JP3177087B2 - Hermetic sealing structure and manufacturing method thereof - Google Patents

Hermetic sealing structure and manufacturing method thereof

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JP3177087B2
JP3177087B2 JP4096094A JP4096094A JP3177087B2 JP 3177087 B2 JP3177087 B2 JP 3177087B2 JP 4096094 A JP4096094 A JP 4096094A JP 4096094 A JP4096094 A JP 4096094A JP 3177087 B2 JP3177087 B2 JP 3177087B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、気密封止構造体及びそ
の製造方法に関し、より詳細には、真空管及びガス封入
管の封止技術、特に、微小容積のものの封止技術を用い
た気密封止構造体及びその製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a hermetically sealed structure and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a technology for sealing a vacuum tube and a gas-filled tube, and in particular, a technology for sealing a minute volume. The present invention relates to a hermetically sealed structure and a method for manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、集積回路又は薄膜の分野において
用いられている微細加工技術により、高電界において電
子を放出する電界放出型の微小電子源が開発され、マイ
クロ波増幅素子,変位センサ,平面型ディスプレイ等へ
の応用が検討されている。特に、平面型ディスプレイへ
の応用は、フランスレティ(LETI)のマイヤー(M
ayer)らによるバキュームマイクロエレクトロニクス国
際会議91(IVMC91)に発表された研究報告によ
り知られている。(「RECENT DEVELOPMENTON “MICROTIP
S" DISPLAY AT LETI」(R.Meyer, Technical Digest of
IVMC 91,Nagahama 1991, pp.6〜9))。
2. Description of the Related Art In recent years, a field emission type micro electron source which emits electrons in a high electric field has been developed by a fine processing technique used in the field of an integrated circuit or a thin film. Application to a type display or the like is being studied. In particular, the application to a flat display is described in Meyer (MTI) of France Leti (LETI).
ayer et al., according to a study published in the International Conference on Vacuum Microelectronics 91 (IVMC91). ("RECENT DEVELOPMENTON" MICROTIP
S "DISPLAY AT LETI" (R. Meyer, Technical Digest of
IVMC 91, Nagahama 1991, pp. 6-9)).

【0003】図5及び図6は、従来の平面型ディスプレ
イの構成図で、図5は斜視図、図6は拡大断面斜視図で
ある。図中、11は蛍光体側の基板、12は電子源側の
基板、13は透明電極、14は蛍光体、15はエミッタ
電極、16は絶縁層、17はゲート電極、18は微小エ
ミッタである。透明電極13と蛍光体14が形成されて
いる蛍光体側の基板11と、絶縁層16を挟んでエミッ
タ電極15とゲート電極17によるマトリクスを構成し
ている電子源側の基板12を対向して配置した構造にな
っており、電子源側の基板12のマトリクスの交点部A
には、その拡大断面斜視図である図6に示すように、円
錐形状の微小エミッタ18が形成されている。該微小エ
ミッタ18から電界により電子を放出させ、この電子を
電界により加速し、蛍光体14に衝突させて、該蛍光体
14を発光させることにより表示を行う。
FIG. 5 and FIG. 6 are structural views of a conventional flat display, FIG. 5 is a perspective view, and FIG. 6 is an enlarged sectional perspective view. In the figure, 11 is a substrate on the side of the phosphor, 12 is a substrate on the side of the electron source, 13 is a transparent electrode, 14 is a phosphor, 15 is an emitter electrode, 16 is an insulating layer, 17 is a gate electrode, and 18 is a minute emitter. A substrate 11 on the phosphor side on which the transparent electrode 13 and the phosphor 14 are formed, and a substrate 12 on the electron source side constituting a matrix of the emitter electrode 15 and the gate electrode 17 with the insulating layer 16 interposed therebetween. At the intersection A of the matrix of the substrate 12 on the electron source side.
As shown in FIG. 6 which is an enlarged cross-sectional perspective view, a conical minute emitter 18 is formed. Electrons are emitted from the minute emitter 18 by an electric field, the electrons are accelerated by the electric field, collide with the phosphor 14, and display is performed by causing the phosphor 14 to emit light.

【0004】図7は、従来の平面型ディスプレイの断面
図で、図中、21は封止部分、22はスペーサ、23は
パイプで、その他、図5と同じ作用をする部分は同一の
符号を付してある。スペーサ22を介して対向して配置
した蛍光体側の基板11と、電子源側の基板12及び封
止部分21により真空容器を構成している。この電子源
側の基板12には、排気のためのパイプ23が取付けら
れており、該パイプ23を用いて真空容器を排気した後
に封止される。
FIG. 7 is a sectional view of a conventional flat display, in which 21 is a sealing portion, 22 is a spacer, 23 is a pipe, and other portions having the same functions as those in FIG. It is attached. A vacuum vessel is constituted by the phosphor-side substrate 11 and the electron source-side substrate 12 and the sealing portion 21 which are arranged to face each other with the spacer 22 interposed therebetween. A pipe 23 for exhaustion is attached to the substrate 12 on the electron source side, and the vacuum vessel is evacuated using the pipe 23 and then sealed.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】電界放出型の微小冷陰
極を用いた素子は、安定に動作させるために超高真空を
保持することが肝要であり、好ましくは10-9Torr以下
にガス圧を保持する必要がある。また、これらの電界放
出型の微小冷陰極を用いた素子は、従来の真空管に較べ
て非常に小型化できるというメリットがある。しかし、
この場合、真空を保持するための容器の内容積が非常に
小さいというデメリットがあり、この真空容器の内容積
が小さいということのために、従来の真空管と同じレベ
ルの比較的小量のリークが生じても、真空容器内のガス
圧がかなり上がってしまい、素子の寿命を短くしてしま
うという問題点があった。
In a device using a field emission type micro cold cathode, it is essential to maintain an ultra-high vacuum in order to operate stably, and it is preferable to maintain a gas pressure of 10 -9 Torr or less. Need to hold. In addition, devices using these field emission type micro cold cathodes have the advantage that they can be much smaller than conventional vacuum tubes. But,
In this case, there is a disadvantage that the internal volume of the container for holding the vacuum is very small, and since the internal volume of the vacuum container is small, a relatively small amount of leak at the same level as the conventional vacuum tube is generated. Even if it occurs, there is a problem that the gas pressure in the vacuum vessel rises considerably and the life of the element is shortened.

【0006】本発明は、このような実情に鑑みてなされ
たもので、平面型ディスプレイの気密封止において、対
向させて配置した基板間に設ける封止部分を多重にし、
その多重の封止部分の間の基板に溝をつけることによ
り、多重の封止部分の間の内容積を増やし、容器内を長
時間高真空に保つようにした気密封止構造体及びその製
造方法を提供することを目的としている。
The present invention has been made in view of such circumstances, and in hermetic sealing of a flat display, a sealing portion provided between substrates arranged opposite to each other is multiplexed.
A hermetically sealed structure and a manufacturing method thereof, in which a groove is formed in the substrate between the multiple sealed portions to increase the internal volume between the multiple sealed portions and keep the inside of the container under a high vacuum for a long time. It is intended to provide a way.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、(1)二枚の平板形状の基板を平行に対
向させて配置し、前記基板間に、内側と外側の二重のル
ープ状の封止部分を設け、前記対向基板間に二重の気密
空間を形成し、前記外側封止部分から侵入した気体によ
るガス圧を低くするための容積を設けたこと、更には、
(2)前記(1)において、前記内側の封止部分と前記
外側の封止部分との間の部分の前記二枚の基板の少なく
ともどちらか一方の基板の内側に溝を設けることによ
り、前記内側の封止部分と前記外側の封止部分との間の
容積を大きくしたこと、更には、(3)前記(1)又は
(2)において、前記内側の封止部分と前記外側の封止
部分との間にゲッターを形成したこと、更には、(4)
前記(1)(2)又は(3)の気密封止構造体の製造方
法であって、前記二枚の平行平板の少なくとも一方に前
記封止部分を形成するのための接着層を形成する工程
と、必要としている気密空間内の雰囲気と同様の雰囲気
中において、前記二枚の基板を前記接着層を介して接着
する工程とを含むことを特徴としたものである。
According to the present invention, in order to achieve the above object, (1) two flat substrates are paired in parallel.
With the inner and outer double loops between the substrates.
A double-hermetic seal between the opposing substrates
A space is formed, and gas entering from the outer sealing portion
Volume to lower the gas pressure
(2) In (1), the inner sealing portion and the
Less of the two substrates in the area between the outer sealing part
By providing a groove inside one of the substrates
Between the inner sealing portion and the outer sealing portion.
It has a large volume, and further, (3) (1) or (2), the sealing of the outer and the inner sealing portion
That a getter was formed between the first and second portions, and (4)
(1) A method for manufacturing the hermetically sealed structure according to (2) or (3).
Wherein at least one of said two parallel plates is
Forming an adhesive layer for forming the sealing portion
And an atmosphere similar to the atmosphere in the required hermetic space
Inside, the two substrates are bonded via the bonding layer
And the step of performing

【0008】[0008]

【作用】本発明によれば、真空容器の容積が非常に小さ
い電界放出型の微小冷陰極を用いた素子において、封止
部分を多重にし、それぞれの封止部分間に容積を設けて
いる。この構造では、まず第一段階として、真空容器の
外側の封止層を通して内側の封止層との間の容積部分に
大気からガスがリークして侵入する。さらに第二段階と
して、真空容器の内側の封止層を通して真空容器内にガ
スがリークして侵入するが、このときのリーク量は、真
空容器の外側に封止層と内側の封止層との間の容積部分
と真空容器内との圧力差に比例し、さらに真空容器の外
側の封止層と内側の封止層との間の容積部分が、この部
分へのリークにより侵入したガスの圧力を低く保つため
のバッファーとして機能するために、第一段階のリーク
量に較べて非常に低くなる。このために、封止部分が一
箇所の従来例に較べて、長期にわたり真空容器内を超高
真空に保持することが可能になり、素子寿命を長期化す
ることができる。
According to the present invention, in a device using a field emission type micro cold cathode in which the volume of a vacuum vessel is very small, sealing portions are multiplexed, and a volume is provided between each sealing portion. In this structure, as a first step, gas leaks from the atmosphere and enters the volume between the outer sealing layer of the vacuum container and the inner sealing layer. Further, as a second step, gas leaks into the vacuum vessel through the sealing layer inside the vacuum vessel and enters, and the amount of leakage at this time is such that the sealing layer and the inner sealing layer are outside the vacuum vessel. Is proportional to the pressure difference between the inside and the inside of the vacuum vessel, and the volume between the outer sealing layer and the inner sealing layer of the vacuum vessel is Because it acts as a buffer to keep the pressure low, it is very low compared to the first stage leakage. For this reason, it becomes possible to maintain the inside of the vacuum vessel at an ultra-high vacuum for a longer period of time as compared with the conventional example in which the sealing portion is one place, and the life of the element can be extended.

【0009】[0009]

【実施例】実施例について、図面を参照して以下に説明
する。図1は、本発明による気密封止構造体の一実施例
を説明するための構成図で、電界放出型の微小冷陰極を
用いた平面型ディスプレイの断面図である。図中、1は
蛍光体側の基板、2は電子源側の基板、3,3aは封止
部分、4はスペーサ、5は溝である。
Embodiments will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a structural view for explaining an embodiment of a hermetically sealed structure according to the present invention, and is a cross-sectional view of a flat display using a field emission type micro cold cathode. In the figure, 1 is a substrate on the phosphor side, 2 is a substrate on the electron source side, 3 and 3a are sealing portions, 4 is a spacer, and 5 is a groove.

【0010】スペーサ4を介して対向して配置した蛍光
体側の基板1と、電子源側の基板2及び両基板間の封止
部分3,3aから構成され、蛍光体側の基板1の封止部
分3,3aの間の部分には、封止部分3,3aの間の容
積を大きくするための溝5が形成されている。すなわ
ち、蛍光体側の基板1と、電子放出源側の基板2との間
の封止部分を、内側の封止部分3と外側の封止部分3a
の二重にし、さらに蛍光体側の基板1の内側に溝5をつ
けた形状にすることにより、二重の封止部分の間に容積
を形成する。
[0010] The substrate 1 on the phosphor side opposed to the substrate 1 with the spacer 4 interposed therebetween, the substrate 2 on the electron source side and the sealing portions 3 and 3a between the two substrates, and the sealing portion of the substrate 1 on the phosphor side. A groove 5 for increasing the volume between the sealing portions 3 and 3a is formed in a portion between the sealing portions 3 and 3a. That is, the sealing portion between the substrate 1 on the phosphor side and the substrate 2 on the electron emission source side is changed to the inner sealing portion 3 and the outer sealing portion 3a.
And a groove 5 formed inside the substrate 1 on the phosphor side to form a volume between the double sealing portions.

【0011】図2は、図1における蛍光体側の基板の上
面図で、図中の参照番号は図1と同じである。蛍光体側
の基板1は、厚さ1mmの7059ガラス(コーニング)
基板であり、表示部の外側部分に幅3mm、長さ60mm、
深さ0.5mmの大きさの溝5が二箇所形成されている。
前記基板1上に透明電極として厚さ0.1μmのITO
(インジウム・スズ酸化物)をスパッタリングにより形
成し、該透明電極上に蛍光層として厚さ1μmのZnO:
Znを電子ビーム蒸着により形成する。
FIG. 2 is a top view of the substrate on the phosphor side in FIG. 1, and reference numerals in the figure are the same as those in FIG. The substrate 1 on the phosphor side is 7059 glass (Corning) having a thickness of 1 mm.
The substrate is 3mm wide and 60mm long outside the display.
Two grooves 5 having a depth of 0.5 mm are formed.
0.1 μm thick ITO as a transparent electrode on the substrate 1
(Indium tin oxide) is formed by sputtering, and ZnO having a thickness of 1 μm is formed as a fluorescent layer on the transparent electrode:
Zn is formed by electron beam evaporation.

【0012】図3は、図1における蛍光体側の基板上の
周辺部の構成図で、図中の参照番号は図1と同じであ
る。溝5の内側に一方の封止部分3を設け、前記溝5の
外側に他方の封止部分3aが設けられ、前記両方の封止
部分3,3aは、蛍光体側の基板1上で気密空間を形成
するようにループ状にめぐらされている。真空封止を行
うための封止部分(フリット層)3,3aを、フリット
ガラスペーストをスクリーン印刷により塗布した後、1
20℃による乾燥と450℃による仮焼成を行うことに
より、厚さ120〜150μmに形成する。
FIG. 3 is a structural view of a peripheral portion on the substrate on the side of the phosphor in FIG. 1, and the reference numerals in FIG. 3 are the same as those in FIG. One sealing portion 3 is provided inside the groove 5, and the other sealing portion 3 a is provided outside the groove 5, and the both sealing portions 3, 3 a are in an airtight space on the phosphor-side substrate 1. Are looped around to form After the sealing portions (frit layers) 3 and 3a for performing vacuum sealing are coated with a frit glass paste by screen printing, 1
Drying at 20 ° C. and calcination at 450 ° C. are performed to form a thickness of 120 to 150 μm.

【0013】図1中の電子源側の基板2は、従来例の図
5に示す電子源側の基板12と同様の構成を用いたの
で、以下、図5を用いて説明する。厚さ1mmの7059
ガラス(コーニング)基板12上にそれぞれMoからな
る膜厚0.4μm、幅0.2mmのゲート電極17とエミッ
タ電極15が互いに直交するように配線されており、そ
の各交点にそれぞれMoからなる微小エミッタが約10000
個形成されている。この電子源側の基板2上に形成した
マトリクス状電子源の大きさは60.8mm×83.6mmで
あり、ゲート電極17とエミッタ電極15のピッチはそ
れぞれ0.38mmであり、ゲート電極17とエミッタ電
極15の本数はそれぞれ120本と160本である。
The substrate 2 on the electron source side in FIG. 1 has the same configuration as that of the conventional substrate 12 on the electron source side shown in FIG. 5 and will be described with reference to FIG. 7059 with 1mm thickness
On a glass (corning) substrate 12, a gate electrode 17 and an emitter electrode 15 each having a thickness of 0.4 μm and a width of 0.2 mm made of Mo are wired so as to be orthogonal to each other. About 10,000 emitters
Individually formed. The size of the matrix electron source formed on the substrate 2 on the electron source side is 60.8 mm × 83.6 mm, the pitch between the gate electrode 17 and the emitter electrode 15 is 0.38 mm, respectively, The number of the emitter electrodes 15 is 120 and 160, respectively.

【0014】次に、100μm径のガラスボール状のス
ペーサを散布した状態の電子源側の基板2と、蛍光体側
の基板1を真空チャンバー内にセットし、10-7Torr以
下に排気した後、デガスのため300℃まで両基板を加
熱して、約24時間保持する。その後、両基板を重ね、
約0.1N/cm2の圧力を加えながら500℃まで加熱
し、30分間保持した後、3℃/min以下のレートで室
温まで温度を下げて封着を行う。このように作製した電
界放出型の微小冷陰極を用いた平面型ディスプレイは、
同様に作製した封止部分が一箇所のものに較べて長期間
の安定動作が確認できた。
Next, the substrate 2 on the electron source side and the substrate 1 on the phosphor side in a state where a glass ball-shaped spacer having a diameter of 100 μm is scattered are set in a vacuum chamber and evacuated to 10 −7 Torr or less. Both substrates are heated to 300 ° C. for degas and held for about 24 hours. After that, put both substrates together,
After heating to 500 ° C. while applying a pressure of about 0.1 N / cm 2 and holding for 30 minutes, the temperature is lowered to room temperature at a rate of 3 ° C./min or less to perform sealing. The flat display using the field emission type micro cold cathode manufactured in this way is:
A long-term stable operation was confirmed as compared with the case where the sealing portion was similarly manufactured at one place.

【0015】図4は、本発明による気密封止構造体の他
の実施例を示す図で、電界放出型の微小冷陰極を用いた
平面型ディスプレイの他の断面図である。図中、6はゲ
ッターで、その他、図1と同じ作用をする部分は同一の
符号を付してある。スペーサ4を介して対向して配置し
た蛍光体側の基板1と、電子源側の基板2及び両基板間
の封止部分3,3aから構成され、蛍光体側の基板1の
封止部分3,3aの間の部分には、該封止部分3,3a
の間の容積を大きくするための溝5が形成されている。
さらに、該溝5の表面にはゲッター6が形成されてい
る。
FIG. 4 is a view showing another embodiment of the hermetically sealed structure according to the present invention, and is another sectional view of a flat type display using a field emission type micro cold cathode. In the figure, reference numeral 6 denotes a getter, and other portions having the same functions as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals. It is composed of a substrate 1 on the phosphor side opposed to the substrate 1 with a spacer 4 interposed therebetween, a substrate 2 on the electron source side and sealing portions 3 and 3a between the two substrates, and sealing portions 3 and 3a of the substrate 1 on the phosphor side. Between the sealing portions 3, 3a
A groove 5 is formed to increase the volume between them.
Further, a getter 6 is formed on the surface of the groove 5.

【0016】図1に示す実施例との相違点は、溝5の表
面にゲッター6が形成されていることである。該ゲッタ
ー6は、蛍光体側の基板1上にフリット層3,3aを形
成した後に、溝5の表面にスパッタリングにより金属ゲ
ッターの薄膜を形成しておき、電子源側の基板2と蛍光
体側の基板1を封着した後、レーザ加熱により再蒸発さ
せて活性化することにより形成する。
The difference from the embodiment shown in FIG. 1 is that a getter 6 is formed on the surface of the groove 5. The getter 6 forms the frit layers 3 and 3a on the phosphor-side substrate 1 and then forms a metal getter thin film on the surface of the groove 5 by sputtering, and the electron source-side substrate 2 and the phosphor-side substrate After sealing 1, it is formed by re-evaporating and activating by laser heating.

【0017】本発明は、金属ゲッターの材料により制限
されるものではないが、本実施例では、この金属ゲッタ
ーの材料にMgを5wt%添加したAl(アルミニウム)
を用いた。また、電子源側の基板2の封止部分3,3a
の間の部分の表面には、ゲッター6による電極ライン間
のショートを防ぐために、SiO2の絶縁層を形成してお
く。
Although the present invention is not limited by the material of the metal getter, in this embodiment, Al (aluminum) obtained by adding 5 wt% of Mg to the material of the metal getter is used.
Was used. Also, the sealing portions 3 and 3a of the substrate 2 on the electron source side.
An insulating layer of SiO 2 is formed on the surface of the portion between the electrodes to prevent short circuit between the electrode lines due to the getter 6.

【0018】本実施例では、金属薄膜をレーザ加熱によ
り再蒸発させて活性化させてゲッターを形成している
が、再蒸発させる方法は、レーザ加熱に限られたもので
はなく、高周波加熱や抵抗加熱により再蒸発させてもよ
い。また、Zr−Al,Zr−V−Fe等のZr合金か
らなる非蒸発性のゲッター材料を再蒸発させずに用いて
もよい。このように作製した電界放出型の微小冷陰極を
用いた平面型ディスプレイは、図1に示した実施例と同
様に、封止部分が一箇所のものに較べて長期間の安定動
作が確認できた。
In this embodiment, the getter is formed by re-evaporating the metal thin film by laser heating and activating the metal thin film. However, the method of re-evaporation is not limited to laser heating. It may be re-evaporated by heating. A non-evaporable getter material made of a Zr alloy such as Zr-Al or Zr-V-Fe may be used without re-evaporation. The flat display using the field emission type micro-cathode manufactured in this way can confirm a long-term stable operation as compared with the case where the sealing portion is one, similarly to the embodiment shown in FIG. Was.

【0019】[0019]

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、真空容器の容積が非常に小さい電界放出型の
微小冷陰極を用いた素子において、封止部分を多重に
し、それぞれの封止部分間に容積を設けることによっ
て、長期にわたり真空容器内を超高真空に保持すること
が可能になり、長期にわたり安定動作可能な素子を提供
できる。また、封止部分を多重にすることにより、歩留
まりも向上する。
As is apparent from the above description, according to the present invention, in a device using a field emission type micro cold cathode having a very small volume of a vacuum vessel, the sealing portion is multiplexed, By providing a volume between the sealing portions, it is possible to maintain the inside of the vacuum vessel at an ultra-high vacuum for a long period of time, and to provide an element that can operate stably for a long period of time. Further, by increasing the number of sealing portions, the yield is also improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明による気密封止構造体の一実施例を説明
するための構成図である。
FIG. 1 is a configuration diagram illustrating an embodiment of a hermetically sealed structure according to the present invention.

【図2】図1における蛍光体側の基板の上面図である。FIG. 2 is a top view of a substrate on a phosphor side in FIG. 1;

【図3】図1における蛍光体側の基板上の周辺部の構成
図である。
FIG. 3 is a configuration diagram of a peripheral portion on a substrate on a phosphor side in FIG. 1;

【図4】本発明による気密封止構造体の他の実施例を示
す図である。
FIG. 4 is a view showing another embodiment of the hermetic sealing structure according to the present invention.

【図5】従来の平面型ディスプレイの斜視図である。FIG. 5 is a perspective view of a conventional flat display.

【図6】従来の平面型ディスプレイの拡大断面斜視図で
ある。
FIG. 6 is an enlarged sectional perspective view of a conventional flat panel display.

【図7】従来の平面型ディスプレイの断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view of a conventional flat panel display.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…蛍光体側の基板、2…電子源側の基板、3,3a…
封止部分、4…スペーサ、5…溝、6…ゲッター。
1: substrate on the phosphor side, 2: substrate on the electron source side, 3, 3a ...
Sealing part, 4 spacer, 5 groove, 6 getter.

フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01J 29/86 H01J 9/24 - 9/26 Continuation of front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) H01J 29/86 H01J 9/24-9/26

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 二枚の平板形状の基板を平行に対向させ
て配置し、前記基板間に、内側と外側の二重のループ状
の封止部分を設け、前記対向基板間に二重の気密空間を
形成したことを特徴とする気密封止構造体。
1. A method in which two flat substrates are opposed in parallel.
Between the substrates, inside and outside double loop
To provide a double hermetic space between the opposing substrates.
An airtightly sealed structure characterized by being formed .
【請求項2】 前記内側の封止部分と前記外側の封止部
分との間の部分の前記二枚の基板の少なくともどちらか
一方の基板の内側に溝を設けることにより、前記内側の
封止部分と前記外側の封止部分との間の容積を大きくし
ことを特徴とする請求項1に記載の気密封止構造体。
2. The inner sealing portion and the outer sealing portion.
At least one of the two substrates in the portion between
By providing a groove inside one of the substrates,
Increasing the volume between the sealing part and the outer sealing part
The hermetic sealing structure according to claim 1, wherein:
【請求項3】 前記内側の封止部分と前記外側の封止部
分との間にゲッターを形成したことを特徴とする請求項
又は2記載の気密封止構造体。
3. The inner sealing portion and the outer sealing portion.
3. The hermetically sealed structure according to claim 1 , wherein a getter is formed between the airtight seal structure and the airtight seal structure.
【請求項4】 請求項1乃至3記載の気密封止構造体の
製造方法であって、前記二枚の平板形状の基板の少なく
とも一方に前記封止部分を形成するのための接着層を形
成する工程と、必要としている気密空間内の雰囲気と同
様の雰囲気中において、前記二枚の基板を前記接着層を
介して接着する工程とを含むことを特徴とする気密封止
構造体の製造方法。
4. An airtightly sealed structure according to claim 1, wherein
A method of manufacturing, wherein the two flat substrates are reduced in number.
And forming an adhesive layer for forming the sealing portion on one side.
Process and the atmosphere in the required hermetic space
In such an atmosphere, the two substrates are
Method for manufacturing a hermetically sealed structure you; and a step of bonding through.
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