JP3205076U - Treatment liquid supply device - Google Patents

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Abstract

【課題】液処理装置に処理液を供給するための供給元となる処理液ボトルにおいて、液処理装置の処理液の供給ラインに接続される処理液ボトルの内部空間で処理液の溶剤が蒸発しない構成の処理液供給装置を提供する。【解決手段】処理液ボトル30内の貯留処理液の溶剤の蒸発を抑えるように処理液ボトル30内の空間に溶剤雰囲気ガスを供給する。具体的には、処理液ボトル30の開口部に装着されたボトルキャップ19に溶剤雰囲気ガスを供給する溶剤雰囲気ガス供給ライン44を接続するとともに、溶剤雰囲気ガス供給ライン44に雰囲気供給バルブ45を設け、雰囲気供給バルブ45の開閉を制御部で制御する。【選択図】図3In a processing liquid bottle that is a supply source for supplying processing liquid to a liquid processing apparatus, the solvent of the processing liquid does not evaporate in the internal space of the processing liquid bottle connected to the processing liquid supply line of the liquid processing apparatus. Provided is a processing liquid supply apparatus having a configuration. Solvent atmosphere gas is supplied to a space in the processing liquid bottle 30 so as to suppress evaporation of the solvent of the stored processing liquid in the processing liquid bottle 30. Specifically, a solvent atmosphere gas supply line 44 for supplying a solvent atmosphere gas is connected to the bottle cap 19 attached to the opening of the treatment liquid bottle 30, and an atmosphere supply valve 45 is provided in the solvent atmosphere gas supply line 44. The opening and closing of the atmosphere supply valve 45 is controlled by the control unit. [Selection] Figure 3

Description

本考案は、半導体製造装置およびフラットパネルディスプレー製造装置などの基板にレジスト塗布処理などの液処理を行なうための処理液供給装置に関する。   The present invention relates to a processing liquid supply apparatus for performing liquid processing such as resist coating on a substrate such as a semiconductor manufacturing apparatus and a flat panel display manufacturing apparatus.

例えば半導体デバイスの製造におけるフォトレジスト処理工程は、半導体ウエハ(以下、「ウエハ」と称する。)などの基板の表面にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、次いで加熱乾燥させてからこのレジスト膜上に所定のパターンを露光することが行われる。   For example, a photoresist processing step in the manufacture of a semiconductor device is performed by applying a resist solution on the surface of a substrate such as a semiconductor wafer (hereinafter referred to as “wafer”) to form a resist film, and then heating and drying the resist. A predetermined pattern is exposed on the film.

このレジスト塗布処理装置は、塗布処理に必要な一連の処理を個別に行う塗布処理ユニットと備えている。塗布処理ユニットは、基板の表面にレジスト液を供給してレジスト膜を形成するための塗布処理を行う。レジスト塗布処理装置にはレジスト液塗布前に基板の冷却処理を冷却処理ユニットで行い塗布後に基板を加熱してレジスト膜を硬化させる塗布後加熱処理ユニットで行う処理装置が設けられている。   The resist coating apparatus includes a coating processing unit that individually performs a series of processes necessary for the coating process. The coating processing unit performs a coating process for supplying a resist solution to the surface of the substrate to form a resist film. The resist coating processing apparatus is provided with a processing apparatus for performing a cooling process on the substrate before coating with the resist solution by a cooling processing unit and heating the substrate after coating to cure the resist film to cure the resist film.

この塗布処理ユニットは、基板上にレジスト液を供給するための配管回路を備えており、レジストボトルに貯留されたレジスト液をプロセスレシピに設定されたタイミングで供給できるように構成されている。よって、塗布処理ユニット内のチャックに保持された基板にレジスト液を供給して基板を回転させることで基板に目的の厚みのレジスト膜を形成できるように構成されることが知られている(例えば、特許文献1参照)。   The coating processing unit includes a piping circuit for supplying a resist solution onto the substrate, and is configured to be able to supply the resist solution stored in the resist bottle at a timing set in the process recipe. Therefore, it is known that a resist film having a desired thickness can be formed on a substrate by supplying a resist solution to the substrate held by the chuck in the coating processing unit and rotating the substrate (for example, , See Patent Document 1).

特開2013−63411号公報(図1)JP2013-63411A (FIG. 1)

揮発性の高い有機溶剤を含む処理液(レジスト)はレジスト塗布装置の処理液供給ライン(ディスペンス配管)に送液するまでの間で揮発が進み処理液の濃度の変動を起こす。基板は濃度の異なる処理液によって処理されることになるのでロット内またはロット間で膜厚の均一性に影響を及ぼすことになる。   The processing liquid (resist) containing a highly volatile organic solvent is volatilized until the processing liquid is supplied to the processing liquid supply line (dispensing pipe) of the resist coating apparatus, causing the concentration of the processing liquid to fluctuate. Since the substrate is processed with processing solutions having different concentrations, the uniformity of the film thickness is affected within a lot or between lots.

例えば、新しい処理液ボトルと交換して処理液供給ラインに送液するには窒素ガスをレジストボトルに供給して、その圧力によって処理液ボトル内から強制排出させて送液を行う方法をとる。この様な場合の使用される窒素ガスはドライ窒素であり処理液ボトル内のレジスト液が消費された後の消費空間にドライ窒素が充満されることになる。この空間中で処理液に含まれる溶剤(シンナー)が揮発してしまい残留レジストの濃度が変わる要因となる。   For example, in order to exchange a new treatment liquid bottle and send it to the treatment liquid supply line, nitrogen gas is supplied to the resist bottle, and the liquid is forcibly discharged from the treatment liquid bottle by the pressure. The nitrogen gas used in this case is dry nitrogen, and the consumption space after the resist solution in the processing solution bottle is consumed is filled with dry nitrogen. In this space, the solvent (thinner) contained in the processing liquid volatilizes, which causes a change in the concentration of the residual resist.

本考案は、上記事情の問題点を解決するためになされたものであり、その目的は、処理液供給ラインに送液する処理液の濃度が変動しないように処理液ボトル内の処理液の溶剤の揮発を抑える機構を提供することにある。   The present invention has been made to solve the problems of the above circumstances, and its purpose is to prevent the concentration of the processing liquid sent to the processing liquid supply line from changing the concentration of the processing liquid in the processing liquid bottle. It is to provide a mechanism for suppressing the volatilization of water.

上記課題を解決するために本考案の処理液供給装置は、基板に揮発性の溶剤を含む処理液を供給して塗布膜を形成する装置の処理液供給装置であって、基板に向けて処理液を供給する供給ノズルと、新規の処理液が充填された交換用の処理液ボトルと、前記処理液ボトルの開口部に装着されて前記処理液ボトル内の処理液を送液する処理液供給配管が接続されたボトルキャップと、前記処理液ボトルから送液されて貯留可能に構成された中間貯留部と、前記処理液を濾過するフィルタと、前記供給ノズルの上流側に設けられて濾過された処理液を前記供給ノズルに向けて送液するポンプと、前記ボトルキャップに接続され溶剤雰囲気ガスを供給する溶剤雰囲気ガス供給ラインと、前記溶剤雰囲気ガス供給ラインに設けられ溶剤雰囲気ガスの供給の開閉を行う雰囲気供給バルブと、前記雰囲気供給バルブの開閉を制御する制御部と、を備えていることを特徴とする(請求項1)。   In order to solve the above problems, a processing liquid supply apparatus of the present invention is a processing liquid supply apparatus for forming a coating film by supplying a processing liquid containing a volatile solvent to a substrate, and processing the substrate toward the substrate. A supply nozzle for supplying a liquid, a replacement processing liquid bottle filled with a new processing liquid, and a processing liquid supply which is attached to the opening of the processing liquid bottle and sends the processing liquid in the processing liquid bottle A bottle cap to which piping is connected, an intermediate reservoir configured to be stored by being fed from the treatment liquid bottle, a filter for filtering the treatment liquid, and provided upstream of the supply nozzle for filtration. A pump for feeding the treated liquid toward the supply nozzle, a solvent atmosphere gas supply line connected to the bottle cap for supplying solvent atmosphere gas, and a solvent atmosphere gas supply line provided in the solvent atmosphere gas supply line. Atmosphere and supply valve for opening and closing, characterized in that it comprises a control unit for controlling the opening and closing of the atmosphere supply valve (claim 1).

このように構成することによって、新規の処理液ボトルに交換されてセッティングされて処理液が送液されて空間領域が拡大したとしても処理液ボトル内部に溶剤雰囲気ガスを供給するので処理液に含まれる溶剤自体の揮発量を抑えることができる。   By configuring in this manner, even if the processing liquid is exchanged and set by replacing with a new processing liquid bottle and the space area is expanded, the solvent atmosphere gas is supplied to the inside of the processing liquid bottle, so it is included in the processing liquid. The amount of volatilization of the solvent itself can be suppressed.

また、本考案において、本考案の処理液供給装置の前記制御部は、前記溶剤雰囲気ガスの供給をするときに前記処理液ボトルにボトル加圧用のガスを供給して加圧をする加圧ラインを大気開放に切替えて、且つ中間貯留部に送液する中間貯留部供給ラインに設けられる中間貯留部開閉バルブを閉じるように制御することを特徴とする(請求項2)。   In the present invention, the control unit of the processing liquid supply apparatus of the present invention supplies a pressurizing line for supplying a gas for pressurizing the bottle to the processing liquid bottle when the solvent atmosphere gas is supplied. Is controlled so as to close the intermediate reservoir opening / closing valve provided in the intermediate reservoir supply line that supplies liquid to the intermediate reservoir and supplies the liquid to the intermediate reservoir (Claim 2).

このように構成することによって、溶剤雰囲気ガスを処理ボトルにスムーズに供給(導入)し内部の窒素雰囲気を置換することができる。   By comprising in this way, solvent atmosphere gas can be smoothly supplied (introduced) to a process bottle, and internal nitrogen atmosphere can be substituted.

また、本考案において、本考案の処理液供給装置の前記ボトルキャップは、処理液ボトル内の湿度を検出する湿度検出手段が設けられている。さらに本考案の処理液供給装置の前記制御部は、前記処理液ボトルの内部空間の湿度が所定の湿度以下になったときに前記溶剤雰囲気ガスを処理液ボトル内に供給するように雰囲気供給バルブの開閉を制御することを特徴とする。また、前記制御部は、湿度設定値に基づいて前記処理液ボトル内の湿度が前記所定の湿度になるように前記溶剤雰囲気ガスの供給を行うように制御することを特徴とする(請求項3、請求項4、請求項5)。   In the present invention, the bottle cap of the processing liquid supply apparatus of the present invention is provided with humidity detecting means for detecting the humidity in the processing liquid bottle. Further, the control unit of the processing liquid supply apparatus of the present invention is configured to supply an atmosphere supply valve so that the solvent atmosphere gas is supplied into the processing liquid bottle when the humidity of the internal space of the processing liquid bottle becomes equal to or lower than a predetermined humidity. It is characterized by controlling opening and closing. Further, the control unit controls the supply of the solvent atmosphere gas so that the humidity in the processing liquid bottle becomes the predetermined humidity based on a humidity setting value. , Claim 4 and Claim 5).

また、本考案において、本考案の処理液供給装置に備わる前記処理液ボトルの下方には前記処理液ボトルを載置して重量を検出する重量検知部が設けられ、前記制御部は重量によって設定された前記溶剤雰囲気ガスの供給時間を制御することを特徴とする(請求項6)。   In the present invention, a weight detection unit is provided below the processing liquid bottle provided in the processing liquid supply device of the present invention to detect the weight by placing the processing liquid bottle, and the control unit is set by weight. The supply time of the solvent atmosphere gas is controlled (claim 6).

このように構成することによって、処理液ボトルの処理液が消費された残量から処理液ボトル内部の空間容積が分かるので、その空間に供給される溶剤雰囲気ガスの量も予め時間で設定することが出来るので無駄がなく最適な時間だけ供給することが出来る。   With this configuration, since the space volume inside the processing liquid bottle can be determined from the remaining amount of processing liquid consumed in the processing liquid bottle, the amount of solvent atmosphere gas supplied to the space is also set in advance in time. It is possible to supply only the optimal time without waste.

また、本考案において、本考案の処理液供給装置の前記制御部は、前記中間貯留部に処理液が供給されるごとに所定の時間だけ前記溶剤雰囲気を前記処理液ボトルに供給するように制御することを特徴とする(請求項7)。   Further, in the present invention, the control unit of the processing liquid supply device of the present invention controls to supply the solvent atmosphere to the processing liquid bottle for a predetermined time each time the processing liquid is supplied to the intermediate storage unit. (Claim 7).

このように構成することによって、溶剤雰囲気ガスを処理ボトル内の消費空間が増すごとに供給するので処理液の溶剤の蒸発が抑えられる。   By comprising in this way, since solvent atmosphere gas is supplied whenever the consumption space in a process bottle increases, the evaporation of the solvent of a process liquid is suppressed.

以上に説明したように、本考案の処理液供給装置は、処理液ボトル内に貯留されている処理液が消費される過程で生じる空間領域中に残存処理液からの溶剤の蒸発を抑えることが出来る。よって、処理液の濃度の変化が抑えられている状態が維持されたまま基板に処理液が供給されることになり、濃度変化分による粘度影響が抑えられて膜厚均一性を安定させる効果が得られる。   As described above, the processing liquid supply apparatus of the present invention can suppress the evaporation of the solvent from the remaining processing liquid in the space region generated in the process of consuming the processing liquid stored in the processing liquid bottle. I can do it. Therefore, the processing liquid is supplied to the substrate while maintaining the state in which the change in the concentration of the processing liquid is suppressed, and the effect of the viscosity due to the concentration change is suppressed and the film thickness uniformity is stabilized. can get.

さらに、処理液ボトル内部で処理液に吸収されてパーティクルになり得る成分(例えば、窒素、大気開放時の空気)を処理液ボトルから押し出すことで処理液の劣化や成分が安定する効果が得られる。   Further, by extruding a component (for example, nitrogen or air at the time of opening to the atmosphere) that can be absorbed into the processing liquid inside the processing liquid bottle to become particles from the processing liquid bottle, an effect of stabilizing the processing liquid or stabilizing the components can be obtained. .

本考案に係るレジスト塗布現像処理装置の平面図である。1 is a plan view of a resist coating and developing apparatus according to the present invention. 本考案に係るレジスト塗布現像処理装置の斜視図である。1 is a perspective view of a resist coating and developing treatment apparatus according to the present invention. 本考案に係る処理液供給装置の配管構成図である。It is a piping lineblock diagram of the processing liquid supply device concerning the present invention. 本考案に係る溶剤雰囲気供給ラインと溶剤雰囲気発生タンクの構成図である。It is a block diagram of a solvent atmosphere supply line and a solvent atmosphere generation tank according to the present invention.

以下にこの考案に係るレジスト塗布現像処理装置を説明する。処理液供給装置は、例えば液処理装置であるレジスト塗布現像処理装置で使用されるレジスト液を供給元となる処理液ボトルであるレジスト液ガロンビンから送液してレジスト液塗布装置内の半導体基板の表面にレジスト液を供給するまでを示しており、レジスト塗布現像処理装置に組み込まれて液処理装置と連動して動作する構成を成している。処理液供給装置が組み込まれるレジスト塗布現像処理装置の形態として、図1,図2の半導体基板であるウエハWのレジスト塗布現像処理装置に適用した場合について説明する。レジスト塗布現像処理装置は、キャリアブロックS1が設けられており、その載置台21上に載置された密閉型の基板収納容器であるキャリア20から開閉部22を介して受け渡しアームCがウエハWを取り出して、キャリアブロックS1の奥側に筐体24で囲まれた処理ブロックS2に受け渡し、処理ブロックS2から受け渡しアームCが処理済みのウエハWを受け取ってキャリア20に戻すように構成されている。   A resist coating and developing apparatus according to the present invention will be described below. The processing liquid supply device, for example, sends a resist liquid used in a resist coating and developing processing apparatus, which is a liquid processing apparatus, from a resist liquid gallon bin, which is a processing liquid bottle, which is a supply source. It shows the process until the resist solution is supplied to the surface, and is configured to operate in conjunction with the solution processing apparatus by being incorporated in the resist coating and developing processing apparatus. As a form of the resist coating and developing apparatus in which the processing liquid supply apparatus is incorporated, a case where the present invention is applied to the resist coating and developing apparatus for the wafer W, which is the semiconductor substrate of FIGS. In the resist coating and developing apparatus, a carrier block S1 is provided, and a transfer arm C receives a wafer W from a carrier 20 which is a hermetically sealed substrate storage container mounted on the mounting table 21 via an opening / closing part 22. The wafer W is taken out and transferred to the processing block S2 surrounded by the casing 24 on the back side of the carrier block S1, and the transfer arm C is configured to receive the processed wafer W from the processing block S2 and return it to the carrier 20.

前記処理ブロックS2は、図2に示すように、この例では現像処理を行うため現像処理装置の第1のブロック(DEV層)B1,B2、本考案の対象となるレジスト膜の下層側に形成される反射防止膜の形成処理を行うため下層反射防止膜塗布装置が設けられる第2のブロック(BCT層)B3、本考案の対象となるレジスト膜の塗布を行うためレジスト塗布処理装置が設けられる第3のブロック(COT層)B4、本考案の対象となるレジスト膜の上層側に形成される反射防止膜の形成を行うため上層反射防止膜塗布装置の第4のブロック(TCT層)B5を、下から順に積層して構成されている。   As shown in FIG. 2, the processing block S2 is formed in the first block (DEV layer) B1 and B2 of the development processing apparatus and the lower layer side of the resist film which is the subject of the present invention in order to perform development processing in this example. The second block (BCT layer) B3 provided with a lower antireflection film coating apparatus for performing the antireflection film forming process, and a resist coating processing apparatus for coating the resist film to be the subject of the present invention are provided. The third block (COT layer) B4, the fourth block (TCT layer) B5 of the upper antireflection film coating apparatus for forming the antireflection film formed on the upper layer side of the resist film to be the subject of the present invention. The layers are laminated in order from the bottom.

レジスト塗布現像処理装置は、第1のブロック(DEV層)B1,B2、レジスト膜の下層側に形成される反射防止膜の形成処理を行うための第2のブロック(BCT層)B3、レジスト膜の塗布を行うための第3のブロック(COT層)B4、レジスト膜の上層側に形成される反射防止膜の形成を行うための第4のブロック(TCT層)B5、により構成される。   The resist coating and developing apparatus includes a first block (DEV layer) B1 and B2, a second block (BCT layer) B3 for performing an antireflection film forming process formed on the lower layer side of the resist film, a resist film And a fourth block (TCT layer) B5 for forming an antireflection film formed on the upper layer side of the resist film.

例えば、第4のブロック(COT層)B4を例にとると、各層については、図1に示すように、COTユニット31内にレジストを塗布処理するカップが例えば3個設けられている。そして、搬送アームA4の直線搬送を挟む形で加熱及び冷却系の処理ユニット群U1,U2,U3,U4がそれぞれ前記直線搬送路に面して並べられている。この処理ユニット群U1,U2,U3,U4はそれぞれ2段に構成されており、図1の図面では合計8個の処理ユニットが存在することになる。   For example, taking the fourth block (COT layer) B4 as an example, as shown in FIG. 1, for each layer, for example, three cups for applying a resist are provided in the COT unit 31. Then, heating and cooling processing unit groups U1, U2, U3, U4 are arranged facing the straight conveyance path so as to sandwich the straight conveyance of the conveyance arm A4. The processing unit groups U1, U2, U3, U4 are each configured in two stages, and there are a total of eight processing units in the drawing of FIG.

更に処理ブロックS2には、図1に示すように棚ユニットU5(詳細構成は図示せず)が設けられ、キャリアブロックS1からのウエハWは、受け渡しアームCによって棚ユニットU5の受け渡しユニットとなる3本のピンが立設してなるトラジションステージTRS1,TRS2(図示省略)に受け渡されて、第2のブロック(BCT層)B2の対応する冷却処理ユニットCPL2(クーリングプレート)(図示省略)に、棚ユニットU5の横近傍に設けられた昇降自在な受け渡しアームDによって順次搬送される。また、処理ブロックS2のキャリアブロックS1と反対側のインターフェイスブロックS3に隣接する位置には棚ユニットU6が設けられている。棚ユニットU6は棚ユニットU5と同様に構成されており、受け渡しアームEでウエハWを各層に昇降可能に構成されている。なお、棚ユニットU5は、図示しないクーリングプレートCPL、トラジションステージTRS1,TRS2が複数を備えておりそれらを積層して構成されている。また、棚ユニットU6(詳細構成は図示せず)は、棚ユニットU5と同様に構成されている。   Further, the processing block S2 is provided with a shelf unit U5 (detailed configuration is not shown) as shown in FIG. 1, and the wafer W from the carrier block S1 becomes a delivery unit of the shelf unit U5 by the delivery arm C 3 It is transferred to transition stages TRS1 and TRS2 (not shown) formed by standing up to two pins, and is supplied to a corresponding cooling processing unit CPL2 (cooling plate) (not shown) of the second block (BCT layer) B2. Then, it is sequentially conveyed by a transfer arm D that is movable up and down provided in the vicinity of the shelf unit U5. A shelf unit U6 is provided at a position adjacent to the interface block S3 on the opposite side of the processing block S2 from the carrier block S1. The shelf unit U6 is configured in the same manner as the shelf unit U5, and is configured so that the wafer W can be moved up and down by each transfer arm E. Note that the shelf unit U5 includes a plurality of cooling plates CPL and transition stages TRS1 and TRS2 (not shown), which are stacked. Further, the shelf unit U6 (detailed configuration is not shown) is configured similarly to the shelf unit U5.

前記第2のブロック(BCT層)B2内の搬送アームA3(詳細構成は図示せず)は、棚ユニットU5の冷却処理ユニットCPLからウエハWを受け取って、各ユニット(反射防止膜ユニット及び加熱・冷却系の処理ユニット群)に搬送し、これらユニットにてウエハWには反射防止膜が形成される。同様にして、BCT層B2で処理の完了したウエハWは棚ユニットU6の冷却処理ユニットCPLに搬送されて受け渡しアームEによりCOT層B4に対応する冷却処理ユニットCPLに搬送されてCOT層B4の搬送アームA4によって各処理ユニットに運ばれてレジスト塗布処理が行われる。   The transfer arm A3 (detailed configuration is not shown) in the second block (BCT layer) B2 receives the wafer W from the cooling processing unit CPL of the shelf unit U5 and receives each unit (antireflection film unit and heating / heating unit). An antireflection film is formed on the wafer W by these units. Similarly, the wafer W processed in the BCT layer B2 is transferred to the cooling processing unit CPL of the shelf unit U6 and transferred to the cooling processing unit CPL corresponding to the COT layer B4 by the transfer arm E to transfer the COT layer B4. The resist coating process is carried out by the arm A4 to each processing unit.

この後は冷却処理ユニットCPLに運ばれ、前述と同様に受け渡しアームDが受け取り冷却処理ユニットCPLに受け渡されてTCT層B5の搬送アームA5(詳細構成は図示せず)によって目的の反射防止膜処理がなされる。この後に棚ユニットU6の冷却ユニットCPLに受け渡されて、受け渡しアームEによりトラジションステージTRS3,TRS4(図示省略)にウエハWが受け渡される。このウエハWをインターフェイスブロックS3にある受け渡しアームFにより露光機S4に受け渡しをすることになる。露光機S4から搬出されたウエハWは受け渡しアームFが受け取り、ウエハWを支持するための3ピンが出没可能に構成されてなる冷却処理ユニットCPLに受け渡された後、現像処理がDEV層B1,B2(詳細構成は図示せず)にて行われる。その後、冷却処理ユニットCPLに受け渡されて通過させてキャリアブロックS1の受け渡しアームCが受け取ってキャリア20に収納される。   Thereafter, it is transported to the cooling processing unit CPL, and the transfer arm D is transferred to the receiving cooling processing unit CPL in the same manner as described above, and the target antireflection film is transferred by the transfer arm A5 (details not shown) of the TCT layer B5. Processing is done. Thereafter, the wafer W is delivered to the cooling unit CPL of the shelf unit U6, and the wafer W is delivered to the transition stages TRS3 and TRS4 (not shown) by the delivery arm E. This wafer W is transferred to the exposure machine S4 by the transfer arm F in the interface block S3. The wafer W unloaded from the exposure machine S4 is received by the transfer arm F, and transferred to a cooling processing unit CPL configured so that three pins for supporting the wafer W can be protruded and retracted, and then development processing is performed on the DEV layer B1. , B2 (detailed configuration is not shown). After that, it is transferred to the cooling processing unit CPL and passed therethrough, and the transfer arm C of the carrier block S1 is received and stored in the carrier 20.

図3、図4を使って本考案の処理液供給装置を説明する。本考案の処理液供給装置では図4に図示するボトル30の関係する構成と図3に図示するボトル30から吐出ノズル55までを言う。例えば、図1のCOTユニット26(詳細な図示せず)にはウエハWを回転自在で吸着保持できるスピンチャック29と、このスピンチャック29を囲むように設けられる処理カップ28を備えており、スピンチャック29に吸着されたウエハW上面に吐出ノズル55から例えばレジスト液を適量吐出して厚さが均一に近い塗布膜を形成する液処理が行われる。   The processing liquid supply apparatus of the present invention will be described with reference to FIGS. In the processing liquid supply apparatus of the present invention, the configuration related to the bottle 30 illustrated in FIG. 4 and the bottle 30 to the discharge nozzle 55 illustrated in FIG. For example, the COT unit 26 (not shown in detail) in FIG. 1 includes a spin chuck 29 that can rotatably hold the wafer W and a processing cup 28 that is provided so as to surround the spin chuck 29. For example, an appropriate amount of resist solution is discharged from the discharge nozzle 55 onto the upper surface of the wafer W adsorbed by the chuck 29 to form a coating film having a nearly uniform thickness.

次に図3に説明するディスペンスシステム70の最下流となるレジスト液の吐出ノズル55から上流側の配置を順に説明する。吐出バルブ55の上流側には供給ライン51の配管で接続される所定のタイミングでレジスト液を吐出するためのディスペンスバルブ54がありその上流にレジスト液を送液するための供給ポンプ53とレジスト液を濾過するフィルタ52と流路遮断用の流路バルブ50が設けられている。   Next, the arrangement on the upstream side from the discharge nozzle 55 of the resist solution that is the most downstream of the dispensing system 70 described in FIG. 3 will be described in order. On the upstream side of the discharge valve 55, there is a dispense valve 54 for discharging the resist solution at a predetermined timing connected by the piping of the supply line 51, and a supply pump 53 and a resist solution for feeding the resist solution upstream thereof. A filter 52 and a flow path valve 50 for blocking the flow path are provided.

流路バルブ50の上流側には所定量のレジスト液を一時的に溜め置くための中間タンク33とこの中間タンク33にレジスト液を供給する交換可能なボトル30を備え、このボトル30と中間タンク33の間の配管34には中間タンク供給バルブ32が設けられる。   An upstream side of the flow path valve 50 is provided with an intermediate tank 33 for temporarily storing a predetermined amount of resist solution and a replaceable bottle 30 for supplying the resist solution to the intermediate tank 33. The bottle 30 and the intermediate tank An intermediate tank supply valve 32 is provided in the pipe 34 between the pipes 33.

中間タンク33には貯留液量を検出する3つの液面検出手段が設けられ、この中間タンク33の液量が不足してボトル30からのレジスト液の供給を開始させるための下限センサ38と液量が所定値に達して中間タンク30への供給を停止させる上限センサ37と貯留量の最下限を検出する下限センサ39を備えている。中間タンク33の上部にはレジスト液の供給時にドレイン36の配管を開くドレインバルブ35と中間タンク33を加圧してレジスト液を圧送するために窒素を供給する中間タンク加圧ライン14と逆支弁15と窒素供給の開閉を行う加圧バルブ16が接続される。   The intermediate tank 33 is provided with three liquid level detecting means for detecting the amount of stored liquid, and the lower limit sensor 38 and the liquid for starting the supply of the resist solution from the bottle 30 when the liquid amount in the intermediate tank 33 is insufficient. An upper limit sensor 37 for stopping the supply to the intermediate tank 30 when the amount reaches a predetermined value and a lower limit sensor 39 for detecting the minimum lower limit of the storage amount are provided. Above the intermediate tank 33, a drain valve 35 that opens the pipe of the drain 36 when supplying the resist solution, an intermediate tank pressurizing line 14 that supplies nitrogen to pressurize the intermediate solution 33 and pressurize the resist solution, and a reverse valve 15. And a pressure valve 16 for opening and closing the nitrogen supply.

次にボトル30の加圧と本考案の構成の主要部を説明する。ボトル30の開口部にはボトルキャップ19が接続されて封止されて外気と直接触れない構造を有している。ボトルキャップ19には中間タンク33へ送液するための供給チューブ31が貫通してボトル底部まで延びている。さらに窒素による加圧をおこなうための配管と圧力を調整するレギュレータ10とその開閉を行うボトル加圧バルブ18を備えた加圧ライン11が接続されている。このボトル加圧バルブ18にはボトル30の内圧を抜くための開放側に切り替えることが出来るとともに圧力開放調整バルブ13に接続されて大気開放することが出来る。さらにボトル30内部に例えばレジスト液の溶剤であるシンナーと同じ溶剤雰囲気ガスを供給する雰囲気ガス供給ライン44の配管がボトルキャップ19に接続されている。   Next, the pressurization of the bottle 30 and the main part of the configuration of the present invention will be described. A bottle cap 19 is connected to the opening of the bottle 30 and sealed to prevent direct contact with outside air. A supply tube 31 for feeding liquid to the intermediate tank 33 passes through the bottle cap 19 and extends to the bottom of the bottle. Further, a pressure line 11 including a pipe for performing pressurization with nitrogen, a regulator 10 for adjusting the pressure, and a bottle pressurization valve 18 for opening and closing the pressure is connected. The bottle pressurizing valve 18 can be switched to an open side for releasing the internal pressure of the bottle 30 and can be connected to the pressure release adjusting valve 13 to be opened to the atmosphere. Further, a pipe of an atmosphere gas supply line 44 that supplies the same solvent atmosphere gas as, for example, a thinner that is a solvent of the resist solution, is connected to the bottle cap 19 inside the bottle 30.

溶剤雰囲気ガスの生成には、溶剤雰囲気発生タンク43にシンナー供給配管41から供給されて貯留された状態のシンナー液中に窒素を窒素供給配管が接続されてN2供給バルブ42の開閉によって供給してバブリングさせることにより生成する。生成された溶剤雰囲気ガスを雰囲気ガス供給バルブ45を開いてボトル30内に供給する。ここで、溶剤雰囲気ガスとは、処理液(ここでは、レジスト液)に含まれる溶剤(ここでは、シンナー)が気化した気体を含有するガスを指す。溶剤が気化した気体の含有比率(濃度)は特に限定されるものではなく、溶剤が気化した気体のみからなるガスでもよく、他の気体(ここでは、窒素)が混合されたガスでもよい。他の気体と混合する場合には、溶剤が気化した気体と反応したり或は溶剤が気化した気体を劣化させることがないよう考慮し、不活性ガスを用いるのが好ましい。   In the generation of the solvent atmosphere gas, nitrogen is supplied to the solvent atmosphere generation tank 43 from the thinner supply pipe 41 and stored and supplied by opening and closing the N2 supply valve 42 with the nitrogen supply pipe connected thereto. Generated by bubbling. The generated solvent atmosphere gas is supplied into the bottle 30 by opening the atmosphere gas supply valve 45. Here, the solvent atmosphere gas refers to a gas containing a gas obtained by vaporizing a solvent (here, thinner) contained in a processing solution (here, a resist solution). The content ratio (concentration) of the gas vaporized by the solvent is not particularly limited, and may be a gas composed only of the gas vaporized by the solvent, or may be a gas mixed with another gas (here, nitrogen). In the case of mixing with other gases, it is preferable to use an inert gas in consideration of the reaction of the solvent with the vaporized gas or the deterioration of the vaporized gas of the solvent.

次に溶剤雰囲気ガスの供給までの流れを説明する。レジスト液が吐出ノズル55より吐出されて中間タンク33の貯留量が減り下限センサ38で液面が検出されると制御部40によりボトル加圧バルブ18と中間タンク供給バルブ32が開かれてボトル30が窒素により加圧されるとともにボトル30から中間タンク33に送液されて上限センサ37が液面を検出して送液が停止される。   Next, the flow up to the supply of the solvent atmosphere gas will be described. When the resist solution is discharged from the discharge nozzle 55 and the storage amount of the intermediate tank 33 is reduced and the liquid level is detected by the lower limit sensor 38, the control unit 40 opens the bottle pressurizing valve 18 and the intermediate tank supply valve 32 to open the bottle 30. Is pressurized by nitrogen and fed from the bottle 30 to the intermediate tank 33, the upper limit sensor 37 detects the liquid level, and the feeding is stopped.

このときにボトル30の内部は送液された量分の消費空間領域にドライ窒素が供給されておりレジスト液の溶剤の蒸発が始まっている。ボトル30の窒素加圧を停止すると同時にボトル加圧バルブ18を大気開放側に切り替え後に雰囲気ガス供給バルブ45を開けて溶剤雰囲気ガスをボトル30内部に供給して消費空間領域の窒素と置換を行う。溶剤雰囲気ガスはN2供給バルブ42を開いて溶剤雰囲気発生タンク43内をバブリングさせることも連動させて良い。   At this time, the inside of the bottle 30 is supplied with dry nitrogen in the consumption space region corresponding to the amount of liquid sent, and the evaporation of the solvent of the resist solution has begun. The nitrogen pressurization of the bottle 30 is stopped and at the same time the bottle pressurization valve 18 is switched to the atmosphere open side, and then the atmospheric gas supply valve 45 is opened to supply the solvent atmospheric gas into the bottle 30 to replace the nitrogen in the consumption space region. . The solvent atmosphere gas may be linked to opening the N2 supply valve 42 and bubbling the inside of the solvent atmosphere generation tank 43.

このようにボトル30内部に溶剤雰囲気ガスを供給することによりボトル30内部に貯留されているレジスト液からの溶剤の蒸発が抑えられることになり、よってレジスト液の濃度変化が抑えられるので中間タンク33以降から吐出ノズル55の配管中においても均質な濃度を維持できるので成膜時の膜厚均一性に影響を与えることがない。   By supplying the solvent atmosphere gas to the inside of the bottle 30 in this way, the evaporation of the solvent from the resist solution stored in the bottle 30 is suppressed, so that the change in the concentration of the resist solution can be suppressed. Thereafter, a uniform concentration can be maintained even in the piping of the discharge nozzle 55, so that the film thickness uniformity during film formation is not affected.

前述の構成のボトルキャップ19に湿度検出手段としての湿度センサ36を取り付けてボトル30内部の湿度をモニターする。これにより雰囲気ガスの供給の開始と停止を制御部40で制御してもよい。ボトル30内部での湿度と雰囲気ガスの相関データを制御部40に記憶しておいて所定の湿度以下になれば雰囲気ガスを供給するようにできる。   A humidity sensor 36 as a humidity detecting means is attached to the bottle cap 19 having the above-described configuration, and the humidity inside the bottle 30 is monitored. Thereby, the start and stop of the supply of the atmospheric gas may be controlled by the control unit 40. Correlation data between the humidity inside the bottle 30 and the atmospheric gas is stored in the control unit 40, and the atmospheric gas can be supplied if the humidity is below a predetermined humidity.

次にボトル30への雰囲気ガスの供給をボトル30のレジスト液の貯留量を重量センサ値から消費空間領域の容積を推定することができるので雰囲気ガスの供給時間を最適化することができる。例えば、ボトル30の下方に重量検出部としての重量センサ46を設け、重量センサ46に載置したボトル30の重量を検出し、重量センサ46で液面Aに相当する重量における消費空間領域では雰囲気ガス供給時間を5秒に、液面Bに相当する重量に置ける消費空間領域では雰囲気ガスを25秒に設定する。また、前述の湿度センサ36と組み合わせて設定時間内での置換が確実に終わっているかを湿度センサ36の値によって判定させることもできる。   Next, since the atmosphere gas is supplied to the bottle 30 and the volume of the consumption space region can be estimated from the weight sensor value of the amount of resist solution stored in the bottle 30, the supply time of the atmosphere gas can be optimized. For example, a weight sensor 46 serving as a weight detection unit is provided below the bottle 30 to detect the weight of the bottle 30 placed on the weight sensor 46, and the atmosphere in the consumption space region at the weight corresponding to the liquid level A by the weight sensor 46. The gas supply time is set to 5 seconds, and the atmosphere gas is set to 25 seconds in the consumption space region where the gas can be placed at a weight corresponding to the liquid level B. Further, in combination with the humidity sensor 36 described above, it can be determined by the value of the humidity sensor 36 whether the replacement within the set time has been completed.

上記実施形態では、この考案に係る処理液供給装置を半導体のレジスト塗布現像装置システムに適用した場合について説明をしたが、この考案に係る処理液供給装置は、FPD基板の処理システムや洗浄装置にも適用できることは勿論のことである。   In the above embodiment, the case where the processing liquid supply apparatus according to the present invention is applied to a semiconductor resist coating and developing apparatus system has been described. However, the processing liquid supply apparatus according to the present invention is applied to an FPD substrate processing system and a cleaning apparatus. Of course, the above can also be applied.

18 ボトル加圧バルブ
19 ボトルキャップ
30 ボトル
32 中間タンク供給バルブ
33 中間タンク
36 湿度センサ
40 制御部
43 溶剤雰囲気発生タンク
44 雰囲気ガスライン
45 雰囲気ガス供給バルブ
46 重量センサ
18 Bottle pressure valve 19 Bottle cap 30 Bottle 32 Intermediate tank supply valve 33 Intermediate tank 36 Humidity sensor 40 Controller 43 Solvent atmosphere generation tank 44 Atmosphere gas line 45 Atmosphere gas supply valve 46 Weight sensor

また、本考案において、本考案の処理液供給装置の前記制御部は、前記中間貯留部に処理液が供給されるごとに所定の時間だけ前記溶剤雰囲気ガスを前記処理液ボトルに供給するように制御することを特徴とする(請求項7)。 In the present invention, the control unit of the processing liquid supply apparatus of the present invention supplies the solvent atmosphere gas to the processing liquid bottle for a predetermined time each time the processing liquid is supplied to the intermediate storage unit. It is characterized by controlling (Claim 7).

Claims (7)

基板に揮発性の溶剤を含む処理液を供給して塗布膜を形成する装置の処理液供給装置であって、
基板に向けて処理液を供給する供給ノズルと、
新規の処理液が充填された交換用の処理液ボトルと、
前記処理液ボトルの開口部に装着されて前記処理液ボトル内の処理液を送液する処理液供給配管が接続されたボトルキャップと、
前記処理液ボトルから送液されて貯留可能に構成された中間貯留部と、前記処理液を濾過するフィルタと、前記供給ノズルの上流側に設けられて濾過された処理液を前記供給ノズルに向けて送液するポンプと、
前記ボトルキャップに接続され溶剤雰囲気ガスを供給する溶剤雰囲気ガス供給ラインと、
前記溶剤雰囲気ガス供給ラインに設けられ溶剤雰囲気ガスの供給の開閉を行う雰囲気供給バルブと、
前記雰囲気供給バルブの開閉を制御する制御部と、
を備えていることを特徴とする処理液供給装置。
A processing liquid supply device for an apparatus for forming a coating film by supplying a processing liquid containing a volatile solvent to a substrate,
A supply nozzle for supplying a processing liquid toward the substrate;
A replacement treatment liquid bottle filled with a new treatment liquid;
A bottle cap connected to a treatment liquid supply pipe that is attached to the opening of the treatment liquid bottle and feeds the treatment liquid in the treatment liquid bottle;
An intermediate reservoir configured to be stored by being fed from the treatment liquid bottle, a filter for filtering the treatment liquid, and a filtered treatment liquid provided upstream of the supply nozzle toward the supply nozzle A pump for feeding liquid,
A solvent atmosphere gas supply line connected to the bottle cap and supplying a solvent atmosphere gas;
An atmosphere supply valve provided in the solvent atmosphere gas supply line for opening and closing the supply of the solvent atmosphere gas;
A control unit for controlling opening and closing of the atmosphere supply valve;
A treatment liquid supply apparatus comprising:
前記制御部は、前記溶剤雰囲気ガスの供給をするときに前記処理液ボトルにボトル加圧用のガスを供給して加圧をする加圧ラインを大気開放に切替えて、且つ中間貯留部に送液する中間貯留部供給ラインに設けられる中間貯留部開閉バルブを閉じるように制御することを特徴とする請求項1に記載の処理液供給装置。   The control unit switches a pressurization line for supplying a gas for pressurizing the bottle to the processing liquid bottle when the solvent atmosphere gas is supplied and pressurizing it to the atmosphere, and sends the liquid to the intermediate storage unit. The processing liquid supply apparatus according to claim 1, wherein control is performed so as to close an intermediate reservoir opening / closing valve provided in the intermediate reservoir supply line. 前記ボトルキャップは、処理液ボトル内の湿度を検出する湿度検出手段が設けられていることを特徴とする請求項1又は2に記載の処理液供給装置。   The processing liquid supply apparatus according to claim 1, wherein the bottle cap is provided with humidity detection means for detecting humidity in the processing liquid bottle. 前記制御部は、前記処理液ボトルの内部空間の湿度が所定の湿度以下になったときに前記溶剤雰囲気ガスを処理液ボトル内に供給するように雰囲気供給バルブの開閉を制御することを特徴とする請求項3に記載の処理液供給装置。   The control unit controls opening / closing of an atmosphere supply valve so as to supply the solvent atmosphere gas into the treatment liquid bottle when the humidity of the internal space of the treatment liquid bottle becomes equal to or lower than a predetermined humidity. The processing liquid supply apparatus according to claim 3. 前記制御部は、湿度設定値に基づいて前記処理液ボトル内の湿度が前記所定の湿度になるように前記溶剤雰囲気ガスの供給を行うように制御することを特徴とする請求項4に記載の処理液供給装置。   The said control part controls to supply the said solvent atmosphere gas so that the humidity in the said process liquid bottle may become the said predetermined humidity based on a humidity setting value. Treatment liquid supply device. 前記処理液ボトルの下方には前記処理液ボトルを載置して重量を検出する重量検知部が設けられ、前記制御部は重量によって設定された前記溶剤雰囲気ガスの供給時間を制御することを特徴とする請求項1に記載の処理液供給装置。   A weight detection unit for detecting the weight by placing the processing solution bottle is provided below the processing solution bottle, and the control unit controls the supply time of the solvent atmosphere gas set by the weight. The processing liquid supply apparatus according to claim 1. 前記制御部は、前記中間貯留部に処理液が供給されるごとに所定の時間だけ前記溶剤雰囲気を前記処理液ボトルに供給するように制御することを特徴とする請求項1又は2に記載の処理液供給装置。   3. The control unit according to claim 1, wherein the control unit performs control so that the solvent atmosphere is supplied to the processing liquid bottle for a predetermined time each time the processing liquid is supplied to the intermediate storage unit. Treatment liquid supply device.
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