JP3173149B2 - 放熱部材およびその製造方法 - Google Patents

放熱部材およびその製造方法

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    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

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  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Coating With Molten Metal (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子などの発熱
部品のヒートシンクとして用いられる放熱部材およびそ
の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】たとえばパワートランジスタ、パワーI
C、サイリスタ、整流器等の電子部品のような発熱部品
に装着されてその発熱部品に発生した熱を大気に放散さ
せるために、大気との接触面積を増加させるための放熱
フィンを備えた放熱部材が知られている。所謂ヒートシ
ンクと称されて発熱部品に固着されるものがそれであ
る。このような放熱部材は、長手状の型材が所定の長さ
に切断されたものであって、通常、熱伝導率の高い金
属、たとえばアルミニウムまたはその合金や、銅または
その合金の表面にニッケルメッキが施されたものが用い
られる。
【0003】
【発明が解決すべき課題】ところで、上記従来の放熱部
材は、腐蝕性雰囲気下での使用や、電子部品の性能評価
に適用される塩水噴霧試験(たとえばMIL-STD-202 、JI
S Z 2371、ASTM B117 54T)などにおいて充分な耐蝕性
が得られなかった。すなわち、アルミニウムまたはその
合金から成る放熱部材ではその表面に形成される酸化皮
膜が極めて薄く、また銅またはその合金から成る放熱部
材ではその表面に形成されるニッケルメッキが腐蝕に耐
えられない場合があったのである。
【0004】本発明は以上の事情を背景として為された
ものであり、その目的とするところは、耐蝕性の高い放
熱部材およびその放熱部材の製造方法を提供することに
ある。
【0005】
【課題を解決するための第1の手段】かかる目的を達成
するための本発明の要旨とするところは、大気との接触
面積を増加させるための放熱フィンを備え、発熱部品に
装着されることによりその発熱部品に発生した熱を大気
に放散させる放熱部材において、銅、アルミニウム、ま
たはそれらの合金から成る基材の表面を、アルミナ結晶
成長層により被覆したことにある。
【0006】
【作用および第1発明の効果】このようにすれば、放熱
部材の表面には化学的に安定なアルミナ結晶成長層が形
成されるので、従来よりも耐蝕性が大幅に高められる。
また、このアルミナ結晶成長層は、硬くかつ機械的強度
にも優れているので、取り扱いなどによる当接や衝突な
どに対しても疵がつき難く、その疵に起因する腐蝕が好
適に防止される。さらに、細かなアルミナ結晶の凹凸に
より表面積が飛躍的に増加させられて放熱効果が高めら
れる。
【0007】
【課題を解決するための第2の手段】上記放熱部材を好
適に製造するための方法の要旨とするところは、大気と
の接触面積を増加させるための放熱フィンを備え、発熱
部品に装着されることによりその発熱部品に発生した熱
を大気に放散させる放熱部材の製造方法であって、(1)
銅またはその合金からなる基材の表面にアルミニウム層
を形成するアルミニウム層形成工程と、(2) そのアルミ
ニウム層形成工程の後、またはそのアルミニウム層形成
工程に先立って前記基材に異型圧延、型押出、引抜など
の成形を施すことにより、前記放熱フィンを一体に形成
する放熱フィン形成工程と、(3) その放熱フィン形成工
程により放熱フィンが形成された基材に表面酸化処理を
施すことにより、前記アルミニウム層からアルミナ結晶
成長層を生成させるアルミナ結晶成長層生成工程とを、
含むことにある。
【0008】
【作用および第2発明の効果】このようにすれば、銅ま
たはその合金からなる基材に異型圧延、型押出、引抜な
どの成形を施すことにより放熱フィンが一体に形成さ
れ、その放熱フィンが形成され且つ表面にアルミニウム
層が形成された基材に表面酸化処理を施すことにより、
アルミニウム層からアルミナ結晶成長層が生成させられ
て、放熱部材の表面には化学的に安定なアルミナ結晶成
長層が形成されるので、従来よりも耐蝕性が大幅に高め
られる。また、このアルミナ結晶成長層は、硬くかつ機
械的強度にも優れているので、取扱いなどによる当接や
衝突などに対しても疵がつき難く、その疵に起因する腐
蝕が好適に防止される。さらに、細かなアルミナ結晶の
凹凸により表面積が飛躍的に増加させられて放熱効果が
高められる。
【0009】
【課題を解決するための第3の手段】また、前記放熱部
材を好適に製造するための他の方法の要旨とするところ
は、大気との接触面積を増加させるための放熱フィンを
備え、発熱部品に装着されることによりその発熱部品に
発生した熱を大気に放散させる放熱部材の製造方法であ
って、(1) アルミニウムまたはその合金からなる基材の
表面にニッケル層を形成するニッケル層形成工程と、
(2) そのニッケル層形成工程において形成されたニッケ
ル層の上にアルミニウム層を形成するアルミニウム層形
成工程と、(3) そのアルミニウム層形成工程の後、また
はそのアルミニウム層形成工程若しくは前記ニッケル層
形成工程に先立って前記基材に異型圧延、型押出、引抜
などの成形を施すことにより、前記放熱フィンを一体に
形成する放熱フィン形成工程と、(4) 放熱フィンが形成
された基材に表面酸化処理を施すことにより、前記アル
ミニウム層からアルミナ結晶成長層を生成させるアルミ
ナ結晶成長層生成工程とを、含むことにある。
【0010】
【作用および第3発明の効果】このようにすれば、アル
ミニウムまたはその合金からなる基材に異型圧延、型押
出、引抜などの成形を施すことにより放熱フィンが一体
に形成され、その放熱フィンが形成され且つ表面にニッ
ケル層およびアルミニウム層が順次形成された基材に表
面酸化処理を施すことにより、中間のニッケル層とも相
まってアルミニウム層からアルミナ結晶成長層が生成さ
せられて、放熱部材の表面には化学的に安定なアルミナ
結晶成長層が形成されるので、従来よりも耐蝕性が大幅
に高められる。また、このアルミナ結晶成長層は、硬く
かつ機械的強度にも優れているので、取扱いなどによる
当接や衝突などに対しても疵がつき難く、その疵に起因
する腐蝕が好適に防止される。さらに、細かなアルミナ
結晶の凹凸により表面積が飛躍的に増加させられて放熱
効果が高められる。
【0011】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面に基づいて詳
細に説明する。
【0012】図1において、多数のリード10を備えた
IC12のパッケージの上面には、放熱部材として機能
するヒートシンク14が熱伝導性の高い図示しない接着
剤により隙間のない状態で固着されている。このIC1
2は、その内部に発生する熱をヒートシンク14の熱放
散機能を利用して放熱することにより内部損失を軽減し
てその電力容量を高く保持できるようになっている。
【0013】このヒートシンク14は、銅または銅合金
製の型材から構成されることにより図2に示すように複
数の平行な放熱フィン16を備えており、長手方向の断
面形状が同一となっている。そして、このヒートシンク
14は、図3に示すように、銅または銅合金製の基材1
8の表層が銅−アルミニウム金属間化合物(Cu3-Al)層
20およびアルミナ結晶成長層22によって覆われてい
る。このアルミナ結晶成長層22は、当初にその表面を
被覆していたアルミニウム層が酸化雰囲気中の熱処理に
より酸化させられてアルミナが結晶成長させられたもの
であり、5μmm程度の厚みを備えている。また、上記銅
−アルミニウム金属間化合物層20は、上記酸化雰囲気
中の熱処理においてアルミニウム層中のアルミニウム原
子と基材中の銅原子との化合により形成されるものであ
る。
【0014】上記のように構成されたヒートシンク14
においては、その表面には化学的に安定なアルミナ結晶
成長層22が形成されるので、従来よりも耐蝕性が大幅
に高められる。また、このアルミナ結晶成長層22は、
所謂ウィスカ状とも言える結晶の成長層であって極めて
硬くかつ機械的強度にも優れているので、取扱いなどに
よる当接や衝突などに対しても疵がつき難く、その疵に
起因する腐蝕が好適に防止される。さらに、細かなアル
ミナ結晶の凹凸によりアルミナ結晶成長層22の表面積
が飛躍的に増加させられて放熱効果が高められる。
【0015】次に、図4の(a) 乃至(d) を用いて、図2
に示す銅または銅合金製の基材18から成るヒートシン
ク14の製造方法を説明する。先ず、図4の(a) に示す
ように、熱伝導率の高い銅または銅合金製の棒材状の基
材18を用意する。この基材18は、たとえば20乃至
50mm程度の幅寸法と2mm程度の厚み寸法を備えてい
る。次いで、その基材18の表面にアルミニウム層24
を形成する。このアルミニウム層24は、アルミニウム
溶融浸漬めっき、アルミニウム溶射、アルミニウム箔の
巻きつけ或いはクラッドなどの手法によって基材18の
表面に形成される。このアルミニウム層24は、たとえ
ば50μmm程度の厚みである。図4の(b)はこの状態を
示している。
【0016】次いで、アルミニウム層24が形成された
基材18に対して異型圧延、押出、引抜、或いはプレス
などの手法によって所定の形状に成形することにより、
放熱フィン16を形成する。図4の(c) はこの状態を示
している。そして、その放熱フィン16が形成されたも
のに対して、熱処理装置26を用いて空気中でたとえば
400〜1000℃の範囲内から適宜設定された温度を
加えて30分程度の間その温度を保持することにより、
アルミニウム層24のアルミニウムを酸化させてアルミ
ナを結晶成長させ、アルミナ結晶成長層22を生成させ
るのである。図4の(d) はこの状態を示している。上記
熱処理温度は基材18の溶融温度よりも低く設定され
る。
【0017】次に、アルニミウムまたはアルニミウム合
金製の基材28から成るヒートシンク30の製造方法を
図5の(a) 乃至(e) を用いて説明する。このヒートシン
ク30は、基材28の材質が前記の基材18と異なる他
は前記ヒートシンク14と同様の形状を備えている。先
ず、図5の(a) に示す、熱伝導率の高いアルミニウムま
たはアルミニウム合金製の棒材状の基材28を用意し、
次いで、図5の(b) に示すようにその基材28の表面に
ニッケル層32を形成する。このニッケル層32は、た
とえば0.15mm程度の厚みを有するニッケル箔の巻き
つけ、ニッケルメッキ、容射、或いはクラッドなどの手
法によって基材18の表面に形成される。
【0018】次いで、上記ニッケル層32の上にアルミ
ニウム層24を形成する。このアルミニウム層24は、
前記図4の(b) に示す工程と同様に、アルミニウム溶融
浸漬めっき、アルミニウム溶射、アルミニウム箔の巻き
つけ或いはクラッドなどの手法によって形成される。図
5の(c) はこの状態を示している。次に、図5の(d)に
示すように、ニッケル層32およびアルミニウム層24
が形成された基材28に対して前述の図4の(c) と同様
に異型圧延、押出、引抜、或いはプレスなどの手法によ
って所定の形状に成形することにより、放熱フィン36
を形成する。次いで、図5の(e) に示すように、熱処理
装置38を用いて前述の図4の(d) と同様に酸化雰囲気
中において30分程度の間酸化処理を行う。この場合の
酸化処理条件としては、空気中であってアルミニウムの
融点(660℃)よりも低い温度、たとえば500〜6
00度の範囲内で選択された処理温度が用いられる。
【0019】以上の工程を経て製造されたヒートシンク
30の表面には、図6に示すように、アルミニウムまた
はアルミニウム合金製の基材28の表層がニッケル−ア
ルミニウム金属間化合物(Ni3-Al)層40およびアルミ
ナ結晶成長層22によって覆われている。このアルミナ
結晶成長層22は、当初にその表面を被覆していたアル
ミニウム層24が酸化雰囲気中の熱処理により酸化させ
られてアルミナが結晶成長させられたものである。ま
た、上記ニッケル−アルミニウム金属間化合物層40
は、上記酸化雰囲気中の熱処理においてニッケル層32
中のニッケル原子と基材28中のアルミニウム原子との
化合により形成されるものである。
【0020】上記のように構成されたヒートシンク30
においても、その表面には化学的に安定なアルミナ結晶
成長層22が形成されるので、従来よりも耐蝕性が大幅
に高められる。また、このアルミナ結晶成長層22は、
硬くかつ機械的強度にも優れているので、取扱いなどに
よる当接や衝突などに対しても疵がつき難く、その疵に
起因する腐蝕が好適に防止される。さらに、細かなアル
ミナ結晶の凹凸によりアルミナ結晶成長層22の表面積
が飛躍的に増加させられて放熱効果が高められる。
【0021】また、本実施例によれば、アルニミウムの
融点よりも低い温度で熱処理をすることにより高い強度
かつ高耐蝕性のアルミナ結晶成長層22が得られる利点
がある。
【0022】図7、図8、図9は、前記ヒートシンク1
4、30とは形状の異なる他の例を示している。それら
図7、図8、図9に示すヒートシンクは、いずれも押出
成形或いは引抜成形により長手状に形成される。
【0023】以上、本発明の一実施例を図面に基づいて
説明したが、本発明はその他の態様においても適用され
る。
【0024】たとえば、前述の実施例のヒートシンク1
4、30は、IC12に対する装着に適した形状を備え
ていたが、他の電子部品に適用される場合には、その部
品への装着に適した形状に適宜変更される。
【0025】また、アルミナ結晶成長層22を生成する
ための熱処理においては空気雰囲気が用いられていた
が、積極的にアルミニウムの酸化を促進するために酸化
ガス雰囲気などが用いられてもよい。
【0026】また、前述の図4の実施例では、基材18
の表面にアルミニウム層24が形成された後に放熱フィ
ン16が一体に形成されていたが、放熱フィン16が形
成された後にアルミニウム層24が形成されてもよい。
同様に、前述の図5の実施例では、基材28の表面にニ
ッケル層32およびアルミニウム層24が形成された後
に放熱フィン36が一体に形成されていたが、放熱フィ
ン36が形成された後にニッケル層32およびアルミニ
ウム層24が形成されてもよいのである。
【0027】なお、上述したのはあくまでの本発明の一
実施例であり、本発明はその主旨を逸脱しない範囲いお
いて種々変更が加えられ得るものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例のヒートシンクの装着状態の
一例を示す図である。
【図2】図1のヒートシンクの斜視図である。
【図3】図2の実施例のヒートシンクの表層構造をモデ
ル化して示す断面図である。
【図4】図2の実施例のヒートシンクの製造方法の各工
程を説明する図である。
【図5】本発明のヒートシンクの他の製造方法の各工程
を説明する図である。
【図6】図5に示す工程により製造されたヒートシンク
の表層構造をモデル化して示す断面図である。
【図7】本発明のヒートシンクの他の形状例を示す図で
ある。
【図8】本発明のヒートシンクの他の形状例を示す図で
ある。
【図9】本発明のヒートシンクの他の形状例を示す図で
ある。
【符号の説明】
12:IC(発熱部品) 14,30:ヒートシンク(放熱部材) 18,28:基材 22:アルミナ結晶成長層 24:アルミニウム層 32:ニッケル層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI // B21D 53/00 B21D 53/00 D H01L 23/373 H01L 23/36 M (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) F28F 21/08 C22F 1/04 C23C 2/12 C23C 2/34 F28F 1/10 B21D 53/00 H01L 23/36

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 大気との接触面積を増加させるための放
    熱フィンを備え、発熱部品に装着されることにより該発
    熱部品に発生した熱を大気に放散させる放熱部材におい
    て、 銅、アルミニウム、またはそれらの合金から成る基材の
    表面を、アルミナ結晶成長層により被覆したことを特徴
    とする放熱部材。
  2. 【請求項2】 大気との接触面積を増加させるための放
    熱フィンを備え、発熱部品に装着されることにより該発
    熱部品に発生した熱を大気に放散させる放熱部材の製造
    方法であって、 銅またはその合金からなる基材の表面にアルミニウム層
    を形成するアルミニウム層形成工程と、 該アルミニウム層形成工程の後、または該アルミニウム
    層形成工程に先立って前記基材に異型圧延、型押出、引
    抜などの成形を施すことにより、前記放熱フィンを一体
    に形成する放熱フィン形成工程と、 放熱フィンが形成された基材に表面酸化処理を施すこと
    により、前記アルミニウム層からアルミナ結晶成長層を
    生成させるアルミナ結晶成長層生成工程とを、含むこと
    を特徴とする放熱部材の製造方法。
  3. 【請求項3】 大気との接触面積を増加させるための放
    熱フィンを備え、発熱部品に装着されることにより該発
    熱部品に発生した熱を大気に放散させる放熱部材の製造
    方法であって、 アルミニウムまたはその合金からなる基材の表面にニッ
    ケル層を形成するニッケル層形成工程と、 該ニッケル層形成工程において形成されたニッケル層の
    上にアルミニウム層を形成するアルミニウム層形成工程
    と、 該アルミニウム層形成工程の後、または該アルミニウム
    層形成工程若しくは前記ニッケル層形成工程に先立って
    前記基材に異型圧延、型押出、引抜などの成形を施すこ
    とにより、前記放熱フィンを一体に形成する放熱フィン
    形成工程と、 放熱フィンが形成された基材に表面酸化処理を施すこと
    により、前記アルミニウム層からアルミナ結晶成長層を
    生成させるアルミナ結晶成長層生成工程とを、含むこと
    を特徴とする放熱部材の製造方法。
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JP2008303468A (ja) * 2000-11-21 2008-12-18 Jfe Metal Products & Engineering Inc アルミニウムめっきステンレス琺瑯鋼板
JP4663213B2 (ja) * 2001-03-21 2011-04-06 株式会社翠光トップライン 放熱フィン及びそれを用いた放熱方法
JP4678200B2 (ja) * 2005-02-14 2011-04-27 日産自動車株式会社 ウィスカー形成体及びその製造方法
CN100435323C (zh) * 2006-01-23 2008-11-19 旭宏科技有限公司 用于晶片封装的散热片及其制造方法
JP6343809B2 (ja) * 2013-09-04 2018-06-20 パナソニックIpマネジメント株式会社 熱交換器及びそれを用いた冷却装置

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