JP3148061B2 - Comparator circuit with built-in dynamic hiss - Google Patents

Comparator circuit with built-in dynamic hiss

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JP3148061B2
JP3148061B2 JP31990793A JP31990793A JP3148061B2 JP 3148061 B2 JP3148061 B2 JP 3148061B2 JP 31990793 A JP31990793 A JP 31990793A JP 31990793 A JP31990793 A JP 31990793A JP 3148061 B2 JP3148061 B2 JP 3148061B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明はコンパレータ回路に関
し、特に、集積回路により構成されるコンパレータ回路
に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a comparator circuit, and more particularly to a comparator circuit formed by an integrated circuit.

【0002】[0002]

【従来の技術】コンパレータ回路においては、出力の切
換時にチャタリングが発生することを防止するために、
ダイナミックヒスをつけることが行われる。従来、集積
回路により形成したコンパレータ回路では、ダイナミッ
クヒスを作成するためのコンデンサは集積回路に外付け
されていた。
2. Description of the Related Art In a comparator circuit, in order to prevent chattering from occurring at the time of output switching,
Dynamic hissing is performed. Conventionally, in a comparator circuit formed by an integrated circuit, a capacitor for creating dynamic hiss is externally provided to the integrated circuit.

【0003】その回路例を図15に示す。図において、
コンパレータ回路1は集積回路IC内に形成され、その
−側入力端子を入力端子IN1 に、+側入力端子を入力
端子IN2 に、出力を出力端子OUTに接続している。
そして、ダイナミックヒスをつけるために、入力端子I
2 と出力端子OUTの間にコンデンサCと抵抗Rの直
列回路が接続される。このコンパレータ回路11におい
ては、入力端子IN1に入力電圧VINが、入力端子IN
2 にスレショルドレベルVTHが入力され、出力端子OU
Tから出力が取り出される。
FIG. 15 shows an example of the circuit. In the figure,
Comparator circuit 1 is formed in an integrated circuit IC, that - on the side input with the input terminal terminal IN 1, + side input terminal to the input terminal IN 2, connects the output to the output terminal OUT.
The input terminal I
A series circuit of a capacitor C and a resistor R between the N 2 and the output terminal OUT is connected. In the comparator circuit 11, the input voltage V IN to the input terminal IN 1 is an input terminal IN
The threshold level V TH is input to 2 and the output terminal OU
The output is taken from T.

【0004】ダイナミックヒスの概要について図16、
図17を用いて説明する。図16はダイナミックヒスが
ない場合の入力電圧VINと出力電圧VOUT の関係を示
し、図16はダイナミックヒスを付けた図15の回路に
おける入力電圧VINと出力電圧VOUT の関係を示す。始
めに、コンパレータ回路1にダイナミックヒスがない場
合について説明をすると、図16に示すように、入力電
圧VINがA点及びB点においてスレショルドレベルVTH
より大きく又は小さくなると出力電圧VOUT が切り換わ
るが、入力波形に含まれるノイズにより、入力電圧VIN
がスレショルドレベルVTHと何回もクロスするため、そ
の都度出力が切り換わり、出力電圧VOUT にチャタリン
グが発生し、誤動作の原因となることがある。
FIG. 16 shows an outline of dynamic hiss.
This will be described with reference to FIG. Figure 16 shows the relationship between the input voltage V IN and the output voltage V OUT in the absence of dynamic hysteresis, Figure 16 shows the relationship between the input voltage V IN and the output voltage V OUT in the circuit of FIG. 15 with a dynamic hysteresis. First, a case where the comparator circuit 1 has no dynamic hysteresis will be described. As shown in FIG. 16, when the input voltage VIN is equal to the threshold level V TH at the points A and B.
When the voltage becomes larger or smaller, the output voltage V OUT switches. However, the noise included in the input waveform causes the input voltage V IN to change.
Crosses the threshold level V TH many times, the output switches each time, and chattering occurs in the output voltage V OUT , which may cause a malfunction.

【0005】これに対し、ダイナミックヒスをつけた図
15の回路においては、図17に示すように、入力電圧
INがA点及びB点においてスレショルドレベルVTH
り大きく又は小さくなると出力電圧VOUT が反転し、こ
の切り換わった出力電圧VOU T がコンデンサCを介して
入力端子IN2 に重畳され、スレショルドレベルVTH
小さく又は大きくする。その後、コンデンサCの充電又
は放電によりある時定数τでスレショルドレベルVTH
本来の値に戻るが、ダイナミックヒスによりノイズを含
む入力電圧VINがスレショルドレベルVTHとクロスする
ことはなくなるため、チャタリングは発生しない。
On the other hand, in the circuit of FIG. 15 with dynamic hysteresis, as shown in FIG. 17, when the input voltage V IN becomes larger or smaller than the threshold level V TH at the points A and B, the output voltage V OUT There was inverted, the output voltage V OU T which changed the cut is superimposed on the input terminal iN 2 through the capacitor C, to reduce or increase the threshold level V TH. Thereafter, the threshold level V TH returns to its original value at a certain time constant τ due to the charging or discharging of the capacitor C. However, the input voltage V IN including noise does not cross the threshold level V TH due to dynamic hiss, so that chattering occurs. Does not occur.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】以上説明した従来のダ
イナミックヒスをつけたコンパレータ回路においては、
ダイナミックヒスを作成するためのコンデンサCを集積
回路ICの外部に接続しなければならない。また、スレ
ショルドレベルVTHを集積回路IC内部で作成する場合
においても、コンデンサを接続するために入力端子IN
2 を設けなければならないという問題点を有する。さら
に、ダイナミックヒスの時定数τが、コンパレータ回路
が接続される外部回路に存在する抵抗により変動して、
一定の時定数τが得られないという問題点があった。
In the above-described conventional comparator circuit with dynamic hysteresis,
A capacitor C for creating dynamic hiss must be connected outside the integrated circuit IC. Also, when the threshold level V TH is created inside the integrated circuit IC, the input terminal IN is used to connect a capacitor.
2 has to be provided. Furthermore, the time constant τ of the dynamic hiss fluctuates due to the resistance existing in the external circuit to which the comparator circuit is connected,
There is a problem that a constant time constant τ cannot be obtained.

【0007】本発明は、集積回路により形成したコンパ
レータ回路において、ダイナミックヒスをつけることに
より高周波ノイズによるチャタリングの発生を防止し、
かつダイナミックヒスを作成するためのコンデンサを集
積回路の外部に接続する必要をなくすことを目的とする
ものである。
According to the present invention, in a comparator circuit formed by an integrated circuit, occurrence of chattering due to high-frequency noise is prevented by adding dynamic hysteresis.
It is another object of the present invention to eliminate the need to connect a capacitor for creating dynamic hiss outside the integrated circuit.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、集積回路により形成したコンパレータ回
路において、差動対の少なくとも一方のトランジスタの
ベースと、コンパレータの論理によって電位が変わるラ
イン(例えば出力トランジスタのベースの間)に、ダイ
ナミックヒスをつけるための集積回路内に形成したコン
デンサを接続する。
In order to achieve the above object, the present invention relates to a comparator circuit formed by an integrated circuit, comprising: a base (at least one transistor of a differential pair); For example, a capacitor formed in an integrated circuit for providing dynamic hysteresis is connected between the bases of the output transistors.

【0009】[0009]

【作用】上記手段によれば、入力電圧がスレショルドレ
ベルより大きく又は小さくなり、出力電圧が切り換わっ
た時、出力トランジスタ(又はその前段のトランジス
タ)のベース電圧がコンデンサを介して差動対のトラン
ジスタのベース電圧に印加され、そのベース電圧を瞬間
的に変動させる。これにより、ダイナミックヒスがつけ
られてチャタリングが防止できる。また、上記手段によ
り、コンデンサを集積回路内に形成することができるの
で、コンデンサを外付けする必要性がなくなる。
According to the above means, when the input voltage becomes larger or smaller than the threshold level and the output voltage is switched, the base voltage of the output transistor (or the preceding transistor) is connected to the transistor of the differential pair via the capacitor. , And instantaneously fluctuates the base voltage. As a result, the dynamic hiss is attached and chattering can be prevented. In addition, since the capacitor can be formed in the integrated circuit by the above means, it is not necessary to externally connect the capacitor.

【0010】[0010]

【実施例】以下、本発明の実施例を図を用いて説明す
る。なお、以下の説明における各図面において、同一の
機能を有するものには同一の符号を付して、重複する説
明は省略する。 (前提技術) 図1〜図4に本発明の前提技術の回路図を示す。図1は
PNP入力のコンパレータ回路、図2はその入力電圧範
囲を改良したコンパレータ回路、図3はNPN入力のコ
ンパレータ回路、図4はその入力電圧範囲を改良したコ
ンパレータ回路を示す。本実施例においては、差動対の
トランジスタQ2 ,Q4 の内の一方の差動トランジスタ
4 のベースと出力トランジスタQ9 のベースの間に、
ダイナミックヒスをつけるためのコンデンサC1 を接続
することを特徴としている。図1〜4の回路のその他の
部分はコンパレータ回路として周知のものであるので、
ここでの説明は省略する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In the drawings below, components having the same function are denoted by the same reference numerals, and redundant description will be omitted. ( Base Technology ) FIGS. 1 to 4 show circuit diagrams of the base technology of the present invention. 1 shows a PNP input comparator circuit, FIG. 2 shows a comparator circuit having an improved input voltage range, FIG. 3 shows an NPN input comparator circuit, and FIG. 4 shows a comparator circuit having an improved input voltage range. In the present embodiment, between the bases of the output transistors Q 9 of one of the differential transistors Q 4 of the transistors Q 2, Q 4 of the differential pair,
It is characterized by connecting a capacitor C 1 for applying a dynamic hysteresis. Since the other parts of the circuits of FIGS. 1 to 4 are well known as comparator circuits,
The description here is omitted.

【0011】以下、図1のコンパレータ回路について、
図5の波形図を参照しながら説明する。図5は、図1の
回路の入力電圧VIN、スレショルドレベルVTH、出力電
圧V OUT の関係を示す。図1の回路において、入力電圧
INが入力端子+INに印加され、スレショルドレベル
THが入力端子−INに印加されるものとして以下に説
明する。入力端子+INに印加された入力電圧VINは、
抵抗R1 を介して差動対の一方のトランジスタQ2 のベ
ースに印加される。入力端子−INに印加されたスレシ
ョルドレベルVTHは、抵抗R2 を介して差動対の他方の
トランジスタQ4 のベースに印加される。出力端子OU
Tは、電源VCCと抵抗Rを介して接続された出力トラン
ジスタQ9 のコレクタから引き出される。そして、スレ
ショルドレベルVTHが印加される差動トランジスタQ4
のベースと出力トランジスタQ9 のベースの間に、ダイ
ナミックヒスをつけるためのコンデンサC1 が接続され
る。
Hereinafter, the comparator circuit shown in FIG.
This will be described with reference to the waveform diagram of FIG. FIG.
Circuit input voltage VIN, Threshold level VTH, Output power
Pressure V OUTShows the relationship. In the circuit of FIG.
VINIs applied to the input terminal + IN, and the threshold level
VTHIs described below as being applied to the input terminal -IN.
I will tell. Input voltage V applied to input terminal + ININIs
Resistance R1Through one of the transistors Q of the differential pairTwoNo
Applied to the source. The threshold applied to the input terminal -IN
Old level VTHIs the resistance RTwoThrough the other of the differential pair
Transistor QFourApplied to the base. Output terminal OU
T is the power supply VCCAnd an output transformer connected via a resistor R.
Jista Q9Drawn from the collector. And thread
Shoulder level VTHIs applied to the differential transistor QFour
Base and output transistor Q9Between the base of the die
Capacitor C for adding natural hiss1Is connected
You.

【0012】今、図5のA点において入力電圧VINがス
レショルドレベルVTHより大きくなると、差動トランジ
スタQ2 のベース電圧VB2が差動トランジスタQ4 のベ
ース電圧VB4より大きくなり、トランジスタQ7 がオン
となって出力トランジスタQ 9 のベース電圧は電源電圧
BE(V)から0(V)へと減少する。これにより出力
トランジスタQ9 がオフとなり、出力電圧VOUT は0か
らVCCへと変化する。
At the point A in FIG.INBut
Threshold level VTHWhen larger, the differential
Star QTwoBase voltage VB2Is the differential transistor QFourNo
Source voltage VB4Larger, the transistor Q7Is on
Output transistor Q 9Is the power supply voltage
VBEIt decreases from (V) to 0 (V). This will output
Transistor Q9Turns off and the output voltage VOUTIs 0
Ra VCCChanges to

【0013】同時に、出力トランジスタQ9 のベース電
圧のVBE分の減少に伴い、コンデンサC1 を介して接続
された差動トランジスタQ4 のベース電圧VB4はスレシ
ョルドレベルVTHからVTH−VBEまで瞬間的に減少す
る。その後、コンデンサC1 は時定数τ=R2 1 (た
だし、R2 は入力端子−INとコンデンサC1 との間に
接続された抵抗)で充電され、差動トランジスタQ4
ベース電圧VB4は元のスレショルドレベルVTHに復帰す
る。
[0013] Simultaneously, the output transistor with decreasing V BE component of the base voltage of Q 9, the base voltage V B4 differential transistor Q 4 which is connected via a capacitor C 1 is V TH -V from the threshold level V TH It decreases instantaneously to BE . Thereafter, the capacitor C 1 is charged with a time constant τ = R 2 C 1 (where R 2 is a resistor connected between the input terminal −IN and the capacitor C 1 ), and the base voltage V of the differential transistor Q 4. B4 is returned to the original threshold level V TH.

【0014】この間、入力電圧にノイズがあっても、差
動トランジスタQ4 のベース電圧V B4が大きく変動する
ため、差動トランジスタQ2 のベース電圧VB2がそれと
クロスすることがなくなり、チャタリングが発生するこ
とがない。したがって、ダイナミックヒス幅VBEで、時
定数τにより決まる時間幅のダイナミックヒスが得られ
る。
During this time, even if there is noise in the input voltage,
Dynamic transistor QFourBase voltage V B4Greatly fluctuates
Therefore, the differential transistor QTwoBase voltage VB2But
Crossing will no longer occur and chattering may occur.
And not. Therefore, the dynamic hiss width VBEAt time
A dynamic hiss with a time width determined by the constant τ is obtained.
You.

【0015】次に、図5のB点において入力電圧VIN
スレショルドレベルVTHより小さくなると、トランジス
タQ7 がオフとなり、したがって出力トランジスタQ9
のベース電圧は0からVBEへと増加する。これにより出
力トランジスタQ9 がオンとなり、出力電圧VOUT はV
CCから0へと変化する。同時に、出力トランジスタQ 9
のベース電圧のVBE分の増加に伴い、コンデンサC1
介して接続された差動トランジスタQ4 のベース電圧V
B4もスレショルドレベルVTHからVTH+VBEまで瞬間的
に増加する。その後、コンデンサC1 は時定数τ=R2
Cで放電することにより、差動トランジスタQ4 のベー
ス電圧VB4は元のスレショルドレベルV THに復帰する。
これにより、前記A点におけると同様のダイナミックヒ
スが得られる。
Next, at the point B in FIG.INBut
Threshold level VTHWhen smaller, Transis
TA Q7Is turned off, so that the output transistor Q9
Base voltage is from 0 to VBETo increase. With this
Force transistor Q9Turns on and the output voltage VOUTIs V
CCFrom 0 to 0. At the same time, the output transistor Q 9
V of base voltage ofBEThe capacitor C1To
Differential transistor Q connected throughFourBase voltage V
B4Also threshold level VTHTo VTH+ VBEMomentary until
To increase. Then, the capacitor C1Is the time constant τ = RTwo
By discharging at C, the differential transistor QFourBee
Voltage VB4Is the original threshold level V THReturn to.
As a result, the same dynamic noise as at the point A is obtained.
Is obtained.

【0016】以上説明したように、本実施例によれば、
コンパレータ回路にダイナミックヒスがつけられてチャ
タリングが発生しない。また、このダイナミックヒスを
つけるためのコンデンサC1 を集積回路中に形成するこ
とができるため、集積回路の外部にダイナミックヒスを
つけるためのコンデンサを接続する必要がなくなる。さ
らに、コンデンサと接続するための外部端子を集積回路
に設ける必要がなくなる。
As described above, according to this embodiment,
Chattering does not occur because dynamic hysteresis is applied to the comparator circuit. Moreover, because this capacitor C 1 for applying a dynamic hysteresis can be formed in an integrated circuit, it is not necessary to connect a capacitor for applying a dynamic hysteresis external to the integrated circuit. Furthermore, it is not necessary to provide an external terminal for connecting to the capacitor in the integrated circuit.

【0017】(実施例) 次に、前提技術のコンパレータ回路より大きなダイナミ
ックヒスの時定数を得、ダイナミックヒスの継続期間を
大きくしてチャタリングをさらに確実に防止することが
できるコンパレータ回路について説明する。図6はPN
P入力のコンパレータ回路、図7はNPN入力のコンパ
レータ回路を示す。これらの回路の内、図6のコンパレ
ータ回路について、図8の波形図を参照しながら説明す
る。
(Embodiment 1 ) Next, a description will be given of a comparator circuit which can obtain a time constant of dynamic hysteresis larger than that of the comparator circuit of the base technology and can further prevent chattering by increasing the duration of the dynamic hysteresis. . FIG. 6 shows the PN
FIG. 7 shows a P-input comparator circuit, and FIG. 7 shows an NPN-input comparator circuit. Of these circuits, the comparator circuit of FIG. 6 will be described with reference to the waveform diagram of FIG.

【0018】本実施例においては、差動対のトランジス
タは、ダーリントン接続されたトランジスタQ1 ,Q2
とQ3 ,Q4 により構成される。入力端子−INが抵抗
1を介して差動対の一方のダーリントン接続トランジ
スタの初段のトランジスタQ 1 のベースに接続される。
また、入力端子+INが抵抗R2 を介して差動対の一方
のダーリントン接続トランジスタの初段のトランジスタ
3 のベースに接続される。出力端子OUTは、電源V
CCに抵抗Rを介して接続された出力トランジスタQ9
コレクタから引き出される。
In this embodiment, the transistor of the differential pair
The transistor Q connected to Darlington1, QTwo
And QThree, QFourIt consists of. Input terminal -IN is a resistor
R1Darlington connection transi
First stage transistor Q 1Connected to the base.
The input terminal + IN is connected to the resistor RTwoOne side of the differential pair through
First stage transistor of Darlington connection transistor
QThreeConnected to the base. The output terminal OUT is connected to the power supply V
CCOutput transistor Q connected to the9of
Drawn from the collector.

【0019】本実施例においては、ダイナミックヒスを
つけるコンデンサは、次の2か所に設けられる。まず、
入力端子+IN側の差動トランジスタの第2段のトラン
ジスタQ4 のベースと出力トランジスタQ9 の前段のト
ランジスタQ8 のベースの間にコンデンサC1 が接続さ
れる。また、入力端子−IN側の差動トランジスタの第
2段のトランジスタQ2 のベースと出力トランジスタQ
9 のベースの間にコンデンサC2 が接続される。
[0019] Oite to this embodiment, a capacitor attaching a dynamic hysteresis is provided in the following two places. First,
Capacitor C 1 is connected between the base of the preceding transistor Q 8 of the base and the output transistor Q 9 of the transistor Q 4 of the second-stage differential transistor input terminal + IN side. Further, the output and the second stage base of the transistor Q 2 of the differential transistor input terminal -IN-side transistor Q
Capacitor C 2 is connected between the base 9.

【0020】以下、入力端子+INにスレショルドレベ
ルVTHが印加され、入力端子−INに入力電圧VINが印
加されるものとして説明をする。今、図8のA点におい
て、入力電圧VINがスレショルドレベルVTHより大きく
なると、差動トランジスタQ 2 のベース電圧VB2が差動
トランジスタQ4 のベース電圧VB4より大きくなり、ト
ランジスタQ7 がオンとなって、トランジスタQ8 のベ
ース電圧はVBEから0へと減少する。これにより、トラ
ンジスタQ8 がオフ、トランジスタQ9 がオンとなり、
出力電圧は0からVCCへと変化する。
Hereinafter, a threshold level is applied to the input terminal + IN.
Le VTHIs applied, and the input voltage V is applied to the input terminal -IN.INMark
It will be described as being added. Now, at point A in FIG.
And the input voltage VINIs the threshold level VTHBigger
Then, the differential transistor Q TwoBase voltage VB2Is differential
Transistor QFourBase voltage VB4Larger,
Transistor Q7Is turned on and the transistor Q8No
Source voltage is VBEFrom 0 to 0. This allows the tiger
Transistor Q8Is off, transistor Q9Is turned on,
Output voltage is from 0 to VCCChanges to

【0021】同時に、トランジスタQ8 のベース電圧の
減少に伴い、コンデンサC1 を介して接続された第2段
の差動トランジスタQ4 のベース電圧VB4もスレショル
ドレベルVTHからVTH−VBEへ瞬間的に減少する。その
後、コンデンサC1 は充電されて、差動トランジスタQ
4 のベース電圧VB は元のスレショルドレベルVTHに復
帰する。この時、コンデンサC1 は、差動トランジスタ
4 のベース電流により充電されることとなるため、そ
の時定数τは次の〔数1〕のとおりとなる。
[0021] At the same time, the transistor with decreasing base voltage of Q 8, the base voltage V B4 also the threshold level of the differential transistors Q 4 of the second stage which is connected via a capacitor C 1 V TH from V TH -V BE To decrease instantaneously. Thereafter, the capacitor C 1 is charged and the differential transistor Q
4 of the base voltage V B is returned to the original threshold level V TH. At this time, the capacitor C 1, because that would be charged by the base currents of the differential transistors Q 4, is the time constant τ becomes as follows in equation (1).

【0022】〔数1〕 τ=VBE・C1 /(I1 /β) (ただし、I1 は差動トランジスタQ4 のエミッタ電
流、βはその電流増幅率) 次に、図8のB点におけるように、入力電圧VINがスレ
ショルドレベルVTHより小さくなると、差動トランジス
タQ2 のベース電圧VB2が差動トランジスタQ 4 のベー
ス電圧VB4より小さくなり、トランジスタQ7 がオフ、
トランジスタQ 8 がオンとなって、出力トランジスタQ
9 のベース電圧はVBEから0へと減少する。これによ
り、出力トランジスタQ9 がオフとなり、出力電圧は0
からVCCへと変化する。
[Equation 1] τ = VBE・ C1/ (I1/ Β) (where I1Is the differential transistor QFourEmitter current
And β is the current amplification factor) Next, as shown at point B in FIG.INIs thread
Shoulder level VTHWhen smaller, differential transistors
TA QTwoBase voltage VB2Is the differential transistor Q FourBee
Voltage VB4Transistor Q7Is off,
Transistor Q 8Is turned on and the output transistor Q
9Base voltage is VBEFrom 0 to 0. This
Output transistor Q9Is turned off and the output voltage becomes 0
To VCCChanges to

【0023】同時に、トランジスタQ9 のベース電圧の
減少に伴い、コンデンサC2 を介して接続された第2段
の差動トランジスタQ2 のベース電圧VB2も入力電圧V
INからVIN−VBEへ瞬間的に減少する。その後、コンデ
ンサC2 が放電されて、差動トランジスタQ2 のベース
電圧VB2は元の入力電圧VINに復帰する。この時、コン
デンサC1 は、差動トランジスタQ4 のベース電流によ
り充電されることとなるため、その時定数τは次の〔数
2〕のとおりとなる。
At the same time, as the base voltage of the transistor Q 9 decreases, the base voltage V B2 of the second-stage differential transistor Q 2 connected via the capacitor C 2 also increases.
It decreases momentarily from IN to V IN -V BE . Thereafter, the capacitor C 2 is discharged, the base voltage V B2 of the differential transistor Q 2 is returned to the original input voltage V IN. At this time, the capacitor C 1, because that would be charged by the base currents of the differential transistors Q 4, is the time constant τ becomes as follows in expression (2).

【0024】〔数2〕 τ=VBE・C2 /(I1 /β) (ただし、I1 は差動トランジスタQ2 のエミッタ電
流、βはその電流増幅率)以上説明したように、本実施
例においては、差動トランジスタと出力トランジスタ間
に接続されたコンデンサC1 ,C2 は、差動トランジス
タQ4 ,Q2 のベース電流により充電されることとなる
ため、その時定数τを前述の前提技術のものと比較して
大きくとることができる。したがって、ダイナミックヒ
スの時間幅を大きくすることができ、コンパレータ回路
動作時のチャタリングの発生をより確実に防止すること
ができる。
[Equation 2] τ = V BE · C 2 / (I 1 / β) (where I 1 is the emitter current of the differential transistor Q 2 and β is its current amplification factor) In the embodiment, the capacitors C 1 and C 2 connected between the differential transistor and the output transistor are charged by the base currents of the differential transistors Q 4 and Q 2 . It can be larger than that of the base technology . Therefore, the time width of the dynamic hysteresis can be increased, and the occurrence of chattering during the operation of the comparator circuit can be more reliably prevented.

【0025】(実施例) 以上説明した前提技術及び実施例1では、ダイナミック
ヒス幅がVBE(V)と大きい。このため、入力端子−I
N又は+INにおける電圧レベルが低い場合、出力の切
り換わり時にトランジスタQ5 又はQ7 が動作をせず
に、コンパレータ回路が誤動作をすることがある。これ
に対して、ダイナミックヒスの幅をVBEより小さい任意
の値にすることにより入力電圧範囲を改善することがで
きる。この例を以下に説明する。
(Embodiment 2 ) In the base technology and the embodiment 1 described above, the dynamic hysteresis width is as large as V BE (V). Therefore, the input terminal -I
If the voltage level at the N or + IN is low, when the switching of the output transistor Q 5 or Q 7 is without operation sometimes comparator circuit to malfunction. On the other hand, the input voltage range can be improved by setting the width of the dynamic hiss to an arbitrary value smaller than V BE . This example will be described below.

【0026】図9及び図10に本実施例のコンパレータ
回路を示す。これらのコンパレータ回路は前述の前提技
の図1及び図3に示すコンパレータ回路とほぼ同様に
構成されるが、ダイナミックヒスをつけるためのコンデ
ンサC1 と直列に抵抗R3 が接続される点が図1及び図
3のコンパレータ回路と相違する。また、この抵抗R3
は、入力端子−INに接続された抵抗R2 と直列に接続
されることとなる。
FIGS. 9 and 10 show a comparator circuit according to this embodiment. These comparator circuits are based on the prerequisite techniques described above.
Operator configured substantially similar to the comparator circuit shown in FIG. 1 and FIG. 3 is that the capacitor C 1 in series to a resistor R 3 to give a dynamic hysteresis is connected to the comparator circuit of FIG. 1 and FIG. 3 Different. The resistance R 3
Becomes to be connected to the connected resistor R 2 in series with the input terminal -IN.

【0027】これらのコンパレータ回路の動作も前提技
における動作と同様の動作を行う。ただ、出力の切り
換え時に、出力トランジスタQ9 のベース電圧がVBE
け減少又は増加すると、このVBEは抵抗R2 と抵抗R3
により分圧されて差動トランジスタQ4 のベース電圧V
B4に重畳される。この結果、差動トランジスタQ4 のベ
ース電圧VB4の変化分即ちダイナミックヒス幅は次の
〔数3〕のようになり、時定数τは〔数4〕のようにな
る。
The operation of these comparator circuits is also a prerequisite technique.
It performs the same operation in surgery. However, when the switching of the output, the base voltage of the output transistor Q 9 is decreased or increased by V BE, the V BE is the resistance R 2 and the resistor R 3
Divided by the base voltage V of the differential transistor Q 4 by
Superimposed on B4 . As a result, variation namely dynamic hysteresis width of the base voltage V B4 differential transistor Q 4 are look like the following Formula 3, the time constant τ is as [Equation 4].

【0028】〔数3〕 ダイナミックヒス幅=VBE・R2 /(R2 +R3 ) 〔数4〕 時定数τ=(R2 +R3 )・C1 したがって、本実施例によれば、抵抗R3 の抵抗値を適
当な値に設定することにより、ダイナミックヒス幅をV
BE(V)より小さい任意の値に調整することができ、時
定数τを大きくすることができる。
[Equation 3] Dynamic Hiss width = V BE · R 2 / (R 2 + R 3 ) [Equation 4] Time constant τ = (R 2 + R 3 ) · C 1 Therefore, according to this embodiment, the resistance By setting the resistance value of R 3 to an appropriate value, the dynamic hiss width is
It can be adjusted to any value smaller than BE (V), and the time constant τ can be increased.

【0029】なお、本実施例は、前述の図1及び図3の
コンパレータ回路に限らず、その他のコンパレータ回路
に適用可能なものである。 (実施例) 前述の実施例における図6に示したPNP入力コンパ
レータ回路においては、入力電圧VINを印加する入力端
子−INの電圧レベルを0(V)にして使用することが
できない。その理由は、入力端子−INの電圧レベルが
0(V)であると差動トランジスタQ4 のベース電圧は
BEとなり、トランジスタQ7 がオンした瞬間、差動ト
ランジスタQ4 のベース電圧が0まで落ちるため、差動
トランジスタQ4 のエミッタ電圧はVBE(V)となり、
トランジスタQ7 が動作できなくなるためである。
The present embodiment is not limited to the comparator circuits shown in FIGS. 1 and 3, and can be applied to other comparator circuits. Embodiment 3 In the PNP input comparator circuit shown in FIG. 6 in Embodiment 1 described above, the voltage level of the input terminal −IN to which the input voltage V IN is applied cannot be set to 0 (V) and used. This is because the instantaneous base voltage of the differential transistors Q 4 and the voltage level of the input terminal -IN is 0 (V) is the V BE, and the transistor Q 7 is turned on, the base voltage of the differential transistor Q 4 is 0 The emitter voltage of the differential transistor Q 4 becomes V BE (V),
This is because the transistor Q 7 may not be able to operate.

【0030】これに対して、前述の図6に示したPNP
入力コンパレータ回路において、入力端子−INに0
(V)を基準として変化する入力電圧を印加することが
できるようにしたものを実施例として以下に説明す
る。図11は回路図を示し、図12にその波形図を示
す。差動対のトランジスタQ2 ,Q4 のベースにそれぞ
れ2段接続されたトランジスタQ11,Q12及びQ13,Q
14が接続される。これらのトランジスタQ11,Q12及び
13,Q14はそれぞれがレベルシフト回路を構成する。
そして、第1のレベルシフト回路の第1段のトランジス
タQ11のベースが入力端子+INと接続され、第2段の
トランジスタQ12のベースと出力トランジスタQ9 の前
段のトランジスタQ8 のベースとの間にダイナミックヒ
スをつけるためのコンデンサC1 が接続される。
On the other hand, the PNP shown in FIG.
In the input comparator circuit, 0 is input to the input terminal -IN.
Third Embodiment A third embodiment in which an input voltage that changes with reference to (V) can be applied will be described below. FIG. 11 shows a circuit diagram, and FIG. 12 shows a waveform diagram thereof. Transistors Q 11 , Q 12 and Q 13 , Q 12 connected in two stages to the bases of transistors Q 2 , Q 4 of the differential pair, respectively.
14 is connected. These transistors Q 11 and Q 12 and Q 13 and Q 14 each constitute a level shift circuit.
Then, the first stage of the first level shift circuit the base of the transistor Q 11 is connected to the input terminal + IN, based of the preceding transistor Q 8 of the base and the output transistor Q 9 of the transistor Q 12 of the second stage capacitor C 1 for applying a dynamic hysteresis is connected between.

【0031】また、第2のレベルシフト回路の第1段の
トランジスタQ13のベースが入力端子−INと接続さ
れ、第2段のトランジスタQ14のベースと出力トランジ
スタQ 9 の2段前段に設けられたトランジスタQ10のベ
ースとの間にダイナミックヒスをつけるためのコンデン
サC2 が接続される。以上のように構成されたコンパレ
ータ回路において、入力端子+INに電圧0を基準に変
化する入力電圧VINが印加され、入力端子−INが接地
GNDに接続されると、差動対の各トランジスタQ2
ベース電圧VB2及びトランジスタQ4のベース電圧VB4
は、それぞれ、図12に示すようになる。すなわち、入
力端子+IN側の差動トランジスタQ2 のベース電圧は
IN+2VBEとなり、入力端子−IN側の差動トランジ
スタQ4 のベース電圧は0+2VBE(=VTH)となる。
The first level shift circuit of the second level shift circuit
Transistor Q13Is connected to the input terminal -IN.
And the second-stage transistor Q14Base and output transition
Star Q 9Transistor Q provided two stages beforeTenNo
Condensed to make dynamic hiss between
Sa CTwoIs connected. Comparators configured as above
In the data circuit, the input terminal + IN
Input voltage VINIs applied and the input terminal -IN is grounded.
When connected to GND, each transistor Q of the differential pairTwoof
Base voltage VB2And transistor QFourBase voltage VB4
Are as shown in FIG. 12, respectively. That is,
Force terminal + IN side differential transistor QTwoThe base voltage of
VIN+ 2VBEAnd the input terminal-IN side differential transistor
Star QFourBase voltage is 0 + 2VBE(= VTH).

【0032】次に、このコンパレータ回路の動作につい
て説明する。入力電圧VINが減少して0電位とクロスす
ると、図12のA点に示すように、差動トランジスタQ
2 のベース電圧VB2が、差動トランジスタQ4 のベース
電圧B4より低くなり、トランジスタQ7 がオフとなっ
て、出力トランジスタQ9 がオンとなり、出力電圧はV
CCから0へと変化する。
Next, the operation of this comparator circuit will be described.
Will be explained. Input voltage VINDecreases and crosses the zero potential
Then, as shown at point A in FIG.
TwoBase voltage VB2Is the differential transistor QFourBase of
VoltageB4Lower, the transistor Q7Is off
And the output transistor Q9Turns on, and the output voltage becomes V
CCFrom 0 to 0.

【0033】同時に、トランジスタQ8 のベース電圧の
減少に伴い、コンデンサC1 を介して接続されたトラン
ジスタQ12のベース電圧が減少し、差動トランジスタQ
2 のベース電圧VB2がVIN+2VBEからVIN+VBEまで
瞬間的に減少する。その後、コンデンサC1 が充電され
て、差動トランジスタQ2 のベース電圧VB2は元のV IN
+2VBEに復帰する。
At the same time, the transistor Q8Of the base voltage
The capacitor C1Connected via
Jista Q12Of the differential transistor Q
TwoBase voltage VB2Is VIN+ 2VBETo VIN+ VBEUntil
It decreases instantaneously. Then, the capacitor C1Is charged
And the differential transistor QTwoBase voltage VB2Is the original V IN
+ 2VBEReturn to.

【0034】一方、入力電圧VINが増加して0電位とク
ロスすると、図12のB点に示すように、差動トランジ
スタQ4 のベース電圧VB4は差動トランジスタQ2 のベ
ース電圧VB2より高くなり、トランジスタQ7 がオンと
なる。したがって、出力トランジスタQ9 がオフとな
り、出力電圧は0からVCCへと変化する。同時に、トラ
ンジスタQ10のベース電圧の減少に伴い、コンデンサC
2 に接続されたトランジスタQ14のベース電圧が減少
し、差動トランジスタQ4 のベース電圧VB4がスレショ
ルドレベルVTHの0+2VBEから0+VBEに瞬間的に減
少する。その後、コンデンサC2 が充電されて、差動ト
ランジスタQ4 のベース電圧VB4は元のスレショルドレ
ベルVTHの0+2VBEに復帰する。
On the other hand, when the input voltage V IN is zero potential cross increasing, as shown in point B in FIG. 12, the base voltage of the differential transistors Q 4 V B4 differential transistor Q 2 of the base voltage V B2 be higher, transistor Q 7 is turned on. Accordingly, the output transistor Q 9 is turned off, the output voltage changes from 0 to V CC. At the same time, with a decrease in the base voltage of the transistor Q 10, the capacitor C
Connected base voltage of the transistor Q 14 to 2 decreases, the base voltage V B4 differential transistor Q 4 is instantaneously decreased from 0 + 2V BE threshold level V TH to 0 + V BE. Thereafter, the capacitor C 2 is charged, the base voltage V B4 differential transistor Q 4 are returned to 0 + 2V BE in the original threshold level V TH.

【0035】以上説明したように、本実施例によれば、
0電位を基準とするセンサ等の微小信号を処理する場合
でも、ダイナミックヒスをつけて出力のチャタリングを
防止することができる。さらに、以上説明したコンパレ
ータ回路において、差動トランジスタQ4 のベース電圧
B4を2段階に切り換えるようにして、チャタリングを
更に確実に防止できるようにした例を説明する。
As described above, according to this embodiment,
Even in the case of processing a small signal from a sensor or the like based on the zero potential, dynamic hysteresis can be applied to prevent output chattering. Further, in the above comparator circuit described, so as to switch the base voltage V B4 differential transistor Q 4 in two stages, an example which is adapted chattering can more reliably prevented.

【0036】図13はその回路図、図14はその波形図
である。図13が前述の図11と相違する点は、差動ト
ランジスタQ4 のベースとレベルシフト回路のトランジ
スタQ14の間に抵抗R4 が接続され、さらに差動トラン
ジスタQ4 のベースと接地GNDの間にスイッチSWと
電流源2I1 が接続される点であり、その他の点は図1
1と同一である。そして、スイッチSWは、トランジス
タQ7 のオンでスイッチオフ、Q7 のオフでスイッチオ
ンとなるように構成される。なお、スイッチSWの詳細
についての説明は省略するが、周知のトランジスタ回路
により形成される。
FIG. 13 is a circuit diagram thereof, and FIG. 14 is a waveform diagram thereof. Figure 13 is differs from the FIG. 11 described above, the differential resistor R 4 between the transistor Q 14 of the base and the level shift circuit of the transistor Q 4 is connected, further base and the ground GND of the differential transistors Q 4 The point where the switch SW and the current source 2I 1 are connected between them is shown in FIG.
Same as 1. Then, the switch SW is configured to be switched on at the switch off, off Q 7 ON of the transistor Q 7. Although a detailed description of the switch SW is omitted, the switch SW is formed by a well-known transistor circuit.

【0037】これにより、図14に示すように、差動ト
ランジスタQ4 のベース電圧VB4は、トランジスタQ7
オン、スイッチSWオフの場合、通常の0+2VBEとな
るが、トランジスタQ7 オフ、スイッチSWオンの場
合、ヒス幅R4 ・I1 だけ減少する。したがって、入力
電圧VINとスレショルドレベルとの関係は図14に示す
ようになり、出力の切り換え時にダイナミックヒスにス
レショルドレベルの変化が加わるので、チャタリングの
発生をより確実に防止することができる。
[0037] Thus, as shown in FIG. 14, the base voltage V B4 differential transistor Q 4 are, the transistor Q 7
On and the switch SW off, but the usual 0 + 2V BE, transistor Q 7 off, when the switch SW turned on, reduced by hysteresis width R 4 · I 1. Therefore, the relationship between the input voltage V IN and the threshold level is as shown in FIG. 14, and the change in the threshold level is added to the dynamic hysteresis when the output is switched, so that chattering can be more reliably prevented.

【0038】[0038]

【発明の効果】本発明によれば、集積回路により形成し
たコンパレータ回路において、ダイナミックヒスをつけ
ることにより高周波ノイズによるチャタリングの発生を
防止し、かつダイナミックヒスを作成するためのコンデ
ンサを集積回路の外部に接続する必要をなくすことがで
きる。また、これだけでなく、ダイナミックヒスを最適
なものにしてチャタリングを確実に防止できる。
According to the present invention, in a comparator circuit formed by an integrated circuit, the occurrence of chattering due to high frequency noise is prevented by providing dynamic hysteresis, and a capacitor for creating dynamic hysteresis is provided outside the integrated circuit. This eliminates the need to connect to In addition to this, dynamic hiss is optimal
In this way, chattering can be reliably prevented.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の前提技術の第1の回路図。FIG. 1 is a first circuit diagram of a base technology of the present invention.

【図2】本発明の前提技術の第2の回路図。FIG. 2 is a second circuit diagram of the base technology of the present invention.

【図3】本発明の前提技術の第3の回路図。FIG. 3 is a third circuit diagram of the base technology of the present invention.

【図4】本発明の前提技術の第4の回路図。FIG. 4 is a fourth circuit diagram of the base technology of the present invention.

【図5】図1の回路の波形図。FIG. 5 is a waveform chart of the circuit of FIG. 1;

【図6】本発明の実施例の第1の回路図。[6] a first circuit diagram of the first embodiment of the present invention.

【図7】本発明の実施例の第2の回路図。FIG. 7 is a second circuit diagram according to the first embodiment of the present invention.

【図8】図6の回路の波形図。FIG. 8 is a waveform chart of the circuit of FIG. 6;

【図9】本発明の実施例の第1の回路図。FIG. 9 is a first circuit diagram according to a second embodiment of the present invention.

【図10】本発明の実施例の第2の回路図。[10] The second circuit diagram of a second embodiment of the present invention.

【図11】本発明の実施例の第1の回路図。FIG. 11 is a first circuit diagram according to a third embodiment of the present invention.

【図12】図11の回路の波形図。FIG. 12 is a waveform chart of the circuit of FIG. 11;

【図13】本発明の実施例の第2の回路図。FIG. 13 is a second circuit diagram according to the third embodiment of the present invention.

【図14】図13の回路の波形図。FIG. 14 is a waveform chart of the circuit in FIG. 13;

【図15】従来のコンパレータ回路の回路図。FIG. 15 is a circuit diagram of a conventional comparator circuit.

【図16】ダイナミックヒスを説明するための波形図。FIG. 16 is a waveform chart for explaining dynamic hiss.

【図17】図15の回路の波形図。FIG. 17 is a waveform chart of the circuit of FIG. 15;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…コンパレータ回路 Q…トランジスタ C…コンデンサ R…抵抗 −IN,+IN…入力端子 OUT…出力端子 VIN…入力電圧 VOUT …出力電圧 VTH…スレショルドレベル1: Comparator circuit Q: Transistor C: Capacitor R: Resistance -IN, + IN: Input terminal OUT: Output terminal VIN : Input voltage VOUT : Output voltage VTH : Threshold level

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平3−90868(JP,A) 特開 昭63−20912(JP,A) 特開 平5−102800(JP,A) 特開 昭50−80750(JP,A) 特開 昭57−111116(JP,A) 実開 昭55−93133(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G01R 19/00 - 19/32 H03K 5/00 - 5/02 H03K 5/08 - 5/12 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-3-90868 (JP, A) JP-A-63-20912 (JP, A) JP-A-5-102800 (JP, A) JP-A-50- 80750 (JP, A) JP-A-57-111116 (JP, A) JP-A-55-93133 (JP, U) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) G01R 19/00-19 / 32 H03K 5/00-5/02 H03K 5/08-5/12

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 集積回路により形成したコンパレータ回
路において、差動対のトランジスタをダーリントン接続
トランジスタにより形成し、前記ダーリントン接続トラ
ンジスタの各第2段トランジスタのベースと、コンパレ
ータの論理によって電位が変わるラインに、ダイナミッ
クヒスをつけるための集積回路内に形成したコンデンサ
を接続したことを特徴とするダイナミックヒス内蔵コン
パレータ回路。
In a comparator circuit formed by an integrated circuit, a transistor of a differential pair is formed by a Darlington connection transistor, and is connected to a base of each second stage transistor of the Darlington connection transistor and a line whose potential changes according to the logic of the comparator. A dynamic hysteresis comparator circuit, wherein a capacitor formed in the integrated circuit for applying dynamic hysteresis is connected.
【請求項2】 集積回路により形成したコンパレータ回
路において、差動対と各入力端子間にレベルシフト回路
を設け、前記各レベルシフト回路の各第2段トランジス
タのベースと、コンパレータの論理によって電位が変わ
るラインにコンデンサを接続したことを特徴とするダイ
ナミックヒス内蔵コンパレータ回路。
2. A comparator circuit formed by an integrated circuit, wherein a level shift circuit is provided between the differential pair and each input terminal, and the potential is determined by the logic of the comparator and the base of each second stage transistor of each level shift circuit. A dynamic hysteresis comparator circuit characterized by connecting a capacitor to a changing line.
【請求項3】 前記コンデンサと直列に時定数調整用の
抵抗を接続したことを特徴とする請求項1又は2に記載
されたダイナミックヒス内蔵コンパレータ回路。
3. A dynamic hysteresis built comparator circuit according to claim 1 or 2, characterized in that by connecting a resistor for time constant adjusting to the capacitor in series.
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