JP3130819U - Double-tuned circuit - Google Patents

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一真 小橋
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Abstract

【課題】低域同調時の共振特性には影響を与えずに、高域同調時にだけ共振特性を補正でき、高域同調時に所要の共振特性を提供する。
【解決手段】第一及び第二のバンド切替え用ダイオード８，１５のオン／オフによりＶＨＦローバンドとＶＨＦハイバンドの切替えを行い、ＶＨＦハイバンド切替え時にのみ高周波増幅器の出力容量ＣＡＭＰ及び混合器の入力容量ＣＭＩＸのバラツキによる共振特性変化を補正する第一及び第二の帯域補正用インダクタンス素子９、１６を投入するようにした。
【選択図】図１Resonance characteristics can be corrected only during high-frequency tuning without affecting resonance characteristics during low-frequency tuning, and required resonance characteristics are provided during high-frequency tuning.
The VHF low band and the VHF high band are switched by turning on and off the first and second band switching diodes 8 and 15, and only when the VHF high band is switched, the output capacitance C AMP of the high frequency amplifier and the mixer are switched. The first and second band correcting inductance elements 9 and 16 for correcting the resonance characteristic change due to the variation in the input capacitance C MIX are inserted.
[Selection] Figure 1

Description

本考案は、同調周波数を低域側又は高域側に切替え可能なバンド切替え型の複同調回路に関する。   The present invention relates to a band switching type double tuning circuit capable of switching a tuning frequency to a low frequency side or a high frequency side.

従来、ＶＨＦハイバンド及びＶＨＦローバンドのテレビジョン信号を受信するテレビジョンチューナには、ＶＨＦハイバンド及びＶＨＦローバンドのそれぞれに同調可能なバンド切替え型の複同調回路が備えられていた（例えば、特許文献１参照）。   Conventionally, a television tuner that receives a VHF high-band and VHF low-band television signal has been provided with a band switching type double-tuned circuit that can be tuned to each of the VHF high-band and VHF low-band (for example, Patent Documents). 1).

図５は特許文献１に記載されたバンド切替え型の複同調回路を備えたテレビジョンチューナの回路構成図である。同図に示すテレビジョンチューナは、ＶＨＦ帯からＵＨＦ帯までの全てのテレビジョン信号が入力端３１を介して第一のチューナ３２と第二のチューナ３３とに入力される。第一のチューナ３２ではＶＨＦハイバンド及びＶＨＦローバンドとＵＨＦ帯の低域側の帯域のテレビジョン信号が受信され、第二のチューナ３３ではＵＨＦ帯の高域側の帯域のテレビジョン信号が受信される。   FIG. 5 is a circuit configuration diagram of a television tuner provided with a band switching type double tuning circuit described in Patent Document 1. In FIG. In the television tuner shown in the figure, all television signals from the VHF band to the UHF band are input to the first tuner 32 and the second tuner 33 via the input terminal 31. The first tuner 32 receives television signals in the low band side of the VHF high band, VHF low band and UHF band, and the second tuner 33 receives the television signal in the band on the high band side of the UHF band. The

第一のチューナ３２の入力同調回路３４はバンド切替え型の同調回路によって構成され、４０数ＭＨｚから１３０乃至１５０ＭＨｚ（例えば１４０ＭＨｚ）までの低域の周波数帯のテレビジョン信号又は１３０ＭＨｚ乃至１５０ＭＨｚから４１０ＭＨｚ乃至４４０ＭＨｚまでの高域の周波数帯のテレビジョン信号に同調可能なように切り替えられる。この入力同調回路３４によって選択されたテレビジョン信号は高周波増幅器３５の増幅素子３５ａ（電界効果トランジスタ）の入力端子Ｇ１に入力される。増幅素子３５ａの出力端子Ｄにはチョークインダクタンス素子３６を介して電源端子Ｂから電圧が印加される。   The input tuning circuit 34 of the first tuner 32 is configured by a band switching type tuning circuit, and is a television signal in a low frequency band from 40 MHz to 130 to 150 MHz (for example, 140 MHz) or 130 MHz to 150 MHz to 410 MHz to 410 MHz. It is switched so that it can be tuned to a television signal in a high frequency band up to 440 MHz. The television signal selected by the input tuning circuit 34 is input to the input terminal G1 of the amplifying element 35a (field effect transistor) of the high frequency amplifier 35. A voltage is applied from the power supply terminal B to the output terminal D of the amplifying element 35 a via the choke inductance element 36.

高周波増幅器３５の次段には複同調回路３７が設けられる。複同調回路３７もバンド切替え型の同調回路で構成され、４０数ＭＨｚから１３０乃至１５０ＭＨｚ（例えば１４０ＭＨｚ）までの低域の周波数帯のテレビジョン信号又は１３０ＭＨｚ乃至１５０ＭＨｚから４１０ＭＨｚ乃至４４０ＭＨｚまでの高域の周波数帯のテレビジョン信号に同調可能なように切り替えられる。   A double tuning circuit 37 is provided at the next stage of the high frequency amplifier 35. The double tuning circuit 37 is also composed of a band switching type tuning circuit, and is a television signal in a low frequency band from 40 MHz to 130 to 150 MHz (for example, 140 MHz) or a high frequency band from 130 MHz to 150 MHz to 410 MHz to 440 MHz. It is switched so that it can be tuned to the television signal in the frequency band.

複同調回路３７は、一次側に第一の高域同調用インダクタンス素子３７ａ、第一の低域同調用インダクタンス素子３７ｂ、第一のバラクタダイオード３７ｃ、第一のスイッチダイオード３７ｄを有し、二次側に第二の高域同調用インダクタンス素子３７ｅ、第二の低域同調用インダクタンス素子３７ｆ、第二のバラクタダイオード３７ｇ、第二のスイッチダイオード３７ｈを有し、図示のように接続されている。また、第一の低域同調用インダクタンス素子３７ｂと第二の低域同調用インダクタンス素子３７ｆとが結合用インダクタンス素子３７ｉによって接地される。   The double-tuned circuit 37 has a first high-frequency tuning inductance element 37a, a first low-frequency tuning inductance element 37b, a first varactor diode 37c, and a first switch diode 37d on the primary side. On the side, a second high-frequency tuning inductance element 37e, a second low-frequency tuning inductance element 37f, a second varactor diode 37g, and a second switch diode 37h are connected as shown. The first low-frequency tuning inductance element 37b and the second low-frequency tuning inductance element 37f are grounded by the coupling inductance element 37i.

そして、第一及び第二のスイッチダイオード３７ｄ、３７ｈの各アノードがそれぞれ第一の高域同調用インダクタンス素子３７ａと第一の低域同調用インダクタンス素子３７ｂとの接続点、第二の高域同調用インダクタンス素子３７ｅと第二の低域同調用インダクタンス素子３７ｆとの接続点に高周波的に接続される。また、各アノードは第一の切替え端子Ｈｉに接続され、各カソードは第二の切替え端子Ｌｏに接続される。また、カソードは直流カットコンデンサ３７ｊによって高周波的に接地されると共に抵抗３７ｋによって接地される。複同調回路３７は結合用バラクタダイオード３８を介して混合器３９に接続される。   The anodes of the first and second switching diodes 37d and 37h are the connection points between the first high-frequency tuning inductance element 37a and the first low-frequency tuning inductance element 37b, respectively, and the second high-frequency tuning. It is connected at a high frequency to a connection point between the inductance element 37e for use and the second low-frequency tuning inductance element 37f. Each anode is connected to the first switching terminal Hi, and each cathode is connected to the second switching terminal Lo. The cathode is grounded at a high frequency by a DC cut capacitor 37j and grounded by a resistor 37k. The double tuning circuit 37 is connected to the mixer 39 via a coupling varactor diode 38.

なお、第一のバラクタダイオード３７ｃのカソードと第二のバラクタダイオード３７ｇのカソードとには同調周波数を変化させるための同調電圧が印加されるがその構成の図示は省略している。   Although a tuning voltage for changing the tuning frequency is applied to the cathode of the first varactor diode 37c and the cathode of the second varactor diode 37g, the configuration is not shown.

以上の構成において、第一の切替え端子Ｈｉにハイレベルの切替え電圧を印加すると、第一及び第二のスイッチダイオード３７ｄ、３７ｈがオンとなり、複同調回路３７において、第一の高域同調用インダクタンス素子３７ａと第一の低域同調用インダクタンス素子３７ｂとの接続点及び第二の高域同調用インダクタンス素子３７ｅと第二の低域同調用インダクタンス素子３７ｆとの接続点とが高周波的に接地される。この結果、複同調回路３７は前記高域の周波数帯に同調する。   In the above configuration, when a high level switching voltage is applied to the first switching terminal Hi, the first and second switch diodes 37d and 37h are turned on, and the double tuning circuit 37 has the first high-frequency tuning inductance. The connection point between the element 37a and the first low-frequency tuning inductance element 37b and the connection point between the second high-frequency tuning inductance element 37e and the second low-frequency tuning inductance element 37f are grounded at high frequency. The As a result, the double tuning circuit 37 is tuned to the high frequency band.

また、第二の切替え端子Ｌｏにハイレベルの切替え電圧を印加すると、第一及び第二のスイッチダイオード３７ｄ、３７ｈがオフとなり、複同調回路３７は前記低域の周波数帯に同調する。   When a high level switching voltage is applied to the second switching terminal Lo, the first and second switch diodes 37d and 37h are turned off, and the double tuning circuit 37 is tuned to the low frequency band.

ところで、上記複同調回路３７の一次側に接続された高周波増幅器３５及び二次側に接続された混合器３９はそれぞれ内部容量を持っている。高周波増幅器３５の内部容量は複同調回路３７の一次側共振回路の容量（第一のバラクタダイオード３７ｃ）に対して並列接続され、混合器３９の内部容量は複同調回路３７の二次側共振回路の容量（第二のバラクタダイオード３７ｇ）に対して並列接続される。従来、高周波増幅器３５の出力容量を考慮して複同調回路３７の一次側共振回路の共振特性を設定し、混合器３９の入力容量を考慮して複同調回路３７の二次側共振回路の共振特性を設定していた。
特開２００２−２４６９３２号公報 Incidentally, the high-frequency amplifier 35 connected to the primary side of the double-tuned circuit 37 and the mixer 39 connected to the secondary side each have an internal capacitance. The internal capacitance of the high-frequency amplifier 35 is connected in parallel to the capacitance (first varactor diode 37 c) of the primary side resonance circuit of the double tuning circuit 37, and the internal capacitance of the mixer 39 is the secondary side resonance circuit of the double tuning circuit 37. Connected in parallel to the second capacitor (second varactor diode 37g). Conventionally, the resonance characteristic of the primary side resonance circuit of the double tuning circuit 37 is set in consideration of the output capacity of the high frequency amplifier 35, and the resonance of the secondary side resonance circuit of the double tuning circuit 37 in consideration of the input capacity of the mixer 39. The characteristic was set.
JP 2002-246932 A

しかしながら、複同調回路３７に対する高周波増幅器３５の出力容量及び混合器３９の入力容量は部品によってバラツキがあるので、複同調回路３７の一次側共振回路及び二次側共振回路の共振特性が必ずしも設計通りの特性にならない可能性があった。特に、ＶＨＦハイバンドでは高周波増幅器３５の出力容量及び混合器３９の入力容量のバラツキにより共振特性に大きな影響を受けるといった問題があった。   However, since the output capacity of the high-frequency amplifier 35 and the input capacity of the mixer 39 with respect to the double-tuned circuit 37 vary depending on parts, the resonance characteristics of the primary-side resonance circuit and secondary-side resonance circuit of the double-tuned circuit 37 are not necessarily as designed. There was a possibility that it was not the characteristics of. In particular, in the VHF high band, there is a problem that resonance characteristics are greatly affected by variations in the output capacity of the high frequency amplifier 35 and the input capacity of the mixer 39.

本考案は、かかる点に鑑みてなされたものであり、低域同調時の共振特性には影響を与えずに、高域同調時にだけ共振特性を補正でき、高域同調時に所要の共振特性を実現することができる複同調回路を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above points, and it can correct the resonance characteristics only during high-frequency tuning without affecting the resonance characteristics during low-frequency tuning. An object is to provide a double-tuned circuit that can be realized.

本考案の複同調回路は、同調周波数が低域周波数帯又は高域周波数帯に切替えられるバンド切替え型の複同調回路であって、入力端とグラウンドとの間に接続された第一の可変容量素子と、直列接続された第一の高域同調用インダクタンス素子と第一の低域同調用インダクタンス素子とからなり、前記第一の可変容量素子に並列に接続された第一のインダクタンス回路と、前記第一の高域同調用インダクタンス素子と第一の低域同調用インダクタンス素子の中間接続点とグラウンドとの間に設けられた第一のスイッチング素子と、出力端とグラウンドとの間に接続された第二の可変容量素子と、直列接続された第二の高域同調用インダクタンス素子と第二の低域同調用インダクタンス素子とからなり、前記第二の可変容量素子に並列に接続された第二のインダクタンス回路と、前記第二の高域同調用インダクタンス素子と第二の低域同調用インダクタンス素子の中間接続点とグラウンドとの間に設けられた第二のスイッチング素子と、前記第一のスイッチング素子と前記第二のスイッチング素子の少なくともどちらか一方に直列に接続された帯域補正用インダクタンス素子とを具備したことを特徴とする。   The double tuning circuit of the present invention is a band switching type double tuning circuit whose tuning frequency is switched to a low frequency band or a high frequency band, and is a first variable capacitor connected between the input terminal and the ground. A first inductance circuit connected in parallel to the first variable capacitance element, comprising an element, a first high-frequency tuning inductance element and a first low-frequency tuning inductance element connected in series, The first switching element provided between the intermediate connection point of the first high-frequency tuning inductance element and the first low-frequency tuning inductance element and the ground, and connected between the output terminal and the ground. A second variable capacitance element, a second high-frequency tuning inductance element and a second low-frequency tuning inductance element connected in series, and connected in parallel to the second variable capacitance element. A second inductance circuit, a second switching element provided between an intermediate connection point of the second high-frequency tuning inductance element and the second low-frequency tuning inductance element, and the ground, A band correction inductance element connected in series to at least one of the one switching element and the second switching element is provided.

この構成によれば、第一のスイッチング素子と前記第二のスイッチング素子の少なくともどちらか一方に直列に接続された帯域補正用インダクタンス素子を設けたので、帯域補正用インダクタンス素子のインダクタンス値を調整して複同調回路の共振特性を所望の特性に補正することができる。   According to this configuration, since the band correcting inductance element connected in series to at least one of the first switching element and the second switching element is provided, the inductance value of the band correcting inductance element is adjusted. Thus, the resonance characteristic of the double-tuned circuit can be corrected to a desired characteristic.

また本考案は、上記複同調回路において、前記帯域補正用インダクタンス素子は、前記入力端に接続された回路要素及び又は前記出力端に接続された回路要素の内部容量のバラツキによる共振特性のずれを補正可能なインダクタンス値に設定されることを特徴とする。   Further, the present invention provides the above-described double-tuned circuit, wherein the band correcting inductance element has a resonance characteristic shift caused by variations in internal capacitance of the circuit element connected to the input terminal and / or the circuit element connected to the output terminal. The inductance value is set to a correctable inductance value.

この構成により、帯域補正用インダクタンス素子のインダクタンス値を調整することで、入力端に接続された回路要素及び又は出力端に接続された回路要素の内部容量のバラツキによる共振特性のずれを補正することができる。   With this configuration, by adjusting the inductance value of the band correction inductance element, the deviation of the resonance characteristics due to the variation in the internal capacitance of the circuit element connected to the input terminal and / or the circuit element connected to the output terminal can be corrected. Can do.

また本考案は、上記複同調回路において、同調周波数として前記低域周波数帯を選択するときは、前記第一及び第二のスイッチング素子を共にオフさせ、同調周波数として前記高域周波数帯を選択するときは、前記第一及び第二のスイッチング素子を共にオンさせることを特徴とする。   In the double tuning circuit according to the present invention, when the low frequency band is selected as the tuning frequency, both the first and second switching elements are turned off and the high frequency band is selected as the tuning frequency. In some cases, both the first and second switching elements are turned on.

この構成により、第一及び第二のスイッチング素子を共にオフさせることで、一次側には第一の可変容量素子と第一の高域同調用インダクタンス素子と第一の低域同調用インダクタンス素子とからなる共振回路が形成されて低域周波数帯に同調し、二次側には第二の可変容量素子と第二の高域同調用インダクタンス素子と第二の低域同調用インダクタンス素子とからなる共振回路が形成されて低域周波数帯に同調する。また、第一及び第二のスイッチング素子を共にオンさせることで、帯域補正用インダクタンス素子が第一のスイッチング素子に直列に接続されている場合には、一次側に第一の可変容量素子と第一の高域同調用インダクタンス素子及び帯域補正用インダクタンス素子からなる一次側共振回路が形成されて一次側共振回路の共振特性が帯域補正用インダクタンス素子で補正される。また、帯域補正用インダクタンス素子が第二のスイッチング素子に直列に接続されている場合には、二次側に第二の可変容量素子と第二の高域同調用インダクタンス素子及び帯域補正用インダクタンス素子からなる二次側共振回路が形成されて二次側共振回路の共振特性が帯域補正用インダクタンス素子で補正される。   With this configuration, by turning off both the first and second switching elements, the first variable capacitance element, the first high-frequency tuning inductance element, and the first low-frequency tuning inductance element are provided on the primary side. A resonant circuit is formed and tuned to a low frequency band, and on the secondary side, a second variable capacitance element, a second high frequency tuning inductance element, and a second low frequency tuning inductance element are formed. A resonant circuit is formed and tuned to the low frequency band. Further, by turning on both the first and second switching elements, when the band correcting inductance element is connected in series to the first switching element, the first variable capacitance element and the first A primary side resonance circuit including one high-frequency tuning inductance element and a band correction inductance element is formed, and the resonance characteristics of the primary side resonance circuit are corrected by the band correction inductance element. Further, when the band correcting inductance element is connected in series to the second switching element, the second variable capacitance element, the second high frequency tuning inductance element, and the band correcting inductance element are arranged on the secondary side. Is formed, and the resonance characteristics of the secondary side resonance circuit are corrected by the band correcting inductance element.

また上記複同調回路において、前記帯域補正用インダクタンス素子は、パターンで構成することができる。   In the double-tuned circuit, the band correcting inductance element can be configured by a pattern.

また上記複同調回路において、前記低域周波数帯は、ＶＨＦテレビジョン帯域の低域側周波数帯であり、前記高域周波数帯は、ＶＨＦテレビジョン帯域の高域側周波数帯であることとする。これにより、テレビジョンチューナの複同調回路として用いることができる。   In the double tuning circuit, the low frequency band is a low frequency band of a VHF television band, and the high frequency band is a high frequency band of a VHF television band. Thereby, it can be used as a double-tuned circuit of a television tuner.

本考案によれば、低域同調時の共振特性には影響を与えずに、高域同調時にだけ共振特性を補正でき、高域同調時に所要の共振特性を実現することができる。   According to the present invention, the resonance characteristic can be corrected only at the time of high frequency tuning without affecting the resonance characteristic at the time of low frequency tuning, and the required resonance characteristic can be realized at the time of high frequency tuning.

以下、本考案の実施の形態について添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は本考案の一実施の形態に係る複同調回路の構成図である。
複同調回路１の一次側には、入力端子２とグラウンドとの間に第一の可変容量素子３が接続されている。第一の高域同調用インダクタンス素子４の一端が入力端子２に接続され、第一の低域同調用インダクタンス素子５の一端が結合用インダクタンス素子６及びバイパスコンデンサ７を直列に介してグラウンドに接続されている。すなわち、直列接続された第一の高域同調用インダクタンス素子４と第一の低域同調用インダクタンス素子５とからなる第一のインダクタンス回路が、第一の可変容量素子３に対して並列に接続されている。第一の高域同調用インダクタンス素子４の他端と第一の低域同調用インダクタンス素子５の他端との中間接続点Ｐ１は第一のバンド切替え用ダイオード８を介してグラウンドに接続される。中間接続点Ｐ１とグラウンドとの間には、第一の帯域補正用インダクタンス素子９が第一のバンド切替え用ダイオード８に対して直列に接続されている。例えば、第一の高域同調用インダクタンス素子４、第一の低域同調用インダクタンス素子５が２０〜２５ｎＨ程度であるのに対して、第一の帯域補正用インダクタンス素子９は０〜５ｎＨ程度に設定される。第一の帯域補正用インダクタンス素子９は、第一の高域同調用インダクタンス素子４等に比べて微少であるので、パターンで構成することが望ましい。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a configuration diagram of a double-tuned circuit according to an embodiment of the present invention.
On the primary side of the double tuning circuit 1, a first variable capacitance element 3 is connected between the input terminal 2 and the ground. One end of the first high-frequency tuning inductance element 4 is connected to the input terminal 2, and one end of the first low-frequency tuning inductance element 5 is connected to the ground via the coupling inductance element 6 and the bypass capacitor 7 in series. Has been. That is, a first inductance circuit including a first high-frequency tuning inductance element 4 and a first low-frequency tuning inductance element 5 connected in series is connected in parallel to the first variable capacitance element 3. Has been. An intermediate connection point P1 between the other end of the first high-frequency tuning inductance element 4 and the other end of the first low-frequency tuning inductance element 5 is connected to the ground via the first band switching diode 8. . A first band correcting inductance element 9 is connected in series with the first band switching diode 8 between the intermediate connection point P1 and the ground. For example, the first high-frequency tuning inductance element 4 and the first low-frequency tuning inductance element 5 are about 20 to 25 nH, whereas the first band correction inductance element 9 is about 0 to 5 nH. Is set. Since the first band correction inductance element 9 is very small compared to the first high-frequency tuning inductance element 4 and the like, it is desirable to form it with a pattern.

複同調回路１の二次側には、出力端子１１とグラウンドとの間に第二の可変容量素子１２が接続されている。第二の高域同調用インダクタンス素子１３と第二の低域同調用インダクタンス素子１４とが直列接続され、第二の高域同調用インダクタンス素子１３の一端が出力端子１１に接続され、第二の低域同調用インダクタンス素子１４の一端が結合用インダクタンス素子６及びバイパスコンデンサ７を直列に介してグラウンドに接続されている。すなわち、直列接続された第二の高域同調用インダクタンス素子１３と第二の低域同調用インダクタンス素子１４とからなる第二のインダクタンス回路が、第二の可変容量素子１２に対して並列に接続されている。第二の高域同調用インダクタンス素子１３の他端と第二の低域同調用インダクタンス素子１４の他端との中間接続点Ｐ２は第二のバンド切替え用ダイオード１５を介してグラウンドに接続される。中間接続点Ｐ２とグラウンドとの間には、第二の帯域補正用インダクタンス素子１６が第二のバンド切替え用ダイオード１５に対して直列に接続されている。例えば、第二の高域同調用インダクタンス素子１３、第一の低域同調用インダクタンス素子１４が２０〜２５ｎＨ程度であるのに対して、第二の帯域補正用インダクタンス素子１６は０〜５ｎＨ程度に設定される。第二の帯域補正用インダクタンス素子１６は、第二の高域同調用インダクタンス素子１３等に比べて微少であるので、パターンで構成することが望ましい。   On the secondary side of the double-tuned circuit 1, a second variable capacitance element 12 is connected between the output terminal 11 and the ground. The second high-frequency tuning inductance element 13 and the second low-frequency tuning inductance element 14 are connected in series, one end of the second high-frequency tuning inductance element 13 is connected to the output terminal 11, and the second One end of the low-frequency tuning inductance element 14 is connected to the ground via the coupling inductance element 6 and the bypass capacitor 7 in series. That is, a second inductance circuit including a second high-frequency tuning inductance element 13 and a second low-frequency tuning inductance element 14 connected in series is connected in parallel to the second variable capacitance element 12. Has been. An intermediate connection point P2 between the other end of the second high-frequency tuning inductance element 13 and the other end of the second low-frequency tuning inductance element 14 is connected to the ground via the second band switching diode 15. . A second band correcting inductance element 16 is connected in series with the second band switching diode 15 between the intermediate connection point P2 and the ground. For example, the second high-frequency tuning inductance element 13 and the first low-frequency tuning inductance element 14 are about 20 to 25 nH, whereas the second band correction inductance element 16 is about 0 to 5 nH. Is set. Since the second band correcting inductance element 16 is very small compared to the second high frequency tuning inductance element 13 and the like, it is desirable to form it with a pattern.

第一の帯域補正用インダクタンス素子９及び第二の帯域補正用インダクタンス素子１６の接地側端部は直流カットコンデンサ１７を介してグラウンドに接続される。また、第一の帯域補正用インダクタンス素子９と第二の帯域補正用インダクタンス素子１６との中間接続点はバイパスコンデンサ１８を介して高周波的に接地される。   The ground side end portions of the first band correction inductance element 9 and the second band correction inductance element 16 are connected to the ground via a DC cut capacitor 17. An intermediate connection point between the first band correction inductance element 9 and the second band correction inductance element 16 is grounded via a bypass capacitor 18 at a high frequency.

さらに、第一及び第二の帯域補正用インダクタンス素子９、１６の接地側端部は、抵抗素子１９を介してバンド切替え用の電圧が印加されるバンド切替え用端子２０に接続されている。バンド切替え用端子２０は、高域同調時には図示していないＩＣ回路においてグラウンドに接続され、低域同調時には第一及び第二のバンド切替え用ダイオード８、１５をオフさせる程度の正電圧が上記ＩＣ回路から印加される。常にバイアス電圧が印加される端子２１はバイパスコンデンサ７のグラウンド側電極に接続されている。端子２１に印加されるバイアス電圧は、第一及び第二のバンド切替え用ダイオード８、１５のアノードに印加される。したがって、バンド切替え用端子２０がＩＣ回路においてグラウンドに接続されれば第一及び第二のバンド切替え用ダイオード８、１５が共にオンし、バンド切替え用端子２０にＩＣ回路から上記正電圧が印加されれば第一及び第二のバンド切替え用ダイオード８、１５が共にオフすることになる。   Furthermore, the ground-side ends of the first and second band correction inductance elements 9 and 16 are connected to a band switching terminal 20 to which a band switching voltage is applied via a resistance element 19. The band switching terminal 20 is connected to the ground in an IC circuit (not shown) at the time of high-frequency tuning, and a positive voltage enough to turn off the first and second band switching diodes 8 and 15 at the time of low-frequency tuning is the above-mentioned IC. Applied from the circuit. A terminal 21 to which a bias voltage is always applied is connected to the ground side electrode of the bypass capacitor 7. The bias voltage applied to the terminal 21 is applied to the anodes of the first and second band switching diodes 8 and 15. Accordingly, if the band switching terminal 20 is connected to the ground in the IC circuit, both the first and second band switching diodes 8 and 15 are turned on, and the positive voltage is applied to the band switching terminal 20 from the IC circuit. Then, both the first and second band switching diodes 8 and 15 are turned off.

以下、図５に示すテレビジョンチューナにおける第一のチューナ３２の複同調回路３７の代わりに本実施の形態の複同調回路１を備えたものとして説明する。この場合、高域の同調周波数がＶＨＦハイバンドに相当し、低域の同調周波数がＶＨＦローバンドに相当する。   In the following description, it is assumed that the double-tuned circuit 1 of the present embodiment is provided instead of the double-tuned circuit 37 of the first tuner 32 in the television tuner shown in FIG. In this case, the high frequency tuning frequency corresponds to the VHF high band, and the low frequency tuning frequency corresponds to the VHF low band.

テレビジョンチューナの第一のチューナ３２の入力同調回路３４でＶＨＦハイバンド及びＶＨＦローバンドを含んだテレビジョン信号が抽出され、ＶＨＦハイバンド及びＶＨＦローバンドのテレビジョン信号が高周波増幅器３５で増幅された後、複同調回路１の入力端子２に入力する。   After the television signal including the VHF high band and the VHF low band is extracted by the input tuning circuit 34 of the first tuner 32 of the television tuner, the television signal of the VHF high band and the VHF low band is amplified by the high frequency amplifier 35. , Input to the input terminal 2 of the double-tuned circuit 1.

先ず、ＶＨＦローバンドを受信する場合の動作について説明する。
ＶＨＦローバンドを受信する場合、ＩＣ回路からバンド切替え用端子２０に正電圧を印加して第一及び第二のバンド切替え用ダイオード８、１５をオフさせる。このとき、複同調回路１の一次側では第一の可変容量素子３、第一の高域同調用インダクタンス素子４及び第一の低域同調用インダクタンス素子５からなる共振回路が形成される。この結果、第一の可変容量素子３の可変容量に応じて選局されるＶＨＦローバンド内の所望の受信チャンネル周波数に同調し、受信チャンネル周波数が選択される。複同調回路１の二次側では第二の可変容量素子１２、第二の高域同調用インダクタンス素子１３及び第二の低域同調用インダクタンス素子１４からなる共振回路が形成される。一次側インダクタンス素子４，５と二次側インダクタンス素子１３，１４とがＭ結合して、受信チャンネル周波数信号が複同調回路１の二次側に入力する。二次側においても、一次側同様にＶＨＦローバンド内の受信チャンネル周波数に同調し、受信チャンネル周波数が選択されて出力端子１１から混合器３９へ出力される。 First, the operation when receiving the VHF low band will be described.
When the VHF low band is received, a positive voltage is applied from the IC circuit to the band switching terminal 20 to turn off the first and second band switching diodes 8 and 15. At this time, on the primary side of the double-tuned circuit 1, a resonance circuit including the first variable capacitance element 3, the first high-frequency tuning inductance element 4, and the first low-frequency tuning inductance element 5 is formed. As a result, the reception channel frequency is selected by tuning to the desired reception channel frequency in the VHF low band selected according to the variable capacitance of the first variable capacitance element 3. On the secondary side of the double tuning circuit 1, a resonance circuit including a second variable capacitance element 12, a second high frequency tuning inductance element 13, and a second low frequency tuning inductance element 14 is formed. The primary side inductance elements 4 and 5 and the secondary side inductance elements 13 and 14 are M-coupled, and the reception channel frequency signal is input to the secondary side of the double-tuned circuit 1. Similarly to the primary side, the secondary side is also tuned to the reception channel frequency in the VHF low band, and the reception channel frequency is selected and output from the output terminal 11 to the mixer 39.

なお、ＶＨＦローバンドでは、一次側共振回路に並列接続される高周波増幅器３５の出力容量及び二次側共振回路に並列接続される混合器３９の入力容量の各バラツキは無視することができる。したがって、高周波増幅器３５の出力容量及び混合器３９の入力容量をその部品仕様にしたがって他の回路部品の定数を定めておけば、一次側共振回路及び二次側共振回路ともに設計通りの共振特性を実現できる。   In the VHF low band, variations in the output capacitance of the high frequency amplifier 35 connected in parallel to the primary side resonance circuit and the input capacitance of the mixer 39 connected in parallel to the secondary side resonance circuit can be ignored. Therefore, if the output capacitance of the high-frequency amplifier 35 and the input capacitance of the mixer 39 are determined according to the component specifications, the constants of the other circuit components are determined, and the resonance characteristics as designed are obtained for both the primary side resonance circuit and the secondary side resonance circuit. realizable.

次に、ＶＨＦハイバンドを受信する場合の動作について説明する。
ＶＨＦハイバンドを受信する場合、ＩＣ回路においてバンド切替え用端子２０をグラウンドに接続して、第一及び第二のバンド切替え用ダイオード８、１５をオンさせる。一次側では、第一のバンド切替え用ダイオード８がオンすることで、第一の高域同調用インダクタンス素子４の他端が、第一の帯域補正用インダクタンス素子９を経由してグラウンドに接続される。二次側では、第二のバンド切替え用ダイオード１５がオンすることで、第二の高域同調用インダクタンス素子１３の他端が、第二の帯域補正用インダクタンス素子１６を経由してグラウンドに接続される。 Next, the operation when receiving the VHF high band will be described.
When receiving the VHF high band, the band switching terminal 20 is connected to the ground in the IC circuit, and the first and second band switching diodes 8 and 15 are turned on. On the primary side, when the first band switching diode 8 is turned on, the other end of the first high frequency tuning inductance element 4 is connected to the ground via the first band correction inductance element 9. The On the secondary side, when the second band switching diode 15 is turned on, the other end of the second high-frequency tuning inductance element 13 is connected to the ground via the second band correction inductance element 16. Is done.

図２は、ＶＨＦハイバンド同調時における複同調回路１の等価回路である。複同調回路１の一次側では、第一の可変容量素子３と第一の高域同調用インダクタンス素子４とが並列接続されると共に、第一の高域同調用インダクタンス素子４に対して第一の帯域補正用インダクタンス素子９が直列に接続された一次側共振回路が形成される。また、入力端子２には高周波増幅器３５の出力容量ＣＡＭＰが現れ、第一の可変容量素子３に対して並列接続される。 FIG. 2 is an equivalent circuit of the double-tuned circuit 1 during VHF high-band tuning. On the primary side of the double-tuned circuit 1, the first variable capacitance element 3 and the first high-frequency tuning inductance element 4 are connected in parallel, and the first high-frequency tuning inductance element 4 is connected to the first high-frequency tuning inductance element 4. A primary side resonance circuit is formed in which the band correcting inductance elements 9 are connected in series. Further, the output capacitor C AMP of the high frequency amplifier 35 appears at the input terminal 2 and is connected in parallel to the first variable capacitor 3.

高周波増幅器３５の出力容量ＣＡＭＰのバラツキにより一次側共振回路の共振周波数（同調周波数）が所望周波数からずれる可能性があるが、第一の帯域補正用インダクタンス素子９のインダクタンス値を調節して出力容量ＣＡＭＰのバラツキ相当分を補正するようにしている。例えば、０〜５ｎＨ程度のインダクタンス値の小さい第一の帯域補正用インダクタンス素子９で一次側共振回路が所望の共振特性となるように補正する。 Although there is a possibility that the resonance frequency (tuning frequency) of the primary side resonance circuit deviates from a desired frequency due to variations in the output capacitance C AMP of the high frequency amplifier 35, the inductance value of the first band correction inductance element 9 is adjusted and output. An amount corresponding to the variation of the capacity C AMP is corrected. For example, the primary side resonance circuit is corrected to have a desired resonance characteristic by the first band correction inductance element 9 having a small inductance value of about 0 to 5 nH.

また、複同調回路１の二次側では、第二の可変容量素子１２と第二の高域同調用インダクタンス素子１３とが並列接続されると共に、第二の高域同調用インダクタンス素子１３に対して第二の帯域補正用インダクタンス素子１６が直列に接続された二次側共振回路が形成される。出力端子１１には混合器３９の入力容量ＣＭＩＸが現れ、第二の可変容量素子１２に対して並列接続される。 In addition, on the secondary side of the double tuning circuit 1, the second variable capacitance element 12 and the second high frequency tuning inductance element 13 are connected in parallel, and with respect to the second high frequency tuning inductance element 13. Thus, a secondary side resonance circuit in which the second band correcting inductance element 16 is connected in series is formed. An input capacitor C MIX of the mixer 39 appears at the output terminal 11 and is connected in parallel to the second variable capacitor 12.

二次側においても、一次側と同様に、混合器３９の入力容量ＣＭＩＸのバラツキにより二次側共振回路の共振周波数（同調周波数）が所望周波数からずれる可能性があるが、第二の帯域補正用インダクタンス素子１６のインダクタンス値を調節して入力容量ＣＭＩＸのバラツキ相当分を補正するようにしている。例えば、０〜５ｎＨ程度のインダクタンス値の小さい第二の帯域補正用インダクタンス素子１６で所望の共振特性となるように補正する。 On the secondary side, as in the primary side, the resonance frequency (tuning frequency) of the secondary side resonance circuit may be deviated from the desired frequency due to variations in the input capacitance C MIX of the mixer 39. The inductance value of the correction inductance element 16 is adjusted to correct the variation equivalent to the input capacitance C MIX . For example, the second band correcting inductance element 16 having a small inductance value of about 0 to 5 nH is corrected so as to have a desired resonance characteristic.

このように、本実施の形態では、第一及び第二のバンド切替え用ダイオード８，１５のオン／オフによりＶＨＦローバンドとＶＨＦハイバンドの切替えを行い、ＶＨＦハイバンド切替え時にのみ高周波増幅器３５の出力容量ＣＡＭＰ及び混合器３９の入力容量ＣＭＩＸのバラツキによる共振特性変化を補正する第一及び第二の帯域補正用インダクタンス素子９、１６を投入するようにした。これにより、ＶＨＦローバンド切替時は第一及び第二のバンド切替え用ダイオード８，１５がオフになるのでカソード側の特性は影響しないようにでき、従来回路と同等の特性を実現できる。また、ＶＨＦハイバンド切替時は高周波増幅器３５の出力容量ＣＡＭＰ及び混合器３９の入力容量ＣＭＩＸのバラツキによる共振特性の変動を補正できる。 Thus, in the present embodiment, the VHF low band and the VHF high band are switched by turning on / off the first and second band switching diodes 8 and 15, and the output of the high-frequency amplifier 35 is switched only when the VHF high band is switched. The first and second band correcting inductance elements 9 and 16 for correcting the change in the resonance characteristics due to the variation in the capacitance C AMP and the input capacitance C MIX of the mixer 39 are inserted. Thereby, since the first and second band switching diodes 8 and 15 are turned off at the time of VHF low band switching, the characteristics on the cathode side can be prevented from being affected, and characteristics equivalent to those of the conventional circuit can be realized. Further, at the time of switching the VHF high band, it is possible to correct fluctuations in resonance characteristics due to variations in the output capacitance C AMP of the high frequency amplifier 35 and the input capacitance C MIX of the mixer 39.

次に、図３（ａ）（ｂ）（ｃ）に示すシミュレーション回路を用いて、第一及び第二の帯域補正用インダクタンス素子９、１６が共振特性に与える影響について検証した結果を説明する。   Next, the results of verifying the influence of the first and second band correcting inductance elements 9 and 16 on the resonance characteristics using the simulation circuit shown in FIGS. 3A, 3B, and 3C will be described.

図３（ａ）に示す複同調回路は、従来回路と同一の回路構成であるが、高周波増幅器の出力容量ＣＡＭＰ及び混合器の入力容量ＣＭＩＸは設計値通りであるものとする。図３（ａ）に示す複同調回路の共振特性を図４（ａ）に示す。 The double-tuned circuit shown in FIG. 3A has the same circuit configuration as that of the conventional circuit, but the output capacitance C AMP of the high-frequency amplifier and the input capacitance C MIX of the mixer are assumed to be as designed. FIG. 4A shows the resonance characteristics of the double-tuned circuit shown in FIG.

図３（ｂ）に示す複同調回路は、二次側にのみ第二の帯域補正用インダクタンス素子１６を挿入した回路構成となっている。図３（ｂ）に示す複同調回路の共振特性を図４（ｂ）に示す。同図に示すように、複同調回路の二次側共振回路にのみ第二の帯域補正用インダクタンス素子１６を挿入したことにより、共振周波数が低域側へシフトした共振特性へと変化していることが判る。   The double-tuned circuit shown in FIG. 3B has a circuit configuration in which the second band correcting inductance element 16 is inserted only on the secondary side. FIG. 4B shows the resonance characteristics of the double-tuned circuit shown in FIG. As shown in the figure, by inserting the second band correction inductance element 16 only in the secondary side resonance circuit of the double-tuned circuit, the resonance frequency is changed to the resonance characteristic shifted to the low side. I understand that.

図３（ｃ）に示す複同調回路は、一次側にのみ第一の帯域補正用インダクタンス素子９を挿入した回路構成となっている。図３（ｃ）に示す複同調回路の共振特性を図４（ｃ）に示す。同図に示すように、複同調回路の一次側共振回路にのみ第一の帯域補正用インダクタンス素子９を挿入したことにより、共振周波数が高域側へシフトした共振特性へと変化していることが判る。   The double-tuned circuit shown in FIG. 3C has a circuit configuration in which the first band correcting inductance element 9 is inserted only on the primary side. FIG. 4C shows the resonance characteristics of the double-tuned circuit shown in FIG. As shown in the figure, by inserting the first band correction inductance element 9 only in the primary side resonance circuit of the double-tuned circuit, the resonance frequency is changed to the resonance characteristic shifted to the high band side. I understand.

第一及び第二の帯域補正用インダクタンス素子９、１６のインダクタンス値を調整することにより、複同調回路の共振特性を所望の特性に可能であることは、以上のシミュレーション結果より確認された。   From the above simulation results, it was confirmed that the resonance characteristics of the double-tuned circuit can be set to desired characteristics by adjusting the inductance values of the first and second band correcting inductance elements 9 and 16.

なお、図１に示す実施の形態では、複同調回路１の一次側及び二次側の双方に帯域補正用インダクタンス素子を設けているが、どちらか一方だけに帯域補正用インダクタンス素子を設ける構成としても良い。図３（ｂ）（ｃ）、図４（ｂ）（ｃ）に示すように、一次側又は二次側のどちらか一方だけであっても複同調回路の共振特性を補正可能である。   In the embodiment shown in FIG. 1, the band correcting inductance element is provided on both the primary side and the secondary side of the double-tuned circuit 1, but the band correcting inductance element is provided only on one of them. Also good. As shown in FIGS. 3B and 3C and FIGS. 4B and 4C, the resonance characteristics of the double-tuned circuit can be corrected even on either the primary side or the secondary side.

また、以上の説明ではＶＨＦハイバンドとＶＨＦローバンドを切り替える場合について説明したが、本発明はＶＨＦハイバンドとＶＨＦローバンドの切替え以外にも適用可能である。   In the above description, the case of switching between the VHF high band and the VHF low band has been described. However, the present invention can be applied to other than switching between the VHF high band and the VHF low band.

本考案の一実施の形態に係る複同調回路の構成図Configuration diagram of a double-tuned circuit according to an embodiment of the present invention 上記一実施の形態においてＶＨＦハイバンド同調時の複同調回路の等価回路図Equivalent circuit diagram of double tuning circuit at VHF high band tuning in the above embodiment （ａ）帯域補正用インダクタンス素子を設けていない複同調回路の回路図、（ｂ）二次側にのみ帯域補正用インダクタンス素子を設けた複同調回路の回路図、（ｃ）一次側にのみ帯域補正用インダクタンス素子を設けた複同調回路の回路図(A) Circuit diagram of a double-tuned circuit not provided with a band correction inductance element, (b) Circuit diagram of a double-tuned circuit provided with a band correction inductance element only on the secondary side, (c) Band only on the primary side Circuit diagram of a double-tuned circuit with a compensation inductance element （ａ）図３（ａ）に示す複同調回路の共振特性のシミュレーション結果を示す特性図、図３（ｂ）に示す複同調回路の共振特性のシミュレーション結果を示す特性図、図３（ｃ）に示す複同調回路の共振特性のシミュレーション結果を示す特性図FIG. 3A is a characteristic diagram showing a simulation result of the resonance characteristics of the double-tuned circuit shown in FIG. 3A, a characteristic chart showing a simulation result of the resonance characteristics of the double-tuned circuit shown in FIG. 3B, and FIG. Characteristic diagram showing the simulation results of the resonance characteristics of the double-tuned circuit shown in 従来のテレビジョンチューナの構成図Configuration diagram of a conventional television tuner

符号の説明Explanation of symbols

１…複同調回路、２…入力端子、３…第一の可変容量素子、４…第一の高域同調用インダクタンス素子、５…第一の低域同調用インダクタンス素子、６…結合用インダクタンス素子、７…バイパスコンデンサ、８…第一のバンド切替え用ダイオード、９…第一の帯域補正用インダクタンス素子、１１…出力端子、１２…第二の可変容量素子、１３…第二の高域同調用インダクタンス素子、１４…第二の低域同調用インダクタンス素子、１５…第二のバンド切替え用ダイオード、１６…第二の帯域補正用インダクタンス素子、１７…直流カットコンデンサ、１８…バイパスコンデンサ、１９…抵抗素子、２０…バンド切替え用端子、２１…端子

DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Double tuning circuit, 2 ... Input terminal, 3 ... 1st variable capacitance element, 4 ... 1st high frequency tuning inductance element, 5 ... 1st low frequency tuning inductance element, 6 ... Coupling inductance element , 7 ... bypass capacitor, 8 ... first band switching diode, 9 ... first band correcting inductance element, 11 ... output terminal, 12 ... second variable capacitance element, 13 ... second high-frequency tuning element Inductance element, 14 ... second low-frequency tuning inductance element, 15 ... second band switching diode, 16 ... second band correction inductance element, 17 ... DC cut capacitor, 18 ... bypass capacitor, 19 ... resistance Element 20 ... Band switching terminal 21 ... Terminal

Claims (5)

同調周波数が低域周波数帯又は高域周波数帯に切替えられるバンド切替え型の複同調回路であって、
入力端とグラウンドとの間に接続された第一の可変容量素子と、
直列接続された第一の高域同調用インダクタンス素子と第一の低域同調用インダクタンス素子とからなり、前記第一の可変容量素子に並列に接続された第一のインダクタンス回路と、
前記第一の高域同調用インダクタンス素子と第一の低域同調用インダクタンス素子の中間接続点とグラウンドとの間に設けられた第一のスイッチング素子と、
出力端とグラウンドとの間に接続された第二の可変容量素子と、
直列接続された第二の高域同調用インダクタンス素子と第二の低域同調用インダクタンス素子とからなり、前記第二の可変容量素子に並列に接続された第二のインダクタンス回路と、
前記第二の高域同調用インダクタンス素子と第二の低域同調用インダクタンス素子の中間接続点とグラウンドとの間に設けられた第二のスイッチング素子と、
前記第一のスイッチング素子と前記第二のスイッチング素子の少なくともどちらか一方に直列に接続された帯域補正用インダクタンス素子と、
を具備したことを特徴とする複同調回路。 A band switching type double tuning circuit in which a tuning frequency is switched to a low frequency band or a high frequency band,
A first variable capacitance element connected between the input terminal and the ground;
A first inductance circuit composed of a first high-frequency tuning inductance element and a first low-frequency tuning inductance element connected in series, and connected in parallel to the first variable capacitance element;
A first switching element provided between an intermediate connection point of the first high-frequency tuning inductance element and the first low-frequency tuning inductance element and the ground;
A second variable capacitance element connected between the output terminal and the ground;
A second inductance circuit comprising a second high-frequency tuning inductance element and a second low-frequency tuning inductance element connected in series, and connected in parallel to the second variable capacitance element;
A second switching element provided between an intermediate connection point of the second high-frequency tuning inductance element and the second low-frequency tuning inductance element and the ground;
A band correcting inductance element connected in series to at least one of the first switching element and the second switching element;
A double-tuned circuit comprising: 前記帯域補正用インダクタンス素子は、前記入力端に接続された回路要素及び又は前記出力端に接続された回路要素の内部容量のバラツキによる共振特性のずれを補正可能なインダクタンス値に設定されることを特徴とする請求項１記載の複同調回路。   The band correcting inductance element is set to an inductance value capable of correcting a deviation in resonance characteristics due to variations in internal capacitance of the circuit element connected to the input terminal and the circuit element connected to the output terminal. The double-tuned circuit according to claim 1, wherein: 同調周波数として前記低域周波数帯を選択するときは、前記第一及び第二のスイッチング素子を共にオフさせ、同調周波数として前記高域周波数帯を選択するときは、前記第一及び第二のスイッチング素子を共にオンさせることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の複同調回路。   When the low frequency band is selected as a tuning frequency, both the first and second switching elements are turned off, and when the high frequency band is selected as a tuning frequency, the first and second switching elements are turned off. 3. The double tuning circuit according to claim 1, wherein the elements are turned on together. 前記帯域補正用インダクタンス素子は、パターンで構成されていることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の複同調回路。   The double-tuned circuit according to any one of claims 1 to 3, wherein the band correcting inductance element is configured by a pattern. 前記低域周波数帯は、ＶＨＦテレビジョン帯域の低域側周波数帯であり、前記高域周波数帯は、ＶＨＦテレビジョン帯域の高域側周波数帯であることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載の複同調回路。
The low frequency band is a low frequency band of a VHF television band, and the high frequency band is a high frequency band of a VHF television band. 5. The double-tuned circuit according to any one of 4 above.
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