JP3161498B2 - Discharge type surge absorber - Google Patents
Discharge type surge absorberInfo
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Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は電話機、ファクシミリ、
電話交換機、モデム等の通信機器用の電子部品に印加さ
れるサージ電圧の吸収機能に加えて、高周波ノイズの吸
収機能を有する放電型サージアブソーバに関する。更に
詳しくは、管内部に放電ギャップを形成する一対の対向
電極により管の両端部を封止(hermetic seal)した対
向電極型のサージアブソーバに関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a telephone, a facsimile,
The present invention relates to a discharge surge absorber having a function of absorbing high-frequency noise in addition to a function of absorbing surge voltage applied to electronic components for communication devices such as telephone exchanges and modems. More specifically, the present invention relates to a counter electrode type surge absorber in which both ends of the tube are hermetically sealed by a pair of counter electrodes forming a discharge gap inside the tube.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、この種のサージアブソーバとし
て、セラミック管の両端を封止キャップにより封止部材
を介して封止することにより気密容器が形成され、気密
容器中に少なくとも放電ギャップを隔てて相対向する電
極が収容され、封止キャップがセラミック管及び封止部
材と熱膨張率の整合する材料で形成され、電極が放電特
性の良好な材料で形成されたサージ吸収素子が開示され
ている(実開昭61−63787)。このサージ吸収素
子のセラミック管はフォルステライト等の絶縁セラミッ
ク材料により形成される。このように構成されたサージ
吸収素子では、電極間に雷サージのような瞬間的なサー
ジ電圧が印加されると、放電ギャップで決められる放電
開始電圧に基づき、電極間でアーク放電が起こり、サー
ジ電圧を吸収することができるようになっている。また
このサージ吸収素子ではその封止作業を容易に行うこと
ができ、封止の信頼性が向上し、更に長寿命で廉価に製
造できる。2. Description of the Related Art Conventionally, as a surge absorber of this type, an airtight container is formed by sealing both ends of a ceramic tube with a sealing cap via a sealing member, and at least a discharge gap is provided in the airtight container. Disclosed is a surge absorbing element in which opposing electrodes are accommodated, a sealing cap is formed of a material having a coefficient of thermal expansion matching that of the ceramic tube and the sealing member, and the electrodes are formed of a material having good discharge characteristics. (Jpn. Showa 61-63787). The ceramic tube of this surge absorbing element is formed of an insulating ceramic material such as forsterite. In the surge absorbing element configured as described above, when an instantaneous surge voltage such as a lightning surge is applied between the electrodes, an arc discharge occurs between the electrodes based on a discharge starting voltage determined by a discharge gap, and a surge occurs. The voltage can be absorbed. Further, in this surge absorbing element, the sealing operation can be performed easily, the reliability of the sealing is improved, and a longer life and a lower cost can be manufactured.
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来のサ
ージ吸収素子では、セラミック管がフォルステライト等
の絶縁性セラミック材料から作られているため、電子機
器に高周波ノイズが侵入してもノイズを吸収することは
できず、高周波ノイズを吸収する必要があるときにはサ
ージ吸収素子とは別にノイズフィルタを使用しなければ
ならず、電子部品の数が増加し、製造コストが増大する
とともに、電子機器の小型化に対する障害となってい
た。また非常に急峻なサージに対して従来のサージ吸収
素子は十分に速い速度で応答することが困難で、残留電
圧が高くなる欠点を有していた。However, in the above conventional surge absorbing element, since the ceramic tube is made of an insulating ceramic material such as forsterite, even if high-frequency noise enters electronic equipment, the noise is absorbed. When it is necessary to absorb high-frequency noise, a noise filter must be used separately from the surge absorbing element, which increases the number of electronic components, increases manufacturing costs, and reduces the size of electronic devices. It was an obstacle to the development. Further, the conventional surge absorbing element has difficulty in responding to a very steep surge at a sufficiently high speed, and has a drawback that the residual voltage increases.
【0004】本発明の目的は、部品点数を増やすことな
くサージ吸収機能に加えて、高周波ノイズの吸収機能を
有する放電型サージアブソーバを提供することにある。
本発明の別の目的は、サージインパルスに対する応答性
が良い放電型サージアブソーバを提供することにある。An object of the present invention is to provide a discharge type surge absorber having a high frequency noise absorbing function in addition to a surge absorbing function without increasing the number of parts.
Another object of the present invention is to provide a discharge type surge absorber having good responsiveness to a surge impulse.
【0005】[0005]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明の構成を、実施例に対応する図1を用いて説明
する。本発明は、セラミック管11の内部に不活性ガス
を封入するようにセラミック管11の両端部に一対の封
止電極12,13が相対向して封着され、かつ一対の封
止電極12,13間に放電ギャップ14が形成された放
電型サージアブソーバ10の改良である。その特徴ある
構成は、セラミック管11を比誘電率が少なくとも10
であって鉛系リラクサ材料又はチタン酸バリウム系材料
により形成されたセラミック誘電体にて構成することに
より、高周波ノイズの吸収機能を具備し、一対の封止電
極12,13がセラミック管11の熱膨張係数とほぼ等
しい金属により形成されたところにある。A configuration of the present invention for achieving the above object will be described with reference to FIG. 1 corresponding to an embodiment. According to the present invention, a pair of sealing electrodes 12 and 13 are sealed opposite to each other at both ends of the ceramic tube 11 so as to seal an inert gas inside the ceramic tube 11, and a pair of sealing electrodes 12 and This is an improvement of the discharge type surge absorber 10 in which a discharge gap 14 is formed between 13. Its characteristic configuration is that the ceramic tube 11 has a relative dielectric constant of at least 10
A lead-based relaxor material or a barium titanate-based material
It has a function of absorbing high-frequency noise and is composed of a pair of sealing electrodes.
The poles 12 and 13 are almost equal to the coefficient of thermal expansion of the ceramic tube 11
Where it is made of a new metal .
【0006】以下、本発明を詳述する。本発明の放電型
サージアブソーバ10は、アレスタ型、即ち対向電極型
のサージアブソーバであり、図1に示すようなセラミッ
ク管11の両端に互いに対向する一対の封止電極12,
13を所定の間隔をあけて、即ち所定の放電ギャップ1
4を形成して設け、セラミック管11の内部に不活性ガ
スを封入して一対の封止電極12,13を封着したもの
である。セラミック管11は比誘電率が少なくとも10
であればよいが、表1に示される鉛系リラクサ材料とチ
タン酸バリウム系材料からなる比誘電率を有する誘電体
が好ましい。これらの誘電体はセラミックコンデンサに
用いられる誘電体と同一材料である。Hereinafter, the present invention will be described in detail. The discharge type surge absorber 10 of the present invention is an arrester type, that is, a counter electrode type surge absorber, and a pair of sealing electrodes 12 facing each other at both ends of a ceramic tube 11 as shown in FIG.
13 at a predetermined interval, that is, a predetermined discharge gap 1
4, a pair of sealing electrodes 12 and 13 are sealed by filling an inert gas into a ceramic tube 11. The ceramic tube 11 has a relative dielectric constant of at least 10
However, a dielectric material having a relative dielectric constant of a lead-based relaxor material and a barium titanate-based material shown in Table 1 is preferable. These dielectrics are the same material as the dielectric used for the ceramic capacitor.
【0007】[0007]
【表1】 [Table 1]
【0008】表1のPFWはPb(Fe,W)O3を、
PFNはPb(Fe,Nb)O3を、PZNはPb(Z
n,Nb)O3を、PTはPbTiO3を、PMNはPb
(Mg,Nb)O3を、PNWはPb(Nb,W)O
3を、BTはBaTiO3を、PMWはPb(Mg,W)
O3を、PZTはPb(Zn,Ti)O3を、PLiFW
はPb(Li,Fe,W)O3を、BCZTは(Ba,
Ca)(Zr,Ti)O3を、PGはPb5Ge3O
11を、BTSはBa(Ti,Si)O3を、BSCZT
は(Ba,Sr,Ca)(Zr,Ti)O3を、CZは
CaZrO3を、BSCTは(Ba,Ca)(Zr,T
i)O3を、Gはガラス組成をそれぞれ表す。The PFW in Table 1 is Pb (Fe, W) O 3 ,
PFN is Pb (Fe, Nb) O 3 , and PZN is Pb (Z
n, Nb) O 3 , PT is PbTiO 3 , PMN is Pb
(Mg, Nb) O 3 , PNW is Pb (Nb, W) O
3 , BT for BaTiO 3 , PMW for Pb (Mg, W)
The O 3, PZT and the Pb (Zn, Ti) O 3 , PLiFW
Is Pb (Li, Fe, W) O 3 , and BCZT is (Ba,
Ca) (Zr, Ti) O 3 , PG is Pb 5 Ge 3 O
11 , BTS with Ba (Ti, Si) O 3 , BSCZT
Is (Ba, Sr, Ca) (Zr, Ti) O 3 , CZ is CaZrO 3 , and BSCT is (Ba, Ca) (Zr, T
i) O 3 and G each represent a glass composition.
【0009】封止電極12,13は封着時のセラミック
管11の熱収縮によるクラックの発生を防止するために
セラミック管11と熱膨張係数のほぼ等しい金属により
形成される。封止電極12,13としては鉄52wt%
−ニッケル42wt%−クロム6wt%合金、鉄58w
t%−ニッケル42wt%合金(以下、42合金とい
う)と銅のクラッド材、コバール(Kovar)等が用いら
れる。42合金と銅のクラッド材は42合金の板材の片
面又は両面に銅薄膜を密着させ、高温で機械的に圧延す
るクラッド法(cladding)により作られる。The sealing electrodes 12 and 13 are formed of a metal having substantially the same thermal expansion coefficient as that of the ceramic tube 11 in order to prevent cracks due to thermal contraction of the ceramic tube 11 during sealing. 52 wt% iron for the sealing electrodes 12 and 13
-42 wt% nickel-6 wt% chromium alloy, 58 w iron
A t% -nickel 42 wt% alloy (hereinafter, referred to as a 42 alloy) and a copper clad material, Kovar, and the like are used. The 42 alloy and copper clad material is produced by a cladding method in which a copper thin film is adhered to one or both surfaces of a 42 alloy plate and mechanically rolled at a high temperature.
【0010】封止電極12,13はセラミック管11の
端面に封着される封着部12a,13aと、封着部12
a,13aとそれぞれ一体的に形成された電極部12
b,13bとを有する。封着部12a,13aと電極部
12b,13bは上記金属のいずれかを用いて鍛造、鋳
造又は切削加工等により同時に形成される。また封止電
極は上記クラッド材を円板に打抜いた後、絞り加工する
ことにより形成してもよい。また封着部と電極部はそれ
ぞれ別々に作った後、封着部に電極部を溶着することに
より形成してもよい。更に一対の封止電極を円柱状に形
成してもよい。この場合これらの電極は所定の放電ギャ
ップを形成してセラミック管に挿入され、同時に不活性
ガスを封入した後、セラミック管に封着される。The sealing electrodes 12 and 13 are composed of sealing portions 12 a and 13 a which are sealed on the end face of the ceramic tube 11, and sealing portions 12 and 13.
a, 13a and electrode part 12 formed integrally with each other
b, 13b. The sealing portions 12a and 13a and the electrode portions 12b and 13b are simultaneously formed by forging, casting, cutting, or the like using any of the above metals. Alternatively, the sealing electrode may be formed by punching the clad material into a disc and then drawing. Alternatively, the sealing portion and the electrode portion may be separately formed and then formed by welding the electrode portion to the sealing portion. Further, a pair of sealing electrodes may be formed in a columnar shape. In this case, these electrodes are inserted into the ceramic tube while forming a predetermined discharge gap, and at the same time, after sealing an inert gas, are sealed to the ceramic tube.
【0011】放電ギャップ14は10μm〜1mm以
下、好ましくは10〜100μm、特に好ましくは30
〜50μmの範囲から選ばれる。このギャップ14は吸
収すべき異常電圧、即ち放電開始電圧の大きさにより決
められる。また封止電極12,13を封着するときにセ
ラミック管11内部に封止される不活性ガスとしてはA
r,Ne,He,N2,CO2,SF6などが挙げられ
る。不活性ガスは0〜3000Torr、好ましくは3
00〜1500Torr、更に好ましくは800〜13
00Torrの圧力で封入される。また封止電極12,
13はろう材16によりセラミック管に封着される。ろ
う材16としてはセラミック管11の端部表面にメタラ
イズ処理を施す場合にはAg,Ag−Cu,Ag−Cu
−In,Ag−Cu−Pd,Au−Ni,Ag−Pd等
のろう材を用いることができ、セラミック管11の端部
表面にメタライズ処理を施さない場合にはTi−Cu,
Ti−Ni,Zr−Cu,Zr−Fe,Ag−Cu−T
i等のろう材を用いることができる。The discharge gap 14 is 10 μm to 1 mm or less, preferably 10 to 100 μm, and particularly preferably 30 μm.
5050 μm. The gap 14 is determined by an abnormal voltage to be absorbed, that is, a magnitude of a discharge starting voltage. The inert gas sealed inside the ceramic tube 11 when sealing the sealing electrodes 12 and 13 is A
r, Ne, He, N 2 , CO 2 , SF 6 and the like. The inert gas is 0 to 3000 Torr, preferably 3 Torr.
00 to 1500 Torr, more preferably 800 to 13
Sealed at a pressure of 00 Torr. In addition, the sealing electrode 12,
13 is sealed to the ceramic tube by the brazing material 16. When the metallizing treatment is performed on the end surface of the ceramic tube 11 as the brazing material 16, Ag, Ag-Cu, Ag-Cu
-In, Ag-Cu-Pd, Au-Ni, Ag-Pd, etc. can be used. If the metallization is not applied to the end surface of the ceramic tube 11, Ti-Cu,
Ti-Ni, Zr-Cu, Zr-Fe, Ag-Cu-T
A brazing material such as i can be used.
【0012】[0012]
【作用】図1のサージアブソーバ10は図3に示すよう
な等価回路で表される。図3において、符号31はサー
ジ吸収回路、符号32はコンデンサ回路、符号33及び
34はリード端子である。サージ吸収回路31は主とし
て図1の放電ギャップ14、一対の封止電極12,13
及び不活性ガスで構成され、コンデンサ回路32は一対
の封止電極12,13及びセラミック管11で構成され
る。説明を簡単にするために、図1に示すようなサージ
アブソーバ10の各放電開始電圧Vsを越える高周波分
を含む方形波A(図4)のサージ電圧がリード線に印加
されたとする。サージアブソーバ10がもし従来のよう
にサージ吸収回路31のみで構成されたとすると、放電
ギャップ14で決められる放電開始電圧に基づき、封止
電極12,13間でアーク放電が起こり、サージ電圧が
吸収される。即ち、図4の波形Bに示すように印加波形
と同じように急峻に立ち上がり、かつ印加波形と同じピ
ーク値に達してから時間t1の遅れで放電する。またサ
ージアブソーバ10がもしコンデンサ回路32のみで構
成されたとすると、封止電極12,13間のセラミック
管11の静電容量に応じて、波形Cに示すように印加波
形と同じピーク値になるものの、印加されたサージ電圧
の高周波分はこのコンデンサ回路32で吸収されるた
め、波形は鈍化する。サージアブソーバ10がサージ吸
収回路31及びコンデンサ回路32で構成された本発明
では、波形Dに示すように波形Cと同様に立ち上がる
が、放電開始電圧Vsを越えてから時間t1の遅れで放電
する。この結果、本発明のサージアブソーバ10のイン
パルス放電開始電圧は低く抑えられる。The surge absorber 10 shown in FIG. 1 is represented by an equivalent circuit as shown in FIG. In FIG. 3, reference numeral 31 denotes a surge absorbing circuit, reference numeral 32 denotes a capacitor circuit, and reference numerals 33 and 34 denote lead terminals. The surge absorbing circuit 31 mainly includes the discharge gap 14 and the pair of sealing electrodes 12 and 13 shown in FIG.
The capacitor circuit 32 includes a pair of sealing electrodes 12 and 13 and the ceramic tube 11. For the sake of simplicity, it is assumed that a surge voltage of a square wave A (FIG. 4) including a high-frequency component exceeding each discharge starting voltage Vs of the surge absorber 10 as shown in FIG. 1 is applied to the lead wire. If the surge absorber 10 comprises only the surge absorbing circuit 31 as in the prior art, an arc discharge occurs between the sealing electrodes 12, 13 based on the discharge starting voltage determined by the discharge gap 14, and the surge voltage is absorbed. You. That is, the rise in the same way steep and applied waveform as shown in waveform B of FIG. 4, and discharges the delay time t 1 after reaching the same peak value as the applied waveform. If the surge absorber 10 is constituted only by the capacitor circuit 32, the surge absorber 10 has the same peak value as the applied waveform as shown in the waveform C according to the capacitance of the ceramic tube 11 between the sealing electrodes 12 and 13. Since the high frequency component of the applied surge voltage is absorbed by the capacitor circuit 32, the waveform becomes dull. In the present invention the surge absorber 10 is composed of the surge absorption circuit 31 and the capacitor circuit 32, but rises in the same manner as the waveform C as shown in the waveform D, and discharged from beyond the discharge starting voltage Vs delay at time t 1 . As a result, the impulse discharge starting voltage of the surge absorber 10 of the present invention can be kept low.
【0013】[0013]
【実施例】次に本発明の実施例を図面に基づいて詳しく
説明する。 <実施例>図1及び図2に示す放電型サージアブソーバ
10を次の方法により製造した。先ずセラミック管11
を用意した。このセラミック管11はPT−PMNの鉛
系リラクサ材料のセラミック誘電体により形成された内
径3mm、外径7mmの円筒体を長さ4mmに切断する
ことにより得られる。次に一対の封止電極12,13を
用意した。これらの電極12,13はセラミック管11
の端面に封着される封着部12a,13aと、封着部1
2a,13aと一体的に形成された円錐台状の電極部1
2b,13bとを有し、コバールを鍛造成形して形成さ
れる。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. <Embodiment> The discharge type surge absorber 10 shown in FIGS. 1 and 2 was manufactured by the following method. First, the ceramic tube 11
Was prepared. The ceramic tube 11 is obtained by cutting a cylindrical body having an inner diameter of 3 mm and an outer diameter of 7 mm formed of a ceramic dielectric made of a lead-based relaxer material of PT-PMN into a length of 4 mm. Next, a pair of sealing electrodes 12 and 13 were prepared. These electrodes 12 and 13 are connected to the ceramic tube 11.
Sealing portions 12a and 13a to be sealed to the end faces of
Frustoconical electrode part 1 formed integrally with 2a, 13a
2b and 13b, and formed by forging Kovar.
【0014】セラミック管11を一対の封止電極12,
13で堅牢に挟持し、セラミック管11の内部の空気を
抜いた後、代わりに不活性ガスとしてアルゴン(Ar)
ガスを600Torrの圧力で導入し、更にこの状態で
封止電極12,13の封着部12a,13aの外周縁と
セラミック管11の両端の外周縁とをそれぞれAgろう
材16によりろう付けした。このときの封止電極12,
13の電極部12b,13b間に形成された放電ギャッ
プは50μmであった。A ceramic tube 11 is connected to a pair of sealing electrodes 12,
After firmly sandwiching with 13 and evacuating the air inside the ceramic tube 11, argon (Ar) is used instead as an inert gas.
A gas was introduced at a pressure of 600 Torr, and in this state, the outer peripheral edges of the sealing portions 12a and 13a of the sealing electrodes 12 and 13 and the outer peripheral edges of both ends of the ceramic tube 11 were brazed with an Ag brazing material 16, respectively. At this time, the sealing electrode 12,
The discharge gap formed between the thirteen electrode portions 12b and 13b was 50 μm.
【0015】<比較例>上記実施例のセラミック管をセ
ラミック誘電体の代わりにアルミナ焼結体により形成し
たサージアブソーバを比較例とした。その他の構成及び
寸法は実施例と同一である。Comparative Example A comparative example was a surge absorber in which the ceramic tube of the above embodiment was formed of an alumina sintered body instead of the ceramic dielectric. Other configurations and dimensions are the same as those of the embodiment.
【0016】<比較試験と評価>実施例と比較例のサー
ジアブソーバについて、それぞれ比誘電率、静電容
量、放電開始電圧及びインパルス放電開始電圧を調
べた。のインパルス放電開始電圧は(1.2×50)
μsec10kVの標準雷サージ(疑似サージ)を印加
して測定した。その波形を図5に示す。図5(a)に示
される符号Eは印加した波形、図5(b)に示される符
号Fは比較例のサージアブソーバの波形、図5(c)に
示される符号Gは実施例のサージアブソーバ10の波形
である。<Comparative Test and Evaluation> The relative permittivity, capacitance, discharge start voltage and impulse discharge start voltage of each of the surge absorbers of the embodiment and the comparative example were examined. The impulse discharge starting voltage of (1.2 × 50)
The measurement was performed by applying a standard lightning surge (pseudo surge) of 10 kV in μsec. The waveform is shown in FIG. The symbol E shown in FIG. 5A is the applied waveform, the symbol F shown in FIG. 5B is the waveform of the surge absorber of the comparative example, and the symbol G shown in FIG. 5C is the surge absorber of the example. 10 is a waveform of FIG.
【0017】[0017]
【表2】 [Table 2]
【0018】図5及び表2から明らかなように、比誘電
率及び静電容量の小さい比較例のサージアブソーバは、
印加波形と同様に立ち上がりで急峻な波形を示し(図5
(b))、放電開始電圧Vsに達した後、時間t1だけ遅
れて放電する。これに対して実施例のサージアブソーバ
10は高周波分が比誘電率の高い、静電容量の大きな封
止電極12,13間で吸収されるため、立ち上がりが急
峻でなくなる。放電開始電圧Vsに達した後の放電を開
始するまでの時間t1は、比較例と同じであるので、実
施例のサージアブソーバ10の波頭は鈍化しかつ低くな
る(図5(c))。この結果、比較例のサージアブソー
バのインパルス放電開始電圧は600Vであったのに対
して、実施例のサージアブソーバ10は500Vと低下
した。これによりサージインパルスに対する応答性が向
上した。As is clear from FIG. 5 and Table 2, the surge absorber of the comparative example having a small relative dielectric constant and a small capacitance has the following features.
As shown in FIG.
(B)), after reaching the discharge starting voltage Vs, discharged with a delay time t 1. On the other hand, in the surge absorber 10 of the embodiment, since the high frequency component is absorbed between the sealing electrodes 12 and 13 having a high relative dielectric constant and a large capacitance, the rising is not steep. Since the time t 1 from when the discharge starting voltage Vs is reached to when the discharge is started is the same as in the comparative example, the wave front of the surge absorber 10 of the embodiment becomes slower and lower (FIG. 5C). As a result, the impulse discharge starting voltage of the surge absorber of the comparative example was 600 V, whereas the surge absorber 10 of the example was reduced to 500 V. Thereby, the response to the surge impulse was improved.
【0019】[0019]
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、従
来のサージ吸収素子のセラミック管をセラミック誘電体
で構成することにより、部品点数を増やすことなくサー
ジ吸収機能に加えて、高周波ノイズの吸収機能を具備す
ることができる。これにより電子部品の製造、組立コス
トが低減され、電子機器の小型化に寄与する。また応答
する波形が急峻でなくなるため、サージインパルスに対
する応答性が向上する利点もある。As described above, according to the present invention, the ceramic tube of the conventional surge absorbing element is made of a ceramic dielectric, so that the high frequency noise can be obtained in addition to the surge absorbing function without increasing the number of parts. Can be provided. This reduces the cost of manufacturing and assembling electronic components, and contributes to downsizing of electronic devices. In addition, there is an advantage that the response waveform to the surge impulse is improved because the response waveform is not steep.
【図1】本発明一実施例放電型サージアブソーバを示す
図2のH−H線断面図。FIG. 1 is a sectional view taken along line HH of FIG. 2 showing a discharge type surge absorber according to one embodiment of the present invention.
【図2】そのサージアブソーバの斜視図。FIG. 2 is a perspective view of the surge absorber.
【図3】そのサージアブソーバの等価回路図。FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of the surge absorber.
【図4】本発明及び比較例の放電型サージアブソーバに
それぞれ方形波のサージ電圧を印加したときの状況を示
す図。FIG. 4 is a diagram showing a situation when a square wave surge voltage is applied to each of the discharge type surge absorbers of the present invention and a comparative example.
【図5】実施例及び比較例の放電型サージアブソーバに
それぞれ標準雷サージ電圧を印加したときの状況を示す
図4に対応する図。FIG. 5 is a diagram corresponding to FIG. 4, showing a situation when a standard lightning surge voltage is applied to each of the discharge type surge absorbers of the example and the comparative example.
10 放電型サージアブソーバ 11 セラミック管 12,13 封止電極 14 放電ギャップ DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Discharge type surge absorber 11 Ceramic tube 12, 13 Sealing electrode 14 Discharge gap
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平3−141572(JP,A) 特開 平6−140210(JP,A) 特開 平6−61018(JP,A) 実開 平4−6190(JP,U) 実開 昭60−137424(JP,U) 実開 平2−92689(JP,U) 特公 平1−36676(JP,B2) 実公 平3−3995(JP,Y2) 実公 平6−16452(JP,Y2) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01T 1/00 - 4/20 Continuation of front page (56) References JP-A-3-141572 (JP, A) JP-A-6-140210 (JP, A) JP-A-6-61018 (JP, A) JP-A-4-6190 (JP) , U) Japanese Utility Model Showa 60-137424 (JP, U) Japanese Utility Model Hei 9-92689 (JP, U) Japanese Patent Publication No. 1-36676 (JP, B2) Japanese Utility Model Hei 3-3995 (JP, Y2) Japanese Utility Model 6-16452 (JP, Y2) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) H01T 1/00-4/20
Claims (1)
封入するように前記セラミック管(11)の両端部に一対の
封止電極(12,13)が相対向して封着され、かつ前記一対
の封止電極(12,13)間に放電ギャップ(14)が形成された
放電型サージアブソーバ(10)において、 前記セラミック管(11)を比誘電率が少なくとも10であ
って鉛系リラクサ材料又はチタン酸バリウム系材料によ
り形成されたセラミック誘電体にて構成することによ
り、高周波ノイズの吸収機能を具備し、前記一対の封止電極(12,13)が前記セラミック管(11)の
熱膨張係数とほぼ等しい金属により形成された ことを特
徴とする放電型サージアブソーバ。A pair of sealing electrodes (12, 13) are sealed at both ends of the ceramic tube (11) so as to seal an inert gas inside the ceramic tube (11), And a discharge type surge absorber (10) in which a discharge gap (14) is formed between the pair of sealing electrodes (12, 13), wherein the ceramic tube (11) has a relative dielectric constant of at least 10.
Of lead-based relaxor material or barium titanate-based material
The ceramic tube (11) has a function of absorbing high-frequency noise by being formed of a ceramic dielectric formed by the above-mentioned method, and the pair of sealing electrodes (12, 13) is formed of the ceramic tube (11).
A discharge type surge absorber characterized by being formed of a metal having substantially the same thermal expansion coefficient .
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