JP3123117B2 - Diamond film formation method - Google Patents

Diamond film formation method

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JP3123117B2
JP3123117B2 JP03130676A JP13067691A JP3123117B2 JP 3123117 B2 JP3123117 B2 JP 3123117B2 JP 03130676 A JP03130676 A JP 03130676A JP 13067691 A JP13067691 A JP 13067691A JP 3123117 B2 JP3123117 B2 JP 3123117B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、低摩擦・耐磨耗摺動部
品や切削工具などの表面に強い密着力と優れた面粗度を
有するダイヤモンド膜を気相法によって簡易に形成する
方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for easily forming a diamond film having a strong adhesion and an excellent surface roughness on the surface of a low-friction and wear-resistant sliding part or a cutting tool by a gas phase method. It is about.

【0002】[0002]

【従来の技術】ダイヤモンドは極めて硬く優れた耐磨耗
性を有するとともに、摩擦係数が低いという優れた特性
を有するため、摺動部品や切削工具に適用する試みが従
来からなされてきた。
2. Description of the Related Art Since diamond is extremely hard and has excellent wear resistance and excellent properties such as a low coefficient of friction, attempts have been made to apply it to sliding parts and cutting tools.

【0003】ダイヤモンド膜を摺動部品等に用いる場合
の問題点として膜の基体に対する密着力が低く、使用条
件が厳しい場合、使用中に膜が剥離してしまうことがあ
ること、また、最も一般的なダイヤモンド膜形成方法で
ある気相法によって形成したダイヤモンド膜は、面粗度
が悪く、膜表面の凹凸によって逆に相手材を傷つけた
り、研削してしまうことがしばしばあった。
[0003] When a diamond film is used for a sliding part or the like, a problem is that the film may peel off during use if the film has low adhesion to a substrate and is used under severe conditions. Diamond films formed by the vapor phase method, which is a typical diamond film forming method, have poor surface roughness, and conversely, the mating material is often damaged or ground due to irregularities on the film surface.

【0004】基体との密着力を高めるための試みとして
ダイヤモンドが比較的析出しやすいシリコン等の基体に
気相法によってダイヤモンド膜を析出形成し、このダイ
ヤモンド膜の表面側を基体の表面にろう付けし、その
後、該基体を削り取るなどの方法(以下ろう付け法)が
提案されている。(特開平1−15328)。この方法
はダイヤモンドの析出しにくいFe、Co、Niを含む
部品の表面にダイヤモンド膜を形成しようとする場合に
有効である。しかし、一旦シリコン等の基体の表面に形
成させたダイヤモンド膜をろう付けし、その後基体を削
り取る等の方法は、研削の精度、膜の強度などからダイ
ヤモンド膜の厚さが10μm以上必要であり、研削自体
が厄介で多大な労力、時間を必要とするという問題があ
った。
As an attempt to enhance the adhesion to the substrate, a diamond film is deposited and formed on a substrate such as silicon, on which diamond is relatively easily deposited, by a vapor phase method, and the surface side of the diamond film is brazed to the surface of the substrate. Thereafter, a method (hereinafter referred to as a brazing method) of scraping the substrate has been proposed. (JP-A-1-15328). This method is effective when a diamond film is to be formed on the surface of a component containing Fe, Co, and Ni in which diamond is not easily deposited. However, a method such as brazing a diamond film once formed on the surface of a substrate such as silicon and then shaving off the substrate requires a thickness of the diamond film of 10 μm or more due to grinding accuracy, film strength, and the like. There was a problem that grinding itself was troublesome and required a great deal of labor and time.

【0005】一方ダイヤモンド膜表面の面粗度を高める
ため、これまでは研摩などが行われてきた。ダイヤモン
ド膜はその膜形成速度が速い程、また、結晶性の良好な
良質な膜を作る程、自形面(晶癖面)のよく発達した膜
となり、表面の面粗度が粗くなる。
[0005] On the other hand, in order to increase the surface roughness of the diamond film surface, polishing or the like has hitherto been performed. The higher the film formation rate and the higher the quality of the film with good crystallinity, the more the diamond film becomes a film with a well-developed self-shaped surface (habit habit), and the surface roughness becomes rough.

【0006】このため、表面を平滑にするためにはかな
りの厚さを研摩やレーザー等によって除去しなければな
らない。
For this reason, in order to smooth the surface, a considerable thickness must be removed by polishing, laser or the like.

【0007】しかし、ダイヤモンドは極めて硬いため、
その研摩等には多大の時間と労力を必要とした。特に、
複雑な曲面の連続からなるカム等の形状物の表面にダイ
ヤモンド膜を形成した部品を低コストで量産するという
ことになると、研摩等により削除する部分を極力少なく
しなければならない。
However, diamond is extremely hard,
A great deal of time and effort was required for such polishing. In particular,
When mass-producing a low-cost component in which a diamond film is formed on the surface of a cam or other shaped object formed of a series of complicated curved surfaces, it is necessary to minimize the portion to be removed by polishing or the like.

【0008】また、電気燃料噴射ノズル等のように細い
管状の形状物の内側の先端部分に目的とする耐磨耗性ダ
イヤモンド・コーティング層を施すような場合、成膜手
段も研摩手段も無いのが現状である。
Further, when a target wear-resistant diamond coating layer is applied to the inner tip of a thin tubular shape such as an electric fuel injection nozzle, there is no film forming means or polishing means. Is the current situation.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記した問
題を解決することを課題とし、基体との密着力が強く、
表面の面粗度に優れたダイヤモンド膜を簡易に形成する
方法を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems, and has a strong adhesion to a substrate.
It is an object of the present invention to provide a method for easily forming a diamond film having excellent surface roughness.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記従来
技術の問題点に関し、以下のことに着目した。
Means for Solving the Problems The present inventors have paid attention to the following with respect to the above-mentioned problems of the prior art.

【0011】(1) ダイヤモンドの基体上への析出は基体
上に多数の核の発生があり、その核を中心に横方向及び
縦方向に成長するため、基体との密着面は基体の面の形
状そのもののレプリカとなる点に着目し、基体に複雑な
形状を与えておくと同じ形状になるのと同時に、基体の
面を平滑にしておけばこの面に接して形成されるダイヤ
モンド膜の表面も基体面と同様な平滑な面が得られ、こ
の平滑なダイヤモンド膜の表面を実際の摺動部品の表面
として利用するようにすれば、膜表面の研摩する部分の
著しい低減を図ることができると考えた。
(1) When diamond is deposited on a substrate, a large number of nuclei are generated on the substrate, and the diamond grows in the horizontal and vertical directions around the nuclei. Paying attention to the point that it becomes a replica of the shape itself, if a complex shape is given to the substrate, it will have the same shape, and if the surface of the substrate is smooth, the surface of the diamond film formed in contact with this surface Also, a smooth surface similar to the substrate surface can be obtained, and if this smooth diamond film surface is used as the surface of an actual sliding component, the portion of the film surface to be polished can be significantly reduced. I thought.

【0012】(2) また、ダイヤモンドは窒化ホウ素、窒
化珪素、炭化珪素などのセラミックスの粉体の上にも析
出し得る点に着目し、基体の表面に上記のセラミックス
の微細な粉末の層を介在させその上にダイヤモンドを析
出させると、該ダイヤモンド膜を前記セラミックス粉体
の部分から容易に分離することができ、この方法を利用
すれば前記ろう付け法における基体の削り取りという厄
介な問題を解決できると考えた。
(2) Also, paying attention to the fact that diamond can also precipitate on ceramic powders such as boron nitride, silicon nitride, silicon carbide, etc., a fine powder layer of the above ceramics is formed on the surface of the substrate. The diamond film can be easily separated from the portion of the ceramic powder by interposing and depositing diamond thereon, and this method solves the troublesome problem of shaving off the substrate in the brazing method. I thought I could.

【0013】発明者等は、従来ダイヤモンド膜と基体と
の密着性を高めるために行われてきた前記ろう付け法を
改良するために、上記着眼点に基づき研究を重ね、本発
明をなすに至ったものである。
In order to improve the brazing method, which has been conventionally performed to improve the adhesion between a diamond film and a substrate, the inventors have conducted research based on the above viewpoints, and have reached the present invention. It is a thing.

【0014】本発明のダイヤモンド膜形成方法は、基体
のダイヤモンド膜を形成しようとする面の形状と逆形状
の平滑な面を有する逆型を形成する工程と、該逆形状の
面にカーボンと反応し難い化合物よりなる微細な硬質粉
体層を形成する工程と、該硬質粉体層表面に気相法によ
ってダイヤモンド膜を形成する工程と、該ダイヤモンド
膜を基体のダイヤモンド膜を形成しようとする面にろう
付けあるいは合成樹脂による接着によって接合する工程
と、基体と逆型とを硬質粉体層から分離する工程とから
なることを特徴とする。
According to the method for forming a diamond film of the present invention, there is provided a step of forming a reverse mold having a smooth surface having a shape opposite to the shape of the surface of the substrate on which the diamond film is to be formed, and reacting carbon with the reverse shape. A step of forming a fine hard powder layer made of a compound that is difficult to perform, a step of forming a diamond film on the surface of the hard powder layer by a gas phase method, and a step of forming the diamond film as a substrate diamond film And a step of separating the base and the reverse mold from the hard powder layer.

【0015】[0015]

【発明の効果】本発明のダイヤモンド膜形成方法によれ
ば、ダイヤモンド膜が基体にろう付けあるいは合成樹脂
による接着によって強固に接合されているので、ダイヤ
モンド膜の分離等の問題がない。
According to the method for forming a diamond film of the present invention, since the diamond film is firmly joined to the substrate by brazing or bonding with a synthetic resin, there is no problem such as separation of the diamond film.

【0016】また、本方法によって形成されたダイヤモ
ンド膜の表面は極めて平滑であり、従来の方法に比べ表
面研摩等の作業を著しく軽減できる。この理由は、次の
ようである。本方法が基体の表面の形状と逆形状の逆型
を用い、該逆型の表面に微細な硬質粉体からなる層を形
成し、この平滑な面を有する粉体層上にダイヤモンド膜
を形成する。その後、前記硬質粉体層の部分から逆型を
除去し、前記硬質粉体層の平滑な面に接していたダイヤ
モンド膜面を基体の表面とすることができるためである
Further, the surface of the diamond film formed by the present method is extremely smooth, and operations such as surface polishing can be remarkably reduced as compared with the conventional method. The reason is as follows. The method uses an inverse mold having an inverse shape to the surface of the substrate, forms a layer of fine hard powder on the surface of the inverse mold, and forms a diamond film on the powder layer having the smooth surface. I do. Thereafter, the inverse mold is removed from the hard powder layer portion, and the diamond film surface that has been in contact with the smooth surface of the hard powder layer can be used as the surface of the substrate.

【0017】また、基体の逆型からの分離は、硬質粉体
層の部分から機械的に簡単にでき、従来のように逆型の
研摩等を必要としないため、該逆型を何度も利用でき、
特に複雑な形状物の場合、前記した表面研摩の低減によ
る効果と併せて低コストで実施が可能となる。
Further, the substrate can be easily separated from the inverted mold mechanically from the portion of the hard powder layer and does not require the polishing of the inverted mold as in the prior art. Available,
In particular, in the case of a complicated shape, it is possible to implement at low cost in addition to the effect of reducing the surface polishing described above.

【0018】しかも、この方法によって従来不可能であ
った鉄系の部品の表面に、また深く奥まった従来ダイヤ
モンド膜を形成することが不可能であった部分等にダイ
ヤモンド膜を形成することが可能である。
Moreover, this method can form a diamond film on the surface of an iron-based component, which has been impossible in the past, and on a deep portion where a conventional diamond film could not be formed. It is.

【0019】[0019]

【実施例】【Example】

(本発明の具体例)本具体例に係るダイヤモンド膜の形
成方法を、工程に従って説明する。
(Specific Example of the Present Invention) A method for forming a diamond film according to this specific example will be described in accordance with the steps.

【0020】(1) 逆型の形成工程 逆型の形状及び寸法は基体の形状にほぼ等しいか、仕上
げ研摩加工時の取りしろをわずかに控えた大きさとす
る。即ち、基体のダイヤモンド膜を形成したい部分が凸
の場合には、凹の逆型の凹部を硬質粉体層の厚さと、仕
上げ加工の取りしろを考慮してやや大き目にする(図
1)。逆に基体の膜を形成したい部分が、凹の場合に
は、逆型の凸を同様な理由によりやや小さ目に加工す
る。
(1) Step of Forming the Inverted Mold The shape and dimensions of the inverted mold are almost equal to the shape of the substrate, or have a size with a margin for finish polishing. That is, when the portion of the substrate on which the diamond film is to be formed is convex, the concave portion of the reverse type is made slightly larger in consideration of the thickness of the hard powder layer and the margin for finishing (FIG. 1). Conversely, if the portion of the substrate on which the film is to be formed is concave, the inverse convex is slightly smaller for the same reason.

【0021】逆型の材料は目的とする基体の形状にもよ
るが、いずれにしてもダイヤモンド膜をその表面に析出
させる場合に必要な基板温度の制御が可能なように、熱
伝導率の大きな材料が好ましく、金属であれば銅、タン
グステンやモリブデンが、セラミックスであれば炭化珪
素、窒化アルミニウム及び炭化ホウ素などの焼結体が好
ましい。これらの逆型はでき得る限りダイヤモンドを析
出させる面の壁厚は均等な厚さとし、その裏側に冷却水
を流して析出面の温度を均一に、しかもある一定の温度
にコントロールする必要がある。
The inverted material depends on the shape of the target substrate, but in any case, has a large thermal conductivity so that the substrate temperature required for depositing a diamond film on the surface can be controlled. Materials are preferred, and copper, tungsten and molybdenum are preferred for metals, and sintered bodies such as silicon carbide, aluminum nitride and boron carbide are preferred for ceramics. In these reverse molds, it is necessary to make the wall thickness of the surface on which diamond is deposited as uniform as possible, and to flow cooling water on the back side to control the temperature of the deposition surface uniformly and at a certain temperature.

【0022】しかし、マイクロ波プラズマ法や、熱フィ
ラメント法などの方法による場合には、基板の温度上昇
はそれ程問題ではなく、上記の基板となる逆型の材料お
よび冷却構造にそれ程配慮する必要はない。
However, in the case of using a method such as a microwave plasma method or a hot filament method, the temperature rise of the substrate is not so much a problem. Absent.

【0023】逆型の成形、加工は、一般的な方法で行え
ば良く、電気伝導性の材料であれば最終仕上げには放電
加工、電解研摩などを用いることもでき、一方セラミッ
クスなどでは一般的に行われている方法で逆型を粉末を
ニヤネットシェープに成形して焼結し、研削などの方法
によって加工し仕上げれば良い。
The molding and processing of the reverse mold may be performed by a general method. For an electrically conductive material, electric discharge machining, electrolytic polishing, or the like can be used for final finishing. The reverse mold may be formed into a near net shape by sintering the powder, sintering, processing and finishing by a method such as grinding.

【0024】逆型の面の寸法精度はできる限り高める必
要がある。これは最終的に目的とする形状物にダイヤモ
ンド膜をろう付けによって形成した後、加工仕上げする
際の取りしろを少なくするために必要なことである。
The dimensional accuracy of the inverted surface must be as high as possible. This is necessary in order to reduce the margin at the time of processing and finishing after the diamond film is finally formed on the target shape by brazing.

【0025】一方、面粗さはそれ程高い平滑度を要求し
ない。これはこの逆型の表面に形成する硬質粉体層を保
持するためにある程度の粗さを有しておれば良い。
On the other hand, the surface roughness does not require so high smoothness. This may have a certain degree of roughness in order to hold the hard powder layer formed on the surface of the inverse mold.

【0026】(2) 硬質粉体層の形成工程(図1) 硬質粉体層の表面にダイヤモンドを析出させるために、
析出した硬質粉体層に接触するダイヤモンド膜の面粗度
は、該硬質粉体層の表面の面粗度によって決定される。
このため、硬質粉体層を構成する粉体の粒度は、微細な
程、高い面粗度のダイヤモンドの接触面が得られる。従
って粒径としては少なくとも1μm以下であることが必
要であり、好ましくは0.1μm以下が望ましい。
(2) Step of Forming Hard Powder Layer (FIG. 1) In order to deposit diamond on the surface of the hard powder layer,
The surface roughness of the diamond film in contact with the deposited hard powder layer is determined by the surface roughness of the surface of the hard powder layer.
For this reason, the finer the particle size of the powder constituting the hard powder layer, the more a diamond contact surface with a high surface roughness can be obtained. Therefore, the particle size must be at least 1 μm or less, and preferably 0.1 μm or less.

【0027】該硬質粉体層を構成する粉体材料として
は、従来から知られている気相法ダイヤモンド膜の基板
材料として用いられるものであれば基本的に問題がな
い。シリコン、タングステン、モリブデン、ニオブなど
の金属類、炭化珪素、炭化タングステンなどの炭化物、
窒化アルミニウム、窒化珪素、窒化チタン、窒化ホウ素
等のホウ化物、酸化アルミニウム、酸化珪素などの酸化
物並びにホウ化炭素等のいわゆるセラミックス類が使用
できる。また、衝撃法によって合成した平均粒径が5n
mのダイヤモンド粉(商品名:クラスター・ダイヤモン
ド)を使用することもできる。しかしダイヤモンド膜の
形成時において基板となる逆型の温度が高くなったり、
またその雰囲気下で熱分解、溶融、焼結あるいは逆型の
材料と化学反応などが進行するような物質は好ましくな
い。
There is basically no problem with the powder material constituting the hard powder layer as long as it is used as a substrate material of a conventionally known vapor phase diamond film. Metals such as silicon, tungsten, molybdenum and niobium, carbides such as silicon carbide and tungsten carbide,
Borides such as aluminum nitride, silicon nitride, titanium nitride, and boron nitride, oxides such as aluminum oxide and silicon oxide, and so-called ceramics such as carbon boride can be used. The average particle size synthesized by the impact method is 5n.
m powder (trade name: cluster diamond) can also be used. However, when forming the diamond film, the temperature of the reverse mold serving as the substrate increases,
In addition, a substance that undergoes a chemical reaction with a material of thermal decomposition, melting, sintering, or the reverse type under the atmosphere is not preferable.

【0028】前記したように、硬質粉体層に用いる粉体
はサブミクロンの非常に微細なものを用いるために凝集
性は非常によく、特別な場合を除いて特にバインダーな
どを必要とせずに粉体層を形成することができる。
As described above, the powder used for the hard powder layer is very fine in sub-micron, and therefore has very good cohesiveness, and does not require a binder or the like except for special cases. A powder layer can be formed.

【0029】通常、硬質粉体層の形成は、該粉体をアル
コール等の揮発性の溶媒に分散させてスラリー状にした
ものをスプレー等の方法、あるいは塗布などの方法によ
ってコートし、乾燥させることによって形成する。
Usually, the hard powder layer is formed by dispersing the powder in a volatile solvent such as alcohol to form a slurry, coating the powder by a method such as spraying or coating, and drying. It forms by doing.

【0030】また、乾燥後のひび割れの防止や、逆型と
の濡れ性等を改良するために、界面活性材、あるいはご
く微量のポリビニルアルコール(PVA)等の有機質の
バインダーを添加しても良い。
In order to prevent cracks after drying and to improve wettability with the reverse mold, a surfactant or a very small amount of an organic binder such as polyvinyl alcohol (PVA) may be added. .

【0031】塗布法等による場合、該粉体層の表面の面
の精度が充分に得られない場合には、表面を鏡面仕上げ
した逆型の逆型(ダイヤモンド膜を形成した基体の表面
形状、寸法を有する)によって軽くプレスし、鏡面の構
造を転写することによって面の精度を上げることが好ま
しい。
In the case of using a coating method or the like, if the surface accuracy of the surface of the powder layer cannot be sufficiently obtained, the reverse type (the surface shape of the substrate on which the diamond film is formed, It is preferable to increase the precision of the surface by pressing lightly (with dimensions) and transferring the structure of the mirror surface.

【0032】この場合に用いる逆型の逆型の材料は、特
に規定する必要がなく、耐磨耗性があればむしろ機械加
工、放電加工、電解研摩などによって容易に平滑で、寸
法精度の良い面が得られる材料という観点から選択すれ
ば良い。
In this case, the material of the reverse type used in the reverse type does not need to be particularly specified. If the material has abrasion resistance, it can be easily smoothed by machining, electric discharge machining, electrolytic polishing, etc., and has good dimensional accuracy. What is necessary is just to select from the viewpoint of the material from which a surface is obtained.

【0033】また、逆型の三次元形状によっては、逆型
の表面に直接粉体をのせ、その上から鏡面研摩を施した
逆型の逆形状をもつ面を持った、パンチでプレス成形を
施して粉体層を形成することもできる。
In addition, depending on the three-dimensional shape of the inverted mold, the powder is directly placed on the surface of the inverted mold, and the surface of the inverted mold having a mirror-polished inverted shape is press-formed with a punch. To form a powder layer.

【0034】前記硬質粉体層の機械的な強度を上げる必
要がある場合には、珪素、アルミニウムなどのアルコオ
キシドのアルコール等の溶媒などに溶かしたものをスプ
レー等の方法によって含浸させ、加水分解させその生成
物によって強化することも有効である。
When it is necessary to increase the mechanical strength of the hard powder layer, the hard powder layer is impregnated with a solution of an alkoxide such as silicon or aluminum in a solvent such as an alcohol by spraying or the like, and is subjected to hydrolysis. It is also effective to strengthen the product by the product.

【0035】但し、上記の処理によって平滑な表面形状
を有する硬質粉体層を形成する際に用いた各種の有機材
料は、ダイヤモンド膜を形成する際に有害になる場合も
あるので、形成後空気中で約500℃程度の温度で加熱
し、分解除去することが望ましい。
However, various organic materials used for forming a hard powder layer having a smooth surface shape by the above treatment may become harmful when forming a diamond film. It is desirable to heat at a temperature of about 500 ° C. and to decompose and remove.

【0036】該硬質粉体層の厚さは、寸法精度上1mm
以下が望ましく、一方ダイヤモンド膜の形成時に冷却を
施す必要性からはできる限り薄くした方がよい。従っ
て、粉体層の厚さは用いる微粉体の粒度と熱伝導によっ
ても左右されるが、好ましくは100μm以下が良い。
下限は微粉体の粒度とその粒子を構成する化学組成によ
って層の機械的強度が変化するため一概には特定できな
いが、粉体の平均粒子径の約5倍以上の厚さが必要で、
これ以下だと良好な粉体層が得られない。
The thickness of the hard powder layer is 1 mm in dimensional accuracy.
The following is desirable. On the other hand, from the necessity of cooling during the formation of the diamond film, it is better to make the thickness as thin as possible. Therefore, the thickness of the powder layer depends on the particle size and heat conduction of the fine powder used, but is preferably 100 μm or less.
The lower limit cannot be specified unconditionally because the mechanical strength of the layer changes depending on the particle size of the fine powder and the chemical composition constituting the particles, but a thickness of about 5 times or more the average particle diameter of the powder is required,
Below this, a good powder layer cannot be obtained.

【0037】(3) ダイヤモンド膜の形成工程(図2) 逆型の表面に形成した硬質粉体層の表面にダイヤモンド
膜を気相法によって形成する方法は、従来から提案され
ているいかなる方法によっても基本的には問題ない。
(3) Step of Forming Diamond Film (FIG. 2) A method of forming a diamond film on the surface of a hard powder layer formed on the surface of an inverse mold by a vapor phase method is any method conventionally proposed. There is basically no problem.

【0038】敢えて問題とするなら硬質粉体層や後に詳
しく述べる核となるダイヤモンドの微粉体が速いガスの
流れによって吹きとばされる恐れのあるDCプラズマジ
ェット法、燃焼法などは余り好ましくないが、粉体層の
形成の仕方あるいは微粉ダイヤモンドの付着の処理を上
手く行えばその限りでは無い。
If a problem arises, a DC plasma jet method, a combustion method, etc., in which the hard powder layer or the fine diamond powder serving as a nucleus, which will be described in detail later, may be blown off by a fast gas flow, are not preferred. This is not the case if the method of forming the body layer or the treatment of the attachment of the fine diamond powder is performed properly.

【0039】また、前記したように、気相法によるダイ
ヤモンド膜の形成はダイヤモンド単結晶やc−BNなど
の極く一部の基板の上にはエピタクシャル成長をするこ
とが知られているが、一般的には、核発生と粒成長のメ
カニズムによって多結晶膜として析出・成長する。従っ
て、基板との接触面を平滑にしようとすると、平滑な基
板面に多数の核を発生させることが望ましく、核の発生
数を増加させるためにいろいろな手段が提案されてい
る。ここでは粉体を固めて形成した層の上に核を高密度
に作成するために超微粉のダイヤモンド層を薄く均一に
形成する方法が好ましい。具体的にはクラスター・ダイ
ヤモンドをアルコール等に分散してスラリー状にしたも
のをスプレーして該硬質粉体層の表面に少なくとも一層
のダイヤモンド粒子が覆うようにダイヤモンド層を形成
する。
As described above, it is known that the formation of a diamond film by a vapor phase method involves epitaxial growth on a very small portion of a substrate such as a diamond single crystal or c-BN. Generally, they are deposited and grown as a polycrystalline film by the mechanism of nucleation and grain growth. Therefore, in order to smooth the contact surface with the substrate, it is desirable to generate a large number of nuclei on a smooth substrate surface, and various means have been proposed to increase the number of generated nuclei. Here, in order to form nuclei at a high density on a layer formed by solidifying the powder, a method of forming a diamond layer of ultrafine powder thinly and uniformly is preferable. More specifically, a slurry obtained by dispersing cluster diamond in alcohol or the like is sprayed to form a diamond layer such that at least one diamond particle covers the surface of the hard powder layer.

【0040】この目的のために用いる超微粉ダイヤモン
ドは上記のクラスター・ダイヤモンドに限定されず、細
かいものが得られれば天然産、あるいは人工的に合成し
たものを粉砕したものでも何ら影響しない。この場合に
用いるダイヤモンドは粉砕後水篩などで分離し、その粒
径としては少なくとも硬質粉体層に用いた粉体の粒径よ
り微細なものが好ましい。
The ultra-fine diamond used for this purpose is not limited to the above-mentioned cluster diamond. If fine diamonds can be obtained, even those obtained by pulverizing natural products or artificially synthesized ones have no effect. The diamond used in this case is separated by a water sieve or the like after pulverization, and its particle size is preferably at least smaller than the particle size of the powder used for the hard powder layer.

【0041】また、核となるダイヤモンド層と硬質粉体
層の界面を硬質粉体層の表面構造になじませるために再
度逆型の逆型で軽くプレスするなどの方法によって平滑
度を上げるなどの方法を講じることも有効である。
Further, in order to make the interface between the diamond layer serving as the core and the hard powder layer conform to the surface structure of the hard powder layer, smoothness is increased by a method such as lightly pressing again with an inverted mold. Taking measures is also effective.

【0042】逆型の表面に硬質粉体層と核となるダイヤ
モンド超微粉体層を形成したものの表面に析出させるダ
イヤモンド膜の厚さは最終的な製品の用途によって異な
り、特に限定しない。本発明の方法では、数μm以上の
厚さがあれば問題はない。厚いほうは数百μm以上にな
っても、硬質粉体層を構成する粉体の材質及び粒径を選
定すれば成膜時の分離は防止が可能で特に問題はない。
この場合、できるだけダイヤモンドの熱膨張率に近い値
を持つ、例えば窒化珪素等を用いれば良く、また粉体層
が応力を緩和させるので比較的容易に厚い膜が形成でき
るのも特徴の一つである。
The thickness of the diamond film deposited on the surface of the inverse mold having the hard powder layer and the diamond ultrafine powder layer serving as a nucleus depends on the use of the final product, and is not particularly limited. In the method of the present invention, there is no problem if the thickness is several μm or more. Even if the thicker layer has a thickness of several hundred μm or more, separation during film formation can be prevented by selecting the material and particle size of the powder constituting the hard powder layer, and there is no particular problem.
In this case, for example, silicon nitride or the like having a value as close as possible to the coefficient of thermal expansion of diamond may be used, and one of the features is that a thick film can be formed relatively easily because the powder layer relieves stress. is there.

【0043】(4) ろう付け工程(図3) ダイヤモンド膜を表面に形成した逆型をダイヤモンドの
表面側で基体の表面にろう付け等を行う。ここに用いる
ろう材は従来ダイヤモンドの工具などに接合する場合に
用いたろう材であれば特に問題は無い。
(4) Brazing Step (FIG. 3) A reverse mold having a diamond film formed on the surface is brazed to the surface of the substrate on the surface side of the diamond. There is no particular problem with the brazing material used here as long as it is a brazing material that has been conventionally used for joining to a diamond tool or the like.

【0044】例えば、Ti−Cu−Ag系等のろう材で
問題はなく、場合によっては用途に応じて温度や応力の
作用しない部位には低温のはんだやエポキシ系の合成樹
脂による接合も可能である。
For example, there is no problem with a brazing material such as a Ti-Cu-Ag-based material. In some cases, a low-temperature solder or an epoxy-based synthetic resin can be used in a portion where no temperature or stress acts depending on the application. is there.

【0045】また、ろう材の形態としては、最終的にダ
イヤモンド膜を形成する部品の形状に応じて箔状、粉体
を問わず用いることができる。特に複雑形状の表面にろ
う付けを行う場合には、予め箔をその形状に成形してお
くと扱いが容易である。
As the form of the brazing material, any of a foil and a powder can be used according to the shape of the component on which the diamond film is finally formed. In particular, when brazing to a surface having a complicated shape, it is easy to handle if the foil is formed into the shape in advance.

【0046】この基体にろう付けなどを実施する際に面
の精度を高めるため、基体及び逆型に位置決めの為の部
位を付けたり、あるいは別に位置決めのための治具など
を作り、ろう材を溶かしながら加圧して所定の位置にろ
う付けをすることが重要である。このろう付けの際の位
置決めは非常に重要であり、この工程での精度は、最終
仕上げのダイヤモンド面の加工時の取りしろに大きく影
響し、場合によってはダイヤモンド膜を析出させる際の
膜厚を厚くしなければならない等の問題を生じる。
In order to improve the accuracy of the surface when brazing or the like is performed on the base, a part for positioning is provided on the base and the reverse mold, or a jig for positioning is separately formed, and the brazing material is formed. It is important to braze in place by pressing while melting. Positioning at the time of this brazing is very important, and the accuracy in this process greatly affects the clearance at the time of processing the final diamond surface, and in some cases, the film thickness when depositing the diamond film There are problems such as the need to increase the thickness.

【0047】(5) 分離工程(図4) ろう付けを行った後、基体と逆型とを硬質粉体層より分
離させ、ダイヤモンド表面に残る粉体を機械的に削除
し、ダイヤモンド表面に仕上げ加工を施すことにより目
的とする基体にダイヤモンド膜を形成することができ
る。
(5) Separation Step (FIG. 4) After brazing, the substrate and the reverse mold are separated from the hard powder layer, the powder remaining on the diamond surface is mechanically removed, and the diamond surface is finished. By performing the processing, a diamond film can be formed on a target substrate.

【0048】硬質粉体層は引っ張り応力を加えることに
より容易に破壊するため、基体と逆型との分離のために
特に特殊な装置を必要としない。
Since the hard powder layer is easily broken by applying a tensile stress, no special device is required for separating the base and the reverse mold.

【0049】ろう付けしたダイヤモンドの表面は、硬質
粉体層の表面の形状を転写しており、成長している側の
自形を持った面と異なって、非常に滑らかな面をしてお
り、仕上げ加工が非常に容易である。機械的な研削、研
摩、熱化学的手法あるいはレーザー等を組み合わせた方
法のいずれを用いてもよい。
The surface of the brazed diamond has a very smooth surface, which is different from the surface of the hard powder layer having the shape of the growing surface, which is different from the surface having the self-shape on the growing side. Very easy to finish. Any of mechanical grinding, polishing, a thermochemical method, or a method combining laser and the like may be used.

【0050】(実施例1)カム形状の部品の摺動面に強
固にダイヤモンド膜を形成した部品を想定して鋼製のφ
20mm、厚さ10mmの円板状の外周の曲面の一部に
ダイヤモンド膜を形成することを試みた(図5)。
(Example 1) Assuming a part in which a diamond film is firmly formed on the sliding surface of a cam-shaped part, a steel φ
An attempt was made to form a diamond film on a part of a 20-mm-thick, 10-mm-thick disk-shaped outer curved surface (FIG. 5).

【0051】最終形状より150μm大きい半径の凹型
の曲面を持つ厚さ10mmの逆型をステンレス鋼(SU
S304)により製作した。該逆型の凹面の面粗度は、
0.3μmRzであった。
A 10 mm thick inverted mold having a concave curved surface with a radius 150 μm larger than the final shape was made of stainless steel (SU).
S304). The surface roughness of the inverted concave surface is
It was 0.3 μm Rz.

【0052】この凹面に剥離剤として市販されているス
プレー状の窒化ホウ素(商品名:ボロンスプレー)を吹
きつけ、約20μmの厚さの硬質粉体層を形成した。
A commercially available spray-like boron nitride (trade name: boron spray) was sprayed on the concave surface as a release agent to form a hard powder layer having a thickness of about 20 μm.

【0053】この逆型を熱フィラメント法CVD装置の
チャンバーに入れ、該逆型に付けたφ20mmの半円状
の凹部の中心付近にモリブデンのフィラメントが位置す
るように設置した。
The inverted mold was placed in a chamber of a hot filament method CVD apparatus, and was set such that a molybdenum filament was positioned near the center of a semicircular concave part of φ20 mm attached to the inverted mold.

【0054】ダイヤモンド成膜は以下の条件下で行っ
た。
The diamond film formation was performed under the following conditions.

【0055】CH4 /H2 比:0.5、トータル流量:2
00sccm、フィラメント温度:2100℃、逆型の表面
温度:750〜800℃、圧力:50Torr.、成膜時
間:90時間
CH 4 / H 2 ratio: 0.5, total flow rate: 2
00 sccm, filament temperature: 2100 ° C., reverse surface temperature: 750 to 800 ° C., pressure: 50 Torr. , Film formation time: 90 hours

【0056】この条件で行ったダイヤモンドの多結晶膜
の膜厚は約100μmで、表面はダイヤモンドの(11
1)面が良く発達していた。
The film thickness of the polycrystalline diamond film formed under these conditions was about 100 μm, and the surface of the diamond polycrystalline film was (11).
1) The surface was well developed.

【0057】ろう付けはJIS規格BAG−8のCu−
Ag系の厚さ50μmの箔状ろう材の片側面にTiを1
〜2wt.%程度になるようにスパッタリングし、この面
がダイヤモンド膜に接触するようにセットした。
The brazing is performed according to JIS standard BAG-8 Cu-
Ti is applied on one side of an Ag-based 50 μm thick foil brazing material.
%, And the surface was set so as to contact the diamond film.

【0058】真空炉の中へ逆型が下に、ろう材を介して
鋼製の円板が上に来るようにセットし、10-5Torr.の
真空に引いた後、950℃まで加熱してろう付けを行っ
た。
The inverted mold was set in the vacuum furnace so that the steel disk was on the upper side with the brazing material interposed therebetween, and 10 -5 Torr. , And then heated to 950 ° C. to perform brazing.

【0059】冷却後、逆型とダイヤモンド膜を窒化ホウ
素の層で分離し、エメリー紙で研摩したところ、非常に
平滑な面を持ったダイヤモンドの面が現れた。
After cooling, the reverse mold and the diamond film were separated by a layer of boron nitride and polished with emery paper. As a result, a very smooth diamond surface appeared.

【0060】この実施例のような場合には、適当な見切
り線で分割した複数の逆型を用い、同時にろう付けを実
施することによって一度に全周に膜を形成することがで
きる。 (実施例2)
In the case of this embodiment, a film can be formed all around at once by using a plurality of inverted molds divided by appropriate parting lines and performing brazing at the same time. (Example 2)

【0061】EFI方式エンジン用の燃料インジェクタ
ーのノズル内面へのダイヤモンド膜の形成を想定して、
内径φ5mm、長さ100mmの円筒状の内側の先端部
がコーン状に尖った部分に高い面粗度を持つダイヤモン
ド膜の形成を試みた(図6、7)。
Assuming that a diamond film is formed on the inner surface of the nozzle of the fuel injector for the EFI engine,
An attempt was made to form a diamond film having a high surface roughness at a portion where the inside tip of a cylindrical shape having an inner diameter of φ5 mm and a length of 100 mm was sharpened in a cone shape (FIGS. 6 and 7).

【0062】この場合の逆型はφ4.5mm、長さ150
mmの先端を尖らせた炭化珪素焼結体を用いた。この先
端のコーン状に尖った部分の面粗度を1.0μmRzに仕
上げた。
In this case, the reverse type is φ4.5 mm and the length is 150
A silicon carbide sintered body having a tip of mm was used. The surface roughness of the cone-shaped tip at the tip was finished to 1.0 μmRz.

【0063】別にエチルアルコールに極微量のPVAを
添加し、そこへ、粗度0.3μmの窒化珪素を分散させた
スラリーを用意した。
Separately, a very small amount of PVA was added to ethyl alcohol, and a slurry in which silicon nitride having a roughness of 0.3 μm was dispersed was prepared.

【0064】このスラリーに逆型の先端部をディップ
し、引き上げて乾燥させた。次に、ステンレス鋼(SU
S304)からなり、前記基体である円筒状の内側の先
端部のコーン状に尖った部分に相当する形状を有し、ダ
イヤモンド膜とろう付け厚さを見込んだ寸法の逆型の逆
型を電解研摩によって製造した。前記逆型に塗布したス
ラリーがほぼ完全に乾燥した時点で、その表面を鏡面に
仕上げたステンレス製(SUS304)の逆型の逆型に
挿入し、乾燥したスラリー部分を押しつけることによっ
て、窒化珪素粉体層を圧縮するのと同時にその表面に逆
型の逆型の平滑な表面形状を転写させることにより、硬
質粉体層を形成した。
The inverted tip was dipped in the slurry, pulled up and dried. Next, stainless steel (SU
S304), which has a shape corresponding to the cone-shaped point of the inside tip of the cylindrical body as the substrate, and is formed by electrolysis of an inverse mold of a diamond film and an inverse dimension of a brazing thickness. Manufactured by polishing. When the slurry applied to the reverse mold is almost completely dried, the surface is inserted into a reverse stainless steel (SUS304) reverse mold having a mirror-finished surface, and the dried slurry portion is pressed against the silicon nitride powder. At the same time as the body layer was compressed, the reverse smooth surface shape was transferred to the surface of the body layer to form a hard powder layer.

【0065】一方、衝撃法で合成したクラスター・ダイ
ヤモンドをシクロヘキサンに分散させたサスペンジョン
を用意しておき、これを窒化珪素粉体層の表面にスプレ
ーし、その後、乾燥の操作を3度繰り返し、一応全面に
ダイヤモンドの超微粒子が覆うようにした。
On the other hand, a suspension prepared by dispersing cluster diamonds synthesized by the impact method in cyclohexane is prepared, sprayed on the surface of the silicon nitride powder layer, and then dried three times. The entire surface was covered with ultrafine diamond particles.

【0066】以上の処理を施した該逆型の先端部のコー
ン状の部分に熱フィラメント法によって実施例1と同じ
条件で、90時間、10rpm の速度で回転させながら成
膜した。因みに、同じ条件で成膜した別のサンプルで測
定したダイヤモンド膜の厚さはおよそ120μmであっ
た。(図6)
A film was formed on the cone-shaped portion at the tip of the inverted mold subjected to the above treatment by the hot filament method under the same conditions as in Example 1 while rotating at a speed of 10 rpm for 90 hours. Incidentally, the thickness of the diamond film measured on another sample formed under the same conditions was about 120 μm. (FIG. 6)

【0067】余分な部分に析出したダイヤモンド膜を機
械的に取り除き、ダイヤモンド膜を形成した逆型を完成
させた。
The diamond film deposited on an extra portion was mechanically removed to complete a reverse mold having the diamond film formed thereon.

【0068】一方基体であるステンレス製(SUS30
4)で製作した先端がコーン状に細くなった内径φ5m
m、長さ100mmのパイプ状形状物の先端部に1%の
チタンを含む銀ろう粉を入れておき、さらに先のダイヤ
モンド膜を成膜した棒状の逆型を挿入し、さらに該棒状
の逆型の上に約200gの鋼製の錘を乗せた。
On the other hand, the base material made of stainless steel (SUS30
Inner diameter φ5m with a cone-shaped tip made in 4)
m, a silver brazing powder containing 1% of titanium is placed at the tip of a pipe-shaped object having a length of 100 mm, and a bar-shaped inverted mold on which a diamond film is formed is further inserted. About 200 g of a steel weight was placed on the mold.

【0069】全体を真空炉の中へ立て950℃に加熱
し、銀ろうを完全に溶融した後冷却した。
The whole was placed in a vacuum furnace and heated to 950 ° C., and the silver solder was completely melted and cooled.

【0070】冷却後、逆型を窒化珪素粉体層から引き剥
がして引き抜いた。(図7)
After cooling, the inverted mold was peeled off from the silicon nitride powder layer and pulled out. (FIG. 7)

【0071】ダイヤモンド膜は目的とする位置にろう付
けされていた。その後この目的のために特別に作成した
総型のダイヤモンド砥石を用いて研摩し仕上げた。
The diamond film was brazed to the desired position. After that, it was polished and finished using a diamond whetstone specially made for this purpose.

【0072】本実施例では、テーパー形状のコーン型の
もので実施したが、基本的には朝顔形状の形態のもので
もこのように奥深い部分にダイヤモンドの膜を形成でき
る点に本実施例の効果がある。
In this embodiment, a tapered cone type is used. However, the effect of this embodiment is that a diamond film can be formed in a deep portion basically even in a bosh-shaped form. There is.

【0073】(実施例3)実施例2と同様の形状物にダ
イヤモンド膜を形成することを試みた。
Example 3 An attempt was made to form a diamond film on the same shape as in Example 2.

【0074】この場合の炭化珪素製の逆型の先端のコー
ン部はダイヤモンド砥粒により鏡面状に仕上げた。逆型
の表面に形成した窒化珪素からなる硬質粉体層の代わり
に、クラスター・ダイヤモンドをシクロヘキサンに濃厚
に分散させたスラリーに該逆型の先端のダイヤモンド膜
を成膜させたい部位をディップし、ダイヤモンド超微粉
による層を作った。この場合のダイヤモンド超微粉体の
層の厚さは、基板となる逆型が露出しない程度の厚さに
した。
In this case, the cone portion at the tip of the silicon carbide inverted mold was mirror-finished with diamond abrasive grains. Instead of the hard powder layer made of silicon nitride formed on the surface of the inverse mold, dip the site where the diamond film at the tip of the inverse mold is to be formed in a slurry in which cluster diamond is densely dispersed in cyclohexane, A layer of diamond ultrafine powder was made. In this case, the thickness of the layer of the ultrafine diamond powder was set to such a thickness that the reverse mold as the substrate was not exposed.

【0075】充分に乾燥してシクロヘキサンを除去後、
実施例2と同様に熱フィラメント法によって90時間ダ
イヤモンド膜を形成した。
After sufficiently drying to remove cyclohexane,
In the same manner as in Example 2, a diamond film was formed by a hot filament method for 90 hours.

【0076】以後の操作は実施例2と同様にステンレス
製(SUS304)の、パイプにろう付けを行い、逆型
を引き抜いた。この場合もクラスター・ダイヤモンド層
の層間ないし逆型の表面で容易に分離し、その後膜を形
成した部分を切り出して調べたところ、簡単な表面研摩
によって容易に平滑な表面となるダイヤモンド膜が目的
とする形状物上に形成することができることが分かっ
た。
In the subsequent operation, a stainless steel (SUS304) pipe was brazed as in Example 2, and the inverted mold was pulled out. In this case as well, separation was easily made between the layers of the cluster diamond layer or the inverted surface, and the portion where the film was formed was cut out and examined.The purpose was to obtain a diamond film that could easily become a smooth surface by simple surface polishing. It has been found that it can be formed on a shaped object.

【0077】このように硬質粉体層の材料として微細な
ダイヤモンド粉を用いることも可能で、この場合、該ダ
イヤモンド粉は硬質粉体層とダイヤモンドの核発生層と
しての役割を果たすものである。
As described above, fine diamond powder can be used as the material of the hard powder layer. In this case, the diamond powder plays a role as the hard powder layer and the diamond nucleation layer.

【0078】またここで用いた炭化珪素の逆型は何ら変
化しておらず、再度繰り返した使用をするのに支障は無
かった。
The reverse type of the silicon carbide used here did not change at all, and there was no problem in using the silicon carbide again and again.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 基体と硬質粉体層を形成した逆型を示した概
略図
FIG. 1 is a schematic diagram showing an inverted mold having a base and a hard powder layer formed thereon.

【図2】 基体とダイヤモンド膜を形成した逆型を示し
た概略図
FIG. 2 is a schematic diagram showing an inverted mold having a substrate and a diamond film formed thereon.

【図3】 ろう付けによって接合した基体と逆型を示し
た概略図
FIG. 3 is a schematic diagram showing a base and an inverse mold joined by brazing;

【図4】 基体から逆型を分離した状態を示した概略図FIG. 4 is a schematic diagram showing a state in which the reverse mold is separated from the base.

【図5】 カムを想定した基体へのダイヤモンド膜形成
方法を示した概略図
FIG. 5 is a schematic view showing a method of forming a diamond film on a substrate assuming a cam.

【図6】 パイプ状基体先端部へのダイヤモンド膜形成
方法を示した概略図
FIG. 6 is a schematic view showing a method of forming a diamond film on the tip of a pipe-shaped substrate.

【図7】 パイプ状基体先端部へのダイヤモンド膜形成
方法を示した概略図
FIG. 7 is a schematic view showing a method of forming a diamond film on the tip of a pipe-shaped substrate.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基体 2 逆型 3 硬質粉体層 4 ダイヤモンド膜 5 ろう付け部 6 超微粒ダイヤモンド層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Reverse type 3 Hard powder layer 4 Diamond film 5 Brazing part 6 Ultrafine diamond layer

フロントページの続き (56)参考文献 特開 平4−132688(JP,A) 特開 平3−126697(JP,A) 特開 平3−141193(JP,A) 特開 昭64−16328(JP,A) 特開 平4−119995(JP,A) 特開 平1−153228(JP,A) 特開 平4−321595(JP,A) 特開 平4−228497(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C30B 1/00 - 35/00 C23C 16/26 CA(STN)Continuation of front page (56) References JP-A-4-132688 (JP, A) JP-A-3-126697 (JP, A) JP-A-3-141193 (JP, A) JP-A-64-16328 (JP) JP-A-4-119995 (JP, A) JP-A-1-153228 (JP, A) JP-A-4-321595 (JP, A) JP-A-4-228497 (JP, A) (58) Field surveyed (Int. Cl. 7 , DB name) C30B 1/00-35/00 C23C 16/26 CA (STN)

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 基体のダイヤモンド膜を形成しようとす
る面の形状と逆形状の平滑な面を有する逆型を形成する
工程と、該逆形状の面にカーボンと反応し難い化合物よ
りなる平滑な硬質粉体層を形成する工程と、該硬質粉体
層表面に気相法によってダイヤモンド膜を形成する工程
と、該ダイヤモンド膜を基体のダイヤモンド膜を形成し
ようとする面にろう付けあるいは合成樹脂による接着に
よって接合する工程と、基体と逆型とを硬質粉体層から
分離する工程とからなるダイヤモンド膜形成方法。
1. A step of forming a reverse mold having a smooth surface opposite to the shape of a surface of a substrate on which a diamond film is to be formed, and a smooth surface made of a compound which is unlikely to react with carbon on the reverse shape surface. A step of forming a hard powder layer, a step of forming a diamond film on the surface of the hard powder layer by a vapor phase method, and brazing the diamond film to a surface of the substrate on which the diamond film is to be formed or by using a synthetic resin. A method of forming a diamond film, comprising: a step of bonding by adhesion; and a step of separating a substrate and a reverse mold from a hard powder layer.
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