効果的に低減させると共に、また経済的な利益を向上させる。
本考案の実施例による太陽電池セルの原理図である。 本考案の実施例による太陽電池パネルの背面図である。 本考案の実施例による太陽電池パネルにおけるバイパスダイオードと光起電力チップとの接続構造を示す拡大模式図である。
本出願の実施例又は従来技術の技術的解決手段についてより明確に説明するために、以下、実施例の記述に対して必要な図面を用いて簡潔に説明を行う。当然のことながら、以下に記載する図面は本考案の実施例の一部にすぎず、当業者は、創造的な労力を要することなく、これらの図面に基づき他の図面を想到することができる。
当業者が本考案の実施例の解決手段をよく理解できるように、以下に図面及び実施形態に基づいて本考案についてさらに詳細に説明する。
図1は、本考案の実施例による太陽電池セルの原理図を示す。
図1に示すように、前記太陽電池セルは、少なくとも2つの直列接続されたチップ群を含み、各チップ群は、複数の並列接続されたチップユニットと、前記チップユニットと並列接続された1つのバイパスダイオードとを含み、各チップユニットは、1つ又は複数の直列接続された光起電力チップを含み、図1に示す各チップユニットは、2つの直列接続された光起電力チップを含む。前記バイパスダイオードは、正極が前記チップユニットの負極と接続され、負極が前記チップユニットの正極と接続される。
本考案による太陽電池セルにおいて、まず光起電力チップが直列接続されて、チップユニットを得、次いで複数のチップユニットが並列接続され、且つ、チップユニットが1つのバイパスダイオードに並列接続されて、チップ群を得、複数のチップ群が直列接続されて、本考案に係る太陽電池セルを得る。図1に示すように、第1のチップ群は、第1のチップユニットと、第2のチップユニットと、第3のチップユニットと、第1のバイパスダイオードとを含み、ただし、第1のチップユニット、第2のチップユニット、第3のチップユニットは、いずれも2つの光起電力チップを含み、且つ並列接続され、そして、いずれも第1のバイパスダイオードと並列接続される。チップ群におけるいずれか1つのチップユニットの光起電力チップに「ホットスポット」現象が発生した場合、他のチップユニットの光起電力チップは正常に動作でき、その「ホットスポット」現象の影響を受けない。例えば、第1のチップ群における第1のチップユニットの光起電力チップが焼損された場合、第2のチップユニット及び第3のチップユニットの光起電力チップは正常に動作でき、第1のチップユニットの影響を受けない。よって、太陽電池セル全体の正常な動作を保証することができる。
好ましくは、単一のチップユニットの光起電力チップの数は、2つ、3つ、4つ、5つなどであってもよいが、単一のチップユニットの光起電力チップの数は、さらに好ましくは2つである。チップ群におけるチップユニットの数は、2つ、3つ、4つなどであってもよいが、チップ群におけるチップユニットの数は、さらに好ましくは3つである。好ましくは、チップ群における異なるチップユニットの光起電力チップの数は同じである。なお、本考案では太陽電池セルにおけるチップ群の数を限定しない。好ましくは、太陽電池セルにおけるチップ群の数は2〜20のいずれか1つであってもよい。
実際の応用において、ニーズに応じて所望のチップ群の数を増加又は減少することができ、複数の前記チップ群が必要である場合、図1に示すように、前記複数のチップ群は順次直列接続される。そして、各チップユニットに1つの光起電力チップのみを含んでもよいし、複数の直列接続された光起電力チップを含んでもよい。例えば、3つの直列接続された光起電力チップを1つのチップユニットとし、このような3つのチップユニットで1つのチップ群を構成し、18個の直列接続されたチップ群は1つの太陽電池セルとする。また、前記バイパスダイオードの動作パラメータも実際の応用の必要に応じて設定されてもよく、例えば、最大逆方向の動作電流は15A以上である。当然のことながら、実際の応用に応じて提供する所要の電流及び電圧は異なり、前記直列接続、並列接続されるチップは適応的に増減されてもよく、それに応じて、前記バイパスダイオードの実際の型番、パラメータなども実際の必要に応じて選択してもよく、本考案では特に限定しない。
このような構造設計、すなわち、直列接続と並列接続を混合する形態、直列接続構造に並列接続構造を含み、並列接続構造に直列接続構造を含む形態により、複数のチップユニットは1つのバイパスダイオードを共有し、各チップ群におけるいずれか1つのチップユニットが遮蔽されて動作できない時、当該チップ群におけるバイパスダイオードを介してそのホットスポット効果の発生を回避でき、それによりバイパスダイオードの数を効果的に減らし、コストを低減させ、セルの信頼性を向上させる。
本考案による太陽電池セル構造では、前記光起電力チップは、CIGS薄膜二重ガラスセルチップ、薄膜太陽電池チップ、晶質シリコン太陽電池チップ、非晶質シリコン太陽電池チップなどの種々のタイプに適用できる。
それに応じて、本考案の実施例は、さらに前記太陽電池セル構造を備える太陽電池パネルを提供し、図2は、前記太陽電池パネルの1種類の構造の背面図を示す。
本考案による太陽電池パネルは、前記太陽電池セルと、負側電極と、正側電極とを含む。ただし、前記負側電極と前記正側電極は、いずれも前記光起電力チップの下面に設置されてもよいし、また前記負側電極は、前記光起電力チップの上面に設置され、前記正側電極は、前記光起電力チップの下面に設置されてもよく、図2に示す構造では、前記負側電極と前記正側電極は、いずれも前記光起電力チップの下面に設置される。前記負側電極と前記正側電極は、電流の引き出しに用いられる。
図2に示すように、前記負側電極は、第1のタイバー11及び第1のバスバー12によって前記太陽電池パネルの負極に接続され、前記第1のタイバー11は、前記太陽電池セルの領域内に設置され、第1のバスバー12は、前記太陽電池セルの上面の一方側に設置される。前記正側電極は、第2のタイバー21及び第2のバスバー22によって前記太陽電池パネルの正極に接続され、第2のタイバー21は、前記太陽電池セルの領域内に設置され、第2のバスバー22は、前記太陽電池セルの下面の一方側に設置され、且つ第1のタイバー11と逆方向又は同方向に設置される。
なお、実際の応用において、前記第1のタイバー11は、前記光起電力チップの上面に設置されてもよいし、また前記光起電力チップの下面に設置されてもよく、前記第2のタイバー21は、前記光起電力チップの下面に設置されてもよい。それに応じて、タイバーと光起電力チップの接触を回避するために、前記第1のタイバー及び/又は前記第2のタイバーと前記太陽電池セルとの間に絶縁膜が敷設されてもよい。
上述したように、ニーズに応じ、前記チップ群は、複数であってもよく、この場合、図2に示すように、隣接するチップ群の間は、金属シート31によって接続されてもよい。同様に、図3に示すように、隣接するチップ群におけるバイパスダイオード40とそれと電気的に接続される光起電力チップとの間は、金属シート32によって接続される。
また、隣接するチップ群における直列接続されるバイパスダイオードは、接続バー(例えば銅製のバー)によって接続される。
なお、第1のタイバー11及び第1のバスバー12は、溶接形態で接続されてもよく、第2のタイバー21と第2のバスバー22は、同様に溶接形態で接続されてもよい。
本考案の実施例による太陽電池セル及び太陽電池パネルは、光起電力チップが群分けされるように設計され、直列接続と並列接続を混合する形態、すなわち直列接続構造に並列接続構造を含み、並列接続構造に直列接続構造を含む形態を採用し、各チップ群における複数の並列接続されるチップユニットが1つのバイパスダイオードを共有することによって、バイパスダイオードの使用数を大きく減らし、コストを効果的に低減させると共に、また経済的利益を向上させる。
以上、本考案の実施例について詳細に説明した。本明細書では具体的な実施形態を用いて本考案を説明しており、以上の実施例の説明は本考案への理解を助けるためのものである。同時に、当業者は、本考案の思想に基づき、具体的な実施形態及び適用範囲において変更を想到することができる。上述したように、本明細書の内容は本考案を制限するものとして理解すべきではない。

Claims (12)

  1. 太陽電池セルであって、
    複数の並列接続されたチップユニットと、
    前記チップユニットと並列接続された1つのバイパスダイオードとを含む少なくとも2つの直列接続されたチップ群を含み、
    各チップユニットは、1つ又は複数の直列接続された光起電力チップを含み、
    前記バイパスダイオードは、正極が前記チップユニットの負極と接続され、負極が前記チップユニットの正極と接続される
    ことを特徴とする太陽電池セル。
  2. 前記光起電力チップは、CIGS薄膜二重ガラスセルチップ、薄膜太陽電池チップ、晶質シリコン太陽電池チップ、非晶質シリコン太陽電池チップのいずれか1種である
    ことを特徴とする請求項1に記載の太陽電池セル。
  3. 各チップ群は、3つのチップユニットを含み、各チップユニットは、2つの光起電力チップを含む
    ことを特徴とする請求項1に記載の太陽電池セル。
  4. 前記チップ群は18個である
    ことを特徴とする請求項3に記載の太陽電池セル。
  5. 前記バイパスダイオードの最大逆方向動作電流は15A以上である
    ことを特徴とする請求項4に記載の太陽電池セル。
  6. 太陽電池パネルであって、
    請求項1乃至5のいずれか一項に記載の太陽電池セルと、負側電極と、正側電極とを含み、
    前記負側電極と前記正側電極は、いずれも前記光起電力チップの下面に設置され、あるいは、前記負側電極は、前記光起電力チップの上面に設置され、前記正側電極は、前記光起電力チップの下面に設置され、
    前記負側電極は、第1のタイバー及び第1のバスバーによって前記太陽電池パネルの負極に接続され、前記正側電極は、第2のタイバー及び第2のバスバーによって前記太陽電池パネルの正極に接続され、
    前記第1のタイバー及び/又は前記第2のタイバーと前記太陽電池セルとの間にさらに絶縁膜が敷設される
    ことを特徴とする太陽電池パネル。
  7. 太陽電池セルと直交する入射光を利用して前記太陽電池セルを照射し、陰影領域を得て、前記第1のタイバー及び/又は前記第2のタイバーは前記陰影領域に設置される
    ことを特徴とする請求項6に記載の太陽電池パネル。
  8. 隣接するチップ群は金属シートによって接続される
    ことを特徴とする請求項6に記載の太陽電池パネル。
  9. 隣接するチップ群のバイパスダイオードは直列接続される
    ことを特徴とする請求項6に記載の太陽電池パネル。
  10. 隣接するチップ群における直列接続されたバイパスダイオードは接続バーによって電気的に接続される
    ことを特徴とする請求項9に記載の太陽電池パネル。
  11. 前記接続バーは銅製の接続バーである
    ことを特徴とする請求項10に記載の太陽電池パネル。
  12. 前記第1のタイバーと前記第1のバスバーは、溶接形態で接続され、前記第2のタイバーと前記第2のバスバーは、溶接形態で接続される
    ことを特徴とする請求項6乃至11のいずれか一項に記載の太陽電池パネル。
JP2018600087U 2017-05-19 2018-05-21 太陽電池セル及び太陽電池パネル Expired - Fee Related JP3226326U (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201720562480.XU CN206711906U (zh) 2017-05-19 2017-05-19 一种太阳能电池组件及太阳能电池板
CN201720562480.X 2017-05-19
PCT/CN2018/087589 WO2018210348A1 (zh) 2017-05-19 2018-05-21 一种太阳能电池组件及太阳能电池板

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP3226326U true JP3226326U (ja) 2020-06-18

Family

ID=60463515

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018600087U Expired - Fee Related JP3226326U (ja) 2017-05-19 2018-05-21 太陽電池セル及び太陽電池パネル

Country Status (8)

Country Link
US (1) US20210167237A1 (ja)
EP (1) EP3432366A4 (ja)
JP (1) JP3226326U (ja)
KR (1) KR20190000582U (ja)
CN (1) CN206711906U (ja)
AU (1) AU2018101004A4 (ja)
CA (1) CA3010849A1 (ja)
WO (1) WO2018210348A1 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN206711906U (zh) * 2017-05-19 2017-12-05 米亚索能光伏科技有限公司 一种太阳能电池组件及太阳能电池板
CN109801995A (zh) * 2019-03-20 2019-05-24 苏州大学 一种太阳能电池组件
CN110047964A (zh) * 2019-04-19 2019-07-23 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 光伏组件电路单元、光伏组件电路及光伏组件
CN111952405B (zh) * 2019-04-30 2024-01-02 汉瓦技术有限公司 太阳能芯片串的连接方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN201478310U (zh) * 2009-06-26 2010-05-19 比亚迪股份有限公司 一种太阳能电池组件
US20120318318A1 (en) * 2011-06-17 2012-12-20 Solopower, Inc. Cigs based thin film solar cells having shared bypass diodes
US20120318319A1 (en) * 2011-06-17 2012-12-20 Solopower, Inc. Methods of interconnecting thin film solar cells
CN102437219B (zh) * 2011-11-30 2014-04-02 马鞍山晶威电子科技有限公司 一种新型的晶体硅太阳能电池组件结构
CN102820341A (zh) * 2012-09-11 2012-12-12 合肥工业大学 一种配置多层旁路二极管的光伏组件
CN203339197U (zh) * 2013-07-15 2013-12-11 晶科能源有限公司 一种光伏组件
CN104505412B (zh) * 2014-11-24 2017-05-10 连云港神舟新能源有限公司 一种具有拓扑结构的太阳能电池组件
US20160226439A1 (en) * 2015-01-29 2016-08-04 Solaria Corporation Solar module with diode device for shading
CN206711906U (zh) * 2017-05-19 2017-12-05 米亚索能光伏科技有限公司 一种太阳能电池组件及太阳能电池板

Also Published As

Publication number Publication date
CA3010849A1 (en) 2018-11-19
AU2018101004A4 (en) 2018-08-23
US20210167237A1 (en) 2021-06-03
EP3432366A1 (en) 2019-01-23
EP3432366A4 (en) 2019-09-25
WO2018210348A1 (zh) 2018-11-22
CN206711906U (zh) 2017-12-05
KR20190000582U (ko) 2019-03-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3226326U (ja) 太陽電池セル及び太陽電池パネル
KR20120116152A (ko) 태양광 모듈
EP3985742B1 (en) Hot-spot-resistant single-plate photovoltaic module
KR102240902B1 (ko) 천공 perc 양면 태양전지 및 그 어셈블리, 시스템과 제조방법
EP3503212A1 (en) Solar cell panel and bicycles using the same
JP3185889U (ja) 太陽電池セル及び太陽電池モジュール
CN202384370U (zh) 光伏组件
CN103094385A (zh) 光伏组件
CN103022171A (zh) 一种太阳能电池光伏组件
CN106981528B (zh) P型perc双面太阳能电池的背面电极和电池
CN206180964U (zh) 一种集成太阳能电池组件
WO2018157497A1 (zh) 双面太阳能电池组件及系统
CN209822663U (zh) 一种抗热斑单板块光伏组件
CN204615756U (zh) 太阳能电池组件
CN2854926Y (zh) 太阳能倍光发电装置
CN202076290U (zh) 一种新型太阳能电池组件
CN202049959U (zh) 太阳能电池的正面栅电极
CN206629026U (zh) 一种双面太阳能发电系统
CN216354239U (zh) 一种光伏双面组件的结构
CN204991726U (zh) 一种晶硅太阳能电池的正面电极
CN217361607U (zh) 一种小间距的双玻光伏组件
KR20120129112A (ko) 태양광 및 태양광열 복합 시스템
CN103646975A (zh) 光伏组件
KR101325136B1 (ko) 태양전지
CN214429256U (zh) 一种太阳能路灯的电池板并联运行保护系统

Legal Events

Date Code Title Description
R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 3226326

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees