JP3144133B2 - TTL output circuit - Google Patents

TTL output circuit

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JP3144133B2
JP3144133B2 JP06783193A JP6783193A JP3144133B2 JP 3144133 B2 JP3144133 B2 JP 3144133B2 JP 06783193 A JP06783193 A JP 06783193A JP 6783193 A JP6783193 A JP 6783193A JP 3144133 B2 JP3144133 B2 JP 3144133B2
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一之 森竹
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、TTL出力回路、特に
ハイ出力インピーダンス・モード機能を備えたTTL出
力回路に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a TTL output circuit, and more particularly to a TTL output circuit having a high output impedance mode function.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、電子機器の高性能化が進むととも
に、TTL,CMOS等の汎用論理デバイス等のデジタ
ル信号処理回路の高速化や高密度化が進んできた。その
ため、バスライン中の同一の配線に複数の論理デバイス
を接続し、動作モードに応じて各デバイスからバスライ
ンに信号を出力させて、配線を共有化する試みがなされ
ている。このとき、動作を停止している側のデバイスの
出力インピーダンスが動作している側のデバイスの駆動
能力に悪影響を及ぼし、出力信号レベルの変動や動作波
形の歪等が問題となる。そこで、一つのデバイスから信
号を出力するときには、その他のデバイスの出力回路を
遮断し、出力をハイインピーダンスに切り換え可能なハ
イ出力インピーダンス・モードの機能を有するTTL出
力回路が必要になってきた。
2. Description of the Related Art In recent years, as the performance of electronic equipment has been improved, the speed and density of digital signal processing circuits such as general-purpose logic devices such as TTL and CMOS have been improved. For this reason, an attempt has been made to connect a plurality of logical devices to the same wiring in a bus line and to output signals from each device to the bus line in accordance with an operation mode to share the wiring. At this time, the output impedance of the device on which operation is stopped adversely affects the driving capability of the device on which operation is performed, and fluctuations in output signal levels, distortion of operation waveforms, and the like become problems. Therefore, when outputting a signal from one device, a TTL output circuit having a function of a high output impedance mode capable of switching off an output circuit of another device and switching an output to a high impedance has been required.

【0003】以下に、従来のTTL出力回路の一例につ
いて、図3を用いて説明する。図3において、1〜3は
電源端子、4,5は差動のデジタル信号が入力される入
力端子、6は出力端子、7は電流源、10,11,14
〜16,19はトランジスタ、20〜23は抵抗、2
6,27はダイオード、28はスイッチ手段である。
An example of a conventional TTL output circuit will be described below with reference to FIG. 3, reference numerals 1 to 3 denote power supply terminals, 4 and 5 denote input terminals to which differential digital signals are input, 6 denotes an output terminal, 7 denotes a current source, 10, 11, and 14.
16 and 19 are transistors, 20 to 23 are resistors, 2
Reference numerals 6 and 27 denote diodes, and reference numeral 28 denotes switching means.

【0004】そして、従来のTTL出力回路では、トラ
ンジスタ10,11のエミッタ同士を接続して差動回路
を構成し、それらのコレクタに抵抗23,22を接続す
る。抵抗22を高電圧用の電源端子1に接続し、抵抗2
3を低電圧用の電源端子3に接続する。トランジスタ1
0,11のエミッタ共通接続点に電流源7を接続し、ト
ランジスタ10,11の各ベースには入力端子5,4か
ら差動のデジタル信号を入力する。トランジスタ11の
コレクタにダーリントン接続のトランジスタ14,15
を接続し、そのエミッタ出力に出力端子6を接続する。
抵抗20を、リーク対策とスイッチング速度の確保のた
めに、トランジスタ15のベース・エミッタ間に接続し
ている。トランジスタ10のコレクタには、トランジス
タ16によるエミッタホロワ回路を接続し、その出力で
エミッタ接地の出力用トランジスタ19を駆動する。ト
ランジスタ19のコレクタをトランジスタ15のエミッ
タに接続し、トランジスタ15とトランジスタ19とを
交互に導通させて、低インピーダンスでスイッチング動
作させる構成になっている。そして、トランジスタ1
0,11のコレクタ間に逆直列接続のダイオード26,
27を接続し、その中間接続点と接地用電源端子2との
間に接続されたスイッチ手段28の開閉によって、動作
モードを切り換える構成となっている。
In a conventional TTL output circuit, a differential circuit is formed by connecting the emitters of the transistors 10 and 11 to each other, and resistors 23 and 22 are connected to their collectors. The resistor 22 is connected to the power supply terminal 1 for high voltage,
3 is connected to the power terminal 3 for low voltage. Transistor 1
The current source 7 is connected to the emitter common connection point of 0 and 11, and a differential digital signal is input to the bases of the transistors 10 and 11 from the input terminals 5 and 4. Darlington-connected transistors 14 and 15 are connected to the collector of transistor 11
And the output terminal 6 is connected to the emitter output.
The resistor 20 is connected between the base and the emitter of the transistor 15 to prevent leakage and secure a switching speed. An emitter follower circuit composed of a transistor 16 is connected to the collector of the transistor 10, and the output of the transistor 10 drives a common-emitter output transistor 19. The collector of the transistor 19 is connected to the emitter of the transistor 15, and the transistor 15 and the transistor 19 are alternately turned on to perform a switching operation with low impedance. And transistor 1
A diode 26 connected in reverse series between the collectors of 0 and 11;
27 is connected, and an operation mode is switched by opening and closing a switch means 28 connected between the intermediate connection point and the ground power supply terminal 2.

【0005】以下その動作について説明する。まず、通
常の動作モードでは、スイッチ手段28が開放状態にあ
り、差動デジタル信号の入力される入力端子4にハイレ
ベルが入力され、同じく入力端子5にローレベルの信号
が入力されると、トランジスタ11が導通になってトラ
ンジスタ10がカットオフになるため、電流源7の電流
は抵抗22に流れ、トランジスタ11のコレクタがロー
レベル、トランジスタ10のコレクタがハイレベルにな
る。このような状態においてトランジスタ14,15は
カットオフになり、トランジスタ16,19は導通す
る。したがって、出力端子6の電圧はローレベル、すな
わちトランジスタ19のコレクタ・エミッタ間飽和電圧
(約0.2V)になる。
The operation will be described below. First, in the normal operation mode, when the switch means 28 is in an open state, a high level is input to the input terminal 4 to which the differential digital signal is input, and a low level signal is input to the input terminal 5 as well. Since the transistor 11 is turned on and the transistor 10 is cut off, the current of the current source 7 flows to the resistor 22, and the collector of the transistor 11 goes low and the collector of the transistor 10 goes high. In such a state, the transistors 14 and 15 are cut off, and the transistors 16 and 19 are turned on. Therefore, the voltage of the output terminal 6 is at a low level, that is, the saturation voltage between the collector and the emitter of the transistor 19 (about 0.2 V).

【0006】前述とは逆に、入力端子4にローレベルの
信号が、また、入力端子5にハイレベルの信号が入力さ
れると、トランジスタ10が導通になり、トランジスタ
11がカットオフになるため、電流源7の電流は抵抗2
3に流れ、トランジスタ11のコレクタがハイレベル、
トランジスタ10のコレクタがローレベルになる。この
ような状態で、トランジスタ14,15が導通し、トラ
ンジスタ16,19がカットオフになる。したがって、
出力端子6の電圧はハイレベル、すなわち電源端子1の
電圧よりトランジスタ14,15のベース・エミッタ間
電圧の和だけ低い電圧(電源端子1の電圧を5Vとする
と約3.6V)になる。そして、負荷が軽い場合には、
徐々に電源端子1の電圧よりトランジスタ14のベース
・エミッタ間電圧だけ低い電圧(電源端子1の電圧を5
Vとすると約4.3V)に近づく。
Conversely, when a low-level signal is input to the input terminal 4 and a high-level signal is input to the input terminal 5, the transistor 10 is turned on and the transistor 11 is cut off. , The current of the current source 7 is the resistance 2
3, the collector of the transistor 11 is at a high level,
The collector of the transistor 10 goes low. In such a state, the transistors 14 and 15 are turned on, and the transistors 16 and 19 are cut off. Therefore,
The voltage at the output terminal 6 is at a high level, that is, a voltage lower than the voltage at the power supply terminal 1 by the sum of the base-emitter voltages of the transistors 14 and 15 (approximately 3.6 V when the voltage at the power supply terminal 1 is 5 V). And when the load is light,
A voltage gradually lowering the voltage of the power supply terminal 1 by the voltage between the base and the emitter of the transistor 14 (the voltage of the power supply terminal 1 is
V, it approaches approximately 4.3V).

【0007】以上の動作で、入力端子4,5から入力さ
れる差動デジタル信号のレベルをTTL相当の電圧レベ
ルに変換し、出力端子6に出力する。また、ダイオード
26,27に接続されたスイッチ手段28を導通させる
と、トランジスタ14,16のベース電位はダイオード
26,27の順方向ダイオード電圧(約0.7V)に等
しくなる。そのため、トランジスタ14,15およびト
ランジスタ16,19がカットオフになる。出力端子6
に接続されたトランジスタが全てカットオフ状態になる
ため、出力端子6はハイインピーダンスになる。
With the above operation, the level of the differential digital signal input from the input terminals 4 and 5 is converted into a voltage level equivalent to TTL and output to the output terminal 6. When the switch means 28 connected to the diodes 26 and 27 is turned on, the base potential of the transistors 14 and 16 becomes equal to the forward diode voltage of the diodes 26 and 27 (about 0.7 V). Therefore, the transistors 14, 15 and the transistors 16, 19 are cut off. Output terminal 6
Are all cut off, the output terminal 6 becomes high impedance.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
従来例では、スイッチ28が導通してハイ出力インピー
ダンス・モードになったとき、TTL出力端子6が外部
のバスラインに接続されていて、かつ、同じ配線に接続
されている他の回路がハイレベルの電圧(外部回路がC
MOS論理回路の場合は約5V)を出力している場合、
トランジスタ14のベース電位が約0.7Vであるのに
対して、エミッタ電位は約5Vとなり、トランジスタ1
4のベース・エミッタ間に印加される電圧は約4.2V
の逆バイアスとなる。
However, in the above-described conventional example, when the switch 28 is turned on to enter the high output impedance mode, the TTL output terminal 6 is connected to an external bus line, and Other circuits connected to the same wiring are at high level voltage (external circuit is C
Output about 5V for MOS logic circuit)
While the base potential of the transistor 14 is about 0.7 V, the emitter potential is about 5 V, and the transistor 1
The voltage applied between the base and the emitter is about 4.2V.
Reverse bias.

【0009】一方、回路の高速動作を実現するために、
拡散長の浅い微細構造のトランジスタを使用する必要が
ある。ところが、この種のトランジスタのベース・エミ
ッタ間を長時間にわたって逆バイアスすると、耐圧やh
FEが徐々に劣化することが知られている。このような特
性の劣化現象は、逆バイアス電圧が高ければ高いほど顕
著であり、ベース・エミッタ間のバイアスが逆耐圧BV
EBOの付近での使用は不可である。実使用に耐えられる
ベース・エミッタ間のバイアス電圧としては、ベース・
エミッタ間降伏電圧BVEBO(通常、約6V)の1/2
の大きさ(約3V)を限界とする実験結果が得られてい
る。
On the other hand, in order to realize a high-speed operation of the circuit,
It is necessary to use a transistor having a fine structure with a small diffusion length. However, if a reverse bias is applied between the base and the emitter of this type of transistor for a long time, the breakdown voltage and h
It is known that FE gradually deteriorates. Such deterioration of characteristics is more remarkable as the reverse bias voltage is higher, and the bias between the base and the emitter is higher than the reverse breakdown voltage BV.
It cannot be used near EBO . The base-emitter bias voltage that can withstand actual use
1/2 of the emitter breakdown voltage BVEBO (typically about 6V)
The experimental results have been obtained with the size (about 3 V) as the limit.

【0010】その実験結果から明らかなように、トラン
ジスタ14のベース・エミッタ間に4.2Vの逆バイア
スを与えることは、トランジスタの特性(hFEや耐圧)
が徐々に劣化し、長時間の使用に耐えられないという不
都合が生じ、信頼性の点で問題があった。
As is evident from the experimental results, applying a 4.2 V reverse bias between the base and the emitter of the transistor 14 requires the characteristics (h FE and breakdown voltage) of the transistor.
Gradually deteriorates, and there is an inconvenience that it cannot be used for a long time, and there is a problem in reliability.

【0011】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、ハイ出力インピーダンス・モードの回路動作に切り
換えても、高い信頼性が確保されるとともに、高速動作
が可能なTTL出力回路を提供することを目的とする。
The present invention solves the above-mentioned conventional problems, and provides a TTL output circuit which ensures high reliability and can operate at high speed even when switching to a circuit operation in a high output impedance mode. The purpose is to:

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、第1の発明のTTL出力回路は、第1の電流源の
固定化された出力電流がエミッタ共通接続点に供給され
る第1の差動電流スイッチと、通常モード時にゼロ出力
であって、ハイ出力インピーダンス・モード時に第1の
電流源と等価な出力電流を出力する第2の電流源がエミ
ッタ共通接続点に接続された第2の差動電流スイッチ
と、第1,第2の差動電流スイッチの二つの入力端同士
を並列接続し、二つの出力端同士を交差接続したダブル
バランス型差動電流スイッチと、電源端子と接地端子と
の間に第1,第2のトランジスタの主電流路を直列接続
し、高電位側の前記第1のトランジスタのベースがダブ
ルバランス型差動電流スイッチの一方の出力端に結合さ
れ、低電位側の第2のトランジスタのベースがダブルバ
ランス型差動電流スイッチの他方の出力端に結合された
トーテムポール型の出力回路と、第1のトランジスタの
エミッタに接続された出力端子と、入力端が出力端子に
接続されたダーリントン接続のエミッタホロワ回路とを
備え、ハイ出力インピーダンス・モード時にエミッタホ
ロワ回路のエミッタ出力で第1のトランジスタのベース
入力をクランプする構成とした。
To achieve the above object, a TTL output circuit according to a first aspect of the present invention provides a TTL output circuit in which a fixed output current of a first current source is supplied to a common emitter connection point. One differential current switch and a second current source that outputs zero output in the normal mode and outputs an output current equivalent to the first current source in the high output impedance mode are connected to the common emitter connection point. A second differential current switch, a double-balanced differential current switch in which two input terminals of the first and second differential current switches are connected in parallel and two output terminals are cross-connected, and a power supply terminal The main current paths of the first and second transistors are connected in series between the first terminal and the ground terminal, and the base of the first transistor on the high potential side is coupled to one output terminal of the double balanced differential current switch. , The second on the low potential side A totem-pole output circuit in which the base of the transistor is coupled to the other output terminal of the double-balanced differential current switch; an output terminal connected to the emitter of the first transistor; and an input terminal connected to the output terminal And a Darlington-connected emitter follower circuit, wherein the base input of the first transistor is clamped by the emitter output of the emitter follower circuit in the high output impedance mode.

【0013】第2の発明のTTL出力回路は、第1の電
流源の固定化された出力電流がエミッタ共通接続点に供
給される第1の差動電流スイッチと、通常モード時にゼ
ロ出力であって、ハイ出力インピーダンス・モード時に
第1の電流源と等価な出力電流を出力する第2の電流源
がエミッタ共通接続点に接続された第2の差動電流スイ
ッチと、第1,第2の差動電流スイッチの二つの入力端
同士を並列接続し、二つの出力端同士を交差接続したダ
ブルバランス型差動電流スイッチと、電源端子と接地端
子との間に第1,第2のトランジスタの主電流路を直列
接続し、高電位側の第1のトランジスタのベースがダブ
ルバランス型差動電流スイッチの一方の出力端に結合さ
れ、低電位側の第2のトランジスタのベースがダブルバ
ランス型差動電流スイッチの他方の出力端に結合された
トーテムポール型の出力回路と、第1のトランジスタの
エミッタに接続された出力端子と、ゲート入力が前記出
力端子に接続されたMOS型トランジスタを用いたソー
スホロワ回路とを備え、ハイ出力インピーダンス・モー
ド時にソースホロワ回路のソース出力で第1のトランジ
スタのベース入力をクランプする構成とした。
A TTL output circuit according to a second aspect of the present invention includes a first differential current switch in which a fixed output current of a first current source is supplied to a common emitter connection point, and a zero output in a normal mode. A second differential current switch having a second current source for outputting an output current equivalent to the first current source in the high output impedance mode connected to the common emitter connection point; A double-balanced differential current switch in which two input terminals of a differential current switch are connected in parallel and two output terminals are cross-connected to each other, and a first transistor and a second transistor connected between a power supply terminal and a ground terminal. The main current paths are connected in series, the base of the high potential side first transistor is coupled to one output terminal of the double balanced differential current switch, and the base of the low potential side second transistor is connected to the double balanced type differential current switch. Dynamic current A source follower circuit using a totem-pole type output circuit coupled to the other output terminal of the switch, an output terminal connected to the emitter of the first transistor, and a MOS transistor having a gate input connected to the output terminal In the high output impedance mode, the base input of the first transistor is clamped by the source output of the source follower circuit.

【0014】[0014]

【作用】上述の第1の発明の構成によって、ハイ出力イ
ンピーダンス・モードになって、出力端子に接続された
トランジスタが全てカットオフになり、出力端子の外部
側からの印加電圧より内部電圧が下がったとき、ダーリ
ントン接続のエミッタホロワ回路の導通によって、出力
用の第1のトランジスタのベース電位が(出力端子の電
位より約1.4V低い電位)にクランプされ、第1のト
ランジスタのベース・エミッタ間の逆バイアス電圧が低
電圧に制限される。
According to the configuration of the first aspect of the invention, the high output impedance mode is set, all the transistors connected to the output terminal are cut off, and the internal voltage is lower than the voltage applied from the outside of the output terminal. Then, the base potential of the first transistor for output is clamped to a potential (about 1.4 V lower than the potential of the output terminal) by the conduction of the Darlington-connected emitter follower circuit, and the base-emitter of the first transistor is Reverse bias voltage is limited to low voltage.

【0015】上述の第2の発明の構成によって、ハイ出
力インピーダンス・モードになって、出力端子に接続さ
れたトランジスタが全てカットオフになり、出力端子の
外部側からの印加電圧より内部電圧が下がったとき、M
OS型トランジスタのソースホロワ回路の導通によっ
て、出力用の第1のトランジスタのベース電位が(出力
端子の電位より約1V低い電位)にクランプされ、第1
のトランジスタのベース・エミッタ間の逆バイアス電圧
がMOS型トランジスタのしきい値VT(約1V)に制
限される。また、MOS型トランジスタを除く出力端子
に接続された全てのトランジスタがカットオフ状態とな
るから、ハイ出力インピーダンス・モード時に高い出力
インピーダンスが実現できる。
According to the configuration of the second aspect, the high output impedance mode is set, all the transistors connected to the output terminal are cut off, and the internal voltage is lower than the voltage applied from the outside of the output terminal. When M
By the conduction of the source follower circuit of the OS-type transistor, the base potential of the first transistor for output is clamped to a potential (about 1 V lower than the potential of the output terminal),
The reverse bias voltage between the base and the emitter of this transistor is limited to the threshold value VT (about 1 V) of the MOS transistor. Further, since all the transistors connected to the output terminal except the MOS type transistors are cut off, a high output impedance can be realized in the high output impedance mode.

【0016】[0016]

【実施例】以下、本発明の一実施例について、図1を参
照しながら説明する。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG.

【0017】図1において、図4と同じ符号を付した要
素は同じ機能をもつものであり、それについての具体的
な説明を省略する。7,8は電流源、9はスイッチ、1
0〜19はトランジスタである。そして、ここで言う差
動デジタル信号は、互いに逆位相で振動する信号であ
り、具体的にはECLのような信号レベルの低いデジタ
ル信号であり、電圧振幅が100mV〜300mV前後
の信号である。
In FIG. 1, elements denoted by the same reference numerals as in FIG. 4 have the same functions, and a detailed description thereof will be omitted. 7, 8 are current sources, 9 is a switch, 1
Reference numerals 0 to 19 are transistors. The differential digital signal referred to here is a signal that oscillates in opposite phases to each other, specifically, a digital signal having a low signal level such as ECL, and a signal having a voltage amplitude of about 100 mV to 300 mV.

【0018】図1の実施例は、エミッタ同士を接続した
トランジスタ10,11からなる第1の差動電流スイッ
チと、エミッタ同士を接続したトランジスタ14,15
からなる第2の差動電流スイッチとによって、ダブルバ
ランス型の差動電流スイッチを構成し、第1,第2の電
流スイッチの出力電流の増減方向が互いに補完されるよ
うに、ベース入力端と出力端を交互に結線している。そ
して、第1の差動電流スイッチのエミッタ共通接続点に
電流値を固定化した第1の電流源7を接続し、第2の差
動電流スイッチのエミッタ共通接続点に電流値を可変す
る第2の電流源8を接続する。この第2の電流源8は、
第1の電流源の電流値と等価な電流レベルとゼロとの2
水準で切り換えるものであり、ここでは、切り換え動作
についての説明の理解を容易にするために、第2の電流
源8と直列にスイッチ9とを設けた。そして、ダブルバ
ランス型の差動電流スイッチの二つの出力端には、高電
位側の電源端子1に接続された第1の抵抗22の一端
と、低電位側の電源端子3に接続された第1の抵抗22
の一端とを各々接続し、二つの入力端には入力端子4,
5を各々接続する。高電位側の抵抗22の一端を第1の
エミッタホロワ用トランジスタ14のベースに接続し、
低電位側の抵抗23の一端を第2のエミッタホロワ用ト
ランジスタ16のベースを接続する。さらに、電源端子
1と接地用電源端子2との間に出力トランジスタ15,
19を直列に接続し、高電位側の出力トランジスタ15
のベースに第1のエミッタホロワ用トランジスタ14の
エミッタを接続し、低電位側の出力トランジスタ19の
ベースに第2のエミッタホロワ用トランジスタ16のエ
ミッタを接続する。そして、出力トランジスタ15のエ
ミッタに出力端子6を接続し、出力端子6に入力端を接
続し、かつ第1のエミッタホロワ用トランジスタ14に
エミッタ出力が接続されるダーリントン接続のエミッタ
ホロワ回路からなり、出力端子6からTTL信号レベル
の出力信号を出力する。
FIG. 1 shows a first differential current switch including transistors 10 and 11 having emitters connected to each other, and transistors 14 and 15 having emitters connected to each other.
And a second differential current switch composed of a base input terminal and a base input terminal such that output current increase / decrease directions of the first and second current switches are complemented with each other. Output terminals are connected alternately. A first current source 7 having a fixed current value is connected to a common emitter connection point of the first differential current switch, and a current value is varied to a common emitter connection point of the second differential current switch. The second current source 8 is connected. This second current source 8
A current level equivalent to the current value of the first current source and zero,
In this case, a switch 9 is provided in series with the second current source 8 in order to facilitate understanding of the description of the switching operation. The two output terminals of the double-balanced differential current switch have one end of a first resistor 22 connected to the power supply terminal 1 on the high potential side and the other end connected to the power supply terminal 3 on the low potential side. 1 resistance 22
And two input terminals are connected to input terminals 4 and 4, respectively.
5 respectively. One end of the high-potential-side resistor 22 is connected to the base of the first emitter-follower transistor 14,
One end of the low potential side resistor 23 is connected to the base of the second emitter follower transistor 16. Further, an output transistor 15 is connected between the power terminal 1 and the ground power terminal 2.
19 in series, and the output transistor 15 on the high potential side
The emitter of the transistor 14 for the first emitter follower is connected to the base of the transistor 14 and the emitter of the transistor 16 for the second emitter follower is connected to the base of the output transistor 19 on the low potential side. A Darlington-connected emitter-follower circuit in which the output terminal 6 is connected to the emitter of the output transistor 15, the input terminal is connected to the output terminal 6, and the emitter output is connected to the first emitter-follower transistor 14, 6 outputs a TTL signal level output signal.

【0019】以下、本実施例の動作について説明する。
まず、通常出力モードではスイッチ9は開いており、相
補デジタル信号入力端子4,5の状態によらず、トラン
ジスタ12,13はともにカットオフ状態となる。その
とき、相補デジタル信号入力端子4にハイレベル、同じ
く端子5にローレベルの信号が与えられると、トランジ
スタ11が導通になってトランジスタ10がカットオフ
になるため、電流源7の電流は抵抗22に流れ、トラン
ジスタ11のコレクタがローレベル、トランジスタ10
のコレクタがハイレベルになる。このような状態におい
て、トランジスタ14,15はカットオフになり、トラ
ンジスタ16,19が導通する。したがって、出力端子
6の電圧はローレベルすなわちトランジスタ19のコレ
クタ・エミッタ間飽和電圧(約0.2V)になる。
The operation of this embodiment will be described below.
First, in the normal output mode, the switch 9 is open, and the transistors 12 and 13 are both cut off regardless of the state of the complementary digital signal input terminals 4 and 5. At this time, when a high-level signal is supplied to the complementary digital signal input terminal 4 and a low-level signal is also supplied to the terminal 5, the transistor 11 is turned on and the transistor 10 is cut off. And the collector of the transistor 11 is low level,
Goes high. In such a state, the transistors 14 and 15 are cut off, and the transistors 16 and 19 are turned on. Therefore, the voltage of the output terminal 6 becomes low level, that is, the saturation voltage between the collector and the emitter of the transistor 19 (about 0.2 V).

【0020】逆に、差動デジタル信号の入力端子4にロ
ーレベル、入力端子5にハイレベルの信号が与えられる
と、トランジスタ10が導通になり、トランジスタ11
がカットオフになる。そのため、電流源7の電流は全て
抵抗23に流れ、トランジスタ11のコレクタがハイレ
ベル、トランジスタ10のコレクタがローレベルにな
る。このような状態において、トランジスタ14,15
が導通し、トランジスタ16,19がカットオフにな
る。したがって、出力端子6の電圧はハイレベル、すな
わち電源端子1の電圧よりトランジスタ14,15のベ
ース・エミッタ間電圧の和だけ低い電圧(電源端子1の
電圧を5Vとすると約3.6V)になる。ただし、負荷
抵抗が大きい場合には、トランジスタ14の駆動能力の
みで動作でき、徐々に電源端子1の電圧よりトランジス
タ14のベース・エミッタ間電圧だけ低い電圧(電源端
子1の電圧を5Vとすると約4.3V)に近づく。以上
の動作のように、入力端子4,5から入力される差動デ
ジタル信号をTTL出力レベルに相当する電圧振幅に変
換して出力端子6に出力する。
Conversely, when a low-level signal is applied to the input terminal 4 of the differential digital signal and a high-level signal is applied to the input terminal 5, the transistor 10 is turned on and the transistor 11 is turned on.
Is cut off. Therefore, all the current of the current source 7 flows through the resistor 23, and the collector of the transistor 11 goes high and the collector of the transistor 10 goes low. In such a state, the transistors 14, 15
Is turned on, and the transistors 16 and 19 are cut off. Therefore, the voltage at the output terminal 6 is at a high level, that is, a voltage lower than the voltage at the power supply terminal 1 by the sum of the base-emitter voltages of the transistors 14 and 15 (approximately 3.6 V when the voltage at the power supply terminal 1 is 5 V). . However, when the load resistance is large, operation is possible only by the driving capability of the transistor 14, and the voltage is gradually lower than the voltage of the power supply terminal 1 by the voltage between the base and the emitter of the transistor 14 (when the voltage of the power supply terminal 1 is 5V, about 5V). 4.3V). As described above, the differential digital signal input from the input terminals 4 and 5 is converted into a voltage amplitude corresponding to the TTL output level and output to the output terminal 6.

【0021】また、スイッチ9を閉じると、入力端子
4,5から入力される差動デジタル信号のレベルに応じ
てトランジスタ14,15がスイッチング動作し、電流
源8の電流は抵抗22または抵抗23に流れる。すなわ
ち、入力端子4にハイレベルの信号が与えられ、同じく
入力端子5にローレベルの信号が与えられると、トラン
ジスタ12が導通し、トランジスタ13がカットオフに
なるため、電流源8の電流は全て抵抗23に流れ、トラ
ンジスタ12のコレクタはローレベルになる。このと
き、上記のようにトランジスタ11が導通状態であり、
トランジスタ10がカットオフであるため、電流源7の
電流は抵抗22に流れてトランジスタ11のコレクタが
ローレベルになる。逆に相補デジタル信号入力端子4に
ローレベル、同じく端子5にハイレベルの信号が与えら
れると、トランジスタ13が導通になってトランジスタ
12がカットオフになるため、電流源8の電流は抵抗2
2に流れて、トランジスタ13のコレクタがローレベル
になる。このとき、上述のようにトランジスタ10は導
通しており、トランジスタ11がカットオフであるた
め、電流源7の電流は抵抗23に流れ、トランジスタ1
0のコレクタがローレベルになる。以上の動作で抵抗2
2,23の両方に電流が流れ、ともに端子電圧がローレ
ベルになる。そのため、トランジスタ14,15および
トランジスタ16,19がカットオフになる。したがっ
て、TTL出力端子6に接続されたトランジスタがすべ
てカットオフ状態になるため、TTL出力端子6はハイ
インピーダンス・モードになる。
When the switch 9 is closed, the transistors 14 and 15 perform a switching operation in accordance with the level of the differential digital signal input from the input terminals 4 and 5, and the current of the current source 8 is supplied to the resistor 22 or 23. Flows. That is, when a high-level signal is supplied to the input terminal 4 and a low-level signal is also supplied to the input terminal 5, the transistor 12 is turned on and the transistor 13 is cut off. The current flows to the resistor 23, and the collector of the transistor 12 becomes low level. At this time, the transistor 11 is conducting as described above,
Since the transistor 10 is cut off, the current of the current source 7 flows to the resistor 22 and the collector of the transistor 11 becomes low level. Conversely, when a low level signal is applied to the complementary digital signal input terminal 4 and a high level signal is applied to the terminal 5, the transistor 13 is turned on and the transistor 12 is cut off.
2, the collector of the transistor 13 becomes low level. At this time, as described above, since the transistor 10 is conducting and the transistor 11 is cut off, the current of the current source 7 flows to the resistor 23 and the transistor 1
The collector of 0 goes low. With the above operation, the resistance 2
A current flows through both 2 and 23, and the terminal voltage becomes low level in both cases. Therefore, the transistors 14, 15 and the transistors 16, 19 are cut off. Accordingly, all the transistors connected to the TTL output terminal 6 are cut off, so that the TTL output terminal 6 is in the high impedance mode.

【0022】一方、ハイインピーダンス・モードのと
き、TTL出力端子6が外部のバスラインに接続されて
いて、かつ、同じバスラインに接続されている外部の他
の回路がハイレベルの電圧(外部の回路がCMOS論理
回路の場合は約5V)を出力し、TTL出力端子6が5
Vになった場合、電流源7または電流源8の電流は抵抗
22を流れて、トランジスタ14,15がカットオフ
し、トランジスタ17,18が導通する電位までトラン
ジスタ14のベース電位が下がると、残りの電流はトラ
ンジスタ18に流れて、トランジスタ14のベース電位
がそれよりも下がらなくなる。つまり、トランジスタ1
8のエミッタに接続されたトランジスタ14のベース電
位は、5Vよりトランジスタのベース・エミッタ間電圧
の2倍(約1.4V)だけ低い電圧(約3.6V)にな
る。したがって、どのような場合にも、トランジスタ1
4のベース・エミッタ間の逆バイアス電圧は、トランジ
スタのベース・エミッタ間電圧の2倍(約1.4V)よ
りも大きくならない。
On the other hand, in the high impedance mode, the TTL output terminal 6 is connected to an external bus line, and another external circuit connected to the same bus line outputs a high-level voltage (external voltage). When the circuit is a CMOS logic circuit, about 5 V) is output, and the TTL output terminal 6
When the voltage becomes V, the current of the current source 7 or the current source 8 flows through the resistor 22 and the transistors 14 and 15 are cut off. Flows through the transistor 18 so that the base potential of the transistor 14 does not drop below it. That is, transistor 1
The base potential of the transistor 14 connected to the emitter 8 becomes a voltage (about 3.6 V) lower than 5 V by twice (about 1.4 V) the base-emitter voltage of the transistor. Therefore, in any case, transistor 1
The base-emitter reverse bias voltage of the transistor No. 4 does not become larger than twice (about 1.4 V) the base-emitter voltage of the transistor.

【0023】以上のように、第1の発明の実施例によれ
ば、ハイ出力インピーダンス・モードになって、出力端
子6に接続されたトランジスタ(14,15,19)が
全てカットオフになり、出力端子6の外部側からの印加
電圧よりも内部電圧が下がっても、第1のエミッタホロ
ワ用トランジスタ14のベース電位が、ダーリントン接
続の第3のエミッタホロワ回路(17,18)の導通に
よって、第3のエミッタホロワ回路のエミッタ電位(出
力端子の電位より約1.4V)でクランプされ、第1の
エミッタホロワ用トランジスタのベース・エミッタ間の
逆バイアス電圧が(最大で約1.4Vの)低電圧に制限
される。したがって、トランジスタ14のhFEや耐圧の
劣化を防止でき、回路の信頼性を長期間確保することが
できる。
As described above, according to the first embodiment of the present invention, the high output impedance mode is set, and all the transistors (14, 15, 19) connected to the output terminal 6 are cut off. Even if the internal voltage is lower than the voltage applied from the outside of the output terminal 6, the base potential of the first emitter-follower transistor 14 is changed to the third potential by the conduction of the third emitter-follower circuit (17, 18) in Darlington connection. And the reverse bias voltage between the base and the emitter of the first emitter follower transistor is limited to a low voltage (up to about 1.4 V). Is done. Therefore, deterioration of the hFE and the breakdown voltage of the transistor 14 can be prevented, and the reliability of the circuit can be ensured for a long time.

【0024】しかしながら、第1の発明では、トランジ
スタ14のベース電位をクランプするダーリントン接続
のエミッタホロワ回路のベース入力が、非常に少ない電
流で動作し、高入力インピーダンスを維持するものであ
っても、その値は有限であり、バスラインに共通接続す
る同種の出力回路の数が増えると、その電流が無視でき
ず、バスラインの直流電位やスイッチング動作に好まし
くない影響を与える可能性がある。
However, in the first invention, even if the base input of the Darlington-connected emitter follower circuit for clamping the base potential of the transistor 14 operates with a very small current and maintains a high input impedance, The value is finite, and if the number of the same type of output circuits commonly connected to the bus line increases, the current cannot be ignored and may adversely affect the DC potential of the bus line and the switching operation.

【0025】第2の発明は、ハイ出力インピーダンス・
モード時の出力端子6のインピーダンスを第1の発明に
比べてさらに高めて、内部インピーダンスの影響をなく
すことを目的とする。
The second invention is a high output impedance
It is another object of the present invention to further increase the impedance of the output terminal 6 in the mode as compared with the first aspect of the invention and eliminate the influence of the internal impedance.

【0026】次に、第2の発明の一実施例について、図
面を参照しながら説明する。図2は本実施例の構成を示
すものである。図2において、図4における構成要素と
対応する要素には同じ符号を付した。7,8は電流源、
9はスイッチ、10〜16,19はトランジスタ、24
はMOS型トランジスタである。そして、本実施例で
は、第1の発明のバイポーラ型のトランジスタ17,1
8で構成されたダーリントン接続のエミッタホロワ回路
をMOS型のトランジスタ24に置き換え、ソースホロ
ワ回路でトランジスタ14のベース電位をクランプする
構成にしている。
Next, an embodiment of the second invention will be described with reference to the drawings. FIG. 2 shows the configuration of the present embodiment. 2, the elements corresponding to the elements in FIG. 4 are denoted by the same reference numerals. 7, 8 are current sources,
9 is a switch, 10 to 16, 19 are transistors, 24
Is a MOS transistor. In this embodiment, the bipolar transistors 17 and 1 of the first invention are used.
The Darlington-connected emitter follower circuit 8 is replaced by a MOS transistor 24, and the base potential of the transistor 14 is clamped by a source follower circuit.

【0027】以上のように構成された本実施例のTTL
出力回路について、以下図2を用いてその動作を説明す
る。なお、通常の動作モードについては、前述の第1の
発明と同じであり、それについての説明を省略する。
The TTL of the present embodiment configured as described above
The operation of the output circuit will be described below with reference to FIG. The normal operation mode is the same as that of the first embodiment described above, and the description thereof is omitted.

【0028】さて、スイッチ9を閉じてハイ出力インピ
ーダンス・モードにすると、入力端子4,5から入力さ
れる差動デジタル信号に対応して、電流源8の電流は抵
抗22または抵抗23に流れる。すなわち、入力端子4
にハイレベルが与えられ、入力端子5にローレベルの信
号が与えられると、トランジスタ12が導通になり、ト
ランジスタ13がカットオフになるため、電流源8の電
流が抵抗23に流れ、トランジスタ12のコレクタがロ
ーレベルになる。このとき、上述のようにトランジスタ
11は導通しており、トランジスタ10がカットオフ状
態であるため、電流源7の電流は抵抗22に流れ、トラ
ンジスタ11のコレクタがローレベルになる。逆に相補
デジタル信号入力端子4にローレベル、同じく端子5に
ハイレベルの信号が与えられると、トランジスタ13が
導通になり、トランジスタ12がカットオフになるた
め、電流源8の電流が抵抗22に流れ、トランジスタ1
3のコレクタがローレベルになる。このとき、上述のよ
うにトランジスタ10は導通しており、トランジスタ1
1がカットオフ状態であるため、電流源7の電流は抵抗
23に流れ、トランジスタ10のコレクタがローレベル
になる。以上の動作で抵抗22,23の両方に電流が流
れ、ともに端子電圧はローレベルになる。そのためトラ
ンジスタ14,15および16,19はカットオフにな
る。以上のように、出力端子6に接続されたトランジス
タが全てカットオフ状態になり、出力端子6の外部側か
ら見た出力インピーダンスは無限大に近くなる。
When the switch 9 is closed to set the high output impedance mode, the current of the current source 8 flows through the resistor 22 or 23 in response to the differential digital signal input from the input terminals 4 and 5. That is, the input terminal 4
When a high level is applied to the input terminal 5 and a low level signal is applied to the input terminal 5, the transistor 12 is turned on and the transistor 13 is cut off, so that the current of the current source 8 flows through the resistor 23, The collector goes low. At this time, since the transistor 11 is conducting and the transistor 10 is in the cutoff state as described above, the current of the current source 7 flows to the resistor 22 and the collector of the transistor 11 becomes low level. Conversely, when a low level signal is supplied to the complementary digital signal input terminal 4 and a high level signal is also supplied to the terminal 5, the transistor 13 is turned on and the transistor 12 is cut off, so that the current of the current source 8 is supplied to the resistor 22. Flow, transistor 1
Collector 3 goes low. At this time, as described above, the transistor 10 is conducting, and the transistor 1
Since 1 is in the cutoff state, the current of the current source 7 flows to the resistor 23, and the collector of the transistor 10 becomes low level. With the above operation, a current flows through both of the resistors 22 and 23, and the terminal voltage becomes low level. Therefore, the transistors 14, 15 and 16, 19 are cut off. As described above, all the transistors connected to the output terminal 6 are in the cutoff state, and the output impedance viewed from the outside of the output terminal 6 becomes almost infinite.

【0029】そして、TTL出力回路の動作状態がハイ
出力インピーダンス・モードに設定されたとき、出力端
子6が外部のバスラインに接続されていて、かつ、同じ
バスラインに接続されている外部の他の回路がハイレベ
ルの電圧(外部の回路がCMOS論理回路の場合は約5
V)を出力し、TTL出力端子6が5Vになった場合、
電流源7または電流源8の電流は抵抗22を流れ、トラ
ンジスタ14,15のベース・エミッタがカットオフ
し、MOS型トランジスタ24が導通する電位までトラ
ンジスタ14のベース電位が下がると、残りの電流はM
OS型トランジスタ24に流れてトランジスタ14のベ
ース電位はそれよりも下がらなくなる。つまり、MOS
型トランジスタ24のソースに接続されたトランジスタ
14のベース電位は、5VよりMOS型トランジスタの
ゲート・ソース間電圧(約1V)だけ低い電圧(約4
V)になる。したがって、どのような場合にも、トラン
ジスタ14のベース・エミッタ間の逆バイアス電圧は、
MOS型トランジスタ24のしきい値電圧(ゲート・ソ
ース間電圧)よりも大きくなり得ない。このしきい値電
圧は約1Vであり、バイポーラ型トランジスタのBV
EBO (6〜7V)の1/2よりも十分に小さいから、高
信頼の回路動作を保証することができる。しかも、出力
端子6に接続されたMOS型トランジスタ24のゲート
電極のインピーダンスは非常に高く、無限大のインピー
ダンスと言ってもよく、ハイ出力インピーダンス・モー
ド時に出力端子6のインピーダンスが低下するというお
それは全くない。
When the operation state of the TTL output circuit is set to the high output impedance mode, the output terminal 6 is connected to an external bus line, and the output terminal 6 is connected to the external bus line connected to the same bus line. Is a high level voltage (about 5 when the external circuit is a CMOS logic circuit).
V) and the TTL output terminal 6 becomes 5V,
When the current of the current source 7 or the current source 8 flows through the resistor 22, the bases and emitters of the transistors 14 and 15 are cut off, and the base potential of the transistor 14 decreases to a potential at which the MOS transistor 24 conducts, the remaining current becomes M
The current flows to the OS-type transistor 24, and the base potential of the transistor 14 does not drop below it. That is, MOS
The base potential of the transistor 14 connected to the source of the transistor 24 is a voltage (about 4 V) lower than 5 V by the gate-source voltage (about 1 V) of the MOS transistor.
V). Therefore, in any case, the reverse bias voltage between the base and the emitter of the transistor 14 becomes
It cannot be higher than the threshold voltage (gate-source voltage) of the MOS transistor 24. This threshold voltage is about 1 V, and the BV of the bipolar transistor is
Since it is sufficiently smaller than 1/2 of EBO (6 to 7 V), highly reliable circuit operation can be guaranteed. Moreover, the impedance of the gate electrode of the MOS transistor 24 connected to the output terminal 6 is very high, which may be called an infinite impedance, and there is a possibility that the impedance of the output terminal 6 decreases in the high output impedance mode. Not at all.

【0030】以上のように、第2の発明の実施例によれ
ば、TTL出力回路をハイ出力インピーダンス・モード
にし、複数の論理回路が接続された出力端子6が内部の
動作電圧より高くなったとしても、ゲート電極が出力端
子6に接続されたMOS型トランジスタ24によるソー
スホロワ回路がソース電位でトランジスタ14のベース
電位ををクランプする。その結果、トランジスタ14の
ベース・エミッタ間の逆バイアス電圧がMOS型トラン
ジスタのしきい値電圧(約1V)で制限され、出力回路
の高信頼化が図れるとともに、バスラインに負荷電流の
影響を全く与えないハイ出力インピーダンス・モードを
有するTTL出力回路が実現できる。
As described above, according to the embodiment of the second invention, the TTL output circuit is set to the high output impedance mode, and the output terminal 6 to which a plurality of logic circuits are connected becomes higher than the internal operating voltage. Also, the source follower circuit including the MOS transistor 24 whose gate electrode is connected to the output terminal 6 clamps the base potential of the transistor 14 with the source potential. As a result, the reverse bias voltage between the base and the emitter of the transistor 14 is limited by the threshold voltage (approximately 1 V) of the MOS transistor, so that the reliability of the output circuit can be improved and the influence of the load current on the bus line can be completely suppressed. A TTL output circuit having a high output impedance mode not provided can be realized.

【0031】[0031]

【発明の効果】本発明のTTL出力回路は、ハイ出力イ
ンピーダンス・モードの動作のとき、ホロワ回路を構成
するトランジスタのしきい値電圧によって、第1のエミ
ッタホロワ用トランジスタの逆バイアス電圧が低い電圧
に制限され、トランジスタ特性の劣化を極めて減少させ
て、回路の信頼性を高めるとともに、出力端子側から内
部をみたインピーダンスを高め、同種の回路をバスライ
ンに共通接続しても動作停止した出力回路の内部インピ
ーダンスの影響をなくすことができる。
According to the TTL output circuit of the present invention, when operating in the high output impedance mode, the reverse bias voltage of the first emitter follower transistor is reduced to a low voltage by the threshold voltage of the transistor constituting the follower circuit. Limited, greatly reducing the deterioration of transistor characteristics, increasing the reliability of the circuit, increasing the impedance seen from the output terminal side, and stopping the operation of the output circuit even if the same type of circuit is commonly connected to the bus line The effect of the internal impedance can be eliminated.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】第1の発明のTTL出力回路における一実施例
の構成図
FIG. 1 is a block diagram of one embodiment of a TTL output circuit according to the first invention;

【図2】第2の発明のTTL出力回路における一実施例
の構成図
FIG. 2 is a block diagram of one embodiment of a TTL output circuit according to the second invention;

【図3】従来のTTL出力回路の構成図FIG. 3 is a configuration diagram of a conventional TTL output circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1〜3 電源端子 4,5 差動デジタル信号の入力端子 6 出力端子 7,8 電流源 9、28 スイッチ 10〜19 トランジスタ 20〜23 抵抗 24 MOS型トランジスタ 25 論理固定手段 26,27 ダイオード 1-3 power supply terminal 4,5 differential digital signal input terminal 6 output terminal 7,8 current source 9,28 switch 10-19 transistor 20-23 resistor 24 MOS type transistor 25 logic fixing means 26,27 diode

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】第1の電流源の固定化された出力電流がエ
ミッタ共通接続点に供給される第1の差動電流スイッチ
と、通常モード時にゼロ出力であって、ハイ出力インピ
ーダンス・モード時に前記第1の電流源と等価な出力電
流を出力する第2の電流源がエミッタ共通接続点に接続
された第2の差動電流スイッチと、前記第1,第2の差
動電流スイッチの二つの入力端同士を並列接続し、二つ
の出力端同士を交差接続したダブルバランス型差動電流
スイッチと、電源端子と接地端子との間に第1,第2の
トランジスタの主電流路を直列接続し、高電位側の前記
第1のトランジスタのベースが前記ダブルバランス型差
動電流スイッチの一方の出力端に結合され、低電位側の
前記第2のトランジスタのベースが前記ダブルバランス
型差動電流スイッチの他方の出力端に結合されたトーテ
ムポール型の出力回路と、前記第1のトランジスタのエ
ミッタに接続された出力端子と、入力端が前記出力端子
に接続されたダーリントン接続のエミッタホロワ回路と
を備え、ハイ出力インピーダンス・モード時に前記エミ
ッタホロワ回路のエミッタ出力で前記第1のトランジス
タのベース入力をクランプすることを特徴とするTTL
出力回路。
1. A first differential current switch in which a fixed output current of a first current source is supplied to a common emitter connection point, and a zero output in a normal mode and a high output impedance mode. A second differential current switch having a second current source that outputs an output current equivalent to the first current source connected to a common emitter connection point; and a first differential current switch and a second differential current switch. A double-balanced differential current switch in which two input terminals are connected in parallel and two output terminals are cross-connected, and main current paths of first and second transistors are connected in series between a power supply terminal and a ground terminal. The base of the first transistor on the high potential side is coupled to one output terminal of the double balanced differential current switch, and the base of the second transistor on the low potential side is connected to the double balanced differential current switch. Switch A totem pole type output circuit coupled to the other output terminal of the first transistor, an output terminal connected to the emitter of the first transistor, and a Darlington connection emitter follower circuit having an input terminal connected to the output terminal. Wherein the base input of the first transistor is clamped by an emitter output of the emitter follower circuit in a high output impedance mode.
Output circuit.
【請求項2】第1の電流源の固定化された出力電流がエ
ミッタ共通接続点に供給される第1の差動電流スイッチ
と、通常モード時にゼロ出力であって、ハイ出力インピ
ーダンス・モード時に前記第1の電流源と等価な出力電
流を出力する第2の電流源がエミッタ共通接続点に接続
された第2の差動電流スイッチと、前記第1,第2の差
動電流スイッチの二つの入力端同士を並列接続し、二つ
の出力端同士を交差接続したダブルバランス型差動電流
スイッチと、電源端子と接地端子との間に第1,第2の
トランジスタの主電流路を直列接続し、高電位側の前記
第1のトランジスタのベースが前記ダブルバランス型差
動電流スイッチの一方の出力端に結合され、低電位側の
前記第2のトランジスタのベースが前記ダブルバランス
型差動電流スイッチの他方の出力端に結合されたトーテ
ムポール型の出力回路と、前記第1のトランジスタのエ
ミッタに接続された出力端子と、ゲート入力が前記出力
端子に接続されたMOS型トランジスタを用いたソース
ホロワ回路とを備え、ハイ出力インピーダンス・モード
時に前記ソースホロワ回路のソース出力で前記第1のト
ランジスタのベース入力をクランプすることを特徴とす
るTTL出力回路。
2. A first differential current switch, wherein a fixed output current of a first current source is supplied to a common emitter connection point, and a zero output in a normal mode and a high output impedance mode. A second differential current switch having a second current source that outputs an output current equivalent to the first current source connected to a common emitter connection point; and a first differential current switch and a second differential current switch. A double-balanced differential current switch in which two input terminals are connected in parallel and two output terminals are cross-connected, and main current paths of first and second transistors are connected in series between a power supply terminal and a ground terminal. The base of the first transistor on the high potential side is coupled to one output terminal of the double balanced differential current switch, and the base of the second transistor on the low potential side is connected to the double balanced differential current switch. Switch A source-follower circuit using a totem-pole output circuit coupled to the other output terminal of the first transistor, an output terminal connected to the emitter of the first transistor, and a MOS transistor having a gate input connected to the output terminal A TTL output circuit, wherein a base input of the first transistor is clamped by a source output of the source follower circuit in a high output impedance mode.
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