JP3147808B2 - Error detection circuit - Google Patents

Error detection circuit

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JP3147808B2
JP3147808B2 JP08133297A JP8133297A JP3147808B2 JP 3147808 B2 JP3147808 B2 JP 3147808B2 JP 08133297 A JP08133297 A JP 08133297A JP 8133297 A JP8133297 A JP 8133297A JP 3147808 B2 JP3147808 B2 JP 3147808B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、バイアス電流値の
異常検出回路に関し、特にトランジスタを用いた増幅器
のトランジスタのバイアス電流値異常検出回路に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a circuit for detecting an abnormal bias current value, and more particularly to a circuit for detecting an abnormal bias current value of a transistor of an amplifier using a transistor.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来この種の電流値異常検出回路は、主
に、トランジスタ等の被バイアス素子が過電流状態にな
った場合など電源を断とし、素子および周辺部品の焼損
を防止し、電源を保護する目的で設けられる。このよう
な目的とした電流値異常検出回路としては、例えば、F
ETのバイアス電圧異常検出回路として実開昭56−9
6724号公報(第1の従来技術)、増幅器過電流検出
回路として特開昭62−276907号公報(第2の従
来技術)、電力増幅器の過電流防止回路として特開平3
−184405号公報(第3の従来技術)に記載された
ものなどがある。また、電流の減少も検出し警報を出力
する機能も備えたものとして、増幅装置の電源電流の異
常増加および異常減少検出警報回路である特開平2−2
14316号公報(第4の従来技術)などがある。
2. Description of the Related Art Conventionally, this type of current value abnormality detection circuit mainly cuts off the power supply when a biased element such as a transistor is in an overcurrent state, prevents burning of the element and peripheral parts, and It is provided for the purpose of protecting. As a current value abnormality detection circuit for such a purpose, for example, F
56-9 as the ET bias voltage abnormality detection circuit
No. 6724 (first prior art), Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-276907 (second conventional technology) as an amplifier overcurrent detection circuit, and Japanese Unexamined Patent Application Publication No.
No. 184405 (third prior art). Further, a circuit for detecting a decrease in current and outputting a warning is provided.
No. 14316 (fourth prior art).

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】前記種々の従来技術の
中で第1から第3の従来技術は、主に過電流状態の検出
に関するものであり、電流減少時の検出に関しては特に
記載は無い。
Among the above various prior arts, the first to third prior arts mainly relate to the detection of an overcurrent state, and there is no particular description about the detection when the current decreases. .

【0004】一方、第4の従来技術は電流の異常増加お
よび異常減少状態を検出する回路に関してのものである
が、これは、単に電流値をモニターし電流の増加および
減少を検出して装置の異常を判断する機構を提案するに
過ぎない。
On the other hand, the fourth prior art relates to a circuit for detecting an abnormal increase or decrease in current, but this circuit simply monitors a current value and detects an increase or decrease in current to reduce the device. It merely proposes a mechanism for determining abnormalities.

【0005】ここで、第4の従来技術に関して図面を用
いて説明する。
Here, a fourth prior art will be described with reference to the drawings.

【0006】図5は、第4の従来技術のバイアス電流の
異常低下検出手段を説明するためのブロック図である。
FIG. 5 is a block diagram for explaining an abnormal bias current drop detecting means according to a fourth prior art.

【0007】本図において、被バイアス供給物1に対し
てバイアス供給電源端子10から供給し、その間にバイ
アス電流検出手段2を設けている。
In FIG. 1, a bias supply 1 is supplied to a bias supply 1 from a bias supply power supply terminal 10, and a bias current detecting means 2 is provided therebetween.

【0008】そして、バイアス電流検出手段2で得られ
たバイアス電流は、バイアス電流低下時警報出力手段3
に入力し、バイアス電流が所定の値よりも低下した場合
には警報出力端子11に出力する。
[0008] The bias current obtained by the bias current detecting means 2 is output to the bias current drop alarm output means 3.
When the bias current falls below a predetermined value, the alarm current is output to the alarm output terminal 11.

【0009】ここで、バイアス電流低下時警報出力手段
3の供給電源は、警報回路用別電源供給端子10bより
被バイアス供給物1やバイアス電流検出手段2とは別の
電源より供給されている。
Here, the power supply for the bias current drop warning output means 3 is supplied from a power supply different from the bias supply 1 and the bias current detection means 2 from the separate power supply terminal 10b for the warning circuit.

【0010】実際には、通常、警報出力時には電源を断
とするなどして焼損等を防止する回路を設けるが、前記
図5のごとく単に警報出力するのみでは、電源投入時に
初期電流値は零であるため異常状態と誤認識するという
不都合がある。これを回避するには、特別のシーケンス
回路等の誤動作防止手段を付加する必要があった。すな
わち、この従来技術によれば、単に電流の減少を検出す
るのみであり、電流の減少が、被バイアス素子等の故障
によるものなのか電源が印加されていないためなのかを
判別する手段についての記載はなく、前記誤動作に対す
る不具合に対処されていなかった。
In practice, a circuit is usually provided to prevent burnout, for example, by turning off the power supply at the time of alarm output. However, simply outputting an alarm as shown in FIG. Therefore, there is an inconvenience of erroneously recognizing an abnormal state. In order to avoid this, it is necessary to add a malfunction prevention means such as a special sequence circuit. That is, according to this conventional technique, only a decrease in the current is detected, and a means for determining whether the decrease in the current is due to a failure of the device to be biased or the like or because the power is not applied is provided. There is no description, and the problem with the malfunction is not addressed.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】以上説明したように本発
明の異常検出回路は、バイアス供給電源と共通の電源を
用いつつ、かつ、特別のシーケンス回路等の誤動作防止
手段を付加することなく、簡易な手段により電源投入時
の誤認識を防止することを目的としている。
As described above, the abnormality detection circuit of the present invention uses a common power supply as a bias supply power supply and does not add a malfunction prevention means such as a special sequence circuit. The purpose is to prevent erroneous recognition at the time of turning on the power by simple means.

【0012】本発明の異常検出回路は、請求項1による
と、バイアス電流値の異常を検出する異常検出回路にお
いて、該異常検出回路は、被バイアス供給物に対してバ
イアス電流を供給するバイアス供給電源により動作する
よう構成し、前記異常検出回路は、前記バイアス電流値
の異常検出時、警報信号として、バイアス電源から警報
出力端子に負荷手段を通じてバイアス電源電圧を出力す
るよう構成したことを特徴とする。
According to a first aspect of the present invention, there is provided an abnormality detection circuit for detecting an abnormality in a bias current value, wherein the abnormality detection circuit supplies a bias current to a bias supply. The power supply is configured to be operated by a power supply , and the abnormality detection circuit includes a bias current value.
Alarm from the bias power supply
Output bias power supply voltage to output terminal through load
It is characterized by having comprised so that it might be.

【0013】また、本発明の異常検出回路は、請求項2
によると、前記警報出力端子と地気(GND)との間を
断続する切替手段を有し、前記バイアス電流値の異常を
検出しない時、前記切替手段を閉成し、正常(非警報)
信号として、地気から前記警報出力端子に前記切替手段
を通じて地気電圧を出力するよう構成したことを特徴と
する請求項1記載の異常検出回路である。
Further, the abnormality detecting circuit according to the present invention is characterized in that:
According to the above, between the alarm output terminal and the earth (GND)
An intermittent switching means for detecting an abnormality in the bias current value;
When no detection is made, the switching means is closed and normal (non-alarm)
As a signal, the switching means from the ground to the alarm output terminal
2. The abnormality detection circuit according to claim 1, wherein the circuit is configured to output a ground voltage through the ground .

【0014】そして、請求項3によると、前記異常検出
回路は、バイアス電流値が規定値より低下したことを検
出する電流低下検出手段およびバイアス電流値が規定値
より増加したことを検出する電流増加検出手段を有する
ことを特徴とする請求項1または請求項2記載の異常検
出回路である。
According to the third aspect, the abnormality detecting circuit detects that the bias current value has fallen below a prescribed value.
Output current drop detection means and bias current value are specified values
The abnormality detection circuit according to claim 1 or 2, further comprising current increase detection means for detecting an increase .

【0015】さらに、請求項4によると、前記異常検出
回路は、バイアス電流値が規定値より低下したことを検
した場合に警報信号を出力する電流低下警報出力端子
と、バイアス電流値が規定値より増加したことを検出し
た場合に警報信号を出力する電流増加警報出力端子と
有することを特徴とする請求項記載の異常検出回路で
ある。
Further, according to the present invention, the abnormality detection circuit outputs an alarm signal when a bias current value is detected to be lower than a specified value.
And that the bias current value has increased from the specified value.
4. An abnormality detection circuit according to claim 3, further comprising a current increase alarm output terminal that outputs an alarm signal when the alarm signal is output .

【0016】請求項5によると、前記異常検出回路は、
FETトランジスタを用いた高周波電力増幅器におい
て、該FETトランジスタのバイアス電流値の異常を検
出することを特徴とする請求項1乃至のうち1に記載
の異常検出回路である。
According to a fifth aspect, the abnormality detection circuit includes:
In high frequency power amplifier using FET transistor
To detect an abnormality in the bias current value of the FET transistor.
An abnormality detection circuit according to one of claims 1 to 4, characterized in that output.

【0017】[0017]

【0018】[0018]

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について図面
を用いて説明する。
Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

【0019】図1は、本発明の異常検出回路の構成を示
すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of the abnormality detection circuit of the present invention.

【0020】本図において、バイアス供給電源端子10
から被バイアス供給物1に供給するバイアス電流をバイ
アス電流検出手段2により検出する。
In FIG. 1, a bias supply power supply terminal 10
, A bias current supplied to the bias supply 1 is detected by the bias current detecting means 2.

【0021】そして、バイアス電源はA点で分岐され、
バイアス電流低下検出時警報出力手段3にも供給され
る。バイアス電流低下検出時警報出力手段3は、負荷手
段5および切替手段4から構成されている。
The bias power supply is branched at point A,
It is also supplied to the alarm output means 3 upon detection of a decrease in bias current. The alarm output means 3 upon detection of a decrease in bias current includes a load means 5 and a switching means 4.

【0022】切替手段4は、バイアス電流検出手段2か
らのバイアス電流をもとに、正常時にスイッチ手段6を
閉じてD点の電位を地気(GND)に接続し、LOWレ
ベルとする。一方、異常時には、スイッチ手段6を開放
してD点をHIGHレベルとする。
The switching means 4 closes the switching means 6 based on the bias current from the bias current detection means 2 and connects the potential at the point D to the ground (GND) in a normal state, thereby setting the potential to the LOW level. On the other hand, when abnormal, the switch means 6 is opened to set the point D to a HIGH level.

【0023】負荷手段5は、バイアス電源端子10と切
替手段4の間に配置され、警報回路の負荷電流を制限
し、また、動作特性を改善する機能を有している。
The load means 5 is disposed between the bias power supply terminal 10 and the switching means 4 and has a function of limiting a load current of the alarm circuit and improving operation characteristics.

【0024】次に、バイアス電流検出手段2の構成につ
いては、種々の回路が考えられるが、例えば、図2に示
すようなオペアンプ(OP1)24と電流検出用抵抗
(RL)22を用いた構成が用いることができる。
Next, various circuits can be considered for the configuration of the bias current detecting means 2. For example, a configuration using an operational amplifier (OP1) 24 and a current detecting resistor (RL) 22 as shown in FIG. Can be used.

【0025】すなわち、図2において、電流検出用抵抗
22の両端の電圧をオペアンプ24と抵抗(R1,R
2)22で構成される差動増幅器で検出することができ
る。
That is, in FIG. 2, the voltage across the current detecting resistor 22 is applied to the operational amplifier 24 and the resistors (R1, R2).
2) It can be detected by the differential amplifier composed of 22.

【0026】また、バイアス電流低下時警報出力手段3
の構成については、図3のようなブロック図が適用でき
る。
The bias current drop warning output means 3
Is applicable to a block diagram as shown in FIG.

【0027】すなわち、図3において、切替手段4は、
トランジスタ(TR1)41とバイアス抵抗(R4,R
5)42とから構成される。トランジスタ41は、バイ
アス電流検出手段2の出力電圧が所定の値以上になると
オン状態となり、コレクタ電圧は地気となる。
That is, in FIG. 3, the switching means 4
Transistor (TR1) 41 and bias resistors (R4, R
5) 42. The transistor 41 is turned on when the output voltage of the bias current detecting means 2 exceeds a predetermined value, and the collector voltage becomes low.

【0028】一方、バイアス電流検出手段2の出力電圧
が所定の値以下となると、トランジスタ41はオープン
状態となる。
On the other hand, when the output voltage of the bias current detecting means 2 becomes lower than a predetermined value, the transistor 41 is opened.

【0029】負荷手段5については、例えば、トランジ
スタ41のコレクタに接続した抵抗(R3)52とツェ
ナーダイオード(D1)53から構成される。 〔実施例〕次に、本発明の実施例について図面を参照し
て詳細に説明する。
The load means 5 comprises, for example, a resistor (R3) 52 and a Zener diode (D1) 53 connected to the collector of the transistor 41. Embodiments Next, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

【0030】図4は電界効果トランジスタ(以下FET
と記す)を用いた高周波電力増幅器のドレインバイアス
供給回路に本発明の異常検出回路を適用した具体的実施
例を示す回路図である。本回路では、過電流時および電
流低下時のどちらの場合にも警報を出力するように機能
を構成している。
FIG. 4 shows a field effect transistor (hereinafter referred to as an FET).
FIG. 7 is a circuit diagram showing a specific embodiment in which the abnormality detection circuit of the present invention is applied to a drain bias supply circuit of a high-frequency power amplifier using the above-mentioned method. This circuit has a function to output an alarm in both cases of overcurrent and current drop.

【0031】一般に、FETが破壊した場合には、通常
ショートモードないしオープンモードとなる。ショート
モードとなると電源が過負荷となったり、抵抗その他の
周辺部品が焼損する恐れがある。一方、オープンモード
の場合には、シングルエンド構成では上記ショートモー
ドのような焼損等は生じないが、並列動作して合成する
ような増幅器においては、並列動作の一つが破壊した場
合にRF的にバランスをくずし他のFETを破損したり
終端器等を破損する恐れがある。従って、FETがオー
プンモードで破壊した場合にも異常を検出して電源を断
とするなどして保護する必要がある。
In general, when the FET is destroyed, a normal short mode or open mode is set. In the short mode, the power supply may be overloaded or the resistors and other peripheral parts may be burned. On the other hand, in the open mode, the single-ended configuration does not cause burnout or the like as in the short-circuit mode. There is a possibility that the balance may be lost and other FETs may be damaged or the terminator may be damaged. Therefore, even when the FET is destroyed in the open mode, it is necessary to protect it by detecting an abnormality and turning off the power.

【0032】図4の実施例においては、FET1にはド
レイン電流として10Atypに設定され、約2倍の2
0A以上の過電流時に過電流の警報を出力し、約半分の
5A以下になった場合に電流低下状態として警報を出力
する。
In the embodiment shown in FIG. 4, the drain current of the FET 1 is set to 10 Atyp, which is about twice as large as 2 A.
An overcurrent alarm is output at an overcurrent of 0 A or more, and an alarm is output as a current lowering state when the current is reduced to about half of 5 A or less.

【0033】電流検出手段2は、検出用の低抵抗RL の
電圧降下を検出しオペアンプ24により増幅の後、過電
流警報として端子11′に警報信号が出力され、また、
電流低下時警報出力手段3を通じて低電流時には端子1
1に警報信号が出力される。
The current detecting means 2 detects the voltage drop of the low resistance RL for detection and amplifies it by the operational amplifier 24, and then outputs an alarm signal to the terminal 11 'as an overcurrent alarm.
Terminal 1 at the time of low current through the alarm output means 3 at the time of current drop
1 outputs an alarm signal.

【0034】電流低下時警報出力手段3は電流検出手段
2の出力電圧によりTR1をON/OFFするように設
定されている。本実施例の場合には、C点の電圧は通常
約1.5V程度となるが、R4とR5の接続点がTR1
のベースエミッタ間電圧VBE(〜0.7V)以下になっ
た場合にTR1はOFFとなり、端子11にはツェナー
ダイオードD1、R3,OR用ダイオードD3、および
抵抗R7を経て電源電圧のHIGHレベルが出力され異
常と認識される。
The alarm output means 3 at the time of current drop is set so as to turn on / off TR1 by the output voltage of the current detection means 2. In the case of this embodiment, the voltage at the point C is usually about 1.5 V, but the connection point between R4 and R5 is TR1.
Becomes lower than the base-emitter voltage VBE (up to 0.7 V) or less, TR1 is turned off, and the HIGH level of the power supply voltage is output to the terminal 11 via the Zener diode D1, R3, OR diode D3 and resistor R7. Is recognized as abnormal.

【0035】正常時はTR1がON状態にある故、点D
はGNDレベルであり、従って端子11はLOWレベル
(OPEN)となる。
Since TR1 is in the ON state in the normal state, the point D
Is at the GND level, so that the terminal 11 is at the LOW level (OPEN).

【0036】従って、電源投入時はLOWレベルから変
化していく故、低電流警報が誤動作することはなく、電
源電圧が正常に印加されているにも関わらず電流値が低
下している場合を検出することが可能となる。
Accordingly, when the power is turned on, the low current alarm does not malfunction since the low level changes from the LOW level, and the low current alarm does not malfunction even though the power supply voltage is normally applied. It becomes possible to detect.

【0037】図中ツェナーダイオードD1は必ずしも必
要ではないが、ツェナー電圧分以上に電源電圧が上昇す
るまでは異常状態と誤動作しないように作用し、回路動
作がより正確になる。
Although the Zener diode D1 is not always necessary in the drawing, it operates so as not to malfunction as an abnormal state until the power supply voltage rises by more than the Zener voltage, and the circuit operation becomes more accurate.

【0038】R3は1kΩであるから、正常時はTR1
がON状態にある故、TR1のコレクタ電流は約10m
Aとなる。
Since R3 is 1 kΩ, TR1 is normal in normal operation.
Is in the ON state, the collector current of TR1 is about 10 m
A.

【0039】低電流異常時はツェナー電圧=6V、ダイ
オードD3のドロップを〜0.7Vとして、端子11に
は負荷抵抗R10との分圧比で決まる電圧が出力され
る。
When the low current is abnormal, the Zener voltage is set to 6 V, the drop of the diode D3 is set to 0.7V, and a voltage determined by the voltage dividing ratio with the load resistor R10 is output to the terminal 11.

【0040】端子11,11′はダイオードORが可能
な構成となっているため、双方を接続しまとめて一つの
警報として出力することも可能である。
Since the terminals 11 and 11 'are configured so as to enable a diode OR, they can be connected together and output as one alarm.

【0041】図4に示した電流検出手段2や電流低下時
警報出力手段3はあくまで本発明の機能を実現するため
の一実施例に過ぎず、同様の機能を有する他の手段によ
り実現してもよいことは言うまでもない。例えば、オペ
アンプはトランジスタで同機能を達成可能であるし、ま
た、TR1はFETまたはリレー等でも可能である。
The current detection means 2 and the alarm output means 3 at the time of a current drop shown in FIG. 4 are merely examples for realizing the function of the present invention, and are realized by other means having the same function. Needless to say, it is good. For example, the operational amplifier can achieve the same function by a transistor, and the TR1 can be an FET or a relay.

【0042】[0042]

【発明の効果】第一の効果は、本発明の異常検出回路に
よれば、バイアス供給電源と共通の電源を用いつつ、か
つ、特別のシーケンス回路等の誤動作防止手段を付加す
ることなく、簡易な手段により電源投入時の低電流異常
の誤認識、誤動作を防止することを可能とすることがで
きる。
The first effect is that, according to the abnormality detection circuit of the present invention, it is possible to use a simple power supply using a common power supply as a bias supply power supply and without adding a malfunction prevention means such as a special sequence circuit. By this means, it is possible to prevent erroneous recognition of a low-current abnormality at power-on and prevent erroneous operation.

【0043】その理由は、バイアス供給電源と共通の電
源を用い、バイアス供給電源と同一の極性のHIGHレ
ベルを異常状態時の警報信号として設定しているからで
ある。これにより、電源投入時に、装置(電源)が立ち
上がらないような不具合を防止し、特別のシーケンス回
路等の誤動作防止手段を付加することなく実現すること
が可能となる。
The reason is that a power supply common to the bias supply power supply is used, and a HIGH level having the same polarity as the bias supply power supply is set as an alarm signal in an abnormal state. As a result, it is possible to prevent a problem that the apparatus (power supply) does not start up when the power is turned on, and to realize the apparatus without adding a malfunction prevention means such as a special sequence circuit.

【0044】第二の効果は電源電圧が正常に印加されて
いる状態で電流値が規定の値より低い場合のみを異常と
認識することを簡易な構成により実現できる。
The second effect is that it can be realized with a simple configuration that only when the power supply voltage is normally applied and the current value is lower than the specified value is recognized as abnormal.

【0045】その理由は、警報出力手段の出力信号とし
てバイアス電源電圧を意図的に利用して論理回路を構成
しているからである。
The reason is that a logic circuit is constructed by intentionally using a bias power supply voltage as an output signal of the alarm output means.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態の構成を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a configuration of an embodiment of the present invention.

【図2】図1のバイアス電流検出手段2の構成を示す図
である。
FIG. 2 is a diagram showing a configuration of a bias current detecting means 2 of FIG.

【図3】図1のバイアス電流低下時警報出力手段3の構
成を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing a configuration of a bias current drop warning output unit 3 of FIG. 1;

【図4】本発明の異常検出回路の実施例を示す図であ
る。
FIG. 4 is a diagram showing an embodiment of the abnormality detection circuit of the present invention.

【図5】従来の異常検出回路の構成を示す図である。FIG. 5 is a diagram illustrating a configuration of a conventional abnormality detection circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 被バイアス供給物 2 バイアス電流検出手段 3 バイアス電流低下時警報出力手段 4 切替手段 5 負荷手段 6 スイッチ手段 10 バイアス供給電源端子 10b 警報回路用別電源供給端子 11 警報出力端子 21 トランジスタ 22,42,52,62,63 抵抗 53 ツェナーダイオード 24 FET 25,61 ダイオード 24 オペアンプ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Bias supply thing 2 Bias current detection means 3 Alarm output means at the time of a bias current fall 4 Switching means 5 Load means 6 Switching means 10 Bias supply power supply terminal 10b Power supply terminal for another alarm circuit 11 Alarm output terminal 21 Transistor 22,42,42 52, 62, 63 Resistance 53 Zener diode 24 FET 25, 61 Diode 24 Operational amplifier

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 バイアス電流値の異常を検出する異常検
出回路において、 該異常検出回路は、被バイアス供給物に対してバイアス
電流を供給するバイアス供給電源により動作するよう構
成し、前記異常検出回路は、前記バイアス電流値の異常
検出時、警報信号として、バイアス電源から警報出力端
子に負荷手段を通じてバイアス電源電圧を出力するよう
構成したことを特徴とする異常検出回路。
1. An abnormality detection circuit for detecting an abnormality in a bias current value , wherein the abnormality detection circuit is configured to operate by a bias supply power supply that supplies a bias current to a bias supply , and the abnormality detection circuit includes: Indicates that the bias current value is abnormal.
When detected, an alarm signal is output from the bias power
Output bias power supply voltage to the
An abnormality detection circuit characterized by comprising.
【請求項2】 前記異常検出回路は、前記警報出力端子
と地気(GND)との間を断続する切替手段を有し、 前記バイアス電流値の異常を検出しない時、前記切替手
段を閉成し、正常(非警報)信号として、地気から前記
警報出力端子に前記切替手段を通じて地気電圧を出力す
るよう構成したことを特徴とする請求項記載の異常検
出回路。
2. The abnormality detection circuit includes switching means for switching between the alarm output terminal and ground (GND), and closes the switching means when no abnormality is detected in the bias current value. and, normally as (non-alarm) signal, the abnormality detection circuit according to claim 1, characterized by being configured to output a earthed voltage through said switching means to said alarm output terminal from the earthed.
【請求項3】 前記異常検出回路は、バイアス電流値が
規定値より低下したことを検出する電流低下検出手段お
よびバイアス電流値が規定値より増加したことを検出す
る電流増加検出手段を有することを特徴とする請求項1
または請求項2に記載の異常検出回路。
3. The abnormality detection circuit according to claim 1, wherein the abnormality detection circuit includes a current drop detection unit that detects that the bias current value has dropped below a predetermined value, and a current increase detection unit that detects that the bias current value has exceeded a predetermined value. Claim 1.
Alternatively, the abnormality detection circuit according to claim 2 .
【請求項4】 前記異常検出回路は、バイアス電流値が
規定値より低下したことを検出した場合に警報信号を出
力する電流低下警報出力端子と、バイアス電流値が規定
値より増加したことを検出した場合に警報信号を出力す
る電流増加警報出力端子とを有することを特徴とする請
求項記載の異常検出回路。
4. The abnormality detection circuit detects a current decrease alarm output terminal for outputting an alarm signal when detecting that the bias current value has dropped below a prescribed value, and detects that the bias current value has risen above the prescribed value. 4. The abnormality detection circuit according to claim 3, further comprising a current increase alarm output terminal for outputting an alarm signal when the operation is performed.
【請求項5】 前記異常検出回路は、FETトランジス
タを用いた高周波電力増幅器において、該FETトラン
ジスタのバイアス電流値の異常を検出することを特徴と
する請求項1乃至のうち1に記載の異常検出回路。
Wherein said abnormality detection circuit in the high frequency power amplifier using the FET transistor, the abnormality according to one of claims 1 to 4, characterized in that detecting an abnormality in the bias current of the FET transistor Detection circuit.
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