JP3164816B2 - 充電発電機の制御装置 - Google Patents
充電発電機の制御装置Info
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は充電発電機の制御装置に係り、外部接続端子
数制約時の電源供給回路に関する。
数制約時の電源供給回路に関する。
充電発電機の制御装置における従来の電源供給方式は
特開昭63−92233号公報に記載の様にキースイツチに電
源供給専用端子（IG端子）が接続され、キースイツチON
−OFFに応じバツテリより電源供給される方式となつて
いた。
特開昭63−92233号公報に記載の様にキースイツチに電
源供給専用端子（IG端子）が接続され、キースイツチON
−OFFに応じバツテリより電源供給される方式となつて
いた。
また、外部接続端子数に制約が生じ、電源供給用専用端
子（IG端子）が設けられないような場合には、以下に示
すような構成が考えられている。
子（IG端子）が設けられないような場合には、以下に示
すような構成が考えられている。
すなわち、キースイッチを、充電表示灯、および充電
表示灯のオン、オフを制御する充電表示灯点灯トランジ
スタに直列に接続する。そして充電表示灯と充電表示灯
点灯トランジスタの間の電位を検出し、該電位が一定値
以上のときに制御回路に電源を供給するように構成す
る。
表示灯のオン、オフを制御する充電表示灯点灯トランジ
スタに直列に接続する。そして充電表示灯と充電表示灯
点灯トランジスタの間の電位を検出し、該電位が一定値
以上のときに制御回路に電源を供給するように構成す
る。
充電表示灯は、キースイッチがONされたとき点灯し、
電機子巻線の電圧が所定値まで上昇したときに消灯す
る。
電機子巻線の電圧が所定値まで上昇したときに消灯す
る。
充電発電機の制御回路をICを用いて構成した場合、充
電表示灯点灯トランジスタを導通・遮断させる手段とし
て、IC内にスイッチング用のトランジスタを構成し、そ
のトランジスタから充電表示灯点灯トランジスタのベー
スに導通電流を供給する構成が可能である。
電表示灯点灯トランジスタを導通・遮断させる手段とし
て、IC内にスイッチング用のトランジスタを構成し、そ
のトランジスタから充電表示灯点灯トランジスタのベー
スに導通電流を供給する構成が可能である。
このような構成においては、キースイッチがONされる
と、充電表示灯点灯と充電表示灯点灯トランジスタの間
の電位が高くなる。そしてその電位が所定値を上回った
ことが検出されると、ICに電源が供給される。起動され
たIC内では、そのロジック回路により、電機子巻線の電
圧が上昇するまで上記スイッチング用トランジスタで充
電表示灯点灯トランジスタを導通させ、充電表示灯を点
灯させる。
と、充電表示灯点灯と充電表示灯点灯トランジスタの間
の電位が高くなる。そしてその電位が所定値を上回った
ことが検出されると、ICに電源が供給される。起動され
たIC内では、そのロジック回路により、電機子巻線の電
圧が上昇するまで上記スイッチング用トランジスタで充
電表示灯点灯トランジスタを導通させ、充電表示灯を点
灯させる。
しかし、充電表示灯が点灯すると、充電表示灯の電圧
降下により、充電表示灯と充電表示灯点灯トランジスタ
の間の電位VAが大きく低下する。すると、その電位VAが
所定値に満たなくなり、電機子巻線の電圧が上昇するま
でに制御回路の電源供給が遮断されるという問題があ
る。
降下により、充電表示灯と充電表示灯点灯トランジスタ
の間の電位VAが大きく低下する。すると、その電位VAが
所定値に満たなくなり、電機子巻線の電圧が上昇するま
でに制御回路の電源供給が遮断されるという問題があ
る。
本発明が解決しようとする課題は、上記のような構成
において、充電表示灯が点灯しても、制御回路への電源
供給を許可する電位よりも充電表示灯と充電表示灯点灯
トランジスタの間の電位VAが下がらないように保証する
ことである。
において、充電表示灯が点灯しても、制御回路への電源
供給を許可する電位よりも充電表示灯と充電表示灯点灯
トランジスタの間の電位VAが下がらないように保証する
ことである。
本発明は、蓄電池を充電する発電機構と、前記発電機
構の出力電圧を調整する電圧調整回路とを有する充電発
電機であって、前記電圧調整回路は、前記発電機構の界
磁電流を制御する論理回路を有するICと、前記蓄電池、
充電表示灯、およびキースイッチと直列回路を構成し、
前記ICの内部のトランジスタ回路によって開閉制御され
る充電表示灯点灯トランジスタと、前記充電表示灯と充
電表示灯点灯トランジスタの間の電位を検出し、該電位
が一定値以上のときに導通する電圧検出トランジスタ
と、前記電圧検出トランジスタが導通したときに閉じて
前記ICに電源を供給する電源供給トランジスタとを有
し、前記充電表示灯点灯トランジスタのコレクタ・ベー
ス間、およびベース・エミッタ間にそれぞれ抵抗器が挿
入されている充電発電機である。
構の出力電圧を調整する電圧調整回路とを有する充電発
電機であって、前記電圧調整回路は、前記発電機構の界
磁電流を制御する論理回路を有するICと、前記蓄電池、
充電表示灯、およびキースイッチと直列回路を構成し、
前記ICの内部のトランジスタ回路によって開閉制御され
る充電表示灯点灯トランジスタと、前記充電表示灯と充
電表示灯点灯トランジスタの間の電位を検出し、該電位
が一定値以上のときに導通する電圧検出トランジスタ
と、前記電圧検出トランジスタが導通したときに閉じて
前記ICに電源を供給する電源供給トランジスタとを有
し、前記充電表示灯点灯トランジスタのコレクタ・ベー
ス間、およびベース・エミッタ間にそれぞれ抵抗器が挿
入されている充電発電機である。
上記のように、充電表示灯点灯トランジスタのコレク
タ・ベース間、およびベース・エミッタ間にそれぞれ抵
抗器が挿入されていることにより、充電表示灯点灯トラ
ンジスタが導通したときでも、電圧検出トランジスタが
検出する充電表示灯と充電表示灯点灯トランジスタの間
の電位VAが低下せず、電源供給トランジスタを介してIC
に電源が供給される。
タ・ベース間、およびベース・エミッタ間にそれぞれ抵
抗器が挿入されていることにより、充電表示灯点灯トラ
ンジスタが導通したときでも、電圧検出トランジスタが
検出する充電表示灯と充電表示灯点灯トランジスタの間
の電位VAが低下せず、電源供給トランジスタを介してIC
に電源が供給される。
すなわち、本発明は前記VAと電圧検出トランジスタの
ベース・エミッタ間の電圧VBEの VA＞VBE の関係を回路的に保証するものである。このことによ
り、キースイッチON時、電機子巻線の電圧が所定値に上
昇するまで、充電発電機の制御装置に電源を供給し続け
ることができる。
ベース・エミッタ間の電圧VBEの VA＞VBE の関係を回路的に保証するものである。このことによ
り、キースイッチON時、電機子巻線の電圧が所定値に上
昇するまで、充電発電機の制御装置に電源を供給し続け
ることができる。
上記目的を達成するために、充電表示灯とトランジス
タの接続点の電圧を検出し、該電圧が一定値以上の時に
導通する電圧検出手段と、前記電圧検出手段が導通した
時に開くスイツチ手段を備え、前記スイツチ手段により
制御装置の電源を供給する回路を設けた。
タの接続点の電圧を検出し、該電圧が一定値以上の時に
導通する電圧検出手段と、前記電圧検出手段が導通した
時に開くスイツチ手段を備え、前記スイツチ手段により
制御装置の電源を供給する回路を設けた。
また、前記トランジスタ導通時に検出電圧低下時にお
いても前記シングルトランジスタを導通させるために、
下記の手段を採用した。
いても前記シングルトランジスタを導通させるために、
下記の手段を採用した。
（ｉ）前記トランジスタにダーリントン接続されたトラ
ンジスタを使用し、被検出電圧を上げる。
ンジスタを使用し、被検出電圧を上げる。
（ii）前記トランジスタのコレクタまたはエミツタ回路
に定電圧素子を挿入し、被検出電圧を上げる。
に定電圧素子を挿入し、被検出電圧を上げる。
（iii）前記トランジスタ、シングルトランジスタMOSト
ランジスタを使用し、被検出電圧を上げ、検出電圧レベ
ルを下げる。
ランジスタを使用し、被検出電圧を上げ、検出電圧レベ
ルを下げる。
（iv）前記トランジスタのコレクタ・ミツタ間、ベース
エミツタ間に抵抗を接続し、被検出電圧を上げる。
エミツタ間に抵抗を接続し、被検出電圧を上げる。
を満足すれば、シングルトランジスタは導通し、電源が
供給される。
供給される。
前記トランジスタ導通時のVAの低下時においてもVA＞
VBEを回路的に保証しているため、キースイツチON時、
充電発電機の制御装置に電源を供給することができる。
VBEを回路的に保証しているため、キースイツチON時、
充電発電機の制御装置に電源を供給することができる。
〔実施例〕 以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。第
１図は自動車の充電発電系統の回路図である。１は発電
機であり、電機子巻線11、三相全波整流器12a、中性点
整流器12b、界磁巻線13、電圧調整器10よりなる。２は
バツテリであり、発電機１の出力端子（Ｂ端子）に接続
されている。３は運転席に設けられたキー・スイツチで
あり、４は計器盤上に設けられた充電表示灯である。
１図は自動車の充電発電系統の回路図である。１は発電
機であり、電機子巻線11、三相全波整流器12a、中性点
整流器12b、界磁巻線13、電圧調整器10よりなる。２は
バツテリであり、発電機１の出力端子（Ｂ端子）に接続
されている。３は運転席に設けられたキー・スイツチで
あり、４は計器盤上に設けられた充電表示灯である。
また、電圧調整器10は混成厚膜集積回路により構成さ
れ、界磁電流を制御するパワー・トランジスタ20、フラ
イホイル・ダイオード21、抵抗器22,23,24,25,32,34,3
5,充電表示灯４を駆動するパワー・トランジスタ26、回
路の電源を供給するNPNトランジスタ32、PNPトランジス
タ33、コンデンサ27,28,29、第１の分圧回路を形成する
抵抗器30a,30b、第２の分圧回路を形成する抵抗器31a,3
1b、パワー・トランジスタ20,26を駆動するモノリシツ
クIC100、からなる。
れ、界磁電流を制御するパワー・トランジスタ20、フラ
イホイル・ダイオード21、抵抗器22,23,24,25,32,34,3
5,充電表示灯４を駆動するパワー・トランジスタ26、回
路の電源を供給するNPNトランジスタ32、PNPトランジス
タ33、コンデンサ27,28,29、第１の分圧回路を形成する
抵抗器30a,30b、第２の分圧回路を形成する抵抗器31a,3
1b、パワー・トランジスタ20,26を駆動するモノリシツ
クIC100、からなる。
モノリシツクIC100は、ツエナー・ダイオード101、比
較器102、ORゲート103、発振回路104、基準電圧発生回
路105、ANDゲート106、NPNトランジスタ107、108,109,1
10、PNPトランジスタ111,112,113、ダイオード114,115,
116,117、抵抗器118からなる。
較器102、ORゲート103、発振回路104、基準電圧発生回
路105、ANDゲート106、NPNトランジスタ107、108,109,1
10、PNPトランジスタ111,112,113、ダイオード114,115,
116,117、抵抗器118からなる。
上記の構成による動作を以下に説明する。まずキー・
スイツチ３を投入すると、バツテリ２より充電表示灯
４、抵抗器34を介してトランジスタ32のベース電流が供
給され、トランジスタ32が導通し、トランジスタ33のベ
ース電流が供給される。すると、トランジスタ33が導通
し、バツテリ２、発電機１のＢ端子、トランジスタ33、
抵抗器23を介してツエナー・ダイオード101に電流が供
給され、モノリシツクIC100を駆動する電源電圧VCCが立
ち上がる。
スイツチ３を投入すると、バツテリ２より充電表示灯
４、抵抗器34を介してトランジスタ32のベース電流が供
給され、トランジスタ32が導通し、トランジスタ33のベ
ース電流が供給される。すると、トランジスタ33が導通
し、バツテリ２、発電機１のＢ端子、トランジスタ33、
抵抗器23を介してツエナー・ダイオード101に電流が供
給され、モノリシツクIC100を駆動する電源電圧VCCが立
ち上がる。
発電機の回転子（図示せず）が静止した状態では、電
機子巻線11に電圧が発生せずダイオード117が遮断され
ているため、コンデンサ29に電荷が蓄積されない。する
とANDゲートの入力ｄが“0"レベルとなり、トランジス
タ109がオフ，パワー・トランジスタ26がオンとなり、
充電表示灯４が点灯する。
機子巻線11に電圧が発生せずダイオード117が遮断され
ているため、コンデンサ29に電荷が蓄積されない。する
とANDゲートの入力ｄが“0"レベルとなり、トランジス
タ109がオフ，パワー・トランジスタ26がオンとなり、
充電表示灯４が点灯する。
一方、発電が行われていないので、バツテリ２の電圧
は低く、比較器102の出力ｃは“0"レベルであり、発振
回路104の発振信号がトランジスタ107,108を介してパワ
ー・トランジスタ20に伝達される。すると、一定通流率
でパワー・トランジスタ20が導通し、一定の界磁電流が
界磁巻線13に流れ、「初期励磁」が行われる。
は低く、比較器102の出力ｃは“0"レベルであり、発振
回路104の発振信号がトランジスタ107,108を介してパワ
ー・トランジスタ20に伝達される。すると、一定通流率
でパワー・トランジスタ20が導通し、一定の界磁電流が
界磁巻線13に流れ、「初期励磁」が行われる。
次に、発電機の回転子が回転を開始すると、電機子巻
線11に交流電圧が発生し、その交流電圧のピーク値がダ
イオード117を介してコンデンサ29に充電される。この
値が一定値を越えると、発振回路104の入力端子ａに信
号を与え、発振が停止し、出力端子ｂが“0"レベルとな
り、ORゲート103の入力端子ｃの信号がパワー・トラン
ジスタ20に伝達され、初期励磁が終了する。一方、AND
ゲート106の入力端子ｄが“1"レベルとなり、ｅ端子が
“1"レベルであるので（理由は後述する）、出力端子ｆ
が“1"レベルとなり、トランジスタ109がオン、トラン
ジスタ26がオフとなり、充電表示灯４が消灯する。
線11に交流電圧が発生し、その交流電圧のピーク値がダ
イオード117を介してコンデンサ29に充電される。この
値が一定値を越えると、発振回路104の入力端子ａに信
号を与え、発振が停止し、出力端子ｂが“0"レベルとな
り、ORゲート103の入力端子ｃの信号がパワー・トラン
ジスタ20に伝達され、初期励磁が終了する。一方、AND
ゲート106の入力端子ｄが“1"レベルとなり、ｅ端子が
“1"レベルであるので（理由は後述する）、出力端子ｆ
が“1"レベルとなり、トランジスタ109がオン、トラン
ジスタ26がオフとなり、充電表示灯４が消灯する。
ここで、Ｂ端子電圧を分圧する分圧抵抗器31aと31bの
分圧比がＳ端子電圧分圧する分圧抵抗器30aと30bの分圧
比より大きく設定されているとすれば、分圧抵抗器30a,
390bの分圧点の電圧が分圧抵抗器31a,31bの分圧点の電
圧より高くなり、PNPトランジスタ111が導通し、第１の
分圧回路30a,30bの分圧点から、比較器102の非反転入力
端子へ、微小な電流を流す。この時、第２の分圧回路31
bの分圧点の電圧は第１の分圧回路の分圧点電圧より低
いので、PNPトランジスタ112は遮断する。そして、PNP
トランジスタ111,113によるカレント・ミラー回路の動
作により、トランジスタ111に流れる電流と概略同一の
電流がトランジスタ113に流れ、トランジスタ110を介し
て電流増幅され、ｅ端子の電圧を高くし、“1"レベルと
する。
分圧比がＳ端子電圧分圧する分圧抵抗器30aと30bの分圧
比より大きく設定されているとすれば、分圧抵抗器30a,
390bの分圧点の電圧が分圧抵抗器31a,31bの分圧点の電
圧より高くなり、PNPトランジスタ111が導通し、第１の
分圧回路30a,30bの分圧点から、比較器102の非反転入力
端子へ、微小な電流を流す。この時、第２の分圧回路31
bの分圧点の電圧は第１の分圧回路の分圧点電圧より低
いので、PNPトランジスタ112は遮断する。そして、PNP
トランジスタ111,113によるカレント・ミラー回路の動
作により、トランジスタ111に流れる電流と概略同一の
電流がトランジスタ113に流れ、トランジスタ110を介し
て電流増幅され、ｅ端子の電圧を高くし、“1"レベルと
する。
次に、発電機の回転数がさらに高くなると、バツテリ
２の電圧が高くなり、第１の分圧回路30a,30bの分圧点
電圧が上昇し、比較器102の非反転入力端子の電圧が参
照電圧105より高くなると、比較器102の出力ｃが“1"レ
ベルとなり、ORゲート103の出力が“1"、トランジスタ1
07,108が導通、パワー・トランジスタ20が遮断され界磁
電流がフライホイル・ダイオード21を通つて減少する。
すると充電発電機の出力端子Ｂの電圧が低下し、バツテ
リ２の電圧も低下する。バツテリ２の電圧が低くなる
と、第１の分圧回路30a,30bの分圧点の電圧も低下し、
比較器102の出力が、“0"レベルに戻り、ORゲート103の
出力が“0"、トランジスタ107,108が遮断し、パワー・
トランジスタ20がONとなり、界磁電流が付勢され、充電
発電機の出力端子Ｂの電圧が高くなる。
２の電圧が高くなり、第１の分圧回路30a,30bの分圧点
電圧が上昇し、比較器102の非反転入力端子の電圧が参
照電圧105より高くなると、比較器102の出力ｃが“1"レ
ベルとなり、ORゲート103の出力が“1"、トランジスタ1
07,108が導通、パワー・トランジスタ20が遮断され界磁
電流がフライホイル・ダイオード21を通つて減少する。
すると充電発電機の出力端子Ｂの電圧が低下し、バツテ
リ２の電圧も低下する。バツテリ２の電圧が低くなる
と、第１の分圧回路30a,30bの分圧点の電圧も低下し、
比較器102の出力が、“0"レベルに戻り、ORゲート103の
出力が“0"、トランジスタ107,108が遮断し、パワー・
トランジスタ20がONとなり、界磁電流が付勢され、充電
発電機の出力端子Ｂの電圧が高くなる。
以上の動作を繰り返し、充電発電機１の電圧が一定値
に制御される。本実施例によれば、Ｌ端子の電圧VLは、
パワー・トランジスタ26が非導通の場合と導通の場合と
で以下のように表される。
に制御される。本実施例によれば、Ｌ端子の電圧VLは、
パワー・トランジスタ26が非導通の場合と導通の場合と
で以下のように表される。
（ｉ）パワー・トランジスタ26が遮断の場合 VL（OFF）＝VB ただし、VBはバツテリ２の電圧 （ii）パワー・トランジスタ26が導通の場合 VL（ON）＝VBE＋VCE（SAT） ただし、VBEはトランジスタのベース・エミツタ間電
圧 VCE（SAT）はトランジスタのコレクタ・エミツタ間飽
和電圧 これはトランジスタ26がダーリントン接続されている
ことによる。
圧 VCE（SAT）はトランジスタのコレクタ・エミツタ間飽
和電圧 これはトランジスタ26がダーリントン接続されている
ことによる。
また、トランジスタ32のベース電流は以下のように表
される。
される。
（ｉ）の場合 IB＝（VB−VBE）/R34 （ii）の場合 IB＝（VL−VBE）/R34 ＝VCE（SAT）/R いずれの場合にもIB＞０であり、確実にベース電流が
流れ、パワー・トランジスタ26の導通、非導通にかかわ
らず、回路電圧VCCが低下することはない。
流れ、パワー・トランジスタ26の導通、非導通にかかわ
らず、回路電圧VCCが低下することはない。
本発明の第２の実施例を第２図に示す。第２図の26a
はトランジスタ261及びダイオード262からなる回路であ
り、第１図のダーリントン接続されたパワー・トランジ
スタ26の代りに用いられている。第２の実施例によれ
ば、Ｌ端子の電圧は、トランジスタ261及びダイオード2
62が非導通の場合と導通の場合とで以下の様に表され
る。
はトランジスタ261及びダイオード262からなる回路であ
り、第１図のダーリントン接続されたパワー・トランジ
スタ26の代りに用いられている。第２の実施例によれ
ば、Ｌ端子の電圧は、トランジスタ261及びダイオード2
62が非導通の場合と導通の場合とで以下の様に表され
る。
（ｉ）トランジスタ261及びダイオード262が遮断の場
合、 VL（OFF）＝VB ただし、VBはバツテリ２の電圧 （ii）トランジスタ261及びダイオード262が導通の場合 VL（ON）＝VF＋VCE（SAT） ただし、VFはダイオード順方向降下電圧 VCL（SAT）はトランジスタのコレクタ・エミツタ間飽
和電圧 また、トランジスタ32のベース電流は以下の様に表さ
れる。
合、 VL（OFF）＝VB ただし、VBはバツテリ２の電圧 （ii）トランジスタ261及びダイオード262が導通の場合 VL（ON）＝VF＋VCE（SAT） ただし、VFはダイオード順方向降下電圧 VCL（SAT）はトランジスタのコレクタ・エミツタ間飽
和電圧 また、トランジスタ32のベース電流は以下の様に表さ
れる。
（ｉ）の場合 IB＝（VB−VBE）/R34 （ii）の場合 IB＝（VL−VBE）/R34 ≒VCE（SAT）/R34 （VFVBEのため） いずれの場合にもIB＞０であり、確実にベース電流が
流れ、トランジスタ261及びダイオード262の導通，非導
通にかかわらず、回路電源VCCが低下することはない。
流れ、トランジスタ261及びダイオード262の導通，非導
通にかかわらず、回路電源VCCが低下することはない。
本発明の第３の実施例を第３図に示す。第３図のパワ
ー・MOSトランジスタ266は第１図のダーリントン接続さ
れたパワー・トランジスタ26の代りに、また、第３図の
シングルMOSトランジスタ32aは第１図のシングルトラン
ジスタ32の代りに用いられている。第３の実施例によれ
ば、Ｌ端子の電圧は、パワー・MOSトランジスタ266が非
導通の場合と導通の場合とで以下の様に表される。
ー・MOSトランジスタ266は第１図のダーリントン接続さ
れたパワー・トランジスタ26の代りに、また、第３図の
シングルMOSトランジスタ32aは第１図のシングルトラン
ジスタ32の代りに用いられている。第３の実施例によれ
ば、Ｌ端子の電圧は、パワー・MOSトランジスタ266が非
導通の場合と導通の場合とで以下の様に表される。
（ｉ）パワー・MOSトランジスタ266が遮断の場合 VL（OFF）＝VB ただし、VBはバツテリ電圧 （ii）パワー・トランジスタ266が導通の場合 VL（ON）＝VDS＝ron×ID ただし、VDSはトランジスタのドレイン・ソース間電
圧 ronはトランジスタのオン抵抗 IDはトランジスタのドレイン電流 また、シングルMOSトランジスタ32aのゲート電圧V
Gは、VG＝VLであり、下記の条件を満足させることによ
りパワーMOSトランジスタ266の導通，非導通にかかわら
ず、回路電源VCCが低下することはない。
圧 ronはトランジスタのオン抵抗 IDはトランジスタのドレイン電流 また、シングルMOSトランジスタ32aのゲート電圧V
Gは、VG＝VLであり、下記の条件を満足させることによ
りパワーMOSトランジスタ266の導通，非導通にかかわら
ず、回路電源VCCが低下することはない。
VT＜VG＝VL＝VDS＝ron×ID ただし、VTはシングルMOSトランジスタのしきい値電
圧 VGはシングルMOSトランジスタのゲート電圧 VLはＬ端子電圧 VDSはパワーMOSトランジスタのドレイン・ソース間電
圧 ronはパワーMOSトランジスタのオン抵抗 IDはパワーMOSトランジスタのドレイン電流 本発明の第４の実施例を第４図に示す。第４図の26c
はトランジスタ261及び抵抗器263a,263bから成る回路で
あり、第１図のダーリントン接続されたパワー・トラン
ジスタ26の代りに用いられている。第４の実施例によれ
ば、Ｌ端子の電圧は、トランジスタ261が非導通の場合
と導通の場合とで以下の様に表される。
圧 VGはシングルMOSトランジスタのゲート電圧 VLはＬ端子電圧 VDSはパワーMOSトランジスタのドレイン・ソース間電
圧 ronはパワーMOSトランジスタのオン抵抗 IDはパワーMOSトランジスタのドレイン電流 本発明の第４の実施例を第４図に示す。第４図の26c
はトランジスタ261及び抵抗器263a,263bから成る回路で
あり、第１図のダーリントン接続されたパワー・トラン
ジスタ26の代りに用いられている。第４の実施例によれ
ば、Ｌ端子の電圧は、トランジスタ261が非導通の場合
と導通の場合とで以下の様に表される。
（ｉ）トランジスタ261が遮断の場合 VL（OFF）＝VB ただし、VBはバツテリ電圧 （ii）トランジスタ261が導通の電圧 ただし、VBEはトランジスタ261のベース・エミツタ間
電圧 ICはトランジスタ261のコレクタ電流 hFEはトランジスタ261の増幅率 また、トランジスタ32のベース電流は以下の様に表さ
れる。
電圧 ICはトランジスタ261のコレクタ電流 hFEはトランジスタ261の増幅率 また、トランジスタ32のベース電流は以下の様に表さ
れる。
（ｉ）の場合 IB＝（VB−VBE）／（R34） （ii）の場合 IB＝（VL−VBE）/R34 ＝（R263a（IC/hFE＋VBE/R263b））/R34 いずれの場合もIB＞０であり、確実にベース電流が流
れ、トランジスタ261の導通、非導通にかかわらず、回
路電源VCCが低下することはない。
れ、トランジスタ261の導通、非導通にかかわらず、回
路電源VCCが低下することはない。
第１図は本発明の一実施例による自動車の発電系統の回
路図を示す。 第２図から第４図は本発明の他の実施例による回路図を
示す。 １……発電機、２……バッテリ、４……充電表示灯、10
……電圧調整器、11……電機子巻線、13……界磁巻線、
20・26……パワー・トランジスタ、31a・31b……分圧抵
抗器、100……モノリシックIC。
路図を示す。 第２図から第４図は本発明の他の実施例による回路図を
示す。 １……発電機、２……バッテリ、４……充電表示灯、10
……電圧調整器、11……電機子巻線、13……界磁巻線、
20・26……パワー・トランジスタ、31a・31b……分圧抵
抗器、100……モノリシックIC。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭59−86437（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−227635（ＪＰ，Ａ) 実開 昭63−90941（ＪＰ，Ｕ) 実開 平１−69341（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H02J 7/14 - 7/24
Claims (1)
- 【請求項１】蓄電池を充電する発電機構と、前記発電機
構の出力電圧を調整する電圧調整回路とを有する充電発
電機であって、 前記電圧調整回路は、前記発電機構の界磁電流を制御す
る論理回路を有するICと、 前記蓄電池、充電表示灯、およびキースイッチと直列回
路を構成し、前記ICの内部のトランジスタ回路によって
開閉制御される充電表示灯点灯トランジスタと、 前記充電表示灯と充電表示灯点灯トランジスタの間の電
位を検出し、該電位が一定値以上のときに導通する電圧
検出トランジスタと、 前記電圧検出トランジスタが導通したときに閉じて前記
ICに電源を供給する電源供給トランジスタとを有し、 前記充電表示灯点灯トランジスタのコレクタ・ベース
間、およびベース・エミッタ間にそれぞれ抵抗器が挿入
されている充電発電機。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27905790A JP3164816B2 (ja) | 1990-10-19 | 1990-10-19 | 充電発電機の制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27905790A JP3164816B2 (ja) | 1990-10-19 | 1990-10-19 | 充電発電機の制御装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04156234A JPH04156234A (ja) | 1992-05-28 |
| JP3164816B2 true JP3164816B2 (ja) | 2001-05-14 |
Family
ID=17605803
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27905790A Expired - Fee Related JP3164816B2 (ja) | 1990-10-19 | 1990-10-19 | 充電発電機の制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3164816B2 (ja) |
-
1990
- 1990-10-19 JP JP27905790A patent/JP3164816B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04156234A (ja) | 1992-05-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |