JP3130819U - Double-tuned circuit - Google Patents
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Abstract
【課題】低域同調時の共振特性には影響を与えずに、高域同調時にだけ共振特性を補正でき、高域同調時に所要の共振特性を提供する。
【解決手段】第一及び第二のバンド切替え用ダイオード8,15のオン/オフによりVHFローバンドとVHFハイバンドの切替えを行い、VHFハイバンド切替え時にのみ高周波増幅器の出力容量CAMP及び混合器の入力容量CMIXのバラツキによる共振特性変化を補正する第一及び第二の帯域補正用インダクタンス素子9、16を投入するようにした。
【選択図】図1Resonance characteristics can be corrected only during high-frequency tuning without affecting resonance characteristics during low-frequency tuning, and required resonance characteristics are provided during high-frequency tuning.
The VHF low band and the VHF high band are switched by turning on and off the first and second band switching diodes 8 and 15, and only when the VHF high band is switched, the output capacitance C AMP of the high frequency amplifier and the mixer are switched. The first and second band correcting inductance elements 9 and 16 for correcting the resonance characteristic change due to the variation in the input capacitance C MIX are inserted.
[Selection] Figure 1
Description
本考案は、同調周波数を低域側又は高域側に切替え可能なバンド切替え型の複同調回路に関する。 The present invention relates to a band switching type double tuning circuit capable of switching a tuning frequency to a low frequency side or a high frequency side.
従来、VHFハイバンド及びVHFローバンドのテレビジョン信号を受信するテレビジョンチューナには、VHFハイバンド及びVHFローバンドのそれぞれに同調可能なバンド切替え型の複同調回路が備えられていた(例えば、特許文献1参照)。 Conventionally, a television tuner that receives a VHF high-band and VHF low-band television signal has been provided with a band switching type double-tuned circuit that can be tuned to each of the VHF high-band and VHF low-band (for example, Patent Documents). 1).
図5は特許文献1に記載されたバンド切替え型の複同調回路を備えたテレビジョンチューナの回路構成図である。同図に示すテレビジョンチューナは、VHF帯からUHF帯までの全てのテレビジョン信号が入力端31を介して第一のチューナ32と第二のチューナ33とに入力される。第一のチューナ32ではVHFハイバンド及びVHFローバンドとUHF帯の低域側の帯域のテレビジョン信号が受信され、第二のチューナ33ではUHF帯の高域側の帯域のテレビジョン信号が受信される。
FIG. 5 is a circuit configuration diagram of a television tuner provided with a band switching type double tuning circuit described in Patent Document 1. In FIG. In the television tuner shown in the figure, all television signals from the VHF band to the UHF band are input to the first tuner 32 and the
第一のチューナ32の入力同調回路34はバンド切替え型の同調回路によって構成され、40数MHzから130乃至150MHz(例えば140MHz)までの低域の周波数帯のテレビジョン信号又は130MHz乃至150MHzから410MHz乃至440MHzまでの高域の周波数帯のテレビジョン信号に同調可能なように切り替えられる。この入力同調回路34によって選択されたテレビジョン信号は高周波増幅器35の増幅素子35a(電界効果トランジスタ)の入力端子G1に入力される。増幅素子35aの出力端子Dにはチョークインダクタンス素子36を介して電源端子Bから電圧が印加される。
The
高周波増幅器35の次段には複同調回路37が設けられる。複同調回路37もバンド切替え型の同調回路で構成され、40数MHzから130乃至150MHz(例えば140MHz)までの低域の周波数帯のテレビジョン信号又は130MHz乃至150MHzから410MHz乃至440MHzまでの高域の周波数帯のテレビジョン信号に同調可能なように切り替えられる。
A
複同調回路37は、一次側に第一の高域同調用インダクタンス素子37a、第一の低域同調用インダクタンス素子37b、第一のバラクタダイオード37c、第一のスイッチダイオード37dを有し、二次側に第二の高域同調用インダクタンス素子37e、第二の低域同調用インダクタンス素子37f、第二のバラクタダイオード37g、第二のスイッチダイオード37hを有し、図示のように接続されている。また、第一の低域同調用インダクタンス素子37bと第二の低域同調用インダクタンス素子37fとが結合用インダクタンス素子37iによって接地される。
The double-tuned
そして、第一及び第二のスイッチダイオード37d、37hの各アノードがそれぞれ第一の高域同調用インダクタンス素子37aと第一の低域同調用インダクタンス素子37bとの接続点、第二の高域同調用インダクタンス素子37eと第二の低域同調用インダクタンス素子37fとの接続点に高周波的に接続される。また、各アノードは第一の切替え端子Hiに接続され、各カソードは第二の切替え端子Loに接続される。また、カソードは直流カットコンデンサ37jによって高周波的に接地されると共に抵抗37kによって接地される。複同調回路37は結合用バラクタダイオード38を介して混合器39に接続される。
The anodes of the first and
なお、第一のバラクタダイオード37cのカソードと第二のバラクタダイオード37gのカソードとには同調周波数を変化させるための同調電圧が印加されるがその構成の図示は省略している。 Although a tuning voltage for changing the tuning frequency is applied to the cathode of the first varactor diode 37c and the cathode of the second varactor diode 37g, the configuration is not shown.
以上の構成において、第一の切替え端子Hiにハイレベルの切替え電圧を印加すると、第一及び第二のスイッチダイオード37d、37hがオンとなり、複同調回路37において、第一の高域同調用インダクタンス素子37aと第一の低域同調用インダクタンス素子37bとの接続点及び第二の高域同調用インダクタンス素子37eと第二の低域同調用インダクタンス素子37fとの接続点とが高周波的に接地される。この結果、複同調回路37は前記高域の周波数帯に同調する。
In the above configuration, when a high level switching voltage is applied to the first switching terminal Hi, the first and
また、第二の切替え端子Loにハイレベルの切替え電圧を印加すると、第一及び第二のスイッチダイオード37d、37hがオフとなり、複同調回路37は前記低域の周波数帯に同調する。
When a high level switching voltage is applied to the second switching terminal Lo, the first and
ところで、上記複同調回路37の一次側に接続された高周波増幅器35及び二次側に接続された混合器39はそれぞれ内部容量を持っている。高周波増幅器35の内部容量は複同調回路37の一次側共振回路の容量(第一のバラクタダイオード37c)に対して並列接続され、混合器39の内部容量は複同調回路37の二次側共振回路の容量(第二のバラクタダイオード37g)に対して並列接続される。従来、高周波増幅器35の出力容量を考慮して複同調回路37の一次側共振回路の共振特性を設定し、混合器39の入力容量を考慮して複同調回路37の二次側共振回路の共振特性を設定していた。
しかしながら、複同調回路37に対する高周波増幅器35の出力容量及び混合器39の入力容量は部品によってバラツキがあるので、複同調回路37の一次側共振回路及び二次側共振回路の共振特性が必ずしも設計通りの特性にならない可能性があった。特に、VHFハイバンドでは高周波増幅器35の出力容量及び混合器39の入力容量のバラツキにより共振特性に大きな影響を受けるといった問題があった。
However, since the output capacity of the high-
本考案は、かかる点に鑑みてなされたものであり、低域同調時の共振特性には影響を与えずに、高域同調時にだけ共振特性を補正でき、高域同調時に所要の共振特性を実現することができる複同調回路を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above points, and it can correct the resonance characteristics only during high-frequency tuning without affecting the resonance characteristics during low-frequency tuning. An object is to provide a double-tuned circuit that can be realized.
本考案の複同調回路は、同調周波数が低域周波数帯又は高域周波数帯に切替えられるバンド切替え型の複同調回路であって、入力端とグラウンドとの間に接続された第一の可変容量素子と、直列接続された第一の高域同調用インダクタンス素子と第一の低域同調用インダクタンス素子とからなり、前記第一の可変容量素子に並列に接続された第一のインダクタンス回路と、前記第一の高域同調用インダクタンス素子と第一の低域同調用インダクタンス素子の中間接続点とグラウンドとの間に設けられた第一のスイッチング素子と、出力端とグラウンドとの間に接続された第二の可変容量素子と、直列接続された第二の高域同調用インダクタンス素子と第二の低域同調用インダクタンス素子とからなり、前記第二の可変容量素子に並列に接続された第二のインダクタンス回路と、前記第二の高域同調用インダクタンス素子と第二の低域同調用インダクタンス素子の中間接続点とグラウンドとの間に設けられた第二のスイッチング素子と、前記第一のスイッチング素子と前記第二のスイッチング素子の少なくともどちらか一方に直列に接続された帯域補正用インダクタンス素子とを具備したことを特徴とする。 The double tuning circuit of the present invention is a band switching type double tuning circuit whose tuning frequency is switched to a low frequency band or a high frequency band, and is a first variable capacitor connected between the input terminal and the ground. A first inductance circuit connected in parallel to the first variable capacitance element, comprising an element, a first high-frequency tuning inductance element and a first low-frequency tuning inductance element connected in series, The first switching element provided between the intermediate connection point of the first high-frequency tuning inductance element and the first low-frequency tuning inductance element and the ground, and connected between the output terminal and the ground. A second variable capacitance element, a second high-frequency tuning inductance element and a second low-frequency tuning inductance element connected in series, and connected in parallel to the second variable capacitance element. A second inductance circuit, a second switching element provided between an intermediate connection point of the second high-frequency tuning inductance element and the second low-frequency tuning inductance element, and the ground, A band correction inductance element connected in series to at least one of the one switching element and the second switching element is provided.
この構成によれば、第一のスイッチング素子と前記第二のスイッチング素子の少なくともどちらか一方に直列に接続された帯域補正用インダクタンス素子を設けたので、帯域補正用インダクタンス素子のインダクタンス値を調整して複同調回路の共振特性を所望の特性に補正することができる。 According to this configuration, since the band correcting inductance element connected in series to at least one of the first switching element and the second switching element is provided, the inductance value of the band correcting inductance element is adjusted. Thus, the resonance characteristic of the double-tuned circuit can be corrected to a desired characteristic.
また本考案は、上記複同調回路において、前記帯域補正用インダクタンス素子は、前記入力端に接続された回路要素及び又は前記出力端に接続された回路要素の内部容量のバラツキによる共振特性のずれを補正可能なインダクタンス値に設定されることを特徴とする。 Further, the present invention provides the above-described double-tuned circuit, wherein the band correcting inductance element has a resonance characteristic shift caused by variations in internal capacitance of the circuit element connected to the input terminal and / or the circuit element connected to the output terminal. The inductance value is set to a correctable inductance value.
この構成により、帯域補正用インダクタンス素子のインダクタンス値を調整することで、入力端に接続された回路要素及び又は出力端に接続された回路要素の内部容量のバラツキによる共振特性のずれを補正することができる。 With this configuration, by adjusting the inductance value of the band correction inductance element, the deviation of the resonance characteristics due to the variation in the internal capacitance of the circuit element connected to the input terminal and / or the circuit element connected to the output terminal can be corrected. Can do.
また本考案は、上記複同調回路において、同調周波数として前記低域周波数帯を選択するときは、前記第一及び第二のスイッチング素子を共にオフさせ、同調周波数として前記高域周波数帯を選択するときは、前記第一及び第二のスイッチング素子を共にオンさせることを特徴とする。 In the double tuning circuit according to the present invention, when the low frequency band is selected as the tuning frequency, both the first and second switching elements are turned off and the high frequency band is selected as the tuning frequency. In some cases, both the first and second switching elements are turned on.
この構成により、第一及び第二のスイッチング素子を共にオフさせることで、一次側には第一の可変容量素子と第一の高域同調用インダクタンス素子と第一の低域同調用インダクタンス素子とからなる共振回路が形成されて低域周波数帯に同調し、二次側には第二の可変容量素子と第二の高域同調用インダクタンス素子と第二の低域同調用インダクタンス素子とからなる共振回路が形成されて低域周波数帯に同調する。また、第一及び第二のスイッチング素子を共にオンさせることで、帯域補正用インダクタンス素子が第一のスイッチング素子に直列に接続されている場合には、一次側に第一の可変容量素子と第一の高域同調用インダクタンス素子及び帯域補正用インダクタンス素子からなる一次側共振回路が形成されて一次側共振回路の共振特性が帯域補正用インダクタンス素子で補正される。また、帯域補正用インダクタンス素子が第二のスイッチング素子に直列に接続されている場合には、二次側に第二の可変容量素子と第二の高域同調用インダクタンス素子及び帯域補正用インダクタンス素子からなる二次側共振回路が形成されて二次側共振回路の共振特性が帯域補正用インダクタンス素子で補正される。 With this configuration, by turning off both the first and second switching elements, the first variable capacitance element, the first high-frequency tuning inductance element, and the first low-frequency tuning inductance element are provided on the primary side. A resonant circuit is formed and tuned to a low frequency band, and on the secondary side, a second variable capacitance element, a second high frequency tuning inductance element, and a second low frequency tuning inductance element are formed. A resonant circuit is formed and tuned to the low frequency band. Further, by turning on both the first and second switching elements, when the band correcting inductance element is connected in series to the first switching element, the first variable capacitance element and the first A primary side resonance circuit including one high-frequency tuning inductance element and a band correction inductance element is formed, and the resonance characteristics of the primary side resonance circuit are corrected by the band correction inductance element. Further, when the band correcting inductance element is connected in series to the second switching element, the second variable capacitance element, the second high frequency tuning inductance element, and the band correcting inductance element are arranged on the secondary side. Is formed, and the resonance characteristics of the secondary side resonance circuit are corrected by the band correcting inductance element.
また上記複同調回路において、前記帯域補正用インダクタンス素子は、パターンで構成することができる。 In the double-tuned circuit, the band correcting inductance element can be configured by a pattern.
また上記複同調回路において、前記低域周波数帯は、VHFテレビジョン帯域の低域側周波数帯であり、前記高域周波数帯は、VHFテレビジョン帯域の高域側周波数帯であることとする。これにより、テレビジョンチューナの複同調回路として用いることができる。 In the double tuning circuit, the low frequency band is a low frequency band of a VHF television band, and the high frequency band is a high frequency band of a VHF television band. Thereby, it can be used as a double-tuned circuit of a television tuner.
本考案によれば、低域同調時の共振特性には影響を与えずに、高域同調時にだけ共振特性を補正でき、高域同調時に所要の共振特性を実現することができる。 According to the present invention, the resonance characteristic can be corrected only at the time of high frequency tuning without affecting the resonance characteristic at the time of low frequency tuning, and the required resonance characteristic can be realized at the time of high frequency tuning.
以下、本考案の実施の形態について添付図面を参照して詳細に説明する。
図1は本考案の一実施の形態に係る複同調回路の構成図である。
複同調回路1の一次側には、入力端子2とグラウンドとの間に第一の可変容量素子3が接続されている。第一の高域同調用インダクタンス素子4の一端が入力端子2に接続され、第一の低域同調用インダクタンス素子5の一端が結合用インダクタンス素子6及びバイパスコンデンサ7を直列に介してグラウンドに接続されている。すなわち、直列接続された第一の高域同調用インダクタンス素子4と第一の低域同調用インダクタンス素子5とからなる第一のインダクタンス回路が、第一の可変容量素子3に対して並列に接続されている。第一の高域同調用インダクタンス素子4の他端と第一の低域同調用インダクタンス素子5の他端との中間接続点P1は第一のバンド切替え用ダイオード8を介してグラウンドに接続される。中間接続点P1とグラウンドとの間には、第一の帯域補正用インダクタンス素子9が第一のバンド切替え用ダイオード8に対して直列に接続されている。例えば、第一の高域同調用インダクタンス素子4、第一の低域同調用インダクタンス素子5が20〜25nH程度であるのに対して、第一の帯域補正用インダクタンス素子9は0〜5nH程度に設定される。第一の帯域補正用インダクタンス素子9は、第一の高域同調用インダクタンス素子4等に比べて微少であるので、パターンで構成することが望ましい。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a configuration diagram of a double-tuned circuit according to an embodiment of the present invention.
On the primary side of the double tuning circuit 1, a first
複同調回路1の二次側には、出力端子11とグラウンドとの間に第二の可変容量素子12が接続されている。第二の高域同調用インダクタンス素子13と第二の低域同調用インダクタンス素子14とが直列接続され、第二の高域同調用インダクタンス素子13の一端が出力端子11に接続され、第二の低域同調用インダクタンス素子14の一端が結合用インダクタンス素子6及びバイパスコンデンサ7を直列に介してグラウンドに接続されている。すなわち、直列接続された第二の高域同調用インダクタンス素子13と第二の低域同調用インダクタンス素子14とからなる第二のインダクタンス回路が、第二の可変容量素子12に対して並列に接続されている。第二の高域同調用インダクタンス素子13の他端と第二の低域同調用インダクタンス素子14の他端との中間接続点P2は第二のバンド切替え用ダイオード15を介してグラウンドに接続される。中間接続点P2とグラウンドとの間には、第二の帯域補正用インダクタンス素子16が第二のバンド切替え用ダイオード15に対して直列に接続されている。例えば、第二の高域同調用インダクタンス素子13、第一の低域同調用インダクタンス素子14が20〜25nH程度であるのに対して、第二の帯域補正用インダクタンス素子16は0〜5nH程度に設定される。第二の帯域補正用インダクタンス素子16は、第二の高域同調用インダクタンス素子13等に比べて微少であるので、パターンで構成することが望ましい。
On the secondary side of the double-tuned circuit 1, a second
第一の帯域補正用インダクタンス素子9及び第二の帯域補正用インダクタンス素子16の接地側端部は直流カットコンデンサ17を介してグラウンドに接続される。また、第一の帯域補正用インダクタンス素子9と第二の帯域補正用インダクタンス素子16との中間接続点はバイパスコンデンサ18を介して高周波的に接地される。
The ground side end portions of the first band correction inductance element 9 and the second band
さらに、第一及び第二の帯域補正用インダクタンス素子9、16の接地側端部は、抵抗素子19を介してバンド切替え用の電圧が印加されるバンド切替え用端子20に接続されている。バンド切替え用端子20は、高域同調時には図示していないIC回路においてグラウンドに接続され、低域同調時には第一及び第二のバンド切替え用ダイオード8、15をオフさせる程度の正電圧が上記IC回路から印加される。常にバイアス電圧が印加される端子21はバイパスコンデンサ7のグラウンド側電極に接続されている。端子21に印加されるバイアス電圧は、第一及び第二のバンド切替え用ダイオード8、15のアノードに印加される。したがって、バンド切替え用端子20がIC回路においてグラウンドに接続されれば第一及び第二のバンド切替え用ダイオード8、15が共にオンし、バンド切替え用端子20にIC回路から上記正電圧が印加されれば第一及び第二のバンド切替え用ダイオード8、15が共にオフすることになる。
Furthermore, the ground-side ends of the first and second band
以下、図5に示すテレビジョンチューナにおける第一のチューナ32の複同調回路37の代わりに本実施の形態の複同調回路1を備えたものとして説明する。この場合、高域の同調周波数がVHFハイバンドに相当し、低域の同調周波数がVHFローバンドに相当する。
In the following description, it is assumed that the double-tuned circuit 1 of the present embodiment is provided instead of the double-tuned
テレビジョンチューナの第一のチューナ32の入力同調回路34でVHFハイバンド及びVHFローバンドを含んだテレビジョン信号が抽出され、VHFハイバンド及びVHFローバンドのテレビジョン信号が高周波増幅器35で増幅された後、複同調回路1の入力端子2に入力する。
After the television signal including the VHF high band and the VHF low band is extracted by the
先ず、VHFローバンドを受信する場合の動作について説明する。
VHFローバンドを受信する場合、IC回路からバンド切替え用端子20に正電圧を印加して第一及び第二のバンド切替え用ダイオード8、15をオフさせる。このとき、複同調回路1の一次側では第一の可変容量素子3、第一の高域同調用インダクタンス素子4及び第一の低域同調用インダクタンス素子5からなる共振回路が形成される。この結果、第一の可変容量素子3の可変容量に応じて選局されるVHFローバンド内の所望の受信チャンネル周波数に同調し、受信チャンネル周波数が選択される。複同調回路1の二次側では第二の可変容量素子12、第二の高域同調用インダクタンス素子13及び第二の低域同調用インダクタンス素子14からなる共振回路が形成される。一次側インダクタンス素子4,5と二次側インダクタンス素子13,14とがM結合して、受信チャンネル周波数信号が複同調回路1の二次側に入力する。二次側においても、一次側同様にVHFローバンド内の受信チャンネル周波数に同調し、受信チャンネル周波数が選択されて出力端子11から混合器39へ出力される。
First, the operation when receiving the VHF low band will be described.
When the VHF low band is received, a positive voltage is applied from the IC circuit to the
なお、VHFローバンドでは、一次側共振回路に並列接続される高周波増幅器35の出力容量及び二次側共振回路に並列接続される混合器39の入力容量の各バラツキは無視することができる。したがって、高周波増幅器35の出力容量及び混合器39の入力容量をその部品仕様にしたがって他の回路部品の定数を定めておけば、一次側共振回路及び二次側共振回路ともに設計通りの共振特性を実現できる。
In the VHF low band, variations in the output capacitance of the
次に、VHFハイバンドを受信する場合の動作について説明する。
VHFハイバンドを受信する場合、IC回路においてバンド切替え用端子20をグラウンドに接続して、第一及び第二のバンド切替え用ダイオード8、15をオンさせる。一次側では、第一のバンド切替え用ダイオード8がオンすることで、第一の高域同調用インダクタンス素子4の他端が、第一の帯域補正用インダクタンス素子9を経由してグラウンドに接続される。二次側では、第二のバンド切替え用ダイオード15がオンすることで、第二の高域同調用インダクタンス素子13の他端が、第二の帯域補正用インダクタンス素子16を経由してグラウンドに接続される。
Next, the operation when receiving the VHF high band will be described.
When receiving the VHF high band, the
図2は、VHFハイバンド同調時における複同調回路1の等価回路である。複同調回路1の一次側では、第一の可変容量素子3と第一の高域同調用インダクタンス素子4とが並列接続されると共に、第一の高域同調用インダクタンス素子4に対して第一の帯域補正用インダクタンス素子9が直列に接続された一次側共振回路が形成される。また、入力端子2には高周波増幅器35の出力容量CAMPが現れ、第一の可変容量素子3に対して並列接続される。
FIG. 2 is an equivalent circuit of the double-tuned circuit 1 during VHF high-band tuning. On the primary side of the double-tuned circuit 1, the first
高周波増幅器35の出力容量CAMPのバラツキにより一次側共振回路の共振周波数(同調周波数)が所望周波数からずれる可能性があるが、第一の帯域補正用インダクタンス素子9のインダクタンス値を調節して出力容量CAMPのバラツキ相当分を補正するようにしている。例えば、0〜5nH程度のインダクタンス値の小さい第一の帯域補正用インダクタンス素子9で一次側共振回路が所望の共振特性となるように補正する。
Although there is a possibility that the resonance frequency (tuning frequency) of the primary side resonance circuit deviates from a desired frequency due to variations in the output capacitance C AMP of the
また、複同調回路1の二次側では、第二の可変容量素子12と第二の高域同調用インダクタンス素子13とが並列接続されると共に、第二の高域同調用インダクタンス素子13に対して第二の帯域補正用インダクタンス素子16が直列に接続された二次側共振回路が形成される。出力端子11には混合器39の入力容量CMIXが現れ、第二の可変容量素子12に対して並列接続される。
In addition, on the secondary side of the double tuning circuit 1, the second
二次側においても、一次側と同様に、混合器39の入力容量CMIXのバラツキにより二次側共振回路の共振周波数(同調周波数)が所望周波数からずれる可能性があるが、第二の帯域補正用インダクタンス素子16のインダクタンス値を調節して入力容量CMIXのバラツキ相当分を補正するようにしている。例えば、0〜5nH程度のインダクタンス値の小さい第二の帯域補正用インダクタンス素子16で所望の共振特性となるように補正する。
On the secondary side, as in the primary side, the resonance frequency (tuning frequency) of the secondary side resonance circuit may be deviated from the desired frequency due to variations in the input capacitance C MIX of the
このように、本実施の形態では、第一及び第二のバンド切替え用ダイオード8,15のオン/オフによりVHFローバンドとVHFハイバンドの切替えを行い、VHFハイバンド切替え時にのみ高周波増幅器35の出力容量CAMP及び混合器39の入力容量CMIXのバラツキによる共振特性変化を補正する第一及び第二の帯域補正用インダクタンス素子9、16を投入するようにした。これにより、VHFローバンド切替時は第一及び第二のバンド切替え用ダイオード8,15がオフになるのでカソード側の特性は影響しないようにでき、従来回路と同等の特性を実現できる。また、VHFハイバンド切替時は高周波増幅器35の出力容量CAMP及び混合器39の入力容量CMIXのバラツキによる共振特性の変動を補正できる。
Thus, in the present embodiment, the VHF low band and the VHF high band are switched by turning on / off the first and second
次に、図3(a)(b)(c)に示すシミュレーション回路を用いて、第一及び第二の帯域補正用インダクタンス素子9、16が共振特性に与える影響について検証した結果を説明する。
Next, the results of verifying the influence of the first and second band correcting
図3(a)に示す複同調回路は、従来回路と同一の回路構成であるが、高周波増幅器の出力容量CAMP及び混合器の入力容量CMIXは設計値通りであるものとする。図3(a)に示す複同調回路の共振特性を図4(a)に示す。 The double-tuned circuit shown in FIG. 3A has the same circuit configuration as that of the conventional circuit, but the output capacitance C AMP of the high-frequency amplifier and the input capacitance C MIX of the mixer are assumed to be as designed. FIG. 4A shows the resonance characteristics of the double-tuned circuit shown in FIG.
図3(b)に示す複同調回路は、二次側にのみ第二の帯域補正用インダクタンス素子16を挿入した回路構成となっている。図3(b)に示す複同調回路の共振特性を図4(b)に示す。同図に示すように、複同調回路の二次側共振回路にのみ第二の帯域補正用インダクタンス素子16を挿入したことにより、共振周波数が低域側へシフトした共振特性へと変化していることが判る。
The double-tuned circuit shown in FIG. 3B has a circuit configuration in which the second band correcting
図3(c)に示す複同調回路は、一次側にのみ第一の帯域補正用インダクタンス素子9を挿入した回路構成となっている。図3(c)に示す複同調回路の共振特性を図4(c)に示す。同図に示すように、複同調回路の一次側共振回路にのみ第一の帯域補正用インダクタンス素子9を挿入したことにより、共振周波数が高域側へシフトした共振特性へと変化していることが判る。 The double-tuned circuit shown in FIG. 3C has a circuit configuration in which the first band correcting inductance element 9 is inserted only on the primary side. FIG. 4C shows the resonance characteristics of the double-tuned circuit shown in FIG. As shown in the figure, by inserting the first band correction inductance element 9 only in the primary side resonance circuit of the double-tuned circuit, the resonance frequency is changed to the resonance characteristic shifted to the high band side. I understand.
第一及び第二の帯域補正用インダクタンス素子9、16のインダクタンス値を調整することにより、複同調回路の共振特性を所望の特性に可能であることは、以上のシミュレーション結果より確認された。
From the above simulation results, it was confirmed that the resonance characteristics of the double-tuned circuit can be set to desired characteristics by adjusting the inductance values of the first and second band correcting
なお、図1に示す実施の形態では、複同調回路1の一次側及び二次側の双方に帯域補正用インダクタンス素子を設けているが、どちらか一方だけに帯域補正用インダクタンス素子を設ける構成としても良い。図3(b)(c)、図4(b)(c)に示すように、一次側又は二次側のどちらか一方だけであっても複同調回路の共振特性を補正可能である。 In the embodiment shown in FIG. 1, the band correcting inductance element is provided on both the primary side and the secondary side of the double-tuned circuit 1, but the band correcting inductance element is provided only on one of them. Also good. As shown in FIGS. 3B and 3C and FIGS. 4B and 4C, the resonance characteristics of the double-tuned circuit can be corrected even on either the primary side or the secondary side.
また、以上の説明ではVHFハイバンドとVHFローバンドを切り替える場合について説明したが、本発明はVHFハイバンドとVHFローバンドの切替え以外にも適用可能である。 In the above description, the case of switching between the VHF high band and the VHF low band has been described. However, the present invention can be applied to other than switching between the VHF high band and the VHF low band.
1…複同調回路、2…入力端子、3…第一の可変容量素子、4…第一の高域同調用インダクタンス素子、5…第一の低域同調用インダクタンス素子、6…結合用インダクタンス素子、7…バイパスコンデンサ、8…第一のバンド切替え用ダイオード、9…第一の帯域補正用インダクタンス素子、11…出力端子、12…第二の可変容量素子、13…第二の高域同調用インダクタンス素子、14…第二の低域同調用インダクタンス素子、15…第二のバンド切替え用ダイオード、16…第二の帯域補正用インダクタンス素子、17…直流カットコンデンサ、18…バイパスコンデンサ、19…抵抗素子、20…バンド切替え用端子、21…端子
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Double tuning circuit, 2 ... Input terminal, 3 ... 1st variable capacitance element, 4 ... 1st high frequency tuning inductance element, 5 ... 1st low frequency tuning inductance element, 6 ... Coupling inductance element , 7 ... bypass capacitor, 8 ... first band switching diode, 9 ... first band correcting inductance element, 11 ... output terminal, 12 ... second variable capacitance element, 13 ... second high-frequency tuning element Inductance element, 14 ... second low-frequency tuning inductance element, 15 ... second band switching diode, 16 ... second band correction inductance element, 17 ... DC cut capacitor, 18 ... bypass capacitor, 19 ...
Claims (5)
入力端とグラウンドとの間に接続された第一の可変容量素子と、
直列接続された第一の高域同調用インダクタンス素子と第一の低域同調用インダクタンス素子とからなり、前記第一の可変容量素子に並列に接続された第一のインダクタンス回路と、
前記第一の高域同調用インダクタンス素子と第一の低域同調用インダクタンス素子の中間接続点とグラウンドとの間に設けられた第一のスイッチング素子と、
出力端とグラウンドとの間に接続された第二の可変容量素子と、
直列接続された第二の高域同調用インダクタンス素子と第二の低域同調用インダクタンス素子とからなり、前記第二の可変容量素子に並列に接続された第二のインダクタンス回路と、
前記第二の高域同調用インダクタンス素子と第二の低域同調用インダクタンス素子の中間接続点とグラウンドとの間に設けられた第二のスイッチング素子と、
前記第一のスイッチング素子と前記第二のスイッチング素子の少なくともどちらか一方に直列に接続された帯域補正用インダクタンス素子と、
を具備したことを特徴とする複同調回路。 A band switching type double tuning circuit in which a tuning frequency is switched to a low frequency band or a high frequency band,
A first variable capacitance element connected between the input terminal and the ground;
A first inductance circuit composed of a first high-frequency tuning inductance element and a first low-frequency tuning inductance element connected in series, and connected in parallel to the first variable capacitance element;
A first switching element provided between an intermediate connection point of the first high-frequency tuning inductance element and the first low-frequency tuning inductance element and the ground;
A second variable capacitance element connected between the output terminal and the ground;
A second inductance circuit comprising a second high-frequency tuning inductance element and a second low-frequency tuning inductance element connected in series, and connected in parallel to the second variable capacitance element;
A second switching element provided between an intermediate connection point of the second high-frequency tuning inductance element and the second low-frequency tuning inductance element and the ground;
A band correcting inductance element connected in series to at least one of the first switching element and the second switching element;
A double-tuned circuit comprising:
The low frequency band is a low frequency band of a VHF television band, and the high frequency band is a high frequency band of a VHF television band. 5. The double-tuned circuit according to any one of 4 above.
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