JP3150929B2 - Power off discharge circuit for liquid crystal display device and liquid crystal display device using the same - Google Patents

Power off discharge circuit for liquid crystal display device and liquid crystal display device using the same

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JP3150929B2
JP3150929B2 JP25547997A JP25547997A JP3150929B2 JP 3150929 B2 JP3150929 B2 JP 3150929B2 JP 25547997 A JP25547997 A JP 25547997A JP 25547997 A JP25547997 A JP 25547997A JP 3150929 B2 JP3150929 B2 JP 3150929B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置(LCD:L
iquid Crystal Display)用放電回路に係り、より詳しく
は、液晶表示装置がパワーオフした際液晶パネルに充電
されているゲートオン電圧を放電させるための回路に関
する。
The present invention relates to a liquid crystal display (LCD: L).
More specifically, the present invention relates to a circuit for discharging a gate-on voltage charged in a liquid crystal panel when a liquid crystal display device is powered off.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般的な薄膜トランジスタ液晶表示装置
においては一つの画素が一つの薄膜トランジスタ、前記
薄膜トランジスタに連結された液晶キャパシタおよび保
持キャパシタ(storage capacitor) で構成される。前記
薄膜トランジスタは前記液晶キャパシタに電圧を印加す
るためのスイッチとして作用する。前記トランジスタの
ターンオン状態においては階調電圧により前記液晶キャ
パシタが充電される。前記保持キャパシタは液晶キャパ
シタと並列に連結されていて、前記トランジスタのター
ンオフ状態において液晶キャパシタに充電された電圧が
漏洩することを防止する。ここで、前記薄膜トランジス
タをターンオンさせるに必要な電圧をゲートオン電圧、
ターンオフさせるに必要な電圧をゲートオフ電圧とす
る。実際応用において、前記ゲートオン電圧は20V以
上であり、ゲートオフ電圧は−7V以下である。液晶パ
ネルは大型化、高精細化するほどより大きいDCレベル
を有するゲートオン/オフ電圧が求められる。かかる薄
膜トランジスタ液晶表示装置においては液晶キャパシタ
に充電されている電圧が対応する画素内において液晶の
光透過率を制御し、これによって、色の表示がなされ
る。
2. Description of the Related Art In a general thin film transistor liquid crystal display device, one pixel is composed of one thin film transistor, a liquid crystal capacitor connected to the thin film transistor, and a storage capacitor. The thin film transistor functions as a switch for applying a voltage to the liquid crystal capacitor. When the transistor is turned on, the liquid crystal capacitor is charged by the gray scale voltage. The storage capacitor is connected in parallel with the liquid crystal capacitor, and prevents the voltage charged in the liquid crystal capacitor from leaking when the transistor is turned off. Here, a voltage required to turn on the thin film transistor is a gate-on voltage,
The voltage required for turning off is referred to as a gate-off voltage. In practical applications, the gate-on voltage is above 20V and the gate-off voltage is below -7V. As a liquid crystal panel becomes larger and has higher definition, a gate on / off voltage having a larger DC level is required. In such a thin film transistor liquid crystal display device, the voltage charged in the liquid crystal capacitor controls the light transmittance of the liquid crystal in the corresponding pixel, thereby displaying a color.

【0003】以下、添付図面を参照して一般的な前段ゲ
ートのパネル構造を有する薄膜トランジスタ液晶表示装
置について説明する。図1に示すように、前記一般的な
薄膜トランジスタ液晶表示装置は、タイミング制御回路
1、ゲート駆動回路2、ソース駆動回路3、階調電圧発
生器4、液晶パネル5、ゲートオン/オフ電圧発生器6
で構成される。
Hereinafter, a thin film transistor liquid crystal display device having a general front gate panel structure will be described with reference to the accompanying drawings. As shown in FIG. 1, the general thin film transistor liquid crystal display device includes a timing control circuit 1, a gate drive circuit 2, a source drive circuit 3, a gray scale voltage generator 4, a liquid crystal panel 5, a gate on / off voltage generator 6.
It consists of.

【0004】前記タイミング制御回路1は色信号(RGB)
、同期信号(Hsync、Vsync)およびクロック信号(CLK)
が入力されるように連結され、前記タイミング制御回路
1の出力はゲート駆動回路2とソース駆動回路3に提供
される。階調電圧発生器4の出力はソース駆動回路3に
提供されるように連結され、ゲートオン/オフ電圧発生
器6から出力されるゲートオン/オフ電圧(Von、Voff)
はゲート駆動回路2に提供されるように連結される。液
晶パネル5は多数のゲートラインG0〜Gnとこれにそ
れぞれ垂直に交差する多数のデータラインD1〜Dmで
構成される。ゲート駆動回路2は前記各ゲートラインと
連結され、ソース駆動回路3は前記各データラインと連
結される。液晶パネル5をより詳しく察してみると、各
ゲートラインとデータラインが交差する領域には一つの
薄膜トランジスタ、一つの保持キャパシタCstおよび
一つの液晶キャパシタCpが存在する。前記薄膜トラン
ジスタのゲートはゲートラインと連結され、ソースは対
応するデータラインに連結され、ドレインには液晶キャ
パシタCpと保持キャパシタCstが並列に連結され
る。液晶キャパシタの他の端子は共通電極に連結され、
保持キャパシタの他の端子は前段のゲートラインに連結
される。従って、液晶キャパシタの両端電圧は共通電極
電圧と対応するデータライン電圧により決定され、保持
キャパシタの両端電圧は対応するデータライン電圧と前
段のゲートライン電圧により決定される。特に、前段ゲ
ート構造を有する液晶パネルにおいては一番目のゲート
ラインG0に画素が連結されていない。前段ゲート連結
構造は別途のラインにより保持キャパシタが連結される
独立配線方式に比べ開口率が高くなるという長所を有す
るので、広く適用されている。
[0004] The timing control circuit 1 outputs a color signal (RGB).
, Synchronization signal (Hsync, Vsync) and clock signal (CLK)
And the output of the timing control circuit 1 is provided to a gate drive circuit 2 and a source drive circuit 3. The output of the gray voltage generator 4 is connected to be provided to the source driving circuit 3, and the gate on / off voltage (Von, Voff) output from the gate on / off voltage generator 6 is provided.
Are connected to be provided to the gate driving circuit 2. The liquid crystal panel 5 is composed of a number of gate lines G0 to Gn and a number of data lines D1 to Dm which intersect each other vertically. The gate driving circuit 2 is connected to each of the gate lines, and the source driving circuit 3 is connected to each of the data lines. When the liquid crystal panel 5 is examined in more detail, one thin film transistor, one holding capacitor Cst, and one liquid crystal capacitor Cp exist in a region where each gate line and a data line intersect. The thin film transistor has a gate connected to a gate line, a source connected to a corresponding data line, and a drain connected to a liquid crystal capacitor Cp and a storage capacitor Cst in parallel. The other terminal of the liquid crystal capacitor is connected to the common electrode,
The other terminal of the storage capacitor is connected to the previous gate line. Therefore, the voltage across the liquid crystal capacitor is determined by the common electrode voltage and the corresponding data line voltage, and the voltage across the storage capacitor is determined by the corresponding data line voltage and the previous gate line voltage. In particular, in the liquid crystal panel having the former gate structure, no pixel is connected to the first gate line G0. The former gate connection structure is widely used because it has an advantage that the aperture ratio is higher than that of the independent wiring method in which the holding capacitors are connected by a separate line.

【0005】タイミング制御回路1は色信号RGB,同
期信号Hsync 、Vsync およびクロック信号CLKを用い
て色信号のタイミングを制御し、駆動回路2、3を動作
させるための制御信号を生成する。階調電圧発生器4と
ゲートオン/オフ電圧発生器6はそれぞれ多数の階調電
圧とゲートオン/オフ電圧を生成する。前記多数の階調
電圧はソース駆動回路3に提供され、ゲートオン/オフ
電圧はゲート駆動回路2に提供される。ゲート駆動回路
2はゲートオン/オフ電圧およびタイミング制御回路1
から出力される信号を用いて各ゲートラインが順次1水
平走査時間の間ターンオンされるようにするゲート駆動
電圧を生成し、前記生成されたゲート駆動電圧を各ゲー
トラインに印加する。ここで、1水平走査時間は一つの
ゲートラインに連結されたすべての画素にデータ駆動電
圧を印加するに消費される時間である。ソース駆動回路
3は各データラインに対してタイミング制御回路1から
出力される色信号に応じて階調電圧のうち一つを選択
し、選択した電圧を対応するデータラインに印加する。
次いで、前記各データライン電圧はターンオン状態であ
るゲートラインに連結されている1行の画素に記録され
る。
The timing control circuit 1 controls the timing of the color signal using the color signals RGB, the synchronization signals Hsync and Vsync, and the clock signal CLK, and generates a control signal for operating the driving circuits 2 and 3. The grayscale voltage generator 4 and the gate on / off voltage generator 6 generate a large number of grayscale voltages and gate on / off voltages, respectively. The plurality of gray voltages are provided to the source driving circuit 3, and the gate on / off voltages are provided to the gate driving circuit 2. The gate drive circuit 2 includes a gate on / off voltage and timing control circuit 1
, A gate driving voltage for turning on each gate line sequentially for one horizontal scanning time is generated using the signal output from the gate driver, and the generated gate driving voltage is applied to each gate line. Here, one horizontal scanning time is a time consumed for applying a data driving voltage to all pixels connected to one gate line. The source drive circuit 3 selects one of the gray scale voltages for each data line according to the color signal output from the timing control circuit 1, and applies the selected voltage to the corresponding data line.
Next, each data line voltage is recorded in one row of pixels connected to the gate line that is turned on.

【0006】図2は前記前段ゲートパネル構造を有する
薄膜トランジスタ液晶表示装置に適用されるゲート駆動
電圧の一例を示すものである。図2を参照すると、任意
の1ゲートライン(Gn−1)は1フレームのうち、1
水平走査時間の間ターンオンされ、残りの区間において
はターンオフされることがわかる。また、各ゲートライ
ンは順次ターンオンされる。
FIG. 2 shows an example of a gate drive voltage applied to the thin film transistor liquid crystal display having the preceding gate panel structure. Referring to FIG. 2, an arbitrary one gate line (Gn-1) includes one gate line (Gn-1) in one frame.
It turns out that it is turned on during the horizontal scanning time and turned off in the remaining section. Also, each gate line is sequentially turned on.

【0007】ゲートオン/オフ状態であるとき、液晶パ
ネルにおける動作について詳細に説明する。例えば、図
1においてゲートラインG1にゲートオン電圧が印加さ
れ、残りのゲートラインにゲートオフ電圧が印加される
とき、ゲートラインG1に連結されている1行の薄膜ト
ランジスタすべてがターンオンされる。次いで、ソース
駆動回路3からデータライン(D1〜Dm)を通じて提
供されるデータ駆動電圧は前記ターンオンされた薄膜ト
ランジスタを経由して液晶キャパシタCp1と保持キャ
パシタCst1に印加される。これによって、液晶キャ
パシタCp1はデータ駆動電圧と共通電極電圧との間の
差異に該当する電圧により充電され、保持キャパシタC
st1はデータ駆動電圧と前段ゲートラインG0のゲー
トオフ電圧との差異に該当する電圧により充電される。
また、ゲートラインG1に印加されているゲートオン電
圧により前記ゲートラインG1に連結されている次の行
の保持キャパシタCst2が充電される。ゲートオフ区
間において前記保持キャパシタCst2の両端電圧が液
晶キャパシタCp2の電圧より大きく、これによって、
液晶キャパシタCp2は電荷を続けて供給されるので、
液晶キャパシタCp2はゲートオンの際印加された電圧
を保持させることができる。
The operation of the liquid crystal panel in the gate on / off state will be described in detail. For example, in FIG. 1, when a gate-on voltage is applied to the gate line G1 and a gate-off voltage is applied to the remaining gate lines, all the thin film transistors connected to the gate line G1 are turned on. Next, a data driving voltage provided from the source driving circuit 3 through the data lines D1 to Dm is applied to the liquid crystal capacitor Cp1 and the holding capacitor Cst1 via the turned-on thin film transistor. Accordingly, the liquid crystal capacitor Cp1 is charged by the voltage corresponding to the difference between the data drive voltage and the common electrode voltage, and the storage capacitor Cp1 is charged.
st1 is charged by a voltage corresponding to a difference between the data driving voltage and the gate-off voltage of the previous gate line G0.
Also, the storage capacitor Cst2 of the next row connected to the gate line G1 is charged by the gate-on voltage applied to the gate line G1. During the gate-off period, the voltage across the storage capacitor Cst2 is higher than the voltage of the liquid crystal capacitor Cp2,
Since the liquid crystal capacitor Cp2 is continuously supplied with electric charge,
The liquid crystal capacitor Cp2 can hold the voltage applied when the gate is turned on.

【0008】この状態において使用者がパワースイッチ
をオフさせるか停電などの理由で外部電源が遮断される
場合、液晶パネル内の保持キャパシタと液晶キャパシタ
に充電されていた電荷が完全に放電するには若干の時間
がかかる。これは電源が遮断されると薄膜トランジスタ
がターンオフされてドレイン端子がフローティング(flo
ating)状態となるため、保持キャパシタと液晶キャパシ
タの充電電荷が自然に放電されるためである。これによ
って、使用者が電源供給を遮断しても緩慢な電荷放電に
より画面が徐々に消えるという問題点がある。また、前
記電源遮断の直後に液晶キャパシタに直流電圧が所定の
時間の間作用することにより液晶が劣化されるという問
題がある。
In this state, when the user turns off the power switch or shuts off the external power supply due to a power failure or the like, it is necessary to completely discharge the charge stored in the holding capacitor in the liquid crystal panel and the liquid crystal capacitor. It takes some time. This is because when the power is cut off, the thin film transistor is turned off and the drain terminal floats (float).
This is because the charging charge of the holding capacitor and the liquid crystal capacitor is naturally discharged. As a result, there is a problem that the screen gradually disappears due to slow charge discharge even if the user shuts off the power supply. In addition, there is a problem that the liquid crystal is degraded due to the DC voltage acting on the liquid crystal capacitor for a predetermined time immediately after the power is cut off.

【0009】前記のような問題点を解決するため、本出
願人により韓国特許出願第95−29444号“薄膜ト
ランジスタ液晶表示装置の画面消し回路とその駆動方
法”が出願されている。前記“薄膜トランジスタ液晶表
示装置の画面消し回路とその駆動方法”においては、パ
ワーオフされるとすぐゲートオン/オフ電圧発生器のゲ
ートオフ端子の電圧を急速に放電させる。パワーオン状
態において前記ゲートオフ端子はゲート駆動回路のスイ
ッチングにより液晶パネル内のゲートラインと実質的に
連結されている。例えば、400個のゲートラインが存
在する場合、399個のゲートラインにはゲートオフ電
圧が印加され、一つのゲートラインにはゲートオン電圧
が印加される。上記特許はパワーオフの直後にゲートオ
フ端子の電圧を放電させることにより、パネルの保持キ
ャパシタと液晶キャパシタに充電されていた電荷を急速
に除去することである。
In order to solve the above problems, the applicant of the present invention has filed a Korean Patent Application No. 95-29444, entitled "Screen Erasing Circuit of Thin Film Transistor Liquid Crystal Display and Method of Driving the Same". In the above "screen eraser circuit of thin film transistor liquid crystal display device and driving method thereof", the voltage of the gate off terminal of the gate on / off voltage generator is rapidly discharged as soon as the power is turned off. In a power-on state, the gate-off terminal is substantially connected to a gate line in the liquid crystal panel by switching of a gate driving circuit. For example, when there are 400 gate lines, a gate-off voltage is applied to 399 gate lines, and a gate-on voltage is applied to one gate line. The above-mentioned patent is to quickly remove the charge stored in the storage capacitor and the liquid crystal capacitor of the panel by discharging the voltage of the gate-off terminal immediately after power-off.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の特許においては、パワーオフの直前にゲートオフ電
圧が印加されていたゲートラインに連結される液晶キャ
パシタと保持キャパシタによる充電電荷を除去するもの
である。従って、パワーオフの直前にゲートオン電圧が
印加されていた画素においては依然として画面が遅く消
えるばかりでなく、直流ストレスによる劣化が発生する
という問題点がある。
However, in the above-mentioned prior art, the charge charged by the liquid crystal capacitor and the holding capacitor connected to the gate line to which the gate-off voltage was applied immediately before power-off is removed. . Therefore, in a pixel to which a gate-on voltage has been applied immediately before power-off, there is a problem that not only does the screen disappear slowly but also degradation due to DC stress occurs.

【0011】従って、本発明は前記従来の問題点を解決
するためのものであって、その目的は、パワーオフの際
ゲートオン電圧が印加されていたゲートラインの電圧を
急速に放電させることができる液晶表示装置のパワーオ
フ放電回路を提供することにある。
Accordingly, the present invention has been made to solve the above-mentioned conventional problems, and has as its object to rapidly discharge a gate line voltage to which a gate-on voltage has been applied during power-off. An object of the present invention is to provide a power off discharge circuit for a liquid crystal display device.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】本発明に従うパワーオフ
放電回路は前段ゲート連結構造を有する液晶パネルを含
む液晶表示装置に適用される。前記液晶パネルは多数の
ゲートラインとこれに交差する多数のデータラインとで
構成され、前記各ゲートラインとデータラインとが交差
する領域には画素が形成されている。前記画素は薄膜ト
ランジスタ、液晶キャパシタ、保持キャパシタで構成さ
れる。薄膜トランジスタのゲートは対応するゲートライ
ンに連結され、ソースは対応するデータラインに連結さ
れ、液晶キャパシタと保持キャパシタのいずれか一端子
は前記薄膜トランジスタのドレインに共通に連結され
る。液晶キャパシタの他の端子は共通電極に連結され、
保持キャパシタの他の端子は前段のゲートラインに連結
される。
The power-off discharge circuit according to the present invention is applied to a liquid crystal display device including a liquid crystal panel having a preceding gate connection structure. The liquid crystal panel includes a plurality of gate lines and a plurality of data lines crossing the gate lines, and a pixel is formed in a region where each of the gate lines crosses the data line. The pixel includes a thin film transistor, a liquid crystal capacitor, and a holding capacitor. The thin film transistor has a gate connected to a corresponding gate line, a source connected to a corresponding data line, and one terminal of a liquid crystal capacitor and a holding capacitor commonly connected to a drain of the thin film transistor. The other terminal of the liquid crystal capacitor is connected to the common electrode,
The other terminal of the storage capacitor is connected to the previous gate line.

【0013】かかる液晶表示装置はゲートオンおよびゲ
ートオフ端子を有するゲートオン/オフ電圧発生器、前
記電圧発生器のゲートオンおよびゲートオフ端子と連結
されると同時に前記液晶パネルの各ゲートラインと連結
されるゲート駆動回路を含む。前記ゲートオン/オフ電
圧発生器はゲートオン電圧とゲートオフ電圧を生成して
前記端子に提供し、前記ゲート駆動回路は所定の制御信
号に応じて各ゲートラインに対して前記ゲートオンまた
はオフ電圧のうち一つを選択し、選択された電圧を対応
するゲートラインに印加する。このとき、制御信号は各
ゲートラインが順次ターンオンされるように予め決定さ
れる。
The liquid crystal display device has a gate-on / off voltage generator having gate-on and gate-off terminals, and a gate drive circuit connected to the gate-on and gate-off terminals of the voltage generator and connected to each gate line of the liquid crystal panel. including. The gate on / off voltage generator generates a gate on voltage and a gate off voltage and provides them to the terminal, and the gate driving circuit generates one of the gate on or off voltage for each gate line according to a predetermined control signal. And applies the selected voltage to the corresponding gate line. At this time, the control signal is predetermined so that each gate line is sequentially turned on.

【0014】前記目的を達成するため、本発明に従うパ
ワーオフ放電回路はドレインが前記ゲートオン/オフ電
圧発生器のゲートオン端子に連結され、ソースが接地さ
れているトランジスタと前記トランジスタのゲートにバ
イアス電圧を提供するパワーオフ感知回路を含む。前記
パワーオフ感知回路はパワーオン状態においては前記ト
ランジスタをターンオフさせるためのバイアス電圧を生
成し、パワーオフ状態においては前記トランジスタをタ
ーンオンさせるためのバイアス電圧を生成する。従っ
て、パワーオフ状態においては前記トランジスタが前記
パワーオフ感知回路によりターンオンされることによ
り、ゲートオン端子の電圧が前記トランジスタおよび接
地により形成される電流経路を通じて急速に放電され
る。
In order to achieve the above object, a power-off discharge circuit according to the present invention comprises a transistor having a drain connected to a gate-on terminal of the gate-on / off voltage generator, a source having a ground, and a bias voltage applied to the gate of the transistor. And a power-off sensing circuit to provide. The power-off sensing circuit generates a bias voltage for turning off the transistor in a power-on state, and generates a bias voltage for turning on the transistor in a power-off state. Accordingly, in the power-off state, when the transistor is turned on by the power-off sensing circuit, the voltage of the gate-on terminal is rapidly discharged through the current path formed by the transistor and the ground.

【0015】本発明の特徴に従うと、前記パワーオフ感
知回路はアノードに第1電圧が連結されたダイオードと
一端が前記ダイオードのカソードに連結され、他端が第
2電圧に連結されるキャパシタで構成される。前記ダイ
オードとキャパシタの接点は前記トランジスタのゲート
に連結される。前記ダイオードのしきい電圧をVth
1、前記トランジスタのしきい電圧をVth2というと
き、前記第1電圧は(Vth1+Vth2)より小さい
ことが好ましく、前記第2電圧は[第1電圧−(Vth
1+Vth2)]より小さいことが好ましい。また、前
記第1電圧としては接地または負の電圧が好ましい。か
かる条件において、パワーオン状態である場合には前記
ダイオードとキャパシタの接点の電位は第1電圧におい
て前記ダイオードのしきい電圧Vth1ほど降下した電
圧である。従って、前記トランジスタがNMOS(N-typ
e Metal Oxide Semiconductor)である場合には前記接点
の電位により前記トランジスタがターンオフされる。ま
た、前記キャパシタは前記接点の電位と第2電圧の差異
に該当する電圧により充電される。このとき、電源が遮
断されると、前記第1電圧値および第2電圧値はゼロに
なる。キャパシタは両端電圧を保持しようとする属性が
あるので、前記接点の電位は最小限しきい電圧Vth2
より大きい値になる。これによって、しきい電圧Vth
2より大きい前記接点の電位により前記トランジスタは
ターンオンされ、ゲートオン端子の電圧は急速に放電さ
れ得る。
According to a feature of the present invention, the power-off sensing circuit includes a diode having an anode connected to a first voltage and a capacitor having one end connected to a cathode of the diode and the other end connected to a second voltage. Is done. A contact between the diode and the capacitor is connected to a gate of the transistor. The threshold voltage of the diode is Vth
1. When the threshold voltage of the transistor is Vth2, the first voltage is preferably smaller than (Vth1 + Vth2), and the second voltage is [first voltage− (Vth2).
1 + Vth2)]. The first voltage is preferably a ground or a negative voltage. Under these conditions, in the power-on state, the potential at the contact point between the diode and the capacitor is a voltage that is lower than the first voltage by the threshold voltage Vth1 of the diode. Therefore, the transistor is an NMOS (N-typ)
In the case of eMetal Oxide Semiconductor, the transistor is turned off by the potential of the contact. The capacitor is charged by a voltage corresponding to a difference between the potential of the contact and a second voltage. At this time, when the power is turned off, the first voltage value and the second voltage value become zero. Since the capacitor has an attribute to hold the voltage between both ends, the potential of the contact is minimized by the threshold voltage Vth2.
Greater value. As a result, the threshold voltage Vth
With the potential of the contact greater than two, the transistor is turned on and the voltage at the gate-on terminal can be rapidly discharged.

【0016】本発明の他の特徴に従うと、前記パワーオ
フ感知回路は入力端子、出力端子、陽の電圧端子および
接地端子を備えた反転器、前記反転器の入力端子と陽の
電圧端子との間に連結された抵抗および前記反転器の陽
の電圧端子と接地端子との間に連結されたキャパシタで
構成される。前記反転器の入力端子には電源電圧が印加
され、前記反転器の出力端子は前記トランジスタのゲー
トに連結される。前記反転器は電源電圧がローレベルで
ある場合には陽の電圧端子の電圧を出力端子に提供し、
電源電圧がハイレベルである場合には接地レベルを出力
端子に提供する。パワーオン状態において前記電源電圧
はハイレベルであり、パワーオフ状態においては前記電
源電圧はローレベルである。従って、パワーオン状態に
おいては前記反転器の出力端子の電圧が接地レベルにな
り、パワーオフ状態においては陽の電圧端子の電圧にな
る。パワーオン状態においては反転器の出力が接地レベ
ルであるので、前記トランジスタは続けてターンオフさ
れる。前記陽の電圧端子の電圧は前記電源電圧が前記抵
抗およびキャパシタにより決定される時定数ほど遅延さ
れた値である。もし、パワーオン状態においてパワーオ
フ状態に変化すると、電源電圧がローレベルとなり、前
記陽の電圧端子においては前記時定数により決定される
時間だけハイレベルの電源電圧に保持された後、ローレ
ベルに下がる。前記電源電圧がローレベルに下がり、前
記陽の電圧端子においてはハイレベルに保持されている
間には、前記反転器はハイレベルである前記陽の電圧端
子の電圧を出力する。これによって、前記反転器から出
力される電圧は前記トランジスタをターンオンさせ、ゲ
ートオン電圧は前記トランジスタを通じて放電されるこ
とができる。
According to another feature of the invention, the power-off sensing circuit includes an inverter having an input terminal, an output terminal, a positive voltage terminal, and a ground terminal; and an inverter having an input terminal and a positive voltage terminal. The inverter includes a resistor connected between the positive voltage terminal and the ground terminal of the inverter. A power supply voltage is applied to an input terminal of the inverter, and an output terminal of the inverter is connected to a gate of the transistor. The inverter provides a voltage at a positive voltage terminal to an output terminal when the power supply voltage is at a low level;
When the power supply voltage is at the high level, the ground level is provided to the output terminal. In a power-on state, the power supply voltage is at a high level, and in a power-off state, the power supply voltage is at a low level. Therefore, the voltage at the output terminal of the inverter becomes the ground level in the power-on state, and becomes the voltage at the positive voltage terminal in the power-off state. In the power-on state, the output of the inverter is at the ground level, so that the transistor is continuously turned off. The voltage at the positive voltage terminal is a value obtained by delaying the power supply voltage by a time constant determined by the resistor and the capacitor. If the power-on state changes to the power-off state, the power supply voltage goes to a low level. At the positive voltage terminal, the power supply voltage is held at a high-level power supply voltage for a time determined by the time constant, and then goes to a low level. Go down. While the power supply voltage drops to a low level and is held at a high level at the positive voltage terminal, the inverter outputs a high level voltage at the positive voltage terminal. Accordingly, the voltage output from the inverter turns on the transistor, and the gate-on voltage can be discharged through the transistor.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】以下、本発明の好ましい実施形態
を添付図面に基づいて詳細に説明する。図3は本発明の
第1実施形態に従うパワーオフ(Von)放電回路が適
用された液晶表示装置の構成図であり、同図に示すよう
に、本発明の第1実施形態に従うパワーオフ放電回路が
適用された液晶表示装置は、タイミング制御回路1、ゲ
ート駆動回路2、ソース駆動回路3、階調電圧発生器
4、液晶パネル5、ゲートオン/オフ電圧発生器6およ
びゲートオン電圧放電回路7で構成される。
Preferred embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 3 is a configuration diagram of a liquid crystal display device to which the power-off (Von) discharge circuit according to the first embodiment of the present invention is applied. As shown in FIG. 3, the power-off discharge circuit according to the first embodiment of the present invention. Is applied to a liquid crystal display device including a timing control circuit 1, a gate drive circuit 2, a source drive circuit 3, a grayscale voltage generator 4, a liquid crystal panel 5, a gate on / off voltage generator 6, and a gate on voltage discharge circuit 7. Is done.

【0018】前記構成要素のうち、図1に示す液晶表示
装置の構成要素と同一のものについては同一符号を付け
る。前述したように、液晶パネル5は前段ゲート連結構
造であり、本発明の実施例1に従うゲートオン電圧放電
回路7は、ゲートオン/オフ電圧発生器6とゲート駆動
回路2との間のゲートオン端子に連結されている。
Among the components, the same components as those of the liquid crystal display device shown in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals. As described above, the liquid crystal panel 5 has a front gate connection structure, and the gate-on voltage discharge circuit 7 according to the first embodiment of the present invention is connected to the gate-on terminal between the gate-on / off voltage generator 6 and the gate drive circuit 2. Have been.

【0019】図4は図3のゲートオン電圧放電回路7を
より詳しく示すものである。図4を参照すると、ゲート
オン電圧放電回路7はトランジスタT1、ダイオードD
1およびキャパシタC1で構成される。前記トランジス
タT1はNMOSであり、ドレインは前記ゲートオン端
子に連結され、ソースは接地されている。ダイオードD
1のアノードには第1電圧Vaが印加され、カソードは
前記トランジスタT1のゲートに連結される。前記キャ
パシタC1の一端には第2電圧Vbが印加され、他端に
は前記ダイオードD1のカソードと前記トランジスタT
1のゲートの接点N1に連結される。前記ダイオードD
1のしきい電圧をVth1、前記トランジスタT1のし
きい電圧をVth2と仮定する。
FIG. 4 shows the gate-on voltage discharging circuit 7 of FIG. 3 in more detail. Referring to FIG. 4, the gate-on voltage discharging circuit 7 includes a transistor T1, a diode D
1 and a capacitor C1. The transistor T1 is an NMOS, the drain is connected to the gate-on terminal, and the source is grounded. Diode D
The first voltage Va is applied to the anode of the first transistor T1, and the cathode is connected to the gate of the transistor T1. The second voltage Vb is applied to one end of the capacitor C1, and the other end of the capacitor C1 is connected to the cathode of the diode D1 and the transistor T1.
It is connected to the contact N1 of one gate. The diode D
It is assumed that a threshold voltage of 1 is Vth1 and a threshold voltage of the transistor T1 is Vth2.

【0020】次に、図4および図5を参照して本発明の
第1実施形態に従うゲートオン電圧放電回路の動作につ
いて説明する。パワーオン状態であるとき、前記接点N
1の電位は前記トランジスタT1のしきい電圧Vth2
より小さくしなければならない。これはパワーオン状態
においてはトランジスタT1によるゲートオン端子にお
ける放電が起こらないように前記トランジスタがターン
オフされなければならないためである。パワーオン状態
における接点N1の電位はVa−Vth1で表現される
ので、Va−Vth1<Vth2の数式が成立する。従
って、Va<Vth1+Vth2の式が満たさなければ
ならない。
Next, the operation of the gate-on voltage discharging circuit according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. When in the power-on state, the contact N
1 is equal to the threshold voltage Vth2 of the transistor T1.
Must be smaller. This is because, in the power-on state, the transistor must be turned off so that the discharge at the gate-on terminal by the transistor T1 does not occur. Since the potential of the contact N1 in the power-on state is represented by Va-Vth1, the equation of Va-Vth1 <Vth2 holds. Therefore, the expression Va <Vth1 + Vth2 must be satisfied.

【0021】また、パワーオフ状態においては前記第2
電圧Vbが接地レベルとなるので、前記接点N1の電位
はパワーオン状態においてキャパシタC1の両端に充電
されていた電圧になる。かかる動作を通常、電荷ポンピ
ングという。パワーオフ状態においては前記トランジス
タT1がターンオンされなければならないので、パワー
オン状態において前記キャパシタの両端電圧は前記トラ
ンジスタT1のしきい電圧Vth2よりもっと大きくし
なければならない。これを数式で表現すると次のようで
ある。
In the power off state, the second
Since the voltage Vb is at the ground level, the potential of the contact N1 is the voltage charged across the capacitor C1 in the power-on state. Such an operation is usually called charge pumping. Since the transistor T1 must be turned on in the power-off state, the voltage across the capacitor must be higher than the threshold voltage Vth2 of the transistor T1 in the power-on state. This is represented by the following equation.

【0022】(Va−Vth1)−Vb>Vth2 また、この数式は、 Vb<Va−(Vth1+Vth2) でも表現される。上記のようなバイアス条件を満たすた
め、本発明の第1実施形態においては第1電圧は接地レ
ベル0V、第2電圧は−10Vと仮定した。ここで、し
きい電圧Vth1、Vth2は通常的に0.7Vである
と見なす。
(Va-Vth1) -Vb> Vth2 This equation is also expressed as Vb <Va- (Vth1 + Vth2). In order to satisfy the above-described bias condition, in the first embodiment of the present invention, it is assumed that the first voltage is 0V and the second voltage is -10V. Here, the threshold voltages Vth1 and Vth2 are generally considered to be 0.7V.

【0023】パワーオン状態においてはダイオードD1
がターンオンされ、キャパシタC1は接点N1の電位と
第2電圧Vbとの間の差異に該当する電圧を保持する。
図5に示すように、接点N1の電位VN1は−0.7V
である。前記−0.7VはトランジスタT1をターンオ
フさせ、ゲートオン端子の電圧Vonはゲート駆動回路
2に提供される。
In the power-on state, the diode D1
Is turned on, and the capacitor C1 holds a voltage corresponding to the difference between the potential of the contact N1 and the second voltage Vb.
As shown in FIG. 5, the potential VN1 of the contact N1 is -0.7 V
It is. The -0.7V turns off the transistor T1, and the voltage Von of the gate-on terminal is provided to the gate driving circuit 2.

【0024】この状態において外部電源が遮断されるパ
ワーオフ状態に入ると、第2電圧Vbは接地レベル0V
となり、電荷ポンピングにより接点N1の電位VN1は
キャパシタC1の両端電圧になる。前記キャパシタC1
の両端電圧はパワーオン状態において接点N1の電位V
N1と第2電圧Vbとの間の差異であるので、 −0.7−(−10)=9.3V になる。
In this state, when the power supply enters a power-off state in which the external power supply is cut off, second voltage Vb is set to ground level 0V
And the potential VN1 of the contact N1 becomes the voltage across the capacitor C1 by charge pumping. The capacitor C1
Is the potential V of the contact N1 in the power-on state.
Since it is the difference between N1 and the second voltage Vb, -0.7-(-10) = 9.3V.

【0025】図5を参照すると、パワーオフの直後第2
電圧Vbは接地レベル0Vとなり、接点N1の電位VN
1は9.3Vになることがわかる。前記9.3Vはキャ
パシタC1の自然放電により徐々に減少する。従って、
前記9.3Vゲート電圧によりトランジスタT1はター
ンオンされ、図5に示すゲートオン端子の電圧Vonは
急速に放電する。
Referring to FIG. 5, immediately after power-off, the second
The voltage Vb becomes the ground level 0 V, and the potential VN of the contact N1
It can be seen that 1 becomes 9.3V. The voltage of 9.3V gradually decreases due to the spontaneous discharge of the capacitor C1. Therefore,
The transistor T1 is turned on by the 9.3V gate voltage, and the voltage Von at the gate-on terminal shown in FIG. 5 is rapidly discharged.

【0026】前述した本発明の第1実施形態においては
予め仮定した第1および第2電圧とキャパシタの電荷ポ
ンピングを用いたパワーオフ感知回路を開示している。
前記パワーオフ感知回路は本発明において求めるバイア
ス条件をトランジスタに提供する。前記トランジスタが
パワーオフの直後にターンオンされることにより、ゲー
トオン端子の電圧を急速に放電することができる。
The above-described first embodiment of the present invention discloses a power-off sensing circuit using first and second voltages assumed in advance and charge pumping of a capacitor.
The power-off sensing circuit provides the bias condition required in the present invention to the transistor. When the transistor is turned on immediately after power off, the voltage of the gate-on terminal can be rapidly discharged.

【0027】次に、図6および図7を参照して本発明の
第2実施形態に従うゲートオン電圧放電回路8について
説明する。この発明の第2実施形態に従うゲートオン電
圧放電回路8は前記第1実施形態と同様に図3のゲート
オン/オフ電圧発生器6とゲート駆動回路2との間のゲ
ートオン端子に連結される。
Next, a gate-on voltage discharging circuit 8 according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. The gate-on voltage discharging circuit 8 according to the second embodiment of the present invention is connected to the gate-on terminal between the gate-on / off voltage generator 6 and the gate driving circuit 2 of FIG.

【0028】図6を参照すると、本発明の第2実施形態
に従うゲートオン電圧放電回路8は、PMOS(P-type
Metal Oxide Semiconductor)トランジスタT2、二つの
NMOSトランジスタT3、T4、三つの抵抗R1、R
2、R3および二つのキャパシタC2、C3で構成され
る。前記二つのトランジスタT2、T3はCMOS(Com
plementary Metal Oxide Semiconductor) インバータで
構成される。前記二つのトランジスタT2、T3は各ド
レインとゲートが互いに連結されている。前記二つのト
ランジスタT2、T3の共通ゲートは入力端であり、共
通ドレインは出力端である。前記入力端には電源電圧V
ccが印加され、この電圧Vccはシステムにおいて通
常用いられている5Vである。前記トランジスタT2の
ソースと入力端との間には抵抗R1が連結され、前記ト
ランジスタT3のソースは接地されている。前記トラン
ジスタT2のソースと接地との間にはキャパシタC2が
連結される。トランジスタT4のドレインはゲートオン
端子とゲート駆動回路2との間の接点N2に抵抗R3を
媒介として連結され、ソースは接地される。前記トラン
ジスタT4のゲートと接地との間にはキャパシタC3が
連結され、前記二つのトランジスタT2、T3の共通ド
レインと前記トランジスタT4のゲートの間には抵抗R
2が連結される。
Referring to FIG. 6, a gate-on voltage discharging circuit 8 according to a second embodiment of the present invention includes a PMOS (P-type
Metal Oxide Semiconductor) Transistor T2, two NMOS transistors T3, T4, three resistors R1, R
2, R3 and two capacitors C2, C3. The two transistors T2 and T3 are CMOS (Com
(Plementary Metal Oxide Semiconductor) Consists of an inverter. Each of the two transistors T2 and T3 has a drain and a gate connected to each other. A common gate of the two transistors T2 and T3 is an input terminal, and a common drain is an output terminal. The input terminal has a power supply voltage V
cc is applied, and this voltage Vcc is 5 V normally used in the system. A resistor R1 is connected between a source of the transistor T2 and an input terminal, and a source of the transistor T3 is grounded. A capacitor C2 is connected between the source of the transistor T2 and the ground. The drain of the transistor T4 is connected to a contact N2 between the gate-on terminal and the gate driving circuit 2 via a resistor R3, and the source is grounded. A capacitor C3 is connected between the gate of the transistor T4 and the ground, and a resistor R is connected between the common drain of the two transistors T2 and T3 and the gate of the transistor T4.
2 are connected.

【0029】この発明の第2実施形態においては、前記
トランジスタT2のしきい電圧を−1.5V、前記トラ
ンジスタT3、T4のしきい電圧を1.5Vと仮定し
た。本発明の第2実施形態においては、パワーオフ状態
を電源電圧VCC、反転器および抵抗−キャパシタ回路
を用いて感知するためのパワーオフ検出方式が適用され
た。
In the second embodiment of the present invention, it is assumed that the threshold voltage of the transistor T2 is -1.5V, and the threshold voltages of the transistors T3 and T4 are 1.5V. In the second embodiment of the present invention, a power-off detection method for detecting a power-off state by using a power supply voltage VCC, an inverter and a resistor-capacitor circuit is applied.

【0030】外部電源が正常に供給されているパワーオ
ン状態においては前記電源電圧VCCが5Vである。入
力端Vinに印加される5Vにより反転器のトランジス
タT3はターンオンされ、出力端Voutの電位は接地
レベル0Vになる。前記0Vの電位はトランジスタT4
をターンオフさせ、ゲートオン端子の電圧は放電されな
いでゲート駆動回路2に提供される。
In a power-on state where external power is normally supplied, the power supply voltage VCC is 5V. The transistor T3 of the inverter is turned on by 5V applied to the input terminal Vin, and the potential of the output terminal Vout becomes the ground level 0V. The 0 V potential is applied to the transistor T4
Is turned off, and the voltage of the gate-on terminal is provided to the gate drive circuit 2 without being discharged.

【0031】この状態においてパワーオフ状態に突入す
ると、電源電圧VCCが接地レベル0Vに下がる。抵抗
R1およびキャパシタC2は直列RC回路を構成するの
で、電源電圧VCCは二つの素子R1、C2の接点にお
いて抵抗値およびキャパシタンスにより決定される時定
数分遅延された後現われる。その後、キャパシタC2に
充電されていた電圧が自然に放電される。図7を参照す
ると、電源電圧VCCはパワーオフの直後に急激に接地
レベル0Vに下がり、抵抗R1とキャパシタC2の接点
の電位Vcはパワーオフ時点から前記時定数により決定
される時間t1の間5Vを保持してから徐々に低下す
る。
When a power-off state is entered in this state, power supply voltage VCC drops to ground level 0V. Since the resistor R1 and the capacitor C2 form a series RC circuit, the power supply voltage VCC appears at the junction of the two elements R1 and C2 after being delayed by a time constant determined by the resistance value and the capacitance. Thereafter, the voltage charged in the capacitor C2 is naturally discharged. Referring to FIG. 7, the power supply voltage VCC drops rapidly to the ground level 0 V immediately after power-off, and the potential Vc at the contact point between the resistor R1 and the capacitor C2 is 5 V for a time t1 determined by the time constant from the time of power-off. Then gradually decrease.

【0032】前記時間t1の間にはトランジスタT2の
ゲート−ソース電圧が−5Vであり、前記ゲート−ソー
ス電圧がしきい電圧より小さいので、トランジスタT2
がターンオンされる。これに従い、二つのトランジスタ
T2、T3の共通ドレイン電圧は前記接点の電位Vcに
なる。前記共通ドレイン電圧はキャパシタC3を充電さ
せ、前記抵抗R2とキャパシタC3の接点の電位Vdは
4Vまで上昇する。ここで、4Vまで上昇することは、
抵抗R2により接点の電位Vcが一部降下するためであ
る。前記接点の電位Vdが時間に従い変化する波形が図
7に示されている。前記時間区間t1において前記接点
Vdの電位がトランジスタT4のしきい電圧である1.
5Vを超過する瞬間、前記トランジスタT4はターンオ
ンされる。すなわち、前記接点の電位Vdが1.5Vよ
り高い区間においては前記トランジスタT4は常にター
ンオンされる。前記トランジスタT4のターンオンによ
りゲートオン端子の電圧は急速に放電され、接点N2の
電位は図7に示すように急速に低下する。
During the time t1, the gate-source voltage of the transistor T2 is -5 V, and the gate-source voltage is smaller than the threshold voltage.
Is turned on. Accordingly, the common drain voltage of the two transistors T2 and T3 becomes the potential Vc of the contact. The common drain voltage charges the capacitor C3, and the potential Vd at the contact point between the resistor R2 and the capacitor C3 rises to 4V. Here, rising to 4V means that
This is because the potential Vc of the contact drops partially due to the resistance R2. FIG. 7 shows a waveform in which the potential Vd of the contact changes with time. In the time interval t1, the potential of the contact Vd is the threshold voltage of the transistor T4.
At the moment when the voltage exceeds 5V, the transistor T4 is turned on. That is, in a section where the potential Vd of the contact is higher than 1.5 V, the transistor T4 is always turned on. When the transistor T4 is turned on, the voltage of the gate-on terminal is rapidly discharged, and the potential of the contact N2 rapidly decreases as shown in FIG.

【0033】前記時間区間t1が経過すると、図7に示
すように、キャパシタC2の放電により接点の電位Vc
は徐々に低下する。このときにも、接点の電位Vcが
1.5Vより大きいとゲート−ソース電圧が−1.5V
より小さいので、トランジスタT2がターンオンされ
る。前記トランジスタT2がターンオンである間には接
点の電位Vdが接点の電位Vcと殆ど同様に変化する。
従って、接点の電位Vdも時間区間t1が経過すると4
Vから徐々に下がる。
After the elapse of the time interval t1, as shown in FIG. 7, the discharge of the capacitor C2 causes the potential Vc of the contact point to be reached.
Gradually decreases. Also at this time, if the potential Vc of the contact is higher than 1.5 V, the gate-source voltage becomes -1.5 V
Since it is less, transistor T2 is turned on. While the transistor T2 is turned on, the potential Vd at the contact changes almost the same as the potential Vc at the contact.
Therefore, the potential Vd of the contact also becomes 4 when the time interval t1 elapses.
It gradually drops from V.

【0034】前記接点の電位Vcが1.5Vよりもっと
低くなると、トランジスタT2はターンオフされ、キャ
パシタC3の両端電圧は自然に放電される。前記接点の
電位Vcが1.5Vよりもっと大きい区間t2はキャパ
シタC3と抵抗R2の時定数により決定される。すなわ
ち、ゲートオン端子の電圧を完全に放電させるに必要な
時間が決定されると、この時間よりもっと長いの間トラ
ンジスタT4がターンオンされなければならない。そし
て、前記トランジスタT4のターンオン時間は前記抵抗
R2とキャパシタC3により決定される時定数により調
整することができる。
When the potential Vc of the contact becomes lower than 1.5 V, the transistor T2 is turned off and the voltage across the capacitor C3 is discharged naturally. The interval t2 where the potential Vc of the contact is larger than 1.5 V is determined by the time constant of the capacitor C3 and the resistor R2. That is, if the time required to completely discharge the voltage of the gate-on terminal is determined, the transistor T4 must be turned on for longer than this time. The turn-on time of the transistor T4 can be adjusted by a time constant determined by the resistor R2 and the capacitor C3.

【0035】前記第2実施形態に従うゲートオン電圧放
電回路はパワーオフ状態においてのみトランジスタT4
をターンオンさせてゲートオン端子の電圧を放電するよ
うにしている。一方、前記第2実施形態において、二つ
のトランジスタT2、T3の共通ドレイン端子はトラン
ジスタT4のゲートに直接連結することができる。この
場合、トランジスタT4のターンオン時間は抵抗R1と
キャパシタC2により決定される時定数により調整する
ことができる。
The gate-on voltage discharging circuit according to the second embodiment uses the transistor T4 only in the power-off state.
Is turned on to discharge the voltage of the gate-on terminal. On the other hand, in the second embodiment, the common drain terminal of the two transistors T2 and T3 can be directly connected to the gate of the transistor T4. In this case, the turn-on time of the transistor T4 can be adjusted by a time constant determined by the resistor R1 and the capacitor C2.

【0036】[0036]

【発明の効果】以上のように、本発明に従うパワーオフ
放電回路はパワーオフ状態を感知してパワーオフの直後
にゲートオン端子の電圧が急速に放電されるようにす
る。従って、本発明が適用される液晶表示装置はパワー
オフ後にゲートオン電圧が最終的に印加されたパネル上
の画素ラインによる画像が徐々に消えることを防止する
ことができる。また、本発明に従うパワーオフ放電回路
はパワーオフの直後に前記パネル上に残留するゲートオ
ン電圧を急速に放電させることにより、直流ストレスに
よる液晶の劣化を予防することができる。
As described above, the power-off discharge circuit according to the present invention senses the power-off state and immediately discharges the voltage of the gate-on terminal immediately after power-off. Therefore, the liquid crystal display device to which the present invention is applied can prevent the image by the pixel line on the panel to which the gate-on voltage is finally applied after power-off from gradually disappearing. Further, the power-off discharge circuit according to the present invention can prevent the deterioration of the liquid crystal due to DC stress by rapidly discharging the gate-on voltage remaining on the panel immediately after power-off.

【0037】前述したように、本発明は最も実際的で好
ましいと見なされる実施形態を参照して説明したが、本
発明はこれらの実施形態に限定されず、むしろ請求項の
精神および範囲に含まれる多様な変形および等価物を含
むものと解釈される。
As mentioned above, the present invention has been described with reference to the most practical and preferred embodiments, but the present invention is not limited to these embodiments, but rather falls within the spirit and scope of the appended claims. Construed to include various modifications and equivalents.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】従来の液晶表示装置の構成図である。FIG. 1 is a configuration diagram of a conventional liquid crystal display device.

【図2】図1に示す液晶表示装置を駆動するためのゲー
トライン電圧の一例を示す波形図である。
FIG. 2 is a waveform diagram showing an example of a gate line voltage for driving the liquid crystal display device shown in FIG.

【図3】本発明の第1実施形態に従うパワーオフVon
放電回路が適用された液晶表示装置の構成図である。
FIG. 3 shows a power-off Von according to the first embodiment of the present invention;
1 is a configuration diagram of a liquid crystal display device to which a discharge circuit is applied.

【図4】本発明の第1実施形態に従うパワーオフVon
放電回路の詳細回路図である。
FIG. 4 shows a power-off Von according to the first embodiment of the present invention;
It is a detailed circuit diagram of a discharge circuit.

【図5】図4の回路に示す主要地点電圧の波形図であ
る。
FIG. 5 is a waveform diagram of main point voltages shown in the circuit of FIG. 4;

【図6】本発明の第2実施形態に従うパワーオフVon
放電回路の詳細回路図である。
FIG. 6 shows a power-off Von according to a second embodiment of the present invention;
It is a detailed circuit diagram of a discharge circuit.

【図7】図6の回路に示す主要地点電圧の波形図であ
る。
FIG. 7 is a waveform diagram of main point voltages shown in the circuit of FIG. 6;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 タイミング制御回路 2 ゲート駆動回路 3 ソース駆動回路 4 階調電圧発生器 5 液晶パネル 6 ゲートオン/オフ電圧発生器 7,8 ゲートオン電圧放電回路 REFERENCE SIGNS LIST 1 timing control circuit 2 gate drive circuit 3 source drive circuit 4 grayscale voltage generator 5 liquid crystal panel 6 gate on / off voltage generator 7, 8 gate on voltage discharge circuit

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 李 炯坤 大韓民国ソウル市江南区大峙洞633番地 青室アパート2棟708号 (56)参考文献 特開 平9−127486(JP,A) 特開 平6−104654(JP,A) 特開 平7−104711(JP,A) 特開 平8−220508(JP,A) 特開 平2−235092(JP,A) 特開 昭52−48338(JP,A) 特開 昭61−281293(JP,A) 特開 平4−58219(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G02F 1/133 505 G02F 1/133 520 G09G 3/36 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (72) Inventor Lee Hyung-kun 633 Daeol-dong, Daechi-dong, Gangnam-gu, Seoul, Korea No. 708 (56) References JP 9-127486 (JP, A) JP JP-A-6-104654 (JP, A) JP-A-7-104711 (JP, A) JP-A-8-220508 (JP, A) JP-A-2-2355092 (JP, A) JP-A-52-48338 (JP JP-A-61-281293 (JP, A) JP-A-4-58219 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) G02F 1/133 505 G02F 1/133 520 G09G 3/36

Claims (16)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 ゲートオン端子を有するゲートオン/オ
フ電圧発生器を含む液晶表示装置において、 ゲート、ソースおよびドレインを有し、ドレインが前記
ゲートオン端子に連結され、ソースが接地され、ゲート
電圧に応じてターンオンまたはターンオフされるトラン
ジスタと、 アノードに第1電圧が印加され、カソードは前記トラン
ジスタのゲートに連結されるダイオードと、 一端子に第2電圧が印加され、他端子は前記ダイオード
のカソードと前記トランジスタのゲートとの間の接点に
連結されるキャパシタとを含み、 パワーオン状態においては前記接点の電位によりトラン
ジスタがターンオフされ、パワーオフ状態においては前
記接点の電位によりトランジスタがターンオンされるパ
ワーオフ放電回路。
1. A liquid crystal display device including a gate-on / off voltage generator having a gate-on terminal, comprising: a gate, a source, and a drain, wherein the drain is connected to the gate-on terminal, the source is grounded, and the source is grounded. A transistor to be turned on or off, a first voltage applied to the anode, a diode connected to the gate of the transistor at the cathode, a second voltage applied to one terminal, and a cathode connected to the diode and the transistor connected to the other terminal. And a capacitor connected to a contact between the gate of the power-off circuit and a power-off state, wherein the transistor is turned off by a potential of the contact in a power-on state, and the transistor is turned on by a potential of the contact in a power-off state. .
【請求項2】 前記トランジスタはNMOSである請求
項1に記載のパワーオフ放電回路。
2. The power-off discharge circuit according to claim 1, wherein said transistor is an NMOS.
【請求項3】 前記トランジスタのしきい電圧を第1し
きい電圧、前記ダイオードのしきい電圧を第2しきい電
圧というとき、 パワーオン状態において前記第1電圧は(第1しきい電
圧+第2しきい電圧)よりもっと小さい値を有し、前記
第2電圧は(第1電圧−第1しきい電圧−第2しきい電
圧)よりもっと小さい値を有し、パワーオフ状態におい
て前記第1電圧および第2電圧は接地レベルからなる請
求項1または2に記載のパワーオフ放電回路。
3. When the threshold voltage of the transistor is referred to as a first threshold voltage and the threshold voltage of the diode is referred to as a second threshold voltage, the first voltage is (first threshold voltage + first threshold voltage) in a power-on state. 2), the second voltage has a value smaller than (first voltage-first threshold voltage-second threshold voltage), and the first voltage in the power-off state. 3. The power-off discharge circuit according to claim 1, wherein the voltage and the second voltage are at a ground level.
【請求項4】 多数のゲートラインを有し、前記各ゲー
トラインに1行の画素が連結され、前記各画素の保持キ
ャパシタは前段のゲートラインに連結される液晶パネル
と、 ゲートオン/オフ電圧を生成し、前記電圧を出力するた
めのゲートオン端子とゲートオフ端子を有するゲートオ
ン/オフ電圧発生器と、 前記ゲートオン/オフ電圧発生器から出力されるゲート
オン/オフ電圧を入力され、所定の制御信号に応じて各
ゲートラインに対し前記ゲートオンまたはオフ電圧を選
択し、前記選択された電圧を各ゲートラインに印加する
ゲート駆動回路と、 ゲート、ソースおよびドレインを有し、ドレインが前記
ゲートオン端子に連結され、ソースが接地され、ゲート
電圧に応じてターンオンまたはターンオフされるトラン
ジスタと、 アノードに第1電圧が印加され、カソードは前記トラン
ジスタのゲートに連結されるダイオードと、 一端子に第2電圧が印加され、他端子は前記ダイオード
のカソードと前記トランジスタのゲートとの間の接点に
連結されるキャパシタを含み、パワーオン状態において
は前記接点の電位によりトランジスタがターンオフさ
れ、パワーオフ状態においては前記接点の電位によりト
ランジスタがターンオンされるパワーオフ放電回路とを
含む液晶表示装置。
4. A liquid crystal panel having a plurality of gate lines, one row of pixels connected to each gate line, and a storage capacitor of each pixel connected to a preceding gate line, and a gate on / off voltage. A gate-on / off voltage generator having a gate-on terminal and a gate-off terminal for generating and outputting the voltage; a gate-on / off voltage output from the gate-on / off voltage generator being input, in response to a predetermined control signal A gate drive circuit for selecting the gate on or off voltage for each gate line, and applying the selected voltage to each gate line; a gate, a source, and a drain; a drain connected to the gate on terminal; A transistor whose source is grounded and which is turned on or off depending on the gate voltage, and One voltage is applied, the cathode has a diode connected to the gate of the transistor, and the second terminal has one terminal applied, and the other terminal is connected to a contact between the cathode of the diode and the gate of the transistor. A liquid crystal display device comprising: a power-off discharge circuit including a capacitor, wherein the transistor is turned off by a potential of the contact in a power-on state, and the transistor is turned on by a potential of the contact in a power-off state.
【請求項5】 前記パワーオフ放電回路のトランジスタ
はNMOSである請求項4に記載の液晶表示装置。
5. The liquid crystal display device according to claim 4, wherein a transistor of the power-off discharge circuit is an NMOS.
【請求項6】 前記トランジスタのしきい電圧を第1し
きい電圧、前記ダイオードのしきい電圧を第2しきい電
圧とすると、 パワーオン状態において前記第1電圧は(第1しきい電
圧+第2しきい電圧)よりもっと小さい値を有し、前記
第2電圧(第1電圧−第1しきい電圧−第2しきい電
圧)よりもっと小さい値を有し、パワーオフ状態におい
て前記第1電圧および第2電圧は接地レベルとなる請求
項4または5に記載の液晶表示装置。
6. When the threshold voltage of the transistor is a first threshold voltage and the threshold voltage of the diode is a second threshold voltage, the first voltage is (first threshold voltage + first threshold voltage) in a power-on state. A second threshold voltage), a value smaller than the second voltage (first voltage-first threshold voltage-second threshold voltage), and the first voltage in a power-off state. 6. The liquid crystal display device according to claim 4, wherein the second voltage is at a ground level.
【請求項7】 ゲートオン端子を有するゲートオン/オ
フ電圧発生器を含む液晶表示装置において、 ゲート、ソースおよびドレインを有し、ドレインが前記
ゲートオン端子に連結され、ソースが接地され、ゲート
電圧に応じてターンオンまたはターンオフされるトラン
ジスタと、 入力端、出力端、電源端および接地端を有し、入力端に
電源電圧が印加され、前記出力端は前記トランジスタの
ゲートに連結され、前記電源電圧の状態に従い電源端ま
たは接地端の電源を出力端に提供する反転器と、 前記反転器の入力端と電源端との間に連結される第1抵
抗と、 前記反転器の電源端と接地端との間に連結される第1キ
ャパシタとを含み、 パワーオン状態において前記電源電圧はハイレベルであ
り、パワーオフ状態において前記電源電圧はローレベル
であり、パワーオフの瞬間前記電源電圧は所定の時間の
間遅延された後前記電源端に伝達されるので、パワーオ
フの直後前記反転器の電源端の電圧は出力端に提供され
て前記トランジスタをターンオンさせるパワーオフ放電
回路。
7. A liquid crystal display device including a gate on / off voltage generator having a gate on terminal, comprising: a gate, a source, and a drain, wherein a drain is connected to the gate on terminal, a source is grounded, and a gate is connected to the gate. A transistor to be turned on or off; an input terminal, an output terminal, a power supply terminal, and a ground terminal; a power supply voltage is applied to the input terminal; the output terminal is connected to a gate of the transistor; An inverter for providing power at a power terminal or a ground terminal to an output terminal; a first resistor connected between an input terminal of the inverter and a power terminal; and between a power terminal and a ground terminal of the inverter. A power supply voltage is at a high level in a power-on state, and the power supply voltage is at a low level in a power-off state. At the moment of power-off, the power supply voltage is transmitted to the power supply terminal after being delayed for a predetermined time, so immediately after power-off, the voltage at the power supply terminal of the inverter is provided to the output terminal, and Power-off discharge circuit that turns on a transistor.
【請求項8】 前記遅延時間は前記第1抵抗および第1
キャパシタによる時定数に従い決定される請求項7に記
載のパワーオフ放電回路。
8. The method according to claim 1, wherein the delay time is equal to the first resistance and the first resistance.
The power-off discharge circuit according to claim 7, wherein the power-off discharge circuit is determined according to a time constant of a capacitor.
【請求項9】 前記反転器は、 ソースが前記電源端に連結され、ゲートは前記入力端に
連結され、ドレインは前記出力端に連結されるpMOS
トランジスタと、 ソースが前記接地端に連結され、ゲートは前記入力端に
連結され、ドレインは前記出力端に連結されるNMOS
トランジスタとで構成される請求項7に記載のパワーオ
フ放電回路。
9. The pMOS having a source connected to the power supply terminal, a gate connected to the input terminal, and a drain connected to the output terminal.
A transistor having a source connected to the ground terminal, a gate connected to the input terminal, and a drain connected to the output terminal;
The power-off discharge circuit according to claim 7, comprising a transistor.
【請求項10】 前記反転器の出力端と前記トランジス
タのゲートとの間に連結される第2抵抗と、 一端が接地され、他端が前記第2抵抗と前記トランジス
タのゲートとの間の接点に連結され、前記反転器の出力
端の電圧により充電される第2キャパシタとをさらに含
む請求項7に記載のパワーオフ放電回路。
10. A second resistor connected between the output terminal of the inverter and the gate of the transistor, one end of which is grounded, and the other end connected between the second resistor and the gate of the transistor. The power-off discharge circuit according to claim 7, further comprising: a second capacitor connected to the inverter and charged by a voltage of an output terminal of the inverter.
【請求項11】 パワーオフ直後の前記トランジスタの
ターンオン時間は前記第2抵抗および第2キャパシタに
よる時定数により決定される請求項10に記載のパワー
オフ放電回路。
11. The power-off discharge circuit according to claim 10, wherein a turn-on time of the transistor immediately after power-off is determined by a time constant of the second resistor and the second capacitor.
【請求項12】 多数のゲートラインを有し、前記各ゲ
ートラインに1行の画素が連結され、前記各画素の保持
キャパシタは前段のゲートラインに連結される液晶パネ
ルと、 ゲートオン/オフ電圧を生成し、前記電圧を出力するた
めのゲートオン端子とゲートオフ端子を有するゲートオ
ン/オフ電圧発生器と、 前記ゲートオン/オフ電圧発生器から出力されるゲート
オン/オフ電圧を入力され、所定の制御信号に応じて各
ゲートラインに対し前記ゲートオンまたはオフ電圧を選
択し、前記選択された電圧を各ゲートラインに印加する
ゲート駆動回路と、 ゲート、ソースおよびドレインを有し、ドレインが前記
ゲートオン端子に連結され、ソースが接地され、ゲート
電圧に応じてターンオンまたはターンオフされるトラン
ジスタと、 入力端、出力端、電源端および接地端を有し、入力端に
電源電圧が印加され、前記出力端は前記トランジスタの
ゲートに連結され、前記電源電圧の状態に従い電源端ま
たは接地端の電源を出力端に提供する反転器と、 前記反転器の入力端と電源端との間に連結される第1抵
抗と、 前記反転器の電源端と接地端との間に連結される第1キ
ャパシタとを含み、パワーオン状態において前記電源電
圧はハイレベルであり、パワーオフ状態において前記電
源電圧はローレベルであり、パワーオフの瞬間前記電源
電圧は所定の時間の間遅延された後前記電源端に伝達さ
れるので、パワーオフ直後の前記反転器の電源端の電圧
は出力端に提供されて前記トランジスタをターンオンさ
せるパワーオフ放電回路を含む液晶表示装置。
12. A liquid crystal panel having a plurality of gate lines, one row of pixels connected to each gate line, and a storage capacitor of each pixel connected to a liquid crystal panel connected to a previous gate line, and a gate on / off voltage. A gate-on / off voltage generator having a gate-on terminal and a gate-off terminal for generating and outputting the voltage; a gate-on / off voltage output from the gate-on / off voltage generator being input, in response to a predetermined control signal A gate drive circuit for selecting the gate on or off voltage for each gate line, and applying the selected voltage to each gate line; a gate, a source, and a drain; a drain connected to the gate on terminal; A transistor whose source is grounded and which is turned on or off according to the gate voltage; A power supply terminal, a power supply terminal, and a ground terminal; a power supply voltage is applied to an input terminal; the output terminal is connected to a gate of the transistor; and a power supply terminal or a ground terminal power supply is connected to an output terminal according to a state of the power supply voltage. An inverter provided, a first resistor connected between an input terminal of the inverter and a power terminal, and a first capacitor connected between a power terminal and a ground terminal of the inverter. In a power-on state, the power supply voltage is at a high level, in a power-off state, the power supply voltage is at a low level, and at the moment of power-off, the power supply voltage is transmitted to the power supply terminal after being delayed for a predetermined time. Therefore, the liquid crystal display device includes a power-off discharge circuit for turning on the transistor by supplying the voltage of the power supply terminal of the inverter immediately after power-off to the output terminal.
【請求項13】 前記遅延時間は前記第1抵抗および第
1キャパシタによる時定数に従い決定される請求項12
に記載の液晶表示装置。
13. The delay time is determined according to a time constant of the first resistor and the first capacitor.
3. The liquid crystal display device according to 1.
【請求項14】 前記パワーオフ放電回路の反転器は、
ソースが前記電源端に連結され、ゲートは前記入力端に
連結され、ドレインは前記出力端に連結されるpMOS
トランジスタと、 ソースが前記接地端に連結され、ゲートは前記入力端に
連結され、ドレインは前記出力端に連結されるNMOS
トランジスタとで構成される請求項12に記載の液晶表
示装置。
14. The inverter of the power-off discharge circuit,
A source is connected to the power supply terminal, a gate is connected to the input terminal, and a drain is connected to the output terminal.
A transistor having a source connected to the ground terminal, a gate connected to the input terminal, and a drain connected to the output terminal;
13. The liquid crystal display device according to claim 12, comprising a transistor.
【請求項15】 前記パワーオフ放電回路は、 前記反転器の出力端と前記トランジスタのゲートとの間
に連結される第2抵抗と、 一端が接地され、他端が前記第2抵抗と前記トランジス
タのゲートとの間の接点に連結され、前記反転器の出力
端の電圧により充電される第2キャパシタとをさらに含
む請求項12に記載の液晶表示装置。
15. The power-off discharge circuit, comprising: a second resistor connected between an output terminal of the inverter and a gate of the transistor; one end grounded, and the other end connected to the second resistor and the transistor. The liquid crystal display of claim 12, further comprising: a second capacitor connected to a contact between the first and second gates and charged by a voltage of an output terminal of the inverter.
【請求項16】 パワーオフの直後前記トランジスタの
ターンオン時間は前記第2抵抗および第2キャパシタに
よる時定数により決定される請求項15に記載の液晶表
示装置。
16. The liquid crystal display device according to claim 15, wherein a turn-on time of the transistor immediately after power-off is determined by a time constant of the second resistor and the second capacitor.
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