JP3195033B2 - 光導波路およびその形成方法 - Google Patents
光導波路およびその形成方法Info
- Publication number
- JP3195033B2 JP3195033B2 JP05164392A JP5164392A JP3195033B2 JP 3195033 B2 JP3195033 B2 JP 3195033B2 JP 05164392 A JP05164392 A JP 05164392A JP 5164392 A JP5164392 A JP 5164392A JP 3195033 B2 JP3195033 B2 JP 3195033B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical waveguide
- diffusion
- forming
- optical
- crystal substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ＬＮ結晶基板上にＴ
ｉの光導波路を形成する光導波路の形成方法に関し、特
に、偏光に依存しない良質な長波長帯（１．３μｍ）の
光導波路を形成する方法に関する。
ｉの光導波路を形成する光導波路の形成方法に関し、特
に、偏光に依存しない良質な長波長帯（１．３μｍ）の
光導波路を形成する方法に関する。
【０００２】［発明の概要］この発明は、ＬｉＮｂＯ3
（ＬＮ）結晶基板上にＴｉ拡散光導波路を形成する光導
波路の形成方法に関するもので、拡散条件および光導波
路のＴｉ膜厚、パターン幅を調整することにより、２つ
の直交偏波モード光に対して変調動作の違いのない、す
なわち偏光無依存な外部変調器を構成することができ、
かつ製作誤差による特性変動を大幅に緩和することがで
きる光導波路の形成方法を開示するものである。
（ＬＮ）結晶基板上にＴｉ拡散光導波路を形成する光導
波路の形成方法に関するもので、拡散条件および光導波
路のＴｉ膜厚、パターン幅を調整することにより、２つ
の直交偏波モード光に対して変調動作の違いのない、す
なわち偏光無依存な外部変調器を構成することができ、
かつ製作誤差による特性変動を大幅に緩和することがで
きる光導波路の形成方法を開示するものである。
【０００３】
【従来の技術】従来、結晶基板上に光導波路を形成する
には、主としてＴｉ拡散法によっていたが、その形成条
件は確立されておらず、各社まちまちの条件で行なって
いて一貫性がなかった。表１はこれまで提案されている
Ｔｉ拡散光導波路の形成条件の一覧を示しているが、こ
れらのいずれの光導波路もＺカットＬＮ結晶基板上に形
成されたものであり、Ｘカット面での形成方法はほとん
ど得られていなかった。
には、主としてＴｉ拡散法によっていたが、その形成条
件は確立されておらず、各社まちまちの条件で行なって
いて一貫性がなかった。表１はこれまで提案されている
Ｔｉ拡散光導波路の形成条件の一覧を示しているが、こ
れらのいずれの光導波路もＺカットＬＮ結晶基板上に形
成されたものであり、Ｘカット面での形成方法はほとん
ど得られていなかった。
【表１】
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記のように従来の光
導波路の形成方法では、いずれもＺカットＬＮ結晶基板
上に光導波路を拡散により形成したものであり、Ｘカッ
トＬＮ結晶基板上に光導波路を拡散によって形成する光
導波路の形成方法は確立されておらず、特に偏波に依存
しない光導波路の形成方法はまったく知られていなかっ
た。
導波路の形成方法では、いずれもＺカットＬＮ結晶基板
上に光導波路を拡散により形成したものであり、Ｘカッ
トＬＮ結晶基板上に光導波路を拡散によって形成する光
導波路の形成方法は確立されておらず、特に偏波に依存
しない光導波路の形成方法はまったく知られていなかっ
た。
【０００５】ところで、Ｚ軸に沿って形成されたＬＮ光
導波路にＹ軸方向に電界を印加することにより、その電
気光学効果によって半波長電圧の等しい位相変調器が得
られることが知られているが、実際には光導波路の形状
の非対称性などによる構造の違いにより、ＴＥ／ＴＭモ
ード光に対して複屈折や半波長電圧差が生じる問題点が
あった。
導波路にＹ軸方向に電界を印加することにより、その電
気光学効果によって半波長電圧の等しい位相変調器が得
られることが知られているが、実際には光導波路の形状
の非対称性などによる構造の違いにより、ＴＥ／ＴＭモ
ード光に対して複屈折や半波長電圧差が生じる問題点が
あった。
【０００６】この発明は、このような従来の問題点に鑑
みなされたもので、Ｔｉ膜厚などの形成条件を調整する
ことによって複屈折が小さく、半波長電圧の差のない光
導波路を形成することができる光導波路の形成方法を提
示することを目的とする。
みなされたもので、Ｔｉ膜厚などの形成条件を調整する
ことによって複屈折が小さく、半波長電圧の差のない光
導波路を形成することができる光導波路の形成方法を提
示することを目的とする。
【０００７】上記の目的を達成するために、この発明の
光導波路の形成方法は、ＸカットのＬｉＮｂＯ３（Ｌ
Ｎ）結晶基板上にＺ軸に沿ってＴｉ拡散光導波路を形成
するに当たって、Ｔｉ拡散温度を１０２０℃よりも高い
温度とし、拡散時間を６時間よりも長い時間とし、かつ
Ｔｉ膜厚ｄと光導波路パターン幅ｗとを、３５０Ａ（オ
ングストローム）≦ｄ≦４５０Ａ、かつ５μｍ（ミクロ
ン）≦ｗ≦８μｍとすることを特徴としている。
光導波路の形成方法は、ＸカットのＬｉＮｂＯ３（Ｌ
Ｎ）結晶基板上にＺ軸に沿ってＴｉ拡散光導波路を形成
するに当たって、Ｔｉ拡散温度を１０２０℃よりも高い
温度とし、拡散時間を６時間よりも長い時間とし、かつ
Ｔｉ膜厚ｄと光導波路パターン幅ｗとを、３５０Ａ（オ
ングストローム）≦ｄ≦４５０Ａ、かつ５μｍ（ミクロ
ン）≦ｗ≦８μｍとすることを特徴としている。
【０００８】この光導波路の形成方法によれば、偏波に
依存しない光導波路を形成することができ、また、長波
長帯（１．３μｍ）の光に対して単一モードとなる光導
波路を形成することができ、この光導波路を用いて作成
した光変調器／光スイッチではＴＥ／ＴＭモード光に対
して変調特性が等質となる素子が得られる。
依存しない光導波路を形成することができ、また、長波
長帯（１．３μｍ）の光に対して単一モードとなる光導
波路を形成することができ、この光導波路を用いて作成
した光変調器／光スイッチではＴＥ／ＴＭモード光に対
して変調特性が等質となる素子が得られる。
【０００９】
【００１０】
【００１１】また、上記の光導波路の形成方法におい
て、特に空気雰囲気中でＴｉの拡散を行なうことができ
る。
て、特に空気雰囲気中でＴｉの拡散を行なうことができ
る。
【００１２】そして、この光導波路の形成方法によれ
ば、通常の大気雰囲気中でＴｉの拡散処理が行なえるこ
とになり、環境条件が緩和される。
ば、通常の大気雰囲気中でＴｉの拡散処理が行なえるこ
とになり、環境条件が緩和される。
【００１３】
【００１４】
【００１５】
【実施例】以下、この発明の光導波路の形成方法を実施
例を基づいて詳説する。
例を基づいて詳説する。
【００１６】一般に、光導波路の形成方法においては、
次の点を考慮する必要がある。
次の点を考慮する必要がある。
【００１７】（ａ） 単一モードの光導波路であるこ
と。
と。
【００１８】（ｂ） 挿入損失が小さいこと（伝搬およ
び光ファイバとの結合損失が小さいこと）。
び光ファイバとの結合損失が小さいこと）。
【００１９】（ｃ） ＴＥ／ＴＭモード光に対して半波
長電圧が等しいこと。
長電圧が等しいこと。
【００２０】（ｄ） 半波長電圧が低いこと。
【００２１】そこで、形成された光導波路の光変調特性
を評価するに当たって、以下に述べる光導波路の形成方
法により形成されたＴｉ拡散光導波路を持つＬＮ結晶基
板を用いて、図１に示す分岐干渉型外部光変調器を製作
してその光変調特性を評価した。すなわち、ＬＮ結晶基
板１上に１／１００ｒａｄのＹ分岐パターンの光導波路
２を形成し、その平行光導波路部２ａ，２ｂに電極３を
形成し、結晶基板１の入射側端面１ａに光ファイバ４を
固定し、光導波路２の端面に光ファイバ４のコア５を接
合して分岐干渉型外部光変調器６を構成し、この構成の
光変調器６の光変調特性を評価するのである。
を評価するに当たって、以下に述べる光導波路の形成方
法により形成されたＴｉ拡散光導波路を持つＬＮ結晶基
板を用いて、図１に示す分岐干渉型外部光変調器を製作
してその光変調特性を評価した。すなわち、ＬＮ結晶基
板１上に１／１００ｒａｄのＹ分岐パターンの光導波路
２を形成し、その平行光導波路部２ａ，２ｂに電極３を
形成し、結晶基板１の入射側端面１ａに光ファイバ４を
固定し、光導波路２の端面に光ファイバ４のコア５を接
合して分岐干渉型外部光変調器６を構成し、この構成の
光変調器６の光変調特性を評価するのである。
【００２２】次に、拡散温度、拡散時間と形成された光
導波路の特性との関係について、説明する。
導波路の特性との関係について、説明する。
【００２３】（１） 拡散温度 拡散温度がＴｉ拡散光導波路の導波特性に及ぼす影響を
調べるために、Ｔｉ拡散光導波路を形成する際の拡散時
間は一律６時間、Ｔｉ膜厚ｄは６００Ａとし、、複数種
の幅の光導波路について、拡散温度条件を種々違えて光
導波路を形成し、得られた光導波路拡散結晶基板につい
て、図１に示す光変調器６を作成し、透過光の相対光出
力を測定した。
調べるために、Ｔｉ拡散光導波路を形成する際の拡散時
間は一律６時間、Ｔｉ膜厚ｄは６００Ａとし、、複数種
の幅の光導波路について、拡散温度条件を種々違えて光
導波路を形成し、得られた光導波路拡散結晶基板につい
て、図１に示す光変調器６を作成し、透過光の相対光出
力を測定した。
【００２４】図２に、このようにして行なった拡散温度
に対する透過光の相対光出力の測定結果を示している。
なお、この測定では、損失量には結晶基板１の入射端面
１ａでのシングルモード光ファイバ４との結合損失、光
導波路２内での伝搬損失および端面反射などが含まれて
いる。
に対する透過光の相対光出力の測定結果を示している。
なお、この測定では、損失量には結晶基板１の入射端面
１ａでのシングルモード光ファイバ４との結合損失、光
導波路２内での伝搬損失および端面反射などが含まれて
いる。
【００２５】図２の測定結果より、拡散温度条件を高く
することにより、光導波路２の幅ｗによらず、確実に光
出力が増加することが分かった。そして、この傾向は、
Ｔｉ膜厚ｄを変化させても同じであった。
することにより、光導波路２の幅ｗによらず、確実に光
出力が増加することが分かった。そして、この傾向は、
Ｔｉ膜厚ｄを変化させても同じであった。
【００２６】このことより、拡散温度を１０２０℃以上
とすることにより、光導波特性に優れた光導波路が形成
できることが分かる。
とすることにより、光導波特性に優れた光導波路が形成
できることが分かる。
【００２７】（２） 拡散時間 次に、拡散時間が光導波路の導波特性に及ぼす影響につ
いて調べるために、Ｔｉ拡散光導波路を形成する際の拡
散温度は一律１０４０℃、Ｔｉ膜厚ｄは４００Ａ、光導
波路パターン幅ｗは７μｍとし、拡散時間条件を種々違
えて光導波路を形成し、得られた光導波路拡散結晶基板
について、図１に示す光変調器６を作成し、半波長電圧
特性を測定した。
いて調べるために、Ｔｉ拡散光導波路を形成する際の拡
散温度は一律１０４０℃、Ｔｉ膜厚ｄは４００Ａ、光導
波路パターン幅ｗは７μｍとし、拡散時間条件を種々違
えて光導波路を形成し、得られた光導波路拡散結晶基板
について、図１に示す光変調器６を作成し、半波長電圧
特性を測定した。
【００２８】図３は拡散時間に対する半波長電圧特性の
測定結果を示しているが、明らかに拡散時間が長いほど
半波長電圧が低くなり、しかもＴＥ／ＴＭモード光での
その差も小さくなっていることが分かる。
測定結果を示しているが、明らかに拡散時間が長いほど
半波長電圧が低くなり、しかもＴＥ／ＴＭモード光での
その差も小さくなっていることが分かる。
【００２９】他の条件でも拡散時間を長くするほど半波
長電圧が低くなる結果が得られており、これらより、半
波長電圧が十分低い特性の光導波路を形成するために
は、拡散時間として６時間より長い時間を必要とするこ
とが分かる。
長電圧が低くなる結果が得られており、これらより、半
波長電圧が十分低い特性の光導波路を形成するために
は、拡散時間として６時間より長い時間を必要とするこ
とが分かる。
【００３０】（３） Ｔｉ膜厚 Ｔｉ拡散膜厚ｄが光導波路の半波長電圧特性に及ぼす影
響について調べるために、拡散時間Ｔを７時間、および
６時間とし、また共にパターン幅ｗを７μｍとし、膜厚
ｄを種々違えてＴｉの拡散処理を行ない、得られた光導
波路拡散結晶基板について、図１に示す光変調器６を作
成し、半波長電圧特性を測定した。
響について調べるために、拡散時間Ｔを７時間、および
６時間とし、また共にパターン幅ｗを７μｍとし、膜厚
ｄを種々違えてＴｉの拡散処理を行ない、得られた光導
波路拡散結晶基板について、図１に示す光変調器６を作
成し、半波長電圧特性を測定した。
【００３１】図４は拡散時間７時間とした場合の測定結
果を示しており、Ｔｉ膜厚４００Ａにおいて、半波長電
圧はモードに関係なく一致し、しかも低電圧が得られて
いる。これは、Ｔｉ膜厚が小さくなると、基本モードの
電界分布が広がり、印加電界とオーバーラップパラメー
タΓが大きくなり、その結果、実効上の電気光学係数Γ
ｒ22が大きくなるためと考えられる。
果を示しており、Ｔｉ膜厚４００Ａにおいて、半波長電
圧はモードに関係なく一致し、しかも低電圧が得られて
いる。これは、Ｔｉ膜厚が小さくなると、基本モードの
電界分布が広がり、印加電界とオーバーラップパラメー
タΓが大きくなり、その結果、実効上の電気光学係数Γ
ｒ22が大きくなるためと考えられる。
【００３２】一方、図５に示す拡散時間６時間とした場
合の測定結果より、Ｔｉ膜厚ｄが大きくなるほど半波長
電圧は小さくなっているが、この場合には同時に、モー
ド間の電圧差が大きくなっており、モードに依存しない
光導波路を形成する点で問題があることが分かる。
合の測定結果より、Ｔｉ膜厚ｄが大きくなるほど半波長
電圧は小さくなっているが、この場合には同時に、モー
ド間の電圧差が大きくなっており、モードに依存しない
光導波路を形成する点で問題があることが分かる。
【００３３】したがって、モードに依存しない光導波路
を形成するためには、拡散時間が７時間、Ｔｉ膜厚が４
００Ａ前後が良いと結論することができる。
を形成するためには、拡散時間が７時間、Ｔｉ膜厚が４
００Ａ前後が良いと結論することができる。
【００３４】（４） 光導波路パターン幅 光導波路パターン幅ｗが光導波路の半波長電圧特性に及
ぼす影響を調べるために、拡散温度１０４０℃、拡散時
間７時間、Ｔｉ膜厚４００Ａとし、光導波路パターン幅
ｗを種々違えて光導波路を拡散形成し、得られた光導波
路拡散結晶基板について、図１に示す光変調器６を作成
し、半波長電圧特性を測定した。
ぼす影響を調べるために、拡散温度１０４０℃、拡散時
間７時間、Ｔｉ膜厚４００Ａとし、光導波路パターン幅
ｗを種々違えて光導波路を拡散形成し、得られた光導波
路拡散結晶基板について、図１に示す光変調器６を作成
し、半波長電圧特性を測定した。
【００３５】図６はこの測定結果を示しているが、Ｔｉ
光導波路パターン幅ｗに対する半波長電圧特性は、６〜
７μｍの場合にはきわめて良好な特性が得られている。
そして、この場合には、挿入損失も３ｄＢ以下と小さ
く、良好な結果である。そして、パターン幅ｗが８μｍ
以上になれば、半波長電圧がモードにより差が出てくる
ようになるが、それでも、その変化量はわずかである。
光導波路パターン幅ｗに対する半波長電圧特性は、６〜
７μｍの場合にはきわめて良好な特性が得られている。
そして、この場合には、挿入損失も３ｄＢ以下と小さ
く、良好な結果である。そして、パターン幅ｗが８μｍ
以上になれば、半波長電圧がモードにより差が出てくる
ようになるが、それでも、その変化量はわずかである。
【００３６】この結果より、Ｔｉ拡散光導波路は、光導
波路パターン幅ｗの変化に対しては半波長電圧特性が安
定し、それほど影響をうけないと結論することができ
る。そしてこのことは、光導波路の拡散形成時の製作誤
差の影響を受けにくいことを意味し、パターン幅ｗを６
〜７μｍに設定しておけば、その寸法管理に神経質にな
らなくてもよいことになる。
波路パターン幅ｗの変化に対しては半波長電圧特性が安
定し、それほど影響をうけないと結論することができ
る。そしてこのことは、光導波路の拡散形成時の製作誤
差の影響を受けにくいことを意味し、パターン幅ｗを６
〜７μｍに設定しておけば、その寸法管理に神経質にな
らなくてもよいことになる。
【００３７】このようにして、ＸカットＬＮ結晶基板上
にＴｉ拡散による光導波路を形成する時の最適条件とし
て、 拡散温度Ｔ Ｔ≧１０２０℃ 拡散時間ｔ ｔ≧６時間 Ｔｉ膜厚ｄ ３５０Ａ≦ｄ≦４５０Ａ Ｔｉ光導波路パターン幅ｗ ５μｍ≦ｗ≦８μｍ とすることができる。
にＴｉ拡散による光導波路を形成する時の最適条件とし
て、 拡散温度Ｔ Ｔ≧１０２０℃ 拡散時間ｔ ｔ≧６時間 Ｔｉ膜厚ｄ ３５０Ａ≦ｄ≦４５０Ａ Ｔｉ光導波路パターン幅ｗ ５μｍ≦ｗ≦８μｍ とすることができる。
【００３８】以下に、具体的な実施例について説明す
る。
る。
【００３９】（実施例１）拡散温度１０４０℃、拡散時
間７時間、Ｔｉ膜厚４００Ａ、パターン幅７μｍの条件
で、ＬＮ結晶基板上にＴｉ拡散により光導波路を形成し
た。
間７時間、Ｔｉ膜厚４００Ａ、パターン幅７μｍの条件
で、ＬＮ結晶基板上にＴｉ拡散により光導波路を形成し
た。
【００４０】これにより得られた光導波路拡散結晶基板
により図１に示す光変調器を構成した場合、挿入損失が
２．５ｄＢ／３０ｍｍ（ファイバ結合損失、反射損失も
含む）という良好な特性を示した。また、ＴＥモード光
に対して５７Ｖ、ＴＭモード光に対して５６Ｖというほ
ぼ等しい半波長電圧特性を示し、消光比３０ｄＢの高性
能な偏光無依存な光変調器が得られた。
により図１に示す光変調器を構成した場合、挿入損失が
２．５ｄＢ／３０ｍｍ（ファイバ結合損失、反射損失も
含む）という良好な特性を示した。また、ＴＥモード光
に対して５７Ｖ、ＴＭモード光に対して５６Ｖというほ
ぼ等しい半波長電圧特性を示し、消光比３０ｄＢの高性
能な偏光無依存な光変調器が得られた。
【００４１】（実施例２）拡散温度１０４０℃、拡散時
間７時間、Ｔｉ膜厚４００Ａ、パターン幅６μｍの条件
で、ＬＮ結晶基板上にＴｉ拡散により光導波路を形成し
た。
間７時間、Ｔｉ膜厚４００Ａ、パターン幅６μｍの条件
で、ＬＮ結晶基板上にＴｉ拡散により光導波路を形成し
た。
【００４２】これにより得られた光導波路拡散結晶基板
により図１に示す光変調器を構成した場合、２．５ｄＢ
／３０ｍｍ（ファイバ結合損失、反射損失も含む）とい
う良好な特性を示した。また、ＴＥモード光に対して５
８Ｖ、ＴＭモード光に対して５７Ｖというほぼ等しい半
波長電圧特性を示す偏光無依存な光変調器が得られた。
により図１に示す光変調器を構成した場合、２．５ｄＢ
／３０ｍｍ（ファイバ結合損失、反射損失も含む）とい
う良好な特性を示した。また、ＴＥモード光に対して５
８Ｖ、ＴＭモード光に対して５７Ｖというほぼ等しい半
波長電圧特性を示す偏光無依存な光変調器が得られた。
【００４３】（実施例３）拡散温度１０４０℃、拡散時
間７時間、Ｔｉ膜厚４００Ａ、パターン幅７μｍの条件
で、パターンの光導波路をＬＮ結晶基板に拡散形成し、
これによって図７に示す反射型外部光変調器を製作し
た。
間７時間、Ｔｉ膜厚４００Ａ、パターン幅７μｍの条件
で、パターンの光導波路をＬＮ結晶基板に拡散形成し、
これによって図７に示す反射型外部光変調器を製作し
た。
【００４４】すなわち、ＬＮ結晶基板１上に１／１００
ｒａｄのＹ分岐パターンの光導波路２を形成し、その平
行光導波路部２ａ，２ｂに電極３を形成し、結晶基板１
の入射側端面１ａに光ファイバ４を固定し、光導波路２
の端面に光ファイバ４のコア５を接合して反射型外部光
変調器６を構成した。
ｒａｄのＹ分岐パターンの光導波路２を形成し、その平
行光導波路部２ａ，２ｂに電極３を形成し、結晶基板１
の入射側端面１ａに光ファイバ４を固定し、光導波路２
の端面に光ファイバ４のコア５を接合して反射型外部光
変調器６を構成した。
【００４５】この光変調器６においても、ＴＥ／ＴＭモ
ード光に対してそれぞれ１０．４Ｖ、１０．２Ｖであ
り、反射光に対する半波長電圧差が小さく、挿入損失も
３ｄＢ以下と小さく、良好な偏光無依存の光変調器が得
られた。
ード光に対してそれぞれ１０．４Ｖ、１０．２Ｖであ
り、反射光に対する半波長電圧差が小さく、挿入損失も
３ｄＢ以下と小さく、良好な偏光無依存の光変調器が得
られた。
【００４６】（実施例４）拡散温度１０４０℃、拡散時
間７時間、Ｔｉ膜厚４００Ａ、パターン幅６μｍの条件
で、パターンの光導波路をＬＮ結晶基板に拡散形成し、
これによって図７に示す反射型外部光変調器を製作し
た。
間７時間、Ｔｉ膜厚４００Ａ、パターン幅６μｍの条件
で、パターンの光導波路をＬＮ結晶基板に拡散形成し、
これによって図７に示す反射型外部光変調器を製作し
た。
【００４７】この光変調器にあっても、実施例３と同様
の良好な偏光無依存の特性が得られた。
の良好な偏光無依存の特性が得られた。
【００４８】
【発明の効果】以上のようにこの発明の光導波路の形成
方法によれば、ＸカットしたＬＮ結晶基板上に低損失な
単一モード光導波路が得られ、また、偏光に依存しない
光導波路が得られる。したがって、この発明の方法によ
って形成された光導波路を持つ結晶基板は光変調器／光
スイッチなどのＬＮ機能素子として標準の光ファイバに
直接接続して使用できる。
方法によれば、ＸカットしたＬＮ結晶基板上に低損失な
単一モード光導波路が得られ、また、偏光に依存しない
光導波路が得られる。したがって、この発明の方法によ
って形成された光導波路を持つ結晶基板は光変調器／光
スイッチなどのＬＮ機能素子として標準の光ファイバに
直接接続して使用できる。
【００４９】さらに、この発明の光導波路の形成方法に
よれば、製作誤差の影響を受けにくい光導波路が容易に
形成でき、加えて、Ｚ軸伝搬ＬＮ素子とすることができ
るためにＬｉＯ2 の外拡散が小さく、光閉じ込め効果の
大きい光導波路を形成することができる。
よれば、製作誤差の影響を受けにくい光導波路が容易に
形成でき、加えて、Ｚ軸伝搬ＬＮ素子とすることができ
るためにＬｉＯ2 の外拡散が小さく、光閉じ込め効果の
大きい光導波路を形成することができる。
【図１】この発明により形成した光導波路の特性評価の
ために用いた分岐干渉型外部光変調器の平面図。
ために用いた分岐干渉型外部光変調器の平面図。
【図２】Ｔｉ拡散処理により形成された光導波路の拡散
温度条件の影響を示す拡散温度対相対透過光強度特性グ
ラフ。
温度条件の影響を示す拡散温度対相対透過光強度特性グ
ラフ。
【図３】Ｔｉ拡散処理により形成された光導波路の拡散
時間条件の影響を示す拡散時間対半波長電圧特性グラ
フ。
時間条件の影響を示す拡散時間対半波長電圧特性グラ
フ。
【図４】Ｔｉ拡散処理により形成された光導波路のＴｉ
膜厚の影響を示す拡散時間７時間の場合のＴｉ膜厚対半
波長電圧特性グラフ。
膜厚の影響を示す拡散時間７時間の場合のＴｉ膜厚対半
波長電圧特性グラフ。
【図５】Ｔｉ拡散処理により形成された光導波路のＴｉ
膜厚の影響を示す拡散時間６時間の場合のＴｉ膜厚対半
波長電圧特性グラフ。
膜厚の影響を示す拡散時間６時間の場合のＴｉ膜厚対半
波長電圧特性グラフ。
【図６】Ｔｉ拡散処理により形成された光導波路のＴｉ
パターン幅の影響を示すＴｉパターン幅対半波長電圧特
性グラフ。
パターン幅の影響を示すＴｉパターン幅対半波長電圧特
性グラフ。
【図７】この発明により形成した光導波路の特性評価の
ために用いた反射型外部光変調器の平面図。
ために用いた反射型外部光変調器の平面図。
１ 結晶基板 １ａ 接合端面 ２ Ｙ分岐光導波路 ３ 電極 ４ 光ファイバ ５ コア
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02B 6/12 - 6/14 G02F 1/035 G02F 1/313
Claims (2)
- 【請求項１】 ＸカットのＬｉＮｂＯ３（ＬＮ）結晶基
板上にＺ軸に沿ってＴｉ拡散光導波路を形成するに当た
って、Ｔｉ拡散温度を１０２０℃よりも高い温度とし、
拡散時間を６時間よりも長い時間とし、かつＴｉ膜厚ｄ
と光導波路パターン幅ｗとを、以下の条件にすることを
特徴とする光導波路の形成方法。 ３５０Ａ（オングストローム）≦ｄ≦４５０Ａ、かつ ５μｍ（ミクロン）≦ｗ≦８μｍ - 【請求項２】 請求項１に記載の光導波路の形成方法に
おいて、 空気雰囲気中でＴｉの拡散を行なうことを特徴とする光
導波路の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05164392A JP3195033B2 (ja) | 1992-03-10 | 1992-03-10 | 光導波路およびその形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05164392A JP3195033B2 (ja) | 1992-03-10 | 1992-03-10 | 光導波路およびその形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05249335A JPH05249335A (ja) | 1993-09-28 |
| JP3195033B2 true JP3195033B2 (ja) | 2001-08-06 |
Family
ID=12892533
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05164392A Expired - Fee Related JP3195033B2 (ja) | 1992-03-10 | 1992-03-10 | 光導波路およびその形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3195033B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6191116B2 (ja) * | 2012-10-12 | 2017-09-06 | 株式会社豊田中央研究所 | 光変調装置 |
| JP6107868B2 (ja) | 2015-03-31 | 2017-04-05 | 住友大阪セメント株式会社 | 光導波路素子 |
| JP6233342B2 (ja) * | 2015-03-31 | 2017-11-22 | 住友大阪セメント株式会社 | 光変調器 |
-
1992
- 1992-03-10 JP JP05164392A patent/JP3195033B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05249335A (ja) | 1993-09-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4291939A (en) | Polarization-independent optical switches/modulators | |
| JP2679570B2 (ja) | 偏光分離素子 | |
| US4583817A (en) | Non-linear integrated optical coupler and parametric oscillator incorporating such a coupler | |
| US4983006A (en) | Polarization-independent optical waveguide switch | |
| JPH083581B2 (ja) | 電気光学的モード変換装置 | |
| JPS6125122A (ja) | 電磁搬送波の変調方法 | |
| JP3195033B2 (ja) | 光導波路およびその形成方法 | |
| JP2963989B1 (ja) | 光変調器 | |
| Noda | Ti-diffused LiNbO3 waveguides and modulators | |
| JPH0588123A (ja) | 可変波長フイルタ | |
| JPH037910A (ja) | 導波路型光回路素子 | |
| US20030133647A1 (en) | Polarization independent electro-optical device for modulation of light | |
| JP2613942B2 (ja) | 導波路型光デバイス | |
| US5815609A (en) | Waveguide type optical external modulator | |
| JP2635986B2 (ja) | 光導波路スイッチ | |
| JP2812974B2 (ja) | 偏光無依存性光スイッチ | |
| JP3220003B2 (ja) | 偏光分離素子 | |
| JP2792306B2 (ja) | 偏光分離素子 | |
| JPH06222403A (ja) | 方向性結合形光導波路 | |
| JPS6038689B2 (ja) | 導波形電気光学光変調器の製造方法 | |
| JP2824306B2 (ja) | 導波型光スイッチ | |
| JPH03188423A (ja) | 光方向性結合器及びその製造方法 | |
| JP3418391B2 (ja) | 導波型光デバイスの製造方法 | |
| JP3398191B2 (ja) | 導波路型光制御デバイス | |
| JPH0820651B2 (ja) | 光導波路スィッチ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |