JP3194211B2 - Cleaning equipment - Google Patents

Cleaning equipment

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JP3194211B2
JP3194211B2 JP3540394A JP3540394A JP3194211B2 JP 3194211 B2 JP3194211 B2 JP 3194211B2 JP 3540394 A JP3540394 A JP 3540394A JP 3540394 A JP3540394 A JP 3540394A JP 3194211 B2 JP3194211 B2 JP 3194211B2
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holding rod
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光雄 西
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  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
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  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、洗浄処理装置に関す
るものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a cleaning apparatus.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般にこの種の洗浄処理装置は、被処理
体、例えば半導体ウエハ(以下にウエハという)をアン
モニア、フッ酸及び純水等の処理液に順次浸漬してウエ
ハの表面を洗浄処理するもので、例えば直線状に配置さ
れる各処理液を収容した処理槽と、ローダ部に搬入され
た未処理のウエハを保持して順次処理槽に搬送する搬送
・保持手段であるウエハチャックを有するウエハ搬送装
置と、搬送手段にて搬送されたウエハを保持してウエハ
を処理槽内の処理液に浸漬する保持手段であるウエハボ
ートとを具備してなる。
2. Description of the Related Art Generally, a cleaning apparatus of this type cleans a surface of a wafer, for example, by immersing an object to be processed, for example, a semiconductor wafer (hereinafter, referred to as a wafer) in a processing liquid such as ammonia, hydrofluoric acid and pure water. For example, a processing tank containing each processing liquid arranged in a straight line, and a wafer chuck serving as a transfer / holding unit for holding an unprocessed wafer loaded into the loader unit and sequentially transferring the wafer to the processing tank. And a wafer boat as a holding means for holding the wafer transferred by the transfer means and immersing the wafer in a processing liquid in a processing tank.

【0003】上記のように構成される洗浄処理装置にお
いて、ウエハは異なる種類の薬液(処理液)に浸漬され
るため、ウエハチャック及びウエハボートのウエハ保持
部は耐食性を有する必要があり、特にウエハボートのウ
エハ保持部は高温の処理液中に直接浸漬されるため、耐
食性の他に耐熱性を有し、かつ耐強度性に富む材質の部
材として石英製のものが使用されている。
[0003] In the cleaning apparatus configured as described above, the wafer is immersed in a different type of chemical solution (processing solution), so that the wafer chuck and the wafer holding portion of the wafer boat need to have corrosion resistance. Since the wafer holding portion of the boat is directly immersed in a high-temperature processing liquid, a material made of quartz is used as a material having heat resistance in addition to corrosion resistance and high strength resistance.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ウエハ
保持部を全て石英にて形成すると、ウエハとの接触部に
ウエハボートのチッピングやごみが発生し、ウエハ表面
にパーティクルとして付着するという問題があった。
However, if the wafer holding portion is entirely made of quartz, there is a problem that chipping or dust of the wafer boat occurs at a contact portion with the wafer and adheres as particles on the wafer surface. .

【0005】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、被処理体保持部における被処理体との接触部におけ
るパーティクルの発生を減少し、被処理体を各処理液に
効率良く浸漬処理できるようにする洗浄処理装置を提供
することを目的とするものである。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and is intended to reduce the generation of particles in a contact portion of a workpiece holding portion with the workpiece and to efficiently immerse the workpiece in each processing liquid. It is an object of the present invention to provide a cleaning processing apparatus which performs the following.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項1記載の洗浄処理装置は、キャリアから複数
の被処理体を取り出すローダ部と、上記複数の被処理体
を保持して処理槽へ搬送する搬送手段と、上記複数の被
処理体を浸漬処理する処理液を収容する処理槽と、上記
複数の被処理体を、上記搬送手段より受け渡され上記処
理槽内にて保持する保持手段とを具備する洗浄処理装置
を前提とし、上記保持手段の被処理体保持部は、それぞ
れポリエーテルエーテルケトン製部材又はポリフェニレ
ンスルフィド製部材にて形成されると共に、所定間隔の
複数の保持溝を有する、中央保持棒と、この中央保持棒
の両側に配設される側部保持棒を具備し、かつ、上記保
持棒が処理液の温度に応じた適正な溝ピッチを有し、上
記側部保持棒は、上面が外側に向って上り勾配の傾斜面
と、この傾斜面の外側上端から上方に突出する起立壁
と、下方に向って山形に突出する下面とを有すると共
に、起立壁に形成される上記保持溝の開口端を拡開する
三角状に形成してなることを特徴とするものである
According to a first aspect of the present invention, there is provided a cleaning apparatus, comprising: a loader unit for extracting a plurality of objects from a carrier; and a loader for holding the plurality of objects. A transport unit for transporting the processing object to the processing tank, a processing tank for storing a processing solution for immersing the plurality of processing objects, and a plurality of the processing objects transferred from the transport unit and held in the processing tank The object to be processed holding portion of the holding means is assumed to be
Or a member made of polyetheretherketone or polyphenylene
Sulfided members and
A center holding rod having a plurality of holding grooves and the center holding rod
Side holding rods arranged on both sides of the
The holding rod has an appropriate groove pitch according to the temperature of the processing solution.
The side holding rod has an upper surface with an upward slope.
And an upright wall protruding upward from the outer upper end of the inclined surface
And a lower surface projecting downward in a chevron.
The opening end of the holding groove formed in the upright wall is expanded.
It is characterized by being formed in a triangular shape .

【0007】請求項2記載の洗浄処理装置は、キャリア
から複数の被処理体を取り出すローダ部と、上記複数の
被処理体を保持して処理槽へ搬送する搬送手段と、複数
の被処理体を浸漬処理する処理液を収容する処理槽と、
上記複数の被処理体を、上記搬送手段より受け渡され上
記処理槽内にて保持する保持手段とを具備する洗浄処理
装置を前提とし、上記搬送手段の被処理体保持部は、そ
れぞれポリエーテルエ ーテルケトン製部材又はポリフェ
ニレンスルフィド製部材にて形成されると共に、所定間
隔の複数の保持溝を有し、かつ、上記保持溝が処理液の
温度に応じた適正な溝ピッチを有し、上記保持手段の被
処理体保持部は、それぞれポリエーテルエーテルケトン
製部材又はポリフェニレンスルフィド製部材にて形成さ
れると共に、所定間隔の複数の保持溝を有する、中央保
持棒と、この中央保持棒の両側に配設される側部保持棒
を具備し、かつ、上記保持棒が処理液の温度に応じた適
正な溝ピッチを有し、上記側部保持棒は、上面が外側に
向って上り勾配の傾斜面と、この傾斜面の外側上端から
上方に突出する起立壁と、下方に向って山形に突出する
下面とを有すると共に、起立壁に形成される上記保持溝
の開口端を拡開する三角状に形成してなることを特徴と
するものである
According to a second aspect of the present invention, there is provided a cleaning apparatus, comprising: a loader section for extracting a plurality of workpieces from a carrier; transport means for holding the plurality of workpieces and transporting them to a processing tank; A treatment tank containing a treatment liquid for immersion treatment;
Assuming that the cleaning device includes a holding unit that receives the plurality of workpieces from the transport unit and holds the plurality of workpieces in the processing tank, the workpiece holding unit of the transport unit includes:
Respectively Porieterue Teruketon made member or polyphenylene
It is made of Nylene sulfide material and
A plurality of spaced-apart holding grooves, and the holding grooves have a
It has an appropriate groove pitch according to the temperature, and
The treated body holding parts are made of polyetheretherketone
Made of polyphenylene sulfide
Center holding, having a plurality of holding grooves at predetermined intervals.
Holding rod and side holding rods arranged on both sides of this center holding rod
And the holding rod is suitable for the temperature of the processing solution.
It has a positive groove pitch, and the side holding rod has an upper surface
From the upward slope, and from the upper outside of this slope
Standing wall protruding upward and chevron downward
The holding groove having a lower surface and formed in the upright wall.
Characterized in that it is formed in a triangular shape that expands the open end of
Is what you do .

【0008】請求項又は記載の発明において、上記
保持手段は処理液の使用温度に応じて交換可能である方
が好ましい(請求項)。
[0008] In the first or second aspect of the present invention, it is preferable that the holding means is replaceable in accordance with the use temperature of the processing liquid (claim 3 ).

【0009】また、被処理体保持部の構造は任意でよい
が、好ましくは被処理体保持部の保持溝の底部に排液貫
通路を形成する方がよい(請求項)。
[0009] The structure of the workpiece holder is arbitrary, but preferably it is better to form the drain through passage at the bottom of the retaining groove of the workpiece holding unit (claim 4).

【0010】[0010]

【作用】上記のように構成されるこの発明の洗浄処理装
置によれば、搬送手段又は保持手段を、ポリエーテルエ
ーテルケトン製部材又はポリフェニレンスルフィド製部
材にて形成することにより、被処理体保持部に、耐食、
耐熱及び耐強度性をもたせることができると共に、処理
液の使用温度によって被処理体保持部の熱膨張による変
形を少なくすることができる。したがって、被処理体の
保持及び搬送を確実にすることができると共に、被処理
体保持部と被処理体との接触部におけるパーティクルの
発生を防止することができる(請求項1、2)。
According to the cleaning apparatus of the present invention, the transfer means or the holding means is formed of a member made of polyetheretherketone or a member made of polyphenylene sulfide, so that the object-to-be-processed holding part is held. , Corrosion resistance,
Heat resistance and strength resistance can be provided, and deformation due to thermal expansion of the processing object holding portion can be reduced depending on the use temperature of the processing liquid. Therefore, it is possible to reliably hold and transport the object to be processed, and to prevent generation of particles at a contact portion between the object holding portion and the object to be processed (claims 1 and 2 ).

【0011】また、側部保持棒の保持溝を起立壁に形成
すると共に、開口端を拡開する三角状に形成することに
より、被処理体との接触面積を少なくすることができ、
被処理体へのパーティクルの付着を防止することができ
る。また、側部保持棒の下面 を下方に向って山形に突出
することにより、処理槽内の処理液の対流などの液流れ
を良くすることができる
Further , the holding groove of the side holding rod is formed in the upright wall.
As well as forming the open end in a triangular shape
Thus, the contact area with the object can be reduced,
Prevents particles from adhering to the workpiece
You. Also, the lower surface of the side holding rod projects downward in a chevron.
The flow of the processing liquid in the processing tank, such as convection.
Can be better .

【0012】また、搬送手段又は保持手段の被処理体保
持部を、処理液の温度に応じた適正な溝ピッチを有する
保持棒を具備するものと交換可能に形成することによ
り、処理液の使用温度により被処理体保持部のピッチの
異なるものを交換して用いることができるので、処理液
の使用温度によって被処理体保持部の熱膨張による変形
を考慮することができる(請求項)。
[0012] Further, the processing object holding portion of the transfer means or the holding means is formed so as to be exchangeable with one having a holding rod having an appropriate groove pitch in accordance with the temperature of the processing liquid, thereby making it possible to use the processing liquid. it is possible to use to replace the ones having different pitches of the substrate-supporting unit by temperature, it is possible to consider the deformation due to thermal expansion of the substrate-supporting unit according to the temperature used in the treatment liquid (claim 3).

【0013】また、被処理体保持部を形成する保持溝の
底部に排液貫通路を形成することにより、被処理体と被
処理体保持部との接触面積を小さくすることができると
共に、保持部の処理液の流れをよくし、パーティクルを
積極的に除去することができる。したがって、被処理体
を異なる処理液に効率良く浸漬して処理することができ
る(請求項)。
Further, by forming a drainage passage at the bottom of the holding groove for forming the workpiece holding section, the contact area between the workpiece and the workpiece holding section can be reduced, and the holding area can be reduced. The flow of the processing liquid in the section can be improved, and particles can be positively removed. Therefore, it can be processed efficiently immersed in different processing solution to be processed (claim 4).

【0014】[0014]

【実施例】以下に、この発明の実施例を図面を用いて詳
細に説明する。この実施例では半導体ウエハの洗浄処理
装置に適用した場合について説明する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. In this embodiment, a case where the present invention is applied to a semiconductor wafer cleaning apparatus will be described.

【0015】半導体ウエハの洗浄処理装置は、図1に示
すように、未処理の被処理体である半導体ウエハ(以下
にウエハという)Wを収容する搬入部1と、ウエハWの
洗浄処理を行う洗浄処理部2と洗浄後のウエハWを収容
する搬出部3とで主要部が構成されている。
As shown in FIG. 1, the semiconductor wafer cleaning processing apparatus performs a cleaning process on a carry-in section 1 for accommodating a semiconductor wafer (hereinafter, referred to as a wafer) W which is an unprocessed object and a wafer W. The cleaning processing unit 2 and the unloading unit 3 for accommodating the cleaned wafer W constitute a main part.

【0016】搬入部1は、洗浄処理前の所定枚数例えば
25枚のウエハWを収容するキャリア4を待機させる待
機部5と、キャリア4からのウエハWの取り出し、オリ
フラ合わせ及びウエハWの枚数検出等を行うローダ部6
と、外部から搬送ロボットなどによって搬入されるキャ
リア4の待機部5への移送及びこの待機部5とローダ部
6との間でキャリア4の移送を行うためのキャリア搬送
アーム7とを具備してなる。
The carry-in section 1 has a standby section 5 for waiting a carrier 4 accommodating a predetermined number of wafers W, for example, 25 wafers before cleaning processing, taking-out of wafers W from the carrier 4, alignment of the orientation flat, and detection of the number of wafers W. Loader unit 6 that performs
And a carrier transfer arm 7 for transferring the carrier 4 loaded from outside by a transfer robot or the like to the standby unit 5 and transferring the carrier 4 between the standby unit 5 and the loader unit 6. Become.

【0017】洗浄処理部2には、搬入部1から搬出部3
に向かって直線状に順に、搬送手段であるウエハチャッ
ク12を洗浄・乾燥する第1のチャック洗浄・乾燥処理
室8a、ウエハW表面の有機汚染物、金属不純物、パー
ティクル等の不純物質を薬液によって洗浄処理する第1
の薬液処理室8b、第1の薬液処理室8bで洗浄された
ウエハWを例えば純水によって洗浄する2つの水洗処理
室8c,8d、第1の薬液処理室8bの薬液とは異なる
薬液で洗浄する第2の薬液処理室8e、第2の薬液処理
室8eで洗浄されたウエハWを例えば純水によって洗浄
する2つの水洗処理室8f,8g、ウエハチャック12
を洗浄・乾燥する第2のチャック洗浄・乾燥処理室8h
及び上記不純物質が除去されたウエハWを例えばIPA
(イソプロピルアルコール)等で蒸気乾燥させるための
ウエハ乾燥処理室8iが配設されている。これら各洗浄
処理室(以下、単に処理室という)8a〜8i内には、
それぞれ処理槽9が配設されている。
The cleaning unit 2 includes a carry-in unit 1 and a carry-out unit 3
A first chuck cleaning / drying processing chamber 8a for cleaning / drying the wafer chuck 12 as a transfer means in a straight line toward the wafer W, an organic contaminant, metal impurities, particles and other impurities on the surface of the wafer W are removed by a chemical solution. First cleaning
Of the wafer W cleaned in the first chemical processing chamber 8b and the first chemical processing chamber 8b, the two cleaning processing chambers 8c and 8d for cleaning with pure water, for example, and a cleaning liquid different from the chemical in the first chemical processing chamber 8b. A second chemical processing chamber 8e, two cleaning processing chambers 8f and 8g for cleaning the wafer W cleaned in the second chemical processing chamber 8e with pure water, for example, and a wafer chuck 12
Chuck cleaning / drying processing chamber 8h for cleaning / drying
And the wafer W from which the impurities are removed is, for example, IPA
A wafer drying processing chamber 8i for vapor drying with (isopropyl alcohol) or the like is provided. In each of these cleaning processing chambers (hereinafter, simply referred to as processing chambers) 8a to 8i,
Each of the processing tanks 9 is provided.

【0018】また、洗浄処理部2の側方には、各処理室
8a〜8iに沿って配設された案内部10と、この案内
部10に装着されて水平(X方向)及び垂直(Z方向)
に移動自在な3基のウエハ搬送ブロック11とで構成さ
れるウエハ搬送装置15が設けられている。ウエハ搬送
ブロック11には、複数枚のウエハWを適宜間隔をおい
て列設保持するウエハチャック12が設けられており、
このウエハチャック12にて保持されるウエハWが各処
理室8a〜8iに搬送され、各処理室8a〜8iにおい
てウエハチャック12からウエハ保持手段であるウエハ
ボート16にウエハWが受け渡されるようになってい
る。
On the side of the cleaning section 2, a guide section 10 is provided along each of the processing chambers 8a to 8i. The guide section 10 is mounted on the guide section 10 to be horizontal (X direction) and vertical (Z direction). direction)
Is constituted by a wafer transfer block 11 of the 3 groups movable in the
Wafer transfer apparatus 15 is provided that is. The wafer transfer block 11 is provided with a wafer chuck 12 for holding a plurality of wafers W in rows at appropriate intervals.
The wafer W held by the wafer chuck 12 is transferred to each of the processing chambers 8a to 8i. In each of the processing chambers 8a to 8i, the wafer W is transferred from the wafer chuck 12 to a wafer boat 16 serving as a wafer holding unit. Has become.

【0019】なお、洗浄処理部2の上方には空キャリア
及び満杯キャリアを搬送するキャリア搬送部13が設け
られている。また、洗浄処理部2の背面側には薬液等の
処理液を収容するタンクや配管群を含む処理液・配管収
容室14が設けられている。
A carrier transport section 13 for transporting empty carriers and full carriers is provided above the cleaning section 2. Further, on the back side of the cleaning processing unit 2, a processing liquid / piping storage chamber 14 including a tank and a piping group for storing a processing liquid such as a chemical liquid is provided.

【0020】上記ウエハチャック12は、図2及び図3
に示すように、駆動機構17によって前後方向(Y方
向)、上下方向(Z方向)及び矢印Mで示すような往復
回動自在な左右一対の把持部材18a,18bと、この
把持部材18a,18bの両端部から下方に垂下された
支持体19a,19bと、支持体19a,19b間にの
上下に、それぞれ平行に架設される保持棒20とで構成
されている。保持棒20には長手方向に沿って例えば5
0個の保持溝21が一定のピッチで設けられており、保
持される50枚のウエハWは、その周縁部が、各把持部
材18a,18bの保持棒20における保持溝21内に
挿入された状態で、各把持部材18a,18bが相互に
接近する方向に回動することによってウエハチャック1
2に把持されるようになっている。
The wafer chuck 12 is shown in FIGS.
As shown in FIG. 5, a pair of left and right gripping members 18a and 18b that are reciprocally rotatable by the driving mechanism 17 in the front-rear direction (Y direction), the vertical direction (Z direction), and as indicated by an arrow M, and the gripping members 18a and 18b. The support members 19a and 19b are suspended downward from both ends of the support member 19, and the holding rods 20 are vertically installed between the support members 19a and 19b. The holding rod 20 has, for example, 5
Zero holding grooves 21 are provided at a constant pitch, and the 50 wafers W to be held have their peripheral edges inserted into the holding grooves 21 of the holding rods 20 of the gripping members 18a, 18b. In this state, each of the gripping members 18a and 18b is rotated in a direction approaching each other, so that the wafer chuck 1 is rotated.
2.

【0021】上記のように構成されるウエハチャック1
2の保持棒20は、耐食、耐熱及び耐強度性に優れてい
るポリエーテルエーテルケトン(Polyetheretherketon
e;PEEK)製部材あるいはポリフェニレンスルフィ
ド(Polyphenylenesulfide;PPS)製部材にて形成さ
れている。この保持棒20は、この保持棒20と同じ材
質あるいは溶接が可能な同系統のエンジニアリングプラ
スチック製部材にて形成される支持体19a,19bに
設けられた取付孔22内に嵌合された後、溶接によって
固定されている(図3参照)。このように保持棒20と
支持体19a,19bとを溶接によって固定する理由
は、ウエハチャック12の構成部材間の隙間をなくして
パーティクルの発生を防止するようにしたためである。
なお、保持棒20は射出成形によって成形することがで
きるが、PPS製の保持棒20は繊維強化材や無機充填
材等とコンパウンディングされたものを射出成形等によ
って成形される。
The wafer chuck 1 configured as described above
The second holding rod 20 is made of a polyetheretherketon having excellent corrosion resistance, heat resistance and strength resistance.
e; PEEK) or a polyphenylene sulfide (PPS) member. The holding rod 20 is fitted into a mounting hole 22 provided in supports 19a and 19b formed of the same material as the holding rod 20 or an engineering plastic member of the same type that can be welded. It is fixed by welding (see FIG. 3). The reason why the holding rod 20 and the supports 19a and 19b are fixed by welding in this way is to eliminate the gap between the constituent members of the wafer chuck 12 to prevent generation of particles.
The holding rod 20 can be formed by injection molding, but the holding rod 20 made of PPS is formed by injection molding of a compound compounded with a fiber reinforcing material, an inorganic filler or the like.

【0022】一方、上記ウエハボート16は、図4及び
図5に示すように、取付基部23に後述する位置調整機
構25を介して取付けられる取付部材24に着脱可能に
取付けられる逆T字状の一対の支持部材26a,26b
と、これら支持部材26a,26bの間の中央下端部に
架設される中央保持棒27と、支持部材26a,26b
の間の左右両側端部に互いに水平かつ平行に架設される
2本の側部保持棒28とで構成されている。この場合、
中央保持棒27は、断面矩形状の棒部材にて形成されて
おり、その上面に例えば50個のウエハWの保持溝29
が長手方向に沿って等ピッチで形成されている。保持溝
29は、図7に示すように、ウエハWを実質的に保持す
る開口側に向ってやや拡開するテーパー状の溝基部29
aと、この溝基部29aの開口部から開口側に向って大
きく拡開するテーパー状の案内部29bとで構成されて
いる。また、側部保持棒28は、図6に示すように、上
面が外側に向って上り勾配の傾斜面30を有し、傾斜面
30の外側の上端に上方に向って突出する起立壁31を
設けた構造となっており、起立壁31に例えば50個の
ウエハWの保持溝32が長手方向に沿って等ピッチに形
成されている。この保持溝32は、図8に示すように、
開口端が大きく拡開する三角状に形成されている。この
ように保持溝32を起立壁31に三角状に形成すること
により、保持溝32とウエハWとの接触面積を少なくす
ることができ、ウエハWへのパーティクルの付着を防止
することができる。なお、側部保持棒28の下面は下方
に向って山形に突出しており、これにより、処理槽9内
の処理液の対流などの液流れを良くすることができる。
On the other hand, as shown in FIGS. 4 and 5, the wafer boat 16 has an inverted T-shape which is detachably mounted on a mounting member 24 which is mounted on a mounting base 23 via a position adjusting mechanism 25 which will be described later. A pair of support members 26a, 26b
A center holding rod 27 erected at a lower center portion between the support members 26a and 26b;
And two side holding rods 28 horizontally and parallel to each other at both left and right ends. in this case,
The center holding rod 27 is formed of a rod member having a rectangular cross section, and has, for example, holding grooves 29 for 50 wafers W on its upper surface.
Are formed at an equal pitch along the longitudinal direction. As shown in FIG. 7, the holding groove 29 has a tapered groove base 29 slightly expanding toward the opening side for substantially holding the wafer W.
a, and a tapered guide portion 29b which greatly expands from the opening of the groove base portion 29a toward the opening side. As shown in FIG. 6, the side holding rod 28 has an inclined surface 30 having an upper surface facing outward and having an upward slope, and an upright wall 31 projecting upward at an upper end outside the inclined surface 30. In this structure, for example, holding grooves 32 of 50 wafers W are formed on the upright wall 31 at equal pitches along the longitudinal direction. This holding groove 32 is, as shown in FIG.
The opening end is formed in a triangular shape that greatly expands. By forming the holding groove 32 in the upright wall 31 in a triangular shape in this manner, the contact area between the holding groove 32 and the wafer W can be reduced, and the adhesion of particles to the wafer W can be prevented. The lower surface of the side holding rod 28 protrudes downward in a chevron shape .
The liquid flow such as the convection of the processing liquid can be improved.

【0023】上記のように構成される中央保持棒27及
び側部保持棒28は、上記ウエハチャック12の保持棒
20と同様に耐食、耐熱及び耐強度性に優れているポリ
エーテルエーテルケトン(Polyetheretherketone;PE
EK)製部材あるいはポリフェニレンスルフィド(Poly
phenylenesulfide;PPS)製部材にて形成されてい
る。これら中央保持棒27及び側部保持棒28の両端部
にはそれぞれ取付け用フランジ33が形成されており、
この取付け用フランジ33を支持部材26a,26bに
設けられた取付け用切欠34内に嵌合して溶接によって
固定して、支持部材26a,26bと保持棒27,28
との隙間をなくしてパーティクルの発生を防止している
(図5参照)。なお、支持部材26a,26bは、保持
棒27,28と同じ材質あるいは溶接が可能な同系統の
エンジニアリングプラスチック製部材にて形成される。
The center holding rod 27 and the side holding rod 28 configured as described above are, like the holding rod 20 of the wafer chuck 12, made of polyetheretherketone having excellent corrosion resistance, heat resistance and strength resistance. ; PE
EK) parts or polyphenylene sulfide (Poly
phenylenesulfide (PPS). At both ends of the central holding rod 27 and the side holding rod 28, mounting flanges 33 are formed, respectively.
The mounting flange 33 is fitted into a mounting notch 34 provided in the support members 26a and 26b and fixed by welding, so that the support members 26a and 26b and the holding rods 27 and 28 are fixed.
To prevent the generation of particles (see FIG. 5). The support members 26a and 26b are formed of the same material as the holding rods 27 and 28 or a member of the same type of engineering plastic that can be welded.

【0024】上記支持部材26a,26bの上部外側に
は、取付部材24に設けられたあり溝24a内に摺動可
能に嵌挿される係合凸条26cが設けられており、この
係合凸条26cを取付部材24のあり溝24a内に嵌挿
した状態で、支持部材26a,26bに設けられた取付
孔26cを介して取付部材24のあり溝24aの底部に
設けられたねじ孔24bに固定ボルト35を締結するこ
とによって、ウエハボート16を取付部材24に取付け
ることができ、また、固定ボルト35の締結を解除する
ことによって、取付部材24からウエハボート16を取
外すことができるように構成されている(図9参照)。
なお、ここでは、取付部材24からウエハボート16を
取外すようにしてあるが、取付部材24とウエハボート
16とを固定してウエハボート全体を交換してもよい。
したがって、処理液の使用温度に応じてウエハボート1
6の保持棒27,28の保持溝29,32のピッチを適
正なものに交換することができ、ウエハWの保持及び搬
送を確実に行うことができる。
An engaging ridge 26c slidably inserted into a dovetail groove 24a provided in the mounting member 24 is provided on an upper outer side of the support members 26a, 26b. With the fitting 26c inserted into the dovetail groove 24a of the mounting member 24, the fixing member 26c is fixed to the screw hole 24b provided at the bottom of the dovetail groove 24a of the mounting member 24 via the mounting hole 26c provided in the supporting members 26a and 26b. The wafer boat 16 can be attached to the attachment member 24 by fastening the bolt 35, and the wafer boat 16 can be detached from the attachment member 24 by releasing the fastening of the fixing bolt 35. (See FIG. 9).
Here, the wafer boat 16 is detached from the mounting member 24, but the mounting member 24 and the wafer boat 16 may be fixed and the entire wafer boat may be replaced.
Therefore, the wafer boat 1 can be used in accordance with the temperature of the processing solution
The pitch of the holding grooves 29 and 32 of the holding rods 27 and 28 can be changed to an appropriate pitch, and the holding and transfer of the wafer W can be performed reliably.

【0025】なお、上記ウエハボート16は処理槽9の
外方に設けられた位置調整機構25によって位置調整さ
れるように構成されている。この位置調整機構25は、
図4に示すように、上記取付部材24に穿設された取付
孔24cを挿通する固定ボルト25bによって支持部材
26a,26bを固定し、位置調整ボルト25bの調節
によって位置調整が可能になっている。
The position of the wafer boat 16 is adjusted by a position adjusting mechanism 25 provided outside the processing tank 9. This position adjustment mechanism 25
As shown in FIG. 4, the supporting members 26a and 26b are fixed by fixing bolts 25b inserted through the mounting holes 24c formed in the mounting member 24, and the position can be adjusted by adjusting the position adjusting bolts 25b. .

【0026】以下に、ウエハボート16を処理液の使用
温度に応じて交換する場合の具体的な実施例について説
明する。
Hereinafter, a specific embodiment in which the wafer boat 16 is replaced according to the use temperature of the processing liquid will be described.

【0027】ここでは、PEEK製の保持棒27,28
(テストピース)(線膨脹係数:5×10-5/℃)を使
用して、8インチウエハを同時に50枚保持する場合に
ついて、溝ピッチを、6.35mm,6.345mm,6.
34mm,6.335mm及び6.33mmに設定した保持棒
27,28の異なる温度(室温(RT:23℃),処理
液温度:60℃,80℃)の場合について、図10に示
すような熱膨脹のテストを行ったところ、表1に示すよ
うな結果が得られた。なお、図10において、Ltは保
持棒27,28の使用温度時の長さ(mm)、Lrは保持
棒27,28の常温時長さ(mm)、Δlはセンター基準
伸び量(Δl=(Lt−Lr)/2)で、保持棒27,
28の使用温度時の長さLtは次式であらわされる。
Here, the PEEK holding rods 27 and 28 are used.
Using (test piece) (linear expansion coefficient: 5.times.10.sup.- 5 / .degree. C.), groove pitches of 6.35 mm, 6.345 mm, and 6.35 when simultaneously holding 50 8-inch wafers.
Thermal expansion as shown in FIG. 10 when the holding rods 27 and 28 are set at 34 mm, 6.335 mm and 6.33 mm at different temperatures (room temperature (RT: 23 ° C.), processing liquid temperatures: 60 ° C. and 80 ° C.). As a result, the results shown in Table 1 were obtained. In FIG. 10, Lt is the length (mm) of the holding rods 27, 28 at the use temperature, Lr is the length (mm) of the holding rods 27, 28 at the normal temperature, and Δl is the center reference elongation (Δl = ( Lt−Lr) / 2), the holding rod 27,
The length Lt at the use temperature of 28 is expressed by the following equation.

【0028】 すなわち,Lt=Lr+Lr×Δt×5×10-5 なお、Δtは処理液温度と室温との温度差である。That is, Lt = Lr + Lr × Δt × 5 × 10 -5 where Δt is a temperature difference between the temperature of the processing solution and room temperature.

【0029】[0029]

【表1】 [Table 1]

【0030】上記テストの結果、処理液の温度が60℃
のときは、溝ピッチが6.34mmの中央保持棒27及び
側部保持棒28を使用することにより、処理液の使用温
度(60℃)によって保持棒27,28が熱膨張した場
合でもウエハWを確実に保持し搬送することができた。
また、上記テスト結果に基づいて処理液の使用温度が8
0℃の場合は、保持棒27,28の溝ピッチが6.33
mmのものを使用したところ、ウエハWの保持及び搬送の
不具合なくウエハWの洗浄処理を行うことができた。
As a result of the above test, the temperature of the processing solution was 60 ° C.
In this case, the center holding rod 27 and the side holding rod 28 having a groove pitch of 6.34 mm are used, so that even if the holding rods 27 and 28 thermally expand due to the use temperature (60 ° C.) of the processing liquid, the wafer W Was securely held and transported.
Further, based on the test results, the working temperature of the processing
In the case of 0 ° C., the groove pitch of the holding rods 27 and 28 is 6.33.
When a wafer having a diameter of mm was used, the wafer W could be cleaned without trouble in holding and transporting the wafer W.

【0031】上記実験ではPEEK製の保持棒の場合に
ついて説明したが、PEEKと同様に線膨脹係数が小さ
いPPS製保持棒を用いてもよい。また、上記実験では
ウエハボート16の保持棒27,28の場合について説
明したが、ウエハチャック12の保持棒20においても
同様な趣旨で、処理液の使用温度に応じた適正なピッチ
の保持溝21を有する保持棒20を交換して使用するこ
とができる。
In the above experiment, the case of a PEEK-made holding rod has been described. However, a PPS-made holding rod having a small linear expansion coefficient may be used similarly to PEEK. In the above experiment, the case of holding rods 27 and 28 of the wafer boat 16 was described. However, the holding rods 20 of the wafer chuck 12 have the same meaning as the holding rods 21 of the wafer chuck 12 with an appropriate pitch according to the use temperature of the processing liquid. Can be used by exchanging the holding rod 20 having.

【0032】なお、上記処理槽9のうち処理液(薬液)
を収容する処理槽9は石英製の温浴槽にて形成されてお
り、この処理槽9の四方の外周近傍位置に配設される面
ヒータ36によって処理槽9内の処理液が所定温度に加
熱されるようになっている(図4参照)。しかし、この
ような加熱方法においては、処理槽9の石英部分が誘電
体となって処理槽9に電位が発生し、処理槽9内の処理
液に電圧が発生すると共に、処理液に浸漬されるウエハ
Wが帯電されて、ウエハWにパーティクル等が付着し易
くなる虞れがある。そこで、処理槽9と面ヒータ36と
の間に例えばアルミニウム製のシールド板37を介在さ
せると共に、このシールド板37を接地させることによ
り、処理槽9の電位及び処理液への電圧発生を抑制して
ウエハWの帯電を防止する(図4及び図11参照)。
The processing solution (chemical solution) in the processing tank 9 is used.
Is formed of a hot tub made of quartz, and the processing liquid in the processing tank 9 is heated to a predetermined temperature by a surface heater 36 disposed near the outer periphery on all sides of the processing tank 9. (See FIG. 4). However, in such a heating method, the quartz portion of the processing tank 9 becomes a dielectric, and a potential is generated in the processing tank 9, and a voltage is generated in the processing liquid in the processing tank 9, and the liquid is immersed in the processing liquid. The wafer W may be charged and particles and the like may easily adhere to the wafer W. Therefore, a shield plate 37 made of, for example, aluminum is interposed between the processing tank 9 and the surface heater 36, and the shield plate 37 is grounded, thereby suppressing the potential of the processing tank 9 and the generation of voltage to the processing liquid. To prevent charging of the wafer W (see FIGS. 4 and 11).

【0033】図12はこの発明における被処理体保持部
の別の実施例を示す断面図が示されている。この第二実
施例は、被処理体保持部と処理体であるウエハWとの接
触面積を小さくしてウエハWに付着するパーティクルを
確実に除去できるようにした場合である。すなわち、被
処理体保持部例えばウエハボート16の中央保持棒27
及び側部保持棒28の保持溝29,32の底部に排液貫
通路38を形成することにより、ウエハWと保持溝2
9,32との接触面積を小さくすると共に、保持溝2
9,32に残る処理液の流れを良くしてパーティクルを
積極的に排出し得るようにした場合である。なお、図1
2において、その他の部分は上記第一実施例と同じであ
るので、同一部分には同一符号を付して、その説明は省
略する。
FIG. 12 is a sectional view showing another embodiment of the object-to-be-processed holding portion according to the present invention. In the second embodiment, the contact area between the object-to-be-processed holding portion and the wafer W as the object to be processed is reduced so that particles adhering to the wafer W can be reliably removed. That is, the object holding portion, for example, the center holding rod 27 of the wafer boat 16
By forming a drainage passage 38 at the bottom of the holding grooves 29 and 32 of the side holding rod 28, the wafer W and the holding groove 2 are formed.
9 and 32, and the holding groove 2
This is the case where the flow of the processing liquid remaining at 9, 32 is improved so that particles can be positively discharged. FIG.
In FIG. 2, the other parts are the same as those in the first embodiment, and thus the same parts are denoted by the same reference numerals and description thereof will be omitted.

【0034】上記第二実施例ではウエハボート16の中
央保持棒27と側部保持棒28の保持溝29,32の底
部に排液貫通路38を設けた場合について説明したが、
ウエハチャック12の保持棒20の保持溝21の底部に
同様に排液貫通路を形成することによっても、ウエハW
と保持溝21との接触面積を小さくすると共に、保持溝
21に残る処理液の流れを良くしてパーティクルを積極
的に排出することができる。
In the second embodiment, the case where the drainage passage 38 is provided at the bottom of the holding grooves 29 and 32 of the center holding rod 27 and the side holding rod 28 of the wafer boat 16 has been described.
Similarly, by forming a drainage passage at the bottom of the holding groove 21 of the holding rod 20 of the wafer chuck 12, the wafer W
The contact area between the holding groove 21 and the holding groove 21 can be reduced, and the flow of the processing liquid remaining in the holding groove 21 can be improved to positively discharge particles.

【0035】なお、上記実施例の半導体ウエハの洗浄処
理装置は、直線状に複数の処理室すなわち処理槽を配置
した構造のものについて説明したが、その他のこの種の
洗浄処理装置として、例えば多間接のウエハ搬送手段を
有する搬送室の周囲に処理ユニットを配置して、各処理
ユニットに順次ウエハを搬送する構造のものにも適用で
きるものである。
Although the semiconductor wafer cleaning apparatus of the above embodiment has a structure in which a plurality of processing chambers, ie, processing tanks, are arranged in a straight line, other types of cleaning processing apparatuses, such as a The present invention is also applicable to a structure in which processing units are arranged around a transfer chamber having indirect wafer transfer means and wafers are sequentially transferred to each processing unit.

【0036】また、上記実施例では、被処理体の保持手
段を交換可能な構成にて説明したが、これに限られるも
のではなく、一体とした構成であってもよいことは勿論
である。
Further, in the above-described embodiment, the description has been given of the structure in which the holding means for the object to be processed is replaceable. However, the present invention is not limited to this.

【0037】また、上記実施例では、この発明の洗浄処
理装置を半導体ウエハの洗浄処理装置に適用した場合に
ついて説明したが、半導体ウエハ以外のガラス基板ある
いはLCD基板等の被処理体の洗浄処理装置にも適用で
きることは勿論である。
In the above embodiment, the case where the cleaning apparatus of the present invention is applied to a semiconductor wafer cleaning apparatus has been described. However, the apparatus for cleaning an object to be processed such as a glass substrate or an LCD substrate other than a semiconductor wafer. Of course, it can be applied to

【0038】[0038]

【発明の効果】以上に説明したようにこの発明の洗浄処
理装置によれば、上記のように構成されているので、以
下のような効果が得られる。
According to the cleaning apparatus of the present invention as described above, the following effects can be obtained since the cleaning apparatus is configured as described above.

【0039】1)請求項1及び2記載の洗浄処理装置に
よれば、被処理体保持部に、耐食、耐熱及び耐強度性を
もたせることができると共に、処理液の使用温度によっ
て被処理体保持部の熱膨張による変形を少なくすること
ができるので、被処理体の保持及び搬送を確実にするこ
とができると共に、被処理体保持部と被処理体との接触
部におけるパーティクルの発生を防止することができ、
歩留まりの向上を図ることができる。
1) According to the cleaning apparatus of the first and second aspects, the object-to-be-processed holding portion can be provided with corrosion resistance, heat resistance, and strength resistance, and the object-to-be-processed held by the use temperature of the processing solution. Since the deformation due to thermal expansion of the portion can be reduced, the holding and transport of the object can be ensured, and the generation of particles at the contact portion between the object holding portion and the object is prevented. It is possible,
The yield can be improved.

【0040】また、側部保持棒の保持溝を起立壁に形成
すると共に、開口端を拡開する三角状に形成することに
より、被処理体との接触面積を少なくすることができ、
被処理体へのパーティクルの付着を防止することができ
る。また、側部保持棒の下面を下方に向って山形に突出
することにより、処理槽内の処理液の対流などの液流れ
を良くすることができる
Further, the holding groove of the side holding rod is formed in the upright wall.
As well as forming the open end in a triangular shape
Thus, the contact area with the object can be reduced,
Prevents particles from adhering to the workpiece
You. Also, the lower surface of the side holding rod projects downward in a chevron.
The flow of the processing liquid in the processing tank, such as convection.
Can be better .

【0041】2)請求項記載の洗浄処理装置によれ
ば、処理液の使用温度により被処理体保持部のピッチの
異なるものを交換して用いることができるので、処理液
の使用温度によって被処理体保持部の熱膨張による変形
を考慮することができる。
2) According to the third aspect of the present invention, it is possible to exchange a workpiece having a different holding unit pitch depending on the use temperature of the processing liquid. Deformation due to thermal expansion of the processing body holding unit can be considered.

【0042】3)請求項記載の洗浄処理装置によれ
ば、被処理体と被処理体保持部との接触面積を小さくす
ることができると共に、保持部の処理液の流れをよく
し、パーティクルを積極的に除去することができるの
で、被処理体を異なる処理液に効率良く浸漬して処理し
て処理能率の向上を図ることができる。
3) According to the fourth aspect of the present invention, the contact area between the object to be processed and the holder for the object to be processed can be reduced, and the flow of the processing liquid in the holder can be improved. Can be positively removed, so that the object to be processed can be efficiently immersed in a different processing solution for processing to improve the processing efficiency.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明の洗浄処理装置を適用した半導体ウエ
ハ洗浄処理装置の一実施例を示す概略斜視図である。
FIG. 1 is a schematic perspective view showing one embodiment of a semiconductor wafer cleaning processing apparatus to which a cleaning processing apparatus of the present invention is applied.

【図2】この発明における被処理体搬送手段を示す斜視
図である。
FIG. 2 is a perspective view showing an object transfer means in the present invention.

【図3】被処理体搬送手段の要部斜視図である。FIG. 3 is a perspective view of a main part of the object transfer means.

【図4】この発明における被処理体保持手段を示す斜視
図である。
FIG. 4 is a perspective view showing a processing object holding means in the present invention.

【図5】被処理体保持手段の要部断面図である。FIG. 5 is a sectional view of a main part of the processing object holding means.

【図6】被処理体保持手段の保持棒の要部拡大断面図で
ある。
FIG. 6 is an enlarged cross-sectional view of a main part of a holding rod of the processing object holding means.

【図7】図5のA−A線に沿う拡大断面図である。FIG. 7 is an enlarged sectional view taken along line AA of FIG.

【図8】図5のB−B線に沿う拡大断面図である。FIG. 8 is an enlarged sectional view taken along line BB of FIG. 5;

【図9】被処理体保持手段の要部の分解斜視図である。FIG. 9 is an exploded perspective view of a main part of the processing object holding means.

【図10】被処理体保持手段の保持棒のテストピースの
説明図である。
FIG. 10 is an explanatory view of a test piece of a holding rod of the processing object holding means.

【図11】この発明における処理槽の加熱手段を示す断
面図である。
FIG. 11 is a sectional view showing a heating means of the processing tank in the present invention.

【図12】この発明における被処理体保持手段の第二実
施例を示す要部断面図である。
FIG. 12 is a sectional view showing a main part of a second embodiment of the object holding means according to the present invention.

【符号の説明】 W 半導体ウエハ(被処理体) 12 ウエハチャック(搬送手段) 1 5 ウエハ搬送装置 16 ウエハボート(保持手段) 20 保持棒 21 保持溝 23 取付基部 24 取付部材 25 位置調整機構 27 中央保持棒 28 側部保持棒 29 保持溝 32 保持溝 [Description of Signs] W Semiconductor wafer (workpiece) 12 Wafer chuck ( transfer means ) 15 Wafer transfer device 16 Wafer boat ( holding means ) 20 Holding rod 21 Holding groove 23 Mounting base 24 Mounting member 25 Position adjustment mechanism 27 Center Holding rod 28 Side holding rod 29 Holding groove 32 Holding groove

フロントページの続き (56)参考文献 特開 平5−326476(JP,A) 特開 平4−338668(JP,A) 特開 平3−156951(JP,A) 特開 平3−50847(JP,A) 特開 平4−64246(JP,A) 特開 平6−204197(JP,A) 実開 平2−61194(JP,U) 実開 昭63−8478(JP,U) 実開 平3−111554(JP,U) 実開 昭52−142370(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/304,21/68 B08B 3/04,11/04 Continuation of the front page (56) References JP-A-5-326476 (JP, A) JP-A-4-338668 (JP, A) JP-A-3-156951 (JP, A) JP-A-3-50847 (JP) JP-A-4-64246 (JP, A) JP-A-6-204197 (JP, A) JP-A-2-61194 (JP, U) JP-A-63-8478 (JP, U) JP-A-6-8478 3-111554 (JP, U) Jiro 52-142370 (JP, U) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) H01L 21/304, 21/68 B08B 3/04, 11 / 04

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 キャリアから複数の被処理体を取り出す
ローダ部と、 上記複数の被処理体を保持して処理槽へ搬送する搬送手
段と、 複数の被処理体を浸漬処理する処理液を収容する処理槽
と、 上記複数の被処理体を、上記搬送手段より受け渡され上
記処理槽内にて保持する保持手段とを具備する洗浄処理
装置において、 上記保持手段の被処理体保持部は、それぞれポリエーテ
ルエーテルケトン製部材又はポリフェニレンスルフィド
製部材にて形成されると共に、所定間隔の複数の保持溝
を有する、中央保持棒と、この中央保持棒の両側に配設
される側部保持棒を具備し、かつ、上記保持棒が処理液
の温度に応じた適正な溝ピッチを有し、 上記側部保持棒は、上面が外側に向って上り勾配の傾斜
面と、この傾斜面の外側上端から上方に突出する起立壁
と、下方に向って山形に突出する下面とを有すると共
に、起立壁に形成される上記保持溝の開口端を拡開する
三角状に形成してなる ことを特徴とする洗浄処理装置。
1. A loader unit for taking out a plurality of objects to be processed from a carrier, a transporting means for holding the plurality of objects to be transported to a processing tank, and containing a processing solution for immersing the plurality of objects. A cleaning tank, comprising: a processing tank to be processed; and a holding unit that receives the plurality of processing objects from the transport unit and holds the processing object in the processing tank . Each polyate
Polyether ketone or polyphenylene sulfide
A central holding rod , which is formed of a member made of a material and has a plurality of holding grooves at predetermined intervals, and disposed on both sides of the central holding rod.
Comprising a side supporting rods being, and have a proper groove pitch which the holding rod in accordance with the temperature of the treatment liquid, the side supporting bar, the inclination of the upslope upper surface toward the outside
Surface and an upright wall protruding upward from the outer upper end of the inclined surface
And a lower surface projecting downward in a chevron.
The opening end of the holding groove formed in the upright wall is expanded.
A cleaning apparatus characterized by being formed in a triangular shape .
【請求項2】 キャリアから複数の被処理体を取り出す
ローダ部と、 上記複数の被処理体を保持して処理槽へ搬送する搬送手
段と、 上記複数の被処理体を浸漬処理する処理液を収容する処
理槽と、 上記複数の被処理体を、上記搬送手段より受け渡され上
記処理槽内にて保持する保持手段とを具備する洗浄処理
装置において、 上記搬送手段の被処理体保持部は、それぞれポリエーテ
ルエーテルケトン製部材又はポリフェニレンスルフィド
製部材にて形成されると共に、所定間隔の複数の保持溝
を有し、かつ、上記保持溝が処理液の温度に応じた適正
な溝ピッチを有し、 上記保持手段の被処理体保持部は、それぞれポリエーテ
ルエーテルケトン製部材又はポリフェニレンスルフィド
製部材にて形成されると共に、所定間隔の複数の保持溝
を有する、中央保持棒と、この中央保持棒の両側に配設
される側部保持棒を具備し、かつ、上記保持棒が処理液
の温度に応じた適正な溝ピッチを有し、 上記側部保持棒
は、上面が外側に向って上り勾配の傾斜面と、この傾斜
面の外側上端から上方に突出する起立壁と、下方に向っ
て山形に突出する下面とを有すると共に、起立壁に形成
される上記保持溝の開口端を拡開する三角状に形成して
なることを特徴とする洗浄処理装置。
2. A plurality of objects to be processed are taken out of a carrier.
A loader unit and a transporter that holds the plurality of workpieces and transports them to a processing tank.
A step and a process for containing a processing solution for immersing the plurality of objects to be processed.
The treatment vessel and the plurality of objects to be processed are transferred from
Cleaning processing comprising: holding means for holding in the processing tank
In the apparatus, the object holding portions of the transport means are each a polyether.
Polyether ketone or polyphenylene sulfide
A plurality of holding grooves formed at predetermined intervals
And the holding groove is appropriate for the temperature of the processing solution.
The object holding portions of the holding means have polyether grooves.
Polyether ketone or polyphenylene sulfide
A central holding rod , which is formed of a member made of metal and has a plurality of holding grooves at predetermined intervals, and disposed on both sides of the central holding rod.
Comprising a side supporting rods being, and have a proper groove pitch which the holding rod in accordance with the temperature of the treatment liquid, the side supporting bars
Has a slope with an upper surface facing outward and an upward slope.
An upstanding wall projecting upward from the outer top edge of the surface, and
With a lower surface protruding in a chevron shape and formed on an upright wall
The open end of the holding groove is formed in a triangular shape to expand.
Cleaning apparatus characterized by comprising.
【請求項3】 上記保持手段が処理液の使用温度に応じ
て交換可能であることを特徴とする請求項1又は2記載
の洗浄処理装置。
3. A cleaning apparatus according to claim 1 or 2, wherein the said retaining means is replaceable according to the operating temperature of the processing solution.
【請求項4】 上記被処理体保持部の保持溝の底部に排
液貫通路を形成したことを特徴とする請求項1ないし
のいずれかに記載の洗浄処理装置。
4. claims 1, characterized in that the formation of the drain through-passage in the bottom of the holding groove of the workpiece holder 3
The cleaning treatment device according to any one of the above.
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