JP3189789B2 - Field emission cathode with planar focusing electrode - Google Patents

Field emission cathode with planar focusing electrode

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JP3189789B2
JP3189789B2 JP15439498A JP15439498A JP3189789B2 JP 3189789 B2 JP3189789 B2 JP 3189789B2 JP 15439498 A JP15439498 A JP 15439498A JP 15439498 A JP15439498 A JP 15439498A JP 3189789 B2 JP3189789 B2 JP 3189789B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、高精細の電界放出
カラーディスプレイなどに用いられる平面集束電極付電
界放出カソードに関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a field emission cathode with a flat focusing electrode used for a high definition field emission color display or the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】金属または半導体表面の印加電界を10
9 [ボルト/m]程度にすると、トンネル効果により電
子が障壁を通過し常温でも真空中に電子放出が行われ
る。これを電界放出(Field Emissin)という。このよ
うな原理で電子を放出するカソードを電界放出カソード
(Field Emissin Cathode)という。半導体微細加工技
術を駆使して、ミクロンサイズの電界放出カソードから
なる面放出型の電界放出カソードを作成することが可能
となり、電界放出ディスプレイ(Field Emissin Displa
y)、リソグラフィー用電子ビーム装置等の電子放出源
として用いられている。
2. Description of the Related Art An electric field applied to a metal or semiconductor surface is 10
At about 9 [volts / m], electrons pass through the barrier due to the tunnel effect, and electrons are emitted in a vacuum even at room temperature. This is called field emission (Field Emissin). A cathode that emits electrons based on this principle is called a field emission cathode (Field Emissin Cathode). By making full use of semiconductor microfabrication technology, it is possible to create a surface emission type field emission cathode consisting of micron-sized field emission cathodes, and a field emission display (Field Emissin Displa)
y), used as an electron emission source for an electron beam apparatus for lithography.

【0003】電界放出ディスプレイにおいては、カソー
ド基板側とアノード基板側とが所定間隔のギャップを隔
てて封着され、内部を真空状態とされている。その電界
放出カソードとしてスピント型の冷陰極を用いるもので
は、引出電極に正のゲート電圧を印加すると、この引出
電極の開口部内に設けられたエミッタチップから電界放
出により電子が放出され、正電圧が印加されたアノード
電極に到達し、アノード電極を被覆する蛍光体が発光し
て表示動作が行われる。その際、集束電極とゲート電極
とを絶縁層の同一平面に形成し、電界放出カソードから
放出された電子ビームを集束させる平面集束電極付きの
電界放出カソードがある。集束電極を設けることによ
り、電子ビームが隣接する蛍光体ドットやアノード基板
のガラス部分に射突する割合を減少させ、位置決め精度
に余裕を持たせることができる。
In a field emission display, a cathode substrate side and an anode substrate side are sealed with a predetermined gap therebetween, and the inside is kept in a vacuum state. When a Spindt-type cold cathode is used as the field emission cathode, when a positive gate voltage is applied to the extraction electrode, electrons are emitted from the emitter tip provided in the opening of the extraction electrode by field emission, and the positive voltage is reduced. The applied phosphor reaches the anode electrode, the phosphor covering the anode electrode emits light, and the display operation is performed. At this time, there is a field emission cathode with a plane focusing electrode in which a focusing electrode and a gate electrode are formed on the same plane of an insulating layer and an electron beam emitted from the field emission cathode is focused. By providing the focusing electrode, it is possible to reduce the rate at which the electron beam collides with the adjacent phosphor dots or the glass portion of the anode substrate, and to allow a margin in the positioning accuracy.

【0004】図6は、従来の平面集束電極付電界放出カ
ソードの説明図であり、図6(a)は平面集束電極付電
界放出カソードの平面図、図6(b)はこれに対応する
アノ−ド基板側の平面図である。図中、1はゲート電
極、1aはゲート配線部、1bは引出線部、1cは引出
電極部、2は集束電極、3は絶縁層、4は開口部、21
は蛍光体(赤)、22は蛍光体(緑)、23は蛍光体
(青)である。
FIG. 6 is an explanatory view of a conventional field emission cathode with a flat focusing electrode. FIG. 6 (a) is a plan view of a field emission cathode with a flat focusing electrode, and FIG. 6 (b) is a corresponding anode. It is a top view on the side of a negative substrate. In the figure, 1 is a gate electrode, 1a is a gate wiring portion, 1b is a lead wire portion, 1c is a lead electrode portion, 2 is a focusing electrode, 3 is an insulating layer, 4 is an opening, 21
Is a phosphor (red), 22 is a phosphor (green), and 23 is a phosphor (blue).

【0005】図6(a)に示すように、ゲート電極1
は、ゲート配線部1a,引出線部1b,引出電極部1c
からなる。ゲート電極1は、集束電極2とともに、絶縁
層3の同一平面上に形成されている。引出電極部1c
は、長方形の縦長形状であり、引出電極部1cの幅方向
(色選択方向)に等間隔に並んだ3個が1単位となり、
1画素の三原色の各1つに対応する。各引出電極部1c
の複数の開口部4内のエミッタチップから電子ビームが
放出される。集束電極2は櫛歯型であり、この櫛歯の間
に間隔をおいて各引出電極部1cが配置される。各引出
電極部1cは、上部に開放部が形成され、左右および下
の3方を等しい間隔で集束電極2に取り囲まれている。
引出電極部1cは、引出線部1bにより集束電極2の開
放部を通って引き出され、共通のゲート配線部1aに接
続される。引出線部1bの幅は引出電極部1cの幅より
も細くされている。ゲート配線部1aは左右に延びて外
部よりゲート電圧が印加される。
[0005] As shown in FIG.
Are a gate wiring portion 1a, a lead line portion 1b, and a lead electrode portion 1c.
Consists of The gate electrode 1 and the focusing electrode 2 are formed on the same plane of the insulating layer 3. Extraction electrode part 1c
Is a vertically long rectangular shape, and three units arranged at equal intervals in the width direction (color selection direction) of the extraction electrode unit 1c constitute one unit,
It corresponds to each one of the three primary colors of one pixel. Each extraction electrode part 1c
An electron beam is emitted from the emitter tip in the plurality of openings 4. The focusing electrode 2 has a comb-tooth shape, and the extraction electrode portions 1c are arranged at intervals between the comb teeth. Each extraction electrode portion 1c has an open portion formed at an upper portion, and is surrounded by the focusing electrode 2 at equal intervals on the left, right, and lower sides.
The extraction electrode portion 1c is extracted through the opening of the focusing electrode 2 by the extraction line portion 1b, and is connected to the common gate wiring portion 1a. The width of the lead wire portion 1b is smaller than the width of the lead electrode portion 1c. The gate wiring portion 1a extends right and left, and a gate voltage is applied from the outside.

【0006】図6(b)に示すアノード側においては、
3本の引出電極部1cに対向して3本のアノード電極が
ある。各アノード電極に長方形状の三原色の蛍光体
(赤)21、蛍光体(緑)22、蛍光体(青)23が被
覆形成され、ストライプ配列されて1画素を構成する。
各々のエミッタチップから放出された電子ビームは、集
束電極2により集束作用を受けながら、対応する蛍光体
(赤)21、蛍光体(緑)22、蛍光体(青)23に射
突して各蛍光体を発光させる。
On the anode side shown in FIG.
There are three anode electrodes opposed to the three extraction electrode portions 1c. Each of the anode electrodes is covered with a rectangular three primary color phosphor (red) 21, a phosphor (green) 22, and a phosphor (blue) 23, and is arranged in stripes to constitute one pixel.
The electron beam emitted from each emitter tip collides with the corresponding phosphor (red) 21, phosphor (green) 22, and phosphor (blue) 23 while being focused by the focusing electrode 2. The phosphor emits light.

【0007】図7は、図6に示した平面集束電極付電界
放出カソードによる電子ビームのスポットの説明図であ
る。アノード基板側における発光面の様子を示してい
る。図中、図6と同様な部分には同じ符号を付して説明
を省略する。24,25,26は電子ビームのスポット
である。上述した平面集束電極付電界放出カソードにお
いて、電子ビームの集束特性を評価した結果、電子ビー
ムを集束させるほど、集束電極2の開口部の影響が発光
面に観察された。引出電極部1cを集束電極2で完全に
囲むことができないため、コーン状エミッタから放出さ
れた電子ビームは、集束電極2の開口側、図6の例で
は、上方から漏れ、所望のビームスポットを得られな
い。
FIG. 7 is an explanatory view of the spot of the electron beam by the field emission cathode with the plane focusing electrode shown in FIG. The state of the light emitting surface on the anode substrate side is shown. In the figure, the same parts as those in FIG. 6 are denoted by the same reference numerals, and the description is omitted. Reference numerals 24, 25, and 26 are electron beam spots. As a result of evaluating the focusing characteristics of the electron beam in the above-described field emission cathode with a plane focusing electrode, the effect of the opening of the focusing electrode 2 was observed on the light emitting surface as the electron beam was focused. Since the extraction electrode section 1c cannot be completely surrounded by the focusing electrode 2, the electron beam emitted from the cone-shaped emitter leaks from the opening side of the focusing electrode 2, in the example of FIG. I can't get it.

【0008】図7(a)においては、蛍光体(赤)21
に到達する電子ビームのスポット24,蛍光体(緑)2
2に到達する電子ビームのスポット25,蛍光体(青)
に到達する電子ビームのスポット26は、いずれも、ほ
ぼ楕円形状であるが、上方の集束が不十分であるため形
状が歪んでいる。また、図7(b)においては、電子ビ
ームのスポットの位置が蛍光体の上方にずれている。
In FIG. 7A, a phosphor (red) 21
Spot 24 of the electron beam reaching the phosphor, phosphor (green) 2
2. Electron beam spot 25 that reaches 2, phosphor (blue)
Each of the spots 26 of the electron beam arriving at is almost elliptical, but the shape is distorted due to insufficient focusing above. In FIG. 7B, the position of the spot of the electron beam is shifted above the phosphor.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述した問
題点を解決するためになされたもので、発光面における
電子ビームスポットの形状の歪み、到達位置のずれ等を
少なくした平面集束電極付電界放出カソードを提供する
ことを目的とするものである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and has a flat focusing electrode with reduced distortion of the shape of the electron beam spot on the light emitting surface and displacement of the arrival position. It is an object to provide a field emission cathode.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明は、絶縁層、該絶
縁層上に形成された引出電極、前記絶縁層および前記引
出電極の積層部分に開けられた複数の開口部、該開口部
内に設けられたエミッタチップ、および、前記絶縁層上
に前記引出電極と同一平面上に形成され、前記引出電極
の周囲に間隔をおいてかつ一部に開放部を有して取り囲
む集束電極を有する平面集束電極付電界放出カソードで
あって、前記引出電極は引出線により前記開放部を通っ
てゲート配線に接続され、前記引出線の表面は絶縁膜に
より覆われているものである。したがって、絶縁膜に帯
電した電子により形成される電界により、絶縁膜が電子
ビームを集束させる作用を有する。その結果、電子ビー
ムを集束したときの発光面に、集束電極の開放部の影響
による、電子ビームスポットの形状歪み、到達位置のず
れ等が少なくなる。
According to the present invention, there is provided an insulating layer, an extraction electrode formed on the insulating layer, a plurality of openings formed in a laminated portion of the insulating layer and the extraction electrode, and a plurality of openings formed in the opening. A plane having an emitter chip provided thereon, and a focusing electrode formed on the insulating layer on the same plane as the extraction electrode, spaced around the extraction electrode and partially surrounding the extraction electrode with an open portion; In the field emission cathode with a focusing electrode, the extraction electrode is connected to the gate wiring through the opening by an extraction line, and the surface of the extraction line is covered with an insulating film. Therefore, the insulating film has an action of focusing the electron beam by an electric field formed by the electrons charged in the insulating film. As a result, the shape distortion of the electron beam spot, the displacement of the arrival position, and the like due to the effect of the opening of the focusing electrode on the light emitting surface when the electron beam is focused are reduced.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】図1は、本発明の第1の実施の形
態の平面集束電極付電界放出カソードの構造を説明する
ための平面図である。図2は、図1に示した構造の切断
線A−Aに沿う部分断面図である。図中、図7と同様な
部分には同じ符号を付して説明を省略する。5は絶縁
膜、11はコーン状エミッタ、12はカソード基板、1
3は抵抗層である。この実施の形態の平面集束電極付電
界放出カソードは、絶縁層3上に形成された引出電極部
1c、絶縁層3および引出電極部1cの積層部分に開け
られた開口部4内に設けられたコーン状エミッタ11等
のエミッタチップ、および、この引出電極部1cととも
に絶縁層3の同一平面上に形成され、引出電極部1cの
周囲に間隔をおいてかつ一部に開放部を有して取り囲む
集束電極2を有する。引出電極1cが引出線部1bによ
り開放部を通ってゲート配線部1aに接続されており、
引出線部1bの表面が絶縁膜5に覆われている。絶縁膜
5は、絶縁層3と同じ材料で形成されてもよい。引出電
極部1cは、幅方向に1つの画素の各色に対応して3個
設けられ、集束電極2は、各引出電極1cを挟むよう
に、1つの画素に対応して4本の櫛歯部分が設けられ
る。
FIG. 1 is a plan view for explaining a structure of a field emission cathode with a planar focusing electrode according to a first embodiment of the present invention. FIG. 2 is a partial cross-sectional view of the structure shown in FIG. 1 along the section line AA. In the figure, the same parts as those in FIG. 7 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted. 5 is an insulating film, 11 is a cone-shaped emitter, 12 is a cathode substrate, 1
3 is a resistance layer. The field emission cathode with a planar focusing electrode according to this embodiment is provided in an opening 4 formed in a laminated portion of the extraction electrode portion 1c formed on the insulating layer 3, the insulating layer 3 and the extraction electrode portion 1c. An emitter chip such as a cone-shaped emitter 11 and the extraction electrode portion 1c are formed on the same plane of the insulating layer 3 together with the extraction electrode portion 1c, and are spaced around the extraction electrode portion 1c and partially surround the opening portion. It has a focusing electrode 2. The lead electrode 1c is connected to the gate wiring part 1a through the open part by the lead line part 1b,
The surface of the lead wire portion 1b is covered with the insulating film 5. The insulating film 5 may be formed of the same material as the insulating layer 3. Three extraction electrode portions 1c are provided in the width direction corresponding to each color of one pixel, and the focusing electrode 2 has four comb-tooth portions corresponding to one pixel so as to sandwich each extraction electrode 1c. Is provided.

【0012】集束電極2の電位を0Vとするとゲート電
極には約80Vの電圧を印加するため、ゲート電極の引
出線部1bの表面を覆う絶縁膜5には電子が帯電する。
絶縁膜5に帯電した電子により形成される電界は、電子
ビームを集束させる作用を有する。したがって、集束電
極2の開口部の影響が軽減されることになる。
Assuming that the potential of the focusing electrode 2 is 0 V, a voltage of about 80 V is applied to the gate electrode, so that the insulating film 5 covering the surface of the lead wire portion 1b of the gate electrode is charged with electrons.
The electric field formed by the electrons charged on the insulating film 5 has a function of focusing the electron beam. Therefore, the effect of the opening of the focusing electrode 2 is reduced.

【0013】図2に示すように、カソード基板12上に
抵抗層13が形成され、その上に絶縁層3が形成されて
いる。引出電極部1cと絶縁層3とに形成された開口部
4の位置における抵抗層13の上に、コーン状エミッタ
11が形成されている。図示の例では、引出電極部1c
に複数の開口部4を縦1列に配列したものを示す。しか
し、開口部4の配列の数および開口部4の個数は特に限
定されるものではない。
As shown in FIG. 2, a resistance layer 13 is formed on a cathode substrate 12, and an insulating layer 3 is formed thereon. The cone-shaped emitter 11 is formed on the resistance layer 13 at the position of the opening 4 formed in the extraction electrode section 1c and the insulating layer 3. In the illustrated example, the extraction electrode portion 1c
1 shows a plurality of openings 4 arranged in one vertical line. However, the number of the arrangement of the openings 4 and the number of the openings 4 are not particularly limited.

【0014】カソード基板12の上には、この断面には
現れないが、例えば、図1における集束電極2の櫛歯部
分の位置のカソード基板12の上にカソード配線部が縦
方向に形成されている。抵抗層13がこのカソード配線
部の上を部分的に覆うことにより、コーン状エミッタ1
1からカソード配線部にカソード電流が流れる。カソー
ド配線部とゲート配線部1aとでマトリクスを構成する
ことにより、電子を放出するコーン状エミッタ11群を
選択する。なお、集束電極2に印加する電圧を走査する
ことにより画素の選択を行う場合には、隣接する画素の
集束電極は分離して形成されるが、このような選択が不
要な場合には、全ての画素の集束電極2が全体として1
つになるように形成される。
Although not appearing in this cross section on the cathode substrate 12, for example, a cathode wiring portion is formed in a vertical direction on the cathode substrate 12 at the position of the comb teeth of the focusing electrode 2 in FIG. I have. The resistance layer 13 partially covers the cathode wiring portion, thereby forming the cone-shaped emitter 1.
The cathode current flows from 1 to the cathode wiring portion. By forming a matrix with the cathode wiring section and the gate wiring section 1a, a group of cone-shaped emitters 11 that emit electrons is selected. When pixels are selected by scanning the voltage applied to the focusing electrode 2, the focusing electrodes of adjacent pixels are formed separately, but when such selection is unnecessary, all the pixels are selected. The focusing electrode 2 of the pixel
It is formed to be one.

【0015】図3は、図1,図2に示した平面集束電極
付電界放出カソードによる電子ビームのスポットの説明
図である。アノード基板側における発光面の様子を示し
ている。図中、図6,図7と同様な部分には同じ符号を
付して説明を省略する。蛍光体(赤)21に到達する電
子ビームのスポット24,蛍光体(緑)22に到達する
電子ビームのスポット25,蛍光体(青)23に到達す
る電子ビームのスポット26は、いずれも、各蛍光体の
長方形状に合った楕円形状に集束するようになり、集束
電極2の開放部分による、電子ビームのスポット形状の
歪み、到達位置のずれ等がなくなる。
FIG. 3 is an explanatory view of the spot of the electron beam by the field emission cathode with the planar focusing electrode shown in FIGS. The state of the light emitting surface on the anode substrate side is shown. In the drawings, the same parts as those in FIGS. 6 and 7 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted. The spot 24 of the electron beam reaching the phosphor (red) 21, the spot 25 of the electron beam reaching the phosphor (green) 22, and the spot 26 of the electron beam reaching the phosphor (blue) 23 are each Since the light is focused into an elliptical shape that matches the rectangular shape of the phosphor, distortion of the spot shape of the electron beam and displacement of the arrival position due to the open portion of the focusing electrode 2 are eliminated.

【0016】図4は、本発明の第2の実施の形態の平面
集束電極付き電界放出カソードの構造を説明するための
平面図である。図5は、図4に示した構造の切断線A−
Aに沿う部分断面図である。図中、図6,図1と同様な
部分には同じ符号を付して説明を省略する。この実施の
形態においては、ゲート電極1の引出電極部1cと集束
電極2以外の、ゲート配線部1a,引出線部1b、絶縁
層3の表面を絶縁膜5で覆ったものである。第1の実施
の形態と同様に、引出線部1bの表面を覆う絶縁膜5に
帯電した電子により形成される電界は、電子ビームを集
束させる作用を有する。絶縁膜5は、絶縁層3と同じ材
料で形成されてもよい。また、ゲート電極1と集束電極
2との間隔が狭く、かつ、両者間の電位差が大きいとき
にも、各電極のエッジを覆い隠した状態になるので、放
電が起きにくいという作用がある。
FIG. 4 is a plan view for explaining the structure of a field emission cathode with a planar focusing electrode according to a second embodiment of the present invention. FIG. 5 is a sectional view of the structure shown in FIG.
It is a fragmentary sectional view which follows A. In the drawings, the same parts as those in FIGS. 6 and 1 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted. In this embodiment, the surfaces of the gate wiring portion 1a, the lead wire portion 1b, and the insulating layer 3 other than the extraction electrode portion 1c and the focusing electrode 2 of the gate electrode 1 are covered with the insulating film 5. As in the first embodiment, the electric field formed by the electrons charged on the insulating film 5 covering the surface of the lead wire portion 1b has a function of focusing the electron beam. The insulating film 5 may be formed of the same material as the insulating layer 3. Further, even when the distance between the gate electrode 1 and the focusing electrode 2 is small and the potential difference between the two is large, the edge of each electrode is covered and concealed.

【0017】[0017]

【発明の効果】本発明は、上述した説明から明らかなよ
うに、発光面における電子ビームのスポットの形状およ
び位置が、集束電極の開放部分により受ける影響を少な
くすることができるという効果がある。引出線部,ゲー
ト配線部等を絶縁膜にて覆い隠した場合には、さらに、
放電の問題も緩和される効果がある。
As is apparent from the above description, the present invention has the effect that the shape and position of the spot of the electron beam on the light emitting surface can be less affected by the open portion of the focusing electrode. If the lead wire portion, gate wiring portion, etc. are covered with an insulating film,
This has the effect of alleviating the problem of discharge.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施の形態の平面集束電極付電
界放出カソードの構造を説明するための平面図である。
FIG. 1 is a plan view for explaining a structure of a field emission cathode with a planar focusing electrode according to a first embodiment of the present invention.

【図2】図1に示した構造の切断線A−Aに沿う部分断
面図である。
FIG. 2 is a partial cross-sectional view of the structure shown in FIG. 1, taken along section line AA.

【図3】図1,図2に示した平面集束電極付電界放出カ
ソードによる電子ビームのスポットの説明図である。
FIG. 3 is an explanatory diagram of a spot of an electron beam by the field emission cathode with a planar focusing electrode shown in FIGS. 1 and 2;

【図4】本発明の第2の実施の形態の平面集束電極付き
電界放出カソードの構造を説明するための平面図であ
る。
FIG. 4 is a plan view for explaining a structure of a field emission cathode with a planar focusing electrode according to a second embodiment of the present invention.

【図5】図5に示した構造の切断線A−Aに沿う部分断
面図である。
5 is a partial cross-sectional view of the structure shown in FIG. 5, taken along section line AA.

【図6】従来の平面集束電極付電界放出カソードの説明
図であり、図6(a)は平面集束電極付電界放出カソー
ドの平面図、図6(b)はこれに対応するアノ−ド基板
側の平面図である。
6A and 6B are explanatory views of a conventional field emission cathode with a plane focusing electrode, FIG. 6A is a plan view of the field emission cathode with a plane focusing electrode, and FIG. 6B is a corresponding anode substrate; It is a top view of a side.

【図7】図6に示した平面集束電極付電界放出カソード
による電子ビームのスポットの説明図である。
FIG. 7 is an explanatory diagram of an electron beam spot by the field emission cathode with a planar focusing electrode shown in FIG. 6;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ゲート電極、1a ゲート配線部、1b 引出線
部、1c 引出電極部、2集束電極、3 絶縁層、4
開口部、5 絶縁膜、11 コーン状エミッタ、12
カソード基板、13 抵抗層、21 蛍光体(赤)、2
2 蛍光体(緑)、23 蛍光体(青)、24,25,
26 電子ビームのスポット
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Gate electrode, 1a Gate wiring part, 1b Leader part, 1c Leader electrode part, 2 focusing electrodes, 3 insulating layers, 4
Opening, 5 insulating film, 11 cone-shaped emitter, 12
Cathode substrate, 13 resistance layer, 21 phosphor (red), 2
2 phosphor (green), 23 phosphor (blue), 24, 25,
26 Electron Beam Spot

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01J 1/304 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) H01J 1/304

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 絶縁層、該絶縁層上に形成された引出電
極、前記絶縁層および前記引出電極の積層部分に開けら
れた複数の開口部、該開口部内に設けられたエミッタチ
ップ、および、前記絶縁層上に前記引出電極と同一平面
上に形成され、前記引出電極の周囲に間隔をおいてかつ
一部に開放部を有して取り囲む集束電極を有する平面集
束電極付電界放出カソードであって、 前記引出電極は引出線により前記開放部を通ってゲート
配線に接続され、 前記引出線の表面は絶縁膜により覆われていることを特
徴とする平面集束電極付電界放出カソード。
1. An insulating layer, an extraction electrode formed on the insulating layer, a plurality of openings formed in a laminated portion of the insulating layer and the extraction electrode, an emitter chip provided in the opening, and A planar focusing electrode-equipped field emission cathode which is formed on the insulating layer and on the same plane as the extraction electrode, and has a focusing electrode spaced around the extraction electrode and partially surrounding an opening. The field emission cathode with a planar focusing electrode, wherein the extraction electrode is connected to a gate wiring through the opening by an extraction line, and a surface of the extraction line is covered with an insulating film.
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