JP3158111B2 - Active matrix display device - Google Patents

Active matrix display device

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JP3158111B2
JP3158111B2 JP10077999A JP10077999A JP3158111B2 JP 3158111 B2 JP3158111 B2 JP 3158111B2 JP 10077999 A JP10077999 A JP 10077999A JP 10077999 A JP10077999 A JP 10077999A JP 3158111 B2 JP3158111 B2 JP 3158111B2
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spacer
active matrix
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insulating film
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幸子 市村
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  • Thin Film Transistor (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、表示に影響しない
スペーサを有するアクティブマトリクス表示装置に関す
る。
The present invention relates to an active matrix display device having a spacer which does not affect display.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、液晶等の表示媒体を用いた小
型の表示装置では、表示装置を構成する2つの基板間の
液晶層の層厚を一定に保つため、2つの基板間の周縁部
に挟まれるシール剤に、ガラスファイバー等のスペーサ
が混入される。スペーサをシール剤に混入した場合に
は、表示画面にスペーサの影響はない。しかし、3イン
チ以上の大画面を有する表示装置では、液晶層の層厚が
一定にはならないので、表示部分の液晶層中にもスペー
サが混入されている。
2. Description of the Related Art Conventionally, in a small-sized display device using a display medium such as a liquid crystal, in order to keep a layer thickness of a liquid crystal layer between two substrates constituting the display device constant, a peripheral portion between the two substrates is required. A spacer such as glass fiber is mixed into a sealant sandwiched between the substrates. When the spacer is mixed with the sealant, the display screen is not affected by the spacer. However, in a display device having a large screen of 3 inches or more, since the thickness of the liquid crystal layer is not constant, spacers are also mixed in the liquid crystal layer in the display portion.

【0003】液晶層中にスペーサが混入された従来の代
表的なアクティブマトリクス方式の液晶表示装置の断面
模式図を図5に、この表示装置を構成するアクティブマ
トリクス基板の平面図を図7に示す。この表示装置は、
ツイスティッドネマティック(TN)型である。この表
示装置では、図7に示すように、ゲートバス配線5とソ
ースバス配線6とによって形成された矩形の各領域に、
絵素電極3が形成されている。図5に示すように、各絵
素電極3は絶縁性基板1上に形成され、絵素電極3には
スイッチング素子として薄膜トランジスタ(以下では
「TFT」と称する)2が接続されている。基板1に対
向する対向基板10上には対向電極13が形成され、絵
素電極3と対向電極13との間の液晶層8に電圧が印加
される。基板1と基板10との間には、液晶層8の層厚
を一定にするためのスペーサ17が挟まれている。
FIG. 5 is a schematic sectional view of a conventional typical active matrix type liquid crystal display device in which spacers are mixed in a liquid crystal layer, and FIG. 7 is a plan view of an active matrix substrate constituting the display device. . This display device
It is a twisted nematic (TN) type. In this display device, as shown in FIG. 7, each rectangular region formed by the gate bus line 5 and the source bus line 6 has
The picture element electrode 3 is formed. As shown in FIG. 5, each picture element electrode 3 is formed on an insulating substrate 1, and a thin film transistor (hereinafter, referred to as "TFT") 2 is connected to the picture element electrode 3 as a switching element. A counter electrode 13 is formed on a counter substrate 10 facing the substrate 1, and a voltage is applied to the liquid crystal layer 8 between the picture element electrode 3 and the counter electrode 13. Between the substrate 1 and the substrate 10, a spacer 17 for keeping the thickness of the liquid crystal layer 8 constant is interposed.

【0004】また、表示装置の開口率を高めた、図6の
断面模式図に示すアクティブマトリクス表示装置が知ら
れている。図6の表示装置では、絵素電極3はTFT2
を覆う絶縁膜4上に設けられ、絵素電極3とTFT2と
は絶縁膜4に設けられたコンタクトホールを介して電気
的に接続されている。図6の表示装置に於いても、スペ
ーサ17によって、基板1及び10の間の液晶層8の層
厚が一定に保たれている。
Further, an active matrix display device shown in the schematic sectional view of FIG. 6 in which the aperture ratio of the display device is increased is known. In the display device shown in FIG.
The pixel electrode 3 and the TFT 2 are electrically connected via a contact hole provided in the insulating film 4. 6, the thickness of the liquid crystal layer 8 between the substrates 1 and 10 is kept constant by the spacer 17.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】上述の図5及び図6の
表示装置には、通常、白色又は透明のものが用いられて
いる。白色又は透明のスペーサを用いると、黒色を表示
した場合にはスペーサの部分が白色となったり、その近
傍の液晶分子の配向の乱れにより、コントラスト比が大
きく低下するという問題点がある。このように白色又は
透明のスペーサを用いることは、表示品位に悪影響を与
えるので非常に大きな問題となっている。
The display devices shown in FIGS. 5 and 6 are usually of a white or transparent type. When a white or transparent spacer is used, there is a problem that when displaying black, the spacer portion becomes white, and the alignment ratio of liquid crystal molecules in the vicinity thereof is disturbed, so that the contrast ratio is greatly reduced. The use of such white or transparent spacers has a very serious problem since it has a bad influence on display quality.

【0006】このような問題点を解決するため、黒色の
スペーサを用いることが検討されている。しかし、黒色
のスペーサは硬度が十分に高くないので、液晶層の層厚
を高い精度で長期に亘って均一に保つことができないと
いう問題点がある。しかも、スペーサを用いることによ
る液晶分子の配向の乱れによる問題点は、依然として解
決されない。
In order to solve such a problem, use of a black spacer has been studied. However, since the hardness of the black spacer is not sufficiently high, there is a problem that the thickness of the liquid crystal layer cannot be kept uniform with high accuracy over a long period of time. Moreover, the problem caused by the disorder of the alignment of the liquid crystal molecules due to the use of the spacer remains unsolved.

【0007】この点を解決したものとして、米国特許第
4,904,056号に記載されている表示装置を挙げ
ることができる。この表示装置ではソースバス配線及び
ゲートバス配線上に形成された遮光層が、スペーサとし
ても機能している。しかし、この表示装置では、高分子
材料からなるスペーサが用いられているため、スペーサ
の剥がれ、変形等が起こり易い。そのため、表示装置の
信頼性が低下するという問題点がある。
As a solution to this problem, there is a display device described in US Pat. No. 4,904,056. In this display device, the light shielding layers formed on the source bus wiring and the gate bus wiring also function as spacers. However, in this display device, since a spacer made of a polymer material is used, the spacer is easily peeled, deformed, or the like. Therefore, there is a problem that the reliability of the display device is reduced.

【0008】本発明の目的は、表示に悪影響を与えない
スペーサを有し、しかも高い信頼性を有するアクティブ
マトリクス表示装置を提供することである。
An object of the present invention is to provide an active matrix display device having a spacer which does not adversely affect display and which has high reliability.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】前述した目的を達成する
ために、本発明の請求項1記載のアクティブマトリクス
表示装置は、一対の絶縁性基板と、該基板の何れか一方
に縦横に配線されたバス配線と、該バス配線を覆う絶縁
膜と、該絶縁膜上に配された絵素電極と、該一対の基板
間に封入された表示媒体と、該一対の基板間の距離を一
定に保つためのスペーサと、を有するアクティブマトリ
クス表示装置において、前記スペーサが前記バス配線上
に電着法によって形成されているとともに、前記スペー
サが前記絶縁膜によって側部を支えられていることを特
徴としている。
In order to achieve the above object, an active matrix display device according to a first aspect of the present invention comprises a pair of insulating substrates and one of the substrates, which is vertically and horizontally wired. A bus line, an insulating film covering the bus line, a pixel electrode disposed on the insulating film, a display medium sealed between the pair of substrates, and keeping a distance between the pair of substrates constant. And a spacer for maintaining the spacer, wherein the spacer is formed on the bus wiring by an electrodeposition method, and a side portion of the spacer is supported by the insulating film. I have.

【0010】前記スペーサが形成されているバス配線
は、ソースバス配線である構成とすることができる。
The bus wiring on which the spacers are formed may be a source bus wiring.

【0011】また、前記スペーサが形成されているバス
配線は、ゲートバス配線である構成とすることもでき
る。
Further, the bus line on which the spacer is formed may be a gate bus line.

【0012】本発明のアクティブマトリクス表示装置に
よれば、バス配線と絵素電極とが絶縁膜を介して形成さ
れるアクティブマトリクス表示装置において、スペーサ
がバス配線上に電着法によって形成されていることによ
り、表示に寄与しないバス配線上にスペーサが形成され
ているので、スペーサが存在することよる画像品位の低
下は生じない。また、スペーサは電着法によって形成さ
れるので、バス配線上に高いパターン精度で形成され、
しかも高い密着性を有している。従って、スペーサの剥
がれは生じない。また、電着法によれば均一な層厚を有
するスペーサが形成されるので、表示媒体の層厚の均一
性を±0.1μm以内の範囲まで高めることができる。
According to the active matrix display device of the present invention, in an active matrix display device in which bus lines and picture element electrodes are formed via an insulating film, spacers are formed on the bus lines by an electrodeposition method. Thus, since the spacer is formed on the bus wiring which does not contribute to the display, the image quality does not deteriorate due to the presence of the spacer. Also, since the spacer is formed by the electrodeposition method, it is formed with high pattern accuracy on the bus wiring,
Moreover, it has high adhesion. Therefore, the spacer does not peel off. Further, according to the electrodeposition method, since a spacer having a uniform layer thickness is formed, the uniformity of the layer thickness of the display medium can be increased to within a range of ± 0.1 μm.

【0013】更に、絶縁膜によってスペーサの側部が支
えられている構成となるため、スペーサを補強すること
ができ、表示媒体の層厚の均一性を一層高めることがで
きるとともに、長期に亘って表示媒体の層厚を均一に保
つことができる。
[0013] Further, since the side portion of the spacer is supported by the insulating film, the spacer can be reinforced, the uniformity of the layer thickness of the display medium can be further improved, and over a long period of time. The layer thickness of the display medium can be kept uniform.

【0014】また、ゲートバス配線はソースバス配線よ
りも低抵抗材料で形成されるため、ゲートバス配線へは
低電圧での電着が可能となり、より均一な層厚を有する
スペーサを形成することができる。
Further, since the gate bus wiring is formed of a material having a lower resistance than the source bus wiring, it is possible to perform electrodeposition at a low voltage on the gate bus wiring and to form a spacer having a more uniform layer thickness. Can be.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について以下
に説明する。
Embodiments of the present invention will be described below.

【0016】(参考例)図1に本発明のアクティブマト
リクス表示装置の参考例の断面図を示す。図2に図1の
表示装置を構成するアクティブマトリクス基板の平面図
を示す。参考例は図5の表示装置と同様の構成を有して
いるが、スペーサ18がバス配線上に形成されている点
で図5の表示装置とは異なる。
(Reference Example) FIG. 1 shows a sectional view of a reference example of the active matrix display device of the present invention. FIG. 2 is a plan view of an active matrix substrate included in the display device of FIG. The reference example has a configuration similar to that of the display device of FIG. 5, but differs from the display device of FIG. 5 in that a spacer 18 is formed on a bus line.

【0017】参考例は、透過型TNモードのアクティブ
マトリクス表示装置であり、一対のガラス基板1及び1
0と、該基板1及び10間に封入された表示媒体として
の液晶層8とを有する。基板1上にはゲートバス配線5
と、これにゲート絶縁膜9を挟んで交差するソースバス
配線6とが形成されている。ゲートバス配線5からはゲ
ート電極7が分岐し、該ゲート電極7上にはTFT2が
形成されている。ゲートバス配線5及びゲート電極7は
Taからなり、ゲート絶縁膜9はSiNXからなる。ま
た、ソースバス配線6はTiからなる。
The reference example is a transmission type TN mode active matrix display device, in which a pair of glass substrates 1 and 1
0, and a liquid crystal layer 8 as a display medium sealed between the substrates 1 and 10. A gate bus wiring 5 is provided on the substrate 1.
And a source bus line 6 intersecting the gate insulating film 9 therebetween. A gate electrode 7 branches from the gate bus line 5, and the TFT 2 is formed on the gate electrode 7. Gate bus line 5 and the gate electrode 7 is made of Ta, the gate insulating film 9 is made of SiN X. The source bus line 6 is made of Ti.

【0018】TFT2は公知の方法によって作製され
る。ゲート電極7上にはゲート絶縁膜9を挟んでアモル
ファスシリコン(a−Si)からなるチャネル層21が
形成されている。チャネル層21上のゲート電極7の上
方にはエッチングストッパ22が形成され、チャネル層
21の両側部上にはコンタクト層25を挟んでソース電
極23及びドレイン電極24が形成されている。ソース
電極23はソースバス配線6から分岐してTFT2上に
延びている。コンタクト層25はn+型アモルファスシ
リコンからなる。ソース電極23及びドレイン電極24
はソースバス配線6と同時に形成され、従ってこれらも
Tiからなる。
The TFT 2 is manufactured by a known method. A channel layer 21 made of amorphous silicon (a-Si) is formed on the gate electrode 7 with the gate insulating film 9 interposed therebetween. An etching stopper 22 is formed above the gate electrode 7 on the channel layer 21, and a source electrode 23 and a drain electrode 24 are formed on both sides of the channel layer 21 with a contact layer 25 interposed therebetween. The source electrode 23 branches from the source bus line 6 and extends on the TFT 2. The contact layer 25 is made of n + type amorphous silicon. Source electrode 23 and drain electrode 24
Are formed at the same time as the source bus lines 6, and therefore are also made of Ti.

【0019】ソースバス配線6及びソース電極23上に
は、電着法によって形成されたスペーサ18が形成され
ている。スペーサ18は有機高分子からなる。
On the source bus wiring 6 and the source electrode 23, a spacer 18 formed by an electrodeposition method is formed. The spacer 18 is made of an organic polymer.

【0020】スペーサ18は全てのソースバス配線6及
び全てのソース電極23に形成する必要はなく、表示装
置の大きさ、液晶の注入条件などを考慮して、液晶層8
の層厚を一定にし得るできるだけ少ない数のスペーサ1
8を形成すればよい。
It is not necessary to form the spacers 18 on all the source bus lines 6 and all the source electrodes 23.
As few spacers 1 as possible to make the layer thickness of
8 may be formed.

【0021】この表示装置のセル構成、即ち、2つの配
向膜27のラビング処理方向及び各偏光板の偏光軸を図
4(a)及び(b)に示す。図4(a)はノーマリホワ
イトモードの場合であり、図4(b)はノーマリブラッ
クモードの場合である。図4中、実線oは上側偏光板の
偏光軸方向を示し、矢印mは上側基板上の配向膜のラビ
ング処理方向を示す。同様に、破線pは下側偏光板の偏
光軸方向を示し、矢印nは下側基板上の配向膜のラビン
グ処理方向を示す。図4に示すように、液晶層8内の液
晶分子の捩れ角は90度である。
FIGS. 4A and 4B show the cell configuration of this display device, that is, the rubbing directions of the two alignment films 27 and the polarization axes of the respective polarizing plates. FIG. 4A shows the case of the normally white mode, and FIG. 4B shows the case of the normally black mode. In FIG. 4, the solid line o indicates the direction of the polarization axis of the upper polarizer, and the arrow m indicates the rubbing direction of the alignment film on the upper substrate. Similarly, the broken line p indicates the direction of the polarization axis of the lower polarizing plate, and the arrow n indicates the rubbing direction of the alignment film on the lower substrate. As shown in FIG. 4, the twist angle of the liquid crystal molecules in the liquid crystal layer 8 is 90 degrees.

【0022】参考例のアクティブマトリクス表示装置の
表示特性を表1に示す。比較のために、図5に示す従来
の表示装置の表示特性を比較例1に示す。
Table 1 shows the display characteristics of the active matrix display device of the reference example. For comparison, Comparative Example 1 shows the display characteristics of the conventional display device shown in FIG.

【0023】[0023]

【表1】 表1及び以下に掲げる表に於て、表示輝度とは、最大コ
ントラスト比が得られるように表示装置を駆動し、白表
示を行った場合に於ける光のパネル透過率である。
[Table 1] In Table 1 and the following tables, the display luminance is the panel transmittance of light when a display device is driven to obtain a maximum contrast ratio and white display is performed.

【0024】表1に示すように、参考例ではスペーサ1
8の存在が表示に影響しないため、高いコントラスト比
が得られ、カラー表示装置に適用した場合には、色純度
が高くなり、画像品位の向上が見られる。また、各スペ
ーサ18の層厚も一定であるため、表示装置全体に亘っ
て均一な層厚を有する液晶層8が得られている。
As shown in Table 1, in the reference example, the spacer 1
Since the presence of 8 does not affect the display, a high contrast ratio is obtained, and when applied to a color display device, the color purity is increased and the image quality is improved. Further, since the layer thickness of each spacer 18 is also constant, the liquid crystal layer 8 having a uniform layer thickness over the entire display device is obtained.

【0025】コントラスト比の改善効果は、ノーマリホ
ワイトモードの場合よりノーマリブラックモードの方が
大きいことが分かる。また、異なる液晶材料を用いた場
合にも、また、異なるセル構成を用いた場合にも、同様
の効果が得られることが確認されている。
It can be seen that the effect of improving the contrast ratio is greater in the normally black mode than in the normally white mode. In addition, it has been confirmed that similar effects can be obtained when different liquid crystal materials are used and when different cell configurations are used.

【0026】参考例ではスペーサ18をソースバス配線
6及びソース電極23上に形成したが、ゲートバス配線
5上に形成することもできる。ゲートバス配線5はソー
スバス配線6よりも低抵抗材料で形成されるため、低電
圧での電着が可能となり、より均一な層厚を有するスペ
ーサ18を形成することができる。
Although the spacer 18 is formed on the source bus line 6 and the source electrode 23 in the reference example, it can be formed on the gate bus line 5. Since the gate bus line 5 is formed of a material having a lower resistance than the source bus line 6, electrodeposition at a low voltage becomes possible, and the spacer 18 having a more uniform layer thickness can be formed.

【0027】(実施の形態)本実施の形態のアクティブ
マトリクス表示装置は、図6の表示装置と同様の構成を
有しているが、スペーサ18がバス配線上に形成されて
いる点で図6の表示装置とは異なる。
(Embodiment) The active matrix display device of this embodiment has the same structure as that of the display device of FIG. 6, except that the spacer 18 is formed on the bus wiring. Display device.

【0028】本実施の形態では表示装置の開口率を高め
るため、絵素電極3はTFT2を覆う絶縁膜4上に設け
られ、絵素電極3とTFT2とは絶縁膜4に設けられた
コンタクトホール26を介して電気的に接続されてい
る。本実施の形態に於いては、スペーサ18はソースバ
ス配線6及びソース電極23上に、電着法によって形成
されている。本実施の形態のセル構成は、図4と同様で
ある。本実施の形態ではスペーサ18は、液晶層8が表
示装置全体に行き渡るように、液晶層8の層厚を一定に
し得るできるだけ少ない数だけ形成するのが望ましい。
In this embodiment, in order to increase the aperture ratio of the display device, the picture element electrode 3 is provided on the insulating film 4 covering the TFT 2, and the picture element electrode 3 and the TFT 2 are in contact holes provided in the insulating film 4. 26 are electrically connected. In this embodiment, the spacers 18 are formed on the source bus lines 6 and the source electrodes 23 by an electrodeposition method. The cell configuration of the present embodiment is the same as that of FIG. In the present embodiment, it is desirable to form the spacers 18 in as small a number as possible so that the layer thickness of the liquid crystal layer 8 can be made constant so that the liquid crystal layer 8 can spread over the entire display device.

【0029】本実施の形態のアクティブマトリクス表示
装置の表示特性を表2に示す。比較のために、図6に示
す従来の表示装置の表示特性を比較例2に示す。
Table 2 shows the display characteristics of the active matrix display device of the present embodiment. For comparison, Comparative Example 2 shows the display characteristics of the conventional display device shown in FIG.

【0030】[0030]

【表2】 本実施の形態ではスペーサ18の存在が表示に影響しな
いため、高いコントラスト比が得られ、カラー表示装置
に適用した場合には、色純度が高くなり、画像品位の向
上が見られる。また、各スペーサ18の層厚も一定であ
るため、表示装置全体に亘って均一な層厚を有する液晶
層8が得られている。
[Table 2] In the present embodiment, since the presence of the spacer 18 does not affect the display, a high contrast ratio is obtained, and when applied to a color display device, the color purity is increased and the image quality is improved. Further, since the layer thickness of each spacer 18 is also constant, the liquid crystal layer 8 having a uniform layer thickness over the entire display device is obtained.

【0031】更に、絶縁膜4によってスペーサ18の側
部を支えるような構成となるため、スペーサ18を補強
することができ、液晶層8の層厚の均一性を一層高める
ことができるとともに、長期に亘って液晶層8の層厚を
均一に保つことができる。
Further, since the side portions of the spacers 18 are supported by the insulating film 4, the spacers 18 can be reinforced and the uniformity of the thickness of the liquid crystal layer 8 can be further improved. , The thickness of the liquid crystal layer 8 can be kept uniform.

【0032】また、本実施の形態に於いては、コントラ
スト比の改善効果は、ノーマリホワイトモードの場合よ
りノーマリブラックモードの方が大きいことが分かる。
また、異なる液晶材料を用いた場合にも、また、異なる
セル構成を用いた場合にも、同様の効果が得られること
が確認されている。
In this embodiment, the effect of improving the contrast ratio is larger in the normally black mode than in the normally white mode.
In addition, it has been confirmed that similar effects can be obtained when different liquid crystal materials are used and when different cell configurations are used.

【0033】本実施の形態ではスペーサ18をソースバ
ス配線6及びソース電極23上に形成したが、ゲートバ
ス配線5上に形成することもできる。ゲートバス配線5
はソースバス配線6よりも低抵抗材料で形成されるた
め、低電圧での電着が可能となり、より均一な層厚を有
するスペーサ18を形成することができる。
In the present embodiment, the spacer 18 is formed on the source bus line 6 and the source electrode 23, but may be formed on the gate bus line 5. Gate bus wiring 5
Is formed of a material having a lower resistance than the source bus wiring 6, electrodeposition at a low voltage becomes possible, and the spacer 18 having a more uniform layer thickness can be formed.

【0034】上述の実施の形態では、ゲート電極が下
に、ソース電極及びドレイン電極が上に形成されている
TFTを用いた表示装置について説明したが、ゲート電
極が上に、ソース電極及びドレイン電極が下に形成され
ているTFTを用いた表示装置にも適用できる。
In the above embodiment, a display device using a TFT in which a gate electrode is formed below and a source electrode and a drain electrode are formed above has been described. However, the gate electrode is formed above the source electrode and the drain electrode. Can also be applied to a display device using a TFT formed below.

【0035】上記実施の形態に於いては透過型表示装置
について説明したが、反射型の表示装置の場合にも同様
の効果が得られることが確認されている。また、電着法
によるスペーサの層厚を1〜10μmまで変化させた場
合について同様の検討を行ったが、表2に示すものと同
様の効果が得られることが確認されている。
In the above embodiment, the transmission type display device has been described. However, it has been confirmed that the same effect can be obtained in the case of the reflection type display device. In addition, the same study was performed for the case where the layer thickness of the spacer was changed from 1 to 10 μm by the electrodeposition method.

【0036】[0036]

【発明の効果】本発明のアクティブマトリクス表示装置
によれば、バス配線と絵素電極とが絶縁膜を介して形成
されるアクティブマトリクス表示装置において、スペー
サがバス配線上に電着法によって形成されていることに
より、表示に寄与しない部分にスペーサを有しているの
で、スペーサによるコントラスト比の低下や液晶分子の
配向の乱れが生じない。また、各スペーサの層厚が一定
となるので、表示装置全体に亘って液晶層の層厚が一定
となる。従って、高い画像品位を有するアクティブマト
リクス表示装置が得られる。
According to the active matrix display device of the present invention, in an active matrix display device in which bus lines and picture element electrodes are formed via an insulating film, spacers are formed on the bus lines by electrodeposition. Thus, since the spacers are provided in the portions that do not contribute to the display, the reduction of the contrast ratio and the disturbance of the alignment of the liquid crystal molecules due to the spacers do not occur. Further, since the thickness of each spacer is constant, the thickness of the liquid crystal layer is constant over the entire display device. Therefore, an active matrix display device having high image quality can be obtained.

【0037】更に、絶縁膜によってスペーサの側部が支
えられている構成となるため、スペーサを補強すること
ができ、表示媒体の層厚の均一性を一層高めることがで
きるとともに、長期に亘って表示媒体の層厚を均一に保
つことができる。
Further, since the side portion of the spacer is supported by the insulating film, the spacer can be reinforced, the uniformity of the layer thickness of the display medium can be further improved, and over a long period of time. The layer thickness of the display medium can be kept uniform.

【0038】また、ゲートバス配線はソースバス配線よ
りも低抵抗材料で形成されるため、ゲートバス配線へは
低電圧での電着が可能となり、より均一な層厚を有する
スペーサを形成することができる。
Further, since the gate bus wiring is formed of a material having a lower resistance than the source bus wiring, it is possible to perform electrodeposition at a low voltage on the gate bus wiring and to form a spacer having a more uniform layer thickness. Can be.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明のアクティブマトリクス表示装置の参考
例の断面図である。
FIG. 1 is a sectional view of a reference example of an active matrix display device of the present invention.

【図2】図1の表示装置を構成するアクティブマトリク
ス基板の平面図である。
FIG. 2 is a plan view of an active matrix substrate included in the display device of FIG.

【図3】本発明のアクティブマトリクス表示装置の実施
の形態の断面図である。
FIG. 3 is a sectional view of an embodiment of the active matrix display device of the present invention.

【図4】(a)はノーマリホワイトモードに於ける図1
及び図3に示すアクティブマトリクス表示装置のセル構
成を示す図であり、(b)はノーマリブラックモードに
於ける図1及び図3に示すアクティブマトリクス表示装
置のセル構成を示す図である。
FIG. 4A is a view in FIG. 1 in a normally white mode.
4 is a diagram showing a cell configuration of the active matrix display device shown in FIG. 3 and FIG. 3B is a diagram showing a cell configuration of the active matrix display device shown in FIG. 1 and FIG. 3 in a normally black mode.

【図5】従来のスペーサを有するアクティブマトリクス
表示装置の断面図である。
FIG. 5 is a sectional view of an active matrix display device having a conventional spacer.

【図6】従来のスペーサを有するアクティブマトリクス
表示装置の断面図である。
FIG. 6 is a sectional view of an active matrix display device having a conventional spacer.

【図7】図5及び図6の表示装置を構成するアクティブ
マトリクス基板の平面図である。
FIG. 7 is a plan view of an active matrix substrate included in the display device of FIGS. 5 and 6;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 絶縁性基板 2 TFT 3 絵素電極 4 絶縁膜 5 ゲートバス配線 6 ソースバス配線 7 ゲート電極 8 液晶層 9 ゲート絶縁膜 10 絶縁性基板(対向基板) 13 対向電極 17 スペーサ 18 スペーサ 21 チャネル層 22 エッチングストッパ 23 ソース電極 24 ドレイン電極 25 コンタクト層 26 コンタクトホール 27 配向膜 REFERENCE SIGNS LIST 1 insulating substrate 2 TFT 3 picture element electrode 4 insulating film 5 gate bus wiring 6 source bus wiring 7 gate electrode 8 liquid crystal layer 9 gate insulating film 10 insulating substrate (counter substrate) 13 counter electrode 17 spacer 18 spacer 21 channel layer 22 Etching stopper 23 Source electrode 24 Drain electrode 25 Contact layer 26 Contact hole 27 Alignment film

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G02F 1/1339 G02F 1/1343 G02F 1/1362 G02F 1/1333 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (58) Fields surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) G02F 1/1339 G02F 1/1343 G02F 1/1362 G02F 1/1333

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 一対の絶縁性基板と、該基板の何れか一
方に縦横に配線されたバス配線と、該バス配線を覆う絶
縁膜と、該絶縁膜上に配された絵素電極と、該一対の基
板間に封入された表示媒体と、該一対の基板間の距離を
一定に保つためのスペーサと、を有するアクティブマト
リクス表示装置において、 前記スペーサが前記バス配線上に電着法によって形成さ
れているとともに、前記スペーサが前記絶縁膜によって
側部を支えられていることを特徴とするアクティブマト
リクス表示装置。
1. A pair of insulating substrates, a bus wiring laid vertically and horizontally on one of the substrates, an insulating film covering the bus wiring, and a picture element electrode disposed on the insulating film. In an active matrix display device having a display medium sealed between the pair of substrates and a spacer for keeping a distance between the pair of substrates constant, the spacer is formed on the bus wiring by an electrodeposition method. An active matrix display device, wherein the spacer is supported on its side by the insulating film.
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