JP3177640B2 - ポリシランを用いた偏光発光ｅｌ素子及びその製造方法 - Google Patents
ポリシランを用いた偏光発光ｅｌ素子及びその製造方法Info
- Publication number
- JP3177640B2 JP3177640B2 JP10454199A JP10454199A JP3177640B2 JP 3177640 B2 JP3177640 B2 JP 3177640B2 JP 10454199 A JP10454199 A JP 10454199A JP 10454199 A JP10454199 A JP 10454199A JP 3177640 B2 JP3177640 B2 JP 3177640B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polysilane
- film
- solvent
- oriented
- mechanical deposition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 title claims description 55
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 19
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 11
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical group [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 125000005037 alkyl phenyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 4
- 125000005036 alkoxyphenyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920000555 poly(dimethylsilanediyl) polymer Polymers 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 27
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- -1 p-butoxyphenyl Chemical group 0.000 description 3
- PARWUHTVGZSQPD-UHFFFAOYSA-N phenylsilane Chemical compound [SiH3]C1=CC=CC=C1 PARWUHTVGZSQPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFYJSSARVMHQJB-QIXNEVBVSA-N bakuchiol Chemical compound CC(C)=CCC[C@@](C)(C=C)\C=C\C1=CC=C(O)C=C1 LFYJSSARVMHQJB-QIXNEVBVSA-N 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000001194 electroluminescence spectrum Methods 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- MZZVVIVZWUBKMQ-UHFFFAOYSA-N CCCCc1ccc([SiH3])cc1 Chemical compound CCCCc1ccc([SiH3])cc1 MZZVVIVZWUBKMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000021615 conjugation Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000023077 detection of light stimulus Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/868—Arrangements for polarized light emission
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
【０００１】
【本発明の属する技術分野】本発明は、偏光エレクトロ
ルミネッセンス素子（以下偏光ＥＬ素子と言う）に関
し、ポリシランを用いて偏光ＥＬ素子を作ることに関す
る。
ルミネッセンス素子（以下偏光ＥＬ素子と言う）に関
し、ポリシランを用いて偏光ＥＬ素子を作ることに関す
る。
【従来の技術】ポリシランは主鎖に沿ったケイ素シグマ
電子の共役に基づく光電子物性を示し、発光材料やホー
ル輸送材料としての利用が注目されている。ポリシラン
類の発光特性とホール輸送特性を生かした、ポリシラン
ＥＬ素子の作製が試みられている。多くのポリシラン類
のＥＬ発光は、液体窒素温度においてのみ観測されてい
るが、最近ポリ[ビス（ｐ−ブチルフェニルシラン）]
が、室温でＥＬ発光を示すことが報告されている。（Ap
pl.Phys.Lett.71(23), 1997 p3326-p3328及びPOLYMER V
olume 36 Number 12 1995 p2477-p2480） しかしながら、素子内でポリシランの配向膜を作製し、
ポリシランの偏光発光ＥＬ素子を作製した例は報告され
ていない。
電子の共役に基づく光電子物性を示し、発光材料やホー
ル輸送材料としての利用が注目されている。ポリシラン
類の発光特性とホール輸送特性を生かした、ポリシラン
ＥＬ素子の作製が試みられている。多くのポリシラン類
のＥＬ発光は、液体窒素温度においてのみ観測されてい
るが、最近ポリ[ビス（ｐ−ブチルフェニルシラン）]
が、室温でＥＬ発光を示すことが報告されている。（Ap
pl.Phys.Lett.71(23), 1997 p3326-p3328及びPOLYMER V
olume 36 Number 12 1995 p2477-p2480） しかしながら、素子内でポリシランの配向膜を作製し、
ポリシランの偏光発光ＥＬ素子を作製した例は報告され
ていない。
【０００２】
【本発明が解決する課題】本発明では、ポリシラン類の
配向膜を作製し、ポリシランの偏光発光ＥＬ素子を作製
する。ポリシランの配向膜自体は既に公知であり、本発
明者等はポリシラン類の配向膜の製造方法を出願し、特
開平７−２９２１３５として公開され、特許第２５３５
７８０号として登録された。これは、メカニカルデポジ
ション法として知られるもので、ポリシラン類の粉末を
プレス成形し、この成形体を平滑な透明体表面の一方向
に押圧摩擦展延することにより、ポリシラン類の配向膜
が得られる。
配向膜を作製し、ポリシランの偏光発光ＥＬ素子を作製
する。ポリシランの配向膜自体は既に公知であり、本発
明者等はポリシラン類の配向膜の製造方法を出願し、特
開平７−２９２１３５として公開され、特許第２５３５
７８０号として登録された。これは、メカニカルデポジ
ション法として知られるもので、ポリシラン類の粉末を
プレス成形し、この成形体を平滑な透明体表面の一方向
に押圧摩擦展延することにより、ポリシラン類の配向膜
が得られる。
【０００３】
【解決手段】本発明は、ポリシランを用いた偏光発光Ｅ
Ｌ素子及びその製造方法に関し、２種類のポリシランの
配向膜を組み合わせることにより、素子内に均一な配向
膜を形成し、偏光した発光特性を有するＥＬ素子を提供
する。すなわち、図１に示すように、透明陽極板１の上
に、メカニカルデポジション法により配向させた第一の
ポリシラン膜２を設け、その上にエピタキシャル成長に
より配向させた第二のポリシラン膜３を設け、さらにそ
の上に陰極板４を設けたＥＬ素子、およびその製造方法
に関する。また、第２図に示すように、エピタキシャル
成長により配向させた第二のポリシラン膜３と陰極板４
の間にホールブロッキング層５を設けることにより正電
荷が陰極に流れるのを防止して、より安定な特性のＥＬ
素子とすることができる。陽極板の材料としては、透明
導電物質ならどのようなものでも良いが、正孔注入効率
が高く、効率よく光を取り出すためにインジウム−錫酸
化物（ＩＴＯ）が望ましい。また、陰極板の材料として
は、空気中で安定な金属ならどのようなものでも良い
が、電子輸送層に効率よく電子を注入できる電極として
オーミックで接触抵抗が低い（仕事関数が小さい）イン
ジウム、アルミニウム、マグネシウム−銀合金等の金属
が選ばれる。とくに経済性の面からアルミニウムが望ま
しい。
Ｌ素子及びその製造方法に関し、２種類のポリシランの
配向膜を組み合わせることにより、素子内に均一な配向
膜を形成し、偏光した発光特性を有するＥＬ素子を提供
する。すなわち、図１に示すように、透明陽極板１の上
に、メカニカルデポジション法により配向させた第一の
ポリシラン膜２を設け、その上にエピタキシャル成長に
より配向させた第二のポリシラン膜３を設け、さらにそ
の上に陰極板４を設けたＥＬ素子、およびその製造方法
に関する。また、第２図に示すように、エピタキシャル
成長により配向させた第二のポリシラン膜３と陰極板４
の間にホールブロッキング層５を設けることにより正電
荷が陰極に流れるのを防止して、より安定な特性のＥＬ
素子とすることができる。陽極板の材料としては、透明
導電物質ならどのようなものでも良いが、正孔注入効率
が高く、効率よく光を取り出すためにインジウム−錫酸
化物（ＩＴＯ）が望ましい。また、陰極板の材料として
は、空気中で安定な金属ならどのようなものでも良い
が、電子輸送層に効率よく電子を注入できる電極として
オーミックで接触抵抗が低い（仕事関数が小さい）イン
ジウム、アルミニウム、マグネシウム−銀合金等の金属
が選ばれる。とくに経済性の面からアルミニウムが望ま
しい。
【０００４】
【実施の形態】ＥＬ素子内に一方向に分子が並んだポリ
シランの配向膜を形成する手段としては、従来公知のメ
カニカルデポジション法が適している。しかし、メカニ
カルデポジション法だけでは、ＥＬ素子に必要な厚さと
膜の均一性が確保できないため、メカニカルデポジショ
ン膜の上で第二のポリシランの薄膜を形成し、第二のポ
リシラン薄膜をエピタキシャル成長により配向させるこ
とが必要である。エピタキシャル成長の手法としては、
溶液からのキャスト法や、真空蒸着法などが考えられる
が、均一な高分子の配向薄膜を形成するためには、溶液
からのスピンコート法が好ましい。
シランの配向膜を形成する手段としては、従来公知のメ
カニカルデポジション法が適している。しかし、メカニ
カルデポジション法だけでは、ＥＬ素子に必要な厚さと
膜の均一性が確保できないため、メカニカルデポジショ
ン膜の上で第二のポリシランの薄膜を形成し、第二のポ
リシラン薄膜をエピタキシャル成長により配向させるこ
とが必要である。エピタキシャル成長の手法としては、
溶液からのキャスト法や、真空蒸着法などが考えられる
が、均一な高分子の配向薄膜を形成するためには、溶液
からのスピンコート法が好ましい。
【０００５】メカニカルデポジションに用いるポリシラ
ンは、高配向を生じやすいもので不溶性であることが必
要である。このようなポリシランとしては、ポリジメチ
ルシラン、ポリジエチルシラン、ポリジプロピルシラ
ン、ポリジフェニルシランなどがあげられる。このよう
なポリシランの重量平均分子量は、通常、５，０００以
上好ましくは、２０，０００以上である。メカニカルデ
ポジション法は、ポリシランの粉末をプレス成形し、こ
の成形体を基板として、平滑な基板の一方向に押圧摩擦
展延することにより、その基板上に薄層の高配向膜を形
成する方法である。ＥＬ素子内にメカニカルデポジショ
ン膜を形成するためには、平滑な基板としてＩＴＯ透明
電極を用いることが必要である。摩擦展延する基板の表
面温度は、室温またはそれ以上の温度であるが、薄膜を
形成しやすくかつ高度に配向したものを得るために、そ
のポリシランの軟化温度以上で熱分解温度以下の温度、
好ましくは２００〜２３０゜Ｃの温度に加熱するのがよ
い。このような方法により得られたポリシラン配向膜
は、その厚さが一般的に１０〜４０nm程度であり、ま
た、そのポリシランの主鎖が押圧摩擦展延した方向に高
度に配向している。
ンは、高配向を生じやすいもので不溶性であることが必
要である。このようなポリシランとしては、ポリジメチ
ルシラン、ポリジエチルシラン、ポリジプロピルシラ
ン、ポリジフェニルシランなどがあげられる。このよう
なポリシランの重量平均分子量は、通常、５，０００以
上好ましくは、２０，０００以上である。メカニカルデ
ポジション法は、ポリシランの粉末をプレス成形し、こ
の成形体を基板として、平滑な基板の一方向に押圧摩擦
展延することにより、その基板上に薄層の高配向膜を形
成する方法である。ＥＬ素子内にメカニカルデポジショ
ン膜を形成するためには、平滑な基板としてＩＴＯ透明
電極を用いることが必要である。摩擦展延する基板の表
面温度は、室温またはそれ以上の温度であるが、薄膜を
形成しやすくかつ高度に配向したものを得るために、そ
のポリシランの軟化温度以上で熱分解温度以下の温度、
好ましくは２００〜２３０゜Ｃの温度に加熱するのがよ
い。このような方法により得られたポリシラン配向膜
は、その厚さが一般的に１０〜４０nm程度であり、ま
た、そのポリシランの主鎖が押圧摩擦展延した方向に高
度に配向している。
【０００６】一方、メカニカルデポジション膜上で、エ
ピタキシャル成長させる第二のポリシラン薄膜の素材と
しては、有機溶媒に可溶であると同時に、ＥＬ発光過程
で発生するジュール熱等による劣化に耐えられる耐熱性
を備えている素材であって、またエピタキシャル成長に
より配向しやすい剛直な分子構造を有していることが必
要である。このような素材としては、下記一般式（１）
ピタキシャル成長させる第二のポリシラン薄膜の素材と
しては、有機溶媒に可溶であると同時に、ＥＬ発光過程
で発生するジュール熱等による劣化に耐えられる耐熱性
を備えている素材であって、またエピタキシャル成長に
より配向しやすい剛直な分子構造を有していることが必
要である。このような素材としては、下記一般式（１）
【化２】 （式中、Ｒ１及びＲ２は、フェニル基、アルキルフェニ
ル基、アルコキシフェニル基、アルキル基から選ばれる
基であり、 Ｒ１及びＲ２は同じであっても良い。ｎは
３０〜２０，０００の正数である ）で表される繰り返
し構造をもつポリシランであって、 前記式中、Ｒ１及
びＲ２が、共にアルキルフェニル基またはアルコキシフ
ェニル基であるポリシラン、Ｒ１がフェニル基でＲ２が
アルキルフェニル基、アルコキシフェニル基であるポリ
シラン、あるいはＲ１がフェニル基でＲ２がアルキル基
であるポリシラン、あるいはＲ１がメチル基でＲ２がエ
チル基であるポリシランなど上記の要件を満たす。この
ようなポリシランの重量平均分子量は、通常、５，００
０〜２，０００，０００好ましくは１０，０００〜１，
０００，０００である。
ル基、アルコキシフェニル基、アルキル基から選ばれる
基であり、 Ｒ１及びＲ２は同じであっても良い。ｎは
３０〜２０，０００の正数である ）で表される繰り返
し構造をもつポリシランであって、 前記式中、Ｒ１及
びＲ２が、共にアルキルフェニル基またはアルコキシフ
ェニル基であるポリシラン、Ｒ１がフェニル基でＲ２が
アルキルフェニル基、アルコキシフェニル基であるポリ
シラン、あるいはＲ１がフェニル基でＲ２がアルキル基
であるポリシラン、あるいはＲ１がメチル基でＲ２がエ
チル基であるポリシランなど上記の要件を満たす。この
ようなポリシランの重量平均分子量は、通常、５，００
０〜２，０００，０００好ましくは１０，０００〜１，
０００，０００である。
【０００７】ポリシランを溶媒に溶解し、スピンコート
法によってメカニカルデポジション膜上に積層し均一な
配向膜を形成する。スピンコート膜の厚さは、５０〜５
００nm、好ましくは１００〜３００nmである。膜厚が厚
すぎると配向度が低下し、薄すぎると欠陥が生じ、電場
を印加した際に短絡してしまう。上記ポリシラン薄膜に
ホールブロッキング層（正電荷が陰極へ流れるのを防ぐ
層）を真空蒸着により積層する。ホールブロッキング層
としては、正電荷の輸送を阻止し電子伝導性があるもの
であればどんなものでもよいが、その代表的なものとし
ては下記分子式で記述されるＴＡＺがあげられる。
法によってメカニカルデポジション膜上に積層し均一な
配向膜を形成する。スピンコート膜の厚さは、５０〜５
００nm、好ましくは１００〜３００nmである。膜厚が厚
すぎると配向度が低下し、薄すぎると欠陥が生じ、電場
を印加した際に短絡してしまう。上記ポリシラン薄膜に
ホールブロッキング層（正電荷が陰極へ流れるのを防ぐ
層）を真空蒸着により積層する。ホールブロッキング層
としては、正電荷の輸送を阻止し電子伝導性があるもの
であればどんなものでもよいが、その代表的なものとし
ては下記分子式で記述されるＴＡＺがあげられる。
【化３】 （式中ｔーＢｕは第３級ブチル基を表す） ホールブロッキング層の厚さは、１０〜２００ｎｍ程度
であり、好ましくは２０〜５０ｎｍである。さらに、そ
の上にアルミニウム電極を真空蒸着により積層する。Ｉ
ＴＯ電極を＋極、アルミニウム電極を−極として電場を
印加して、ＩＴＯ透明電極側から発光を観測した。印加
する電圧の大きさは、２０Ｖ以上５０Ｖ以下であり、好
ましくは３０〜４０Ｖである。
であり、好ましくは２０〜５０ｎｍである。さらに、そ
の上にアルミニウム電極を真空蒸着により積層する。Ｉ
ＴＯ電極を＋極、アルミニウム電極を−極として電場を
印加して、ＩＴＯ透明電極側から発光を観測した。印加
する電圧の大きさは、２０Ｖ以上５０Ｖ以下であり、好
ましくは３０〜４０Ｖである。
【０００８】
【実施例】メカニカルデポジション用ポリシランとし
て、重量平均分子量（Ｍｗ）が５，０００以上で、その
軟化点が１９０゜Ｃの不溶性のポリジエチルシランを用
いた。このポリシランをメカニカルデポジション法によ
り、ＩＴＯ基板上に製膜して厚さ約２０nmの高配向膜
（メカニカルデポジション膜）を作製した。次にこの高
配向膜上にスピンコート法により、重量平均分子量が４
７０，０００のポリ［（ｐ−ブトキシフェニル）フェニ
ルシラン）]のテトラヒドロフラン溶液をキャストして
スピンコートし、厚さ３００ｎｍの均一な配向膜を形成
した。さらに、その上に、ＴＡＺを真空蒸着し、厚さ３
０ｎｍのホールブロッキング層を積層した。その上に、
大きさが２×２ｍｍのアルミニウム電極を真空蒸着によ
り積層した。
て、重量平均分子量（Ｍｗ）が５，０００以上で、その
軟化点が１９０゜Ｃの不溶性のポリジエチルシランを用
いた。このポリシランをメカニカルデポジション法によ
り、ＩＴＯ基板上に製膜して厚さ約２０nmの高配向膜
（メカニカルデポジション膜）を作製した。次にこの高
配向膜上にスピンコート法により、重量平均分子量が４
７０，０００のポリ［（ｐ−ブトキシフェニル）フェニ
ルシラン）]のテトラヒドロフラン溶液をキャストして
スピンコートし、厚さ３００ｎｍの均一な配向膜を形成
した。さらに、その上に、ＴＡＺを真空蒸着し、厚さ３
０ｎｍのホールブロッキング層を積層した。その上に、
大きさが２×２ｍｍのアルミニウム電極を真空蒸着によ
り積層した。
【０００９】ＩＴＯ電極を＋極に、アルミニウム電極を
−極にして電圧を印加してＥＬスペクトルを観測した。
発光の検出には、窒素冷却ＣＣＤカメラ付き分光器およ
びクローズドサイクル式クライオスタットを用いた。室
温２９５Ｋおよび１５ＫにおけるＥＬスペクトルの電圧
依存特性を図３に示す。発光は印加電圧が２０Ｖ付近か
ら観測され、電圧の増加に伴い発光強度が増加した。Ｅ
Ｌスペクトルは、４１０ｎｍ付近の近紫外発光と６３０
ｎｍ付近にピークを持つブロードな可視発光からなり、
１５Ｋでは、近紫外発光の強度が増加した。次に、偏光
子を用いて発光の偏光特性を調べた。偏光EL発光スペク
トルを図４に示す。可視域の発光帯については、偏光特
性が観測されなかったが、近紫外発光については、偏光
発光が観測された。すなわち、偏光子の方向がメカニカ
ルデポジションの方向と平行の時には、発光が強く、垂
直の時には発光が弱くなり、その二色比は２程度であっ
た。４１０ｎｍ付近の発光はポリ［（ｐ−ブトキシフェ
ニル）フェニルシラン）]のσσ＊遷移による発光であ
り、ポリ［（ｐ−ブトキシフェニル）フェニルシラ
ン）]がメカニカルデポジション膜上でエピタキシャル
成長により配向していることによって、偏光している。
−極にして電圧を印加してＥＬスペクトルを観測した。
発光の検出には、窒素冷却ＣＣＤカメラ付き分光器およ
びクローズドサイクル式クライオスタットを用いた。室
温２９５Ｋおよび１５ＫにおけるＥＬスペクトルの電圧
依存特性を図３に示す。発光は印加電圧が２０Ｖ付近か
ら観測され、電圧の増加に伴い発光強度が増加した。Ｅ
Ｌスペクトルは、４１０ｎｍ付近の近紫外発光と６３０
ｎｍ付近にピークを持つブロードな可視発光からなり、
１５Ｋでは、近紫外発光の強度が増加した。次に、偏光
子を用いて発光の偏光特性を調べた。偏光EL発光スペク
トルを図４に示す。可視域の発光帯については、偏光特
性が観測されなかったが、近紫外発光については、偏光
発光が観測された。すなわち、偏光子の方向がメカニカ
ルデポジションの方向と平行の時には、発光が強く、垂
直の時には発光が弱くなり、その二色比は２程度であっ
た。４１０ｎｍ付近の発光はポリ［（ｐ−ブトキシフェ
ニル）フェニルシラン）]のσσ＊遷移による発光であ
り、ポリ［（ｐ−ブトキシフェニル）フェニルシラ
ン）]がメカニカルデポジション膜上でエピタキシャル
成長により配向していることによって、偏光している。
【００１０】
【発明の効果】本発明によるＥＬ発光素子は、偏光した
発光を示す光源として適用することが可能である。偏光
板を用いることなく、偏光した光を発光するため、表示
等、偏光光源を必要とする光学システムの小型化や効率
化に寄与することができる。
発光を示す光源として適用することが可能である。偏光
板を用いることなく、偏光した光を発光するため、表示
等、偏光光源を必要とする光学システムの小型化や効率
化に寄与することができる。
【００１１】
【図面の簡単な説明】
【図１】 ＥＬ発光素子 の断面図
【図２】 ホールブロッキング層を持つＥＬ発光素子
の断面図
の断面図
【図３】 ＥＬ発光素子 の電圧依存特性を示す図
【図４】 ＥＬ発光素子 の偏光特性を示す図
１・・・透明陽極板 ２・・・メカニカルデポジション
法ポリシラン配向膜 ３・・・エピタキシャル法ポリシラン配向膜 ４・・・
陰極板 ５・・・ ホールブロッキング層
法ポリシラン配向膜 ３・・・エピタキシャル法ポリシラン配向膜 ４・・・
陰極板 ５・・・ ホールブロッキング層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 南 信次 茨城県つくば市東１ー１ 工業技術院物 質工学工業技術研究所内 (72)発明者 八瀬 清志 茨城県つくば市東１ー１ 工業技術院物 質工学工業技術研究所内 (72)発明者 田辺 義一 茨城県つくば市東１ー１ 工業技術院物 質工学工業技術研究所内 (72)発明者 吉田 勝 茨城県つくば市東１ー１ 工業技術院物 質工学工業技術研究所内 (72)発明者 横川 忍 千葉県野田市山崎2641番地 東京理科大 学理工学部内 (72)発明者 櫻井 英樹 千葉県野田市山崎2641番地 東京理科大 学理工学部内 審査官 今関 雅子 (56)参考文献 特開 平６−350133（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−202878（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−289337（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−78060（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−115669（ＪＰ，Ａ) 特許2535780（ＪＰ，Ｂ２) 特表 平６−508477（ＪＰ，Ａ) 「有機ＥＬ素子とその工業化最前線」 エヌ・ティー・エヌ発行，1998年 ｐ. 183−184「３．偏光発光素子」 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H05B 33/00
Claims (8)
- 【請求項１】 透明陽極板上に溶剤不溶性のポリシラン
を用いて、メカニカルデポジション法により配向させた
第一のポリシラン膜を設け、さらに第一のポリシラン膜
の上に、溶剤可溶性の第二のポリシランを用いて、エピ
タキシャル成長により配向させた第二のポリシラン膜を
設け、第二のポリシラン膜上に陰極板を設けたＥＬ素
子。 - 【請求項２】 第一のポリシラン膜を構成する溶剤不溶
性のポリシランが、ポリジメチルシラン、ポリジエチル
シラン、ポリジプロピルシラン、ポリジフェニルシラン
の１種又は２種以上から選ばれる請求項１に記載された
ＥＬ素子。 - 【請求項３】 第二のポリシラン膜を構成する溶剤可溶
性のポリシランが一般式（１） 【化１】 （式中、Ｒ１及びＲ２は、フェニル基、アルキルフェニ
ル基、アルコキシフェニル基、アルキル基から選ばれる
基であり、 Ｒ１及びＲ２は同じであっても良い。ｎは
３０〜２０，０００の正数である ）で表される繰り返
し構造をもつポリシランの１種又は２種以上から選ばれ
る請求項１又は請求項２のいずれか一つに記載されたＥ
Ｌ素子。 - 【請求項４】 第二のポリシラン膜の膜厚が５０〜５０
０ｎｍである請求項１〜請求項３のいずれか一つに記載
されたＥＬ素子。 - 【請求項５】 第二のポリシラン膜と陰極板の間にホー
ルブロッキング層を設けた請求項１〜請求項４のいずれ
か一つに記載されたＥＬ素子。 - 【請求項６】 ホールブロッキング層がＴＡＺである請
求項１〜請求項５のいずれか一つに記載されたＥＬ素
子。 - 【請求項７】 透明陽極がインジウム−錫酸化物（ＩＴ
Ｏ）であり、陰極がアルミニウムである 請求項１〜請
求項６のいずれか一つに記載されたＥＬ素子。 - 【請求項８】 透明陽極板上に溶剤不溶性のポリシラン
を用いて、メカニカルデポジション法により配向させた
第一のポリシラン膜を設け、さらにメカニカルデポジシ
ョン膜上に、ポリシランを溶剤に溶解し、スピンコート
法によりエピタキシャル配向膜を形成させ、さらにエピ
タキシャル配向膜上に陰極板を設けるＥＬ素子の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10454199A JP3177640B2 (ja) | 1999-04-12 | 1999-04-12 | ポリシランを用いた偏光発光ｅｌ素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10454199A JP3177640B2 (ja) | 1999-04-12 | 1999-04-12 | ポリシランを用いた偏光発光ｅｌ素子及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000294374A JP2000294374A (ja) | 2000-10-20 |
| JP3177640B2 true JP3177640B2 (ja) | 2001-06-18 |
Family
ID=14383362
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10454199A Expired - Lifetime JP3177640B2 (ja) | 1999-04-12 | 1999-04-12 | ポリシランを用いた偏光発光ｅｌ素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3177640B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006256283A (ja) * | 2005-03-18 | 2006-09-28 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 液晶性有機分子多層配向薄膜及びその製造方法 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7854513B2 (en) * | 2006-03-03 | 2010-12-21 | Quach Cang V | One-way transparent display systems |
| CN104039905B (zh) * | 2012-01-10 | 2016-08-31 | 三菱化学株式会社 | 涂料用组合物、多孔质膜、光散射膜和有机电致发光元件 |
-
1999
- 1999-04-12 JP JP10454199A patent/JP3177640B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 「有機ＥＬ素子とその工業化最前線」エヌ・ティー・エヌ発行，１９９８年 ｐ．１８３−１８４「３．偏光発光素子」 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006256283A (ja) * | 2005-03-18 | 2006-09-28 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 液晶性有機分子多層配向薄膜及びその製造方法 |
| JP4524401B2 (ja) * | 2005-03-18 | 2010-08-18 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 液晶性有機分子多層配向薄膜及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000294374A (ja) | 2000-10-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Noda et al. | Organic light-emitting diodes using a novel family of amorphous molecular materials containing an oligothiophene moiety as colour-tunable emitting materials | |
| Wu et al. | Efficient organic blue‐light‐emitting devices with double confinement on terfluorenes with ambipolar carrier transport properties | |
| JP3239991B2 (ja) | エレクトロルミネセンス装置およびその製造方法 | |
| Lamansky et al. | Cyclometalated Ir complexes in polymer organic light-emitting devices | |
| US11581503B2 (en) | Light-emitting diode and method for preparing the same | |
| Hsieh et al. | Chlorine precursor route (CPR) chemistry to poly (p‐phenylene vinylene)‐based light emitting diodes | |
| Xuan et al. | White electroluminescence from a poly (N-vinylcarbazole) layer doped with CdSe/CdS core–shell quantum dots | |
| JP4049948B2 (ja) | エレクトロルミネセント材料としてポリ［２−メトキシ−５−（２’−エチルヘキシルオキシ）−１，４−フェニレン−１，２−エテニレン−２，５−ジメトキシ−１，４−フェニレン−１，２−エテニレン］を含む有機発光ダイオード（ｏｌｅｄ） | |
| Yu et al. | A novel blue light emitting diode using tris (2, 3-methyl-8-hydroxyquinoline) aluminum (III) as emitter | |
| Lin et al. | Enhanced performance of green perovskite quantum dots light-emitting diode based on co-doped polymers as hole transport layer | |
| Edwards et al. | Blue photo-and electroluminescence from poly (benzoyl-1, 4-phenylene) | |
| Jin et al. | Intense green-light emission from 9, 10-bis (4-(1, 2, 2-triphenylvinyl) styryl) anthracene emitting electroluminescent devices | |
| WO1996004687A1 (fr) | Diode electroluminescente organique a jonction p-n | |
| JP3177640B2 (ja) | ポリシランを用いた偏光発光ｅｌ素子及びその製造方法 | |
| Tao et al. | Novel main-chain poly-carbazoles as hole and electron transport materials in polymer light-emitting diodes | |
| TW201010158A (en) | Organic electronic device | |
| Wang et al. | Composites of C 60 based poly (phenylene vinylene) dyad and conjugated polymer for polymer light-emitting devices | |
| Zugang et al. | Organic thin film electroluminescent devices with ZnO: Al as the anode | |
| Zhang et al. | The influence of ZnO nanorods on the poly-(3, 4-ethylenedioxythiophene): poly-(styrenesulphonic acid) buffer layer in a polymer light-emitting diode | |
| Tao et al. | Tetravalent tin complex with high electron affinity for electroluminescent applications | |
| Cea et al. | Single layer polymer electroluminescent devices incorporating new electron transport materials | |
| Jousseaume et al. | Blue double layer devices obtained by spin-coating | |
| KR20090005224A (ko) | 광-전기적 중합체 및 디바이스 | |
| Dong‐Ge et al. | Bright red electroluminescent devices based on a soluble lanthanide complex Eu (DBM) 3 (phen) | |
| Jelić et al. | Efficient electron injecting layer for PLEDs based on (PLAGH) 2 [ZnCl 4] |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |