JP3147878U

JP3147878U - High frequency switch module

Info

Publication number: JP3147878U
Application number: JP2008007782U
Authority: JP
Inventors: 永徳村瀬; 孝紀上嶋
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2008-11-06
Filing date: 2008-11-06
Publication date: 2009-01-22
Anticipated expiration: 2018-11-06

Abstract

【課題】スイッチ回路の高周波特性の劣化を抑制できる高周波スイッチモジュールを提供する。【解決手段】高周波スイッチモジュール１０は、多層基板１２と、多層基板１２に実装されているスイッチ回路１４と、を備えている。多層基板１２は、複数の周波数帯域の受信信号又は送信信号が入出力する共通端子Ｔ２６と、送信端子Ｔ１，Ｔ２と、受信端子Ｔ３〜Ｔ１０と、共通端子Ｔ２６に入出力する受信信号又は送信信号の周波数帯域に応じてスイッチ回路１４の制御を行う制御信号が印加される制御端子Ｔ１１〜Ｔ１４と、スイッチ回路１４に供給される電源電圧が印加される電源端子Ｔ１５と、を含んでいる。スイッチ回路１４は、制御信号に基づいて、送信端子Ｔ１，Ｔ２又は受信端子Ｔ３〜Ｔ１０と共通端子Ｔ２６とを接続する。共通端子Ｔ２６及び送信端子Ｔ１，Ｔ２は、端子Ｔ１１〜Ｔ１５と隣り合っていない。【選択図】図２A high frequency switch module capable of suppressing deterioration of high frequency characteristics of a switch circuit is provided. A high frequency switch module includes a multilayer substrate and a switch circuit mounted on the multilayer substrate. The multilayer substrate 12 includes a common terminal T26 that receives and inputs reception signals or transmission signals in a plurality of frequency bands, transmission terminals T1 and T2, reception terminals T3 to T10, and reception signals or transmission signals that are input to and output from the common terminal T26. Control terminals T11 to T14 to which a control signal for controlling the switch circuit 14 in accordance with the frequency band is applied, and a power supply terminal T15 to which a power supply voltage supplied to the switch circuit 14 is applied. The switch circuit 14 connects the transmission terminals T1 and T2 or the reception terminals T3 to T10 and the common terminal T26 based on the control signal. The common terminal T26 and the transmission terminals T1 and T2 are not adjacent to the terminals T11 to T15. [Selection] Figure 2

Description

本考案は、高周波スイッチモジュールに関し、より特定的には、複数の異なる通信方式に使用できる無線機に用いる高周波スイッチモジュールに関する。 The present invention relates to a high-frequency switch module, and more particularly to a high-frequency switch module used for a radio device that can be used for a plurality of different communication methods.

携帯無線システムには、例えば、欧州で広く用いられているＧＳＭ９００（ＧｌｏｂａｌＳｙｓｔｅｍｆｏｒＭｏｂｉｌｅＣｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ９００）方式及びＧＳＭ１８００（ＧｌｏｂａｌＳｙｓｔｅｍｆｏｒＭｏｂｉｌｅＣｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ１８００）方式、又は北米で広く用いられているＧＳＭ８５０（ＧｌｏｂａｌＳｙｓｔｅｍｆｏｒＭｏｂｉｌｅＣｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ８５０）方式、日本で広く用いられているＰＤＣ（ＰｅｒｓｏｎａｌＤｉｇｉｔａｌＣｅｌｌｕａｒ）方式等がある。また、ＧＳＭと並んで用いられているＣＤＭＡ方式では、ＣｄｍａＯｎｅ（ＣｏｄｅＤｉｖｉｓｉｏｎＭｕｌｔｉｐｌｅＡｃｃｅｓｓＯｎｅ）、ＩＭＴ−２０００（ＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌＭｏｂｉｌｅＴｅｌｅｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ２０００）等がある。近年の携帯電話の急激な普及に伴い、特に、大都市近郊において各無線システムに割り当てられた周波数帯域では、全システム利用者をまかないきれず、通信が途中切断されたり、接続が困難になったりするといった問題が生じていた。そこで、利用者が複数の無線システムを利用できるようにして、実質的に利用可能な周波数の増加を図り、サービスの向上やインフラの有効活用をすることが提案されている。 For example, the GSM900 (Global System for Mobile Communications 900) system and the GSM1800 (Global System for Mobile Communications 1800) system widely used in Europe, or the GSM850 Sloby (GbfSormoSyb symbol used in North America) are widely used as portable radio systems. There are a Mobile Communications 850) system and a PDC (Personal Digital Cellular) system widely used in Japan. In addition, CDMA systems used alongside GSM include Cdma One (Code Division Multiple Access One), IMT-2000 (International Mobile Telecommunications 2000), and the like. With the rapid spread of mobile phones in recent years, especially in the frequency band allocated to each wireless system in the suburbs of large cities, it is impossible to cover all system users, communication is cut off, and connection becomes difficult There was a problem such as. Therefore, it has been proposed to allow a user to use a plurality of wireless systems so as to substantially increase the frequency that can be used, improve services, and effectively use infrastructure.

そこで、特許文献１に記載のアンテナスイッチ回路が知られている。該アンテナスイッチ回路は、アンテナ及びスイッチ回路を備えている。アンテナは、複数の周波数帯域の送受信信号を送受信する。スイッチ回路には、周波数帯域毎に送信回路及び受信回路が接続される。スイッチ回路は、アンテナから入力してくる複数の周波数帯域の受信信号が対応する受信回路に正確に出力されるように、信号の伝送経路を切り替えると共に、送信回路からの送信信号がアンテナに正確に出力されるように伝送経路を切り替える。このようなスイッチ回路は、複数のＦＥＴトランジスタにより構成され、該ＦＥＴトランジスタは、制御信号によりＯＮとＯＦＦとに切り替えられることにより、伝送経路を切り替えている。以上のようなアンテナスイッチ回路によれば、携帯電話において、複数種類の周波数帯域の送受信信号を取り扱うことが可能となる。 Therefore, an antenna switch circuit described in Patent Document 1 is known. The antenna switch circuit includes an antenna and a switch circuit. The antenna transmits / receives transmission / reception signals of a plurality of frequency bands. A transmission circuit and a reception circuit are connected to the switch circuit for each frequency band. The switch circuit switches the transmission path of the signal so that the reception signals of a plurality of frequency bands input from the antenna are accurately output to the corresponding reception circuit, and the transmission signal from the transmission circuit is accurately transmitted to the antenna. Switch the transmission path so that it is output. Such a switch circuit is composed of a plurality of FET transistors, and the FET transistors are switched between ON and OFF by a control signal to switch the transmission path. According to the antenna switch circuit as described above, it is possible to handle transmission / reception signals of a plurality of types of frequency bands in a mobile phone.

ところで、特許文献１に記載のアンテナスイッチ回路では、スイッチ回路を制御するための制御信号ＶＣ２が印加される電極と送信信号Ｔｘ１が入力する電極とが隣り合うように配置されている（特許文献１の図５参照）。そのため、以下に説明するように、スイッチ回路の高周波特性が劣化するという問題がある。 By the way, in the antenna switch circuit described in Patent Document 1, the electrode to which the control signal VC2 for controlling the switch circuit is applied and the electrode to which the transmission signal Tx1 is input are arranged adjacent to each other (Patent Document 1). FIG. 5). Therefore, as described below, there is a problem that the high frequency characteristics of the switch circuit deteriorate.

より詳細には、スイッチ回路は、ＦＥＴトランジスタにより構成されている。ＦＥＴトランジスタは、ＯＮとＯＦＦとの切り替え時にノイズを発生することがある。このようなノイズは、ＦＥＴトランジスタを動作させるための制御信号ＶＣ２の伝送経路を経由して、制御信号ＶＣ２が印加される電極から放射され、送信信号Ｔｘ１が印加される電極へと入力する。これにより、送信信号Ｔｘ１がノイズにより変調されてしまう。送信信号Ｔｘ１は、比較的大きな電力を有している。そのため、送信信号Ｔｘ１がノイズにより変調されると、大きな高調波歪みが送信信号Ｔｘ１において発生する。その結果、スイッチ回路の高周波特性が大きく劣化する。 More specifically, the switch circuit is constituted by an FET transistor. The FET transistor may generate noise when switching between ON and OFF. Such noise is radiated from the electrode to which the control signal VC2 is applied via the transmission path of the control signal VC2 for operating the FET transistor, and is input to the electrode to which the transmission signal Tx1 is applied. As a result, the transmission signal Tx1 is modulated by noise. The transmission signal Tx1 has a relatively large power. For this reason, when the transmission signal Tx1 is modulated by noise, a large harmonic distortion occurs in the transmission signal Tx1. As a result, the high frequency characteristics of the switch circuit are greatly degraded.

特開平２００４−２５３９５３号公報（図５参照）Japanese Unexamined Patent Publication No. 2004-253953 (see FIG. 5)

そこで、本考案の目的は、スイッチ回路の高周波特性の劣化を抑制できる高周波スイッチモジュールを提供することである。 Accordingly, an object of the present invention is to provide a high frequency switch module capable of suppressing deterioration of high frequency characteristics of a switch circuit.

本考案の一形態に係る高周波スイッチモジュールは、基板と、前記基板に実装されているスイッチ回路と、を備えており、前記基板は、複数の周波数帯域の受信信号又は送信信号が入出力する共通端子と、前記送信信号が入力してくる送信端子と、前記受信信号が出力していく受信端子と、前記共通端子に入出力する前記受信信号又は前記送信信号の周波数帯域に応じて前記スイッチ回路の制御を行う制御信号が印加される制御端子と、前記スイッチ回路に供給される電源電圧が印加される電源端子と、を含んでおり、前記スイッチ回路は、前記制御信号に基づいて、前記送信端子又は前記受信端子と前記共通端子とを接続し、前記共通端子及び前記送信端子は、前記制御端子及び前記電源端子と隣り合っていないこと、を特徴とする。 A high-frequency switch module according to an embodiment of the present invention includes a substrate and a switch circuit mounted on the substrate, and the substrate is a common input / output of reception signals or transmission signals in a plurality of frequency bands. The switch circuit according to the frequency band of the reception signal or the transmission signal input to and output from the common terminal, the transmission terminal to which the transmission signal is input, the reception terminal from which the reception signal is output, and the common terminal A control terminal to which a control signal for performing control is applied, and a power supply terminal to which a power supply voltage supplied to the switch circuit is applied. The switch circuit is configured to transmit the transmission signal based on the control signal. The terminal or the reception terminal and the common terminal are connected, and the common terminal and the transmission terminal are not adjacent to the control terminal and the power supply terminal.

本考案によれば、スイッチ回路の高周波特性の劣化を抑制できる。 According to the present invention, it is possible to suppress the deterioration of the high frequency characteristics of the switch circuit.

以下に、本考案の実施形態に係る高周波スイッチモジュールについて説明する。 The high frequency switch module according to the embodiment of the present invention will be described below.

（高周波スイッチモジュール）
以下に、本考案の一実施形態に係る高周波スイッチモジュールについて図面を参照しながら説明する。図１は、高周波スイッチモジュール１０のブロック図である。高周波スイッチモジュール１０は、複数種類の周波数帯域の送受信信号を取り扱うことができる携帯電話に用いられる。高周波スイッチモジュール１０には、周波数帯域毎に図示しない複数の送信回路及び複数の受信回路が接続されている。高周波スイッチモジュール１０は、アンテナから入力してくる複数の周波数帯域の受信信号が対応する受信回路に正確に出力されるように、信号の伝送経路を切り替えると共に、送信回路からの送信信号がアンテナに正確に出力されるように伝送経路を切り替える。 (High frequency switch module)
Hereinafter, a high-frequency switch module according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a block diagram of the high-frequency switch module 10. The high frequency switch module 10 is used in a mobile phone that can handle transmission / reception signals of a plurality of types of frequency bands. A plurality of transmission circuits and a plurality of reception circuits (not shown) are connected to the high frequency switch module 10 for each frequency band. The high frequency switch module 10 switches a signal transmission path so that reception signals of a plurality of frequency bands input from an antenna are accurately output to a corresponding reception circuit, and transmits a transmission signal from the transmission circuit to the antenna. Switch the transmission path so that it is output accurately.

高周波スイッチモジュール１０は、図１に示すように、多層基板１２、スイッチ回路１４及びＳＡＷフィルタ２０，２２，２４，２６を備えている。また、高周波スイッチモジュール１０には、アンテナ３０が接続されている。ＳＡＷフィルタ２０，２２，２４，２６は、不平衡入力端子及び平衡出力端子を備えている。 As shown in FIG. 1, the high-frequency switch module 10 includes a multilayer substrate 12, a switch circuit 14, and SAW filters 20, 22, 24, and 26. An antenna 30 is connected to the high frequency switch module 10. The SAW filters 20, 22, 24, and 26 include an unbalanced input terminal and a balanced output terminal.

多層基板１２は、内部に回路が形成された矩形状の基板である。図２（ａ）は、多層基板１２の裏面を示した図であり、図２（ｂ）は、多層基板１２の表面を示した図である。多層基板１２の裏面とは、多層基板１２がプリント配線基板上に実装される際に、プリント配線基板と対向する面であり、多層基板１２の表面とは、多層基板１２の裏面と平行な面である。 The multilayer substrate 12 is a rectangular substrate having a circuit formed therein. FIG. 2A is a diagram illustrating the back surface of the multilayer substrate 12, and FIG. 2B is a diagram illustrating the surface of the multilayer substrate 12. The back surface of the multilayer substrate 12 is a surface facing the printed wiring board when the multilayer substrate 12 is mounted on the printed wiring board, and the surface of the multilayer substrate 12 is a surface parallel to the back surface of the multilayer substrate 12. It is.

図２（ａ）に示すように、多層基板１２の裏面には、端子Ｔ１〜Ｔ２８が設けられている。図１に示すように、送信端子Ｔ１，Ｔ２にはそれぞれ、ＧＳＭ方式の送信信号ＧＳＭ−Ｔｘ１，ＧＳＭ−Ｔｘ２が図示しない送信回路から入力してくる。受信端子Ｔ３〜Ｔ１０からはそれぞれ、ＧＳＭ方式の受信信号Ｒｘ１〜Ｒｘ８が図示しない受信回路へと出力していく。制御端子Ｔ１１〜Ｔ１４のそれぞれは、アンテナ３０に入出力する高周波信号の周波数帯域に応じてスイッチ回路１４の制御を行う制御信号Ｖｃ１〜Ｖｃ４が印加される。電源端子Ｔ１５には、スイッチ回路１４に供給される電源電圧Ｖｄｄが印加される。送受信端子Ｔ１６〜Ｔ１９には、ＵＭＴＳ方式の送信信号ＵＭＴＳ−Ｔｘ１〜ＵＭＴＳ−Ｔｘ４が図示しない送信回路から入力してくると共に、ＵＭＴＳ方式の受信信号ＵＭＴＳ−Ｒｘ１〜ＵＭＴＳ−Ｒｘ４が図示しない受信回路へと出力していく。接地端子Ｔ２０〜Ｔ２５には、接地電圧ＧＮＤが印加される。共通端子Ｔ２６には、アンテナ３０が接続され、複数の周波数帯域の高周波信号が入出力する。図２（ａ）の接地端子Ｔ２７，Ｔ２８は、接地電圧ＧＮＤが印加される。該接地端子Ｔ２７，Ｔ２８は、他の端子Ｔ１〜Ｔ２６よりも大きな面積を有しており、図示しないプリント配線基板側の電極に対して固定されることにより、図１のプリント配線基板に多層基板１２を固定する接着端子として機能している。 As shown in FIG. 2A, terminals T 1 to T 28 are provided on the back surface of the multilayer substrate 12. As shown in FIG. 1, GSM transmission signals GSM-Tx1 and GSM-Tx2 are input to transmission terminals T1 and T2 from a transmission circuit (not shown), respectively. From the receiving terminals T3 to T10, GSM reception signals Rx1 to Rx8 are output to a receiving circuit (not shown). Control signals Vc 1 to Vc 4 for controlling the switch circuit 14 are applied to the control terminals T 11 to T 14 according to the frequency band of the high-frequency signal input to and output from the antenna 30. The power supply voltage Vdd supplied to the switch circuit 14 is applied to the power supply terminal T15. The transmission / reception terminals T16 to T19 receive UMTS transmission signals UMTS-Tx1 to UMTS-Tx4 from a transmission circuit (not shown) and receive UMTS reception signals UMTS-Rx1 to UMTS-Rx4 to a reception circuit (not shown). Will be output. The ground voltage GND is applied to the ground terminals T20 to T25. The antenna 30 is connected to the common terminal T26, and high frequency signals in a plurality of frequency bands are input and output. The ground voltage GND is applied to the ground terminals T27 and T28 in FIG. The ground terminals T27 and T28 have a larger area than the other terminals T1 to T26, and are fixed to an electrode on the side of the printed wiring board (not shown), so that the printed wiring board of FIG. It functions as an adhesive terminal for fixing 12.

ここで、図２（ａ）に示すように、端子Ｔ１〜Ｔ２６は、多層基板１２の外縁近傍において、１本の線上に並んでいる。すなわち、端子Ｔ１〜Ｔ２６は、多層基板１２上においてロ字状に配置されている。更に、制御端子Ｔ１１〜Ｔ１４及び電源端子Ｔ１５は、受信端子Ｔ１０と接地端子Ｔ２０との間において連続して一列に並んでいる。そして、制御端子Ｔ１１〜Ｔ１４及び電源端子Ｔ１５の列の一端に位置する電源端子Ｔ１５と送信端子Ｔ１との間には、受信端子Ｔ３〜Ｔ１０及び接地端子Ｔ２５が配置されている。また、制御端子Ｔ１１〜Ｔ１４及び電源端子Ｔ１５の列の他端に位置する制御端子Ｔ１４と送受信端子Ｔ１６との間には、接地端子Ｔ２０が配置されている。以上の構成により、送信端子Ｔ１，Ｔ２、送受信端子Ｔ１６〜Ｔ１９及び共通端子Ｔ２６は、制御端子Ｔ１１〜Ｔ１４及び電源端子Ｔ１５と隣り合わないように配置されている。これにより、高周波スイッチモジュール１０において、スイッチ回路１４の高周波特性の劣化を抑制している。 Here, as shown in FIG. 2A, the terminals T 1 to T 26 are arranged on one line in the vicinity of the outer edge of the multilayer substrate 12. That is, the terminals T1 to T26 are arranged in a square shape on the multilayer substrate 12. Further, the control terminals T11 to T14 and the power supply terminal T15 are continuously arranged in a line between the reception terminal T10 and the ground terminal T20. The receiving terminals T3 to T10 and the ground terminal T25 are arranged between the power supply terminal T15 and the transmission terminal T1 located at one end of the row of the control terminals T11 to T14 and the power supply terminal T15. A ground terminal T20 is disposed between the control terminal T14 and the transmission / reception terminal T16 located at the other end of the row of the control terminals T11 to T14 and the power supply terminal T15. With the above configuration, the transmission terminals T1 and T2, the transmission / reception terminals T16 to T19, and the common terminal T26 are arranged so as not to be adjacent to the control terminals T11 to T14 and the power supply terminal T15. Thereby, in the high frequency switch module 10, the deterioration of the high frequency characteristic of the switch circuit 14 is suppressed.

また、本実施形態では、送信端子Ｔ１，Ｔ２は、図２に示すように、多層基板１２の第１の辺（図２の左側の辺）に沿って並ぶように配置されている。一方、制御端子Ｔ１１〜Ｔ１４及び電源端子Ｔ１５は、前記第１の辺に対向する多層基板１２の第２の辺（図２の右側の辺）に沿って並ぶように配置されている。これにより、送信端子Ｔ１，Ｔ２と制御端子Ｔ１１〜Ｔ１４及び電源端子Ｔ１５とのアイソレーションを確保している。更に、接地端子Ｔ２７，Ｔ２８は、第１の辺と第２の辺との間に配置されている。これにより、送信端子Ｔ１，Ｔ２と制御端子Ｔ１１〜Ｔ１４及び電源端子Ｔ１５とのアイソレーションをより確実に確保している。 In the present embodiment, the transmission terminals T1 and T2 are arranged so as to be aligned along the first side (the left side in FIG. 2) of the multilayer substrate 12, as shown in FIG. On the other hand, the control terminals T11 to T14 and the power supply terminal T15 are arranged along the second side (the right side in FIG. 2) of the multilayer substrate 12 facing the first side. As a result, the isolation between the transmission terminals T1 and T2, the control terminals T11 to T14, and the power supply terminal T15 is ensured. Furthermore, the ground terminals T27 and T28 are disposed between the first side and the second side. Thereby, the isolation | separation with transmission terminal T1, T2, control terminal T11-T14, and power supply terminal T15 is ensured more reliably.

多層基板１２の表面には、図２（ｂ）に示すように、スイッチ回路１４、ＳＡＷフィルタ（表面波フィルタ）２０，２２，２４，２６及び抵抗器Ｒ１（図１には図示せず）が実装されている。また、多層基板１２は、送信端子Ｔ１，Ｔ２とスイッチ回路１４との間に接続されているローパスフィルタ１６，１８を内蔵している。スイッチ回路１４、ローパスフィルタ１６，１８、ＳＡＷフィルタ２０，２２，２４，２６及び抵抗器Ｒ１は、図２（ａ）に示す端子Ｔ１〜Ｔ２８と多層基板１２内に設けられているビアホール導体及び配線とを介して電気的に接続されている。以下に、図２を参照しながらより詳細に説明する。 On the surface of the multilayer substrate 12, as shown in FIG. 2B, a switch circuit 14, SAW filters (surface wave filters) 20, 22, 24, and 26 and a resistor R1 (not shown in FIG. 1) are provided. Has been implemented. The multilayer substrate 12 includes low-pass filters 16 and 18 connected between the transmission terminals T1 and T2 and the switch circuit 14. The switch circuit 14, the low-pass filters 16, 18, the SAW filters 20, 22, 24, 26 and the resistor R1 are terminals T1 to T28 and via-hole conductors and wirings provided in the multilayer substrate 12 shown in FIG. And is electrically connected through. Hereinafter, a more detailed description will be given with reference to FIG.

図２（ｂ）に示した丸印は、多層基板１２の最上層に設けられているビアホール導体である。多層基板１２の最上層には、ビアホール導体ｂ１〜ｂ３０が設けられている。送信端子Ｔ１，Ｔ２はそれぞれ、多層基板１２内のローパスフィルタ１６，１８（図２には図示せず）及びビアホール導体ｂ１，ｂ２を介してスイッチ回路１４と電気的に接続されている。 The circles shown in FIG. 2B are via hole conductors provided in the uppermost layer of the multilayer substrate 12. Via hole conductors b 1 to b 30 are provided on the uppermost layer of the multilayer substrate 12. The transmission terminals T1 and T2 are electrically connected to the switch circuit 14 via low-pass filters 16 and 18 (not shown in FIG. 2) in the multilayer substrate 12 and via-hole conductors b1 and b2, respectively.

受信端子Ｔ３，Ｔ４は、ビアホール導体ｂ３，ｂ４を介してＳＡＷフィルタ２０と電気的に接続されている。更に、ビアホール導体ｂ３，ｂ４は、ＳＡＷフィルタ２０においてビアホール導体ｂ２０と電気的に接続されている。更に、ビアホール導体ｂ２０は、ビアホール導体ｂ２１を介してスイッチ回路１４と電気的に接続されている。これにより、図１に示すように、スイッチ回路１４と受信端子Ｔ３，Ｔ４とは、ＳＡＷフィルタ２０を介して電気的に接続されている。 The receiving terminals T3 and T4 are electrically connected to the SAW filter 20 via via-hole conductors b3 and b4. Furthermore, the via-hole conductors b3 and b4 are electrically connected to the via-hole conductor b20 in the SAW filter 20. Furthermore, the via-hole conductor b20 is electrically connected to the switch circuit 14 via the via-hole conductor b21. Thereby, as shown in FIG. 1, the switch circuit 14 and the reception terminals T3 and T4 are electrically connected via the SAW filter 20.

受信端子Ｔ５，Ｔ６は、ビアホール導体ｂ５，ｂ６を介してＳＡＷフィルタ２２と電気的に接続されている。更に、ビアホール導体ｂ５，ｂ６は、ＳＡＷフィルタ２２においてビアホール導体ｂ２２と電気的に接続されている。更に、ビアホール導体ｂ２２は、ビアホール導体ｂ２３を介してスイッチ回路１４と電気的に接続されている。これにより、図１に示すように、スイッチ回路１４と受信端子Ｔ５，Ｔ６とは、ＳＡＷフィルタ２２を介して電気的に接続されている。 The receiving terminals T5 and T6 are electrically connected to the SAW filter 22 via via-hole conductors b5 and b6. Furthermore, the via-hole conductors b5 and b6 are electrically connected to the via-hole conductor b22 in the SAW filter 22. Furthermore, the via-hole conductor b22 is electrically connected to the switch circuit 14 via the via-hole conductor b23. Thereby, as shown in FIG. 1, the switch circuit 14 and the reception terminals T 5 and T 6 are electrically connected via the SAW filter 22.

受信端子Ｔ７，Ｔ８は、ビアホール導体ｂ７，ｂ８を介してＳＡＷフィルタ２４と電気的に接続されている。更に、ビアホール導体ｂ７，ｂ８は、ＳＡＷフィルタ２４においてビアホール導体ｂ２４と電気的に接続されている。更に、ビアホール導体ｂ２４は、ビアホール導体ｂ２５を介してスイッチ回路１４と電気的に接続されている。これにより、図１に示すように、スイッチ回路１４と受信端子Ｔ７，Ｔ８とは、ＳＡＷフィルタ２４を介して電気的に接続されている。 The receiving terminals T7 and T8 are electrically connected to the SAW filter 24 via via hole conductors b7 and b8. Furthermore, the via-hole conductors b7 and b8 are electrically connected to the via-hole conductor b24 in the SAW filter 24. Furthermore, the via-hole conductor b24 is electrically connected to the switch circuit 14 via the via-hole conductor b25. Thereby, as shown in FIG. 1, the switch circuit 14 and the reception terminals T 7 and T 8 are electrically connected via the SAW filter 24.

受信端子Ｔ９，Ｔ１０は、ビアホール導体ｂ９，ｂ１０を介してＳＡＷフィルタ２６と電気的に接続されている。更に、ビアホール導体ｂ９，ｂ１０は、ＳＡＷフィルタ２６においてビアホール導体ｂ２７と電気的に接続されている。更に、ビアホール導体ｂ２７は、ビアホール導体ｂ２８を介してスイッチ回路１４と電気的に接続されている。これにより、図１に示すように、スイッチ回路１４と受信端子Ｔ９，Ｔ１０とは、ＳＡＷフィルタ２６を介して電気的に接続されている。 The reception terminals T9 and T10 are electrically connected to the SAW filter 26 via via-hole conductors b9 and b10. Furthermore, the via-hole conductors b9 and b10 are electrically connected to the via-hole conductor b27 in the SAW filter 26. Furthermore, the via-hole conductor b27 is electrically connected to the switch circuit 14 via the via-hole conductor b28. Thereby, as shown in FIG. 1, the switch circuit 14 and the reception terminals T9 and T10 are electrically connected via the SAW filter 26.

制御端子Ｔ１１〜Ｔ１４、電源端子Ｔ１５及び送受信端子Ｔ１６〜Ｔ１９は、ビアホール導体ｂ１１〜ｂ１９を介してスイッチ回路１４と電気的に接続されている。端子Ｔ２６は、ビアホール導体ｂ２６を介して抵抗器Ｒ１と電気的に接続されている。ビアホール導体ｂ２６は、抵抗器Ｒ１においてビアホール導体ｂ２９と電気的に接続されている。ビアホール導体ｂ２９は、ビアホール導体ｂ３０を介して、スイッチ回路１４と電気的に接続されている。これにより、図１に示すように、スイッチ回路１４と共通端子Ｔ２６とは、電気的に接続されている。 The control terminals T11 to T14, the power supply terminal T15, and the transmission / reception terminals T16 to T19 are electrically connected to the switch circuit 14 via via-hole conductors b11 to b19. The terminal T26 is electrically connected to the resistor R1 through the via hole conductor b26. The via hole conductor b26 is electrically connected to the via hole conductor b29 in the resistor R1. The via-hole conductor b29 is electrically connected to the switch circuit 14 via the via-hole conductor b30. Thereby, as shown in FIG. 1, the switch circuit 14 and the common terminal T26 are electrically connected.

接地端子Ｔ２７，Ｔ２８は、図示しないビアホール導体により、多層基板１２に内蔵されているグランド電極（図示せず）に接続されている。 The ground terminals T27 and T28 are connected to a ground electrode (not shown) built in the multilayer substrate 12 by a via hole conductor (not shown).

以上のように構成された高周波スイッチモジュール１０では、スイッチ回路１４は、制御信号Ｖｃ１〜Ｖｃ４に基づいて、アンテナ３０が受信した受信信号の周波数帯域に応じた受信端子Ｔ３〜Ｔ１０と共通端子Ｔ２６とを接続する。また、スイッチ回路１４は、制御信号Ｖｃ１〜Ｖｃ４に基づいて、アンテナ３０から送信すべき送信信号の周波数帯域に応じた送信端子Ｔ１，Ｔ２と共通端子Ｔ２６とを接続する。これにより、高周波スイッチモジュール１０は、複数種類の周波数帯域の送受信信号を取り扱うことができる。 In the high-frequency switch module 10 configured as described above, the switch circuit 14 includes, based on the control signals Vc1 to Vc4, the reception terminals T3 to T10 and the common terminal T26 corresponding to the frequency band of the reception signal received by the antenna 30. Connect. The switch circuit 14 connects the transmission terminals T1 and T2 and the common terminal T26 according to the frequency band of the transmission signal to be transmitted from the antenna 30 based on the control signals Vc1 to Vc4. Thereby, the high frequency switch module 10 can handle transmission / reception signals of a plurality of types of frequency bands.

（効果）
以上のように構成された高周波スイッチモジュール１０によれば、以下に説明するように、スイッチ回路１４の高周波特性の劣化を抑制できる。より詳細には、共通端子Ｔ２６、送信端子Ｔ１，Ｔ２及び送受信端子Ｔ１６〜Ｔ１９は、制御端子Ｔ１１〜Ｔ１４及び電源端子Ｔ１５と隣り合わないように配置されている。制御端子Ｔ１１〜Ｔ１４及び電源端子Ｔ１５は、スイッチ回路１４の制御及び駆動に用いられるため、制御端子Ｔ１１〜Ｔ１４及び電源端子Ｔ１５に接続された電流経路ではノイズが発生し易い。そして、該ノイズは、制御端子Ｔ１１〜Ｔ１４及び電源端子Ｔ１５より周囲に放射される。よって、制御端子Ｔ１１〜Ｔ１４及び電源端子Ｔ１５には、ノイズの影響を受け易い信号が入出力する端子を配置しないことが望ましい。 (effect)
According to the high frequency switch module 10 configured as described above, deterioration of the high frequency characteristics of the switch circuit 14 can be suppressed as described below. More specifically, the common terminal T26, the transmission terminals T1 and T2, and the transmission / reception terminals T16 to T19 are arranged so as not to be adjacent to the control terminals T11 to T14 and the power supply terminal T15. Since the control terminals T11 to T14 and the power supply terminal T15 are used for controlling and driving the switch circuit 14, noise is likely to be generated in the current paths connected to the control terminals T11 to T14 and the power supply terminal T15. The noise is radiated from the control terminals T11 to T14 and the power supply terminal T15 to the surroundings. Therefore, it is desirable that the control terminals T11 to T14 and the power supply terminal T15 are not provided with terminals that input and output signals that are susceptible to noise.

ここで、送信端子Ｔ１，Ｔ２、送受信端子Ｔ１６〜Ｔ１９及び共通端子Ｔ２６は、比較的大きな電力を有している送信信号ＧＳＭ−Ｔｘ１，ＧＳＭ−Ｔｘ２，ＵＭＴＳ−Ｔｘ１〜ＵＭＴＳ−Ｔｘ４が入出力する端子である。そのため、送信信号ＧＳＭ−Ｔｘ１，ＧＳＭ−Ｔｘ２，ＵＭＴＳ−Ｔｘ１〜ＵＭＴＳ−Ｔｘ４がノイズにより変調されると、大きな高調波歪みが送信信号ＧＳＭ−Ｔｘ１，ＧＳＭ−Ｔｘ２，ＵＭＴＳ−Ｔｘ１〜ＵＭＴＳ−Ｔｘ４に発生する。すなわち、送信信号ＧＳＭ−Ｔｘ１，ＧＳＭ−Ｔｘ２，ＵＭＴＳ−Ｔｘ１〜ＵＭＴＳ−Ｔｘ４は、ノイズの影響を受け易い。 Here, transmission signals GSM-Tx1, GSM-Tx2, UMTS-Tx1 to UMTS-Tx4, which have relatively large power, input and output transmission terminals T1, T2, transmission / reception terminals T16 to T19, and common terminal T26. Terminal. Therefore, when the transmission signals GSM-Tx1, GSM-Tx2, UMTS-Tx1 to UMTS-Tx4 are modulated by noise, large harmonic distortion is generated in the transmission signals GSM-Tx1, GSM-Tx2, UMTS-Tx1 to UMTS-Tx4. appear. That is, the transmission signals GSM-Tx1, GSM-Tx2, UMTS-Tx1 to UMTS-Tx4 are easily affected by noise.

そこで、高周波スイッチモジュール１０では、送信端子Ｔ１，Ｔ２、送受信端子Ｔ１６〜Ｔ１９及び共通端子Ｔ２６と制御端子Ｔ１１〜Ｔ１４及び電源端子Ｔ１５とが隣り合わないように配置されている。具体的には、電源端子Ｔ１５と送信端子Ｔ１との間には、受信端子Ｔ３〜Ｔ１０及び接地端子Ｔ２５が配置されている。また、制御端子Ｔ１４と送受信端子Ｔ１６との間には、接地端子Ｔ２０が配置されている。これにより、送信端子Ｔ１，Ｔ２、送受信端子Ｔ１６〜Ｔ１９及び共通端子Ｔ２６と制御端子Ｔ１１〜Ｔ１４及び電源端子Ｔ１５とのアイソレーションが確保されるようになり、制御端子Ｔ１１〜Ｔ１４及び電源端子Ｔ１５から放射されるノイズが、送信端子Ｔ１，Ｔ２、送受信端子Ｔ１６〜Ｔ１９及び共通端子Ｔ２６へと入力することが抑制される。よって、送信信号ＧＳＭ−Ｔｘ１，ＧＳＭ−Ｔｘ２，ＵＭＴＳ−Ｔｘ１〜ＵＭＴＳ−Ｔｘ４がノイズにより変調されにくくなり、大きな高調波歪みが送信信号ＧＳＭ−Ｔｘ１，ＧＳＭ−Ｔｘ２，ＵＭＴＳ−Ｔｘ１〜ＵＭＴＳ−Ｔｘ４において発生しにくくなる。その結果、スイッチ回路１４における高周波特性の劣化が抑制されるようになる。 Therefore, in the high frequency switch module 10, the transmission terminals T1 and T2, the transmission / reception terminals T16 to T19, the common terminal T26, the control terminals T11 to T14, and the power supply terminal T15 are arranged so as not to be adjacent to each other. Specifically, receiving terminals T3 to T10 and a ground terminal T25 are disposed between the power supply terminal T15 and the transmitting terminal T1. A ground terminal T20 is arranged between the control terminal T14 and the transmission / reception terminal T16. As a result, the transmission terminals T1, T2, the transmission / reception terminals T16 to T19, the common terminal T26, the control terminals T11 to T14, and the power supply terminal T15 are isolated from each other, and from the control terminals T11 to T14 and the power supply terminal T15. The radiated noise is suppressed from being input to the transmission terminals T1 and T2, the transmission / reception terminals T16 to T19, and the common terminal T26. Therefore, the transmission signals GSM-Tx1, GSM-Tx2, UMTS-Tx1 to UMTS-Tx4 are less likely to be modulated by noise, and large harmonic distortion occurs in the transmission signals GSM-Tx1, GSM-Tx2, UMTS-Tx1 to UMTS-Tx4. Less likely to occur. As a result, deterioration of the high frequency characteristics in the switch circuit 14 is suppressed.

なお、受信端子Ｔ１０又は接地端子Ｔ２０は、電源端子Ｔ１５又は制御端子Ｔ１４と隣り合っている。しかしながら、受信端子Ｔ１０及び接地端子Ｔ２０には、比較的小さな電力を有する信号しか入出力しない。そのため、受信端子Ｔ１０及び接地端子Ｔ２０に入出力する信号がノイズにより変調されたとしても、送信信号ＧＳＭ−Ｔｘ１，ＧＳＭ−Ｔｘ２，ＵＭＴＳ−Ｔｘ１〜ＵＭＴＳ−Ｔｘ４に発生する高調波歪みほど大きな高調波歪みが発生しない。よって、スイッチ回路１４における高周波特性の劣化は発生しにくい。 The reception terminal T10 or the ground terminal T20 is adjacent to the power supply terminal T15 or the control terminal T14. However, only signals having relatively small power are inputted to and outputted from the receiving terminal T10 and the ground terminal T20. Therefore, even if the signals input / output to / from the reception terminal T10 and the ground terminal T20 are modulated by noise, the higher harmonic distortion is generated in the harmonic distortion generated in the transmission signals GSM-Tx1, GSM-Tx2, UMTS-Tx1 to UMTS-Tx4. No distortion occurs. Therefore, the high-frequency characteristics in the switch circuit 14 are unlikely to deteriorate.

更に、制御端子Ｔ１１〜Ｔ１４及び電源端子Ｔ１５は、図２に示すように、受信端子Ｔ１０と接地端子Ｔ２０との間において連続して一列に並んでいる。このように、ノイズを放射し易い制御端子Ｔ１１〜Ｔ１４及び電源端子Ｔ１５を一塊にして配置すれば、ノイズを放射し易い制御端子Ｔ１１〜Ｔ１４及び電源端子Ｔ１５の隣に位置する端子は、図２に示すように、制御端子Ｔ１４及び電源端子Ｔ１５の隣に位置する２つのみとなる。そのため、少なくとも、制御端子Ｔ１４及び電源端子Ｔ１５の隣に位置する２つの端子のみが、送信端子Ｔ１，Ｔ２、送受信端子Ｔ１６〜Ｔ１９及び共通端子Ｔ２６以外の端子であればよい。よって、送信端子Ｔ１，Ｔ２、送受信端子Ｔ１６〜Ｔ１９及び共通端子Ｔ２６の配置の自由度が高くなる。 Furthermore, as shown in FIG. 2, the control terminals T11 to T14 and the power supply terminal T15 are continuously arranged in a line between the reception terminal T10 and the ground terminal T20. In this way, if the control terminals T11 to T14 and the power supply terminal T15 that easily emit noise are arranged in a lump, the terminals located next to the control terminals T11 to T14 and the power supply terminal T15 that easily emit noise are shown in FIG. As shown in FIG. 4, only two terminals are located next to the control terminal T14 and the power supply terminal T15. Therefore, at least two terminals located next to the control terminal T14 and the power supply terminal T15 may be terminals other than the transmission terminals T1 and T2, the transmission / reception terminals T16 to T19, and the common terminal T26. Therefore, the freedom degree of arrangement | positioning of transmission terminal T1, T2, transmission / reception terminal T16-T19, and common terminal T26 becomes high.

また、図２に示すように、送信端子Ｔ１，Ｔ２は、図２に示すように、多層基板１２の第１の辺（図２の左側の辺）に沿って並ぶように配置されている。一方、制御端子Ｔ１１〜Ｔ１４及び電源端子Ｔ１５は、前記第１の辺に対向する多層基板１２の第２の辺（図２の右側の辺）に沿って並ぶように配置されている。このように、ノイズを放射する制御端子Ｔ１１〜Ｔ１４及び電源端子Ｔ１５とノイズの影響を受け易い送信端子Ｔ１，Ｔ２とを離して配置することにより、送信端子Ｔ１，Ｔ２と制御端子Ｔ１１〜Ｔ１４及び電源端子Ｔ１５とのアイソレーションが確保されるようになる。その結果、スイッチ回路１４における高周波特性の劣化がより効果的に抑制される。 As shown in FIG. 2, the transmission terminals T1 and T2 are arranged so as to be aligned along the first side (the left side in FIG. 2) of the multilayer substrate 12, as shown in FIG. On the other hand, the control terminals T11 to T14 and the power supply terminal T15 are arranged along the second side (the right side in FIG. 2) of the multilayer substrate 12 facing the first side. As described above, the transmission terminals T1 and T2 and the control terminals T11 to T14 and the control terminals T11 to T14 and the power supply terminal T15 and the transmission terminals T1 and T2 that are susceptible to noise are arranged apart from each other. Isolation from the power supply terminal T15 is ensured. As a result, the deterioration of the high frequency characteristics in the switch circuit 14 is more effectively suppressed.

更に、接地端子Ｔ２７，Ｔ２８は、第１の辺と第２の辺との間に配置されている。すなわち、接地端子Ｔ２７，Ｔ２８は、送信端子Ｔ１，Ｔ２と制御端子Ｔ１１〜Ｔ１４及び電源端子Ｔ１５との間に配置されている。これにより、送信端子Ｔ１，Ｔ２と制御端子Ｔ１１〜Ｔ１４及び電源端子Ｔ１５とのアイソレーションがより確実に確保されている。 Furthermore, the ground terminals T27 and T28 are disposed between the first side and the second side. That is, the ground terminals T27 and T28 are disposed between the transmission terminals T1 and T2, the control terminals T11 to T14, and the power supply terminal T15. Thereby, the isolation | separation with transmission terminal T1, T2, control terminal T11-T14, and power supply terminal T15 is ensured more reliably.

（変形例）
以下に、第１の変形例に係る高周波スイッチモジュール１０ａについて図面を参照しながら説明する。図３は、第１の変形例に係る高周波スイッチモジュール１０ａの多層基板１２の右側の辺近傍の拡大図である。 (Modification)
The high frequency switch module 10a according to the first modification will be described below with reference to the drawings. FIG. 3 is an enlarged view of the vicinity of the right side of the multilayer substrate 12 of the high-frequency switch module 10a according to the first modification.

高周波スイッチモジュール１０と高周波スイッチモジュール１０ａとの相違点は、電源端子Ｔ１５及び受信端子Ｔ１０のそれぞれに隣り合っている端子が異なっている点である。具体的には、図２に示すように、高周波スイッチモジュール１０では、受信端子Ｔ１０が電源端子Ｔ１５と隣り合っており、接地端子Ｔ２０が制御端子Ｔ１４と隣り合っている。一方、図３に示すように、高周波スイッチモジュール１０ａでは、接地端子Ｔ２０が電源端子Ｔ１５と隣り合っており、受信端子Ｔ１０が制御端子Ｔ１４と隣り合っている。すなわち、高周波スイッチモジュール１０と高周波スイッチモジュール１０ａとでは、受信端子Ｔ１０と接地端子Ｔ２０とが入れ替わっている。以上のような構成を有する高周波スイッチモジュール１０ａにおいても、高周波スイッチモジュール１０と同様に、スイッチ回路１４における高周波特性の劣化が抑制される。 The difference between the high-frequency switch module 10 and the high-frequency switch module 10a is that the terminals adjacent to the power supply terminal T15 and the reception terminal T10 are different. Specifically, as shown in FIG. 2, in the high frequency switch module 10, the reception terminal T10 is adjacent to the power supply terminal T15, and the ground terminal T20 is adjacent to the control terminal T14. On the other hand, as shown in FIG. 3, in the high frequency switch module 10a, the ground terminal T20 is adjacent to the power supply terminal T15, and the reception terminal T10 is adjacent to the control terminal T14. That is, in the high frequency switch module 10 and the high frequency switch module 10a, the reception terminal T10 and the ground terminal T20 are interchanged. Also in the high frequency switch module 10a having the above configuration, the deterioration of the high frequency characteristics in the switch circuit 14 is suppressed as in the high frequency switch module 10.

図４は、第２の変形例に係る高周波スイッチモジュール１０ｂの多層基板１２の右側の辺近傍の拡大図である。図４に示すように、受信端子Ｔ１０が電源端子Ｔ１５と隣り合っており、受信端子Ｔ３が制御端子Ｔ１４と隣り合っていてもよい。以上のような構成を有する高周波スイッチモジュール１０ｂにおいても、高周波スイッチモジュール１０と同様に、スイッチ回路１４における高周波特性の劣化が抑制される。 FIG. 4 is an enlarged view of the vicinity of the right side of the multilayer substrate 12 of the high-frequency switch module 10b according to the second modification. As shown in FIG. 4, the reception terminal T10 may be adjacent to the power supply terminal T15, and the reception terminal T3 may be adjacent to the control terminal T14. Also in the high frequency switch module 10b having the above-described configuration, the deterioration of the high frequency characteristics in the switch circuit 14 is suppressed as in the high frequency switch module 10.

図５は、第３の変形例に係る高周波スイッチモジュール１０ｃの多層基板１２の右側の辺近傍の拡大図である。図５に示すように、接地端子Ｔ２０が電源端子Ｔ１５と隣り合っており、接地端子Ｔ２１が制御端子Ｔ１４と隣り合っていてもよい。この場合、電源端子Ｔ１５に受信端子Ｔ１０が隣り合っている高周波スイッチモジュール１０（図２参照）よりも、電源端子Ｔ１５と受信端子Ｔ９とのアイソレーションがより確実に確保されるようになる。 FIG. 5 is an enlarged view of the vicinity of the right side of the multilayer substrate 12 of the high-frequency switch module 10c according to the third modification. As shown in FIG. 5, the ground terminal T20 may be adjacent to the power supply terminal T15, and the ground terminal T21 may be adjacent to the control terminal T14. In this case, the isolation between the power supply terminal T15 and the reception terminal T9 is more reliably ensured than in the high-frequency switch module 10 (see FIG. 2) in which the reception terminal T10 is adjacent to the power supply terminal T15.

図６は、第４の変形例に係る高周波スイッチモジュール１０ｄの多層基板１２の下側の辺近傍の拡大図である。図６に示すように、送信端子Ｔ１，Ｔ２，制御端子Ｔ１１〜Ｔ１４、電源端子Ｔ１５及び接地端子Ｔ２０，Ｔ２１は、一直線に配置されていてもよい。 FIG. 6 is an enlarged view of the vicinity of the lower side of the multilayer substrate 12 of the high-frequency switch module 10d according to the fourth modification. As shown in FIG. 6, the transmission terminals T1 and T2, the control terminals T11 to T14, the power supply terminal T15, and the ground terminals T20 and T21 may be arranged in a straight line.

なお、高周波スイッチモジュール１０，１０ａ〜１０ｄでは、制御端子Ｔ１１〜Ｔ１４及び電源端子Ｔ１５は、連続して一列に並んでいる。しかしながら、制御端子Ｔ１１〜Ｔ１４及び電源端子Ｔ１５は、２つ以上の塊に別れて並んでいてもよい。 In the high-frequency switch modules 10, 10a to 10d, the control terminals T11 to T14 and the power supply terminal T15 are continuously arranged in a line. However, the control terminals T11 to T14 and the power supply terminal T15 may be arranged in two or more blocks.

本考案の一実施形態に係る高周波スイッチモジュールのブロック図である。It is a block diagram of the high frequency switch module concerning one embodiment of the present invention. 図２（ａ）は、多層基板の裏面を示した図であり、図２（ｂ）は、多層基板の表面を示した図である。FIG. 2A is a diagram illustrating the back surface of the multilayer substrate, and FIG. 2B is a diagram illustrating the surface of the multilayer substrate. 第１の変形例に係る高周波スイッチモジュールの多層基板の右側の辺近傍の拡大図である。It is an enlarged view of the right side vicinity of the multilayer substrate of the high frequency switch module concerning the 1st modification. 第２の変形例に係る高周波スイッチモジュールの多層基板の右側の辺近傍の拡大図である。It is an enlarged view of the right side vicinity of the multilayer substrate of the high frequency switch module concerning the 2nd modification. 第３の変形例に係る高周波スイッチモジュールの多層基板の右側の辺近傍の拡大図である。It is an enlarged view of the right side vicinity of the multilayer substrate of the high frequency switch module concerning the 3rd modification. 第４の変形例に係る高周波スイッチモジュールの多層基板の下側の辺近傍の拡大図である。It is an enlarged view of the lower side vicinity of the multilayer board | substrate of the high frequency switch module which concerns on a 4th modification.

Explanation of symbols

Ｔ１，Ｔ２送信端子
Ｔ３〜Ｔ１０受信端子
Ｔ１１〜Ｔ１４制御端子
Ｔ１５電源端子
Ｔ１６〜Ｔ１９送受信端子
Ｔ２０〜Ｔ２５，Ｔ２７，Ｔ２８接地端子
Ｔ２６共通端子
１０，１０ａ〜１０ｄ高周波スイッチモジュール
１２多層基板
１４スイッチ回路 T1, T2 Transmission terminal T3-T10 Reception terminal T11-T14 Control terminal T15 Power supply terminal T16-T19 Transmission / reception terminal T20-T25, T27, T28 Ground terminal T26 Common terminal 10, 10a-10d High-frequency switch module 12 Multilayer substrate 14 Switch circuit

Claims

A substrate,
A switch circuit mounted on the substrate;
With
The substrate is
A common terminal for input / output of reception signals or transmission signals of a plurality of frequency bands;
A transmission terminal to which the transmission signal is input; and
A receiving terminal from which the received signal is output;
A control terminal to which a control signal for controlling the switch circuit is applied according to a frequency band of the reception signal or the transmission signal input to and output from the common terminal;
A power supply terminal to which a power supply voltage supplied to the switch circuit is applied;
Contains
The switch circuit connects the transmission terminal or the reception terminal and the common terminal based on the control signal,
The common terminal and the transmission terminal are not adjacent to the control terminal and the power supply terminal;
High frequency switch module characterized by

The substrate is
Connect the ground terminal to which the ground potential is applied.
In addition,
The common terminal, the transmission terminal, the reception terminal, the control terminal, the power supply terminal, and the ground terminal are arranged on one line on the substrate;
The high-frequency switch module according to claim 1.

The control terminal and the power supply terminal are continuously arranged between the receiving terminal or the ground terminal,
The high frequency switch module according to claim 2.

The reception terminal or the ground terminal is disposed between the common terminal or the transmission terminal and the control terminal or the power supply terminal.
The high-frequency switch module according to claim 2 or 3, wherein

The substrate has a rectangular shape,
The transmission terminals are arranged along the first side of the substrate,
The control terminal and the power supply terminal are provided so as to be arranged along a second side of the substrate facing the first side;
The high-frequency switch module according to any one of claims 1 to 4, wherein

The substrate is
An adhesive electrode disposed between the first side and the second side and fixing the switch circuit to the substrate;
More
The high frequency switch module according to claim 5.

The substrate includes a ground electrode,
The adhesive electrode is connected to the ground electrode;
The high frequency switch module according to claim 6.