JP3123007B2 - 電界センサ装置 - Google Patents
電界センサ装置Info
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- JP3123007B2 JP3123007B2 JP05025201A JP2520193A JP3123007B2 JP 3123007 B2 JP3123007 B2 JP 3123007B2 JP 05025201 A JP05025201 A JP 05025201A JP 2520193 A JP2520193 A JP 2520193A JP 3123007 B2 JP3123007 B2 JP 3123007B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、空間の任意の一点の電
界強度を正確に測定するための電界センサ装置に関する
ものである。
界強度を正確に測定するための電界センサ装置に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】オートマチック車の暴走事件に代表され
るように、近年、電灯のスイッチ等から放射される妨害
波等によりディジタル処理回路が誤動作を起こす現象が
問題となっている。この問題に対処するためには、この
ようなインパルス性の妨害波レベルを測定するためのア
ンテナが必要である。
るように、近年、電灯のスイッチ等から放射される妨害
波等によりディジタル処理回路が誤動作を起こす現象が
問題となっている。この問題に対処するためには、この
ようなインパルス性の妨害波レベルを測定するためのア
ンテナが必要である。
【０００３】インパレス性の電磁界を測定するためのア
ンテナとして現在は、微小ダイポールアンテナ、円錐ア
ンテナやホーンアンテナが使用されている。しかし、こ
れらのアンテナはアンテナと信号の測定器間の接続に同
軸ケーブルを使用しているため、測定した電磁界の特性
にケーブルの影響が出てしまい、測定レベルがケーブル
の引き回しの状況で変化するので、再現性に優れた測定
は困難であった。そのため、電磁界を検出するセンサ部
と測定器間を光ファイバで結ぶ電界センサが検討されて
いる。この種の電界センサは、その機構により、センサ
内部にレーザダイオード等の発光素子を内蔵するもの
と、ニオブ酸リチュウム等の電気光学効果を持つ結晶を
用いた光変調器を内蔵するものに分類される。
ンテナとして現在は、微小ダイポールアンテナ、円錐ア
ンテナやホーンアンテナが使用されている。しかし、こ
れらのアンテナはアンテナと信号の測定器間の接続に同
軸ケーブルを使用しているため、測定した電磁界の特性
にケーブルの影響が出てしまい、測定レベルがケーブル
の引き回しの状況で変化するので、再現性に優れた測定
は困難であった。そのため、電磁界を検出するセンサ部
と測定器間を光ファイバで結ぶ電界センサが検討されて
いる。この種の電界センサは、その機構により、センサ
内部にレーザダイオード等の発光素子を内蔵するもの
と、ニオブ酸リチュウム等の電気光学効果を持つ結晶を
用いた光変調器を内蔵するものに分類される。
【０００４】これら２種類のアンテナのうち後者は、前
者に比べて感度では劣るが、バッテリーを内蔵する必要
がないので、ディジタル装置の誤動作の原因となるよう
な、強い電磁界パルスの長時間観測には有効である。
者に比べて感度では劣るが、バッテリーを内蔵する必要
がないので、ディジタル装置の誤動作の原因となるよう
な、強い電磁界パルスの長時間観測には有効である。
【０００５】従来の電界センサ装置の基本的全体構成を
図６に示す。図６において、１は光変調器に無変調の光
電力を送るための光源、２は偏波面保持ファイバ内部を
伝搬する光波の偏波と光源の偏波との関係を調整し、直
線偏向の光波がファイバ内を伝搬するようにするための
偏波補償器、３は光源の光電力を光変調器に伝搬するた
めの偏波面保持ファイバ、４は光変調器がその上に形成
されている電気光学効果持つ材料で作られた基板、５は
光導波路、６は光変調器の電極、７は電界センサの金属
棒であり、２つの同じ長さの金属棒７が直列に配置され
ている。８は電界センサの光変調器を収容した筐体、９
は光変調器と光検出器１０を結ぶシングルモード光ファ
イバ、１１は光検出器１０で変換した電気信号レベルを
測定するためのレベルメータである。
図６に示す。図６において、１は光変調器に無変調の光
電力を送るための光源、２は偏波面保持ファイバ内部を
伝搬する光波の偏波と光源の偏波との関係を調整し、直
線偏向の光波がファイバ内を伝搬するようにするための
偏波補償器、３は光源の光電力を光変調器に伝搬するた
めの偏波面保持ファイバ、４は光変調器がその上に形成
されている電気光学効果持つ材料で作られた基板、５は
光導波路、６は光変調器の電極、７は電界センサの金属
棒であり、２つの同じ長さの金属棒７が直列に配置され
ている。８は電界センサの光変調器を収容した筐体、９
は光変調器と光検出器１０を結ぶシングルモード光ファ
イバ、１１は光検出器１０で変換した電気信号レベルを
測定するためのレベルメータである。
【０００６】このセンサ装置は光源として波長１．３μ
ｍのレーザダイオードを、電気光学効果を持つ結晶とし
てニオブ酸リチュウムを使用している。レーザダイオー
ドを出た光波は偏波面保持ファイバ３を伝搬して、光変
調器に入る。
ｍのレーザダイオードを、電気光学効果を持つ結晶とし
てニオブ酸リチュウムを使用している。レーザダイオー
ドを出た光波は偏波面保持ファイバ３を伝搬して、光変
調器に入る。
【０００７】従来の光変調器の構造を図７に示す。図７
において、１２，１３は光導波路である。図７に示す光
変調器はマッハチェンダ光干渉計を用いており、入射し
た光は２つの光導波路１２，１３にいったん分離され再
び結合され、２本の導波路を通る光の位相差により強度
変調された光信号が得られる。いま、金属棒を電界中に
置くと、電磁誘導により電極６間に電圧が誘起され、図
８に示すように電界が印加される。このとき、導波路１
２には下方向の電界が導波路１３には上方向の電界が印
加される。電界が印加されると電気光学効果により導波
路の誘電率が変化する。この場合、電界の印加する方向
が導波路１２と導波路１３では反対方向であるため、一
方の導波路を進む光波は位相が進み、一方の導波路の光
波は位相が遅れる。従って、これらの導波路を伝搬する
光波の位相差、すなわち印加された電圧に比例した強度
変調光信号が得られる。
において、１２，１３は光導波路である。図７に示す光
変調器はマッハチェンダ光干渉計を用いており、入射し
た光は２つの光導波路１２，１３にいったん分離され再
び結合され、２本の導波路を通る光の位相差により強度
変調された光信号が得られる。いま、金属棒を電界中に
置くと、電磁誘導により電極６間に電圧が誘起され、図
８に示すように電界が印加される。このとき、導波路１
２には下方向の電界が導波路１３には上方向の電界が印
加される。電界が印加されると電気光学効果により導波
路の誘電率が変化する。この場合、電界の印加する方向
が導波路１２と導波路１３では反対方向であるため、一
方の導波路を進む光波は位相が進み、一方の導波路の光
波は位相が遅れる。従って、これらの導波路を伝搬する
光波の位相差、すなわち印加された電圧に比例した強度
変調光信号が得られる。
【０００８】光信号はシングルモード光ファイバ９を伝
搬し、光検出器１０に送られる。光検出器１０で電気信
号に変換された光信号レベルをレベルメータ１１で測定
することにより、電界強度を求めることができる。
搬し、光検出器１０に送られる。光検出器１０で電気信
号に変換された光信号レベルをレベルメータ１１で測定
することにより、電界強度を求めることができる。
【０００９】この時の、電界強度Ｅと光検出器１０の出
力レベルＶrの関係は式（１）で表される。
力レベルＶrの関係は式（１）で表される。
【００１０】
【数１】 Ｖr＝０．５ηＩOUT ＊［１＋ｃｏｓ｛（（Ｅｈe／（１＋ｊωＣmＺa））／Ｖo）π＋φ｝］（１） 式（１）で Ｖo：光変調器の半波長電圧 ＩOUT：光変調器の最大光電力出力レベル η：光検出器の変換効率 ｈe：２本の金属棒で構成されるダイポールエレメント
の実効長 Ｃm：光変調器の入力容量 Ｚa：２本の金属棒で構成されるダイポールエレメント
の駆動点インピーダンス φ：電界を印加しない時の導波路１２と１３を伝搬する
光波の位相差（光バイアス角）である。
の実効長 Ｃm：光変調器の入力容量 Ｚa：２本の金属棒で構成されるダイポールエレメント
の駆動点インピーダンス φ：電界を印加しない時の導波路１２と１３を伝搬する
光波の位相差（光バイアス角）である。
【００１１】電界センサの電極に印加させる電圧と電界
センサの光電力出力レベルの関係を図９に示す。測定で
は電界センサのエレメントに三角波を印加し、光検出器
１０の出力レベルＶr変化を測定した。式（１）より電
極間に印加される電圧Ｖxと光検出器１０の出力レベル
Ｖrの関係は式（２）となる。
センサの光電力出力レベルの関係を図９に示す。測定で
は電界センサのエレメントに三角波を印加し、光検出器
１０の出力レベルＶr変化を測定した。式（１）より電
極間に印加される電圧Ｖxと光検出器１０の出力レベル
Ｖrの関係は式（２）となる。
【００１２】
【数２】 Ｖr＝０．５ηＩOUT＊［１＋ｃｏｓ｛（Ｖx／Ｖo）π＋φ｝］ （２） 光電力出力レベルは光検出器１０の出力レベルＶrに比
例するので、光検出器１０の出力レベルを測定すること
により、光電力出力レベルの変動を測定することができ
る。式（２）に示すように、印加電圧Ｖxを変化させる
と図９に示すようなサインカーブを描く。印加電圧がゼ
ロの時、式（２）は式（３）となる。
例するので、光検出器１０の出力レベルを測定すること
により、光電力出力レベルの変動を測定することができ
る。式（２）に示すように、印加電圧Ｖxを変化させる
と図９に示すようなサインカーブを描く。印加電圧がゼ
ロの時、式（２）は式（３）となる。
【００１３】
【数３】 Ｖr＝０．５ηＩOUT＊［１＋ｃｏｓ｛φ｝］ （３） 図６に示すように、光変調器には直流ＤＣバイアスを印
加しないので、この状態で動作する。式（３）から明ら
かなように、このときの光電力レベルは光バイアス角に
より決まる。
加しないので、この状態で動作する。式（３）から明ら
かなように、このときの光電力レベルは光バイアス角に
より決まる。
【００１４】一般に、マッハチェンダ光干渉計の場合、
通常、光導波路１２，１３の長さは同じになるように製
造される。なぜならば、現在の技術では、導波路の個々
の長さを光の位相を考慮してコントロールすることは困
難であるからである。その場合、電圧を印加しない状態
（ＤＣバイアスがゼロの場合）では２つの導波路を伝搬
する光波の位相差がゼロ（光バイアス角がゼロ）とな
り、式（３）より光電力出力レベルは最大となる。図９
では、印加電圧がゼロの時、光電力出力レベルはほぼ最
大となっており、従来の光変調器は光バイアス角はほぼ
ゼロの状態で使用していることがわかる。この場合の光
変調器の入力レベルと変調された光信号レベルの関係を
図１０に示す。
通常、光導波路１２，１３の長さは同じになるように製
造される。なぜならば、現在の技術では、導波路の個々
の長さを光の位相を考慮してコントロールすることは困
難であるからである。その場合、電圧を印加しない状態
（ＤＣバイアスがゼロの場合）では２つの導波路を伝搬
する光波の位相差がゼロ（光バイアス角がゼロ）とな
り、式（３）より光電力出力レベルは最大となる。図９
では、印加電圧がゼロの時、光電力出力レベルはほぼ最
大となっており、従来の光変調器は光バイアス角はほぼ
ゼロの状態で使用していることがわかる。この場合の光
変調器の入力レベルと変調された光信号レベルの関係を
図１０に示す。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】従来のマッハチェンダ
光干渉計では、図１０に示すように、光変調器は光バイ
アス角がほぼゼロの状態で使用しているので、光バイア
ス角がゼロ（図の光電力の値が最大になる点）に近づく
と、光電力出力レベルと印加電圧の関係を表す曲線の傾
きが小さくなり、変調効率が悪くなるという問題があっ
た。また、この位置では、曲線の直線部分が短かく、ダ
イナミックレンジが小さくなるという問題があった。
光干渉計では、図１０に示すように、光変調器は光バイ
アス角がほぼゼロの状態で使用しているので、光バイア
ス角がゼロ（図の光電力の値が最大になる点）に近づく
と、光電力出力レベルと印加電圧の関係を表す曲線の傾
きが小さくなり、変調効率が悪くなるという問題があっ
た。また、この位置では、曲線の直線部分が短かく、ダ
イナミックレンジが小さくなるという問題があった。
【００１６】本発明は、前記問題点を解決するためにな
されたものであり、本発明の目的は変換効率（感度）が
高く、ダイナミックレンジの大きな電界センサ装置を提
供することにある。
されたものであり、本発明の目的は変換効率（感度）が
高く、ダイナミックレンジの大きな電界センサ装置を提
供することにある。
【００１７】本発明の前記ならびにその他の目的及び新
規な特徴は、本発明書の記述及び添付図面によって明ら
かにする。
規な特徴は、本発明書の記述及び添付図面によって明ら
かにする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記の通りである。 即ち、本発明は、間に空隙を設けて
直列に配置される２つの金属棒と、前記２つの金属棒に
よって形成される空隙に挿入されるとともに、電気光学
効果を有する基板と、前記電気光学効果を有する基板上
に設けられる光導波路とを有する光変調器とを有し、前
記光変調器に無変調の光信号を入射し、当該入射光信号
を前記２つの金属棒によって形成された空隙に生じた電
界による電磁誘導で光強度変調し、当該変調された光信
号成分を光検出器で検出し、当該検出された変調光信号
成分に基づいて、前記金属棒の置かれた位置の電界強度
を測定する電界センサ装置であって、前記電気光学効果
を有する基板の、前記光導波路が形成されている面とそ
の相対する面を除いた面から、前記電気光学効果を有す
る基板に対して、前記光導波路の延長方向と直交する方
向に応力を印加する手段を有することを特徴とする。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記の通りである。 即ち、本発明は、間に空隙を設けて
直列に配置される２つの金属棒と、前記２つの金属棒に
よって形成される空隙に挿入されるとともに、電気光学
効果を有する基板と、前記電気光学効果を有する基板上
に設けられる光導波路とを有する光変調器とを有し、前
記光変調器に無変調の光信号を入射し、当該入射光信号
を前記２つの金属棒によって形成された空隙に生じた電
界による電磁誘導で光強度変調し、当該変調された光信
号成分を光検出器で検出し、当該検出された変調光信号
成分に基づいて、前記金属棒の置かれた位置の電界強度
を測定する電界センサ装置であって、前記電気光学効果
を有する基板の、前記光導波路が形成されている面とそ
の相対する面を除いた面から、前記電気光学効果を有す
る基板に対して、前記光導波路の延長方向と直交する方
向に応力を印加する手段を有することを特徴とする。
【００１９】
【作用】前述の手段によれば、光変調器が形成されてい
る基板に設けた２つの導波路で歪が異なるように応力を
印加するので、導波路を伝搬する光の伝搬速度が変わ
り、光バイアス角を調整することができる。これによ
り、光変調器の無信号時の光出力レベルを光変調器が最
も直線性の良いレベルに調整することが可能となる。
る基板に設けた２つの導波路で歪が異なるように応力を
印加するので、導波路を伝搬する光の伝搬速度が変わ
り、光バイアス角を調整することができる。これによ
り、光変調器の無信号時の光出力レベルを光変調器が最
も直線性の良いレベルに調整することが可能となる。
【００２０】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を用いて詳細に
説明する。なお、全図において、同一機能を有するもの
は同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
説明する。なお、全図において、同一機能を有するもの
は同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【００２１】本発明は、印加電圧と光電力出力の関係は
サイン曲線（図９）で表されており、光電力出力レベル
が最大値の半分の位置（光バイアス角φが９０度）に調
整すれば、ダイナミックレンジを最も良くすることがで
きる点に着目してなされたものである。
サイン曲線（図９）で表されており、光電力出力レベル
が最大値の半分の位置（光バイアス角φが９０度）に調
整すれば、ダイナミックレンジを最も良くすることがで
きる点に着目してなされたものである。
【００２２】図１は本発明の原理を説明するための図で
あり、光バイアス角が９０度での印加電圧レベルと光変
調信号出力レベルの関係を図示している。図１に示すよ
うに、光バイアス角が９０度での曲線の傾きが最も大き
く、変換効率（感度）も最も大きいことがわかる。そこ
で本発明においては、光バイアス角を調整する手段を設
けた。
あり、光バイアス角が９０度での印加電圧レベルと光変
調信号出力レベルの関係を図示している。図１に示すよ
うに、光バイアス角が９０度での曲線の傾きが最も大き
く、変換効率（感度）も最も大きいことがわかる。そこ
で本発明においては、光バイアス角を調整する手段を設
けた。
【００２３】以下、実施例について述べる。
【００２４】図２は本発明の主要部を構成する光変調器
の一実施例の構成を示す断面図である。図２において、
１４は光変調器が形成されている基板に応力を印加する
ための手段であり、筐体８に取付けられている。１５は
金属棒を取付けるためのネジである。他の構成要素は従
来のものと差異がないので説明は省略する。
の一実施例の構成を示す断面図である。図２において、
１４は光変調器が形成されている基板に応力を印加する
ための手段であり、筐体８に取付けられている。１５は
金属棒を取付けるためのネジである。他の構成要素は従
来のものと差異がないので説明は省略する。
【００２５】本実施例では、電気光学効果を有する結晶
として長さ６０mm，幅５mm，厚さ１mmのニオブ酸リチュ
ウムの結晶を使用し、この結晶上にチタンを拡散してマ
ッハチェンダ光干渉計を形成している。電極の長さは４
０mm，半波長電圧は約３Ｖ，電極間容量は約１０ｐＦで
ある。
として長さ６０mm，幅５mm，厚さ１mmのニオブ酸リチュ
ウムの結晶を使用し、この結晶上にチタンを拡散してマ
ッハチェンダ光干渉計を形成している。電極の長さは４
０mm，半波長電圧は約３Ｖ，電極間容量は約１０ｐＦで
ある。
【００２６】光変調器を収容した筐体８はアクリル製
で、その側面に応力印加用の手段としてナイロン製のネ
ジが取り付けられている。図３は本実施例の応力印加部
の構造を示す図であり、１６は応力印加用のナイロンネ
ジ、１７はナイロンネジがゆるまないようにしておくた
めのナイロン製ナット、１８はニオブ酸リチュウム基板
の台である。図に示すようにナイロンネジ１６の先端部
で光変調器６が形成された基板の側面方向に応力を印加
している。すなわち基板の側面から、導波路と直交する
方向に応力を印加している。
で、その側面に応力印加用の手段としてナイロン製のネ
ジが取り付けられている。図３は本実施例の応力印加部
の構造を示す図であり、１６は応力印加用のナイロンネ
ジ、１７はナイロンネジがゆるまないようにしておくた
めのナイロン製ナット、１８はニオブ酸リチュウム基板
の台である。図に示すようにナイロンネジ１６の先端部
で光変調器６が形成された基板の側面方向に応力を印加
している。すなわち基板の側面から、導波路と直交する
方向に応力を印加している。
【００２７】基板に応力を印加し導波路に非対称な歪を
加えるためには、基板の幅はできるだけ狭いことが望ま
しいが、あまり狭いと機械的強度が落ちるので、１０mm
程度から１mm程度までが実際的な値である。
加えるためには、基板の幅はできるだけ狭いことが望ま
しいが、あまり狭いと機械的強度が落ちるので、１０mm
程度から１mm程度までが実際的な値である。
【００２８】図４は実施例の基本的構成を示す図であ
る。このようにして構成した筐体８を図４に示す構成要
素とともに組合わせ、電界センサ装置とした。ニオブ酸
リチュウムは光弾性効果を有しており、弾性体内に歪が
生じると弾性体の屈折率が変化する。従って、導波路１
２と１３の場所での歪が異なるように基板の側面方向か
ら、導波路と直交する方向に応力を印加することによ
り、導波路を伝搬する光の伝搬速度が変わり、光バイア
ス角を調整することができる。
る。このようにして構成した筐体８を図４に示す構成要
素とともに組合わせ、電界センサ装置とした。ニオブ酸
リチュウムは光弾性効果を有しており、弾性体内に歪が
生じると弾性体の屈折率が変化する。従って、導波路１
２と１３の場所での歪が異なるように基板の側面方向か
ら、導波路と直交する方向に応力を印加することによ
り、導波路を伝搬する光の伝搬速度が変わり、光バイア
ス角を調整することができる。
【００２９】図５は本実施例の電極間電圧と光電力出力
レベルの関係を示す図であり、半波長電圧の測定結果を
示している。本実施例では、光バイアス角の調整機構を
持っているため、最もダイナミックレンジの大きくなる
位置（光電力レベルが最大レベルの半分になる位置）に
光バイアス角と調整することができる。
レベルの関係を示す図であり、半波長電圧の測定結果を
示している。本実施例では、光バイアス角の調整機構を
持っているため、最もダイナミックレンジの大きくなる
位置（光電力レベルが最大レベルの半分になる位置）に
光バイアス角と調整することができる。
【００３０】電磁パルスの測定では、大きな電界強度を
測定する必要があるので、光バイアス角が最適な位置に
設定されている場合は、ダイナミックレンジが大きくな
り、それだけ正確に強いパルス波形を測定することがで
きる。
測定する必要があるので、光バイアス角が最適な位置に
設定されている場合は、ダイナミックレンジが大きくな
り、それだけ正確に強いパルス波形を測定することがで
きる。
【００３１】以上本発明を実施例にもとづき具体的に説
明したが、本発明は前記実施例に限定されるものではな
く、その要旨を逸脱しない範囲において、種々変更し得
ることはいうまでもない。
明したが、本発明は前記実施例に限定されるものではな
く、その要旨を逸脱しない範囲において、種々変更し得
ることはいうまでもない。
【００３２】
【発明の効果】以上、説明したように、電界センサ装置
を構成する光変調器が形成された基板に応力を印加して
光バイアス角を最適な値に調整できるようにすることに
より、高感度でダイナミックレンジの大きな電界センサ
装置を実現できる。
を構成する光変調器が形成された基板に応力を印加して
光バイアス角を最適な値に調整できるようにすることに
より、高感度でダイナミックレンジの大きな電界センサ
装置を実現できる。
【図１】 本発明の原理を説明するための図、
【図２】 本発明の主要部を構成する光変調器の一実施
例の構成を示す断面図、
例の構成を示す断面図、
【図３】 本実施例の応力印加部の構造を示す図、
【図４】 本実施例の全体構成を示す図、
【図５】 本実施例の電極間電圧と光電力出力レベルの
関係を示す図、
関係を示す図、
【図６】 従来の電界センサ装置の全体構成を示す図、
【図７】 従来の光変調器の構造を示す図、
【図８】 従来の光変調器の光導波路に印加された電界
を示す図、
を示す図、
【図９】 従来の電界センサ装置の電界センサの電極間
印加電圧と光電力出力レベルの関係を示す図、
印加電圧と光電力出力レベルの関係を示す図、
【図１０】 従来の電界センサ装置における光バイアス
角がゼロに近い場合の光バイアス角と光変調信号出力レ
ベルの関係を示す図。
角がゼロに近い場合の光バイアス角と光変調信号出力レ
ベルの関係を示す図。
１…光源、２…偏波補償器、３…偏波面保持ファイバ、
４…基板、５…光導波路、６…光変調器の電極、７…電
界センサの金属棒、８…筐体、９…シングルモード光フ
ァイバ、１０…光検出器、１１…レベルメータ、１２，
１３…光導波路、１４…基板に応力を印加する手段、１
５…金属棒を取付けるためのネジ、１６…基板に応力を
印加するためのナイロンネジ、１７…ナイロン製ナッ
ト、１８…基板の台。
４…基板、５…光導波路、６…光変調器の電極、７…電
界センサの金属棒、８…筐体、９…シングルモード光フ
ァイバ、１０…光検出器、１１…レベルメータ、１２，
１３…光導波路、１４…基板に応力を印加する手段、１
５…金属棒を取付けるためのネジ、１６…基板に応力を
印加するためのナイロンネジ、１７…ナイロン製ナッ
ト、１８…基板の台。
Claims (1)
- 【請求項１】 間に空隙を設けて直列に配置される２つ
の金属棒と、 前記２つの金属棒によって形成される空隙に挿入される
とともに、電気光学効果を有する基板と、前記電気光学
効果を有する基板上に設けられる光導波路とを有する光
変調器とを有し、 前記光 変調器に無変調の光信号を入射し、当該入射光信
号を前記２つの金属棒によって形成された空隙に生じた
電界による電磁誘導で光強度変調し、当該変調された光
信号成分を光検出器で検出し、当該検出された変調光信
号成分に基づいて、前記金属棒の置かれた位置の電界強
度を測定する電界センサ装置であって、 前記電気光学効果を有する基板の、前記光導波路が形成
されている面とその相対する面を除いた面から、前記電
気光学効果を有する基板に対して、前記 光導波路の延長
方向と直交する方向に応力を印加する手段を有すること
を特徴とする電界センサ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05025201A JP3123007B2 (ja) | 1993-02-15 | 1993-02-15 | 電界センサ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05025201A JP3123007B2 (ja) | 1993-02-15 | 1993-02-15 | 電界センサ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06242162A JPH06242162A (ja) | 1994-09-02 |
| JP3123007B2 true JP3123007B2 (ja) | 2001-01-09 |
Family
ID=12159342
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05025201A Expired - Fee Related JP3123007B2 (ja) | 1993-02-15 | 1993-02-15 | 電界センサ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3123007B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2791856B2 (ja) * | 1994-05-12 | 1998-08-27 | 株式会社トーキン | 電界センサ |
| JP4708452B2 (ja) * | 2008-04-14 | 2011-06-22 | アンリツ株式会社 | 光変調デバイス |
| JP2010127777A (ja) * | 2008-11-27 | 2010-06-10 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 電界計測装置 |
-
1993
- 1993-02-15 JP JP05025201A patent/JP3123007B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
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| JPH06242162A (ja) | 1994-09-02 |
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