JP3181265U - Substrate transfer device - Google Patents

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康典 豊田
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Abstract

【課題】フォークに保持されている基板が正常な位置から位置ずれしているかを容易に検出でき、基板の保持状態に応じて適切な搬送制御を行う基板搬送装置を提供する。
【解決手段】基板を載置される基板載置部73から前記基板を受け取り、受け取った該基板を搬送する基板搬送装置において、搬送する基板の周囲を囲むように設けられ、前記基板載置部73に進退自在な保持枠3Bと、前記保持枠3Bを前記基板載置部73に進退駆動する駆動部33と、前記保持枠3Bの内縁に沿って互いに間隔を隔てて設けられており、前記基板の周縁部を載置されることによって該基板を保持する、3個以上の保持部と、前記保持部に設けられ、前記基板を載置されたことを検出する検出部4A、4Bとを有し、前記検出部4A、4Bは、静電容量型近接センサを用いて、載置された前記基板を検出する、ことを特徴とする。
【選択図】図12
There is provided a substrate transfer apparatus that can easily detect whether a substrate held on a fork is displaced from a normal position and performs appropriate transfer control according to the holding state of the substrate.
In a substrate transport apparatus that receives a substrate from a substrate platform 73 on which the substrate is placed and transports the received substrate, the substrate platform is provided so as to surround the substrate to be transported. 73, a holding frame 3B that can be moved forward and backward, a drive unit 33 that drives the holding frame 3B forward and backward to the substrate mounting portion 73, and an inner edge of the holding frame 3B. Three or more holding units that hold the substrate by placing the peripheral portion of the substrate, and detection units 4A and 4B that are provided in the holding unit and detect that the substrate is placed. And the detection units 4A and 4B detect the placed substrate using a capacitive proximity sensor.
[Selection] Figure 12

Description

本考案は、基板を搬送する基板搬送装置に関する。   The present invention relates to a substrate transfer apparatus for transferring a substrate.

半導体デバイスやLCD(Liquid Crystal Display)基板の製造プロセスにおいては、装置内に基板(以下「ウェハ」ともいう。)に対して処理を行う処理モジュールを複数個設け、これら処理モジュールに基板搬送装置により基板を順次搬送することによって、所定の処理が行われている。基板搬送装置は、例えば、基板を保持するフォークが基台に沿って進退自在に設けられると共に、基板が鉛直軸周りに回転自在、昇降自在に構成されている。   In the manufacturing process of a semiconductor device or an LCD (Liquid Crystal Display) substrate, a plurality of processing modules for processing a substrate (hereinafter also referred to as “wafer”) are provided in the apparatus, and these processing modules are provided by a substrate transfer device. Predetermined processing is performed by sequentially transporting the substrates. For example, the substrate transport device is configured such that a fork for holding a substrate is provided so as to be able to advance and retreat along a base, and the substrate can be rotated about a vertical axis and can be moved up and down.

このような基板搬送装置には、フォークの位置が正常か否かを確認するためのセンサが設けられているものがある(例えば特許文献1参照)。また、処理モジュールからフォークが基板を受け取ったか否かを確認するためのセンサが設けられているものがある(例えば特許文献2参照)。   Some of such substrate transport apparatuses are provided with a sensor for confirming whether or not the position of the fork is normal (see, for example, Patent Document 1). Some sensors are provided to check whether or not the fork has received a substrate from the processing module (see, for example, Patent Document 2).

特許文献1には、フォークに光の反射体が設けられ、反射体の下方に光を投受光できる光センサが設けられており、フォークが正常な位置からずれたことを検出可能にした基板搬送装置が開示されている。また、特許文献2には、フォークに基板が支持されていることを検出するための光センサが設けられており、基板が光軸を遮ることによってフォークに基板が支持されていることを検出可能にした基板搬送装置が開示されている。   In Patent Document 1, a light reflector is provided on a fork, and an optical sensor capable of projecting and receiving light is provided below the reflector, so that it is possible to detect that the fork has shifted from a normal position. An apparatus is disclosed. Further, Patent Document 2 is provided with an optical sensor for detecting that the substrate is supported on the fork, and can detect that the substrate is supported on the fork when the substrate blocks the optical axis. A substrate transfer apparatus is disclosed.

特許第4047182号公報Japanese Patent No. 4047182 特許第3965131号公報Japanese Patent No. 3965131

ところが、上記した基板を搬送する基板搬送装置及び基板搬送方法においては、次のような問題がある。   However, the above-described substrate transfer apparatus and substrate transfer method for transferring a substrate have the following problems.

特許文献1に開示される例では、フォークの位置が正常な位置からずれたことを検知することはできる。しかし、フォークに保持されている基板がフォークに対して位置ずれしていることは検知できない。   In the example disclosed in Patent Document 1, it is possible to detect that the position of the fork has deviated from the normal position. However, it cannot be detected that the substrate held on the fork is displaced from the fork.

一方、特許文献2に開示される例では、フォークに保持されている基板が、センサが設けられている側からセンサが設けられていない側に位置ずれしたときは、光軸を遮らない状態になるので、その位置ずれを容易に検知することができる。しかし、フォークに保持されている基板が、センサが設けられていない側からセンサが設けられている側に位置ずれしたときは、光軸を遮った状態が変わらないため、その位置ずれを容易に検知することができない。   On the other hand, in the example disclosed in Patent Document 2, when the substrate held by the fork is displaced from the side where the sensor is provided to the side where the sensor is not provided, the optical axis is not blocked. Therefore, the positional deviation can be easily detected. However, when the substrate held on the fork is displaced from the side where the sensor is not provided to the side where the sensor is provided, the state where the optical axis is blocked does not change. It cannot be detected.

通常、光センサは、フォークの根元側に設けられていることが多い。このときは、基板がフォークの根元側に乗り上げた状態を検知することができない。例えば、基板がフォークの根元側にずれた状態で、フォークが基板を保持したときは、基板のずれを検知することができないため、フォークが基板を保持している位置が位置ずれしているか否かが不明な状態で後退動作が行われてしまう。その結果、例えば、次の処理モジュールに基板を受け渡したときに基板の位置がずれる、又は、基板が処理モジュール内の他の部分に接触して破損する、等のトラブルが発生するおそれがある。   Usually, the optical sensor is often provided on the base side of the fork. At this time, it is not possible to detect a state where the board has run on the base side of the fork. For example, when the fork holds the substrate while the substrate is shifted to the base side of the fork, since the displacement of the substrate cannot be detected, the position where the fork holds the substrate is misaligned. The backward movement is performed in an unknown state. As a result, for example, when the substrate is delivered to the next processing module, the position of the substrate may be shifted, or the substrate may come into contact with other parts in the processing module and be damaged.

本考案は上記の点に鑑みてなされたものであり、フォークに保持されている基板が正常な位置から位置ずれしているかを容易に検出でき、更にフォーク上の基板の保持状態に応じて適切な搬送制御を行うことができる基板搬送装置を提供する。   The present invention has been made in view of the above points, and can easily detect whether the substrate held on the fork is displaced from the normal position, and further, depending on the holding state of the substrate on the fork. Provided is a substrate transfer apparatus capable of performing proper transfer control.

上記の課題を解決するために本考案では、次に述べる各手段を講じたことを特徴とするものである。   In order to solve the above-described problems, the present invention is characterized by the following measures.

本考案の一実施形態によれば、基板を載置される基板載置部から前記基板を受け取り、受け取った該基板を搬送する基板搬送装置において、搬送する基板の周囲を囲むように設けられ、前記基板載置部に進退自在な保持枠と、前記保持枠を前記基板載置部に進退駆動する駆動部と、前記保持枠の内縁に沿って互いに間隔を隔てて設けられており、前記基板の周縁部を載置されることによって該基板を保持する、3個以上の保持部と、前記保持部に設けられ、前記基板を載置されたことを検出する検出部とを有し、前記検出部は、静電容量型近接センサを用いて、載置された前記基板を検出する、ことを特徴とする基板搬送装置が提供される。   According to one embodiment of the present invention, in the substrate transfer apparatus that receives the substrate from the substrate mounting unit on which the substrate is mounted and transfers the received substrate, the substrate is provided so as to surround the substrate to be transferred, A holding frame that can be moved forward and backward with respect to the substrate mounting portion; a drive portion that drives the holding frame to move back and forth with respect to the substrate mounting portion; and an inner edge of the holding frame that is spaced from each other. Three or more holding parts that hold the substrate by being placed on the peripheral edge of the sensor, and a detection part that is provided in the holding part and detects that the board is placed, There is provided a substrate transfer device, wherein the detection unit detects the substrate placed using a capacitive proximity sensor.

本考案の他の実施形態によれば、上記基板搬送装置であって、前記保持部は複数の前記検出部を備える、ことを特徴とする基板搬送装置であってもよい。また、上記基板搬送装置であって、前記検出部は、前記保持枠に対する前記基板の相対位置を検出し、各々の前記検出部の検出値に基づいて、前記相対位置の補正の要否を判定し、前記相対位置の補正が必要と判定したときには、補正動作を行い、前記相対位置の補正が不要と判定したときには、前記駆動部の駆動を停止するか、又は、前記基板の搬送を継続する、ことを特徴とする基板搬送装置であってもよい。更に、上記基板搬送装置であって、前記駆動部が前記保持枠を前進させ、前記基板載置部から前記保持部に前記基板を受け取った際に、前記検出部により前記保持部のいずれかが前記基板を載置していないと判断されたら前記駆動部の駆動を停止させる、ことを特徴とする基板搬送装置であってもよい。   According to another embodiment of the present invention, the substrate transfer apparatus may be the substrate transfer apparatus, wherein the holding unit includes a plurality of the detection units. Further, in the substrate transport apparatus, the detection unit detects a relative position of the substrate with respect to the holding frame, and determines whether the relative position needs to be corrected based on a detection value of each detection unit. When it is determined that the correction of the relative position is necessary, a correction operation is performed. When it is determined that the correction of the relative position is not necessary, the driving of the driving unit is stopped or the conveyance of the substrate is continued. A substrate transfer apparatus characterized by the above may be used. Further, in the substrate transport apparatus, when the driving unit advances the holding frame and receives the substrate from the substrate mounting unit to the holding unit, any one of the holding units is detected by the detection unit. The substrate transport apparatus may be characterized in that when it is determined that the substrate is not placed, the driving of the driving unit is stopped.

本考案によれば、基板を搬送する基板搬送装置において、フォークに保持されている基板が正常な位置から位置ずれしているかを容易に検出でき、更にフォーク上の基板の保持状態に応じて適切な搬送制御を行うことができる。   According to the present invention, in a substrate transfer apparatus for transferring a substrate, it is possible to easily detect whether the substrate held on the fork is displaced from the normal position, and further, depending on the holding state of the substrate on the fork. Transport control can be performed.

実施の形態に係るレジストパターン形成装置の構成を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the resist pattern formation apparatus which concerns on embodiment. 実施の形態に係るレジストパターン形成装置の構成を示す概略斜視図である。It is a schematic perspective view which shows the structure of the resist pattern formation apparatus which concerns on embodiment. 実施の形態に係るレジストパターン形成装置の構成を示す側面図である。It is a side view which shows the structure of the resist pattern formation apparatus which concerns on embodiment. 第3のブロックの構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of a 3rd block. 実施の形態に係る搬送アームを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the conveyance arm which concerns on embodiment. 実施の形態に係る搬送アームを示す平面図及び側面図である。It is the top view and side view which show the conveyance arm which concerns on embodiment. 実施の形態に係る搬送アームのフォークを拡大して示す平面図である。It is a top view which expands and shows the fork of the conveyance arm which concerns on embodiment. 実施の形態に係る搬送アームのフォークを拡大して示す断面図である。It is sectional drawing which expands and shows the fork of the conveyance arm which concerns on embodiment. 保持爪にウェハが正常に載置されているときのフォーク及びウェハを示す平面図及び断面図である。It is a top view and a sectional view showing a fork and a wafer when a wafer is normally placed on a holding claw. 保持爪にウェハが正常に載置されていないときのフォーク及びウェハを示す平面図及び断面図である。It is a top view and a sectional view showing a fork and a wafer when a wafer is not normally placed on a holding claw. 保持爪にウェハが正常に載置されていないときの別の例におけるフォーク及びウェハを示す平面図である。It is a top view which shows the fork and wafer in another example when the wafer is not normally mounted on the holding claw. レジストパターン形成装置に設けられた加熱モジュール及び制御部を示す構成図である。It is a block diagram which shows the heating module and control part which were provided in the resist pattern formation apparatus. 基板搬送方法における各工程の手順を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the procedure of each process in a board | substrate conveyance method. ウェハを受け渡す際の加熱モジュールと搬送アームの状態を示す図である。It is a figure which shows the state of the heating module at the time of delivering a wafer and a conveyance arm. 実施の形態の変形例に係る搬送アームのフォークを拡大して示す平面図である。It is a top view which expands and shows the fork of the conveyance arm which concerns on the modification of embodiment.

以下、本考案に係る基板搬送装置を備えた基板処理装置を、塗布現像装置に適用した場合を例にして説明する。   Hereinafter, a case where a substrate processing apparatus provided with a substrate transfer apparatus according to the present invention is applied to a coating and developing apparatus will be described as an example.

先ず、図1から図4を参照し、塗布現像装置に露光装置を接続したレジストパターン形成装置について、図面を参照しながら簡単に説明する。   First, a resist pattern forming apparatus in which an exposure apparatus is connected to a coating and developing apparatus will be briefly described with reference to FIGS.

図1は、本実施の形態に係るレジストパターン形成装置の構成を示す平面図である。図2は、本実施の形態に係るレジストパターン形成装置の構成を示す概略斜視図である。図3は、本実施の形態に係るレジストパターン形成装置の構成を示す側面図である。図4は、第3のブロック(COT層)B3の構成を示す斜視図である。   FIG. 1 is a plan view showing a configuration of a resist pattern forming apparatus according to the present embodiment. FIG. 2 is a schematic perspective view showing the configuration of the resist pattern forming apparatus according to the present embodiment. FIG. 3 is a side view showing the configuration of the resist pattern forming apparatus according to the present embodiment. FIG. 4 is a perspective view showing the configuration of the third block (COT layer) B3.

レジストパターン形成装置は、図1及び図2に示すように、キャリアブロックS1、処理ブロックS2、インターフェイスブロックS3を有する。また、レジストパターン形成装置のインターフェイスブロックS3側に、露光装置S4が設けられている。処理ブロックS2は、キャリアブロックS1に隣接するように設けられている。インターフェイスブロックS3は、処理ブロックS2のキャリアブロックS1側と反対側に、処理ブロックS2に隣接するように設けられている。露光装置S4は、インターフェイスブロックS3の処理ブロックS2側と反対側に、インターフェイスブロックS3に隣接するように設けられている。   As shown in FIGS. 1 and 2, the resist pattern forming apparatus has a carrier block S1, a processing block S2, and an interface block S3. An exposure device S4 is provided on the interface block S3 side of the resist pattern forming apparatus. The processing block S2 is provided adjacent to the carrier block S1. The interface block S3 is provided on the side opposite to the carrier block S1 side of the processing block S2 so as to be adjacent to the processing block S2. The exposure apparatus S4 is provided on the side opposite to the processing block S2 side of the interface block S3 so as to be adjacent to the interface block S3.

キャリアブロックS1は、キャリア20、載置台21及び受け渡し手段Cを有する。キャリア20は、載置台21上に載置されている。受け渡し手段Cは、キャリア20からウェハWを取り出し、処理ブロックS2に受け渡すとともに、処理ブロックS2において処理された処理済みのウェハWを受け取り、キャリア20に戻すためのものである。   The carrier block S1 includes a carrier 20, a mounting table 21, and delivery means C. The carrier 20 is mounted on the mounting table 21. The delivery means C is for taking out the wafer W from the carrier 20 and delivering it to the processing block S 2, receiving the processed wafer W processed in the processing block S 2, and returning it to the carrier 20.

処理ブロックS2は、図2に示すように、棚ユニットU1、棚ユニットU2、第1のブロック(DEV層)B1、第2のブロック(BCT層)B2、第3のブロック(COT層)B3、第4のブロック(TCT層)B4を有する。第1のブロック(DEV層)B1は、現像処理を行うためのものである。第2のブロック(BCT層)B2は、レジスト膜の下層側に形成される反射防止膜の形成処理を行うためのものである。第3のブロック(COT層)B3は、レジスト液の塗布処理を行うためのものである。第4のブロック(TCT層)B4は、レジスト膜の上層側に形成される反射防止膜の形成処理を行うためのものである。   As shown in FIG. 2, the processing block S2 includes a shelf unit U1, a shelf unit U2, a first block (DEV layer) B1, a second block (BCT layer) B2, a third block (COT layer) B3, A fourth block (TCT layer) B4 is included. The first block (DEV layer) B1 is for performing development processing. The second block (BCT layer) B2 is for performing an antireflection film forming process formed on the lower layer side of the resist film. The third block (COT layer) B3 is for performing a resist liquid coating process. The fourth block (TCT layer) B4 is for performing an antireflection film forming process formed on the upper layer side of the resist film.

棚ユニットU1は、各種のモジュールが積層されて構成されている。棚ユニットU1は、図3に示すように、例えば下から順に積層された、受け渡しモジュールTRS1、TRS1、CPL11、CPL2、BF2、CPL3、BF3、CPL4、TRS4を有する。また、図1に示すように、棚ユニットU1の近傍には、昇降自在な受け渡しアームDが
設けられている。棚ユニットU1の各処理モジュール同士の間では、受け渡しアームDによりウェハWが搬送される。
The shelf unit U1 is configured by stacking various modules. As illustrated in FIG. 3, the shelf unit U1 includes, for example, delivery modules TRS1, TRS1, CPL11, CPL2, BF2, CPL3, BF3, CPL4, and TRS4 stacked in order from the bottom. Moreover, as shown in FIG. 1, the transfer arm D which can be moved up and down is provided in the vicinity of the shelf unit U1. Wafers W are transferred by the transfer arm D between the processing modules of the shelf unit U1.

棚ユニットU2は、各種の処理モジュールが積層されて構成されている。棚ユニットU2は、図3に示すように、例えば下から順に積層された、受け渡しモジュールTRS6、TRS6、CPL12を有する。   The shelf unit U2 is configured by stacking various processing modules. As illustrated in FIG. 3, the shelf unit U2 includes delivery modules TRS6, TRS6, and CPL12 stacked in order from the bottom, for example.

なお、図3において、CPLが付されている受け渡しモジュールは、温調用の冷却モジュールを兼ねており、BFが付されている受け渡しモジュールは、複数枚のウェハWを載置可能なバッファモジュールを兼ねている。   In FIG. 3, the delivery module attached with CPL also serves as a cooling module for temperature control, and the delivery module attached with BF also serves as a buffer module on which a plurality of wafers W can be placed. ing.

第1のブロック(DEV層)B1は、図1及び図3に示すように、現像モジュール22、搬送アームA1及びシャトルアームEを有する。現像モジュール22は、1つの第1のブロック(DEV層)B1内に、上下2段に積層されている。搬送アームA1は、2段の現像モジュール22にウェハWを搬送するためのものである。すなわち、搬送アームA1は、2段の現像モジュール22にウェハWを搬送する搬送アームが共通化されているものである。シャトルアームEは、棚ユニットU1の受け渡しモジュールCPL11から棚ユニットU2の受け渡しモジュールCPL12にウェハWを直接搬送するためのものである。   The first block (DEV layer) B1 has a developing module 22, a transport arm A1, and a shuttle arm E as shown in FIGS. The development module 22 is stacked in two upper and lower stages in one first block (DEV layer) B1. The transfer arm A1 is for transferring the wafer W to the two-stage development module 22. That is, the transfer arm A1 is a common transfer arm for transferring the wafer W to the two-stage development module 22. The shuttle arm E is for directly transferring the wafer W from the delivery module CPL11 of the shelf unit U1 to the delivery module CPL12 of the shelf unit U2.

第2のブロック(BCT層)B2、第3のブロック(COT層)B3、及び第4のブロック(TCT層)B4は、各々塗布モジュール、加熱・冷却系の処理モジュール群、及び搬送アームA2、A3、A4を有する。処理モジュール群は、塗布モジュールにおいて行われる処理の前処理及び後処理を行うためのものである。搬送アームA2、A3、A4は、塗布モジュールと処理モジュール群との間に設けられており、塗布モジュール及び処理モジュール群の各処理モジュールの間でウェハWの受け渡しを行う。   The second block (BCT layer) B2, the third block (COT layer) B3, and the fourth block (TCT layer) B4 are respectively a coating module, a heating / cooling system processing module group, and a transfer arm A2. A3 and A4 are included. The processing module group is for performing pre-processing and post-processing of processing performed in the coating module. The transfer arms A2, A3, A4 are provided between the coating module and the processing module group, and transfer the wafer W between the processing modules of the coating module and the processing module group.

第2のブロック(BCT層)B2から第4のブロック(TCT層)B4の各ブロックは、第2のブロック(BCT層)B2及び第4のブロック(TCT層)B4における薬液が反射防止膜用の薬液であり、第3のブロック(COT層)B3における薬液がレジスト液であることを除き、同様の構成を有する。   In each block from the second block (BCT layer) B2 to the fourth block (TCT layer) B4, the chemical solution in the second block (BCT layer) B2 and the fourth block (TCT layer) B4 is used for the antireflection film. It has the same configuration except that the chemical solution in the third block (COT layer) B3 is a resist solution.

なお、搬送アームA1〜A4は、本考案における基板搬送装置に相当するものであり、搬送アームA1〜A4の構成については、後述する。また、載置台21、各処理モジュールにおける基板を載置する部分は、本考案における基板載置部に相当する。   The transfer arms A1 to A4 correspond to the substrate transfer apparatus in the present invention, and the configuration of the transfer arms A1 to A4 will be described later. Moreover, the part which mounts the mounting base 21 and the board | substrate in each processing module is equivalent to the board | substrate mounting part in this invention.

ここで、図4を参照し、第2のブロック(BCT層)B2、第3のブロック(COT層)B3、及び第4のブロック(TCT層)B4を代表し、第3のブロック(COT層)B3の構成を説明する。   Here, referring to FIG. 4, the second block (BCT layer) B2, the third block (COT layer) B3, and the fourth block (TCT layer) B4 are represented as the third block (COT layer). ) The configuration of B3 will be described.

第3のブロック(COT層)B3は、塗布モジュール23、棚ユニットU3及び搬送アームA3を有する。棚ユニットU3は、加熱モジュール、冷却モジュール等の熱処理モジュール群を構成するように積層された、複数の処理モジュールを有する。棚ユニットU3は、塗布モジュール23と対向するように配列されている。搬送アームA3は、塗布モジュール23と棚ユニットU3との間に設けられている。図4中24は、各処理モジュールと搬送アームA3との間でウェハWの受け渡しを行うための搬送口である。   The third block (COT layer) B3 includes a coating module 23, a shelf unit U3, and a transfer arm A3. The shelf unit U3 includes a plurality of processing modules stacked so as to constitute a heat treatment module group such as a heating module and a cooling module. The shelf unit U3 is arranged to face the coating module 23. The transfer arm A3 is provided between the coating module 23 and the shelf unit U3. In FIG. 4, reference numeral 24 denotes a transfer port for delivering the wafer W between each processing module and the transfer arm A3.

インターフェイスブロックS3は、図1に示すように、インターフェイスアームFを有する。インターフェイスアームFは、処理ブロックS2の棚ユニットU2の近傍に設けられている。棚ユニットU2の各処理モジュール同士の間及び露光装置S4との間では、インターフェイスアームFによりウェハWが搬送される。   The interface block S3 has an interface arm F as shown in FIG. The interface arm F is provided in the vicinity of the shelf unit U2 of the processing block S2. The wafer W is transferred by the interface arm F between the processing modules of the shelf unit U2 and between the exposure units S4.

キャリアブロックS1からのウェハWは、棚ユニットU1の一つの受け渡しモジュール、例えば第2のブロック(BCT層)B2に対応する受け渡しモジュールCPL2に、受け渡し手段Cにより、順次搬送される。受け渡しモジュールCPL2に搬送されたウェハWは、第2のブロック(BCT層)B2の搬送アームA2に受け渡され、搬送アームA2を介して各処理モジュール(塗布モジュール及び加熱・冷却系の処理モジュール群の各処理モジュール)に搬送され、各処理モジュールで処理が行われる。これにより、ウェハWに反射防止膜が形成される。   The wafer W from the carrier block S1 is sequentially transferred by the transfer means C to one transfer module of the shelf unit U1, for example, the transfer module CPL2 corresponding to the second block (BCT layer) B2. The wafer W transferred to the transfer module CPL2 is transferred to the transfer arm A2 of the second block (BCT layer) B2, and each processing module (coating module and heating / cooling system processing module group) is transferred via the transfer arm A2. Each processing module) performs processing in each processing module. Thereby, an antireflection film is formed on the wafer W.

反射防止膜が形成されたウェハWは、搬送アームA2、棚ユニットU1の受け渡しモジュールBF2、受け渡しアームD、棚ユニットU1の受け渡しモジュールCPL3を介し、第3のブロック(COT層)B3の搬送アームA3に受け渡される。そして、ウェハWは、搬送アームA3を介して各処理モジュール(塗布モジュール及び加熱・冷却系の処理モジュール群の各処理モジュール)に搬送され、各処理モジュールで処理が行われる。これにより、ウェハWにレジスト膜が形成される。   The wafer W on which the antireflection film is formed passes through the transfer arm A2, the transfer module BF2 of the shelf unit U1, the transfer arm D, and the transfer module CPL3 of the shelf unit U1, and the transfer arm A3 of the third block (COT layer) B3. Is passed on. Then, the wafer W is transferred to each processing module (each processing module in the processing module group of the coating module and the heating / cooling system) via the transfer arm A3, and processing is performed in each processing module. Thereby, a resist film is formed on the wafer W.

レジスト膜が形成されたウェハWは、搬送アームA3を介し、棚ユニットU1の受け渡しモジュールBF3に受け渡される。   The wafer W on which the resist film is formed is transferred to the transfer module BF3 of the shelf unit U1 via the transfer arm A3.

なお、レジスト膜が形成されたウェハWは、第4のブロック(TCT層)B4において更に反射防止膜が形成される場合もある。この場合は、ウェハWは受け渡しモジュールCPL4を介し、第4のブロック(TCT層)B4の搬送アームA4に受け渡され、搬送アームA4を介して各処理モジュール(塗布モジュール及び加熱・冷却系の処理モジュール群の各処理モジュール)に搬送され、各処理モジュールで処理が行われる。これにより、ウェハWに反射防止膜が形成される。そして、反射防止膜が形成されたウェハWは、搬送アームA4を介し、棚ユニットU1の受け渡しモジュールTRS4に受け渡される。   The wafer W on which the resist film is formed may further have an antireflection film formed in the fourth block (TCT layer) B4. In this case, the wafer W is transferred to the transfer arm A4 of the fourth block (TCT layer) B4 via the transfer module CPL4, and each processing module (processing of the coating module and heating / cooling system) is transferred via the transfer arm A4. Each processing module in the module group is transported to and processed in each processing module. Thereby, an antireflection film is formed on the wafer W. Then, the wafer W on which the antireflection film is formed is transferred to the transfer module TRS4 of the shelf unit U1 via the transfer arm A4.

レジスト膜が形成されたウェハW又はレジスト膜の上に更に反射防止膜が形成されたウェハWは、受け渡しアームD、受け渡しモジュールBF3、TRS4を介して受け渡しモジュールCPL11に受け渡される。受け渡しモジュールCPL11に受け渡されたウェハWは、シャトルアームEにより棚ユニットU2の受け渡しモジュールCPL12に直接搬送された後、インターフェイスブロックS3のインターフェイスアームFに受け渡される。   The wafer W on which the resist film is formed or the wafer W on which the antireflection film is further formed on the resist film is transferred to the transfer module CPL11 via the transfer arm D, the transfer modules BF3, and TRS4. The wafer W transferred to the transfer module CPL11 is directly transferred to the transfer module CPL12 of the shelf unit U2 by the shuttle arm E, and then transferred to the interface arm F of the interface block S3.

インターフェイスアームFに受け渡されたウェハWは、露光装置S4に搬送され、所定の露光処理が行われる。所定の露光処理が行われたウェハWは、インターフェイスアームFを介し、棚ユニットU2の受け渡しモジュールTRS6に載置され、処理ブロックS2に戻される。処理ブロックS2に戻されたウェハWは、第1のブロック(DEV層)B1において現像処理が行われる。現像処理が行われたウェハWは、搬送アームA1、棚ユニットU1のいずれかの受け渡しモジュール、受け渡し手段Cを介し、キャリア20に戻される。   The wafer W delivered to the interface arm F is transported to the exposure apparatus S4, and a predetermined exposure process is performed. The wafer W that has undergone the predetermined exposure processing is placed on the delivery module TRS6 of the shelf unit U2 via the interface arm F, and returned to the processing block S2. The wafer W returned to the processing block S2 is subjected to development processing in the first block (DEV layer) B1. The developed wafer W is returned to the carrier 20 via the transfer arm A1, the transfer module of the shelf unit U1, and the transfer means C.

次に、図4から図6を参照し、本考案における基板搬送装置である搬送アームA1〜A4について説明する。搬送アームA1〜A4は同様に構成されているので、第3のブロック(COT層)B3に設けられた搬送アームA3を代表して説明する。図5は、搬送アームA3を示す斜視図である。図6は、搬送アームA3を示す平面図及び側面図である。   Next, the transfer arms A1 to A4, which are substrate transfer apparatuses according to the present invention, will be described with reference to FIGS. Since the transfer arms A1 to A4 are similarly configured, the transfer arm A3 provided in the third block (COT layer) B3 will be described as a representative. FIG. 5 is a perspective view showing the transfer arm A3. FIG. 6 is a plan view and a side view showing the transfer arm A3.

図4から図6に示すように、搬送アームA3は、2枚のフォーク3(3A、3B)、基台31、回転機構32、進退機構33A、33B、及び昇降台34を有する。   As shown in FIGS. 4 to 6, the transfer arm A <b> 3 includes two forks 3 (3 </ b> A, 3 </ b> B), a base 31, a rotation mechanism 32, advance / retreat mechanisms 33 </ b> A, 33 </ b> B, and an elevator base 34.

2枚のフォーク3A、3Bは、上下に重なるように設けられている。基台31は、回転機構32により、鉛直軸周りに回転自在に設けられている。また、フォーク3A、3Bは、各々、その基端側がそれぞれ進退機構33A、33Bに支持されており、進退機構33A、33Bにより、基台31から、例えば、後述する加熱モジュール7の突き上げピン73に進退自在に設けられている。   The two forks 3A and 3B are provided so as to overlap each other. The base 31 is provided by a rotation mechanism 32 so as to be rotatable around the vertical axis. Further, the forks 3A and 3B are respectively supported on the base end sides by the advance / retreat mechanisms 33A and 33B, and are moved from the base 31 to, for example, push-up pins 73 of the heating module 7 described later by the advance / retreat mechanisms 33A and 33B. It is provided to freely advance and retreat.

なお、フォーク3(3A、3B)は、本考案における保持枠に相当する。   The forks 3 (3A, 3B) correspond to the holding frame in the present invention.

進退機構33A、33Bは、基台31内部に設けられた駆動機構であるモータMに、タイミングベルト等の伝達機構を用いて連結されており、フォーク3A、3Bを進退駆動する。伝達機構としては、ボールネジ機構やタイミングベルトを用いた機構等、周知の構成を用いることができる。   The advance / retreat mechanisms 33A, 33B are connected to a motor M, which is a drive mechanism provided inside the base 31, using a transmission mechanism such as a timing belt, and drives the forks 3A, 3B to advance and retract. As the transmission mechanism, a known configuration such as a ball screw mechanism or a mechanism using a timing belt can be used.

なお、進退機構33A、33Bは、本考案における駆動部に相当する。また、後述する図12には、基台31の下方側に進退機構33Aの駆動機構33を図示している。進退機構33Aは、基台31内部に設けられた駆動機構33をモータMにより回転させることによって、フォーク3A、3Bを基台31から、例えば、後述する加熱モジュール7の突き上げピン73に進退駆動するように構成されている。モータMは、エンコーダ38に接続されている。図12中39はエンコーダ38のパルス数をカウントするカウンタである。   The advance / retreat mechanisms 33A and 33B correspond to drive units in the present invention. Further, in FIG. 12 described later, the drive mechanism 33 of the advance / retreat mechanism 33 </ b> A is illustrated below the base 31. The advance / retreat mechanism 33A rotates the drive mechanism 33 provided in the base 31 by the motor M, thereby driving the forks 3A, 3B from the base 31 to, for example, a push-up pin 73 of the heating module 7 described later. It is configured as follows. The motor M is connected to the encoder 38. In FIG. 12, 39 is a counter for counting the number of pulses of the encoder 38.

昇降台34は、図4に示すように、回転機構32の下方側に設けられている。昇降台34は、上下方向(図4中Z軸方向)に直線状に延びる図示しないZ軸ガイドレールに沿って、昇降機構により昇降自在に設けられている。昇降機構としては、ボールネジ機構やタイミングベルトを用いた機構等、周知の構成を用いることができる。この例ではZ軸ガイドレール及び昇降機構は夫々カバー体35により覆われており、例えば上部側において接続されて一体となっている。またカバー体35は、Y軸方向に直線状に伸びるY軸ガイドレール36に沿って摺動移動するように構成されている。   As shown in FIG. 4, the lifting platform 34 is provided below the rotation mechanism 32. The elevating table 34 is provided so as to be movable up and down by an elevating mechanism along a Z-axis guide rail (not shown) extending linearly in the vertical direction (Z-axis direction in FIG. 4). As the elevating mechanism, a known configuration such as a ball screw mechanism or a mechanism using a timing belt can be used. In this example, the Z-axis guide rail and the elevating mechanism are each covered by a cover body 35, and are connected and integrated, for example, on the upper side. The cover body 35 is configured to slide along a Y-axis guide rail 36 that extends linearly in the Y-axis direction.

次に、図5から図11を参照し、フォーク3、保持爪30及び保持爪30に設けられた近接センサ4について説明する。また、以下では、フォーク3A、3Bを代表し、フォーク3Aについて説明するが、フォーク3Bも、フォーク3Aと全く同様に構成することができる。   Next, the proximity sensor 4 provided on the fork 3, the holding claw 30, and the holding claw 30 will be described with reference to FIGS. In the following, the forks 3A and 3B will be described as a representative example of the forks 3A, but the forks 3B can be configured in exactly the same way as the forks 3A.

なお、近接センサ4は、本考案における検出部に相当する。   The proximity sensor 4 corresponds to a detection unit in the present invention.

図7は、フォーク3Aを拡大して示す平面図である。図8は、フォーク3Aを拡大して示す断面図である。図8は、図7におけるA−A線に沿う断面図である。また、図8では、4個の保持爪30及び4個の近接センサ4のうち、2個の保持爪及び2個の近接センサを示している。図9(a)及び図9(b)は、それぞれ保持爪30にウェハWが正常に載置されているときのフォーク3A及びウェハWを示す平面図及び断面図である。図9(b)は、図9(a)におけるA−A線に沿う断面図である。図10(a)及び図10(b)は、それぞれ保持爪30にウェハWが正常に載置されていないときのフォーク3A及びウェハWを示す平面図及び断面図である。図10(b)は、図10(a)におけるA−A線に沿う断面図である。図11は、保持爪30にウェハWが正常に載置されていないときの別の例におけるフォーク3A及びウェハWを示す平面図である。なお、図7から図11では、図示を容易にするため、フォーク3Aに対し、保持爪30及び近接センサ4を少し拡大して示している。   FIG. 7 is an enlarged plan view showing the fork 3A. FIG. 8 is an enlarged cross-sectional view of the fork 3A. FIG. 8 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. FIG. 8 shows two holding claws and two proximity sensors among the four holding claws 30 and the four proximity sensors 4. 9A and 9B are a plan view and a cross-sectional view showing the fork 3A and the wafer W when the wafer W is normally placed on the holding claw 30, respectively. FIG.9 (b) is sectional drawing which follows the AA line in Fig.9 (a). 10A and 10B are a plan view and a cross-sectional view showing the fork 3A and the wafer W when the wafer W is not normally placed on the holding claw 30, respectively. FIG.10 (b) is sectional drawing which follows the AA line in Fig.10 (a). FIG. 11 is a plan view showing the fork 3 </ b> A and the wafer W in another example when the wafer W is not normally placed on the holding claw 30. 7 to 11, the holding claws 30 and the proximity sensor 4 are shown slightly enlarged with respect to the fork 3A for easy illustration.

図7及び図8に示すように、フォーク3Aは、円弧状に形成され、搬送する基板の周囲を囲むように設けられている。また、図5及び図6に示すように、フォーク3A、3Bには、各々保持爪30が形成されている。保持爪30は、フォーク3A、3Bの内縁から各々内側に突出するとともに、内縁に沿って互いに間隔を隔てて設けられており、ウェハWの周縁部が載置されることによってウェハWを保持するものである。保持爪30は、3個以上が設けられる。図5及び図6に示す例では、ウェハWの周縁部の4箇所を保持するために、4個の保持爪30A、30B、30C、30Dが設けられている。   As shown in FIGS. 7 and 8, the fork 3A is formed in an arc shape and is provided so as to surround the periphery of the substrate to be transported. Further, as shown in FIGS. 5 and 6, holding claws 30 are formed on the forks 3 </ b> A and 3 </ b> B, respectively. The holding claws 30 protrude inward from the inner edges of the forks 3A and 3B, and are spaced from each other along the inner edges, and hold the wafer W by placing the peripheral edge of the wafer W thereon. Is. Three or more holding claws 30 are provided. In the example shown in FIGS. 5 and 6, four holding claws 30 </ b> A, 30 </ b> B, 30 </ b> C, and 30 </ b> D are provided in order to hold the four peripheral portions of the wafer W.

保持爪30A〜30Dの各々には、保持爪30A〜30DにウェハWが載置されたときに被検出体であるウェハWを検出するための近接センサ4A、4B、4C、4Dが設けられている。図7及び図8に示す例では、近接センサ4A〜4Dとして、静電容量型近接センサ(以下、単に「静電容量センサ」という。)が用いられている。   Each of the holding claws 30A to 30D is provided with proximity sensors 4A, 4B, 4C, and 4D for detecting the wafer W that is a detection target when the wafer W is placed on the holding claws 30A to 30D. Yes. In the example illustrated in FIGS. 7 and 8, capacitive proximity sensors (hereinafter simply referred to as “capacitance sensors”) are used as the proximity sensors 4 </ b> A to 4 </ b> D.

図8に示すように、静電容量センサ4A、4B、4C、4Dは、それぞれ静電容量測定部41A、41B、41C、41Dに電気的に接続されており、静電容量センサ4A〜4Dで検出された静電容量の変化を、これらの静電容量測定部41A〜41Dによって所定の電気信号、例えば静電容量の増加に応じて大きな電圧信号に変化出力するように構成されている。静電容量センサ4A〜4D上にウェハWが載置されていないときは、静電容量センサ4A〜4Dの検出する静電容量(出力)は略0である。また、静電容量センサ4A〜4D上にウェハWが載置されているときに静電容量センサ4A〜4Dの検出する静電容量(出力)は、静電容量センサ4A〜4D上にウェハWが載置されていないときに静電容量センサ4A〜4Dの検出する静電容量(出力)よりも大きい。また、図8における点線で示すように、静電容量センサ4A〜4DとウェハWとの間の距離が正常な状態よりも大きいときに静電容量センサ4A〜4Dの検出する静電容量(出力)は、ウェハWが全く載置されていないときの静電容量(出力)よりは大きいが、正常な状態でウェハWが載置されているときの静電容量(出力)よりも小さい。   As shown in FIG. 8, the capacitance sensors 4A, 4B, 4C, and 4D are electrically connected to the capacitance measuring units 41A, 41B, 41C, and 41D, respectively, and the capacitance sensors 4A to 4D are used. The detected change in capacitance is configured to change and output a predetermined electric signal, for example, a large voltage signal in accordance with an increase in capacitance, by these capacitance measuring units 41A to 41D. When the wafer W is not placed on the capacitance sensors 4A to 4D, the capacitance (output) detected by the capacitance sensors 4A to 4D is substantially zero. Further, the capacitance (output) detected by the capacitance sensors 4A to 4D when the wafer W is placed on the capacitance sensors 4A to 4D is the wafer W on the capacitance sensors 4A to 4D. Is larger than the capacitance (output) detected by the capacitance sensors 4A to 4D when the is not mounted. Further, as indicated by the dotted lines in FIG. 8, the capacitance (output) detected by the capacitance sensors 4A to 4D when the distance between the capacitance sensors 4A to 4D and the wafer W is larger than the normal state. ) Is larger than the electrostatic capacity (output) when the wafer W is not placed at all, but smaller than the electrostatic capacity (output) when the wafer W is placed in a normal state.

静電容量測定部41A、41B、41C、41Dの出力は、比較部42A、42B、42C、42Dに入力されるように構成されている。そして、比較部42A、42B、42C、42Dの出力は、後述する制御部5に入力されるように構成されている。比較部42A〜42Dは、静電容量測定部41A〜41Dの出力を予め設定された下限値と比較する。   The outputs of the capacitance measuring units 41A, 41B, 41C, and 41D are configured to be input to the comparison units 42A, 42B, 42C, and 42D. And the output of the comparison parts 42A, 42B, 42C, 42D is comprised so that it may input into the control part 5 mentioned later. The comparison units 42A to 42D compare the outputs of the capacitance measurement units 41A to 41D with preset lower limit values.

本実施の形態では、下限値として、第1の下限値と、第1の下限値よりも大きい第2の下限値を用いる。   In the present embodiment, a first lower limit value and a second lower limit value that is larger than the first lower limit value are used as the lower limit value.

第1の下限値は、略0に近い値であり、静電容量センサ4A〜4Dが設けられている保持爪30A〜30DにウェハWが保持されていないときに、静電容量測定部41A〜41Dの出力が、第1の下限値より小さくなるような値として、設定されている。   The first lower limit value is a value close to approximately 0, and when the wafer W is not held by the holding claws 30A to 30D provided with the capacitance sensors 4A to 4D, the capacitance measuring units 41A to 41A. The value of 41D is set as a value that is smaller than the first lower limit value.

第2の下限値は、第1の下限値よりも大きい値である。また、第2の下限値は、ウェハWが正常に保持爪30A〜30Dに載置されているときに、静電容量測定部41A〜41Dの出力が、第2の下限値より大きくなるような値として、設定されている。静電容量測定部41A〜41Dの出力が、第2の下限値より小さくなるときは、ウェハWが正常に保持爪30A〜30Dに載置されていないとき、すなわち、フォーク3Aに対するウェハWの相対位置が正常な位置からずれているときである。このときは、後述するように、ウェハWを、フォーク3Aから本考案における基板載置部に相当する、各処理モジュールの突き上げピン又は載置台に戻し、フォーク3Aの位置を補正した後、再び、ウェハWを各処理モジュールの突き上げピン又は載置台からフォーク3Aに受け取る。   The second lower limit value is a value larger than the first lower limit value. Further, the second lower limit value is such that when the wafer W is normally placed on the holding claws 30A to 30D, the outputs of the capacitance measuring units 41A to 41D are larger than the second lower limit value. It is set as a value. When the outputs of the capacitance measuring units 41A to 41D are smaller than the second lower limit value, the wafer W is not normally placed on the holding claws 30A to 30D, that is, the relative of the wafer W to the fork 3A. This is when the position deviates from the normal position. At this time, as described later, the wafer W is returned from the fork 3A to the push-up pin or mounting table of each processing module corresponding to the substrate mounting portion in the present invention, and after correcting the position of the fork 3A, The wafer W is received by the fork 3A from the push-up pin or mounting table of each processing module.

比較部42A〜42Dは、例えば、以下のように比較処理を行うように構成されている。すなわち、比較部42A〜42Dは、静電容量測定部41A〜41Dの出力が第2の下限値より大きくなるときは、制御部5に対し、載置信号を発生する。また、比較部42A〜42Dは、静電容量測定部41A〜41Dの出力が第1の下限値より小さくなるときは、制御部5に対し、警告信号を発生する。また、比較部42A〜42Dは、静電容量測定部41A〜41Dの出力が第1の下限値より大きく第2の下限値より小さいときは、載置信号及び警告信号のいずれも発生しない。   The comparison units 42A to 42D are configured to perform comparison processing as follows, for example. That is, the comparison units 42 </ b> A to 42 </ b> D generate a placement signal for the control unit 5 when the outputs of the capacitance measurement units 41 </ b> A to 41 </ b> D are greater than the second lower limit value. Further, the comparison units 42A to 42D generate a warning signal to the control unit 5 when the outputs of the capacitance measurement units 41A to 41D are smaller than the first lower limit value. Further, when the outputs of the capacitance measuring units 41A to 41D are larger than the first lower limit value and smaller than the second lower limit value, the comparison units 42A to 42D do not generate any placement signal or warning signal.

まず、図9(a)及び図9(b)に示すように、ウェハWが保持爪30A〜30Dに正常に載置されている場合について説明する。このようなときは、全ての静電容量測定部41A〜41Dの出力が第2の下限値よりも大きくなり、比較部42A〜42Dの全ては、制御部5に対し、載置信号を出力する。そして、比較部42A〜42Dの全てから載置信号が入力された制御部5は、ウェハWが保持爪30A〜30Dに正常に載置されており、フォーク3Aに対するウェハWの相対位置の補正の必要がないと判定する。補正の必要がないと判定した制御部5は、進退機構33A及び昇降台34を制御し、フォーク3Aを駆動してウェハWを搬送する。   First, as shown in FIGS. 9A and 9B, a case where the wafer W is normally placed on the holding claws 30A to 30D will be described. In such a case, the outputs of all the capacitance measuring units 41 </ b> A to 41 </ b> D become larger than the second lower limit value, and all of the comparison units 42 </ b> A to 42 </ b> D output placement signals to the control unit 5. . Then, the control unit 5 to which the placement signals are input from all the comparison units 42A to 42D corrects the relative position of the wafer W with respect to the fork 3A because the wafer W is normally placed on the holding claws 30A to 30D. Determine that it is not necessary. The control unit 5 that determines that the correction is not necessary controls the advance / retreat mechanism 33A and the lifting platform 34, and drives the fork 3A to transport the wafer W.

次に、図10(a)、図10(b)及び図11に示すように、ウェハWが保持爪30A〜30Dに正常に載置されていない場合について説明する。図10(a)及び図10(b)は、ウェハWがフォーク3Aの進退方向であるX方向と略直交するY方向にずれたときを示しており、図11は、ウェハWがフォーク3Aの進退方向であるX方向にずれたときを示している。このようなときは、静電容量測定部41A〜41Dのいずれかにおいて、出力が第2の下限値よりも小さくなり、比較部42A〜42Dのいずれかは、制御部5に対し、載置信号を出力しない。そして、比較部42A〜42Dのいずれかから載置信号が入力されない制御部5は、ウェハWが保持爪30A〜30Dに正常に載置されておらず、フォーク3Aに対するウェハWの相対位置の補正の必要があると判定する。補正の必要があると判定した制御部5は、進退機構33A及び昇降台34を制御し、ウェハWを、フォーク3Aの保持爪30A〜30Dから各処理モジュールの突き上げピン又は載置台に戻し、フォーク3Aの位置を補正する。そして、補正した後、再び、ウェハWを各モジュールの突き上げピン又は載置台からフォーク3Aの保持爪30A〜30Dに受け取る。   Next, as shown in FIGS. 10A, 10B, and 11, a case where the wafer W is not normally placed on the holding claws 30A to 30D will be described. FIGS. 10A and 10B show a case where the wafer W is displaced in the Y direction substantially orthogonal to the X direction, which is the forward and backward direction of the fork 3A. FIG. 11 shows the wafer W of the fork 3A. It shows the time when it is shifted in the X direction, which is the forward / backward direction. In such a case, in any of the capacitance measuring units 41A to 41D, the output becomes smaller than the second lower limit value, and any of the comparing units 42A to 42D sends a placement signal to the control unit 5. Is not output. The control unit 5 to which no placement signal is input from any of the comparison units 42A to 42D corrects the relative position of the wafer W with respect to the fork 3A because the wafer W is not normally placed on the holding claws 30A to 30D. It is determined that there is a need for The control unit 5 that determines that correction is necessary controls the advance / retreat mechanism 33A and the lift table 34, and returns the wafer W from the holding claws 30A to 30D of the fork 3A to the push-up pins or mounting tables of each processing module. The position of 3A is corrected. And after correction | amendment, the wafer W is again received by the holding nail | claw 30A-30D of the fork 3A from the push-up pin or mounting base of each module.

更に、ウェハWの位置が正常な位置からかなりずれているか、又は、ウェハWが保持爪30A〜30Dのいずれかに全く載置されていないときは、静電容量測定部41A〜41Dのいずれかにおいて、出力が第2の下限値よりも小さい第1の下限値よりも更に小さくなる。このとき、その静電容量測定部41A〜41Dに対応する比較部42A〜42Dは、警告信号を発生する。制御部5は、比較部42A〜42Dのいずれかから警告信号が入力されたときは、ウェハWの位置が正常な位置からかなりずれているか、又は、ウェハWが保持爪30A〜30Dのいずれかに全く載置されていないと判定し、フォーク3Aの移動を停止する。   Furthermore, when the position of the wafer W is considerably deviated from the normal position, or when the wafer W is not placed on any of the holding claws 30A to 30D, any one of the capacitance measuring units 41A to 41D. The output is further smaller than the first lower limit value, which is smaller than the second lower limit value. At this time, the comparison units 42A to 42D corresponding to the capacitance measurement units 41A to 41D generate warning signals. When the warning signal is input from any of the comparison units 42A to 42D, the control unit 5 has either the position of the wafer W significantly deviated from the normal position, or the wafer W is one of the holding claws 30A to 30D. The fork 3A stops moving.

次に、図12を参照し、搬送アームと処理モジュールとの間のウェハWの受け渡しを制御する制御部5について説明する。   Next, the control unit 5 that controls the delivery of the wafer W between the transfer arm and the processing module will be described with reference to FIG.

なお、以下では、基板搬送方法の説明も含め、搬送アームがウェハWを受け渡す処理モジュールとして、加熱モジュール7を例示して説明する。加熱モジュール7は、前述した図3及び図4を用いて説明したように、第1のブロック(DEV層)B1、第2のブロック(BCT層)B2、第3のブロック(COT層)B3、第4のブロック(TCT層)B4のそれぞれにおいて、棚ユニットU3に組み込まれている。   Hereinafter, the heating module 7 will be described as an example of a processing module in which the transfer arm delivers the wafer W, including the description of the substrate transfer method. As described with reference to FIGS. 3 and 4, the heating module 7 includes the first block (DEV layer) B1, the second block (BCT layer) B2, the third block (COT layer) B3, Each of the fourth blocks (TCT layers) B4 is incorporated in the shelf unit U3.

図12は、制御部5を第3のブロック(COT層)B3における搬送アームA3及び加熱モジュール7とともに示す構成図である。   FIG. 12 is a configuration diagram showing the control unit 5 together with the transfer arm A3 and the heating module 7 in the third block (COT layer) B3.

図12に示すように、加熱モジュール7は、処理容器71、熱板72、突き上げピン73、昇降機構74を有する。加熱モジュール7は、ウェハWに対して熱処理を行うものである。処理容器71内には、熱板72が設けられている。熱板72には、突き上げピン73が設けられている。昇降機構74は突き上げピン73を昇降するためのものである。突き上げピン73は、本考案における基板載置部に相当する。また、図12中70は、ウェハWの搬送口である。   As shown in FIG. 12, the heating module 7 includes a processing container 71, a hot plate 72, a push-up pin 73, and an elevating mechanism 74. The heating module 7 performs heat treatment on the wafer W. A heat plate 72 is provided in the processing container 71. The hot plate 72 is provided with push-up pins 73. The elevating mechanism 74 is for elevating the push-up pin 73. The push-up pin 73 corresponds to the substrate mounting portion in the present invention. In FIG. 12, reference numeral 70 denotes a transfer port for the wafer W.

制御部5は、演算処理部51、記憶部52、表示部53、及びアラーム発生部54を有する。   The control unit 5 includes an arithmetic processing unit 51, a storage unit 52, a display unit 53, and an alarm generation unit 54.

演算処理部51は、例えばメモリ、CPU(Central Processing Unit)を有するデータ処理部であるコンピュータである。演算処理部51は、記憶部52に記録されたプログラムを読み取り、そのプログラムに含まれる命令(コマンド)に従って、レジストパターン形成装置の各部に制御信号を送り、レジストパターン形成処理に含まれる各種の基板処理を実行する。具体的には、演算処理部51は、搬送アームA3の進退機構33A、33Bの駆動機構33に設けられたモータM、エンコーダ38やカウンタ39等に対して所定の制御信号を送り、ウェハWの受け渡し及び搬送を実行する。   The arithmetic processing unit 51 is a computer which is a data processing unit having, for example, a memory and a CPU (Central Processing Unit). The arithmetic processing unit 51 reads a program recorded in the storage unit 52 and sends a control signal to each part of the resist pattern forming apparatus in accordance with an instruction (command) included in the program, thereby various substrates included in the resist pattern forming process. Execute the process. Specifically, the arithmetic processing unit 51 sends a predetermined control signal to the motor M, the encoder 38, the counter 39, and the like provided in the drive mechanism 33 of the advance / retreat mechanism 33A, 33B of the transfer arm A3, and the wafer W Perform delivery and transport.

記憶部52は、演算処理部51に、各種の処理を実行させるためのプログラムを記録した、コンピュータ読み取り可能な記録媒体である。記録媒体として、例えば、フレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、光磁気(Magnetoptical;MO)ディスク等を用いることができる。   The storage unit 52 is a computer-readable recording medium that records a program for causing the arithmetic processing unit 51 to execute various processes. As the recording medium, for example, a flexible disk, a compact disk, a hard disk, a magneto-optical (MO) disk, or the like can be used.

表示部53は、例えばコンピュータの画面よりなる。表示部53では、各種の基板処理の選択や、各基板処理におけるパラメータの入力操作を行うことができる。   The display unit 53 is composed of a computer screen, for example. The display unit 53 can select various substrate processes and input parameters in each substrate process.

アラーム発生部54は、搬送アームA3を含め、レジストパターン形成装置の各部に異常が発生したときに、アラームを発生させる。   The alarm generation unit 54 generates an alarm when an abnormality occurs in each part of the resist pattern forming apparatus including the transfer arm A3.

次に、図12から図14を参照し、搬送アームA3のフォーク3Aが加熱モジュール7からウェハWを受け取る際の工程を例示し、本実施の形態に係る基板搬送方法について説明する。図13は、基板搬送方法における各工程の手順を示すフローチャートである。図14は、ウェハWを受け渡す際の加熱モジュール7と搬送アームA3の状態を示す図である。   Next, with reference to FIG. 12 to FIG. 14, the substrate transfer method according to the present embodiment will be described by exemplifying steps when the fork 3A of the transfer arm A3 receives the wafer W from the heating module 7. FIG. 13 is a flowchart showing the procedure of each step in the substrate carrying method. FIG. 14 is a diagram illustrating a state of the heating module 7 and the transfer arm A3 when the wafer W is delivered.

本実施の形態に係る基板搬送方法は、制御部5が、進退機構33Aによりフォーク3Aを前進させ、突き上げピン73から保持爪30A〜30DにウェハWを受け取った際に、静電容量センサ4A〜4Dによりフォーク3Aに対するウェハWの相対位置を検出し、各々の静電容量センサ4A〜4Dの検出値に基づいて、相対位置の補正の要否を判定するものである。そして、相対位置の補正が必要と判定したときには、補正動作を行い、相対位置の補正が不要と判定したときには、進退機構33Aの駆動を停止するか、又は、ウェハWの搬送を継続するものである。   In the substrate transfer method according to the present embodiment, when the control unit 5 advances the fork 3A by the advance / retreat mechanism 33A and receives the wafer W from the push-up pins 73 to the holding claws 30A to 30D, the capacitance sensors 4A to 4A. The relative position of the wafer W with respect to the fork 3A is detected by 4D, and whether or not the relative position needs to be corrected is determined based on the detection values of the electrostatic capacitance sensors 4A to 4D. When it is determined that the relative position needs to be corrected, a correction operation is performed. When it is determined that the relative position is not required to be corrected, the driving of the advance / retreat mechanism 33A is stopped, or the wafer W is continuously transferred. is there.

図13に示すように、基板搬送方法は、受け取り工程(ステップS11)、検出工程(ステップS12)、判定工程(ステップS13、ステップS14)、補正工程(ステップS15)、搬出工程(ステップS16)、及び停止工程(ステップS17)を有する。   As shown in FIG. 13, the substrate transport method includes a receiving process (step S11), a detecting process (step S12), a determining process (step S13, step S14), a correcting process (step S15), an unloading process (step S16), And a stop step (step S17).

受け取り工程(ステップS11)では、図14(a)に示すように、加熱モジュール7において突き上げピン73によりウェハWを突き上げ、ウェハWを熱板72の上方位置まで上昇させる。次に、図14(b)に示すように、制御部5に制御された進退機構33Aにより、加熱モジュール7の外方からウェハWの下方側へフォーク3Aを前進させる。そして、図14(c)に示すように、制御部5に制御された昇降台34によりフォーク3Aを上昇させ、ウェハWを下方側から掬い上げるようにして保持爪30A〜30Dに保持させることによって、ウェハWを突き上げピン73からフォーク3Aの保持爪30A〜30Dに受け取る。   In the receiving step (step S11), as shown in FIG. 14A, the heating module 7 pushes up the wafer W by the push-up pins 73, and raises the wafer W to a position above the hot plate 72. Next, as shown in FIG. 14B, the fork 3 </ b> A is advanced from the outside of the heating module 7 to the lower side of the wafer W by the advance / retreat mechanism 33 </ b> A controlled by the control unit 5. And as shown in FIG.14 (c), by raising the fork 3A with the raising / lowering stand 34 controlled by the control part 5, and holding the wafer W up from the lower side, it is made to hold | maintain on the holding claws 30A-30D. The wafer W is received from the push-up pins 73 to the holding claws 30A to 30D of the fork 3A.

次に、検出工程(ステップS12)では、保持爪30A〜30DにウェハWを受け取った際に、ウェハWを保持爪30A〜30Dに保持させた状態で、保持爪30A〜30Dに設けられた静電容量センサ4A〜4Dの静電容量(出力)を検出する。   Next, in the detection step (step S12), when the wafers W are received by the holding claws 30A to 30D, the static claws provided on the holding claws 30A to 30D are held in a state where the wafers W are held by the holding claws 30A to 30D. The capacitances (outputs) of the capacitance sensors 4A to 4D are detected.

制御部5では、比較部42A〜42Dにより、静電容量センサ4A〜4Dの検出値である静電容量(出力)と、第1の下限値、第2の下限値とを比較する。静電容量(出力)が第1の下限値より小さいときは、比較部42A〜42Dから警告信号が出力される。静電容量(出力)が第2の下限値より大きいときは、比較部42A〜42Dから載置信号が出力される。また、静電容量(出力)が第1の下限値より大きく、第2の下限値より小さいときは、比較部42A〜42Dからは載置信号及び警告信号のいずれも出力されない。   In the control unit 5, the comparison units 42 </ b> A to 42 </ b> D compare the capacitance (output) that is the detection value of the capacitance sensors 4 </ b> A to 4 </ b> D with the first lower limit value and the second lower limit value. When the capacitance (output) is smaller than the first lower limit value, warning signals are output from the comparison units 42A to 42D. When the capacitance (output) is larger than the second lower limit value, placement signals are output from the comparison units 42A to 42D. Further, when the capacitance (output) is larger than the first lower limit value and smaller than the second lower limit value, neither the placement signal nor the warning signal is output from the comparison units 42A to 42D.

次に、判定工程(ステップS13、ステップS14)では、制御部5が、4つの静電容量センサ4A〜4Dに対応する4つの比較部42A〜42Dから出力される載置信号及び警告信号の有無に基づいて、フォーク3Aに対するウェハWの相対位置が正常か否かを判定し、相対位置の補正の要否を判定する。すなわち、制御部5は、4つの静電容量センサ4A〜4Dの検出値である静電容量(出力)に基づいて、相対位置の補正の要否を判定する。   Next, in the determination step (step S13, step S14), the control unit 5 has presence / absence of placement signals and warning signals output from the four comparison units 42A to 42D corresponding to the four capacitance sensors 4A to 4D. Based on the above, it is determined whether or not the relative position of the wafer W with respect to the fork 3A is normal, and it is determined whether the relative position needs to be corrected. That is, the control unit 5 determines whether or not the relative position needs to be corrected based on the capacitance (output) that is a detection value of the four capacitance sensors 4A to 4D.

ステップS13では、4つの比較部42A〜42Dのいずれかから警告信号が出力されているかを判定する。   In step S13, it is determined whether a warning signal is output from any of the four comparison units 42A to 42D.

4つの比較部42A〜42Dのいずれかから警告信号が出力されているときは、停止工程(ステップS17)へ進む。停止工程(ステップS17)では、搬送アームA3は、図14(d)及び図14(e)に示すような後退位置への後退が禁止され、加熱モジュール7内にてウェハWを受け取った状態で、駆動が停止される。そして、搬送アームA3の駆動が停止されたときは、オペレータにより、ウェハWの位置に異常が発生した原因の特定や、リカバリ処理、メンテナンス等が行われる。   When a warning signal is output from any of the four comparison units 42A to 42D, the process proceeds to the stop step (step S17). In the stop process (step S17), the transfer arm A3 is prohibited from retreating to the retreat position as shown in FIGS. 14D and 14E, and the wafer W is received in the heating module 7. The drive is stopped. When the driving of the transfer arm A3 is stopped, the operator identifies the cause of the abnormality in the position of the wafer W, performs recovery processing, maintenance, and the like.

一方、4つの比較部42A〜42Dのいずれからも警告信号が出力されていないときは、ステップS14に進む。ステップS14では、全ての比較部42A〜42Dから載置信号が出力されているかを判定する。   On the other hand, when no warning signal is output from any of the four comparison units 42A to 42D, the process proceeds to step S14. In step S14, it is determined whether placement signals are output from all the comparison units 42A to 42D.

全ての比較部42A〜42Dから載置信号が出力されているときは、ウェハWの位置が正常であり、フォーク3Aに対するウェハWの相対位置の補正は必要ないと判定し、搬出工程(ステップS16)に進む。搬出工程(ステップS16)では、図14(d)及び図14(e)に示すように、突き上げピン73を下降させ、フォーク3Aを後退させることによって、突き上げピン73からフォーク3Aの保持爪30A〜30DにウェハWを受け渡す。そして、フォーク3Aを後退させた後、保持しているウェハWを次の搬送先まで移動する。   When the placement signals are output from all the comparison units 42A to 42D, it is determined that the position of the wafer W is normal, and correction of the relative position of the wafer W with respect to the fork 3A is not necessary, and the unloading process (step S16). ) In the carry-out process (step S16), as shown in FIGS. 14D and 14E, the push-up pin 73 is lowered and the fork 3A is moved backward, so that the holding claws 30A to 30A of the fork 3A are moved from the push-up pin 73. Deliver wafer W to 30D. Then, after the fork 3A is retracted, the held wafer W is moved to the next transfer destination.

一方、いずれかの比較部42A〜42Dから載置信号が出力されていないときは、ウェハWの位置は、警告信号を出力するほどはずれてはいないものの、ある程度のずれ量でずれており、フォーク3Aに対するウェハWの相対位置の補正が必要と判定する。このときは、補正工程(ステップS15)に進む。   On the other hand, when the placement signal is not output from any of the comparison units 42A to 42D, the position of the wafer W is not deviated enough to output a warning signal, but is shifted by a certain amount of shift. It is determined that the relative position of the wafer W with respect to 3A needs to be corrected. At this time, the process proceeds to the correction step (step S15).

補正工程(ステップS15)では、制御部5に制御された昇降台34によりフォーク3Aを下降させ、ウェハWを保持爪30A〜30Dから突き上げピン73に戻す。その結果、図14(b)に示す状態に戻ることになる。そして、制御部5に制御された進退機構33Aにより、ウェハWの下方側から加熱モジュール7の外方へフォーク3Aを後退させる。その結果、図14(a)に示す状態に戻すことになる。そして、加熱モジュール7の外方で、先ほどのウェハWの位置のずれを補償するように、フォーク3Aの位置を補正する。   In the correction step (step S15), the fork 3A is lowered by the lifting platform 34 controlled by the controller 5, and the wafer W is returned from the holding claws 30A to 30D to the push-up pins 73. As a result, the state shown in FIG. Then, the fork 3 </ b> A is moved backward from the lower side of the wafer W to the outside of the heating module 7 by the advance / retreat mechanism 33 </ b> A controlled by the control unit 5. As a result, the state shown in FIG. Then, the position of the fork 3A is corrected outside the heating module 7 so as to compensate for the positional deviation of the wafer W.

例えば、4個の静電容量センサのうち、4A、4Bの静電容量(出力)は第2の下限値より大きいが、4C、4Dの静電容量(出力)は第2の下限値より小さいときは、図10に示したように、ウェハWの位置が−Y方向にあるずれ量だけずれていたと考えられる。また、そのずれ量は、4A、4Bの静電容量(出力)と第2の下限値との差に基づいて、算出が可能である。静電容量センサの静電容量(出力)は、静電容量センサの表面のうち、被検出物に覆われている領域の面積に依存するからである。従って、静電容量センサの静電容量(出力)に基づいて、保持爪30A〜30Dの上面のうち、ウェハWに覆われている領域の面積を算出することができる。そして、算出された−Y方向のずれ量を補償、すなわち相殺するように、フォーク3Aの位置を補正する。   For example, among the four capacitance sensors, the capacitance (output) of 4A and 4B is larger than the second lower limit value, but the capacitance (output) of 4C and 4D is smaller than the second lower limit value. At this time, as shown in FIG. 10, it is considered that the position of the wafer W has shifted by a certain shift amount in the -Y direction. Further, the amount of deviation can be calculated based on the difference between the 4A and 4B capacitance (output) and the second lower limit value. This is because the capacitance (output) of the capacitance sensor depends on the area of the surface of the capacitance sensor that is covered with the object to be detected. Therefore, based on the capacitance (output) of the capacitance sensor, it is possible to calculate the area of the region covered with the wafer W among the upper surfaces of the holding claws 30A to 30D. Then, the position of the fork 3A is corrected so that the calculated shift amount in the -Y direction is compensated, that is, canceled.

あるいは、例えば、4個の静電容量センサのうち、4A、4Dの静電容量(出力)は第2の下限値より大きいが、4B、4Cの静電容量(出力)は第2の下限値より小さいときは、図11に示したように、ウェハWの位置が−X方向にあるずれ量だけずれていたと考えられる。また、そのずれ量は、図10を用いて説明した場合と同様に、4B、4Cの静電容量(出力)と第2の下限値との差に基づいて、算出が可能である。そして、算出された−X方向のずれ量を補償、すなわち相殺するように、フォーク3Aの位置を補正する。   Or, for example, among the four capacitance sensors, the capacitance (output) of 4A and 4D is larger than the second lower limit value, but the capacitance (output) of 4B and 4C is the second lower limit value. When it is smaller, it is considered that the position of the wafer W has shifted by a certain shift amount in the −X direction as shown in FIG. The amount of deviation can be calculated based on the difference between the 4B and 4C capacitances (outputs) and the second lower limit value, as in the case described with reference to FIG. Then, the position of the fork 3A is corrected so as to compensate, that is, cancel, the calculated shift amount in the −X direction.

このようにして、フォーク3Aのずれ量を補正した後、受け取り工程(ステップS11)に再び戻る。受け取り工程(ステップS11)では、図14(b)に示すように、位置が補正されたフォーク3Aを、制御部5に制御された進退機構33Aにより、再び、加熱モジュール7の外方からウェハWの下方側へ前進させる。そして、図14(c)に示すように、制御部5に制御された昇降台34によりフォーク3Aを上昇させ、ウェハWを下方側から掬い上げるようにして、保持爪30A〜30Dに保持させる。そして、ウェハWを保持爪30A〜30Dに保持させた後、再び、検出工程(ステップS12)及び判定工程(ステップS13、ステップS14)を行う。   After correcting the deviation amount of the fork 3A in this way, the process returns to the receiving step (step S11). In the receiving step (step S11), as shown in FIG. 14B, the position of the fork 3A is again moved from the outside of the heating module 7 by the advance / retreat mechanism 33A controlled by the control unit 5. Advance downward. And as shown in FIG.14 (c), the fork 3A is raised by the raising / lowering base 34 controlled by the control part 5, and the holding claws 30A-30D hold | maintain so that the wafer W may be scooped up from the downward side. Then, after the wafer W is held by the holding claws 30A to 30D, the detection process (step S12) and the determination process (step S13, step S14) are performed again.

検出工程(ステップS12)では、再び、保持爪30A〜30Dに設けられた静電容量センサ4A〜4Dの静電容量(出力)を検出する。そして、ステップS13において、4つの比較部42A〜42Dのいずれからも警告信号が出力されておらず、ステップS14において、全ての比較部42A〜42Dから載置信号が出力されているときは、ウェハWの位置が正常であると判定し、搬出工程(ステップS16)に進む。   In the detection step (step S12), the capacitances (outputs) of the capacitance sensors 4A to 4D provided on the holding claws 30A to 30D are detected again. In step S13, no warning signal is output from any of the four comparison units 42A to 42D, and in step S14, when mounting signals are output from all the comparison units 42A to 42D, the wafer is It determines with the position of W being normal, and progresses to a carrying-out process (step S16).

本実施の形態では、判定工程(ステップS13、ステップS14)及び補正工程(ステップS15)により、保持爪30A〜30Dに保持されているウェハWのフォーク3Aに対する相対位置が、正常な位置から位置ずれしているかを容易に検出することができる。また、フォーク3Aに対するウェハWの相対位置が正常な位置から位置ずれしていた場合には、ウェハWを落下させたり、処理モジュールの他の部分に接触させることなく、フォーク3Aに対するウェハWの相対位置が正常な位置になるように保持し直すことができる。   In the present embodiment, the relative position of the wafer W held by the holding claws 30A to 30D with respect to the fork 3A is displaced from the normal position by the determination process (step S13, step S14) and the correction process (step S15). Can be easily detected. In addition, when the relative position of the wafer W with respect to the fork 3A is shifted from the normal position, the relative position of the wafer W with respect to the fork 3A without dropping the wafer W or making contact with other portions of the processing module. It can be held again so that the position becomes a normal position.

また、いずれかの比較部42A〜42Dから警告信号が出力されたときに搬送アームA3の駆動を停止することによって、正常な状態で載置されていなかったウェハWがフォーク3Aの後退の途中で落下すること、又は、落下したウェハWと搬送アームA3が衝突することを防止できる。そして、ウェハWの位置に異常がある場合であっても、ウェハWの位置を正常な位置に戻す対応を行えば済み、その対応後に速やかに処理を再開できる。   Further, by stopping the driving of the transfer arm A3 when a warning signal is output from any of the comparison units 42A to 42D, the wafer W that has not been placed in a normal state is being retreated by the fork 3A. It can be prevented that the wafer W falls or the dropped wafer W collides with the transfer arm A3. Even if there is an abnormality in the position of the wafer W, it is sufficient to perform a response to return the position of the wafer W to a normal position, and the processing can be resumed promptly after the response.

すなわち、本実施の形態によれば、フォーク3A上のウェハWの保持状態に応じて適切な搬送制御を行うことができる。   That is, according to the present embodiment, appropriate transfer control can be performed according to the holding state of the wafer W on the fork 3A.

また、突き上げピン73からフォーク3Aの保持爪30A〜30DにウェハWを受け取った際に、フォーク3Aに対するウェハWの相対位置が正常であるか否かを判定し、場合によってはフォーク3Aの後退を停止する。そのため、処理モジュール内でウェハWが破損する等の不具合があったときに、不具合が発生した時点における状態をそのまま観察することができ、不具合が発生した直後のフォーク3Aや処理モジュール内の様子を容易に確認できる。従って、不具合が処理モジュールに起因するものか、あるいは、不具合がウェハWの受け渡し動作に起因するものかが特定しやすく、不具合の再発を容易に防止できる。   Further, when the wafer W is received from the push-up pin 73 to the holding claws 30A to 30D of the fork 3A, it is determined whether or not the relative position of the wafer W with respect to the fork 3A is normal. Stop. Therefore, when there is a problem such as damage of the wafer W in the processing module, the state at the time of the problem can be observed as it is, and the state in the fork 3A and the processing module immediately after the problem occurs can be observed. Easy to confirm. Therefore, it is easy to identify whether the defect is caused by the processing module or the defect is caused by the transfer operation of the wafer W, and the reoccurrence of the defect can be easily prevented.

なお、本実施の形態では、受け取り工程(ステップS11)及び補正工程(ステップS15)において、進退機構33Aのみならず昇降台34を駆動させる例について説明した。しかし、昇降台34を駆動させず、加熱モジュール7の昇降機構74を駆動させ、突き上げピン73を昇降させることによって、ウェハWをフォーク3Aの保持爪30A〜30Dとの間で受け渡しするようにしてもよい。   In the present embodiment, an example in which not only the advance / retreat mechanism 33A but also the lifting platform 34 is driven in the reception process (step S11) and the correction process (step S15) has been described. However, the wafer W is transferred between the holding claws 30 </ b> A to 30 </ b> D of the fork 3 </ b> A by driving the lifting mechanism 74 of the heating module 7 and moving the push-up pins 73 up and down without driving the lifting platform 34. Also good.

また、本実施の形態では、ウェハWを突き上げピン73に戻した後、フォーク3Aを加熱モジュール7から後退させ、加熱モジュール7の外方でフォーク3Aのずれ量を補正し、再びフォーク3Aを加熱モジュール7に前進させ、ウェハWを突き上げピン73からフォーク3Aに受け取らせる例について説明した。しかし、補正量が比較的小さいときは、フォーク3AがウェハW又は加熱モジュール7内における他の部分に接触するおそれがない。このときは、ウェハWをフォーク3Aの保持爪30A〜30Dから突き上げピン73に戻した後、フォーク3Aを加熱モジュール7内に前進させた状態で、加熱モジュール7内でフォーク3Aのずれ量を補正した後、再び、突き上げピン73からフォーク3Aの保持爪30A〜30DにウェハWを受け取るようにしてもよい。   In the present embodiment, after the wafer W is returned to the push-up pin 73, the fork 3A is retracted from the heating module 7, the amount of deviation of the fork 3A is corrected outside the heating module 7, and the fork 3A is heated again. The example in which the module 7 is advanced and the wafer W is received by the fork 3A from the push-up pins 73 has been described. However, when the correction amount is relatively small, there is no possibility that the fork 3A contacts the wafer W or other portions in the heating module 7. At this time, the wafer W is returned from the holding claws 30 </ b> A to 30 </ b> D of the fork 3 </ b> A to the push pin 73, and the fork 3 </ b> A is advanced into the heating module 7 to correct the deviation amount of the fork 3 </ b> A in the heating module 7. After that, the wafer W may be received again from the push-up pins 73 to the holding claws 30A to 30D of the fork 3A.

また、近接センサ4A〜4Dとして静電容量センサを用いるときは、検出される静電容量(出力)は、被検出物の誘電率に依存する。すなわち、同一の形状を有するウェハWであっても、例えばシリコン、ガラス、サファイア、アルミ等の各種の材質に依存して検出される静電容量(出力)が変化する。   Further, when a capacitance sensor is used as the proximity sensors 4A to 4D, the detected capacitance (output) depends on the dielectric constant of the object to be detected. That is, even if the wafers W have the same shape, the detected capacitance (output) changes depending on various materials such as silicon, glass, sapphire, and aluminum.

従って、本実施の形態によれば、静電容量センサ4A〜4Dにより、ウェハWの種類(材質)を検出することができる。そして、ウェハWの種類(材質)に応じてフォーク3Aの移動速度を変更する。これにより、例えば、ウェハWがフォーク3Aから落下し、破損したときの損失によるコスト増大と、工程時間(タクト時間)短縮によるコスト低減とが最適になるように、ウェハWごとに調整した製造プロセスを行うことができる。   Therefore, according to the present embodiment, the type (material) of the wafer W can be detected by the capacitance sensors 4A to 4D. Then, the moving speed of the fork 3A is changed according to the type (material) of the wafer W. Thereby, for example, the manufacturing process adjusted for each wafer W so that the cost increase due to the loss when the wafer W falls from the fork 3A and is damaged and the cost reduction due to the shortening of the process time (tact time) is optimized. It can be performed.

あるいは、複数の種類(材質)のウェハWを処理する場合には、ウェハWの種類(材質)に応じてウェハWを処理する処理パラメータが異なる場合がある。本実施の形態によれば、ウェハWの種類(材質)が検出できるため、検出したウェハWの種類(材質)に応じて処理パラメータを自動的に変更することができる。これにより、複数の種類(材質)のウェハWを処理する場合にも、同一の基板処理装置により処理を行うことができ、複数の基板処理装置を準備する必要がない。   Alternatively, when processing a plurality of types (materials) of wafers W, processing parameters for processing the wafers W may differ depending on the types (materials) of the wafers W. According to the present embodiment, since the type (material) of the wafer W can be detected, the processing parameters can be automatically changed according to the detected type (material) of the wafer W. Thus, even when processing a plurality of types (materials) of wafers W, the same substrate processing apparatus can perform the processing, and there is no need to prepare a plurality of substrate processing apparatuses.

また、近接センサ4A〜4Dとして静電容量センサを用いるときは、検出される静電容量(出力)は、被検出物の帯電状態にも依存する。従って、近接センサ4A〜4DによりウェハWの帯電を検知し、アラームを発生するようにしてもよい。   Further, when a capacitance sensor is used as the proximity sensors 4A to 4D, the detected capacitance (output) also depends on the charged state of the object to be detected. Accordingly, the proximity sensors 4A to 4D may detect the charging of the wafer W and generate an alarm.

また、近接センサ4A〜4Dとして、静電容量センサに代え、歪ゲージを用いてもよい。また、光電センサ、接触センサ、磁気センサ等各種の他の近接スイッチを用いた変形例も可能である。図15を参照し、このような変形例について説明する。図15は、本変形例に係る搬送アームのフォーク3Aを拡大して示す平面図である。なお、図7と同様に、図15においても、図示を容易にするため、フォーク3Aに対し、保持爪30A〜30D及び近接スイッチ4A〜4Dを少し拡大して示している。   Further, as the proximity sensors 4A to 4D, strain gauges may be used instead of the capacitance sensors. Moreover, the modification using various other proximity switches, such as a photoelectric sensor, a contact sensor, and a magnetic sensor, is also possible. Such a modification will be described with reference to FIG. FIG. 15 is an enlarged plan view showing the fork 3A of the transfer arm according to this modification. As in FIG. 7, also in FIG. 15, the holding claws 30 </ b> A to 30 </ b> D and the proximity switches 4 </ b> A to 4 </ b> D are slightly enlarged with respect to the fork 3 </ b> A for easy illustration.

図15に示すように、近接スイッチ4A〜4Dは、保持爪30A〜30Dの各々に、保持されるウェハWの径方向に沿って複数個設けられている。そして、ウェハWの径方向に沿って複数個設けられた近接スイッチ4A〜4Dの各々が検出する検出値に基づいて、フォーク3Aに対するウェハWの相対位置の補正の要否を判定する。   As shown in FIG. 15, a plurality of proximity switches 4 </ b> A to 4 </ b> D are provided in the holding claws 30 </ b> A to 30 </ b> D along the radial direction of the held wafer W. Then, based on detection values detected by a plurality of proximity switches 4A to 4D provided along the radial direction of the wafer W, it is determined whether or not it is necessary to correct the relative position of the wafer W with respect to the fork 3A.

具体的には、ある保持爪30A〜30Dに設けられた複数個の近接スイッチ4A〜4Dのうち、検出値が所定の下限値より小さい近接スイッチ4A〜4Dの数が予め設定された個数より多いときに、相対位置の補正が必要と判定する。   Specifically, among the plurality of proximity switches 4A to 4D provided on the holding claws 30A to 30D, the number of proximity switches 4A to 4D whose detection value is smaller than a predetermined lower limit value is larger than a preset number. Sometimes it is determined that the relative position needs to be corrected.

図15に示す例では、1個の保持爪30A〜30Dに、例えば近接スイッチ4A〜4DをウェハWの径方向に沿って4個設けている。そして、検出値が所定の下限値より大きくなる場合をON値、検出値が当該下限値より小さくなる場合をOFF値とする。そして、OFF値を出力した近接スイッチの数が、4個中例えば予め設定された個数である2個より多いときに、相対位置の補正が必要と判定する。   In the example shown in FIG. 15, for example, four proximity switches 4 </ b> A to 4 </ b> D are provided in one holding claw 30 </ b> A to 30 </ b> D along the radial direction of the wafer W. Then, the ON value is set when the detected value is larger than the predetermined lower limit value, and the OFF value is set when the detected value is smaller than the lower limit value. Then, when the number of proximity switches that output the OFF value is larger than two of the four, for example, a preset number, it is determined that the relative position needs to be corrected.

近接スイッチは、前述した静電容量センサと異なり、近接スイッチの表面が、被検出物に覆われているか否かで、ON値、OFF値の2値で変化する近接スイッチの出力を検出するものである。従って、保持爪30A〜30Dの上面のうち、ウェハWに覆われている近接スイッチが何個であるかに基づいて、保持爪30A〜30Dの上面のうち、ウェハWに覆われている領域の面積を算出することができる。   Unlike the capacitance sensor described above, the proximity switch detects the output of the proximity switch that changes between the ON value and the OFF value depending on whether the surface of the proximity switch is covered with the detection object. It is. Therefore, of the upper surface of the holding claws 30A to 30D, the region of the upper surface of the holding claws 30A to 30D that is covered with the wafer W is determined based on how many proximity switches are covered with the wafer W. The area can be calculated.

以上、本考案の好ましい実施の形態について記述したが、本考案はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、実用新案登録請求の範囲内に記載された本考案の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。   The preferred embodiments of the present invention have been described above, but the present invention is not limited to such specific embodiments, and is within the scope of the present invention described in the claims of the utility model registration. Various modifications and changes are possible.

3、3A、3B フォーク(保持枠)
30、30A〜30D 保持爪(保持部)
33、33A、33B 進退機構(駆動部)
4、4A、4B、4C、4D 静電容量センサ(検出部)
5 制御部
73 基板載置部
3, 3A, 3B fork (holding frame)
30, 30A-30D Holding claw (holding part)
33, 33A, 33B Advancement / retraction mechanism (drive unit)
4, 4A, 4B, 4C, 4D Capacitance sensor (detection unit)
5 Control part 73 Substrate placing part

Claims (4)

基板を載置される基板載置部から前記基板を受け取り、受け取った該基板を搬送する基板搬送装置において、
搬送する基板の周囲を囲むように設けられ、前記基板載置部に進退自在な保持枠と、
前記保持枠を前記基板載置部に進退駆動する駆動部と、
前記保持枠の内縁に沿って互いに間隔を隔てて設けられており、前記基板の周縁部を載置されることによって該基板を保持する、3個以上の保持部と、
前記保持部に設けられ、前記基板を載置されたことを検出する検出部と
を有し、
前記検出部は、静電容量型近接センサを用いて、載置された前記基板を検出する、
ことを特徴とする基板搬送装置。
In the substrate transfer apparatus for receiving the substrate from the substrate mounting portion on which the substrate is mounted and transferring the received substrate,
A holding frame that is provided so as to surround a substrate to be transported, and is movable forward and backward to the substrate mounting portion;
A drive unit for driving the holding frame forward and backward with respect to the substrate mounting unit;
Three or more holding parts that are provided at intervals along the inner edge of the holding frame and hold the substrate by placing the peripheral edge of the substrate,
A detection unit that is provided in the holding unit and detects that the substrate is placed;
The detection unit detects the mounted substrate using a capacitive proximity sensor.
A substrate transfer apparatus.
前記保持部は複数の前記検出部を備える、ことを特徴とする、請求項1に記載の基板搬送装置。   The substrate transfer apparatus according to claim 1, wherein the holding unit includes a plurality of the detection units. 前記検出部は、前記保持枠に対する前記基板の相対位置を検出し、
各々の前記検出部の検出値に基づいて、前記相対位置の補正の要否を判定し、前記相対位置の補正が必要と判定したときには、補正動作を行い、前記相対位置の補正が不要と判定したときには、前記駆動部の駆動を停止するか、又は、前記基板の搬送を継続する、
ことを特徴とする、請求項1に記載の基板搬送装置。
The detection unit detects a relative position of the substrate with respect to the holding frame;
Based on the detection value of each detection unit, it is determined whether or not the relative position needs to be corrected. When it is determined that the relative position needs to be corrected, a correction operation is performed and it is determined that the relative position is not required When this is done, the drive of the drive unit is stopped or the conveyance of the substrate is continued.
The substrate transfer apparatus according to claim 1, wherein:
前記駆動部が前記保持枠を前進させ、
前記基板載置部から前記保持部に前記基板を受け取った際に、前記検出部により前記保持部のいずれかが前記基板を載置していないと判断されたら前記駆動部の駆動を停止させる、
ことを特徴とする、請求項1に記載の基板搬送装置。
The drive unit advances the holding frame;
When the substrate is received from the substrate placement unit to the holding unit, if the detection unit determines that any of the holding units does not place the substrate, the driving of the driving unit is stopped.
The substrate transfer apparatus according to claim 1, wherein:
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