JP3186171B2 - Foreign object observation device - Google Patents

Foreign object observation device

Info

Publication number
JP3186171B2
JP3186171B2 JP02779792A JP2779792A JP3186171B2 JP 3186171 B2 JP3186171 B2 JP 3186171B2 JP 02779792 A JP02779792 A JP 02779792A JP 2779792 A JP2779792 A JP 2779792A JP 3186171 B2 JP3186171 B2 JP 3186171B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
foreign matter
electron microscope
divided
optical surface
size
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP02779792A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH05223747A (en
Inventor
佐藤  修
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP02779792A priority Critical patent/JP3186171B2/en
Publication of JPH05223747A publication Critical patent/JPH05223747A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3186171B2 publication Critical patent/JP3186171B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、ウェーハ上の微小の異
物または欠陥を容易に検索するための異物観察装置に関
する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a foreign matter observation apparatus for easily searching for a minute foreign matter or a defect on a wafer.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、ウェーハ上において局所的に存在
する微小な異物の評価を行うことは、雑誌日経マイクロ
デバイセス(1990年6月号 P71〜72)に記さ
れているように、光学式表面異物検査装置単独では困難
であり、光学式表面異物検査装置で得られた異物の座標
等の情報を、走査形電子顕微鏡などに提供し、高倍率で
の観察または分析を行うことにより成されていた。
2. Description of the Related Art Conventionally, evaluation of minute foreign matters locally present on a wafer is performed by an optical type as described in Nikkei Micro Devices Magazine (June 1990, pages 71 to 72). It is difficult with a surface foreign matter inspection device alone, and it is made by providing information such as the coordinates of foreign matter obtained by the optical surface foreign matter inspection device to a scanning electron microscope and performing observation or analysis at high magnification. I was

【0003】これにより、走査形電子顕微鏡などでの異
物の発見が容易となり、異物の同定が迅速に行われるよ
うになった。
As a result, it is easy to find foreign matter with a scanning electron microscope or the like, and the foreign matter is quickly identified.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】異物の大きさが、数1
0μmと大きい場合には、走査形電子顕微鏡での倍率を
1000倍程度に選べば、観察CRT上では数10mmと
して観察され、人間の目で十分に異物の発見が可能であ
る。これは、走査形電子顕微鏡の観察CRTの大きさを
200mm×200mmとすれば、ウェーハ上において20
0μm□の範囲内にある異物を観察CRTの視野内に入
れることが出来ることを意味する。またこれは言い換え
ると、200μm□の範囲つまり±100μmの異物の
座標特定精度がなければ、異物を観察CRTの視野内に
入れることが出来ないことを意味する。さらに、光学式
表面異物検査装置と走査形電子顕微鏡とで合わせ持つ座
標特定精度が、±100μmである場合には、異物を観
察CRTの視野内に入れることが出来る倍率は、100
0倍が限界であることを意味する。
The size of the foreign matter is as follows:
If it is as large as 0 μm, if the magnification with a scanning electron microscope is selected to be about 1000 times, it will be observed as several tens of mm on an observation CRT, and it is possible for human eyes to find foreign substances sufficiently. This is because if the size of an observation CRT of a scanning electron microscope is 200 mm × 200 mm, 20
It means that a foreign substance within the range of 0 μm □ can be put in the visual field of the observation CRT. In other words, this means that the foreign matter cannot be put into the field of view of the observation CRT without the accuracy of specifying the coordinates of the foreign matter in the range of 200 μm □, that is, ± 100 μm. Further, when the coordinate identification accuracy provided by the optical surface foreign matter inspection device and the scanning electron microscope is ± 100 μm, the magnification at which the foreign matter can enter the field of view of the observation CRT is 100
0 times means the limit.

【0005】ここでウェーハ上での異物の大きさが1μ
m以下の場合を考えると、1000倍の観察倍率では、
CRT上において1mm以下としか観察できず異物の発見
は困難である。
Here, the size of foreign matter on the wafer is 1 μm.
m, the observation magnification of 1000 times,
Observation is only 1 mm or less on a CRT, and it is difficult to find foreign matter.

【0006】本発明の目的は、光学式表面異物検査装置
において特定できる異物の座標精度の低さを電子顕微鏡
で補うことにより、電子顕微鏡での観察が容易な異物観
察装置を提供するにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a foreign substance observing apparatus which is easy to observe with an electron microscope by compensating for the low accuracy of foreign substance coordinates which can be specified by an optical surface foreign substance inspecting apparatus with an electron microscope.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、光学式表面異物検査装置において提供される異物の
大きさのレベルを判定し、この異物レベルが一定値以下
のときは、当該観察領域を光学式表面異物検査装置と電
子顕微鏡との座標誤差以上の大きさでN×Mに分割し、
その分割領域毎に電子顕微鏡で順次検索する。
In order to achieve the above object, the level of the size of a foreign substance provided by an optical surface foreign substance inspection apparatus is determined. The area is connected to the optical surface
Divided into N × M with a size larger than the coordinate error with the microscope ,
Each divided area is sequentially searched by an electron microscope.

【0008】[0008]

【作用】光学式表面異物検査装置で得られたウェーハ上
の局所的な異物の座標は、通信又はFD等の媒体を通じ
て、電子顕微鏡に情報提供される。したがって、電子顕
微鏡において高倍率で異物を観察したいときには、異物
の大きさのレベルを判定し、この大きさレベルが一定値
以下のときは座標特定精度の範囲内で観察領域を分割で
きるので、電子顕微鏡ではこの分割領域を順次検索する
だけで容易に異物を見つけ出し、観察することができ
る。
The coordinates of the local foreign matter on the wafer obtained by the optical surface foreign matter inspection apparatus are provided to the electron microscope through a medium such as communication or FD. Therefore, when it is desired to observe a foreign substance at a high magnification with an electron microscope, the size level of the foreign substance is determined, and when the size level is equal to or less than a certain value, the observation region can be divided within the range of the coordinate identification accuracy. With a microscope, foreign substances can be easily found and observed simply by sequentially searching the divided areas.

【0009】[0009]

【実施例】図1は、本発明の装置構成を示す概略図であ
り、図2はその動作の説明図である。最初に、測定した
いウェーハ1を光学式表面異物検査装置2に搬送する。
光学式表面異物検査装置では、まず被測定ウェーハ上の
どの位置に異物が存在するのかを特定するために、ウェ
ーハ上の任意の点を基準にしたウェーハ座標を決定す
る。光学式表面異物検査装置内部での異物の検出方法
は、ウェーハ上に光を照射して異物からの散乱光を捕
え、異物数とその大きさを検出するものであるからウェ
ーハ座標を用いて光をウェーハ全面に照射することによ
り、ウェーハ上のどの位置にどのくらいの大きさの異物
が存在するのかを容易に知ることが出来る。これらの異
物情報3(異物の存在する場所や、大きさの情報/数段
階のレベルに分類されていることが多い。)は、光学式
表面異物検査装置内部のCPU4で管理されている。従
って、光学式表面異物検査装置で任意の場所の異物を捕
え観察することは容易である。ところが、光学式表面異
物検査装置では、光の波長の限界から、極低倍(〜10
00倍程度)までしか観察倍率を上げることが出来ず、
1μm程度の微小な異物の観察は困難である。そこで、
微小異物の拡大観察をするために、被測定ウェーハ1を
走査形電子顕微鏡5に搬送して観察する。ところが、走
査形電子顕微鏡側ではウェーハ上のどの位置に異物が存
在するかの情報を得ることは困難なため、同時に光学式
表面異物検査装置から異物情報3の提供を受ける。この
異物情報を利用することにより、異物の存在する場所が
分かり、走査形電子顕微鏡側での異物の観察が容易とな
る。
FIG. 1 is a schematic diagram showing the configuration of an apparatus according to the present invention, and FIG. 2 is an explanatory diagram of its operation. First, the wafer 1 to be measured is transferred to the optical surface foreign matter inspection device 2.
In the optical surface foreign matter inspection apparatus, first, in order to specify at which position on the measured wafer the foreign matter exists, the wafer coordinates based on an arbitrary point on the wafer are determined. The method of detecting foreign matter inside the optical surface foreign matter inspection device is to irradiate light on the wafer, capture the scattered light from the foreign matter, and detect the number and size of the foreign matter. By irradiating the entire surface of the wafer, it is possible to easily know at what position on the wafer and what size foreign matter is present. These foreign substance information 3 (location of foreign substance and size information / classified in several levels) is managed by the CPU 4 inside the optical surface foreign substance inspection apparatus. Therefore, it is easy to capture and observe a foreign substance at an arbitrary place with the optical surface foreign substance inspection device. However, the optical surface foreign matter inspection apparatus has a very low magnification (up to 10) due to the limit of the wavelength of light.
Observation magnification can only be increased up to
It is difficult to observe a minute foreign matter of about 1 μm. Therefore,
The wafer 1 to be measured is transported to the scanning electron microscope 5 for observation in order to observe the minute foreign matter in an enlarged manner. However, since it is difficult for the scanning electron microscope to obtain information on the position on the wafer where the foreign matter exists, the foreign matter information 3 is simultaneously provided from the optical surface foreign matter inspection device. By utilizing the foreign substance information, the location of the foreign substance can be known, and the observation of the foreign substance on the scanning electron microscope side becomes easy.

【0010】図3及び図4は、本発明の一実施例を示す
概念図である。被測定ウェーハ上の異物P7を、光学式
表面異物検査装置及び走査形電子顕微鏡で観察する場合
を考える。例えば、両装置間で共通なウェーハ座標系を
定義し、異物Pが位置P(x,y)に定義されたとする
と、同一の異物Pは、光学式表面異物検査装置のウェー
ハ座標8においてはP1(x1,y1)、走査形電子顕微
鏡のウェーハ座標9においてはP2(x2,y2)の異な
る位置に観察されることになる。x1≠x2,y1≠y
2となるのは、表面異物検査装置と走査型電子顕微鏡と
でそれぞれの、ステージ精度,アライメント(ウェーハ
座標の設定)精度,異物の検出精度などにより誤差を有
するためであり、この値を無にすることは出来ない。
FIGS. 3 and 4 are conceptual diagrams showing an embodiment of the present invention. Consider a case where the foreign substance P7 on the wafer to be measured is observed with an optical surface foreign substance inspection device and a scanning electron microscope. For example, if a wafer coordinate system common to both apparatuses is defined and the foreign matter P is defined at the position P (x, y), the same foreign matter P is P1 at the wafer coordinate 8 of the optical surface foreign matter inspection device. (x1, y1), at the wafer coordinate 9 of the scanning electron microscope, it will be observed at a different position of P2 (x2, y2). x1 ≠ x2, y1 ≠ y
The reason for 2 is that the surface foreign matter inspection apparatus and the scanning electron microscope have errors due to the stage accuracy, alignment (setting of wafer coordinates) accuracy, foreign object detection accuracy, etc. I can't do that.

【0011】しかしながら、それぞれの装置での座標特
定精度を考慮し、ウェーハ上のある範囲内であれば、必
ず異物Pが存在するという範囲10(以下、検索領域と
呼ぶ)は特定することは出来る。
However, in consideration of the coordinate specifying accuracy of each device, a range 10 (hereinafter referred to as a search area) in which the foreign matter P always exists can be specified within a certain range on the wafer. .

【0012】そこで、走査形電子顕微鏡において異物を
観察する場合、検索領域が一度で視野内に入る最高倍率
(以下、基準倍率と呼ぶ)を選べば、最も効率良く異物
の発見が可能である。ところが、異物の大きさが小さい
場合、基準倍率程度の低倍率では異物の存在に気がつか
ない場合がある。そこで、検索領域内を複数に分割し、
1つ1つの分割領域を順次拡大して観察するようにすれ
ば、微少な異物でも大きく観察することができ発見が容
易となる。
Therefore, when observing a foreign substance with a scanning electron microscope, it is possible to find the foreign substance most efficiently by selecting the highest magnification (hereinafter, referred to as a reference magnification) that allows the search area to be within the field of view at one time. However, when the size of the foreign matter is small, the presence of the foreign matter may not be noticed at a low magnification such as the reference magnification. Therefore, the search area is divided into multiple
If each of the divided areas is sequentially enlarged and observed, even a minute foreign substance can be largely observed, which facilitates discovery.

【0013】例えば、図5に示すように、走査形電子顕
微鏡の画面11(ここでは検索領域全体が画面に見えて
いると考える)を25分割(5×5分割)し、1分割領
域ごとに観察すれば、観察可能な倍率を基準倍率の5倍
に向上することが可能であり、観察CRT上の1mm□の
異物12を5mm□の異物として観察可能であり、異物の
発見が非常に容易となる。
For example, as shown in FIG. 5, a screen 11 of the scanning electron microscope (here, the entire search area is considered to be visible on the screen) is divided into 25 (5 × 5), and each screen is divided into By observing, the observable magnification can be increased to 5 times the reference magnification, and the 1 mm square foreign matter 12 on the observation CRT can be observed as a 5 mm square foreign matter, making it very easy to find the foreign matter. Becomes

【0014】この分割領域の検索移動は、電子ビームを
用いて行えば、高速でかつ精度よく行うことが可能であ
る。
The search movement of the divided area can be performed at high speed and with high accuracy by using an electron beam.

【0015】ここで、異物を元の基準倍率に対してN倍
の大きさで観察しようとすると、画面をN×N分割する
必要がある。今、図6に示すようにL×Lの領域を電子
ビームで走査している場合を考え、この領域をN×N分
割し (R,C)=(1,1),(1,2),…,(n,m),…(N,N)
(n,mは、1,2,…,N) の順に分割領域を検索するものとする。電子ビームの走
査幅をl/Nにすれば偏向中心O(0,0)15を中心と
した部分をN倍の大きさで拡大することが出来る。
Here, in order to observe a foreign substance at a size N times the original reference magnification, it is necessary to divide the screen into N × N. Now, consider a case where an L × L area is scanned with an electron beam as shown in FIG. 6, and this area is divided into N × N, and (R, C) = (1, 1), (1, 2) ,…, (N, m),… (N, N)
(n, m is 1, 2,..., N). If the scanning width of the electron beam is 1 / N, the portion centered on the deflection center O (0,0) 15 can be enlarged by N times.

【0016】しかるに、偏向中心を検索領域に合わせて
順にずらし電子ビームの走査幅をl/Nにすれば、上記
検索は可能である。
However, the above search can be performed by shifting the deflection center in order according to the search area and setting the scanning width of the electron beam to 1 / N.

【0017】ここで、任意の分割領域(n,m)での偏向
中心16は、 0(x,y)=(−L(N−1)/2N+Ln/N,L(N−
1)/2N−Lm/N) (但し N>1) で表わすことが可能であるから、n,mの値を1からN
まで順に変化させることにより上記の検索が可能であ
る。なお、この式はNが奇数でも偶数でも成り立つ。偏
向中心をずらす手段としては、電子ビームの走査の元と
なる偏向波形の電圧中心にDC成分を重畳することで得
られる。あるいは、電子ビームの光軸を専用の電磁コイ
ルまたは静電板等を利用して動かすことでも得られる。
Here, the deflection center 16 in an arbitrary divided area (n, m) is expressed as follows: 0 (x, y) = (-L (N-1) / 2N + Ln / N, L (N-
1) / 2N−Lm / N) (where N> 1), so that the values of n and m are changed from 1 to N
The above search can be performed by changing the order up to. Note that this equation holds even if N is an odd number or an even number. Means for shifting the deflection center is obtained by superimposing a DC component on the voltage center of the deflection waveform that is the source of electron beam scanning. Alternatively, it can be obtained by moving the optical axis of the electron beam using a dedicated electromagnetic coil or an electrostatic plate.

【0018】さらに、電子ビームをずらすかわりに、ス
テージを動かすことにより検索位置を移動してもよく、
電子ビームとステージの併用も可能である。
Further, instead of shifting the electron beam, the search position may be moved by moving the stage.
A combination of an electron beam and a stage is also possible.

【0019】さて、光学式異物検査装置から得られる異
物情報の中には、異物ごとの大きさの情報も含まれるか
ら、前記分割数Nを異物の大きさ情報を元に自動的に決
定するようにすれば、異物の検索を効率的に行うことが
可能である。
Since the foreign substance information obtained from the optical foreign substance inspection apparatus includes information on the size of each foreign substance, the division number N is automatically determined based on the foreign substance size information. By doing so, it is possible to efficiently search for foreign substances.

【0020】今、光学式表面異物検査装置からの異物情
報では、S・M・L・の3段階の大きさの分類がされて
いるものとし、それぞれのレベルは、 レベルS…1μm□以下の異物 レベルM…1μm□〜10μm□の異物 レベルL…10μm□以上の異物 に、定義されているものとする。分類可能だと仮定す
る。又、異物の存在を特定できる検索領域を200μm
□とし、走査形電子顕微鏡の観察CRTの大きさを20
0μm□とすれば、異物を一度に視野内に入れることが
可能な基準倍率は1000倍となる。ところで、レベル
Lの異物は、基準倍率で10μm□以上に観察可能で検
索領域を分割観察しなくても、容易に異物の発見が可能
である。逆に、レベルSの異物は、1μm□以下としか
観察できず、もはや検索領域を分割し拡大観察しなけれ
ば、異物の発見が困難な領域である。レベルMは、基準
倍率で充分発見可能な大きさの異物と発見困難な異物を
含んでいる。
Now, in the foreign matter information from the optical surface foreign matter inspection device, it is assumed that the size is classified into three levels of S, M, L, and each level is a level S... Foreign matter Level M: Foreign matter of 1 μm □ to 10 μm □ Level L: Foreign matter of 10 μm □ or more shall be defined. Assume classifiable. Also, the search area for identifying the presence of a foreign substance is 200 μm
□ and the size of the CRT observed by the scanning electron microscope was 20
If it is 0 μm □, the reference magnification at which foreign matter can be put into the field of view at a time is 1000 times. By the way, the foreign matter of level L can be observed at a reference magnification of 10 μm square or more, and the foreign matter can be easily found without dividing and observing the search area. Conversely, a foreign substance of level S can be observed only at 1 μm or less, and it is difficult to find the foreign substance unless the search area is divided and enlarged and observed. Level M includes a foreign substance having a size that can be sufficiently detected at the reference magnification and a foreign substance that is difficult to detect.

【0021】次に、本実施例の検索・観察動作を、図7
のフローチャート図に基づいて具体的に説明する。
Next, the search / observation operation of this embodiment will be described with reference to FIG.
This will be specifically described based on the flowchart of FIG.

【0022】<ステップ100>まず、光学式表面異物
検査装置側で得られた、異物の座標値,大きさのレベル
等の異物情報を走査形電子顕微鏡で読み取り記憶する。
<Step 100> First, foreign matter information such as a coordinate value and a size level of the foreign matter obtained by the optical surface foreign matter inspection apparatus is read and stored by the scanning electron microscope.

【0023】<ステップ101>次に、観察したい異物
の座標値に従い、ステージを移動する。
<Step 101> Next, the stage is moved according to the coordinate values of the foreign substance to be observed.

【0024】<ステップ102>ここで、異物の大きさ
のレベルを判定し、基準倍率で異物の発見が可能か否か
の一次判定を行う。
<Step 102> Here, the size level of the foreign matter is determined, and a primary determination is made as to whether or not the foreign matter can be found at the reference magnification.

【0025】<ステップ103,104>このステップ
を通る異物は、比較的大きい為、検索領域の分割は実施
せず基準倍率で異物を検索する。発見後は、異物を視野
中心に移動し、倍率を大きくして観察を行う。
<Steps 103 and 104> Since the foreign matter passing through this step is relatively large, the foreign matter is searched at the reference magnification without dividing the search area. After the discovery, the foreign substance is moved to the center of the visual field, and the observation is performed with the magnification increased.

【0026】<ステップ105,106,107,10
8>このステップを通る異物は、基準倍率で発見可能な
ものと、困難なものとが混在しているため、最初に基準
倍率で観察し、異物の発見ができない場合に、検索領域
を分割観察する。最小異物サイズが1μm□であるか
ら、分割数Nは5程度で十分である。
<Steps 105, 106, 107 and 10>
8> Since foreign matter passing through this step includes both those that can be found at the reference magnification and those that are difficult, the observation is first made at the reference magnification, and if the foreign matter cannot be found, the search area is divided and observed. I do. Since the minimum foreign matter size is 1 μm square, the division number N of about 5 is sufficient.

【0027】<ステップ109>このステップを通る異
物は、最大1μm□であるため、基準倍率での異物の発
見は不可能であり、最初から検索領域を分割観察する。
分割数Nは、対象とする異物サイズにより異なるが、前
記ステップ108より大きな値が必要となる。
<Step 109> Since the maximum size of a foreign substance passing through this step is 1 μm square, it is impossible to find the foreign substance at the reference magnification, and the search area is divided and observed from the beginning.
Although the number of divisions N differs depending on the size of the target foreign substance, a value larger than that in step 108 is required.

【0028】以上の一連の動作により、ウェーハ上の微
小な異物でも、効率的に、容易に検索・観察することが
可能になる。
With the above-described series of operations, it is possible to efficiently and easily search and observe even a minute foreign matter on a wafer.

【0029】上記説明では異物の大きさのレベルを3段
階に分類した場合を説明したが、分類数が多ければ検索
領域の分割数をさらに効率良く決定することが可能であ
る。また上記実施例では、検索領域内を均等分割し順に
検索したが、検索エリアを一部重ねて、画像を取り込む
ようにすれば、検索境界付近での微小な異物の検索もも
らすことがなくなる効果がある。
In the above description, the case where the size level of the foreign matter is classified into three levels has been described. However, if the number of classifications is large, the number of divisions of the search area can be determined more efficiently. In the above-described embodiment, the search area is equally divided and searched in order. However, if the search area is partially overlapped and an image is captured, the search for a minute foreign matter near the search boundary can be prevented. There is.

【0030】[0030]

【発明の効果】本発明によれば、異物の検出位置精度の
あまり良くない光学式表面異物観察装置で発見された極
微小な異物でも、走査形電子顕微鏡側での検索が容易に
短時間で行えるという効果がある。
According to the present invention, even a very small foreign substance detected by an optical surface foreign substance observation apparatus having a very low foreign substance detection position accuracy can be easily and quickly searched on the scanning electron microscope side. There is an effect that can be done.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の装置構成を示す概略図である。FIG. 1 is a schematic diagram showing a device configuration of the present invention.

【図2】本発明装置の動作を説明するための概念図であ
る。
FIG. 2 is a conceptual diagram for explaining the operation of the device of the present invention.

【図3】本発明の概念を説明するための座標図である。FIG. 3 is a coordinate diagram for explaining the concept of the present invention.

【図4】本発明の概念を説明するための座標図である。FIG. 4 is a coordinate diagram for explaining the concept of the present invention.

【図5】本発明の一実施例を示す概略図である。FIG. 5 is a schematic view showing one embodiment of the present invention.

【図6】本発明の他の実施例を示す概略図である。FIG. 6 is a schematic view showing another embodiment of the present invention.

【図7】本発明の動作を説明するフローチャート図であ
る。
FIG. 7 is a flowchart illustrating the operation of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…被測定ウェーハ、2…光学式表面異物検査装置、3
…異物情報、4…CPU、5…走査形電子顕微鏡、6…C
PU、7…異物P、8…光学式表面異物検査装置のウェ
ーハ座標、9…走査形電子顕微鏡のウェーハ座標、10
…異物の存在が特定可能な範囲、11…CRT画面、1
2…異物、13…走査領域、14…分割数、15…偏向
中心O(0,0)、16…偏向中心O(x,y)。
Reference numeral 1: wafer to be measured, 2: optical surface foreign matter inspection device, 3
... foreign matter information, 4 ... CPU, 5 ... scanning electron microscope, 6 ... C
PU, 7: Foreign matter P, 8: Wafer coordinate of optical surface foreign matter inspection device, 9: Wafer coordinate of scanning electron microscope, 10
... range in which the presence of foreign matter can be specified, 11 ... CRT screen, 1
2: foreign matter, 13: scanning area, 14: division number, 15: deflection center O (0, 0), 16: deflection center O (x, y).

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G01N 21/84 - 21/958 G01B 11/00 - 11/30 H01L 21/66 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) G01N 21/84-21/958 G01B 11/00-11/30 H01L 21/66

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】ウェーハの光学式表面異物検査装置および
その類似装置と、該装置により提供されるウェーハ座
標、および異物情報を用いて、異物または欠陥等の形状
観察または分析を行う電子顕微鏡とを備えた異物観察装
置において、前記光学式表面異物検査装置およびその類
似装置によって提供される異物の大きさのレベルを判定
する手段と、該異物レベルが一定値以下のとき、前記ウ
ェーハの観察領域を前記光学式表面異物検査装置と前記
電子顕微鏡との座標誤差以上の大きさでN×Mの分割領
域に分け、前記電子顕微鏡は前記分割領域毎に分割観察
する手段を有することを特徴とする異物観察装置。
1. An optical surface foreign matter inspection device for wafers and similar devices, and an electron microscope for observing or analyzing the shape of foreign matter or defects using wafer coordinates and foreign matter information provided by the device. Means for determining the level of the size of foreign matter provided by the optical surface foreign matter inspection device and similar devices, when the foreign matter level is less than a certain value, the observation area of the wafer The optical surface foreign matter inspection device and the
A foreign matter observing apparatus characterized in that the electron microscope is divided into N × M divided areas with a size larger than a coordinate error with respect to an electron microscope, and the electron microscope has means for performing divided observation for each divided area.
【請求項2】前記分割領域の分割数Nは前記異物の大き
さ情報を元に自動的に決定され、前記電子顕微鏡は、前
記N×Mの分割領域を、1分割領域ごとに電子ビームま
たはステージを移動しながら高倍率で検索することを特
徴とする請求項1記載の異物観察装置。
2. The number N of divisions of the divided area is equal to the size of the foreign matter.
The electron microscope is automatically determined on the basis of the information, and the electron microscope searches the N × M divided areas at a high magnification while moving an electron beam or a stage for each divided area. 2. The foreign matter observation device according to 1.
JP02779792A 1992-02-14 1992-02-14 Foreign object observation device Expired - Fee Related JP3186171B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP02779792A JP3186171B2 (en) 1992-02-14 1992-02-14 Foreign object observation device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP02779792A JP3186171B2 (en) 1992-02-14 1992-02-14 Foreign object observation device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH05223747A JPH05223747A (en) 1993-08-31
JP3186171B2 true JP3186171B2 (en) 2001-07-11

Family

ID=12230970

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP02779792A Expired - Fee Related JP3186171B2 (en) 1992-02-14 1992-02-14 Foreign object observation device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3186171B2 (en)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6476388B1 (en) 1998-10-19 2002-11-05 Hitachi, Ltd. Scanning electron microscope having magnification switching control
JP3934854B2 (en) 2000-05-29 2007-06-20 株式会社日立製作所 Scanning electron microscope
JP3904419B2 (en) * 2001-09-13 2007-04-11 株式会社日立製作所 Inspection device and inspection system
JP2007101551A (en) * 2006-10-23 2007-04-19 Hitachi Ltd Scanning electron microscope
JP5255319B2 (en) * 2007-04-26 2013-08-07 株式会社日立ハイテクノロジーズ Defect observation apparatus and defect observation method
JP5369981B2 (en) * 2009-08-06 2013-12-18 富士通セミコンダクター株式会社 Defect observation apparatus, defect observation method, and semiconductor device manufacturing method
JP2013148349A (en) * 2010-04-23 2013-08-01 Hitachi High-Technologies Corp Review method and review device

Also Published As

Publication number Publication date
JPH05223747A (en) 1993-08-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI603409B (en) Adaptive sampling for semiconductor inspection recipe creation, defect review, and metrology
KR102300550B1 (en) Using high resolution full die image data for inspection
JP3671822B2 (en) Defect inspection method and defect inspection system
KR100310106B1 (en) Pattern inspection method and device
US6381358B1 (en) System and method for determining reticle defect printability
KR102084809B1 (en) Reticle defect inspection with systematic defect filter
US7580124B2 (en) Dual stage defect region identification and defect detection method and apparatus
US8237119B2 (en) Scanning type charged particle beam microscope and an image processing method using the same
KR102276921B1 (en) Defect detection using structural information
KR20120099481A (en) Defect inspection method and device thereof
JP3802716B2 (en) Sample inspection method and apparatus
US10545490B2 (en) Method of inspecting a specimen and system thereof
KR101128558B1 (en) A measurement system and a method
JP3186171B2 (en) Foreign object observation device
JP3893765B2 (en) Review device
JP4029882B2 (en) Defect inspection method and defect inspection system
JP4677701B2 (en) Pattern inspection method and inspection result confirmation device
JP5163731B2 (en) Defect candidate image display method
JP2000195458A (en) Electron microscope and inspection method
JP2006074065A (en) Inspection device of sample
JPH03270250A (en) Method of testing semiconductor
JPH05134392A (en) Foreign matter inspecting device

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees