JP3181265U - Substrate transfer device - Google Patents
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Abstract
【課題】フォークに保持されている基板が正常な位置から位置ずれしているかを容易に検出でき、基板の保持状態に応じて適切な搬送制御を行う基板搬送装置を提供する。
【解決手段】基板を載置される基板載置部73から前記基板を受け取り、受け取った該基板を搬送する基板搬送装置において、搬送する基板の周囲を囲むように設けられ、前記基板載置部73に進退自在な保持枠3Bと、前記保持枠3Bを前記基板載置部73に進退駆動する駆動部33と、前記保持枠3Bの内縁に沿って互いに間隔を隔てて設けられており、前記基板の周縁部を載置されることによって該基板を保持する、3個以上の保持部と、前記保持部に設けられ、前記基板を載置されたことを検出する検出部4A、4Bとを有し、前記検出部4A、4Bは、静電容量型近接センサを用いて、載置された前記基板を検出する、ことを特徴とする。
【選択図】図12There is provided a substrate transfer apparatus that can easily detect whether a substrate held on a fork is displaced from a normal position and performs appropriate transfer control according to the holding state of the substrate.
In a substrate transport apparatus that receives a substrate from a substrate platform 73 on which the substrate is placed and transports the received substrate, the substrate platform is provided so as to surround the substrate to be transported. 73, a holding frame 3B that can be moved forward and backward, a drive unit 33 that drives the holding frame 3B forward and backward to the substrate mounting portion 73, and an inner edge of the holding frame 3B. Three or more holding units that hold the substrate by placing the peripheral portion of the substrate, and detection units 4A and 4B that are provided in the holding unit and detect that the substrate is placed. And the detection units 4A and 4B detect the placed substrate using a capacitive proximity sensor.
[Selection] Figure 12
Description
本考案は、基板を搬送する基板搬送装置に関する。 The present invention relates to a substrate transfer apparatus for transferring a substrate.
半導体デバイスやLCD(Liquid Crystal Display)基板の製造プロセスにおいては、装置内に基板(以下「ウェハ」ともいう。)に対して処理を行う処理モジュールを複数個設け、これら処理モジュールに基板搬送装置により基板を順次搬送することによって、所定の処理が行われている。基板搬送装置は、例えば、基板を保持するフォークが基台に沿って進退自在に設けられると共に、基板が鉛直軸周りに回転自在、昇降自在に構成されている。 In the manufacturing process of a semiconductor device or an LCD (Liquid Crystal Display) substrate, a plurality of processing modules for processing a substrate (hereinafter also referred to as “wafer”) are provided in the apparatus, and these processing modules are provided by a substrate transfer device. Predetermined processing is performed by sequentially transporting the substrates. For example, the substrate transport device is configured such that a fork for holding a substrate is provided so as to be able to advance and retreat along a base, and the substrate can be rotated about a vertical axis and can be moved up and down.
このような基板搬送装置には、フォークの位置が正常か否かを確認するためのセンサが設けられているものがある(例えば特許文献1参照)。また、処理モジュールからフォークが基板を受け取ったか否かを確認するためのセンサが設けられているものがある(例えば特許文献2参照)。 Some of such substrate transport apparatuses are provided with a sensor for confirming whether or not the position of the fork is normal (see, for example, Patent Document 1). Some sensors are provided to check whether or not the fork has received a substrate from the processing module (see, for example, Patent Document 2).
特許文献1には、フォークに光の反射体が設けられ、反射体の下方に光を投受光できる光センサが設けられており、フォークが正常な位置からずれたことを検出可能にした基板搬送装置が開示されている。また、特許文献2には、フォークに基板が支持されていることを検出するための光センサが設けられており、基板が光軸を遮ることによってフォークに基板が支持されていることを検出可能にした基板搬送装置が開示されている。
In
ところが、上記した基板を搬送する基板搬送装置及び基板搬送方法においては、次のような問題がある。 However, the above-described substrate transfer apparatus and substrate transfer method for transferring a substrate have the following problems.
特許文献1に開示される例では、フォークの位置が正常な位置からずれたことを検知することはできる。しかし、フォークに保持されている基板がフォークに対して位置ずれしていることは検知できない。
In the example disclosed in
一方、特許文献2に開示される例では、フォークに保持されている基板が、センサが設けられている側からセンサが設けられていない側に位置ずれしたときは、光軸を遮らない状態になるので、その位置ずれを容易に検知することができる。しかし、フォークに保持されている基板が、センサが設けられていない側からセンサが設けられている側に位置ずれしたときは、光軸を遮った状態が変わらないため、その位置ずれを容易に検知することができない。
On the other hand, in the example disclosed in
通常、光センサは、フォークの根元側に設けられていることが多い。このときは、基板がフォークの根元側に乗り上げた状態を検知することができない。例えば、基板がフォークの根元側にずれた状態で、フォークが基板を保持したときは、基板のずれを検知することができないため、フォークが基板を保持している位置が位置ずれしているか否かが不明な状態で後退動作が行われてしまう。その結果、例えば、次の処理モジュールに基板を受け渡したときに基板の位置がずれる、又は、基板が処理モジュール内の他の部分に接触して破損する、等のトラブルが発生するおそれがある。 Usually, the optical sensor is often provided on the base side of the fork. At this time, it is not possible to detect a state where the board has run on the base side of the fork. For example, when the fork holds the substrate while the substrate is shifted to the base side of the fork, since the displacement of the substrate cannot be detected, the position where the fork holds the substrate is misaligned. The backward movement is performed in an unknown state. As a result, for example, when the substrate is delivered to the next processing module, the position of the substrate may be shifted, or the substrate may come into contact with other parts in the processing module and be damaged.
本考案は上記の点に鑑みてなされたものであり、フォークに保持されている基板が正常な位置から位置ずれしているかを容易に検出でき、更にフォーク上の基板の保持状態に応じて適切な搬送制御を行うことができる基板搬送装置を提供する。 The present invention has been made in view of the above points, and can easily detect whether the substrate held on the fork is displaced from the normal position, and further, depending on the holding state of the substrate on the fork. Provided is a substrate transfer apparatus capable of performing proper transfer control.
上記の課題を解決するために本考案では、次に述べる各手段を講じたことを特徴とするものである。 In order to solve the above-described problems, the present invention is characterized by the following measures.
本考案の一実施形態によれば、基板を載置される基板載置部から前記基板を受け取り、受け取った該基板を搬送する基板搬送装置において、搬送する基板の周囲を囲むように設けられ、前記基板載置部に進退自在な保持枠と、前記保持枠を前記基板載置部に進退駆動する駆動部と、前記保持枠の内縁に沿って互いに間隔を隔てて設けられており、前記基板の周縁部を載置されることによって該基板を保持する、3個以上の保持部と、前記保持部に設けられ、前記基板を載置されたことを検出する検出部とを有し、前記検出部は、静電容量型近接センサを用いて、載置された前記基板を検出する、ことを特徴とする基板搬送装置が提供される。 According to one embodiment of the present invention, in the substrate transfer apparatus that receives the substrate from the substrate mounting unit on which the substrate is mounted and transfers the received substrate, the substrate is provided so as to surround the substrate to be transferred, A holding frame that can be moved forward and backward with respect to the substrate mounting portion; a drive portion that drives the holding frame to move back and forth with respect to the substrate mounting portion; and an inner edge of the holding frame that is spaced from each other. Three or more holding parts that hold the substrate by being placed on the peripheral edge of the sensor, and a detection part that is provided in the holding part and detects that the board is placed, There is provided a substrate transfer device, wherein the detection unit detects the substrate placed using a capacitive proximity sensor.
本考案の他の実施形態によれば、上記基板搬送装置であって、前記保持部は複数の前記検出部を備える、ことを特徴とする基板搬送装置であってもよい。また、上記基板搬送装置であって、前記検出部は、前記保持枠に対する前記基板の相対位置を検出し、各々の前記検出部の検出値に基づいて、前記相対位置の補正の要否を判定し、前記相対位置の補正が必要と判定したときには、補正動作を行い、前記相対位置の補正が不要と判定したときには、前記駆動部の駆動を停止するか、又は、前記基板の搬送を継続する、ことを特徴とする基板搬送装置であってもよい。更に、上記基板搬送装置であって、前記駆動部が前記保持枠を前進させ、前記基板載置部から前記保持部に前記基板を受け取った際に、前記検出部により前記保持部のいずれかが前記基板を載置していないと判断されたら前記駆動部の駆動を停止させる、ことを特徴とする基板搬送装置であってもよい。 According to another embodiment of the present invention, the substrate transfer apparatus may be the substrate transfer apparatus, wherein the holding unit includes a plurality of the detection units. Further, in the substrate transport apparatus, the detection unit detects a relative position of the substrate with respect to the holding frame, and determines whether the relative position needs to be corrected based on a detection value of each detection unit. When it is determined that the correction of the relative position is necessary, a correction operation is performed. When it is determined that the correction of the relative position is not necessary, the driving of the driving unit is stopped or the conveyance of the substrate is continued. A substrate transfer apparatus characterized by the above may be used. Further, in the substrate transport apparatus, when the driving unit advances the holding frame and receives the substrate from the substrate mounting unit to the holding unit, any one of the holding units is detected by the detection unit. The substrate transport apparatus may be characterized in that when it is determined that the substrate is not placed, the driving of the driving unit is stopped.
本考案によれば、基板を搬送する基板搬送装置において、フォークに保持されている基板が正常な位置から位置ずれしているかを容易に検出でき、更にフォーク上の基板の保持状態に応じて適切な搬送制御を行うことができる。 According to the present invention, in a substrate transfer apparatus for transferring a substrate, it is possible to easily detect whether the substrate held on the fork is displaced from the normal position, and further, depending on the holding state of the substrate on the fork. Transport control can be performed.
以下、本考案に係る基板搬送装置を備えた基板処理装置を、塗布現像装置に適用した場合を例にして説明する。 Hereinafter, a case where a substrate processing apparatus provided with a substrate transfer apparatus according to the present invention is applied to a coating and developing apparatus will be described as an example.
先ず、図1から図4を参照し、塗布現像装置に露光装置を接続したレジストパターン形成装置について、図面を参照しながら簡単に説明する。 First, a resist pattern forming apparatus in which an exposure apparatus is connected to a coating and developing apparatus will be briefly described with reference to FIGS.
図1は、本実施の形態に係るレジストパターン形成装置の構成を示す平面図である。図2は、本実施の形態に係るレジストパターン形成装置の構成を示す概略斜視図である。図3は、本実施の形態に係るレジストパターン形成装置の構成を示す側面図である。図4は、第3のブロック(COT層)B3の構成を示す斜視図である。 FIG. 1 is a plan view showing a configuration of a resist pattern forming apparatus according to the present embodiment. FIG. 2 is a schematic perspective view showing the configuration of the resist pattern forming apparatus according to the present embodiment. FIG. 3 is a side view showing the configuration of the resist pattern forming apparatus according to the present embodiment. FIG. 4 is a perspective view showing the configuration of the third block (COT layer) B3.
レジストパターン形成装置は、図1及び図2に示すように、キャリアブロックS1、処理ブロックS2、インターフェイスブロックS3を有する。また、レジストパターン形成装置のインターフェイスブロックS3側に、露光装置S4が設けられている。処理ブロックS2は、キャリアブロックS1に隣接するように設けられている。インターフェイスブロックS3は、処理ブロックS2のキャリアブロックS1側と反対側に、処理ブロックS2に隣接するように設けられている。露光装置S4は、インターフェイスブロックS3の処理ブロックS2側と反対側に、インターフェイスブロックS3に隣接するように設けられている。 As shown in FIGS. 1 and 2, the resist pattern forming apparatus has a carrier block S1, a processing block S2, and an interface block S3. An exposure device S4 is provided on the interface block S3 side of the resist pattern forming apparatus. The processing block S2 is provided adjacent to the carrier block S1. The interface block S3 is provided on the side opposite to the carrier block S1 side of the processing block S2 so as to be adjacent to the processing block S2. The exposure apparatus S4 is provided on the side opposite to the processing block S2 side of the interface block S3 so as to be adjacent to the interface block S3.
キャリアブロックS1は、キャリア20、載置台21及び受け渡し手段Cを有する。キャリア20は、載置台21上に載置されている。受け渡し手段Cは、キャリア20からウェハWを取り出し、処理ブロックS2に受け渡すとともに、処理ブロックS2において処理された処理済みのウェハWを受け取り、キャリア20に戻すためのものである。
The carrier block S1 includes a
処理ブロックS2は、図2に示すように、棚ユニットU1、棚ユニットU2、第1のブロック(DEV層)B1、第2のブロック(BCT層)B2、第3のブロック(COT層)B3、第4のブロック(TCT層)B4を有する。第1のブロック(DEV層)B1は、現像処理を行うためのものである。第2のブロック(BCT層)B2は、レジスト膜の下層側に形成される反射防止膜の形成処理を行うためのものである。第3のブロック(COT層)B3は、レジスト液の塗布処理を行うためのものである。第4のブロック(TCT層)B4は、レジスト膜の上層側に形成される反射防止膜の形成処理を行うためのものである。 As shown in FIG. 2, the processing block S2 includes a shelf unit U1, a shelf unit U2, a first block (DEV layer) B1, a second block (BCT layer) B2, a third block (COT layer) B3, A fourth block (TCT layer) B4 is included. The first block (DEV layer) B1 is for performing development processing. The second block (BCT layer) B2 is for performing an antireflection film forming process formed on the lower layer side of the resist film. The third block (COT layer) B3 is for performing a resist liquid coating process. The fourth block (TCT layer) B4 is for performing an antireflection film forming process formed on the upper layer side of the resist film.
棚ユニットU1は、各種のモジュールが積層されて構成されている。棚ユニットU1は、図3に示すように、例えば下から順に積層された、受け渡しモジュールTRS1、TRS1、CPL11、CPL2、BF2、CPL3、BF3、CPL4、TRS4を有する。また、図1に示すように、棚ユニットU1の近傍には、昇降自在な受け渡しアームDが
設けられている。棚ユニットU1の各処理モジュール同士の間では、受け渡しアームDによりウェハWが搬送される。
The shelf unit U1 is configured by stacking various modules. As illustrated in FIG. 3, the shelf unit U1 includes, for example, delivery modules TRS1, TRS1, CPL11, CPL2, BF2, CPL3, BF3, CPL4, and TRS4 stacked in order from the bottom. Moreover, as shown in FIG. 1, the transfer arm D which can be moved up and down is provided in the vicinity of the shelf unit U1. Wafers W are transferred by the transfer arm D between the processing modules of the shelf unit U1.
棚ユニットU2は、各種の処理モジュールが積層されて構成されている。棚ユニットU2は、図3に示すように、例えば下から順に積層された、受け渡しモジュールTRS6、TRS6、CPL12を有する。 The shelf unit U2 is configured by stacking various processing modules. As illustrated in FIG. 3, the shelf unit U2 includes delivery modules TRS6, TRS6, and CPL12 stacked in order from the bottom, for example.
なお、図3において、CPLが付されている受け渡しモジュールは、温調用の冷却モジュールを兼ねており、BFが付されている受け渡しモジュールは、複数枚のウェハWを載置可能なバッファモジュールを兼ねている。 In FIG. 3, the delivery module attached with CPL also serves as a cooling module for temperature control, and the delivery module attached with BF also serves as a buffer module on which a plurality of wafers W can be placed. ing.
第1のブロック(DEV層)B1は、図1及び図3に示すように、現像モジュール22、搬送アームA1及びシャトルアームEを有する。現像モジュール22は、1つの第1のブロック(DEV層)B1内に、上下2段に積層されている。搬送アームA1は、2段の現像モジュール22にウェハWを搬送するためのものである。すなわち、搬送アームA1は、2段の現像モジュール22にウェハWを搬送する搬送アームが共通化されているものである。シャトルアームEは、棚ユニットU1の受け渡しモジュールCPL11から棚ユニットU2の受け渡しモジュールCPL12にウェハWを直接搬送するためのものである。
The first block (DEV layer) B1 has a developing
第2のブロック(BCT層)B2、第3のブロック(COT層)B3、及び第4のブロック(TCT層)B4は、各々塗布モジュール、加熱・冷却系の処理モジュール群、及び搬送アームA2、A3、A4を有する。処理モジュール群は、塗布モジュールにおいて行われる処理の前処理及び後処理を行うためのものである。搬送アームA2、A3、A4は、塗布モジュールと処理モジュール群との間に設けられており、塗布モジュール及び処理モジュール群の各処理モジュールの間でウェハWの受け渡しを行う。 The second block (BCT layer) B2, the third block (COT layer) B3, and the fourth block (TCT layer) B4 are respectively a coating module, a heating / cooling system processing module group, and a transfer arm A2. A3 and A4 are included. The processing module group is for performing pre-processing and post-processing of processing performed in the coating module. The transfer arms A2, A3, A4 are provided between the coating module and the processing module group, and transfer the wafer W between the processing modules of the coating module and the processing module group.
第2のブロック(BCT層)B2から第4のブロック(TCT層)B4の各ブロックは、第2のブロック(BCT層)B2及び第4のブロック(TCT層)B4における薬液が反射防止膜用の薬液であり、第3のブロック(COT層)B3における薬液がレジスト液であることを除き、同様の構成を有する。 In each block from the second block (BCT layer) B2 to the fourth block (TCT layer) B4, the chemical solution in the second block (BCT layer) B2 and the fourth block (TCT layer) B4 is used for the antireflection film. It has the same configuration except that the chemical solution in the third block (COT layer) B3 is a resist solution.
なお、搬送アームA1〜A4は、本考案における基板搬送装置に相当するものであり、搬送アームA1〜A4の構成については、後述する。また、載置台21、各処理モジュールにおける基板を載置する部分は、本考案における基板載置部に相当する。
The transfer arms A1 to A4 correspond to the substrate transfer apparatus in the present invention, and the configuration of the transfer arms A1 to A4 will be described later. Moreover, the part which mounts the mounting
ここで、図4を参照し、第2のブロック(BCT層)B2、第3のブロック(COT層)B3、及び第4のブロック(TCT層)B4を代表し、第3のブロック(COT層)B3の構成を説明する。 Here, referring to FIG. 4, the second block (BCT layer) B2, the third block (COT layer) B3, and the fourth block (TCT layer) B4 are represented as the third block (COT layer). ) The configuration of B3 will be described.
第3のブロック(COT層)B3は、塗布モジュール23、棚ユニットU3及び搬送アームA3を有する。棚ユニットU3は、加熱モジュール、冷却モジュール等の熱処理モジュール群を構成するように積層された、複数の処理モジュールを有する。棚ユニットU3は、塗布モジュール23と対向するように配列されている。搬送アームA3は、塗布モジュール23と棚ユニットU3との間に設けられている。図4中24は、各処理モジュールと搬送アームA3との間でウェハWの受け渡しを行うための搬送口である。
The third block (COT layer) B3 includes a
インターフェイスブロックS3は、図1に示すように、インターフェイスアームFを有する。インターフェイスアームFは、処理ブロックS2の棚ユニットU2の近傍に設けられている。棚ユニットU2の各処理モジュール同士の間及び露光装置S4との間では、インターフェイスアームFによりウェハWが搬送される。 The interface block S3 has an interface arm F as shown in FIG. The interface arm F is provided in the vicinity of the shelf unit U2 of the processing block S2. The wafer W is transferred by the interface arm F between the processing modules of the shelf unit U2 and between the exposure units S4.
キャリアブロックS1からのウェハWは、棚ユニットU1の一つの受け渡しモジュール、例えば第2のブロック(BCT層)B2に対応する受け渡しモジュールCPL2に、受け渡し手段Cにより、順次搬送される。受け渡しモジュールCPL2に搬送されたウェハWは、第2のブロック(BCT層)B2の搬送アームA2に受け渡され、搬送アームA2を介して各処理モジュール(塗布モジュール及び加熱・冷却系の処理モジュール群の各処理モジュール)に搬送され、各処理モジュールで処理が行われる。これにより、ウェハWに反射防止膜が形成される。 The wafer W from the carrier block S1 is sequentially transferred by the transfer means C to one transfer module of the shelf unit U1, for example, the transfer module CPL2 corresponding to the second block (BCT layer) B2. The wafer W transferred to the transfer module CPL2 is transferred to the transfer arm A2 of the second block (BCT layer) B2, and each processing module (coating module and heating / cooling system processing module group) is transferred via the transfer arm A2. Each processing module) performs processing in each processing module. Thereby, an antireflection film is formed on the wafer W.
反射防止膜が形成されたウェハWは、搬送アームA2、棚ユニットU1の受け渡しモジュールBF2、受け渡しアームD、棚ユニットU1の受け渡しモジュールCPL3を介し、第3のブロック(COT層)B3の搬送アームA3に受け渡される。そして、ウェハWは、搬送アームA3を介して各処理モジュール(塗布モジュール及び加熱・冷却系の処理モジュール群の各処理モジュール)に搬送され、各処理モジュールで処理が行われる。これにより、ウェハWにレジスト膜が形成される。 The wafer W on which the antireflection film is formed passes through the transfer arm A2, the transfer module BF2 of the shelf unit U1, the transfer arm D, and the transfer module CPL3 of the shelf unit U1, and the transfer arm A3 of the third block (COT layer) B3. Is passed on. Then, the wafer W is transferred to each processing module (each processing module in the processing module group of the coating module and the heating / cooling system) via the transfer arm A3, and processing is performed in each processing module. Thereby, a resist film is formed on the wafer W.
レジスト膜が形成されたウェハWは、搬送アームA3を介し、棚ユニットU1の受け渡しモジュールBF3に受け渡される。 The wafer W on which the resist film is formed is transferred to the transfer module BF3 of the shelf unit U1 via the transfer arm A3.
なお、レジスト膜が形成されたウェハWは、第4のブロック(TCT層)B4において更に反射防止膜が形成される場合もある。この場合は、ウェハWは受け渡しモジュールCPL4を介し、第4のブロック(TCT層)B4の搬送アームA4に受け渡され、搬送アームA4を介して各処理モジュール(塗布モジュール及び加熱・冷却系の処理モジュール群の各処理モジュール)に搬送され、各処理モジュールで処理が行われる。これにより、ウェハWに反射防止膜が形成される。そして、反射防止膜が形成されたウェハWは、搬送アームA4を介し、棚ユニットU1の受け渡しモジュールTRS4に受け渡される。 The wafer W on which the resist film is formed may further have an antireflection film formed in the fourth block (TCT layer) B4. In this case, the wafer W is transferred to the transfer arm A4 of the fourth block (TCT layer) B4 via the transfer module CPL4, and each processing module (processing of the coating module and heating / cooling system) is transferred via the transfer arm A4. Each processing module in the module group is transported to and processed in each processing module. Thereby, an antireflection film is formed on the wafer W. Then, the wafer W on which the antireflection film is formed is transferred to the transfer module TRS4 of the shelf unit U1 via the transfer arm A4.
レジスト膜が形成されたウェハW又はレジスト膜の上に更に反射防止膜が形成されたウェハWは、受け渡しアームD、受け渡しモジュールBF3、TRS4を介して受け渡しモジュールCPL11に受け渡される。受け渡しモジュールCPL11に受け渡されたウェハWは、シャトルアームEにより棚ユニットU2の受け渡しモジュールCPL12に直接搬送された後、インターフェイスブロックS3のインターフェイスアームFに受け渡される。 The wafer W on which the resist film is formed or the wafer W on which the antireflection film is further formed on the resist film is transferred to the transfer module CPL11 via the transfer arm D, the transfer modules BF3, and TRS4. The wafer W transferred to the transfer module CPL11 is directly transferred to the transfer module CPL12 of the shelf unit U2 by the shuttle arm E, and then transferred to the interface arm F of the interface block S3.
インターフェイスアームFに受け渡されたウェハWは、露光装置S4に搬送され、所定の露光処理が行われる。所定の露光処理が行われたウェハWは、インターフェイスアームFを介し、棚ユニットU2の受け渡しモジュールTRS6に載置され、処理ブロックS2に戻される。処理ブロックS2に戻されたウェハWは、第1のブロック(DEV層)B1において現像処理が行われる。現像処理が行われたウェハWは、搬送アームA1、棚ユニットU1のいずれかの受け渡しモジュール、受け渡し手段Cを介し、キャリア20に戻される。
The wafer W delivered to the interface arm F is transported to the exposure apparatus S4, and a predetermined exposure process is performed. The wafer W that has undergone the predetermined exposure processing is placed on the delivery module TRS6 of the shelf unit U2 via the interface arm F, and returned to the processing block S2. The wafer W returned to the processing block S2 is subjected to development processing in the first block (DEV layer) B1. The developed wafer W is returned to the
次に、図4から図6を参照し、本考案における基板搬送装置である搬送アームA1〜A4について説明する。搬送アームA1〜A4は同様に構成されているので、第3のブロック(COT層)B3に設けられた搬送アームA3を代表して説明する。図5は、搬送アームA3を示す斜視図である。図6は、搬送アームA3を示す平面図及び側面図である。 Next, the transfer arms A1 to A4, which are substrate transfer apparatuses according to the present invention, will be described with reference to FIGS. Since the transfer arms A1 to A4 are similarly configured, the transfer arm A3 provided in the third block (COT layer) B3 will be described as a representative. FIG. 5 is a perspective view showing the transfer arm A3. FIG. 6 is a plan view and a side view showing the transfer arm A3.
図4から図6に示すように、搬送アームA3は、2枚のフォーク3(3A、3B)、基台31、回転機構32、進退機構33A、33B、及び昇降台34を有する。
As shown in FIGS. 4 to 6, the transfer arm A <b> 3 includes two forks 3 (3 </ b> A, 3 </ b> B), a
2枚のフォーク3A、3Bは、上下に重なるように設けられている。基台31は、回転機構32により、鉛直軸周りに回転自在に設けられている。また、フォーク3A、3Bは、各々、その基端側がそれぞれ進退機構33A、33Bに支持されており、進退機構33A、33Bにより、基台31から、例えば、後述する加熱モジュール7の突き上げピン73に進退自在に設けられている。
The two
なお、フォーク3(3A、3B)は、本考案における保持枠に相当する。 The forks 3 (3A, 3B) correspond to the holding frame in the present invention.
進退機構33A、33Bは、基台31内部に設けられた駆動機構であるモータMに、タイミングベルト等の伝達機構を用いて連結されており、フォーク3A、3Bを進退駆動する。伝達機構としては、ボールネジ機構やタイミングベルトを用いた機構等、周知の構成を用いることができる。
The advance /
なお、進退機構33A、33Bは、本考案における駆動部に相当する。また、後述する図12には、基台31の下方側に進退機構33Aの駆動機構33を図示している。進退機構33Aは、基台31内部に設けられた駆動機構33をモータMにより回転させることによって、フォーク3A、3Bを基台31から、例えば、後述する加熱モジュール7の突き上げピン73に進退駆動するように構成されている。モータMは、エンコーダ38に接続されている。図12中39はエンコーダ38のパルス数をカウントするカウンタである。
The advance /
昇降台34は、図4に示すように、回転機構32の下方側に設けられている。昇降台34は、上下方向(図4中Z軸方向)に直線状に延びる図示しないZ軸ガイドレールに沿って、昇降機構により昇降自在に設けられている。昇降機構としては、ボールネジ機構やタイミングベルトを用いた機構等、周知の構成を用いることができる。この例ではZ軸ガイドレール及び昇降機構は夫々カバー体35により覆われており、例えば上部側において接続されて一体となっている。またカバー体35は、Y軸方向に直線状に伸びるY軸ガイドレール36に沿って摺動移動するように構成されている。
As shown in FIG. 4, the
次に、図5から図11を参照し、フォーク3、保持爪30及び保持爪30に設けられた近接センサ4について説明する。また、以下では、フォーク3A、3Bを代表し、フォーク3Aについて説明するが、フォーク3Bも、フォーク3Aと全く同様に構成することができる。
Next, the
なお、近接センサ4は、本考案における検出部に相当する。
The
図7は、フォーク3Aを拡大して示す平面図である。図8は、フォーク3Aを拡大して示す断面図である。図8は、図7におけるA−A線に沿う断面図である。また、図8では、4個の保持爪30及び4個の近接センサ4のうち、2個の保持爪及び2個の近接センサを示している。図9(a)及び図9(b)は、それぞれ保持爪30にウェハWが正常に載置されているときのフォーク3A及びウェハWを示す平面図及び断面図である。図9(b)は、図9(a)におけるA−A線に沿う断面図である。図10(a)及び図10(b)は、それぞれ保持爪30にウェハWが正常に載置されていないときのフォーク3A及びウェハWを示す平面図及び断面図である。図10(b)は、図10(a)におけるA−A線に沿う断面図である。図11は、保持爪30にウェハWが正常に載置されていないときの別の例におけるフォーク3A及びウェハWを示す平面図である。なお、図7から図11では、図示を容易にするため、フォーク3Aに対し、保持爪30及び近接センサ4を少し拡大して示している。
FIG. 7 is an enlarged plan view showing the
図7及び図8に示すように、フォーク3Aは、円弧状に形成され、搬送する基板の周囲を囲むように設けられている。また、図5及び図6に示すように、フォーク3A、3Bには、各々保持爪30が形成されている。保持爪30は、フォーク3A、3Bの内縁から各々内側に突出するとともに、内縁に沿って互いに間隔を隔てて設けられており、ウェハWの周縁部が載置されることによってウェハWを保持するものである。保持爪30は、3個以上が設けられる。図5及び図6に示す例では、ウェハWの周縁部の4箇所を保持するために、4個の保持爪30A、30B、30C、30Dが設けられている。
As shown in FIGS. 7 and 8, the
保持爪30A〜30Dの各々には、保持爪30A〜30DにウェハWが載置されたときに被検出体であるウェハWを検出するための近接センサ4A、4B、4C、4Dが設けられている。図7及び図8に示す例では、近接センサ4A〜4Dとして、静電容量型近接センサ(以下、単に「静電容量センサ」という。)が用いられている。
Each of the holding
図8に示すように、静電容量センサ4A、4B、4C、4Dは、それぞれ静電容量測定部41A、41B、41C、41Dに電気的に接続されており、静電容量センサ4A〜4Dで検出された静電容量の変化を、これらの静電容量測定部41A〜41Dによって所定の電気信号、例えば静電容量の増加に応じて大きな電圧信号に変化出力するように構成されている。静電容量センサ4A〜4D上にウェハWが載置されていないときは、静電容量センサ4A〜4Dの検出する静電容量(出力)は略0である。また、静電容量センサ4A〜4D上にウェハWが載置されているときに静電容量センサ4A〜4Dの検出する静電容量(出力)は、静電容量センサ4A〜4D上にウェハWが載置されていないときに静電容量センサ4A〜4Dの検出する静電容量(出力)よりも大きい。また、図8における点線で示すように、静電容量センサ4A〜4DとウェハWとの間の距離が正常な状態よりも大きいときに静電容量センサ4A〜4Dの検出する静電容量(出力)は、ウェハWが全く載置されていないときの静電容量(出力)よりは大きいが、正常な状態でウェハWが載置されているときの静電容量(出力)よりも小さい。
As shown in FIG. 8, the
静電容量測定部41A、41B、41C、41Dの出力は、比較部42A、42B、42C、42Dに入力されるように構成されている。そして、比較部42A、42B、42C、42Dの出力は、後述する制御部5に入力されるように構成されている。比較部42A〜42Dは、静電容量測定部41A〜41Dの出力を予め設定された下限値と比較する。
The outputs of the
本実施の形態では、下限値として、第1の下限値と、第1の下限値よりも大きい第2の下限値を用いる。 In the present embodiment, a first lower limit value and a second lower limit value that is larger than the first lower limit value are used as the lower limit value.
第1の下限値は、略0に近い値であり、静電容量センサ4A〜4Dが設けられている保持爪30A〜30DにウェハWが保持されていないときに、静電容量測定部41A〜41Dの出力が、第1の下限値より小さくなるような値として、設定されている。
The first lower limit value is a value close to approximately 0, and when the wafer W is not held by the holding
第2の下限値は、第1の下限値よりも大きい値である。また、第2の下限値は、ウェハWが正常に保持爪30A〜30Dに載置されているときに、静電容量測定部41A〜41Dの出力が、第2の下限値より大きくなるような値として、設定されている。静電容量測定部41A〜41Dの出力が、第2の下限値より小さくなるときは、ウェハWが正常に保持爪30A〜30Dに載置されていないとき、すなわち、フォーク3Aに対するウェハWの相対位置が正常な位置からずれているときである。このときは、後述するように、ウェハWを、フォーク3Aから本考案における基板載置部に相当する、各処理モジュールの突き上げピン又は載置台に戻し、フォーク3Aの位置を補正した後、再び、ウェハWを各処理モジュールの突き上げピン又は載置台からフォーク3Aに受け取る。
The second lower limit value is a value larger than the first lower limit value. Further, the second lower limit value is such that when the wafer W is normally placed on the holding
比較部42A〜42Dは、例えば、以下のように比較処理を行うように構成されている。すなわち、比較部42A〜42Dは、静電容量測定部41A〜41Dの出力が第2の下限値より大きくなるときは、制御部5に対し、載置信号を発生する。また、比較部42A〜42Dは、静電容量測定部41A〜41Dの出力が第1の下限値より小さくなるときは、制御部5に対し、警告信号を発生する。また、比較部42A〜42Dは、静電容量測定部41A〜41Dの出力が第1の下限値より大きく第2の下限値より小さいときは、載置信号及び警告信号のいずれも発生しない。
The
まず、図9(a)及び図9(b)に示すように、ウェハWが保持爪30A〜30Dに正常に載置されている場合について説明する。このようなときは、全ての静電容量測定部41A〜41Dの出力が第2の下限値よりも大きくなり、比較部42A〜42Dの全ては、制御部5に対し、載置信号を出力する。そして、比較部42A〜42Dの全てから載置信号が入力された制御部5は、ウェハWが保持爪30A〜30Dに正常に載置されており、フォーク3Aに対するウェハWの相対位置の補正の必要がないと判定する。補正の必要がないと判定した制御部5は、進退機構33A及び昇降台34を制御し、フォーク3Aを駆動してウェハWを搬送する。
First, as shown in FIGS. 9A and 9B, a case where the wafer W is normally placed on the holding
次に、図10(a)、図10(b)及び図11に示すように、ウェハWが保持爪30A〜30Dに正常に載置されていない場合について説明する。図10(a)及び図10(b)は、ウェハWがフォーク3Aの進退方向であるX方向と略直交するY方向にずれたときを示しており、図11は、ウェハWがフォーク3Aの進退方向であるX方向にずれたときを示している。このようなときは、静電容量測定部41A〜41Dのいずれかにおいて、出力が第2の下限値よりも小さくなり、比較部42A〜42Dのいずれかは、制御部5に対し、載置信号を出力しない。そして、比較部42A〜42Dのいずれかから載置信号が入力されない制御部5は、ウェハWが保持爪30A〜30Dに正常に載置されておらず、フォーク3Aに対するウェハWの相対位置の補正の必要があると判定する。補正の必要があると判定した制御部5は、進退機構33A及び昇降台34を制御し、ウェハWを、フォーク3Aの保持爪30A〜30Dから各処理モジュールの突き上げピン又は載置台に戻し、フォーク3Aの位置を補正する。そして、補正した後、再び、ウェハWを各モジュールの突き上げピン又は載置台からフォーク3Aの保持爪30A〜30Dに受け取る。
Next, as shown in FIGS. 10A, 10B, and 11, a case where the wafer W is not normally placed on the holding
更に、ウェハWの位置が正常な位置からかなりずれているか、又は、ウェハWが保持爪30A〜30Dのいずれかに全く載置されていないときは、静電容量測定部41A〜41Dのいずれかにおいて、出力が第2の下限値よりも小さい第1の下限値よりも更に小さくなる。このとき、その静電容量測定部41A〜41Dに対応する比較部42A〜42Dは、警告信号を発生する。制御部5は、比較部42A〜42Dのいずれかから警告信号が入力されたときは、ウェハWの位置が正常な位置からかなりずれているか、又は、ウェハWが保持爪30A〜30Dのいずれかに全く載置されていないと判定し、フォーク3Aの移動を停止する。
Furthermore, when the position of the wafer W is considerably deviated from the normal position, or when the wafer W is not placed on any of the holding
次に、図12を参照し、搬送アームと処理モジュールとの間のウェハWの受け渡しを制御する制御部5について説明する。
Next, the
なお、以下では、基板搬送方法の説明も含め、搬送アームがウェハWを受け渡す処理モジュールとして、加熱モジュール7を例示して説明する。加熱モジュール7は、前述した図3及び図4を用いて説明したように、第1のブロック(DEV層)B1、第2のブロック(BCT層)B2、第3のブロック(COT層)B3、第4のブロック(TCT層)B4のそれぞれにおいて、棚ユニットU3に組み込まれている。
Hereinafter, the
図12は、制御部5を第3のブロック(COT層)B3における搬送アームA3及び加熱モジュール7とともに示す構成図である。
FIG. 12 is a configuration diagram showing the
図12に示すように、加熱モジュール7は、処理容器71、熱板72、突き上げピン73、昇降機構74を有する。加熱モジュール7は、ウェハWに対して熱処理を行うものである。処理容器71内には、熱板72が設けられている。熱板72には、突き上げピン73が設けられている。昇降機構74は突き上げピン73を昇降するためのものである。突き上げピン73は、本考案における基板載置部に相当する。また、図12中70は、ウェハWの搬送口である。
As shown in FIG. 12, the
制御部5は、演算処理部51、記憶部52、表示部53、及びアラーム発生部54を有する。
The
演算処理部51は、例えばメモリ、CPU(Central Processing Unit)を有するデータ処理部であるコンピュータである。演算処理部51は、記憶部52に記録されたプログラムを読み取り、そのプログラムに含まれる命令(コマンド)に従って、レジストパターン形成装置の各部に制御信号を送り、レジストパターン形成処理に含まれる各種の基板処理を実行する。具体的には、演算処理部51は、搬送アームA3の進退機構33A、33Bの駆動機構33に設けられたモータM、エンコーダ38やカウンタ39等に対して所定の制御信号を送り、ウェハWの受け渡し及び搬送を実行する。
The
記憶部52は、演算処理部51に、各種の処理を実行させるためのプログラムを記録した、コンピュータ読み取り可能な記録媒体である。記録媒体として、例えば、フレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、光磁気(Magnetoptical;MO)ディスク等を用いることができる。
The
表示部53は、例えばコンピュータの画面よりなる。表示部53では、各種の基板処理の選択や、各基板処理におけるパラメータの入力操作を行うことができる。
The
アラーム発生部54は、搬送アームA3を含め、レジストパターン形成装置の各部に異常が発生したときに、アラームを発生させる。
The
次に、図12から図14を参照し、搬送アームA3のフォーク3Aが加熱モジュール7からウェハWを受け取る際の工程を例示し、本実施の形態に係る基板搬送方法について説明する。図13は、基板搬送方法における各工程の手順を示すフローチャートである。図14は、ウェハWを受け渡す際の加熱モジュール7と搬送アームA3の状態を示す図である。
Next, with reference to FIG. 12 to FIG. 14, the substrate transfer method according to the present embodiment will be described by exemplifying steps when the
本実施の形態に係る基板搬送方法は、制御部5が、進退機構33Aによりフォーク3Aを前進させ、突き上げピン73から保持爪30A〜30DにウェハWを受け取った際に、静電容量センサ4A〜4Dによりフォーク3Aに対するウェハWの相対位置を検出し、各々の静電容量センサ4A〜4Dの検出値に基づいて、相対位置の補正の要否を判定するものである。そして、相対位置の補正が必要と判定したときには、補正動作を行い、相対位置の補正が不要と判定したときには、進退機構33Aの駆動を停止するか、又は、ウェハWの搬送を継続するものである。
In the substrate transfer method according to the present embodiment, when the
図13に示すように、基板搬送方法は、受け取り工程(ステップS11)、検出工程(ステップS12)、判定工程(ステップS13、ステップS14)、補正工程(ステップS15)、搬出工程(ステップS16)、及び停止工程(ステップS17)を有する。 As shown in FIG. 13, the substrate transport method includes a receiving process (step S11), a detecting process (step S12), a determining process (step S13, step S14), a correcting process (step S15), an unloading process (step S16), And a stop step (step S17).
受け取り工程(ステップS11)では、図14(a)に示すように、加熱モジュール7において突き上げピン73によりウェハWを突き上げ、ウェハWを熱板72の上方位置まで上昇させる。次に、図14(b)に示すように、制御部5に制御された進退機構33Aにより、加熱モジュール7の外方からウェハWの下方側へフォーク3Aを前進させる。そして、図14(c)に示すように、制御部5に制御された昇降台34によりフォーク3Aを上昇させ、ウェハWを下方側から掬い上げるようにして保持爪30A〜30Dに保持させることによって、ウェハWを突き上げピン73からフォーク3Aの保持爪30A〜30Dに受け取る。
In the receiving step (step S11), as shown in FIG. 14A, the
次に、検出工程(ステップS12)では、保持爪30A〜30DにウェハWを受け取った際に、ウェハWを保持爪30A〜30Dに保持させた状態で、保持爪30A〜30Dに設けられた静電容量センサ4A〜4Dの静電容量(出力)を検出する。
Next, in the detection step (step S12), when the wafers W are received by the holding
制御部5では、比較部42A〜42Dにより、静電容量センサ4A〜4Dの検出値である静電容量(出力)と、第1の下限値、第2の下限値とを比較する。静電容量(出力)が第1の下限値より小さいときは、比較部42A〜42Dから警告信号が出力される。静電容量(出力)が第2の下限値より大きいときは、比較部42A〜42Dから載置信号が出力される。また、静電容量(出力)が第1の下限値より大きく、第2の下限値より小さいときは、比較部42A〜42Dからは載置信号及び警告信号のいずれも出力されない。
In the
次に、判定工程(ステップS13、ステップS14)では、制御部5が、4つの静電容量センサ4A〜4Dに対応する4つの比較部42A〜42Dから出力される載置信号及び警告信号の有無に基づいて、フォーク3Aに対するウェハWの相対位置が正常か否かを判定し、相対位置の補正の要否を判定する。すなわち、制御部5は、4つの静電容量センサ4A〜4Dの検出値である静電容量(出力)に基づいて、相対位置の補正の要否を判定する。
Next, in the determination step (step S13, step S14), the
ステップS13では、4つの比較部42A〜42Dのいずれかから警告信号が出力されているかを判定する。
In step S13, it is determined whether a warning signal is output from any of the four
4つの比較部42A〜42Dのいずれかから警告信号が出力されているときは、停止工程(ステップS17)へ進む。停止工程(ステップS17)では、搬送アームA3は、図14(d)及び図14(e)に示すような後退位置への後退が禁止され、加熱モジュール7内にてウェハWを受け取った状態で、駆動が停止される。そして、搬送アームA3の駆動が停止されたときは、オペレータにより、ウェハWの位置に異常が発生した原因の特定や、リカバリ処理、メンテナンス等が行われる。
When a warning signal is output from any of the four
一方、4つの比較部42A〜42Dのいずれからも警告信号が出力されていないときは、ステップS14に進む。ステップS14では、全ての比較部42A〜42Dから載置信号が出力されているかを判定する。
On the other hand, when no warning signal is output from any of the four
全ての比較部42A〜42Dから載置信号が出力されているときは、ウェハWの位置が正常であり、フォーク3Aに対するウェハWの相対位置の補正は必要ないと判定し、搬出工程(ステップS16)に進む。搬出工程(ステップS16)では、図14(d)及び図14(e)に示すように、突き上げピン73を下降させ、フォーク3Aを後退させることによって、突き上げピン73からフォーク3Aの保持爪30A〜30DにウェハWを受け渡す。そして、フォーク3Aを後退させた後、保持しているウェハWを次の搬送先まで移動する。
When the placement signals are output from all the
一方、いずれかの比較部42A〜42Dから載置信号が出力されていないときは、ウェハWの位置は、警告信号を出力するほどはずれてはいないものの、ある程度のずれ量でずれており、フォーク3Aに対するウェハWの相対位置の補正が必要と判定する。このときは、補正工程(ステップS15)に進む。
On the other hand, when the placement signal is not output from any of the
補正工程(ステップS15)では、制御部5に制御された昇降台34によりフォーク3Aを下降させ、ウェハWを保持爪30A〜30Dから突き上げピン73に戻す。その結果、図14(b)に示す状態に戻ることになる。そして、制御部5に制御された進退機構33Aにより、ウェハWの下方側から加熱モジュール7の外方へフォーク3Aを後退させる。その結果、図14(a)に示す状態に戻すことになる。そして、加熱モジュール7の外方で、先ほどのウェハWの位置のずれを補償するように、フォーク3Aの位置を補正する。
In the correction step (step S15), the
例えば、4個の静電容量センサのうち、4A、4Bの静電容量(出力)は第2の下限値より大きいが、4C、4Dの静電容量(出力)は第2の下限値より小さいときは、図10に示したように、ウェハWの位置が−Y方向にあるずれ量だけずれていたと考えられる。また、そのずれ量は、4A、4Bの静電容量(出力)と第2の下限値との差に基づいて、算出が可能である。静電容量センサの静電容量(出力)は、静電容量センサの表面のうち、被検出物に覆われている領域の面積に依存するからである。従って、静電容量センサの静電容量(出力)に基づいて、保持爪30A〜30Dの上面のうち、ウェハWに覆われている領域の面積を算出することができる。そして、算出された−Y方向のずれ量を補償、すなわち相殺するように、フォーク3Aの位置を補正する。
For example, among the four capacitance sensors, the capacitance (output) of 4A and 4B is larger than the second lower limit value, but the capacitance (output) of 4C and 4D is smaller than the second lower limit value. At this time, as shown in FIG. 10, it is considered that the position of the wafer W has shifted by a certain shift amount in the -Y direction. Further, the amount of deviation can be calculated based on the difference between the 4A and 4B capacitance (output) and the second lower limit value. This is because the capacitance (output) of the capacitance sensor depends on the area of the surface of the capacitance sensor that is covered with the object to be detected. Therefore, based on the capacitance (output) of the capacitance sensor, it is possible to calculate the area of the region covered with the wafer W among the upper surfaces of the holding
あるいは、例えば、4個の静電容量センサのうち、4A、4Dの静電容量(出力)は第2の下限値より大きいが、4B、4Cの静電容量(出力)は第2の下限値より小さいときは、図11に示したように、ウェハWの位置が−X方向にあるずれ量だけずれていたと考えられる。また、そのずれ量は、図10を用いて説明した場合と同様に、4B、4Cの静電容量(出力)と第2の下限値との差に基づいて、算出が可能である。そして、算出された−X方向のずれ量を補償、すなわち相殺するように、フォーク3Aの位置を補正する。
Or, for example, among the four capacitance sensors, the capacitance (output) of 4A and 4D is larger than the second lower limit value, but the capacitance (output) of 4B and 4C is the second lower limit value. When it is smaller, it is considered that the position of the wafer W has shifted by a certain shift amount in the −X direction as shown in FIG. The amount of deviation can be calculated based on the difference between the 4B and 4C capacitances (outputs) and the second lower limit value, as in the case described with reference to FIG. Then, the position of the
このようにして、フォーク3Aのずれ量を補正した後、受け取り工程(ステップS11)に再び戻る。受け取り工程(ステップS11)では、図14(b)に示すように、位置が補正されたフォーク3Aを、制御部5に制御された進退機構33Aにより、再び、加熱モジュール7の外方からウェハWの下方側へ前進させる。そして、図14(c)に示すように、制御部5に制御された昇降台34によりフォーク3Aを上昇させ、ウェハWを下方側から掬い上げるようにして、保持爪30A〜30Dに保持させる。そして、ウェハWを保持爪30A〜30Dに保持させた後、再び、検出工程(ステップS12)及び判定工程(ステップS13、ステップS14)を行う。
After correcting the deviation amount of the
検出工程(ステップS12)では、再び、保持爪30A〜30Dに設けられた静電容量センサ4A〜4Dの静電容量(出力)を検出する。そして、ステップS13において、4つの比較部42A〜42Dのいずれからも警告信号が出力されておらず、ステップS14において、全ての比較部42A〜42Dから載置信号が出力されているときは、ウェハWの位置が正常であると判定し、搬出工程(ステップS16)に進む。
In the detection step (step S12), the capacitances (outputs) of the
本実施の形態では、判定工程(ステップS13、ステップS14)及び補正工程(ステップS15)により、保持爪30A〜30Dに保持されているウェハWのフォーク3Aに対する相対位置が、正常な位置から位置ずれしているかを容易に検出することができる。また、フォーク3Aに対するウェハWの相対位置が正常な位置から位置ずれしていた場合には、ウェハWを落下させたり、処理モジュールの他の部分に接触させることなく、フォーク3Aに対するウェハWの相対位置が正常な位置になるように保持し直すことができる。
In the present embodiment, the relative position of the wafer W held by the holding
また、いずれかの比較部42A〜42Dから警告信号が出力されたときに搬送アームA3の駆動を停止することによって、正常な状態で載置されていなかったウェハWがフォーク3Aの後退の途中で落下すること、又は、落下したウェハWと搬送アームA3が衝突することを防止できる。そして、ウェハWの位置に異常がある場合であっても、ウェハWの位置を正常な位置に戻す対応を行えば済み、その対応後に速やかに処理を再開できる。
Further, by stopping the driving of the transfer arm A3 when a warning signal is output from any of the
すなわち、本実施の形態によれば、フォーク3A上のウェハWの保持状態に応じて適切な搬送制御を行うことができる。
That is, according to the present embodiment, appropriate transfer control can be performed according to the holding state of the wafer W on the
また、突き上げピン73からフォーク3Aの保持爪30A〜30DにウェハWを受け取った際に、フォーク3Aに対するウェハWの相対位置が正常であるか否かを判定し、場合によってはフォーク3Aの後退を停止する。そのため、処理モジュール内でウェハWが破損する等の不具合があったときに、不具合が発生した時点における状態をそのまま観察することができ、不具合が発生した直後のフォーク3Aや処理モジュール内の様子を容易に確認できる。従って、不具合が処理モジュールに起因するものか、あるいは、不具合がウェハWの受け渡し動作に起因するものかが特定しやすく、不具合の再発を容易に防止できる。
Further, when the wafer W is received from the push-up
なお、本実施の形態では、受け取り工程(ステップS11)及び補正工程(ステップS15)において、進退機構33Aのみならず昇降台34を駆動させる例について説明した。しかし、昇降台34を駆動させず、加熱モジュール7の昇降機構74を駆動させ、突き上げピン73を昇降させることによって、ウェハWをフォーク3Aの保持爪30A〜30Dとの間で受け渡しするようにしてもよい。
In the present embodiment, an example in which not only the advance /
また、本実施の形態では、ウェハWを突き上げピン73に戻した後、フォーク3Aを加熱モジュール7から後退させ、加熱モジュール7の外方でフォーク3Aのずれ量を補正し、再びフォーク3Aを加熱モジュール7に前進させ、ウェハWを突き上げピン73からフォーク3Aに受け取らせる例について説明した。しかし、補正量が比較的小さいときは、フォーク3AがウェハW又は加熱モジュール7内における他の部分に接触するおそれがない。このときは、ウェハWをフォーク3Aの保持爪30A〜30Dから突き上げピン73に戻した後、フォーク3Aを加熱モジュール7内に前進させた状態で、加熱モジュール7内でフォーク3Aのずれ量を補正した後、再び、突き上げピン73からフォーク3Aの保持爪30A〜30DにウェハWを受け取るようにしてもよい。
In the present embodiment, after the wafer W is returned to the push-up
また、近接センサ4A〜4Dとして静電容量センサを用いるときは、検出される静電容量(出力)は、被検出物の誘電率に依存する。すなわち、同一の形状を有するウェハWであっても、例えばシリコン、ガラス、サファイア、アルミ等の各種の材質に依存して検出される静電容量(出力)が変化する。
Further, when a capacitance sensor is used as the
従って、本実施の形態によれば、静電容量センサ4A〜4Dにより、ウェハWの種類(材質)を検出することができる。そして、ウェハWの種類(材質)に応じてフォーク3Aの移動速度を変更する。これにより、例えば、ウェハWがフォーク3Aから落下し、破損したときの損失によるコスト増大と、工程時間(タクト時間)短縮によるコスト低減とが最適になるように、ウェハWごとに調整した製造プロセスを行うことができる。
Therefore, according to the present embodiment, the type (material) of the wafer W can be detected by the
あるいは、複数の種類(材質)のウェハWを処理する場合には、ウェハWの種類(材質)に応じてウェハWを処理する処理パラメータが異なる場合がある。本実施の形態によれば、ウェハWの種類(材質)が検出できるため、検出したウェハWの種類(材質)に応じて処理パラメータを自動的に変更することができる。これにより、複数の種類(材質)のウェハWを処理する場合にも、同一の基板処理装置により処理を行うことができ、複数の基板処理装置を準備する必要がない。 Alternatively, when processing a plurality of types (materials) of wafers W, processing parameters for processing the wafers W may differ depending on the types (materials) of the wafers W. According to the present embodiment, since the type (material) of the wafer W can be detected, the processing parameters can be automatically changed according to the detected type (material) of the wafer W. Thus, even when processing a plurality of types (materials) of wafers W, the same substrate processing apparatus can perform the processing, and there is no need to prepare a plurality of substrate processing apparatuses.
また、近接センサ4A〜4Dとして静電容量センサを用いるときは、検出される静電容量(出力)は、被検出物の帯電状態にも依存する。従って、近接センサ4A〜4DによりウェハWの帯電を検知し、アラームを発生するようにしてもよい。
Further, when a capacitance sensor is used as the
また、近接センサ4A〜4Dとして、静電容量センサに代え、歪ゲージを用いてもよい。また、光電センサ、接触センサ、磁気センサ等各種の他の近接スイッチを用いた変形例も可能である。図15を参照し、このような変形例について説明する。図15は、本変形例に係る搬送アームのフォーク3Aを拡大して示す平面図である。なお、図7と同様に、図15においても、図示を容易にするため、フォーク3Aに対し、保持爪30A〜30D及び近接スイッチ4A〜4Dを少し拡大して示している。
Further, as the
図15に示すように、近接スイッチ4A〜4Dは、保持爪30A〜30Dの各々に、保持されるウェハWの径方向に沿って複数個設けられている。そして、ウェハWの径方向に沿って複数個設けられた近接スイッチ4A〜4Dの各々が検出する検出値に基づいて、フォーク3Aに対するウェハWの相対位置の補正の要否を判定する。
As shown in FIG. 15, a plurality of
具体的には、ある保持爪30A〜30Dに設けられた複数個の近接スイッチ4A〜4Dのうち、検出値が所定の下限値より小さい近接スイッチ4A〜4Dの数が予め設定された個数より多いときに、相対位置の補正が必要と判定する。
Specifically, among the plurality of proximity switches 4A to 4D provided on the holding
図15に示す例では、1個の保持爪30A〜30Dに、例えば近接スイッチ4A〜4DをウェハWの径方向に沿って4個設けている。そして、検出値が所定の下限値より大きくなる場合をON値、検出値が当該下限値より小さくなる場合をOFF値とする。そして、OFF値を出力した近接スイッチの数が、4個中例えば予め設定された個数である2個より多いときに、相対位置の補正が必要と判定する。
In the example shown in FIG. 15, for example, four
近接スイッチは、前述した静電容量センサと異なり、近接スイッチの表面が、被検出物に覆われているか否かで、ON値、OFF値の2値で変化する近接スイッチの出力を検出するものである。従って、保持爪30A〜30Dの上面のうち、ウェハWに覆われている近接スイッチが何個であるかに基づいて、保持爪30A〜30Dの上面のうち、ウェハWに覆われている領域の面積を算出することができる。
Unlike the capacitance sensor described above, the proximity switch detects the output of the proximity switch that changes between the ON value and the OFF value depending on whether the surface of the proximity switch is covered with the detection object. It is. Therefore, of the upper surface of the holding
以上、本考案の好ましい実施の形態について記述したが、本考案はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、実用新案登録請求の範囲内に記載された本考案の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。 The preferred embodiments of the present invention have been described above, but the present invention is not limited to such specific embodiments, and is within the scope of the present invention described in the claims of the utility model registration. Various modifications and changes are possible.
3、3A、3B フォーク(保持枠)
30、30A〜30D 保持爪(保持部)
33、33A、33B 進退機構(駆動部)
4、4A、4B、4C、4D 静電容量センサ(検出部)
5 制御部
73 基板載置部
3, 3A, 3B fork (holding frame)
30, 30A-30D Holding claw (holding part)
33, 33A, 33B Advancement / retraction mechanism (drive unit)
4, 4A, 4B, 4C, 4D Capacitance sensor (detection unit)
5
Claims (4)
搬送する基板の周囲を囲むように設けられ、前記基板載置部に進退自在な保持枠と、
前記保持枠を前記基板載置部に進退駆動する駆動部と、
前記保持枠の内縁に沿って互いに間隔を隔てて設けられており、前記基板の周縁部を載置されることによって該基板を保持する、3個以上の保持部と、
前記保持部に設けられ、前記基板を載置されたことを検出する検出部と
を有し、
前記検出部は、静電容量型近接センサを用いて、載置された前記基板を検出する、
ことを特徴とする基板搬送装置。 In the substrate transfer apparatus for receiving the substrate from the substrate mounting portion on which the substrate is mounted and transferring the received substrate,
A holding frame that is provided so as to surround a substrate to be transported, and is movable forward and backward to the substrate mounting portion;
A drive unit for driving the holding frame forward and backward with respect to the substrate mounting unit;
Three or more holding parts that are provided at intervals along the inner edge of the holding frame and hold the substrate by placing the peripheral edge of the substrate,
A detection unit that is provided in the holding unit and detects that the substrate is placed;
The detection unit detects the mounted substrate using a capacitive proximity sensor.
A substrate transfer apparatus.
各々の前記検出部の検出値に基づいて、前記相対位置の補正の要否を判定し、前記相対位置の補正が必要と判定したときには、補正動作を行い、前記相対位置の補正が不要と判定したときには、前記駆動部の駆動を停止するか、又は、前記基板の搬送を継続する、
ことを特徴とする、請求項1に記載の基板搬送装置。 The detection unit detects a relative position of the substrate with respect to the holding frame;
Based on the detection value of each detection unit, it is determined whether or not the relative position needs to be corrected. When it is determined that the relative position needs to be corrected, a correction operation is performed and it is determined that the relative position is not required When this is done, the drive of the drive unit is stopped or the conveyance of the substrate is continued.
The substrate transfer apparatus according to claim 1, wherein:
前記基板載置部から前記保持部に前記基板を受け取った際に、前記検出部により前記保持部のいずれかが前記基板を載置していないと判断されたら前記駆動部の駆動を停止させる、
ことを特徴とする、請求項1に記載の基板搬送装置。 The drive unit advances the holding frame;
When the substrate is received from the substrate placement unit to the holding unit, if the detection unit determines that any of the holding units does not place the substrate, the driving of the driving unit is stopped.
The substrate transfer apparatus according to claim 1, wherein:
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