JP3147873B2 - Semiconductor manufacturing equipment - Google Patents

Semiconductor manufacturing equipment

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JP3147873B2
JP3147873B2 JP28644498A JP28644498A JP3147873B2 JP 3147873 B2 JP3147873 B2 JP 3147873B2 JP 28644498 A JP28644498 A JP 28644498A JP 28644498 A JP28644498 A JP 28644498A JP 3147873 B2 JP3147873 B2 JP 3147873B2
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liquid material
semiconductor manufacturing
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tank
bellows
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徳彦 小山
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置に
関するものであり、特に詳しくは、半導体基板に気化し
た液体材料を供給し、反応室内で化学反応を伴う気相成
長等を起こさせるCVD(Chemical Vapour Depositio
n)を行う半導体製造装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus, and more particularly, to a CVD (Chemical Vapor Deposition) method for supplying a vaporized liquid material to a semiconductor substrate to cause a vapor phase growth accompanied by a chemical reaction in a reaction chamber. Chemical Vapor Depositio
The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus for performing n).

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の液体材料を気化して反応室へ供給
する半導体製造装置に使用されるキャニスタタンクは、
図4に示すようなものが知られている。同図において、
キャニスタタンクは、上端の開放したタンクフレーム1
と、このタンクフレーム1にOリング2によって気密性
を保持しつつ取り付けられたタンクカバー3と、このタ
ンクカバー3を貫いて取り付けられた加圧ガス導入部4
と、タンクフレーム1の底部近傍に開口端を有した液体
材料排出部5がタンクカバー3を貫いて取り付けられて
いる。
2. Description of the Related Art A canister tank used in a conventional semiconductor manufacturing apparatus for vaporizing a liquid material and supplying it to a reaction chamber is:
The one shown in FIG. 4 is known. In the figure,
The canister tank is a tank frame 1 with an open top.
A tank cover 3 attached to the tank frame 1 with an O-ring 2 while maintaining airtightness, and a pressurized gas introduction unit 4 attached through the tank cover 3.
And a liquid material discharge portion 5 having an open end near the bottom of the tank frame 1 is attached through the tank cover 3.

【0003】この様に構成された、キャニスタタンクは
タンクフレーム1の内部に液体材料6を充填した後、タ
ンクフレーム1とタンクカバー3によって形成される加
圧空間7に加圧ガス導入部4からHe、Ar、N2 等の
不活性ガスを供給する。加圧空間7が不活性ガスによっ
て加圧されると、液体材料排出部5から液体材料6が排
出される。
[0003] The canister tank constructed as described above fills the inside of the tank frame 1 with the liquid material 6, and then enters the pressurized space 7 formed by the tank frame 1 and the tank cover 3 from the pressurized gas introducing section 4. An inert gas such as He, Ar, or N 2 is supplied. When the pressurized space 7 is pressurized by the inert gas, the liquid material 6 is discharged from the liquid material discharge unit 5.

【0004】図5に示すものは、従来の半導体製造装置
に使用されているキャニスタタンクの別の例を示す断面
図である。ここでキャニスタタンクは、上端の開放した
タンクフレーム1と、このタンクフレーム1にOリング
2によって気密性を保持しつつ取り付けられたタンクカ
バー3と、このタンクカバー3を貫いて取り付けられた
加圧ガス導入部4と、タンクフレーム1を貫いて取り付
けられた液体材料排出部5とを有している。また、タン
クフレーム1の内部には、Oリング8で気密性の保持さ
れたピストン9が摺動可能に配設されている。
FIG. 5 is a sectional view showing another example of a canister tank used in a conventional semiconductor manufacturing apparatus. Here, the canister tank has a tank frame 1 having an open upper end, a tank cover 3 attached to the tank frame 1 while maintaining airtightness by an O-ring 2, and a pressurization attached through the tank cover 3. It has a gas inlet 4 and a liquid material outlet 5 attached through the tank frame 1. A piston 9 airtightly held by an O-ring 8 is slidably disposed inside the tank frame 1.

【0005】この様に構成されたキャニスタタンクにお
いて、加圧ガス導入部4からタンクカバー3の内側とピ
ストン9の上側面で形成される加圧空間7に作動ガスを
導入する。すると、ピストン9が下降しタンクフレーム
1内の液体材料6が液体材料排出部5から排出される。
In the canister tank configured as described above, a working gas is introduced from a pressurized gas introduction unit 4 into a pressurized space 7 formed between the inside of the tank cover 3 and the upper surface of the piston 9. Then, the piston 9 descends, and the liquid material 6 in the tank frame 1 is discharged from the liquid material discharge unit 5.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】然しながら、上述のよ
うな従来のキャニスタタンクを使用した半導体製造装置
では、それぞれ問題を有している。即ち、図4に示すキ
ャニスタタンクでは、液体材料6を不活性ガスで直接加
圧する為に、ガス及びガス中の不純物質が液体材料内に
溶けて、液体材料6の高純度が保持できないと云う問題
が存在した。液体材料の純度が低下すると、製造する半
導体基板に形成する被膜の品質に異常が生じるという問
題があった。また、第2の問題点は、使用するHe、A
r、N2 等の不活性ガスが高価でコストが嵩むという点
である。
However, each of the above-described conventional semiconductor manufacturing apparatuses using a canister tank has a problem. That is, in the canister tank shown in FIG. 4, since the liquid material 6 is directly pressurized with the inert gas, the gas and impurities in the gas are dissolved in the liquid material, and the high purity of the liquid material 6 cannot be maintained. There was a problem. When the purity of the liquid material is reduced, there is a problem that the quality of a film formed on a semiconductor substrate to be manufactured is abnormal. The second problem is that the He, A
This is because inert gases such as r and N 2 are expensive and costly.

【0007】また、図5に示す従来の半導体製造装置に
使用されているキャニスタタンクでは、ピストン9がタ
ンクフレーム1の内周面を摺動するために、摩耗によっ
て液体材料6が加圧空間7内に漏れ出す場合があった。
また、加圧ガスが液体材料6内に溶け込み、液体材料6
の高純度を保持できないと云う欠点が存在した。更に、
摩耗したピストン9のOリング8の破片が液体材料6内
に溶け込み液体材料の純度を低下させると云う欠点が存
在した。更にまた、特開平7−249615号等に示す
様に、液体材料をベローズ内に充填するものも存在する
が、タンクの交換時に真空にした際、ベローズの襞と襞
の間に劣化した古い液が残ってしまい、高純度を保つ事
ができな欠点が存在した。加えて、液体材料の突出方向
が限定されてしまい、設計の自由度が制限される欠点が
存在した。
In the canister tank used in the conventional semiconductor manufacturing apparatus shown in FIG. 5, since the piston 9 slides on the inner peripheral surface of the tank frame 1, the liquid material 6 is worn by the abrasion and the pressurized space 7 is removed. In some cases.
Further, the pressurized gas dissolves in the liquid material 6 and the liquid material 6
However, there was a disadvantage that the high purity of the compound could not be maintained. Furthermore,
There is the disadvantage that the worn pieces of the O-ring 8 of the piston 9 melt into the liquid material 6 and reduce the purity of the liquid material. Further, as shown in Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-249615, there is a type in which a bellows is filled with a liquid material. However, when the tank is replaced with a vacuum, the old liquid deteriorated between the bellows folds and folds. However, there was a defect that high purity could not be maintained. In addition, there is a disadvantage in that the direction in which the liquid material projects is limited, and the degree of freedom in design is limited.

【0008】本発明の目的は、上記した従来の技術の欠
点を改良し、液体材料の高純度を保持すると共に、高価
な不活性ガスを必要としないキャニスタタンクを備えた
半導体製造装置を提供するものである。
An object of the present invention is to improve the above-mentioned disadvantages of the prior art, to provide a semiconductor manufacturing apparatus having a canister tank which maintains high purity of a liquid material and does not require an expensive inert gas. Things.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明は上記した目的を
達成する為、以下に示す様な基本的な技術構成を採用す
るものである。即ち、本発明に係る態様としては、キャ
ニスタタンク内に収納された液体材料を排出口から気化
装置に供給し、該気化装置によって気化させた後、反応
室に供給し半導体基板の表面に被膜を形成する半導体製
造装置において、当該半導体製造装置は、液体材料を貯
蔵するためのタンクフレーム部と、該タンクフレームに
気密状態で取り付けられた圧送ベローズ部と、圧送ベロ
ーズ部の内側面に対向し、当該圧送ベローズ部の内側面
との間で加圧空間を形成するタンクカバーと、当該加圧
空間に作動流体を供給する加圧導入部と、当該圧送ベロ
ーズ部の外側部と当該タンクフレーム部との間に保持さ
れた液体材料が、当該圧送ベローズ部の変位に応答して
当該タンクフレーム部内から排出される液体材料排出部
とから構成されたキャニスタタンクを備えた半導体製造
装置である
In order to achieve the above-mentioned object, the present invention employs the following basic technical structure. That is, as an embodiment according to the present invention,
Liquid material stored in the nysta tank is vaporized from the outlet
After supplying to the device and vaporizing by the vaporizing device, the reaction
Semiconductors that supply film to the chamber and form a coating on the surface of the semiconductor substrate
In a manufacturing apparatus, the semiconductor manufacturing apparatus stores a liquid material.
And a tank frame for storage
A pressure-feed bellows part that is attached in an airtight
Facing the inner surface of the bellows,
And a tank cover forming a pressurized space between
A pressure introducing section for supplying a working fluid to the space;
Between the outer part of the closed part and the tank frame.
Liquid material responds to the displacement of the pumping bellows section.
Liquid material discharge section discharged from inside the tank frame section
Semiconductor manufacturing with a canister tank composed of
Device .

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】本発明の半導体製造装置は、上記
した従来技術に於ける問題点を解決する為、液体材料を
貯蔵するためのタンクフレーム部内に、気密状態で圧送
ベローズ部を取り付け、圧送ベローズ部の上の加圧空間
からベローズの内側に作動流体を供給して、ベローズの
外側面を利用して液体材料を加圧し、加圧された液体材
料をタンクフレーム部内から排出するのキャニスタタン
クを備えたので、作動流体が液体材料に直接接触するこ
となく、反応室に給送する事ができる。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In order to solve the above-mentioned problems in the prior art, a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention has a pressure-feeding bellows section mounted in an airtight manner in a tank frame section for storing a liquid material. A canister for supplying a working fluid from the pressurized space above the pressure-feeding bellows portion to the inside of the bellows, pressurizing the liquid material using the outer surface of the bellows, and discharging the pressurized liquid material from the tank frame portion. Since the tank is provided, the working fluid can be supplied to the reaction chamber without directly contacting the liquid material.

【0011】[0011]

【実施例】以下に本発明に係る半導体製造装置を図面を
参照しながら詳細に説明する。図1は、本発明に係る半
導体製造装置に使用されるキャニスタタンクの第一の実
施例を示す断面図である。係る図から明らかな様に、本
発明に係る半導体製造装置の第一の具体例としては、キ
ャニスタタンク内に収納された液体材料を排出口から気
化装置に供給し、該気化装置によって気化させた後、反
応室に供給し半導体基板の表面に被膜を形成する半導体
製造装置において、当該半導体製造装置は液体材料を貯
蔵するためのタンクフレーム部と、該タンクフレームに
気密状態で取り付けられた圧送ベローズ部と、圧送ベロ
ーズ部の上に加圧空間を形成するタンクカバーと、加圧
空間に作動流体を供給する加圧導入部と、加圧された液
体材料をタンクフレーム部内から排出する液体材料排出
部とから構成されたキャニスタタンクを備えたものが開
示されている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a sectional view showing a first embodiment of a canister tank used in a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention. As is apparent from the figure, as a first specific example of the semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention, the liquid material contained in the canister tank was supplied to the vaporizer from the outlet, and vaporized by the vaporizer. Later, in a semiconductor manufacturing apparatus for supplying a reaction chamber and forming a film on a surface of a semiconductor substrate, the semiconductor manufacturing apparatus includes a tank frame portion for storing a liquid material, and a pressure-feeding bellows attached to the tank frame in an airtight state. Unit, a tank cover that forms a pressurized space above the pressure-feeding bellows unit, a pressurizing introduction unit that supplies a working fluid to the pressurized space, and a liquid material discharge that discharges the pressurized liquid material from inside the tank frame unit. And a canister tank including a canister.

【0012】即ち、本発明の半導体製造装置に使用され
るキャニスタタンクは、液体材料6を貯蔵するためのタ
ンクフレーム部10と、該タンクフレーム10に気密状
態で取り付けられた圧送ベローズ部11と、圧送ベロー
ズ部11の上に加圧空間12を形成するタンクカバー1
3と、加圧空間12に作動流体を供給する加圧導入部1
4と、加圧された液体材料6をタンクフレーム部10内
から排出する液体材料排出部15とから構成されてい
る。
That is, the canister tank used in the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention includes a tank frame section 10 for storing the liquid material 6, a pressure-feeding bellows section 11 attached to the tank frame 10 in an airtight state, and Tank cover 1 forming pressurized space 12 on pressure-feeding bellows 11
3 and a pressurizing introduction unit 1 for supplying a working fluid to the pressurizing space 12
4 and a liquid material discharging portion 15 for discharging the pressurized liquid material 6 from the inside of the tank frame portion 10.

【0013】タンクフレーム部10は、上端の開放され
た筒状をしており、耐蝕性、耐熱性、耐薬品性を考慮し
てステンレス鋼(SUS304,316等)で形成され
ている。また、タンクフレーム部10の上端周縁には、
フランジ10aが形成されている。フランジ10aの上
面には、第1のOリング溝16と第2のOリング溝17
とが略同心円状に形成されている。この第1のOリング
溝16と第2のOリング溝17の中には、Oリング1
8,19が配設されている。
The tank frame 10 has a cylindrical shape with an open upper end, and is made of stainless steel (SUS304, 316, etc.) in consideration of corrosion resistance, heat resistance, and chemical resistance. Also, on the periphery of the upper end of the tank frame portion 10,
A flange 10a is formed. A first O-ring groove 16 and a second O-ring groove 17 are provided on the upper surface of the flange 10a.
Are formed substantially concentrically. In the first O-ring groove 16 and the second O-ring groove 17, the O-ring 1
8, 19 are provided.

【0014】また、タンクフレーム部10の適宜位置に
は、液体材料排出部15が形成されている。液体材料排
出部15は、タンクの下端近傍に取り付けられており、
弁15aを備えている。この弁15aによって、排出部
の管路を開閉する事が出来る。ここで、液体材料排出部
15は、キャニスタタンクの下端部のみでなく、他の部
分であっても取り付ける事ができる。
Further, a liquid material discharge section 15 is formed at an appropriate position of the tank frame section 10. The liquid material discharge part 15 is attached near the lower end of the tank,
A valve 15a is provided. With this valve 15a, it is possible to open and close the conduit of the discharge section. Here, the liquid material discharge portion 15 can be attached not only to the lower end portion of the canister tank but also to other portions.

【0015】圧送ベローズ部11は、ベローズ11aと
取り付けフランジ板11bと底板11c等から構成され
ている。取り付けフランジ板11bは、タンクフレーム
部10のフランジ10aの上に載置されると共に、ボル
ト、クランプ等の固定金具で固定されており、Oリング
19によって気密性が保持されている。ベローズ11a
は、圧力が加わると変形するもので、耐蝕性、耐熱性、
耐薬品性を有した部材で形成されている。底板11は、
ベローズ11aの底部に取り付けられており、ベローズ
11aの伸縮と共に上下動する。また、ベローズと同様
に耐蝕性、耐熱性、耐薬品性を有した部材で形成されて
いる。
The pressure-feeding bellows portion 11 includes a bellows 11a, a mounting flange plate 11b, a bottom plate 11c, and the like. The mounting flange plate 11b is placed on the flange 10a of the tank frame portion 10 and is fixed by fixing fittings such as bolts and clamps. The O-ring 19 maintains the airtightness. Bellows 11a
Is deformed when pressure is applied, it has corrosion resistance, heat resistance,
It is formed of a member having chemical resistance. The bottom plate 11
It is attached to the bottom of the bellows 11a, and moves up and down with expansion and contraction of the bellows 11a. Further, like the bellows, it is formed of a member having corrosion resistance, heat resistance, and chemical resistance.

【0016】また、圧送ベローズ部11の上には、タン
クカバー13がOリング18を介してボルト、クランプ
金具等で固定され、加圧空間12を形成している。した
がって、加圧導入部14を通じて加圧空間12に供給さ
れた加圧ガスは、外部に漏れる事なくベローズ11aの
みを押圧する。
Further, a tank cover 13 is fixed on the pressure-feeding bellows portion 11 with a bolt, a clamp, or the like via an O-ring 18 to form a pressurizing space 12. Therefore, the pressurized gas supplied to the pressurized space 12 through the pressurizing introduction unit 14 presses only the bellows 11a without leaking to the outside.

【0017】加圧導入部14は、操作弁14aを備える
と共に、タンクカバー13を貫いて加圧空間12内に加
圧ガスを供給する。
The pressurizing introduction section 14 includes an operation valve 14 a and supplies a pressurized gas into the pressurizing space 12 through the tank cover 13.

【0018】次に、以上のように構成されたキャニスタ
タンクの動作について説明する。先ず、キャニスタタン
クは、加圧導入部14の操作弁14aと、液体材料排出
部15の弁が閉じられており、加圧空間12の圧力P1
と液体材料6の圧力P2とは、平衡状態にある(P1=
P2)。
Next, the operation of the canister tank configured as described above will be described. First, in the canister tank, the operation valve 14a of the pressurization introduction unit 14 and the valve of the liquid material discharge unit 15 are closed, and the pressure P1
And the pressure P2 of the liquid material 6 are in an equilibrium state (P1 =
P2).

【0019】液体材料6を半導体製造装置の反応室に供
給する際には、加圧導入部14に半導体製造装置の反応
室での使用圧力P3、加圧空間での圧力P1,液体材料
の圧力P2とすると、液体材料の圧力P2よりも高い一
定の圧力P0のガスを導入できるような加圧ガス配管を
取り付ける(P0≧P1=P2≧P3)。また、液体材
料排出部15には、半導体製造装置のプロセスガス制御
部に接続する液体材料供給配管を取り付ける。
When the liquid material 6 is supplied to the reaction chamber of the semiconductor manufacturing apparatus, the pressure introducing section 14 supplies the working pressure P3 in the reaction chamber of the semiconductor manufacturing apparatus, the pressure P1 in the pressurized space, and the pressure of the liquid material. Assuming that P2, a pressurized gas pipe capable of introducing a gas having a constant pressure P0 higher than the pressure P2 of the liquid material is attached (P0 ≧ P1 = P2 ≧ P3). Further, a liquid material supply pipe connected to a process gas control unit of the semiconductor manufacturing apparatus is attached to the liquid material discharge unit 15.

【0020】加圧ガス配管と液体材料供給配管をキャニ
スタタンクに接続した後、液体材料供給配管ラインを真
空ポンプで吸引して、配管内のガスを取り除く(P0≧
P1=P2>P3)。次に、加圧導入部14の操作弁1
4aを開き、加圧ガスを加圧空間12内に導入する。す
ると、加圧ガスが加圧空間12内に導入され、加圧ガス
の圧力P0、加圧空間P1、液体材料の圧力P2、液体
材料排出部15側(半導体製造装置のプロセスガス制御
側)の圧力P3との関係が、P0=P1=P2>P3と
なるように圧送ベローズ部11が膨張する。
After connecting the pressurized gas pipe and the liquid material supply pipe to the canister tank, the liquid material supply pipe line is suctioned by a vacuum pump to remove gas from the pipe (P0 ≧
P1 = P2> P3). Next, the operating valve 1 of the pressurizing introduction section 14
4 a is opened, and a pressurized gas is introduced into the pressurized space 12. Then, the pressurized gas is introduced into the pressurized space 12, and the pressure P0 of the pressurized gas, the pressurized space P1, the pressure P2 of the liquid material, the liquid material discharge unit 15 side (the process gas control side of the semiconductor manufacturing apparatus). The pressure-feeding bellows portion 11 expands such that the relationship with the pressure P3 satisfies P0 = P1 = P2> P3.

【0021】次に、液体材料排出部15の弁を開くこと
で、液体材料6は、圧送される(P1>P2=P3)。
半導体製造装置が液体材料6を消費しない場合、液体材
料排出部15のOUT側の圧力が減少しないために、P
0=P1=P2=P3となり、液体材料6は圧送されな
い。半導体製造装置が液体材料6を消費する場合、圧力
関係は、P0=P1>P2=P3となり、圧送圧力P0
と液体材料排出部15のOUT側の圧力P3の差により
液体材料6は、半導体製造装置の反応室に圧送され続け
る事となる。
Next, the liquid material 6 is pressure-fed by opening the valve of the liquid material discharge section 15 (P1> P2 = P3).
When the semiconductor manufacturing apparatus does not consume the liquid material 6, the pressure on the OUT side of the liquid material discharge unit 15 does not decrease.
0 = P1 = P2 = P3, and the liquid material 6 is not pumped. When the semiconductor manufacturing apparatus consumes the liquid material 6, the pressure relationship is P0 = P1> P2 = P3, and the pumping pressure P0
The liquid material 6 continues to be pressure-fed to the reaction chamber of the semiconductor manufacturing apparatus due to the difference between the pressure P3 and the OUT-side pressure P3 of the liquid material discharge unit 15.

【0022】液体材料6の圧送を停止し、キャニスタタ
ンクの交換を行う場合、半導体製造装置の液体材料6の
使用を中止する。次に、液体材料排出部15の弁を閉
じ、加圧導入部14の操作弁14aを閉じる。その後、
半導体製造装置のプロセスガス制御部に通じる液体材料
供給配管、加圧導入部14に通じる加圧ガス配管を半導
体製造装置等から真空引きを行う。次に、N2 等のパー
ジガスにより、パージを行う。真空引きとパージを繰り
返すことで、液体材料6と加圧ガスを配管内から抜き、
パージガスを詰めた後、加圧導入部14と液体材料排出
部15の接続部を外す。この様にして、キャニスタタン
クを交換する事が出来る。
When the pumping of the liquid material 6 is stopped to replace the canister tank, the use of the liquid material 6 in the semiconductor manufacturing apparatus is stopped. Next, the valve of the liquid material discharge section 15 is closed, and the operation valve 14a of the pressurization introduction section 14 is closed. afterwards,
The liquid supply pipe connected to the process gas control unit of the semiconductor manufacturing apparatus and the pressurized gas pipe connected to the pressurization introduction unit 14 are evacuated from the semiconductor manufacturing apparatus and the like. Next, purging is performed with a purge gas such as N 2 . By repeatedly evacuating and purging, the liquid material 6 and the pressurized gas are extracted from the piping,
After filling the purge gas, the connection between the pressurizing introduction unit 14 and the liquid material discharge unit 15 is disconnected. In this way, the canister tank can be replaced.

【0023】この様に、本発明の半導体製造装置では、
加圧ガスが直接液体材料6に触れる事がないので、ガス
及びガス中の不純物が液体材料内に溶け出す事がない。
したがって、液体材料の純度を高く保持する事が出来、
製造する半導体基板表面の被膜に影響を与える事がな
い。また、高価な不活性ガスを必要とせず、通常の空気
(ドライエア)、水、オイル等の使用も可能である。
As described above, in the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention,
Since the pressurized gas does not directly touch the liquid material 6, the gas and impurities in the gas do not dissolve into the liquid material.
Therefore, the purity of the liquid material can be kept high,
It does not affect the film on the surface of the semiconductor substrate to be manufactured. Moreover, it is not necessary to use an expensive inert gas, and ordinary air (dry air), water, oil or the like can be used.

【0024】図2は、本発明の半導体製造装置の全体構
成を示す概略構成図である。ここで、半導体製造装置
は、加圧導入部14から供給された加圧ガスによって液
体材料を液体材料排出部15から排出するキャニスタタ
ンク24と、該キャニスタタンク24から排出した液体
材料の流量を検出する液体流量制御器22と,供給され
た液体材料を気化する気化器25と、気化された液体材
料によって半導体基板表面に被膜を形成する処理室26
と、配管内のガスを吸引する真空ポンプ27等から構成
されている。
FIG. 2 is a schematic configuration diagram showing the entire configuration of the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention. Here, the semiconductor manufacturing apparatus detects the canister tank 24 that discharges the liquid material from the liquid material discharge unit 15 by the pressurized gas supplied from the pressurization introduction unit 14 and the flow rate of the liquid material discharged from the canister tank 24. A liquid flow controller 22, a vaporizer 25 for vaporizing the supplied liquid material, and a processing chamber 26 for forming a film on the semiconductor substrate surface with the vaporized liquid material.
And a vacuum pump 27 for sucking gas in the piping.

【0025】この様な半導体製造装置において、キャニ
スタタンク24内に充填された液体材料をメーカにて充
填された時と略変わらない高純度を保ちつつ、処理室2
6へ供給する事が重要となる。
In such a semiconductor manufacturing apparatus, the processing chamber 2 is maintained while maintaining the high purity which is almost the same as when the liquid material filled in the canister tank 24 is filled by the manufacturer.
6 is important.

【0026】図3は、本発明の半導体製造装置に使用さ
れるキャニスタタンクの第二の実施例を示す断面図であ
る。本実施例は、加圧導入部14の一部に逆止弁20が
設けられると共に、液体材料排出部15の一部に減圧弁
21、液体流量制御器22及び逆止弁23が設けられて
いる。また、液体流量制御器22は、一段に限らず、二
段構成に配置してもよい。
FIG. 3 is a sectional view showing a second embodiment of the canister tank used in the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention. In this embodiment, a check valve 20 is provided in a part of the pressurizing introduction part 14 and a pressure reducing valve 21, a liquid flow controller 22 and a check valve 23 are provided in a part of the liquid material discharge part 15. I have. Further, the liquid flow controller 22 is not limited to one stage, and may be arranged in a two-stage configuration.

【0027】以上のように構成した場合、真空ポンプ等
による脈動或るいは、吸熱反応による温度勾配等が生じ
た場合、液体材料のキャニスタタンク内への逆流を阻止
する事が出来る。配管内で純度の低下した液体材料がキ
ャニスタタンク内に流入する事がない。
In the case of the above configuration, when pulsation by a vacuum pump or the like or a temperature gradient due to an endothermic reaction occurs, backflow of the liquid material into the canister tank can be prevented. Liquid material with reduced purity in the piping does not flow into the canister tank.

【0028】尚、本発明は以上の実施例に限ることなく
本発明の技術思想に基づいて種々の設計変更が可能であ
る。
The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various design changes can be made based on the technical concept of the present invention.

【0029】[0029]

【発明の効果】第1の効果は、加圧ガス(加圧流体)が
液体材料内に溶け込むおそれがなく、液体材料の純度低
下を防ぐ事ができる。その理由は、液体材料と加圧ガス
が直接接触する事がないからである。また、タンクの交
換時に劣化した古い液が残る事なく、高純度を保つ事が
できる。
The first effect is that there is no possibility that the pressurized gas (pressurized fluid) dissolves in the liquid material, and it is possible to prevent the purity of the liquid material from lowering. The reason is that there is no direct contact between the liquid material and the pressurized gas. Also, high purity can be maintained without leaving old liquid deteriorated when the tank is replaced.

【0030】第2の効果は、加圧空間への液体材料のリ
ークを防止する事が出来る。その理由は、液体材料を加
圧する部分に摺動部分がないからである。第3の効果
は、加圧流体として高価なHe、Ar、N2 等の不活性
ガスを使用する必要がなく、経済的である。その理由
は、液体材料と加圧ガスが直接接触する事がないからで
ある。また、液体材料の排出方向が限定される事なく、
装置設計の自由度が大きい。
The second effect is that leakage of the liquid material into the pressurized space can be prevented. The reason is that there is no sliding portion in the portion where the liquid material is pressed. The third effect is that there is no need to use expensive inert gas such as He, Ar, or N 2 as the pressurized fluid, and it is economical. The reason is that there is no direct contact between the liquid material and the pressurized gas. Also, the discharge direction of the liquid material is not limited,
Large degree of freedom in equipment design.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】図1は、本発明の半導体製造装置に使用される
キャニスタタンクの第一の実施例を示す断面図である。
FIG. 1 is a sectional view showing a first embodiment of a canister tank used in a semiconductor manufacturing apparatus of the present invention.

【図2】図2は、本発明の半導体製造装置の全体構成を
示す概略構成図である。
FIG. 2 is a schematic configuration diagram showing an overall configuration of a semiconductor manufacturing apparatus of the present invention.

【図3】図3は、本発明の半導体製造装置に使用される
キャニスタタンクの第二の実施例を示す断面図である。
FIG. 3 is a sectional view showing a second embodiment of the canister tank used in the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention.

【図4】図4は、従来の半導体製造装置に使用されるキ
ャニスタタンクの一例を示す縦断面図である。
FIG. 4 is a longitudinal sectional view showing an example of a canister tank used in a conventional semiconductor manufacturing apparatus.

【図5】図5は、従来の半導体製造装置に使用されるキ
ャニスタタンクの他の例を示す縦断面図である。
FIG. 5 is a longitudinal sectional view showing another example of a canister tank used in a conventional semiconductor manufacturing apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 タンクフレーム 2 Oリング 3 タンクカバー 4 加圧ガス導入部 5 液体材料排出部 6 液体材料 7 加圧空間 8 Oリング 9 ピストン 10 タンクフレーム部 10a フランジ 11 圧送ベローズ部 11a ベローズ 11b 取り付けフランジ板 11c 底板 12 加圧空間 13 タンクカバー 14 加圧導入部 14a 操作弁 15 液体材料排出部 16 第1のOリング溝 17 第2のOリング溝 18 Oリング 19 Oリング 20 逆止弁 21 減圧弁 22 液体流量制御器 23 逆止弁 24 キャニスタタンク 25 気化器 26 処理室 27 真空ポンプ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Tank frame 2 O-ring 3 Tank cover 4 Pressurized gas introduction part 5 Liquid material discharge part 6 Liquid material 7 Pressurized space 8 O-ring 9 Piston 10 Tank frame part 10a Flange 11 Pressure bellows part 11a Bellows 11b Mounting flange plate 11c Bottom plate DESCRIPTION OF SYMBOLS 12 Pressurized space 13 Tank cover 14 Pressurized introduction part 14a Operation valve 15 Liquid material discharge part 16 First O-ring groove 17 Second O-ring groove 18 O-ring 19 O-ring 20 Check valve 21 Pressure reducing valve 22 Liquid flow rate Controller 23 Check valve 24 Canister tank 25 Vaporizer 26 Processing chamber 27 Vacuum pump

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/31 H01L 21/205 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) H01L 21/31 H01L 21/205

Claims (7)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 キャニスタタンク内に収納された液体材
料を排出口から気化装置に供給し、該気化装置によって
気化させた後、反応室に供給し半導体基板の表面に被膜
を形成する半導体製造装置において、当該半導体製造装
置は、液体材料を貯蔵するためのタンクフレーム部と、
該タンクフレームに気密状態で取り付けられた圧送ベロ
ーズ部と、圧送ベローズ部の内側面に対向し、当該圧送
ベローズ部の内側面との間で加圧空間を形成するタンク
カバーと、当該加圧空間に作動流体を供給する加圧導入
部と、当該圧送ベローズ部の外側部と当該タンクフレー
ム部との間に保持された液体材料が、当該圧送ベローズ
部の変位に応答して当該タンクフレーム部内から排出さ
れる液体材料排出部とから構成されたキャニスタタンク
を備えた事を特徴とする半導体製造装置。
1. A semiconductor manufacturing apparatus for supplying a liquid material contained in a canister tank to a vaporizer through an outlet, vaporizing the liquid material through the vaporizer, supplying the vaporized material to a reaction chamber, and forming a film on the surface of a semiconductor substrate. In the semiconductor manufacturing apparatus, a tank frame for storing a liquid material,
And pumping the bellows portion mounted airtightly to the tank frame, facing the inner surface of the pumping bellows portion, the pumping
Tank that forms a pressurized space between the bellows and the inner surface
Pressurization for supplying working fluid to the cover and the pressurized space
Part, the outer part of the pumping bellows part and the tank frame
The liquid material held between the bellows
Discharged from the tank frame in response to the displacement of the
And a liquid material discharge section
A semiconductor manufacturing apparatus comprising:
【請求項2】 前記圧送ベローズ部は、取り付けフラン
ジ板によって、キャニスタタンクの一部に固定された事
を特徴とする請求項1記載の半導体製造装置。
2. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1, wherein said pressure-feeding bellows portion is fixed to a part of a canister tank by a mounting flange plate.
【請求項3】 前記圧送ベローズ部は、底部に底板を有
した事を特徴とする請求項1記載の半導体製造装置。
3. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1, wherein said pressure-feeding bellows portion has a bottom plate at a bottom portion.
【請求項4】 前記加圧導入部に逆止弁を設けた事を特
徴とする請求項1記載の半導体製造装置。
4. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1, wherein a check valve is provided in said pressurizing introduction section.
【請求項5】 前記液体材料排出部に減圧弁を設けた事
を特徴とする請求項1記載の半導体製造装置。
5. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1, wherein a pressure reducing valve is provided in the liquid material discharge section.
【請求項6】 前記キャニスタタンクは、耐蝕性材料で
構成された事を特徴とする請求項1記載の半導体製造装
置。
6. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1, wherein said canister tank is made of a corrosion-resistant material.
【請求項7】 前記タンクフレーム部は、ステンレス鋼
で構成した事を特徴とする請求項1記載の半導体製造装
置。
7. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1, wherein said tank frame is made of stainless steel.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014052911A (en) * 2012-09-07 2014-03-20 Panasonic Corp Home security system

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