JP3173230B2 - Manufacturing method of filter - Google Patents
Manufacturing method of filterInfo
- Publication number
- JP3173230B2 JP3173230B2 JP17141093A JP17141093A JP3173230B2 JP 3173230 B2 JP3173230 B2 JP 3173230B2 JP 17141093 A JP17141093 A JP 17141093A JP 17141093 A JP17141093 A JP 17141093A JP 3173230 B2 JP3173230 B2 JP 3173230B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- strip lines
- filter
- fired
- conductive film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、コードレス電話、携帯
電話などの移動体通信機器に用いられるフィルタの製造
方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention is a cordless telephone, the production of filters used in mobile communication devices such as cellular phones
It is about the method .
【0002】[0002]
【従来の技術】従来(例えば特開平3−71710号公
報)のこの種のフィルタの構成を図10,図11に示
す。図10において、70〜76は誘電体のグリーンシ
ートで、グリーンシート71と72にはコンデンサ用電
極77,78,79,80が設けられている。また、グ
リーンシート74にはコイル用の電極81,82が設け
られ、さらにグリーンシート76にはシールド用の電極
83,84が設けられている。図10に示すグリーンシ
ート70〜76は積層され、その後各電極77〜84
(例えば銀,銅)が消失してしまわない程度の温度で焼
成され、図11のごとく一体化される。図11におい
て、85,86が入出力端子になっている。すなわち、
従来のものは電極77〜80の対向によりコンデンサを
形成し、また電極81,82によりコイルを形成し、こ
れらコンデンサとコイルによりフィルタを構成している
のである。2. Description of the Related Art FIGS. 10 and 11 show a conventional (for example, JP-A-3-71710) filter of this type. In FIG. 10, reference numerals 70 to 76 denote dielectric green sheets, and green sheets 71 and 72 are provided with capacitor electrodes 77, 78, 79, and 80, respectively. The green sheet 74 is provided with electrodes 81 and 82 for coils, and the green sheet 76 is provided with electrodes 83 and 84 for shielding. The green sheets 70 to 76 shown in FIG.
It is fired at a temperature at which (for example, silver and copper) does not disappear, and integrated as shown in FIG. In FIG. 11, 85 and 86 are input / output terminals. That is,
In the conventional device, a capacitor is formed by opposing the electrodes 77 to 80, a coil is formed by the electrodes 81 and 82, and a filter is formed by the capacitor and the coil.
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】上記従来のもので問題
となるのは、コンデンサとコイルとからなる共振器の無
負荷Qを高くできない結果として、フィルタ特性を良く
できないことである。すなわち図10において、グリー
ンシート70〜76は積層後に電極77〜84を消失さ
せない温度でしか焼成できないため、誘電体損失が大き
くなり、その結果共振器の損失の少なさを表す定数(無
負荷Q)が低いものとなってしまうのである。そして、
無負荷Qが低い共振器で構成したフィルタは、通過域の
挿入損失が大きく、減衰域での特性が緩慢なものとなる
ため、特性の厳しい箇所には使用することができないの
である。The problem with the above prior art is that the filter characteristic cannot be improved as a result of the fact that the no-load Q of the resonator comprising the capacitor and the coil cannot be increased. That is, in FIG. 10, since the green sheets 70 to 76 can be fired only at a temperature at which the electrodes 77 to 84 do not disappear after lamination, the dielectric loss is increased, and as a result, a constant (unloaded Q) indicating a small loss of the resonator is obtained. ) Is low. And
A filter composed of a resonator having a low no-load Q has a large insertion loss in the pass band and has a slow characteristic in the attenuation region, so that it cannot be used in a place where the characteristic is severe.
【0004】そこで本発明は、共振器の無負荷Qを高く
することによりフィルタ特性の悪化を防止することを目
的としている。Accordingly, an object of the present invention is to prevent filter characteristics from deteriorating by increasing the no-load Q of the resonator.
【0005】[0005]
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明は、あらかじめ焼成された基板の裏面側にアー
スパターンを印刷 ・ 焼成して形成する工程と、前記基板
の表面側に電磁界結合されて設けられた第1,第2のス
トリップラインを印刷・焼成して形成する工程と、誘電
体層の表面側に前記第1,第2のストリップラインと対
向するコンデンサパターンを印刷・焼成して形成する工
程と、前記基板上に前記誘電体層を積層して積層体を形
成する工程と、前記積層体の側面に前記アースパターン
とつながる導電膜を形成する工程と、前記積層体を覆う
ように導電面を有するキャップを装着する工程と、前記
キャップに設けられた導電面と前記積層体の側面に設け
られた導電膜とを接続する工程とを備え、前記あらかじ
め焼成された基板が前記アースパターン、第1,第2の
ストリップライン、第1,第2のコンデンサパターン、
および前記誘電体層よりも高温で焼成されることを特徴
とするものである。In order to achieve the above object, the present invention provides an arrangement in which a back side of a pre-fired substrate is provided with an arc.
Forming a pattern by printing and baking, and the substrate
The first and second switches are provided on the surface side of the
Printing and firing the trip line to form
A pair of the first and second strip lines is formed on the surface side of the body layer.
Printing and firing of the capacitor pattern
And laminating the dielectric layer on the substrate to form a laminate.
Forming the ground pattern on the side surface of the laminate.
Forming a conductive film that is connected to the substrate, and covering the laminate.
Mounting a cap having a conductive surface as described above,
A conductive surface provided on a cap and a side surface of the laminate are provided.
Connecting the conductive film to the conductive film.
The fired substrate is the ground pattern, the first and second
Strip line, first and second capacitor patterns,
And fired at a higher temperature than the dielectric layer
It is assumed that .
【0006】[0006]
【作用】以上の構成とすれば、誘電体層上には空間を設
けてキャップを被せているので、第1,第2のストリッ
プラインからの電界は基板方向へと集中することとなる
のであるが、この基板は単独の状態であらかじめ高い温
度で焼成したものが使用できるので、誘電体損失を小さ
くすることができ、この結果として第1,第2のストリ
ップラインにより形成される共振器の無負荷Qを極めて
高くすることができ、フィルタ特性の悪化を防止するこ
とができるのである。According to the above construction, since the space is provided on the dielectric layer and the cap is covered, the electric fields from the first and second strip lines are concentrated toward the substrate. However, since this substrate can be used as a single substrate which has been previously fired at a high temperature, the dielectric loss can be reduced, and as a result, the absence of the resonator formed by the first and second strip lines is eliminated. The load Q can be made extremely high, and deterioration of the filter characteristics can be prevented.
【0007】[0007]
【実施例】(実施例1)以下、本発明の実施例について
図面を参照しながら説明する。図1および図2は本発明
の第1の実施例におけるフィルタの表面側と裏面側から
の斜視図を示している。表面側は金属キャップ1により
覆われ、裏面および両側面はアースパターン2により覆
われている。また、裏面および側面のアースパターンを
設けていない部分には、入出力端子3が設けられてい
る。なお第3のストリップライン7は基板4表面の第
1,第2のストリップライン5,6の一端側において基
板4外周面と略平行となるように設けたものであり、こ
の第3のストリップライン7から第1,第2のストリッ
プライン5,6が植立した状態となっている。さて、内
部構成について図3の分解斜視図を用いて説明する。図
3において、4はたとえば酸化チタン系磁器を1300
〜1400度の高温で焼成することにより形成した誘電
率が100と高い基板である。そして、この基板4の裏
面および両側面にアースパターン2および他の両側面に
入出力端子3を設け、表面に第1および第2のストリッ
プライン5,6および第3のストリップライン7を設け
ている。この第1,第2のストリップライン5,6は、
それぞれ一端を第3のストリップライン7を介してアー
スパターン2と接続し、他端を開放して略4分の1波長
の共振器を構成している。そしてこれらの共振器を並列
に配置して電磁界結合させることによりコムライ型のフ
ィルタを構成しているのである。この基板4の表面上
に、誘電率が10の第1の誘電体層8を設けてその表面
に第1,第2のコンデンサパターン9,10を設けてい
る。この第1,第2のコンデンサパターン9,10は、
第1の誘電体層8を介して第1,第2のストリップライ
ン5,6と対向してコンデンサを形成し、また外周端は
入出力端子3と接続したものである。この第1の誘電体
層8の表面上に第2の誘電体層11を設け、第1,第2
のコンデンサパターン9,10の保護を行っている。以
上の構成の積層体の表面側に金属キャップ1を装着して
フィルタが完成するのである。なお金属キャップ1は、
表、裏面に約5μmの銀めっきを施した厚さ0.2mm
の無酸素銅板を、下面が開口した箱状に加工するととも
に、その側面に段差を設けたものである。この段差の上
部は第2の誘電体層11の表面に当接して高さを適切に
確保するものであり、下部は外側に膨らんで基板4の側
面に被さるものである。この下部を基板4の側面におい
てアースパターン2と半田づけすることにより、金属キ
ャップ1を固着するとともに外部に対するシールドを行
うのである。さらに、金属キャップ1の側面には、装着
した際にコンデンサパターン9,10と接触しないよう
に、切り欠き部1aを設けている。以上の構成におい
て、基板4は上述したように1300〜1400度の高
温で焼成するので、焼結状態が緻密で誘電体損失が極め
て小さいものとなり、これによって共振器の無負荷Qが
200以上と極めて高いものになるのである。(Embodiment 1) An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIGS. 1 and 2 are perspective views of a filter according to a first embodiment of the present invention as viewed from the front side and the back side. The front surface side is covered with a metal cap 1, and the back surface and both side surfaces are covered with a ground pattern 2. The input / output terminals 3 are provided on portions where the ground pattern is not provided on the back and side surfaces. The third strip line 7 is provided at one end of the first and second strip lines 5 and 6 on the surface of the substrate 4 so as to be substantially parallel to the outer peripheral surface of the substrate 4. 7, the first and second strip lines 5 and 6 are in a state of being erected. Now, the internal configuration will be described with reference to the exploded perspective view of FIG. In FIG. 3, reference numeral 4 denotes a titanium oxide-based porcelain 1300, for example.
This is a substrate having a high dielectric constant of 100 formed by firing at a high temperature of 11400 degrees. The ground pattern 2 and the input / output terminals 3 are provided on the back and both sides of the substrate 4, and the first and second strip lines 5, 6 and the third strip line 7 are provided on the surface. I have. These first and second strip lines 5, 6 are:
One end is connected to the ground pattern 2 via the third strip line 7, and the other end is opened to form a resonator having approximately a quarter wavelength. Then, these resonators are arranged in parallel and electromagnetically coupled to each other to form a comb-ray type filter. A first dielectric layer 8 having a dielectric constant of 10 is provided on the surface of the substrate 4, and first and second capacitor patterns 9 and 10 are provided on the surface. The first and second capacitor patterns 9 and 10 are:
A capacitor is formed facing the first and second strip lines 5 and 6 via the first dielectric layer 8, and the outer peripheral end is connected to the input / output terminal 3. A second dielectric layer 11 is provided on the surface of the first dielectric layer 8, and the first and second dielectric layers 11 are provided.
Of the capacitor patterns 9 and 10 are protected. The filter is completed by mounting the metal cap 1 on the surface side of the laminate having the above-described configuration. The metal cap 1 is
0.2mm thick, about 5μm silver plated on the front and back
The above oxygen-free copper plate is processed into a box shape with an open lower surface, and a step is provided on the side surface thereof. The upper part of the step is in contact with the surface of the second dielectric layer 11 to secure an appropriate height, and the lower part is bulged outward and covers the side surface of the substrate 4. The lower portion is soldered to the ground pattern 2 on the side surface of the substrate 4 to fix the metal cap 1 and shield the outside. Further, a notch 1a is provided on a side surface of the metal cap 1 so as not to come into contact with the capacitor patterns 9 and 10 when the metal cap 1 is mounted. In the above configuration, since the substrate 4 is fired at a high temperature of 1300 to 1400 ° C. as described above, the sintered state is dense and the dielectric loss is extremely small. It is extremely expensive.
【0008】次に、このフィルタの製造方法について図
4を用いて説明する。まず1300〜1400度の高温
で焼成した大型の基板4を用い、図示しない裏面に、銀
粉体を主成分とする導体ペーストを用いてアースパター
ン2および入出力端子3を複数個印刷し、850〜90
0度の温度で焼成する。続いてこの基板4の表面に、前
記導体ペーストを用いて第1から第3のストリップライ
ン5,6,7を複数個印刷し、850〜900度の温度
で焼成する。次にこの表面にチタン酸バリウム系誘電体
粉と珪素酸鉛系ガラスとを混合した誘電体ペーストを用
いて第1の誘電体層8を複数個印刷し、850〜900
度の温度で焼成する。この第1の誘電体層8の表面に第
1,第2のコンデンサパターン9,10をストリップラ
イン5〜7と同様にして複数個印刷、焼成する。さらに
この表面に第2の誘電体層11を第1の誘電体層8と同
様に複数個印刷、焼成する。なお、第1の誘電体層8お
よび第2の誘電体層11はそれぞれ所定の間隔をあけて
印刷されており、積層した後に第3のストリップライン
7の端部およびコンデンサパターン9,10の端部が1
00μm程度露出するようにしてある。こうして形成さ
れた積層体を図中の破線に沿って切断し、個片に分割す
る。そして、図3に示すように切断した側面に、前述の
導体ペーストを用いてアースパターン2および入出力端
子3を印刷し、前述のごとく焼成する。この際に、第3
のストリップライン7およびコンデンサパターン9,1
0の露出部が、それぞれアースパターン2および入出力
端子3と接続される。その後、この中間体の表面側に金
属キャップ1を装着し、側面において金属キャップ1と
アースパターン2とを半田づけして図1および図2に示
すフィルタを得るのである。上記の製造方法とすること
によって、1300〜1400度の高温で焼成した誘電
体損失の小さい基板4を用いて無負荷Qの高い共振器を
得ることができ、それ以外のものは850〜900度で
焼成するので、アースパターン、入出力端子、ストリッ
プライン5〜7、コンデンサパターン9,10は焼失す
ることがない。Next, a method of manufacturing the filter will be described with reference to FIG. First, a plurality of ground patterns 2 and a plurality of input / output terminals 3 are printed on a back surface (not shown) using a large-sized substrate 4 fired at a high temperature of 1300 to 1400 degrees by using a conductive paste mainly containing silver powder. ~ 90
Bake at a temperature of 0 degrees. Subsequently, a plurality of first to third striplines 5, 6, and 7 are printed on the surface of the substrate 4 using the conductive paste, and baked at a temperature of 850 to 900 degrees. Next, a plurality of first dielectric layers 8 are printed on the surface using a dielectric paste in which barium titanate-based dielectric powder and lead silicate-based glass are mixed, and 850 to 900
Firing at a temperature of degrees. A plurality of first and second capacitor patterns 9 and 10 are printed and fired on the surface of the first dielectric layer 8 in the same manner as the strip lines 5 to 7. Further, a plurality of second dielectric layers 11 are printed and fired on the surface in the same manner as the first dielectric layer 8. The first dielectric layer 8 and the second dielectric layer 11 are printed at predetermined intervals, respectively, and after lamination, the end of the third strip line 7 and the end of the capacitor patterns 9 and 10 are stacked. Part 1
It is designed to be exposed to about 00 μm. The laminate thus formed is cut along the broken line in the figure and divided into individual pieces. Then, the ground pattern 2 and the input / output terminals 3 are printed on the side surfaces cut as shown in FIG. 3 using the above-mentioned conductor paste, and fired as described above. At this time, the third
Strip line 7 and capacitor patterns 9.1
The exposed portions 0 are connected to the ground pattern 2 and the input / output terminal 3, respectively. Thereafter, the metal cap 1 is mounted on the surface side of the intermediate body, and the metal cap 1 and the ground pattern 2 are soldered on the side surface to obtain the filters shown in FIGS. According to the above manufacturing method, a resonator having a high no-load Q can be obtained using the substrate 4 having a small dielectric loss fired at a high temperature of 1300 to 1400 ° C. The ground pattern, input / output terminals, strip lines 5 to 7, and capacitor patterns 9 and 10 are not burned out.
【0009】ところで、第1,第2のストリップライン
5,7は図3に示すように第3のストリップライン7を
介してアースパターン2と接続する構造としているが、
この構造により、切断の際に多少の位置ずれが生じても
第1,第2のストリップライン5,6の長さは変化しな
いため、共振周波数や結合度等の変化が少なく、特性の
安定したフィルタを得ることが可能になるのである。The first and second strip lines 5 and 7 are connected to the ground pattern 2 via the third strip line 7 as shown in FIG.
With this structure, the lengths of the first and second strip lines 5 and 6 do not change even if a slight displacement occurs at the time of cutting, so that there is little change in resonance frequency, coupling degree, etc., and the characteristics are stable. It becomes possible to obtain a filter.
【0010】次に、このフィルタの動作について説明す
る。図5はこのフィルタの等価回路図である。第1,第
2のストリップライン5,6は、それぞれ略4分の1波
長の共振器であり、LとCとの並列共振回路におきかえ
ることができる。Mは2つの共振器間の電磁界結合を表
しており、この結合の強さによりフィルタを通過する信
号の周波数帯域幅が決まるのである。Ciはコンデンサ
パターン9,10により形成されるコンデンサであり、
フィルタの入力インピーダンスを外部回路に整合させる
とともに、外部回路からの信号の直流分をカットする働
きを担っている。次にこのフィルタの通過特性について
説明する。図6(a)は図3のフィルタのA−A断面を
表す断面図であり、図6(b)は基板4の表面から金属
キャップ1の天面までの高さ(以下H)を変化した場合
の、フィルタ通過特性の変化を表す特性図である。図6
(b)より、Hを小さくするにつれてフィルタ特性が狭
帯域なものになることがわかる。この原因を図7を用い
て説明する。図7はHの変化による共振器の偶モード波
長短縮率(以下Ve),奇モード波長短縮率(以下V
o)およびフィルタ比帯域の変化を示した説明図であ
る。図7よりHが1.2mmの場合にVeとVoとが等
しく、それ以上では、Ve<Voであり比帯域は大き
く、それ以下ではVe>Voであり比帯域は小さくなる
ことがわかる。これは、Hによって内部の電界分布が異
なりVeとVoとの関係が変るため、共振器間の結合M
が変化することを表している。そして、結合Mが大きい
場合には比帯域は大きくなり、結合Mが小さい場合には
比帯域は小さくなるのである。Next, the operation of this filter will be described. FIG. 5 is an equivalent circuit diagram of this filter. Each of the first and second strip lines 5 and 6 is a resonator having substantially a quarter wavelength, and can be replaced with a parallel resonance circuit of L and C. M represents the electromagnetic field coupling between the two resonators, and the strength of the coupling determines the frequency bandwidth of the signal passing through the filter. Ci is a capacitor formed by the capacitor patterns 9 and 10,
It has the function of matching the input impedance of the filter to the external circuit and cutting the DC component of the signal from the external circuit. Next, the pass characteristics of this filter will be described. FIG. 6A is a cross-sectional view showing the AA cross section of the filter of FIG. 3, and FIG. 6B changes the height (hereinafter, H) from the surface of the substrate 4 to the top surface of the metal cap 1. FIG. 9 is a characteristic diagram illustrating a change in filter pass characteristics in the case. FIG.
(B) shows that the filter characteristic becomes narrower as H becomes smaller. This cause will be described with reference to FIG. FIG. 7 shows an even mode wavelength reduction ratio (hereinafter, Ve) and an odd mode wavelength reduction ratio (hereinafter, Ve) of the resonator due to a change in H.
FIG. 4C is an explanatory diagram showing a change in the filter ratio band. FIG. 7 shows that when H is 1.2 mm, Ve and Vo are equal, and above that, Ve <Vo and the fractional band is large, and below that Ve> Vo and the fractional band becomes small. This is because the internal electric field distribution differs depending on H, and the relationship between Ve and Vo changes.
Changes. When the coupling M is large, the fractional band becomes large, and when the coupling M is small, the fractional band becomes small.
【0011】一般に、移動体通信用の高周波フィルタと
しては、比帯域4%以下の極めて狭帯域な特性が要求さ
れるが、上記のような構成の場合Ve≧Voとしない限
りそうした特性を得ることができない。そしてそのため
には、金属キャップ8の高さHをVe=Voとなる高さ
以下としなければならない。本実施例では上記の高さH
を1.0mmとし、比帯域3.7%という移動体通信用
に適した狭帯域なフィルタ特性を得た。また、無負荷Q
の低い共振器で狭帯域なフィルタを構成すると通過域に
おける挿入損失が大きくなってしまうが、本実施例の場
合は共振器の無負荷Qが200以上と高いため挿入損失
が1dB以下の高性能なフィルタとなった。In general, a high-frequency filter for mobile communication is required to have an extremely narrow band characteristic of 4% or less in a fractional band. In the above configuration, such a characteristic is obtained unless Ve ≧ Vo. Can not. For this purpose, the height H of the metal cap 8 must be equal to or less than the height at which Ve = Vo. In the present embodiment, the height H
Was set to 1.0 mm, and a narrow-band filter characteristic of 3.7%, which is suitable for mobile communication, was obtained. Also, no load Q
When a narrow-band filter is formed by a resonator having a low resonance frequency, the insertion loss in the pass band becomes large. However, in the case of this embodiment, since the no-load Q of the resonator is as high as 200 or more, the insertion loss is 1 dB or less. Filter.
【0012】(実施例2)次に、本発明の第2の実施例
について説明する。図8は本発明の第2の実施例におけ
るフィルタの分解斜視図であり、図9はこのフィルタの
通過特性を表す特性図である。図8において、金属キャ
ップ1、アースパターン2、入出力端子3、基板4、第
3のストリップライン7、第1の誘電体層8、第1,第
2のコンデンサパターン9,10、第2の誘電体層11
は図3の構成と同様なものである。図3の構成と異なる
のは、第1,第2のストリップライン12,13として
一端側がそれぞれ幅の狭い高インピーダンス部、他端側
がそれぞれ幅の広い低インピーダンス部を有するものを
用いたことである。そして、高インピーダンス部の一端
を第3のストリップライン7を介してアースパターン2
と接続し、低インピーダンス部の他端を開放することに
より共振器を構成しているのである。この構成とするこ
とによって、相対的に高インピーダンス部ではインダク
タンス分が増し、低インピーダンス側では容量分が増す
ことになるため、幅が均一な共振器に比べて長さを短く
することができるのである。そしてまた、図9に示すよ
うに、この構成のフィルタの通過特性は、共振器間の結
合状態により減衰極を通過域の低域側に発生させること
ができ、特に低域側の減衰量を大きくとらなければなら
ない場合に適したものとなるのである。(Embodiment 2) Next, a second embodiment of the present invention will be described. FIG. 8 is an exploded perspective view of a filter according to the second embodiment of the present invention, and FIG. 9 is a characteristic diagram showing pass characteristics of the filter. 8, a metal cap 1, a ground pattern 2, an input / output terminal 3, a substrate 4, a third strip line 7, a first dielectric layer 8, first and second capacitor patterns 9, 10 and a second Dielectric layer 11
Is similar to the configuration of FIG. The difference from the configuration of FIG. 3 is that the first and second strip lines 12 and 13 each have a high-impedance portion having a narrow width at one end and a low-impedance portion having a wide width at the other end. . Then, one end of the high impedance portion is connected to the ground pattern 2 via the third strip line 7.
And the other end of the low impedance section is opened to form a resonator. With this configuration, the inductance increases in the relatively high impedance part and the capacitance increases in the low impedance part, so that the length can be shortened as compared with a resonator having a uniform width. is there. Further, as shown in FIG. 9, the pass characteristic of the filter having this configuration is such that an attenuation pole can be generated on the lower side of the pass band due to the coupling state between the resonators. It's a good choice if you have to take a big one.
【0013】なお、上記実施例1,2において、周波数
調整は、基板4の側面に設けたアースパターン2をトリ
ミングすることにより行う。これら側面のアースパター
ン2は金属キャップ1と基板4裏面のアースパターン2
とを接続する目的で形成したものであるが、これを積極
的に利用し、周波数調整を行うものである。即ち、第
1,第2のストリップライン5,6,12,13の一端
側(つまり第3のストリップライン7側)のアースパタ
ーン2をトリミングすれば、この部分のインダクタンス
分が増加し、共振周波数を下げることができる。逆に他
端側のアースパターン2をトリミングすれば、他端とア
ースパターン2との間の開放端容量が減少し、共振周波
数を上げることができるのである。さらに、他端側をト
リミングした場合には、この部分のアースパターン2は
インダクタンスとして機能するため、開放端容量との間
でLC直列共振回路が形成されることになる。その結果
フィルタ特性にはこのLC直列共振回路の共振周波数に
おいて新たに減衰極が生じ、減衰特性の優れたものとな
るのである。In the first and second embodiments, the frequency adjustment is performed by trimming the ground pattern 2 provided on the side surface of the substrate 4. The ground pattern 2 on these side surfaces is the metal cap 1 and the ground pattern 2 on the back of the substrate 4.
This is formed for the purpose of connecting the frequency band and the frequency, and the frequency is adjusted by positively using the frequency band. That is, if the ground pattern 2 on one end side of the first and second strip lines 5, 6, 12, 13 (that is, on the third strip line 7 side) is trimmed, the inductance of this portion increases, and the resonance frequency is increased. Can be lowered. Conversely, if the ground pattern 2 at the other end is trimmed, the open end capacity between the other end and the ground pattern 2 is reduced, and the resonance frequency can be increased. Further, when the other end side is trimmed, the ground pattern 2 in this portion functions as an inductance, so that an LC series resonance circuit is formed between the ground pattern 2 and the open end capacitance. As a result, a new attenuation pole is generated at the resonance frequency of the LC series resonance circuit in the filter characteristic, and the attenuation characteristic becomes excellent.
【0014】[0014]
【0015】[0015]
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、誘電体
層上には空間を設けてキャップを被せているので、第
1,第2のストリップラインからの電界は基板方向へと
集中することとなるのであるが、この基板は単独の状態
であらかじめ高い温度で焼成したものが使用できるの
で、誘電体損失を小さくすることができ、この結果とし
て第1,第2のストリップラインにより形成される共振
器の無負荷Qを極めて高くすることができ、フィルタ特
性の悪化を防止することができるのである。As described above, according to the present invention, since the space is provided on the dielectric layer and the cap is covered, the electric fields from the first and second strip lines are concentrated toward the substrate. However, since the substrate can be used as a single substrate which has been baked at a high temperature in advance, the dielectric loss can be reduced, and as a result, the substrate can be formed by the first and second strip lines. Thus, the no-load Q of the resonator can be made extremely high, and deterioration of the filter characteristics can be prevented.
【図1】本発明の第1の実施例におけるフィルタの表面
から見た斜視図FIG. 1 is a perspective view of a filter according to a first embodiment of the present invention as viewed from the surface thereof.
【図2】本発明の第1の実施例におけるフィルタの裏面
から見た斜視図FIG. 2 is a perspective view of the filter according to the first embodiment of the present invention as viewed from the back surface of the filter.
【図3】本発明の第1の実施例におけるフィルタの分解
斜視図FIG. 3 is an exploded perspective view of a filter according to the first embodiment of the present invention.
【図4】本発明の第1の実施例におけるフィルタの製造
方法を示す分解斜視図FIG. 4 is an exploded perspective view showing a filter manufacturing method according to the first embodiment of the present invention.
【図5】本発明の第1の実施例におけるフィルタの等価
回路図FIG. 5 is an equivalent circuit diagram of a filter according to the first embodiment of the present invention.
【図6】(a)は図3のA−A線の断面を表す断面図 (b)は本発明の第1の実施例におけるフィルタの通過
特性を表す特性図6A is a cross-sectional view illustrating a cross section taken along line AA of FIG. 3; FIG. 6B is a characteristic view illustrating pass characteristics of a filter according to the first embodiment of the present invention;
【図7】本発明の第1の実施例におけるフィルタの金属
ケース高さと偶奇モード波長短縮率および比帯域との関
係を表す関係図FIG. 7 is a relationship diagram showing the relationship between the height of the metal case of the filter, the even-odd mode wavelength reduction ratio, and the bandwidth ratio in the first embodiment of the present invention.
【図8】本発明の第2の実施例におけるフィルタの分解
斜視図FIG. 8 is an exploded perspective view of a filter according to a second embodiment of the present invention.
【図9】本発明の第2の実施例におけるフィルタの通過
特性を表す特性図FIG. 9 is a characteristic diagram showing a pass characteristic of a filter according to the second embodiment of the present invention.
【図10】従来例を表す分解斜視図FIG. 10 is an exploded perspective view showing a conventional example.
【図11】従来例を表す斜視図FIG. 11 is a perspective view showing a conventional example.
1 金属キャップ 2 アースパターン 3 入出力端子 4 基板 5 第1のストリップライン 6 第2のストリップライン 7 第3のストリップライン 8 第1の誘電体層 9 第1のコンデンサパターン 10 第2のコンデンサパターン 11 第2の誘電体層 Reference Signs List 1 metal cap 2 ground pattern 3 input / output terminal 4 substrate 5 first strip line 6 second strip line 7 third strip line 8 first dielectric layer 9 first capacitor pattern 10 second capacitor pattern 11 Second dielectric layer
フロントページの続き (72)発明者 檜森 剛司 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (72)発明者 家田 知明 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 平5−152804(JP,A) 特開 平3−145111(JP,A) 特開 平4−72804(JP,A) 特開 平4−284003(JP,A) 実開 昭56−128705(JP,U) 実開 平1−67756(JP,U) 実開 昭57−53701(JP,U) 米国特許4281302(US,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01P 11/00 H01P 1/203 H01P 1/205 Continuing from the front page (72) Inventor Takeshi Himori 1006 Kazuma Kadoma, Osaka Prefecture Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. References JP-A-5-152804 (JP, A) JP-A-3-145111 (JP, A) JP-A-4-72804 (JP, A) JP-A-4-284003 (JP, A) 56-128705 (JP, U) JP-A-1-67756 (JP, U) JP-A-57-53701 (JP, U) US Pat. No. 4,281,302 (US, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7) H01P 11/00 H01P 1/203 H01P 1/205
Claims (6)
ースパターンを印刷 ・ 焼成して形成する工程と、前記基
板の表面側に電磁界結合されて設けられた第1,第2の
ストリップラインを印刷・焼成して形成する工程と、誘
電体層の表面側に前記第1,第2のストリップラインと
対向するコンデンサパターンを印刷・焼成して形成する
工程と、前記基板上に前記誘電体層を積層して積層体を
形成する工程と、前記積層体の側面に前記アースパター
ンとつながる導電膜を形成する工程と、前記積層体を覆
うように導電面を有するキャップを装着する工程と、前
記キャップに設けられた導電面と前記積層体の側面に設
けられた導電膜とを接続する工程とを備え、前記あらか
じめ焼成された基板が前記アースパターン、第1,第2
のストリップライン、第1,第2のコンデンサパター
ン、および前記誘電体層よりも高温で焼成されることを
特徴とするフィルタの製造方法。 1. An adhesive is provided on the back side of a pre-fired substrate.
Forming a base pattern by printing and firing;
First and second electromagnetically coupled first and second
Printing and baking the strip line to form
The first and second strip lines on the surface side of the electric conductor layer;
Forming by printing and firing opposing capacitor patterns
And laminating the dielectric layer on the substrate to form a laminate
Forming a ground pattern on the side surface of the laminate.
Forming a conductive film connected to the laminate, and covering the laminate.
Mounting a cap having a conductive surface such that
A conductive surface provided on the cap and a side surface of the laminate.
Connecting the conductive film to the conductive film,
The pre-fired substrate is the ground pattern, the first and second
Strip line, first and second capacitor putters
And firing at a higher temperature than the dielectric layer.
A method for manufacturing a filter characterized by the following.
1400度で焼成され、アースパターン、第1,第2の
ストリップライン、第1,第2のコンデンサパターン、
および誘電体層は850〜900度で焼成される請求項
1に記載のフィルタの製造方法。 2. The substrate fired beforehand is 1300-1000.
Fired at 1400 degrees, ground patterns, first and second strip lines, first and second capacitor patterns,
The method according to claim 1, wherein the dielectric layer is fired at 850 to 900 degrees .
プライン夫々の一端側を、基板外周面の導電膜と接続す
るとともに、これらの第1,第2のストリップライン夫
々の他端側に対向する基板の外周面部分にも基板裏面の
アースパターンと接続された導電膜を設け、この導電膜
と第1,第2のストリップライン夫々の他端とは非接続
状態とした請求項1に記載のフィルタの製造方法。 3. One end of each of the first and second strip lines provided on the substrate surface is connected to a conductive film on the outer peripheral surface of the substrate, and the other end of each of the first and second strip lines is connected. And a conductive film connected to the ground pattern on the back surface of the substrate is also provided on the outer peripheral surface portion of the substrate facing the substrate, and the conductive film is not connected to the other ends of the first and second strip lines. 3. The method for producing a filter according to 1.).
離は、第1,第2のストリップラインの偶モード波長短
縮率と奇モード波長短縮率とが等しくなる高さ、もしく
はそれ以下とした請求項3に記載のフィルタの製造方
法。 4. The distance from the top surface of the cap to the surface of the substrate is a height at which the even mode wavelength reduction rate and the odd mode wavelength reduction rate of the first and second strip lines are equal to each other, or less than the height. A method for producing the filter according to claim 3.
Law.
は幅を狭く、他端側は幅を広くした請求項3に記載のフ
ィルタの製造方法。 5. The method according to claim 3, wherein one end of each of the first and second strip lines has a small width and the other end has a large width .
ンの一端側には、この基板の外周面と略平行なパターン
を形成し、このパターンから第1,第2のストリップラ
インが植立された形状とした請求項1〜5のいずれか一
つに記載のフィルタの製造方法。 6. A pattern substantially parallel to the outer peripheral surface of the substrate is formed on one end side of the first and second strip lines on the surface of the substrate, and the first and second strip lines are planted from this pattern. The method for manufacturing a filter according to any one of claims 1 to 5, wherein the filter has a shaped shape .
Priority Applications (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17141093A JP3173230B2 (en) | 1993-07-12 | 1993-07-12 | Manufacturing method of filter |
KR1019940702012A KR940704070A (en) | 1992-10-14 | 1993-10-13 | FILTER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME |
DE69328243T DE69328243T2 (en) | 1992-10-14 | 1993-10-13 | FILTER AND METHOD FOR ITS PRODUCTION |
EP93922623A EP0617476B1 (en) | 1992-10-14 | 1993-10-13 | Filter and method for its manufacture |
KR1019940702012A KR0148749B1 (en) | 1992-10-14 | 1993-10-13 | Filter and method for its manufacture |
PCT/JP1993/001467 WO1994009528A1 (en) | 1992-10-14 | 1993-10-13 | Filter and method for its manufacture |
US08/244,506 US5489881A (en) | 1992-10-14 | 1993-10-13 | Stripline resonator filter including cooperative conducting cap and film |
CN93119293A CN1059759C (en) | 1992-10-14 | 1993-10-14 | Wave filter and manufacture of same |
US08/561,860 US5832578A (en) | 1992-10-14 | 1995-11-22 | Method of manufacturing a filter by forming strip lines on a substrate and dividing the substrate |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17141093A JP3173230B2 (en) | 1993-07-12 | 1993-07-12 | Manufacturing method of filter |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0730303A JPH0730303A (en) | 1995-01-31 |
JP3173230B2 true JP3173230B2 (en) | 2001-06-04 |
Family
ID=15922631
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17141093A Expired - Fee Related JP3173230B2 (en) | 1992-10-14 | 1993-07-12 | Manufacturing method of filter |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3173230B2 (en) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6596915B1 (en) | 1999-09-22 | 2003-07-22 | Carrier Corporation | Catalysts for destruction of organophosphonate compounds |
JP5111332B2 (en) | 2008-10-29 | 2013-01-09 | 京セラ株式会社 | BANDPASS FILTER, RADIO COMMUNICATION MODULE AND RADIO COMMUNICATION DEVICE USING THE SAME |
JP5300865B2 (en) | 2008-11-26 | 2013-09-25 | 京セラ株式会社 | BANDPASS FILTER, RADIO COMMUNICATION MODULE AND RADIO COMMUNICATION DEVICE USING THE SAME |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4281302A (en) | 1979-12-27 | 1981-07-28 | Communications Satellite Corporation | Quasi-elliptic function microstrip interdigital filter |
-
1993
- 1993-07-12 JP JP17141093A patent/JP3173230B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4281302A (en) | 1979-12-27 | 1981-07-28 | Communications Satellite Corporation | Quasi-elliptic function microstrip interdigital filter |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0730303A (en) | 1995-01-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5396201A (en) | Dielectric filter having inter-resonator coupling including both magnetic and electric coupling | |
JP3115149B2 (en) | Multilayer dielectric filter | |
US6510607B1 (en) | Method for forming a dielectric laminated device | |
JP2004180032A (en) | Dielectric filter | |
KR0148749B1 (en) | Filter and method for its manufacture | |
JP2957573B1 (en) | Multilayer filter | |
JP3422914B2 (en) | Multilayer dielectric filter | |
JP3173230B2 (en) | Manufacturing method of filter | |
JP2957051B2 (en) | Multilayer dielectric filter | |
JP2721626B2 (en) | Multilayer dielectric filter | |
JP3464820B2 (en) | Dielectric laminated resonator and dielectric filter | |
JP2710904B2 (en) | Multilayer dielectric filter | |
JPH088605A (en) | Laminated dielectric filter | |
JP2957041B2 (en) | Multilayer dielectric filter | |
JP2860010B2 (en) | Multilayer dielectric filter | |
JPH05283906A (en) | Laminated dielectric filter | |
JP2860015B2 (en) | Multilayer dielectric filter | |
JPH05243810A (en) | Layered type dielectric filter | |
JP3676885B2 (en) | Chip type multilayer filter | |
JP2577069Y2 (en) | Dielectric stripline resonator | |
JPH06252603A (en) | Laminated dielectric filter | |
JPH06169201A (en) | Lamination type dielectric polar filter | |
JPH11289234A (en) | Laminated lc filter | |
JP2004187222A (en) | Dielectric filter |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |