JP3176334B2 - Package for storing optical semiconductor element and method for manufacturing the same - Google Patents

Package for storing optical semiconductor element and method for manufacturing the same

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JP3176334B2
JP3176334B2 JP972498A JP972498A JP3176334B2 JP 3176334 B2 JP3176334 B2 JP 3176334B2 JP 972498 A JP972498 A JP 972498A JP 972498 A JP972498 A JP 972498A JP 3176334 B2 JP3176334 B2 JP 3176334B2
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optical semiconductor
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semiconductor element
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は光半導体素子を収容
するための光半導体素子収納用パッケージに関し、特に
光半導体素子が載置される熱電冷却素子の電極を接続す
る端子部を改良した光半導体素子収納用パッケージに関
するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical semiconductor device housing package for housing an optical semiconductor device, and more particularly to an optical semiconductor device having an improved terminal portion for connecting electrodes of a thermoelectric cooling device on which the optical semiconductor device is mounted. The present invention relates to an element storage package.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、光半導体素子を収容するための光
半導体素子収納用パッケージは、例えば図5に断面図
で、および図6に分解斜視図で示すように、銅−タング
ステン合金等の金属から成り、その上面中央部に光半導
体素子30が熱電冷却素子としてのペルチェ素子31を介し
て載置される載置部21aを有する平板状の基体21と、鉄
−ニッケル−コバルト合金等の金属から成り、基体21の
上面に載置部21aを囲繞するようにして接合され、側壁
に光ファイバ32を固定するための光ファイバ固定部材22
および切欠き部23aを有する側壁部材23と、酸化アルミ
ニウム質焼結体等のセラミックスから成り、側壁部材23
の切欠き部23aにろう材を介して嵌着接合され、側壁部
材23の内外に導出する多数のメタライズ配線層24が被着
形成されたセラミック端子部25と、鉄−ニッケル−コバ
ルト合金等の金属から成り、側壁部材23およびセラミッ
ク端子部25の上面に接合された封止リング26と、鉄−ニ
ッケル−コバルト合金等の金属から成り、封止リング26
の上面に接合される蓋体27と、鉄−ニッケル合金等の金
属から成り、セラミック端子部25のメタライズ配線層24
の側壁部材23の外側部位に銀ろう等のろう材を介して取
着された外部リード端子28とから構成されており、基体
21の載置部21aに光半導体素子30を間にペルチェ素子31
を介して載置固定するとともに光半導体素子30の各電極
をボンディングワイヤ33を介してセラミック端子部25の
メタライズ配線層24に電気的に接続し、次に封止リング
26の上面に蓋体27を溶接等により取着させ、基体21と側
壁部材23とセラミック端子部25と封止リング26と蓋体27
とから成る容器内部に光半導体素子30を収容し、最後に
側壁部材23に設けた光ファイバ固定部材22に光ファイバ
32を溶接や接着剤によって接合させ、光ファイバ32を側
壁部材23に固定することによって製品としての光半導体
装置となる。
2. Description of the Related Art Conventionally, as shown in a sectional view of FIG. 5 and an exploded perspective view of FIG. And a flat substrate 21 having a mounting portion 21a on the center of the upper surface of which the optical semiconductor element 30 is mounted via a Peltier element 31 as a thermoelectric cooling element, and a metal such as an iron-nickel-cobalt alloy. And an optical fiber fixing member 22 for fixing the optical fiber 32 to the side wall, which is joined to the upper surface of the base 21 so as to surround the mounting portion 21a.
And a side wall member 23 having a notch 23a and a ceramic such as an aluminum oxide sintered body.
And a ceramic terminal portion 25 on which a number of metallized wiring layers 24 are formed and adhered to the inside and outside of the side wall member 23. A sealing ring 26 made of metal and joined to the upper surfaces of the side wall member 23 and the ceramic terminal portion 25; and a sealing ring 26 made of metal such as an iron-nickel-cobalt alloy.
And a metallized wiring layer 24 made of a metal such as an iron-nickel alloy.
And an external lead terminal 28 attached to a portion outside the side wall member 23 through a brazing material such as silver brazing.
An optical semiconductor device 30 is placed between the mounting portion 21a of the Peltier device 31
The electrodes of the optical semiconductor element 30 are electrically connected to the metallized wiring layer 24 of the ceramic terminal section 25 via bonding wires 33, and then the sealing ring
A lid 27 is attached to the upper surface of 26 by welding or the like, and the base 21, the side wall member 23, the ceramic terminal portion 25, the sealing ring 26, and the lid 27
The optical semiconductor element 30 is accommodated in a container consisting of
The optical semiconductor device as a product is obtained by fixing the optical fiber 32 to the side wall member 23 by joining the 32 by welding or an adhesive.

【0003】かかる光半導体装置は、外部電気回路から
供給される電気信号によって光半導体素子30に光を励起
させ、この光を光ファイバ32を介して外部に伝達するこ
とによって高速光通信等に使用される光半導体装置とし
て機能する。
Such an optical semiconductor device is used for high-speed optical communication and the like by exciting light to an optical semiconductor element 30 by an electric signal supplied from an external electric circuit and transmitting the light to the outside via an optical fiber 32. Function as an optical semiconductor device.

【0004】なお、かかる光半導体装置は、光半導体素
子30が作動中に発生する熱を外部に良好に放熱するため
に光半導体素子30と基体21との間にペルチェ素子31が配
置されており、このペルチェ素子31の電極に接続された
リード線34をセラミック端子部25のメタライズ配線層24
に半田付けにより電気的に接続し、外部リード端子28、
メタライズ配線層24およびリード線34を介して外部より
ペルチェ素子31に電力を供給してペルチェ素子31を光半
導体素子30から基体21に熱を移動させる熱ポンプとして
作動させ、光半導体素子30が作動時に発生する熱をペル
チェ素子31を介して基体21に強制的に伝達し基体21から
大気中に放散することによって光半導体素子30の温度を
常に定温として、光半導体素子30が常に安定して作動す
るようになしている。
In this optical semiconductor device, a Peltier element 31 is disposed between the optical semiconductor element 30 and the base 21 in order to radiate heat generated during operation of the optical semiconductor element 30 to the outside. The lead wire 34 connected to the electrode of the Peltier element 31 is connected to the metallized wiring layer 24 of the ceramic terminal 25.
To the external lead terminals 28,
Power is supplied to the Peltier element 31 from the outside via the metallization wiring layer 24 and the lead wire 34, and the Peltier element 31 is operated as a heat pump for transferring heat from the optical semiconductor element 30 to the base 21, and the optical semiconductor element 30 is operated. The generated heat is forcibly transmitted to the base 21 via the Peltier element 31 and is radiated from the base 21 to the atmosphere, so that the temperature of the optical semiconductor element 30 is always constant, so that the optical semiconductor element 30 always operates stably. I am trying to do it.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の光半導体素子収納用パッケージによれば、近時の光
半導体装置の小型化に伴い、セラミック端子部25に形成
されたメタライズ配線層24の隣接間隔が例えば約1mm
以下の狭いものとなってきていること、およびセラミッ
ク端子部25のメタライズ配線層24にペルチェ素子31の電
極に接続されたリード線34を半田付けする作業が一般に
手作業で行なわれることから、ペルチェ素子31の電極に
接続されたリード線34をセラミック端子部25のメタライ
ズ配線層24に半田付けする際に、メタライズ配線層24と
リード線34との間に形成される半田溜りの一部が作業ば
らつきに起因する半田過多等により隣接するメタライズ
配線層24に接触して半田ブリッジを起こし、その結果、
ペルチェ素子31の電極に接続されたリード線34が半田付
けされたメタライズ配線層24とこれに隣接するメタライ
ズ配線層24とが半田ブリッジにより電気的に短絡を起こ
してしまい、ペルチェ素子31や内部に収容する光半導体
素子30を正常に作動させることが不可能となってしまう
という問題点を有していた。
However, according to the conventional optical semiconductor element housing package, the size of the metallized wiring layer 24 formed on the ceramic terminal portion 25 has been increased due to recent miniaturization of the optical semiconductor device. The interval is, for example, about 1 mm
Since the following narrowing and the work of soldering the lead wire 34 connected to the electrode of the Peltier element 31 to the metallized wiring layer 24 of the ceramic terminal section 25 are generally performed manually, When soldering the lead wire 34 connected to the electrode of the element 31 to the metallized wiring layer 24 of the ceramic terminal part 25, a part of the solder pool formed between the metallized wiring layer 24 and the lead wire 34 works. Contact with the adjacent metallized wiring layer 24 due to excessive solder or the like due to the variation causes a solder bridge, and as a result,
The metallized wiring layer 24 to which the lead wire 34 connected to the electrode of the Peltier element 31 is soldered and the metallized wiring layer 24 adjacent thereto are electrically short-circuited by a solder bridge, and the Peltier element 31 and the inside are There is a problem that it becomes impossible to normally operate the optical semiconductor element 30 to be housed.

【0006】なお、ペルチェ素子31の電極に接続された
リード線34をセラミック端子部25のメタライズ配線層24
にスポット溶接法等の溶接法により溶接することによ
り、隣接するメタライズ配線層24間が半田ブリッジによ
り短絡することを防止することも考えられるが、一般に
セラミック端子部25の表面に被着されたメタライズ配線
層24にリード線34をスポット溶接法等により溶接するこ
とは困難である。
The lead wire 34 connected to the electrode of the Peltier element 31 is connected to the metallized wiring layer 24 of the ceramic terminal 25.
It is also conceivable to prevent a short circuit between adjacent metallized wiring layers 24 by a solder bridge by welding with a welding method such as a spot welding method, but generally, a metallized layer adhered to the surface of the ceramic terminal portion 25 is considered. It is difficult to weld the lead wire 34 to the wiring layer 24 by spot welding or the like.

【0007】本発明は、上記問題点に鑑み案出されたも
のであり、ペルチェ素子等の熱電冷却素子の電極に接続
されたリード線をセラミック端子部のメタライズ配線層
に、隣接するメタライズ配線層との間に電気的に短絡を
発生させることなく接続することができ、その結果、内
部に収容する熱電冷却素子および光半導体素子を常に正
常に作動させることができる光半導体素子収納用パッケ
ージおよびその製造方法を提供することを目的とするも
のである。
The present invention has been devised in view of the above-mentioned problems, and a lead wire connected to an electrode of a thermoelectric cooling element such as a Peltier element is connected to a metallized wiring layer of a ceramic terminal portion and an adjacent metallized wiring layer. And an optical semiconductor element housing package capable of always operating normally the thermoelectric cooling element and the optical semiconductor element housed therein, and an optical semiconductor element housing package therefor. It is intended to provide a manufacturing method .

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明の光半導体素子収
納用パッケージは、上面中央部に光半導体素子が熱電冷
却素子を介して載置される載置部を有する基体と、この
基体の上面に前記載置部を囲繞するようにして接合され
た金属から成る枠状の側壁部材と、この側壁部材を貫通
するとともに側壁部材の内側に位置する部位に前記熱電
冷却素子の電極がリード線を介して電気的に接合される
メタライズ配線層を有するセラミック端子部と、前記側
壁部材の上面に接合される蓋体とを具備する光半導体素
子収納用パッケージであって、前記メタライズ配線層
に、前記リード線が接続される金属端子がその一端を前
記セラミック端子部から前記側壁部材の内側に突出させ
てろう付けされていることを特徴とするものである。ま
た、本発明の光半導体素子収納用パッケージの製造方法
は、上面中央部に光半導体素子が熱電冷却素子を介して
載置される載置部を有する基体、枠状の金属から成りか
つ側壁に切欠き部を設けた側壁部材、この側壁部材の前
記切欠き部に接合される、側壁部材を貫通するメタライ
ズ配線層を有するセラミック端子部、および前記メタラ
イズ配線層の前記側壁部材の外側に位置する部位に接合
される外部リード端子と内側に位置する部位に接合され
る、前記熱電冷却素子の電極がリード線を介して接続さ
れる金属端子とが支持枠体で一体に連結されて成るリー
ドフレームを準備する工程と、このリードフレームの前
記外部リード端子および前記金属端子を前記セラミック
端子部の対応する前記メタライズ配線層に接合した後、
前記外部リード端子が前記セラミック端子部から外側
に、かつ前記金属端子が内側に突出するように、前記外
部リード端子および前記金属端子から前記支持枠体を切
断して各前記外部リード端子および前記金属端子を電気
的に独立させる工程と、前記基体の上面に前記搭載部を
囲繞するようにして前記枠体を接合するとともに、この
枠体の前記切欠き部に前記セラミック端子部を接合する
工程とを具備することを特徴とするものである。
According to the present invention, there is provided a package for storing an optical semiconductor element, wherein the optical semiconductor element has a mounting portion on the center of the upper surface via a thermoelectric cooling element, and a top surface of the base. The frame-shaped side wall member made of metal joined so as to surround the mounting portion, and the electrode of the thermoelectric cooling element has a lead wire at a portion penetrating the side wall member and located inside the side wall member. An optical semiconductor element housing package comprising: a ceramic terminal portion having a metallized wiring layer electrically connected to the package via a metallized wiring layer; and a lid bonded to an upper surface of the side wall member. A metal terminal to which a lead wire is connected is brazed by projecting one end of the metal terminal from the ceramic terminal portion to the inside of the side wall member. In addition, the method for manufacturing an optical semiconductor element housing package of the present invention includes a base having a mounting portion on which an optical semiconductor element is mounted via a thermoelectric cooling element at a central portion of an upper surface, a frame-shaped metal and a side wall. A side wall member provided with a notch portion, a ceramic terminal portion having a metallized wiring layer penetrating the side wall member, joined to the notch portion of the side wall member, and a ceramic terminal portion located outside the side wall member of the metallized wiring layer A lead frame in which an external lead terminal joined to a portion and a metal terminal joined to a portion located inside and connected to the electrode of the thermoelectric cooling element via a lead wire are integrally connected by a support frame. And after joining the external lead terminal and the metal terminal of the lead frame to the corresponding metallized wiring layer of the ceramic terminal portion,
The support frame is cut from the external lead terminal and the metal terminal so that the external lead terminal projects outward from the ceramic terminal portion and the metal terminal projects inward. A step of electrically isolating the terminals and a step of joining the frame body so as to surround the mounting portion on the upper surface of the base, and a step of joining the ceramic terminal section to the notch of the frame body. It is characterized by having.

【0009】本発明の光半導体素子収納用パッケージに
よれば、熱電冷却素子の電極がリード線を介して電気的
に接続されるメタライズ配線層に、リード線が接合され
る金属端子がその一端をセラミック端子部から側壁部材
の内側に突出させてろう付けされていることから、この
金属端子にリード線を溶接により容易に接続することが
できる。
According to the package for housing an optical semiconductor element of the present invention, one end of the metal terminal to which the lead wire is joined is connected to the metallized wiring layer to which the electrode of the thermoelectric cooling element is electrically connected via the lead wire. Since the brazing is made to protrude from the ceramic terminal portion to the inside of the side wall member, a lead wire can be easily connected to the metal terminal by welding.

【0010】また本発明の光半導体素子収納用パッケー
ジによれば、熱電冷却素子の電極が接続されるメタライ
ズ配線層にろう付けされた金属端子はその一端がセラミ
ック端子部から側壁部材の内側に突出していることか
ら、この金属端子の突出した部位にリード線を溶接すれ
ば、溶接の熱がセラミック端子部に多量に吸収されるこ
とがないのでリード線を金属端子に短時間で効率よく溶
接することができる。
Further, according to the package for housing an optical semiconductor element of the present invention, one end of the metal terminal brazed to the metallized wiring layer to which the electrode of the thermoelectric cooling element is connected projects from the ceramic terminal portion to the inside of the side wall member. Therefore, if the lead wire is welded to the protruding portion of the metal terminal, a large amount of heat of the welding is not absorbed by the ceramic terminal portion, so that the lead wire is efficiently welded to the metal terminal in a short time. be able to.

【0011】また、この金属端子の突出した部位にリー
ド線を半田付けすれば、たとえ半田の過多があったとし
ても半田の溜りは金属端子の突出した部位とリード線と
の間に形成されるので、隣接するメタライズ配線層間に
半田ブリッジを発生させて短絡させることなくリード線
を接続することができる。
If a lead wire is soldered to the protruding portion of the metal terminal, a solder pool is formed between the protruding portion of the metal terminal and the lead wire even if there is an excessive amount of solder. Therefore, a lead wire can be connected without generating a solder bridge between adjacent metallized wiring layers and causing a short circuit.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】次に、本発明の光半導体素子収納
用パッケージを添付の図面に基づき詳細に説明する。
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a perspective view showing a package for housing an optical semiconductor device according to the present invention.

【0013】図1および図2はそれぞれ本発明の光半導
体素子収納用パッケージの実施の形態の一例を示す断面
図および分解斜視図であり、これらの図において1は基
体、2は枠体、3は蓋体である。これら基体1と枠体2
と蓋体3とで内部に光半導体素子4およびペルチェ素子
等の熱電冷却素子5を収容する容器が構成される。
FIGS. 1 and 2 are a cross-sectional view and an exploded perspective view, respectively, showing an embodiment of the package for housing an optical semiconductor element according to the present invention. Is a lid. These base 1 and frame 2
The lid 3 constitutes a container for housing the optical semiconductor element 4 and a thermoelectric cooling element 5 such as a Peltier element.

【0014】基体1は、銅−タングステン合金・鉄−ニ
ッケル−コバルト合金等の金属または窒化アルミニウム
質焼結体・酸化アルミニウム質焼結体等のセラミックス
から成る略長方形の平板であり、その上面中央部には光
半導体素子4を載置するための載置部1aを有してお
り、載置部1a上には光半導体素子4が間に熱電冷却素
子5を介して金−シリコンろう材等の接着剤により接着
固定される。
The substrate 1 is a substantially rectangular flat plate made of a metal such as a copper-tungsten alloy or an iron-nickel-cobalt alloy or a ceramic such as an aluminum nitride sintered body or an aluminum oxide sintered body. The mounting portion 1a has a mounting portion 1a on which the optical semiconductor device 4 is mounted. The optical semiconductor device 4 is provided on the mounting portion 1a with a thermoelectric cooling element 5 interposed therebetween, such as a gold-silicon brazing material. Adhesively fixed.

【0015】基体1は、例えば銅−タングステン合金か
ら成る場合、タングステン粉末(粒径約10μm)を1000
kgf/cm2 の圧力で加圧成形するとともにこれを還
元雰囲気中で約2300℃の温度で焼成して多孔質のタング
ステン焼結体を得、次に1100℃の温度で加熱溶融させた
銅をタングステン焼結体の多孔部分に毛管現象を利用し
て含浸させることによって製作される。基体1の上面に
は、載置部1aを囲繞するようにして、例えば鉄−ニッ
ケル−コバルト合金等の金属から成る側壁部材6と、酸
化アルミニウム質焼結体や窒化アルミニウム質焼結体等
のセラミックスから成るセラミック端子部7と、鉄−ニ
ッケル−コバルト合金等の金属から成る封止リング8と
から構成される枠体2が取着されており、枠体2の内部
に光半導体素子4および熱電冷却素子5を収容するため
の空所が形成される。
When the substrate 1 is made of, for example, a copper-tungsten alloy, tungsten powder (particle size: about 10 μm) is
It is pressed at a pressure of kgf / cm 2 and calcined in a reducing atmosphere at a temperature of about 2300 ° C. to obtain a porous tungsten sintered body. It is manufactured by impregnating a porous portion of a tungsten sintered body using a capillary phenomenon. On the upper surface of the base 1, a side wall member 6 made of a metal such as an iron-nickel-cobalt alloy and an aluminum oxide sintered body or an aluminum nitride sintered body are provided so as to surround the mounting portion 1a. A frame body 2 composed of a ceramic terminal portion 7 made of ceramics and a sealing ring 8 made of a metal such as an iron-nickel-cobalt alloy is attached. A space for accommodating the thermoelectric cooling element 5 is formed.

【0016】枠体2は、側壁部材6とセラミック端子部
7と封止リング8が銀ろう等のろう材を介して互いに接
合されており、さらに側壁部材6が基体1に銀ろう等の
ろう材を介して接合されることにより基体1に取着され
ている。
In the frame 2, the side wall member 6, the ceramic terminal portion 7, and the sealing ring 8 are joined to each other via a brazing material such as silver brazing. It is attached to the base 1 by being joined via a material.

【0017】側壁部材6は、上面視で基体1より短い略
長方形状の枠状体であり、セラミック端子部3および後
述する光ファイバ固定部材9を支持する作用をなす。
The side wall member 6 is a substantially rectangular frame-like body shorter than the base 1 when viewed from above, and functions to support the ceramic terminal portion 3 and an optical fiber fixing member 9 described later.

【0018】側壁部材6は、例えば鉄−ニッケル−コバ
ルト合金から成る場合、鉄−ニッケル−コバルト合金の
インゴットに従来周知の金属加工を施すことによって所
定の枠状に形成される。
When the side wall member 6 is made of, for example, an iron-nickel-cobalt alloy, it is formed in a predetermined frame shape by subjecting an ingot of the iron-nickel-cobalt alloy to a conventionally known metal working.

【0019】側壁部材6の一方の短辺側壁には内部に収
容する光半導体素子4との間で光信号を授受するための
光ファイバ10が挿通固定される光ファイバ固定部材9が
側壁を貫通するようにして銀ろう等のろう材を介して取
着されている。
On one short side wall of the side wall member 6, an optical fiber fixing member 9 through which an optical fiber 10 for transmitting and receiving an optical signal to and from an optical semiconductor element 4 housed therein is inserted and fixed. It is attached via a brazing material such as silver brazing.

【0020】光ファイバ固定部材9は、例えば鉄−ニッ
ケル−コバルト合金等の金属から成る略円筒体であり、
側壁部材6の内側の端部がサファイアやガラス等の透光
性材料から成る窓部材11で塞がれており、外側の端部か
ら光ファイバ10が挿通固定される。
The optical fiber fixing member 9 is a substantially cylindrical body made of a metal such as an iron-nickel-cobalt alloy.
An inner end of the side wall member 6 is closed with a window member 11 made of a light-transmitting material such as sapphire or glass, and an optical fiber 10 is inserted and fixed from the outer end.

【0021】光ファイバ10は、その端部に金属製フラン
ジ10aを予め取着させておくとともに、金属製フランジ
10aを例えばレーザー溶接法を採用して光ファイバ固定
部材9に溶接することにより側壁部材6に固定され、こ
れにより光ファイバ10を介して内部に収容する光半導体
素子4と外部との光信号の授受が可能となる。
The optical fiber 10 has a metal flange 10a attached to its end in advance, and a metal flange 10a.
The optical signal 10a is fixed to the side wall member 6 by welding the optical fiber 10a to the optical fiber fixing member 9 using, for example, a laser welding method. Transfer is possible.

【0022】また側壁部材6には、両方の長辺側壁の上
面側に切欠き部6aがそれぞれ設けられており、これら
の切欠き部6a内にはセラミック端子部7が銀ろう等の
ろう材を介して接合されている。
The side wall member 6 is provided with notches 6a on the upper surfaces of both long side walls, respectively. In these notches 6a, the ceramic terminal portions 7 are provided with a brazing material such as silver brazing material. Are joined through.

【0023】セラミック端子部7は、図3に要部斜視図
で示すように、酸化アルミニウム質焼結体等のセラミッ
クスから成り、側壁部材6の内側に突出する突出部7a
および外側に突出する突出部7bを有する断面が逆T字
型の絶縁部材であり、突出部7a上面から突出部7bに
かけては枠体2の内外を電気的に接続するための複数の
メタライズ配線層12が枠体2を貫通するように被着形成
されており、さらにセラミック端子部7の上下面および
側面にはセラミック端子部7を側壁部材6および封止リ
ング8にろう付けするための接合用金属となるメタライ
ズ金属層13が被着形成されている。
The ceramic terminal portion 7 is made of a ceramic such as an aluminum oxide sintered body as shown in FIG.
And a plurality of metallized wiring layers for electrically connecting the inside and outside of the frame 2 from the upper surface of the protrusion 7a to the protrusion 7b. 12 is formed so as to penetrate the frame body 2, and is further provided on the upper and lower surfaces and side surfaces of the ceramic terminal portion 7 for joining the ceramic terminal portion 7 to the side wall member 6 and the sealing ring 8. A metallized metal layer 13 serving as a metal is formed by deposition.

【0024】セラミック端子部7は枠体2の一部となっ
て側壁部材6の内外を気密に仕切るとともに枠体2の内
外を結ぶ導電路を提供する作用をなし、メタライズ配線
層12のうち突出部7aに被着された部位にはそれぞれ光
半導体素子4の各電極がボンディングワイヤ14を介して
電気的に接続されるとともに熱電冷却素子5の電極に接
続されたリード線15が電気的に接続され、またメタライ
ズ配線層12のうち突出部7bに被着された部位には外部
電気回路に接続するための外部リード端子16が銀ろう等
のろう材を介して取着される。
The ceramic terminal portion 7 functions as a part of the frame 2 to airtightly partition the inside and the outside of the side wall member 6 and to provide a conductive path connecting the inside and the outside of the frame 2. Each electrode of the optical semiconductor element 4 is electrically connected to a portion attached to the portion 7a via a bonding wire 14, and a lead wire 15 connected to an electrode of the thermoelectric cooling element 5 is electrically connected. An external lead terminal 16 for connection to an external electric circuit is attached to a portion of the metallized wiring layer 12 which is attached to the protruding portion 7b via a brazing material such as silver brazing.

【0025】セラミック端子部7は、例えば酸化アルミ
ニウム質焼結体から成る場合、酸化アルミニウム・酸化
珪素・酸化カルシウム・酸化マグネシウム等の原料粉末
に適当な有機バインダや可塑剤・分散剤・溶剤等を添加
混合して泥漿状となすとともにこれを従来周知のドクタ
ーブレード法を採用してシート状となすことによって複
数枚のセラミックグリーンシートを得、しかる後、これ
らのセラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を
施すとともにメタライズ配線層12となる金属ペーストを
印刷塗布して積層し、最後にこの積層体にメタライズ金
属層13となる金属ペーストを印刷塗布するとともに還元
雰囲気中で約1600℃の温度で焼成することによって製作
される。
When the ceramic terminal portion 7 is made of, for example, an aluminum oxide sintered body, a suitable organic binder, a plasticizer, a dispersant, a solvent, and the like are added to the raw material powder such as aluminum oxide, silicon oxide, calcium oxide, and magnesium oxide. A plurality of ceramic green sheets are obtained by adding and mixing to form a slurry and forming a sheet by employing a conventionally known doctor blade method, and thereafter, these ceramic green sheets are appropriately punched. Apply and paste the metal paste to be the metallized wiring layer 12 by printing and laminating. Finally, print and apply the metal paste to be the metallized metal layer 13 to this laminate and bake it at a temperature of about 1600 ° C. in a reducing atmosphere. Produced by

【0026】なお、メタライズ配線層12およびメタライ
ズ金属層13となる金属ペーストは、タングステン・モリ
ブデン・マンガン等の高融点金属粉末に適当な有機バイ
ンダや溶剤を添加混合してペースト状となしたものを従
来周知のスクリーン印刷法を採用して印刷することによ
りセラミックグリーンシートおよびその積層体に印刷塗
布される。
The metal paste to be the metallized wiring layer 12 and the metallized metal layer 13 is obtained by adding a suitable organic binder or a solvent to a high melting point metal powder such as tungsten, molybdenum, manganese or the like and mixing it to form a paste. The ceramic green sheet and its laminate are printed and applied by printing using a conventionally known screen printing method.

【0027】さらに、セラミック端子部7には、熱電冷
却素子5の電極に接続されたリード線15が接続されるメ
タライズ配線層12の突出部7a上の部位に鉄−ニッケル
−コバルト合金や鉄−ニッケル合金等の金属から成る金
属端子17がその一端をセラミック端子部7から内側に突
出するようにして銀ろう等のろう材を介して接合されて
いる。金属端子17は、熱電冷却素子5の電極に接続され
たリード線15をメタライズ配線層12に接続するための下
地金属部材として作用し、金属端子17のセラミック端子
部7から突出した部位にリード線15を溶接や半田付けす
ることによって、リード線15がメタライズ金属層12に電
気的に接続されることとなる。
Further, the ceramic terminal portion 7 is provided with an iron-nickel-cobalt alloy or an iron-nickel-cobalt alloy at a portion on the protruding portion 7a of the metallized wiring layer 12 to which the lead wire 15 connected to the electrode of the thermoelectric cooling element 5 is connected. A metal terminal 17 made of a metal such as a nickel alloy is joined via a brazing material such as silver solder so that one end of the metal terminal 17 projects inward from the ceramic terminal portion 7. The metal terminal 17 serves as a base metal member for connecting the lead wire 15 connected to the electrode of the thermoelectric cooling element 5 to the metallized wiring layer 12, and the lead wire is provided at a portion of the metal terminal 17 projecting from the ceramic terminal portion 7. By welding or soldering 15, the lead wire 15 is electrically connected to the metallized metal layer 12.

【0028】金属端子17は、鉄−ニッケル−コバルト合
金や鉄−ニッケル合金等の金属から成ることから、リー
ド線15を金属端子17に容易に溶接することができるの
で、リード線15を金属端子17に溶接すれば、リード線15
をメタライズ配線層12にこれと隣接するメタライズ配線
層12との間に短絡を発生させることなく電気的に接続す
ることができる。またリード線15を金属端子17のセラミ
ック端子部7から突出した部位に溶接することで、溶接
の熱がセラミック端子部7に多量に吸収されることが有
効に防止され、リード線15を金属端子17に短時間で効率
良く溶接することができる。さらにリード線15を金属端
子17のセラミック端子部7から突出した部位に半田付け
すると、たとえ半田の過多があったとしても半田の溜り
は金属端子17のセラミック端子部7から突出した部位と
リード線15との間に形成されるので、この溜りが隣接す
るメタライズ配線層12に接触して電気的な短絡を起こす
ことはない。
Since the metal terminal 17 is made of a metal such as an iron-nickel-cobalt alloy or an iron-nickel alloy, the lead wire 15 can be easily welded to the metal terminal 17. If welded to 17, lead wire 15
Can be electrically connected to the metallized wiring layer 12 without causing a short circuit between the metallized wiring layer 12 and the adjacent metallized wiring layer 12. Also, by welding the lead wire 15 to a portion of the metal terminal 17 projecting from the ceramic terminal portion 7, a large amount of welding heat can be effectively prevented from being absorbed by the ceramic terminal portion 7. 17 can be welded efficiently in a short time. Further, when the lead wire 15 is soldered to a portion of the metal terminal 17 protruding from the ceramic terminal portion 7, even if there is an excessive amount of solder, the solder puddle is formed between the portion of the metal terminal 17 protruding from the ceramic terminal portion 7 and the lead wire. Since this is formed between the metallization wiring layer 15 and the metallization wiring layer 12, the pool does not come into contact with the adjacent metallized wiring layer 12 to cause an electrical short circuit.

【0029】なお、金属端子17は、外部リード端子16と
同じ材質で形成すれば、後述するように外部リード端子
16をセラミック端子部7のメタライズ配線層12にろう付
けする際に、これと同時に金属端子17をメタライズ配線
層12にろう付けすることが可能となるので、金属端子17
は外部リード端子16と同じ材料で形成することが好まし
い。
If the metal terminal 17 is formed of the same material as that of the external lead terminal 16, the external lead terminal 16 will be described later.
When the metal terminal 17 is brazed to the metallized wiring layer 12 of the ceramic terminal portion 7, the metal terminal 17 can be brazed to the metallized wiring layer 12 at the same time.
Is preferably formed of the same material as the external lead terminal 16.

【0030】また、セラミック端子部7から突出させた
金属端子17の一端は、図1〜図3に示したようにメタラ
イズ配線層14と平行な方向の他にも、上方にあるいは下
方に突出するようにしても、また左右に屈曲させてもよ
く、その方向は光半導体装置の仕様に応じて適宜設定す
ればよい。
One end of the metal terminal 17 protruding from the ceramic terminal portion 7 protrudes upward or downward in addition to the direction parallel to the metallized wiring layer 14 as shown in FIGS. Alternatively, it may be bent right and left, and the direction may be appropriately set according to the specifications of the optical semiconductor device.

【0031】セラミック端子部7のメタライズ配線層12
の突出部7b上の部位に取着された外部リード端子16
は、鉄−ニッケル−コバルト合金や鉄−ニッケル合金等
の金属から成り、内部に収容する光半導体素子4および
熱電冷却素子5を外部電気回路に接続する作用をなし、
外部リード端子16を外部電気回路の配線導体に電気的に
接続することによって内部に収容する光半導体素子4お
よび熱電冷却素子5が外部電気回路に電気的に接続され
ることとなる。
The metallized wiring layer 12 of the ceramic terminal 7
External lead terminal 16 attached to the portion on the protrusion 7b
Is made of a metal such as an iron-nickel-cobalt alloy or an iron-nickel alloy, and serves to connect the optical semiconductor element 4 and the thermoelectric cooling element 5 housed therein to an external electric circuit,
By electrically connecting the external lead terminals 16 to the wiring conductors of the external electric circuit, the optical semiconductor element 4 and the thermoelectric cooling element 5 housed inside are electrically connected to the external electric circuit.

【0032】なお、金属端子17および外部リード端子16
をセラミック端子部7のメタライズ配線層12にろう付け
するには、図4に上面図で示すように、多数の外部リー
ド端子16および金属端子17が支持枠体18で一体に連結さ
れて成るリードフレームAを準備するとともに、このリ
ードフレームAの各外部リード端子16および金属端子17
をセラミック端子部7の対応するメタライズ配線層12に
銀ろう等のろう材を介してろう付けし、しかる後、リー
ドフレームAを破線で示す部位で切断し、各外部リード
端子16および金属端子17を電気的に独立させる方法が好
適に採用される。
The metal terminal 17 and the external lead terminal 16
In order to braze the metallized wiring layer 12 of the ceramic terminal portion 7, as shown in the top view of FIG. 4, a plurality of external lead terminals 16 and metal terminals 17 are integrally connected by a support frame 18. While preparing the frame A, the external lead terminals 16 and the metal terminals 17 of the lead frame A are prepared.
Is brazed to the corresponding metallized wiring layer 12 of the ceramic terminal portion 7 via a brazing material such as silver brazing. Thereafter, the lead frame A is cut at a portion indicated by a broken line, and the external lead terminals 16 and the metal terminals 17 are cut. Is preferably employed.

【0033】側壁部材6の上面およびセラミック端子部
7の上面には、例えば鉄−ニッケル−コバルト合金等の
金属から成る枠状の封止リング8が銀ろう等のろう材を
介して接合されている。
A frame-shaped sealing ring 8 made of a metal such as an iron-nickel-cobalt alloy is joined to the upper surface of the side wall member 6 and the upper surface of the ceramic terminal portion 7 via a brazing material such as silver brazing. I have.

【0034】この封止リング8は、蓋体3を枠体2に溶
接するための下地金属として作用し、その上面には蓋体
3がシーム溶接等の溶接法や銀ろう等のろう材を介した
ろう付け法により接合される。
The sealing ring 8 acts as a base metal for welding the lid 3 to the frame 2, and the lid 3 is provided on the upper surface with a welding method such as seam welding or a brazing material such as silver solder. It is joined by an intermediate brazing method.

【0035】封止リング8の上面に接合される蓋体3
は、例えば鉄−ニッケル−コバルト合金等の金属から成
る略長方形の平板であり、この蓋体3が封止リング8に
接合されることにより基体1と枠体2と蓋体3とから成
る容器の内部に光半導体素子4および熱電冷却素子5が
気密に封止されることとなる。
The lid 3 joined to the upper surface of the sealing ring 8
Is a substantially rectangular flat plate made of a metal such as an iron-nickel-cobalt alloy. The lid 3 is joined to a sealing ring 8 to form a container comprising the base 1, the frame 2 and the lid 3. The optical semiconductor element 4 and the thermoelectric cooling element 5 are hermetically sealed inside.

【0036】かくして、本発明の光半導体素子収納用パ
ッケージによれば、基体1の載置部1aに光半導体素子
4を間に熱電冷却素子6を介して接着固定し、しかる
後、熱電冷却素子6の電極に接続されたリード線15を金
属端子17に溶接や半田付けにより接合するとともに光半
導体素子4の各電極をボンディングワイヤ14を介してメ
タライズ配線層12に接続し、その後封止リング8の上面
に蓋体3を接合して基体1と枠体2と蓋体3とから成る
容器内部に光半導体素子4および熱電冷却素子5を気密
に収容し、最後に光ファイバ固定部材9に光ファイバ10
を固定することによって、光ファイバ10を介して内部に
収容する光半導体素子4と外部との光信号の授受が可能
な最終製品としての光半導体装置となる。
Thus, according to the package for housing an optical semiconductor element of the present invention, the optical semiconductor element 4 is bonded and fixed to the mounting portion 1a of the base 1 with the thermoelectric cooling element 6 interposed therebetween. The lead wire 15 connected to the electrode 6 is joined to the metal terminal 17 by welding or soldering, and each electrode of the optical semiconductor element 4 is connected to the metallized wiring layer 12 via the bonding wire 14. The optical semiconductor element 4 and the thermoelectric cooling element 5 are hermetically accommodated in a container composed of the base 1, the frame 2 and the lid 3, and finally the optical fiber fixing member 9 Fiber 10
By fixing the optical semiconductor device, an optical semiconductor device as a final product capable of transmitting and receiving an optical signal between the optical semiconductor element 4 housed therein through the optical fiber 10 and the outside is obtained.

【0037】なお、本発明の光半導体素子収納用パッケ
ージは上述の実施の形態の一例に限定されるものではな
く、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更
は可能である。例えば、上述の実施の形態の一例では枠
体2は金属から成る側壁部材6とセラミック端子部7と
金属から成る封止リング8とから形成されていたが、枠
体2は側壁部材6がセラミック端子部7と同時に一体的
に形成されたセラミックスで形成されていてもよく、さ
らにこの場合、枠体2は金属から成る封止リング8を有
していなくても良い。
The package for housing an optical semiconductor element of the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the gist of the present invention. For example, in the above-described embodiment, the frame 2 is formed of the side wall member 6 made of metal, the ceramic terminal portion 7 and the sealing ring 8 made of metal. It may be formed of ceramics integrally formed at the same time as the terminal portion 7, and in this case, the frame 2 need not have the sealing ring 8 made of metal.

【0038】[0038]

【発明の効果】本発明の光半導体素子収納用パッケージ
によれば、熱電冷却素子の電極がリード線を介して電気
的に接続されるセラミック端子部のメタライズ配線層
に、リード線が接合される金属端子がその一端をセラミ
ック端子部から側壁部材の内側に突出させてろう付けさ
れていることから、この金属端子にリード線を接続する
ことにより隣接するメタライズ配線層間に短絡を発生さ
せることなく溶接または半田等により容易に接続するこ
とができ、その結果、内部に収容する熱電冷却素子およ
び光半導体素子を常に正常かつ安定に作動させることが
可能となる。
According to the package for housing an optical semiconductor element of the present invention, the lead wire is joined to the metallized wiring layer of the ceramic terminal portion to which the electrode of the thermoelectric cooling element is electrically connected via the lead wire. Since the metal terminal is brazed with one end protruding from the ceramic terminal portion to the inside of the side wall member, by connecting a lead wire to this metal terminal, welding can be performed without causing a short circuit between adjacent metallized wiring layers. Alternatively, they can be easily connected by solder or the like, and as a result, the thermoelectric cooling element and the optical semiconductor element housed therein can always be operated normally and stably.

【0039】さらに、本発明の光半導体素子収納用パッ
ケージによれば、熱電冷却素子の電極が接続されるメタ
ライズ配線層にろう付けされた金属端子の一端をセラミ
ック端子部から側壁部材の内側に突出させていることか
ら、この金属端子の突出した部位にリード線を溶接すれ
ば、溶接の熱がセラミック端子部に多量に吸収されるこ
とがないのでリード線を金属端子に短時間で効率よく溶
接することができる。また、この金属端子の突出した部
位にリード線を半田付けすれば、たとえ半田の過多があ
ったとしても半田の溜りは金属端子の突出した部位とリ
ード線との間に形成されるので、隣接するメタライズ配
線層間に半田ブリッジを発生させて短絡させることなく
リード線を半田付けすることもできる。
Further, according to the optical semiconductor element housing package of the present invention, one end of the metal terminal brazed to the metallized wiring layer to which the electrode of the thermoelectric cooling element is connected projects from the ceramic terminal portion to the inside of the side wall member. Therefore, if the lead wire is welded to the protruding part of the metal terminal, the heat of welding will not be absorbed in a large amount by the ceramic terminal part, so the lead wire can be efficiently welded to the metal terminal in a short time. can do. Also, if a lead wire is soldered to the protruding portion of the metal terminal, even if there is an excessive amount of solder, a pool of solder is formed between the protruding portion of the metal terminal and the lead wire. It is also possible to solder the lead wires without generating a solder bridge between the metallized wiring layers to be short-circuited.

【0040】また、本発明の光半導体素子収納用パッケ
ージの製造方法によれば、外部リード端子をセラミック
端子部のメタライズ配線層に接合する際に、これと同時
に金属端子をメタライズ配線層に接合することが可能と
なる。以上により、本発明によれば、熱電冷却素子の電
極に接続されたリード線をセラミック端子部のメタライ
ズ配線層に、隣接するメタライズ配線層との間に電気的
に短絡を発生させることなく接続することができ、その
結果、内部に収容する熱電冷却素子および光半導体素子
を常に正常に作動させることができる光半導体素子収納
用パッケージおよびその製造方法を提供することができ
た。
According to the method of manufacturing an optical semiconductor element housing package of the present invention, when the external lead terminal is joined to the metallized wiring layer of the ceramic terminal portion, the metal terminal is joined to the metallized wiring layer at the same time. It becomes possible. As described above, according to the present invention, the lead wire connected to the electrode of the thermoelectric cooling element is connected to the metallized wiring layer of the ceramic terminal portion without causing an electrical short circuit between the metallized wiring layer and the adjacent metallized wiring layer. As a result, it was possible to provide an optical semiconductor element housing package capable of constantly operating the thermoelectric cooling element and the optical semiconductor element housed therein, and a method of manufacturing the same.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の光半導体素子収納用パッケージの実施
の形態の一例を示す断面図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of an embodiment of an optical semiconductor element housing package of the present invention.

【図2】図1に示す光半導体素子収納用パッケージの分
解斜視図である。
FIG. 2 is an exploded perspective view of the optical semiconductor element housing package shown in FIG.

【図3】図1に示す光半導体素子収納用パッケージの要
部斜視図である。
FIG. 3 is a perspective view of an essential part of the package for housing an optical semiconductor element shown in FIG. 1;

【図4】図1に示す光半導体素子収納用パッケージの製
造方法を説明するための上面図である。
FIG. 4 is a top view for explaining the method for manufacturing the optical semiconductor element housing package shown in FIG.

【図5】従来の光半導体素子収納用パッケージの断面図
である。
FIG. 5 is a sectional view of a conventional package for housing an optical semiconductor element.

【図6】図5に示す従来の光半導体素子収納用パッケー
ジの分解斜視図である。
FIG. 6 is an exploded perspective view of the conventional optical semiconductor element housing package shown in FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1・・・基体 1a・・・載置部 2・・・枠体 3・・・蓋体 4・・・光半導体素子 5・・・熱電冷却素子 7・・・セラミック端子部 12・・・メタライズ配線層 15・・・リード線 17・・・金属端子 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Base 1a ... Placement part 2 ... Frame 3 ... Lid 4 ... Optical semiconductor element 5 ... Thermoelectric cooling element 7 ... Ceramic terminal part 12 ... Metallization Wiring layer 15: Lead wire 17: Metal terminal

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 23/38 H01L 23/02 H01S 5/022 H01S 5/024 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (58) Fields surveyed (Int. Cl. 7 , DB name) H01L 23/38 H01L 23/02 H01S 5/022 H01S 5/024

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 上面中央部に光半導体素子が熱電冷却素
子を介して載置される載置部を有する基体と、該基体の
上面に前記載置部を囲繞するようにして接合された金属
から成る枠状の側壁部材と、該側壁部材を貫通するとと
もに側壁部材の内側に位置する部位に前記熱電冷却素子
の電極がリード線を介して電気的に接合されるメタライ
ズ配線層を有するセラミック端子部と、前記側壁部材の
上面に接合される蓋体とを具備する光半導体素子収納用
パッケージであって、前記メタライズ配線層に、前記リ
ード線が接続される金属端子がその一端を前記セラミッ
ク端子部から前記側壁部材の内側に突出させてろう付け
されていることを特徴とする光半導体素子収納用パッケ
ージ。
1. A base having a mounting portion on which an optical semiconductor element is mounted via a thermoelectric cooling element at a central portion of an upper surface, and a metal joined to the upper surface of the base so as to surround the mounting portion. A ceramic terminal having a frame-shaped side wall member made of: and a metallized wiring layer through which the electrode of the thermoelectric cooling element is electrically connected via a lead wire at a position located inside the side wall member and parts, wherein an optical semiconductor element storage package comprising a lid body that is joined to the upper surface of the side wall member, the metallized wiring layer, the Li
An optical semiconductor element housing package, wherein a metal terminal to which a lead wire is connected is brazed by projecting one end of the metal terminal from the ceramic terminal portion to the inside of the side wall member .
【請求項2】上面中央部に光半導体素子が熱電冷却素子
を介して載置される載置部を有する基体、枠状の金属か
ら成りかつ側壁に切欠き部を設けた側壁部材、該側壁部
材の前記切欠き部に接合される、側壁部材を貫通するメ
タライズ配線層を有するセラミック端子部、および前記
メタライズ配線層の前記側壁部材の外側に位置する部位
に接合される外部リード端子と内側に位置する部位に接
合される、前記熱電冷却素子の電極がリード線を介して
接続される金属端子とが支持枠体で一体に連結されて成
るリードフレームを準備する工程と、 該リードフレームの前記外部リード端子および前記金属
端子を前記セラミック端子部の対応する前記メタライズ
配線層に接合した後、前記外部リード端子が前記セラミ
ック端子部から外側に、かつ前記金属端子が内側に突出
するように、前記外部リード端子および前記金属端子か
ら前記支持枠体を切断して各前記外部リード端子および
前記金属端子を電気的に独立させる工程と、 前記基体の上面に前記搭載部を囲繞するようにして前記
枠体を接合するとともに、該枠体の前記切欠き部に前記
セラミック端子部を接合する工程とを具備することを特
徴とする光半導体素子収納用パッケージの製造方法。
2. A base having a mounting portion on which an optical semiconductor element is mounted via a thermoelectric cooling element at a central portion of an upper surface, a side wall member made of a frame-shaped metal and having a cutout formed on a side wall, and the side wall. A ceramic terminal portion having a metallized wiring layer penetrating the side wall member joined to the notch portion of the member, and an external lead terminal joined to a portion of the metallized wiring layer located outside the side wall member and an inner side. The electrode of the thermoelectric cooling element to be joined to the site located
A step of preparing a lead frame in which the metal terminals to be connected are integrally connected by a support frame; and connecting the external lead terminals and the metal terminals of the lead frame to the corresponding metallized wiring layers of the ceramic terminal portion. After joining, the external lead terminal is
Metal terminal protrudes outward from the jack terminal
To manner, the external lead terminals and the metal terminals by cutting the support frame body from each of said outer lead terminals, and
A step of Ru electrically made independent of the metal terminal, thereby bonding the frame body so as to surround the mounting portion on the upper surface of the substrate, bonding the ceramic terminal portion to the cutout portion of the frame body And a method for manufacturing a package for housing an optical semiconductor element.
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JP4497762B2 (en) * 2001-07-25 2010-07-07 京セラ株式会社 Optical semiconductor element storage package and optical semiconductor device
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