JP3223133U - Cleaning device - Google Patents
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Abstract
【課題】任意の形状を有するプレート表面の洗浄を効率的に行う洗浄装置を提供する。【解決手段】任意の形状を有するプレート表面の洗浄装置であって、前記プレート表面が対向して配置される凹部101を有する本体部100と、前記凹部101に気体及び洗浄液を供給する第1の通流部102と、前記凹部101から前記気体および前記洗浄液の排出を行い、前記凹部101の雰囲気を減圧する第2の通流部103と、を備える。なお、前記第1の通流部102および前記第2の通流部103に対する前記洗浄液の通流方向は切り替え可能に構成されることが好ましい。【選択図】図3A cleaning apparatus for efficiently cleaning a plate surface having an arbitrary shape is provided. A plate surface cleaning apparatus having an arbitrary shape, comprising: a main body portion 100 having a concave portion 101 opposed to the plate surface; and supplying a gas and a cleaning liquid to the concave portion 101. A flow passage 102; and a second flow passage 103 that discharges the gas and the cleaning liquid from the recess 101 and depressurizes the atmosphere of the recess 101. In addition, it is preferable that the flow direction of the cleaning liquid with respect to the first flow portion 102 and the second flow portion 103 is configured to be switchable. [Selection] Figure 3
Description
本考案は、洗浄装置に関する。 The present invention relates to a cleaning apparatus.
特許文献1には、テンプレート上に形成された転写パターンが転写される塗布膜を基板上に形成する基板処理装置が開示されている。
本考案にかかる技術は、任意の形状を有するプレート表面の洗浄を効率的に行う。 The technology according to the present invention efficiently cleans the plate surface having an arbitrary shape.
本考案の一態様は、任意の形状を有するプレート表面の洗浄装置であって、前記プレート表面が対向して配置される凹部を有する本体部と、前記凹部に気体及び洗浄液を供給する第1の通流部と、前記凹部から前記気体および前記洗浄液の排出を行い、前記凹部の雰囲気を減圧する第2の通流部と、を備える洗浄装置。 One aspect of the present invention is a plate surface cleaning apparatus having an arbitrary shape, a main body having a concave portion on which the plate surface is opposed, and a first portion for supplying a gas and a cleaning liquid to the concave portion. A cleaning apparatus comprising: a flow passage portion; and a second flow passage portion that discharges the gas and the cleaning liquid from the concave portion and depressurizes the atmosphere of the concave portion.
本考案によれば、任意の形状を有するプレート表面の洗浄を効率的に行うことができる。 According to the present invention, it is possible to efficiently clean a plate surface having an arbitrary shape.
半導体デバイスの製造工程では、例えば半導体ウェハ(以下、単に「ウェハ」という。)にフォトリソグラフィー処理を行い、ウェハ上に所望のレジストパターンを形成することが行われている。 In the manufacturing process of a semiconductor device, for example, a photolithography process is performed on a semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as “wafer”) to form a desired resist pattern on the wafer.
上述のレジストパターンを形成する際には、半導体デバイスの更なる高集積化を図るため、当該レジストパターンの微細化が求められている。一般にフォトリソグラフィー処理における微細化の限界は、露光処理に用いる光の波長程度である。このため、従来、露光処理の光を短波長化することが進められている。しかしながら、露光光源の短波長化には技術的、コスト的な限界があり、光の短波長化を進める方法のみでは、例えば数ナノメートルオーダーの微細なレジストパターンを形成するのが困難な状況にある。 When forming the resist pattern described above, the resist pattern is required to be miniaturized in order to further increase the integration density of the semiconductor device. In general, the limit of miniaturization in the photolithography process is about the wavelength of light used for the exposure process. For this reason, conventionally, the wavelength of light for exposure processing has been reduced. However, there are technical and cost limitations to shortening the wavelength of the exposure light source, and it is difficult to form a fine resist pattern on the order of several nanometers, for example, only by the method of advancing the wavelength of light. is there.
そこで、ウェハにフォトリソグラフィー処理を行う代わりに、いわゆるインプリントと呼ばれる方法を用いてウェハ上に微細なレジストパターンを形成することが行われている。この方法は、表面に所望のパターンが形成されたテンプレートを、ウェハ上に形成したレジスト膜の表面に圧着させ、その後、これを剥離してレジスト膜の表面にレジストパターンを直接転写するものである。 Therefore, instead of performing a photolithography process on the wafer, a so-called imprint method is used to form a fine resist pattern on the wafer. In this method, a template having a desired pattern formed on the surface is pressure-bonded to the surface of the resist film formed on the wafer, and then the resist pattern is peeled off to directly transfer the resist pattern to the surface of the resist film. .
ところで、上述のインプリント処理においては複数のウェハに対してレジストパターンを形成する。ここで、テンプレートにレジスト液や洗浄液が残存した状態でウェハに対してインプリント処理を行った場合、適切に当該ウェハに対してレジストパターンが形成できない恐れがある。 By the way, in the above-described imprint process, a resist pattern is formed on a plurality of wafers. Here, when the imprint process is performed on the wafer with the resist solution or the cleaning solution remaining on the template, there is a possibility that a resist pattern cannot be appropriately formed on the wafer.
また、インプリント処理において使用されるテンプレート表面のパターン形状には複数種が存在しており、かかる複数種のテンプレートそれぞれに対して適切に洗浄、乾燥を行う必要がある。 Further, there are a plurality of types of pattern shapes on the template surface used in the imprint process, and it is necessary to appropriately wash and dry each of the plurality of types of templates.
このように、インプリント処理を適切に行うためには、所望のパターンが形成されたテンプレート表面の洗浄および乾燥を、テンプレート表面のパターン形状に依らず適切に行う必要がある。しかしながら、特許文献1に記載のインプリントシステムにおいては、パターン形状に応じたテンプレートの洗浄については考慮されておらず、また、紫外線の照射による成型を行っており、テンプレートにレジスト液が残存している場合についても考慮されていない。すなわち、特許文献1に記載のインプリントシステムが備える洗浄ユニットには改善の余地があった。
As described above, in order to appropriately perform the imprint process, it is necessary to appropriately clean and dry the template surface on which a desired pattern is formed regardless of the pattern shape on the template surface. However, in the imprint system described in
本考案にかかる技術は、任意の形状を有するプレート表面の洗浄を効率的に行う。以下、本実施形態にかかる洗浄装置について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。 The technology according to the present invention efficiently cleans the plate surface having an arbitrary shape. Hereinafter, the cleaning apparatus according to the present embodiment will be described with reference to the drawings. In the present specification and drawings, elements having substantially the same functional configuration are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.
<転写装置>
先ず、本実施形態にかかる洗浄装置を備える上述のインプリントシステムとしての転写装置の構成について説明する。図1および図2は、それぞれ転写装置1の構成の概略を模式的に示す側面図および平面図である。
<Transfer device>
First, the configuration of a transfer device as the above-described imprint system including the cleaning device according to the present embodiment will be described. 1 and 2 are a side view and a plan view, respectively, schematically showing the outline of the configuration of the
図1、図2に示すように転写装置1には水平面を有するステージ10が設けられている。ステージ10上には、搬入出領域10aと処理領域10bとが形成されている。
As shown in FIGS. 1 and 2, the
ステージ10の上面には、ウェハWを上面で支持するウェハ支持部11が設けられている。ウェハ支持部11は、ウェハWの被処理面が上側となるように配置された状態で、ウェハWを支持する。
On the upper surface of the
またウェハ支持部11は、移動機構12(例えばエアシリンダ)により、搬送路12aに沿って水平方向に移動自在に構成されている。かかる移動機構12により、ウェハ支持部11に支持されたウェハWが搬入出領域10aと処理領域10bとの間で移動自在に構成されている。
Further, the
搬入出領域10aにおけるウェハ支持部11の上方には、転写装置1に搬入されたウェハWのプリアライメントを行うためのプリアライメントカメラ(図示せず)が設けられている。プリアライメントカメラは、例えばステージ10の上方に架設されるフレーム(図示せず)に設けられている。なお、転写装置1に設けられるプリアライメントカメラの数や配置は任意に決定できる。
A pre-alignment camera (not shown) for performing pre-alignment of the wafer W carried into the
処理領域10bにおけるウェハ支持部11の上方には、転写機構20が設けられている。転写機構20は、図示しないフレームに設けられている。
A
転写機構20は、ウェハW上に所望のパターンを形成する。図1に示すように転写機構20は、本実施の形態にかかる洗浄対象のプレートとしてのテンプレート21、光照射部22、テンプレート保持部23を備えている。光照射部22とテンプレート21は、テンプレート保持部23の下面にこの順で配置されている。なお転写機構20には、アライメントカメラ(図示せず)および変位計(図示せず)が更に設けられている。
The
テンプレート21の下面には、所望の転写パターンTが形成されている(以下の説明において、かかる転写パターンTの形成面を、プレート表面としての「パターン形成面21t」という場合がある)。そして、かかる転写パターンTを、図示しない塗布機構によりウェハWの被処理面に塗布されたレジスト液に対して上方から押圧することにより、ウェハW上のレジスト液にレジストパターンを転写する。なお、パターン形成面21tの表面形状は任意に選択することができ、例えばパターン形成面21tに2つ以上の転写パターンTが形成されていてもよい。 A desired transfer pattern T is formed on the lower surface of the template 21 (in the following description, the transfer pattern T forming surface may be referred to as a “pattern forming surface 21t” as a plate surface). Then, the resist pattern is transferred to the resist solution on the wafer W by pressing the transfer pattern T against the resist solution applied to the surface to be processed of the wafer W by a coating mechanism (not shown). The surface shape of the pattern forming surface 21t can be arbitrarily selected. For example, two or more transfer patterns T may be formed on the pattern forming surface 21t.
光照射部22は、ウェハW上に塗布され、テンプレート21により押圧された状態のレジスト液に対してUV光を照射する。UV光は、テンプレート21を透過して下方に照射される。そして、光照射部22からのUV光が照射されることにより、レジスト液がUV硬化し、半硬化状態のレジスト膜が形成される。なお、レジスト膜は図示しない熱処理装置による熱処理により完全硬化する。
The
なお、光照射部22から照射される光はUV光には限定されず、他の光、例えば可視光や近紫外光等であってもよい。
In addition, the light irradiated from the
テンプレート保持部23は移動機構24を有している。かかる移動機構24により、テンプレート保持部23の高さ方向位置、鉛直軸回りの回転方向位置および傾斜方向位置(ウェハWに対するテンプレート21の平行度)を調節自在に構成されている。
The
処理領域10bにおける転写機構20の下方には、本考案の実施形態にかかる洗浄装置としてのテンプレート洗浄機構30が配置されている。テンプレート洗浄機構30は、テンプレート21のパターン形成面21tの洗浄を行う。なお、テンプレート洗浄機構30の詳細な構成は後述する。
A
なお、転写機構20の下方には、テンプレート21の下面に形成されたテンプレートマーク(図示せず)を検出するテンプレート認識カメラ(図示せず)、テンプレート21のパターン形成面21tに対して離型剤を供給する離型剤供給機構(図示せず)、テンプレート21を撮像することにより外観検査を行うテンプレート検査カメラ(図示せず)が更に配置されている。
Below the
なお、前述のレジストパターンが形成されるレジスト液は、転写装置1の内部においてウェハWの被処理面に塗布されてもよいし、転写装置1の外部で塗布されてもよい。換言すれば、塗布機構(図示せず)は、転写装置1の内部に配置されてもよいし、転写装置1の外部に配置されてもよい。
The resist solution for forming the resist pattern may be applied to the surface to be processed of the wafer W inside the
本実施形態にかかるテンプレート洗浄機構30を備えた転写装置1は、以上のように構成されている。転写装置1においては、ウェハWの被処理面に対して供給されたレジスト液をテンプレート21により押圧することで、ウェハW上に所望のレジストパターンを形成する。
The
ここで、図1に示したようにテンプレート21はウェハWの被処理領域に対して小さく形成されており、ウェハWの全面に対してレジストパターンを形成するためには、テンプレート21の押圧、UV光の照射を繰り返し行うことが必要になる。しかしながら、テンプレート21の表面にレジスト液や洗浄液が残存した状態で次の転写処理を行った場合、当該次の転写処理において適切にレジストパターンを形成できない恐れがある。
Here, as shown in FIG. 1, the
そこでテンプレート21による転写処理毎に、テンプレート洗浄機構30によるテンプレート21の洗浄、乾燥が行われる。これにより、転写処理においてテンプレート21の表面にレジスト液や洗浄液が残存することが抑制され、転写処理を適切に行うことができる。
Therefore, the
<洗浄装置>
そこで続いて、上述のテンプレート21の洗浄、乾燥を行う、本実施形態にかかる洗浄装置としてのテンプレート洗浄機構30の構成について説明する。図3は、テンプレート洗浄機構30の構成の概略を模式的に示す(a)斜視図(b)側面図である。
<Washing device>
Then, the structure of the template washing |
図3に示すようにテンプレート洗浄機構30は、本体部100の上面にテンプレート21を配置して洗浄するための凹部101が形成された構成を有している。テンプレート21は、テンプレート洗浄機構30に対して、パターン形成面21tが凹部101の底面101aと対向するように、本体部100の上面に嵌合される。そして、このようにテンプレート21が嵌合されることにより、凹部101とテンプレート21に囲まれた半密閉空間である洗浄空間Vが形成される。
As shown in FIG. 3, the
また本体部100には、前述の洗浄空間Vに対して洗浄液を供給する第1の通流部としての流体供給部102が設けられている。洗浄空間Vに供給された洗浄液は第2の通流部としての排出部103を介して、テンプレート洗浄機構30の外部に排出される。
The
なお、流体供給部102は洗浄空間Vに洗浄液を供給するための複数の洗浄液通流孔(図示せず)を洗浄空間V側、すなわち凹部101の内部に有している。洗浄液通流孔は、図4の矢印で示すように、洗浄液を洗浄空間Vの全体に適切に供給するため、洗浄空間Vにおける洗浄液の供給方向と直交する方向に並べて配置されている。
The
なお流体供給部102は、前記洗浄液に加えて気体(例えばエアや不活性気体)を洗浄空間Vに更に供給可能に構成されていてもよい。すなわち流体供給部102は、洗浄空間Vを2流体洗浄可能に構成されていてもよい。
The
排出部103は、洗浄空間Vに対して流体供給部102と対称に構成されることが好ましい。すなわち、排出部103は洗浄空間Vから洗浄液を排出するための複数の洗浄液通流孔(図示せず)を洗浄空間V側、すなわち凹部101の内部に有している。洗浄液通流孔は、洗浄空間Vにおける流体供給部102からの洗浄液の供給方向と直交する方向に並べて配置されている。なお、流体供給部102から洗浄空間Vに気体が供給される場合、当該気体も排出部103からテンプレート洗浄機構30の外部に排出される。
The
また本体部100には、テンプレート21のパターン形成面21tに気体(例えばエアや不活性気体)を供給するための気体供給部104が設けられている。気体供給部104から供給された気体は、本体部100の上面に形成された気体噴出口105から、テンプレート21のパターン形成面21tに噴射される。
In addition, the
またテンプレート洗浄機構30には、テンプレート21の洗浄にあたり洗浄空間Vに供給された洗浄液の飛散を抑制するための洗浄液捕集部としての吸引部106が、凹部101の外部に設けられている。吸引部106は、例えば真空ポンプ等の図示しない減圧機構に接続されている。
Further, the
以上のテンプレート洗浄機構30には制御装置110が設けられている。制御装置110は、例えばCPUやメモリなどを備えたコンピュータであり、プログラム格納部(図示せず)を有している。プログラム格納部には、テンプレート洗浄機構30におけるウェハWの洗浄を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、搬送装置などの駆動系の動作を制御して、テンプレート洗浄機構30における洗浄処理を実現させるためのプログラムも格納されている。なお、上記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体Hに記録されていたものであって、当該記憶媒体Hから制御装置110にインストールされたものであってもよい。
The
なお、テンプレート洗浄機構30における洗浄処理は、制御装置110による制御に代え、転写装置1に設けられた制御装置(図示せず)により、転写装置1における転写処理と一気通貫に制御されてもよい。
Note that the cleaning process in the
<洗浄方法>
本実施形態にかかるテンプレート洗浄機構30は、以上のように構成されている。続いて、テンプレート洗浄機構30によるテンプレート21の洗浄方法について説明する。
<Washing method>
The
ウェハWに対する転写処理が行われると、テンプレート21は、転写機構20の移動機構24によりテンプレート21を降下させ、凹部101の底面101aと対向するように本体部100の上面に嵌合し、洗浄空間Vを形成する。
When the transfer process is performed on the wafer W, the
凹部101に洗浄空間Vが形成されると、次に、排出部103により洗浄空間Vの減圧を開始する。
When the cleaning space V is formed in the
続いて、当該洗浄空間Vに対して流体供給部102から洗浄液を供給し、テンプレート21のパターン形成面21tの洗浄を開始する。かかる際、上述のように流体供給部102から洗浄空間Vに気体をさらに供給することにより、テンプレート21のパターン形成面21tの2流体洗浄を行ってもよい。なお、供給された洗浄液および気体は、排出部103からテンプレート洗浄機構30の外部に排出される。
Subsequently, the cleaning liquid is supplied from the
パターン形成面21tの洗浄が完了すると流体供給部102からの洗浄液の供給が停止され、続いて、テンプレート21が気体噴出口105の上方に配置される。
When the cleaning of the pattern forming surface 21t is completed, the supply of the cleaning liquid from the
続いて、気体噴出口105からの気体の噴出が開始され、かかる噴出気体によりパターン形成面21tの乾燥が行われる。
Subsequently, gas ejection from the
なお、パターン形成面21tの乾燥にあたっては、テンプレート21を気体噴出口105の上方で往復させることで、パターン形成面21tの全面の乾燥をより効率的に行うことができる。
In drying the pattern forming surface 21t, the entire surface of the pattern forming surface 21t can be more efficiently dried by reciprocating the
気体噴出口105によるパターン形成面21tの乾燥が完了すると、気体噴出口105からの気体の噴出が停止される。そして、移動機構24によりテンプレート21がテンプレート洗浄機構30の上方、具体的にはウェハ支持部11よりも上方へと戻ることで、テンプレート洗浄機構30における一連の洗浄、乾燥処理が終了する。
When the drying of the pattern forming surface 21t by the
<本実施形態にかかる洗浄装置による効果>
本実施形態にかかるテンプレート洗浄機構30によれば、当該テンプレート洗浄機構30が転写装置1の内部に組み込まれて構成されているため、テンプレート21を転写機構20から取り外すことなく、インラインでの洗浄が可能になっている。すなわち、転写処理にあたってテンプレート21の洗浄をより効率的に行い、洗浄にかかる時間を短縮することができる。
<Effects of the cleaning apparatus according to this embodiment>
According to the
また、本実施形態にかかるテンプレート洗浄機構30によれば、凹部101およびパターン形成面21tにより洗浄空間Vが半密閉空間として形成され、かかる状態で排出部103からの減圧を行うことにより洗浄空間Vのシーリングが維持される。そして、このようなシーリングされた洗浄空間Vに洗浄液を供給することにより、テンプレート21に形成された転写パターンTの凹凸と洗浄液の流路とのギャップを小さくすることができるため、形成された転写パターンTに沿って適切にパターン形成面21tの洗浄を行うことができる。
Further, according to the
また、上述のように本実施形態にかかるテンプレート洗浄機構30によれば、洗浄液は図示しない洗浄液通流孔を介して洗浄空間Vの全体に供給されるため、更に適切にパターン形成面21tの洗浄を行うことができる。
Further, as described above, according to the
また上述のように、洗浄空間Vは上述のように半密閉空間であり、すなわち、テンプレート洗浄機構30とテンプレート21の間には狭ギャップが形成される。そして、かかる状態で排出部103からの減圧を行うことにより、洗浄空間Vには、前記狭ギャップから周囲の気流が取り込まれる。
Further, as described above, the cleaning space V is a semi-enclosed space as described above, that is, a narrow gap is formed between the
このように、洗浄処理にあたっては洗浄空間Vの外部から内部への気流が形成されるため、洗浄液が洗浄空間Vの外部、すなわち転写装置1の内部に飛散することが抑制される。これにより、洗浄液により転写装置1の内部を汚染することが抑制される。
As described above, in the cleaning process, an air flow from the outside to the inside of the cleaning space V is formed, so that the cleaning liquid is prevented from being scattered outside the cleaning space V, that is, inside the
また、本実施形態にかかるテンプレート洗浄機構30によれば、凹部101の外部に吸引部106がさらに設けられ、洗浄空間Vから飛散する洗浄液のミストを吸引捕集することができるため、転写装置1の内部への洗浄液の飛散をさらに適切に抑制できる。
Further, according to the
なお、流体供給部102と排出部103とは、それぞれ洗浄液の通流方向を切り替え可能に構成されていてもよい。すなわち、洗浄液を排出部103から洗浄空間Vの内部に供給し、流体供給部102から排出できるように、流体供給部102の機能と排出部103の機能を切り替え可能に構成されていてもよい。
The
このように、洗浄液の通流方向を切り替え可能に構成することにより、より効率的に洗浄空間Vの全体に洗浄液を供給することができ、すなわち、形成された転写パターンTに沿ったパターン形成面21tの洗浄をより適切に行うことができる。 In this way, by configuring the flow direction of the cleaning liquid to be switchable, the cleaning liquid can be more efficiently supplied to the entire cleaning space V, that is, the pattern formation surface along the formed transfer pattern T. 21t can be washed more appropriately.
またかかる場合、洗浄液の通流方向は、制御装置110によりスイッチング制御可能に構成されることが好ましい。具体的には、任意のタイミングで洗浄空間Vに対して供給、排出される洗浄液の通流方向を切り替え可能に構成されることが好ましい。
In such a case, the flow direction of the cleaning liquid is preferably configured to be switchable by the
そして、テンプレート21の洗浄にあたり、洗浄液の供給口と排出口を交互に変更(スイッチング制御)することにより、パターン形成面21tの洗浄をより効率的に行うことができる。すなわち、洗浄処理にかかる時間を短縮することができる。
In cleaning the
なお、本実施形態によれば、上述のように流体供給部102と排出部103とが、洗浄空間Vに対して対称に構成されているため、洗浄液の通流方向を切り替えた場合であっても洗浄液の供給を適切に行うことが可能である。
Note that, according to the present embodiment, since the
なお、テンプレート洗浄機構30によるテンプレート21の洗浄は、既述のように洗浄空間Vに洗浄液を通流することによって行ってもよいし、凹部101に洗浄液を満たし、かかる洗浄液にテンプレート21を浸漬することにより行ってもよい。また更に、凹部101の内面に対して振動を付与する、例えば超音波振動子を設置して、テンプレート21の洗浄時に発振させてもよい。
The
なお本実施形態によれば、図3に示したように、テンプレート21が凹部101に対して凸形状の転写パターンTを有する場合を例に説明を行ったが、図5に示すように、当然に凹部101に対して凹形状の転写パターンTを有するテンプレート21の洗浄を行ってもよい。
In addition, according to the present embodiment, as illustrated in FIG. 3, the case where the
また、以上の説明においては本実施形態にかかる洗浄装置を、転写装置1におけるテンプレート21の洗浄機構として採用したが、洗浄装置は他の任意の装置に採用することができる。例えば洗浄装置130は、図6に示すように任意の表面形状としてのスリットノズルNが形成されたプレート121の洗浄機構として採用されてもよい。また例えば、洗浄装置230は、図7に示すように任意の表面形状としての多点吐出口Mが形成されたプレート221の洗浄機構として採用されてもよい。
In the above description, the cleaning device according to the present embodiment is used as a cleaning mechanism for the
このように、本実施の形態にかかる洗浄装置は、洗浄対象としてのプレートを上面に嵌合させることで洗浄空間Vを形成して洗浄を行うことができ、かかるプレートの表面形状は上述のように任意に選択することができる。このように、洗浄装置の構成を変えることなくプレートの嵌合のみによって様々な表面形状のプレートの洗浄を行うことができる。 As described above, the cleaning apparatus according to the present embodiment can perform cleaning by forming the cleaning space V by fitting the plate as the cleaning target to the upper surface, and the surface shape of the plate is as described above. Can be arbitrarily selected. In this way, it is possible to clean plates having various surface shapes only by fitting the plates without changing the configuration of the cleaning device.
また上述のように、本実施の形態にかかる洗浄装置は、任意の装置(本実施形態においては転写装置1)においてインラインで洗浄を行うことができるようにコンパクトな構成を有するため、様々な装置に採用することができる。
Further, as described above, the cleaning apparatus according to the present embodiment has a compact configuration so that cleaning can be performed in-line in an arbitrary apparatus (
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲およびその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。 It should be thought that embodiment disclosed this time is an illustration and restrictive at no points. The above-described embodiments may be omitted, replaced, and modified in various forms without departing from the scope and spirit of the appended claims.
なお、以下のような構成も本考案の技術的範囲に属する。
(1)任意の形状を有するプレート表面の洗浄装置であって、
前記プレート表面が対向して配置される凹部を有する本体部と、
前記凹部に気体及び洗浄液を供給する第1の通流部と、
前記凹部から前記気体および前記洗浄液の排出を行い、前記凹部の雰囲気を減圧する第2の通流部と、を備える洗浄装置。
前記(1)によれば、任意の形状を有するプレート表面の洗浄を効率的に行うことができる。かかる際、洗浄装置における洗浄エリアを減圧雰囲気に維持することができるため、洗浄装置における洗浄液の飛散を抑制することができるとともに、洗浄液をプレート表面の全面に供給することができ、更に効率的に洗浄を行うことができる。
The following configurations also belong to the technical scope of the present invention.
(1) A plate surface cleaning apparatus having an arbitrary shape,
A main body having a concave portion facing the plate surface;
A first flow passage for supplying gas and cleaning liquid to the recess;
And a second flow passage that discharges the gas and the cleaning liquid from the recess and depressurizes the atmosphere of the recess.
According to the above (1), the plate surface having an arbitrary shape can be efficiently cleaned. At this time, since the cleaning area in the cleaning apparatus can be maintained in a reduced pressure atmosphere, the cleaning liquid can be prevented from being scattered in the cleaning apparatus, and the cleaning liquid can be supplied to the entire surface of the plate. Cleaning can be performed.
(2)前記凹部から飛散する前記洗浄液を捕集する洗浄液捕集部をさらに有する、前記(1)に記載の洗浄装置。
前記(2)によれば、凹部から外部に飛散する洗浄液のミストを捕集することができるため、洗浄液により雰囲気が汚染されるのを抑制することができる。
(2) The cleaning apparatus according to (1), further including a cleaning liquid collecting unit that collects the cleaning liquid scattered from the recess.
According to the above (2), since the mist of the cleaning liquid scattered from the concave portion to the outside can be collected, it is possible to prevent the atmosphere from being contaminated by the cleaning liquid.
(3)前記第1の通流部および前記第2の通流部に対する前記洗浄液の通流方向は切り替え可能に構成され、
前記第1の通流部および前記第2の通流部の機能を切り替え制御する制御部をさらに有する、前記(1)または(2)に記載の洗浄装置。
前記(3)によれば、プレート表面に対する洗浄液の通流方向を切り替えることができるため、プレート表面の洗浄をさらに効率的に行うことができる。
(3) The flow direction of the cleaning liquid with respect to the first flow portion and the second flow portion is configured to be switchable,
The cleaning apparatus according to (1) or (2), further including a control unit that switches and controls functions of the first flow unit and the second flow unit.
According to (3), since the flow direction of the cleaning liquid with respect to the plate surface can be switched, the cleaning of the plate surface can be performed more efficiently.
(4)前記凹部の外部において、前記プレート表面に対して気体を噴射する気体噴出口をさらに有する、前記(1)〜(3)いずれかに記載の洗浄装置。
前記(4)によれば、プレート表面の乾燥を適切に行うことができる。
(4) The cleaning apparatus according to any one of (1) to (3), further including a gas ejection port that ejects gas to the plate surface outside the concave portion.
According to said (4), the plate surface can be dried appropriately.
(5)前記凹部の外部において、前記凹部内面に対して振動を付与する振動素子をさらに有する、前記(1)〜(4)のいずれかに記載の洗浄装置。
前記(5)によれば、超音波振動子により洗浄液に振動を付与させつつ洗浄処理を行うことで、より効果的にプレート表面を洗浄が出来る。
(5) The cleaning device according to any one of (1) to (4), further including a vibration element that applies vibration to the inner surface of the recess outside the recess.
According to the above (5), the plate surface can be more effectively cleaned by performing the cleaning process while applying vibration to the cleaning liquid by the ultrasonic vibrator.
21 テンプレート
30 テンプレート洗浄機構
100 本体部
101 凹部
102 流体供給部
103 排出部
T 転写パターン
21
Claims (5)
前記プレート表面が対向して配置される凹部を有する本体部と、
前記凹部に気体及び洗浄液を供給する第1の通流部と、
前記凹部から前記気体および前記洗浄液の排出を行い、前記凹部の雰囲気を減圧する第2の通流部と、を備える洗浄装置。 An apparatus for cleaning a plate surface having an arbitrary shape,
A main body having a concave portion facing the plate surface;
A first flow passage for supplying gas and cleaning liquid to the recess;
And a second flow passage that discharges the gas and the cleaning liquid from the recess and depressurizes the atmosphere of the recess.
前記第1の通流部および前記第2の通流部の機能を切り替え制御する制御部をさらに有する、請求項1または2に記載の洗浄装置。 The flow direction of the cleaning liquid with respect to the first flow portion and the second flow portion is configured to be switchable,
The cleaning apparatus according to claim 1, further comprising a control unit that switches and controls functions of the first flow unit and the second flow unit.
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Family Applications (1)
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